JP2017059760A - 検査装置及び半導体試料の個体識別方法 - Google Patents

Abstract

【課題】直接加工等せずに半導体試料を個体識別する技術を提供する。
【解決手段】太陽電池９からルミネッセンス光を放射させ（ステップＳ１０３）、当該放射されたルミネッセンス光の強度をイメージセンサ５３で検出する（ステップＳ１０４）。そして、ルミネッセンス光の強度に基づいて、太陽電池９のルミネッセンス画像ＬＩ１を生成し（ステップＳ１０５）、該ルミネッセンス画像ＬＩ１からサムネイルＴｃを生成する（ステップＳ１０６）。続いて、生成されたサムネイルＴｃを、予め記憶部に保存された照合用サムネイルデータＤ１の各照合用サムネイルと照合する（ステップＳ１０７）。
【選択図】図５

Description

この発明は、半導体試料について個体識別する技術に関する。

例えば、複数の太陽電池を検査する際、各個体を識別するために、太陽電池本体にペンなどで管理番号を記入したり、あるいは、シールを貼ったりする場合がある。

また、特許文献１には、検査装置にマーキング装置が搭載されており、該マーキング装置がレーザを照射することによって、検査時に見つかった欠陥情報を太陽電池にマーキングすることが記載されている。

また、特許文献２には、太陽電池製造時に、個体識別情報として、金属不純物をシリコン基板に拡散させる。そして、電界励起発光（ＥＬ）法によって、個体識別情報を暗部として観察することが記載されている。

特開２０１０−１３５４４６号公報 特開２０１３−２２９４６６号公報

しかしながら、ペンで管理番号を記入したり、シールを貼付したりする場合、人手が介在するため、記入ミスや記入した管理番号の消失するおそれがある。

また、特許文献１に記載の技術のように、太陽電池の表面に傷をつけると、発生キャリアの再結合が起こりやすくなり、性能が劣化するおそれがある。さらにまた、特許文献２に記載の技術の場合、太陽電池の製造時に個体識別情報を形成する必要がある。このため、適用可能な範囲が限定されている。

そこで、本発明は、直接加工等せずに半導体試料を個体識別する技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、第１の態様は、半導体試料を検査する検査装置であって、半導体試料から電磁波を放射させる電磁波放射誘起部と、前記半導体試料から放射された前記電磁波の強度を検出する電磁波強度検出部と、前記電磁波強度検出部で検出された前記電磁波の強度に基づいて、前記半導体試料の電磁波強度画像を生成する画像生成部と、前記画像生成部によって生成された前記電磁波強度画像に基づく個体識別情報を記憶する記憶部と、識別対象である前記半導体試料の前記個体識別情報を、前記記憶部に予め保存された複数の前記半導体試料についての前記個体識別情報と照合する照合部とを備える。

また、第２の態様は、第１の態様に係る検査装置であって、前記画像生成部によって生成された前記電磁波強度画像から、サムネイルを生成するサムネイル生成部、をさらに備え、前記照合部は、前記サムネイル生成部が生成したサムネイルを前記個体識別情報とする。

また、第３の態様は、第２の態様に係る検査装置であって、前記サムネイル生成部は、前記電磁波強度画像を複数のブロック画像に分割し、前記ブロック画像に含まれる各画素が持つ画素値に基づいて、前記ブロック画像毎の代表値を決定し、前記複数のブロック画像のそれぞれを、前記代表値に基づいて決定された画素値を持つ画素に圧縮して、１つの前記サムネイルを生成する。

また、第４の態様は、第３の態様に係る検査装置であって、前記サムネイル生成部は、前記ブロック画像に含まれる各画素が持つ画素値の標準偏差を前記代表値とし、前記複数のブロック画像毎に、前記代表値を所定の画素値範囲に正規化して得られる画素値を持つ画素に圧縮して、１つの前記サムネイルを生成する。

また、第５の態様は、第１から第４の態様のいずれか１つに係る検査装置であって、前記電磁波放射誘起部は、前記半導体試料において、フォトルミネッセンスを誘起する励起光を前記半導体試料に照射する励起光照射部を有し、前記電磁波強度検出部は、前記半導体試料で発生した光を検出する光強度検出部を有する。

また、第６の態様は、第１から第４の態様のいずれか１つに係る検査装置であって、前記電磁波放射誘起部は、前記半導体試料において、エレクトロルミネッセンスを誘起する電圧を印加する電圧印加部を有し、前記電磁波強度検出部は、前記半導体試料で発生した光を検出する光強度検出部を有する。

また、第７の態様は、半導体試料の個体識別方法であって、(a)半導体試料から電磁波を放射させる電磁波放射工程と、(b)前記電磁波放射工程にて前記半導体試料から放射された前記電磁波の強度を検出する電磁波強度検出工程と、(c)前記電磁波強度検出工程にて検出された前記電磁波の強度に基づいて、前記半導体試料の電磁波強度画像を生成する電磁波強度画像生成工程と、(d)前記電磁波強度画像生成工程にて生成された、識別対象である前記半導体試料の前記電磁波強度画像が示す個体識別情報を、予め記憶部に記憶された複数の前記半導体試料についての前記個体識別情報と照合する照合工程とを有する。

また、第８の態様は、第７の態様に係る半導体試料の個体識別方法であって、(e)前記電磁波強度画像生成工程で生成された前記電磁波強度画像から、サムネイルを生成するサムネイル生成工程、をさらに有し、前記照合工程において、前記個体識別情報が前記サムネイル生成工程で生成された前記サムネイルとされる。

第１の態様に係る検査装置によると、固有性の高い電磁波強度画像に基づいて半導体試料の個体識別を行うため、半導体試料に直接加工等することなく、半導体試料の個体識別を高精度に行うことができる。

第２の態様に係る検査装置によると、電磁波強度画像をサムネイルにすることで、データ量を減らすことができる。これによって、照合処理の演算量を軽減できる。

また、第３の態様に係る検査装置によると、分割して得られた各ブロック画像毎に画素値に基づいた代表値を決定することで、元の電磁波強度画像の特徴を有するサムネイルを適切に生成できるという効果を奏する。

また、第４の態様に係る検査装置によると、標準偏差を代表値とすることによって、各画素ブロックの特性を好適に表した代表値を得ることができる。

また、第５の態様に係る検査装置によると、フォトルミネッセンスを誘起することによって、半導体試料の特性に応じた光を発生させることができる。このため、半導体試料毎に固有性の高いサムネイルを生成できるため、識別精度を高めることができる。

また、第６の態様に係る検査装置によると、エレクトロルミネッセンスを誘起することによって、半導体試料の特性に応じた光を発生させることができる。このため、半導体試料毎に、固有性の高いサムネイルを生成できるため、識別精度を高めることができる。

また、第７の態様に係る半導体試料の個体識別方法によると、固有性の高い電磁波強度画像に基づいて個体識別を行うため、半導体試料に直接加工等することなく、半導体試料の個体識別を高精度に行うことができる。

また、第８の態様に係る半導体試料の個体識別方法によると、電磁波強度画像をサムネイルにすることで、データ量を減らすことができる。これによって、照合処理の演算量を軽減できる。

実施形態に係る検査装置の概略側面図である。 実施形態に係るテラヘルツ波測定系の概略構成図である。 実施形態に係る検査装置における、制御部と他の要素との電気的な接続を示すブロック図である。 実施形態に係る制御部の機能的要素をデータフローとともに示すブロック図である。 実施形態に係る検査装置において実行される検査の流れを示す図である。 サムネイルの生成過程を概念的に示す図である。 ＰＬ測定によって得られた複数のＰＬ画像と、各ＰＬ画像を改変した複数の改変ＰＬ画像とを示す図である。 図７に示す各ＰＬ画像及び各改変ＰＬ画像から生成されたサムネイルを示す図である。 図８に示すサムネイル同士の類似度を総当たりで求めた結果を示す図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

＜１． 実施形態＞
＜検査装置の構成＞
図１は、実施形態に係る検査装置１００の概略側面図である。検査装置１００は、装置架台１、テラヘルツ波測定系２、移動ステージ３、試料台４、ルミネッセンス測定系５、カメラ６及び制御部７を備えている。検査装置１００は、各種の刺激（ここでは、光の照射及び電圧の印加）に応じて半導体試料から放射される放射電磁波を検出し、その放射電磁波の強度分布を画像化するように構成されている。具体的に、放射電磁波は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）によって発生するＥＬ光、ＰＬ（フォトルミネッセンス）によって発生するＰＬ光、及び、テラヘルツ波を含む。

図１及び以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とする右手系のＸＹＺ直交座標系を適宜付している。ここでは、移動ステージ３の表面に平行な面を水平面（ＸＹ平面）とし、それに垂直な上下方向を鉛直方向（Ｚ軸方向）としている。また、ルミネッセンス測定系５から見て、テラヘルツ波測定系２が配置されている側を＋Ｙ側とし、その反対側を−Ｙ側としている。さらにまた、ルミネッセンス測定系５の側からテラヘルツ波測定系２の側を見たとき、右手側は＋Ｘ側とし、左手側は−Ｘ側としている。また、Ｚ軸方向の上側を＋Ｚ側とし、下側を−Ｚ側としている。

＜テラヘルツ波測定系２＞
テラヘルツ波測定系２は、半導体試料に対して検査光（後述する検査光ＬＰ１１）を照射し、該検査光の照射に応じて放射されるテラヘルツ波を検出する。また、検査装置１００は、検出されたテラヘルツ波（０．１ＴＨｚ〜３０ＴＨｚの電磁波）の強度を画像化する。テラヘルツ波測定系２の構成については、後に詳述する。

ここで、半導体試料とは、半導体によりトランジスタ、集積回路（ＩＣやＬＳＩ）、抵抗またはコンデンサなどにより構成される電子デバイス（半導体デバイス）の他、フォトダイオード、ＣＭＯＳセンサ若しくはＣＣＤセンサなどのイメージセンサ、太陽電池またはＬＥＤ等、半導体の光電効果を利用する電子デバイス（フォトデバイス）を含む。半導体試料の表面は、平面状に形成されているものとするが、曲面状などに形成されていてもよい。

本実施形態では、半導体試料として太陽電池９を検査する場合について説明するが、その他の半導体試料についても、同様に検査可能である。

＜移動ステージ３＞
移動ステージ３は、ステージ駆動機構３１によって、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の各方向に移動する。ステージ駆動機構３１は、移動ステージ３をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動機構、移動ステージ３をＹ軸方向に移動するＹ軸方向移動機構、移動ステージ３をＺ軸方向に昇降させる昇降機構を備えている。さらに、ステージ駆動機構３１は、Ｚ軸周りの回転方向（θ軸方向）に移動させる回転機構を備えている。

＜試料台４＞
試料台４は、移動ステージ３の上面に取り付けられている。試料台４は、電圧印加テーブル４１と、電極ピンユニット４３を備えている。

電圧印加テーブル４１は、例えば銅などの電気伝導性の高い素材で構成されており、さらにその表面が金メッキされている。また、電圧印加テーブル４１の表面には、複数の吸着孔が形成されている。吸着孔は吸引ポンプに接続されており、当該吸引ポンプを駆動することによって、太陽電池９の裏面が電圧印加テーブル４１に吸着される。これによって、太陽電池９が試料台４に固定される。なお、電圧印加テーブル４１の表面に、複数の吸着溝を設け、当該各吸着溝内に、上記複数の吸着孔を形成してもよい。この場合、複数の吸着溝に沿って太陽電池９が吸着されるため、太陽電池９を強固に固定できる。試料台４の電圧印加テーブル４１は、保持部の一例である。

移動ステージ３がＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動することよって、移動ステージ３上の試料台４に保持された太陽電池９が、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向のそれぞれに移動する。

図１に示すように、ステージ駆動機構３１のＹ軸方向移動機構は、移動ステージ３を位置Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれに移動させる。位置Ｌ１は、太陽電池９を電圧印加テーブル４１に設置するための位置である。位置Ｌ２は、位置Ｌ１より＋Ｙ側の位置であって、ルミネッセンス測定系５（第一検査部）において太陽電池９のＥＬ測定またはＰＬ測定を行う位置である。さらに、位置Ｌ３は、位置Ｌ２より＋Ｙ側の位置であって、太陽電池９のテラヘルツ波測定を行う位置である。

電極ピンユニット４３は、導電性の複数の電極ピン４３１と、当該複数の電極ピン４３１を支持する導電性の電極バー４３２を備えている。

電極バー４３２は、複数の棒状の電極ピン４３１を、Ｙ軸方向に所定の間隔をあけて、かつ、各々がＺ方向に沿って起立するように保持する。本実施形態では、電極バー４３２は、試料台４に保持された太陽電池９の表面側電極（不図示）に沿うように複数の電極ピン４３１を保持している。

試料台４は、電圧印加テーブル４１を太陽電池９の裏面側電極（不図示）に接触させ、かつ、複数の電極ピン４３１を、太陽電池９の表面側電極に接触させる。電圧印加テーブル４１及び電極ピンユニット４３は、電気的に接続されており、太陽電池９の表面側電極及び裏面側電極の間で電圧を印加する。

＜ルミネッセンス測定系５＞
ルミネッセンス測定系５は、ＥＬ測定またはＰＬ測定を行う。以下の説明では、ＥＬ測定及びＰＬ測定のそれぞれを、特に区別しない場合には、単に「ルミネッセンス測定」と称する場合がある。ルミネッセンス測定系５では、カバー部材５１によって太陽電池９が覆われ、その状態でルミネッセンス測定が行われる。

より具体的には、ルミネッセンス測定系５は、ＥＬ測定を行うためのイメージセンサ５３を備えている。ＥＬ測定を行う場合には、ルミネッセンス測定系５において、電圧印加テーブル４１及び電極ピンユニット４３を介して、太陽電池９に順方向バイアスの電圧が印加される。これによって、ルミネッセンス測定系５は、太陽電池９をＥＬ発光させ、当該ＥＬ発光をイメージセンサ５３によって検出する。このように、電圧印加テーブル４１及び電極ピンユニット４３は、太陽電池９からＥＬ光（電磁波）を放射させる電磁波放射誘起部の一例である。また、イメージセンサ５３は、太陽電池９から放射されたＥＬ光の強度を検出する電磁波強度検出部の一例である。イメージセンサ５３から出力された信号は、制御部７のルミネッセンス画像生成部７１１（図４参照）に送られ、ＥＬ光の強度を画像化したＥＬ画像が生成される。イメージセンサ５３は、例えば波長が約８００ｎｍ〜１６００ｎｍの光を検出可能であることが好ましく、波長が約１０００ｎｍ〜１４００ｎｍの光を検出可能であることがより好ましい。

また、ルミネッセンス測定系５は、ＰＬ検査光源５５を備えている。ルミネッセンス測定系５は、ＰＬ検査光源５５から照射されたＰＬ検査光によって、太陽電池９をＰＬ発光させ、当該ＰＬ発光をイメージセンサ５３によって検出する。ＰＬ検査光源５５は、太陽電池９にＰＬ光（電磁波）を放射させる電磁波放射誘起部の一例である。また、イメージセンサ５３は、太陽電池９から放射されたＰＬ光の強度（電磁波強度）を検出する電磁波強度検出部の一例である。なお、ＰＬ検査光とＰＬ光とは、互いに波長が異なっている。イメージセンサ５３から出力された信号は、制御部７のルミネッセンス画像生成部７１１に送られ、ＰＬ光の強度を画像化したＰＬ画像が生成される。

以下の説明では、ＥＬ画像及びＰＬ画像のそれぞれを、特に区別しない場合には、単に「ルミネッセンス画像」と称する場合がある。

なお、ルミネッセンス測定系５において、ＥＬ測定の構成及びＰＬ測定の構成が、１つのカバー部材５１内に収納されている。しかしながら、カバー部材５１を２つ設けて、ＥＬ測定の構成及びＰＬ測定の構成のそれぞれを、各カバー部材５１に個別に収容してもよい。また、検査装置１００がＥＬ測定の構成及びＰＬ測定の構成の双方を備えていることは必須ではなく、どちらか一方のみの構成を備えていてもよい。また、検査装置１００がテラヘルツ波測定系２及びルミネッセンス測定系５の双方を備えていることは必須ではなく、どちらか一方が省略されていてもよい。

図２は、実施形態に係るテラヘルツ波測定系２の概略構成図である。テラヘルツ波測定系２は、検査光照射部２２、テラヘルツ波検出部２３及び遅延部２４を備えている。

検査光照射部２２は、フェムト秒レーザ２２１を備えている。フェムト秒レーザ２２１は、例えば、３６０ｎｍ（ナノメートル）以上１．５μｍ（マイクロメートル）以下の可視光領域を含む波長のパルス光（パルス光ＬＰ１）を放射する。具体例としては、中心波長が８００ｎｍ付近であり、周期が数ｋＨｚ〜数百ＭＨｚ、パルス幅が１０〜１５０フェムト秒程度の直線偏光のパルス光が、フェムト秒レーザ２２１から放射される。もちろん、その他の波長領域（例えば、青色波長（４５０〜４９５ｎｍ）、緑色波長（４９５〜５７０ｎｍ）などの可視光波長）のパルス光が出射されるようにしてもよい。

フェムト秒レーザ２２１から出射されたパルス光ＬＰ１は、ビームスプリッタＢＥ１により２つに分割される。分割された一方のパルス光（検査光ＬＰ１１）は、太陽電池９に照射される。このとき、検査光照射部２２は、検査光ＬＰ１１の照射を、受光面９１側から行う。また、検査光ＬＰ１１の光軸が、太陽電池９の受光面９１に対して斜めに入射するように、検査光ＬＰ１１が太陽電池９に対して照射される。本実施形態では、入射角度が４５度となるように照射角度が設定されている。ただし、入射角度はこのような角度に限定されるものではなく、０度から９０度の範囲内で適宜変更することができる。

なお、検査装置１００は、結晶シリコン系以外の太陽電池（アモルファスシリコン系など）の検査に適用されてもよい。アモルファスシリコン系太陽電池の場合、一般的に、エネルギーギャップが１．７５ｅＶ〜１．８ｅＶといったように、結晶シリコン系太陽電池のエネルギーギャップ１．２ｅＶに比べて大きい。このような場合、フェムト秒レーザ２２１の波長を、例えば７００μｍ以下とすることで、アモルファスシリコン系太陽電池において、テラヘルツ波を良好に発生させることができる。同様の考え方で、他の半導体太陽電池（ＣＩＧＳ系、ＧａＡＳ系など）にも適用可能である。

太陽電池９の内部電界が存在する部位に、禁制帯幅を超えるエネルギーを持つ検査光ＬＰ１１が照射されると、光キャリア（自由電子及び正孔）が発生し、内部電界によって加速される。これにより、パルス状の電流が発生することとなり、それに応じて電磁波が発生することとなる。内部電界は、例えばｐｎ接合部やショットキー接合部などに発生していることが知られている。

マクスウェルの方程式によると、電流に変化が生じたとき、その電流の時間微分に比例した強度の電磁波が発生する。すなわち、空乏層などの光励起キャリア発生領域にパルス光が照射されることで、瞬間的に光電流の発生及び消滅が起こる。この瞬間的に発生する光電流の時間微分に比例して、電磁波パルス（テラヘルツ波ＬＴ１）が発生する。

図２に示すように、ビームスプリッタＢＥ１によって分割された他方のパルス光は、検出光ＬＰ１２として遅延部２４を経由し、テラヘルツ波検出部２３のテラヘルツ波検出器２３１に入射する。また、検査光ＬＰ１１の照射に応じて発生したテラヘルツ波ＬＴ１は、放物面鏡などによって適宜集光され、テラヘルツ波検出器２３１に入射する。

なお、図１に示すように、検査光ＬＰ１１は、Ｙ軸方向沿って（図１の例では、＋Ｙ側から−Ｙ側に向けて）太陽電池９に照射される。また、Ｙ軸方向に沿って（図１の例では、＋Ｙ側から−Ｙ側に向けて）放射されるテラヘルツ波ＬＴ１が、テラヘルツ波検出器２３１によって検出される。このように、本実施形態では、検査光ＬＰ１１の照射方向、及び、検出されるテラヘルツ波ＬＴ１の放射方向が、複数の電極ピン４３１が所定間隔をあけて配列される方向（すなわち、Ｙ軸方向）に一致している。このため、複数の電極ピン４３１によって、検査光である検査光ＬＰ１１が遮られたり、あるいは、発生したテラヘルツ波ＬＴ１が複数の電極ピン４３１によって遮られたりすることを抑制できる。

テラヘルツ波検出器２３１は、電磁波検出素子として、例えば、光伝導スイッチ（光伝導アンテナ）を備えている。テラヘルツ波ＬＴ１がテラヘルツ波検出器２３１に入射する状態で、検出光ＬＰ１２がテラヘルツ波検出器２３１に照射されると、光伝導スイッチに瞬間的にテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度に応じた電流が発生する。この電界強度に応じた電流は、不図示のロックインアンプ、Ｉ／Ｖ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路などを介してデジタル量に変換される。このようにして、テラヘルツ波検出部２３は、検出光ＬＰ１２の照射に応じて、太陽電池９を透過したテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度を検出する。なお、光伝導スイッチとは異なる他の素子、例えばショットキーバリアダイオードまたは非線形光学結晶が、検出素子として採用されてもよい。

遅延部２４は、検出光ＬＰ１２のテラヘルツ波検出器２３１への到達時間を連続的に変更する光学装置である。遅延部２４は、検出光ＬＰ１２の入射方向に沿って直線移動する遅延ステージ２４１と遅延ステージ２４１を移動させる遅延ステージ駆動機構２４２とを備えている。遅延ステージ２４１は、検出光ＬＰ１２をその入射方向に折り返させる折り返しミラー１０Ｍを備えている。また、遅延ステージ駆動機構２４２は、制御部７の制御に基づいて、検出光ＬＰ１２の入射方向に沿って遅延ステージ２４１を平行移動させる。遅延ステージ２４１が平行移動することによって、ビームスプリッタＢＥ１からテラヘルツ波検出器２３１までの検出光ＬＰ１２の光路長が連続的に変更される。

遅延ステージ２４１は、テラヘルツ波ＬＴ１がテラヘルツ波検出器２３１に到達する時間と、検出光ＬＰ１２がテラヘルツ波検出器２３１へ到達する時間との差（位相差）を変更する。具体的には、遅延ステージ２４１によって、検出光ＬＰ１２の光路長を変化することによって、テラヘルツ波検出器２３１においてテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度を検出するタイミング（検出タイミングまたはサンプリングタイミング）が遅延される。

なお、遅延ステージ２４１とは異なる構成によって、検出光ＬＰ１２のテラヘルツ波検出器２３１への到達時間を変更することも可能である。具体的には、電気光学効果を利用することが考えられる。すなわち、印加する電圧を変化させることで屈折率が変化する電気光学素子を、遅延素子として用いてもよい。

また、検出光ＬＰ１２の光路長を変更する代わりに、太陽電池９に向かう検査光ＬＰ１１の光路長、もしくは、太陽電池９から放射されたテラヘルツ波ＬＴ１の光路長を変更してもよい。いずれの場合においても、テラヘルツ波検出器２３１に検出光ＬＰ１２が到達する時間に対して、テラヘルツ波検出器２３１にテラヘルツ波ＬＴ１が到達する時間をずらすことができる。つまり、テラヘルツ波検出器２３１におけるテラヘルツ波ＬＴ１の検出タイミングを遅延させることができる。

ステージ駆動機構３１は、移動ステージ３に取り付けられた試料台４に保持されている太陽電池９を、検査光照射部２２に対して、ＸＹ平面内で相対的に移動させる。つまり、検査装置１００は、太陽電池９の受光面９１を検査光ＬＰ１１で走査可能に構成されている。したがって、本実施形態では、ステージ駆動機構３１は、走査機構を構成している。ただし、太陽電池９を移動させる代わりに、または、太陽電池９を移動させると共に、検査光照射部２２及びテラヘルツ波検出部２３をＸＹ平面内で移動させる移動手段を設けてもよい。

また、検査光ＬＰ１１自体の光路を変更する走査機構を採用してもよい。具体的には、往復揺動するガルバノミラーによって、検査光ＬＰ１１の光路を、太陽電池９の受光面９１に平行なＸＹ平面に沿って変更することが考えられる。また、ガルバノミラーの代わりに、ポリゴンミラー、ピエゾミラーまたは音響光学素子などを採用してもよい。

太陽電池９について、テラヘルツ波測定を行う場合には、試料台４の電圧印加テーブル４１及び電極ピンユニット４３を介して、太陽電池９に逆バイアス電圧を印加してもよい。これによって、太陽電池９から放射されるテラヘルツ波ＬＴ１の強度を高めることができる。また、電圧印加テーブル４１及び電極バー４３２間を短絡接続して、太陽電池９の表面側電極と裏面側電極とを短絡することも考えられる。この場合においても、太陽電池９から放射されるテラヘルツ波ＬＴ１の強度を高めることができる。

図３は、実施形態に係る検査装置１００における、制御部７と他の要素との電気的な接続を示すブロック図である。制御部７は、ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３及び不揮発性の記録媒体である記憶部７４を備えており、一般的なコンピュータとして構成されている。

ＲＯＭ７２は、基本プログラムなどを格納している。ＲＡＭ７３は、ＣＰＵ７１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶部７４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置などの不揮発性の記憶装置によって構成されている。記憶部７４にはプログラムＰＧ１がインストールされている。該プログラムＰＧ１に記述された手順に従って、主制御部としてのＣＰＵ７１が演算処理を行うことによって、各種機能（例えば、ルミネッセンス画像生成部７１１、サムネイル生成部７１２、照合部７１３）が実現される。

プログラムＰＧ１は、通常、予め記憶部７４などのメモリに格納されて使用されるものであるが、ＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭ、外部のフラッシュメモリなどの記録媒体に記録された形態（プログラムプロダクト）で提供され（あるいは、ネットワークを介した外部サーバからのダウンロードなどにより提供され）、追加的または交換的に記憶部７４などのメモリに格納されるものであってもよい。なお、制御部７において実現される一部あるいは全部の機能は、専用の論理回路などでハードウェア的に実現されてもよい。

また、制御部７は、表示部６１、操作部６２、ステージ駆動機構３１、遅延ステージ駆動機構２４２、ルミネッセンス測定系５、イメージセンサ５３及びカメラ６といった検査装置１００の各要素とバス配線、ネットワーク回線またはシリアル通信回線などを介して接続されている。制御部７は、これらの要素の動作制御を行ったり、これらの要素からデータを受け取ったりする。

表示部６１は、液晶ディスプレイなどの画像を表示する表示装置を構成する。表示部６１は、例えば、ルミネッセンス画像生成部７１１が生成したルミネッセンス画像や、サムネイル生成部７１２が生成したサムネイル、あるいは、照合部７１３による照合結果を表示する出力装置である。なお、出力装置として、紙等の印刷媒体に印刷する印刷装置が設けられていてもよい。

操作部６２は、例えば、キーボード及びマウスによって構成される入力デバイスであり、オペレータからの各種の操作（コマンドや各種データの入力といった操作）を受け付ける。なお、操作部６２は、各種スイッチ、タッチパネルなどにより構成されてもよい。

図４は、実施形態に係る制御部７の機能的要素をデータフローとともに示すブロック図である。ルミネッセンス画像生成部７１１は、ルミネッセンス測定系５のイメージセンサ５３によって検出された、太陽電池９から発せられたルミネッセンス光の光強度に基づき、ルミネッセンス画像を生成する。ルミネッセンス画像ＬＩ１は、各画素の画素値が多階調である多階調画像データである。ルミネッセンス画像ＬＩ１は、太陽電池９における位置を示す情報と光強度を示す情報（階調値）とが対応づけされて記録されたデータである。

サムネイル生成部７１２は、ルミネッセンス画像生成部７１１が生成したルミネッセンス画像ＬＩ１から、サムネイルＴｃ（縮小画像）を生成する。サムネイルＴｃの作成の詳細については、後述する。

照合部７１３は、サムネイル生成部７１２が生成した識別対象である太陽電池９のサムネイルＴｃ（識別対象サムネイル）を、予め記憶部７４に保存された照合用サムネイルデータＤ１と照合する。照合用サムネイルデータは、予め、ルミネッセンス測定系５で測定された複数の太陽電池９毎のルミネッセンス画像ＬＩ１から、サムネイル生成部７１２が生成したｎ個の照合用サムネイルＴ１，Ｔ２，．．．，Ｔｎの集合である。

また、照合部７１３は、識別対象のサムネイルＴｃと照合用サムネイルデータＤ１とを照合した結果を、表示部６１に表示する。具体的には、照合部７１３は、識別子であるサムネイルＴｃに類似すると判定された照合用サムネイルＴｉ，Ｔｊ，．．．，Ｔｍを列挙し、表示部６１に表示する。なお、類似する照合用サムネイルが無い場合には、照合部７１３はその旨を表示部６１に表示する。

さらにまた、照合部７１３は、類似する照合用サムネイルが無かった場合には、そのサムネイルＴｃを照合用サムネイルデータＤ１に追加する命令を受け付ける。具体的には、オペレータが、操作部６２を操作することで、サムネイルＴｃを照合用サムネイルデータＤ１に登録する旨の命令が照合部７１３に送られる。

＜検査の流れ＞
図５は、実施形態に係る検査装置１００において実行される検査の流れを示す図である。

まず、移動ステージ３が位置Ｌ１に配された状態で、検査対象である太陽電池９が設置される（ステップＳ１０１）。ここでは、この太陽電池９に行う検査が、テラヘルツ波測定であるものとしている。ただし、太陽電池９に対する検査が、ルミネッセンス測定（ＰＬ測定またはＥＬ測定）のみによるものとしてもよい。

太陽電池９が移動ステージ３に設置されると、移動ステージ３が位置Ｌ２に移動することで、太陽電池９がルミネッセンス測定系５まで搬送される（ステップＳ１０２）。

続いて、太陽電池９に所定の刺激を与えることによって、太陽電池９からルミネッセンス光を放射させる（ステップＳ１０３：電磁波放射工程）。具体的に、太陽電池９からＥＬ光を放射させる場合には、電圧印加テーブル４１及び電極ピンユニット４３を用いて、太陽電池９に所定の電圧が印加される。また、太陽電池９からＰＬ光を放射させる場合には、太陽電池９にＰＬ検査光源５５からのＰＬ検査光が照射される。

続いて、ステップＳ１０３にて太陽電池９から放射されたルミネッセンス光の強度が、イメージセンサ５３で検出される（ステップＳ１０４：電磁波強度検出工程）。イメージセンサ５３が、検出信号を制御部７のルミネッセンス画像生成部７１１に送る。そして、ルミネッセンス画像生成部７１１は、受信した検出信号に基づいて、ルミネッセンス画像ＬＩ１を生成する（ステップＳ１０５：電磁波強度画像生成工程）。

続いて、サムネイル生成部７１２が、ルミネッセンス画像ＬＩ１から、サムネイルＴｃを生成する（ステップＳ１０６：サムネイル生成工程）。ここで、サムネイルＴｃの作成例を説明する。

図６は、サムネイルＴｃの生成過程を概念的に示す図である。ここでは、ステップＳ１０２にて生成されたルミネッセンス画像ＬＩ１は、垂直方向及び水平方向のピクセル数が１０２４×１０２４であるものとする。まず、サムネイル生成部７１２は、ルミネッセンス画像ＬＩ１を、複数のブロック画像ＢＩ１に分割する（ステップＳ２１：分割工程）。ここでは、ルミネッセンス画像ＬＩ１を、垂直方向及び水平方向に関して３２分割することで、１０２４個のブロック画像ＢＩ１が生成される。また、１つのブロック画像ＢＩ１の垂直方向及び水平方向の画素数は３２×３２とされている。

続いて、サムネイル生成部７１２は、ブロック画像ＢＩ１毎に、各ブロック画像ＢＩ１に含まれる複数の画素の画素値に基づいて、代表値ＲＶを決定する（ステップＳ２２：代表値決定工程）。この代表値は、例えば全画素値の平均値、中央値、標準偏差あるいは分散とすることが考えられる。

続いて、サムネイル生成部７１２は、ステップＳ２２にて決定した代表値ＲＶに基づいて決定された画素値を持つ１画素に圧縮する（ステップＳ２３：圧縮工程）。具体的に、ステップＳ２２において、代表値を全画素値の平均値または中央値とした場合には、サムネイル生成部７１２は、各ブロック画像ＢＩ１を、その代表値の画素値を持つ１画素に圧縮する。また、ステップＳ２２において、代表値を全画素値の標準偏差とした場合には、サムネイル生成部７１２は、全ブロック画像ＢＩ１の代表値を所定の階調数（例えば、２５６階調）に正規化することで、各代表値を特定の階調値に変換する。サムネイル生成部７１２は、各ブロック画像ＢＩ１を、決定された階調値を持つ１画素に圧縮する。

続いて、サムネイル生成部７１２は、各ブロック画像ＢＩ１を１画素に圧縮したものを、元のルミネッセンス画像ＬＩ１における各ブロック画像ＢＩ１の位置に配列することで、１つのサムネイルＴｃを生成する（ステップＳ２４：サムネイル生成工程）。図示の例では、ステップＳ２１において、ルミネッセンス画像ＬＩ１を３２分割しているため、垂直方向及び水平方向の画素数が３２×３２のサムネイルＴｃが生成されることとなる。以上のようにして、ルミネッセンス画像（電磁波強度画像）から、サムネイルＴｃが生成される。

図５に戻って、ステップＳ１０６において、サムネイルＴｃが生成されると、照合部７１３が、サムネイルＴｃを照合用サムネイルデータＤ１と照合する（ステップＳ１０７：サムネイル照合工程）。具体的には、サムネイルＴｃと、照合用サムネイルデータＤ１の各照合用サムネイルとを比較することによって、検査対象の太陽電池９についての、個体識別が行われる。

サムネイルＴｃと各照合用サムネイルの照合は、画素値の比較に基づいた類似度ＤＳを指標とすることができる。類似度ＤＳは、例えば、サムネイルＴｃ及び各照合用サムネイルＴｋを想定したとき、同位置の画素間の画素値の差を２乗したものの総和とすることができる（式（１）参照）。

なお、式（１）において、Tc[i][j]は、サムネイルＴｃにおける画素位置（ｉ，ｊ）の画素値であり、Tk[i][j]は、照合用サムネイルＴｋにおける画素位置（ｉ，ｊ）の画素値である。

この類似度ＤＳの値が大きくなるほど、類似性が小さくなる。そこで、類似度ＤＳが所定の閾値Ｔｈを越える場合には、類似しないと判定し、類似度ＤＳが所定の閾値Ｔｈを越えない場合には、類似すると判定するように、照合部７１３を構成すればよい。このように、類似性を判定するための閾値Ｔｈを適切に設定することで、両者のサムネイルが類似するかどうかを適切に判定できる。

なお、例えば、既に照合用サムネイルが登録された太陽電池９が再検査された場合、太陽電池９を上下反転して移動ステージ３に設置されることもあり得る。この場合、サムネイルＴｃが上下反転して生成されることになるため、このサムネイルＴｃを予め登録された照合用サムネイルと適切に照合できるように、サムネイルＴｃを１８０度回転させて、照合処理を追加的に行うようにしてもよい。もちろん、１８０度以外の所定角度（０度以上３６０度未満）でサムネイルＴｃを回転させて、照合処理が行われてもよい。

また、例えば、生成されたサムネイルＴｃを垂直方向又は水平方向に所定の画素数分だけ相対的にずらして、照合用サムネイルと比較する処理（揺すらせ処理）が、追加的に行われるようにしてもよい。これによって、サムネイルＴｃの太陽電池９における位置が、各照合用サムネイルのものと位置がずれていた場合にも、照合処理を適切に行うことができる。

図５に戻って、照合処理が完了すると、照合部７１３は、照合結果をオペレータに通知する（ステップＳ１０８）。具体的には、ステップＳ１０７にて照合部７１３がサムネイルＴｃと類似するとした照合用サムネイルの情報が、表示部６１に表示される。この照合用サムネイルの情報は、照合用サムネイル自体が表示されるようにしてもよいし、あるいは、類似するとされた照合用サムネイルのリストが表示されるようにしてもよい。また、上述したように、サムネイルＴｃを回転させたり、あるいは、所定の画素数分だけずらしたりすることで、類似する照合用サムネイルが検出された場合には、その回転量やずれ量を表示部６１に表示するとよい。これによって、オペレータは、設置した太陽電池９の置き方が適当かどうかを容易に判断できる。また、サムネイルＴｃに類似する照合用サムネイルが無い場合には、その旨がオペレータに通知されるとよい。

続いて、照合部７１３が、サムネイルＴｃを照合用サムネイルデータＤ１に追加するか判定する（ステップＳ１０９）。この判定は、オペレータからサムネイルＴｃを照合用サムネイルデータＤ１に追加する命令を受けつけたか否かに基づいて行われる。このケースに該当する例として、例えば、サムネイルＴｃに類似する照合用サムネイルが無かった場合が想定される。あるいは、サムネイルＴｃに類似する照合用サムネイルが１以上存在した場合であっても、オペレータがサムネイルＴｃがいずれの照合用サムネイルにも一致しないと判断することもあり得る。いずれの場合においても、オペレータが所定の操作入力を行うことで、照合部７１３がサムネイルＴｃを照合用サムネイルデータＤ１に追加する。このことによって、次回から、追加したサムネイルＴｃに対応する太陽電池９の個体識別が可能となる。もちろん、サムネイルＴｃに類似する照合用サムネイルが無かった場合に、照合部７１３が、サムネイルＴｃを自動で照合用サムネイルデータＤ１に追加するようにしてもよい。

オペレータから追加の指示があった場合（ステップＳ１０９においてＹＥＳ）、照合部７１３は、サムネイルＴｃを照合用サムネイルデータＤ１に追加する（ステップＳ１１０）。また、照合部７１３が、追加したサムネイルＴｃに対応する太陽電池９の専用のデータフォルダを生成するようにしてもよい。このデータフォルダには、測定データ（ルミネッセンス測定の結果を示すデータまたはテラヘルツ波測定の結果を示すデータ）を保存するのに使用される。このとき、データフォルダの名称には、当該太陽電池９に固有の情報（例えば、測定日付、測定時刻または連番等）が自動で付けられるとよい。

また、図示を省略するが、ステップＳ１０８において、類似する照合用サムネイルが複数ある場合に、照合部７１３は、オペレータから真に一致する照合用サムネイルを選択する入力命令を受付けるようにしてもよい。このとき、オペレータに選択された照合用サムネイルに対応する太陽電池９の測定結果を保存したデータフォルダを、照合部７１３が自動で開く等することで、オペレータが過去の測定データにアクセスし易くなるようにしてもよい。

以上のようにして、個体識別処理が完了すると、テラヘルツ波測定が行われる（ステップＳ１１１）。このテラヘルツ波測定は、太陽電池９の特定地点のみについて行う一点測定であってもよいし、太陽電池９上の特定範囲内を行うエリア測定であってもよい。また、一点測定またはエリア測定の場合には、例えば、ステップＳ１０５で取得されたルミネッセンス画像（ＥＬ画像またはＰＬ画像）を表示部６１に表示することで、そのルミネッセンス測定に基づいて、オペレータがテラヘルツ波測定を行う地点（または領域）を決定できるようにしてもよい。

以上のように、本実施形態に係る検査装置１００では、太陽電池９の個体識別を、固有性の高いルミネッセンス画像ＬＩ１に基づいたサムネイルＴｃに基づいて行われる。これによって、太陽電池９の個体識別を、太陽電池に加工等することなく、高精度に行うことができる。

また、本実施形態では、ルミネッセンス画像ＬＩ１を圧縮したサムネイルＴｃに基づいて、個体識別が行われる。このため、ルミネッセンス画像ＬＩ１をそのまま照合処理に仕様する場合に比べて、照合処理に係る演算量を軽減できる。このため、照合処理の高速化及び照合処理に係るリソースの軽減を図ることができる。

また、図６で説明したように、サムネイルＴｃを生成する際、各ブロック画像ＢＩ１を圧縮した１画素の画素値が、ブロック画像ＢＩ１毎の画素値の標準偏差を正規化することで決定される。このため、比較的コントラストが低くなりやすいルミネッセンス画像ＬＩ１であっても、高コントラストのサムネイルＴｃを得ることができる。このため、個体識別を良好に行うことが可能なサムネイルＴｃ（個体識別情報）を得ることができる。また、ブロック画像ＢＩ１の画素値を決定する代表値ＲＶを、画素値の標準偏差とすることで、ルミネッセンス測定時の測定条件（イメージセンサ５３における露光時間、ＰＬ測定の場合のＰＬ検査光の強度等）の依存度が低いサムネイルＴｃを得ることができる。このため、個体識別をより良好に行うことができる。

＜個体識別の有効性について＞
図７は、ＰＬ測定によって得られた複数のＰＬ画像Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ３１，Ｐ４１と、各ＰＬ画像を改変した複数の改変ＰＬ画像Ｐ１２ａ，Ｐ１３ａ，Ｐ３１ａ，Ｐ４１ａとを示す図である。各画像の詳細については以下の通りである。

（１）ＰＬ画像Ｐ１１，１２，１３は同一の試料（太陽電池９）について、移動ステージ３における置き位置を変更してＰＬ測定したものである。
（２）改変ＰＬ画像Ｐ１２ａは、画像処理によって、ＰＬ画像Ｐ１２を所定方向に１ｍｍシフトさせるとともに、明度を変更したものである。
（３）改変ＰＬ画像Ｐ１３ａは、画像処理によって、ＰＬ画像ＰＬ１３を中心周りに１度回転させ、明度を改変したものである。
（４）ＰＬ画像Ｐ２１，Ｐ２２は、同一の試料を同一の測定条件でＰＬ測定を２回行って得たものである。
（５）改変ＰＬ画像Ｐ３１ａは、画像処理によって、ＰＬ画像Ｐ３１を所定方向に１ｍｍシフトさせるとともに、明度を変更したものである。
（６）改変ＰＬ画像Ｐ４１ａは、画像処理によってＰＬ画像Ｐ４１を所定方向に１ｍｍシフトさせ、中心周りに０．５度回転させ、さらに明度を変更したものである。

図８は、図７に示す各ＰＬ画像及び各改変ＰＬ画像から生成されたサムネイルを示す図である。なお、サムネイルＴ１１，Ｔ１２，Ｔ１３，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ３１，Ｔ４１は、それぞれ、ＰＬ画像Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ３１，Ｐ４１に対応する。また、サムネイルＴ１２ａ，Ｔ１３ａ，Ｔ３１ａ，Ｔ４１ａは、それぞれ、改変ＰＬ画像Ｐ１２ａ，Ｐ１３ａ，Ｐ３１ａ，Ｐ４１ａに対応する。なお、図８に示す各サムネイルは、代表値ＲＶを標準偏差として、画素値を決定したものである。

図９は、図８に示すサムネイル同士の類似度ＤＳを総当たりで求めた結果を示す図である。図９においては、縦横にサムネイルの符号を付している。図９に示すように、同一のサムネイル同士の比較では、当然ながら類似度ＤＳが「０」となっている。また、元が同一の試料から生成されたサムネイル同士の類似度ＤＳは、異なる試料から生成されたサムネイル同士の類似度ＤＳに比べて、桁数が１桁〜２桁ほど異なっている。本例では、太字で示すように、類似度ＤＳの閾値を２０００００とすることによって、照合部７１３が、同一の試料から生成されたサムネイル同士を類似するものと判定することが可能となる。

＜２． 変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。

例えば、図５で説明した照合処理工程（ステップＳ１０７）において、サムネイルＴｃと比較する対象は、照合用サムネイルデータＤ１に登録された全ての照合用サムネイルＴ１，Ｔ２，．．．，Ｔｎとしてもよいが、その一部としてもよい。例えば、太陽電池９の場合、ルミネッセンス測定で得られるルミネッセンス画像においては、表面電極（バスバー電極や、フィンガー電極）の部分はルミネッセンス光が発生しないため、暗くなる。このことを利用して、例えば、全ての照合用サムネイルＴ１，Ｔ２，．．．，Ｔｎのうち、所定の明るさ以上となる領域の面積（画素数）がサムネイルＴｃのものと略等しい照合用サムネイルを、照合部７１３が抽出するようにしてもよい。そして、照合部７１３が、サムネイルＴｃと抽出された照合用サムネイルのみとを比較するようにしてもよい。これによって、演算量を軽減できるため、照合処理の高速化及び照合処理に係るリソースの軽減を図ることができる。

また、上記実施形態では、電磁波強度画像がルミネッセンス画像ＬＩ１であり、個体識別情報がルミネッセンス画像ＬＩ１のサムネイルＴｃしている。しかしながら、ルミネッセンス画像ＬＩ１自体あるいはその一部分を、個体識別情報とすることも考えられる。

さらにまた、電磁波強度画像は、ルミネッセンス画像ＬＩ１に限定されるものではない。例えば、太陽電池から放射されるテラヘルツ波の強度に基づくテラヘルツ波強度画像を電磁波強度画像としてもよい。テラヘルツ波強度画像は、テラヘルツ波測定で得られたテラヘルツ波強度の分布を画像化することで得ることができる。また、ラマン分光法によって、太陽電池から放射されるラマン光強度の分布を画像化したものを電磁波強度画像としてもよい。

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

１００ 検査装置
２ テラヘルツ波測定系
２２ 検査光照射部（電磁波放射誘起部）
２３ テラヘルツ波検出部（電磁波強度検出部）
３ 移動ステージ
４ 試料台
４１ 電圧印加テーブル（電磁波放射誘起部）
４３ 電極ピンユニット（電磁波放射誘起部）
５ ルミネッセンス測定系
５３ イメージセンサ（電磁波強度検出部）
５５ ＰＬ検査光源（電磁波放射誘起部）
７ 制御部
７１１ ルミネッセンス画像生成部
７１２ サムネイル生成部
７１３ 照合部
７４ 記憶部
９ 太陽電池（半導体試料）
６１ 表示部
６２ 操作部
ＢＩ１ ブロック画像
Ｄ１ 照合用サムネイルデータ
ＬＩ１ ルミネッセンス画像
Ｔ１〜Ｔｎ 照合用サムネイル
Ｔｃ サムネイル

Claims (8)

1. 半導体試料を検査する検査装置であって、
   半導体試料から電磁波を放射させる電磁波放射誘起部と、
   前記半導体試料から放射された前記電磁波の強度を検出する電磁波強度検出部と、
   前記電磁波強度検出部で検出された前記電磁波の強度に基づいて、前記半導体試料の電磁波強度画像を生成する画像生成部と、
   前記画像生成部によって生成された前記電磁波強度画像に基づく個体識別情報を記憶する記憶部と、
   識別対象である前記半導体試料の前記個体識別情報を、前記記憶部に予め保存された複数の前記半導体試料についての前記個体識別情報と照合する照合部と、
   を備える、検査装置。
2. 請求項１に記載の検査装置であって、
   前記画像生成部によって生成された前記電磁波強度画像から、サムネイルを生成するサムネイル生成部、
   をさらに備え、
   前記照合部は、前記サムネイル生成部が生成したサムネイルを前記個体識別情報とする、検査装置。
3. 請求項２に記載の検査装置であって、
   前記サムネイル生成部は、
   前記電磁波強度画像を複数のブロック画像に分割し、
   前記ブロック画像に含まれる各画素が持つ画素値に基づいて、前記ブロック画像毎の代表値を決定し、
   前記複数のブロック画像のそれぞれを、前記代表値に基づいて決定された画素値を持つ画素に圧縮して、１つの前記サムネイルを生成する、検査装置。
4. 請求項３に記載の検査装置であって、
   前記サムネイル生成部は、
   前記ブロック画像に含まれる各画素が持つ画素値の標準偏差を前記代表値とし、
   前記複数のブロック画像毎に、前記代表値を所定の画素値範囲に正規化して得られる画素値を持つ画素に圧縮して、１つの前記サムネイルを生成する、検査装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の検査装置であって、
   前記電磁波放射誘起部は、
   前記半導体試料において、フォトルミネッセンスを誘起する励起光を前記半導体試料に照射する励起光照射部を有し、
   前記電磁波強度検出部は、
   前記半導体試料で発生した光を検出する光強度検出部を有する、検査装置。
6. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の検査装置であって、
   前記電磁波放射誘起部は、
   前記半導体試料において、エレクトロルミネッセンスを誘起する電圧を印加する電圧印加部を有し、
   前記電磁波強度検出部は、
   前記半導体試料で発生した光を検出する光強度検出部を有する、検査装置。
7. 半導体試料の個体識別方法であって、
   (a) 半導体試料から電磁波を放射させる電磁波放射工程と、
   (b) 前記電磁波放射工程にて前記半導体試料から放射された前記電磁波の強度を検出する電磁波強度検出工程と、
   (c) 前記電磁波強度検出工程にて検出された前記電磁波の強度に基づいて、前記半導体試料の電磁波強度画像を生成する電磁波強度画像生成工程と、
   (d) 前記電磁波強度画像生成工程にて生成された、識別対象である前記半導体試料の前記電磁波強度画像が示す個体識別情報を、予め記憶部に記憶された複数の前記半導体試料についての前記個体識別情報と照合する照合工程と、
   を有する、半導体試料の個体識別方法。
8. 請求項７に記載の半導体試料の個体識別方法であって、
   (e) 前記電磁波強度画像生成工程で生成された前記電磁波強度画像から、サムネイルを生成するサムネイル生成工程、
   をさらに有し、
   前記照合工程において、前記個体識別情報が前記サムネイル生成工程で生成された前記サムネイルとされる、半導体試料の個体識別方法。