JP2017067451A - 計測装置、計測装置の校正方法および校正部材 - Google Patents
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Abstract
Description
(第一の実施例)
図1は本実施例に係る計測装置の概略図である。ここでは、計測装置の一例としてCD-SEMで説明する。まず、CD-SEMは,内部が真空に保たれたSEMカラム1を備え,カラム1内部には,電子線源2と,コンデンサーレンズ3と,電子線を偏向する偏向器4と,電子を検出する検出器5と,電子線を試料に集束させる対物レンズ6と,試料を設置するウェハホルダ7を備える。
(第一の実施例 プローブ計測部の詳細)
以降では,第一の実施例において,プローブ径計測部33で用いるパターン群のライン幅の実寸法に対する測長感度の関数35の詳細を説明する。
ここで,値Cは,校正部材のピッチ pに依存する変数であるが,校正用標準部材9では p が固定であるため,定数として扱う。式(1)がパターン群のライン幅の実寸法に対する測長感度の関数35となる。
(第二の実施例)
次に、図9は,第二の実施例のフローチャートである。本発明の第二の実施例では,第一の実施例と演算部23による処理以降が異なっている。第二の実施例では,図7に示すように,演算部23では,あらかじめ,基準となる実寸法に対する測定長値の関数であるCD ( t )54を備えている。
差分56 (第一測長値18−CD ( 第二パターン群のライン幅の実寸法 )) ,
差分57 (第一測長値21−CD ( 第三パターン群のライン幅の実寸法 )) ,
差分58 (第一測長値22−CD ( 第四パターン群のライン幅の実寸法 )) を算出して記憶する(フロー62)。
(第三の実施例,第一と第二の組み合わせ)
本発明の第三の実施例では,第一の実施例と第二の実施例で示した演算部23および,プローブ径計測部33での処理の両方を行う。ただし,プローブ径36としては,第一の実施例で述べた手法で求めた値を優先的に用いる。以降の処理は,第二の実施例と同様である。
(基準値,基準関数の決定方法)
上記の第一,第二,第三の実施例では,基準プローブ径38や,基準となる実寸法に対する測定長値の関数であるCD ( t )54およびそれらの許容範囲を用いるが,これらの基準および許容範囲はシミュレーションなどによって求めても良い。その場合,これらの基準は原理上求められる理想値となり,一般性が高まる。一方,シミュレーションが物理現象を再現しきれない場合もありうるため,基準プローブ径38や,基準となる実寸法に対する測定長値の関数であるCD ( t )54などの基準を,複数CD-SEMで測定した結果の平均などとし,それらの許容範囲を複数CD-SEMで測定した結果の標準偏差の3倍値などとしても良い。
(ウェハ上での校正用標準部材9の配置について)
図10は,第一から第三の実施例で示したCD-SEMのウェハホルダ8の上面図である。校正用標準部材9は,校正用標準部材ホルダ69aに固定され,校正用標準部材ホルダ69aはウェハホルダ7に固定されている。この際,校正用標準部材9は,一次電子線の走査方向68に対して,パターン群のライン方向が垂直になるように配置されている。かかる校正によれば,一次電子線の走査方向のプローブ径を計測できる。
(第四の実施例)
図11は,第四の実施例のウェハホルダの上面図である。本発明の第四の実施例では,第一から第三の実施例で用いた校正用標準部材9を複数備えている。校正用標準部材9は,校正用標準部材9a〜gの7つが配置されており,それぞれ一次電子線の走査方向68に対して0°,15°,30°,45°,60°,75°,90°に回転している。それぞれの校正用標準部材9に対して,第一から第三の実施例で述べた方法のいずれかを適用することで,一次電子線の試料面高さにおける二次元プロファイルを求めることができる。
(第五の実施例)
図12は,第四の実施例のウェハホルダの上面図である。本発明の第五の実施例では,第一から第三の実施例で用いた校正用標準部材9を複数備え,それぞれウェハ面から異なる高さに配置されている。すなわち、図13は,図11にてA−A’で示した部位の断面図である。
(第六の実施例)
本発明の第六の実施例では,第一から第三の実施例で用いた校正用標準部材9を複数備え,第五の実施例で示した校正用標準部材ホルダ69bと同様に作製した 100 nmの段差を持つ校正用標準部材ホルダ69c上の4段の段差を有する。さらに,第四の実施例で示した一次電子線の走査方向68に対して0°,15°,30°,45°,60°,75°,90°に回転した校正用標準部材9がそれぞれ配置されている校正をしている。
なお,上記の第一から第六の実施例では,校正用標準部材9のピッチは一定値で固定されていたが,本発明はこれに限定されるものではない。例えば,ウェハホルダ上に,互いにピッチが異なる二つの校正用標準部材9を備えても良い。かかる構成によれば,二つの校正用標準部材9でプローブ径を計測し,それぞれの値の平均値をプローブ径として用いることで,計測の精度を高めることができる。
(校正用標準部材の作製方法)
以降では,第一から第六の実施例で述べた、トレーサビリティのある校正用標準部材の構造や組成,およびその作製方法を述べる。
このように、各パターン群の設計ピッチ寸法は同じになるものの、ラインとスペースをそれぞれ異ならせて作成されており、第一から第四のパターン群は例えは約1.5mmの間隔で平行に配置されるように配置する。
(異なる断面形状)
異なる構成として図15のステップS105において得られたチップに,イオンミリングやドライエッチングなどを行うことで,図2に示すテーパ角108を変化させることが可能である。これにより,ラインの断面形状を変化させることができる。発明者の検討によると,上記実施例で図15のステップS105において得られたテーパ角90.0度のチップに,アルゴンイオンによるミリングを実施したところピッチ寸法105,ライン幅106は変化させずにテーパ角108が88.2度の校正用標準部材を得ることができることが分かった。
(異なるライン材料)
また、ステップS105においてフッ酸:水=1:200ウェットエッチング溶液により酸化シリコンを選択的にエッチングしたが,ウェットエッチング溶液をTMAH(トリメチルアンモニウムハイドライド)等のアルカリ水溶液にすることで,シリコン選択エッチングが可能になるため,スペース部がシリコン123となる校正用標準部材を作製することができる。これにより,絶縁物からなるラインパターン群を作製可能となり,帯電の効果を検証するのに使用可能な校正用標準部材を作製可能となる。
(校正用標準部材の校正方法)
以下,本発明による校正用標準部材の校正例について説明する。
本発明の校正用標準部材は,図2に示すように同じ校正用標準部材9内に設計幅4 nmのラインが設計ピッチ寸法20 nmで40本繰り返し形成された第一のパターン群101がある。また、設計幅6 nmのラインが設計ピッチ寸法20 nmで40本繰り返し形成された第二のパターン群102,設計幅8 nmのラインが設計ピッチ寸法20 nmで40本繰り返し形成された第三のパターン群103および設計幅10 nmのラインが設計ピッチ寸法20 nmで40本繰り返し形成された第四のパターン群104もある。そして、互いに,約1.5mmの間隔で平行に配置されている。
(ユーザーへの提供の仕方:試料形状の自由度)
なお,前述の通り,本発明の校正用標準部材は作製時のエッチング時間を制御して図2における高さ214を調節することや,エッチング前後のイオンミリング処理によりテーパ角215を変化させることが可能である。また回折パターン計測では作製したパターン群の高さやテーパ角も計測できるので実際にCD-SEMで測長する半導体デバイスの断面形状に近い形状を有した校正用標準部材を作製し,かつ微小角入射X線小角散乱法による校正を行いCD-SEMの維持・管理に用いることも可能である。これにより,より実際の計測対象に近い形状でプローブ径計測を行うことが可能となり,装置管理の高精度化が期待できる。
(光学系調整のタイミング)
なお,図3もしくは,図9にフローチャートで示した,プローブ径を計測した結果に基づいて装置調整を行うプロセスの開始タイミングは,定期的に決められた周期で行っても良い。この場合,長期間運用する過程における,経時変化を自動で調整することが可能になる。また,前記プロセスの開始タイミングは,ユーザーが決定してもよく,所望の測長レシピ,検査レシピの開始前や終了後に開始するよう,レシピに組み込めるようになっていても良い。これにより,プローブ状態を管理した上での装置運用が可能となる。
Claims (15)
- 一次荷電量子線を試料に照射して走査する照射光学系と,
前記試料から発生した二次荷電粒子を検出する検出と,
前記二次荷電粒子を検出した二次荷電粒子検出器からの出力信号を処理する信号処理部とを有し,
前記信号処理部は既知の寸法で校正された第一のライン幅を有する第一パターン群のライン幅と既知の寸法で校正された第二のライン幅を有する第二パターン群のライン幅とを測長する測長部と,
前記第一及び第二のパターン群における前記第一および第二のライン幅と,前記第一及び第二のパターン群における測長値との関係を関数として定義する演算部とを有する計測装置。 - 請求項1記載の計測装置であって,
前記第一及び第二のパターン群における前記第一および第二のライン幅と前記第一及び第二のパターン群における前記測長値とに基づき、プローブとなる前記二次荷電粒子線のプロファイルを計測する計測部を有する計測装置。 - 請求項2記載の計測装置であって,
前記計測部で計測した前記プロファイルをあらかじめ記憶した規定値と比較し,許容範囲にあるかを判定する判定部を有する計測装置。 - 請求項3記載の計測装置であって,
前記許容範囲に無い場合、前記判定部は表示部へ前記判定の結果を表示させる信号を送信する、または、前記照射光学系または前記検出器に前記計測の条件を調整させる信号を送信することを特徴とする計測装置。 - 請求項4に記載の計測装置において,
前記定義した関数は一次関数であり、前記判定部は得られた傾きの値と切片の値を規定値と比較し、前記許容範囲に無い場合、前記照射光学系または前記検出器の調整パラメータを推定し,前記表示部へ前記推定の結果を表示させる信号を送信する、または、調整対象へ前記調整パラメータを調整する信号を送信することを特徴とする計測装置。 - 請求項3記載の計測装置において,
前記判定部は、前記一次荷電粒子線のプローブ径の値に基づき,光学系の再調整の有無を規定の周期毎に判断することを特徴とする計測装置。 - 請求項1記載の計測装置であって,
前記測長部は、前記一次荷電粒子線の光軸と垂直方向の面において、第一の方向に延在する前記第一および第二パターン群のライン幅と、第二の方向に延在する前記第一および第二パターン群のライン幅と、を測長することを特徴とする計測装置。 - 請求項1記載の計測装置であって,
前記測長部は、前記一次荷電粒子線の光軸方向において、第一の高さに配置された前記第一および第二パターン群のライン幅と、第二の高さに配置された前記第一および第二パターン群のライン幅と、を測長することを特徴とする計測装置。 - 一次荷電量子線を試料に照射して走査する照射光学系と,前記試料から発生した二次荷電粒子を検出する検出と,前記二次荷電粒子を検出した二次荷電粒子検出器からの出力信号を処理する信号処理部とを有する計測装置の校正方法であって、
既知の寸法で校正された第一のライン幅を有する第一パターン群のライン幅と既知の寸法で校正された第二のライン幅を有する第二パターン群のライン幅とを測長する測長ステップと,
前記第一及び第二のパターン群における前記第一および第二のライン幅と,前記第一及び第二のパターン群における測長値との関係を関数として定義する演算ステップとを有する計測装置の校正方法。 - 請求項9記載の計測装置の校正方法であって,
前記第一及び第二のパターン群における前記第一および第二のライン幅と前記第一及び第二のパターン群における前記測長値とに基づき、プローブとなる前記一次荷電粒子線のプロファイルを計測する計測ステップを有する計測装置の校正方法。 - 請求項10記載の計測装置の校正方法であって,
前記定義した関数は一次関数であり、傾きの値と切片の値を算出する算出ステップと、
前記傾きの値と前記切片の値とをあらかじめ記憶した規定値と比較し、前記照射光学系または前記検出器の調整パラメータを推定する推定ステップと,
前記推定の結果を表示する、または、調整対象へ前記調整パラメータを調整する信号を送信するステップと、を有することを特徴とする計測装置の校正方法。 - 請求項9記載の計測装置の校正方法であって,
前記第一および第二のライン幅は、X線を用いた校正であること特徴とする計測装置の校正方法。 - X線にて校正を行う荷電粒子線装置用の校正部材において、
既知の第1のライン幅にて形成された第1のパターン群と、
既知の第2のライン幅にて形成された第2のパターン群とを有し、
第1のパターン群と第2のパターン群とは、校正に用いる前記X線が干渉しない距離に離れて設けられていることを特徴とする校正部材。 - 請求項13記載の校正部材であって,
前記第1および第2のパターン群は、既知のテーパ角を有することを特徴とする校正部材。 - 請求項13記載の校正部材であって,
微小角入射X線小角散乱法で校正されることを特徴とする校正部材。
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