JP2017036923A - Radiographic imaging apparatus and radiographic imaging system - Google Patents
Radiographic imaging apparatus and radiographic imaging system Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017036923A JP2017036923A JP2015156240A JP2015156240A JP2017036923A JP 2017036923 A JP2017036923 A JP 2017036923A JP 2015156240 A JP2015156240 A JP 2015156240A JP 2015156240 A JP2015156240 A JP 2015156240A JP 2017036923 A JP2017036923 A JP 2017036923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- radiation imaging
- imaging apparatus
- sensor substrate
- outer edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- TVUBDAUPRIFHFN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4].O=[Si]=O TVUBDAUPRIFHFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
本発明は、放射線撮像装置及び放射線撮像システムに関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus and a radiation imaging system.
放射線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換するセンサ部が配されたセンサ基板とを有する放射線撮像装置において、センサ基板上にシンチレータと、シンチレータで発生した光をセンサ基板側に反射させる反射層とを積層した構成が知られている。このような放射線撮像装置の使用時に温度変化がある場合、シンチレータと反射層との熱膨張率の差に起因してシンチレータと反射層との界面で応力を受けたシンチレータが損傷する場合がある。特許文献１には、シンチレータと反射層とを別々の支持台によって支持し、シンチレータと反射層との接触面に摩擦を減らすための滑り部を設けることが示されている。滑り部によって、シンチレータと反射層とが互いに異なる熱膨張を起こした場合でも応力が生じ難く、シンチレータの損傷が抑制される。 In a radiation imaging apparatus having a scintillator that converts radiation into light and a sensor substrate on which a sensor unit that converts light into an electrical signal is disposed, the scintillator on the sensor substrate and the light generated by the scintillator are reflected to the sensor substrate side A structure in which a reflective layer is laminated is known. When there is a temperature change when using such a radiation imaging apparatus, the scintillator that receives stress at the interface between the scintillator and the reflective layer may be damaged due to a difference in thermal expansion coefficient between the scintillator and the reflective layer. Patent Document 1 shows that the scintillator and the reflective layer are supported by separate support bases, and a sliding portion for reducing friction is provided on the contact surface between the scintillator and the reflective layer. Even when the scintillator and the reflective layer undergo different thermal expansion due to the sliding portion, stress hardly occurs and damage to the scintillator is suppressed.
しかしながら、特許文献１の方法では、シンチレータと反射層とが別々の支持台によって支持されているため、それぞれの支持台の間隔を精度よく管理し配置する必要がある。 However, in the method of Patent Document 1, since the scintillator and the reflective layer are supported by separate support bases, it is necessary to accurately manage and arrange the intervals between the support bases.
本発明は、シンチレータと反射層との熱膨張率の差によって生じるシンチレータの損傷を抑制する新たな技術を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the new technique which suppresses the damage of the scintillator produced by the difference of the thermal expansion coefficient of a scintillator and a reflection layer.
上記課題に鑑みて、本発明の一部の実施形態に係る放射線撮像装置は、光を電気信号に変換するセンサ部が配されたセンサ基板と、センサ基板の上に配され放射線を光に変換するシンチレータと、光をセンサ基板に反射するようにシンチレータの上に配された反射層と、シンチレータ及び反射層を覆うように配された保護層と、を含む放射線撮像装置であって、反射層は、センサ基板に対する正射影において、シンチレータと重なる第１の部分と、第１の部分の外縁の一部からシンチレータの外縁よりも外側まで延在し、センサ基板と接する第２の部分と、を含み、反射層のうち第１の部分は、シンチレータとの移動を許し、反射層のうち第２の部分が、センサ基板と結合していることを特徴とする。 In view of the above problems, a radiation imaging apparatus according to some embodiments of the present invention includes a sensor substrate on which a sensor unit that converts light into an electrical signal is disposed, and a radiation that is disposed on the sensor substrate and that converts radiation into light. A radiation imaging apparatus, comprising: a scintillator that includes a scintillator; a reflective layer disposed on the scintillator so as to reflect light to the sensor substrate; and a protective layer disposed to cover the scintillator and the reflective layer. Includes a first portion that overlaps the scintillator and a second portion that extends from a part of the outer edge of the first portion to the outside of the outer edge of the scintillator and is in contact with the sensor substrate in an orthogonal projection with respect to the sensor substrate. In addition, the first portion of the reflective layer is allowed to move with the scintillator, and the second portion of the reflective layer is coupled to the sensor substrate.
上記手段により、シンチレータと反射層との熱膨張率の差によって生じるシンチレータの損傷を抑制する新たな技術が提供される。 The above means provides a new technique for suppressing scintillator damage caused by the difference in thermal expansion coefficient between the scintillator and the reflective layer.
以下、本発明に係る放射線撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。なお、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。 Hereinafter, specific embodiments of a radiation imaging apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Note that, in the following description and drawings, common reference numerals are given to common configurations over a plurality of drawings. Therefore, a common configuration is described with reference to a plurality of drawings, and a description of a configuration with a common reference numeral is omitted as appropriate. The radiation in the present invention includes a beam having energy of the same degree or more, such as X-rays, β-rays, γ-rays, etc., which are beams formed by particles (including photons) emitted by radiation decay, such as X It can also include rays, particle rays, and cosmic rays.
第１の実施形態
図１、２を参照して、本発明の実施形態による放射線撮像装置を説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態における放射線撮像装置１００の放射線の入射する面に対する平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’間の断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）の破線で囲まれた部分１１０の拡大図である。放射線撮像装置１００には、センサ基板１０１上に光を電気信号に変換するセンサが２次元マトリクス状に配置されたセンサ部１０５、入射した放射線を光に変換するシンチレータ１０２、反射層１０３が積層される。反射層１０３は、シンチレータ１０２で変換されセンサ部１０５と反対の方向に向かう光を反射する。反射層１０３の上には、シンチレータを外気からの水分の侵入や衝撃による構造破壊から保護する保護層１０４が、例えば接着剤などを用いた結合層１０７を介してシンチレータ１０２及び反射層１０３を覆うように配される。シンチレータ１０２は、センサ基板１０１の表面に対する正射影がセンサ部１０５を覆うように且つ、センサ基板１０１の表面に対する正射影の外縁がセンサ基板１０１の外縁よりも内側となるように、配置される。また、センサ部１０５とシンチレータ１０２との間には、センサ部１０５を保護するセンサ保護層１０６が配される。
First Embodiment A radiation imaging apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a plan view with respect to a radiation incident surface of the radiation imaging apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross section taken along line AA ′ in FIG. FIG. 1C is an enlarged view of a portion 110 surrounded by a broken line in FIG. In the radiation imaging apparatus 100, a sensor unit 105 in which sensors that convert light into electric signals are arranged on a sensor substrate 101 in a two-dimensional matrix, a scintillator 102 that converts incident radiation into light, and a reflective layer 103 are laminated. The The reflective layer 103 reflects light that is converted by the scintillator 102 and travels in the direction opposite to the sensor unit 105. On the reflective layer 103, a protective layer 104 that protects the scintillator from structural intrusion due to moisture intrusion or impact from the outside air covers the scintillator 102 and the reflective layer 103 via a bonding layer 107 using, for example, an adhesive. Arranged. The scintillator 102 is arranged so that the orthogonal projection on the surface of the sensor substrate 101 covers the sensor unit 105 and the outer edge of the orthogonal projection on the surface of the sensor substrate 101 is inside the outer edge of the sensor substrate 101. A sensor protective layer 106 that protects the sensor unit 105 is disposed between the sensor unit 105 and the scintillator 102.
反射層１０３は、センサ基板１０１に対する正射影において、シンチレータ１０２と重なる部分に配された第１の部分１０３ａと、第１の部分１０３ａの外縁の一部から突出し、シンチレータ１０２の外縁よりも外側まで延在する第２の部分１０３ｂとを含む。反射層１０３のうち第１の部分１０３ａは、センサ基板１０１に対する正射影において、シンチレータ１０２と重なる部分のみに配される。反射層１０３のうち第２の部分１０３ｂは、シンチレータ１０２の外縁よりも外側でセンサ基板１０１と接する。また、第２の部分１０３ｂは、図１（ｂ）に示すように、例えば接着剤などを用いた結合層１０８によって、センサ基板１０１と結合する。第２の部分１０３ｂは、図１に示すように保護層１０４よりも外側まで突出してもよい。 The reflection layer 103 protrudes from a part of the outer edge of the first part 103 a and the first part 103 a arranged in the part overlapping the scintillator 102 in the orthogonal projection to the sensor substrate 101, and to the outside of the outer edge of the scintillator 102. And an extended second portion 103b. The first portion 103 a of the reflective layer 103 is disposed only in a portion overlapping the scintillator 102 in the orthogonal projection with respect to the sensor substrate 101. The second portion 103 b of the reflective layer 103 is in contact with the sensor substrate 101 outside the outer edge of the scintillator 102. Further, as shown in FIG. 1B, the second portion 103b is bonded to the sensor substrate 101 by a bonding layer 108 using, for example, an adhesive. The second portion 103b may protrude to the outside of the protective layer 104 as shown in FIG.
本実施形態において、シンチレータ１０２は矩形である。第１の部分１０３ａは、図１（ｃ）に示すように、シンチレータ１０２の外縁に沿った実線と、実線の延長線である点線とで囲まれた矩形の部分とする。また、第１の部分１０３ａの外縁は、センサ基板１０１の表面に対する正射影において、シンチレータ１０２の外縁よりも内側であってよい。第１の部分１０３ａの大きさ及び位置は、センサ部１０５とシンチレータ１０２との大きさ及び位置の関係によって、適宜決定すればよい。第２の部分１０３ｂは、矩形のシンチレータ１０２の角部において、第１の部分１０３ａからシンチレータ１０２の外縁より外側まで延在する。第２の部分１０３ｂは、シンチレータ１０２の少なくとも１つの角部に配されてもよいし、図１（ａ）に示すように、シンチレータ１０２のすべての角部において、第１の部分１０３ａからシンチレータ１０２の外縁より外側まで延在してもよい。しかしながら、シンチレータ１０２、第１の部分１０３ａの形状はこれに限るものではなく、円形や多角形であってもよいし、シンチレータ１０２と第１の部分１０３ａとが、互いに異なる形状をしていてもよい。また、第２の部分１０３ｂが第１の部分１０３ａの外縁から突出する場所も、シンチレータ１０２の角部に限られるものではなく、シンチレータ１０２の辺部において、シンチレータ１０２の外縁よりも外側に延在してもよい。 In the present embodiment, the scintillator 102 is rectangular. As shown in FIG. 1C, the first portion 103a is a rectangular portion surrounded by a solid line along the outer edge of the scintillator 102 and a dotted line that is an extension of the solid line. Further, the outer edge of the first portion 103 a may be inside the outer edge of the scintillator 102 in the orthogonal projection with respect to the surface of the sensor substrate 101. The size and position of the first portion 103a may be appropriately determined according to the relationship between the size and position of the sensor unit 105 and the scintillator 102. The second portion 103 b extends from the first portion 103 a to the outside of the outer edge of the scintillator 102 at the corner of the rectangular scintillator 102. The second portion 103b may be disposed at at least one corner of the scintillator 102, or, as shown in FIG. 1A, the scintillator 102 from the first portion 103a at all corners of the scintillator 102. It may extend to the outside from the outer edge. However, the shapes of the scintillator 102 and the first portion 103a are not limited to this, and may be circular or polygonal, or the scintillator 102 and the first portion 103a may have different shapes. Good. Further, the location where the second portion 103b protrudes from the outer edge of the first portion 103a is not limited to the corner portion of the scintillator 102, and extends outside the outer edge of the scintillator 102 at the side portion of the scintillator 102. May be.
保護層１０４は、結合層１０７を介してセンサ基板１０１と接合され、シンチレータ１０２への水分の侵入を抑制する。しかし、本実施形態において、第２の部分１０３ｂが保護層１０４よりも外側に延在する部分では、保護層１０４とセンサ基板１０１とを、結合層１０７を介して結合することができない。そこで、図１に示すように、第２の部分１０３ｂが保護層１０４よりも外側に延在する部分は、封止部１０９によって封止される。本実施形態において、保護層１０４及び封止部１０９によって、シンチレータ１０２への外気からの水分の侵入が抑制される。第２の部分１０３ｂ及び保護層１０４の配置は、これに限られるものではなく、例えば第２の部分１０３ｂの全体が、保護層１０４に覆われていてもよい。この場合、封止部１０９は配されなくてもよく、保護層１０４のみによって、シンチレータ１０２への外気からの水分の侵入が抑制されてもよい。 The protective layer 104 is bonded to the sensor substrate 101 via the bonding layer 107 and suppresses intrusion of moisture into the scintillator 102. However, in the present embodiment, the protective layer 104 and the sensor substrate 101 cannot be bonded via the bonding layer 107 in a portion where the second portion 103 b extends outside the protective layer 104. Therefore, as shown in FIG. 1, the portion where the second portion 103 b extends outside the protective layer 104 is sealed by the sealing portion 109. In the present embodiment, the protective layer 104 and the sealing portion 109 prevent moisture from entering the scintillator 102 from outside air. The arrangement of the second portion 103b and the protective layer 104 is not limited to this. For example, the entire second portion 103b may be covered with the protective layer 104. In this case, the sealing portion 109 may not be disposed, and the penetration of moisture from the outside air into the scintillator 102 may be suppressed only by the protective layer 104.
次に、放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。センサ基板１０１は、ガラス基板やプラスティック基板などを用いてよい。このセンサ基板１０１上に、センサ部１０５を形成する。センサ部１０５には、フォトセンサとスイッチ素子とを含むセンサが例えば２次元アレイ状に配列されている。フォトセンサには、アモルファスシリコンなどによって形成されたＰＩＮ型フォトダイオードやＭＩＳ型フォトダイオードなどを用いてよい。また、スイッチ素子には、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いてよい。センサ部１０５の形成後、例えばポリイミドをセンサ部１０５上に塗布し、センサ保護層１０６を形成する。センサ保護層１０６には、ポリイミド系の樹脂だけでなく、例えばシリコーン系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、パラキシリレンやアクリルなどの有機物質を含む樹脂を用いてもよい。センサ保護層１０６には、センサ部１０５を保護し、シンチレータ１０２で発せられる光をセンサ部１０５に透過する材料を用いるとよい。 Next, a method for manufacturing the radiation imaging apparatus 100 will be described. As the sensor substrate 101, a glass substrate, a plastic substrate, or the like may be used. A sensor unit 105 is formed on the sensor substrate 101. In the sensor unit 105, sensors including photo sensors and switch elements are arranged in a two-dimensional array, for example. As the photosensor, a PIN photodiode, a MIS photodiode, or the like formed of amorphous silicon or the like may be used. The switch element may be a thin film transistor (TFT) formed of amorphous silicon or polysilicon. After the sensor unit 105 is formed, for example, polyimide is applied on the sensor unit 105 to form the sensor protective layer 106. For the sensor protective layer 106, not only a polyimide resin but also a resin containing an organic substance such as a silicone resin, a polyamide resin, an epoxy resin, paraxylylene, or acrylic may be used. A material that protects the sensor unit 105 and transmits light emitted from the scintillator 102 to the sensor unit 105 may be used for the sensor protective layer 106.
次いで、センサ保護層１０６上にシンチレータ１０２を形成する。本実施形態において、シンチレータ１０２は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法を用いて形成する。シンチレータ１０２は、センサ保護層１０６上に蒸着によって直接形成されるが、形成方法はこれに限られるものではない。例えば、センサ保護層１０６上に接着剤などを用いた結合層を介して、シート形状に加工したシンチレータを貼り合わせることによって形成してもよい。また、シンチレータ１０２の材料もＣｓＩ：Ｔｌに限らず、例えばテルビウムが微量添加された酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などの材料を用いてもよい。 Next, the scintillator 102 is formed on the sensor protective layer 106. In the present embodiment, the scintillator 102 forms CsI: Tl having a columnar crystal structure in which thallium (Tl) is added to cesium iodide (CsI) by using a vacuum evaporation method. The scintillator 102 is directly formed on the sensor protective layer 106 by vapor deposition, but the formation method is not limited to this. For example, the scintillator processed into a sheet shape may be bonded to the sensor protective layer 106 via a bonding layer using an adhesive or the like. The material of the scintillator 102 is not limited to CsI: Tl. For example, a material such as gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2 S: Tb) to which a small amount of terbium is added may be used.
シンチレータ１０２の形成後、反射層１０３を形成する。反射層１０３は、バインダー樹脂に無機粒子を含ませた構成としてよい。無機粒子として、例えば二酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、二酸化ケイ素酸化チタン粒子などを用いてよい。反射層として、これらの無機粒子をバインダー樹脂に練り込み、シート形状に加工したものを用いてよい。例えば、シンチレータ１０２がＣｓＩ：Ｔｌで形成されている場合、ＣｓＩ：Ｔｌは波長５５０ｎｍ付近に発光のピークを有するため、５５０ｎｍ付近の波長の光を反射する無機粒子を用いて反射層１０３を形成するとよい。シンチレータ１０２に用いる材料の発光特性によって、反射層１０３の材料を適宜、選択すればよい。また、反射層１０３とシンチレータ１０２との間の電気化学的腐食を防止するために、反射層１０３は電気的に絶縁体であってよい。本実施形態において、反射層１０３として厚さ５０μｍの無機粒子の練り込まれた樹脂シートをシンチレータ１０２上に設置する。 After the scintillator 102 is formed, the reflective layer 103 is formed. The reflective layer 103 may have a configuration in which inorganic particles are included in a binder resin. As inorganic particles, for example, titanium dioxide, barium sulfate, calcium carbonate, silicon dioxide titanium oxide particles and the like may be used. As the reflective layer, those obtained by kneading these inorganic particles into a binder resin and processing them into a sheet shape may be used. For example, when the scintillator 102 is formed of CsI: Tl, CsI: Tl has a light emission peak near a wavelength of 550 nm. Therefore, when the reflective layer 103 is formed using inorganic particles that reflect light having a wavelength near 550 nm. Good. The material of the reflective layer 103 may be selected as appropriate depending on the light emission characteristics of the material used for the scintillator 102. Further, in order to prevent electrochemical corrosion between the reflective layer 103 and the scintillator 102, the reflective layer 103 may be an electrically insulating material. In the present embodiment, a resin sheet kneaded with inorganic particles having a thickness of 50 μm is installed on the scintillator 102 as the reflective layer 103.
また、上述したように反射層１０３は、シンチレータ１０２の上に配された第１の部分１０３ａと、第１の部分１０３ａの外縁から突出した第２の部分１０３ｂとを含む。本実施形態において、第２の部分１０３ｂは、第１の部分１０３ａの外縁から約１０ｍｍ突出する。また、第２の部分１０３ｂの幅は、約４ｍｍとなっている。反射層１０３となる樹脂シートをシンチレータ１０２の上に設置する際、センサ基板１０１に設けてあるアライメントマークに、第２の部分１０３ｂを合わせるように設置してもよい。シンチレータ１０２にアライメントマークを設けることは難しい。第１の部分１０３ａのみで構成されたシートを設置する場合と比較して、シンチレータ１０２よりも外側に延在する第２の部分１０３ｂによって、反射層１０３をシンチレータ１０２上の中央に設置しやすくなる。続いて、第２の部分１０３ｂの端部を、結合層１０８を介してセンサ基板１０１に結合する。例えば結合層１０８として接着剤などを用いて、端部から約５ｍｍの領域を固定する。図１（ｂ）に示すように第２の部分１０３ｂは、保護層１０４の外縁よりも外側に突出した部分でセンサ基板１０１と結合してよい。ここで反射層１０３は、センサ基板１０１と結合するが、シンチレータ１０２とは結合せず、互いの移動を許しうる。 As described above, the reflective layer 103 includes the first portion 103a disposed on the scintillator 102 and the second portion 103b protruding from the outer edge of the first portion 103a. In the present embodiment, the second portion 103b protrudes from the outer edge of the first portion 103a by about 10 mm. The width of the second portion 103b is about 4 mm. When the resin sheet to be the reflective layer 103 is installed on the scintillator 102, it may be installed so that the second portion 103b is aligned with the alignment mark provided on the sensor substrate 101. It is difficult to provide an alignment mark on the scintillator 102. Compared with the case where a sheet composed only of the first portion 103a is installed, the second portion 103b extending outward from the scintillator 102 makes it easier to install the reflective layer 103 in the center on the scintillator 102. . Subsequently, the end portion of the second portion 103 b is coupled to the sensor substrate 101 via the coupling layer 108. For example, an adhesive or the like is used as the bonding layer 108 to fix an area of about 5 mm from the end. As shown in FIG. 1B, the second portion 103 b may be coupled to the sensor substrate 101 at a portion protruding outward from the outer edge of the protective layer 104. Here, the reflective layer 103 is coupled to the sensor substrate 101, but is not coupled to the scintillator 102, and may allow mutual movement.
次いで、保護層１０４を形成する。シンチレータ１０２を外気からの水分の侵入による劣化から守るために、保護層１０４は、例えば水分透過率の低いＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、などの導電性の金属箔またはシートに、フィルム状の樹脂を貼り合わせた積層構造を用いてもよい。保護層１０４の樹脂フィルムの材料として、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、アクリルなどを用いてもよい。この保護層１０４に、更に結合層１０７を積層してよい。結合層１０７には、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系などのホットメルト樹脂を用いてよい。本実施形態において、保護層１０４としてＡｌとポリエチレンテレフタレートとの積層シート、結合層１０７としてホットメルト樹脂を、それぞれ用いる。この保護層１０４を、結合層１０７を介して反射層１０３及びシンチレータ１０２を覆うように配置する。このとき、反射層１０３の第２の部分１０３ｂは、保護層１０４よりも外側まで延在してもよい。例えば、第２の部分１０３ｂのうち、保護層１０４から突出する部分の長さ１５１は、５ｍｍ以上あってよい。保護層１０４から突出する長さ１５１は、大きければ大きいほど、接着材などの結合層１０８で固定する際の安定性、作業性が向上する。長さ１５１は、例えば、放射線撮像装置１００の各部材の配置や、後述の封止部１０９の材料の有する防湿性などによって、適宜決定すればよい。保護層１０４と結合層１０７とが積層した積層シートを反射層１０３上に配置した後、第２の部分１０３ｂの配されない各シンチレータ１０２の外縁に沿う辺の領域において、結合層１０７を熱圧着処理する。また、このとき反射層１０３と保護層１０４とが、結合層１０７を介して結合されうる。これによって保護層１０４が形成される。 Next, the protective layer 104 is formed. In order to protect the scintillator 102 from deterioration due to intrusion of moisture from the outside air, the protective layer 104 is formed on a conductive metal foil or sheet such as Ag, Cu, Au, Al, Ni or the like having a low moisture permeability, for example, as a film. A laminated structure in which these resins are bonded together may be used. As a material for the resin film of the protective layer 104, for example, polyethylene terephthalate, polycarbonate, vinyl chloride, polyethylene naphthalate, polyimide, acrylic, or the like may be used. A bonding layer 107 may be further stacked on the protective layer 104. For the bonding layer 107, for example, a hot melt resin such as polyimide, epoxy, polyolefin, polyester, polyurethane, and polyamide may be used. In the present embodiment, a laminated sheet of Al and polyethylene terephthalate is used as the protective layer 104, and a hot melt resin is used as the bonding layer 107, respectively. The protective layer 104 is disposed so as to cover the reflective layer 103 and the scintillator 102 via the bonding layer 107. At this time, the second portion 103 b of the reflective layer 103 may extend to the outside of the protective layer 104. For example, the length 151 of the portion protruding from the protective layer 104 in the second portion 103b may be 5 mm or more. The longer the length 151 protruding from the protective layer 104, the more stable and workable when fixing with the bonding layer 108 such as an adhesive. The length 151 may be appropriately determined depending on, for example, the arrangement of each member of the radiation imaging apparatus 100, the moisture resistance of the material of the sealing unit 109 described later, and the like. After the laminated sheet in which the protective layer 104 and the bonding layer 107 are stacked is disposed on the reflective layer 103, the bonding layer 107 is subjected to thermocompression treatment in a region along the outer edge of each scintillator 102 where the second portion 103b is not disposed. To do. At this time, the reflective layer 103 and the protective layer 104 can be coupled through the coupling layer 107. Thereby, the protective layer 104 is formed.
保護層１０４形成の後、保護層１０４に覆われない第２の部分１０３ｂが突出した部分において、第２の部分１０３ｂとセンサ基板１０１との間から水分が侵入することを防ぐため、封止部１０９が形成される。封止部１０９は、第２の部分１０３ｂのうち少なくとも保護層１０４の外縁よりも外側に突出した部分を覆う。また、図１に示すように、第２の部分１０３ｂ、保護層１０４及び結合層１０７の積層された部分の一部までを覆いうる。封止部１０９は、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料を用いてよい。防湿性の観点から、例えばエポキシ樹脂を用いる。このとき、封止部１０９の厚さは、例えば１０〜１０００μｍの範囲であってよく、防湿性及び作業性を考慮すると、例えば１００〜６００μｍであってよい。しかしながら、封止部１０９の厚さはこれに限られるわけでなく、反射層１０３、保護層１０４及び結合層１０７を覆う厚さであればよい。本実施形態において、第２の部分１０３ｂが突出する部分の保護層１０４の外縁から内側に約４ｍｍ程度の位置から第２の部分１０３ｂの端部までを覆うようにエポキシ樹脂を塗布し、硬化させ封止部１０９を形成する。 In order to prevent moisture from entering between the second portion 103b and the sensor substrate 101 at the portion where the second portion 103b that is not covered by the protective layer 104 protrudes after the formation of the protective layer 104, the sealing portion 109 is formed. The sealing portion 109 covers at least a portion of the second portion 103 b that protrudes outward from the outer edge of the protective layer 104. Further, as shown in FIG. 1, the second portion 103b, the protective layer 104, and the bonding layer 107 can be partially covered. For the sealing portion 109, an organic material such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin may be used. From the viewpoint of moisture resistance, for example, an epoxy resin is used. At this time, the thickness of the sealing portion 109 may be, for example, in a range of 10 to 1000 μm, and may be, for example, 100 to 600 μm in consideration of moisture resistance and workability. However, the thickness of the sealing portion 109 is not limited to this, and may be any thickness that covers the reflective layer 103, the protective layer 104, and the bonding layer 107. In this embodiment, an epoxy resin is applied and cured from the position of about 4 mm inward from the outer edge of the protective layer 104 where the second portion 103b protrudes to the end of the second portion 103b. A sealing portion 109 is formed.
最後に、センサ部１０５の外部配線接続部と外部配線との接続や、駆動回路や読出回路などの信号処理回路が配置されたボードとの接続などを行うことによって放射線撮像装置１００が完成する。 Finally, the radiation imaging apparatus 100 is completed by connecting the external wiring connection portion of the sensor unit 105 and the external wiring, or connecting to a board on which a signal processing circuit such as a drive circuit or a readout circuit is arranged.
ここで、本実施形態の効果について説明する。図２（ａ）に、本実施形態の比較構造として、反射層１０３として第１の部分１０３ａのみで構成され、第１の部分１０３ａの外縁から突出する第２の部分１０３ｂを有さない放射線撮像装置２００の平面図を示す。また、図２（ｂ）に、放射線撮像装置２００に対して、ヒートサイクル試験を行った結果について示す。図２（ｂ）は、図２（ａ）の破線で囲まれた部分２１０におけるヒートサイクル試験実施前に撮影した画像と、ヒートサイクル試験実施後に撮影した画像との差分を示している。シンチレータ１０２の角部で、ヒートサイクル試験の実施前後で変化が著しいことが分かる。センサ基板１０１、シンチレータ１０２、反射層１０３及び保護層１０４の熱膨張率の差によって、シンチレータ１０２に対して反射層１０３が移動しうる。ヒートサイクル試験前後での角部の変化は、シンチレータ１０２に対して反射層１０３が移動する際に生じる応力によって、シンチレータ１０２が損傷を受けたことを示している。特に角部は、縦横二方向からの応力を受けやすく、このため、シンチレータ１０２が損傷しやすくなる。そこで本実施形態において、反射層１０３の第２の部分１０３ｂを、シンチレータ１０２の外側まで延在させ、センサ基板１０１に結合する。これによって、シンチレータ１０２に対して反射層１０３が移動することを抑制し、熱膨張率の差によって生じる応力を緩和することが可能となる。この結果、シンチレータ１０２の損傷を抑制することが可能となる。また、角部に第２の部分１０３ｂを配することによって、応力の掛かりやすい角部のシンチレータ１０２の損傷を抑制することが可能となる。シンチレータ１０２と反射層１０３との熱膨張率の差によって生じるシンチレータ１０２の損傷を抑制することによって、放射線撮像装置の信頼性を向上することができる。 Here, the effect of this embodiment will be described. In FIG. 2A, as a comparative structure of the present embodiment, a radiation imaging that includes only the first portion 103a as the reflective layer 103 and does not have the second portion 103b protruding from the outer edge of the first portion 103a. A top view of the device 200 is shown. FIG. 2B shows the result of a heat cycle test performed on the radiation imaging apparatus 200. FIG. 2B shows the difference between the image taken before the heat cycle test and the image taken after the heat cycle test in the portion 210 surrounded by the broken line in FIG. It can be seen that there is a significant change at the corner of the scintillator 102 before and after the heat cycle test. The reflective layer 103 can move relative to the scintillator 102 due to the difference in thermal expansion coefficient among the sensor substrate 101, the scintillator 102, the reflective layer 103, and the protective layer 104. The change in the corners before and after the heat cycle test indicates that the scintillator 102 is damaged by the stress generated when the reflective layer 103 moves relative to the scintillator 102. In particular, the corner portion is easily subjected to stress from two vertical and horizontal directions, and the scintillator 102 is easily damaged. Therefore, in the present embodiment, the second portion 103 b of the reflective layer 103 extends to the outside of the scintillator 102 and is coupled to the sensor substrate 101. Thereby, it is possible to suppress the movement of the reflective layer 103 with respect to the scintillator 102, and to relieve the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient. As a result, damage to the scintillator 102 can be suppressed. In addition, by disposing the second portion 103b at the corner, it is possible to suppress damage to the scintillator 102 at the corner where stress is easily applied. By suppressing damage to the scintillator 102 caused by a difference in thermal expansion coefficient between the scintillator 102 and the reflective layer 103, the reliability of the radiation imaging apparatus can be improved.
第２の実施形態
図３（ａ）を参照して、本発明の第２の実施形態における放射線撮像装置３００を説明する。図３（ａ）は、放射線撮像装置３００のシンチレータ１０２の角部の拡大図を示す。放射線撮像装置３００は、放射線撮像装置１００と比較して、第２の部分１０３ｂの第１の部分１０３ａと接続する付け根部分が、センサ基板１０１の表面に対する正射影において、第２の部分１０３ｂの端部の側から付け根部分の側に向かい幅が広くなっている。これ以外の点は、放射線撮像装置１００と同じであってよい。シンチレータ１０２と反射層１０３との間の応力がシンチレータ１０２の角部にかかった場合、シンチレータ１０２の損傷だけでなく、第１の部分１０３ａと第２の部分１０３ｂとの接続部にも応力が集中し、反射層１０３が裂ける可能性がある。第１の部分１０３ａと接続する第２の部分１０３ｂの付け根部分の幅を広くすることによって、角部に応力が集中した場合でも、反射層１０３が裂けることを抑制できる。これによって、放射線撮像装置３００は放射線撮像装置１００よりも信頼性が向上しうる。ここで第２の部分１０３ｂの第１の部分１０３ａと接続する付け根部分が、直線状に広くなってもよいし、また曲線状に広くなってもよい。例えばセンサ基板１０１の表面に対する正射影において、第１の部分１０３ａと第２の部分１０３ｂとの接続する第２の部分１０３ｂの付け根部分が、半径１０ｍｍ程度の円弧形状を用いた滑らかな形状を有してもよい。
Second Embodiment With reference to FIG. 3A, a radiation imaging apparatus 300 according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3A shows an enlarged view of a corner portion of the scintillator 102 of the radiation imaging apparatus 300. Compared with the radiation imaging apparatus 100, the radiation imaging apparatus 300 has an end portion of the second part 103 b in the orthogonal projection of the base part connected to the first part 103 a of the second part 103 b on the surface of the sensor substrate 101. The width is wider from the side of the part to the side of the base part. Other points may be the same as those of the radiation imaging apparatus 100. When the stress between the scintillator 102 and the reflective layer 103 is applied to the corner portion of the scintillator 102, the stress is concentrated not only on the scintillator 102 but also on the connection portion between the first portion 103a and the second portion 103b. Then, there is a possibility that the reflective layer 103 is torn. By widening the width of the base portion of the second portion 103b connected to the first portion 103a, it is possible to prevent the reflective layer 103 from tearing even when stress is concentrated on the corner portion. Thereby, the radiation imaging apparatus 300 can be more reliable than the radiation imaging apparatus 100. Here, the base portion connected to the first portion 103a of the second portion 103b may be widened linearly or may be widened curvedly. For example, in an orthogonal projection on the surface of the sensor substrate 101, the base portion of the second portion 103b connecting the first portion 103a and the second portion 103b has a smooth shape using an arc shape with a radius of about 10 mm. May be.
第３の実施形態
図３（ｂ）を参照して、本発明の第３の実施形態における放射線撮像装置３０１を説明する。図３（ｂ）は、放射線撮像装置３０１のシンチレータ１０２の角部の拡大図を示す。放射線撮像装置３０１では、放射線撮像装置１００と比較して、第２の部分１０３ｂの幅において、第１の部分１０３ａと接続する付け根部分よりも端部の方が細くなる。例えば、第２の部分１０３ｂの保護層１０４よりも外側に延在する端部のみが細くなってもよい。また、図３（ｂ）に示すように、放射線撮像装置３００と同様に第２の部分１０３ｂの付け根部分の幅が広く、且つ第１の部分１０３ａから離れるにつれて細くなってもよい。第２の部分１０３ｂは三角形状のように直線的に細くなってもよいし、曲線状に例えば半径２５ｍｍ程度の円弧形状を用いて細くなってもよい。これ以外の点は、放射線撮像装置１００と同じであってよい。第２の部分１０３ｂの端部を細くすることによって、封止部１０９を形成する前に、保護層１０４によって覆われない、第２の部分１０３ｂの突出する部分の面積を小さくすることができる。これによって、第２の部分１０３ｂとセンサ基板１０１との間から水分が侵入することを抑制できる。放射線撮像装置３０１は、放射線撮像装置１００、３００よりも、防湿性が向上しうる。
Third Embodiment With reference to FIG. 3 (b), a radiation imaging apparatus 301 in a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 3B is an enlarged view of a corner portion of the scintillator 102 of the radiation imaging apparatus 301. In the radiation imaging apparatus 301, as compared with the radiation imaging apparatus 100, the width of the second part 103b is narrower at the end than at the base part connected to the first part 103a. For example, only the end portion extending outward from the protective layer 104 of the second portion 103b may be thin. Further, as shown in FIG. 3B, similarly to the radiation imaging apparatus 300, the width of the base portion of the second portion 103b may be wide and may become narrower as the distance from the first portion 103a increases. The second portion 103b may be linearly thin like a triangle, or may be thin using a circular arc having a radius of about 25 mm, for example. Other points may be the same as those of the radiation imaging apparatus 100. By narrowing the end portion of the second portion 103b, the area of the protruding portion of the second portion 103b that is not covered by the protective layer 104 can be reduced before the sealing portion 109 is formed. Accordingly, it is possible to suppress moisture from entering between the second portion 103b and the sensor substrate 101. The radiation imaging apparatus 301 can have higher moisture resistance than the radiation imaging apparatuses 100 and 300.
以上、本発明に係る実施形態を３形態示したが、上述した各実施形態は、適宜変更、組み合わせが可能である。 Although three embodiments according to the present invention have been described above, the above-described embodiments can be appropriately changed and combined.
以下、図４を参照しながら本発明の放射線撮像装置１００、３００、３０１が組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、本発明の放射線撮像装置６０４０に入射する。放射線撮像装置６０４０は、上述の放射線撮像装置１００、３００、３０１の何れであってもよい。この入射したＸ線に患者又は被験者６０６１の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置６０４０において、Ｘ線６０６０の入射に対応してシンチレータが発光し、これが光電変換素子で光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ６０７０によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ６０８０で観察できる。また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク６０９０などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ６０８１に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ６１００によって記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。 Hereinafter, a radiation imaging system in which the radiation imaging apparatuses 100, 300, and 301 of the present invention are incorporated will be described with reference to FIG. X-rays 6060 generated by an X-ray tube 6050 serving as a radiation source pass through the chest 6062 of the patient or subject 6061 and enter the radiation imaging apparatus 6040 of the present invention. The radiation imaging apparatus 6040 may be any of the radiation imaging apparatuses 100, 300, and 301 described above. This incident X-ray includes information inside the body of the patient or subject 6061. In the radiation imaging apparatus 6040, the scintillator emits light in response to the incidence of the X-ray 6060, and this is photoelectrically converted by the photoelectric conversion element to obtain electrical information. This information is converted into digital data, image-processed by an image processor 6070 as a signal processing unit, and can be observed on a display 6080 as a display unit of a control room. Further, this information can be transferred to a remote place by a transmission processing unit such as a network 6090 such as a telephone, a LAN, and the Internet. In this way, it can be displayed on a display 6081 which is a display unit such as a doctor room in another place, and a doctor in a remote place can make a diagnosis. In addition, this information can be recorded on a recording medium such as an optical disk, and can also be recorded on a film 6110 serving as a recording medium by the film processor 6100.
１００、３００、３０１：放射線撮像装置、１０２：シンチレータ、１０３：反射層、１０３ａ：第１の部分、１０３ｂ：第２の部分、１０４：保護層 100, 300, 301: Radiation imaging apparatus, 102: Scintillator, 103: Reflective layer, 103a: First part, 103b: Second part, 104: Protective layer
Claims (15)
前記反射層は、前記センサ基板に対する正射影において、
前記シンチレータと重なる第１の部分と、
前記第１の部分の外縁の一部から前記シンチレータの外縁よりも外側まで延在し、前記センサ基板と接する第２の部分と、を含み、
前記反射層のうち前記第１の部分は、前記シンチレータとの移動を許し、
前記反射層のうち前記第２の部分が、前記センサ基板と結合していることを特徴とする放射線撮像装置。 A sensor board having a sensor unit for converting light into an electrical signal, a scintillator arranged on the sensor board for converting radiation into light, and the scintillator so as to reflect the light to the sensor board A radiation imaging apparatus comprising: a reflective layer disposed; and a protective layer disposed to cover the scintillator and the reflective layer,
The reflective layer is orthogonally projected on the sensor substrate.
A first portion overlapping the scintillator;
A second portion extending from a part of the outer edge of the first portion to the outside of the outer edge of the scintillator and in contact with the sensor substrate,
The first portion of the reflective layer allows movement with the scintillator;
The radiation imaging apparatus, wherein the second portion of the reflective layer is coupled to the sensor substrate.
前記第２の部分は、前記シンチレータの角部において、前記第１の部分から前記シンチレータの外縁よりも外側まで延在することを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。 In the orthogonal projection to the surface of the sensor substrate, the scintillator is rectangular,
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the second portion extends from the first portion to an outside of an outer edge of the scintillator at a corner portion of the scintillator.
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記第２の部分の端部が前記保護層の外縁よりも外側に突出し、
前記封止部は、前記第２の部分のうち少なくとも前記保護層の外縁よりも外側に突出した部分を覆うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線撮像装置。 The radiation imaging apparatus further includes a sealing portion,
In the orthogonal projection to the surface of the sensor substrate, the end of the second portion protrudes outside the outer edge of the protective layer,
4. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the sealing portion covers at least a portion of the second portion that protrudes outward from an outer edge of the protective layer. 5.
前記シンチレータは、前記センサ基板の表面に対する正射影が前記センサ部を覆うように且つ、前記センサ基板の表面に対する正射影の外縁が前記センサ基板の外縁よりも内側となるように、配置されていることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の放射線撮像装置。 In the sensor unit, sensors that convert light into an electrical signal are arranged in a two-dimensional matrix,
The scintillator is arranged so that an orthogonal projection with respect to the surface of the sensor substrate covers the sensor unit, and an outer edge of the orthogonal projection with respect to the surface of the sensor substrate is inside the outer edge of the sensor substrate. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the radiation imaging apparatus is a radiation imaging apparatus.
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、を備えることを特徴とする放射線撮像システム。 The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 14,
A radiation imaging system comprising: a signal processing unit that processes a signal from the radiation imaging apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015156240A JP2017036923A (en) | 2015-08-06 | 2015-08-06 | Radiographic imaging apparatus and radiographic imaging system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015156240A JP2017036923A (en) | 2015-08-06 | 2015-08-06 | Radiographic imaging apparatus and radiographic imaging system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017036923A true JP2017036923A (en) | 2017-02-16 |
Family
ID=58047279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015156240A Pending JP2017036923A (en) | 2015-08-06 | 2015-08-06 | Radiographic imaging apparatus and radiographic imaging system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2017036923A (en) |
-
2015
- 2015-08-06 JP JP2015156240A patent/JP2017036923A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6200173B2 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
| JP6000680B2 (en) | Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and imaging system | |
| CN101657737B (en) | Radiation detector and radiation detection system | |
| US20130308755A1 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
| JP4266898B2 (en) | Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and radiation imaging system | |
| JP5693173B2 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
| CN102466807B (en) | Radiation detector | |
| TWI780129B (en) | Radiography detector and radiography imaging device | |
| JP2001074845A (en) | Semiconductor device and radiation imaging system using the device | |
| US20120318990A1 (en) | Radiation detection panel and radiation imaging apparatus | |
| JP7376636B2 (en) | Radiation detector, radiation imaging device, and method for manufacturing radiation detector | |
| JP2011247822A (en) | Radiation detection apparatus and radiation imaging system | |
| JP7342184B2 (en) | Radiation detector, radiation imaging device, and method for manufacturing radiation detector | |
| JP2012154811A (en) | Scintillator panel and method for manufacturing the same, and radiation detection device | |
| JP2017200522A (en) | Radiation imaging device and radiation imaging system | |
| JP6576064B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing radiation detection apparatus | |
| JP2007057428A (en) | Radiation detecting device and radiation imaging system | |
| JP6948815B2 (en) | Radiation detector | |
| US11269087B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
| JP2017036923A (en) | Radiographic imaging apparatus and radiographic imaging system | |
| TW201830053A (en) | Radiography detector and radiography imaging device | |
| JP2006052979A (en) | Radiation detection device and scintillator panel | |
| WO2018146912A1 (en) | Radiation imaging device and imaging system | |
| JP2008089459A (en) | X-ray detector, scintillator panel, method for manufacturing x-ray detector, and method for manufacturing scintillator panel | |
| JP2016173267A (en) | Radiation detection assembly, radiation detection system, formation method of scintillator layer, and manufacturing method of radiation detection assembly |