JP2017035781A - 連続的突出部を備えた研磨表面を有する研磨パッド - Google Patents

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Abstract

【課題】化学的機械的研磨(CMP)において、さらに改良された研磨表面を有する研磨パッドを提供すること。【解決手段】基板を研磨するための研磨パッド200であって、この研磨パッドは、裏面201Bに対向する研磨側201Aを有する研磨本体200Aと、この研磨本体200Aの研磨側201Aと、連続的である複数の突出部202を備える研磨表面200Bとを備える。これにより、従来の溝を備えた研磨パッドに対して、スラリーの保持性に優れていることを特徴とする。【選択図】図2C

Description

(技術分野)
本発明の実施形態は、化学的機械的研磨(CMP)、特に、連続的突出部を備えた研磨表面を有する研磨パッドの分野にある。
(背景)
一般にCMPと略される、化学的機械的平坦化または化学的機械的研磨は、半導体ウェーハーまたはその他の基板を平坦化するために半導体製作で用いられる技法である。
このプロセスは、代表的にはウェーハーより大きな直径の、研磨パッドおよび保持リングと組み合わせて、研磨性かつ腐食性の化学的スラリー(一般にコロイド)を用いる。研磨パッドおよびウェーハーは、動的研磨ヘッドによってともに圧され、そしてプラスチック保持リングによって定位置に保持される。動的研磨ヘッドは、研磨中に回転させられる。このアプローチは材料の除去を支援し、そして任意の不規則なトポグラフィーでさえ追い出す傾向があり、ウェーハーを平たく、または平坦にする。これは、さらなる回路要素の形成のためにウェーハーをセットアップするために必要であり得る。例えば、これは、フォトリソグラフィーシステムのフィールドの深さ内に全表面をもたらすため、またはその位置に基づき材料を選択的に除去するために必要であり得る。代表的フィールド深さの要件は、最近の50ナノメートル以下のテクノロジーノードについてオーグストロンムレベルまで下げられている。
材料除去のプロセスは、木材に対するサンドペーパーのような研磨掻き取りのそれのように単純ではない。スラリー中の化学薬品はまた、除去されるべき材料と反応し、そして/またはそれを弱める。研磨はこの弱体化プロセスを加速し、そして研磨パッドは、反応した材料を表面から拭き取ることを助ける。スラリーテクノロジーにおける進歩に加え、研磨パッドは、増加する複雑なCMP動作において重要な役割を演じる。
しかし、さらなる改良が、CMPパッドテクノロジーの進化に必要である。
(要旨)
本発明の実施形態は、連続的突出部を備えた研磨表面を有する研磨パッドを含む。
ある実施形態において、基板を研磨するための研磨パッドは、裏面に対向する研磨側を有する研磨本体を含む。この研磨パッドはまた、研磨本体と連続的である研磨側面を備えた複数のシリンダ状突出部を有する研磨表面を含む。
別の実施形態では、基板を研磨するための研磨パッドは、裏面に対向する研磨側を有する研磨本体を含む。この研磨パッドはまた、研磨本体の研磨面と連続的である複数の突出部を有する研磨表面を含む。各突出部は、研磨表面の平面中に改変された四辺形の多角形形状を有する。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
基板を研磨するための研磨パッドであって、該研磨パッドは、
裏面と対向する研磨側を有する研磨本体と、
該研磨本体の該研磨側と連続的である複数のシリンダ状突出部を備える研磨表面と
を備える、研磨パッド。
(項目2)
前記複数のシリンダ状突出部の各々は、円形、卵形、および、5つ以上の辺を有する多角形から成る群から選択される前記研磨表面の平面における形状を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目3)
前記複数のシリンダ状突出部は、六角形にパックされたパターンで配列される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目4)
前記研磨パッドは、
前記研磨本体の前記研磨側の最も外側のエッジにおいて前記複数のシリンダ状突出部を取り囲む固いリングであって、該固いリングは、該研磨本体の該研磨側と連続的であり、該複数のシリンダ状突出部の前記六角形にパックされたパターンは、千鳥状配列で該リングに近接して終わる、固いリング
をさらに備える、項目3に記載の研磨パッド。
(項目5)
前記研磨パッドは、
前記複数のシリンダ状突出部の前記六角形にパックされたパターン内の中央に配置されたボタン領域
をさらに備え、該ボタン領域は、六角形形状を有する、項目3に記載の研磨パッド。
(項目6)
前記ボタン領域は、前記六角形形状の1つの辺上に三角形のクロッキングマークをさらに備える、項目5に記載の研磨パッド。
(項目7)
前記複数のシリンダ状突出部は、四角形にパックされたパターンで配列される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目8)
前記複数のシリンダ状突出部は、複数の高密度領域に配列され、該複数の高密度領域は、隣接する高密度領域間の隣接する突出部間よりも小さい間隔を、高密度領域内の隣接する突出部間に有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目9)
各高密度領域の前記シリンダ状突出部は、六角形にパックされたパターンで配列される、項目8に記載の研磨パッド。
(項目10)
前記高密度領域の各々は、実質的に四角形または矩形であり、該複数の高密度領域のうちの各高密度領域間の間隔は、X−Yグリッドパターンに基づく、項目9に記載の研磨パッド。
(項目11)
前記高密度領域の各々は、三角形、菱形、および、細長片ベースから成る群から選択される形状を有する、項目9に記載の研磨パッド。
(項目12)
前記高密度領域の各々は、菱形形状を有し、複数の前記高密度領域のサブパターンが、前記研磨パッドの60度の回転毎に繰り返される、項目11に記載の研磨パッド。
(項目13)
前記複数のシリンダ状突出部の各々は、ほぼ1〜30ミリメートルの範囲にある最大横寸法を有し、互いの間の間隔がほぼ0.1〜3ミリメートルの範囲にある、項目1に記載の研磨パッド。
(項目14)
前記複数のシリンダ状突出部の第1部分の各シリンダ状突出部は、第1の最大横寸法を有し、該複数のシリンダ状突出部の第2部分の各シリンダ状突出部は、第2の異なる最大横寸法を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目15)
前記複数のシリンダ状突出部のパターンは、ほぼ1ミリメートルの最大横寸法を各々が有する複数のシリンダ状突出部によって囲まれたほぼ10ミリメートルの最大横寸法を有するシリンダ状突出部を備える、項目14に記載の研磨パッド。
(項目16)
前記複数のシリンダ状突出部の第1部分の各シリンダ状突出部は、前記研磨表面の平面において第1の形状を有し、該複数のシリンダ状突出部の第2部分の各シリンダ状突出部は、該研磨表面の該平面において第2の異なる形状を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目17)
前記複数のシリンダ状突出部の総表面積は、前記研磨本体の前記研磨側の総表面積のほぼ40〜80%の範囲にある部分である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目18)
前記複数のシリンダ状突出部の各々の高さは、ほぼ0.5〜1ミリメートルの範囲にある、項目1に記載の研磨パッド。
(項目19)
前記複数のシリンダ状突出部は、ほぼ29〜32インチの範囲にある直径を有する研磨パッドについてほぼ50,000〜200,000の突出部を備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目20)
前記複数のシリンダ状突出部は、ランダム化されたパターンを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目21)
前記複数のシリンダ状突出部の第1部分の各シリンダ状突出部は、前記研磨本体からの第1の高さを有し、該複数のシリンダ状突出部の第2部分の各シリンダ状突出部は、該研磨本体からの第2の異なる高さを有するが、該複数のシリンダ状突出部の全ては、該研磨本体から実質的に同一平面上で遠位にある、項目1に記載の研磨パッド。
(項目22)
前記研磨本体および前記研磨表面は、一緒に、均一かつ一体である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目23)
前記研磨本体および前記研磨表面は、成形されたポリウレタン材料を含む、項目22に記載の研磨パッド。
(項目24)
前記成形されたポリウレタン材料は、ほぼ6%〜50%総空隙容積の範囲にある閉鎖セルポアのポア密度を有する、項目23に記載の研磨パッド。
(項目25)
前記研磨本体の前記裏面上に配置された土台層をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目26)
前記研磨本体の前記裏面に配置された検出領域をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目27)
前記研磨パッドは、
前記研磨表面および前記研磨本体に配置されたアパーチャと、
該研磨本体の前記裏面上に配置された接着シートであって、該接着シートは、該研磨本体の該裏面に該アパーチャのための不透過性シールを提供する、接着シートと
をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目28)
前記研磨本体の前記裏面上に配置されたサブパッドをさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目29)
前記研磨パッドは、
前記研磨本体に配置されたローカルエリア透明(LAT)領域であって、該LAT領域は、前記複数のシリンダ状突出部のパターンを中断する、LAT領域
をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目30)
基板を研磨するための研磨パッドであって、該研磨パッドは、
裏面に対向する研磨側を有する研磨本体と、
該研磨本体の該研磨側と連続的である複数の突出部を備える研磨表面であって、各突出部は、該研磨表面の平面に、改変された四辺形の多角形形状を有する、研磨表面と
を備える、研磨パッド。
(項目31)
前記改変された四辺形の多角形形状は、1つ以上の丸められたコーナーを伴う四辺形の多角形、1つ以上のノッチ付きコーナーを伴う四辺形の多角形、および、1つ以上のアーチ形の側面を伴う四辺形の多角形から成る群から選択される、項目30に記載の研磨パッド。
(項目32)
前記改変された四辺形の多角形形状は、改変された四角形形状、改変された矩形形状、改変された菱形形状、および、改変された台形形状から成る群から選択される、項目30に記載の研磨パッド。
(項目33)
前記改変された四辺形の多角形形状は、4つのコーナーの全てが丸められた四角形である、項目30に記載の研磨パッド。
(項目34)
前記改変された四辺形の多角形形状は、4つのコーナーの全てがノッチ付きである四角形である、項目30に記載の研磨パッド。
(項目35)
前記複数の突出部は、X−Yグリッドパターンで配列される、項目30に記載の研磨パッド。
(項目36)
前記研磨パッドは、
前記研磨本体の前記研磨側の最も外側のエッジにおいて前記複数の突出部を取り囲む固いリングを
さらに備え、該固いリングは、該研磨本体の該研磨側と連続的であり、連続的な溝が、該固いリングと該複数の突出部との間に配置される、項目35に記載の研磨パッド。
(項目37)
前記研磨パッドは、
前記複数の突出部の前記X−Yグリッドパターン内の中央に配置されたボタン領域を
さらに備え、該ボタン領域は、ノッチ付きコーナーを伴う四角形形状を有する、項目35に記載の研磨パッド。
(項目38)
前記ボタン領域は、前記四角形形状の1つの辺上にクロッキングマークをさらに備える、項目37に記載の研磨パッド。
(項目39)
前記複数のシリンダ状突出部は、複数の高密度領域に配列され、該複数の高密度領域は、隣接する高密度領域間の隣接する突出部間よりも小さい間隔を、高密度領域内の隣接する突出部間に有する、項目30に記載の研磨パッド。
(項目40)
前記高密度領域の各々は、実質的に四角形または矩形であり、該複数の高密度領域の各高密度領域間の間隔は、X−Yグリッドパターンを形成する、項目39に記載の研磨パッド。
(項目41)
前記複数の突出部の各々は、ほぼ1〜30ミリメートルの範囲にある最大横寸法を有し、互いの間の間隔がほぼ0.1〜3ミリメートルの範囲にある、項目30に記載の研磨パッド。
(項目42)
前記複数の突出部の第1部分の各突出部は、第1の最大横寸法を有し、該複数の突出部の第2部分の各突出部は、第2の異なる最大横寸法を有する、項目30に記載の研磨パッド。
(項目43)
前記複数の突出部のパターンは、ほぼ1ミリメートルの最大横寸法を各々が有する複数の突出部によって囲まれたほぼ10ミリメートルの最大横寸法を有する突出部を備える、項目42に記載の研磨パッド。
(項目44)
前記複数の突出部の第1部分の各突出部は、前記研磨表面の前記平面において第1の形状を有し、該複数の突出部の第2部分の各突出部は、該研磨表面の該平面において第2の異なる形状を有する、項目30に記載の研磨パッド。
(項目45)
前記複数の突出部の総表面積は、前記研磨本体の前記研磨側の総表面積のほぼ40〜80%の範囲にある部分である、項目30に記載の研磨パッド。
(項目46)
前記複数の突出部の各々の高さは、ほぼ0.5〜1ミリメートルの範囲にある、項目30に記載の研磨パッド。
(項目47)
前記複数の突出部は、ほぼ29〜32インチの範囲にある直径を有する研磨パッドについてほぼ50,000〜200,000の突出部を備える、項目30に記載の研磨パッド。
(項目48)
前記複数の突出部は、ランダム化されたパターンを有する、項目30に記載の研磨パッド。
(項目49)
前記複数の突出部の第1部分の各突出部は、前記研磨本体からの第1の高さを有し、該複数の突出部の第2部分の各突出部は、該研磨本体からの第2の異なる高さを有するが、該複数の突出部の全ては、該研磨本体から実質的に同一平面上で遠位にある、項目30に記載の研磨パッド。
(項目50)
前記研磨本体および前記研磨表面は、一緒に、均一かつ一体である、項目30に記載の研磨パッド。
(項目51)
前記研磨本体および前記研磨表面は、成形されたポリウレタン材料を含む、項目50に記載の研磨パッド。
(項目52)
前記成形されたポリウレタン材料は、ほぼ6%〜50%総空隙容積の範囲にある閉鎖セルポアのポア密度を有する、項目51に記載の研磨パッド。
(項目53)
前記研磨本体の前記裏面上に配置された土台層をさらに備える、項目30に記載の研磨パッド。
(項目54)
前記研磨本体の前記裏面に配置された検出領域をさらに備える、項目30に記載の研磨パッド。
(項目55)
前記研磨パッドは、
前記研磨表面および前記研磨本体に配置されたアパーチャと、
該研磨本体の前記裏面上に配置された接着シートであって、該接着シートは、該研磨本体の該裏面に該アパーチャのための不透過性シールを提供する、接着シートと
をさらに備える、項目30に記載の研磨パッド。
(項目56)
前記研磨本体の前記裏面上に配置されたサブパッドをさらに備える、項目30に記載の研磨パッド。
(項目57)
前記研磨パッドは、
前記研磨本体に配置されたローカルエリア透明(LAT)領域であって、該LAT領域は、前記複数の突出部のパターンを中断する、LAT領域
をさらに備える、項目30に記載の研磨パッド。
図1は、従来の研磨パッドの研磨表面中に配置された同心円形溝パターンのトップダウン式平面図を示す。
図2Aは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの研磨表面中に配置されたシリンダ状突出部パターンのトップダウン式平面図を示す。
図2Bは、本発明の実施形態に従う、図2Aの一部の突出部パターンの拡大図である。
図2Cは、本発明の実施形態に従う、図2Bのa−a’軸に沿って取った断面図である。
図3Aは、本発明の実施形態に従う、図2A〜2Cの研磨パッドのための例示の中央フィールドを示し、ここでは、研磨表面は、ボタンの六角形形状の1つの辺上に三角形のクロッキングマークを有するボタン領域を含む。
図3Bは、本発明の実施形態に従う、図2A〜2Cの研磨パッドのための例示の外側フィールドを示し、ここでは、研磨表面は、研磨本体の研磨側の最も外側のエッジで複数のシリンダ状突出部を囲む固いリングを含む。
図4は、本発明の実施形態に従う、円形(「A」)、卵形(「B」)、三角形(「C」)、五角形(「D」)および六角形(「E」)のようなシリンダ状突出部の研磨表面形状のためのオプションを示す。
図5Aは、本発明の実施形態に従う、六角形にパックされた配列中のシリンダ状突出部のパターンを示す。
図5Bは、本発明の実施形態に従う、四角形にパックされた配列中のシリンダ状突出部のパターンを示す。
図5Cは、本発明の実施形態に従う、突出部のグルーピング間により大きな間隔を備えたほぼ四角形にパックされた配列中のシリンダ状突出部のパターンを示す。
図6Aは、本発明の実施形態に従う、実質的に四角形または矩形形状の突出部のグルーピング間により大きな間隔を備えた、ほぼ六角形にパックされた配列にあるシリンダ状突出部のパターンを示す。
図6Bは、本発明の実施形態に従う、菱形形状の突出部のグルーピング間により大きな間隔を備えた、ほぼ六角形にパックされた配列にあるシリンダ状突出部のパターンを示す。
図6Cは、本発明の実施形態に従う、三角形形状の突出部のグルーピング間により大きな間隔を備えた、ほぼ六角形にパックされた配列にあるシリンダ状突出部のパターンを示す。
図6Dは、本発明の実施形態に従う、細長辺ベースの形状の突出部のグルーピング間により大きな間隔を備えた、ほぼ六角形にパックされた配列にあるシリンダ状突出部のパターンを示す。
図7は、本発明の実施形態に従う、サブパターンで配列された菱形形状のグルーピングであって、これら菱形形状の突出部のグルーピング間により大きな間隔を備え、ほぼ六角形にパックされた配列にあるシリンダ状突出部のパターンを示す。
図8Aは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの研磨表面中に配置された改変四辺形突出部パターンの角度をつけた平面図を示す。図8Bは、本発明の実施形態に従う、図8Aの研磨パッドについての例示の中央フィールドを示し、ここでは、研磨表面は、改変された四角形形状を有するボタン領域を含む。図8Cは、本発明の実施形態に従う、図8Aの研磨パッドについて例示の外側フィールドを示し、ここでは、研磨表面は、研磨本体の研磨側の最も外側のエッジで複数の改変された四辺形突出部を囲む固いリングを含む。
図9Aは、本発明の実施形態に従う、4つの丸くなったコーナーを備えた四角形、4つのノッチのあるコーナーを備えた四角形、および4つのアーチ形の側面を備えた四角形のような、改変された四辺形の研磨突出部の研磨表面形状のためのオプションを示す。
図9Bは、本発明の実施形態に従う、改変四辺形形状、改変矩形形状、改変菱形形状、および改変台形形状のような改変された四辺形の研磨突出部のための土台として用いられる四辺形形状のためのオプションを示す。
図10は、本発明の実施形態に従う、突出部パターンのトップダウン式平面図を示し、このパターンは、研磨パッドの研磨表面中に配置されたローカルエリア透明(LAT)領域、および/または指標領域によって中断されている。
図11A〜11Fは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの製作で用いられる動作の断面図を示す。 図11A〜11Fは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの製作で用いられる動作の断面図を示す。 図11A〜11Fは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの製作で用いられる動作の断面図を示す。 図11A〜11Fは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの製作で用いられる動作の断面図を示す。 図11A〜11Fは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの製作で用いられる動作の断面図を示す。 図11A〜11Fは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの製作で用いられる動作の断面図を示す。
図12は、本発明の実施形態に従う、連続的突出部を備えた研磨表面を有する研磨パッドと適合する研磨装置の等大の横からの図を示す。
(詳細な説明)
連続的突出部を備えた研磨表面を有する研磨パッドが本明細書に記載される。以下の説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するために、特定の研磨パッド設計および組成のような、多くの特定の詳細が提示される。本発明の実施形態がこれら特定の詳細なしで実施され得ることは当業者に明らかである。他の例では、半導体基板の化学的機械的平坦化(CMP)を実施するための、スラリーの研磨パッドとの組み合わせに関する詳細のような周知のプロセッシング技法は、本発明の実施形態を不必要にあいまいにしないために詳細には記載されていない。さらに、図面に示される種々の実施形態は例示の表示であり、そして必ずしもスケール通りに描かれていないことが理解されるべきである。
CMP動作において基板を研磨するための研磨パッドは、代表的には、中に形成された物理的溝または突出部を備えた少なくとも1つの表面を含む。これら溝または突出部は、CMP動作で用いられるスラリーのためのリザーバーを提供する一方で、基板を研磨するための表面積の適切な量を釣り合わせるように配列され得る。本発明の実施形態に従い、研磨パッドの表面を研磨するための突出部パターンが記載される。
本明細書に記載される突出部パターンは、スラリーを用いるCMP動作で基板を研磨するための利点を提供し得るか、またはそのための先行技術研磨パッドに対して有利であり得る。例えば、本明細書に記載される突出部パターンの有利さは、(a)研磨パッドが研磨された基板に対して回転させられるとき、研磨された基板を横切るスラリーベースの研磨プロセスの改良された平均化と、(b)従来の溝または突出部パターンを備えたパッドに対して改善された研磨パッド上のスラリー保持とを含み得る。
本発明の基礎的実施形態は、研磨表面の研磨平面内のすべての寸法について相対的に類似の値を有する突出部特徴の使用を含む。より複雑な実施形態は、シリンダ状突出部の使用または改変四辺形突出部の使用、またはその両方を含み得る。いずれの場合においても、これら突出部は、成形プロセスによって形成することができ、従って、突出部形状は、代表的には、研磨表面へのパターン切断によって形成することが別様に実施不能であろう。
従来の研磨パッドは、代表的には、同心の円形溝パターンを有し、それを通る半径方向溝を備えている。例えば、図1は、従来の研磨パッドの研磨表面に配置された同心の円形溝パターンのトップダウン式平面図を図示する。
図1を参照すると、研磨パッド100は、研磨表面102および裏面(図示はされていない)を有する研磨本体を含む。この研磨表面102は、同心円104の溝のパターンを有する。この溝のパターンはまた、図1に描写されるように、最も内側の円から最も外側の円まで連続している複数の半径方向溝106を含む。このような溝パターンの潜在的な欠点は、大きな同心溝を横切るスラリー分配の不良な平均化、および/または半径方向溝に沿った排液によるスラリーロスを含み得る。
図1とは対照的に、そして以下の図2Aに例示されるように、本発明の実施形態は、従来の溝間隔に対して狭く間隔を置かれている突出部のパターンを含む。さらに、研磨表面の平面中の突出部のすべての寸法は相対的に類似しており、そしてこのために、各突出部は、一貫した局在化研磨特徴を提供するために効果的であり得る。従来の溝削りを避けることによって、研磨パッド上のスラリー保持は、このような突出部の使用によって改良され得る。
本発明のある局面では、研磨パッドは、上に連続的なシリンダ状突出部のパターンを有する研磨表面を備えて製作され得る。例として、図2Aは、本発明の実施形態に従う、研磨パッドの研磨表面中に配置されたシリンダ状突出部パターンのトップダウン式平面図を示す。図2Bは、図2Aの一部の突出部パターンの拡大図であり、その一方、図2Cは、図2Bのa−a’軸に沿って取った断面図である。
図2Aおよび2Cを参照すると、研磨パッド200は、研磨本体(図2Cでは200Aとして示される)を含む。この研磨本体は、裏面201Bに対向する研磨側201Aを有する。この研磨パッド200はまた、図2Aのトップダウン平面図に見られ、そして図2Cの200Bとして称されるような研磨表面を含む。研磨表面は、研磨本体200Aの研磨側201Aと連続している複数のシリンダ状突出部202を有する。図2Bを参照すると、例示の突出部202のフィールドの詳細の拡大図が提供される。図2Cに示されるパッド200の部分は、図2B中の拡大された部分の断面図である。
図2Cを再び参照すると、シリンダ状突出部202は、一体化された領域200Bとして最良に見られるように、それらが共通の一体化された研磨表面層を形成するという意味で連続的である。このシリンダ状突出部の連続的性質は、貼られたタイルのような別個の突出部とは対照的に、それらが貼られる表面上で互いに決して接続されていないことである。さらに、1つの実施形態では、研磨表面200Bと研磨本体とは一体化されている。その場合、領域200Aと200Bとの間の分離を示す点線は、研磨パッドの研磨本体と研磨表面領域との間の差異を概念化するための単なる視覚的補助として提供される。さらに、1つの実施形態では、研磨本体200Aと研磨表面200Bとは、一緒に両方とも均一かつ一体である。特定の例示の実施形態では、研磨本体200Aおよび研磨表面200Bは、その例示の詳細が以下で提供される同じ成形ポリウレタン材料から成る。
図2Bを再び参照すると、複数のシリンダ状突出部202は、少なくともあるレベルの繰り返しを備えたグローバルパターンで配列され得る。例えば、図2Bに示されるような1つの実施形態では、複数の突出部202は、シリンダ状突出部の列がABA配列で千鳥状にされるという、六角形にパックされたパターンで配列される。その他の例示の配列は、以下により詳細に記載される。
図2Aを再び参照すると、研磨パッド200は、中央ボタン204を含み得る。このボタン204は、パッド性質試験のための領域を提供するパッド材料の高まった部分であり得る(例えば、同一平面で、かつシリンダ状突出部202と連続的)。1つのそのような実施形態で、研磨は、ボタン204の領域では行われない。このボタン204は、シリンダ状突出部202の全体パターンと適合する形状であり得る。例示の実施形態において、図2Aおよび3Aを参照すると(後者は、パッド200の中央フィールド部分についての可能な実施形態を示す)、複数の突出部202は、グローバルな六角形にパックされた配列を有し、そしてボタン204は六角形形状を有する。さらに、ボタン204は、パッド製作情報および/または研磨のためもしくはパッドをプラテンに接着するための整列情報を提供するクロッキング特徴を含み得る。特定のこのような実施形態では、図3Aを参照すると、ボタン領域204はさらに、六角形形状の1つの辺に三角形のクロッキングマークを含む。特定の実施形態では、六角形の中央ボタン204は、ほぼ1インチの差し渡しであり、そしてクロッキングマーク205は、六角形の1つの辺上で三角形である。
研磨パッド200の外側部分は、特定の研磨目的のために仕立てられ得る。例えば、図3Bは、図2A〜2Cの研磨パッドのための例示の外側フィールドを示し、ここでは、本発明の実施形態に従って、研磨本体の研磨側の最も外側のエッジに、複数のシリンダ状突出部202を囲む固いリング206を含む。図3Bに描写される特定の実施形態では、シリンダ状突出部202の六角形にパックされたパターンは、千鳥状配列でリング206に近接して終わる。特定の実施形態では、固い外側リング206は、ほぼ125ミルの平均幅を有する。ある実施形態では、固い外側リング206の内側エッジは、連続的であってスラリーに対してダム効果を有するパッド200のエッジを提供しながら、大きなスペースダウンを避けるような形状にされる。全体としては、しかしながら、この固いリングは、図3Bに描写されるように、シリンダ状突出部のパターンの輪郭に従う不規則形状を有し得る。
図2A、2B、3Aおよび3Bを再び参照すると、シリンダ状突出部202が、研磨パッド200の研磨表面の平面中に円形形状を有することが描写されている。しかし、その他のシリンダ状形状がまた、効果的な研磨表面を提供するために適切であり得る。それゆえ、用語「シリンダ状」は、トップダウン式の円形プロフィールを有する突出部に限定されない。むしろ、本明細書で実施形態に用いられているように、シリンダ状突出部は、突出部の全体で垂直方向に同じ形状を維持している(例えば、本質的に、または正確に垂直の側壁を有している)ものである。このシリンダ状プロフィールは、突出部形状の360度すべてにおいてほぼ同じ寸法を有する突出部の性質を記載している。すなわち、このシリンダ状突出部202は、大きなアーチ形の溝タイプ研磨特徴とは区別される。1つの実施形態において、このシリンダ状突出部形状は、別様には、単にパターンを研磨表面中に切断する、例えば、XYグリッド切断アプローチの(シリンダ状突出部の下向きに見たときのような、基本的に四角形または基本的に矩形の幾何学的形状を有するシリンダのような)ある形態においては達成することができないであろう形状である。例えば、図4を参照すると、1つの実施形態では、研磨パッド200の複数のシリンダ状突出部202の各々は、制限されないで、円形(図4から「A」;図2A、2Bにおける例示のシリンダ状突出部としても用いられる)、卵形(図4から「B」)、三角形(図4から「C」)、または5つ以上の辺を有する多角形(例えば、図4から五角形「D」、または図4から五角形「E」)のような研磨表面の平面における形状を有する。1つのこのような実施形態において、シリンダ状突出部202は、以下でより詳細に記載されるように、成形プロセスによって形成される。シリンダ状突出部202についてのこれらのオプションのすべてが、すべて図2Cで見られるのと同じ断面形状を有することが注記される。
図2A、2B、3Aおよび3Bを再び参照すると、複数の突出部202のパターンは、六角形のパックされた配列に限定されない。他の配列もまた、基板またはウェーハーを研磨するために適切なシリンダ状突出部のパッケージングを提供し得る。図5Bを参照すると、ある実施形態では、複数のシリンダ状突出部202は、四角形のパックされたパターンで配列され、ここでは、突出部のすべての連続する列は、互いと整列させられている。これは、比較のために図5Aに再び示される、六角形パッキングから得られる千鳥状配列とは対照的である。他の実施形態では、シリンダ状突出部202は、効率的に長いパターンの範囲の繰り返しのないランダム化されたパターンで配列される。
さらに、突出部間の間隔は、必ずしも同じである必要はない。例えば、より密に間隔を置かれた突出部のグルーピングが、グルーピング間のチャネルを提供するために、グルーピング間のより大きな間隔を伴って配列され得る。すなわち、1つの実施形態では、シリンダ状突出部のあるパターンは、隣接する高密度領域の隣接する突出部間の間隔と比較したとき、高密度領域内の隣接する突出部間のより小さな間隔を有する複数の高密度領域を有するように配列される。例示の実施形態において、図5Cは、突出部のグルーピング間でより大きな間隔を備えた、ほぼ四角形にパックされた配列にあるシリンダ状突出部202のパターンを示す。図5Cを参照すると、グルーピング504は、隣接するグルーピング間の間隔506と比較して、グルーピング504内の突出部202間でより小さい間隔を有する。図5Cの特定の例では、XYチャネル配列がグルーピング間に生じる。このようなチャネルを含めることは、スラリー輸送のために、または研磨パッドの他の研磨特徴を改変するために用いられ得る。さらに、ある実施形態では、これら突出部は成形されており、そして切断されていないので、グルーピング間の間隔は、パターンの切断のために別様に必要であるような、グルーピング間の1つの列またはカラムの単純な除去以上に変えられ得る。
図5Cの記載を参照すると、このようなグルーピング間のより大きな間隔を備えた、突出部202のグルーピング化はまた、ほぼ六角形のパックされた突出部の配列に基づき得る。例えば、ある実施形態において、シリンダ状突出部202のパターンは、高密度領域604を含み、このような高密度グルーピング間により大きな間隔606を備えた六角形のパックされたパターンで配列される(例えば、最終的にはチャネルを形成する)。この高密度領域は、1つの実施形態では、限定されないが、X−Yグリッドパターン(図6A)、菱形形状(図6B)、三角形形状(図6C)、または細長片ベースの形状(図6D)に基づく高密度領域の各々間の間隔を備えた、実質的に四角形または矩形形状のような全体形状を有し得る。
上記に記載の高密度領域は、パッド配向に基づき、1つのより大きなパターンを形成するために組み合わされるサブパターンを有し得る。例示の実施形態で、図7は、突出部の菱形形状のグルーピング704間でより大きな間隔706を備えたほぼ六角形にパックされた配列にある複数のシリンダ状突出部202のパターンを示し、この菱形形状のグルーピングは、本発明の実施形態に従って、サブパターン708に配列される。効果的には、高密度領域704のサブパターン708は、研磨パッドの60度回転のたびに繰り返される。この結果は、図7に描写されるような中央点710から起こるパターンである。
本発明の別の局面では、研磨パッドは、上に改変された四辺形形状に基づく連続的突出部のパターンを有する研磨表面を備えて製作され得る。例として、図8Aは、本発明の実施形態による、研磨パッドの研磨表面中に配置された改変四辺形突出部パターンの角度のある平面図を示す。図8Aを参照して、研磨パッド800は、研磨本体と、研磨本体の研磨側と連続的である複数の突出部802を有する研磨表面とを含む。各突出部802は、研磨表面の平面中で改変四辺形多角形形状を有する。
例えば、図2Cに関連して記載されたような、パッド200の突出部202と同様に、研磨パッド800の突出部802は、それらが共通の一体化された研磨表面層を形成するという意味で連続的である。これら突出部802の連続的性質は、それらが貼られる表面上で互いに少し接続されることのないという点で、貼られたタイルのような別個の突出部とは対照的である。さらに、1つの実施形態では、研磨パッド800の研磨表面および研磨本体は一体化されている。さらに、1つの実施形態では、研磨パッド800の研磨本体および研磨表面は、ともに両方が均一かつ一体であり、そのための材料の例示の詳細は以下に提供される。
図8Aを再び参照すると、複数のシリンダ状突出部802は、少なくともある程度のレベルの繰り返しを備えたグローバルパターンで配列され得る。例えば、図8Aに示されるような1つの実施形態では、複数の突出部802は、突出部802の列がXYグリッド配列を形成する四角形のパックされたパターンで配列されている。その他の例示の配列は、研磨パッド200に関連して上記に記載されたものに類似であり得る。例えば、図5C、6A〜6Dおよび7と同様に、1つの実施形態では、複数の突出部802は、隣接する高密度領域の隣接する突出部間の間隔と比較したとき、高密度領域内の隣接する突出部間のより小さな間隔を有する、複数の高密度領域を有するように配列される。特定のそのような実施形態では、各々の高密度領域は実質的に四角形または矩形であり、そして複数の高密度領域の各々の高密度領域間の間隔またはチャネルは、X−Yグリッドパターンを形成する。別の実施形態では、複数の突出部802は、六角形のパックされたパターンまたはランダム化されたパターンを有する。
ここで、挿入画図8Bを参照すると、研磨パッド800は、中央ボタン804を含み得る。このボタン804は、パッド性質試験のための領域を提供するパッド材料の高まった部分であり得る(例えば、同一平面で、かつ突出部802と連続的)。1つのこのような実施形態では、研磨は、ボタン804の領域中では実施されない。ボタン804は、突出部802の全体パターンと適合する形状であり得る。例示の実施形態において、図8Bを参照すると、複数の突出部802は、グローバルな四角形のパックされた(またはXYグリッド)配列を有し、そしてボタン804は改変された四角形形状(この場合、4つのノッチのあるコーナーを有する四角形)を有する。さらに、描写されていないけれども、ボタン204は、パッド製作情報および/または研磨のためのもしくはパッドをプラテンに接着するための整列情報を提供するクロッキング特徴を含み得る。1つのこのような実施形態では、このボタン領域804はさらに、改変四角形形状の1つの側上にクロッキングマークを含む。
ここで、挿入図8Cを参照すると、研磨パッド800の外側部分は、特定の研磨目的のために仕立てられ得る。例えば、8Cは、研磨パッド800のための例示の外側フィールドを提供し、ここでは、研磨表面は、本発明の実施形態に従って、研磨本体の研磨側の最も外側のエッジに、複数のシリンダ状突出部802を囲む固いリング806を含む。この固いリング806は、研磨本体の研磨側と連続しており、そして連続的な溝がこの固いリングと複数の突出部802との間に配置される。リング806の連続的エッジは、裏面パッド切断のためにシールすること、そして/または、連続的であってスラリーに対してダム効果を有するパッド800のエッジを提供することのために良好な位置を提供し得る。
図8A〜8Cを再び参照すると、突出部802の各々は、研磨パッド800の研磨表面の平面において、丸まった形状の全4つのコーナーを備えた四角形形状を有するように描写されている。しかし、他の改変された四辺形形状もまた、効果的な研磨表面を提供するために適切であり得る。この改変された四辺形形状は、突出部形状の360度すべてにおいてほぼ同じ寸法を有する突出部の性質を記載している。すなわち、この突出部802は、大きなアーチ形の溝タイプ研磨特徴とは区別される。1つの実施形態において、この改変された四辺形の突出部形状は、単にパターンを研磨表面中に切断する、例えば、XYグリッド切断アプローチの(突出部を下向きに見たときのような、基本的に四辺形または基本的に矩形の幾何学的形状を有するタイルまたは突出部のような)いくらかの形状においては別様には達成することができないであろう形状である。例えば、図9Aを参照すると、ある実施形態では、研磨パッド800の複数の改変された四辺形の突出部802の各々は、限定されないが、4つ以上の丸くなったコーナー(1つ以上の丸くなったコーナーを備えた四辺形は図9Aに示される)、1つ以上のノッチのあるコーナー(4つのノッチのあるコーナーを備えた四角形は図9Aに示される)のように、または1つ以上のアーチ形の側(4つのアーチ形の側面を備えた四角形は図9Aに示される)研磨表面の平面中に改変を有する。1つのこのような実施形態では、改変された四辺形の突出部形状802は、以下でより詳細に記載される成形プロセスによって形成される。
上記で簡略に述べたように、改変された四辺形の突出部形状802は、改変された1つ以上のコーナーを有するものであり得る。図9Bを参照すると、土台として用いられる四辺形形状は、限定されないが、改変四辺形形状、改変矩形形状、改変菱形形状、または改変台形形状を含み得る。図9Bの四辺形形状のコーナーは点線で描写され、(丸めること、またはノッチを付けることのような)形状改変がこれらの位置のうちの1つ以上に置かれ得ることの指標であることが注記される。他のオプションは、図9Aに関連して記載されたように、形状の1つ以上の辺をアーチ形にすることを含む。さらに、1つの実施形態では、改変された四辺形の突出部はシリンダ状で、各々の突出部は、突出部全体で垂直方向に同じ形状を維持する(例えば、本質的に、または正確に垂直の側壁を有する)。シリンダ状突出部についてのすべてのこのようなオプションは、図2Cに描写されるような形状と類似である同じ断面形状を有することが注記される。
ある実施形態では、研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような、本明細書に記載の研磨パッドは、研磨突出部の各々(例えば、図2A〜2C、3A、3B、4、5A〜5C、6A〜6D、7、8A〜8C、9Aおよび9Bに関連して説明された突出部)が、ほぼ1〜30ミリメートルの範囲の最大横寸法を有する。例えば、円形形状のシリンダ状突出部の場合には、最大横寸法は円の直径である。改変四角形形状の場合には、最大横寸法は、研磨表面の平面における改変された四角形形状にわたる寸法である。ある実施形態では、突出部間の間隔は、ほぼ0.1〜3ミリメートルの範囲であり、そして(例えば、図5Bに関連して記載されたように)パッドを横切って同じであり得るか、または(例えば、図5Cに関連して記載されたように)パッドを横切って変動し得る。研磨表面上の突出部の数は、用途および/またはパッドサイズによって変動し得る。例示の実施形態では、ほぼ29〜32インチの範囲の直径を有する研磨パッドは、ほぼ50,000〜200,000の突出部を含む。ある実施形態では、研磨パッド上の各突出部の高さは、ほぼ0.5〜1ミリメートルの範囲である。
研磨パッドの同じ研磨表面内で、ある実施形態では、上記に記載の突出部は、すべてが同じサイズである必要はない。例えば、1つの実施形態では、同じ研磨表面中で、第1の突出部は第1の最大横寸法を有し、その一方、突出部の第2の部分の各突出部は、第2の異なる最大横寸法を有する。特定の、そして例示のこのような実施形態において、複数の突出部のパターンは、各々がほぼ1ミリメートルの最大横寸法を有する複数の突出部によって取り囲まれる、ほぼ10ミリメートルの最大横寸法を有する突出部を含む。
さらに、または代替的に、研磨パッドの同じ研磨表面内で、ある実施形態では、上記に記載の突出部は、すべてが同じ形状を有する必要はない。例えば、1つの実施形態では、研磨表面上の突出部の第1の部分の各突出部は研磨表面の平面で第1の形状を有し、その一方、突出部の第2の部分の各突出部は研磨表面の平面で第2の異なる形状を有する。さらに、または代替的に、研磨パッドの同じ研磨表面内で、ある実施形態では、上記の突出部は、すべてが同じ高さを有する必要はない。しかし、すべての突出部の最高点は、同一平面上であり得る(例えば、研磨中にウェーハーまたは基板と接触している突出部の各々の部分は実質的に平坦な表面を形成する)。例えば、1つの実施形態では、突出部の第1の部分の各突出部は、研磨本体からの第1の高さを有し、その一方、突出部の第2の部分の各突出部は、研磨本体からの第2の異なる高さを有する。それにもかかわらず、第1の部分および第2の部分からのすべての突出部は、研磨本体から実質的に同一平面上で遠位にある。このような配列は、平面的な研磨表面を維持しながら、リザーバーまたは研磨パッド内のその他のスラリー取扱い特徴の形成を可能にし得る。
ある実施形態では、研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような本明細書に記載される研磨パッドは、複数の突出部の総表面積が、研磨本体の研磨側の総表面積のほぼ40〜80%の範囲にある部分である。第1の例示の実施形態では、ほぼ80ミルの直径およびほぼ20ミルの間隔を有する(例えば、図2Bおよび5Aに関連して記載されるような)六角形にパックされた円形シリンダである突出部は、ほぼ58%の突出部表面の接触面積を提供する。第2の例示の実施形態では、ほぼ80ミルの直径およびほぼ16ミルの間隔を有する(例えば、図5Bに関連して記載されるような)四角形にパックされた円形シリンダである突出部は、ほぼ54.5%の突出部表面の接触面積を提供する。第3の例示の実施形態では、ほぼ80ミルの直径およびほぼ16ミルの間隔、またはXYチャネルで領域間がほぼ35ミルの間隔を有する(例えば、図5Cに関連して記載されるような)突出部の領域の間にXYチャネルを有する四角形にパックされた円形シリンダである突出部は、ほぼ48%の突出部表面の接触面積を提供する。第4の例示の実施形態では、ほぼ120ミルの最大横寸法、およびほぼ40ミルの間隔を有する(例えば、図8Aに関連して記載されるような)XYグリッドにパックされた丸まったコーナーを備えた成形された四角形である突出部は、ほぼ54.3%の突出部表面の接触面積を提供する。
ある実施形態では、研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような本明細書に記載される研磨パッドは、研磨基板のために適切である。この基板は、上に配置されたデバイスまたは他の層を有するシリコン基板のような、半導体製造産業で用いられる基板であり得る。しかし、基板は、限定されないが、MEMSデバイス、レチクル、または太陽電池モジュールのような基板であり得る。それゆえ、本明細書で用いられるとき、「基板を研磨するための研磨パッド」への参照は、これら、および関連する可能性のあるものを包含することが意図される。
研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような本明細書に記載される研磨パッドは、熱硬化性ポリウレタン材料の均一な研磨本体から成り得る。ある実施形態では、この均一な研磨本体は、熱硬化性閉鎖セルポリウレタン材料から成る。ある実施形態では、用語「均一」は、熱硬化性閉鎖セルポリウレタン材料の組成が、研磨本体の全組成の全体で一貫していることを示すために用いられる。例えば、ある実施形態で、用語「均一」は、例えば、含浸フェルト、または異なる材料の複数層の組成物(コンポジット)から成る研磨パッドを排除する。ある実施形態において、用語「熱硬化」は、ポリマー材料が、不可逆的に硬化、例えば、材料に対する前駆体が、硬化することによって、溶融不能、不溶性のポリマーネットワークに不可逆的に変化することを示すために用いられる。例えば、ある実施形態において、用語「熱硬化」は、例えば、「熱可塑性」材料または「熱可塑性物質」−これらの材料は、加熱されるとき液体に変わるか、または十分に冷却されるとき非常にガラス質の状態に戻るポリマーから成る材料から成る研磨パッドを排除する。熱硬化性材料から作製される研磨パッドは、代表的には、反応して化学反応でポリマーを形成する低分子量前駆体から製作され、その一方、熱可塑性材料から作製されるパッドは、代表的には、研磨パッドが物理的プロセスで形成されるように相変化を引き起こすために予め存在するポリマーを加熱することによって製作されることが注記される。ポリウレタン熱硬化性ポリマーは、それらの安定な熱的および機械的性質、化学的環境に対する耐性、および擦り切れ耐性についての傾向を基にして本明細書に記載される研磨パッドを製作するために選択され得る。
ある実施形態では、均一な研磨本体は、コンディショニングおよび/または研磨に際し、ほぼ1〜5ミクロン二乗平均平方根の範囲の研磨表面粗さを有する。1つの実施形態では、この均一な研磨本体は、コンディショニンクおよび/または研磨に際し、ほぼ2.35ミクロン二乗平均平方根の研磨表面粗さを有する。ある実施形態において、この均一研磨本体は、25℃でほぼ30〜120メガパスカル(MPa)の範囲の貯蔵弾性率を有する。別の実施形態において、この均一研磨本体は、25℃でほぼ30メガパスカル(MPa)未満の貯蔵弾性率を有する。1つの実施形態において、この均一研磨本体は、ほぼ2.5%の圧縮性を有する。1つの実施形態において、この均一研磨本体は、ほぼ0.70〜1.05g/cmの範囲の密度を有する。
ある実施形態では、研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような本明細書に記載される研磨パッドは、成形された均一な研磨パッドを含む。用語「成形された」は、均一な研磨本体が、図11A〜11Fに関連して以下により詳細に記載されるような形成型で形成されることを示すために用いられる。
ある実施形態では、研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような本明細書に記載される研磨パッドは、中に複数の閉じたセルのポアを有する研磨本体を含む。1つの実施形態において、この複数の閉じたセルのポアは、複数のポロゲンである。例えば、用語「ポロゲン」は、「中空」中心を備えたミクロスケールまたはナノスケールの球状または幾分球状である粒子を示すために用いられ得る。中空中心は固体材料で充填されておらず、むしろガス状または液体のコアを含み得る。1つの実施形態において、この複数の閉じたセルのポアは、研磨パッドの均一な研磨本体全体に(例えば、その中のさらなる成分として)分配された、予備拡張されて、ガス充填されたEXPANCELTMから成る。特定の実施形態では、このEXPANCELTMは、ペンタンで充填される。ある実施形態で、この複数の閉じたセルのポアの各々は、ほぼ10〜100ミクロンの範囲にある直径を有する。ある実施形態において、この複数の閉じたセルのポアは、互いから分離しているポアを含む。これは、一般のスポンジ中のポアについての場合のように、トンネルを通じて互いに接続され得る開いたポアとは対照的である。1つの実施形態では、閉じたセルのポアの各々は、上記のような、ポロゲンのシェルのような物理的シェルを含む。別の実施形態では、しかし、閉じたセルのポアの各々は、物理的シェルを含まない。ある実施形態では、この複数の閉じたセルのポアは、均一な研磨本体の熱硬化性ポリウレタン材料全体に本質的に均一に分配されている。1つの実施形態において、この均一な研磨本体は、ほぼ6%〜50%総空隙容積の範囲、そして可能性として、ほぼ15%〜35%総空隙容積の範囲のポア密度を有する。1つの実施形態では、均一な研磨は、複数のポロゲンを含むことに起因して、上記のように、閉鎖セルタイプの間隙率を有する。
ある実施形態では、均一な研磨本体は不透明である。1つの実施形態で、用語「不透明」は、ほぼ10%またはそれより少ない可視光が通過することを可能にする材料を示すために用いられる。1つの実施形態では、この均一な研磨本体は、大部分が、またはこの均一な研磨本体の均一熱硬化性閉鎖セルポリウレタン材料全体に(例えば、その中のさらなる成分として)不透明化潤滑剤を含めることに起因して完全に不透明である。特定の実施形態では、不透明化潤滑剤は、限定されないが、窒化ホウ素、フッ化セリウム、グラファイト、フッ化グラファイト、硫化モリブデン、硫化ニオビウム、タルク、硫化タンタル、二硫化タングステン、またはTeflon(登録商標)のような材料である。
均一な研磨本体のサイズ決定は、用途に従って変動され得る。それにもかかわらず、従来のプロセッシング設備と、または従来の化学的機械的プロセッシング動作とでさえ適合可能である均一研磨本体等を含む研磨パッドを作製するために特定のパラメータが用いられ得る。例えば、本発明の実施形態に従って、この均一な研磨本体は、ほぼ0.075インチ〜0.130インチの範囲、例えば、ほぼ1.9〜3.3ミリメートルの範囲の厚みを有する。1つの実施形態において、この均一な研磨本体は、ほぼ20インチ〜30.3インチの範囲、例えば、ほぼ50〜77センチメートルの範囲、そして可能性としてほぼ10インチ〜42インチの範囲、例えば、ほぼ25〜107センチメートルの範囲の直径を有する。
本発明の別の実施形態では、上に複数の連続的突出部を有する研磨表面を備えた研磨パッドはさらに、研磨パッド中に配置されるローカルエリア透明(LAT)領域を含む。例えば、図10は、本発明の実施形態に従って、突出部パターンのトップダウン式平面図を示し、このパターンは、研磨パッド1000の研磨表面1002中に配置されたローカルエリア透明(LAT)領域および/または指標領域によって中断されている。詳細には、LAT領域1004は、研磨パッド1000の研磨本体中に配置されている。図10に描写されるように、このLAT領域1004は、突出部1010のパターンを中断する。ある実施形態において、このLAT領域1004は、研磨パッド1000の均一な研磨本体中に配置され、そしてそれと共有結合される。適切なLAT領域の例は、2010年1月13日に出願され、NexPlanar Corporationに譲渡された米国特許出願第12/657,135号、および2010年9月30日に出願され、NexPlanar Corporationに譲渡された米国特許出願第12/895,465号に記載されている。
代替の実施形態において、本明細書に記載される研磨パッドはさらに、研磨表面および研磨本体中に配置されるアパーチャをさらに含む。接着シートが、研磨本体の裏面に配置される。この接着シートは、研磨本体の裏面でアパーチャのための不透過性シールを提供する。適切なアパーチャの例は、2011年7月15日に出願され、NexPlanar
Corporationに譲渡された米国特許出願第13/184,395号に記載されている。
別の実施形態において、その上に連続的突出部のパターンを有する研磨表面を備えた研磨パッドはさらに、例えば、渦電流検出システムとの使用のための検出領域を含む。例えば、図10を再び参照すると、研磨パッド1000の研磨表面1002は、研磨パッド1000の裏面に配置された検出領域の位置を示す指標領域1006を含む。1つの実施形態では、この指標領域1006は、図10に描写されるように、突出部1008の第2のバターンを備えた突出部1010のパターンを中断する。適切な渦電流検出領域の例は、2010年9月30日に出願され、NexPlanar Corporationに譲渡された米国特許出願第12/895,465号に記載されている。
研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような本明細書に記載される研磨パッドはさらに、研磨本体の裏面上に配置された土台層を含み得る。1つのそのような実施形態において、結果は、研磨表面の材料とは異なるバルクまたは土台材料を備えた研磨パッドである。1つの実施形態では、複合研磨パッドは、上に研磨表面層が配置される安定で本質的に圧縮可能でない不活性材料から製作される土台またはバルク層を含む。より硬い土台層は、パッド完全性のための支持および強度を提供し得、その一方、より柔軟な研磨表面層は、掻き取りを低減し、研磨層および研磨パッドの残りの材料性質を分離することを可能にし得る。適切な土台層の例は、2011年11月29日に出願され、NexPlanar Corporationに譲渡された米国特許出願第13/306,845号に記載されている。
研磨パッド200または800、または上記に記載のそれらの変形例のような本明細書に記載される研磨パッドはさらに、研磨本体の裏面上に配置されるサブパッド、例えば、CMP技術で公知のような従来のサブパッドを含み得る。1つのそのような実施形態では、このサブパッドは、限定されないが、発泡体、ゴム、ファイバ、フェルトまたは高度に多孔性の材料のような材料から成る。
本発明の別の局面では、連続的突出部を備えた研磨表面を研磨することは、成形プロセスで製作され得る。例えば、図11A〜11Fは、本発明の実施形態に従って、研磨パッドの製作で用いられる動作の断面図を示す。
図11Aを参照すれば、形成型1100が提供される。図11Bを参照すれば、プレポリマー1102および硬化剤1104が混合されて、図11Cに描写されるように、形成型1100中の混合物1106を形成する。ある実施形態では、プレポリマー1102および硬化剤1104を混合することは、イソシアネートおよび芳香族ジアミン化合物をそれぞれ混合することを含む。1つの実施形態では、この混合することはさらに、不透明化潤滑剤をプレポリマー1102および硬化剤1104に添加することを含み、最終的に、不透明かつ成形された均一な研磨本体を提供する。特定の実施形態では、この不透明化潤滑剤は、限定されないが、窒化ホウ素、フッ化セリウム、グラファイト、フッ化グラファイト、硫化モリブデン、硫化ニオビウム、タルク、硫化タンタル、二硫化タングステン、またはTeflon(登録商標)のような材料である。
ある実施形態では、研磨パッド前駆体混合物1106は、最終的に、熱硬化性の閉じたセルのポリウレタン材料から成る成形された均一な研磨本体を形成するために用いられる。1つの実施形態では、研磨パッド前駆体混合物1106は、最終的に、硬いパッドを形成するために用いられ、そして単一のタイプの硬化剤のみが用いられる。別の実施形態では、研磨パッド前駆体混合物1106は、最終的に、柔らかいパッドを形成するために用いられ、そして一次および二次硬化剤の組み合わせが用いられる。例えば、特定の実施形態では、プレポリマーは、ポリウレタン前駆体を含み、一次硬化剤は、芳香族ジアミン化合物を含み、そして二次硬化剤は、エーテル結合を有する化合物を含む。特定の実施形態では、ポリウレタン前駆体はイソシアネートであり、一次硬化剤は芳香族ジアミンであり、そして二次硬化剤は、限定されないが、ポリテトラメチレングリコール、アミノ官能化グリコール、またはアミノ官能化ポリオキシプロピレンのような硬化剤を含む。ある実施形態では、プレポリマー、一次硬化剤、および二次硬化剤は、ほぼ100部のプレポリマー、85部の一次硬化剤、および15部の二次硬化剤のモル比を有する。比率の変更例が、変動する硬度値を備えた研磨パッドを提供するために用いられ得るか、またはプレポリマーならびに一次硬化剤および二次硬化剤の特定の性質に基づき得ることが理解されるべきである。
図11Dを参照すれば、成形型1100のふた1108が混合物1106の中に下げられる。ふた1108のトップダウン式平面図が上部に示され、その一方、a−a’軸に沿った断面図が図11Dの下に示されている。ある実施形態では、ふた1108は、例えば、シリンダ状の溝1110の溝バターンをその上に配置している。この溝1110のパターンは、成形型1100中に形成された研磨パッドの研磨表面中に突出部のパターンをスタンプするために用いられる。
成形型1100のふた1108を下げることを記載する本明細書に記載される実施形態は、ふた1108と成形型1100のベースとを一緒にすることを達成することだけが必要であることが理解されるべきである。すなわち、いくつかの実施形態では、成形型1100のベースは、成形型のふた1108に向かって高められ、その一方、他の実施形態では、成形型1100のふた1108が、ベースがふた1108に向かって高められると同時に成形型1100のベースに向かって下げられる。
図11Eを参照すると、混合物1106は硬化されて、成形型1100中に成形された均一な研磨本体1112を提供する。混合物1106は加圧下(例えば、ふた1108が定位置にある状態)で加熱され、成形された均一な研磨本体1112を提供する。ある実施形態では、成形型1100中の加熱は、ふた1108の存在下で少なくとも部分的に硬化することを含み、このふたは、成形型1100中で混合物1106を、ほぼ200〜260゜Fの範囲の温度、およびほぼ2〜12ポンド/平方インチの範囲の圧力で囲む。
図11Fを参照すると、研磨パッド(または、さらなる硬化が要求される場合、研磨パッド前駆体)は、ふた1108から分離され、そして成形型1100から除去され、別個の成形された均一な研磨本体1112を提供する。成形された均一な研磨本体1112のトップダウン式平面図が下に示され、その一方、b−b’軸に沿った断面が図11Fの上に示されている。加熱によるさらなる硬化が所望され得、そしてこの研磨パッドをオーブン中に置き、そして加熱することにより実施され得ることが注記される。それゆえ、1つの実施形態では、混合物1106を硬化することは、最初、成形型1100中で部分的に硬化すること、そして次にオーブン中でさらに硬化することを含む。いずれにしても、研磨パッドが最終的に提供され、ここで、研磨パッドの成形された均一な研磨本体1112は、研磨表面1114および裏面1116を有する。ある実施形態では、成形された均一な研磨本体1112は、熱硬化されたポリウレタン材料、および熱硬化されたポリウレタン材料中に配置された複数の閉じたセルのポアから成る。この成形された均一な研磨本体1112は、その中に配置された、ふた1108の溝1110のパターンに対応する突出部1120のパターンを有する研磨表面1114を含む。突出部1120のパターンは、上記、例えば、図2A〜2C、3A、3B、4、5A〜5C、6A〜6D、7、8A〜8C、9Aおよび9Bに関する突出部のパターンであり得る。
ある実施形態において、図11Bを再び参照すると、混合物はさらに、プレポリマー1102および硬化剤1104に複数のポロゲン1122を添加することを含み、最終的に形成された研磨パッド中に閉じたセルのポアを提供する。それゆえ、1つの実施形態では、各閉じたセルのポアは、物理的シェルを有する。別の実施形態では、図11Bを再び参照すれば、混合することはさらに、プレポリマー1102および硬化剤1104中に、またはそれらから形成された産物中にガス1124を注入することを含み、最終的に形成された研磨パッド中に閉じたセルのポアを提供する。それゆえ、1つの実施形態で、各閉じたセルのポアは、物理的なシェルを有さない。組み合わせ実施形態では、混合することはさらに、プレポリマー1102および硬化剤1104中に複数のポロゲン1122を添加することを含み、各々が物理的シェルを有する閉じたセルのポアの第1の部分を提供し、そしてさらに、プレポリマー1102および硬化剤1104中に、またはそれらから形成された産物中にガス1124を注入することを含み、各々が物理的なシェルを有さない閉じたセルのポアの第2の部分を提供する。なお別の実施形態では、プレポリマー1102はイソシアネートであり、そして混合することはさらに、プレポリマー1102および硬化剤1104に水(HO)を添加することを含み、各々が物理的なシェルを有さない閉じたセルのポアを提供する。
このように、本発明の実施形態で企図される突出部パターンは、その場で(in−situ)形成され得る。例えば、上記に記載のように、圧縮成形プロセスが、連続的突出部のパターンを有する研磨表面を備えた研磨パッドを形成するために用いられ得る。成形プロセスを用いることにより、パッド内の高度に均一な突出部寸法が達成され得る。さらに、非常に円滑で汚れのない突出部表面とともに、極度に再現性のある突出部寸法が生成され得る。他の利点は、減少した欠陥およびミクロな引っかき傷、ならびにより大きい使用可能な突出部深さを含み得る。
本明細書に記載される研磨パッドは、種々の化学的機械的研磨装置との使用のために適切であり得る。例として、図12は、本発明の実施形態による連続的突出部を備えた研磨表面を有する研磨パッドと適合する研磨装置の等大の横からの図を示す。
図12を参照すると、研磨装置1200はプラテン1204を含む。プラテン1204の上表面1202は、研磨突出部のパターンを上に備えた研磨パッドを支持するために用いられ得る。プラテン1204は、スピンドル回転1206およびスライダー振動1208を提供するように構成され得る。サンプルキャリア1210が、例えば、研磨パッドを用いた半導体ウェーハーの研磨中に半導体ウェーハー1211を定位置に保持するために使用され得る。サンプルキャリア1210は、サスペンション機構1212によってさらに支持される。スラリー供給1214が、半導体ウェーハーの研磨の前、およびその最中に研磨パッドの表面にスラリーを提供するために含められる。コンディショニングユニット1290がまた含められてもよく、そして1つの実施形態では、研磨パッドをコンディショニングするためにダイアモンドチップを含む。
従って、連続的突出部を備えた研磨表面を有する研磨パッドが開示されている。本発明の実施形態によれば、基板を研磨するための研磨パッドは、裏面に対向する研磨側を有する研磨本体を含む。この研磨パッドはまた、研磨本体の研磨側と連続する複数のシリンダ状突出部を有する研磨表面を含む。1つの実施形態では、複数のシリンダ状突出部の各々は、限定されないが、円形、卵形、三角形、または5もしくはそれ以上の辺を有する多角形のような研磨表面の平面における形状を有する。本発明の実施形態によれば、基板を研磨するための研磨パッドは、裏面と対向する研磨側を有する研磨本体を含む。この研磨パッドはまた、研磨本体の研磨側と連続する複数の突出部を有する研磨表面を含む。各突出部は、研磨表面の平面中に改変された四辺形の多角形形状を有する。1つの実施形態で、この改変された四辺形の多角形形状は、限定されないが、1つ以上の丸まったコーナーを備えた四辺形の多角形形状、1つ以上のノッチのあるコーナーを備えた四辺形の多角形、または1つ以上のアーチ状の側面を備えた四辺形の多角形などである。

Claims (1)

  1. 本明細書に記載の発明。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102370288B1 (ko) * 2012-07-23 2022-03-04 제이에이치 로드스 컴퍼니, 인크 비평면 유리 연마 패드 및 상기 연마 패드 제작 방법
US10160092B2 (en) 2013-03-14 2018-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
WO2017053685A1 (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Cabot Microelectronics Corporation Polyurethane cmp pads having a high modulus ratio
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
KR102629800B1 (ko) 2016-01-19 2024-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다공성 화학적 기계적 연마 패드들
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
JP6754519B2 (ja) * 2016-02-15 2020-09-16 国立研究開発法人海洋研究開発機構 研磨方法
SG11201806820UA (en) * 2016-03-09 2018-09-27 Applied Materials Inc Correction of fabricated shapes in additive manufacturing
WO2017165068A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Applied Materials, Inc. Local area polishing system and polishing pad assemblies for a polishing system
CN109075054B (zh) * 2016-03-25 2023-06-09 应用材料公司 具有局部区域速率控制及振荡模式的研磨系统
SG11201906131WA (en) * 2017-01-20 2019-08-27 Applied Materials Inc A thin plastic polishing article for cmp applications
US20180304539A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus
US10882160B2 (en) 2017-05-25 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using sacrificial material
US10967482B2 (en) 2017-05-25 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold
US10586708B2 (en) 2017-06-14 2020-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Uniform CMP polishing method
US10861702B2 (en) * 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Controlled residence CMP polishing method
US10777418B2 (en) * 2017-06-14 2020-09-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I Biased pulse CMP groove pattern
US10857648B2 (en) * 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Trapezoidal CMP groove pattern
US10857647B2 (en) * 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings High-rate CMP polishing method
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
CN111032284B (zh) * 2017-08-04 2022-11-04 3M创新有限公司 具有增强的共平面性的微复制型抛光表面
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR101986826B1 (ko) * 2017-12-01 2019-06-07 에스케이씨 주식회사 연마패드 및 이의 제조방법
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
CN108908096A (zh) * 2018-09-10 2018-11-30 台山市远鹏研磨科技有限公司 一种金刚石玻璃减薄垫
US11331767B2 (en) * 2019-02-01 2022-05-17 Micron Technology, Inc. Pads for chemical mechanical planarization tools, chemical mechanical planarization tools, and related methods
KR102222851B1 (ko) * 2019-05-29 2021-03-08 한국생산기술연구원 그루브가 형성된 연마용 패드
KR102186895B1 (ko) * 2019-05-29 2020-12-07 한국생산기술연구원 마이크로 패턴을 갖는 연마용 패드의 설계방법
KR102221514B1 (ko) * 2019-05-29 2021-03-03 한국생산기술연구원 연마액의 유동 저항 구조를 갖는 연마용 패드
WO2020242172A1 (ko) * 2019-05-29 2020-12-03 한국생산기술연구원 패턴구조를 갖는 화학기계적 연마용 패드
KR102440315B1 (ko) * 2020-05-11 2022-09-06 한국생산기술연구원 패턴구조를 갖는 화학기계적 연마용 패드 및 이의 제조방법
US11524385B2 (en) * 2019-06-07 2022-12-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad with lobed protruding structures
JP7514234B2 (ja) 2019-06-19 2024-07-10 株式会社クラレ 研磨パッド、研磨パッドの製造方法及び研磨方法
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
KR20210116759A (ko) 2020-03-13 2021-09-28 삼성전자주식회사 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치
US11833638B2 (en) 2020-03-25 2023-12-05 Rohm and Haas Electronic Materials Holding, Inc. CMP polishing pad with polishing elements on supports
US20210299816A1 (en) * 2020-03-25 2021-09-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp polishing pad with protruding structures having engineered open void space
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
KR102570825B1 (ko) * 2020-07-16 2023-08-28 한국생산기술연구원 다공성 돌출 패턴을 포함하는 연마 패드 및 이를 포함하는 연마 장치
WO2022014978A1 (ko) * 2020-07-16 2022-01-20 한국생산기술연구원 연마 패드, 이를 포함하는 연마 장치, 그리고 연마 패드의 제조 방법
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5441598A (en) * 1993-12-16 1995-08-15 Motorola, Inc. Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate
JP2000246629A (ja) * 1999-02-26 2000-09-12 Canon Inc 研磨装置および研磨方法
JP2001150332A (ja) * 1999-11-22 2001-06-05 Nec Corp 研磨パッドおよび研磨方法
JP2002246343A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Nikon Corp 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス
JP2005183712A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2005183707A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Cmp用研磨パッドおよびそれを用いた研磨方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5020283A (en) 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5632790A (en) 1990-05-21 1997-05-27 Wiand; Ronald C. Injection molded abrasive article and process
US6093651A (en) 1997-12-23 2000-07-25 Intel Corporation Polish pad with non-uniform groove depth to improve wafer polish rate uniformity
JP2000158327A (ja) * 1998-12-02 2000-06-13 Rohm Co Ltd 化学的機械的研磨用研磨布およびそれを用いた化学的機械的研磨装置
JP2000301450A (ja) 1999-04-19 2000-10-31 Rohm Co Ltd Cmp研磨パッドおよびそれを用いたcmp処理装置
TW467802B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Hunatech Co Ltd Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
US6500054B1 (en) 2000-06-08 2002-12-31 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical polishing pad conditioner
US6495464B1 (en) 2000-06-30 2002-12-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed abrasive substrate preparation and use in a cluster CMP tool
US6776699B2 (en) 2000-08-14 2004-08-17 3M Innovative Properties Company Abrasive pad for CMP
US6612916B2 (en) 2001-01-08 2003-09-02 3M Innovative Properties Company Article suitable for chemical mechanical planarization processes
US6632129B2 (en) * 2001-02-15 2003-10-14 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive article for use in modifying a semiconductor wafer
JP2003062748A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Inoac Corp 研磨用パッド
TWI228768B (en) 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
US20070202780A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Chung-Ching Feng Polishing pad having a surface texture and method and apparatus for fabricating the same
US20080220702A1 (en) * 2006-07-03 2008-09-11 Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad having surface texture
US8002611B2 (en) 2006-12-27 2011-08-23 Texas Instruments Incorporated Chemical mechanical polishing pad having improved groove pattern
TWI411495B (zh) 2007-08-16 2013-10-11 Cabot Microelectronics Corp 拋光墊
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US8628384B2 (en) * 2010-09-30 2014-01-14 Nexplanar Corporation Polishing pad for eddy current end-point detection
US8702479B2 (en) 2010-10-15 2014-04-22 Nexplanar Corporation Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters
US8968058B2 (en) 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
US8920219B2 (en) 2011-07-15 2014-12-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment aperture

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5441598A (en) * 1993-12-16 1995-08-15 Motorola, Inc. Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate
JP2000246629A (ja) * 1999-02-26 2000-09-12 Canon Inc 研磨装置および研磨方法
JP2001150332A (ja) * 1999-11-22 2001-06-05 Nec Corp 研磨パッドおよび研磨方法
US6428405B1 (en) * 1999-11-22 2002-08-06 Nec Corporation Abrasive pad and polishing method
JP2002246343A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Nikon Corp 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス
JP2005183712A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2005183707A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Cmp用研磨パッドおよびそれを用いた研磨方法

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