JP2017069411A - Through electrode substrate, and interposer and semiconductor device using the same - Google Patents
Through electrode substrate, and interposer and semiconductor device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017069411A JP2017069411A JP2015193897A JP2015193897A JP2017069411A JP 2017069411 A JP2017069411 A JP 2017069411A JP 2015193897 A JP2015193897 A JP 2015193897A JP 2015193897 A JP2015193897 A JP 2015193897A JP 2017069411 A JP2017069411 A JP 2017069411A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- substrate
- electrode
- interposer
- seed layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は貫通電極基板並びに貫通電極基板を用いたインターポーザ及び半導体装置に関し、特に、貫通電極基板に形成された貫通孔の形状に関する。 The present invention relates to a through electrode substrate, an interposer using the through electrode substrate, and a semiconductor device, and more particularly, to a shape of a through hole formed in the through electrode substrate.
近年、集積回路の高性能化に伴い、集積回路はより微細化・複雑化している。このような集積回路には、回路動作のために必要な電源やロジック信号を外部装置(チップ)から入力するための接続端子が配置されている。しかしながら、集積回路の微細化・複雑化によって集積回路上の接続端子は非常に狭いピッチで配置されており、チップの接続端子のピッチと比較して数倍から数十倍程度小さい。 In recent years, integrated circuits have become more miniaturized and complicated with higher performance of integrated circuits. In such an integrated circuit, a connection terminal for inputting a power supply and a logic signal necessary for circuit operation from an external device (chip) is arranged. However, the connection terminals on the integrated circuit are arranged at a very narrow pitch due to the miniaturization and complexity of the integrated circuit, which is several to several tens of times smaller than the pitch of the connection terminals of the chip.
上記のように、各々の接続端子のピッチが異なる集積回路とチップとを接続する場合に、接続端子のピッチサイズを変換するための仲介基板となるインターポーザが用いられる。インターポーザでは、基板の一方の面に配置された配線には集積回路が実装され、他方の面に配置された配線にはチップが実装され、基板の両面にそれぞれ配置された配線同士は当該基板を貫通する貫通電極によって接続されている。 As described above, an interposer serving as an intermediary substrate for converting the pitch size of connection terminals is used when an integrated circuit and a chip having different connection terminal pitches are connected. In the interposer, an integrated circuit is mounted on the wiring arranged on one surface of the substrate, a chip is mounted on the wiring arranged on the other surface, and the wiring arranged on both sides of the substrate is connected to the substrate. They are connected by penetrating through electrodes.
インターポーザとしては、シリコン基板を使用した貫通電極基板であるTSV(Through-Silicon Via)やガラス基板を使用した貫通電極基板であるTGV(Through-Glass Via)が開発されている(例えば、特許文献1及び特許文献2)。特に、TGVの場合、例えば4.5世代と呼ばれる、ガラス基板の縦横サイズが730mm×920mmの大型のガラス基板を使用して製造することができるため、製造コストを下げることができる点で有利である。また、TGVの場合、ガラス基板の特性である透明性を利用した部品への展開を図ることができる点で有利である。 As the interposer, TSV (Through-Silicon Via) which is a through electrode substrate using a silicon substrate and TGV (Through-Glass Via) which is a through electrode substrate using a glass substrate have been developed (for example, Patent Document 1). And Patent Document 2). In particular, in the case of TGV, for example, it can be manufactured using a large glass substrate having a vertical and horizontal size of 730 mm × 920 mm called the 4.5th generation, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced. is there. Moreover, in the case of TGV, it is advantageous at the point which can expand | deploy to the components using the transparency which is the characteristic of a glass substrate.
しかし、集積回路の微細化・複雑化に伴い、TSVやTGVにおいて貫通孔のアスペクト比(孔径に対する孔の深さ)が大きくなると、貫通孔に充填される貫通電極の埋め込み性又は貫通電極に用いられる薄膜の付き回り性が悪くなってしまう。貫通電極の埋め込み性又は付き回り性が悪くなると、上記の基板の両面にそれぞれ配置された配線同士の電気的接続を確保することができなくなる。また、当該配線同士の電気的接続がかろうじて確保された場合であっても、貫通電極の接続面積が小さくなってしまう。このような場合、貫通孔の一部の領域に形成された貫通電極に電流が集中するため、過剰な自己発熱による貫通電極の破壊などの問題が発生してしまう。以上のように、TSVやTGVにおいて貫通孔のアスペクト比が大きくなると、貫通電極の埋め込み性又は付き回り性が悪くなり、貫通電極基板としての信頼性が悪化する。そのため、TSVやTGVの微細化には限界があった。 However, when the aspect ratio of the through hole (hole depth with respect to the hole diameter) in TSV or TGV increases with the miniaturization and complexity of the integrated circuit, it is used for the embedding property of the through electrode filled in the through hole or the through electrode. As a result, the throwing power of the thin film is deteriorated. If the penetrating property of the through electrode or the throwing power of the through electrode is deteriorated, it becomes impossible to ensure electrical connection between the wirings arranged on both surfaces of the substrate. Moreover, even if the electrical connection between the wirings is barely ensured, the connection area of the through electrodes is reduced. In such a case, current concentrates on the through electrode formed in a partial region of the through hole, which causes problems such as destruction of the through electrode due to excessive self-heating. As described above, when the aspect ratio of the through hole is increased in TSV or TGV, the embedding property or throwing power of the through electrode is deteriorated, and the reliability as the through electrode substrate is deteriorated. Therefore, miniaturization of TSV and TGV has a limit.
本発明は、そのような課題に鑑みてなされたものであり、微細化され、且つ信頼性の高い貫通電極基板を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a subject, and it aims at providing the through-electrode board | substrate refined | miniaturized and highly reliable.
本発明の一実施形態に係る貫通電極基板は、第1面及び前記第1面に対向する第2面を有する基板と、前記第1面及び前記第2面を貫通する貫通孔と、前記貫通孔に設けられ、互いに電気的に独立した第1貫通電極及び第2貫通電極と、を備える。 A through electrode substrate according to an embodiment of the present invention includes a substrate having a first surface and a second surface facing the first surface, a through hole penetrating the first surface and the second surface, and the through A first through electrode and a second through electrode which are provided in the hole and are electrically independent from each other;
上記の貫通電極基板によれば、微細化が実現されるとともに、貫通孔に対する貫通電極の良好な付き回り性を得ることができる。 According to the above-mentioned through electrode substrate, miniaturization is realized and good throwing power of the through electrode with respect to the through hole can be obtained.
前記貫通孔は、平面視において少なくとも第1方向に伸延された形状を有し、前記第1貫通電極は、前記貫通孔の前記第1方向の一方の端部に設けられ、前記第2貫通電極は、前記貫通孔の前記第1方向の他方の端部に設けられてもよい。 The through hole has a shape extending in at least a first direction in plan view, and the first through electrode is provided at one end of the through hole in the first direction, and the second through electrode May be provided at the other end of the through hole in the first direction.
上記の貫通電極基板によれば、貫通孔に対する貫通電極の良好な付き回り性を得ることができる。 According to the above-described through electrode substrate, it is possible to obtain good coverage of the through electrode with respect to the through hole.
本発明の一実施形態に係るインターポーザは、上記の貫通電極基板と、貫通電極基板の第1面側に設けられた配線に接続された第1配線構造体と、貫通電極基板の第2面側に設けられた配線に接続された第2配線構造体と、を備える。 An interposer according to an embodiment of the present invention includes the above-described through electrode substrate, a first wiring structure connected to a wiring provided on the first surface side of the through electrode substrate, and a second surface side of the through electrode substrate. And a second wiring structure connected to the wiring provided in.
上記のインターポーザによれば、微細化が実現されるとともに、貫通孔に対する貫通電極の良好な付き回り性を得ることができる。 According to the above interposer, miniaturization is realized and good throwing power of the through electrode with respect to the through hole can be obtained.
本発明の一実施形態に係る半導体装置は、上記の貫通電極基板と、貫通電極基板に並んで配置された他の基板またはチップを有する。 A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes the above-described through electrode substrate and another substrate or a chip arranged side by side with the through electrode substrate.
上記の半導体装置によれば、微細化が実現されるとともに、貫通孔に対する貫通電極の良好な付き回り性を得ることができる。 According to the semiconductor device described above, miniaturization is achieved and good throwing power of the through electrode with respect to the through hole can be obtained.
本発明の一実施形態に係る貫通電極基板の製造方法は、第1面及び第2面を有する基板に前記第1面及び前記第2面を貫通する貫通孔を形成し、前記貫通孔にシード層を形成し、少なくとも第1方向における前記貫通孔の両端部を除く、前記貫通孔の一部に重畳するように、前記基板の前記第1面及び前記第2面にレジスト層を形成し、前記レジスト層から露出した前記シード層上にめっき層を形成し、前記めっき層から露出した前記シード層を除去し、互いに電気的に独立した第1貫通電極及び第2貫通電極を形成すること、を含む。 In a method of manufacturing a through electrode substrate according to an embodiment of the present invention, a through hole penetrating the first surface and the second surface is formed in a substrate having a first surface and a second surface, and the through hole is seeded. Forming a layer and forming a resist layer on the first surface and the second surface of the substrate so as to overlap at least a part of the through-hole excluding both end portions of the through-hole in the first direction; Forming a plating layer on the seed layer exposed from the resist layer, removing the seed layer exposed from the plating layer, and forming a first through electrode and a second through electrode electrically independent from each other; including.
上記の貫通電極基板の製造方法によれば、貫通電極基板の微細化を実現できるとともに、貫通孔内部の側壁に対するシード層の付き回り性を向上させ、貫通電極基板の信頼性を向上させることができる。 According to the above method for manufacturing a through electrode substrate, the through electrode substrate can be miniaturized, the seed layer can be attached to the side wall inside the through hole, and the reliability of the through electrode substrate can be improved. it can.
本発明の別の実施形態に係る貫通電極基板の製造方法は、第1面及び第2面を有する基板に前記第1面及び前記第2面を貫通する貫通孔を形成し、少なくとも第1方向における前記貫通孔の両端部を除く、前記貫通孔の一部に重畳するように、前記基板の前記第1面及び前記第2面にレジスト層を形成し、前記貫通孔にシード層を形成し、前記シード層上にめっき層を形成し、前記レジスト層を除去し、前記貫通孔の前記第1方向の両端部に互いに電気的に独立した第1貫通電極及び第2貫通電極を形成すること、を含む。 In a method of manufacturing a through electrode substrate according to another embodiment of the present invention, a through hole penetrating the first surface and the second surface is formed in a substrate having a first surface and a second surface, and at least in a first direction. A resist layer is formed on the first surface and the second surface of the substrate so as to overlap a part of the through hole except for both end portions of the through hole in the substrate, and a seed layer is formed on the through hole. Forming a plating layer on the seed layer, removing the resist layer, and forming a first through electrode and a second through electrode that are electrically independent from each other at both ends of the through hole in the first direction. ,including.
上記の貫通電極基板の製造方法によれば、貫通電極基板の微細化を実現できるとともに、貫通孔内部の側壁に対するシード層の付き回り性を向上させ、貫通電極基板の信頼性を向上させることができる。 According to the above method for manufacturing a through electrode substrate, the through electrode substrate can be miniaturized, the seed layer can be attached to the side wall inside the through hole, and the reliability of the through electrode substrate can be improved. it can.
上記いずれかの貫通電極基板の製造方法において、前記貫通孔は、平面視において前記第1方向に伸延された形状を有してもよい。 In any one of the above methods for manufacturing a through electrode substrate, the through hole may have a shape extended in the first direction in a plan view.
上記の貫通電極基板の製造方法によれば、貫通孔内部の側壁に対するシード層の付き回り性を向上させることができる。 According to the above method for manufacturing a through electrode substrate, the throwing power of the seed layer with respect to the side wall inside the through hole can be improved.
上記の貫通電極基板の製造方法によれば、従来の成膜装置及び成膜プロセスを用いてシード層を形成することができる。 According to the above method for manufacturing the through electrode substrate, the seed layer can be formed using a conventional film forming apparatus and film forming process.
本発明によれば、微細化され、且つ信頼性の高い貫通電極基板を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a through electrode substrate that is miniaturized and highly reliable.
以下、図面を参照して本発明に係る貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法、並びに貫通電極基板を用いたインターポーザ及び半導体装置について説明する。但し、本発明の貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法、並びに貫通電極基板を用いたインターポーザ及び半導体装置は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明するが、上下方向が逆転してもよい。 Hereinafter, a through electrode substrate, a manufacturing method of a through electrode substrate, an interposer using the through electrode substrate, and a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the through electrode substrate, the manufacturing method of the through electrode substrate, the interposer and the semiconductor device using the through electrode substrate of the present invention can be implemented in many different modes, and the description of the embodiments described below It is not construed as limited to. Note that in the drawings referred to in this embodiment, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted. In addition, for convenience of explanation, the description will be made using the terms “upper” or “lower”, but the vertical direction may be reversed.
図1〜図5を用いて、本発明の一実施形態に係る貫通電極基板10について説明する。
A through
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る貫通電極基板の概要を示す平面図である。図2は、図1に示した貫通電極基板におけるA領域の拡大図である。図3は、図2に示した貫通電極基板におけるA領域の斜視図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing an outline of a through electrode substrate according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of a region A in the through electrode substrate shown in FIG. 3 is a perspective view of a region A in the through electrode substrate shown in FIG.
図1に示すように、本発明の第1の実施形態に係る貫通電極基板10では、基板101に貫通孔103が設けられている。また、図3に示すように、貫通電極基板10においては、貫通孔103に貫通電極107、109(以下、第1貫通電極107、第2貫通電極109という)が設けられている。
As shown in FIG. 1, in the through
基板101は、第1面101a、及び第1面101aに対向する第2面101bを有する。また、基板101には、第1面101aと第2面101bとを貫通する貫通孔103が設けられており、貫通孔103の内部には第1面101aと第2面101bとを接続する側壁105が設けられる。
The
貫通電極基板10に設けられた貫通孔103の形状は、限定されるわけではないが、平面視において、少なくとも任意の第1方向に伸延された形状を有することが好ましい。図1〜図5において、一例として、貫通孔103は、図中におけるx方向に短軸を有し、y方向に長軸を有する楕円形状である。楕円形状を有する貫通孔103の短軸の長さ(短径)はL1であり、長軸の長さ(長径)はL2である。貫通孔103の形状は、楕円形状に限定されず、例えば、x方向に長辺を有し、y方向に短辺を有する長方形であってもよい。
The shape of the through
貫通孔103には、側壁105上に互いに電気的に独立した複数の貫通電極が設けられる。図3〜図5においては、楕円形状を有する貫通孔103の長軸方向(y軸方向)の両端部の側壁105に互いに電気的に独立した2つの第1貫通電極107、第2貫通電極109がそれぞれ設けられている。第1貫通電極107は、貫通孔103の長軸方向(y軸方向)の一方の端部に設けられ、第2貫通電極109は、貫通孔103の長軸方向(y軸方向)の他方の端部に設けられる。尚、本発明に係る貫通電極基板において、貫通孔に形成される貫通電極の数は2つに限定されるわけではない。
The through-
上述したように、微細化を実現するために、貫通孔のアスペクト比(孔径に対する孔の深さ)を大きくすると、貫通孔に充填される貫通電極の埋め込み性又は貫通電極に用いられる薄膜の付き回り性が悪くなってしまう。例えば、スパッタリング法などの成膜方法によって貫通孔にシード層を形成する際に、貫通孔のアスペクト比が大きい場合、シード層の付き回り性が悪くなる。このような場合、基板101の第1面101a側に設けられた配線と第2面101b側に設けられた配線の安定した電気的接続(以降、「上下配線の安定した電気的接続」という)を得ることが難しくなり、上下配線が電気的に絶縁状態になってしまう虞がある。
As described above, when the aspect ratio of the through hole (depth of the hole with respect to the hole diameter) is increased in order to realize miniaturization, the embedding property of the through electrode filled in the through hole or the attachment of the thin film used for the through electrode is increased. Rotation will be worse. For example, when the seed layer is formed in the through hole by a film forming method such as a sputtering method, if the aspect ratio of the through hole is large, the throwing power of the seed layer is deteriorated. In such a case, stable electrical connection between the wiring provided on the
しかしながら、本発明の第1の実施形態に係る貫通電極基板10においては、貫通孔103が楕円形状、即ち、少なくとも任意の第1方向に伸延された形状を有するため、貫通孔103の短径L1に対する孔の深さのアスペクト比(以下、短径のアスペクト比ともいう)は相対的に大きくなるが、長径のアスペクト比は相対的に小さくなる。そのため、少なくとも相対的にアスペクト比が小さい、貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部では、スパッタリング法などの成膜方法によってシード層を形成する際に、貫通孔103の長軸方向(y方向)に対して、基板101の第1面101a側又は第2面101b側の斜め上から入射されたスパッタリング原子が、貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部の側壁105の全域に到達する。そのため、少なくとも貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部では、貫通孔103に充填される第1貫通電極107及び第2貫通電極109の良好な埋め込み性又は第1貫通電極107、第2貫通電極109に用いられる薄膜の良好な付き回り性が維持され、第1貫通電極107、第2貫通電極109を形成することができる。
However, in the through-
図4は図2に示した貫通電極基板10のA領域をY−Y´線に沿ってx方向から見た断面図であり、図5は図2に示した貫通電極基板10のA領域をX−X´線に沿ってy方向から見た断面図である。スパッタリング法によってスパッタリング原子を基板101の第1面101a側及び第2面101b側から貫通孔103に入射させてシード層401を形成する場合、図4に示すように、貫通孔103の長径のアスペクト比が相対的に小さいため、貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部では、スパッタリング原子が貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部の側壁105の全域に堆積し、貫通孔103において第1面101a側から第2面101b側にかけてシード層401を形成することができる。このシード層401上にめっき層403を電解めっき法によって形成し、図4に示すように、貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部の側壁105の全域に第1貫通電極107、第2貫通電極109をそれぞれ形成することができる。
4 is a cross-sectional view of the A region of the through
一方、貫通孔103の短径のアスペクト比は相対的に大きいため、貫通孔103の短軸方向(x方向)では、スパッタリング原子が貫通孔103の深部にまで到達せず、主に第1面101a側及び第2面101b側に堆積する。シード層401上にめっき層403を電解めっき法によって形成する前に、貫通孔103の短軸方向(x方向)側の側壁105の第1面101a側及び第2面101b側に形成されたシード層401上にレジスト501を形成すると、レジスト501が形成された領域ではめっき層が形成されない。したがって、電解めっき法によって貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部の側壁105の全域にめっき層403を形成した後、レジスト501を除去し、さらに、めっき層403から露出したシード層401を除去することにより、図5に示すように、貫通孔103の短軸方向(x方向)側の側壁105には、側壁105が露出された領域が形成される。露出された側壁105によって、貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部の側壁105上に形成された第1貫通電極107と第2貫通電極109とは互いに分離される。その結果、貫通孔103には、図3に示すような、互いに電気的に独立した第1貫通電極107及び第2貫通電極109が形成される。
On the other hand, since the aspect ratio of the minor diameter of the through
以上に述べたように、本発明に係る貫通電極基板10において、貫通孔103が楕円形状である場合、貫通孔103の短径のアスペクト比が相対的に大きい。そのため、貫通孔103の短軸方向(x方向)側の側壁105では、シード層401の付き回り性が悪くなる。一方、貫通孔103の長径のアスペクト比は相対的に小さいため、貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部の側壁105では、シード層410の良好な付き回り性が実現できる。したがって、1つの貫通孔103の長軸方向(y方向)の両端部の側壁105に互いに電気的に独立した2つの貫通電極、即ち、第1貫通電極107及び第2貫通電極109を形成することができる。
As described above, in the through
本発明に係る貫通電極基板10においては、1つの貫通孔103内に互いに電気的に独立した第1貫通電極107及び第2貫通電極109が設けられ、これらの第1貫通電極107、第2貫通電極109による上下配線の安定した電気的接続を実現できる。そのため、信頼性を維持しながら、貫通孔103の長軸方向(y方向)、即ち、貫通孔103の伸延方向(第1方向)に貫通電極基板10の微細化を実現することができる。また、貫通孔103が、x方向に短軸を有し、y方向に長軸を有する楕円形状であるため、短軸方向(x方向)、即ち、貫通孔103の伸延方向(第1方向)とは異なる方向へのさらなる微細化を実現することができる。
In the through
以上では、図1〜図5を参照して、貫通孔103がx方向に短軸を有し、y方向に長軸を有する楕円形状である例を説明したが、上述したように、本発明の貫通電極基板における貫通孔の形状は楕円形状に限定さるわけではない。例えば、貫通孔は、平面視において、長方形であってもよい。また、貫通孔の形状は、平面視において、少なくとも任意の第1方向に伸延された形状に限定されない。貫通孔の形状は、貫通孔内に電気的に独立した貫通電極が複数形成できればよく、例えば、貫通孔は円形状であってもよい。無電解めっきによって貫通孔にシード層を形成する場合、貫通孔のアスペクト比に関係なく、貫通孔におけるシード層の良好な付き回り性を実現できる。
In the above, an example in which the through
上述したように、貫通孔の形状が、平面視において、少なくとも任意の第1方向に伸延された形状でない場合でも、1つの貫通孔に電気的に独立した複数の貫通電極が形成できれば、貫通電極基板の信頼性を維持しながら、微細化を実現することができる。一方、貫通孔の形状が、平面視において、少なくとも任意の第1方向に伸延された形状であり、且つ、貫通孔の第1方向の孔径に対する孔の深さのアスペクト比が貫通孔の第1方向の端部全域にシード層が堆積できる程度に小さい場合、貫通電極基板の信頼性を維持しながら、第1方向に微細化できるとともに、第1方向とは異なる方向にさらに微細化することができる。 As described above, even when the shape of the through hole is not a shape extended in at least an arbitrary first direction in plan view, if a plurality of electrically independent through electrodes can be formed in one through hole, the through electrode Miniaturization can be realized while maintaining the reliability of the substrate. On the other hand, the shape of the through hole is a shape extended in at least an arbitrary first direction in a plan view, and the aspect ratio of the depth of the hole to the hole diameter in the first direction of the through hole is the first of the through hole. When the seed layer is small enough to be deposited over the entire end portion in the direction, it can be miniaturized in the first direction while maintaining the reliability of the through electrode substrate, and further refined in a direction different from the first direction. it can.
(第2実施形態)
図6〜図26を用いて、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の構成及び製造方法について説明する。本実施形態では、インターポーザ60の貫通電極基板として第1の実施形態で説明した貫通電極基板10を用いた例について説明する。
(Second Embodiment)
The configuration and manufacturing method of the
図6は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの概要を示す平面図である。また、図7は、本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図6及び図7に示すように、本発明に係るインターポーザ60は、第1面(上面)601及び第2面(下面)603を有し、第1面601と第2面603とを貫通する貫通孔605が設けられた基板600と、貫通孔605の内部に配置され、第1面601と第2面603とを接続する第1貫通電極606及び第2貫通電極607とを有する。第1貫通電極606及び第2貫通電極607とは、互いに電気的に独立している。
FIG. 6 is a plan view showing an outline of an interposer according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention as seen from the x direction along B-B ′. As shown in FIGS. 6 and 7, the
図7において、第1貫通電極606及び第2貫通電極607は、それぞれシード層609及びめっき層611を含み、シード層609は貫通孔605の側壁613上に配置され、めっき層611はシード層609上に配置される。めっき層611を電解めっき法で形成する場合、シード層609に通電することでめっき層611を形成する。また、シード層609にはめっき層611が基板600中に拡散することを抑制する材料を用いる。貫通孔605の形状は、図1〜図5に示す貫通孔13と同様に、図中におけるx方向に短軸を有し、y方向に長軸を有する楕円形状である。
In FIG. 7, the first through
基板600の第1面601側には、第1絶縁層615と第1配線619とが設けられている。第1絶縁層615は、基板600の第1面601、第1貫通電極606及び第2貫通電極607の一部の上に配置され、第1貫通電極606及び第2貫通電極607の一部を露出する開口部617、618が設けられている。第1配線619は、第1絶縁層615上及び開口部617、618内部に配置され、第1貫通電極606及び第2貫通電極607とそれぞれ電気的に接続される。また、第1配線619は、第1絶縁層615、第1貫通電極606及び第2貫通電極607上に配置されたシード層621と、シード層621上に配置されためっき層623とを含む。ここで、第1絶縁層615及び第1配線619を第1配線構造体ともいう。
A first insulating
また、基板600の第2面603側にも第1面601側と同様に、第2絶縁層625と第2配線631とが設けられている。第2絶縁層625には、基板600の第2面603、第1貫通電極606及び第2貫通電極607の一部の上に配置され、第1貫通電極606及び第2貫通電極607の一部をそれぞれ露出する開口部627、628が設けられている。第2配線629は、第2絶縁層625上及び開口部627、628内部に配置され、第1貫通電極606及び第2貫通電極607とそれぞれ電気的に接続される。また、第2配線629は、第2絶縁層625、第1貫通電極606及び第2貫通電極607上に配置されたシード層631と、シード層631上に配置されためっき層633とを含む。ここで、第2絶縁層625及び第2配線629を第2配線構造体ともいう。
The second
基板600としては、ガラス基板を使用することができる。また、ガラス基板の他にも、石英基板、サファイア基板、樹脂基板などの絶縁基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、化合物半導体基板などの半導体基板、ステンレス基板などの導電性基板を使用することができる。また、基板に使用する材料として、熱膨張係数が2×10−6[/K]以上17×10−6[/K]以下の範囲の材料を使用することができる。また、これらが積層されたものであってもよい。基板600の厚さは、特に制限はないが、例えば、100μm以上800μm以下の厚さの基板を使用することができる。基板600の厚さは、より好ましくは、200μm以上400μm以下である。上記の基板の厚さの下限よりも基板が薄くなると、基板のたわみが大きくなる。その影響で、製造過程におけるハンドリングが困難になるとともに、基板上に形成する薄膜等の内部応力により基板が反ってしまう。また、上記の基板の厚さの上限よりも基板が厚くなると貫通孔の形成工程が長くなる。その影響で、製造工程が長期化し、製造コストも上昇してしまう。
As the
シード層609は、下地の基板600と密着性がよい導電材料を使用することができる。例えば、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)これらの化合物、あるいはこれらの合金などを使用することができる。特に、めっき層611が銅(Cu)を含む場合、シード層609は、Cuの拡散を抑制する材料を使用することができ、例えば窒化チタン(TiN)、窒化モリブデン(MoN)、窒化タンタル(TaN)等を使用してもよい。ここで、シード層609の厚さは、特に制限はないが、例えば、50nm以上400nm以下の範囲で適宜選択することができる。
The
めっき層611は、シード層609との密着性が良く、電気伝導度が高い導電材料を使用することができる。例えば、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、ロジウム(Rh)、スズ(Sn)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)等の金属またはこれらを用いた合金などから選択することができる。めっき層611は貫通孔605内部の側壁613に沿って配置されている。つまり、貫通孔605の内部には空洞が設けられている。ただし、上記の構造に限定されることはなく、貫通孔605内部がめっき層611によって充填されていてもよい。又は側壁613に沿って配置されためっき層611の内側の領域に樹脂材料などの充填材料が配置されていてもよい。
The
第1絶縁層615及び第2絶縁層623は、ガスや水分を透過する性質を有する樹脂層を使用することができる。樹脂層としては、上記のポリイミドの他に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、BTレジン、FR−4、FR−5、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン 、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記の樹脂は単体で用いられてもよく、2種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記の樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用して用いてもよい。ここで、第1絶縁層615及び第2絶縁層623に使用する樹脂は、応力緩和を目的として、常温にて1×109[dyne/cm2]以下のヤング率を有する樹脂を使用してもよい。
As the first insulating
また、第1絶縁層615及び第2絶縁層623は樹脂層に限定されず、無機絶縁層を使用することもできる。無機絶縁層としては、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、シリコンカーバイト(SiC)、窒化シリコンカーバイト(SiCN)、炭素添加シリコンオキサイド(SiOC)などを使用することができる。ここで、第1絶縁層615及び第2絶縁層623として、上記の無機絶縁層を単層で使用してもよく、積層で使用してもよい。また、第1絶縁層615及び第2絶縁層623として、樹脂層と無機絶縁層とを積層してもよい。
Further, the first insulating
また、第1絶縁層615及び第2絶縁層623として、フィルム状樹脂を用いることができる。フィルム状樹脂とは、1μm以上100μm以下のフィルムであり、基板に形成する前からフィルム状となっている樹脂である。フィルム状樹脂は、シート状樹脂又はラミネート状樹脂ということもできる。
Further, a film-like resin can be used for the first insulating
シード層621、631は、下地の第1絶縁層615及び第2絶縁層623と密着性がよい導電材料を使用することができる。例えば、シード層609と同様に、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)これらの化合物、あるいはこれらの合金などを使用することができる。特に、めっき層623、633が銅(Cu)を含む場合、シード層621、631は、Cuの拡散を抑制する材料を使用することができ、例えば窒化チタン(TiN)、窒化モリブデン(MoN)、窒化タンタル(TaN)等を使用してもよい。ここで、シード層621、631の厚さは、特に制限はないが、例えば、20nm以上1μm以下の範囲で適宜選択することができる。また、シード層621、631の厚さは、より好ましくは100nm以上300nm以下である。
The seed layers 621 and 631 can be formed using a conductive material having good adhesion to the first insulating
めっき層623、633は、シード層621、631との密着性が良く、電気伝導度が高い導電材料を使用することができる。例えば、めっき層611と同様に、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、ロジウム(Rh)、スズ(Sn)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)等の金属またはこれらを用いた合金などから選択することができる。
For the plating layers 623 and 633, a conductive material having good adhesion to the seed layers 621 and 631 and high electrical conductivity can be used. For example, like the
以上のように、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60によると、互いに電気的に独立して、上下配線の安定した電気的接続を実現する第1貫通電極606及び第2貫通電極607を得ることができるため、信頼性の高いインターポーザを提供することができる。また、第1絶縁層615及び第2絶縁層623がガスや水分を透過するため、貫通孔605内部の空洞に含まれるガスや水分が外部に放出されやすくなる。したがって、第1貫通電極606及び第2貫通電極607の酸化を抑制することができ、インターポーザ60を構成する材料から放出されるガスが充満し、貫通孔605内部の内圧が上昇することに起因する破裂などの問題を抑制することができる。
As described above, according to the
[貫通電基板及びインターポーザの製造方法(1)]
図8〜図28を用いて、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法を説明する。図8〜図28において、図7に示す構成と同じ又は類似の構成には同一の符号を付した。ここで、貫通電極基板としてガラス基板を使用したガラスインターポーザの製造方法について説明する。
[Method for manufacturing feedthrough substrate and interposer (1)]
A method for manufacturing the
図8は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、基板内部にレーザ光を照射する工程を示す断面図である。図8では、フェムト秒レーザを基板600に照射することで、貫通孔を形成したい領域の基板の材料を変質させ、エッチングする方法について説明する。尚、図8は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。ここで、光源800から出射されたレーザ光801は基板600の第1面601側から入射され、基板600の内部の貫通孔を形成したい領域で焦点を結ぶ。レーザ光801が焦点を結んだ位置では、高いエネルギーが基板600に供給され、基板の材料が変質する。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a step of irradiating a substrate with laser light in the method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 illustrates a method of etching by changing the material of the substrate in a region where a through hole is to be formed by irradiating the
上記では、変質層を形成する方法としてフェムト秒レーザを用いた製造方法を例示したが、フェムト秒レーザ以外の方法で変質層を形成することができる。例えば、波長λのパルスレーザをレンズで集光することで変質層を形成してもよい。尚、レーザ光801は、基板600の第2面603側から入射されてもよく、第1面601側及び第2面603側から入射されてもよい。
In the above, the manufacturing method using the femtosecond laser is exemplified as the method for forming the deteriorated layer, but the deteriorated layer can be formed by a method other than the femtosecond laser. For example, the altered layer may be formed by condensing a pulse laser having a wavelength λ with a lens. The
上記のレーザのパルス幅、波長、及びエネルギー等は、基板に用いられる材質の組成及び吸収係数等に応じて適宜設定される。例えば、ガラス基板に変質層を形成する場合、パルスレーザのパルス幅は1ナノ秒(nsec)以上200nsec以下の範囲とするとよい。パルス幅が下限よりも短いと、高価なレーザ発振器が必要となり、パルス幅が上限よりも長いと、レーザパルスの尖頭値が低下して加工性が低下するという問題が生じる。また、パルスレーザの波長λは、535nm以下とするとよい。波長λが上限よりも長いと、照射スポットが大きくなるため、微小孔を形成することが困難になる、及び熱の影響で照射スポットの周囲が割れやすくなるという問題が生じる。 The pulse width, wavelength, energy, and the like of the laser are appropriately set according to the composition of the material used for the substrate, the absorption coefficient, and the like. For example, when an altered layer is formed on a glass substrate, the pulse width of the pulse laser is preferably in the range of 1 nanosecond (nsec) to 200 nsec. When the pulse width is shorter than the lower limit, an expensive laser oscillator is required, and when the pulse width is longer than the upper limit, the peak value of the laser pulse is lowered and the workability is lowered. The wavelength λ of the pulse laser is preferably 535 nm or less. When the wavelength λ is longer than the upper limit, the irradiation spot becomes large, so that it becomes difficult to form a microhole, and the surroundings of the irradiation spot are likely to be broken due to heat.
図9は、基板600の内部に変質領域を形成する工程を示す断面図である。尚、図9は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図9に示すように、上記のレーザ照射によって基板600には第1面601側から第2面603側に向かって変質領域901が形成される。変質領域901の領域が後の貫通孔605になるため、貫通孔605の形状及び大きさに合わせて変質領域901を調整する。ここで、変質領域901は貫通孔605の形状に合わせて、楕円形状となるよう形成する。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a process of forming a denatured region inside the
ここで、変質領域について詳しく説明する。上記のように、ガラス基板のレーザ光が照射された領域では、光化学的な反応が起きる。その結果、レーザ光が照射された領域では、E’センターや非架橋酸素などの欠陥、及び/又は、レーザ照射による急熱・急冷によって発生した、高温度域における疎なガラス構造が生成される。上記の欠陥及び疎なガラス構造は、レーザ光の照射を行っていない領域のガラス基板に比べて所定のエッチング液に対してエッチングされやすくなる。 Here, the altered region will be described in detail. As described above, a photochemical reaction occurs in the region of the glass substrate irradiated with the laser light. As a result, in the region irradiated with the laser beam, defects such as E ′ center and non-bridging oxygen, and / or a sparse glass structure in a high temperature region generated by rapid heating / cooling by the laser irradiation are generated. . The defect and the sparse glass structure are more easily etched with a predetermined etching solution than a glass substrate in a region where laser light irradiation is not performed.
図10は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、薬液を使用して基板の変質領域をエッチングする工程を示す断面図である。尚、図9は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。基板600を薬液1001に浸漬させると、変質領域901には微小な孔や微小な溝が形成されるため、変質領域901は変質していない領域と比べて薬液によるエッチングレートが早い。つまり、基板600全体を薬液1001に浸漬させることで変質領域901が選択的に又は変質していない領域に比べて早い速度でエッチングされる。図10では、容器1000に入れられた薬液1001に基板600を浸漬することで第1面601側及び第2面603側の両面側からエッチングを行う方法を示す。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a process of etching a denatured region of a substrate using a chemical solution in the method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x direction along B-B ′. When the
ここで、エッチングに使用する薬液1001は、変質領域901以外の領域に対して変質領域901を選択的又は早いエッチングレートでエッチングできる薬液を用いる。例えば、基板600がガラス基板であれば、フッ酸(HF)、バッファードフッ酸(BHF)、界面活性剤添加バッファードフッ酸(LAL)などを使用することができる。エッチングに使用する薬液は基板の材質によって適宜選択することができる。また、エッチングの方法は浸漬させる方法以外にも、スピンコート式のエッチング方法でもよい。スピンコート式のエッチングを行う場合は、片面ずつ処理を行う。ここで、エッチング液、エッチング時間、エッチング処理温度については、形成された変質領域901の形状や、目的とする貫通孔の加工形状に応じて適宜選択されてもよい。
Here, as the
図11は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、基板に貫通孔を形成する工程を示す断面図である。尚、図9は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。上記の薬液1001を使用したエッチングによって変質領域901を除去することで、側壁613によって囲まれた貫通孔605を形成する。貫通孔605は、短径(x方向の径)及び長径(y方向の径)を有する楕円形状である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a process of forming a through hole in a substrate in the method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x direction along B-B ′. By removing the altered
ここで、図8至図11は、基板600において貫通孔を形成したい領域にレーザ光を照射して変質領域を形成し、薬液によってウェットエッチングすることで貫通孔を形成する方法を説明したが、この方法に限定されない。例えば、高出力のレーザを基板600に照射し、基板を融解することで貫通孔を形成してもよい。例えば、ガラス基板を加工するレーザとしてはCO2レーザなどを使用することができる。
Here, FIGS. 8 to 11 illustrate a method of forming a through hole by irradiating a laser beam to a region where a through hole is to be formed in the
図12及び図13は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、基板の一方の面(第1面601)側から貫通孔内部にシード層を形成する工程を示す断面図である。尚、図12は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図13は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 12 and 13 are cross-sectional views showing a process of forming a seed layer in the through hole from the one surface (first surface 601) side of the substrate in the interposer manufacturing method according to one embodiment of the present invention. . 12 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 13 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along '.
図12に示すように、基板600に設けられた貫通孔605に対して、第1面601及び側壁613に第1シード層609Aを形成する。ここで、図12に示すシード層609のうち、第1面601及び第1面601側の側壁613に形成されるシード層609を第1シード層609Aという。
As shown in FIG. 12, a
第1シード層609Aは、例えば、Cu、Ti、Ta、W等の金属またはこれらを用いた合金の単層または積層を使用することができ、真空蒸着法又はスパッタリング法等のPVD法により形成することができる。第1シード層609Aに使用する材料は、後に第1シード層609A上に形成するめっき層611と同じ材質を選択することができる。ここで、第1シード層609Aは、好ましくは20nm以上1μm以下の膜厚で形成するとよい。また、第1シード層609Aは、より好ましくは100nm以上300nm以下の膜厚で形成するとよい。貫通孔605が楕円形状であるため、図12に示すように、貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部において、スパッタリング原子が貫通孔605の半分以上の深さまで到達して側壁613上に堆積し、第1シード層609Aが形成される。
The
一方、貫通孔605の短軸方向では、スパッタリング原子が主に第1面601側に堆積する。基板600の第1面601側に第1シード層609Aを形成する工程において、貫通孔605の短軸方向側(x方向側)の領域では、貫通孔605の短軸方向側のアスペクト比が相対的に大きい。そのため、図13に示すように、スパッタリング原子は、貫通孔605の深部にまで到達せず、主に第1面601側に堆積する。
On the other hand, in the minor axis direction of the through
図14及び図15は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、基板の他方の面(第2面603)側から貫通孔内部にシード層を形成する工程を示す断面図である。尚、図14は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図15は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 14 and 15 are cross-sectional views illustrating a process of forming a seed layer in the through hole from the other surface (second surface 603) side of the substrate in the method of manufacturing the interposer according to the embodiment of the present invention. . 14 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 15 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along '.
図14に示すように、基板600に設けられた貫通孔605に対して、第2面603及び側壁613に第2シード層609Bを形成する。ここで、図7に示すシード層609のうち、第2面603及第2面603側の側壁613に形成されるシード層609を第2シード層609Bという。
As shown in FIG. 14, the
第2シード層609Bは、第1シード層609Aと同様に、Cu、Ti、Ta、W等の金属またはこれらを用いた合金の単層または積層を使用することができ、真空蒸着法又はスパッタリング法等のPVD法により形成することができる。第2シード層609Bに使用する材料は、後に第2シード層609B上に形成するめっき層611と同じ材質を選択することができる。つまり、第1シード層609Aと同様の材料を選択することができる。ここで、第2シード層609Bは、好ましくは20nm以上1μm以下の膜厚で形成するとよい。また、第2シード層609Bは、より好ましくは100nm以上300nm以下の膜厚で形成するとよい。貫通孔605が楕円形状であるため、図13に示すように、貫通孔605の長軸方向の両端部において、スパッタリング原子が貫通孔605の半分以上の深さまで到達して側壁613上に堆積し、第2シード層609Bが形成される。以下、第1シード層609A及び第2シード層609Bを併せてシード層609という。図13に示すように、貫通孔605の長軸方向の両端部の側壁613全域に、シード層609が形成される。
Similarly to the
尚、シード層609は、基板600の一方の面側(第1面601側又は第2面603側)から真空蒸着法などによって形成されてもよい。例えば、蒸着源から飛来する蒸着材料が、成膜対象となる基板の表面の垂線に対して傾斜した方向から基板の表面に到達するように設定することにより、貫通孔605内にシード層609を形成してもよい。
Note that the
一方、貫通孔605の短軸方向では、スパッタリング原子が主に第2面603側に堆積する。基板600の第2面603側に第2シード層609Bを形成する工程において、貫通孔605の短軸方向側(x方向側)の領域では、貫通孔605の短軸方向側のアスペクト比が相対的に大きい。そのため、図15に示すように、スパッタリング原子は、貫通孔605の深部にまで到達せず、主に第2面603側に堆積する。したがって、貫通孔605の短軸方向側(x方向側)のでは、側壁613が露出された領域が形成される。
On the other hand, in the minor axis direction of the through-
図16は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、シード層上にレジストマスク及びめっき層を形成する工程を示す断面図である。尚、図16は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図16に示すように、まず、シード層609上にフォトレジストを塗布した後に、露光及び現像を行うことによりレジストパターン1400を形成する。レジストパターン1400は、貫通孔605の長軸方向の両端部を除く、貫通孔605の一部に重畳するように形成される。言い換えれば、レジストパターン1400は、貫通孔605が伸延した方向である、貫通孔605の長軸方向の両端部を露出するように形成される。レジストパターン1400を形成した後、シード層609に通電することで電解めっきを行い、レジストパターン1400から露出しているシード層609上にめっき層611を形成する。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a step of forming a resist mask and a plating layer on the seed layer in the method of manufacturing an interposer according to the embodiment of the present invention. 16 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as viewed from the x-direction along B-B ′. As shown in FIG. 16, first, after applying a photoresist on the
図17は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、シード層上にレジストマスクを形成する工程を示す断面図である。尚、図17は、図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。基板600の第1面601側及び第2面603側に第1シード層609A及び第2シード層609Bをそれぞれ形成する工程において、貫通孔605の短軸方向側(x方向側)の領域では、貫通孔605の短軸方向側のアスペクト比が相対的に大きいため、スパッタリング原子が貫通孔605の深部にまで到達せず、主に第1面601側及び第2面603側に堆積している。図17に示すように、シード層上にレジストパターンを形成する工程において、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、第1シード層609A及び第2シード層609Bが露出しないように、レジストパターン1400は、第1シード層609A及び第2シード層609Bに重畳するように形成される。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing a step of forming a resist mask on the seed layer in the method of manufacturing an interposer according to the embodiment of the present invention. FIG. 17 is a cross-sectional view taken from the y direction along C-C ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6. In the step of forming the
貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、基板600の第1面601側及び第2面603側に形成された第1シード層609A及び第2シード層609Bは、レジストパターン1400によって覆われており、露出されていない。したがって、電解めっきを行う際、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、めっき層は形成されない。
At both ends in the minor axis direction (x direction) of the through
図18及び図19は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、レジストマスクを除去する工程を示す断面図である。図18は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図19は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 18 and 19 are cross-sectional views showing a step of removing the resist mask in the method of manufacturing the interposer according to the embodiment of the present invention. 18 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 19 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
図18に示すように、めっき層611を形成した後に、レジストパターン1400を構成するフォトレジストを有機溶媒により除去する。なお、フォトレジストの除去には、有機溶媒を用いる代わりに、酸素プラズマによるアッシングを用いることもできる。図18に示すように、貫通孔605の長軸方向側では、めっき層611及びシード層609が残る。
As shown in FIG. 18, after the
一方、図19に示すように、貫通孔605の短軸方向側では、レジストパターン1400を除去した後、基板600には、第1面601側に第1シード層609Aが残り、第2面603側の第2シード層609Bが残る。
On the other hand, as shown in FIG. 19, on the short-axis direction side of the through
図20及び図21は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、めっき層から露出したシード層をエッチングする工程を示す断面図である。図20は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図21は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 20 and 21 are cross-sectional views showing a step of etching the seed layer exposed from the plating layer in the method of manufacturing an interposer according to one embodiment of the present invention. 20 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
図20に示すように、レジストパターン1400によって覆われ、めっき層611が形成されなかった領域のシード層609を除去する。めっき層611から露出したシード層609を除去することにより、1つの貫通孔605内に互いに電気的に独立した第1貫通電極606及び第2貫通電極607を形成することができる。
As shown in FIG. 20, the
一方、図21に示すように、貫通孔605の短軸方向側では、第1面601側に形成された第1シード層609A及び第2面603側に形成された第2シード層609Bが除去される。これにより、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部の側壁613には、側壁613が露出された領域が形成される。露出された側壁613によって、貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部の側壁613上に形成された第1貫通電極606と第2貫通電極607とは互いに分離される。その結果、貫通孔605には、図7に示すような、互いに電気的に独立した第1貫通電極606及び第2貫通電極607が形成される。
On the other hand, as shown in FIG. 21, the
図16、図18及び図20の工程において、貫通孔605の内部に第1貫通電極606、第2貫通電極607及び第1貫通電極606と第2貫通電極607とに接続された第1面601及び第2面603上の配線とは電気的に独立した配線を第1面601及び第2面603上に形成することもできる。具体的には、第1貫通電極606及び第2貫通電極607から電気的に独立した配線を形成したい領域が開口されたレジストパターン1400を形成し、その領域のシード層609を露出させ、めっき層611を形成し、めっき層611が形成されていない領域のシード層609を除去する。これによって、図16、図18及び図20の工程で形成された第1貫通電極606及び第2貫通電極607と同じ工程で配線を形成することができる。
16, 18 and 20, the
図22は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、貫通電極基板の上面(第1面601)に形成された配線を露出する開口部が設けられた絶縁層を形成する工程を示す断面図である。尚、図22は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。ここで、第1絶縁層615として、感光性ポリイミドを使用した方法について説明する。図22に示すように、第1絶縁層615として感光性ポリイミドをスピンコート法等の塗布法を使用して基板600の第1面601上に塗布し、フォトマスクを用いて露光し、現像することで、第1貫通電極606及び第2貫通電極607の少なくとも一部を露出する開口部617、618を形成する。
FIG. 22 shows a step of forming an insulating layer provided with an opening exposing a wiring formed on the upper surface (first surface 601) of the through electrode substrate in the method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing shown. FIG. 22 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. Here, a method using photosensitive polyimide as the first insulating
開口部617、618を形成した後に、塗布した第1絶縁層615を硬化させるために熱硬化処理を行う。熱硬化処理は、使用する第1絶縁層615のガラス転移温度以下に設定することが好ましい。ガラス転移温度を越す温度で硬化させると、開口部617、618の形状が変形してしまい、設計寸法よりも開口径が大きくなるなどの問題が発生するからである。例えば、第1絶縁層615として感光性ポリイミドを使用した場合、感光性ポリイミドのガラス転移温度が280℃であれば、250℃で熱処理を行うことが好ましく、例えば、250℃、1時間、窒素雰囲気下で熱処理を行うとよい。なお、熱硬化の処理に限らず、この工程以降の熱処理は、感光性ポリイミドのガラス転移温度を越えないようにして行うことが好ましい。
After the
ここで、第1絶縁層615として塗布法によって樹脂材料を形成する絶縁層の代わりに、フィルム状樹脂を貼り付けることで得られる絶縁層を用いてもよい。フィルム状樹脂は基板に形成する前からフィルム状の形状を保持しているため、貫通孔605上に形成しても樹脂が貫通孔605内部にほとんど落ち込むことなく貫通孔605の端部を覆って中空構造を形成することができる。第1絶縁層615としてフィルム状樹脂を用いた場合、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によって開口部617、618を形成することができる。又は、レーザ等のエネルギー線を用いて樹脂を昇華させることで開口部617を形成してもよい。
Here, as the first insulating
図23は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、絶縁層及び開口部に露出された配線上にシード層を形成する工程を示す断面図である。尚、図23は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図23に示すように、第1絶縁層615上及び開口部617、618の内部で露出された第1貫通電極606及び第2貫通電極607上に、シード層621を形成する。シード層621は、例えば、Cu、Ti、Ta、W等の金属またはこれらを用いた合金の単層または積層を使用することができ、PVD法(真空蒸着法およびスパッタリング法等)又はCVD法等により形成することができる。シード層621に使用する材料は、後にシード層621上に形成するめっき層623と同じ材質を選択することができる。ここで、シード層621は、好ましくは20nm以上1μm以下の膜厚で形成するとよい。また、シード層621は、より好ましくは100nm以上300nm以下の膜厚で形成するとよい。
FIG. 23 is a cross-sectional view showing a step of forming a seed layer on the insulating layer and the wiring exposed in the opening in the method of manufacturing the interposer according to the embodiment of the present invention. 23 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as viewed from the x direction along B-B ′. As shown in FIG. 23, the
図24は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、シード層上にめっき層を形成する工程を示す断面図である。尚、図24は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図24に示すように、シード層621上にフォトレジストを塗布した後に、露光及び現像を行うことにより、配線パターンを形成したい領域が開口されたレジストパターン1900を形成する。次に、シード層621に通電することで電解めっきを行い、レジストパターン1900から露出しているシード層621上にめっき層623を形成する。
FIG. 24 is a cross-sectional view showing a step of forming a plating layer on the seed layer in the method of manufacturing an interposer according to one embodiment of the present invention. 24 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x-direction along B-B ′. As shown in FIG. 24, after applying a photoresist on the
図25は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、シード層上のレジストマスクを除去する工程を示す断面図である。尚、図25は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図25に示すように、めっき層623を形成した後に、レジストパターン1900を構成するフォトレジストを有機溶媒により除去する。なお、フォトレジストの除去には、有機溶媒を用いる代わりに、酸素プラズマによるアッシングを用いることもできる。
FIG. 25 is a cross-sectional view showing a step of removing the resist mask on the seed layer in the method of manufacturing an interposer according to the embodiment of the present invention. 25 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x direction along B-B ′. As shown in FIG. 25, after forming the
図26は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、めっき層から露出したシード層をエッチングする工程を示す断面図である。尚、図26は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図26に示すように、レジストパターン1900によって覆われ、めっき層623が形成されなかった領域のシード層621を除去(エッチング)することで、各々の配線を電気的に分離する。シード層621のエッチングによって、めっき層623の表面もエッチングされて薄膜化されるため、この薄膜化の影響を考慮してめっき層623の膜厚を設定することが好ましい。この工程におけるエッチングとしては、ウェットエッチングやドライエッチングを使用することができる。また、この工程によって、貫通電極607上及び第1絶縁層615上にシード層621及びめっき層623を含む第1配線619が形成される。
FIG. 26 is a cross-sectional view showing a step of etching the seed layer exposed from the plating layer in the method of manufacturing the interposer according to the embodiment of the present invention. 26 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x direction along B-B ′. As shown in FIG. 26, by removing (etching) the
図27は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、貫通電極基板の下面(第2面603)に形成された配線を露出する開口部が設けられた絶縁層を形成する工程を示す断面図である。尚、図27は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図27に示す第2絶縁層625は、第1絶縁層615と同じ材料及び方法で形成することができる。開口部617、618と同様にして、第2絶縁層625には、第1貫通電極606及び第2貫通電極607の少なくとも一部を露出する開口部627、628が形成される。
FIG. 27 shows a step of forming an insulating layer provided with an opening exposing a wiring formed on the lower surface (second surface 603) of the through electrode substrate in the method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing shown. 27 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x-direction along B-B ′. The second
図28は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの製造方法において、貫通電極基板の下面(第2面603)側にシード層及びめっき層を形成する工程を示す断面図である。尚、図28は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。ここでは、図23〜図26に示す工程と同じ処理を行うことで、基板600の第2面603側に第2配線629を形成する。
FIG. 28 is a cross-sectional view showing a step of forming a seed layer and a plating layer on the lower surface (second surface 603) side of the through electrode substrate in the method for manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. FIG. 28 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. Here, the
以上のように、実施形態2に係るインターポーザ60の製造方法によると、貫通孔605内部の側壁613に対するシード層609の付き回り性を向上させることができ、1つの貫通孔605内に信頼性が高く、互いに電気的に独立した2つの貫通電極606、607を形成することができる。したがって、貫通孔側壁に対する付き回り性を向上させるためにシード層の形成方法を工夫する必要がなくなり、従来の成膜装置及び成膜プロセスを用いてシード層を形成することができる。
As described above, according to the manufacturing method of the
[貫通電基板及びインターポーザの製造方法(2)]
図29〜図38を用いて、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法の別の例を説明する。図29〜図38において、図7に示す構成と同じ又は類似の構成には同一の符号を付した。尚、図8〜図28を参照して説明した、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法と同じ工程については説明を省略する。
[Method for manufacturing feedthrough substrate and interposer (2)]
Another example of the manufacturing method of the
図29〜図38を参照して、以下に説明する本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法の別の例においては、貫通電極を形成しない領域、即ち、貫通孔内に形成される複数の貫通電極を互いに電気的に分離するために設けられる、貫通孔の側壁が露出する領域に、貫通孔にシード層を形成する前に予めレジストマスクを形成し、レジストマスク上に形成されたシード層をリフトオフするという点において、図8〜図28を参照して説明した前述のインターポーザ60の製造方法とは異なる。
With reference to FIGS. 29 to 38, in another example of the manufacturing method of the
図29は、本発明の一実施形態に係る別のインターポーザの製造方法において、基板に貫通孔を形成する工程を示す断面図である。尚、図29は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。貫通孔605を形成する方法については、図8〜図10を参照して述べた基板に貫通孔を形成する方法と同じである。貫通孔605は、短径(x方向の径)及び長径(y方向の径)を有する楕円形状である。
FIG. 29 is a cross-sectional view showing a step of forming a through hole in a substrate in another interposer manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 29 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x-direction along B-B ′. The method for forming the through
図30及び図31は、本発明の一実施形態に係る別のインターポーザの製造方法において、基板上にレジストマスクを形成する工程を示す断面図である。図30は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図31は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 30 and 31 are cross-sectional views showing a step of forming a resist mask on a substrate in another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 30 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 from the x direction, and FIG. 31 is a cross-sectional view taken along CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
図30に示すように、レジストパターン2800は、基板600の第1面601及び第2面603上において、貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部を除く領域に形成される。また、図31に示すように、貫通孔605の短軸方向側(x方向側)の領域において、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部に重畳するように、基板600の第1面601及び第2面603上にレジストパターン2800を形成する。レジストパターン2800は、フォトレジストを基板600上に塗布した後に、露光及び現像を行うことにより形成される。
As shown in FIG. 30, the resist
図32及び図33は、本発明の一実施形態に係る別のインターポーザの製造方法において、基板600の一方の面(第1面601)側から貫通孔内部にシード層を形成する工程を示す断面図である。図32は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図33は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。シード層は、真空蒸着法又はスパッタリング法等のPVD法により形成することができる。
32 and 33 are cross-sectional views showing a process of forming a seed layer in the through hole from one surface (first surface 601) side of the
図32に示すように、貫通孔605の長軸方向側(y方向側)では、基板600上に形成されたレジストパターン2800、第1面601及び側壁613に第1シード層609Aを形成する。貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部では、スパッタリング原子が貫通孔605の半分以上の深さまで到達して側壁613上に堆積し、貫通孔605の内部に第1シード層609Aが形成される。一方、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、図33に示すように、スパッタリング原子が貫通孔605の内部にまで到達せず、主にレジストパターン2800上に堆積する。
As shown in FIG. 32, the
図34及び図35は、本発明の一実施形態に係る別のインターポーザの製造方法において、基板600の他方の面(第2面603)側から貫通孔内部にシード層を形成する工程を示す断面図である。図34は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図35は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。
34 and 35 are cross-sectional views showing a process of forming a seed layer in the through hole from the other surface (second surface 603) side of the
図34に示すように、貫通孔605の長軸方向側(y方向側)では、基板600上に形成されたレジストパターン2800、第2面603及び側壁613に第2シード層609Bを形成する。貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部では、スパッタリング原子が貫通孔605の半分以上の深さまで到達して側壁613上に堆積し、貫通孔605の内部に第2シード層609Bが形成される。以下、第1シード層609A及び第2シード層609Bを合わせてシード層609という。一方、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、図35に示すように、スパッタリング原子が貫通孔605の内部にまで到達せず、主にレジストパターン2800上に堆積する。そのため、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、側壁613が露出されている。
As shown in FIG. 34, the
図36及び図37は、本発明の一実施形態に係る別のインターポーザの製造方法において、レジストマスクを除去する工程を示す断面図である。図36は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図37は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 36 and 37 are cross-sectional views showing a process of removing the resist mask in another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 36 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 from the x direction. FIG. 37 is a cross-sectional view taken along CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
レジストパターン2800は、有機溶媒により除去される。なお、レジストパターン2800の除去には、有機溶媒を用いる代わりに、酸素プラズマによるアッシングを用いることもできる。図36に示すように、貫通孔605の長軸方向側(y方向側)では、レジストパターン2800とともに、レジストパターン2800上に形成されたシード層609も除去され、貫通孔605の側壁613、第1面601及び第2面603上に形成されたシード層609のみが残留する。貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部においても、図37に示すように、シード層609がレジストパターン2800ごと除去される。
The resist
図38は、本発明の一実施形態に係るインターポーザの別の製造方法において、シード層上にめっき層を形成する工程を示す断面図である。図38は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。 FIG. 38 is a cross-sectional view showing a step of forming a plating layer on the seed layer in another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 38 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x direction along B-B ′.
図38に示すように、シード層609に通電することで電界めっきを行い、シード層609上にめっき層611を形成する。図36に示したように、レジストパターン2800の除去により、シード層609はパターニングされている。そのため、新たにレジストマスクを形成する必要はない。図示はしないが、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部においては、シード層609が形成されておらず側壁613が露出されているため、めっき層は形成されない。図38に示すように、貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部では、シード層609及びめっき層611により第1貫通電極606及び第2貫通電極607が形成される。第1貫通電極606と第2貫通電極607とは、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部に形成された側壁613が露出された領域によって互いに分離される。その結果、貫通孔605には、図7に示すような、互いに電気的に独立した第1貫通電極606及び第2貫通電極607が形成される。
As shown in FIG. 38, electroplating is performed by energizing the
この後、図22〜図28を参照して説明したように、基板600の第1面601側に第1絶縁層615を形成し、必要に応じて第1配線619を形成する。同様に、基板600の第2面603側に第2絶縁層625を形成し、必要に応じて第1配線629を形成する。
Thereafter, as described with reference to FIGS. 22 to 28, the first insulating
以上のように、実施形態2に係るインターポーザ60の別の製造方法によると、貫通孔605内部の側壁613に対するシード層609の付き回り性を向上させることができ、1つの貫通孔605内に信頼性が高く、互いに電気的に独立した2つの貫通電極606、607を形成することができる。したがって、貫通孔側壁に対する付き回り性を向上させるためにシード層の形成方法を工夫する必要がなくなり、従来の成膜装置及び成膜プロセスを用いてシード層を形成することができる。
As described above, according to another method for manufacturing the
[貫通電基板及びインターポーザの製造方法(3)]
図39〜図49を用いて、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法のさらに別の例を説明する。図39〜図49において、図7に示す構成と同じ又は類似の構成には同一の符号を付した。尚、図8〜図28を参照して説明した、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法と同じ工程については説明を省略する。
[Method for manufacturing feedthrough substrate and interposer (3)]
Still another example of the method for manufacturing the
図39〜図49を参照して、以下に説明する本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法のさらに別の例においては、無電解めっきによって貫通孔にシード層を形成するという点において、図8〜図28を参照して説明した前述のインターポーザ60の製造方法とは異なる。
39 to 49, in still another example of the method of manufacturing the
図39は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、基板に貫通孔を形成する工程を示す断面図である。尚、図39は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。貫通孔605を形成する方法については、図8〜図10を参照して述べた基板に貫通孔を形成する方法と同じである。貫通孔605は、短径(x方向の径)及び長径(y方向の径)を有する楕円形状である。
FIG. 39 is a cross-sectional view showing a step of forming a through hole in a substrate in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 39 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 as seen from the x-direction along B-B ′. The method for forming the through
図40及び図41は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、基板上にシード層を形成する工程を示す断面図である。図40は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図41は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 40 and 41 are cross-sectional views showing a process of forming a seed layer on a substrate in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 40 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 41 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
シード層609は、無電解めっきによって基板600全面に形成される。即ち、図40及び図41に示すように、シード層609は、基板600の両面(第1面601及び第2面603)上だけではなく、貫通孔605の側壁613上に形成される。
The
図42及び図43は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、後述するめっき層を形成させない領域において、基板上にレジストマスクを形成する工程を示す断面図である。図42は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図43は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 42 and 43 are cross-sectional views showing a step of forming a resist mask on a substrate in a region where a plating layer to be described later is not formed in still another interposer manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 42 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 43 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
図42に示すように、レジストパターン4200は、基板600の第1面601及び第2面603上において、貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部を除く領域において、シード層609上に形成する。また、図43に示すように、貫通孔605の短軸方向側(x方向側)の領域において、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部に重畳するように、基板600の第1面601上、第2面603上及び貫通孔605の側壁613上に形成されたシード層609上にレジストパターン4200を形成する。レジストパターン4200は、フォトレジストを基板600上に塗布した後に、露光及び現像を行うことにより形成される。
As shown in FIG. 42, the resist
図44は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、シード層上にめっき層を形成する工程を示す断面図である。図44は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図45は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 FIG. 44 is a cross-sectional view showing a step of forming a plating layer on a seed layer in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 44 is a sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 from the x direction. FIG. 45 is a cross-sectional view taken along CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
めっき層611は、シード層609に通電することで電解めっきにより形成される。図44に示すように、めっき層611は、露出されたシード層609上に形成される。また、図45に示すように、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、基板600の第1面601上、第2面603上及び貫通孔605の側壁613上に形成されたシード層609は、レジストパターン4200によって覆われており、露出されていない。したがって、電解めっきを行う際、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部では、めっき層は形成されない。
The
図46及び図47は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、レジストマスクを除去する工程を示す断面図である。図46は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図47は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 46 and 47 are cross-sectional views showing a step of removing the resist mask in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 46 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 47 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
レジストパターン4200は、有機溶媒により除去される。なお、レジストパターン4200の除去には、有機溶媒を用いる代わりに、酸素プラズマによるアッシングを用いることもできる。図46に示すように、貫通孔605の長軸方向側では、めっき層611及びシード層609が残る。一方、図47に示すように、貫通孔605の短軸方向側では、レジストパターン4200を除去した後、基板600には、シード層609のみが残る。
The resist
図48及び図49は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、めっき層から露出したシード層をエッチングする工程を示す断面図である。図48は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図49は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 48 and 49 are cross-sectional views showing a step of etching the seed layer exposed from the plating layer in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 48 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6, and FIG. 49 is a cross-sectional view taken along CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
図48に示すように、レジストパターン4200によって覆われ、めっき層611が形成されなかった領域のシード層609を除去する。めっき層611から露出したシード層609を除去することにより、1つの貫通孔605内に互いに電気的に独立した第1貫通電極606及び第2貫通電極607を形成することができる。
As shown in FIG. 48, the
一方、図49に示すように、貫通孔605の短軸方向側では、基板600上に形成されたシード層609が除去される。これにより、貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部の側壁613には、側壁613が露出される。露出された側壁613によって、貫通孔605の長軸方向(y方向)の両端部の側壁613上に形成された第1貫通電極606と第2貫通電極607とは互いに分離される。その結果、貫通孔605には、図7に示すような、互いに電気的に独立した第1貫通電極606及び第2貫通電極607が形成される。
On the other hand, as shown in FIG. 49, the
この後、図22〜図28を参照して説明したように、基板600の第1面601側に第1絶縁層615を形成し、必要に応じて第1配線619を形成する。同様に、基板600の第2面603側に第2絶縁層625を形成し、必要に応じて第1配線629を形成する。
Thereafter, as described with reference to FIGS. 22 to 28, the first insulating
以上のように、実施形態2に係るインターポーザ60のさらに別の製造方法によると、1つの貫通孔605内に信頼性が高く、互いに電気的に独立した2つの貫通電極606、607を形成することができる。この製造方法では、無電解めっきによってシード層を基板の全面に形成し、めっき層を形成しない領域において、シード層上にレジストパターンを形成する。無電解めっきによってシード層を形成するため、貫通孔のアスペクト比が大きい場合でも、貫通孔に充填される貫通電極の埋め込み性又は貫通電極に用いられる薄膜の付き回り性が向上される。
As described above, according to still another manufacturing method of the
図39〜図49では、基板に形成された貫通孔の形状は、平面視において、y方向に長軸を有する楕円形状である例を説明した。しかしながら、貫通孔の形状は、平面視において、少なくとも任意の第1方向に伸延された形状に限定されず、例えば、貫通孔は円形状であってもよい。 39 to 49, the example in which the shape of the through hole formed in the substrate is an elliptical shape having a major axis in the y direction in plan view has been described. However, the shape of the through hole is not limited to a shape extended in at least an arbitrary first direction in plan view. For example, the through hole may be circular.
[貫通電基板及びインターポーザの製造方法(4)]
図50〜図56を用いて、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法のさらに別の例を説明する。図50〜図56において、図7に示す構成と同じ又は類似の構成には同一の符号を付した。尚、図29〜図38を参照して説明した、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法と同じ工程については説明を省略する。
[Method for manufacturing feedthrough substrate and interposer (4)]
Still another example of the method for manufacturing the
図50〜図56を参照して、以下に説明する本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法のさらに別の例においては、無電解めっきによって貫通孔にシード層を形成するという点において、図29〜図38を参照して説明した前述のインターポーザ60の製造方法とは異なる。
With reference to FIGS. 50 to 56, in yet another example of the method of manufacturing the
図50は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、基板に貫通孔を形成する工程を示す断面図である。尚、図50は、図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。貫通孔605を形成する方法については、図8〜図10を参照して述べた基板に貫通孔を形成する方法と同じである。貫通孔605は、短径(x方向の径)及び長径(y方向の径)を有する楕円形状である。
FIG. 50 is a cross-sectional view showing a step of forming a through hole in a substrate in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. FIG. 50 is a cross-sectional view of the interposer according to the present invention shown in FIG. The method for forming the through
図51及び図52は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、基板上にレジストマスクを形成する工程を示す断面図である。図51は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図52は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。基板上にレジストマスク(レジストパターン2800)を形成する方法は、図30及び図31を参照して説明したレジストパターン2800の形成方法と同様のため、詳細な説明は省略する。
51 and 52 are cross-sectional views showing a step of forming a resist mask on a substrate in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 51 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 from the x direction. FIG. 52 is a cross-sectional view taken along CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along. The method for forming the resist mask (resist pattern 2800) on the substrate is the same as the method for forming the resist
図53及び図54は、本発明の一実施形態に係るさらに別のインターポーザの製造方法において、基板上にシード層を形成する工程を示す断面図である。図53は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図54は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 53 and 54 are cross-sectional views showing a process of forming a seed layer on a substrate in still another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 53 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 from the x direction, and FIG. 54 is a cross-sectional view taken along CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
シード層609は、無電解めっきによって基板600全面に形成される。即ち、図53及び図54に示すように、シード層609は、基板600の両面(第1面601及び第2面603)上だけではなく、貫通孔605の側壁613上に形成される。
The
図55及び図56は、本発明の一実施形態に係る別のインターポーザの製造方法において、レジストマスクを除去する工程を示す断面図である。図55は図6に示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図であり、図56は図6に示した本発明に係るインターポーザのC−C’に沿ってy方向から見た断面図である。 55 and 56 are cross-sectional views showing a step of removing the resist mask in another method of manufacturing an interposer according to an embodiment of the present invention. 55 is a sectional view taken along the line BB ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. 6 from the x direction. FIG. 56 is a cross-sectional view taken along CC ′ of the interposer according to the present invention shown in FIG. It is sectional drawing seen from the y direction along.
レジストパターン2800は、有機溶媒により除去される。なお、レジストパターン2800の除去には、有機溶媒を用いる代わりに、酸素プラズマによるアッシングを用いることもできる。図55に示すように、貫通孔605の長軸方向側(y方向側)では、レジストパターン2800とともに、レジストパターン2800上に形成されたシード層609も除去され、貫通孔605の側壁613、第1面601及び第2面603上に形成されたシード層609のみが残留する。貫通孔605の短軸方向(x方向)の両端部においては、図56に示すように、シード層609がレジストパターン2800ごと除去される。
The resist
この後、貫通孔605の長軸方向側(y方向側)に残留したシード層609に通電して電解めっきを行い、めっき層を形成する。めっき層を形成した後は、図22〜図28を参照して説明したように、基板600の第1面601側に第1絶縁層615を形成し、必要に応じて第1配線619を形成する。同様に、基板600の第2面603側に第2絶縁層625を形成し、必要に応じて第1配線629を形成する。
Thereafter, the
以上のように、実施形態2に係るインターポーザ60のさらに別の製造方法によると、1つの貫通孔605内に信頼性が高く、互いに電気的に独立した2つの貫通電極606、607を形成することができる。この製造方法では、貫通電極を形成しない領域、即ち、貫通孔内に形成される複数の貫通電極を互いに電気的に分離するために設けられる、貫通孔の側壁が露出する領域に、貫通孔にシード層を形成する前に予めレジストマスクを形成し、基板上及びレジストマスク上に無電解めっきによってシード層を形成し、レジストマスク上に形成されたシード層をリフトオフする。無電解めっきによってシード層を形成するため、貫通孔のアスペクト比が大きい場合でも、貫通孔に充填される貫通電極の埋め込み性又は貫通電極に用いられる薄膜の付き回り性が向上される。
As described above, according to still another manufacturing method of the
図50〜図56では、基板に形成された貫通孔の形状は、平面視において、y方向に長軸を有する楕円形状である例を説明した。しかしながら、貫通孔の形状は、平面視において、少なくとも任意の第1方向に伸延された形状に限定されず、例えば、貫通孔は円形状であってもよい。 50 to 56, the example in which the shape of the through hole formed in the substrate is an elliptical shape having a major axis in the y direction in plan view has been described. However, the shape of the through hole is not limited to a shape extended in at least an arbitrary first direction in plan view. For example, the through hole may be circular.
(実施形態3)
第3の実施形態では、第1の実施形態に示す貫通電極基板10又は第2の実施形態に示すインターポーザ60を用いて製造される半導体装置について説明する。以下の説明では、第1の実施形態に示す貫通電極基板10を用いた半導体装置について説明するが、貫通電極基板10をインターポーザ60に置き換えてもよい。
(Embodiment 3)
In the third embodiment, a semiconductor device manufactured using the through
図57は、本発明の一実施形態に係る貫通電極基板を用いた半導体装置を示す断面図である。半導体装置3900は、3つの貫通電極基板3901、3903、3905が積層され、例えば、DRAM等の半導体素子が形成されたLSI基板3907に接続されている。貫通電極基板3901は、第1面(上面)側に設けられた配線、及び第2面(下面)側に設けられた配線等で形成された接続端子3909、3911を有している。これらの貫通電極基板3901、3903、3905はそれぞれが異なる材質の基板から形成された貫通電極基板であってもよい。接続端子3911は、LSI基板3907の接続端子3919とバンプ3921により接続されている。接続端子3909は、貫通電極基板3903の接続端子3915とバンプ3923により接続されている。貫通電極基板3903の接続端子3913と、貫通電極基板3905の接続端子3917と、についても、接続端子同士がバンプ3925を介して接続する。バンプ3921、3923、3925は、例えば、インジウム、銅、金等の金属を用いる。
FIG. 57 is a cross-sectional view showing a semiconductor device using a through electrode substrate according to an embodiment of the present invention. In the
なお、貫通電極基板を積層する場合には、3層に限らず、2層であってもよいし、さらに4層以上であってもよい。また、貫通電極基板と他の基板との接続においては、バンプによるものに限らず、共晶接合など、他の接合技術を用いてもよい。また、ポリイミド、エポキシ樹脂等を塗布、焼成して、貫通電極基板と他の基板とを接着してもよい。 In addition, when laminating | stacking a through-electrode board | substrate, not only three layers but two layers may be sufficient, and also four or more layers may be sufficient. Further, the connection between the through-electrode substrate and another substrate is not limited to using bumps, and other bonding techniques such as eutectic bonding may be used. Alternatively, polyimide, epoxy resin, or the like may be applied and baked to bond the through electrode substrate and another substrate.
図58は、本発明の一実施形態に係る貫通電極基板を用いた半導体装置の別の例を示す断面図である。図40に示す半導体装置4000は、MEMSデバイス、CPU、メモリ等の半導体チップ(LSIチップ)4001、4003、および貫通電極基板4005が積層され、LSI基板4007に接続されている。
FIG. 58 is a cross-sectional view showing another example of a semiconductor device using a through electrode substrate according to an embodiment of the present invention. A
半導体チップ4001と半導体チップ4003との間に貫通電極基板4005が配置され、バンプ4017、4019により接続されている。LSI基板4007上に半導体チップ4001が載置され、LSI基板4001と半導体チップ4003とはワイヤ4021により接続されている。この例では、貫通電極基板4005は、それぞれ機能の異なる複数の半導体チップを積層することで、多機能の半導体装置を製造することができる。例えば、半導体チップ4001を3軸加速度センサとし、半導体チップ4003を2軸磁気センサとすることによって、5軸モーションセンサを1つのモジュールで実現した半導体装置を製造することができる。
A through
半導体チップがMEMSデバイスにより形成されたセンサなどである場合には、センシング結果がアナログ信号により出力されるようなときがある。この場合には、ローパスフィルタ、アンプ等についても半導体チップまたは貫通電極基板2505に形成してもよい。 When the semiconductor chip is a sensor formed by a MEMS device, the sensing result may be output as an analog signal. In this case, a low-pass filter, an amplifier, and the like may also be formed on the semiconductor chip or the through electrode substrate 2505.
図59は、本発明の一実施形態に係る貫通電極基板を用いた半導体装置のさらに別の例を示す断面図である。図57及び図58に示した2つの例は、3次元実装であったが、この例では、2次元と3次元との併用実装に適用した例である(2.5次元という場合もある)。図59に示す例では、LSI基板4113には、6つの貫通電極基板4101、4103、4105、4107、4109、4111が積層されて接続されている。ただし、全ての貫通電極基板が積層して配置されているだけでなく、基板面内方向にも並んで配置されている。これらの貫通電極基板はそれぞれが異なる材質の基板から形成された貫通電極基板であってもよい。
FIG. 59 is a cross-sectional view showing still another example of a semiconductor device using a through electrode substrate according to an embodiment of the present invention. The two examples shown in FIG. 57 and FIG. 58 are three-dimensional implementations, but in this example, this is an example applied to the combined implementation of two dimensions and three dimensions (sometimes referred to as 2.5 dimensions). . In the example shown in FIG. 59, six through-
図59の例では、LSI基板4113上に貫通電極基板4101、4109が接続され、貫通電極基板4101上に貫通電極基板4103、4107が接続され、貫通電極基板4103上に貫通電極基板4105が接続され、貫通電極基板4109上に貫通電極基板4111が接続されている。尚、貫通電極基板を複数の半導体チップを接続するためのインターポーザとして用いても、このよう2次元と3次元との併用実装が可能である。例えば、図41に示す貫通電極基板4105、4107、4111などが半導体チップに置き換えられてもよい。
In the example of FIG. 59, the through
図57〜図59を参照して説明した半導体装置は、例えば、携帯端末(携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ等)、情報処理装置(デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等)、家電等、様々な電気機器に搭載される。 The semiconductor devices described with reference to FIGS. 57 to 59 include, for example, mobile terminals (mobile phones, smartphones, notebook personal computers, etc.), information processing devices (desktop personal computers, servers, car navigation systems, etc.), home appliances, and the like. Installed in various electrical equipment.
以上のように、本発明に係る貫通電極基板によると、1つの貫通孔内に互いに電気的に独立した複数の貫通電極が設けられ、これらの貫通電極による上下配線の安定した電気的接続を実現できる。そのため、信頼性を維持しながら、貫通電極基板の微細化を実現することができる。また、貫通孔が、少なくとも第1方向に伸延した形状を有する場合、貫通孔の伸延方向(第1方向)とは異なる方向へのさらなる微細化を実現することができる。 As described above, according to the through electrode substrate of the present invention, a plurality of through electrodes that are electrically independent from each other are provided in one through hole, and stable electrical connection between the upper and lower wirings is realized by these through electrodes. it can. Therefore, miniaturization of the through electrode substrate can be realized while maintaining reliability. Further, when the through hole has a shape extended at least in the first direction, further miniaturization in a direction different from the extending direction (first direction) of the through hole can be realized.
尚、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention.
10:貫通電極基板
101、600:基板
101a、601:第1面
101b、603:第2面
103、605:貫通孔
105、613:側壁
107、606:第1貫通電極
106、607:第2貫通電極
401、609:シード層
403、611:めっき層
615:第1絶縁層
625:第2絶縁層
619:第1配線
629:第2配線
3900、4000、4100:半導体装置
10: Through
Claims (7)
前記第1面及び前記第2面を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に設けられ、互いに電気的に独立した第1貫通電極及び第2貫通電極と、
を備える、貫通電極基板。 A substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
A through-hole penetrating the first surface and the second surface;
A first through electrode and a second through electrode provided in the through hole and electrically independent from each other;
A through electrode substrate.
前記第1貫通電極は、前記貫通孔の前記第1方向の一方の端部に設けられ、
前記第2貫通電極は、前記貫通孔の前記第1方向の他方の端部に設けられる、
請求項1に記載の貫通電極基板。 The through hole has a shape extended in at least the first direction in plan view,
The first through electrode is provided at one end of the through hole in the first direction,
The second through electrode is provided at the other end of the through hole in the first direction.
The through electrode substrate according to claim 1.
前記貫通電極基板の前記第1面側に設けられた前記配線に接続された第1配線構造体と、
前記貫通電極基板の前記第2面側に設けられた前記配線に接続された第2配線構造体と、
を備えるインターポーザ。 The through electrode substrate according to claim 1 or 2,
A first wiring structure connected to the wiring provided on the first surface side of the through electrode substrate;
A second wiring structure connected to the wiring provided on the second surface side of the through electrode substrate;
Interposer with
前記貫通電極基板に並んで配置された他の基板またはチップと、
を備える半導体装置。 The through electrode substrate according to claim 1 or 2,
Other substrates or chips arranged side by side with the through electrode substrate,
A semiconductor device comprising:
前記貫通孔にシード層を形成し、
少なくとも第1方向における前記貫通孔の両端部を除く、前記貫通孔の一部に重畳するように、前記基板の前記第1面及び前記第2面にレジスト層を形成し、
前記レジスト層から露出した前記シード層上にめっき層を形成し、
前記めっき層から露出した前記シード層を除去し、互いに電気的に独立した第1貫通電極及び第2貫通電極を形成すること、
を含む貫通電極基板の製造方法。 Forming a through-hole penetrating the first surface and the second surface in a substrate having a first surface and a second surface;
Forming a seed layer in the through hole;
Forming a resist layer on the first surface and the second surface of the substrate so as to overlap at least a part of the through-hole excluding both end portions of the through-hole in the first direction;
Forming a plating layer on the seed layer exposed from the resist layer;
Removing the seed layer exposed from the plating layer to form a first through electrode and a second through electrode that are electrically independent from each other;
The manufacturing method of the penetration electrode substrate containing this.
少なくとも第1方向における前記貫通孔の両端部を除く、前記貫通孔の一部に重畳するように、前記基板の前記第1面及び前記第2面にレジスト層を形成し、
前記貫通孔にシード層を形成し、
前記シード層上にめっき層を形成し、
前記レジスト層を除去し、前記貫通孔の前記第1方向の両端部に互いに電気的に独立した第1貫通電極及び第2貫通電極を形成すること、
を含む貫通電極基板の製造方法。 Forming a through-hole penetrating the first surface and the second surface in a substrate having a first surface and a second surface;
Forming a resist layer on the first surface and the second surface of the substrate so as to overlap at least a part of the through-hole excluding both end portions of the through-hole in the first direction;
Forming a seed layer in the through hole;
Forming a plating layer on the seed layer;
Removing the resist layer, and forming first and second through electrodes electrically independent from each other at both ends of the through hole in the first direction;
The manufacturing method of the penetration electrode substrate containing this.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015193897A JP2017069411A (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Through electrode substrate, and interposer and semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015193897A JP2017069411A (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Through electrode substrate, and interposer and semiconductor device using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017069411A true JP2017069411A (en) | 2017-04-06 |
Family
ID=58495249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015193897A Pending JP2017069411A (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Through electrode substrate, and interposer and semiconductor device using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017069411A (en) |
-
2015
- 2015-09-30 JP JP2015193897A patent/JP2017069411A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6596906B2 (en) | Penetration electrode substrate, interposer and semiconductor device using penetration electrode substrate | |
JP5568357B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2016063114A (en) | Through electrode substrate and manufacturing method of the same | |
JP2010171377A (en) | Through-hole electrode substrate and method of manufacturing the same | |
JP2010157690A (en) | Board for mounting electronic component thereon, and method of manufacturing the same | |
TW200527612A (en) | Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, circuit substrate and electronic equipment | |
TW202226468A (en) | Through electrode substrate, manufacturing method thereof and mounting substrate | |
TW201919457A (en) | Through-electrode substrate, semiconductor device using through-electrode substrate, and through-electrode substrate manufacturing method | |
US9076796B2 (en) | Interconnection structure for package and fabrication method thereof | |
TW202207380A (en) | Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package | |
JP2018085412A (en) | Through electrode substrate and manufacturing method thereof | |
JP4900508B2 (en) | Through electrode substrate and manufacturing method thereof | |
JP2016072433A (en) | Through electrode substrate and method of manufacturing the same | |
JP2006134914A (en) | Module with built-in electronic part | |
JP2016225360A (en) | Through electrode substrate, and interposer and semiconductor device using the same | |
JP6690142B2 (en) | Through electrode substrate, method of manufacturing through electrode substrate, and interposer using through electrode substrate | |
JP2017069411A (en) | Through electrode substrate, and interposer and semiconductor device using the same | |
JP7435635B2 (en) | Through electrode board | |
JP6658846B2 (en) | Through-electrode substrate | |
JP2019016733A (en) | Through electrode substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device using through electrode substrate | |
JP6369653B1 (en) | Through electrode substrate and semiconductor device | |
JP7172105B2 (en) | Wiring substrate, semiconductor device having wiring substrate, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP6809511B2 (en) | Through Silicon Via Substrates and Semiconductor Devices | |
JP6435893B2 (en) | Method for manufacturing through electrode substrate | |
JP6341245B2 (en) | Penetration electrode substrate manufacturing method, penetration electrode substrate, and semiconductor device |