JP2017054834A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の発光素子を含む発光装置において、発光面積が大きく、発光素子のパターン形成不良が抑制された構造を提供する。また、発光装置を含む照明装置を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた第１の配線と、第１の配線上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第２の配線と、絶縁膜を介して前記第１の配線上に設けられた複数の発光素子を有する発光素子ユニットと、を有し、複数の発光素子は、それぞれ遮光性を有する第１の電極層と、第１の電極層と接する有機化合物を含む層と、有機化合物を含む層と接する透光性を有する第２の電極層と、を有し、有機化合物を含む層は、分離層によってそれぞれ分離された発光装置である。【選択図】図１

Description

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用
いた発光素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）を複数含む発光素子ユニットに関する。ま
た、該発光素子ユニットを用いた発光装置、及び照明装置に関する。

有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んで構成される。こ
の素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることができる
。近年、有機ＥＬ素子を光源として利用した照明装置への応用が期待されている。

特許文献１には、複数の有機ＥＬ素子が直列に接続された構造を有する照明装置が開示さ
れている。複数の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光面積の大きい照明装置を作製す
ることができる。

特開２００９−１３０１３２号公報

複数の発光素子を用いて照明装置を形成する場合、引き回し配線によって、複数の発光素
子それぞれを接続する。引き回し配線は、低抵抗な金属を用いた場合であっても、配線の
長さが長く、配線抵抗が増大してしまうため、発光領域に用いられる配線に比べて配線の
幅を大きくする必要がある。配線の幅を大きくすることにより、発光領域において発光面
積が小さくなる、又は開口率が低下するという問題が生じる。

また、発光素子を複数配列して照明装置を形成する場合、陽極、発光性の有機化合物を含
む層、陰極の各々について、真空蒸着装置内で発光素子を形成するためのメタルマスクに
よるパターンの形成が必要である。このメタルマスクによるパターンの形成では、メタル
マスクのたわみや反りに起因したパターンの形成不良が生じるという問題がある。また、
メタルマスクに付着したパーティクルを、メタルマスクから基板に転写してしまうおそれ
もある。これにより、歩留まりが低下し製造コストの増加を招いてしまう。

そこで、本発明は、上記の問題の少なくとも一つを解決することを目的とする。すなわち
、複数の発光素子を含む発光装置において、発光面積が大きく、発光素子のパターン形成
不良が抑制された構造とその作製方法を提供する。また、該発光装置を含む照明装置及び
その作製方法を提供する。

本発明の一態様は、絶縁表面を有する基板上に設けられた第１の配線と、第１の配線上に
設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第２の配線と、絶縁膜を介して第１の配線上
に設けられた複数の発光素子と、を有し、複数の発光素子はそれぞれ、遮光性を有する第
１の電極層と、第１の電極層と接する有機化合物を含む層と、有機化合物を含む層と接す
る透光性を有する第２の電極層と、を有し、有機化合物を含む層は、分離層によってそれ
ぞれ分離された発光装置である。

上記構成において、複数の発光素子は、直列に接続してなる発光素子列を構成する。また
、該発光素子列を複数有し、複数の発光素子列を並列に接続してもよい。

上記各構成において、分離層は、その断面において、被形成面と接する辺の幅が狭く、対
向する辺の幅が広い、逆テーパ形状を有している。分離層のテーパ角（被形成面との接辺
と分離層の側壁とのなす角）θは、１００度以上１３０度以下で形成することが好ましい
。また、分離層は、Ｔ字型の形状を有していてもよい。

上記各構成において、絶縁表面を有する基板は、熱伝導性を有することが好ましい。

上記各構成において、第１の配線及び第２の配線は、印刷法により形成されることが好ま
しい。

上記各構成において、複数の発光素子の発光は、第２の電極層を透過して取り出されるこ
とが好ましい。

上記各構成のいずれかを有する発光装置を用いて、照明装置を形成することができる。

なお、本明細書中において照明装置とは、少なくとも一対の電極間に発光層を有する発光
素子を備える。また、照明装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉ
ｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付
けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にコンバータなどが設けられたモジュー
ルも全て照明装置に含むものとする。

本発明の一態様によれば、複数の発光素子を含む発光装置において、発光面積が大きく、
発光素子のパターン形成不良が抑制された構造とその作製方法を提供することができる。
また、該発光装置を含む照明装置及びその作製方法を提供することができる。

本発明の一態様に係る発光装置を説明する平面図。 本発明の一態様に係る発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様に係る発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様に係る発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様に係る発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様に係る照明装置を説明する断面図。 有機化合物を含む層の一例を説明する図。 本発明の一態様に係る照明装置を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、趣
旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者
であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有す
る部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る発光装置について、図１及び図２を参照して説
明する。

図１に、本発明の一態様に係る発光装置の一部を拡大した平面図を示す。なお、図１では
、配線や電極のみを示し、絶縁膜などは省略している。

本発明の一態様に係る発光装置は、発光素子ユニット２００、発光素子ユニット２０２を
有する。発光素子ユニット２００及び発光素子ユニット２０２は、第１の配線１０４及び
第２の配線１０８を介してコンバータ（図示せず）と接続されている。コンバータは、外
部商用電源（例えば、１００Ｖ程度から２４０Ｖ程度）から入力される高電圧を、発光素
子が駆動する電圧（例えば、３Ｖから数十Ｖ程度）に変換するために設けられる。コンバ
ータと接続される第１の配線１０４及び第２の配線１０８には、異なる電圧が出力される
。発光素子ユニット２００及び発光素子ユニット２０２は、第１の配線１０４と第２の配
線１０８との電位差により電流を流し、発光する。本実施の形態では、発光装置は、２個
の発光素子ユニットから構成される場合について説明するが、発光素子ユニットの数はコ
ンバータの出力特性や、レイアウトなどに応じて適宜設定すればよい。

発光素子ユニット２００は、９個の発光素子を３行３列のマトリクス状に配列することに
より構成される。本明細書等において、各発光素子の位置を、発光素子１３０（ｍ，ｎ）
（ｍは行数を、ｎは列数を示す。ｍ≧１、ｎ≧１である。）で示す。すなわち、ｍ行ｎ列
目の位置にある発光素子を、発光素子１３０（ｍ，ｎ）と記す。同様に、発光素子ユニッ
ト２０２も、９個の発光素子を３行３列のマトリクス状に配列することにより構成する。
発光素子ユニット２０２において、ｍ行ｎ列目の位置にある発光素子を、発光素子１３２
（ｍ，ｎ）と記す。これらを一斉に発光させることによって、面光源として利用すること
ができる。本実施の形態では、発光素子ユニットは、９個の発光素子から構成される場合
について説明するが、発光素子の数はコンバータの出力特性や、レイアウトになど応じて
適宜設定すればよい。

発光素子ユニット２００において、９個の発光素子１３０（１，１）〜１３０（３，３）
は、各行毎に直列に接続されている。つまり、１行目であれば、発光素子１３０（１，１
）、１３０（１，２）、１３０（１，３）の順に、複数の発光素子が直列に接続されてい
る。同様に、２行目であれば、発光素子１３０（２，１）、１３０（２，２）、１３０（
２，３）の順に、３行目であれば、発光素子１３０（３，１）、１３０（３，２）、１３
０（３，３）の順に、直列に接続されている。本明細書等において、このように、直列に
接続された複数の発光素子を、発光素子列ともいう。つまり、発光素子ユニット２００は
、３つの発光素子列を有しているともいえる。

また、３つの発光素子列は、それぞれ列方向に並列に接続されている。このように、複数
の発光素子列を並列に接続することにより、発光素子ユニット内の一つの発光素子にショ
ート又はオープン状態が生じた場合であっても、並列接続された他の発光素子列には影響
されることなく発光を継続させることができる。

図１に示す発光素子ユニット２００において、１列目の発光素子１３０（１，１）、１３
０（２，１）、１３０（３，１）は、第１の配線１０４と電気的に接続されており、３列
目の発光素子１３０（１，３）、１３０（２，３）、１３０（３，３）は、第２の配線１
０８と電気的に接続されている。図１において、１列目の発光素子１３０（１，１）、１
３０（２，１）、１３０（３，１）が高電位側末端、３列目の発光素子１３０（１，３）
、１３０（２，３）、１３０（３，３）が低電位側末端となる。

また、発光素子ユニット２０２において、３列目の発光素子１３２（１，３）、１３２（
２，３）、１３２（３，３）は、第１の配線１０４と電気的に接続されており、１列目の
発光素子１３２（１，１）、１３２（２，１）、１３２（３，１）は、第２の配線１０８
と電気的に接続されている。図１において、３列目の発光素子１３２（１，３）、１３２
（２，３）、１３２（３，３）が高電位側末端、１列目の発光素子１３２（１，１）、１
３２（２，１）、１３２（３，１）が低電位側末端となる。

上述のように、発光素子ユニット２００と発光素子ユニット２０２とは、左右対称となる
ように設けられている。このような構成とすることにより、高電位側、または低電位側の
配線を共通化する等のレイアウトが可能になるため、発光素子ユニット間のスペースを小
さくできる。これにより、基板面積に対する発光面積を大きくすることができる。

本発明の一態様によれば、発光素子ユニットとして、複数の発光素子を直列に接続してな
る発光素子列を、２以上並列に接続された構成とすることができる。このような発光素子
ユニットを任意の個数、並列して設けることにより、発光装置の大面積化を図ることがで
きる。

次に、図２（Ａ）に、図１における線分Ａ１−Ａ２の断面図、図２（Ｂ）に、図１におけ
る線分Ｂ１−Ｂ２の断面図を示す。

図２（Ａ）に示すように、基板１００上には、絶縁膜１０２が設けられ、絶縁膜１０２上
に第１の配線１０４が設けられ、第１の配線１０４上に絶縁膜１０６が設けられ、絶縁膜
１０６上に、第２の配線１０８及び発光素子１３０（１，１）〜１３０（１，３）が設け
られている。また、図２（Ｂ）に示すように、基板１００上に絶縁膜１０２が設けられ、
絶縁膜１０２上に第１の配線１０４が設けられ、第１の配線１０４上に絶縁膜１０６が設
けられ、絶縁膜１０６上に発光素子１３０（１，１）、１３０（２，１）、１３０（３，
１）が設けられている。

基板１００として、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック（有機樹脂）基板、金
属基板などを用いることができる。金属基板として、アルミニウム、銅、ニッケル等の金
属、又はジュラルミン若しくはステンレスなどの合金を用いることができる。

また、基板１００として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂として、例えば、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂
、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカ
ーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シ
クロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル
樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フ
ィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。

基板１００として、金属基板などを用いることにより、水分又は不純物等が発光装置の外
部から発光素子に含まれる有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる
。したがって、曲げや折れに強い発光装置を実現するとともに、水分又は不純物等による
発光素子の劣化が抑制され、発光装置の信頼性を向上させることができる。

また、基板１００として、プラスチック基板や金属基板を用いる場合は、落下などの衝撃
に耐えることのできる発光装置を実現できる。

また、基板１００の厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下とすることにより、発光装置の薄
型化及び軽量化を図ることができる。

また、７２０ｍｍ×６００ｍｍ、７５０ｍｍ×６２０ｍｍなどの大面積を有する基板１０
０を用いることにより、発光装置の大面積化を図ることができる。

有機ＥＬ素子を含む発光装置を光源として照明装置に利用する場合、ディスプレイと比較
して高輝度が必要なため発熱量が多くなり、発光素子の温度が上昇する。発光素子におい
て、リーク電流が生じる箇所があると、ジュール熱により局部的に温度が上昇する。発光
素子は、温度が高くなることでより多くの電流を流すため、さらに温度は上昇する。これ
により、その箇所が変質することでショートしてしまう。また、温度が上昇することで、
発光素子の有機化合物を含む層の劣化が進み、ショートしてしまう。

基板１００として熱伝導性を有する金属基板を用いることにより、発光素子が発熱したと
しても、熱を基板１００の裏面へ伝導させることができる。これにより、温度上昇による
発光素子の劣化が抑制され、照明装置の信頼性を向上させることができる。

絶縁膜１０２は、下地膜として用いる。絶縁膜１０２は、スパッタリング法、ＣＶＤ法な
どにより、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ア
ルミニウム、酸化マグネシウムなどを用いて、単層で又は積層して膜厚５０ｎｍ以上３０
０ｎｍ以下で形成される。絶縁膜１０２を積層する場合、窒化酸化シリコン膜上に酸化窒
化シリコン膜を形成すればよい。

第１の配線１０４及び第２の配線１０８は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印
刷、グラビア印刷等の印刷法、メッキ処理法等を用いて形成される。第１の配線１０４及
び第２の配線１０８として、低抵抗材料を用いれば良く、例えば、アルミニウム、チタン
、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、
銅から選ばれた材料、又はこれらを主成分とする合金材料を用い、単層で又は積層して形
成する。第１の配線１０４及び第２の配線１０８の膜厚は、３μｍ以上３０μｍ以下とす
る。

例えば、印刷法を用いて第１の配線１０４及び第２の配線１０８を形成する場合には、粒
径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解又は分散させた導電性のペースト
を選択的に印刷すればよい。導電体粒子として、銀、金、銅、ニッケル、白金、パラジウ
ム、タンタル、モリブデン及びチタンのいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微
粒子、又は分散性のナノ粒子を用いることができる。第１の配線１０４及び第２の配線１
０８として、印刷法を用いて形成することにより、工程の簡略化が可能となり、低コスト
化を図ることができる。

絶縁膜１０６は、平坦化膜として用いる。絶縁膜１０６は、無機絶縁材料又は有機絶縁材
料を用いて形成することができる。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブ
テン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の耐熱性を有する有機絶縁材
料を用いると、平坦化膜として好適である。また、上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材
料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロ
ンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層
させることで、絶縁膜１０６を形成してもよい。絶縁膜１０６の膜厚は、１．０μｍ以上
３０μｍ以下とする。

絶縁膜１０６の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピ
ンコート法、ディッピング法、印刷法、インクジェット法等を用いることができる。

発光素子ユニットを構成する発光素子として、有機ＥＬ素子を用いることができる。有機
ＥＬ素子を用いて発光装置を形成する際、発光素子の一対の電極の一方は、透光性を有す
る導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電材料、例えば、インジウム錫酸化物（
以下、ＩＴＯともいう）は、配線などに用いられる金属材料、例えば、アルミニウムやチ
タンなどと比較して抵抗値が大きい。そのため、透光性を有する導電材料を用いて引き回
し配線を形成すると電圧降下が生じやすくなる。

したがって、第１の電極層１１２ａ側から発光素子の発光を取り出すボトムエミッション
型（または、下面射出型）の場合、基板１００と発光素子ユニット２００との間に引き回
し配線を形成する場合には、金属材料を用いて引き回し配線を形成する。しかし、ボトム
エミッション型の場合、基板１００と発光素子ユニット２００との間に遮光性を有する引
き回し配線を設けると、発光面積が小さくなる、又は開口率が低下するという問題が生じ
る。

そこで、本発明の一態様では、第２の電極層１２４ａ側から発光素子の発光を取り出すト
ップエミッション型（または、上面射出型）を用いる。図２（Ａ）に示す発光素子１３０
（１，１）は、遮光性を有する第１の電極層１１２ａと、第１の電極層１１２ａと接する
有機化合物を含む層１２２ａと、有機化合物を含む層１２２ａと接し、透光性を有する第
２の電極層１２４ａと、を有する。これにより、遮光性を有する引き回し配線を基板１０
０と発光素子ユニット２００との間に設けることができる。また、引き回し配線の幅を発
光素子ユニット２００の幅よりも大きくしたとしても、発光面積を大きく、又は開口率を
向上させることができる。

第１の電極層１１２ａは、スパッタリング法等を用いて形成される。第１の電極層１１２
ａは、光を取り出す側と反対に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射
性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロ
ム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる
。その他、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウム
とネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金
などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい
。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアル
ミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては
、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。

また、第１の電極層１１２ａは、第１の配線１０４と接するように設けられている。

有機化合物を含む層１２２ａとして、ＥＬ層を用いることができる。ＥＬ層として、少な
くとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。その他、電子輸送性の高
い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔
注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質
）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。ＥＬ層は、蒸着法（
真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

有機化合物を含む層１２２ａとして、複数のＥＬ層を用いてもよい。この場合、複数のＥ
Ｌ層を用いて有機化合物を含む層１２２ａを形成することにより、タンデム型発光素子と
することができる。ＥＬ層は、２層〜４層（特に、３層）用いることが好ましい。なお、
ＥＬ層の構成例は、実施の形態４にて詳細に説明する。

第２の電極層１２４ａは、スパッタリング法、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェ
ット法、塗布法等を用いて形成される。第２の電極層１２４ａは、透光性を有する材料を
用いて形成される。第２の電極層１２４ａとして、酸化インジウム、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯともいう）、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛
、グラフェンなどを用いることができる。

また、第２の電極層１２４ａとして、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリ
ブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる
。または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金
属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。第２の
電極層１２４ａは、単層または積層で形成することができる。例えば、第２の電極層１２
４ａを３層の積層構造とする場合、インジウム錫酸化物膜、銀膜、インジウム錫酸化物膜
の順で積層された構造とすることができる。また、マグネシウムと銀の合金を用いてもよ
い。マグネシウムと銀の合金を用いる場合には、例えば、膜厚０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以
下のマグネシウムと銀の合金上に、膜厚１１０ｎｍのインジウム錫酸化物膜を形成すれば
よい。また、第２の電極層１２４ａの膜厚は、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、好ましくは
８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１１０ｎｍ以下とする。

図２（Ａ）では、第１の電極層１１２ａ上に絶縁性の隔壁１１４ａが設けられており、第
１の電極層１１２ａの端部には隔壁１１４ｂが設けられている。また、発光素子１３０（
１，１）の第２の電極層１２４ａと、発光素子１３０（１，２）の第１の電極層１１２ｂ
とは、接して設けられている。よって、発光素子１３０（１，１）と、発光素子１３０（
１，２）とは、直列接続となる。また、図２（Ｂ）では、第１の電極層１１２ａの両端部
に、隔壁１１４ｇ、１１４ｈが設けられている。

隔壁１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｇ、１１４ｈは、無機絶縁材料及び有機絶縁材料を用い
て形成することができる。隔壁１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｇ、１１４ｈは、順テーパ形
状を有する。順テーパ形状とは、その断面において、被形成面と接する辺の幅が広く、対
向する辺の幅が狭い形状をいう。隔壁１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｇ、１１４ｈを、順テ
ーパ形状とすることで、その上に形成する膜の段切れを防止することができる。

また、発光素子１３０（１，１）と発光素子１３０（１，２）とが隣合う領域（例えば、
第１の電極層１１２ｂ上）に、分離層１１６ｂが設けられている。また、第１の電極層１
１２ａ上に、分離層１１６ａが設けられており、第２の配線１０８上に、分離層１１６ｄ
が設けられている。分離層１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｄは、逆テーパ形状を有している
。逆テーパ形状とは、その断面において、被形成面と接する辺の幅が狭く、対向する辺の
幅が広い形状をいう。逆テーパ形状の分離層１１６ａ、１１６ｂを利用することで、有機
化合物を含む層を、有機化合物を含む層１２２ａと有機化合物を含む層１２２ｂとに、分
離することができる。また、第２の電極層１２４ａが有機化合物を含む層１２２ａの端部
を越えて成膜できる性質を利用することで、第２の電極層１２４ａと、第１の電極層１１
２ｂとを、接して設けることができる。これにより、発光素子１３０（１，１）と発光素
子１３０（１，２）とを接続することができる。同様にして、第２の電極層１２４ｃと、
第２の配線１０８とを接して設けることができる。これにより、発光素子１３０（１，３
）と第２の配線１０８とを接続することができる。なお、分離層１１６ａ、１１６ｂ、１
１６ｄは、Ｔ字型の形状としてもよい。また、分離層１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｄの膜
厚は、１μｍ以上３μｍ以下とする。

発光素子１３０（３，２）及び発光素子１３０（３，３）に関しても同様の構成である。

絶縁膜１２６は、封止膜として機能する。絶縁膜１２６は、スパッタリング法、ＣＶＤ法
などを用いて形成される。絶縁膜１２６は、透光性及びバリア性を有する無機絶縁材料を
用いて形成することが好ましい。例えば、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化シ
リコン膜などを用いて形成すればよい。絶縁膜１２６は単層で又は積層して形成し、膜厚
は１００ｎｍ以上５００ｎｍとする。また、発光素子の上面を覆う絶縁膜１２６を設ける
ことで、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

本発明の一態様に係る発光装置は、逆テーパ形状の分離層を用いることによって、発光素
子間の間隔を狭めることができるため、発光素子ユニットの集積化を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る発光装置は、発光素子を形成するためのメタルマスクを用い
ずに作製することができるため、発光素子を形成するためのメタルマスクのたわみや反り
に起因したパターンの形成不良を抑制することができる。したがって、該発光装置を照明
装置に用いることで、基板に対して発光面積が大きく、パターンの形成不良が抑制された
照明装置とすることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る照明装置の作製方法について、図３乃至図５を
参照して説明する。なお、図３乃至図５に示す作製方法は、図１のＡ１−Ａ２の断面にお
ける工程である。

まず、基板１００上に下地膜として絶縁膜１０２を形成する。基板１００及び絶縁膜１０
２については、実施の形態１の記載を参酌できる。本実施の形態では、基板１００として
、ステンレス基板を用いる。また、絶縁膜１０２として、ＣＶＤ法により、厚さ１００ｎ
ｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。

次に、絶縁膜１０２上に、第１の配線１０４を形成する。本実施の形態では、第１の配線
１０４として、銀ペーストを用い、印刷法により厚さ２０μｍの銀を含む膜を形成する（
図３（Ａ）参照）。

次に、第１の配線１０４を覆う平坦化膜として絶縁膜１０６を形成する。本実施の形態で
は、絶縁膜１０６として、厚さ１０μｍのエポキシ樹脂を用いる。第１の配線１０４上に
、印刷法によりエポキシ樹脂を形成し、クリーンオーブンにて、２３０℃で焼成して形成
すればよい。その後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、第
１の配線１０４の一部を露出する。

次に、絶縁膜１０６上に第２の配線１０８を形成する。本実施の形態では、第２の配線１
０８として、銀ペーストを用い、印刷法により厚さ２０μｍの銀を含む膜を形成する（図
３（Ｂ）参照）。

次に、第２の配線１０８が形成された領域にマスクを形成し、絶縁膜１０６上に導電膜を
形成する。ここで、導電膜として、スパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜
、チタン膜を順に積層する。膜厚は、それぞれ５０ｎｍ、２００ｎｍ、３ｎｍとする。そ
の後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、第１の電極層１１
２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを形成する。なお、第１の電極層１１２ａ、１１２ｂ、１１２
ｃを形成した後に、マスクを除去する。また、第１の配線１０４と、第１の電極層１１２
ａとは、接している。

本実施の形態では、第２の配線１０８と、第１の電極層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを
別々の工程で形成する場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。
例えば、第２の配線１０８及び第１の電極層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを同一の工程
で形成しても良い。具体的には、絶縁膜１０６を形成した後、スパッタリング法にて、導
電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、第２の配
線１０８及び第１の電極層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを形成する。その場合には、発
光装置の作製工程を簡略化することができる。

次に、第１の電極層１１２ａ〜１１２ｃ上に絶縁膜を形成する。ここで、絶縁膜として、
塗布法により、厚さ１５００ｎｍのポリイミド膜を形成する。ポリイミド膜は、基板に塗
布後、クリーンオーブンにて３２０℃で焼成して形成すればよい。その後、フォトリソグ
ラフィ工程を行うことにより、隔壁１１４ａ〜１１４ｆを形成する（図３（Ｃ）参照）。

隔壁１１４ｂは、第１の電極層１１２ａ及び第１の電極層１１２ｂの端部を覆い、隔壁１
１４ｄは、第１の電極層１１２ｂ及び第１の電極層１１２ｃの端部を覆い、隔壁１１４ｆ
は、第１の電極層１１２ｃの端部を覆う。また、隔壁１１４ａは、第１の電極層１１２ａ
上に形成され、隔壁１１４ｃは、第１の電極層１１２ｂ上に形成され、隔壁１１４ｅは、
第１の電極層１１２ｃ上に形成される。

次に、第１の電極層１１２ａ〜１１２ｃ上に逆テーパ状の分離層１１６ａ〜１１６ｃを形
成し、第２の配線１０８上に逆テーパ状の分離層１１６ｄを形成する（図４（Ａ）参照）
。逆テーパ状の分離層１１６ａ〜１１６ｄは、フォトリソグラフィ工程によって形成する
ことができる。分離層１１６ａ〜１１６ｄとして、ここでは、露光により現像液に対する
溶解性が低下するネガ型の感光性樹脂を用い、該感光性樹脂を露光、現像することにより
、分離層１１６ａ〜１１６ｄを形成する。分離層１１６ａ〜１１６ｄのテーパ角（被形成
面との接辺と分離層の側壁とのなす角）θは、１００度以上１３０度以下で形成すること
が好ましい。また、分離層１１６ａ〜１１６ｄの膜厚は、２μｍとする。

次に、有機化合物を含む層１２２ａ〜１２２ｃを形成する。有機化合物を含む層１２２ａ
〜１２２ｃは、蒸着法により形成することができる。このとき、有機化合物を含む層１２
２ａ〜１２２ｃは、蒸着源と基板との距離を適宜設定して成膜する。本実施の形態では、
有機化合物を含む層が分離層１１６ａ〜１１６ｄの下への回り込むことを抑制するために
、蒸着源と基板との距離を離して成膜することが好ましい。これにより、有機化合物を含
む層１２２ａ〜１２２ｃは、分離層１１６ａ〜１１６ｄにより、物理的に分断することが
できる。

次に、第２の電極層１２４ａ〜１２４ｃを形成する。第２の電極層１２４ａ〜１２４ｃは
、透光性を有することが好ましい。ここでは、第２の電極層１２４ａ〜１２４ｃとして、
スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのインジウム錫酸化物膜を形成する。本実施の
形態では、第２の電極層１２４ａ〜１２４ｃが有機化合物を含む層１２２ａ〜１２２ｃの
端部を越えて分離層１１６ａ〜１１６ｄの下への回り込むことを促進するために、ターゲ
ットと基板との距離を近づけて成膜することが好ましい。これにより、第２の電極層１２
４ａ〜１２４ｃは、有機化合物を含む層１２２ａ〜１２２ｃと比べ分離層１１６ａ〜１１
６ｄの下へ回り込むように成膜することができる。また、分離層１１６ａ〜１１６ｄのテ
ーパ角（被形成面との接辺と分離層の側壁とのなす角）θを、１００度以上１３０度以下
とすることにより、第２の電極層１２４ａは、第１の電極層１１２ｂと接するように成膜
され、第２の電極層１２４ｂは第１の電極層１１２ｃと接するように成膜され、第２の電
極層１２４ｃは第２の配線１０８と接するように成膜される。この結果、第２の電極層１
２４ａと第１の電極層１１２ｂとが接続され、第２の電極層１２４ｂと第１の電極層１１
２ｃとが接続され、第２の電極層１２４ｃと第２の配線１０８とが接続される。

以上の工程により、基板上に直列に接続された発光素子１３０（１，１）〜１３０（１，
３）を形成することができる（図４（Ｂ）参照）。図１及び図２に示す発光素子ユニット
２００において、各行の発光素子列は、分離層によって分離されている。これにより、各
行の発光素子列が並列に接続された発光素子ユニット２００を作製することができる。ま
た、各発光素子の間隔は、分離層の幅によって決定される。したがって、分離層の幅を狭
く設定することで、発光素子の集積化を図ることができる。

次に、基板１００上に形成された発光素子ユニット２００を覆うように絶縁膜１２６を形
成する。絶縁膜１２６として、スパッタリング法により、酸化アルミニウム膜を成膜する
。絶縁膜１２６として、酸化アルミニウム膜を用いることにより、発光素子に不純物や水
分が混入することを防止することができる。これにより、発光素子の劣化を抑制すること
ができる。

本実施の形態では、分離層１１６ａ〜１１６ｄとして、ネガ型の感光性樹脂を用いて形成
する場合について説明したが、２種類の感光性樹脂を用いて形成することもできる。２種
類の感光性樹脂を用いて分離層を形成する方法を、図５を参照して説明する。

まず、図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）で説明した工程に従って、隔壁１１４ａ〜１１４ｆまで
形成した後、絶縁膜１１７及び絶縁膜１１８を順に形成する（図５（Ａ）参照）。本実施
の形態では、絶縁膜１１７は、絶縁膜１１８よりも露光に用いる光に対する感光性が低い
材料を用いる。この感光性の違いは、絶縁膜１１７及び絶縁膜１１８に、同じ強度の光を
照射した場合、感光性が低い絶縁膜１１７は、絶縁膜１１８よりもパターン径が小さくな
ることを意味する。

次に、絶縁膜１１７及び絶縁膜１１８に、選択的に光を照射する。その後、現像処理を行
うことにより、絶縁膜１１７によって形成された絶縁物（脚部１１７ａ〜１１７ｄ）、及
び絶縁膜１１８によって形成された絶縁物（台部１１８ａ〜１１８ｄ）を有する分離層１
１９ａ〜１１９ｄを形成することができる（図５（Ｂ）参照）。絶縁膜１１７及び絶縁膜
１１８に、選択的に光を照射する際に、分離層１１９ａ〜１１９ｄは、上記感光性の違い
により、台部１１８ａ〜１１８ｄを投影した面積よりも、脚部１１７ａ〜１１７ｄが被形
成面と接する面積の方が小さい形状となる。

その後、有機化合物を含む層１２２ａ〜１２２ｃ及び第２の電極層１２４ａ〜１２４ｃを
形成した後、絶縁膜１２６を形成することによって、発光素子１３０（１，１）〜１３０
（１，３）を形成することができる（図５（Ｃ）参照）。

以上説明したように、本発明の一態様に係る発光装置は、逆テーパ形状の分離層を用いる
ことによって、各発光素子の間隔を狭めることができるため、発光素子ユニットの集積化
を図ることができる。また、本発明の一態様に係る発光装置は、発光素子を形成するため
のメタルマスクを用いずに作製することができるため、発光素子を形成するためのメタル
マスクのたわみや反りに起因したパターンの形成不良を抑制することができる。また、メ
タルマスクに付着したパーティクルを、メタルマスクから基板に転写することが起こらな
いため、製造時の歩留まりを上げて、製造コストの削減を図ることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、先の実施の形態に示した発光装置を用いた照明装置について、図６を
参照して説明する。

図６に、本発明の一態様に係る照明装置の断面図を示す。照明装置の光源として、発光素
子ユニット２００を含む発光装置を用いることができる。

基板１００上に、絶縁膜１０２を介して第１の配線１０４が設けられ、第１の配線１０４
上に絶縁膜１０６を介して第２の配線１０８及び発光素子ユニット２００が設けられてい
る。また、基板１００と、光学素子１５２とが、シール材１５４を用いて貼り合わされて
いる。また、基板１００と光学素子１５２とシール材１５４とによって囲まれた空間には
、高屈折樹脂１５６が充填されている。また、基板１００において、シール材１５４によ
って囲まれた領域の外側には、コンバータ１５０ａ、１５０ｂが設けられている。

発光素子ユニット２００として、先の実施の形態で説明した構成を用いることができる。
また、発光素子ユニット２００は、第１の配線１０４を介してコンバータ１５０ａと接続
されており、また、第２の配線１０８を介してコンバータ１５０ｂと接続されている。

コンバータ１５０ａ、１５０ｂは、例えば、家庭用の交流電源から出力される電圧を直流
電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータや、ＤＣ−ＤＣコンバータなどを用いることができ
る。コンバータ１５０ａと接続される第１の配線１０４と、コンバータ１５０ｂと接続さ
れる第２の配線１０８には、異なる電圧が出力される。これにより、発光素子ユニット２
００は、第１の配線１０４及び第２の配線１０８の電位差により電流が流れ、発光する。

発光素子ユニットを複数並列する場合、発光素子ユニットの数は、コンバータ１５０ａ、
１５０ｂの出力特性に応じて適宜設定すればよい。コンバータ１５０ａ、１５０ｂが流す
ことができる電流が多いほど、多くの発光素子ユニットを並列に接続することができる。

シール材１５４としては公知の材料を用いることができる。例えば、熱硬化型の材料、紫
外線硬化型の材料を用いる。シール材１５４には、基板１００と光学素子１５２とを接着
することができる材料を用いる。また、シール材１５４はできるだけ水分や酸素を透過し
ない材料であることが望ましい。また、乾燥剤入りのシール材を用いることもできる。

発光素子ユニットの発光を上面から取り出す場合、光取り出し効率を向上させるために、
基板１００と光学素子１５２とシール材１５４とによって囲まれた空間には、高屈折樹脂
１５６を充填することが好ましい。

また、高屈折樹脂１５６は、発光素子ユニットの発光領域よりも屈折率が低く、光学素子
１５２よりも屈折率が高いことが好ましい。これにより、発光素子ユニット２００の発光
を良好に取り出すことができる。なお、高屈折樹脂１５６が接着機能を有している場合、
高屈折樹脂１５６により、基板１００と光学素子１５２とを接着することができるため、
シール材１５４は用いなくてもよい。

光学素子１５２として、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸の構造が施されたフ
ィルム、光拡散フィルム等を用いることができる。本実施の形態では、一方の面には、凸
部が複数形成されており、他方の面には、凹部が複数形成されている光学素子を用いる。
このとき、一方の面に形成された凸部の大きさは、発光素子の発光領域よりも大きいこと
が好ましい。また、他方の面に形成された凹部の大きさは、発光素子の発光領域よりも小
さいことが好ましい。これにより、高屈折樹脂１５６と光学素子１５２との境界面で生じ
る全反射を抑制することができるため、発光素子ユニット２００の発光を良好に外部に取
り出すことができる。

本実施の形態に示す構成を採用することにより、発光素子ユニットからの光取り出し効率
が向上した照明装置とすることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置に用いる有機ＥＬ発光を呈する発光素
子の素子構造の一例について説明する。有機ＥＬ発光を呈する発光素子は、ＬＥＤと比較
して発熱が小さい。したがって、筐体として有機樹脂を用いることができるため、発光装
置として軽量化が可能となり、好ましい。

図７（Ａ）に示す発光素子は、第１の電極層３０４と、第１の電極層３０４上にＥＬ層３
０６と、ＥＬ層３０６上に、第２の電極層３０８を有する。第１の電極層３０４は、先の
実施の形態に示す第１の電極層１１２ａ〜１１２ｃに相当し、ＥＬ層３０６は、有機化合
物を含む層１２２ａ〜１２２ｃに相当する。第２の電極層３０８は、先の実施の形態に示
す第２の電極層１２４ａ〜１２４ｃに相当する。

ＥＬ層３０６は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていれば良い。そ
のほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の
高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及
び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができ
る。本実施の形態において、ＥＬ層３０６は、第１の電極層３０４側から、正孔注入層７
０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、及び電子注入層７０５の順
で積層されている。

図７（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。

まず、第１の電極層３０４を形成する。第１の電極層３０４は、光の取り出し方向と反対
側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、
アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバ
ルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウム
とチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などの
アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用い
ることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合
金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑
制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなど
が挙げられる。上述の材料は、地殻における存在量が多く安価であるため、発光素子の作
製コストを低減することができ、好ましい。

次に、第１の電極層３０４上に、ＥＬ層３０６を形成する。本実施の形態において、ＥＬ
層３０６は、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、
及び電子注入層７０５を有する。

電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リ
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができ
る。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。

電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質とし
ては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４
−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロ
キシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キ
ノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２
）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴ
Ｚ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いること
ができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス
［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］
ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナ
ントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いること
ができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物
質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上
積層したものとしてもよい。

発光層７０３は、発光性の有機化合物を含む層である。発光性の有機化合物としては、例
えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる
。赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）のすべての発光に燐光性化合物を用いると、高い発光効率を
得ることができる。

発光層７０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料と
して、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−
ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバ
ゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（
略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙
げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリ
ル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、
Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９
−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９
，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェ
ニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル
−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレン
ジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−
２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル
アントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアン
トラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光
材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１
−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料と
して、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−
ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テト
ラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジ
アミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層７０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光
材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］
イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス
［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略
称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニ
ル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩ
ｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェ
ニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス
（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（
略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃ
ａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート
（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料と
して、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４
’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチ
アゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ
）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニ
ル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）
_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，
５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）_２（ａ
ｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキ
ノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フ
ェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉ
ｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フ
ェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ
））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラ
ジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））など
が挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α
］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’
）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））
、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセト
ナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェ
ニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））、２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白
金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチ
ルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ
）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノ
フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、
トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナン
トロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類
金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐
光性化合物として用いることができる。

なお、発光層７０３としては、上述した発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（
ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いる
ことができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌
道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。

ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（
略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（Ｉ
Ｉ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェ
ノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（
ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビ
ス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’
，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュ
プロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−ア
ントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−
９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称
：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称
：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、
９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイ
ル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル
）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５
−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称
：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェ
ニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−
Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−
アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル
−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：Ｐ
ＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）
、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができ
る。

また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレ
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。

ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層７０３の結晶化を抑
制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制すること
ができる。

また、発光層７０３として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発
光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ
）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメ
トキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオ
クチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）
−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑
色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９
，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３
］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチ
ル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−
エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系
の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フ
ェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−
ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シ
アノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシ
ロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５
−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ
−ＤＰＤ）などが挙げられる。

なお、発光層を２層以上の積層構造としても良い。発光層を２層以上の積層構造とし、各
々の発光層に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる
。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードな
スペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。特に、高輝度が必要とされる照明用途
には、発光層を積層させた構造が好適である。

正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とし
ては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチ
ルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）
、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニル
アミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。
ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が
二層以上積層したものとしてもよい。

また、正孔輸送層７０２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導
体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良
い。

また、正孔輸送層７０２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤな
どの高分子化合物を用いることもできる。

正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質とし
ては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、
ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸
化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることがで
きる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：Ｃ
ｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。

また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４
，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニ
ル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−
Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰ
Ｄ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル
）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，
６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（
９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：Ｐ
ＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる
。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられ
る。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳ
Ｓ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。

特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含
有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることにより、第２の電極層３０８からの正孔注入性を良好
にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の
高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材
料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第２の電極層３０８からＥＬ層３０
６への正孔注入が容易となる。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ
、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ
１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−
４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ
）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：Ｃ
ＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：Ｔ
ＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル
）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カ
ルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘
導体を用いることができる。

また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９
，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−
ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（
略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ
−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン
、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。

さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、
９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，
１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス
［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブ
チル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）
ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）
フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフ
ルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属
酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属
の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタ
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電
子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸
湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物
と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層７０１に用いてもよい。

なお、上述した電子注入層７０５、電子輸送層７０４、発光層７０３、正孔輸送層７０２
、及び正孔注入層７０１は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法
、塗布法等の方法で形成することができる。

ＥＬ層は、図７（Ｂ１）（Ｂ２）に示すように、第１の電極層３０４と第２の電極層３０
８との間に複数積層されていても良い。図７（Ｂ１）は第１の電極層３０４と第２の電極
層３０８との間に、第１ＥＬ層８００と第２ＥＬ層８０１とを間に電荷発生層８０３とを
設けて積層し、ＥＬ層を２層有する例であり、図７（Ｂ２）は第１の電極層３０４と第２
の電極層３０８との間に第１ＥＬ層８００と、第２ＥＬ層８０１と、第３ＥＬ層８０２と
を間に電荷発生層８０３ａ、電荷発生層８０３ｂとを設けて積層し、ＥＬ層を３層有する
例である。

ＥＬ層を積層する場合、積層されたＥＬ層（第１ＥＬ層８００、第２ＥＬ層８０１、第３
ＥＬ層８０２）の間には、電荷発生層（電荷発生層８０３、８０３ａ、８０３ｂ）を設け
ることが好ましい。電荷発生層８０３、８０３ａ、８０３ｂは上述の複合材料で形成する
ことができる。また、電荷発生層８０３、８０３ａ、８０３ｂは複合材料からなる層と他
の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子
供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いるこ
とができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が
起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素
子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ること
も容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。

図７（Ｂ１）（Ｂ２）に示すように積層されるＥＬ層の間に電荷発生層を配置すると、電
流密度を低く保ったまま、高輝度でありながら長寿命な素子とできる。また、電極材料の
抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。

また、ＥＬ層が２層積層された構成を有する積層型素子の場合において、第１ＥＬ層から
得られる発光の発光色と第２ＥＬ層から得られる発光の発光色を補色の関係にすることに
よって、白色発光を外部に取り出すことができる。なお、第１ＥＬ層および第２ＥＬ層の
それぞれが補色の関係にある複数の発光層を有する構成としても、白色発光が得られる。
補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。青色、黄色
、青緑色、赤色に発光する物質としては、例えば、先に列挙した発光物質の中から適宜選
択すればよい。

以下に、複数のＥＬ層が積層する構成を有する発光素子の一例を示す。まず第１ＥＬ層お
よび第２ＥＬ層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有し、白色発光が得られる
構成の一例を示す。

例えば、第１ＥＬ層は、青色〜青緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す
第１発光層と、黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第２発光層
とを有し、第２ＥＬ層は、青緑色〜緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示
す第３発光層と、橙色〜赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第４発光
層とを有するものとする。

この場合、第１ＥＬ層からの発光は、第１発光層および第２発光層の両方からの発光を合
わせたものであるので、青色〜青緑色の波長領域および黄色〜橙色の波長領域の両方にピ
ークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第１ＥＬ層は２波長型の白色または白色
に近い色の発光を呈する。

また、第２ＥＬ層からの発光は、第３発光層および第４発光層の両方からの発光を合わせ
たものであるので、青緑色〜緑色の波長領域および橙色〜赤色の波長領域の両方にピーク
を有する発光スペクトルを示す。すなわち、第２ＥＬ層は、第１ＥＬ層とは異なる２波長
型の白色または白色に近い色の発光を呈する。

したがって、第１ＥＬ層からの発光および第２ＥＬ層からの発光を重ね合わせることによ
り、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域、黄色〜橙色の波長領域、橙色〜
赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。

また、黄色〜橙色の波長領域（５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満）は、視感度の高い波長領
域であるため、発光スペクトルのピークが黄色〜橙色の波長領域にある発光層を有するＥ
Ｌ層を発光層に適用することは有用である。例えば、発光スペクトルのピークが青色の波
長領域にある発光層を有する第１ＥＬ層と、発光スペクトルのピークが黄色の波長領域に
ある発光層を有する第２ＥＬ層と、発光スペクトルのピークが赤色の波長領域にある発光
層を有する第３ＥＬ層と、を積層させた構成を適用することができる。

また、黄色〜橙色を呈するＥＬ層を２層以上積層する構成としてもよい。黄色〜橙色を呈
するＥＬ層を２層以上積層することによって発光素子の電力効率をより向上させることが
できる。

例えば、図７（Ｂ２）のようにＥＬ層を３層積層させた発光素子を構成する場合において
、発光スペクトルのピークが青色の波長領域（４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満）にある発
光層を有する第１ＥＬ層に、発光スペクトルのピークが黄色〜橙色の波長領域にある発光
層をそれぞれ有する第２、第３ＥＬ層を積層する構成を適用することができる。なお、第
２ＥＬ層及び第３ＥＬ層からの発光スペクトルのピークの波長は、互いに同じであっても
よいし、異なっていてもよい。

ＥＬ層をより多層に積層すると発光素子の電力効率が向上するが、それに伴い作製工程が
煩雑化してしまうという問題がある。従って特に図７（Ｂ２）のように、ＥＬ層を３層積
層する構成であると、２層の場合と比べて電力効率が高く、４層以上とする場合比べて簡
略な工程で作製することができるため好ましい。

発光スペクトルのピークが黄色〜橙色の波長領域にあるＥＬ層を用いることにより、視感
度の高い波長領域を利用することができ、電力効率を高めることができる。これによって
、発光素子全体の電力効率を高めることができる。このような構成は、例えば緑色の発光
色を呈するＥＬ層と赤色の発光色を呈するＥＬ層とを積層して黄色〜橙色の発光を呈する
発光素子を得る場合と比較して視感度の観点で有利であり、電力効率を高められる。また
、黄色〜橙色の波長領域にある視感度の高い波長領域を利用したＥＬ層が１層のみの場合
と比較して、視感度の低い青色の波長領域の発光強度が相対的に小さくなるため、発光色
は電球色（あるいは温白色）に近づき、かつ電力効率が向上する。

つまり、上記において、黄色〜橙色の波長領域にピークを有し、かつ、ピークの波長が５
６０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満にある光と、青色の波長領域にピークを有する光と、を合成
した光の色（つまり、発光素子から発光される光の色）とを合わせることで、温白色や電
球色のような自然な光の色を実現することができる。特に電球色を実現が容易である。

黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、例えばピラジン誘導体を配
位子とする有機金属錯体を用いることができる。また、発光性の物質（ゲスト材料）を他
の物質（ホスト材料）に分散させることにより、発光層を構成することもできる。上記黄
色〜橙色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、燐光性化合物を用いることが
できる。燐光性化合物を用いることにより、蛍光性化合物を用いた場合と比べて電力効率
を３〜４倍高めることができる。上述したピラジン誘導体を配位子とする有機金属錯体は
燐光性化合物であり、発光効率が高い上に、黄色〜橙色の波長領域の発光を得やすく、好
適である。

また、青色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、例えばピレンジアミン誘導
体を用いることができる。上記青色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、蛍
光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物を用いることにより、燐光性化合物を用
いた場合と比べて長寿命の発光素子を得ることができる。上述したピレンジアミン誘導体
は蛍光性化合物であり、極めて高い量子収率が得られる上に、長寿命であるため、好適で
ある。

ＥＬ層は、図７（Ｃ）に示すように、第１の電極層３０４と第２の電極層３０８との間に
、複合材料層７０８、電子リレー層７０７、電子注入バッファー層７０６、電子輸送層７
０４、発光層７０３、正孔輸送層７０２、及び正孔注入層７０１を有していても良い。

複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有
させた複合材料を用いることができる。

さらに、電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７
０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電
子輸送層７０４に容易に注入することができる。

電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（
酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む
）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金
属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略
称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもで
きる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同
様の材料を用いて形成することができる。

さらに、電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７
を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を
速やかに送ることが可能となる。

複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた
構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０
６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。

電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭ
Ｏ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送
層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層７０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４
に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネ
ルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵ
ＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよ
い。

電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、Ｓ
ｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＩ） ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ
（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｚｉｎｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌ
ｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌ
ｏｃｙａｎｉｎｅ Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ２，９，１６，
２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）の
いずれかを用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がよ
り容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。

金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯ
Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＶ） ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）
及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ ｃｏ
ｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。

電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物
（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土
類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン
（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル−
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ ＰＴＣ）等が挙
げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］
フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２Ｐ
ＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称
：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオ
ロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤ
Ｉ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，５
’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（略称：ＤＣＭＴ）、メタ
ノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル等を用いること
ができる。

なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すれば良い。

正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、及び電子輸送層７０４は前述の材
料を用いてそれぞれ形成すれば良い。

そして、ＥＬ層３０６上に、第２の電極層３０８を形成する。

第２の電極層３０８は、ＥＬ層から見て、光の取り出し方向に設けられるため、透光性を
有する材料を用いて形成する。

透光性を有する材料としては、酸化インジウム、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化
亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。

また、第１の電極層３０４として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブ
デン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。
または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた照明装置の一例につい
て、図８を用いて説明する。

本発明の一態様では、発光部が曲面を有する照明装置を実現することができる。

本発明の一態様の一態様に係る照明装置は、自動車の照明にも適用することができ、例え
ば、ダッシュボードや、天井等に照明を設置することもできる。

図８（Ａ）では、本発明の一態様に係る発光装置を適用した、室内の照明装置９０１、壁
面に設ける照明装置９０４、及び卓上照明器具９０３を示す。本発明の一態様に係る発光
装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他
、ロール型の照明装置９０２として用いることもできる。

図８（Ｂ）に別の照明装置の例を示す。図８（Ｂ）に示す卓上照明装置は、照明部９５０
１、支柱９５０３、支持台９５０５等を含む。照明部９５０１は、本発明の一態様に係る
発光装置を含む。このように、本発明の一態様に係る発光装置を用いることにより、曲面
を有する照明装置、又はフレキシブルに曲がる照明部を有する照明装置を実現することが
できる。このように、フレキシブルな発光装置を照明装置として用いることで、照明装置
のデザインの自由度が向上するのみでなく、例えば、自動車の天井、ダッシュボード等の
曲面を有する場所にも照明装置を設置することが可能となる。

本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

１００ 基板
１０２ 絶縁膜
１０４ 第１の配線
１０６ 絶縁膜
１０８ 第２の配線
１１２ａ 第１の電極層
１１２ｂ 第１の電極層
１１２ｃ 第１の電極層
１１４ａ 隔壁
１１４ｂ 隔壁
１１４ｃ 隔壁
１１４ｄ 隔壁
１１４ｅ 隔壁
１１４ｆ 隔壁
１１４ｇ 隔壁
１１４ｈ 隔壁
１１６ａ 分離層
１１６ｂ 分離層
１１６ｃ 分離層
１１６ｄ 分離層
１１７ 絶縁膜
１１７ａ 脚部
１１７ｄ 脚部
１１８ 絶縁膜
１１８ａ 台部
１１８ｄ 台部
１１９ａ 分離層
１１９ｄ 分離層
１２２ａ 有機化合物を含む層
１２２ｂ 有機化合物を含む層
１２２ｃ 有機化合物を含む層
１２４ａ 第２の電極層
１２４ｂ 第２の電極層
１２４ｃ 第２の電極層
１２６ 絶縁膜
１３０ 発光素子
１３２ 発光素子
１５０ａ コンバータ
１５０ｂ コンバータ
１５２ 光学素子
１５４ シール材
１５６ 高屈折樹脂
２００ 発光素子ユニット
２０２ 発光素子ユニット
３０４ 第１の電極層
３０６ ＥＬ層
３０８ 第２の電極層
７０１ 正孔注入層
７０２ 正孔輸送層
７０３ 発光層
７０４ 電子輸送層
７０５ 電子注入層
７０６ 電子注入バッファー層
７０７ 電子リレー層
７０８ 複合材料層
８００ ＥＬ層
８０１ ＥＬ層
８０２ ＥＬ層
８０３ 電荷発生層
８０３ａ 電荷発生層
８０３ｂ 電荷発生層
９０１ 照明装置
９０２ 照明装置
９０３ 卓上照明器具
９０４ 照明装置

Claims (2)

1. 第１の配線と、
   前記第１の配線上の、絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の、第２の配線と、
   発光素子と、を有し、
   前記発光素子は、第１の電極層と、前記第１の電極層上の、有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の、第２の電極層とを有し、
   前記第２の電極層は、透光性を有し、
   前記第１の電極層の端部を覆う、隔壁層を有し、
   前記隔壁層よりも高さの高い、分離層を有し、
   前記有機化合物を含む層は、第１乃至第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記分離層と接する領域であり、
   前記第２の領域は、前記隔壁層と接する領域であり、
   前記第３の領域は、前記第１の電極層と接する領域であり、
   前記第１の電極層は、前記第１の配線と電気的に接続されており、
   前記分離層の断面は、被形成面と接する辺の幅が狭く、対向する辺の幅が広い形状を有することを特徴とする発光装置。
2. 基板と、
   前記基板上の第１の配線と、
   前記第１の配線上の、絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の、第２の配線と、
   発光素子と、を有し、
   前記発光素子は、第１の電極層と、前記第１の電極層上の、有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の、第２の電極層とを有し、
   前記第２の電極層は、透光性を有し、
   前記第１の電極層の端部を覆う、隔壁層を有し、
   前記隔壁層よりも高さの高い、分離層を有し、
   前記分離層上の樹脂と、
   前記樹脂上の光学素子と、を有し、
   前記有機化合物を含む層は、第１乃至第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記分離層と接する領域であり、
   前記第２の領域は、前記隔壁層と接する領域であり、
   前記第３の領域は、前記第１の電極層と接する領域であり、
   前記第１の電極層は、前記第１の配線と電気的に接続されており、
   前記分離層の断面は、被形成面と接する辺の幅が狭く、対向する辺の幅が広い形状を有し、
   前記樹脂は、前記発光素子の発光領域及び前記光学素子よりも屈折率が高く、
   前記樹脂は、前記基板と前記光学素子とを接着する機能を有することを特徴とする発光装置。

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