JP2017073498A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 基板の上面に気相成長反応により成膜を行う反応室と、
   前記反応室にガスを供給するガス供給部と、
   前記基板の裏面側から、前記基板を加熱する加熱手段と、
   前記加熱手段の出力を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記加熱手段の電気特性を所定時間ごとに測定し、新規の測定値と以前の測定値との前記電気特性の変動値を検出する電気特性測定部と、
   検出された所定数の前記電気特性の変動値の最大値と最小値とを抽出し、所定の時間間隔で前記最大値と前記最小値との差分を計算し、前記の差分が所定の閾値を超えたか否かを判定する閾値判定部と、
   を備える気相成長装置。
2. 前記閾値判定部において、前記所定の閾値を超えたと判断された場合に、警告処理を行う警告部を備える請求項１に記載の気相成長方法。
3. 前記電気特性は、前記加熱手段に印加する電圧、前記加熱手段に流れる電流、および前記加熱手段の抵抗値の少なくとも一つである請求項１または２に記載の気相成長装置。
4. 前記閾値判定部は、
   前記電気特性の変動値の最大値と最小値との差分が第１の閾値を超えたか否かを判定する第１判定部と、
   前記第１判定部により前記第１の閾値を超えたと判定された後に、前記電気特性の変動値の最大値と最小値との差分が前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値を超えたか否かを判定する第２判定部と、を有し、
   前記警告部は、
   前記第１判定部により前記第１の閾値を超えたと判定されると、第１の警告処理を行う第１警告処理部と、
   前記第２判定部により前記第２の閾値を超えたと判定されると、第２の警告処理を行う第２警告処理部と、
   を有する請求項２に記載の気相成長装置。
5. 反応室内に載置された基板を加熱する加熱手段の異常検出方法であって、
   前記加熱手段の抵抗値を所定時間ごとに測定し、
   測定された前記抵抗値の変動値を検出し、
   検出された所定回の前記変動値の最大値と最小値との差分が前記閾値を超えたか否かを判定する、異常検出方法。