JP2017083332A - Detection element - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detection element capable of reducing erroneous detection.SOLUTION: A detection element includes: an insulation member; a plurality of first electrodes arranged on a first side of the insulation member and having a plurality of openings; a plurality of second electrodes arranged on a second side opposite to the first side of the insulation member and respectively arranged at a plurality of through holes of the insulation member; and a plurality of connection terminals connected to the plurality of second electrodes, respectively. The distance between a connection terminal and the first electrode is larger than that of the first electrode and the second electrode.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、検出素子に関する。 The present invention relates to a detection element.

ピクセル型電極によるガス電子増幅型放射線検出装置の研究が進められている。ガス電子増幅型放射線検出装置は、従来の検出装置による放射線検出では不十分であった、特に、検出領域の画像イメージングにおいて、大面積かつリアルタイムイメージングができるという特徴がある。 Research on gas electron amplification type radiation detectors using pixel-type electrodes is underway. The gas electron amplification type radiation detection apparatus has a feature that a large area and real-time imaging can be performed particularly in image imaging of a detection region, where radiation detection by a conventional detection apparatus is insufficient.

ガス電子増幅型放射線検出装置の構造に関しては、例えば、特許文献1〜3を参照することができる。 For the structure of the gas electron amplification type radiation detection apparatus, for example, Patent Documents 1 to 3 can be referred to.

特許第3354551号公報Japanese Patent No. 3354551 特許第4391391号公報Japanese Patent No. 4391391 特許第3535045号公報Japanese Patent No. 3535045

従来のガス電子増幅型放射線検出装置においては、ピクセル電極以外の場所でガス増幅が起こる場合に発生する誤検出の問題が生じていた。 In the conventional gas electron amplification type radiation detection apparatus, there has been a problem of erroneous detection that occurs when gas amplification occurs in a place other than the pixel electrode.

そこで、本発明は、放射線検出装置における誤検出を減少させることができる検出素子を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a detection element that can reduce erroneous detection in a radiation detection apparatus.

本発明の一実施形態によると、絶縁部材と、前記絶縁部材の第1面に配置された、複数の開口部を有する複数の第1電極と、前記絶縁部材の前記第1面の反対側の第2面に配置され、前記絶縁部材の複数の貫通孔にそれぞれ配置された複数の第2電極と、前記複数の第2電極がそれぞれ接続される複数の接続端子と、を備える検出素子であって、前記接続端子と前記第1電極との距離は、前記第1電極と前記第2電極との距離よりも大きいことを特徴とする検出素子が提供される。 According to an embodiment of the present invention, an insulating member, a plurality of first electrodes having a plurality of openings disposed on a first surface of the insulating member, and a side opposite to the first surface of the insulating member. A detection element comprising a plurality of second electrodes disposed on a second surface and respectively disposed in a plurality of through holes of the insulating member, and a plurality of connection terminals to which the plurality of second electrodes are respectively connected. Thus, a detection element is provided in which a distance between the connection terminal and the first electrode is larger than a distance between the first electrode and the second electrode.

また、前記第2電極は、マトリクス状に配置されているようにしてもよい。 The second electrodes may be arranged in a matrix.

また、前記接続端子は、外部回路へ接続されるようにしてもよい。 Further, the connection terminal may be connected to an external circuit.

また、前記接続端子と第1電極との距離は、400μm以上であるようにしてもよい。 The distance between the connection terminal and the first electrode may be 400 μm or more.

本発明の一実施形態によると、放射線検出装置において誤検出を減少させた検出素子を提供することができる。 According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a detection element with reduced false detection in a radiation detection apparatus.

実施形態1に係る本発明の放射線検出装置100の検出素子100aの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the detection element 100a of the radiation detection apparatus 100 of this invention which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態1に係る本発明の放射線検出装置100の動作原理を示す図である。It is a figure which shows the principle of operation of the radiation detection apparatus 100 of this invention which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態1に係る本発明の検出素子100aの一部の平面図及び断面図である。It is the top view and sectional drawing of a part of detection element 100a of the present invention concerning Embodiment 1. 実施形態1における検出素子100aの製造プロセスを示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the detection element 100a in Embodiment 1. FIG. 実施形態1における検出素子100aの製造プロセスを示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the detection element 100a in Embodiment 1. FIG. 実施形態2に係る本発明の検出素子100aの一部の平面図及び断面図である。It is the top view and sectional drawing of a part of detection element 100a of the present invention concerning Embodiment 2. 実施形態3に係る本発明の検出素子100aの一部の平面図及び断面図である。It is the one part top view and sectional drawing of the detection element 100a of this invention which concern on Embodiment 3. FIG. 実施形態4に係る本発明の放射線検出装置(容器モジュール)150の断面斜視図である。It is a cross-sectional perspective view of the radiation detection apparatus (container module) 150 of the present invention according to Embodiment 4.

以下、図面を参照して、本発明の放射線検出装置及び検出素子について詳細に説明する。なお、本発明の放射線検出装置及び検出素子は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。 Hereinafter, the radiation detection apparatus and detection element of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The radiation detection apparatus and the detection element of the present invention are not limited to the following embodiments, and can be implemented with various modifications. In all the embodiments, the same components are described with the same reference numerals. In addition, the dimensional ratio in the drawing may be different from the actual ratio for convenience of explanation, or a part of the configuration may be omitted from the drawing.

(本件発明に至る経緯)
特許文献2に開示されているような放射線検出装置(以下「従来の放射線検出装置」という。)においては、ピクセル型電極は、外周部に設けられた接続端子と外部回路がワイヤーボンディングで接続されている。
(Background to the Invention)
In a radiation detection apparatus (hereinafter referred to as “conventional radiation detection apparatus”) as disclosed in Patent Document 2, a pixel-type electrode has a connection terminal provided on the outer periphery and an external circuit connected by wire bonding. ing.

この従来の放射線検出装置においては、アノード電極パターン25はビア(貫通孔)を介して表層のリード配線27に接続されている。本発明者らが検討を重ねたところ、このリード配線27とカソード電極パターン21間の距離が、アノード電極22とカソード電極21間距離よりも小さくなると、ここで放電が生じたり、ピクセル電極以外の場所でガス増幅が起こる誤検出が生じたりする可能性があることが分かった。 In this conventional radiation detection apparatus, the anode electrode pattern 25 is connected to the lead wiring 27 on the surface layer through a via (through hole). As a result of repeated investigations by the present inventors, when the distance between the lead wiring 27 and the cathode electrode pattern 21 becomes smaller than the distance between the anode electrode 22 and the cathode electrode 21, discharge occurs here, and other than the pixel electrode. It has been found that there is a possibility of erroneous detection in which gas amplification occurs at a location.

また、この従来の放射線検出装置において、リード配線27にはワイヤーボンディングが施されるため、接続強度の十分な確保のために表面に金めっきをする場合がある。表面に金めっきされたリード配線27において放電が生じると、金が飛散してアノード電極とカソード電極とが導通し、検出装置が機能しなくなったり、誤検出が起こったりすることがあった。 Moreover, in this conventional radiation detection apparatus, since the lead wiring 27 is subjected to wire bonding, the surface may be plated with gold in order to ensure sufficient connection strength. When a discharge occurs in the lead wiring 27 plated with gold on the surface, gold is scattered and the anode electrode and the cathode electrode are electrically connected, so that the detection device may not function or erroneous detection may occur.

そこで、本発明者は、上述したような現象を鋭意検討した結果、本願発明に至った。 Therefore, as a result of intensive studies on the phenomenon described above, the present inventor has arrived at the present invention.

<第1実施形態>
本実施形態に係る本発明の放射線検出装置100の検出素子100aの概略構成図を図1に示す。実施形態に係る本発明の放射線検出装置100は、ピクセル電極部101、接続端子部109(109a及び109b)を有する検出素子100a、ドリフト電極110及びチャンバー111を有している。ピクセル電極部101及び接続端子部109(109a及び109b)を含めて検出素子100aと呼ぶ。また、放射線検出装置100は、容器モジュール100とも呼ばれる。
<First Embodiment>
The schematic block diagram of the detection element 100a of the radiation detection apparatus 100 of this invention based on this embodiment is shown in FIG. The radiation detection apparatus 100 of the present invention according to the embodiment includes a pixel electrode unit 101, a detection element 100a having a connection terminal unit 109 (109a and 109b), a drift electrode 110, and a chamber 111. The pixel electrode portion 101 and the connection terminal portion 109 (109a and 109b) are collectively referred to as a detection element 100a. The radiation detection apparatus 100 is also referred to as a container module 100.

本実施形態に係る本発明の放射線検出装置100のピクセル電極部101は、絶縁部材102、カソード電極104、アノード電極106、アノード電極パターン108及び基板130を有している。 The pixel electrode unit 101 of the radiation detection apparatus 100 according to the present embodiment includes an insulating member 102, a cathode electrode 104, an anode electrode 106, an anode electrode pattern 108, and a substrate 130.

カソード電極104は、絶縁部材102の第1面上に複数配置されている。カソード電極104は、複数の開口部105を有している。カソード電極104は、ストリップ状に形成されているので、カソードストリップ電極ともいう。 A plurality of cathode electrodes 104 are arranged on the first surface of the insulating member 102. The cathode electrode 104 has a plurality of openings 105. Since the cathode electrode 104 is formed in a strip shape, it is also referred to as a cathode strip electrode.

アノード電極106は、絶縁部材102の第1面の反対側の第2面から絶縁部材102に設けられた貫通孔に配置されている。本実施形態においては、カソード電極104の複数の開口部105のそれぞれにおいてアノード電極106の先端が露出している。本実施形態においては、アノード電極106は、開口部105のそれぞれにおいて先端が露出している形状を有しているが、開口部105のそれぞれにおいて先端が露出しないような形状(先端が絶縁部材102の上面(貫通孔の上面)と概略一致する形状、又は先端が絶縁部材102の貫通孔の内部に位置する形状を含む。)でもよい The anode electrode 106 is disposed in a through-hole provided in the insulating member 102 from the second surface opposite to the first surface of the insulating member 102. In the present embodiment, the tip of the anode electrode 106 is exposed at each of the plurality of openings 105 of the cathode electrode 104. In this embodiment, the anode electrode 106 has a shape in which the tip is exposed in each of the openings 105, but has a shape in which the tip is not exposed in each of the openings 105 (the tip is the insulating member 102. And a shape that roughly matches the top surface (the top surface of the through hole), or a shape in which the tip is located inside the through hole of the insulating member 102.

1つのカソード電極104の複数の開口部105に配置されている複数のアノード電極106は、複数のアノード電極パターン108にそれぞれ接続されている。アノード電極パターン108は、接続端子部109aまで延びている。カソード電極104が延在する方向とアノード電極パターン108が延在する方向とは、概略垂直である。なお、本実施形態においては、アノード電極106とアノード電極パターン108とは別に設けられ、それぞれが電気的に接続されている形態について説明しているが、これに限定されるわけではなく、アノード電極106と、それぞれのアノード電極106が接続されているアノード電極パターン108とが一体形成されていてもよい。アノード電極パターン108は、ストリップ状に形成されているので、アノードストリップパターンともいう。 A plurality of anode electrodes 106 arranged in a plurality of openings 105 of one cathode electrode 104 are connected to a plurality of anode electrode patterns 108, respectively. The anode electrode pattern 108 extends to the connection terminal portion 109a. The direction in which the cathode electrode 104 extends is substantially perpendicular to the direction in which the anode electrode pattern 108 extends. In the present embodiment, the anode electrode 106 and the anode electrode pattern 108 are separately provided and electrically connected to each other. However, the present invention is not limited to this. 106 and the anode electrode pattern 108 to which each anode electrode 106 is connected may be integrally formed. Since the anode electrode pattern 108 is formed in a strip shape, it is also referred to as an anode strip pattern.

カソード電極104を第1電極、アノード電極106を第2電極、ドリフトを第3電極という場合がある。 The cathode electrode 104 may be referred to as a first electrode, the anode electrode 106 may be referred to as a second electrode, and drift may be referred to as a third electrode.

配線端子部109aは、アノード電極パターン108に接続されたビア126、第1の金属層120、第2の金属層122及び第3の金属層124を有している。第1の金属層120、第2の金属層122及び第3の金属層124は、積層して配置され、第3の金属層124がビア126に接続されている。なお、本実施形態においては、第3の金属層124とビア126とは別々に形成されている例を示しているが、これらは一体に形成されていてもよい。また、本実施形態においては、アノード電極パターン108とビア126は、別々に形成されているが、これに限定されるわけではなく、アノード電極パターン108とビア126とが同じ金属材料で形成されていてもよい。また、本実施形態においては、第1の金属層120及び第2の金属層122が積層して配置されている例について説明したが、これに限定されるわけではなく、第2の金属層122を配置せず、第1の金属層120がビア126上(又は第3の金属層124上)に配置され、接続されるようにしてもよい。 The wiring terminal portion 109 a includes a via 126 connected to the anode electrode pattern 108, a first metal layer 120, a second metal layer 122, and a third metal layer 124. The first metal layer 120, the second metal layer 122, and the third metal layer 124 are stacked, and the third metal layer 124 is connected to the via 126. In the present embodiment, an example is shown in which the third metal layer 124 and the via 126 are formed separately, but they may be formed integrally. In the present embodiment, the anode electrode pattern 108 and the via 126 are formed separately. However, the present invention is not limited to this, and the anode electrode pattern 108 and the via 126 are formed of the same metal material. May be. In the present embodiment, the example in which the first metal layer 120 and the second metal layer 122 are stacked and disposed has been described. However, the present invention is not limited to this, and the second metal layer 122 is not limited thereto. The first metal layer 120 may be disposed on the via 126 (or on the third metal layer 124) and connected.

配線端子部109bは、カソード電極104が延在して配置された電極104aを有している。 The wiring terminal portion 109b has an electrode 104a on which the cathode electrode 104 is extended.

カソード電極104とアノード電極106との間には電圧が印加され、電場が形成される。 A voltage is applied between the cathode electrode 104 and the anode electrode 106 to form an electric field.

本実施形態に係る本発明の放射線検出装置100は、上述したような構成をとることにより、ピクセル電極部101において、アノード電極106がマトリクス状に配置された構成を有することになる。本実施形態に係る本発明の放射線検出装置100は、アノード電極106とカソード電極104の一部とを含む「ピクセル」が複数配置されていることになる。 The radiation detection apparatus 100 of the present invention according to this embodiment has a configuration in which the anode electrodes 106 are arranged in a matrix in the pixel electrode unit 101 by adopting the configuration as described above. In the radiation detection apparatus 100 of the present invention according to this embodiment, a plurality of “pixels” including the anode electrode 106 and a part of the cathode electrode 104 are arranged.

110は、ドリフト電極である。カソード電極104はGNDに接続されており、ドリフト電極110とカソード電極104との間には、電圧が印加され、電場が形成されるようになっている。 110 is a drift electrode. The cathode electrode 104 is connected to GND, and a voltage is applied between the drift electrode 110 and the cathode electrode 104 to form an electric field.

111は、チャンバーであり、ピクセル電極部101、接続端子部109及びドリフト電極110を囲い、その内部にアルゴンやキセノンなどの希ガスとエタン、メタンなどの分子性気体の混合ガスが存在する。 A chamber 111 surrounds the pixel electrode portion 101, the connection terminal portion 109, and the drift electrode 110, and a mixed gas of a rare gas such as argon or xenon and a molecular gas such as ethane or methane exists therein.

ここで、本実施形態に係る本発明の放射線検出装置100の動作原理を図2に示す。本実施形態に係る本発明の放射線検出装置100においては、ドリフト電極110とカソード電極104との間に発生させた電場の影響により、入射する放射線が存在する気体との相互作用により発生させた電子は電子雲を形成し、ピクセル電極部101へ引き寄せられる。このとき、引き寄せられた電子は気体原子と衝突し、気体原子を電離させる。さらに電離された電子は雪崩的に増殖し、アノード電極106で収集された電子群は、電気信号として読み出すことができる程度にまで達する。そして、この電気信号をアノード電極パターン108を通して接続端子部109aから外部に読み出すことができる。一方、カソード電極104には電子群に誘導された正電荷が生じ、ここから得られる電気信号を接続端子部109bから外部に読みだすことができる。これらの電気信号を時系列に計測することにより、荷電粒子の飛跡を測定することができる。 Here, the operation principle of the radiation detection apparatus 100 of the present invention according to this embodiment is shown in FIG. In the radiation detection apparatus 100 of the present invention according to this embodiment, electrons generated by the interaction with a gas in which incident radiation exists due to the influence of an electric field generated between the drift electrode 110 and the cathode electrode 104. Forms an electron cloud and is attracted to the pixel electrode portion 101. At this time, the attracted electrons collide with gas atoms and ionize the gas atoms. Furthermore, the ionized electrons multiply like an avalanche, and the group of electrons collected by the anode electrode 106 reaches a level where it can be read out as an electric signal. Then, this electric signal can be read out from the connection terminal portion 109 a through the anode electrode pattern 108. On the other hand, positive charges induced in the electron group are generated in the cathode electrode 104, and an electric signal obtained therefrom can be read out from the connection terminal portion 109b. By measuring these electrical signals in time series, the track of the charged particles can be measured.

次に、本実施形態に係る本発明の検出素子100aの一部の平面図及び断面図を図3に示す。図3(B)には、本実施形態に係る本発明の検出素子100aのピクセル電極部101及び接続端子部109aの平面図を示し、図3(A)には、図3(B)のA−A’線におけるピクセル電極部101及び接続端子部109aの断面図を示している。 Next, a plan view and a cross-sectional view of a part of the detection element 100a of the present invention according to the present embodiment are shown in FIG. FIG. 3B shows a plan view of the pixel electrode portion 101 and the connection terminal portion 109a of the detection element 100a of the present invention according to this embodiment, and FIG. 3A shows the A of FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of the pixel electrode portion 101 and the connection terminal portion 109a taken along line -A ′.

図3(A)に示すとおり、本実施形態に係る本発明の検出素子100aの接続端子部109aは、第1の金属層120、第2の金属層122、第3の金属層124及びビア126を有している。本実施形態においては、第1の金属層には金を用い、第2の金属層122にはニッケルを用いている。また、本実施形態においては、ビア126には銅が用いられているが、これに限定されるわけではない。第1の金属層(金)とビア126(銅)との間に介在する第2の金属層122(ニッケル)は、第1の金属層上に外部回路へ接続されるボンディングワイヤが接続されるとき、表面の金が銅に拡散してボンディングを阻害することを防ぎ、ボンディングに必要な硬度を確保する役割を有している。また、第2の金属層122のニッケルは拡散係数が小さく、硬度が高い機能を有している。本実施形態においては、接続端子部109aは、ビア126を介してアノード電極パターン108に電気的に接続されている。なお、本実施形態においては、アノード電極パターン108、ビア126、第3の金属層124は、それぞれ別部材で形成されている例を示しているが、アノード電極パターン108、ビア126及び第3の金属層124は、一体形成されていてもよい。また、第2の金属層122には、ニッケルとパラジウムとの積層構造にしてもよい。さらに、第1の金属層120にアルミニウム又は銀を用いてもよい。 As shown in FIG. 3A, the connection terminal portion 109a of the detection element 100a according to the present embodiment includes the first metal layer 120, the second metal layer 122, the third metal layer 124, and the via 126. have. In the present embodiment, gold is used for the first metal layer and nickel is used for the second metal layer 122. In the present embodiment, copper is used for the via 126, but the present invention is not limited to this. The second metal layer 122 (nickel) interposed between the first metal layer (gold) and the via 126 (copper) is connected to a bonding wire connected to an external circuit on the first metal layer. At this time, gold on the surface is prevented from diffusing into copper and hindering bonding, and has a role of ensuring hardness necessary for bonding. Further, nickel of the second metal layer 122 has a function of a low diffusion coefficient and high hardness. In the present embodiment, the connection terminal portion 109 a is electrically connected to the anode electrode pattern 108 through the via 126. In the present embodiment, the anode electrode pattern 108, the via 126, and the third metal layer 124 are shown as examples formed by different members. However, the anode electrode pattern 108, the via 126, and the third metal layer 124 are illustrated as examples. The metal layer 124 may be integrally formed. The second metal layer 122 may have a stacked structure of nickel and palladium. Further, aluminum or silver may be used for the first metal layer 120.

本実施形態に係る本発明の検出素子100aの接続端子部109aにおいては、第1の金属層120と第2の金属層122と第3の金属層124とピクセル電極(カソード電極104とアノード電極106)は、それぞれ、以下の条件(1)〜(3)を満たす金属層である。 In the connection terminal portion 109a of the detection element 100a of the present invention according to this embodiment, the first metal layer 120, the second metal layer 122, the third metal layer 124, the pixel electrode (the cathode electrode 104 and the anode electrode 106). ) Are metal layers that satisfy the following conditions (1) to (3), respectively.

第3の金属層=ピクセル電極を構成する材料 ・・・(1)
第1の金属層120の融点<第3の金属層124の融点<第2の金属層122の融点 ・・・(2)
第1の金属層120のイオン化傾向<第3の金属層124のイオン化傾向<第2の金属層のイオン化傾向(酸化されやすい) ・・・(3)
Third metal layer = material constituting pixel electrode (1)
Melting point of first metal layer 120 <melting point of third metal layer 124 <melting point of second metal layer 122 (2)
Ionization tendency of the first metal layer 120 <Ionization tendency of the third metal layer 124 <Ionization tendency of the second metal layer (easily oxidized) (3)

第2の金属層は、第1の金属層と第3の金属層の間に配置されており、第1の金属層から第3の金属層への金属の拡散防止の役割を果たす。 The second metal layer is disposed between the first metal layer and the third metal layer, and plays a role of preventing diffusion of metal from the first metal layer to the third metal layer.

第1の金属層120は、アノード電極106及びカソード電極104とは異なる金属材料を用いるのが好ましい。 The first metal layer 120 is preferably made of a metal material different from that of the anode electrode 106 and the cathode electrode 104.

本実施形態においては、配線端子部109aに配置された第1の金属層120には金を用い、カソード電極104及びアノード電極106には、金よりも融点の高い銅(酸化銅でもよい)を用いている。金の融点は1064℃であるのに対して、銅(酸化銅)の融点は1326℃である。本実施形態においては、カソード電極104とアノード電極106を構成する銅は、ワイヤーボンディング後の封止樹脂の熱処理により酸化されて表面が酸化銅となる。よって、配線端子部109aの第1の金属層120の金属材料よりも融点が高い金属材料によってピクセル電極(カソード電極104及びアノード電極106)を形成することで、カソード電極104とアノード電極106との間に放電が発生したときの金属の飛散を防止することができる。本実施形態においては、酸化銅の酸化被膜厚さは10nm以下であることが好ましい。 In this embodiment, gold is used for the first metal layer 120 disposed in the wiring terminal portion 109a, and copper (which may be copper oxide) having a melting point higher than that of gold is used for the cathode electrode 104 and the anode electrode 106. Used. The melting point of gold is 1064 ° C., whereas the melting point of copper (copper oxide) is 1326 ° C. In this embodiment, the copper constituting the cathode electrode 104 and the anode electrode 106 is oxidized by the heat treatment of the sealing resin after wire bonding, and the surface becomes copper oxide. Therefore, the pixel electrode (cathode electrode 104 and anode electrode 106) is formed of a metal material having a melting point higher than that of the metal material of the first metal layer 120 of the wiring terminal portion 109a, whereby the cathode electrode 104 and the anode electrode 106 are formed. It is possible to prevent the metal from scattering when a discharge occurs in the meantime. In the present embodiment, the oxide film thickness of copper oxide is preferably 10 nm or less.

このような構成をとることにより、カソード電極104とアノード電極106との間に高電圧を印加する放射線検出装置100の動作中において、放電が発生することによる金属の飛散を防止し、カソード電極104とアノード電極106とが導通してしまうという不具合を防止することができる。 By adopting such a configuration, metal scattering due to the occurrence of discharge is prevented during the operation of the radiation detection apparatus 100 that applies a high voltage between the cathode electrode 104 and the anode electrode 106, and the cathode electrode 104. And the anode electrode 106 can be prevented from conducting.

次に、本実施形態における本発明の検出素子100aの製造プロセスを図4を用いて説明する。図4には、本実施形態における本発明の検出素子100aの断面図を示す。 Next, a manufacturing process of the detection element 100a of the present invention in the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows a cross-sectional view of the detection element 100a of the present invention in this embodiment.

図4(a)に示すとおり、基板130上に配置されたアノード電極パターン108、アノード電極106、カソード電極104、第3の金属層124が配置された状態で、第3の金属層124以外にレジストマスク140を形成する(図4(b))。そして、ニッケルめっきを形成することによって、接続端子部109aのみにニッケルからなる第2の金属層122を形成する(図4(c))。その後、金めっきをニッケルからなる第2の金属層122の上に形成することで、金からなる第1の金属層120を形成する。そして、レジストマスク140を除去することによって、接続端子部109aのみに金でなる第1の電極120が配置される(図4(d))。その後、ワイヤーボンディング132が第1の金属層120上に接続される(図4(e))。 As shown in FIG. 4A, in addition to the third metal layer 124, the anode electrode pattern 108, the anode electrode 106, the cathode electrode 104, and the third metal layer 124 arranged on the substrate 130 are arranged. A resist mask 140 is formed (FIG. 4B). Then, by forming nickel plating, the second metal layer 122 made of nickel is formed only on the connection terminal portion 109a (FIG. 4C). Thereafter, gold plating is formed on the second metal layer 122 made of nickel, thereby forming the first metal layer 120 made of gold. Then, by removing the resist mask 140, the first electrode 120 made of gold is disposed only on the connection terminal portion 109a (FIG. 4D). Thereafter, the wire bonding 132 is connected onto the first metal layer 120 (FIG. 4E).

また、本実施形態における検出素子100aの別の態様として、図5に示すとおり、銅によるカソード電極104、アノード電極106、第3の金属層124に、後に形成する第1の電極120よりも融点の高い第2の金属層122を形成する。本実施形態においては、第2の金属層には無電界めっきによるニッケルを用いる。これにより、それぞれの電極の表面に銅(酸化銅)よりも融点の高いニッケル(融点1455℃)が形成され、耐放電性を向上させることができる。ニッケルの他には、タングステン(融点3422℃)、タンタル(3020℃)、モリブデン(2623℃)等を用いても良い。その後のプロセス(図5(b)から(d)は、図4(b)〜(e)で説明したプロセスと同様である。 Further, as another aspect of the detection element 100a in the present embodiment, as shown in FIG. 5, the melting point of the copper cathode electrode 104, the anode electrode 106, and the third metal layer 124 is higher than that of the first electrode 120 to be formed later. The second metal layer 122 having a high height is formed. In this embodiment, nickel by electroless plating is used for the second metal layer. Thereby, nickel (melting point 1455 degreeC) whose melting | fusing point is higher than copper (copper oxide) is formed in the surface of each electrode, and it can improve discharge resistance. In addition to nickel, tungsten (melting point: 3422 ° C.), tantalum (3020 ° C.), molybdenum (2623 ° C.), or the like may be used. The subsequent processes (FIGS. 5B to 5D are the same as the processes described in FIGS. 4B to 4E).

(実施形態2)
本実施形態に係る本発明の検出素子100aの一部の平面図及び断面図を図6に示す。図6(B)には、本実施形態に係る本発明の検出素子100aのピクセル電極部101及び接続端子部109aの平面図を示し、図6(A)には、図6(B)のA−A’線におけるピクセル電極部101及び接続端子部109aの断面図を示している。本実施形態においては、実施形態1と同様の構成を有しているので、同様の構成については改めて説明はしない。
(Embodiment 2)
FIG. 6 shows a plan view and a sectional view of a part of the detection element 100a of the present invention according to this embodiment. FIG. 6B shows a plan view of the pixel electrode portion 101 and the connection terminal portion 109a of the detection element 100a of the present invention according to this embodiment, and FIG. 6A shows A in FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of the pixel electrode portion 101 and the connection terminal portion 109a taken along line -A ′. Since this embodiment has the same configuration as that of the first embodiment, the same configuration will not be described again.

本実施形態においては、外部回路に接続される接続端子部109aと接続端子部109aに近接するカソード電極104との距離Xと、カソード電極104とその開口部105に配置されたアノード電極106との距離Yとの関係がは、次の条件(4)を満たしている。
X>Y ・・・(4)
In the present embodiment, the distance X between the connection terminal portion 109a connected to the external circuit and the cathode electrode 104 adjacent to the connection terminal portion 109a, and the cathode electrode 104 and the anode electrode 106 disposed in the opening 105 thereof. The relationship with the distance Y satisfies the following condition (4).
X> Y (4)

このような条件(4)を満たすことにより、アノード電極106及びカソード電極104があるピクセル電極部101以外の接続端子部109aにおいて放電が発生することを防止することができ、誤検出を防止することができる。 By satisfying such condition (4), it is possible to prevent discharge from occurring in the connection terminal portion 109a other than the pixel electrode portion 101 where the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 are located, and to prevent erroneous detection. Can do.

ここで、外部回路に接続される接続端子部109aと接続端子部109aに近接するカソード電極104との距離Xと、カソード電極104とその開口部105に配置されたアノード電極106との距離Yとを変化させ、本発明の検出素子100aの耐放電特性を検証した例を以下の表1に示す。なお、アノード電極106とカソード電極104との間の印加電圧を600V、ピクセルピッチZを400μmとした。 Here, the distance X between the connection terminal portion 109a connected to the external circuit and the cathode electrode 104 adjacent to the connection terminal portion 109a, and the distance Y between the cathode electrode 104 and the anode electrode 106 disposed in the opening 105 thereof, Table 1 below shows an example in which the discharge resistance characteristics of the detection element 100a of the present invention were verified by changing the above. The applied voltage between the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 was 600 V, and the pixel pitch Z was 400 μm.

Figure 2017083332
Figure 2017083332

表1においては、「◎」、「○」、「×」、「××」の意味は、以下のとおりである。
◎:接続端子部109aとカソード電極104における誤検出がなく、第1の金属層120の金属飛散を防止することができ、本実施形態に係る本発明の検出素子100aの動作が良好である。
○:接続端子部109aとカソード電極104における誤検出がなく、本実施形態に係る本発明の検出素子100aの動作が良好である。
×:誤検出(ノイズが発生することを含む)が起こり、本実施形態に係る本発明の検出素子100aが機能しない。
××:接続端子部109aとカソード電極104に放電が多発し、本実施形態に係る本発明の検出素子100aが機能しない。
In Table 1, the meanings of “◎”, “◯”, “×”, and “xxx” are as follows.
A: There is no erroneous detection at the connection terminal portion 109a and the cathode electrode 104, metal scattering of the first metal layer 120 can be prevented, and the operation of the detection element 100a according to the present embodiment is good.
◯: There is no erroneous detection at the connection terminal portion 109a and the cathode electrode 104, and the operation of the detection element 100a according to the present embodiment is good.
X: An erroneous detection (including the occurrence of noise) occurs, and the detection element 100a according to the present embodiment does not function.
XX: Discharge occurs frequently at the connection terminal portion 109a and the cathode electrode 104, and the detection element 100a according to the present embodiment does not function.

上記誤検出は接続端子部109aに沿ったカソード電極104で異常な信号が生じることで判別する。すなわち、測定の結果、得られた電子飛跡とは関係のない信号が接続端子部109a近傍のカソード電極104に関連した場所から得られることでわかる。 The erroneous detection is determined when an abnormal signal is generated at the cathode electrode 104 along the connection terminal portion 109a. That is, as a result of the measurement, it can be seen that a signal unrelated to the obtained electron track is obtained from a location related to the cathode electrode 104 in the vicinity of the connection terminal portion 109a.

上記放電はアノード電極106とカソード電極104との間に流れるリーク電流が10nAを超えた値で計測されることでわかる。通常、リーク電流は1nA以下であるが、放電が生じると10nAを超える。 The discharge can be seen by measuring the leakage current flowing between the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 at a value exceeding 10 nA. Normally, the leakage current is 1 nA or less, but exceeds 10 nA when discharge occurs.

上記金属の飛散は放電によりアノード電極106とカソード電極104とが導通してしまい、本実施形態に係る本発明の検出素子100aが動作しなくなったときに、その表面を顕微鏡で観察することにより、確認することができる。 The scattering of the metal causes the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 to become conductive due to electric discharge, and when the detection element 100a of the present invention according to the present embodiment stops operating, by observing the surface with a microscope, Can be confirmed.

この表1に示す結果により、ピクセルピッチZが400μm以上のときは、外部回路に接続される接続端子部109aと接続端子部109aに近接するカソード電極104との距離Xを400μm以上にすることにより、接続端子部109aとカソード電極104における誤検出がなく、第1の金属層120の金属飛散が防止できるだけでなく、ボンディングの接続信頼性が高く確保できるようになる。よって、本実施形態に係る本発明の検出素子100aの動作を良好にすることができる。 According to the results shown in Table 1, when the pixel pitch Z is 400 μm or more, the distance X between the connection terminal portion 109a connected to the external circuit and the cathode electrode 104 adjacent to the connection terminal portion 109a is set to 400 μm or more. In addition, there is no false detection at the connection terminal portion 109a and the cathode electrode 104, and not only can the metal scattering of the first metal layer 120 be prevented, but also high bonding connection reliability can be ensured. Therefore, the operation of the detection element 100a of the present invention according to this embodiment can be improved.

本実施形態に係る本発明の検出素子100aにおいては、アノード電極106とカソード電極104との間に高電圧が印加されるため、アノード電極106とカソード電極104との間の距離Yが本発明の放射線検出装置100の性能に影響を与える。距離Yが大きいと放電は生じにくくなるが、ガス増幅率が低下するため、本発明の放射線検出装置100の性能は悪くなる。逆に、距離Yが小さいと放電は生じやすくなるが、ガス増幅率が向上するため本発明の放射線検出装置100の性能は良くなる。よって、アノード電極106とカソード電極104との間の距離Yは放電とガス増幅率のトレードオフの関係のもと、本実施形態においては、約95μmに設定している。 In the detection element 100a of the present invention according to this embodiment, since a high voltage is applied between the anode electrode 106 and the cathode electrode 104, the distance Y between the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 is equal to that of the present invention. The performance of the radiation detection apparatus 100 is affected. When the distance Y is large, discharge is less likely to occur, but the gas amplification factor decreases, so the performance of the radiation detection apparatus 100 of the present invention is degraded. On the contrary, if the distance Y is small, discharge is likely to occur, but the gas amplification factor is improved, so that the performance of the radiation detection apparatus 100 of the present invention is improved. Therefore, the distance Y between the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 is set to about 95 μm in this embodiment based on the trade-off relationship between discharge and gas amplification factor.

しかしながら、距離Yを約95μmに設定すると、放射線が局所的に多く照射された場合、放電が生じて、放電による熱でアノード電極106とカソード電極104を構成する金属が溶融して飛散し、両電極間が導通して放射線検出が継続できなくなる問題が生じていた。 However, when the distance Y is set to about 95 μm, when a large amount of radiation is irradiated locally, a discharge occurs, and the metal constituting the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 is melted and scattered by the heat generated by the discharge. There has been a problem in that radiation detection cannot be continued due to conduction between the electrodes.

この問題に対して、ピクセル電極をあらかじめ加熱して、銅表面を酸化させると飛び散りが解消されることがわかった。これは、ピクセル電極の金属である融点1085℃の純銅の表面が融点1326℃の酸化銅になり溶融しにくくなったためである。 In order to solve this problem, it was found that scattering was eliminated by preheating the pixel electrode to oxidize the copper surface. This is because the surface of pure copper having a melting point of 1085 ° C., which is a metal of the pixel electrode, becomes copper oxide having a melting point of 1326 ° C. and is difficult to melt.

一方、ピクセル電極周辺に設けられた接続端子109aは、多ピン狭ピッチ接続に対応可能な金ワイヤーを用いたボンディングにより外部回路と接続されるようにしてもよい。接続端子109aを構成する金属表面は酸化されると、ワイヤーボンディングの接合強度が悪くなるため、本実施形態においては、接続端子109aの金属表面に金めっきを施し、第1の金属層120を配置した。金はイオン化傾向が最も小さく、酸化されにくいため、ピクセル電極の保存状態によらず、接合強度が良好なワイヤーボンディングが行える。金めっきは、銅の上に下地となる第2の金属層124のニッケル層を無電解めっきで形成し、そのニッケル層の上に無電解めっきで形成する。金と銅の間に介在するニッケルは、拡散防止膜として機能し銅に金が拡散して金がなくなるのを防止するとともに、ボンディングに必要な硬度を確保する役割を有する。 On the other hand, the connection terminal 109a provided around the pixel electrode may be connected to an external circuit by bonding using a gold wire that can support multi-pin narrow pitch connection. When the metal surface constituting the connection terminal 109a is oxidized, the bonding strength of wire bonding deteriorates. Therefore, in this embodiment, the metal surface of the connection terminal 109a is plated with gold and the first metal layer 120 is disposed. did. Since gold has the smallest ionization tendency and is not easily oxidized, wire bonding with good bonding strength can be performed regardless of the storage state of the pixel electrode. In the gold plating, a nickel layer of the second metal layer 124 serving as a base is formed on copper by electroless plating, and is formed on the nickel layer by electroless plating. Nickel intervening between gold and copper functions as a diffusion preventing film, has a role of preventing gold from diffusing into copper and disappearing of gold, and ensuring hardness required for bonding.

外部回路への接続端子109aとカソード電極104との間にもアノード電極106とカソード電極104との間と同じ高電圧が印加される。外部回路との接続端子109aとカソード電極104との間の距離Xが、アノード電極106とカソード電極104との間の距離Y以下の状態では、ピクセル電極部101以外の場所でガス増幅が起こり、ノイズ原因となる誤検出が生じる。そこで、距離Xは距離Yより大きくしなければならない。 The same high voltage as that between the anode electrode 106 and the cathode electrode 104 is also applied between the connection terminal 109 a to the external circuit and the cathode electrode 104. In a state where the distance X between the connection terminal 109a to the external circuit 109 and the cathode electrode 104 is equal to or less than the distance Y between the anode electrode 106 and the cathode electrode 104, gas amplification occurs in a place other than the pixel electrode portion 101, Misdetection that causes noise occurs. Therefore, the distance X must be larger than the distance Y.

接続端子109aの金属表面の第1の金属層120である金めっきは、融点が純銅より低い1064℃であり、放電による熱で溶融して飛散し、近接するカソード電極104との間やアノード電極106とカソード電極104との間が導通して放射線検出が継続できなくなる問題を引き起こす可能性がある。本実施形態においては、外部回路への接続端子109aとカソード電極104との間の距離Xを400μm以上確保し、かつ接続端子109aの金属表面に金めっきを施すことにより、誤検出と金属の飛散を防止するだけでなく、外部回路との接続信頼性を高く確保することができるという優れた効果を奏する。 Gold plating, which is the first metal layer 120 on the metal surface of the connection terminal 109a, has a melting point of 1064 ° C., which is lower than that of pure copper, and is melted and scattered by heat generated by discharge, and between the adjacent cathode electrode 104 and the anode electrode There is a possibility of causing a problem that the radiation detection cannot be continued due to conduction between 106 and the cathode electrode 104. In this embodiment, the distance X between the connection terminal 109a to the external circuit 109 and the cathode electrode 104 is ensured to be 400 μm or more, and the metal surface of the connection terminal 109a is plated with gold so that false detection and metal scattering can be achieved. In addition to preventing this, there is an excellent effect that connection reliability with an external circuit can be ensured.

(実施形態3)
本実施形態に係る本発明の検出素子100aの一部の平面図及び断面図を図7に示す。図7(B)には、本実施形態に係る本発明の検出素子100aのピクセル電極部101及び接続端子部109aの平面図を示し、図7(A)には、図7(B)のA−A’線におけるピクセル電極部101及び接続端子部109aの断面図を示している。本実施形態においては、接続端子部109aの構成を除いては、実施形態1及び2と同様の構成を有しているので、同様の構成については改めて説明はしない。
(Embodiment 3)
FIG. 7 shows a plan view and a sectional view of a part of the detection element 100a of the present invention according to this embodiment. FIG. 7B shows a plan view of the pixel electrode portion 101 and the connection terminal portion 109a of the detection element 100a of the present invention according to this embodiment, and FIG. 7A shows the A of FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of the pixel electrode portion 101 and the connection terminal portion 109a taken along line -A ′. In the present embodiment, except for the configuration of the connection terminal portion 109a, the configuration is the same as that of the first and second embodiments, and therefore the same configuration will not be described again.

図7に示すように、本実施形態においては、接続端子部109aの第1の金属層120が接続端子部109aの全面には配置されておらず、接続端子部109aの外端側の一部にのみ配置されている構成を有している。これは、実施形態1において説明した、図4(b)におけるレジスト140の配置を変更することによって、接続端子部109aの第1の金属層120を接続端子部109aの一部に形成することができる。本実施形態においては、実施形態1と同様、第1の金属層120には金を用いた。 As shown in FIG. 7, in the present embodiment, the first metal layer 120 of the connection terminal portion 109a is not disposed on the entire surface of the connection terminal portion 109a, and a part on the outer end side of the connection terminal portion 109a. It has the structure arrange | positioned only in. This is because the first metal layer 120 of the connection terminal portion 109a is formed in a part of the connection terminal portion 109a by changing the arrangement of the resist 140 in FIG. 4B described in the first embodiment. it can. In the present embodiment, gold is used for the first metal layer 120 as in the first embodiment.

このような構成をとることにより、接続端子部109aと接続端子部109aに近接するカソード電極104との間において放電が生じた場合であっても、第1の金属層120の金属が飛散することを防止することができ、周辺のピクセル電極部が使用できなくなるという問題をさらに低減することができる。結果として、接続端子部109aと接続端子部109aに近接するカソード電極104との距離Xをさらに小さく設定することができる。 By adopting such a configuration, even when a discharge occurs between the connection terminal portion 109a and the cathode electrode 104 adjacent to the connection terminal portion 109a, the metal of the first metal layer 120 is scattered. Can be prevented, and the problem that peripheral pixel electrode portions cannot be used can be further reduced. As a result, the distance X between the connection terminal portion 109a and the cathode electrode 104 adjacent to the connection terminal portion 109a can be set further smaller.

(実施形態4)
本実施形態においては、本発明の検出素子100aの別の例について説明する。実施形態1、2及び3と同様の構成を有しているので、同様の構成については改めて説明はしない。
(Embodiment 4)
In the present embodiment, another example of the detection element 100a of the present invention will be described. Since the configuration is the same as that of the first, second, and third embodiments, the same configuration will not be described again.

図8に、本実施形態に係る本発明の放射線検出装置150の断面斜視図を示す。本実施形態に係る本発明の放射線検出装置150は、実施形態1〜3と同様、検出素子100a(ピクセル電極部101、接続端子部109(109a及び109b))、ドリフト電極110及びチャンバー111を有している。また、本実施形態に係る本発明の放射線検出装置150においては、ドリフトケージ152a及び152bが設けられている。ドリフトケージ152a及び152bは、ドリフト電極110とピクセル電極部101との間の電界分布を均一化するために設けられている。 FIG. 8 is a cross-sectional perspective view of the radiation detection apparatus 150 of the present invention according to this embodiment. As in the first to third embodiments, the radiation detection apparatus 150 of the present invention according to the present embodiment includes the detection element 100a (pixel electrode unit 101, connection terminal unit 109 (109a and 109b)), drift electrode 110, and chamber 111. doing. Further, in the radiation detection apparatus 150 of the present invention according to the present embodiment, drift cages 152a and 152b are provided. The drift cages 152a and 152b are provided to make the electric field distribution between the drift electrode 110 and the pixel electrode portion 101 uniform.

100 放射線検出装置
100a 検出素子
101 ピクセル電極部
109(109a及び109b) 接続端子部
110 ドリフト電極
111 チャンバー
102 絶縁部材
104 カソード電極
105 開口部
106 アノード電極
108 アノード電極パターン
111 チャンバー
120 第1金属層
122 第2金属層
124 第3金属層
126 ビア
130 基板
150 放射線検出装置(容器モジュール)
152a、152b ドリフトケージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Radiation detection apparatus 100a Detection element 101 Pixel electrode part 109 (109a and 109b) Connection terminal part 110 Drift electrode 111 Chamber 102 Insulating member 104 Cathode electrode 105 Opening part 106 Anode electrode 108 Anode electrode pattern 111 Chamber 120 1st metal layer 122 1st 2 metal layers 124 3rd metal layer 126 via 130 substrate 150 radiation detection device (container module)
152a, 152b Drift cage

Claims (4)

絶縁部材と、
前記絶縁部材の第1面に配置された、複数の開口部を有する複数の第1電極と、
前記絶縁部材の前記第1面の反対側の第2面に配置され、前記絶縁部材の複数の貫通孔にそれぞれ配置された複数の第2電極と、
前記複数の第2電極がそれぞれ接続される複数の接続端子と、
を備える検出素子であって、
前記接続端子と前記第1電極との距離は、前記第1電極と前記第2電極との距離よりも大きいことを特徴とする検出素子。
An insulating member;
A plurality of first electrodes having a plurality of openings disposed on the first surface of the insulating member;
A plurality of second electrodes disposed on a second surface of the insulating member opposite to the first surface and disposed in a plurality of through holes of the insulating member;
A plurality of connection terminals to which the plurality of second electrodes are respectively connected;
A sensing element comprising:
The distance between the connection terminal and the first electrode is larger than the distance between the first electrode and the second electrode.
前記第2電極は、マトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の検出素子。 The detection element according to claim 1, wherein the second electrodes are arranged in a matrix. 前記接続端子は、外部回路へ接続されることを特徴とする請求項1又は2に記載の検出素子。 The detection element according to claim 1, wherein the connection terminal is connected to an external circuit. 前記接続端子と第1電極との距離は、400μm以上であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載の検出素子。 4. The detection element according to claim 1, wherein a distance between the connection terminal and the first electrode is 400 μm or more. 5.
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