JP2017074625A - Soiウェハ、memsデバイス、およびそのsoiウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】活性層の厚みを任意に変化させることができるSOIウェハの製造方法を提供する。【解決手段】活性層2と支持層4とが犠牲層3を挟んで配置されたSOIウェハ1の製造方法であって、異方性エッチングにより深さが互いに異なる複数のトレンチを活性層2に形成する工程と、複数のトレンチを互いに連結する工程と、犠牲層3を介して活性層2を支持層4に接合する工程と、を備える。複数のトレンチの深さをそれぞれ変化させることにより、活性層2の厚みを任意に変化させることができる。【選択図】図1
Description
本発明は、SOIウェハ、MEMSデバイス、およびそのSOIウェハの製造方法に関するものである。
SOIウェハの厚みを変化させる方法として、一般的には、SOIウェハを活性層側の表面からエッチングし、活性層の厚みを調整する方法が用いられる。しかし、この方法では、活性層の表面に凹凸やダメージができるため、活性層の表面の平坦性が求められるデバイス、例えば、機能性膜やウェハの接合を必要とするデバイスにこの方法を適用することは困難である。
表面の平坦性を保つ従来の方法として、キャビティSOIを使う方法がある。しかし、活性層を広い範囲で薄くするために広いキャビティを形成すると、活性層のうちキャビティが形成され薄くされた部分が撓んでしまうため、キャビティSOIを使う方法をこのようなデバイスに適用することは困難である。
また、特許文献1に記載のように、裏面からの多段エッチングにより活性層の裏面にトレンチを形成し、活性層の厚みを変化させる方法がある。この方法でも、表面の平坦性を保ったまま厚みの調整をする事ができる。
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスの最適な設計を行うためには、活性層、犠牲層、支持層を順に積層してなるSOI(Silicon on insulator)ウェハの厚みを面内で任意に変化させることが求められる。
例えば、梁で両持ち支持されたミラーを圧電素子により揺動し、ミラーの反射光による走査を行うMEMSミラースキャナでは、高い共振周波数での駆動においてミラーの走査角度を大きくするためには、活性層の厚みを変化させる必要がある。
具体的には、共振周波数を高くするためには、圧電素子が形成された駆動部における活性層の厚みを大きくして、駆動部の剛性を高くする必要がある。また、走査角度を大きくするためには、駆動部における活性層の厚みを小さくして、駆動部を変形しやすくする必要がある。
そして、駆動部と駆動部を支持する支持部との接続部において駆動部の厚みを大きくし、支持部との接続部から梁に近い先端に近づくにつれて駆動部の厚みを小さくすることにより、駆動部の大変位による大きな走査角度と、駆動部の高剛性による高い共振周波数とを両立できる。
特許文献1に記載の方法では、1つのトレンチに対応するマスクの開口部が1つであるため、トレンチの底面が活性層の表面に平行である。したがって、例えば支持部との接続部から梁に近い先端に近づくにつれて駆動部の厚みを小さくする加工のような、1つのトレンチにおいて活性層の厚みを任意に変化させる加工が困難である。
本発明は上記点に鑑みて、活性層の厚みを任意に変化させることができるSOIウェハの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、活性層(2)と支持層(4)とが犠牲層(3)を挟んで配置されたSOIウェハ(1)の製造方法であって、異方性エッチングにより深さが互いに異なる複数のトレンチ(5a)を活性層に形成する工程と、複数のトレンチを互いに連結する工程と、犠牲層を介して活性層を支持層に接合する工程と、を備えることを特徴としている。
これによれば、深さが互いに異なる複数のトレンチを活性層に形成し、これら複数のトレンチを互いに連結する工程を備えているため、活性層の厚みを任意に変化させることができる。
また、請求項5に記載の発明では、活性層(2)と支持層(4)とが犠牲層(3)を挟んで配置されたSOIウェハ(1)であって、活性層の表面が平坦であり、犠牲層は、活性層の裏面と、活性層に形成されたトレンチ(5)の内部とに形成されており、トレンチは、同じ該トレンチ内において深さが連続的に変化していることを特徴としている。
これによれば、トレンチが、同じ該トレンチ内において深さが連続的に変化しているため、MEMSデバイスの設計自由度が広がり、MEMSデバイスの性能を向上させることができる。
また、請求項6に記載の発明では、表面が平坦であるとともに、裏面側にトレンチ(5)が形成された活性層(2)と、活性層の裏面のうちトレンチの外側に形成された犠牲層(3)と、犠牲層のうち活性層とは反対側の面に接合されるとともに、トレンチに対応する部分に貫通孔(4a)が形成された支持層(4)と、を備え、トレンチは、同じ該トレンチ内において深さが連続的に変化していることを特徴としている。
これによれば、トレンチが、同じ該トレンチ内において深さが連続的に変化しているため、MEMSデバイスの性能を向上させることができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。ここでは、本実施形態のSOIウェハの製造方法を用いて図1に示すSOIウェハ1を製造する方法について説明する。
本発明の第1実施形態について説明する。ここでは、本実施形態のSOIウェハの製造方法を用いて図1に示すSOIウェハ1を製造する方法について説明する。
SOIウェハ1は、活性層2と支持層4とが犠牲層3を挟んで配置されたSOIウェハである。活性層2は例えばSi等で構成され、犠牲層3は例えばSiO2等で構成され、支持層4は例えばSi等で構成される。
活性層2の裏面には、トレンチ5が形成されている。トレンチ5は、活性層2の表面の面内方向において深さが変化している。トレンチ5は、本実施形態では複数形成されている。犠牲層3は、活性層2の裏面と、トレンチ5の内部とに形成されている。支持層4は、犠牲層3のうち活性層2とは反対側の面に接合されている。
このようなSOIウェハ1を製造する方法について、図2を用いて説明する。まず、図2(a)に示すように、異方性エッチングにより、活性層2のうち後にトレンチ5となる部分に複数のトレンチ5aを形成する。
本実施形態では、異方性エッチングのRIE(Reactive Ion Etching)ラグを利用することにより、少なくとも1つのトレンチ5に対応する部分に、深さが互いに異なる複数のトレンチ5aを形成している。具体的には、図示しないマスクに各トレンチ5aに対応する開口部を形成し、このとき、複数の開口部の幅を互いに異なるものとする。そして、このマスクを用いて異方性エッチングを行う。開口部の幅が大きいほどエッチングの速度が大きくなるため、幅の大きい開口部に対して深いトレンチ5aが形成され、幅の小さい開口部に対して浅いトレンチ5aが形成される。
また、本実施形態では、トレンチ5aを、開口幅が500nm〜1.5μm、アスペクト比が10〜100の高アスペクトトレンチとしている。
つぎに、図2(b)に示すように、複数のトレンチ5aを互いに連結し、連結された複数のトレンチ5aの内部に犠牲層3を形成する。本実施形態では、活性層2のうち隣り合う2つのトレンチ5aに挟まれた部分を熱酸化し、SiO2を形成することにより、2つのトレンチ5aを連結してトレンチ5を形成するとともにトレンチ5の内部に犠牲層3を形成する。また、活性層2のうち複数のトレンチ5aが形成された側の面も熱酸化し、犠牲層3を形成する。
すると、図2(a)に示す工程において、少なくとも1つのトレンチ5に対応する部分に、深さが互いに異なる複数のトレンチ5aを形成しているので、このトレンチ5は、深さが互いに異なる複数の部分を含む構成とされ、活性層2の表面の面内方向において深さが変化する。つまり、活性層2の表面の面内方向において、活性層2および犠牲層3の厚みが変化する。最後に、図2(c)に示すように、犠牲層3を介して活性層2を支持層4に接合する。
SOIウェハ1を基材として製造されるMEMSデバイスについて図3を用いて説明する。図3に示すMEMSデバイスは、梁で両持ち支持されたミラーを圧電素子により揺動し、ミラーの反射光による走査を行うMEMSミラースキャナであり、活性層2と、犠牲層3と、支持層4と、圧電素子6と、ミラー7と、キャップウェハ8と、リブ9とを備える。
圧電素子6は、下部電極、圧電膜、上部電極が順に積層された構造とされている。圧電素子6の下部電極と上部電極との間に電位差が発生させられると、圧電膜が変形し、これに伴って活性層2が変形する。
図3に示すように、圧電素子6が形成された駆動部においては、活性層2にトレンチ5が形成されている。図3に示すMEMSミラースキャナでは、犠牲層3は、活性層2の裏面のうちトレンチ5の外側に形成されており、犠牲層3のうちトレンチ5に対応する部分は除去されている。また、トレンチ5に対応する部分において、支持層4が除去されて貫通孔4aが形成されている。
MEMSミラースキャナでは、圧電素子6が2つ形成されており、活性層2の表面のうち2つの圧電素子6に挟まれた部分には、ミラー7が形成されている。ミラー7は、MEMSミラースキャナに照射された光ビームを反射するためのものであり、例えばAl等で構成される。
図3に示すように、ミラー7が形成された反射部においては、活性層2にトレンチ5が形成されている。そして、このトレンチ5に対応する部分において、犠牲層3が除去されるとともに、支持層4が除去されて貫通孔4aが形成されている。
圧電素子6およびミラー7は、キャップウェハ8により封止されている。キャップウェハ8は、ミラー7が揺動する際の空気抵抗を低減し、また、圧電素子6、ミラー7が大気により劣化することを抑制するためのものであり、例えばSiO2等で構成されている。キャップウェハ8は、接合面8aにおいて活性層2の表面と接合されている。
反射部の外周部では、犠牲層3および支持層4が残され、リブ9が形成されている。リブ9は、ミラー7が形成された部分を補強し、揺動に伴うミラー7の変形を抑制するためのものである。
SOIウェハ1を基材としてMEMSミラースキャナを製造する方法について図4を用いて説明する。図4(a)に示す工程では、活性層2の表面を研磨した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、活性層2の表面のうちミラー7を揺動する駆動部となる部分に圧電素子6を形成する。
図4(b)に示す工程では、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、活性層2の表面のうち反射部となる部分にミラー7を形成する。図4(c)に示す工程では、活性層2の表面にキャップウェハ8を接合し、圧電素子6およびミラー7を封止する。
図4(d)に示す工程では、エッチングにより支持層4のうちトレンチ5に対応する部分を除去して貫通孔4aを形成した後、支持層4をマスクとして犠牲層3をエッチングにより除去する。これにより、リブ9が形成される。また、エッチングにより活性層2を部分的に除去し、反射部、駆動部等を形成する。なお、図4(d)に示す工程では、支持層4のうちトレンチ5に対応する部分に加えて、トレンチ5の外側に対応する部分を必要に応じて除去してもよい。
このように製造されたMEMSミラースキャナでは、活性層2、犠牲層3、支持層4を除去する際のマスクの形状とトレンチ5の深さに応じて活性層2の厚みが面内で変化する。
このように、本実施形態では、複数のトレンチ5aの深さをそれぞれ変化させることにより、活性層2および犠牲層3の厚みを面内で任意に変化させることができる。そして、本実施形態のSOIウェハ1を加工することにより、活性層2の厚みが面内で任意に変化するMEMSデバイスを製造することができる。
また、本実施形態では、高アスペクトトレンチのRIEラグにより活性層2の厚みを調整し、トレンチ全面酸化により犠牲層3を形成しているため、一度の異方性エッチングで活性層2の厚みを調整することが可能である。したがって、形成するトレンチの深さに応じて多段階のエッチングを行う場合に比べて、工数を低減し、SOIウェハの製造方法を簡素化することができる。
また、本実施形態のSOIウェハ1を基材としてMEMSデバイスを製造すれば、MEMSデバイスの性能を向上させることができる。例えば、図3に示すMEMSミラースキャナを良好に動作させるためには、活性層2の厚みを様々に変化させる必要がある。
具体的には、共振周波数等の振動特性、駆動特性を良好なものとするためには、圧電素子6が形成された駆動部を、駆動部を支持する支持部に近い根元側が厚く、根元側から梁に近い先端に近づくにつれて薄くなるように形成する必要がある。つまり、活性層2の厚みを連続的に変化させる必要がある。
また、ミラー7が屈曲することにより反射光の焦点位置が変化する可変焦点型のMEMSミラースキャナでは、リブ9の形状を、剛性が高く、かつ、ミラー7の屈曲を阻害しない形状とする必要がある。換言すれば、反射部のうちミラー7を補強する外周部では厚く、ミラー7を屈曲させる内周部では薄くなるように、外周部と内周部とで活性層2の厚みを大きく変化させる、つまり、活性層2の厚みを不連続的に変化させる必要がある。
これについて、本実施形態では、複数のトレンチ5aの深さを徐々に変化させることで、トレンチ5の深さと、活性層2の厚みとを連続的に変化させることができる。また、活性層2のうちトレンチ5が形成される部分と、トレンチ5が形成されない部分との境界に隣接するトレンチ5aの深さを十分に大きくすることにより、活性層2の厚みを不連続的に変化させることができる。
このように、本実施形態では、SOIウェハ1の活性層2の厚みを連続的にも不連続的にも変化させることができるので、MEMSミラースキャナの振動特性、駆動特性、剛性等の設計自由度が広がり、MEMSミラースキャナの特性を向上させることができる。また、MEMSミラースキャナ以外のMEMSデバイスについても同様に性能を向上させることができる。
また、本実施形態では、活性層2の表面に対してはエッチングを行わないため、活性層2の表面に凹凸ができることを抑制し、活性層2の表面を平坦に保つことができる。そのため、活性層2の表面の平坦性の低下によるMEMSデバイスの性能劣化を抑制することができる。
また、活性層2の表面に対してはエッチングを行わないため、活性層2の表面の結晶方位を均一に保つことができる。そのため、図3に示すMEMSミラースキャナにおいて、圧電素子6の結晶方位も均一に近づけることが可能となり、圧電素子6の性能の劣化を抑制することができる。
また、本実施形態では、図4(a)に示す工程において活性層2の表面を研磨する際に、活性層2の厚みが小さい部分においても、犠牲層3の支持により活性層2のたわみが抑制されるため、活性層2の表面を高精度に研磨することができる。これにより、図3に示すMEMSミラースキャナにおいて、圧電素子6の表面が平坦になり、圧電素子6の性能の劣化をさらに抑制することができる。また、ミラー7の表面が平坦になり、ミラー7の反射率を高めることができる。
また、図3に示すMEMSミラースキャナにおいて、活性層2の表面とキャップウェハ8の接合面8aとの間に隙間ができることを抑制するためには、複数の接合面8aの図3の紙面上下方向における位置を、活性層2の表面の凹凸に合わせて変化させる必要がある。
本実施形態では、活性層2の表面に対してはエッチングを行わないため、活性層2の表面が平坦に保たれる。そのため、複数の接合面8aが同一平面上にある状態でキャップウェハ8を活性層2に接合しても、活性層2の表面とキャップウェハ8の接合面8aとの間に隙間ができることを抑制することができる。したがって、活性層2の表面の凹凸に合わせて接合面8aの図3の紙面上下方向における位置を変化させる工程が不要となる。
また、活性層2に厚みが小さく、かつ、犠牲層3に支持されない部分が存在するキャビティSOIでは、活性層2にたわみが生じている場合がある。そのため、キャビティSOIにキャップウェハ8を接合する場合、活性層2の表面と接合面8aとの間に隙間ができることを抑制するためには、活性層2のたわみを考慮して接合面8aの図3の紙面上下方向における位置を変化させる必要がある。または、図5(a)に示すように、活性層2の厚みが小さい場所を避けて接合面8aを配置する必要がある。
これに対して、本実施形態では、活性層2のうち厚みが小さくされた部分においても、犠牲層3の支持により活性層2のたわみが抑制されるので、活性層2の表面が平坦である。そのため、複数の接合面8aが同一平面上にある状態で、図5(b)に示すようにキャップウェハ8を活性層2のうち厚みが小さい部分に接合しても、活性層2の表面とキャップウェハ8の接合面8aとの間に隙間ができることを抑制することができる。したがって、接合面8aの位置を図3の紙面上下方向、活性層2の面内方向において調整する工程が不要となる。
このように、本実施形態では、接合面8aの位置を変化させる工程が不要となるため、MEMSミラースキャナのようにキャップウェハ8が接合されたMEMSデバイスの製造において、工数を低減することができる。また、圧電素子6、ミラー7をまとめて封止することにより、MEMSミラースキャナの製造において、工数を低減することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してトレンチ5および犠牲層3の形成方法を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してトレンチ5および犠牲層3の形成方法を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本実施形態では、図2(a)に示す工程の後、活性層2のうち隣り合う2つのトレンチ5aに挟まれた部分をエッチングで除去することにより、これら2つのトレンチ5aを連結する。これにより、図6(a)に示すように、トレンチ5が形成される。
その後、図6(b)に示すように、トレンチ5の内部をSiO2で埋め込むことにより、犠牲層3を形成する。具体的には、活性層2が置かれた空間を真空引きにより大気圧より減圧するとともに、活性層2のトレンチ5が形成された面に、溶融ガラスで構成された基板を貼り付ける。そして、活性層2が置かれた空間の温度を例えば約1000℃まで上昇させるとともに、この空間の圧力を大気圧とする。すると、高温により溶けたガラスが大気圧に押されてトレンチ5の内部に流れ込み、犠牲層3が形成される。
最後に、犠牲層3のうち活性層2とは反対側の面を研磨し、図2(c)に示す工程と同様に、図6(c)に示すように、犠牲層3に支持層4を接合する。
このようにしてトレンチ5および犠牲層3を形成する本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。なお、犠牲層3をCVD(Chemical Vapor Deposition)により形成してもよい。
(他の実施形態)
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
1 SOIウェハ
2 活性層
3 犠牲層
4 支持層
4a 貫通孔
5 トレンチ
5a トレンチ
2 活性層
3 犠牲層
4 支持層
4a 貫通孔
5 トレンチ
5a トレンチ
Claims (6)
- 活性層(2)と支持層(4)とが犠牲層(3)を挟んで配置されたSOIウェハ(1)の製造方法であって、
異方性エッチングにより深さが互いに異なる複数のトレンチ(5a)を前記活性層に形成する工程と、
前記複数のトレンチを互いに連結する工程と、
前記犠牲層を介して前記活性層を前記支持層に接合する工程と、を備えることを特徴とするSOIウェハの製造方法。 - 前記活性層のうちの前記複数のトレンチが形成された側の一面上に加えて、連結された前記複数のトレンチの内部に前記犠牲層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載のSOIウェハの製造方法。
- 前記複数のトレンチを互いに連結する工程および前記犠牲層を形成する工程では、前記活性層のうち隣り合う2つのトレンチに挟まれた部分を酸化することにより、前記2つのトレンチを連結するとともに前記犠牲層を形成することを特徴とする請求項2に記載のSOIウェハの製造方法。
- 前記複数のトレンチを互いに連結する工程では、前記活性層のうち隣り合う2つのトレンチに挟まれた部分をエッチングで除去することにより前記2つのトレンチを連結し、
前記犠牲層を形成する工程では、前記2つのトレンチを連結することにより形成されるトレンチ(5)の内部をSiO2で埋め込むことにより前記犠牲層を形成することを特徴とする請求項2に記載のSOIウェハの製造方法。 - 活性層(2)と支持層(4)とが犠牲層(3)を挟んで配置されたSOIウェハ(1)であって、
前記活性層の表面が平坦であり、
前記犠牲層は、前記活性層の裏面と、前記活性層に形成されたトレンチ(5)の内部とに形成されており、
前記トレンチは、同じ該トレンチ内において深さが連続的に変化していることを特徴とするSOIウェハ。 - 表面が平坦であるとともに、裏面側にトレンチ(5)が形成された活性層(2)と、
前記活性層の裏面のうち前記トレンチの外側に形成された犠牲層(3)と、
前記犠牲層のうち前記活性層とは反対側の面に接合されるとともに、前記トレンチに対応する部分に貫通孔(4a)が形成された支持層(4)と、を備え、
前記トレンチは、同じ該トレンチ内において深さが連続的に変化していることを特徴とするMEMSデバイス。
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WO2020255627A1 (ja) | 2019-06-17 | 2020-12-24 | スタンレー電気株式会社 | 製造方法及び光偏向器 |
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