JP2017053953A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 液晶表示装置において表示している画像の焼き付きの程度を精度良く検出できないため、液晶パネルの焼き付きを防止することが難しかった。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明の表示装置は、入力画像データに基づく画像を表示する液晶表示素子と、を備える液晶表示装置であって、前記入力画像データに基づいて、対象画素と該対象画素と特定方向において隣接する画素との階調差の時間積算値を求める演算手段と、を備えることを特徴としている。【選択図】 図1
Description
本発明は、プロジェクタやテレビ等の画像表示装置に関するものであり、特に液晶パネルを用いた液晶表示装置に関する発明である。
従来の液晶表示装置において、液晶パネルによる、ECB(Electrically Controlled Birefringence)効果を利用して入射光に位相差を与えて画像を形成する技術は多く用いられている。
このECB効果を用いて光強度を変調する液晶表示素子においては、液晶層に電圧(電界、電位差)を印加するため、液晶層に存在するイオン性物質が移動する。もし直流電圧を液晶層に与え続けると、イオン性物質が対向する2つの電極のどちらかに引き寄せられてしまう。そうすると、液晶層に与えられた電圧の一部が移動したイオン性物質によって形成される電圧によって相殺されてしまい、所望の強度の電圧を液晶層に与えられなくなってしまう。
この問題を避けるために、例えば、特許文献1では、動画/静止画判定手段を有し、静止画が続くと焼き付きが発生したと判断し、画像の表示位置を変化させる方法を開示している。
また、特許文献2では、シーンチェンジ検出器と計時カウンタを有し、シーンが切り替わるまでの時間をカウントし、そのカウントした時間が所定時間以上になると画像の表示位置を変化させる方法を開示している。
しかしながら、静止画が続く、或いはシーンがチェンジしないからといって、必ずしも焼き付きが発生する訳ではないし、動画であったり、或いはシーンがチェンジしたりしても焼き付きが発生する可能性がある。
そこで、本発明の目的は、焼き付きの発生を高精度に把握することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、入力画像データに基づく画像を表示する液晶表示素子と、を備える液晶表示装置であって、前記入力画像データに基づいて、対象画素と該対象画素と特定方向において隣接する画素との階調差(を変換した評価値)の時間積算値を求める演算手段と、を備えることを特徴としている。
本発明によると、液晶表示装置において表示する画像について特定方向における隣接画素との階調差の時間積算値を求めることにより、特定方向におけるエッジの焼き付きの程度を精度よく把握することが可能となる。
(実施例1)
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施例である液晶表示装置1を説明する。ここで、図2は、液晶表示装置1を示す構成図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施例である液晶表示装置1を説明する。ここで、図2は、液晶表示装置1を示す構成図である。
液晶表示装置1は、画像をスクリーン200に表示する機能を有する。液晶表示装置1は、本実施例では、反射型液晶表示素子(反射型液晶表示素子等の画像形成素子)を搭載した投射型液晶表示装置である。液晶表示装置1は、筐体1aと、ランプ10と、照明光学系20と、色分解合成光学系30と、投射レンズ光学系40と、液晶表示素子50と、メモリ60と、制御手段70と、演算手段80を有する。
筐体1aは、液晶表示装置1を構成する部材を固定し収納する。筐体1aは、本実施例では、矩形状の立方体である。また、筐体1aは、投射レンズ光学系40の一部が、外部に露出している。そして、筐体1aは、例えば、液晶表示装置1の傾きを調整する調整機構を有している。尚、投射レンズ光学系40の一部は、本実施例では、外部に露出しているが、筐体1a内に収納されていてもよい。
ランプ10は、光を生成する機能を有する。ランプ10は、発光管11と、リフレクタ12とを有する。この場合、γは、液晶表示装置1の光軸である。
発光管11は、連続スペクトルで、白色光を発光する機能を有する。発光管11は、図示しない電源供給部によって電源を供給している。
リフレクタ12は、発光管11からの光を所定の方向に集光する機能を有する。そのため、リフレクタ12は、反射率の高いミラー等によって構成されており、半球形状を有する。
照明光学系20は、ランプ10からの光を色分解合成光学系30に伝達する機能を有する。照明光学系20は、シリンダアレイ21及び22と、紫外線吸収フィルタ23と、偏光変換素子24と、フロントコンプレッサ25と、全反射ミラー26と、コンデンサーレンズ27と、リアコンプレッサ28とを有する。
シリンダアレイ21及び22は、カメラ、検出器、走査装置内等に組み込まれている感光素子の複合体である。シリンダアレイ21は、光軸γに対して垂直方向に屈折力を有するレンズアレイである。シリンダアレイ22は、シリンダアレイ21の個々のレンズに対応したレンズアレイを有する。本実施例では、シリンダアレイ21は、ランプ10の前方に配置され、シリンダアレイ22は、後述する紫外線吸収フィルタ23の前方に配置される。
紫外線吸収フィルタ23は、紫外線を吸収する機能を有する。紫外線吸収フィルタ23は、シリンダアレイ21とシリンダアレイ22との間に配置される。
偏光変換素子24は、無偏光光を所定の偏光光に変換する機能を有する。偏光変換素子24は、シリンダアレイ22の前方に配置される。
フロントコンプレッサ25は、水平方向において屈折力を有するシリンドリカルレンズで構成されている。フロントコンプレッサ25は、偏光変換素子24の前方に配置される。
全反射ミラー26は、ランプ10からの光を反射する機能を有する。全反射ミラー26は、本実施例では、光軸を90度変換する。全反射ミラー26は、フロントコンプレッサ25の前方に配置される。
コンデンサーレンズ27は、ランプ10からの光を集め、投影レンズの瞳内に光源の像を結ばせることによって、物体を均等に照明する。コンデンサーレンズ27は、全反射ミラー26の前方に配置される。
リアコンプレッサ28は、水平方向において屈折力を有するシリンドリカルレンズで構成されている。リアコンプレッサ28は、コンデンサーレンズ27の前方に配置されている。
色分解合成光学系30は、ランプ10からの光を分解及び合成する機能を有する。色分解合成光学系30は、ダイクロイックミラー31と、偏光板32と、偏光ビームスプリッター33と、1/4波長板35と、色選択性位相差板36とを有する。
ダイクロイックミラー31は、青(B)と赤(R)の波長領域の光を反射し、緑(G)の波長領域の光を透過する。ダイクロイックミラー31は、リアコンプレッサ28の前面に配置される。
偏光板32は、S偏光光のみを透過させる機能を有する。偏光板32は、偏光板32a、32b及び32cとを有する。偏光板32aは、透明基板に偏光素子を貼り合わせた緑用の入射側偏光板であり、S偏光光のみ透過する。偏光板32aは、ダイクロイックミラー31の前方に配置されている。偏光板32bは、透明基板に偏光素子を貼り合わせた赤青用の入射側偏光板であり、S偏光光のみ透過する。偏光板32bは、ダイクロイックミラー31の前方に配置されている。偏光板32cは、透明基板に偏光素子を貼り合わせた赤青用の出射側偏光板(偏光素子)であり、S偏光のみを透過する。
偏光ビームスプリッター33は、P偏光光を透過し、S偏光光を反射する。偏光ビームスプリッター33は、偏光分離面を有する。偏光ビームスプリッター33は、偏光ビームスプリッター33a、33b及び33cを有する。偏光ビームスプリッター33aは、P偏光光を透過し、S偏光光を反射する。偏光ビームスプリッター33aは、偏光板32aの前面に配置される。偏光ビームスプリッター33bは、P偏光光を透過し、S偏光光を反射する。偏光ビームスプリッター33bは、色選択性位相差板36aの前面に配置される。偏光ビームスプリッター33cは、P偏光光を透過し、S偏光光を反射する。偏光ビームスプリッター33cは、偏光ビームスプリッター33aの前面に配置される。
1/4波長板35は、位相差を与える機能を有する。1/4波長板35は、1/4波長板35R、35G及び35Bとを有する。1/4波長板35Rは、偏光ビームスプリッター33bと後述する液晶表示素子50Rとの間に配置される。1/4波長板35Gは、偏光ビームスプリッター33aと後述する液晶表示素子50Gとの間に配置される。1/4波長板35Bは、偏光ビームスプリッター33bと後述する液晶表示素子50Bとの間に配置される。
色選択性位相差板36は、特定の光の偏光方向を90度変換する機能を有する。色選択性位相差板36aは、青色の光の偏光方向を90度変換し、赤色の光の偏光方向は変換しない。色選択性位相差板36aは、偏光板32bと偏光ビームスプリッター33bとの間に配置される。色選択性位相差板36bは、赤色の光の偏光方向を90度変換し、青色の光の偏光方向は変換しない。色選択性位相差板36bは、偏光板32cと偏光ビームスプリッター33bとの間に配置される。
投射レンズ光学系(投射手段)40は、照明光学系20及び色分解合成光学系30を介したランプ10からの光を照射する。投射レンズ光学系40は、鏡筒40aの内部に含まれる不図示の複数の光学素子を備えている。また、投射レンズ光学系40は、スクリーン200に投射された投射画像をシフトすることが可能な、シフト機構41を有する。
液晶表示素子50は、ランプ10からの光を反射すると共に画像を変調する機能を有する。液晶表示素子50は、液晶表示素子50R、50G及び50Bを有しており、この液晶表示素子50の断面図を図3に示す。液晶表示素子50(50R、50G及び50B)は、対向基板51と、液晶材料(液晶層)55と、駆動基板56を備えている。ここで、前述の対向基板51は、ガラス基板52、ITO電極53、配向膜54を有しており、駆動基板56は、配向膜57、保護膜58、画素電極59を有している。
ここで、画像表示を行う際の液晶表示素子50の駆動について簡単に説明する。本実施例の液晶表示装置1は、1/60秒周期(1フレーム)ごとに表示する画像を変化させるように構成されており、1/60秒ごとの画像信号が液晶表示素子50に入力される。その際、本実施例の液晶表示装置1は、同一の画像信号に基づいて、略同じ大きさの正の電圧と負の電圧を1/120秒周期(1フィールド)で画素電極59を介して液晶層55に印加することによって、略同じ画像を2回表示する。すなわち、1/60秒周期の1フレームの画像信号に基づいて、1/120秒周期で液晶層55に対して正の電圧を印加して1フィールドの画像を表示し、その後液晶層55に同じ大きさの負の電圧を印加して1フィールドの画像を表示する駆動を行っている。従って、液晶層55に関しては電圧の直流成分が発生しなくなる。ここで、前述の正の電圧と負の電圧とは必ずしも同じ大きさである必要は無い。例えば、正の電圧に基づく画像と負の電圧に基づく画像との足し合わせ(或いは正の電圧の絶対値と負の電圧の絶対値の平均値)が、所望の画像(に対応する電圧値)になるように正の電圧と負の電圧を設定していれば、それでも構わない。
一方、液晶表示素子50には液晶層内55に水分を含むイオン性物質が混入してしまう。液晶表示素子50において前記の交流駆動を行い、電圧の直流成分を抑制することで、これらのイオン性物質の偏在を軽減している。さらに、近年は製造工程のクリーン化等で、イオン性物質の混入を抑制したり、交流駆動周波数を上げたりすることで、これらの偏在を軽減している。
しかしながら、液晶表示素子50はその特性上、液晶分子を任意の方向に並べる必要がある。これは、液晶表示素子50は液晶分子の複屈折性の変化を電圧に制御することにより、階調性を表示するためである。従って、液晶分子が整然と並んでいるため、液晶分子の動きに応じて液晶層55内では特定方向への流れが発生し、液晶層55に存在しているイオン性物質もその流れに沿って移動する。この特定方向は、配向膜の方向との関連性が高く、この特定方向と、配向膜による液晶分子の方向(光入射方向から見た際の液晶分子の屈折率楕円体の長軸が傾く方向)とが一致していると考えても良い。
また、液晶表示素子50は画像を表示する際に、画素ごとに画素電極59に異なる電圧を印加する。そのため、画素ごとの液晶分子の配向が変化している。特に、液晶分子の配向方向と、隣接画素の電圧の変化によって、図4に示したように液晶分子の配向方向の転移(ディスクリネーション)が発生することが知られている。このディスクリネーションが発生すると、液晶分子の並びの連続性が乱れる。従って、流れにより移動してきたイオン性物質がこのディスクリネーションが発生している箇所に滞留してしまう。この滞留したイオン性物質により、画素に印加している電圧が相殺されてしまう。そして、滞留したイオン性物質がある量を超えると、表示画像が変化したり、または別パターンを表示した際に、前のパターンが残像のように残ったりする現象、いわゆる焼き付きが発生してしまう。
本実施例として、図2に記載した液晶表示装置1に図示しない入力機器より画像が入力され、メモリ60と演算手段80と制御手段70を介して、その画像を液晶表示素子50にて表示を行う。液晶表示素子50にて画像を表示する手順は次の通りである。コンピュータ、動画再生機、メモリ等の入力機器からの画像の入力信号、すなわち入力画像データ(Vsig)をメモリ60にいったん保存する(格納する)。その後、演算手段80にて画像演算を行って液晶表示素子50に最適な駆動信号(Lcsig)に変換し、制御手段70がその駆動信号を用いて液晶表示素子を駆動して画像を表示する。駆動信号(LCsig)には、液晶表示素子50の画素電極59に印加する信号電圧とITO電極53に印加する共通電極電圧(Vcom)などが含まれる。また、画像はメモリ60に蓄えられ(格納され)、演算手段80により演算が行われる。
ここで、図1に記載のフローチャートに沿って、本実施例の動作を説明する。
入力信号(入力画像データ)より、1フレームの画像情報をメモリ60に保存(格納する)(Step1)。
保存された画像情報より、演算手段80にて特定方向の隣接画素との信号差(階調の差、輝度値の差、画素に印加する電圧の差等)を算出(Step2)。
その各画素における信号差を積算して(時間積算して、時間積分して、時間積算値を求めて)メモリ60に保存(Step3)。
積算値(時間積算値)を閾値(所定の値、所定の閾値)と比較し、閾値以下であればStep1を繰り返す。閾値以上であれば焼き付きが発生と判断する(Step4)。
以下に具体例を示す。
入力信号(入力画像データ)として、図6のようにA〜Iまでの画素に、それぞれSigA〜SigIまでの階調信号が入力機器より第1フレームとして入力される。この信号をメモリ60に保存する。
ここで、本実施例においては、画素(対象画素)Eに着目して説明する。
まず、本実施例の液晶表示素子50において、イオン性物質等の流れる方向を図4及び図6の矢印の方向とする。これは、液晶分子の配向方向、または配向膜の構成により大きく依存する。VAタイプの液晶表示素子において、SiO2の斜方蒸着膜を使用することが一般的である。本実施例の液晶表示素子50において、図4に示すように、液晶分子の動きにより、液晶層55と斜方蒸着膜57の界面のイオン性物質は矢印の方向に移動することが確認された。
そして、隣接画素の液晶分子との関係が図5のようであれば、イオン性物質は隣接画素との境界には滞留しづらく、図4のようであればイオン性物質は隣接画素との境界に滞留しやすいことを見出した。
従って、本実施例の液晶表示素子の画素Eに関しては、画素Dと画素Hとの階調信号との比較を行い、さらにはSigE>SigDとSigE>SigHの関係においてのみ、イオン性物質の滞留が生じやすいため、これを検知する必要があることが分かる。
そして、イオン性物質の滞留する量は、隣接画素の階調信号の差が大きいほど多くなる。また、階調信号の差が発生している時間が長いほど多くなる。そして、一定の量を超えるイオン性物質が隣接画素との境界に滞留すると、焼き付きとして視認されるようになる。
数値を用いて、前記のフローチャートを説明する。
入力信号として、画素(対象画素)Eには階調150、画素Dには階調20、画素Hには階調50が入力される。この値をメモリ60に保存する(Step1)。
次に、画素(対象画素)Eに対して、画素Dと画素Hの階調を演算手段80にて比較し、差分を求める(Step2)。
画素(対象画素)Eに対しては、画素Dに対する差分としてΔSig_Leftとして130(150−20)と画素Hに対する差分としてΔSig_Bottomとして(150−50)のが差分となる。
そして、得られたΔSig_Leftを前フレームまでの積算値(時間積算値)と加算して、ΔSig_Left_Totalとする。同様に、ΔSig_Bottom_Totalも算出する。そして、その値をメモリ60に保存する(Step3)。
そして、それぞれ得られた、ΔSig_Left_TotalおよびΔSig_Bottom_TotalをΔSig_th(所定の値、所定の閾値)と比較する(Step4)。ここでΔSig_th(所定の値、所定の閾値)は焼き付きが発生するレベルである。
ΔSig_Left_TotalおよびΔSig_Bottom_TotalがそれぞれΔSig_thを超えない場合は、Step1に戻る。
ΔSig_Left_TotalおよびΔSig_Bottom_TotalがΔSig_thを超えると、焼き付きが発生すると判断する。
ΔSig_thを55,000,000とすると、上記と同じ画像(画素Eには階調150、画素Dには階調20)が423,060フレーム入力されるとΔSig_LeftがΔSig_thと等しくなり、焼き付きが発生すると判断する。
上記のフローチャートに従えば、液晶表示装置1を使用している時に、精度良く液晶表示素子50に発生している焼き付きを判断することができる。
ここで、対象画素である画素Eと隣接する画素との間の階調差が、全階調(黒表示時の階調から白表示時の階調までの全階調)の30%未満(より好ましくは10%未満)である場合は、演算対象から外しても構わない。これは階調差がある一定以上に小さい場合は焼き付きが起きる可能性が極めて低いためである。
(実施例2)
本実施例において、隣接画素との階調差に対して焼き付きの程度(≒イオン性物質滞留)を示したLUTを用いて、焼き付き量を判定する方法について説明する。
本実施例において、隣接画素との階調差に対して焼き付きの程度(≒イオン性物質滞留)を示したLUTを用いて、焼き付き量を判定する方法について説明する。
フローチャートを図7に示す。
具体例として、数値を用いて、前記のフローチャートを説明する。
入力信号として、画素(対象画素)Eには階調150、画素Dには階調20、画素Hには階調50が入力される。この値をメモリ60に保存する(格納する)(Step1)。
次に、演算手段80にて画素Eに対して、画素Dと画素Hの階調を比較し、図8のLUTを用いて、階調差に対して焼き付き量(評価値、焼き付き評価値、焼き付き度合い)を演算する。画素EのSigEと画素Dまたは画素HのSigDまたはSiHよりそれぞれの焼き付き量BOL_Left BOL_Bottomを算出する(Step2)。
画素Eに対しては、画素Dに対する差分としてBOL_Leftとして100(SigE=150、SigD=20)と画素Hに対する差分としてBOL_Bottomとして40(SigE=150、SigH=50)が算出される。
そして、得られたBOL_Leftを前フレームまでの積算値(時間積算値)と加算して、BOL_Left_Totalとする。同様に、BOL_Bottom_Totalも算出する。そして、その値をメモリ60に保存する(Step3)。
そして、それぞれ得られた、BOL_Left_TotalおよびBOL_Bottom_TotalをBOL_thと比較する(Step4)。ここでBOL_thは焼き付きが発生するレベルである。
BOL_Left_TotalおよびBOL_Bottom_TotalがそれぞれBOL_thを超えない場合は、Step1に戻る。
BOL_Left_TotalおよびBOL_Bottom_TotalがBOL_thを超えると、焼き付きが発生すると判断する。
BOL_thを55,000,000とすると、上記と同じ画像(SigE=150、SigD=20)が550,000フレーム入力されるとBOL_LeftがBOL_thと等しくなり、焼き付きが発生すると判断する。
上記のフローチャートに従えば、液晶表示装置1を使用している時に、精度良く液晶表示素子50に発生している焼き付きを判断することができる。
(実施例3)
本実施例において、隣接画素との階調差に対して焼き付きの程度(≒イオン性物質滞留)を示したLUTを用い、さらに隣接画素との階調差が小さい場合にも適切な焼き付き量(評価値、焼き付き評価値、焼き付き度合い)を計算して、焼き付き量を判定する方法について説明する。
本実施例において、隣接画素との階調差に対して焼き付きの程度(≒イオン性物質滞留)を示したLUTを用い、さらに隣接画素との階調差が小さい場合にも適切な焼き付き量(評価値、焼き付き評価値、焼き付き度合い)を計算して、焼き付き量を判定する方法について説明する。
数値を用いて、図7のフローチャートを説明する。
入力信号として、画素(対象画素)Eには階調150、画素Dには階調20、画素Hには階調50が入力される。この値をメモリ60に保存する(Step1)。
次に、演算手段80にて画素Eに対して、画素Dと画素Hの階調を比較し、図8のLUTを用いて、階調差に対して焼き付き量を演算する。画素EのSigEと画素Dまたは画素HのSigDまたはSiHよりそれぞれの焼き付き量BOL_Left BOL_Bottomを算出する(Step2)。
画素Eに対しては、画素Dに対する差分としてBOL_Leftとして100(SigE=150、SigD=20)と画素Hに対する差分としてBOL_Bottomとして40(SigE=150、SigH=50)が算出される。
そして、得られたBOL_Leftを前フレームまでの積算値(時間積算値)と加算して、BOL_Left_Totalとする。同様に、BOL_Bottom_Totalも算出する。そして、その値をメモリ60に保存する(Step3)。
そして、それぞれ得られた、BOL_Left_Total(時間積算値)およびBOL_Bottom_Total(時間積算値)をBOL_th(所定の閾値、所定の値)と比較する(Step4)。ここでBOL_thは焼き付きが発生するレベルである。
BOL_Left_TotalおよびBOL_Bottom_TotalがそれぞれBOL_thを超えない場合は、Step1に戻る。
BOL_Left_TotalおよびBOL_Bottom_TotalがBOL_thを超えると、焼き付きが発生すると判断する。
本実施例では、画素Eに対して、図9のようなLUTを用いて、階調差に対して焼き付き量を定義するが、画素Dと画素Hの階調が等しい場合、このLUTにはマイナスの焼き付き量が定義されている。
これは、焼き付きはイオン性物質の一時的な滞留によるものであり、隣接画素が同じ階調で表示されている場合は、隣接画素境界に滞留していたイオン性物質は、熱により拡散していく。従って、隣接画素が同じ階調で表示されると、それ以前に生じた焼き付きは変化しないのではなく、徐々に緩和していく。
従って焼き付き量の定義としては0ではなく、マイナスの量を定義することが望ましい。
以上より、画素EのSigEと画素Dまたは画素HのSigDまたはSigHよりそれぞれの焼き付き量BOL_Left BOL_Bottomを求める。
ここで、SigE=150 SigD=150の場合、BOL_Leftは−20。SigE=150 SigH=150の場合、BOL_Bottomは−20である。
また、BOL_Left_Totalおよび、BOL_Bottom_Totalがマイナスになる場合は、0に固定することが好ましい。
上記のフローチャートに従えば、液晶表示装置1を使用している時に、精度良く液晶表示素子50に発生している焼き付きを判断することができる。
(実施例4)
本実施例において、隣接画素との階調差に対して焼き付きの程度(≒イオン性物質滞留)を示したLUTを用いて、焼き付き量を判定する方法について説明する。
本実施例において、隣接画素との階調差に対して焼き付きの程度(≒イオン性物質滞留)を示したLUTを用いて、焼き付き量を判定する方法について説明する。
図10にフローチャートを記載する。
数値を用いて、図10のフローチャートを説明する。
入力信号として、画素(対象画素)Eには階調150、画素Dには階調20、画素Hには階調50が入力される。この値をメモリ60に保存する(Step1)。
次に、演算手段80にて画素Eに対して、画素Dと画素Hの階調を比較し、図8のLUTを用いて、階調差に対して焼き付き量を演算する。画素EのSigEと画素Dまたは画素HのSigDまたはSiHよりそれぞれの焼き付き量BOL_Left BOL_Bottomを算出する(Step2)。
画素Eに対しては、画素Dに対する差分としてBOL_Leftとして100(SigE=150、SigD=20)と画素Hに対する差分としてBOL_Bottomとして40(SigE=150、SigH=50)が算出される。
そして、得られたBOL_Leftを前フレームまでの積算値と加算して、BOL_Left_Totalとする。同様に、BOL_Bottom_Totalも算出する。そして、その値をメモリ60に保存する(Step3)。
ここで、BOL_thを液晶表示装置1の使用状況により変更する(Step4)。これは、例えば液晶表示装置1の外気温(Temp)が高いと、イオン性物質の移動度が高まり、その結果滞留するまでの時間が早まることがある。従って、BOL_thの値を小さくすることで焼き付きが発生するレベルを下げることで、精度よく焼き付きの発生を判断できる。
また、液晶表示装置1の使用時間(Time)においても、BOL_thを小さくすることが必要である。これは、液晶表示装置1を使用していくに従い、液晶表示素子50の液晶層には、水分の侵入やイオン性物質の発生がおこることが知られている。その結果、隣接画素に階調差があるときのイオン性物質の滞留量が増加する。従って、BOL_thの値を小さくすることで焼き付きが発生するレベルを下げることで、精度よく焼き付きの発生を判断できる。
そして、それぞれ得られた、BOL_Left_Total(時間積算値)およびBOL_Bottom_Total(時間積算値)をBOL_th(所定の閾値、所定の値)と比較する(Step5)。ここでBOL_thは焼き付きが発生するレベルである。
BOL_Left_TotalおよびBOL_Bottom_TotalがそれぞれBOL_thを超えない場合は、Step1に戻る。
BOL_Left_TotalおよびBOL_Bottom_TotalがBOL_thを超えると、焼き付きが発生すると判断する。
本実施例ではBOL_thの値を変更することで、使用状況による液晶表示素子50の焼き付きの程度の変化を的確にとらえたが、LUTの変更やBOLの値にあるゲインをかけて計算してもよい。
上記のフローチャートに従えば、液晶表示装置1の使用状況にかかわらず、精度良く液晶表示素子50に発生している焼き付きを判断することができる。
(実施例5)
本実施例では、焼き付きが発生したと判断した後(実施例1〜4における階調差の時間積算値、或いは評価値の時間積算値が所定の閾値を超えた時)の、焼き付きの緩和方法について説明する。
本実施例では、焼き付きが発生したと判断した後(実施例1〜4における階調差の時間積算値、或いは評価値の時間積算値が所定の閾値を超えた時)の、焼き付きの緩和方法について説明する。
液晶表示装置1は、投射型液晶表示装置であり、液晶表示素子50と投射レンズ光学系40を有している。また、投射レンズ光学系40は、光軸と垂直な方向にシフト可能なシフト機構41を有し、液晶表示装置1の投射画像を上下左右にシフトすることができる(光軸と垂直な上下左右方向にシフト可能である)。
また、液晶表示素子50には、表示画素領域の外周にも、画像を表示することができる周辺画素領域を有している。
実施例1〜4に記載の通り、焼き付き量がある閾値以上になった場合に、焼き付きが発生したと判断する液晶表示装置1に関して、以下の方法で焼き付きを緩和させる。
図12、図13に記載しているように、液晶表示素子50の表示画素エリア50a表示している画像を、表示画素エリア50aの周辺にある非表示画素エリア59bを使用してシフトさせる。
そうすることで、イオン性物質の滞留している画素に表示している画像がシフトし、イオン性物質の滞留を別の画素にシフトすることができる(シフト可能)。その結果、焼き付きが視認レベルに達することを抑制できる。
ただし、表示画像をシフトさせることで液晶表示装置1の投射画像もシフトしてしまう。このシフト量と逆のシフトを投射レンズ光学系40のシフト機構41を用いて、キャンセルさせることが可能となる。
この機能を用いることで、長時間の使用に対しても、使用者に対して投射画像がシフトするという違和感を与えることなく、焼き付きの発生を抑制することができる。
また、焼き付き量が発生した、或いは焼き付きが発生しそう、と判断した後に、液晶表示素子で表示している画像のコントラストを変化させたり、明るさを変化させたりしても良い。また、投射レンズ光学系40をシフトさせずに、液晶表示素子上の画像を左右、或いは上下に1画素単位で小刻みに往復運動させても構わない。
また、画像のシフト量に関しては、メモリ60に保存されている焼き付き量を用いて最適化することが可能となる。これは、画像をシフトさせた後に、すぐに次の焼き付きが発生しないように最適化させるためである。その方法に関して図11のフローチャートを説明する。
まず、実施例2に記載したフローチャートに従い焼き付きが発生したと判断する(Step1)。
画像シフト前のBOL_Left_TotalをBOL_Left_Total_Beforeとして、画像シフト後のBOL_Left_Totalと置く。同様に、画像シフト前のBOL_Bottom_TotalをBOL_Bottom_Total_Beforeと置く(Step2)。
次にx方向に液晶表示素子50に表示している画像をシフトさせることを仮定する(Step3)。このx方向は、投射画像に対して、上下方向でも左右方向でもよい。
次に、画素をx方向にシフトさせた後の各画素に対しての焼き付き量をBOL_Left_Total_After、BOL_Bottom_Total_Afterとして、メモリ60に保存する(Step4)。
これは、図6の画素EのBOL_Left_Total_Beforeが100,000として、表示画像を左に1画素シフトした場合、画素DのBOL_Left_Total_Afterが100,000となることを意味する。
そして演算手段80にて各画素に対してBOL_Left_Total_BeforeとBOL_Left_Total_Afterの和を計算し、全画素に対してそのヒストグラムを取得する。同様に、BOL_Left_Bottom_BeforeとBOL_Bottom_Total_Afterも和を計算し、全画素に対してそのヒストグラムを取得する(Step5)。
x方向のシフトが特定範囲終えるまで、Step3からStep5を繰り返す(Step6)。
次にy方向に液晶表示素子50に表示している画像をシフトさせることを仮定する(Step7)。このy方向は、x方向対して、直交する方向である。
次に、画素をy方向にシフトさせた後の各画素に対しての焼き付き量をBOL_Left_Total_After、BOL_Bottom_Total_Afterとして、メモリ60に保存する(Step8)。
これは、図6の画素EのBOL_Left_Total_Beforeが100,000として、表示画像を上に1画素シフトした場合、画素BのBOL_Left_Total_Afterが100,000となることを意味する。
そして演算手段80にて各画素に対してBOL_Left_Total_BeforeとBOL_Left_Total_Afterの和を計算し、全画素に対してそのヒストグラムを取得する。同様に、BOL_Left_Bottom_BeforeとBOL_Bottom_Total_Afterも和を計算し、全画素に対してそのヒストグラムを取得する(Step9)。
y方向のシフトが特定範囲終えるまで、Step3からStep5を繰り返す(Step10)。
そして、取得したヒストグラムより各画素における、それぞれの積算値(時間積算値)が小さくなるように、画像のシフト量を求める(Step11)。
そのシフト量に基づいて、液晶表示素子50の画像をシフトさせる(Step12)。
また、ほぼ同時に投射レンズ光学系40もシフト機構41を使用して、投射画像をシフトさせる(Step13)。
これにより、焼き付きが発生する前に、イオン性物質の滞留を別の場所に最適にずらすこと可能となり、焼き付きを緩和することが可能となる。
また、BOL_thは焼き付きが発生するレベルにするのではなく、そのレベルより小さい値にしておくことが好ましい。これは、画像のシフトを行うとしても、どこかの画素はBOL_thを超えることが発生するためである。
そのため、一度、BOL_thを超えた画素に対しては、焼き付き発生レベルをBOL_th2に変更させる。BOL_th2>BOL_thであり、次の画素シフト量を計算する際には、BOL_th2に達する画素が最小となるように設定しておく。
こうすることで、液晶表示装置1の焼き付きをより効果的に抑制することができる。
上記の実施例で述べてきた時間積算値(階調差の時間積算値、或いは評価値の時間積算値)に対する所定の閾値は、装置の使用状態に応じて変化させても構わない。例えば、同じ階調差であっても非常に明るい画像を表示する場合と、非常に暗い画像を表示する場合、或いは中間的な明るさの画像を表示する場合とでは、同じ階調差であっても焼き付きに対する影響が異なる。ここで述べる使用状態とは、上述の画像の明るさにとどまらず、装置が置かれた環境温度、液晶の使用時間、光源の明るさ(液晶表示素子に照射される光の輝度)等を指しており、それらの変化に応じて閾値は変化させた方が望ましい。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内で様々な変形及び変更が可能である。
1 液晶表示装置
40 投射レンズ光学系
41 レンズシフト機構
50 反射型液晶表示素子
70 制御手段
80 演算部
40 投射レンズ光学系
41 レンズシフト機構
50 反射型液晶表示素子
70 制御手段
80 演算部
Claims (10)
- 入力画像データに基づく画像を表示する液晶表示素子と、
を備える液晶表示装置であって、
前記入力画像データに基づいて、対象画素と該対象画素と特定方向において隣接する画素との階調差の時間積算値を求める演算手段と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 入力画像データに基づく画像を表示する液晶表示素子と、
を備える液晶表示装置であって、
前記入力画像データに基づいて、対象画素と該対象画素と特定方向において隣接する画素との階調差を変換した評価値の時間積算値を求める演算手段と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記演算手段により求められた前記時間積算値が所定の値を超えた場合、前記液晶表示素子における前記画像を表示する位置をシフトさせる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 - 前記演算手段により求められた前記時間積算値が所定の値を超えた場合、前記液晶表示素子が表示する画像のコントラストを変化させる、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記液晶表示素子によって表示された画像を投射すると共に、光軸と垂直な方向にシフト可能な投射手段を備えており、
前記演算手段により求められた前記時間積算値が所定の値を超えた場合、前記投射手段をシフトさせる、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記時間積算値が前記所定の値を超えた場合、前記投射手段をシフトさせると共に、前記液晶表示素子における前記画像の表示位置をシフトさせる、
ことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。 - 前記所定の値を、液晶表示装置の使用状態によって変更する、
ことを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記演算手段が、前記階調差の時間積算値に対応し、液晶表示素子の焼き付き度合いを評価する焼き付き評価値の積算値を、前記時間積算値として求めるように構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記演算手段は、前記階調差を焼き付き度合いを評価する焼き付き評価値に変換した上で、該焼き付き評価値の積算したものを前記時間積算値として求めるように構成されている、
ことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。 - 前記入力画像データを格納するメモリを備え、
前記演算手段は、前記メモリに格納された前記入力画像データに基づいて、前記時間積算値を求めている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10587851B2 (en) | 2018-07-31 | 2020-03-10 | Seiko Epson Corporation | Projector and method of controlling projector |
JP2020173315A (ja) * | 2019-04-09 | 2020-10-22 | 株式会社デンソー | 表示装置 |
-
2015
- 2015-09-08 JP JP2015176822A patent/JP2017053953A/ja active Pending
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JP2020173315A (ja) * | 2019-04-09 | 2020-10-22 | 株式会社デンソー | 表示装置 |
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