JP2017106703A - レードーム用ウィスカー強化高破壊靭性セラミックチップ - Google Patents

Abstract

【課題】通信システムを格納する航空機、ロケット、ミサイルなどのノーズコーンアセンブリ又はレードームチップアセンブリにおいて、熱や衝撃に耐える構成を提供する。【解決手段】レードームチップアセンブリは、チップ１２、及びチップ１２をレードーム５２に取り付ける軸受筒締結具３２により、高破壊靭性を有する。チップ１２と軸受筒締結具は共に、酸化アルミニウムセラミック材料と強化用炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物で構築されており、レードーム５２は酸化セラミック複合材料で構築されている。【選択図】図７

Description

本開示は、レーダーシステム又は他の同様な通信システムを格納する航空機、ロケット、ミサイルなどのノーズコーンアセンブリ又はレードームチップアセンブリの構築に関する。

航空機、ロケット、ミサイルなどのノーズコーンは一般的に、航空機、ロケット、ミサイルなどのレーダーシステム又は他の同様な通信システムを格納するレードームを含む。航空機、ロケット、ミサイルなどの稼働中、レードームは高速にさらされ、その結果、レードームの材料は高温になる。レードームの場合、これが特に当てはまるのは、ロケット及びミサイルの先端である。

高温になる最新のロケット及びミサイルのレードームは、通常、一体構造セラミック材料で作られている。このような一体構造セラミック材料の例には、ガラスセラミック（Ｃｏｒｎｉｎｇ社のＰｙｒｏｃｅｒａｍ（登録商標））、窒化ケイ素（Ｃｅｒａｄｙｎｅ社のＣｅｒａｌｌｏｙ（登録商標））、及び溶融石英などがある。これらの材料は低い比誘電率を有し、電送に適している。レードームは一般的に、円錐形状の最上部に頂点開口部と円錐形状の底部にベース開口部を有する、切頭円錐形状で構築されている。レードームは、レーダーシステムを格納する内部空間を有する。

レードームのチップは一般的に、レードームから切り離されて構築される。その理由の１つは、レードームの構築中にレードームのセラミック材料が縮むためである。レードームは、レーダーシステムの電送と予測を良好なものにすると同時に、空力的に滑らかな外面にするため、正確な断面寸法を有する必要がある。そのため、レードームは中心に配置され、レードームの外面は旋盤で加工され研磨されることが必要となる。必要不可欠なチップと共にレードームを形成する場合、その製造ステップは実現が難しくなる。しかも、必要不可欠なチップと共に一体構造セラミック材料のレードームを形成すると、チップ部分が脆弱な一体構造セラミックのレードームを作ることになる。飛行中にチップが何らかの物体から直接的な衝撃を受けると、たとえそれが雨であっても、チップとレードームに重篤な障害を引き起こすことがある。

高速のセラミックレードームは一般的に、分離された金属チップを用いて構築される。金属チップは耐衝撃性を改善し、一体構造セラミック材料からなるレードームの使用中に重篤な障害が発生する可能性を低減する。しかしながら、一体構造セラミック材料からなるレードーム上で金属チップを使用する場合には、数多くの問題が発生する。金属チップはレーダーシステムからの信号の伝送を遮断し、レーダーシステムの信号を反射又は散乱し、レーダーシステムの性能を低下させる大きなブラインドスポットを生み出す。

しかも、金属チップの熱膨張率は、レードームの構築に使用される一体構造セラミック材料の熱膨張率よりも大きい。そのため、レーダーシステムの構成要素を保護するため、レードームの内部空間に制御された環境を保持するのに欠かせない、金属チップとセラミックレードームとの間の気密シールを作り出すのが難しくなる。時間の経過と共に、金属チップと脆弱なセラミックレードームとの間の熱膨張率の差は、レードームの一体構造セラミック材料に微小亀裂を生み出し、金属チップとレードームとの間の密閉が漏れ、金属チップがセラミックレードームから分離する原因となる。

一体構造セラミックレードームに取り付けられる別個の一体構造セラミックチップの使用にも問題がある。一体構造セラミックチップの脆弱な性質は、たとえ雨であっても、物体との衝撃でチップの重篤な障害を引き起こすことがありうる。また、別個の一体構造セラミックチップを脆弱なセラミックレードームにしっかりと取り付けることは困難である。

本開示のレードームチップアセンブリは、レードーム、レードームに取り付けられる別個のチップ、及びチップをレードームに取り付けるために使用される軸受筒締結具からなる。チップは雄ねじ面を有し、軸受筒締結具は雌ねじ面を有する。チップをレードームに取り付けるとき、軸受筒締結具の雌ねじ面は、チップの雄ねじ面にねじ込まれる。

レードームは酸化セラミックマトリクス複合材料で構築される。材料は、レードームの重篤な障害の可能性を取り除く連続繊維を有する。レードームは良好な電子信号伝送特性と低い熱膨張率を有する。レードームは切頭円錐形状を有する。レードームの切頭円錐形状は、円錐形状を有するレードームの外面によって画定される。レードームは外面と向かい合う内面を有する。内面はレードームの内部空間を取り囲む。レードームの丈（ｌｅｎｇｔｈ）は、頂点面とレードームの丈の対向端部に位置するベース面との間に延在する。開口部は、レードームの内部空間に対して開かれたレードームの頂点面に設けられる。

チップはレードームの頂点面に取り付けられる。チップは、酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物で構築される。チップは、円筒形状の近位端部面と円錐形状の遠位端部面を有する。雄ねじ面はチップの近位端部面に形成される。雄ねじ面はレードームの頂点面の開口部を通って、レードームの内部空間へ延在する。

軸受筒締結具はまた、酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物で構築される。軸受筒締結具は、レードームの内面の形状と相補的な関係にある切頭円錐形状を有する外面を有する。軸受筒は、チップの雄ねじ面と相補的な関係にある雌ねじ面を有するように形成される。軸受筒の雌ねじ面は、チップをレードームに取り付ける際に、チップの雄ねじ面にねじ込まれる。

軸受筒締結具の外面とレードームの内面との間にガラスシールがもたらされる。ガラスシールはまた、軸受筒締結具とチップとの間にも延在する。

チップと軸受筒締結具の構築に使用される酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素ウィスカー結晶材料の混合物は、レードームの構築に使用される酸化セラミックマトリクス複合材料の熱膨張率（ＣＴＥ）と厳密に一致する熱膨張率を有する。これにより、金属チップと一体構成セラミック材料レードームとの間の熱膨張率不一致の問題は取り除かれる。例えば、３０％ウィスカー強化アルミナを有するグリーンリーフＷＧ−３００から作られるチップと軸受筒のＣＴＥは６．０×１０^−６で、１８％ウィスカー強化のＷＧ−１５０の場合にはＣＴＥは７．０×１０^−６となる。これら２つのチップと軸受筒の材料は、面内ＣＴＥが６．５６ｐｐｍ／℃であるＮｅｘｔｅｌ−７２０繊維強化材を使用する酸化ＣＭＣ、或いは面内ＣＴＥが７．８７×１０^−６／℃であるＮｅｘｔｅｌ−６１０繊維強化材を有する酸化ＣＭＣと厳密に一致するＣＴＥを有する。酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカー材料の混合物で構築されるチップは、重篤な障害が発生することなく、強い衝撃に耐えることができる。このチップは金属チップのようにレーダーを遮断又は反射することはない。

上述の特徴、機能、及び利点は、様々な実施形態において単独で実現することが可能であり、或いは、更に別の実施形態において組み合わせることが可能である。これらの実施形態は、以下の説明及び添付図面を参照することによって更に詳細に理解することができる。

本開示のチップの斜視図を示したものである。 本開示のチップの側面図を示したものである。 本開示の締結具軸受筒の斜視図を示したものである。 締結具軸受筒の近位端の平面図を示したものである。 締結具軸受筒の遠位端の平面図を示したものである。 締結具軸受筒の側面図を示したものである。 レードームに組み込まれたチップと締結具軸受筒の側断面図を示したものである。 レードームチップを作る方法を示したフロー図である。

図１は本開示のチップ１２の斜視図を示したものである。図２はチップ１２の側面図を示したものである。チップ１２は中心軸１４を有する。チップ１２の外面形状は、中心軸１４の周りに対称である。チップの外面形状は、近位表面部分１６と遠位表面部分１８を含む。近位表面部分１６は、雄ねじ面２２によって画定される。図１及び図２に示したチップ１２の例では、雄ねじ面２２は３／８−１６ねじ山からなる。チップ１２の遠位部分１８は、円錐外面２４によって画定される。円錐面２４は、円錐面の円形ベースエッジ２６から丸みのある頂点面２８まで延在する。図１及び図２に示されているチップ１２の例では、丸みのある頂点面２８は０．１２５インチの曲率半径を有する。チップ１２の全長は１〜６インチで、公称約１．４０インチである。雄ねじ面２２の長さは０．２５〜２インチで、公称約０．４２５インチである。チップ１２の用途に応じて、チップの寸法は異なってもよい。

チップ１２は、ウィスカー強化材の技術を使用するセラミック複合材料で構築される。チップ１２の硬質セラミックマトリクスは、一般的にウィスカーと呼ばれる、極めて強力で堅い炭化ケイ素結晶で強化されている。チップ１２は、炭化ケイ素結晶ウィスカーで強化された酸化アルミニウムセラミック材料の混合物であるセラミックマトリクス複合材料から構築される。チップ１２の構築に使用されるセラミックマトリクス複合材料の一例は、グリーンリーフ社のウィスカー強化セラミック材料ＷＧ−３００（登録商標）である。ＷＧ−３００（登録商標）では、酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物中の炭化ケイ素結晶ウィスカーの割合はおよそ３０％である。チップ１２の構築に使用されるセラミック複合材料の他の実施例では、酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物中の炭化ケイ素結晶ウィスカーの割合は、混合物の１８％〜３０％の範囲内となる。

チップ１２の構築では、酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物が用意される。酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物は、チップ１２の構築に使用される半加工品を形成するため、高温／高圧プレス機に投入される。プレス機は、酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物からチップ１２を形成するように構成された、金型を有する。混合物は金型の間のプレス機に配置され、高温（華氏３，０００度以上）で加熱プレスされ、チップ１２の半加工品を形成する。チップ１２の半加工品は、円筒形になるチップ近位部分１６と円錐形状を有するチップ遠位部分１８で形成される。半加工品は高密度で、細かい粒子サイズを有する。プレス機の温度と同時にプレス機内の混合物に印加される外圧力は、酸化アルミニウムセラミック材料と強化用炭化ケイ素結晶ウィスカーを良好に一体化する。

次に、雄ねじ面２２が、チップ１２の円筒形の近位部分１６に機械加工される。ねじ面２２の谷の底は、荷重下でねじ面２２の切り欠き感度（ｎｏｔｃｈ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を低減するため、浅くなるように機械加工される。半工品中のウィスカーは、ねじ面２２の機械加工中に、微小亀裂が形成され、チップの近位部分１６を通って伝播するのを防ぐ。

図３〜図６は、本開示の軸受筒締結具３２を示している。軸受筒締結具３２は中心軸３４を有する。軸受筒締結具３２の外面形状は、基本的に中心軸３４の周りに対称である。軸受筒締結具３２は基本的に円錐形のナットである。軸受筒締結具３２の外面３６は、切頭円錐の形状を有する。外面３６は、一般的に環状の近位端部面３８から環状の遠位端部面４２まで延在する。雌ねじ面４４は、軸受筒締結具３２の中心を通って、近位端部面３８から遠位端部面４２まで延在する。ツール接合面スロット４６は、近位端部面３８を横断して延在する。図３〜図６に示された軸受筒締結具３２の実施例では、軸受筒締結具は、長さ０．２〜１．２５インチの軸、公称で長さ約０．３０インチの軸を有する。近位端部面３８の直径は０．５〜２．０インチ、公称で約０．７２７インチとなっている。遠位端部面４２の直径は０．２５〜１．７５インチ、公称で約０．５３６インチとなっている。雌ねじ面４４の規格は１／４−１６〜１／２−１６、公称で３／８−１６となっている。軸受筒締結具３２の用途に応じて、軸受筒締結具３２の寸法は異なってもよい。

軸受筒締結具３２の構築方法は、チップ１２の構築方法と同様である。軸受筒締結具３２の構築では、酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物が用意される。酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物は、軸受筒締結具３２の構築に使用される半加工品を形成するため、高温／高圧プレス機に投入される。プレス機は、軸受筒締結具３２用の半加工品を形成するために構成される金型を有する。軸受筒締結具３２の雌ねじ面４４を形成するため、軸受筒締結具３２の雌ねじ面４４と相補的な関係にある雄ねじ面がグラファイト母材に機械加工される。酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物の中心には、プレス機が混合物を加熱圧縮する前に母材が配置される。プレス機内の混合物を加熱圧縮して、軸受筒締結具３２の高密度なセラミック半加工品に仕上げる間に、軸受筒締結具３２の雌ねじ面４４は母材の周囲に形成される。軸受筒締結具半加工品を形成する混合物の加熱圧縮が完了した後、雄ねじ面を有する柔らかいグラファイトの母材は軸受筒締結具半加工品から取り除かれ、軸受筒締結具３２には、コスト効率の良い、きれいで正確な雌ねじ面４４が残る。雌ねじ面４４は、プレス機内の酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーを加熱圧縮する間に形成されるため、雌ねじ面４４の収縮は起こらない。これにより、機械加工されたチップ１２の雄ねじ面２２に厳密に適合する雌ねじ面４４を、大きな許容誤差で作ることができる。

レードームチップ１２と軸受筒締結具３２の構築では、酸化アルミニウムセラミック材料粉末と炭化ケイ素結晶ウィスカーの使用の別の態様として、代わりに窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を使用することができる。窒化ケイ素材料は、ＷＧ−３００材料（６．０×１０^−６／℃）や熱膨張率が更に高い金属と比較して、一般的に３．０〜３．５×１０^−６／℃となる低い熱膨張率を有するため、ガラスセラミック（Ｃｏｒｎｉｎｇ社のＰｙｒｏｃｅｒａｍ（登録商標））、溶融石英を含む一般的な一体構造セラミック材料、並びに窒化ケイ素（Ｃｅｒａｄｙｎｅ社のＣｅｒａｌｌｏｙ（登録商標））からなる新しい一体構造高温レードームのような、低ＣＴＥレードーム５２材料でも良好となるであろう。

図７は、チップ１２と軸受筒締結具３２が使用されるレードーム５２の断面図を示している。レードーム５２は切頭円錐の形状を有する。レードーム５２の切頭円錐の形状は、円錐形状を有するレードームの外面５４によって画定される。レードーム５２は、図７のレードームに示されている円錐形状を有する外面５４に対向する内面５６を有する。内面５６は、レーダーシステムを収容するレードームの内部空間を取り囲む。外面５４と内面５６は、頂点面６２からレードーム５２の丈の対向端部に位置するベース面６４まで延在する。開口部６６は、レードーム５２の内部空間５８に向かって開いている頂点面６２に設けられている。

レードーム５２は、酸化セラミックマトリクス複合材料で構築されている。材料は、レードーム５２の重篤な障害の可能性を取り除く連続繊維を有する。レードーム５２は、レードームの構築に使用される材料によって、良好な電子信号伝送特性と低い熱膨張率を有する。

図７は、チップ１２、軸受筒締結具３２及びレードーム５２を含むレードームチップアセンブリ６８を示している。図７では、チップ１２の近位部分１６が、開口部６６を通って、レードーム５２の頂点面３２に挿入されている。軸受筒締結具３２がチップ近位部分１６の雄ねじ面２２にねじ込まれる前に、ガラス７２が軸受筒締結具３２の雌ねじ面４４、並びに軸受筒締結具３２の環状の遠位端部面４２及び軸受筒締結具３２の外面３６に接合される。軸受筒締結具３２は次に、チップ１２の雄ねじ面２２にねじ込まれる。軸受筒締結具３２は、チップ遠位部分１８がレードーム頂点面６２に係合し、軸受筒締結具の外面３６がレードーム５２の内面５６に係合するまで、チップ１２の雄ねじ面２２に引き続きねじ込まれる。

レードームチップアセンブリ６８は次に加熱され、これにより、チップ１２とレードーム５２は膨張する。チップ１２の熱膨張率は、レードーム５２の熱膨張率をわずかに下回る。このため、熱膨張率のわずかな差によって、チップ１２はレードーム５２の中で緩む。加熱によりガラス７２は溶けて、軸受筒締結具３２をチップ１２に結合し、軸受筒締結具３２とチップ１２を共にレードーム５２に結合する。レードームチップアセンブリ６８が冷えると、レードーム５２の熱膨張率がわずかに大きいためガラスシール７２を圧縮し、軸受筒締結具３２の外面６２とレードーム５２の内面５６に沿って、並びに軸受筒締結具３２の遠位端部面４２とチップ１２の遠位部分１８との間で、良好なシールを形成する。ガラスシール７２はまた、チップ１２の雄ねじ面２２を軸受筒締結具３２の雌ねじ面４４に固定する。飛行中にチップ１２が加熱されると、チップはレードーム５２から緩むことはない。

更に、本開示は下記の条項による実施形態を含む。

条項１． 外面と前記外面に対向する内面を有するレードーム（５２）であって、前記内面によって取り囲まれる内部空間を有し、前記外面を通って前記内部空間に至る開口部を有するレードーム（５２）と、
円筒形状の近位端部面と円錐形状の遠位端部面を有するチップ（１２）であって、チップ（１２）の近位端部面は前記レードーム（５２）の前記開口部を通って前記レードーム（５２）の前記内部空間へ延在するチップ（１２）と、
前記レードーム（５２）の前記内部空間内の前記チップ（１２）の前記近位端部面上の軸受筒（３２）であって、前記チップ（１２）を前記レードーム（５２）に取り付ける軸受筒（３２）と
を含むレードームチップアセンブリ。

条項２． 前記レードーム（５２）の前記内面上に圧縮力を及ぼす前記軸受筒（３２）であって、前記チップ（１２）の前記近位端部面に引張力を及ぼす前記軸受筒（３２）
を更に含む、条項１に記載のレードームチップアセンブリ。

条項３． 円錐形状を有する前記レードーム（５２）の前記内面と、
レードーム（５２）の円錐形状の前記内面と相補的な関係にある円錐形状の外面を有する前記軸受筒（３２）と
を更に含む、条項１に記載のレードームチップアセンブリ。

条項４． 前記軸受筒（３２）と前記レードーム（５２）の内面との間のガラスシール（７２）
を更に含む、条項１に記載のレードームチップアセンブリ。

条項５． 雄ねじ面として構成される前記チップ（１２）の前記近位端部面と、
前記軸受筒（３２）を通る雌ねじ面を有する前記軸受筒（３２）と
前記チップ（１２）の前記雄ねじ面にねじ込まれる前記軸受筒（３２）の前記雌ねじ面と
を更に含む、条項１に記載のレードームチップアセンブリ。

条項６． 円錐形状の丈を有する前記レードーム（５２）であって、前記レードーム（５２）の丈は頂点面と前記レードーム（５２）の丈の対向端部に位置するベース面との間に延在する前記レードーム（５２）と、
前記レードーム（５２）の前記頂点面に取り付けられた前記チップ（１２）と
を更に含む、条項５に記載のレードームチップアセンブリ。

条項７． 酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物で構築される前記チップ（１２）
を更に含む、条項６に記載のレードームチップアセンブリ。

条項８． 窒化ケイ素で構築される前記チップ（１２）
を更に含む、条項６に記載のレードームチップアセンブリ。

条項９． セラミックマトリクス複合材料で構築される前記レードーム（５２）
を更に含む、条項８に記載のレードームチップアセンブリ。

条項１０． 酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物で構築される前記軸受筒（３２）
を更に含む、条項９に記載のレードームチップアセンブリ。

条項１１． 窒化ケイ素で構築される前記軸受筒（３２）
を更に含む、条項９に記載のレードームチップアセンブリ。

本発明の範囲から逸脱せずに、本明細書中に記載され図示された装置の構築及びその装置の動作方法に様々な変更を加えることが可能であろうため、先の記述に含まれ、添付図面に示されたすべての対象となるものは、限定というよりむしろ例示として解釈されたい。したがって、本開示の幅広さ及び範囲は、上記の例示的実施形態のうちの任意のものによって限定されるべきではなく、本明細書に添付される以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物によってのみ定義されるべきである。

Claims (13)

1. レードーム（５２）、
   セラミック材料から構築され、前記レードーム（５２）に取り付けられたチップ（１２）
   を含むレードームチップアセンブリ。
2. 酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物である前記セラミック材料
   を更に含む、請求項１に記載のレードームチップアセンブリ。
3. 窒化ケイ素である前記セラミック材料
   を更に含む、請求項１又は２に記載のレードームアセンブリ。
4. 前記混合物の１８％〜３０％の範囲内にある前記混合物中の炭化ケイ素結晶ウィスカー
   を更に含む、請求項２又は３に記載のレードームチップアセンブリ。
5. セラミックマトリクス複合材料から構築された前記レードーム（５２）
   を更に含む、請求項２から４のいずれか一項に記載のレードームチップアセンブリ。
6. 酸化セラミックマトリクス複合材料である前記セラミックマトリクス複合材料
   を更に含む、請求項５に記載のレードームチップアセンブリ。
7. 前記チップ（１２）と前記レードーム（５２）との間のガラスシール（７２）
   を更に含む、請求項２から６のいずれか一項に記載のレードームチップアセンブリ。
8. 前記チップ（１２）を前記レードーム（５２）に取り付ける前記チップ（１２）上の締結具（３２）であって、酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物から構築される締結具（３２）
   を更に含む、請求項２から７のいずれか一項に記載のレードームチップアセンブリ。
9. 酸化アルミニウムセラミック材料と炭化ケイ素結晶ウィスカーの混合物から構築され、前記混合物中の前記炭化ケイ素結晶ウィスカーが前記混合物の１８％〜３０％の範囲内にある前記締結具（３２）
   を更に含む、請求項８に記載のレードームチップアセンブリ。
10. 第１の熱膨張率を有する前記チップ（１２）と、
    第２の熱膨張率を有する前記レードーム（５２）と
    を更に含み、
    前記第１の熱膨張率は前記第２の熱膨張率を下回る、請求項２から９のいずれか一項に記載のレードームチップアセンブリ。
11. 円錐形状の丈を有する前記レードーム（５２）であって、前記レードーム（５２）の丈は頂点面と前記レードーム（５２）の丈の対向端部に位置するベース面との間に延在する前記レードーム（５２）と、
    前記レードーム（５２）の前記頂点面に取り付けられた前記チップ（１２）と
    を更に含む、請求項２から１０のいずれか一項に記載のレードームチップアセンブリ。
12. セラミックマトリクス複合材料からなるレードーム（５２）であって、レードーム（５２）の頂点面とレードーム（５２）の丈の対向端部に位置するレードーム（５２）のベース面との間に延在するレードーム（５２）の円錐形状の丈を有するレードーム（５２）を構築することと、
    円筒形状の近位端部面と円錐形状の遠位端部面を有する、セラミック材料からなるチップ（１２）を構築することと、
    前記チップ（１２）の前記近位端部面を、前記レードーム（５２）の開口部を経由して、前記レードーム（５２）の内部空間へ挿入することと、
    前記レードーム（５２）の内面に対して係合し、前記チップ（１２）を前記レードーム（５２）の頂点面に取り付ける軸受筒（３２）を、前記レードーム（５２）の前記内部空間内で前記チップ（１２）の前記近位端部面に取り付けることと
    を含む、レードームチップアセンブリの製造方法。
13. 前記チップ（１２）の前記近位端部面の上に雄ねじ面を形成することと、
    前記軸受筒（３２）に雌ねじ面を形成することと、
    前記軸受筒（３２）を前記チップ（１２）の前記近位端部面に取り付けること、並びに前記チップ（１２）の前記雄ねじ面に前記軸受筒（３２）の前記雌ねじ面をねじ込むことによって、前記チップ（１２）を前記レードーム（５２）の前記頂点面に取り付けることと
    をさらに含む、請求項１２に記載の製造方法。

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