JP2017098350A - Wafer manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体デバイスの生産等に使用されるウェーハの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wafer used for production of semiconductor devices.
ＩＣ、ＬＳＩ等に代表される半導体デバイスの生産には、シリコン等の半導体材料でなるウェーハが使用されている。ウェーハは、円柱状のインゴットをワイヤーソー等でスライスしてアズスライスウェーハに加工した後、その表裏面を研磨して平坦度を高めるラッピング処理や、表裏面を薬液で処理するエッチング処理を経て製造される（例えば、特許文献１参照）。 In the production of semiconductor devices represented by IC, LSI, etc., wafers made of semiconductor materials such as silicon are used. Wafers are manufactured by slicing a cylindrical ingot with a wire saw and processing it into an as-sliced wafer, and then polishing the front and back surfaces to increase the flatness and etching processing to treat the front and back surfaces with a chemical. (See, for example, Patent Document 1).
上述したウェーハの製造工程では、エッチング処理の後に、表裏面を更に研磨する研磨処理が行われる。研磨処理では、例えば、半導体デバイスが形成される表面を鏡面に加工する表面研磨と、表裏面を識別できる程度の僅かな凹凸を裏面に残存させる裏面研磨と、を同時に行う。具体的には、研磨液を供給しながら、表面研磨用の研磨パッドと、裏面研磨用の研磨パッドとを異なる回転数で回転させる。 In the wafer manufacturing process described above, after the etching process, a polishing process for further polishing the front and back surfaces is performed. In the polishing treatment, for example, surface polishing for processing the surface on which the semiconductor device is formed into a mirror surface and backside polishing for leaving a slight unevenness on the backside that can identify the front and back surfaces are simultaneously performed. Specifically, the polishing pad for front surface polishing and the polishing pad for back surface polishing are rotated at different rotational speeds while supplying the polishing liquid.
しかしながら、研磨処理に使用される研磨液には、コロイダルシリカ等の砥粒（研磨材）が分散されているので、その管理や廃液処理が煩雑である。また、研磨液が乾燥すると、砥粒が残留してウェーハの被研磨面にシミやムラが発生し易くなるという問題もあった。 However, since abrasive grains (abrasive material) such as colloidal silica are dispersed in the polishing liquid used for the polishing process, its management and waste liquid treatment are complicated. Further, when the polishing liquid dries, there is a problem that abrasive grains remain and stains and unevenness are likely to occur on the polished surface of the wafer.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、砥粒を含む研磨液を使用することなく表裏面を研磨できる新たなウェーハの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a new wafer manufacturing method capable of polishing the front and back surfaces without using a polishing liquid containing abrasive grains. .
本発明の一態様によれば、ウェーハの製造方法であって、インゴットをスライスして表面及び裏面を有する所定の厚さのウェーハを形成するスライス工程と、該スライス工程の後にウェーハの該表面及び該裏面を研磨するラッピング工程と、該ラッピング工程の後にウェーハの該表面及び該裏面を薬液で処理するエッチング工程と、該エッチング工程の後にウェーハの該表面及び該裏面を同時に研磨して、ウェーハの該表面を鏡面に加工するとともに、該表面と該裏面との識別を可能にする凹凸をウェーハの該裏面に残存させる研磨工程と、を備え、該研磨工程では、砥粒を含まない研磨液を用い、砥粒を含有する研磨パッドでウェーハの該表面を研磨するとともに、砥粒を含有しない研磨パッドでウェーハの該裏面を研磨することを特徴とするウェーハの製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a wafer, comprising: a slicing step of slicing an ingot to form a wafer having a predetermined thickness with a front surface and a back surface; and A lapping step for polishing the back surface, an etching step for treating the front surface and the back surface of the wafer with a chemical solution after the lapping step, and simultaneously polishing the front surface and the back surface of the wafer after the etching step, A polishing step of processing the surface into a mirror surface and leaving irregularities on the back surface of the wafer to allow the surface and the back surface to be distinguished, and in the polishing step, a polishing liquid containing no abrasive grains is provided. And polishing the front surface of the wafer with a polishing pad containing abrasive grains, and polishing the back surface of the wafer with a polishing pad containing no abrasive grains That the production method of a wafer is provided.
本発明の一態様において、前記研磨工程では、前記研磨液としてアルカリ溶液を用いることが好ましい。 In one embodiment of the present invention, it is preferable that an alkaline solution is used as the polishing liquid in the polishing step.
本発明の一態様に係るウェーハの製造方法では、砥粒を含まない研磨液を用い、砥粒を含有する研磨パッドでウェーハの表面を研磨するとともに、砥粒を含有しない研磨パッドでウェーハの裏面を研磨するので、砥粒が分散された研磨液を使用することなく表裏面を適切に研磨できる。 In the method for manufacturing a wafer according to one aspect of the present invention, a polishing liquid that does not contain abrasive grains is used to polish the surface of the wafer with a polishing pad that contains abrasive grains, and the back surface of the wafer with a polishing pad that does not contain abrasive grains. Therefore, the front and back surfaces can be properly polished without using a polishing liquid in which abrasive grains are dispersed.
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの製造方法は、少なくとも、スライス工程、ラッピング工程、エッチング工程、及び研磨工程を含む（図１参照）。 Embodiments according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The wafer manufacturing method according to the present embodiment includes at least a slicing step, a lapping step, an etching step, and a polishing step (see FIG. 1).
スライス工程では、インゴットをスライスして所定の厚さのウェーハを形成する。ラッピング工程では、ウェーハの表面及び裏面を粗く研磨して平坦度を高める。エッチング工程では、ウェーハの表面及び裏面を薬液で処理して平滑化する。 In the slicing step, the ingot is sliced to form a wafer having a predetermined thickness. In the lapping process, the front and back surfaces of the wafer are roughly polished to increase the flatness. In the etching process, the front and back surfaces of the wafer are smoothed by treatment with a chemical solution.
研磨工程では、ウェーハの表面及び裏面を同時に研磨して、表面を鏡面に加工するとともに、表面と裏面との識別を可能にする凹凸を裏面に残存させる。以下、本実施形態に係るウェーハの製造方法について詳述する。 In the polishing step, the front surface and the back surface of the wafer are simultaneously polished to process the surface into a mirror surface, and the unevenness that allows the front surface and the back surface to be distinguished is left on the back surface. Hereinafter, the wafer manufacturing method according to the present embodiment will be described in detail.
図１は、ウェーハの製造方法の流れを示すフローチャートである。本実施形態に係るウェーハの製造方法では、まず、インゴットをスライスして所定の厚さのウェーハ１１（図２（Ａ）等参照）を形成するスライス工程を実施する。 FIG. 1 is a flowchart showing a flow of a wafer manufacturing method. In the wafer manufacturing method according to the present embodiment, first, a slicing step is performed in which an ingot is sliced to form a wafer 11 having a predetermined thickness (see FIG. 2A and the like).
スライス工程では、例えば、シリコン、シリコンカーバイド、ガリウムナイトライド等の半導体材料で円柱状に形成されたインゴットを、ワイヤーソー等で所定の厚みにスライスする。これにより、裏面１１ａ及び表面１１ｂを有する複数のウェーハ１１が形成される。本実施形態では、７２５μｍの厚みのウェーハ１１を製造するために、インゴットを８５０μｍ程度の厚みにスライスするが、これらの厚みは任意に変更できる。 In the slicing step, for example, an ingot formed in a cylindrical shape with a semiconductor material such as silicon, silicon carbide, or gallium nitride is sliced to a predetermined thickness with a wire saw or the like. Thereby, the several wafer 11 which has the back surface 11a and the surface 11b is formed. In this embodiment, in order to manufacture the wafer 11 having a thickness of 725 μm, the ingot is sliced to a thickness of about 850 μm, but these thicknesses can be arbitrarily changed.
スライス工程の後には、ウェーハ１１の裏面１１ａ及び表面１１ｂを研磨して平坦度を高めるラッピング工程を実施する。具体的には、例えば、アルミナ、シリコンカーバイド等の砥粒を含むラップ液を供給しながら、鋳鉄製の２枚の定盤の間にウェーハ１１を挟み込んで裏面１１ａ及び表面１１ｂを同時に研磨する。 After the slicing step, a lapping step for polishing the back surface 11a and the front surface 11b of the wafer 11 to improve the flatness is performed. Specifically, for example, while supplying a lapping solution containing abrasive grains such as alumina and silicon carbide, the back surface 11a and the front surface 11b are polished simultaneously by sandwiching the wafer 11 between two cast iron surface plates.
このラッピング工程におけるウェーハ１１の研磨量は、例えば、７０μｍ程度とする。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ａ及び表面１１ｂを粗く研磨して平坦度を高めることができる。ただし、ラッピング工程の研磨方法や研磨量等に特段の制限はない。 The polishing amount of the wafer 11 in this lapping process is, for example, about 70 μm. Thereby, the back surface 11a and the front surface 11b of the wafer 11 can be roughly polished to increase the flatness. However, there are no particular restrictions on the polishing method or polishing amount in the lapping process.
なお、上述したスライス工程又はラッピング工程の後には、ウェーハ１１の周縁部分を面取り加工するベベリング工程を実施することが望ましい。このベベリング工程でウェーハ１１の周縁部分を面取り加工することによって、搬送等の際にウェーハ１１が破損し難くなる。 In addition, it is desirable to implement the beveling process which chamfers the peripheral part of the wafer 11 after the slicing process or lapping process mentioned above. By chamfering the peripheral portion of the wafer 11 in this beveling step, the wafer 11 is less likely to be damaged during transportation or the like.
ラッピング工程の後には、ウェーハ１１の裏面１１ａ及び表面１１ｂを薬液で処理して平滑化するエッチング工程を実施する。このエッチング工程では、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を純水で薄めたアルカリ性の薬液（エッチング液）が使用される。 After the lapping process, an etching process is performed in which the back surface 11a and the front surface 11b of the wafer 11 are smoothed by treatment with a chemical solution. In this etching step, for example, an alkaline chemical solution (etching solution) obtained by diluting potassium hydroxide (KOH) or sodium hydroxide (NaOH) with pure water is used.
ウェーハ１１を上述のような薬液に１分〜１５分程度晒すことで、裏面１１ａ及び表面１１ｂに残存する凹凸を化学的に除去して平滑化できる。ただし、このエッチング工程で使用される薬液の種類や処理の時間等に制限はない。例えば、フッ酸（ＨＦ）や硝酸（ＨＮＯ３）を純水や酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）で薄めた酸性の薬液（エッチング液）等を使用することもできる。 By exposing the wafer 11 to the above chemical solution for about 1 to 15 minutes, the unevenness remaining on the back surface 11a and the front surface 11b can be chemically removed and smoothed. However, there are no restrictions on the type of chemical used in this etching step, the processing time, and the like. For example, an acidic chemical solution (etching solution) obtained by diluting hydrofluoric acid (HF) or nitric acid (HNO 3 ) with pure water or acetic acid (CH 3 COOH) can also be used.
エッチング工程の後には、ウェーハ１１の裏面１１ａ及び表面１１ｂを同時に研磨して、表面１１ｂを鏡面に加工するとともに、裏面１１ａと表面１１ｂとの識別を可能にする凹凸を裏面１１ａに残存させる研磨工程を実施する。図２（Ａ）は、研磨工程を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、研磨工程を模式的に示す断面図である。 After the etching process, the back surface 11a and the front surface 11b of the wafer 11 are simultaneously polished to process the front surface 11b into a mirror surface, and the back surface 11a has an unevenness that allows the back surface 11a and the front surface 11b to be distinguished. To implement. FIG. 2A is a perspective view schematically showing the polishing step, and FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing the polishing step.
研磨工程は、例えば、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す両面研磨装置２で実施される。両面研磨装置２は、互いに平行に配置された円盤状の上定盤４及び下定盤６を備えている。上定盤４と下定盤６との間には、太陽ギヤ（サンギヤ）８が配置されている。太陽ギヤ８は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な軸線（回転軸）の周りに回転する。 The polishing step is performed, for example, with a double-side polishing apparatus 2 shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B). The double-side polishing apparatus 2 includes a disk-shaped upper surface plate 4 and a lower surface plate 6 arranged in parallel to each other. A sun gear (sun gear) 8 is disposed between the upper surface plate 4 and the lower surface plate 6. The sun gear 8 is connected to a rotational drive source (not shown) such as a motor, and rotates around an axis (rotary axis) substantially parallel to the vertical direction.
太陽ギヤ８の外側には、太陽ギヤ８と同じ軸線（回転軸）の周りに回転する大径のインターナルギヤ１０が配置されている。太陽ギヤ８とインターナルギヤ１０との間には、ウェーハ１１を保持する複数（本実施形態では、４個）のキャリアプレート１２が配置されている。 On the outside of the sun gear 8, a large-diameter internal gear 10 that rotates around the same axis (rotation axis) as the sun gear 8 is arranged. Between the sun gear 8 and the internal gear 10, a plurality (four in this embodiment) of carrier plates 12 that hold the wafer 11 are arranged.
各キャリアプレート１２には、それぞれ１枚のウェーハ１１を保持できる複数（本実施形態では、４個）のウェーハ保持孔１２ａが形成されている。また、各キャリアプレート１２の外周縁部には、複数の歯１２ｂが設けられており、この歯１２ｂは、太陽ギヤ８及びインターナルギヤ１０と噛み合っている。そのため、中央の太陽ギヤ８を回転させることで、各キャリアプレート１２を太陽ギヤ８の周りで自転及び公転させることができる。 Each carrier plate 12 is formed with a plurality (four in this embodiment) of wafer holding holes 12 a that can hold one wafer 11. A plurality of teeth 12 b are provided on the outer peripheral edge of each carrier plate 12, and these teeth 12 b mesh with the sun gear 8 and the internal gear 10. Therefore, each carrier plate 12 can be rotated and revolved around the sun gear 8 by rotating the center sun gear 8.
上定盤４の下面には、ウェーハ１１の裏面１１ａを研磨するための研磨パッド１４が取り付けられている。一方、下定盤６の上面には、ウェーハ１１の表面１１ｂを研磨するための研磨パッド１６が取り付けられている。上定盤４及び下定盤６は、それぞれ、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、太陽ギヤ８から独立して回転できる。 A polishing pad 14 for polishing the back surface 11 a of the wafer 11 is attached to the lower surface of the upper surface plate 4. On the other hand, a polishing pad 16 for polishing the surface 11 b of the wafer 11 is attached to the upper surface of the lower surface plate 6. The upper surface plate 4 and the lower surface plate 6 are respectively connected to a rotational drive source (not shown) such as a motor, and can rotate independently of the sun gear 8.
ウェーハ１１の表面１１ｂを研磨するための研磨パッド１６は、例えば、不織布や高分子発泡体に砥粒を分散させたものである。砥粒としては、例えば、粒径が０．１μｍ〜１０μｍ程度のシリカ（ＳｉＯ２）を用いることができる。ただし、砥粒の粒径や種類等は、ウェーハ１１の材質や仕様等に応じて変更できる。 The polishing pad 16 for polishing the surface 11b of the wafer 11 is obtained, for example, by dispersing abrasive grains in a nonwoven fabric or a polymer foam. As the abrasive grains, for example, silica (SiO 2 ) having a particle diameter of about 0.1 μm to 10 μm can be used. However, the grain size and type of the abrasive grains can be changed according to the material and specifications of the wafer 11.
一方で、ウェーハ１１の裏面１１ａを研磨するための研磨パッド１４には、砥粒が分散されていない。このように、砥粒を含有しない研磨パッド１４と砥粒を含有する研磨パッド１６とを用いることで、裏面１１ａの研磨量と表面１１ｂの研磨量とを異ならせて、表面１１ｂを鏡面に加工するとともに裏面１１ａに凹凸を残存させることができる。 On the other hand, the abrasive grains are not dispersed on the polishing pad 14 for polishing the back surface 11a of the wafer 11. Thus, by using the polishing pad 14 that does not contain abrasive grains and the polishing pad 16 that contains abrasive grains, the polishing amount of the back surface 11a and the polishing amount of the front surface 11b are made different so that the front surface 11b is processed into a mirror surface. In addition, irregularities can remain on the back surface 11a.
研磨工程では、まず、各キャリアプレート１２のウェーハ保持孔１２ａにウェーハ１１を配置して、太陽ギヤ８を回転させる。これにより、各キャリアプレート１２は、太陽ギヤ８の周りで自転及び公転する。また、上定盤４（研磨パッド１４）及び下定盤６（研磨パッド１６）をそれぞれ反対の方向に回転させながら、研磨パッド１４及び研磨パッド１６をウェーハ１１の裏面１１ａ及び表面１１ｂに接触させる。 In the polishing step, first, the wafer 11 is placed in the wafer holding hole 12a of each carrier plate 12, and the sun gear 8 is rotated. Thereby, each carrier plate 12 rotates and revolves around the sun gear 8. Further, the polishing pad 14 and the polishing pad 16 are brought into contact with the back surface 11 a and the front surface 11 b of the wafer 11 while rotating the upper surface plate 4 (polishing pad 14) and the lower surface plate 6 (polishing pad 16) in opposite directions.
上定盤４の回転数は、例えば、５ｒｐｍ〜１５ｒｐｍ、代表的には、１０ｒｐｍであり、下定盤６の回転数は、例えば、２０ｒｐｍ〜４０ｒｐｍ、代表的には、３０ｒｐｍである。また、各キャリアプレート１２の自転の回転数は、例えば、５ｒｐｍ〜１５ｒｐｍ、代表的には、１０ｒｐｍとする。上定盤４及び下定盤６からウェーハ１１への圧力（加圧の圧力）は、例えば、１５０ｇ／ｃｍ３〜２００ｇ／ｃｍ３の範囲で調整される。 The rotation speed of the upper surface plate 4 is, for example, 5 rpm to 15 rpm, typically 10 rpm, and the rotation speed of the lower surface plate 6 is, for example, 20 rpm to 40 rpm, typically 30 rpm. The rotation speed of each carrier plate 12 is, for example, 5 rpm to 15 rpm, typically 10 rpm. Pressure from the upper surface plate 4 and the lower platen 6 to the wafer 11 (the pressure of the pressure), for example, is adjusted in the range of 150g / cm 3 ~200g / cm 3 .
さらに、研磨パッド１４とウェーハ１１との接触部分、及び研磨パッド１６とウェーハ１１との接触部分には、砥粒を含まない研磨液を供給する。研磨液としては、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を純水で薄めたアルカリ性の薬液（アルカリ溶液）を用いることができる。 Further, a polishing liquid not containing abrasive grains is supplied to the contact portion between the polishing pad 14 and the wafer 11 and the contact portion between the polishing pad 16 and the wafer 11. As the polishing liquid, for example, an alkaline chemical solution (alkali solution) obtained by diluting potassium hydroxide (KOH) or sodium hydroxide (NaOH) with pure water can be used.
このように、本実施形態では、研磨パッド１６に砥粒を含ませることで、砥粒を含まない研磨液を用いることができるので、研磨液の管理や廃液処理が簡単になる。また、砥粒を含まない研磨液を用いるので、研磨液が乾燥しても、ウェーハ１１の裏面１１ａ及び表面１１ｂにシミやムラが発生し難い。 Thus, in this embodiment, since the polishing pad 16 contains abrasive grains, a polishing liquid that does not contain abrasive grains can be used, so that the management of the polishing liquid and the waste liquid treatment are simplified. In addition, since a polishing liquid that does not contain abrasive grains is used, even if the polishing liquid dries, spots and unevenness hardly occur on the back surface 11a and the front surface 11b of the wafer 11.
研磨工程の後には、ウェーハ１１を洗浄する洗浄工程を実施することが望ましい。以上により、鏡面に加工された表面１１ｂと、僅かに凹凸が残存した裏面１１ａとを有するウェーハ１１が完成する。 After the polishing process, it is desirable to perform a cleaning process for cleaning the wafer 11. As described above, the wafer 11 having the front surface 11b processed into a mirror surface and the back surface 11a with slight unevenness is completed.
このように、本実施形態に係るウェーハの製造方法では、砥粒を含まない研磨液を用い、砥粒を含有する研磨パッド１６でウェーハ１１の表面１１ｂを研磨するとともに、砥粒を含有しない研磨パッド１４でウェーハ１１の裏面１１ａを研磨するので、砥粒が分散された研磨液を使用することなく表裏面を適切に研磨できる。 As described above, in the method for manufacturing a wafer according to the present embodiment, the polishing liquid containing no abrasive grains is used to polish the surface 11b of the wafer 11 with the polishing pad 16 containing abrasive grains, and polishing without containing abrasive grains. Since the back surface 11a of the wafer 11 is polished by the pad 14, the front and back surfaces can be properly polished without using a polishing liquid in which abrasive grains are dispersed.
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態の各工程に加えて、ウェーハ１１を熱処理するアニーリング工程や、ウェーハ１１の周縁部分を研磨するエッジポリッシュ工程等を実施しても良い。 In addition, this invention is not restrict | limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in addition to the steps of the above embodiment, an annealing step for heat-treating the wafer 11 and an edge polishing step for polishing the peripheral portion of the wafer 11 may be performed.
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.
２ 両面研磨装置
４ 上定盤
６ 下定盤
８ 太陽ギヤ（サンギヤ）
１０ インターナルギヤ
１２ キャリアプレート
１２ａ ウェーハ保持孔
１２ｂ 歯
１４ 研磨パッド
１６ 研磨パッド
１１ ウェーハ
１１ａ 裏面
１１ｂ 表面
2 Double-side polishing machine 4 Upper surface plate 6 Lower surface plate 8 Sun gear (sun gear)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Internal gear 12 Carrier plate 12a Wafer holding hole 12b Teeth 14 Polishing pad 16 Polishing pad 11 Wafer 11a Back surface 11b Surface
Claims (2)
インゴットをスライスして表面及び裏面を有する所定の厚さのウェーハを形成するスライス工程と、
該スライス工程の後にウェーハの該表面及び該裏面を研磨するラッピング工程と、
該ラッピング工程の後にウェーハの該表面及び該裏面を薬液で処理するエッチング工程と、
該エッチング工程の後にウェーハの該表面及び該裏面を同時に研磨して、ウェーハの該表面を鏡面に加工するとともに、該表面と該裏面との識別を可能にする凹凸をウェーハの該裏面に残存させる研磨工程と、を備え、
該研磨工程では、砥粒を含まない研磨液を用い、砥粒を含有する研磨パッドでウェーハの該表面を研磨するとともに、砥粒を含有しない研磨パッドでウェーハの該裏面を研磨することを特徴とするウェーハの製造方法。 A wafer manufacturing method comprising:
A slicing step of slicing an ingot to form a wafer of a predetermined thickness having a front surface and a back surface;
A lapping step of polishing the front surface and the back surface of the wafer after the slicing step;
An etching step of treating the front surface and the back surface of the wafer with a chemical solution after the lapping step;
After the etching step, the front surface and the back surface of the wafer are simultaneously polished so that the front surface of the wafer is processed into a mirror surface, and unevenness that enables the front surface and the back surface to be distinguished is left on the back surface of the wafer. A polishing step,
In the polishing step, a polishing liquid containing no abrasive grains is used, and the surface of the wafer is polished with a polishing pad containing abrasive grains, and the back surface of the wafer is polished with a polishing pad containing no abrasive grains. A method for manufacturing a wafer.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020188103A (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 株式会社ディスコ | Wafer manufacturing method |
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- 2015-11-20 JP JP2015227320A patent/JP2017098350A/en active Pending
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