JP2017071830A - 水蒸気電解用セルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
アノード: 2O2- → O2 + 4e-
カソード: 2H2O + 4e- → 2H2 + 2O2-
上記式のとおり、この場合には、水素はカソード側で発生し、共存する水蒸気と分離する工程が別途必要になるという問題がある。
アノード: 2H2O → O2 + 4H+ + 4e-
カソード: 4H+ + 4e- → 2H2
上記式のとおり、この場合には、酸素イオン伝導性電解質を用いた場合と同様に水素はカソード側で発生するものの、水蒸気はアノード側に導入されるため、水素を水蒸気から分離する必要がないという利点がある。
[1]アノード層とカソード層を有し、当該アノード層と当該カソード層との間にプロトン伝導性固体電解質層を有し、前記プロトン伝導性固体電解質層が、下記式(1):
Ba(1-a)SraZrbCecMdOx (1)
(ここで、Baはバリウム、Srはストロンチウム、Zrはジルコニウム、Ceはセリウム、Mはネオジム、ガドリニウム、イッテルビウム及びイットリウムから選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素であり、
a、b、c、dおよびxはそれぞれ、Sr、Zr、Ce、MおよびOの原子比を表し、0.1≦a≦0.2、0.4≦b≦0.7、0.1≦c≦0.4、0.1≦d≦0.2であり、xは各々の元素の酸化状態によって定まる数値である)
で表されるペロブスカイト型のプロトン伝導性金属酸化物を含み、
当該プロトン伝導性金属酸化物中のセリウムに対するジルコニウムのモル比(Zr/Ce比)が、1≦(b/c)≦7であることを特徴とする水蒸気電解用セル。
[2]上記カソード層が、Ni、Co、Feおよびこれらの酸化物から選択される1以上の金属元素とAサイトにストロンチウムを含み、Bサイトに周期律表の第4族から第14族に属する3価あるいは4価の元素を含むペロブスカイト型金属酸化物を含有する[1]に記載の水蒸気電解用セル。
[3][1]または[2]に記載の水蒸気電解セルを製造する方法であって、ペロブスカイト型金属酸化物を含むスラリーをシート化して、空気雰囲気下、1000℃以上、1500℃以下で焼成することによりプロトン伝導性固体電解質層を形成する工程を含む水蒸気電解セルの製造方法。
水蒸気電解用セルには、主に電解質支持型セルと電極支持型セルがある。電解質支持型セルの場合、一般的に、電解質層、アノード層、カソード層の中では電解質層の焼成温度が最も高いことから、先ず、電解質層を準備する。電極支持型セルの場合には、支持層となる電極層の上に電解質層を形成する。
Ba(1-a)SraZrbCecMdOx (1)
のABO3型の構造を有するペロブスカイト型金属酸化物を用いることができる。ここで、Baはバリウム、Srはストロンチウム、Zrはジルコニウム、Ceはセリウム、Mはネオジム、ガドリニウム、イッテルビウム及びイットリウムから選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素である。Mは特にイットリウムが好ましい。
aは、好ましくは0.18以下、より好ましくは0.15以下、更に好ましくは0.12以下、より更に好ましくは0.1であるが、0.11以上であってもよい。
bは、好ましくは0.45以上、より好ましくは0.50以上、好ましくは0.65以下、より好ましくは0.60以下である。
cは、好ましくは0.15以上、より好ましくは0.20以上、好ましくは0.35以下、より好ましくは0.30以下である。
dは、好ましくは0.12以上、より好ましくは0.15以上、更に好ましくは0.18以上であり、より更に好ましくは0.2であるが、0.19以下であってもよい。
本発明の水蒸気電解用セルが電解質支持型セルである場合には、プロトン伝導性固体電解質層にアノード層ペーストとカソード層ペーストを塗布した後に焼成する。アノード層とカソード層は、各ペーストをプロトン伝導性固体電解質層に塗布した後に同時に焼成して形成しても、別々に焼成して形成してもよいが、アノード層とカソード層の焼成温度が同じであるとは限らないため、一般的には、焼成温度がより高い電極層を先に形成した後に、他方の電極層を形成することが好ましい。
本発明に係るセルのカソード層は、4H+ + 4e- → 2H2の反応を促進する触媒作用を示すと共に、電子伝導性を有する必要がある。このような材料としては、Pt、Pd、Ni、Co、Fe、Ruなどの金属元素の他、当該金属元素とプロトン伝導性固体電解質層の材料であるペロブスカイト型金属酸化物との混合物を挙げることができ、プロトン伝導性固体電解質層との親和性や密着性の観点から、カソード層は、金属元素とペロブスカイト型金属酸化物との混合物を含有することが好ましい。
Sr1Zrb1Cec1Yd1Ox (2)
(ここで、b1、c1、d1およびxはそれぞれ、Zr、Ce、YおよびOの原子比を表し、0.4≦b1≦0.7、0.1≦c1≦0.6、0.1≦d1≦0.2であり、xは各々の元素の酸化状態によって定まる数値である。)
で表されるペロブスカイト型金属酸化物が好ましく用いられる。
b1は、好ましくは0.45以上、より好ましくは0.47以上、好ましくは0.65以下、より好ましくは0.60以下である。
c1は、好ましくは0.15以上、より好ましくは0.20以上、好ましくは0.55以下、より好ましくは0.50以下である。
d1は、好ましくは0.18以下、より好ましくは0.15以下、更に好ましくは0.12以下、より更に好ましくは0.1である。
(1) カソード支持体前駆体の作製
市販の酸化ニッケル粉末(正同化学工業社製,製品名「Green」)と電解質粒子としてSrZr0.5Ce0.4Y0.1Ox粒子とを、当該酸化ニッケル粉末72vol%、電解質粒子28vol%となるように秤量した。これら粒子へバインダーと溶剤を添加し、さらに可塑剤、分散剤、潤滑剤および消泡剤を添加した。当該混合物をボールミルで30時間湿式粉砕混合することによりスラリーを調製した。得られたスラリーを、テープキャスト法によりシート状に成形した後、80℃で1時間乾燥し、カソード支持体前駆体を作製した。
本実施例で使用したプロトン伝導性金属酸化物の合成は、固相法を用いた。市販の純度99.9質量%のBaCO3、SrCO3、ZrO2、CeO2、Y2O3の粉末をBa0.9Sr0.1Zr0.5Ce0.4Y0.1Oxの組成となるように、混合した。得られた混合物にエタノールを加え、遊星ボールミルで2時間湿式粉砕した後、120℃で10時間乾燥した。次いで、空気雰囲気下、1200℃で10時間焼成することにより、電解質粉体を得た。さらに得られた電解質粉体にエタノールを加え、遊星ボールミルで3時間湿式粉砕した後、120℃で10時間乾燥することにより、水蒸気電解用電解質層材料として使用できる電解質粉末を得た。得られた電解質粉末の組成は、Ba0.9Sr0.1Zr0.5Ce0.4Y0.1Oxであり、X線回折により、ペロブスカイトからなる単一相であることを確認した。
上記(2)で得られたBa0.9Sr0.1Zr0.5Ce0.4Y0.1Oxと、エチルセルロースおよびα−テルピネオールを乳鉢で混合した。その後、3本ロールミル(EXAKT technologies社製,型式「M−80S」)を用いて混練し、電解質層ペーストを得た。
上記(1)で作製したカソード支持体前駆体上に、当該ペーストをスクリーン印刷法で塗布し、80℃で30分間乾燥した後、1400℃、空気雰囲気下で2時間焼成することにより、プロトン伝導性固体電解質層の厚さが15μm、カソード支持体の厚さが250μmのハーフセルを作製した。
市販の純度99.9質量%のLa2O3、BaCO3およびCo3O4の粉末を、La0.5Ba0.5CoOxの組成となるように混合した。得られた混合物にエタノールを加え、ボールミルで60時間湿式粉砕した後、120℃で10時間乾燥した。次いで、1100℃で10時間熱処理することにより粉末を得た。さらに、得られた粉末にエタノールを加え、ボールミルで100時間湿式粉砕した後、120℃で10時間乾燥することにより、水蒸気電解用アノード層材料とすることができる原料粉末とした。得られたアノード層原料粉末の組成はLa0.5Ba0.5CoOxであり、X線回折により、ペロブスカイトからなる単一相であることを確認した。
上記アノード層原料粉末に、バインダーとしてエチルセルロース、溶媒としてα−テルピネオールを加え、乳鉢で混合した。次いで、3本ロールミル(EXAKT technologies社製,型式「M−80S」)を用いて混練し、アノード用ペーストを得た。
上記(3)で得たハーフセルのプロトン伝導性金属酸化物におけるカソード支持体の反対側に、上記アノード用ペーストをスクリーンプリント法により塗布した後、空気雰囲気下、850℃で1時間焼成することにより、厚さ30μmのアノード層を形成した。
(2)におけるプロトン伝導性金属酸化物を表1に示すペロブスカイト型金属酸化物に変更した以外は、実施例1と同様にしてセルを作製した。
上記実施例1の(1)における電解質粒子をBaZr0.44Ce0.36Y0.2Ox粒子に、上記(2)におけるプロトン伝導性金属酸化物をBaZr0.44Ce0.36Y0.2Oxに変更し、焼成温度を1550℃にした以外は同様にしてセルを作製した。
上記実施例1の(1)におけるプロトン伝導性金属酸化物をSrZr0.5Ce0.4Y0.1Ox粒子に、上記(2)におけるプロトン伝導性金属酸化物をBaZr0.44Ce0.36Y0.2Oxに変更した以外は、実施例1と同様にしてセルを作製した。
上記実施例1の(1)における電解質粒子をSrZr0.5Ce0.4Y0.1Ox粒子に、上記(2)におけるプロトン伝導性金属酸化物をSrZr0.5Ce0.4Y0.1Oxに変更した以外は同様にしてセルを作製した。
実施例1〜6及び比較例1〜3で作製したセルに、そのアノード層に接触しないようガラスリングを挟み、800℃で軟化させることによりガスシールした。次いで、作動温度である600℃まで降温した後、10v/v%H2ガスを含むN2ガスを導入してカソード支持体中のNiOを還元した。アノード層側に、水蒸気20v/v%と酸素1v/v%を含むアルゴンガスを流量100NmL/分で導入し、カソード層側に、水蒸気2v/v%と水素1v/v%を含むアルゴンガスを流量100NmL/分で導入した。ポテンショガルバノスタットを用い、電流を変化させつつ電圧を測定することにより電流−電圧曲線を得た。
また、カソード層において発生した水素の濃度をガスクロマトグラフィで定量し、さらに、カソード出口ガスの流量を高精度精密膜流量計(堀場エステック社製)で測定した。得られた測定値から、下記式によりH2生成速度を算出した。
H2生成速度(μmol/h・cm2)=[{(Qv0×Hc0/100)−(Qv1×Hc1/100)}×60×106]/(22400×S)
Qv0: 非通電時のカソード出口ガス流量(NmL/分)
Hc0: 非通電時のカソード出口ガス中のH2濃度(v/v%)
Qv1: 通電時のカソード出口ガス流量(NmL/分)
Hc1: 通電時のカソード出口ガス中のH2濃度(v/v%)
S: アノードの電極面積(cm2)
また、下記式により理論H2生成速度を算出した。
理論H2生成速度(μmol/h・cm2)={通電した電流(A)×3600(s)×106}/{2×F×電流面積(cm2)}
F: ファラデー定数
さらに、測定値に基づくH2生成速度と理論H2生成速度から、下記式により電流効率を算出した。
電流効率(%)=(H2生成速度/理論H2生成速度)×100
各セルのアノード層、カソード層および電解質層の組成と電流密度0.5A/cm2でのセル端子電圧、電流効率を表1に示す。
Claims (3)
- アノード層とカソード層を有し、当該アノード層と当該カソード層との間にプロトン伝導性固体電解質層を有し、前記プロトン伝導性固体電解質層が、下記式(1):
Ba(1-a)SraZrbCecMdOx (1)
(ここで、Baはバリウム、Srはストロンチウム、Zrはジルコニウム、Ceはセリウム、Mはネオジム、ガドリニウム、イッテルビウム及びイットリウムから選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素であり、
a、b、c、dおよびxはそれぞれ、Sr、Zr、Ce、MおよびOの原子比を表し、0.1≦a≦0.2、0.4≦b≦0.7、0.1≦c≦0.4、0.1≦d≦0.2であり、xは各々の元素の酸化状態によって定まる数値である)
で表されるペロブスカイト型のプロトン伝導性金属酸化物を含み、
当該プロトン伝導性金属酸化物中のセリウムに対するジルコニウムのモル比(Zr/Ce比)が、1≦(b/c)≦7であることを特徴とする水蒸気電解用セル。 - 上記カソード層が、Ni、Co、Feおよびこれらの酸化物から選択される1以上の金属元素とAサイトにストロンチウムを含み、Bサイトに周期律表の第4族から第14族に属する3価あるいは4価の元素を含むペロブスカイト型金属酸化物を含有する請求項1に記載の水蒸気電解用セル。
- 請求項1または2に記載の水蒸気電解セルを製造する方法であって、ペロブスカイト型金属酸化物を含むスラリーをシート化して、空気雰囲気下、1000℃以上、1500℃以下で焼成することによりプロトン伝導性固体電解質層を形成する工程を含む水蒸気電解用セルの製造方法。
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