JP2017024289A - Expansion/contraction control system for flexible substrate, expansion/contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method - Google Patents

Expansion/contraction control system for flexible substrate, expansion/contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an expansion/contraction control system for a flexible substrate which can form a fine pattern on a moving flexible substrate having flexibility, and to provide an expansion/contraction control method, an alignment method, and an electronic device manufacturing method.SOLUTION: In an expansion/contraction control method for a flexible substrate, a moire fringe is generated by superimposing a reference moire mark MMR, not causing a dimensional change due to the delivery of a film substrate 8 having flexibility, on a first moire mark MM1 continuously delivered synchronously with the delivery of the film substrate 8, the distortion of the first moire mark is obtained based on the generated moire fringe, and the expansion/contraction of the continuously delivered film substrate 8 is controlled based on the obtained distortion of the first moire mark.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、可撓性を有する可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a flexible substrate expansion / contraction control system, an expansion / contraction control method, an alignment method, and an electronic device manufacturing method.

半導体装置の製造工程においては、ウエハ基板上に微細パターンを積層する工程が存在し、該ウエハ基板と該微細パターンとの位置合わせ技術が必要である。該位置合わせ技術としては、ウエハ基板と微細パターンを有する層とのそれぞれにアライメントマークを設けて、アライメントマーク間の相対的位置を測定してアライメント誤差をなくすように位置合わせを行う方法が広く使用されている。
バッチ式でウエハ基板に微細パターンを高精度に重ね合わせを行う場合、パターン寸法に変化のない材料を使用した場合は、高精度に重ね合わせることが可能である。例えば、ウエハ基板上に微細なパターンを重ねるナノインプリントのバッチ式装置では、重ね合わせ精度が数十nmから数百nmの高精度な位置合わせが要求される場合、通常のアライメントマークに代えてモアレ縞を利用して微小なアライメント誤差を拡大して測定する技術が知られている(特許文献1)。
In the manufacturing process of a semiconductor device, there is a process of laminating a fine pattern on a wafer substrate, and an alignment technique between the wafer substrate and the fine pattern is necessary. As the alignment technique, a method is widely used in which alignment marks are provided on each of the wafer substrate and the layer having a fine pattern, and alignment is performed so as to eliminate alignment errors by measuring the relative positions between the alignment marks. Has been.
When superimposing a fine pattern on a wafer substrate with a batch method with high accuracy, it is possible to superimpose with high accuracy when a material having no change in pattern dimensions is used. For example, in a nanoimprint batch-type apparatus that superimposes a fine pattern on a wafer substrate, when high-precision alignment with an overlay accuracy of several tens to several hundreds of nanometers is required, a moire fringe is used instead of a normal alignment mark. A technique is known in which a minute alignment error is magnified and measured by using (Patent Document 1).

また、ロール上に巻かれたフィルムを繋がった状態のまま連続して流し、フィルムに所定の処理を施すロールツーロール(Roll to Roll)方式が知られている。ロールツーロール方式を実行可能な装置では、動いているフィルム上に微細なパターンを重ね合わせるときに、該フィルムと該パターンを有する層に、アライメント誤差(重ね合わせのずれ)を測定するためのアライメントマークがそれぞれパターニングされる。パターニングされたアライメントマークは、イメージセンサで撮像され、撮像された画像からアライメントマーク間の相対的位置を測定してアライメント誤差をなくすように位置合わせの制御がなされる(特許文献2)。   In addition, a roll-to-roll method is known in which a film wound on a roll is continuously flowed in a connected state and a predetermined treatment is performed on the film. In an apparatus capable of performing the roll-to-roll system, when a fine pattern is superimposed on a moving film, alignment is performed to measure an alignment error (overlapping deviation) between the film and the layer having the pattern. Each mark is patterned. The alignment mark thus patterned is picked up by an image sensor, and the alignment is controlled so as to eliminate the alignment error by measuring the relative position between the alignment marks from the picked-up image (Patent Document 2).

このようにロールツーロール方式でアライメントマーク間の相対的位置を測定して所定パターンを連続的に重ね合わせる場合、可撓性を有するフィルム基材ではウエハ基板と比較して、その重ね合わせ精度は低下するが、該重ね合わせ精度が±10μm以上を許容するプロセスでは十分に実用可能である。   In this way, when measuring the relative position between alignment marks by roll-to-roll method and continuously overlaying a predetermined pattern, the overlay accuracy of the flexible film base material is higher than that of the wafer substrate. Although it is lowered, it is sufficiently practical in a process that allows the overlay accuracy to be ± 10 μm or more.

特開2010−267682号公報JP 2010-267682 A 特開2003−72037号公報JP 2003-72037 A

近年、基板上に形成されるパターンの微細化に伴って、ロールツーロール方式の連続プロセスにおいても1μm以下の重ね合わせ精度で位置合わせする方法が望まれている。このためには、以下の2つの課題を解決する必要がある。
1つ目の課題は、フィルム等の可撓性基板が走行することにより、位置測定時の分解能が低下することである。ロールツーロール方式の連続プロセスでは、パターンを形成するフィルムが走行している。このため、走行している基板上のアライメント誤差を光学的に計測するためには、静止した基板上に形成されているパターンの寸法よりも小さい測定分解能が光学装置に要求される。そのため、現在実用化されている最高水準の光学装置を用いてもロールツーロール方式の連続プロセスでの重ね合わせ精度は±10μmが限界であり、静止した基板上での重ね合せ精度と比べると大幅に劣っている。
In recent years, with the miniaturization of a pattern formed on a substrate, a method of aligning with an overlay accuracy of 1 μm or less is desired even in a roll-to-roll continuous process. For this purpose, it is necessary to solve the following two problems.
The first problem is that the resolution at the time of position measurement decreases due to the traveling of a flexible substrate such as a film. In a roll-to-roll continuous process, a film forming a pattern is running. For this reason, in order to optically measure the alignment error on the traveling substrate, the optical device is required to have a measurement resolution smaller than the dimension of the pattern formed on the stationary substrate. Therefore, even with the highest level optical devices that are currently in practical use, the overlay accuracy in a roll-to-roll continuous process is limited to ± 10 μm, which is much larger than the overlay accuracy on a stationary substrate. It is inferior to.

2つ目の課題は、アライメントマークのずれを検出した時に、それがパターニングの位相のずれであるのか、それとも基板の伸縮によるパターン寸法の変化によるものなのかがわからないことである。アライメント誤差は、基板及び基板上に積層される各層の相対的位置のずれを読み取った値である。しかし、基板が可撓性を有するため、ロールツーロール方式の連続プロセスにおける張力の変動によりパターニング後も基板の伸縮による寸法変化が起きうる。また、パターニング後に乾燥などの加熱処理を行うと張力が同じでも寸法が大きく変わってしまうこともある。このため、基板上に形成されたアライメントマークは、撮影される際に設計値のパターン寸法になっていない場合がある。仮に、特許文献1に開示されたバッチ式のナノインプリント装置で有用なモアレ縞によるアライメントマーク技術を、ロールツーロール方式で走行している基板上のアライメントマークに使用したとしても、前記1つ目の課題は解決することができるかもしれないが、この2つ目の課題は解決することができない。すなわち、基準となるアライメントマークを撮影した際に、アライメント誤差は、位相のずれがあるのか、それとも基板の伸縮によりそのパターン寸法が変化しているか否かが不明であるため、正確にアライメント誤差を測定できないという課題がある。   The second problem is that when a misalignment of the alignment mark is detected, it is not known whether this is a patterning phase misalignment or a change in pattern dimensions due to expansion / contraction of the substrate. The alignment error is a value obtained by reading a shift in relative position between the substrate and each layer stacked on the substrate. However, since the substrate has flexibility, a dimensional change due to expansion / contraction of the substrate may occur even after patterning due to a variation in tension in a continuous roll-to-roll process. In addition, when heat treatment such as drying is performed after patterning, the dimensions may change greatly even if the tension is the same. For this reason, the alignment mark formed on the substrate may not have a design pattern size when photographed. Even if the alignment mark technique using moire fringes useful in the batch type nanoimprint apparatus disclosed in Patent Document 1 is used for an alignment mark on a substrate running in a roll-to-roll system, the first The problem may be solved, but this second problem cannot be solved. In other words, when taking a reference alignment mark, it is unclear whether the alignment error has a phase shift or whether the pattern dimension has changed due to expansion / contraction of the substrate. There is a problem that it cannot be measured.

したがって、ロールツーロール方式の連続プロセスでは、仮に特許文献1や特許文献2に開示された技術を組み合わせて用いても1μm以下の重ね合わせ精度で位置合わせができないという問題がある。   Therefore, in the roll-to-roll continuous process, there is a problem that even if the techniques disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 are used in combination, alignment cannot be performed with an overlay accuracy of 1 μm or less.

本発明の目的は、可撓性を有し走行している可撓性基板に微細なパターンを高い位置合わせ精度で形成できる可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a flexible substrate expansion / contraction control system, an expansion / contraction control method, an alignment method, and an electronic device that can form a fine pattern with high alignment accuracy on a flexible flexible substrate. It is to provide a device manufacturing method.

上記目的を達成するために、本発明の一態様による可撓性基板の伸縮制御方法は、可撓性基板の送出と同期して連続的に送出される第1マークに、該可撓性基板の送出による寸法変化がない第2マークを重ね合わせて第一の干渉縞を発生させ、発生する干渉縞に基づいて前記第1マークのひずみを取得し、取得した前記ひずみに基づいて、連続的に送出される前記可撓性基板の伸縮を制御することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a flexible substrate expansion / contraction control method according to an aspect of the present invention provides a flexible substrate with a first mark that is continuously delivered in synchronization with the delivery of the flexible substrate. The first mark is generated by superimposing the second marks having no dimensional change due to the transmission of the first mark, the distortion of the first mark is acquired based on the generated interference pattern, and based on the acquired distortion, The flexible substrate is controlled to extend and contract.

上記目的を達成するために、本発明の一態様による位置合わせ方法は、上記一態様による可撓性基板の伸縮制御方法を用いて前記可撓性基板上に積層する積層パターンを位置合わせすることを特徴とする。   In order to achieve the above object, an alignment method according to an aspect of the present invention includes aligning a laminated pattern to be laminated on the flexible substrate using the flexible substrate expansion and contraction control method according to the above aspect. It is characterized by.

上記目的を達成するために、本発明の一態様による電子デバイスの製造方法は、上記一態様による位置合わせ方法を用いて前記積層パターンを有する電子デバイスを製造することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an electronic device manufacturing method according to an aspect of the present invention is characterized in that an electronic device having the stacked pattern is manufactured using the alignment method according to the above aspect.

上記目的を達成するために、本発明の一態様による可撓性基板の伸縮制御システムは、可撓性基板の送出と同期して連続的に送出される第1マークに、該可撓性基板の送出による寸法変化がない第2マークを重ね合わせて発生する第一の干渉縞に基づいて前記第1マークのひずみを取得するひずみ取得部と、取得した前記ひずみに基づいて、連続的に送出される前記可撓性基板の伸縮を制御する基板伸縮制御部とを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a flexible substrate expansion / contraction control system according to an aspect of the present invention provides a flexible substrate with a first mark that is continuously delivered in synchronization with the delivery of the flexible substrate. A strain acquisition unit that acquires the strain of the first mark based on the first interference fringes generated by superimposing the second marks that do not change in size due to the transmission of the first mark, and continuously transmits based on the acquired strain And a substrate expansion / contraction control unit that controls expansion / contraction of the flexible substrate.

本発明によれば、可撓性を有し走行している可撓性基板に微細なパターンを高い位置合わせ精度で形成できる。   According to the present invention, a fine pattern can be formed with high alignment accuracy on a flexible substrate that is flexible and traveling.

本発明の第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム100の概略構成を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a flexible substrate expansion / contraction control system 100 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム100に設けられた第1パターン形成部22の近傍を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vicinity of the 1st pattern formation part 22 provided in the expansion-contraction control system 100 of the flexible substrate by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム100に設けられた第1光学系撮像装置11の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the 1st optical system imaging device 11 provided in the expansion-contraction control system 100 of the flexible substrate by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム100に備えられた第1基準板7a等の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the 1st reference board 7a etc. with which the expansion-contraction control system 100 of the flexible substrate by the 1st Embodiment of this invention was equipped. 本発明の第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム100における画像処理及び補正量の算出を説明する図である。It is a figure explaining the calculation of the image processing and correction amount in the expansion-contraction control system 100 of the flexible substrate by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法における伸縮制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of the expansion-contraction control process in the expansion-contraction control method of the flexible substrate by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム300の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the expansion-contraction control system 300 of the flexible substrate by the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム200に設けられた第1パターン形成部42の近傍を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vicinity of the 1st pattern formation part 42 provided in the expansion-contraction control system 200 of the flexible substrate by the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム500の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the expansion-contraction control system 500 of the flexible substrate by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム500に設けられた第2パターン形成部43の近傍を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vicinity of the 2nd pattern formation part 43 provided in the expansion-contraction control system 500 of the flexible substrate by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム500に設けられた第1基準板17bを基準モアレマークMMR1,MMR2の形成面側から見た状態を示す模式図である。It is the schematic diagram which shows the state which looked at the 1st reference board 17b provided in the expansion-contraction control system 500 of the flexible substrate by the 3rd Embodiment of this invention from the formation surface side of the reference | standard moiré marks MMR1 and MMR2. 本発明の第3の実施形態の可撓性基板の伸縮制御システム500におけるフィルム基板8上に形成されたモアレマーク等を説明する図である。It is a figure explaining the moire mark etc. which were formed on the film board | substrate 8 in the expansion-contraction control system 500 of the flexible substrate of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態の可撓性基板の伸縮制御システム500において発現するモアレ縞を説明する図である。It is a figure explaining the moire fringe which expresses in the expansion-contraction control system 500 of the flexible substrate of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム500における画像処理及び補正量の算出を説明する図である。It is a figure explaining the calculation of the image processing and correction amount in the expansion-contraction control system 500 of the flexible substrate by the 3rd Embodiment of this invention.

〔第1の実施形態〕
本発明の第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法について図1から図6を用いて説明する。まず、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システムの概略構成について図1から図5を用いて説明する。
[First Embodiment]
A flexible substrate expansion / contraction control system, expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, a schematic configuration of the flexible substrate expansion / contraction control system according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図1は、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム(以下、可撓性基板の伸縮制御システムを「伸縮制御システム」と略記する場合がある)100を模式的に示す図である。可撓性基板の伸縮制御システム100は、可撓性基板に電子デバイスを製造する電子デバイス製造装置2と、電子デバイス製造装置2に搬送される可撓性基板の伸縮を制御する基板伸縮制御装置1とを有している。なお、本実施形態における電子デバイス製造装置2は、ロールツーロール方式を採用した製造装置である。また、本実施形態における電子デバイスは、所定パターンの電極層、所定パターンの絶縁層、所定パターンの半導体層などを複数積層して形成される電子デバイスである。このような電子デバイスとして、例えばロジック回路の半導体装置、センサ回路の半導体装置、記憶装置あるいは表示装置などが挙げられる。   FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a flexible substrate expansion / contraction control system 100 (hereinafter, the flexible substrate expansion / contraction control system may be abbreviated as “extraction / contraction control system”) 100 according to the present embodiment. The flexible substrate expansion / contraction control system 100 includes an electronic device manufacturing apparatus 2 that manufactures an electronic device on a flexible substrate, and a substrate expansion / contraction control apparatus that controls expansion / contraction of the flexible substrate conveyed to the electronic device manufacturing apparatus 2. 1. In addition, the electronic device manufacturing apparatus 2 in this embodiment is a manufacturing apparatus that employs a roll-to-roll method. The electronic device according to the present embodiment is an electronic device formed by laminating a plurality of electrode layers having a predetermined pattern, an insulating layer having a predetermined pattern, a semiconductor layer having a predetermined pattern, and the like. Examples of such an electronic device include a logic circuit semiconductor device, a sensor circuit semiconductor device, a memory device, and a display device.

図1に示すように、本実施形態における電子デバイス製造装置2は、長尺形状及び可撓性を備える可撓性基板(以下、可撓性基板を「フィルム基板」と称する)8を繰り出す繰出ロール20と、搬送されるフィルム基板8を巻き取る巻取ロール21とを有している。電子デバイス製造装置2は、ロールツーロール方式でフィルム基板8を繰出ロール20から巻取ロール21に向かって搬送する。繰出ロール20と巻取ロール21との間の基板搬送経路には、フィルム基板8上に第1層目の第1パターンを形成する第1パターン形成部22と、第1パターンが形成されたフィルム基板8上に第2層目の第2パターンを形成する第2パターン形成部23と、第1及び第2パターンが形成されたフィルム基板8上に第3層目の第3パターンを形成する第3パターン形成部24とが設けられている。第1パターン形成部22、第2パターン形成部23及び第3パターン形成部24は、この順に繰出ロール20側から配置されている。本実施形態における電子デバイス製造装置2は、第1から第3パターン形成部22,23,24の3つのパターン形成部を有しているが、パターン形成部の配置数はこれに限られない。電子デバイス製造装置2は、フィルム基板8上に形成する積層数分だけパターン形成部を有することができる。   As shown in FIG. 1, the electronic device manufacturing apparatus 2 in the present embodiment feeds out a flexible substrate 8 (hereinafter referred to as “film substrate”) having a long shape and flexibility. A roll 20 and a take-up roll 21 for winding the film substrate 8 to be conveyed are provided. The electronic device manufacturing apparatus 2 conveys the film substrate 8 from the supply roll 20 toward the take-up roll 21 by a roll-to-roll method. In the substrate transport path between the feeding roll 20 and the take-up roll 21, a first pattern forming portion 22 that forms the first pattern of the first layer on the film substrate 8, and a film on which the first pattern is formed A second pattern forming unit 23 for forming a second pattern of the second layer on the substrate 8 and a third pattern for forming the third pattern of the third layer on the film substrate 8 on which the first and second patterns are formed. Three pattern forming portions 24 are provided. The 1st pattern formation part 22, the 2nd pattern formation part 23, and the 3rd pattern formation part 24 are arrange | positioned from the supply roll 20 side in this order. Although the electronic device manufacturing apparatus 2 in the present embodiment has three pattern forming units, the first to third pattern forming units 22, 23, and 24, the number of pattern forming units is not limited to this. The electronic device manufacturing apparatus 2 can have as many pattern forming portions as the number of stacked layers formed on the film substrate 8.

第1パターン形成部22は、例えばインプリント法やダイレクトグラビア法によりフィルム基板8上に所定パターンを形成するようになっている。第1パターン形成部22は、互いに対向配置された一対の駆動ロール22a及び駆動ロール22bを有している。駆動ロール22a及び駆動ロール22bはそれぞれ、円筒形状を有している。駆動ロール22a及び駆動ロール22bはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。駆動ロール22aと駆動ロール22bとは、反対方向に回転している。駆動ロール22a及び駆動ロール22bは、繰出ロール20側から第2パターン形成部23側に向かってフィルム基板8を搬送する方向に回転している。駆動ロール22aと駆動ロール22bとの間に挟まれたフィルム基板8は、繰出ロール20側から巻取ロール21側に向かって連続的に搬送される。フィルム基板8が駆動ロール22aに接触しながら駆動ロール22aと駆動ロール22bとの間を通過することにより、駆動ロール22a上に形成されたパターンを反転させたパターンが第1パターンとしてフィルム基板8上に形成される。詳細は後述するが、フィルム基板8上に第1パターンを形成する際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンもフィルム基板8上に形成される。   The first pattern forming unit 22 forms a predetermined pattern on the film substrate 8 by, for example, an imprint method or a direct gravure method. The 1st pattern formation part 22 has a pair of drive roll 22a and drive roll 22b which were mutually opposingly arranged. Each of the drive roll 22a and the drive roll 22b has a cylindrical shape. Each of the drive roll 22a and the drive roll 22b is configured to rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The drive roll 22a and the drive roll 22b rotate in opposite directions. The drive roll 22a and the drive roll 22b are rotating in the direction of transporting the film substrate 8 from the feed roll 20 side toward the second pattern forming unit 23 side. The film substrate 8 sandwiched between the drive roll 22a and the drive roll 22b is continuously conveyed from the feed roll 20 side toward the take-up roll 21 side. When the film substrate 8 passes between the drive roll 22a and the drive roll 22b while being in contact with the drive roll 22a, a pattern obtained by inverting the pattern formed on the drive roll 22a is the first pattern on the film substrate 8 Formed. Although details will be described later, when the first pattern is formed on the film substrate 8, moire marks and vernier patterns used for expansion / contraction control of the film substrate 8 are also formed on the film substrate 8.

第2パターン形成部23は、例えばインプリント法やダイレクトグラビア法によりフィルム基板8上に所定パターンを形成するようになっている。第2パターン形成部23は、互いに対向配置された一対の駆動ロール23a及び駆動ロール23bを有している。駆動ロール23a及び駆動ロール23bはそれぞれ、円筒形状を有している。駆動ロール23a及び駆動ロール23bはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。駆動ロール23aと駆動ロール23bとは、反対方向に回転している。駆動ロール23a及び駆動ロール23bは、第1パターン形成部22側から第3パターン形成部24側に向かってフィルム基板8を搬送する方向に回転している。駆動ロール23aと駆動ロール23bとの間に挟まれたフィルム基板8は、繰出ロール20側から巻取ロール21側に向かって連続的に搬送される。フィルム基板8が駆動ロール23aに接触しながら駆動ロール23aと駆動ロール23bとの間を通過することにより、駆動ロール23a上に形成されたパターンを反転させたパターンが第2パターンとしてフィルム基板8上に形成される。詳細は後述するが、フィルム基板8上に第2パターンを形成する際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンもフィルム基板8上に形成される。   The second pattern forming unit 23 forms a predetermined pattern on the film substrate 8 by, for example, an imprint method or a direct gravure method. The 2nd pattern formation part 23 has a pair of drive roll 23a and drive roll 23b which were mutually opposingly arranged. Each of the drive roll 23a and the drive roll 23b has a cylindrical shape. Each of the drive roll 23a and the drive roll 23b is configured to rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The drive roll 23a and the drive roll 23b are rotating in opposite directions. The drive roll 23a and the drive roll 23b rotate in the direction in which the film substrate 8 is conveyed from the first pattern forming unit 22 side toward the third pattern forming unit 24 side. The film substrate 8 sandwiched between the drive roll 23a and the drive roll 23b is continuously conveyed from the feed roll 20 side toward the take-up roll 21 side. When the film substrate 8 passes between the drive roll 23a and the drive roll 23b while being in contact with the drive roll 23a, a pattern obtained by inverting the pattern formed on the drive roll 23a is formed on the film substrate 8 as a second pattern. Formed. Although details will be described later, when the second pattern is formed on the film substrate 8, moire marks and vernier patterns used for expansion / contraction control of the film substrate 8 are also formed on the film substrate 8.

第3パターン形成部24は、例えばインプリント法やダイレクトグラビア法によりフィルム基板8上に所定パターンを形成するようになっている。第3パターン形成部24は、互いに対向配置された一対の駆動ロール24a駆動ロール24bを有している。駆動ロール24a及び駆動ロール24bはそれぞれ、円筒形状を有している。駆動ロール24a及び駆動ロール24bはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。駆動ロール24aと駆動ロール24bとは、反対方向に回転している。駆動ロール24a及び駆動ロール24bは、第2パターン形成部23側から巻取ロール21側に向かってフィルム基板8を搬送する方向に回転している。駆動ロール24aと駆動ロール24bとの間に挟まれたフィルム基板8は、繰出ロール20側から巻取ロール21側に向かって連続的に搬送される。フィルム基板8が駆動ロール24aに接触しながら駆動ロール24aと駆動ロール24bとの間を通過することにより、駆動ロール24a上に形成されたパターンを反転させたパターンが第3パターンとしてフィルム基板8上に形成される。詳細は後述するが、フィルム基板8上に第3パターンを形成する際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンもフィルム基板8上に形成される。   The third pattern forming unit 24 forms a predetermined pattern on the film substrate 8 by, for example, an imprint method or a direct gravure method. The third pattern forming unit 24 has a pair of drive rolls 24a and drive rolls 24b arranged to face each other. Each of the drive roll 24a and the drive roll 24b has a cylindrical shape. Each of the drive roll 24a and the drive roll 24b rotates at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The drive roll 24a and the drive roll 24b rotate in opposite directions. The drive roll 24a and the drive roll 24b rotate in the direction in which the film substrate 8 is conveyed from the second pattern forming unit 23 side toward the take-up roll 21 side. The film substrate 8 sandwiched between the drive roll 24a and the drive roll 24b is continuously conveyed from the feed roll 20 side toward the take-up roll 21 side. When the film substrate 8 passes between the drive roll 24a and the drive roll 24b while being in contact with the drive roll 24a, a pattern obtained by inverting the pattern formed on the drive roll 24a is formed on the film substrate 8 as a third pattern. Formed. Although details will be described later, when the third pattern is formed on the film substrate 8, moire marks and vernier patterns used for expansion / contraction control of the film substrate 8 are also formed on the film substrate 8.

繰出ロール20と第1パターン形成部22との間の基板搬送経路には、第1パターン形成部22に搬送されるフィルム基板8の伸縮を調整する第1の基板伸縮調整部25が配置されている。第1パターン形成部22と第2パターン形成部23との間の基板搬送経路には、第2パターン形成部23に搬送されるフィルム基板8の伸縮を調整する第2の基板伸縮調整部26が配置されている。第2パターン形成部23と第3パターン形成部24との間の基板搬送経路には、第3パターン形成部24に搬送されるフィルム基板8の伸縮を調整する第3の基板伸縮調整部27が配置されている。電子デバイス製造装置2は、基板伸縮調整部を例えばパターン形成部と同じ数だけ有する。   A first substrate expansion / contraction adjustment unit 25 that adjusts expansion / contraction of the film substrate 8 conveyed to the first pattern formation unit 22 is disposed in the substrate conveyance path between the feeding roll 20 and the first pattern formation unit 22. Yes. A second substrate expansion / contraction adjustment unit 26 that adjusts expansion / contraction of the film substrate 8 conveyed to the second pattern formation unit 23 is provided in the substrate conveyance path between the first pattern formation unit 22 and the second pattern formation unit 23. Has been placed. A third substrate expansion / contraction adjustment unit 27 that adjusts expansion / contraction of the film substrate 8 conveyed to the third pattern formation unit 24 is provided in the substrate conveyance path between the second pattern formation unit 23 and the third pattern formation unit 24. Has been placed. The electronic device manufacturing apparatus 2 has the same number of substrate expansion / contraction adjustment units as the number of pattern formation units, for example.

第1の基板伸縮調整部25は、フィルム基板8の伸縮を調整する伸縮調整ロール25aと、繰出ロール20側から連続的に送出されるフィルム基板8を伸縮調整ロール25aに案内する搬入側案内ロール25bと、伸縮調整ロール25aから連続的に送出されるフィルム基板8を第1パターン形成部22に案内する搬出側案内ロール25cとを有している。伸縮調整ロール25a、搬入側案内ロール25b及び搬出側案内ロール25cはそれぞれ、円筒形状を有している。伸縮調整ロール25a、搬入側案内ロール25b及び搬出側案内ロール25cはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。伸縮調整ロール25aと、搬入側案内ロール25b及び搬出側案内ロール25cとは反対方向に回転している。搬入側案内ロール25bと搬出側案内ロール25cとは同一方向に回転している。伸縮調整ロール25a、搬入側案内ロール25b及び搬出側案内ロール25cはそれぞれ、繰出ロール20側から第1パターン形成部22側に向かってフィルム基板8を搬送する方向に回転している。フィルム基板8は、搬入側案内ロール25b、伸縮調整ロール25a及び搬出側案内ロール25cの各表面の一部に密着しながら第1パターン形成部22に向かって連続的に搬送される。   The first substrate expansion / contraction adjustment unit 25 includes an expansion / contraction adjustment roll 25a for adjusting expansion / contraction of the film substrate 8, and a carry-in side guide roll for guiding the film substrate 8 continuously sent from the feeding roll 20 side to the expansion / contraction adjustment roll 25a. 25b and a carry-out side guide roll 25c for guiding the film substrate 8 continuously fed from the expansion / contraction adjustment roll 25a to the first pattern forming unit 22. The expansion / contraction adjustment roll 25a, the carry-in side guide roll 25b, and the carry-out side guide roll 25c each have a cylindrical shape. The expansion / contraction adjustment roll 25a, the carry-in side guide roll 25b, and the carry-out side guide roll 25c each rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The expansion / contraction adjustment roll 25a, the carry-in side guide roll 25b, and the carry-out side guide roll 25c rotate in opposite directions. The carry-in side guide roll 25b and the carry-out side guide roll 25c rotate in the same direction. The expansion / contraction adjustment roll 25a, the carry-in side guide roll 25b, and the carry-out side guide roll 25c are each rotated in the direction of transporting the film substrate 8 from the feed roll 20 side toward the first pattern forming unit 22 side. The film substrate 8 is continuously conveyed toward the first pattern forming unit 22 while being in close contact with a part of each surface of the carry-in side guide roll 25b, the expansion / contraction adjustment roll 25a, and the carry-out side guide roll 25c.

伸縮調整ロール25aは、フィルム基板8が張るように搬入側案内ロール25b及び搬出側案内ロール25cから遠ざかる方向へ水平荷重をかけるように構成されている。伸縮調整ロール25aは、その水平荷重を大きくすることによってフィルム基板8の張力をその水平荷重増加分の半分だけ大きくしたり、水平荷重を小さくすることによってフィルム基板8の張力をその水平荷重減少分の半分だけ小さくしたりすることができるロールである。これにより、第1の基板伸縮調整部25は、相対的に水平荷重を小さくするとフィルム基板8を相対的に縮めた状態で第1パターン形成部22に搬出する。一方、伸縮調整ロール25aが相対的に水平荷重を大きくすると、フィルム基板8に加わる張力が大きくなる。これにより、第1の基板伸縮調整部25は、フィルム基板8を相対的に伸ばした状態で第1パターン形成部22に搬出する。このような伸縮調整ロールとしては、例えば、エアシリンダー式ダンサロールを使用することができる。このように、第1の基板伸縮調整部25は、搬入側案内ロール25b及び搬出側案内ロール25cに対する伸縮調整ロール25aの位置を変更してフィルム基板8の伸縮を調整するように構成されている。第1の基板伸縮調整部25は、後述する制御部10からの制御信号に基づいて、伸縮調整ロール25aの位置を変更するように構成されている。   The expansion / contraction adjustment roll 25a is configured to apply a horizontal load in a direction away from the carry-in side guide roll 25b and the carry-out side guide roll 25c so that the film substrate 8 is stretched. The expansion / contraction adjusting roll 25a increases the tension of the film substrate 8 by half of the increase in the horizontal load by increasing the horizontal load or decreases the tension of the film substrate 8 by decreasing the horizontal load by decreasing the horizontal load. It is a roll that can be reduced by half. Thereby, the 1st board | substrate expansion-contraction adjustment part 25 will carry out to the 1st pattern formation part 22 in the state which contracted the film board | substrate 8 relatively, when a horizontal load was made relatively small. On the other hand, when the expansion / contraction adjustment roll 25a relatively increases the horizontal load, the tension applied to the film substrate 8 increases. Thereby, the 1st board | substrate expansion-contraction adjustment part 25 carries out to the 1st pattern formation part 22 in the state which extended the film board | substrate 8 relatively. As such a stretching adjustment roll, for example, an air cylinder type dancer roll can be used. Thus, the 1st board | substrate expansion-contraction adjustment part 25 is comprised so that the expansion / contraction of the film board | substrate 8 may be adjusted by changing the position of the expansion / contraction adjustment roll 25a with respect to the carrying-in side guide roll 25b and the carrying-out side guide roll 25c. . The first substrate expansion / contraction adjustment unit 25 is configured to change the position of the expansion / contraction adjustment roll 25a based on a control signal from the control unit 10 described later.

第2の基板伸縮調整部26は、フィルム基板8の伸縮を調整する伸縮調整ロール26aと、第1パターン形成部22側から連続的に送出されるフィルム基板8を伸縮調整ロール26aに案内する搬入側案内ロール26bと、伸縮調整ロール25aから連続的に送出されるフィルム基板8を第2パターン形成部23に案内する搬出側案内ロール26cとを有している。伸縮調整ロール26a、搬入側案内ロール26b及び搬出側案内ロール26cはそれぞれ、円筒形状を有している。伸縮調整ロール26a、搬入側案内ロール26b及び搬出側案内ロール26cはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。伸縮調整ロール26aと、搬入側案内ロール26b及び搬出側案内ロール26cとは反対方向に回転している。搬入側案内ロール26bと搬出側案内ロール26cとは同一方向に回転している。伸縮調整ロール26a、搬入側案内ロール26b及び搬出側案内ロール26cはそれぞれ、第1パターン形成部22側から第2パターン形成部23側に向かってフィルム基板8を搬送する方向に回転している。フィルム基板8は、搬入側案内ロール26b、伸縮調整ロール26a及び搬出側案内ロール26cの各表面の一部に密着しながら第2パターン形成部23に向かって連続的に搬送される。   The second substrate expansion / contraction adjustment unit 26 includes an expansion / contraction adjustment roll 26a for adjusting expansion / contraction of the film substrate 8 and a carry-in for guiding the film substrate 8 continuously sent from the first pattern forming unit 22 side to the expansion / contraction adjustment roll 26a. A side guide roll 26b and a carry-out side guide roll 26c for guiding the film substrate 8 continuously fed from the expansion / contraction adjustment roll 25a to the second pattern forming unit 23 are provided. The expansion / contraction adjustment roll 26a, the carry-in side guide roll 26b, and the carry-out side guide roll 26c each have a cylindrical shape. The expansion / contraction adjustment roll 26a, the carry-in side guide roll 26b, and the carry-out side guide roll 26c each rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The expansion / contraction adjustment roll 26a, the carry-in side guide roll 26b, and the carry-out side guide roll 26c rotate in opposite directions. The carry-in side guide roll 26b and the carry-out side guide roll 26c rotate in the same direction. The expansion / contraction adjustment roll 26a, the carry-in side guide roll 26b, and the carry-out side guide roll 26c are rotated in the direction in which the film substrate 8 is conveyed from the first pattern forming unit 22 side toward the second pattern forming unit 23 side. The film substrate 8 is continuously conveyed toward the second pattern forming unit 23 while being in close contact with a part of each surface of the carry-in side guide roll 26b, the expansion / contraction adjustment roll 26a, and the carry-out side guide roll 26c.

伸縮調整ロール26aは、フィルム基板8が張るように搬入側案内ロール26b及び搬出側案内ロール26cから遠ざかる方向へ水平荷重をかけるように構成されている。伸縮調整ロール26aは、その水平荷重を大きくすることによってフィルム基板8の張力をその水平荷重増加分の半分だけ大きくしたり、水平荷重を小さくすることによってフィルム基板8の張力をその水平荷重減少分の半分だけ小さくしたりすることができるロールである。これにより、第2の基板伸縮調整部26は、相対的に水平荷重を小さくするとフィルム基板8を相対的に縮めた状態で第2パターン形成部23に搬出する。一方、伸縮調整ロール26aが相対的に水平荷重を大きくすると、フィルム基板8に加わる張力が大きくなる。これにより、第2の基板伸縮調整部26は、フィルム基板8を相対的に伸ばした状態で第2パターン形成部23に搬出する。このような伸縮調整ロールとしては、例えば、エアシリンダー式ダンサロールを使用することができる。このように、第2の基板伸縮調整部26は、搬入側案内ロール26b及び搬出側案内ロール26cに対する伸縮調整ロール26aの位置を変更してフィルム基板8の伸縮を調整するように構成されている。第2の基板伸縮調整部26は、後述する制御部10からの制御信号に基づいて、伸縮調整ロール26aの位置を変更するように構成されている。   The expansion / contraction adjustment roll 26a is configured to apply a horizontal load in a direction away from the carry-in side guide roll 26b and the carry-out side guide roll 26c so that the film substrate 8 is stretched. The expansion / contraction adjustment roll 26a increases the tension of the film substrate 8 by half the increase in the horizontal load by increasing the horizontal load, or decreases the tension of the film substrate 8 by decreasing the horizontal load by decreasing the horizontal load. It is a roll that can be reduced by half. Accordingly, when the horizontal load is relatively reduced, the second substrate expansion / contraction adjustment unit 26 carries the film substrate 8 to the second pattern forming unit 23 in a relatively contracted state. On the other hand, when the expansion / contraction adjustment roll 26a relatively increases the horizontal load, the tension applied to the film substrate 8 increases. As a result, the second substrate expansion / contraction adjusting unit 26 is carried out to the second pattern forming unit 23 with the film substrate 8 relatively stretched. As such a stretching adjustment roll, for example, an air cylinder type dancer roll can be used. Thus, the 2nd board | substrate expansion-contraction adjustment part 26 is comprised so that the expansion / contraction of the film board | substrate 8 may be adjusted by changing the position of the expansion / contraction adjustment roll 26a with respect to the carrying-in side guide roll 26b and the carrying-out side guide roll 26c. . The second substrate expansion / contraction adjustment unit 26 is configured to change the position of the expansion / contraction adjustment roll 26a based on a control signal from the control unit 10 described later.

第3の基板伸縮調整部27は、フィルム基板8の伸縮を調整する伸縮調整ロール27aと、第2パターン形成部23側から連続的に送出されるフィルム基板8を伸縮調整ロール27aに案内する搬入側案内ロール27bと、伸縮調整ロール27aから連続的に送出されるフィルム基板8を第3パターン形成部24に案内する搬出側案内ロール27cとを有している。伸縮調整ロール27a、搬入側案内ロール27b及び搬出側案内ロール27cはそれぞれ、円筒形状を有している。伸縮調整ロール27a、搬入側案内ロール27b及び搬出側案内ロール27cはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。伸縮調整ロール27aと、搬入側案内ロール27b及び搬出側案内ロール27cとは反対方向に回転している。搬入側案内ロール27bと搬出側案内ロール27cとは同一方向に回転している。伸縮調整ロール27a、搬入側案内ロール27b及び搬出側案内ロール27cはそれぞれ、第2パターン形成部23側から第3パターン形成部24側に向かってフィルム基板8を搬送する方向に回転している。フィルム基板8は、搬入側案内ロール27b、伸縮調整ロール27a及び搬出側案内ロール27cの各表面の一部に密着しながら第3パターン形成部24に向かって連続的に搬送される。   The third substrate expansion / contraction adjustment unit 27 includes an expansion / contraction adjustment roll 27a for adjusting expansion / contraction of the film substrate 8 and a carry-in for guiding the film substrate 8 continuously sent from the second pattern forming unit 23 side to the expansion / contraction adjustment roll 27a. A side guide roll 27b and a carry-out side guide roll 27c for guiding the film substrate 8 continuously fed from the expansion / contraction adjustment roll 27a to the third pattern forming unit 24 are provided. The expansion / contraction adjustment roll 27a, the carry-in side guide roll 27b, and the carry-out side guide roll 27c each have a cylindrical shape. The expansion / contraction adjustment roll 27a, the carry-in side guide roll 27b, and the carry-out side guide roll 27c each rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The expansion / contraction adjustment roll 27a, the carry-in side guide roll 27b, and the carry-out side guide roll 27c rotate in opposite directions. The carry-in side guide roll 27b and the carry-out side guide roll 27c rotate in the same direction. The expansion / contraction adjustment roll 27a, the carry-in side guide roll 27b, and the carry-out side guide roll 27c are each rotated in the direction of transporting the film substrate 8 from the second pattern forming unit 23 side toward the third pattern forming unit 24 side. The film substrate 8 is continuously conveyed toward the third pattern forming unit 24 while being in close contact with a part of each surface of the carry-in side guide roll 27b, the expansion / contraction adjustment roll 27a, and the carry-out side guide roll 27c.

伸縮調整ロール27aは、フィルム基板8が張るように搬入側案内ロール27b及び搬出側案内ロール27cから遠ざかる方向へ水平荷重をかけるように構成されている。伸縮調整ロール27aは、その水平荷重を大きくすることによってフィルム基板8の張力をその水平荷重増加分の半分だけ大きくしたり、水平荷重を小さくすることによってフィルム基板8の張力をその水平荷重減少分の半分だけ小さくしたりすることができるロールである。これにより、第3の基板伸縮調整部27は、相対的に水平荷重を小さくするとフィルム基板8を相対的に縮めた状態で第3パターン形成部24に搬出する。一方、伸縮調整ロール27aが相対的に水平荷重を大きくすると、フィルム基板8に加わる張力が大きくなる。これにより、第3の基板伸縮調整部27は、フィルム基板8を相対的に伸ばした状態で第3パターン形成部24に搬出する。このような伸縮調整ロールとしては、例えば、エアシリンダー式ダンサロールを使用することができる。このように、伸縮調整部27は、搬入側案内ロール27b及び搬出側案内ロール27cに対する伸縮調整ロール27aの位置を変更してフィルム基板8の伸縮を調整するように構成されている。伸縮調整部27は、後述する制御部10からの制御信号に基づいて、伸縮調整ロール27aの位置を変更するように構成されている。   The expansion / contraction adjustment roll 27a is configured to apply a horizontal load in a direction away from the carry-in side guide roll 27b and the carry-out side guide roll 27c so that the film substrate 8 is stretched. The expansion / contraction adjustment roll 27a increases the tension of the film substrate 8 by half of the increase in the horizontal load by increasing the horizontal load, or reduces the tension of the film substrate 8 by the decrease in the horizontal load by decreasing the horizontal load. It is a roll that can be reduced by half. Thereby, if the horizontal load is relatively reduced, the third substrate expansion / contraction adjusting unit 27 carries the film substrate 8 to the third pattern forming unit 24 in a relatively contracted state. On the other hand, when the expansion / contraction adjustment roll 27a relatively increases the horizontal load, the tension applied to the film substrate 8 increases. As a result, the third substrate expansion / contraction adjustment unit 27 is carried out to the third pattern forming unit 24 in a state where the film substrate 8 is relatively stretched. As such a stretching adjustment roll, for example, an air cylinder type dancer roll can be used. In this way, the expansion / contraction adjustment unit 27 is configured to adjust the expansion / contraction of the film substrate 8 by changing the position of the expansion / contraction adjustment roll 27a with respect to the carry-in side guide roll 27b and the carry-out side guide roll 27c. The expansion / contraction adjustment unit 27 is configured to change the position of the expansion / contraction adjustment roll 27a based on a control signal from the control unit 10 described later.

繰出ロール20と第1の基板伸縮調整部25との間の基板搬送経路には、繰出ロール20から巻き出されたフィルム基板8を第1の基板伸縮調整部25に案内する第1案内ロール28aが配置されている。第1パターン形成部22と第2の基板伸縮調整部26との間の基板搬送経路には、第1パターン形成部22から搬出されたフィルム基板8を第2の基板伸縮調整部26に駆動する駆動ロール28bと、駆動ロール28bによって駆動されたフィルム基板8を第2の基板伸縮調整部26に案内する第2案内ロール28cがこの順に配置されている。第2パターン形成部23と第3の基板伸縮調整部27との間の基板搬送経路には、第2パターン形成部23から搬出されたフィルム基板8を第3の基板伸縮調整部27に駆動する駆動ロール28dと、駆動ロール28dによって駆動されたフィルム基板8を第3の基板伸縮調整部27に案内する第3案内ロール28eがこの順に配置されている。案内ロールは、繰出ロール20から巻取ロール21までの間でフィルム基板8をどのような経路で搬送するのかに応じて基板搬送経路内に適宜配置される。   A first guide roll 28 a that guides the film substrate 8 unwound from the supply roll 20 to the first substrate expansion / contraction adjustment unit 25 in the substrate conveyance path between the supply roll 20 and the first substrate expansion / contraction adjustment unit 25. Is arranged. In the substrate transport path between the first pattern forming unit 22 and the second substrate expansion / contraction adjustment unit 26, the film substrate 8 carried out from the first pattern formation unit 22 is driven to the second substrate expansion / contraction adjustment unit 26. A driving roll 28b and a second guide roll 28c for guiding the film substrate 8 driven by the driving roll 28b to the second substrate expansion / contraction adjusting unit 26 are arranged in this order. In the substrate transport path between the second pattern forming unit 23 and the third substrate expansion / contraction adjustment unit 27, the film substrate 8 carried out from the second pattern formation unit 23 is driven to the third substrate expansion / contraction adjustment unit 27. The drive roll 28d and the third guide roll 28e for guiding the film substrate 8 driven by the drive roll 28d to the third substrate expansion / contraction adjustment unit 27 are arranged in this order. The guide rolls are appropriately arranged in the substrate transport path depending on the route through which the film substrate 8 is transported between the feed roll 20 and the take-up roll 21.

フィルム基板8が搬送される搬送経路は、第1駆動ロール22a,22b、第2駆動ロール23a,23b及び第3駆動ロール24a,24bによってフィルム基板8をグリップすることによって6つの区間に区分けされている。電子デバイス製造装置2は、この区間ごとにフィルム基板8の伸びを独立して制御できるようになっている。繰出ロール20から第1駆動ロール22a,22bまでの区間では、第1の基板伸縮調整部25の推力によってフィルム基板8の伸びが制御される。第1駆動ロール22a,22bから駆動ロール28bまでの区間では、第1駆動ロール22a,22bに対する駆動ロール28bの回転速度によってフィルム基板8の伸びが制御される。駆動ロール28bから第2駆動ロール23a,23bまでの区間では、第2の基板伸縮調整部26の推力によってフィルム基板8の伸びが制御される。第2駆動ロール23a,23bから駆動ロール28dまでの区間では、第2駆動ロール23a,23bに対する駆動ロール28dの回転速度によってフィルム基板8の伸びが制御される。駆動ロール28dから第3駆動ロール24a,24bまでの区間では、第3の基板伸縮調整部27の推力によってフィルム基板8の伸びが制御される。第3駆動ロール24a,24bから巻取ロール21までの区間では、第3駆動ロール24a,24bに対する巻取ロール21の回転速度によってフィルム基板8の伸びが制御される。   The conveyance path through which the film substrate 8 is conveyed is divided into six sections by gripping the film substrate 8 by the first drive rolls 22a and 22b, the second drive rolls 23a and 23b, and the third drive rolls 24a and 24b. Yes. The electronic device manufacturing apparatus 2 can control the elongation of the film substrate 8 independently for each section. In the section from the feed roll 20 to the first drive rolls 22a and 22b, the elongation of the film substrate 8 is controlled by the thrust of the first substrate expansion / contraction adjustment unit 25. In the section from the first drive rolls 22a, 22b to the drive roll 28b, the elongation of the film substrate 8 is controlled by the rotational speed of the drive roll 28b with respect to the first drive rolls 22a, 22b. In the section from the drive roll 28b to the second drive rolls 23a and 23b, the elongation of the film substrate 8 is controlled by the thrust of the second substrate expansion / contraction adjustment unit 26. In the section from the second drive rolls 23a, 23b to the drive roll 28d, the elongation of the film substrate 8 is controlled by the rotational speed of the drive roll 28d with respect to the second drive rolls 23a, 23b. In the section from the drive roll 28d to the third drive rolls 24a and 24b, the elongation of the film substrate 8 is controlled by the thrust of the third substrate expansion / contraction adjustment unit 27. In the section from the third drive rolls 24a, 24b to the take-up roll 21, the elongation of the film substrate 8 is controlled by the rotational speed of the take-up roll 21 with respect to the third drive rolls 24a, 24b.

電子デバイス製造装置2では、フィルム基板8の伸びを上述の各区間で個別に制御するようになっている。フィルム基板8は次の区間に伸びが異なる状態で流入すると、次の区間の伸びは平均化され徐々に変わってしまい、伸縮を調整する場合の外乱になってしまう。しかしながら、電子デバイス製造装置2では、第1から第3の基板伸縮調整部25,26,27は、フィルム基板8の伸びが変化した分だけ伸縮調整ロール25a,26a,27aが逐次成行きで追従する。このため、電子デバイス製造装置2は、各区間でフィルム基板8の伸びが異なる場合でも、前区間の影響を抑制し且つフィルム基板8の伸縮を所定量に調整することが可能となっている。   In the electronic device manufacturing apparatus 2, the elongation of the film substrate 8 is individually controlled in each section described above. If the film substrate 8 flows into the next section in a state where the elongation is different, the elongation in the next section is averaged and gradually changes, which becomes a disturbance when adjusting expansion and contraction. However, in the electronic device manufacturing apparatus 2, the first to third substrate expansion / contraction adjustment units 25, 26, 27 follow the expansion adjustment rolls 25 a, 26 a, 27 a sequentially in accordance with the change in the elongation of the film substrate 8. To do. For this reason, the electronic device manufacturing apparatus 2 can suppress the influence of the previous section and adjust the expansion and contraction of the film substrate 8 to a predetermined amount even when the elongation of the film substrate 8 is different in each section.

図示は省略するが、電子デバイス製造装置2は、フィルム基板8を洗浄する洗浄装置、及び、洗浄後や第1から第3パターン形成後にフィルム基板8上に形成されたパターンを構成する材料を乾燥及び/又は固化する乾燥装置など、必要に応じて種々の装置を有していてもよい。   Although illustration is omitted, the electronic device manufacturing apparatus 2 dries the cleaning apparatus for cleaning the film substrate 8 and the material constituting the pattern formed on the film substrate 8 after cleaning and after the formation of the first to third patterns. In addition, various apparatuses such as a drying apparatus that solidifies may be included as necessary.

図1に示すように、基板伸縮制御装置1は、第1から第3の基板伸縮調整部25,26,27を制御する制御部10と、フィルム基板8に形成されたモアレマークに基づいて発生したモアレ縞(第一の干渉縞の一例)を撮像する第1光学系撮像装置11、第2光学系撮像装置12及び第3光学系撮像装置13とを有している。可撓性基板の伸縮制御システム100は、フィルム基板8に形成されたモアレマーク(フィルム基板8の送出と同期して連続的に送出される第1マークの一例)に3つの第1基準板7a,7b,7cに形成された基準モアレマーク(フィルム基板8の送出による寸法変化がない第2マークの一例)をそれぞれ重ね合わせてモアレ縞を発生させる。   As shown in FIG. 1, the substrate expansion / contraction control device 1 is generated based on the control unit 10 that controls the first to third substrate expansion / contraction adjustment units 25, 26, and 27 and the moire marks formed on the film substrate 8. The first optical system imaging device 11, the second optical system imaging device 12, and the third optical system imaging device 13 that image the moire fringes (an example of the first interference fringes). The flexible substrate expansion / contraction control system 100 includes three first reference plates 7a on a moire mark (an example of a first mark that is continuously sent in synchronization with the sending of the film substrate 8) formed on the film substrate 8. , 7b, 7c are superimposed on the reference moire marks (an example of a second mark having no dimensional change due to the feeding of the film substrate 8) to generate moire fringes.

第1光学系撮像装置11及び第1基準板7aは、第1パターン形成部22の送出側に配置されている。詳細は後述するが、第1光学系撮像装置11は、第1パターン形成部22が第1パターンとともにフィルム基板8上に形成したモアレマーク(第1マークの一例)と、第1基準板7a上に形成されている基準モアレマーク(第2マークの一例)との干渉に基づくモアレ縞を撮像し、モアレ縞を撮像した撮像データを制御部10に出力するようになっている。第1光学系撮像装置11は、フィルム基板8及び第1基準板7aに光を照射する光源11bと、フィルム基板8及び第1基準板7aを重ね合わせることによって生じたモアレ縞を撮像する撮像部11aとを有している。   The first optical system imaging device 11 and the first reference plate 7 a are arranged on the sending side of the first pattern forming unit 22. Although details will be described later, the first optical imaging device 11 includes a moire mark (an example of the first mark) formed on the film substrate 8 by the first pattern forming unit 22 together with the first pattern, and the first reference plate 7a. The moiré fringes based on the interference with the reference moiré mark (an example of the second mark) formed in the image are picked up, and image data obtained by picking up the moiré fringes is output to the control unit 10. The first optical system imaging device 11 captures an image of a moire fringe generated by superimposing the light source 11b irradiating light on the film substrate 8 and the first reference plate 7a and the film substrate 8 and the first reference plate 7a. 11a.

第2光学系撮像装置12及び第1基準板7bは、第2パターン形成部23の送出側に配置されている。詳細は後述するが、第2光学系撮像装置12は、第2パターン形成部23が第2パターンとともにフィルム基板8上に形成したモアレマーク(第1マークの一例)と第1基準板7b上に形成されている基準モアレマーク(第2マークの一例)との干渉に基づくモアレ縞を撮像し、モアレ縞を撮像した撮像データを制御部10に出力するようになっている。第2光学系撮像装置12は、フィルム基板8及び第1基準板7bに光を照射する光源12bと、フィルム基板8及び第1基準板7bを重ね合わせることによって生じたモアレ縞等を撮像する撮像部12aとを有している。   The second optical system imaging device 12 and the first reference plate 7 b are disposed on the sending side of the second pattern forming unit 23. Although the details will be described later, the second optical system imaging device 12 includes a moire mark (an example of a first mark) formed on the film substrate 8 by the second pattern forming unit 23 together with the second pattern, and the first reference plate 7b. A moire fringe based on interference with a formed reference moire mark (an example of a second mark) is imaged, and image data obtained by imaging the moire fringe is output to the control unit 10. The second optical image pickup device 12 picks up an image of moiré fringes and the like generated by superimposing the light source 12b for irradiating the film substrate 8 and the first reference plate 7b with the film substrate 8 and the first reference plate 7b. Part 12a.

第3光学系撮像装置13及び第1基準板7cは、第3パターン形成部24の送出側に配置されている。詳細は後述するが、第3光学系撮像装置13は、第3パターン形成部24が第3パターンとともにフィルム基板8上に形成したモアレマーク(第1マークの一例)と第1基準板7c上に形成されている基準モアレマーク(第2マークの一例)との干渉に基づくモアレ縞を撮像し、モアレ縞を撮像した撮像データを制御部10に出力するようになっている。第3光学系撮像装置13は、フィルム基板8及び第1基準板7cに光を照射する光源13bと、フィルム基板8及び第1基準板7cを重ね合わせることによって生じたモアレ縞等を撮像する撮像部13aとを有している。   The third optical system imaging device 13 and the first reference plate 7 c are arranged on the sending side of the third pattern forming unit 24. Although the details will be described later, the third optical system imaging device 13 includes a moire mark (an example of the first mark) formed on the film substrate 8 by the third pattern forming unit 24 together with the third pattern, and the first reference plate 7c. A moire fringe based on interference with a formed reference moire mark (an example of a second mark) is imaged, and image data obtained by imaging the moire fringe is output to the control unit 10. The third optical system imaging device 13 captures images of moiré fringes and the like generated by superimposing the light source 13b irradiating the film substrate 8 and the first reference plate 7c with the light source 13b and the first reference plate 7c. Part 13a.

第1光学系撮像装置11、第2光学系撮像装置12及び第3光学系撮像装置13は、同一の構成を有し、同一の機能を発揮するようになっている。また、第1基準板7a、第1基準板7b及び第1基準板7cは、同一の構成を有し、同一の機能を発揮するようになっている。このため、以下、本実施形態における光学系撮像装置及び第1基準板について、第1光学系撮像装置11及び第1基準板7aを例にとって、図2から図5を用いて説明する。   The 1st optical system imaging device 11, the 2nd optical system imaging device 12, and the 3rd optical system imaging device 13 have the same composition, and show the same function. The first reference plate 7a, the first reference plate 7b, and the first reference plate 7c have the same configuration and exhibit the same function. Therefore, the optical system imaging device and the first reference plate in the present embodiment will be described below with reference to FIGS. 2 to 5 by taking the first optical system imaging device 11 and the first reference plate 7a as an example.

図2は、第1パターン形成部22及び第1光学系撮像装置11の近傍を拡大して示す模式図である。図3は、光学系撮像装置11の概略構成を示す図である。なお、図3には理解を容易にするため、フィルム基板8及び第1基準板7aが併せて図示されている。図4は、第1基準板7aの概略構成などを示す図である。図4(a)は、第1基準板7aを基準モアレマークMMRの形成面側から見た状態を示している。図4(b)は、第1基準板7aをフィルム基板8に重ね合わせた状態を示す模式図である。   FIG. 2 is an enlarged schematic view showing the vicinity of the first pattern forming unit 22 and the first optical system imaging device 11. FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of the optical imaging device 11. In FIG. 3, the film substrate 8 and the first reference plate 7a are shown together for easy understanding. FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration and the like of the first reference plate 7a. FIG. 4A shows a state in which the first reference plate 7a is viewed from the side on which the reference moire mark MMR is formed. FIG. 4B is a schematic diagram showing a state in which the first reference plate 7 a is superimposed on the film substrate 8.

図2に示すように、第1パターン形成部22を通過したフィルム基板8には、第1モアレマーク(第1マークの一例)MM1が形成される。第1モアレマークMM1は、駆動ロール22aに接触するフィルム基板8の素子形成面に形成される。図示は省略するが、第1モアレマークMM1が形成されるフィルム基板8の素子形成面上には、第1バーニヤパターンV1(図4(b)参照)及び第1パターン(不図示)も形成される。第1パターン、第1バーニヤパターン及び第1モアレマークMM1は、第1パターン形成部22による第1層形成工程においてフィルム基板8の同一面上に形成される。   As shown in FIG. 2, a first moire mark (an example of a first mark) MM <b> 1 is formed on the film substrate 8 that has passed through the first pattern forming unit 22. The first moire mark MM1 is formed on the element formation surface of the film substrate 8 that contacts the drive roll 22a. Although not shown, a first vernier pattern V1 (see FIG. 4B) and a first pattern (not shown) are also formed on the element formation surface of the film substrate 8 on which the first moire mark MM1 is formed. The The first pattern, the first vernier pattern, and the first moiré mark MM1 are formed on the same surface of the film substrate 8 in the first layer forming step by the first pattern forming unit 22.

第1光学系撮像装置11に備えられた光源11bは発光部113を有している。発光部113は、第1パターン形成部22から送出されたフィルム基板8に対向して配置されている。光源11bは、フィルム基板8の素子形成面の裏面に対向配置されている。したがって、光源11bは、第1モアレマークMM1が形成されてないフィルム基板8の裏面側から光を照射することになる。   The light source 11 b provided in the first optical system imaging device 11 has a light emitting unit 113. The light emitting unit 113 is disposed to face the film substrate 8 sent out from the first pattern forming unit 22. The light source 11 b is disposed opposite to the back surface of the element formation surface of the film substrate 8. Therefore, the light source 11b emits light from the back side of the film substrate 8 on which the first moire mark MM1 is not formed.

光源11bとフィルム基板8との間には、第1基準板7aが配置されている。第1基準板7aは、第1基準モアレマーク(第2マークの一例)MMR(詳細は後述)が形成されたマーク形成面をフィルム基板8の素子形成面の裏面に対面させて配置されている。第1光学系撮像装置11に備えられた撮像部11aは、第1基準板7a及びフィルム基板8を挟んで光源11bと対向配置されている。   A first reference plate 7a is disposed between the light source 11b and the film substrate 8. The first reference plate 7 a is arranged with a mark forming surface on which a first reference moire mark (an example of a second mark) MMR (details will be described later) is formed facing the back surface of the element forming surface of the film substrate 8. . The imaging unit 11a provided in the first optical system imaging device 11 is disposed to face the light source 11b with the first reference plate 7a and the film substrate 8 interposed therebetween.

図3に示すように、撮像部11aは、光源11bが照射した像を映すミラー112と、ミラー112に映された像を撮像するカメラ110と、ミラー112に映された像をカメラ110の撮像素子(不図示)に結像するテレセントリックレンズ111とを有している。テレセントリックレンズ111は、光軸方向の距離の変化に関係なく像の大きさを保ったまま撮像素子に結像できる。このため、第1光学系撮像装置11は、走行するフィルム基板8に形成された第1モアレマークMM1と、第1基準板7aに形成された基準モアレマークMMRとが離れていても、正確な寸法でモアレ縞を撮像できる。   As illustrated in FIG. 3, the imaging unit 11 a includes a mirror 112 that reflects an image irradiated by the light source 11 b, a camera 110 that captures an image reflected on the mirror 112, and an image captured by the camera 110. A telecentric lens 111 that forms an image on an element (not shown). The telecentric lens 111 can form an image on the image sensor while maintaining the image size regardless of the change in the distance in the optical axis direction. For this reason, the first optical system imaging device 11 is accurate even if the first moire mark MM1 formed on the traveling film substrate 8 and the reference moire mark MMR formed on the first reference plate 7a are separated. Moire fringes can be imaged with dimensions.

フィルム基板8は、透明な樹脂(例えば、PET、PENに代表されるポリエステル樹脂、PC樹脂、PI樹脂、PEEK樹脂)で形成されている。フィルム基板8の厚みは、ロールへの巻き取りが可能であれば限定されないが、例えば1〜500μmが好ましい。また、第1基準板7aは、例えばガラスで形成されている。
一方、フィルム基板8に形成された第1モアレマークMM1は、光を透過及び反射し難いインク材料(例えば、金属インク、顔料インク、塗料インク、印刷インク)で形成されている。また、第1基準板7aに形成された基準モアレマークMMRは、光を透過及び反射し難い金属材料(例えば、Cr、Ni、Al、Au、Ag、Cu)で形成されている。このように、フィルム基板8には光を透過し難いインク材料と透過しやすい空白部とからなる第1モアレマークMM1が形成され、第1基準板7aには光を透過し難い金属材料と透過しやすい空白部とからなる基準モアレマークMMRが形成されている。このため、光源11bからの光の一部は第1モアレマークMM1及び基準モアレマークMMRに遮られるものの、光源11bは、ミラー112を鏡として機能させるには十分な光量でミラー112を照らすことができる。これにより、光源11b側に向けられたミラー112の表面には、第1モアレマークMM1及び基準モアレマークMMR並びに後述するモアレ縞などが映し出される。ミラー112は、平板形状を有しているため、第1モアレマークMM1及び基準モアレマークMMRなどを実際と同じ大きさに映し出す。
The film substrate 8 is formed of a transparent resin (for example, a polyester resin typified by PET or PEN, a PC resin, a PI resin, or a PEEK resin). Although the thickness of the film substrate 8 will not be limited if winding to a roll is possible, For example, 1-500 micrometers is preferable. The first reference plate 7a is made of, for example, glass.
On the other hand, the first moire mark MM1 formed on the film substrate 8 is formed of an ink material (for example, metal ink, pigment ink, paint ink, printing ink) that does not easily transmit and reflect light. Further, the reference moire mark MMR formed on the first reference plate 7a is made of a metal material (for example, Cr, Ni, Al, Au, Ag, Cu) that is difficult to transmit and reflect light. As described above, the film substrate 8 is formed with the first moiré mark MM1 including the ink material that does not easily transmit light and the easily-transmitted blank portion, and the first reference plate 7a transmits the metal material that does not easily transmit light. A reference moiré mark MMR including a blank portion that is easy to perform is formed. Therefore, although a part of the light from the light source 11b is blocked by the first moire mark MM1 and the reference moire mark MMR, the light source 11b can illuminate the mirror 112 with a sufficient amount of light to make the mirror 112 function as a mirror. it can. As a result, the first moire mark MM1, the reference moire mark MMR, and moire fringes, which will be described later, are displayed on the surface of the mirror 112 directed toward the light source 11b. Since the mirror 112 has a flat plate shape, the first moiré mark MM1 and the reference moiré mark MMR are projected to the same size as the actual size.

第1光学系撮像装置11は、光源11bとミラー112との間に配置された基準板調整ステージ115を有している。第1基準板7aは、基準板調整ステージ115上に固定して配置される。基準板調整ステージ115は、フィルム基板8に形成された第1モアレマークMM1と第1基準板7aに形成された基準モアレマークMMRとの相対位置を調整できるようになっている。基準板調整ステージ115は、フィルム基板8の搬送方向(図3中に示す太矢印が指す方向)及びその逆方法、フィルム基板8の素子形成面の面内においてフィルム基板8の搬送方向に直交する方向、並びに光源11bの光軸を回転軸とする回転方向に第1基準板7aをフィルム基板8に対して相対的に移動できるようになっている。基準板調整ステージ115は、制御部10(図1参照)によって制御される。   The first optical system imaging device 11 includes a reference plate adjustment stage 115 disposed between the light source 11b and the mirror 112. The first reference plate 7a is fixedly disposed on the reference plate adjustment stage 115. The reference plate adjustment stage 115 can adjust the relative position between the first moire mark MM1 formed on the film substrate 8 and the reference moire mark MMR formed on the first reference plate 7a. The reference plate adjustment stage 115 is orthogonal to the transport direction of the film substrate 8 in the transport direction of the film substrate 8 (the direction indicated by the thick arrow shown in FIG. The first reference plate 7a can be moved relative to the film substrate 8 in the direction of rotation and the rotation direction with the optical axis of the light source 11b as the rotation axis. The reference plate adjustment stage 115 is controlled by the control unit 10 (see FIG. 1).

図3及び図4(a)中の右側に示すように、第1基準板7aは薄板長方形状を有している。第1基準板7a上には、基準モアレマークMMRが形成されている。基準モアレマークMMRは、第1基準板7aの長手方向にほぼ平行に並んで形成された複数の線状パターンを有している。複数の線状パターンは、第1基準板7aの両端辺の中点を結ぶ領域から一方の長辺側に向かって伸びる細長い長方形状を有している。図4(a)中の左側に示すように、基準モアレマークMMRは、複数の線状パターンのピッチの値が「P1」となるように形成されている。以下、「P1」は、基準モアレマークMMRの複数の線状パターンのピッチを示す参照符号としても用いる場合がある。   As shown on the right side in FIGS. 3 and 4A, the first reference plate 7a has a thin plate rectangular shape. A reference moire mark MMR is formed on the first reference plate 7a. The reference moire mark MMR has a plurality of linear patterns formed so as to be arranged substantially parallel to the longitudinal direction of the first reference plate 7a. The plurality of linear patterns have an elongated rectangular shape extending from the region connecting the midpoints of both ends of the first reference plate 7a toward one long side. As shown on the left side in FIG. 4A, the reference moire mark MMR is formed such that the pitch value of the plurality of linear patterns is “P1”. Hereinafter, “P1” may also be used as a reference symbol indicating the pitch of a plurality of linear patterns of the reference moire mark MMR.

図4(b)中の右側に示すように、第1パターン形成部22において、フィルム基板8上には、第1モアレマークMM1が形成される。第1モアレマークMM1は、フィルム基板8の長手方向にほぼ平行に並んで形成された複数の線状パターンを有している。第1モアレマークMM1は、フィルム基板8の一方の長辺と、製造対象の電子デバイスが形成されるデバイス形成領域DAとの間に形成される。第1モアレマークMM1を構成する複数の線状パターンは、フィルム基板8の一方の長辺に直交する方向に伸びる細長い長方形状を有している。図4(b)中の左側に示すように、第1モアレマークMM1は、複数の線状パターンのピッチの値が「P1d+ΔP1d」で設計されているが、走行するフィルム基板8上に形成されたパターンを撮像した画像は、基板の伸縮によるピッチ誤差を含むため「P1+ΔP1」で形成される。以下、「P1+ΔP1」は、第1モアレマークMM1の複数の線状パターンのピッチを示す参照符号としても用いる場合がある。   As shown on the right side in FIG. 4B, the first moire mark MM <b> 1 is formed on the film substrate 8 in the first pattern forming unit 22. The first moire mark MM <b> 1 has a plurality of linear patterns formed in parallel with the longitudinal direction of the film substrate 8. The first moire mark MM1 is formed between one long side of the film substrate 8 and a device formation area DA where an electronic device to be manufactured is formed. The plurality of linear patterns constituting the first moire mark MM1 have an elongated rectangular shape extending in a direction orthogonal to one long side of the film substrate 8. As shown on the left side in FIG. 4B, the first moire mark MM1 is designed on the traveling film substrate 8 although the pitch value of the plurality of linear patterns is designed as “P1d + ΔP1d”. The image obtained by capturing the pattern includes “P1 + ΔP1” because it includes a pitch error due to expansion and contraction of the substrate. Hereinafter, “P1 + ΔP1” may also be used as a reference symbol indicating the pitch of a plurality of linear patterns of the first moire mark MM1.

図4(b)中の右側に示すように、フィルム基板8には、第1モアレマークMM1の形成と同時に第1バーニヤパターンV1が形成される。第1バーニヤパターンV1は、長方形状パターンを複数有している。長方形状パターンは、フィルム基板8の長辺に沿う長辺を有している。第1バーニヤパターンV1を構成する長方形状パターンは、次層を位置あわせするときのモアレと同じピッチで設計されている。第1バーニヤパターンV1は、第1モアレマークMM1と同じ材料で形成されている。このため、第1バーニヤパターンV1は、光を透過及び反射し難くなっている。   As shown on the right side in FIG. 4B, the first vernier pattern V1 is formed on the film substrate 8 simultaneously with the formation of the first moire mark MM1. The first vernier pattern V1 has a plurality of rectangular patterns. The rectangular pattern has a long side along the long side of the film substrate 8. The rectangular pattern constituting the first vernier pattern V1 is designed with the same pitch as the moire when the next layer is aligned. The first vernier pattern V1 is formed of the same material as the first moiré mark MM1. For this reason, the first vernier pattern V1 is difficult to transmit and reflect light.

第1モアレマークMM1のピッチP1+ΔP1と、基準モアレマークMMRのピッチP1との差は「ΔP1」であり、「P1」と比較すると微小な値である。第1モアレマークMM1を構成する一の線状パターンと、基準モアレマークMMRの一の線状パターンとが重なり合う重なり位置から、フィルム基板8の進行方向を右又は左に行くほど、第1モアレマークMM1の線状パターンと基準モアレマークMMRの線状パターンとのずれは増加する。重なり位置から所定距離だけ右又は左に離れた位置では、例えば基準モアレマークMMRの他の一の線状パターンは、第1モアレマークMM1の隣り合う線状パターンの間の中間位置に配置される。この中間位置からさらに右又は左に行くに従って、第1モアレマークMM1の線状パターンと基準モアレマークMMRの線状パターンとのずれは減少し、第1モアレマークMM1のさらに他の一の線状パターンと基準モアレマークMMRの他の一の線状パターンとが重なり合う。第1モアレマークMM1の線状パターンと基準モアレマークMMRの線状パターンとが重なり合う重なり位置の近傍では、線状パターンの密度が疎となる。一方、基準モアレマークMMR(又は第1モアレマークMM1)の線状パターンが第1モアレマークMM1(又は基準モアレマークMMR)の線状パターンの間に配置される位置の近傍では、線状パターンの密度が密となる。このため、図4(b)中の右側に示すように、第1モアレマークMM1を構成する線状パターンと、基準モアレマークMMRの線状パターンとをほぼ平行に重ね合わせると、所定周期で濃淡が繰り返されるモアレ縞MFが発生する(図5(a)参照)。第1基準板7aは基準板調整ステージ115に固定されているため、例えば図4(b)中の右側に示す太矢印の方向にフィルム基板8が連続的に搬送されていると、モアレ縞MFも太矢印の方向に移動しているように見える。   The difference between the pitch P1 + ΔP1 of the first moire mark MM1 and the pitch P1 of the reference moire mark MMR is “ΔP1”, which is a minute value compared to “P1”. From the overlapping position where one linear pattern constituting the first moiré mark MM1 and one linear pattern of the reference moiré mark MMR overlap, the first moiré mark increases as the traveling direction of the film substrate 8 moves to the right or left. The deviation between the linear pattern of MM1 and the linear pattern of the reference moire mark MMR increases. For example, another linear pattern of the reference moiré mark MMR is arranged at an intermediate position between adjacent linear patterns of the first moiré mark MM1 at a position away from the overlapping position to the right or left by a predetermined distance. . As it goes further to the right or left from this intermediate position, the deviation between the linear pattern of the first moire mark MM1 and the linear pattern of the reference moire mark MMR decreases, and yet another linear pattern of the first moire mark MM1. The pattern and another linear pattern of the reference moire mark MMR overlap. In the vicinity of the overlapping position where the linear pattern of the first moire mark MM1 and the linear pattern of the reference moire mark MMR overlap, the density of the linear pattern becomes sparse. On the other hand, in the vicinity of the position where the linear pattern of the reference moire mark MMR (or the first moire mark MM1) is arranged between the linear patterns of the first moire mark MM1 (or the reference moire mark MMR), The density becomes dense. For this reason, as shown on the right side in FIG. 4B, when the linear pattern constituting the first moiré mark MM1 and the linear pattern of the reference moiré mark MMR are superimposed almost in parallel, the density becomes light and dark at a predetermined cycle. Is generated (see FIG. 5A). Since the first reference plate 7a is fixed to the reference plate adjustment stage 115, for example, when the film substrate 8 is continuously conveyed in the direction of the thick arrow shown on the right side in FIG. Also appears to move in the direction of the thick arrow.

詳細は後述するが、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム100は、図4(b)に示すように、第1光学系撮像装置11によってモアレ縞MFが撮像領域α内に密な部分が2つ以上入る視野で撮像する。伸縮制御システム100は、撮像したモアレ縞MFに基づいてモアレ縞MFの輝度分布を算出し、モアレ縞MFの輝度分布からモアレ縞ピッチPmを算出する。伸縮制御システム100は、算出したモアレ縞ピッチPmとモアレ縞設計ピッチPmdから第1基準板7aに対する相対的な第1パターンひずみεを求めるようになっている。このため、モアレ縞MFの密な部分が2つ以上入る視野で撮像するようになっている。   Although the details will be described later, the flexible substrate expansion / contraction control system 100 according to the present embodiment has the moire fringes MF densely within the imaging region α by the first optical system imaging device 11 as shown in FIG. Take an image with a field of view that contains two or more parts. The expansion / contraction control system 100 calculates the luminance distribution of the moire fringe MF based on the captured moire fringe MF, and calculates the moire fringe pitch Pm from the luminance distribution of the moire fringe MF. The expansion / contraction control system 100 obtains a first pattern strain ε relative to the first reference plate 7a from the calculated moire fringe pitch Pm and moire fringe design pitch Pmd. For this reason, imaging is performed in a field of view in which two or more dense portions of the moire fringes MF enter.

図3に戻って、テレセントリックレンズ111は、ミラー112に映し出された第1モアレマークMM1及び基準モアレマークMMRをそれらの大きさを変えずにカメラ110の撮像素子に結像できる。このため、カメラ110は、図4(b)に示す撮像領域α内に収まっている第1モアレマークMM1及び基準モアレマークMMR並びにモアレ縞MFなどをその大きさのまま撮像することができる。カメラ110は、撮像した撮像データを制御部10に出力するようになっている。   Returning to FIG. 3, the telecentric lens 111 can image the first moire mark MM1 and the reference moire mark MMR projected on the mirror 112 on the image sensor of the camera 110 without changing their sizes. For this reason, the camera 110 can image the first moire mark MM1, the reference moire mark MMR, the moire fringe MF, and the like that are within the imaging area α shown in FIG. The camera 110 outputs the captured image data to the control unit 10.

図1に戻って、制御部10は、例えばパーソナルコンピュータなどに設けられている。制御部10は、第1から第3光学系撮像装置11,12,13から送信された撮像データをそれぞれ画像処理する画像処理部10aを有している。また、制御部10は、画像処理部10aが画像処理して生成したそれぞれのモアレ縞の画像に基づいてフィルム基板8に印加する張力を補正する補正量をそれぞれ算出する補正量算出部10bを有している。   Returning to FIG. 1, the control unit 10 is provided in, for example, a personal computer. The control unit 10 includes an image processing unit 10a that performs image processing on the imaging data transmitted from the first to third optical system imaging devices 11, 12, and 13, respectively. In addition, the control unit 10 includes a correction amount calculation unit 10b that calculates a correction amount for correcting the tension applied to the film substrate 8 based on each moire fringe image generated by image processing by the image processing unit 10a. doing.

図5は、制御部10における画像処理及び補正量の算出を説明する図である。図5(a)は、画像処理部10aが第1光学系撮像装置11から受信した撮像データに基づいて生成した画像の一例を示している。図5(b)は、図5(a)に示す画像に基づくモアレ縞輝度分布を示している。
図5(b)において、縦軸はモアレ縞の輝度の高低を示し、横軸は図5(b)に示す直線L2上の位置を示している。
FIG. 5 is a diagram illustrating image processing and correction amount calculation in the control unit 10. FIG. 5A shows an example of an image generated by the image processing unit 10 a based on the imaging data received from the first optical system imaging device 11. FIG. 5B shows a moire fringe luminance distribution based on the image shown in FIG.
In FIG. 5B, the vertical axis indicates the level of the luminance of the moire fringes, and the horizontal axis indicates the position on the straight line L2 shown in FIG.

画像処理部10aは、第1光学系撮像装置11のカメラ110(図3参照)から送信された撮像データを画像処理する。図5(a)に示すように、画像処理部10aは、画像処理した結果、互いに重ね合わされた基準モアレマークMMR及び第1モアレマークMM1と、両マークMMR,MM1とが重ね合わされることにより発生するモアレ縞MFが表示された画像を生成する。基準モアレマークMMR、第1モアレマークMM1の線状パターンは、光源11b(図2参照)が照射する光をほとんど透過しないので、画像処理部10aが生成した画像において相対的に暗い色(例えば黒色)で表される。また、第1モアレマークMM1の線状パターンと基準モアレマークMMRの線状パターンとが重なり合う重なり位置の近傍は、線状パターンの密度が疎となるため、画像処理部10aが生成した画像において相対的に明るい色で表される。一方、基準モアレマークMMR及び第1モアレマークMM1の一方の線状パターンが他方の線状パターンの間に配置される位置の近傍は、線状パターンの密度が密となるため画像処理部10aが生成した画像において相対的に暗い色で表される。   The image processing unit 10a performs image processing on imaging data transmitted from the camera 110 (see FIG. 3) of the first optical system imaging device 11. As shown in FIG. 5 (a), the image processing unit 10a generates the reference moire mark MMR and the first moire mark MM1 that are superimposed on each other and the marks MMR and MM1 as a result of the image processing. An image on which the moire fringes MF are displayed is generated. Since the linear patterns of the reference moire mark MMR and the first moire mark MM1 hardly transmit the light emitted by the light source 11b (see FIG. 2), the image generated by the image processing unit 10a has a relatively dark color (for example, black). ). Further, in the vicinity of the overlapping position where the linear pattern of the first moiré mark MM1 and the linear pattern of the reference moiré mark MMR overlap, the density of the linear pattern is sparse, so that the relative value in the image generated by the image processing unit 10a. Are expressed in bright colors. On the other hand, in the vicinity of the position where one linear pattern of the reference moiré mark MMR and the first moiré mark MM1 is disposed between the other linear patterns, the density of the linear pattern is high, so that the image processing unit 10a has a high density. Represented in a relatively dark color in the generated image.

図5(a)に示す画像を画像処理部10aから受信した補正量算出部10bは、第1モアレマークMM1のパターンひずみεを算出する。補正量算出部10bは、パターンひずみεを算出するためにまず、図5(b)に示すモアレ縞輝度分布を生成する。補正量算出部10bは、直線L1にほぼ平行であってモアレ縞MFの画像の中央を横断する直線L2上の明暗に基づいて、モアレ縞輝度分布を生成する。第1モアレマークMM1の線状パターンと基準モアレマークMMRの線状パターンとで形成される線状パターンの密度は、疎の状態から密の状態へかつ密の状態からその状態へ徐々に変化する。このため、モアレ輝度分布は、図5(b)の下段に示すように正弦波のような波型形状となる。   The correction amount calculation unit 10b that has received the image shown in FIG. 5A from the image processing unit 10a calculates the pattern distortion ε of the first moire mark MM1. In order to calculate the pattern distortion ε, the correction amount calculation unit 10b first generates a moire fringe luminance distribution shown in FIG. The correction amount calculation unit 10b generates a moire fringe luminance distribution based on light and darkness on the straight line L2 that is substantially parallel to the straight line L1 and crosses the center of the image of the moire fringe MF. The density of the linear pattern formed by the linear pattern of the first moire mark MM1 and the linear pattern of the reference moire mark MMR gradually changes from the sparse state to the dense state and from the dense state to the state. . For this reason, the moire luminance distribution has a wave shape such as a sine wave as shown in the lower part of FIG.

図5(b)に示すように、補正量算出部10bは、モアレ縞ピッチPmを算出する。補正量算出部10bは、基準モアレマークMMRのピッチP1、モアレ縞設計ピッチPmd及びモアレ縞ピッチPmから以下の式(1)を用いてパターンひずみεを算出する。
ε=(P1/Pmd)×(Pmd−Pm)/(Pmd−P1) ・・・(1)
As shown in FIG. 5B, the correction amount calculation unit 10b calculates the moire fringe pitch Pm. The correction amount calculation unit 10b calculates the pattern distortion ε using the following formula (1) from the pitch P1, the moire fringe design pitch Pmd, and the moire fringe pitch Pm of the reference moire mark MMR.
ε = (P1 / Pmd) × (Pmd−Pm) / (Pmd−P1) (1)

補正量算出部10bは、算出したパターンひずみεがゼロになるように、フィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出する。補正量は、例えば伸縮調整ロール25aの配置位置の移動量である。制御部10は、補正量算出部10bが算出した補正量に基づく制御信号を伸縮調整ロール25a,26a,27aに送信し、連続的に送出されるフィルム基板8の伸縮を制御する。   The correction amount calculation unit 10b calculates a correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 so that the calculated pattern distortion ε becomes zero. The correction amount is, for example, the amount of movement of the arrangement position of the expansion / contraction adjustment roll 25a. The control unit 10 transmits a control signal based on the correction amount calculated by the correction amount calculation unit 10b to the expansion / contraction adjustment rolls 25a, 26a, and 27a, and controls expansion and contraction of the film substrate 8 that is continuously sent out.

このように、補正量算出部10bは、可撓性基板の送出と同期して連続的に送出される第1マーク(例えば第1モアレマークMM1)に該可撓性基板の送出による寸法変化がない第2マーク(例えば基準モアレマークMMR)を重ね合わせて発生する干渉縞(例えばモアレ縞MF)に基づいて第1マークのひずみ(例えばパターンひずみε)を取得するひずみ取得部に相当する。また、制御部10は、取得したひずみに基づいて、連続的に送出されて長尺形状及び可撓性を備える可撓性基板(例えばフィルム基板8)の伸縮を制御する基板伸縮制御部に相当する。   As described above, the correction amount calculation unit 10b causes the first mark (for example, the first moire mark MM1) that is continuously sent in synchronization with the sending of the flexible substrate to undergo a dimensional change due to the sending of the flexible substrate. This corresponds to a strain acquisition unit that acquires a distortion (for example, pattern distortion ε) of the first mark based on interference fringes (for example, moire fringes MF) generated by overlapping non-existing second marks (for example, reference moire marks MMR). The control unit 10 corresponds to a substrate expansion / contraction control unit that controls expansion / contraction of a flexible substrate (for example, the film substrate 8) that is continuously sent and has a long shape and flexibility based on the acquired strain. To do.

例えば、パターンひずみεが最小値(ゼロ)になると、走行中に撮像されたモアレ縞ピッチPmとモアレ縞設計ピッチPmdとの差が最小(ゼロ)になる。この場合、実際に形成された第1モアレマークMM1に基づくモアレ縞MFが理想的なモアレ縞となっていることを意味する。基準モアレマークMMRのピッチP1は設計値どおりに形成されているので、パターンひずみεが最小値(ゼロ)となると、第1モアレマークMM1も設計値どおりに形成されていることになる。したがって、パターンひずみεが最小値(ゼロ)となるようにフィルム基板8に印加する張力を制御し、フィルム基板8を所定状態に伸縮した上でフィルム基板8上に第1パターンを形成すると、形成された第1パターンは設計値どおりのパターンとなる。   For example, when the pattern distortion ε becomes the minimum value (zero), the difference between the moire fringe pitch Pm captured during traveling and the moire fringe design pitch Pmd becomes minimum (zero). In this case, it means that the moire fringe MF based on the first moire mark MM1 actually formed is an ideal moire fringe. Since the pitch P1 of the reference moire mark MMR is formed as designed, when the pattern distortion ε becomes the minimum value (zero), the first moire mark MM1 is also formed as designed. Therefore, when the tension applied to the film substrate 8 is controlled so that the pattern strain ε becomes the minimum value (zero) and the film substrate 8 is expanded and contracted in a predetermined state, the first pattern is formed on the film substrate 8. The first pattern thus formed is a pattern as designed.

第1から第3光学系撮像装置11,12,13は、基準板調整ステージを有している。このため、第1から第3パターン形成部22,23,24のそれぞれがフィルム基板8上に形成するモアレマークの形成場所を異ならせても、基板伸縮制御装置1は、第1基準板7a,7b,7cを第1から第3パターン形成部22,23,24のそれぞれが形成したモアレマークに基準モアレマークを重ね合わせることができる。このため、基板伸縮制御装置1は、第1から第3パターン形成部22,23,24が形成したモアレマークごとにパターンひずみを算出できる。したがって、基板伸縮制御装置1は、第1から第3の基板伸縮調整部25,26,27を個別に制御できる。   The first to third optical system imaging devices 11, 12, and 13 have a reference plate adjustment stage. For this reason, even if each of the first to third pattern forming portions 22, 23, 24 changes the formation location of the moire mark formed on the film substrate 8, the substrate expansion / contraction control device 1 does not change the first reference plate 7 a, The reference moire marks can be superimposed on the moire marks formed by the first to third pattern forming portions 22, 23, and 24. For this reason, the substrate expansion / contraction control apparatus 1 can calculate the pattern distortion for each moire mark formed by the first to third pattern forming units 22, 23, and 24. Therefore, the substrate expansion / contraction control device 1 can individually control the first to third substrate expansion / contraction adjustment units 25, 26, and 27.

本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法について、図1から図5を参照しつつ図6を用いて説明する。図6は、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法における伸縮制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。図6に示すフローチャートに含まれる各処理は、制御部10において実行される。なお、以下、第1光学系撮像装置11が取得した撮像データに基づく伸縮制御処理を例にとって説明する。   A flexible substrate expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5 and FIG. FIG. 6 is a flowchart showing an example of the flow of expansion / contraction control processing in the flexible substrate expansion / contraction control method according to the present embodiment. Each process included in the flowchart shown in FIG. 6 is executed by the control unit 10. Hereinafter, the expansion / contraction control process based on the imaging data acquired by the first optical system imaging device 11 will be described as an example.

図6に示すように、伸縮制御処理では、まずステップS1において、モアレ画像を取得し、ステップS3に移行する。ステップS1において、制御部10の指令に基づいて、第1光学系撮像装置11は、フィルム基板8に形成された第1モアレマークMM1と第1基準板7aに形成された基準モアレマークMMRとを重ね合わせることにより発現するモアレ縞及びその周辺を撮像する。第1光学系撮像装置11は撮像したモアレ縞及びその周辺の撮像データを制御部10の画像処理部10aに送信する。これにより、制御部10は、モアレ縞を撮像データとして取得する。   As shown in FIG. 6, in the expansion / contraction control process, first, in step S1, a moire image is acquired, and the process proceeds to step S3. In step S1, based on a command from the control unit 10, the first optical system imaging device 11 uses the first moire mark MM1 formed on the film substrate 8 and the reference moire mark MMR formed on the first reference plate 7a. The moiré fringes and their surroundings that are manifested by overlapping are imaged. The first optical system imaging device 11 transmits the captured moire fringes and surrounding imaging data to the image processing unit 10 a of the control unit 10. Thereby, the control part 10 acquires a moire fringe as imaging data.

ステップS3では、取得したモアレ縞を画像処理し、ステップS5に移行する。ステップS3において、画像処理部10aは、取得した撮像データを画像処理し、少なくともモアレ縞MFが表示された画像(図5(a)参照)を生成する。画像処理部10aは、生成した画像を補正量算出部10bに送信する。   In step S3, the acquired moire fringes are subjected to image processing, and the process proceeds to step S5. In step S3, the image processing unit 10a performs image processing on the acquired imaging data, and generates an image (see FIG. 5A) on which at least the moire fringes MF are displayed. The image processing unit 10a transmits the generated image to the correction amount calculation unit 10b.

ステップS5では、モアレ縞輝度分布を生成し、ステップS7に移行する。ステップS5において、補正量算出部10bは、受信した画像に基づいて、モアレ縞輝度分布(図5(b)中の下段参照)を生成する。   In step S5, a moire fringe luminance distribution is generated, and the process proceeds to step S7. In step S5, the correction amount calculation unit 10b generates a moire fringe luminance distribution (see the lower stage in FIG. 5B) based on the received image.

ステップS7では、モアレ縞ピッチPmを算出し、ステップS9に移行する。ステップS7において、補正量算出部10bは、生成したモアレ縞輝度分布に基づいてモアレ縞ピッチPmを算出する。   In step S7, the moire fringe pitch Pm is calculated, and the process proceeds to step S9. In step S7, the correction amount calculation unit 10b calculates the moire fringe pitch Pm based on the generated moire fringe luminance distribution.

ステップS9では、パターンひずみを取得し、ステップS11に移行する。ステップS9において、補正量算出部10bは、算出したモアレピッチPm、設計モアレピッチPmd及び基準モアレマークMMRのピッチP1と式(1)とを用いてパターンひずみεを算出する。   In step S9, the pattern distortion is acquired, and the process proceeds to step S11. In step S9, the correction amount calculation unit 10b calculates the pattern distortion ε using the calculated moire pitch Pm, the design moire pitch Pmd, the pitch P1 of the reference moire mark MMR, and the equation (1).

ステップS11では、可撓性基板に印加する張力の補正値を算出し、可撓性基板の伸縮制御処理を終了する。ステップS11において、補正量算出部10bは、算出した第1パターンひずみεをゼロにするように、フィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出する。張力の補正値ΔTは、以下の式(2)で表すことができる。
ΔT=ε×E×A ・・・(2)
ここで、「ε」は、式(1)を用いて算出したパターンひずみを表し、「E」は、可撓性基板(本例ではフィルム基板8)のヤング率を表し、「A」は、可撓性基板の断面積を表している。
In step S11, the correction value of the tension applied to the flexible substrate is calculated, and the expansion / contraction control processing of the flexible substrate is terminated. In step S11, the correction amount calculation unit 10b calculates a correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 so that the calculated first pattern distortion ε is zero. The tension correction value ΔT can be expressed by the following equation (2).
ΔT = ε × E × A (2)
Here, “ε” represents the pattern strain calculated using the formula (1), “E” represents the Young's modulus of the flexible substrate (in this example, the film substrate 8), and “A” represents It represents the cross-sectional area of the flexible substrate.

補正量算出部10bは、補正量として例えば伸縮調整ロール25aの配置位置の移動量を算出する。パターンひずみεの値が正の場合、モアレピッチPmの値が設計モアレピッチPmdの値よりも大きくなっている。この場合、第1モアレマークMM1のピッチP1+ΔP1の値が設計値よりも基準モアレマークMMRのピッチP1の値に近くなっている。本実施形態では、駆動ロール22aなどの各ロールの回転速度は変更されないため、第1モアレマークMM1のピッチP1+ΔP1を大きくするためには、フィルム基板8を伸ばす必要がある。そこで、制御部10は、フィルム基板8に印加する張力を大きくするために、補正量算出部10bが算出した移動量だけ伸縮調整ロール25aが案内ロール25b,25cに近付くように基板伸縮調整部25を制御する。   The correction amount calculation unit 10b calculates, for example, the movement amount of the arrangement position of the expansion / contraction adjustment roll 25a as the correction amount. When the value of the pattern distortion ε is positive, the value of the moire pitch Pm is larger than the value of the design moire pitch Pmd. In this case, the value of the pitch P1 + ΔP1 of the first moire mark MM1 is closer to the value of the pitch P1 of the reference moire mark MMR than the design value. In the present embodiment, since the rotation speed of each roll such as the drive roll 22a is not changed, the film substrate 8 needs to be stretched in order to increase the pitch P1 + ΔP1 of the first moire mark MM1. Therefore, the control unit 10 increases the tension applied to the film substrate 8 so that the expansion / contraction adjustment roll 25a approaches the guide rolls 25b and 25c by the movement amount calculated by the correction amount calculation unit 10b. To control.

一方、パターンひずみεの値が負の場合、モアレピッチPmの値が設計モアレピッチPmdの値よりも小さくなっている。この場合、第1モアレマークMM1のピッチP1+ΔP1の値が設計値よりも基準モアレマークMMRのピッチP1の値から離れている。本実施形態では、駆動ロール22aなどの各ロールの回転速度は変更されないため、第1モアレマークMM1のピッチP1+ΔP1を小さくするためには、フィルム基板8を縮める必要がある。そこで、制御部10は、フィルム基板8に印加する張力を小さくするために、補正量算出部10bが算出した移動量だけ伸縮調整ロール25aが案内ロール25b,25cから遠ざかるように基板伸縮調整部25を制御する。   On the other hand, when the value of the pattern distortion ε is negative, the value of the moire pitch Pm is smaller than the value of the design moire pitch Pmd. In this case, the value of the pitch P1 + ΔP1 of the first moire mark MM1 is farther from the value of the pitch P1 of the reference moire mark MMR than the design value. In the present embodiment, since the rotation speed of each roll such as the drive roll 22a is not changed, it is necessary to shrink the film substrate 8 in order to reduce the pitch P1 + ΔP1 of the first moire mark MM1. Therefore, in order to reduce the tension applied to the film substrate 8, the control unit 10 reduces the expansion / contraction adjustment roll 25a away from the guide rolls 25b and 25c by the movement amount calculated by the correction amount calculation unit 10b. To control.

本実施形態では、フィルム基板8は、0.1mから10m/分の速度で搬送されるのが好ましい。これに対し、モアレ縞は、例えば100ms毎に撮像されてパターンひずみが算出されるようになっている。このため、本実施形態では、フィルム基板8がおよそ0.2mmから20mm搬送される毎にフィルム基板8の伸縮が制御される。   In the present embodiment, the film substrate 8 is preferably transported at a speed of 0.1 m to 10 m / min. On the other hand, moire fringes are imaged every 100 ms, for example, and pattern distortion is calculated. For this reason, in this embodiment, the expansion / contraction of the film substrate 8 is controlled every time the film substrate 8 is transported by approximately 0.2 mm to 20 mm.

本実施形態における電子デバイス製造装置2は、1層目の第1パターンの形成時に第1モアレマークMM1をフィルム基板8上に形成し、2層目の第2パターンの形成時に第2モアレマークをフィルム基板8上に形成し、3層目の第3パターンの形成時に第3モアレマークを形成するようになっている。このため、上述の伸縮制御方法により可撓性基板上に第1モアレマークMM1の線状パターンのピッチを設計値どおりに形成することにより、第1パターンにおける配線ピッチや配線幅なども設計値どおりに形成される。同様に、第2モアレマークの線状パターンのピッチを設計値どおりに形成することにより、第2パターンにおける配線ピッチや配線幅なども設計値どおりに形成される。同様に、第3モアレマークの線状パターンのピッチを設計値どおりに形成することにより、第3パターンにおける配線ピッチや配線幅なども設計値どおりに形成される。したがって、第1から第3モアレマークに基づいてフィルム基板8の伸縮を制御することにより、第1から第3パターンが設計値どおりに形成される。   The electronic device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment forms the first moire mark MM1 on the film substrate 8 when the first pattern of the first pattern is formed, and the second moire mark when the second pattern of the second layer is formed. A third moire mark is formed on the film substrate 8 when the third pattern of the third layer is formed. For this reason, by forming the pitch of the linear pattern of the first moiré mark MM1 on the flexible substrate according to the above-described expansion / contraction control method as designed, the wiring pitch and wiring width in the first pattern are also designed as designed. Formed. Similarly, by forming the pitch of the linear pattern of the second moire mark as designed, the wiring pitch and wiring width in the second pattern are also formed as designed. Similarly, by forming the pitch of the linear pattern of the third moiré mark as designed, the wiring pitch and wiring width in the third pattern are also formed as designed. Therefore, by controlling the expansion and contraction of the film substrate 8 based on the first to third moire marks, the first to third patterns are formed as designed.

可塑性基板の伸縮制御を用いて第1から第3パターンが設計通りに形成された後、各パターンのアライメント誤差があった場合に、第1から第3パターンの位相を制御して位置合わせが行われる。位相制御は、公知のコンペン方式、コンペンレス方式を用いることができる。
コンペン方式とは、伸縮調整ロール25aを水平に移動させて、可塑性基板のパス長を変化させて位相を制御する方式をいう。例えば、第1のマークに対する第2のマークのアライメント誤差が基板が流れる方向に+10μmであった場合は、パス長が10μm短くなるように伸縮調整ロール25aを5μm変化させる。 コンペンレス方式(版胴位相補正方式)とは、版胴の回転速度を瞬間的に変化させて位相を制御する方式をいう。例えば、第1のマークに対する第2のマークのアライメント誤差が基板が流れる方向に+10μmであった場合は、第2パターンの版の周長で−10μmに相当する分だけ回転速度を瞬間的に遅くして位相を合わせる。
このように、本実施形態によれば、可塑性基板の伸縮制御で第1から第3パターンが設計通りに形成されることで、第1から第3までのパターンの誤差が小さくなるので、公知の位相制御を用いても位置合わせの精度が向上し、所望の積層パターンを形成できる。
After the first to third patterns are formed as designed using the expansion / contraction control of the plastic substrate, the alignment is performed by controlling the phases of the first to third patterns when there is an alignment error of each pattern. Is called. For the phase control, a known compensation method or a compensationless method can be used.
The compensation method is a method in which the phase is controlled by moving the expansion / contraction adjustment roll 25a horizontally and changing the path length of the plastic substrate. For example, when the alignment error of the second mark with respect to the first mark is +10 μm in the direction in which the substrate flows, the expansion / contraction adjustment roll 25a is changed by 5 μm so that the path length is shortened by 10 μm. The compensation-free method (plate cylinder phase correction method) is a method of controlling the phase by instantaneously changing the rotation speed of the plate cylinder. For example, when the alignment error of the second mark with respect to the first mark is +10 μm in the direction in which the substrate flows, the rotational speed is instantaneously decreased by an amount corresponding to −10 μm in the circumference of the second pattern plate. And adjust the phase.
As described above, according to the present embodiment, the first to third patterns are formed as designed by the expansion / contraction control of the plastic substrate, so that errors in the first to third patterns are reduced. Even if phase control is used, the alignment accuracy is improved and a desired laminated pattern can be formed.

このように、本実施形態による位置合わせ方法は、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法を用いてフィルム基板8上に積層する積層パターンを位置合わせするようになっている。また、本実施形態による位置合わせ方法は、第1から第3モアレマーク及び基準モアレマークを位置合わせマークとして用いるようになっている。
また、本実施形態による位置合わせ方法を用いることにより、所望の積層パターンを形成することができる。このため、本実施形態による電子デバイスの製造方法は、本実施形態による位置合わせ方法を用いて所望の積層パターンを形成し、この積層パターンによって構成される電子デバイスを製造することができる。
As described above, the alignment method according to the present embodiment aligns the laminated pattern to be laminated on the film substrate 8 using the flexible substrate expansion / contraction control method according to the present embodiment. In the alignment method according to the present embodiment, the first to third moire marks and the reference moire mark are used as the alignment marks.
Moreover, a desired laminated pattern can be formed by using the alignment method according to the present embodiment. For this reason, the manufacturing method of the electronic device according to the present embodiment can form a desired stacked pattern using the alignment method according to the present embodiment, and can manufacture an electronic device constituted by the stacked pattern.

以上説明したように、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法によれば、モアレ縞を利用して画素オーダー以下の微小なアライメント誤差を拡大して測定することができる。このため、ロールツーロール方式の装置を使用した連続プロセスにおいて、可撓性基板上に形成するパターンの微小な相対ひずみをモアレ縞を利用して測定するとともに、相対ひずみが既知であることで撮像装置の画素サイズ以下の微小なアライメント誤差をパターンの変化に影響されずに測定することが可能となる。このため、本実施形態によれば、可撓性を有し送出される可撓性基板に微細なパターンの高精度な重ね合わせを実現することができる。これにより、複雑な回路素子を可撓性基板上に形成できるので、ロジック回路の半導体装置、センサ回路の半導体装置、記憶装置及び表示装置などの電子デバイスを可撓性基板上に形成できる。
また、本実施形態によれば、単層パターニングであっても、基準となるモアレマークを有する基準板を用いることで、単層パターンの基準板に対する相対ひずみを測定でき、これにより単層パターニングの精度向上も可能となり、重ね合わせ精度の向上にも寄与する。
As described above, according to the flexible substrate expansion / contraction control system, the expansion / contraction control method, the alignment method, and the electronic device manufacturing method according to the present embodiment, a minute alignment error below the pixel order using moire fringes. Can be magnified and measured. For this reason, in a continuous process using a roll-to-roll system, the minute relative strain of a pattern formed on a flexible substrate is measured using moire fringes, and imaging is performed by knowing the relative strain. It becomes possible to measure a minute alignment error equal to or smaller than the pixel size of the apparatus without being affected by a change in pattern. For this reason, according to the present embodiment, it is possible to realize a highly accurate superposition of a fine pattern on a flexible substrate to be delivered. Accordingly, since a complicated circuit element can be formed over a flexible substrate, electronic devices such as a logic circuit semiconductor device, a sensor circuit semiconductor device, a memory device, and a display device can be formed over the flexible substrate.
Further, according to the present embodiment, even with single layer patterning, by using a reference plate having a reference moire mark, the relative strain of the single layer pattern with respect to the reference plate can be measured. Accuracy can also be improved, contributing to improved overlay accuracy.

〔第2の実施形態〕
本発明の第2の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法について図7及び図8を用いて説明する。本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法は、オフセット印刷法や反転印刷法などにおいて、可撓性基板上に形成するパターンを一旦ブランケット上に転写する際にモアレマークも転写し、ブランケット上に転写されたモアレマークに基づいてモアレ縞を発現させる点に特徴を有している。本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法において、上記第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法と同一の機能・作用を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
[Second Embodiment]
A flexible substrate expansion / contraction control system, expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the flexible substrate expansion / contraction control system, the expansion / contraction control method, the alignment method, and the electronic device manufacturing method according to the present embodiment, the pattern formed on the flexible substrate is once blanketed in the offset printing method or the reverse printing method. It is characterized in that the moire mark is also transferred at the time of transfer, and moire fringes are expressed based on the moire mark transferred on the blanket. In the flexible substrate expansion / contraction control system, expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to the present embodiment, the flexible substrate expansion / contraction control system, expansion / contraction control method, and alignment according to the first embodiment. Components having the same functions and operations as those of the method and the electronic device manufacturing method are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図7は、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム300を模式的に示す図である。可撓性基板の伸縮制御システム300は、可撓性基板に電子デバイスを製造する電子デバイス製造装置4と、可撓性基板の伸縮を制御する基板伸縮制御装置3とを有している。なお、本実施形態における電子デバイス製造装置4は、ロールツーロール方式を採用した製造装置である。また、本実施形態において対象となる電子デバイスは、上記第1の実施形態において対象となる電子デバイスと同様である。   FIG. 7 is a diagram schematically illustrating the flexible substrate expansion / contraction control system 300 according to the present embodiment. The flexible substrate expansion / contraction control system 300 includes an electronic device manufacturing apparatus 4 that manufactures an electronic device on a flexible substrate, and a substrate expansion / contraction control apparatus 3 that controls expansion / contraction of the flexible substrate. In addition, the electronic device manufacturing apparatus 4 in this embodiment is a manufacturing apparatus which employ | adopted the roll-to-roll system. In addition, the target electronic device in the present embodiment is the same as the target electronic device in the first embodiment.

図7に示すように、電子デバイス製造装置4は、ロールツーロール方式でフィルム基板8を繰出ロール20から巻取ロール21に向かって搬送する。繰出ロール20と巻取ロール21との間の基板搬送経路には、フィルム基板8上に第1層目の第1パターンを形成する第1パターン形成部42と、第1パターンが形成されたフィルム基板8上に第2層目の第2パターンを形成する第2パターン形成部43と、第1及び第2パターンが形成されたフィルム基板8上に第3層目の第3パターンを形成する第3パターン形成部44とが設けられている。第1パターン形成部42、第2パターン形成部43及び第3パターン形成部44は、この順に繰出ロール20側から配置されている。本実施形態における電子デバイス製造装置4は、第1から第3パターン形成部42,43,44の3つのパターン形成部を有しているが、パターン形成部の配置数はこれに限られない。電子デバイス製造装置4は、フィルム基板8上に形成する積層数分だけパターン形成部を有することができる。また、電子デバイス製造装置4は、フィルム基板8を洗浄する洗浄装置、及び、洗浄後や第1から第3パターン形成後にフィルム基板8上に形成されたパターンを構成する材料を乾燥及び/又は固化する乾燥装置など、必要に応じて種々の装置を有していてもよい。   As shown in FIG. 7, the electronic device manufacturing apparatus 4 conveys the film substrate 8 from the feeding roll 20 toward the winding roll 21 in a roll-to-roll manner. In the substrate conveyance path between the feeding roll 20 and the take-up roll 21, a first pattern forming portion 42 that forms a first pattern of the first layer on the film substrate 8, and a film on which the first pattern is formed A second pattern forming portion 43 for forming a second pattern of the second layer on the substrate 8, and a third pattern for forming a third pattern of the third layer on the film substrate 8 on which the first and second patterns are formed. A three-pattern forming unit 44 is provided. The 1st pattern formation part 42, the 2nd pattern formation part 43, and the 3rd pattern formation part 44 are arrange | positioned from the supply roll 20 side in this order. Although the electronic device manufacturing apparatus 4 in the present embodiment has three pattern forming portions, the first to third pattern forming portions 42, 43, and 44, the number of pattern forming portions is not limited thereto. The electronic device manufacturing apparatus 4 can have as many pattern forming portions as the number of stacked layers formed on the film substrate 8. Further, the electronic device manufacturing apparatus 4 dries and / or solidifies the material that forms the pattern formed on the film substrate 8 after cleaning and after the formation of the first to third patterns after cleaning the film substrate 8. You may have various apparatuses as needed, such as a drying apparatus.

第1パターン形成部42は、例えばオフセット印刷法や反転印刷法などによりフィルム基板8上に所定パターンを形成するようになっている。第1パターン形成部42は、駆動ロール42aと、駆動ロール42aに接触して配置されたブランケットロール42cと、ブランケットロール42cに対向配置された駆動ロール42bとを有している。駆動ロール42a、駆動ロール42b及びブランケットロール42cはそれぞれ、円筒形状を有している。駆動ロール42a、駆動ロール42b及びブランケットロール42cはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。駆動ロール42a及び駆動ロール42bとブランケットロール42cとは、反対方向に回転している。ブランケットロール42c及び駆動ロール42bは、繰出ロール20側から第2パターン形成部43側に向かって回転している。ブランケットロール42cと駆動ロール42bとの間に挟まれたフィルム基板8は、繰出ロール20側から巻取ロール21側に向かって連続的に搬送される。   The first pattern forming unit 42 is configured to form a predetermined pattern on the film substrate 8 by, for example, an offset printing method or a reverse printing method. The 1st pattern formation part 42 has the drive roll 42a, the blanket roll 42c arrange | positioned in contact with the drive roll 42a, and the drive roll 42b arrange | positioned facing the blanket roll 42c. Each of the drive roll 42a, the drive roll 42b, and the blanket roll 42c has a cylindrical shape. Each of the drive roll 42a, the drive roll 42b, and the blanket roll 42c is configured to rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The drive roll 42a, the drive roll 42b, and the blanket roll 42c rotate in opposite directions. The blanket roll 42c and the drive roll 42b rotate from the feeding roll 20 side toward the second pattern forming portion 43 side. The film substrate 8 sandwiched between the blanket roll 42c and the drive roll 42b is continuously conveyed from the feed roll 20 side toward the take-up roll 21 side.

ブランケットロール42cが駆動ロール42aと接触しながら回転することにより、駆動ロール42a上に形成されたパターンを反転させたパターンがブランケットロール42c上に転写される。フィルム基板8がブランケットロール42cに接触しながらブランケットロール42cと駆動ロール42bとの間を通過することにより、ブランケットロール42c上に転写されたパターンを反転させたパターンが第1パターンとしてフィルム基板8上に再転写されて形成される。したがって、駆動ロール42a上に形成されたパターンと同じパターンが第1パターンとしてフィルム基板8上に形成される。詳細は後述するが、ブランケットロール42c上に駆動ロール42aのパターンが転写される際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンを反転したマークやパターンもブランケットロール42cに転写される。また、フィルム基板8上に第1パターンを再転写する際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンもフィルム基板8上に再転写される。   When the blanket roll 42c rotates while contacting the drive roll 42a, a pattern obtained by inverting the pattern formed on the drive roll 42a is transferred onto the blanket roll 42c. When the film substrate 8 passes between the blanket roll 42c and the drive roll 42b while contacting the blanket roll 42c, a pattern obtained by inverting the pattern transferred on the blanket roll 42c is formed on the film substrate 8 as a first pattern. Re-transferred to form. Therefore, the same pattern as the pattern formed on the drive roll 42a is formed on the film substrate 8 as the first pattern. Although details will be described later, when the pattern of the drive roll 42a is transferred onto the blanket roll 42c, the moiré mark used for the expansion / contraction control of the film substrate 8 and the mark or pattern obtained by inverting the vernier pattern are also transferred to the blanket roll 42c. . Further, when the first pattern is retransferred onto the film substrate 8, moire marks and vernier patterns used for expansion / contraction control of the film substrate 8 are also retransferred onto the film substrate 8.

第2パターン形成部43は、例えばオフセット印刷法や反転印刷法などによりフィルム基板8上に所定パターンを形成するようになっている。第2パターン形成部43は、駆動ロール43aと、駆動ロール43aに接触して配置されたブランケットロール43cと、ブランケットロール43cに対向配置された駆動ロール43bとを有している。駆動ロール43a、駆動ロール43b及びブランケットロール43cはそれぞれ、円筒形状を有している。駆動ロール43a、駆動ロール43b及びブランケットロール43cはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。駆動ロール43a及び駆動ロール43bとブランケットロール43cとは、反対方向に回転している。ブランケットロール43c及び駆動ロール43bは、第1パターン形成部42側から第3パターン形成部44側に向かって回転している。ブランケットロール43cと駆動ロール43bとの間に挟まれたフィルム基板8は、繰出ロール20側から巻取ロール21側に向かって連続的に搬送される。   The second pattern forming unit 43 forms a predetermined pattern on the film substrate 8 by, for example, an offset printing method or a reverse printing method. The 2nd pattern formation part 43 has the drive roll 43a, the blanket roll 43c arrange | positioned in contact with the drive roll 43a, and the drive roll 43b arrange | positioned facing the blanket roll 43c. Each of the drive roll 43a, the drive roll 43b, and the blanket roll 43c has a cylindrical shape. Each of the drive roll 43a, the drive roll 43b, and the blanket roll 43c is configured to rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The drive roll 43a, the drive roll 43b, and the blanket roll 43c rotate in opposite directions. The blanket roll 43c and the drive roll 43b rotate from the first pattern forming unit 42 side toward the third pattern forming unit 44 side. The film substrate 8 sandwiched between the blanket roll 43c and the drive roll 43b is continuously conveyed from the feed roll 20 side toward the take-up roll 21 side.

ブランケットロール43cが駆動ロール43aと接触しながら回転することにより、駆動ロール43a上に形成されたパターンを反転させたパターンがブランケットロール43c上に転写される。フィルム基板8がブランケットロール43cに接触しながらブランケットロール43cと駆動ロール43bとの間を通過することにより、ブランケットロール43c上に転写されたパターンを反転させたパターンが第2パターンとしてフィルム基板8上に再転写されて形成される。したがって、駆動ロール43a上に形成されたパターンと同じパターンが第2パターンとしてフィルム基板8上に形成される。詳細は後述するが、ブランケットロール43c上に駆動ロール43aのパターンが転写される際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンを反転したマークやパターンもブランケットロール43cに転写される。また、フィルム基板8上に第2パターンを再転写する際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンもフィルム基板8上に再転写される。   As the blanket roll 43c rotates while contacting the drive roll 43a, a pattern obtained by inverting the pattern formed on the drive roll 43a is transferred onto the blanket roll 43c. When the film substrate 8 passes between the blanket roll 43c and the drive roll 43b while being in contact with the blanket roll 43c, a pattern obtained by inverting the pattern transferred onto the blanket roll 43c is formed on the film substrate 8 as a second pattern. Re-transferred to form. Therefore, the same pattern as the pattern formed on the drive roll 43a is formed on the film substrate 8 as the second pattern. Although details will be described later, when the pattern of the driving roll 43a is transferred onto the blanket roll 43c, the moire mark or the mark or pattern obtained by inverting the vernier pattern used for the expansion / contraction control of the film substrate 8 is also transferred to the blanket roll 43c. . Further, when the second pattern is retransferred onto the film substrate 8, moire marks and vernier patterns used for expansion / contraction control of the film substrate 8 are also retransferred onto the film substrate 8.

第3パターン形成部44は、例えばオフセット印刷法や反転印刷法などによりフィルム基板8上に所定パターンを形成するようになっている。第3パターン形成部44は、駆動ロール44aと、駆動ロール44aに接触して配置されたブランケットロール44cと、ブランケットロール44cに対向配置された駆動ロール44bとを有している。駆動ロール44a、駆動ロール44b及びブランケットロール44cはそれぞれ、円筒形状を有している。駆動ロール44a、駆動ロール44b及びブランケットロール44cはそれぞれ、円筒の中心軸を回転軸として所定箇所で回転するようになっている。駆動ロール44a及び駆動ロール44bとブランケットロール44cとは、反対方向に回転している。ブランケットロール44c及び駆動ロール44bは、第2パターン形成部43側から巻取ロール21側に向かって回転している。ブランケットロール44cと駆動ロール44bとの間に挟まれたフィルム基板8は、繰出ロール20側から巻取ロール21側に向かって連続的に搬送される。   The third pattern forming unit 44 forms a predetermined pattern on the film substrate 8 by, for example, an offset printing method or a reverse printing method. The third pattern forming unit 44 includes a drive roll 44a, a blanket roll 44c disposed in contact with the drive roll 44a, and a drive roll 44b disposed to face the blanket roll 44c. Each of the drive roll 44a, the drive roll 44b, and the blanket roll 44c has a cylindrical shape. Each of the drive roll 44a, the drive roll 44b, and the blanket roll 44c is configured to rotate at a predetermined position with the central axis of the cylinder as a rotation axis. The drive roll 44a, the drive roll 44b, and the blanket roll 44c rotate in opposite directions. The blanket roll 44c and the drive roll 44b rotate from the second pattern forming unit 43 side toward the take-up roll 21 side. The film substrate 8 sandwiched between the blanket roll 44c and the drive roll 44b is continuously conveyed from the feed roll 20 side toward the take-up roll 21 side.

ブランケットロール44cが駆動ロール44aと接触しながら回転することにより、駆動ロール44a上に形成されたパターンを反転させたパターンがブランケットロール44c上に転写される。フィルム基板8がブランケットロール44cに接触しながらブランケットロール44cと駆動ロール44bとの間を通過することにより、ブランケットロール44c上に転写されたパターンを反転させたパターンが第3パターンとしてフィルム基板8上に再転写されて形成される。したがって、駆動ロール44a上に形成されたパターンと同じパターンが第3パターンとしてフィルム基板8上に形成される。詳細は後述するが、ブランケットロール44c上に駆動ロール44aのパターンが転写される際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンを反転したマークやパターンもブランケットロール44cに転写される。また、フィルム基板8上に第3パターンを再転写する際に、フィルム基板8の伸縮制御に用いるモアレマークやバーニヤパターンもフィルム基板8上に再転写される。   When the blanket roll 44c rotates while contacting the drive roll 44a, a pattern obtained by inverting the pattern formed on the drive roll 44a is transferred onto the blanket roll 44c. When the film substrate 8 passes between the blanket roll 44c and the drive roll 44b while contacting the blanket roll 44c, a pattern obtained by inverting the pattern transferred on the blanket roll 44c is formed on the film substrate 8 as a third pattern. Re-transferred to form. Therefore, the same pattern as the pattern formed on the drive roll 44a is formed on the film substrate 8 as the third pattern. Although details will be described later, when the pattern of the drive roll 44a is transferred onto the blanket roll 44c, the moiré mark used for the expansion / contraction control of the film substrate 8 or a mark or pattern obtained by inverting the vernier pattern is also transferred to the blanket roll 44c. . In addition, when the third pattern is retransferred onto the film substrate 8, moire marks and vernier patterns used for expansion / contraction control of the film substrate 8 are also retransferred onto the film substrate 8.

図7に示すように、基板伸縮制御装置3は、第1から第3の基板伸縮調整部25,26,27を制御する制御部30と、フィルム基板8に形成されたモアレマークに基づいて発生したモアレ縞(第一の干渉縞の一例)を撮像する第1光学系撮像装置11、第2光学系撮像装置12、第3光学系撮像装置13、第4光学系撮像装置31、第5光学系撮像装置32及び第6光学系撮像装置33とを有している。可撓性基板の伸縮制御システム300は、フィルム基板8に形成されたモアレマークに3つの第1基準板7a,7b,7cを個別に重ね合わせてモアレ縞を発生させる。さらに、可撓性基板の伸縮制御システム300は、ブランケットロール42cに形成されたモアレマークに第2基準板9aを重ね合わせてモアレ縞を発生させ、ブランケットロール43cに形成されたモアレマークに第2基準板9bを重ね合わせてモアレ縞を発生させ、ブランケットロール44cに形成されたモアレマークに第2基準板9cを重ね合わせてモアレ縞を発生させる。   As shown in FIG. 7, the substrate expansion / contraction control device 3 is generated based on the control unit 30 that controls the first to third substrate expansion / contraction adjustment units 25, 26, and 27 and the moire mark formed on the film substrate 8. The first optical system imaging device 11, the second optical system imaging device 12, the third optical system imaging device 13, the fourth optical system imaging device 31, and the fifth optical that capture the captured moire fringes (an example of the first interference fringes). A system imaging device 32 and a sixth optical system imaging device 33. The flexible substrate expansion / contraction control system 300 generates the moire fringes by individually superimposing the three first reference plates 7 a, 7 b, 7 c on the moire marks formed on the film substrate 8. Further, the flexible substrate expansion / contraction control system 300 overlaps the moire mark formed on the blanket roll 42c with the second reference plate 9a to generate moire fringes, and the moire mark formed on the blanket roll 43c has the second on the moire mark. The reference plate 9b is overlapped to generate moire fringes, and the second reference plate 9c is overlapped with the moire marks formed on the blanket roll 44c to generate moire fringes.

第4光学系撮像装置31、第5光学系撮像装置32及び第6光学系撮像装置33は、同一の構成を有し、同一の機能を発揮するようになっている。また、第2基準板9a、第2基準板9b及び第2基準板9cは、同一の構成を有し、同一の機能を発揮するようになっている。このため、以下、本実施形態における光学系撮像装置及び第2基準板について、第4光学系撮像装置31及び第2基準板9aを例にとって図7を参照しつつ図8を用いて説明する。図8は、第1パターン形成部42、第1光学系撮像装置11及び第4光学系撮像装置31の近傍を拡大して示す模式図である。   The fourth optical system imaging device 31, the fifth optical system imaging device 32, and the sixth optical system imaging device 33 have the same configuration and perform the same functions. The second reference plate 9a, the second reference plate 9b, and the second reference plate 9c have the same configuration and perform the same function. Therefore, hereinafter, the optical imaging device and the second reference plate in the present embodiment will be described with reference to FIG. 7 with reference to FIG. 8 taking the fourth optical imaging device 31 and the second reference plate 9a as an example. FIG. 8 is an enlarged schematic view showing the vicinity of the first pattern forming unit 42, the first optical system imaging device 11, and the fourth optical system imaging device 31.

図8に示すように、第1パターン形成部42を通過したフィルム基板8には、第1モアレマーク(第1マークの一例)MM1が形成される。第1モアレマークMM1は、ブランケットロール42cに接触するフィルム基板8の面上である素子形成面に形成される。図示は省略するが、第1モアレマークMM1が形成されるフィルム基板8の素子形成面上には、第1バーニヤパターンや第1パターンも形成される。第1パターン、第1バーニヤパターン及び第1モアレマークMM1は、第1パターン形成部22による第1層形成工程においてフィルム基板8の同一面上に形成される。本実施形態におけるバーニヤパターンは、上記第1の実施形態におけるバーニヤパターンV1と同一の形状を有している。   As shown in FIG. 8, a first moire mark (an example of a first mark) MM1 is formed on the film substrate 8 that has passed through the first pattern forming portion. The first moire mark MM1 is formed on the element formation surface on the surface of the film substrate 8 that contacts the blanket roll 42c. Although not shown, a first vernier pattern and a first pattern are also formed on the element formation surface of the film substrate 8 on which the first moire mark MM1 is formed. The first pattern, the first vernier pattern, and the first moiré mark MM1 are formed on the same surface of the film substrate 8 in the first layer forming step by the first pattern forming unit 22. The vernier pattern in the present embodiment has the same shape as the vernier pattern V1 in the first embodiment.

第4光学系撮像装置31は、ブランケットロール42cに光を照射する第1光源31b及び第2光源31cと、ブランケットロール42c及び第2基準板9aを重ね合わせることによって生じたモアレ縞を撮像する撮像部31aとを有している。撮像部31aは、上記第1実施形態における第1光学系撮像装置11に備えられた撮像部11aと同一の構成を有し、同一の機能を発揮するので、詳細な説明は省略する。   The fourth optical system imaging device 31 captures an image of moiré fringes generated by superimposing the first light source 31b and the second light source 31c irradiating the blanket roll 42c with the blanket roll 42c and the second reference plate 9a. Part 31a. Since the imaging unit 31a has the same configuration as the imaging unit 11a provided in the first optical system imaging device 11 in the first embodiment and exhibits the same function, detailed description thereof is omitted.

第1光源31b及び第2光源31cは、撮像部31aの幅とほぼ同じ間隔を設けて配置されている。第1光源31bは第1発光部315bを有している。第2光源31cは第2発光部315cを有している。第1光源31b及び第2光源31cは、撮像部31aの光軸が交差するブランケットロール42cの表面に第1発光部315b及び第2発光部315cの光軸が向くように配置されている。第1光源31b及び第2光源31cは、ブランケットロール43cの表面に斜め方向から光を照射する。   The 1st light source 31b and the 2nd light source 31c are arrange | positioned at substantially the same space | interval as the width | variety of the imaging part 31a. The first light source 31b has a first light emitting unit 315b. The second light source 31c has a second light emitting unit 315c. The 1st light source 31b and the 2nd light source 31c are arrange | positioned so that the optical axis of the 1st light emission part 315b and the 2nd light emission part 315c may face the surface of the blanket roll 42c where the optical axis of the imaging part 31a cross | intersects. The first light source 31b and the second light source 31c irradiate the surface of the blanket roll 43c from an oblique direction.

撮像部31aは、光軸がブランケットロール42cの中心軸と直交するように配置されている。撮像部31aは、第1及び第2光源31b,31cよりもブランケットロール42cから離して配置されている。撮像部31aとブランケットロール42cとの間には、第2基準板9aが配置されている。第2基準板9aは、第1光源31bと第2光源31cとの間に配置されている。第2基準板9aは、基準モアレマークMMR(詳細は後述)が形成されたマーク形成面をブランケットロール42cのパターン転写面に対向させて配置されている。ブランケットロール42cのパターン転写面には、駆動ロール42aから第1パターン、モアレマーク及びバーニヤパターン等が転写される。   The imaging unit 31a is arranged so that the optical axis is orthogonal to the central axis of the blanket roll 42c. The imaging unit 31a is arranged farther from the blanket roll 42c than the first and second light sources 31b and 31c. A second reference plate 9a is disposed between the imaging unit 31a and the blanket roll 42c. The second reference plate 9a is disposed between the first light source 31b and the second light source 31c. The second reference plate 9a is arranged with the mark forming surface on which the reference moire mark MMR (details will be described later) is formed facing the pattern transfer surface of the blanket roll 42c. A first pattern, a moire mark, a vernier pattern, and the like are transferred from the drive roll 42a to the pattern transfer surface of the blanket roll 42c.

第4光学系撮像装置31及び第2基準板9aは、駆動ロール42a及びブランケットロール42cの接触部と、ブランケットロール42c及びフィルム基板8の接触部との間に配置されている。このため、ブランケットロール42cのパターン転写面に転写された転写モアレマークMT1がフィルム基板8上に再転写される前に、第2基準板9a上に形成された基準モアレマークMMRと転写モアレマークMT1とは重ね合わされる。転写モアレマークMT1は、可撓性基板(例えばフィルム基板8)に所定パターンを形成するロール(例えばブランケットロール42c)に第1マーク(例えば第1モアレマークMM1)を形成するための型となる部分に相当する。転写モアレマークMT1は、上記第1の実施形態における第1モアレマークMM1と同様の構成を有している。すなわち、転写モアレマークMT1は、基準モアレマークMMRを構成する複数の線状パターンのピッチに対して微小なピッチ差(例えばΔP1d)を有する複数の線状パターンで構成されている。このため、基準モアレマークMMRと転写モアレマークMT1とを重ね合わせると、モアレ縞が発現する。したがって、第4光学系撮像装置31は、基準モアレマークMMRと転写モアレマークMT1とを重ね合わせて発現するモアレ縞を撮像できる。   The fourth optical system imaging device 31 and the second reference plate 9a are disposed between the contact portion of the drive roll 42a and the blanket roll 42c and the contact portion of the blanket roll 42c and the film substrate 8. Therefore, before the transfer moire mark MT1 transferred to the pattern transfer surface of the blanket roll 42c is retransferred onto the film substrate 8, the reference moire mark MMR and the transfer moire mark MT1 formed on the second reference plate 9a. Is superimposed. The transfer moire mark MT1 serves as a mold for forming a first mark (eg, the first moire mark MM1) on a roll (eg, the blanket roll 42c) that forms a predetermined pattern on a flexible substrate (eg, the film substrate 8). It corresponds to. The transfer moire mark MT1 has the same configuration as the first moire mark MM1 in the first embodiment. That is, the transfer moire mark MT1 is composed of a plurality of linear patterns having a minute pitch difference (for example, ΔP1d) with respect to the pitch of the plurality of linear patterns constituting the reference moire mark MMR. For this reason, when the reference moire mark MMR and the transfer moire mark MT1 are overlaid, moire fringes appear. Therefore, the fourth optical system imaging device 31 can image the moire fringes that are expressed by superimposing the reference moire mark MMR and the transfer moire mark MT1.

制御部30に備えられた画像処理部30aは、第4光学系撮像装置31から送信された撮像データを画像処理する。画像処理部30aは、画像処理した結果、互いに重ね合わされた基準モアレマークMMR及び転写モアレマークMT1と、両マークMMR,MT1とが重ね合わされることにより発生するモアレ縞と、バーニヤパターンとが表示された画像を生成する。   The image processing unit 30 a provided in the control unit 30 performs image processing on the imaging data transmitted from the fourth optical system imaging device 31. As a result of the image processing, the image processing unit 30a displays the reference moire mark MMR and transfer moire mark MT1 superimposed on each other, the moire fringes generated when the marks MMR and MT1 are superimposed, and a vernier pattern. Generated images.

補正量算出部30bは、上記第1の実施形態による補正量算出部10bと同様の手法により、画像処理部30aから送信された画像に表示されたバーニヤパターン及びモアレ縞に基づくモアレ縞ピッチを算出し、上述の式(1)を用いてパターンひずみを算出する。補正量算出部30bが算出するパターンひずみは、ブランケットロール43c上に転写された転写モアレマークMT1のひずみである。   The correction amount calculation unit 30b calculates the moiré fringe pitch based on the vernier pattern and the moire fringes displayed on the image transmitted from the image processing unit 30a by the same method as the correction amount calculation unit 10b according to the first embodiment. Then, the pattern distortion is calculated using the above equation (1). The pattern distortion calculated by the correction amount calculator 30b is the distortion of the transfer moire mark MT1 transferred onto the blanket roll 43c.

補正量算出部30bは、算出したパターンひずみが最小化するように、フィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出する。補正量は、例えば伸縮調整ロール25aの推力である。制御部30は、補正量算出部30bが算出した補正量に基づく制御信号を伸縮調整ロール25aに送信し、連続的に送出されるフィルム基板8の伸縮を制御する。   The correction amount calculation unit 30b calculates a correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 so that the calculated pattern distortion is minimized. The correction amount is, for example, the thrust of the expansion / contraction adjustment roll 25a. The control unit 30 transmits a control signal based on the correction amount calculated by the correction amount calculation unit 30b to the expansion / contraction adjustment roll 25a, and controls expansion / contraction of the film substrate 8 that is continuously sent out.

このように、本実施形態による伸縮制御システム300は、フィルム基板8にモアレマークMMRを形成する前段階のブランケットロール42c,43c,44cに転写された転写モアレマークMT1を利用してフィルム基板8の伸縮を制御できる。ブランケットロール42c,43c,44cは、例えばポリジメチルシロキサン(PDMS)の軟らかい樹脂層の表面を有しているので変形し易い。本実施形態による伸縮制御システム300は、パターンロールが製作上で保有するひずみ、すなわち駆動ロール42a,43a,44aからブランケットロール42c,43c,44cへインクが乗り移るときに発生するひずみを、フィルム基板8にパターンが形成される前に知ることができる。これにより、伸縮制御システム300は、フィルム基板8へのパターン形成の位置合わせ精度の制御性がさらに向上する。フィルム基板8上へのパターン形成の事前にパターンロールが製作上で保有する「ひずみ」を知ることにより、伸縮制御精度が向上する。フィルム基板8上のひずみがゼロになるように伸縮制御システム300は動作するが、フィルム基板8の伸縮の操作量はブランケットロール42c,43c,44cのひずみに基づいて補正される。   As described above, the expansion / contraction control system 300 according to the present embodiment uses the transfer moire mark MT1 transferred to the blanket rolls 42c, 43c, and 44c in the previous stage of forming the moire mark MMR on the film substrate 8, and thus the film substrate 8 is moved. Can control expansion and contraction. Since the blanket rolls 42c, 43c, and 44c have the surface of the soft resin layer of polydimethylsiloxane (PDMS), for example, they are easily deformed. The expansion / contraction control system 300 according to the present embodiment uses the film substrate 8 to generate distortion that the pattern roll has in production, that is, distortion that occurs when ink is transferred from the drive rolls 42a, 43a, and 44a to the blanket rolls 42c, 43c, and 44c. It can be known before the pattern is formed. Thereby, the expansion / contraction control system 300 further improves the controllability of the alignment accuracy of pattern formation on the film substrate 8. By knowing the “strain” that the pattern roll possesses in production prior to pattern formation on the film substrate 8, the expansion and contraction control accuracy is improved. The expansion / contraction control system 300 operates so that the distortion on the film substrate 8 becomes zero, but the operation amount of the expansion / contraction of the film substrate 8 is corrected based on the distortion of the blanket rolls 42c, 43c, 44c.

このように、伸縮制御システム300は、フィルム基板8に形成される第1モアレマークMM1のひずみを予測して制御するフィードフォワード制御が可能になっている。また、制御部30は、第1光学系撮像装置11から送信された撮像データに基づいて、フィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出できる。第1光学系撮像装置11が送信する撮像データは、フィルム基板8上に形成された第1モアレマークMM1に基づいて発現するモアレ縞MFを含んでいる。このため、伸縮制御システム300は、フィルム基板8に実際に形成された第1モアレマークMM1のひずみに基づいて制御するフィードバック制御が可能になっている。   In this way, the expansion / contraction control system 300 is capable of feedforward control that predicts and controls the distortion of the first moire mark MM1 formed on the film substrate 8. Further, the control unit 30 can calculate a correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 based on the imaging data transmitted from the first optical system imaging device 11. The imaging data transmitted by the first optical system imaging device 11 includes moire fringes MF that appear based on the first moire mark MM1 formed on the film substrate 8. For this reason, the expansion / contraction control system 300 is capable of feedback control for controlling based on the distortion of the first moire mark MM1 actually formed on the film substrate 8.

同様に、第5光学系撮像装置32は、ブランケットロール43cに形成された転写モアレマークと第2基準板9bの基準モアレマークとが重ね合わさって発現したモアレ縞を撮像し、撮像データを制御部30に送信できるようになっている。また、第2光学系撮像装置12は、フィルム基板8上に形成された第2モアレマークと第1基準板7bの基準モアレマークとが重ね合わさって発現したモアレ縞を撮像し、撮像データを制御部30に送信できるようになっている。制御部30は、第5光学系撮像装置32から受信した撮像データに基づいてフィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出し、第2光学系撮像装置12から受信した撮像データに基づいてフィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出できる。   Similarly, the fifth optical system imaging device 32 captures the moire fringes formed by superimposing the transfer moire mark formed on the blanket roll 43c and the reference moire mark of the second reference plate 9b, and controls the imaging data. 30 can be transmitted. In addition, the second optical system imaging device 12 captures the moire fringes formed by superimposing the second moire mark formed on the film substrate 8 and the reference moire mark of the first reference plate 7b, and controls the imaging data. It can be transmitted to the unit 30. The control unit 30 calculates the correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 based on the imaging data received from the fifth optical system imaging device 32, and the imaging data received from the second optical system imaging device 12. Based on this, a correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 can be calculated.

同様に、第6光学系撮像装置33は、ブランケットロール44cに形成された転写モアレマークと第2基準板9cの基準モアレマークとが重ね合わさって発現したモアレ縞を撮像し、撮像データを制御部30に送信できるようになっている。また、第3光学系撮像装置13は、フィルム基板8上に形成された第3モアレマークと第1基準板7cの基準モアレマークとが重ね合わさって発現したモアレ縞を撮像し、撮像データを制御部30に送信できるようになっている。制御部30は、第6光学系撮像装置33から受信した撮像データに基づいてフィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出し、第3光学系撮像装置13から受信した撮像データに基づいてフィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出できる。   Similarly, the sixth optical system imaging device 33 images the moiré fringes formed by superimposing the transfer moiré mark formed on the blanket roll 44c and the reference moiré mark of the second reference plate 9c, and controls the imaging data. 30 can be transmitted. Further, the third optical system imaging device 13 controls the imaging data by imaging the moire fringes that are generated by superimposing the third moire mark formed on the film substrate 8 and the reference moire mark of the first reference plate 7c. It can be transmitted to the unit 30. The control unit 30 calculates the correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 based on the imaging data received from the sixth optical system imaging device 33, and the imaging data received from the third optical system imaging device 13. Based on this, a correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 can be calculated.

次に、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法について簡述する。本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法の基本的な処理の流れは、上記第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法と同様である。本実施形態では、図6に示すステップS1からステップS11の処理において、第1から第3光学系撮像装置11,12,13の他に、第4から第6光学系撮像装置31,32,33から送信された撮像データに基づいてパターンひずみや補正量を算出するようになっている。   Next, the flexible substrate expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to the present embodiment will be briefly described. The basic processing flow of the flexible substrate expansion / contraction control method according to the present embodiment is the same as that of the flexible substrate expansion / contraction control method according to the first embodiment. In the present embodiment, in the processing from step S1 to step S11 shown in FIG. 6, in addition to the first to third optical system imaging devices 11, 12, and 13, the fourth to sixth optical system imaging devices 31, 32, and 33 are used. The pattern distortion and the correction amount are calculated on the basis of the imaging data transmitted from.

本実施形態では、上記第1の実施形態と同様に、フィルム基板8は、1mから2m/分の速度で搬送されるのに対し、モアレ縞は、300ms毎に撮像されてパターンひずみが算出されるようになっている。このため、本実施形態では、フィルム基板8がおよそ0.5cmから1cm搬送される毎にフィルム基板8の伸縮が制御される。   In the present embodiment, as in the first embodiment, the film substrate 8 is conveyed at a speed of 1 m to 2 m / min, whereas the moire fringes are imaged every 300 ms and the pattern distortion is calculated. It has become so. For this reason, in this embodiment, the expansion / contraction of the film substrate 8 is controlled every time the film substrate 8 is conveyed from about 0.5 cm to 1 cm.

本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム及び伸縮制御方法によれば、モアレ縞を利用して画素オーダー以下の微小なアライメント誤差を拡大して測定することができる。また、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム及び伸縮制御方法によれば、各層のモアレマークを可撓性基板に形成する前に可撓性基板の伸縮をフィードフォワード制御ができる。さらに、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム及び伸縮制御方法によれば、可撓性基板上への各層のモアレマークの形成結果に基づいて可撓性基板の伸縮をフィードバック制御ができる。したがって、本実施形態による伸縮制御システム300は、第1から第3パターンの形成前後で可撓性基板の伸縮を制御でき、より高精度に各層のパターンの位置合わせができる。   According to the expansion / contraction control system and the expansion / contraction control method of the flexible substrate according to the present embodiment, a minute alignment error of the pixel order or less can be enlarged and measured using the moire fringes. Further, according to the flexible substrate expansion / contraction control system and expansion / contraction control method according to the present embodiment, the expansion / contraction of the flexible substrate can be feedforward controlled before the moire marks of the respective layers are formed on the flexible substrate. Furthermore, according to the expansion / contraction control system and the expansion / contraction control method of the flexible substrate according to the present embodiment, the expansion / contraction of the flexible substrate can be feedback-controlled based on the formation result of the moiré marks of each layer on the flexible substrate. . Therefore, the expansion / contraction control system 300 according to the present embodiment can control the expansion / contraction of the flexible substrate before and after the formation of the first to third patterns, and can align the pattern of each layer with higher accuracy.

〔第3の実施形態〕
本発明の第3の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法について図9から図14を用いて説明する。本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法は、第N層目に形成されたモアレマークと第N+1層目に形成されたモアレマークとを重ね合わせて発現するモアレ縞を用いて可撓性基板の伸縮を制御する点に特徴を有している。本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法において、上記第1及び第2の実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム、伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法と同一の機能・作用を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
[Third Embodiment]
A flexible substrate expansion / contraction control system, expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The flexible substrate expansion / contraction control system, the expansion / contraction control method, the alignment method, and the electronic device manufacturing method according to the present embodiment include a moire mark formed in the Nth layer and a moire mark formed in the (N + 1) th layer. It is characterized in that the expansion and contraction of the flexible substrate is controlled by using the moire fringes that are expressed by superimposing. In the flexible substrate expansion / contraction control system, expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to the present embodiment, the flexible substrate expansion / contraction control system and expansion / contraction control method according to the first and second embodiments. Components having the same functions and operations as those of the alignment method and the electronic device manufacturing method are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図9は、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム500を模式的に示す図である。可撓性基板の伸縮制御システム500は、可撓性基板に電子デバイスを製造する電子デバイス製造装置4と、電子デバイス製造装置4に搬送される可撓性基板の伸縮を制御する基板伸縮制御装置5とを有している。図9に示すように、本実施形態における電子デバイス製造装置4は、上記第2の実施形態における電子デバイス製造装置4と同様の構成を有している。   FIG. 9 is a diagram schematically illustrating a flexible substrate expansion / contraction control system 500 according to the present embodiment. The flexible substrate expansion / contraction control system 500 includes an electronic device manufacturing apparatus 4 that manufactures an electronic device on a flexible substrate, and a substrate expansion / contraction control apparatus that controls expansion / contraction of the flexible substrate conveyed to the electronic device manufacturing apparatus 4. 5. As shown in FIG. 9, the electronic device manufacturing apparatus 4 in the present embodiment has the same configuration as the electronic device manufacturing apparatus 4 in the second embodiment.

図9に示すように、本実施形態における基板伸縮制御装置5は、第1から第3の基板伸縮調整部25,26,27を制御する制御部50と、フィルム基板8に形成されたモアレマークに基づいて発生したモアレ縞(第1,第2及び/又は第3の干渉縞の一例)を撮像する第1光学系撮像装置11、第2光学系撮像装置12及び第3光学系撮像装置13と、第4光学系撮像装置31、第5光学系撮像装置32及び第6光学系撮像装置33と、第7光学系撮像装置52及び第8光学系撮像装置53とを有している。基板伸縮制御装置5は、フィルム基板8に形成されたモアレマークに第1基準板7a,17b,17c及び第3基準板6b,6cを個別に重ね合わせてモアレ縞を発生させる。また、伸縮制御システム500は、ブランケットロール42cに形成されたモアレマークに第2基準板9aを重ね合わせてモアレ縞を発生させ、ブランケットロール43cに形成された転写モアレマークに第2基準板9bを重ね合わせてモアレ縞を発生させ、ブランケットロール44cに形成された転写モアレマークに第2基準板9cを重ね合わせてモアレ縞を発生させる。さらに、基板伸縮制御装置5は、第N層のモアレマーク及び第N+1層のモアレマークを重ね合わせてモアレ縞を発生させる。   As shown in FIG. 9, the substrate expansion / contraction control device 5 in this embodiment includes a control unit 50 that controls the first to third substrate expansion / contraction adjustment units 25, 26, and 27, and a moire mark formed on the film substrate 8. The first optical system imaging device 11, the second optical system imaging device 12, and the third optical system imaging device 13 that capture images of moire fringes (an example of the first, second and / or third interference fringes) generated based on A fourth optical system imaging device 31, a fifth optical system imaging device 32, a sixth optical system imaging device 33, a seventh optical system imaging device 52, and an eighth optical system imaging device 53. The substrate expansion / contraction control device 5 generates the moire fringes by individually superimposing the first reference plates 7a, 17b, 17c and the third reference plates 6b, 6c on the moire marks formed on the film substrate 8. The expansion / contraction control system 500 also superimposes the second reference plate 9a on the moire mark formed on the blanket roll 42c to generate moire fringes, and the second reference plate 9b is applied to the transfer moire mark formed on the blanket roll 43c. The moire fringes are generated by superimposing, and the second reference plate 9c is superimposed on the transfer moire marks formed on the blanket roll 44c to generate the moire fringes. Further, the substrate expansion / contraction control device 5 superimposes the Nth layer moire mark and the (N + 1) th layer moire mark to generate moire fringes.

基板伸縮制御装置5に備えられた第1光学系撮像装置11、第2光学系撮像装置12及び第3光学系撮像装置13は、上記第1実施形態における第1光学系撮像装置11、第2光学系撮像装置12及び第3光学系撮像装置13とそれぞれ同一の構成を有している。しかしながら、本実施形態における第2光学系撮像装置12は、フィルム基板8上に形成された第2モアレマーク(第3マークの一例)と第1基準板17bに形成された基準モアレマーク(第4マークの一例)とで発現するモアレ縞(第二の干渉縞の一例)に加えて、フィルム基板8上に形成された第1モアレマーク(第1マークの一例)及び第2モアレマークで発現するモアレ縞(第三の干渉縞の一例)も撮像するようになっている。さらに、第2光学系撮像装置12は、第1パターン形成部42がフィルム基板8上に形成したモアレマーク(第1マークの一例)と、第1基準板17b上に形成されている基準モアレマーク(第2マークの一例)との干渉に基づくモアレ縞(第一の干渉縞の一例)を撮像するようになっている。また、本実施形態における第3光学系撮像装置13は、フィルム基板8上に形成された第3モアレマーク(第3マークの一例)と第1基準板17cに形成された基準モアレマーク(第4マークの一例)とで発現するモアレ縞(第二の干渉縞の一例)に加えて、フィルム基板8上に形成された第2モアレマーク(第1マークの一例)及び第3モアレマークで発現するモアレ縞(第三の干渉縞の一例)も撮像するようになっている。さらに、第3光学系撮像装置13は、第2パターン形成部43がフィルム基板8上に形成したモアレマーク(第1マークの一例)と、第1基準板17c上に形成されている基準モアレマーク(第2マークの一例)との干渉に基づくモアレ縞(第一の干渉縞の一例)を撮像するようになっている。   The first optical system imaging device 11, the second optical system imaging device 12, and the third optical system imaging device 13 provided in the substrate expansion / contraction control device 5 are the first optical system imaging device 11 and the second optical system imaging device 11 in the first embodiment. Each of the optical imaging device 12 and the third optical imaging device 13 has the same configuration. However, the second optical system imaging device 12 in the present embodiment has a second moire mark (an example of a third mark) formed on the film substrate 8 and a reference moire mark (fourth) formed on the first reference plate 17b. In addition to the moire fringes (an example of the second interference fringes) that appear in the example of the mark), the first moire marks (an example of the first mark) and the second moire mark formed on the film substrate 8 Moire fringes (an example of third interference fringes) are also imaged. Furthermore, the second optical system imaging device 12 includes a moire mark (an example of a first mark) formed on the film substrate 8 by the first pattern forming unit 42 and a reference moire mark formed on the first reference plate 17b. A moire fringe (an example of the first interference fringe) based on the interference with the (an example of the second mark) is imaged. Further, the third optical system imaging device 13 in the present embodiment has a third moire mark (an example of a third mark) formed on the film substrate 8 and a reference moire mark (fourth) formed on the first reference plate 17c. In addition to the moire fringes (an example of the second interference fringes) expressed in the example of the mark), the second moire marks (an example of the first mark) and the third moire mark formed on the film substrate 8 are expressed. Moire fringes (an example of third interference fringes) are also imaged. Furthermore, the third optical system imaging device 13 includes a moire mark (an example of a first mark) formed on the film substrate 8 by the second pattern forming unit 43 and a reference moire mark formed on the first reference plate 17c. A moire fringe (an example of the first interference fringe) based on the interference with the (an example of the second mark) is imaged.

本実施形態による伸縮制御システム500では、フィルム基板8上に形成される第一の層のモアレマークと、この第一の層の直上に形成される第二の層のモアレマークとの干渉に基づくモアレ縞をフィルム基板8の伸縮制御に用いるようになっている。このため、第2パターン形成部43によって形成されるモアレマークは、第1パターン形成部42によって形成されるモアレマークに対しては第3マークに相当し、第3パターン形成部44によって形成されるモアレマークに対しては第1マークに相当する。第3パターン形成部44によって形成されるモアレマークは、第2パターン形成部43によって形成されるモアレマークに対しては第3マークに相当する。電子デバイス製造装置4にさらに第4パターン形成部が備えられている場合には、第3パターン形成部44によって形成されるモアレマークは、この第4パターン形成部によって形成されるモアレマークに対しては第1マークに相当する。   In the expansion / contraction control system 500 according to the present embodiment, it is based on interference between the moire mark of the first layer formed on the film substrate 8 and the moire mark of the second layer formed immediately above the first layer. Moire fringes are used for expansion / contraction control of the film substrate 8. For this reason, the moire mark formed by the second pattern forming unit 43 corresponds to the third mark with respect to the moire mark formed by the first pattern forming unit 42, and is formed by the third pattern forming unit 44. The moiré mark corresponds to the first mark. The moire mark formed by the third pattern forming unit 44 corresponds to the third mark for the moire mark formed by the second pattern forming unit 43. When the electronic device manufacturing apparatus 4 further includes a fourth pattern forming unit, the moire mark formed by the third pattern forming unit 44 is different from the moire mark formed by the fourth pattern forming unit. Corresponds to the first mark.

基板伸縮制御装置5に備えられた第7光学系撮像装置52は、フィルム基板8に形成された第1モアレマークと第3基準板6bに形成された基準モアレマークとで発現するモアレ縞を撮像し、撮像したモアレ縞を含む撮像データを制御部50に送信するようになっている。また、基板伸縮制御装置5に備えられた第8光学系撮像装置53は、フィルム基板8に形成された第2モアレマークと第3基準板6cに形成された基準モアレマークとで発現するモアレ縞を撮像し、撮像したモアレ縞を含む撮像データを制御部50に送信するようになっている。   The seventh optical system image pickup device 52 provided in the substrate expansion / contraction control device 5 picks up the moire fringes expressed by the first moire mark formed on the film substrate 8 and the reference moire mark formed on the third reference plate 6b. The captured image data including the captured moire fringes is transmitted to the control unit 50. Further, the eighth optical imaging device 53 provided in the substrate expansion / contraction control device 5 has a moiré fringe that is manifested by a second moiré mark formed on the film substrate 8 and a reference moiré mark formed on the third reference plate 6c. The image data including the captured moire fringes is transmitted to the control unit 50.

第7光学系撮像装置52及び第8光学系撮像装置53は、同一の構成を有し、同一の機能を発揮するようになっている。また、第3基準板6b及び第3基準板6cは、同一の構成を有し、同一の機能を発揮するようになっている。このため、以下、本実施形態における光学系撮像装置及び第3基準板について、第7光学系撮像装置52及び第3基準板6bを例にとって図9を参照しつつ図10から図14を用いて説明する。図10は、第2パターン形成部43、第2光学系撮像装置12、第5光学系撮像装置32及び第7光学系撮像装置52の近傍を拡大して示す模式図である。図11は、第1基準板17bを基準モアレマークMMR1,MMR2の形成面側から見た状態を示している。図12は、フィルム基板8上に重ね合わせて形成された第1モアレマークMM1及び第2モアレマークMM2をモアレマークの形成面側から見た状態を示す模式図である。図13は、フィルム基板8上に形成された第1モアレマークMM1及び第2モアレマークMM2に第1基準板17bを重ね合わせた状態をモアレマークの形成面側から見た状態を示す模式図である。   The seventh optical system imaging device 52 and the eighth optical system imaging device 53 have the same configuration and perform the same function. Moreover, the 3rd reference board 6b and the 3rd reference board 6c have the same structure, and exhibit the same function. Therefore, hereinafter, with respect to the optical imaging device and the third reference plate in the present embodiment, the seventh optical imaging device 52 and the third reference plate 6b are taken as an example with reference to FIG. explain. FIG. 10 is an enlarged schematic view showing the vicinity of the second pattern forming unit 43, the second optical system imaging device 12, the fifth optical system imaging device 32, and the seventh optical system imaging device 52. FIG. 11 shows a state in which the first reference plate 17b is viewed from the side on which the reference moire marks MMR1 and MMR2 are formed. FIG. 12 is a schematic diagram showing a state in which the first moire mark MM1 and the second moire mark MM2 formed on the film substrate 8 are viewed from the moire mark forming surface side. FIG. 13 is a schematic diagram showing a state in which the first reference plate 17b is superimposed on the first moire mark MM1 and the second moire mark MM2 formed on the film substrate 8 as viewed from the moire mark forming surface side. is there.

図10に示すように、第2パターン形成部43を通過したフィルム基板8には、第2モアレマーク(第3マークの一例)MM2が形成される。第2モアレマークMM2は、ブランケットロール43cに接触するフィルム基板8の面上である素子形成面に形成される。図示は省略するが、第2モアレマークMM2が形成されるフィルム基板8の素子形成面上には、第2バーニヤパターンや第2パターンも形成される。第2パターン、第2バーニヤパターン及び第2モアレマークMM2は、第2パターン形成部43による第2層形成工程においてフィルム基板8の同一面上に形成される。本実施形態におけるバーニヤパターンは、上記第1の実施形態におけるバーニヤパターンV1と同一の形状を有している。   As shown in FIG. 10, a second moire mark (an example of a third mark) MM2 is formed on the film substrate 8 that has passed through the second pattern forming portion 43. The second moire mark MM2 is formed on the element formation surface that is on the surface of the film substrate 8 that contacts the blanket roll 43c. Although illustration is omitted, a second vernier pattern and a second pattern are also formed on the element forming surface of the film substrate 8 on which the second moire mark MM2 is formed. The second pattern, the second vernier pattern, and the second moire mark MM2 are formed on the same surface of the film substrate 8 in the second layer forming step by the second pattern forming unit 43. The vernier pattern in the present embodiment has the same shape as the vernier pattern V1 in the first embodiment.

第5光学系撮像装置32は、ブランケットロール43cに光を照射する第1光源32b及び第2光源32cと、ブランケットロール43c及び第2基準板9bを重ね合わせることによって生じたモアレ縞を撮像する撮像部32aとを有している。撮像部32aは、上記第1実施形態における第1光学系撮像装置11に備えられた撮像部11aと同一の構成を有し、同一の機能を発揮するので、詳細な説明は省略する。   The fifth optical system imaging device 32 captures an image of moiré fringes generated by superimposing the first light source 32b and the second light source 32c for irradiating the blanket roll 43c with the blanket roll 43c and the second reference plate 9b. Part 32a. Since the imaging unit 32a has the same configuration as the imaging unit 11a provided in the first optical system imaging device 11 in the first embodiment and exhibits the same function, detailed description thereof is omitted.

第1光源32b及び第2光源32cは、撮像部32aの幅とほぼ同じ間隔を設けて配置されている。第1光源32bは第1発光部325bを有している。第2光源32cは第2発光部325cを有している。第1光源32b及び第2光源32cは、撮像部32aの光軸が交差するブランケットロール43cの表面に第1発光部325b及び第2発光部325cの光軸が向くように配置されている。第1光源32b及び第2光源32cは、ブランケットロール43cの表面に斜め方向から光を照射する。   The first light source 32b and the second light source 32c are arranged with the same interval as the width of the imaging unit 32a. The first light source 32b has a first light emitting unit 325b. The second light source 32c has a second light emitting unit 325c. The 1st light source 32b and the 2nd light source 32c are arrange | positioned so that the optical axis of the 1st light emission part 325b and the 2nd light emission part 325c may face the surface of the blanket roll 43c where the optical axis of the imaging part 32a cross | intersects. The first light source 32b and the second light source 32c irradiate the surface of the blanket roll 43c from an oblique direction.

撮像部32aは、光軸がブランケットロール43cの中心軸と直交するように配置されている。撮像部32aは、第1及び第2光源32b,32cよりもブランケットロール43cから離して配置されている。撮像部32aとブランケットロール43cとの間には、第2基準板9bが配置されている。第2基準板9bは、第1光源32bと第2光源32cとの間に配置されている。第2基準板9bは、基準モアレマークMMRが形成されたマーク形成面をブランケットロール43cのパターン転写面に対向させて配置されている。ブランケットロール43cのパターン転写面には、駆動ロール43aから第2パターン、モアレマーク及びバーニヤパターン等が転写される。   The imaging unit 32a is arranged so that the optical axis is orthogonal to the central axis of the blanket roll 43c. The imaging unit 32a is arranged farther from the blanket roll 43c than the first and second light sources 32b and 32c. A second reference plate 9b is disposed between the imaging unit 32a and the blanket roll 43c. The second reference plate 9b is disposed between the first light source 32b and the second light source 32c. The second reference plate 9b is arranged with the mark forming surface on which the reference moire mark MMR is formed facing the pattern transfer surface of the blanket roll 43c. A second pattern, a moire mark, a vernier pattern, and the like are transferred from the drive roll 43a to the pattern transfer surface of the blanket roll 43c.

第5光学系撮像装置32及び第2基準板9bは、駆動ロール43a及びブランケットロール43cの接触部と、ブランケットロール43c及びフィルム基板8の接触部との間に配置されている。このため、ブランケットロール43cのパターン転写面に転写された転写モアレマークMT2がフィルム基板8上に再転写される前に、第2基準板9b上に形成された基準モアレマークMMRと転写モアレマークMT2とは重ね合わされる。転写モアレマークMT2は、基準モアレマークMMRを構成する複数の線状パターンのピッチに対して微小なピッチ差(例えばΔPN)を有する複数の線状パターンで構成されている。このため、基準モアレマークMMRと転写モアレマークMT2とを重ね合わせると、モアレ縞が発現する。したがって、第5光学系撮像装置32は、基準モアレマークMMRと転写モアレマークMT2とを重ね合わせて発現するモアレ縞を撮像できる。また、転写モアレマークMT2を構成する複数の線状パターンは、第1モアレマークMM1を構成する複数の線状パターンのピッチに対して微小なピッチ差(例えばΔP2d)を有している。   The fifth optical system imaging device 32 and the second reference plate 9b are disposed between the contact portion of the drive roll 43a and the blanket roll 43c and the contact portion of the blanket roll 43c and the film substrate 8. Therefore, before the transfer moire mark MT2 transferred to the pattern transfer surface of the blanket roll 43c is retransferred onto the film substrate 8, the reference moire mark MMR and the transfer moire mark MT2 formed on the second reference plate 9b. Is superimposed. The transfer moire mark MT2 is composed of a plurality of linear patterns having a minute pitch difference (for example, ΔPN) with respect to the pitch of the plurality of linear patterns constituting the reference moire mark MMR. For this reason, when the reference moire mark MMR and the transfer moire mark MT2 are overlaid, moire fringes appear. Therefore, the fifth optical system imaging device 32 can image the moire fringes that are expressed by superimposing the reference moire mark MMR and the transfer moire mark MT2. The plurality of linear patterns constituting the transfer moire mark MT2 have a minute pitch difference (for example, ΔP2d) with respect to the pitch of the plurality of linear patterns constituting the first moire mark MM1.

第7光学系撮像装置52に備えられた光源52bは発光部521を有している。発光部521は、第1パターン形成部22(図9参照)から送出されたフィルム基板8に対向して配置されている。光源52bは、フィルム基板8の素子形成面に対向配置されている。したがって、光源52bは、第1モアレマークMM1が形成されたフィルム基板8の素子形成面側から光を照射することになる。   The light source 52 b provided in the seventh optical system imaging device 52 has a light emitting unit 521. The light emitting unit 521 is disposed to face the film substrate 8 sent out from the first pattern forming unit 22 (see FIG. 9). The light source 52 b is disposed opposite to the element formation surface of the film substrate 8. Therefore, the light source 52b emits light from the element forming surface side of the film substrate 8 on which the first moire mark MM1 is formed.

第7光学系撮像装置52に備えられた撮像部52aは、フィルム基板8を挟んで光源52bと対向配置されている。撮像部52aとフィルム基板8との間には、第3基準板6bが配置されている。第3基準板6bは、基準モアレマーク(第2マークの一例)MMRが形成されたマーク形成面をフィルム基板8の素子形成面の裏面に対向させて配置されている。撮像部52aの構成は、上記第1実施形態における撮像部11aと同一の構成を有し、同一の機能を発揮するようになっている。撮像部52aは、テレセントリックレンズを有している。このため、上記第1の実施形態と異なり第3基準板6bの基準モアレマークMMRと第1モアレマークMM1とが対面していなくても、第7光学系撮像装置52は、動作するフィルム基板8に形成された第1モアレマークMM1と、第3基準板9bに形成された基準モアレマークMMRと、両モアレマークMM1,MMRによって発現するモアレ縞とを正確な寸法で撮像できる。第3基準板6bの基準モアレマークMMRを構成する複数の線状パターンは、転写モアレマークMT2を構成する複数の線状パターンと同じ構成を有している。   The imaging unit 52 a provided in the seventh optical system imaging device 52 is disposed to face the light source 52 b with the film substrate 8 interposed therebetween. A third reference plate 6b is disposed between the imaging unit 52a and the film substrate 8. The third reference plate 6 b is arranged with the mark forming surface on which the reference moire mark (an example of the second mark) MMR is formed facing the back surface of the element forming surface of the film substrate 8. The configuration of the imaging unit 52a has the same configuration as the imaging unit 11a in the first embodiment, and exhibits the same function. The imaging unit 52a has a telecentric lens. For this reason, unlike the first embodiment, even if the reference moire mark MMR and the first moire mark MM1 of the third reference plate 6b do not face each other, the seventh optical system imaging device 52 operates the film substrate 8 that operates. The first moiré mark MM1 formed on the third reference plate 9b, the reference moiré mark MMR formed on the third reference plate 9b, and the moiré fringes developed by the two moiré marks MM1 and MMR can be imaged with accurate dimensions. The plurality of linear patterns constituting the reference moire mark MMR of the third reference plate 6b have the same configuration as the plurality of linear patterns constituting the transfer moire mark MT2.

第1基準板17bは、基準モアレマーク(第2マークの一例)MMR1及び基準モアレマーク(第4マークの一例)MMR2を有している。第1基準板17bは、基準モアレマークMMR1,MMR2が形成されたマーク形成面を、第2パターン形成部43から送出されたフィルム基板8に対向させて配置されている。このマーク形成面は、第1及び第2モアレマークMM1,MM2などが形成されるフィルム基板8の素子形成面の裏面に対向配置されている。   The first reference plate 17b has a reference moire mark (an example of a second mark) MMR1 and a reference moire mark (an example of a fourth mark) MMR2. The first reference plate 17 b is arranged with the mark forming surface on which the reference moire marks MMR 1 and MMR 2 are formed facing the film substrate 8 sent out from the second pattern forming unit 43. The mark forming surface is disposed opposite to the back surface of the element forming surface of the film substrate 8 on which the first and second moire marks MM1, MM2, etc. are formed.

本実施形態における第2光学系撮像装置12は、上記第1及び第2の実施形態と異なり、第1パターン形成部42で形成された第1モアレマーク(第1マークの一例)MM1と第2パターン形成部43で形成された第2モアレマーク(第3マークの一例)MM2とで発現するモアレ縞(第三の干渉縞の一例)を撮像するようになっている。さらに、第2光学系撮像装置12は、第1基準板17bの基準モアレマークMMR1と第1モアレマークMM1とで発現するモアレ縞(第一の干渉縞の一例)と、第1基準板17bの基準モアレマークMMR2と第2モアレマークMM2とで発現するモアレ縞(第二の干渉縞の一例)とを撮像するようになっている。第2光学系撮像装置12は、これらのモアレ縞を同時に撮像する。   Unlike the first and second embodiments, the second optical imaging device 12 in the present embodiment differs from the first and second embodiments in that the first moire mark (an example of the first mark) MM1 and the second moiré mark formed by the first pattern forming unit 42. A moire fringe (an example of a third interference fringe) that appears with the second moire mark (an example of a third mark) MM2 formed by the pattern forming unit 43 is imaged. Further, the second optical system imaging device 12 includes a moire fringe (an example of a first interference fringe) that appears at the reference moire mark MMR1 and the first moire mark MM1 of the first reference plate 17b, and the first reference plate 17b. A moire fringe (an example of a second interference fringe) that appears in the reference moire mark MMR2 and the second moire mark MM2 is imaged. The second optical system imaging device 12 images these moire fringes simultaneously.

図11に示すように、第1基準板17aは薄板長方形状を有している。第1基準板17a上のほぼ中央には、基準モアレマークMMR1が形成されている。基準モアレマークMMR1は、第1基準板17aの長手方向にほぼ平行に並んで形成された複数の線状パターンを有している。複数の線状パターンは、第1基準板17aの両端辺の中点を結ぶ領域近傍から一方の長辺側に向かって伸びる細長い長方形状を有している。また、第1基準板17a上であって基準モアレマークMMR1と第1基準板17aの他方の長辺側との間には、基準モアレマークMMR2が形成されている。基準モアレマークMMR2は、第1基準板17aの長手方向にほぼ平行に並んで形成された複数の線状パターンを有している。複数の線状パターンは、基準モアレマークMMR1とは所定の間隙を設け、基準モアレマークMMR1から他方の長辺側に向かって伸びる細長い長方形状を有している。   As shown in FIG. 11, the first reference plate 17a has a thin plate rectangular shape. A reference moire mark MMR1 is formed substantially at the center on the first reference plate 17a. The reference moire mark MMR1 has a plurality of linear patterns formed so as to be arranged substantially parallel to the longitudinal direction of the first reference plate 17a. The plurality of linear patterns have an elongated rectangular shape extending from the vicinity of the region connecting the midpoints of both ends of the first reference plate 17a toward one long side. A reference moire mark MMR2 is formed on the first reference plate 17a and between the reference moire mark MMR1 and the other long side of the first reference plate 17a. The reference moire mark MMR2 has a plurality of linear patterns formed so as to be arranged substantially parallel to the longitudinal direction of the first reference plate 17a. The plurality of linear patterns are provided with a predetermined gap with respect to the reference moire mark MMR1, and have an elongated rectangular shape extending from the reference moire mark MMR1 toward the other long side.

図11中の左下側に示すように、基準モアレマークMMR1は、複数の線状パターンのピッチの値が「P1」となるように形成されている。以下、「P1」は、基準モアレマークMMR1の複数の線状パターンのピッチを示す参照符号としても用いる場合がある。また、図11中の左上側に示すように、基準モアレマークMMR2は、複数の線状パターンのピッチの値が「P2」となるように形成されている。以下、「P2」は、基準モアレマークMMR2の複数の線状パターンのピッチを示す参照符号としても用いる場合がある。   As shown in the lower left side of FIG. 11, the reference moire mark MMR1 is formed such that the pitch value of the plurality of linear patterns is “P1”. Hereinafter, “P1” may also be used as a reference symbol indicating the pitch of a plurality of linear patterns of the reference moire mark MMR1. Further, as shown in the upper left side of FIG. 11, the reference moire mark MMR2 is formed so that the pitch value of the plurality of linear patterns is “P2”. Hereinafter, “P2” may also be used as a reference symbol indicating the pitch of a plurality of linear patterns of the reference moire mark MMR2.

図12中の右側に示すように、第1パターン形成部42において、フィルム基板8上には、第1モアレマークMM1が形成される。第1モアレマークMM1は、フィルム基板8の長手方向にほぼ平行に並んで形成された複数の線状パターンを有している。第1モアレマークMM1は、フィルム基板8の一方の長辺と、製造対象の電子デバイスが形成されるデバイス形成領域DAとの間に形成される。第1モアレマークMM1を構成する複数の線状パターンは、フィルム基板8の一方の長辺に直交する方向に伸びる細長い長方形状を有している。第1モアレマークMM1は、複数の線状パターンのピッチの値が「P1d+ΔP1d」で設計されているが、フィルム基板8の伸縮によるピッチ誤差を含むため、図12中の左下側に示すように、ピッチ「P1+ΔP1」で形成される。   As shown on the right side in FIG. 12, the first moire mark MM <b> 1 is formed on the film substrate 8 in the first pattern forming unit 42. The first moire mark MM <b> 1 has a plurality of linear patterns formed in parallel with the longitudinal direction of the film substrate 8. The first moire mark MM1 is formed between one long side of the film substrate 8 and a device formation area DA where an electronic device to be manufactured is formed. The plurality of linear patterns constituting the first moire mark MM1 have an elongated rectangular shape extending in a direction orthogonal to one long side of the film substrate 8. The first moire mark MM1 is designed with a pitch value of a plurality of linear patterns of “P1d + ΔP1d”, but includes a pitch error due to expansion / contraction of the film substrate 8, and as shown on the lower left side in FIG. The pitch is “P1 + ΔP1”.

図12中の右側に示すように、第2パターン形成部43において、フィルム基板8上には、第2モアレマークMM2及び第2バーニヤパターンV2が形成される。第2モアレマークMM2は、第2バーニヤパターンV2を挟んで2ヶ所に形成される。可撓性基板上にn層を積層する場合、1層目とn層目のモアレマークは1ヶ所でよいが、2層目からn−1層目までは隣接する両側の層との間でモアレパターンを形成するために、2ヶ所のモアレマークを配することが好ましいからである。   As shown on the right side in FIG. 12, the second moire mark MM <b> 2 and the second vernier pattern V <b> 2 are formed on the film substrate 8 in the second pattern forming unit 43. The second moiré marks MM2 are formed at two locations with the second vernier pattern V2 interposed therebetween. When laminating n layers on a flexible substrate, the first and nth layer moire marks may be one place, but the second layer to the (n-1) th layer are between adjacent layers. This is because it is preferable to arrange two moire marks in order to form a moire pattern.

第1モアレマークMM1を含む第一の層の直上に、第1モアレマークMM1が形成された領域の一部に重ね合わされる第2モアレマークMM2を含む第二の層が形成される。つまり、一方の第2モアレマークMM2の一部は、第1モアレマークMM1が形成された領域に重なって形成される。すなわち、第2モアレマークMM2のみが存在する第1部分と、第1モアレマークMM1と第2モアレマークMM2が存在することでモアレ縞MF12が発生する第2部分と、第1部分とは異なる部分であって第1モアレマークMM1のみが存在する第3部分の3つを有するように構成する。第1部分は、第1マーク(例えば第1モアレマークMM1)が形成され、かつ第3マーク(例えば第2モアレマークMM2)が形成されていない領域に相当する。第2部分は、第1マーク(例えば第1モアレマークMM1)と第3マーク(例えば第2モアレマークMM2)とが重ね合わされた領域に相当する。第3部分は、第3マーク(例えば第2モアレマークMM2)が形成され、かつ第1マーク(例えば第1モアレマークMM1)が形成されていない領域に相当する。図11の基準板17bの基準モアレマークMMR2と第1部分、基準板17bの空白部と第2部分、基準板17bの基準モアレマークMMR1と第3部分をそれぞれ重ね合せる構成とすることで、第2モアレマークMM2と基準モアレマークMMR2によるモアレ縞MF2、第2モアレマークMM1と第1モアレマークMM2によるモアレ縞MF12、及び第1モアレマークMM1と基準モアレマークMMR1によるモアレ縞MF1の3つを同時に観察することができる。 A second layer including a second moire mark MM2 that is superimposed on a part of the region where the first moire mark MM1 is formed is formed immediately above the first layer including the first moire mark MM1. That is, a part of one second moiré mark MM2 is formed so as to overlap with the region where the first moiré mark MM1 is formed. That is, the first portion where only the second moire mark MM2 is present, the second portion where the moire fringe MF12 occurs due to the presence of the first moire mark MM1 and the second moire mark MM2, and a portion different from the first portion And it is configured to have three of the third portions where only the first moire mark MM1 exists. The first portion corresponds to a region where the first mark (for example, the first moire mark MM1) is formed and the third mark (for example, the second moire mark MM2) is not formed. The second portion corresponds to a region where a first mark (for example, the first moire mark MM1) and a third mark (for example, the second moire mark MM2) are overlapped. The third portion corresponds to a region where the third mark (for example, the second moire mark MM2) is formed and the first mark (for example, the first moire mark MM1) is not formed. The reference moiré mark MMR2 and the first portion of the reference plate 17b in FIG. 11 are overlapped with the first portion, the blank portion and the second portion of the reference plate 17b, and the reference moiré mark MMR1 and the third portion of the reference plate 17b, respectively. Two moiré fringes MF2 due to two moiré marks MM2 and a reference moiré mark MMR2, moiré fringes MF12 due to the second moiré mark MM1 and the first moiré mark MM2, and moiré fringes MF1 due to the first moiré mark MM1 and the reference moiré mark MMR1 are simultaneously shown. Can be observed.

他方の第2モアレマークMM2は、第2バーニヤパターンV2を対称軸に一方の第2モアレマークMM2とほぼ線対称に形成されている。2つの第2モアレマークMM2は、フィルム基板8の長手方向にほぼ平行に並んで形成された複数の線状パターンをそれぞれ有している。2つの第2モアレマークMM2をそれぞれ構成する複数の線状パターンは、フィルム基板8の一方の長辺に直交する方向に伸びる細長い長方形状を有している。2つの第2モアレマークMM2は、複数の線状パターンのピッチの値が「P2d+ΔP2d」で設計されているが、フィルム基板8の伸縮によるピッチ誤差を含むため、図12中の左下側に示すように、ピッチ「P2+ΔP2」で形成される。   The other second moiré mark MM2 is formed substantially in line symmetry with the second moiré mark MM2 with the second vernier pattern V2 as the axis of symmetry. The two second moire marks MM <b> 2 each have a plurality of linear patterns formed side by side in parallel with the longitudinal direction of the film substrate 8. The plurality of linear patterns that respectively constitute the two second moire marks MM <b> 2 have an elongated rectangular shape that extends in a direction orthogonal to one long side of the film substrate 8. The two second moire marks MM2 are designed with a pitch value of a plurality of linear patterns of “P2d + ΔP2d”, but include pitch errors due to expansion and contraction of the film substrate 8, and as shown on the lower left side in FIG. And with a pitch “P2 + ΔP2”.

図12中の中央に示すように、フィルム基板8には、第1モアレマークMM1の形成と同時に第1バーニヤパターンV1が形成される。第1バーニヤパターンV1は、長方形状パターンを複数有している。長方形状パターンは、フィルム基板8の長辺に沿う長辺を有している。第1バーニヤパターンV1を構成する長方形状パターンは、第2層を位置合わせするときのモアレと同じピッチで設計されている。
第2バーニヤパターンV2は、第1バーニヤパターンV1と同様に、長方形状パターンを複数有している。長方形状パターンは、フィルム基板8の長辺に沿う長辺を有している。第2バーニヤパターンV2を構成する長方形状パターンは、次層である第3層を位置合わせするときのモアレと同じピッチで設計されている。
第1及び第2バーニヤパターンV1,V2は、第1及び第2モアレマークMM1,MM2と同じ材料で形成されている。第1及び第2モアレマークMM1,MM2並びに第1及び第2バーニヤパターンV1,V2は、光を透過及び反射し難くなっている。
As shown in the center of FIG. 12, the first vernier pattern V1 is formed on the film substrate 8 simultaneously with the formation of the first moire mark MM1. The first vernier pattern V1 has a plurality of rectangular patterns. The rectangular pattern has a long side along the long side of the film substrate 8. The rectangular pattern constituting the first vernier pattern V1 is designed with the same pitch as the moire when the second layer is aligned.
Similar to the first vernier pattern V1, the second vernier pattern V2 has a plurality of rectangular patterns. The rectangular pattern has a long side along the long side of the film substrate 8. The rectangular pattern constituting the second vernier pattern V2 is designed with the same pitch as the moire when the third layer which is the next layer is aligned.
The first and second vernier patterns V1, V2 are formed of the same material as the first and second moire marks MM1, MM2. The first and second moiré marks MM1, MM2 and the first and second vernier patterns V1, V2 are difficult to transmit and reflect light.

第1モアレマークMM1のピッチP1+ΔP1と、第2モアレマークMM2のピッチP2+ΔP2との差は「ΔP1−ΔP2」であり、「P1」及び「P2」と比較すると微小な値である。このため、上記第1の実施形態において「P1」及び「P1+ΔP1」を用いて説明したのと同様に、第1モアレマークMM1と第2モアレマークMM2とが重なり合って形成されることにより、図12中の中央に示すように、第1及び第2モアレマークMM1,MM2が重なり合う領域には、モアレ縞MF12が発現する。   The difference between the pitch P1 + ΔP1 of the first moire mark MM1 and the pitch P2 + ΔP2 of the second moire mark MM2 is “ΔP1−ΔP2”, which is a minute value compared with “P1” and “P2”. For this reason, the first moire mark MM1 and the second moire mark MM2 are formed so as to overlap with each other as described with reference to “P1” and “P1 + ΔP1” in the first embodiment. As shown in the center in the middle, moire fringes MF12 appear in a region where the first and second moire marks MM1 and MM2 overlap.

図13に示すように、第1基準板17bを第1モアレマークMM1,MM2の形成領域に重ねると、第1基準板17b上に形成された基準モアレマークMMR1の一部は、第1モアレマークMM1の形成領域の一部と重なり合い、第1基準板17b上に形成された基準モアレマークMMR2の一部は、第2モアレマークMM2の形成領域の一部と重なり合う。第1モアレマークMM1のピッチP1+ΔP1と、基準モアレマークMMR1のピッチP1との差は「ΔP1」であり、「P1」と比較すると微小な値である。また、第2モアレマークMM2のピッチP2+ΔP2と、基準モアレマークMMR2のピッチP2との差は「ΔP2」であり、「P2」と比較すると微小な値である。このため、上記第1の実施形態において「P1」及び「P1+ΔP1」を用いて説明したのと同様に、第1モアレマークMM1と基準モアレマークMMR1とが重なり合うことにより、図13に示すように、両マークMM1,MMR1が重なり合う領域には、モアレ縞MF1が発現する。同様に、第2モアレマークMM2と基準モアレマークMMR2とが重なり合うことにより、図13に示すように、両マークMM2,MMR2が重なり合う領域には、モアレ縞MF2が発現する。第2光学系撮像装置12は、モアレ縞MF1,MF2,MF12及び第1バーニヤパターンV1がそれぞれ撮像領域α内に2つ以上入る視野でモアレ縞MF1,MF2,MF12及び第1バーニヤパターンV1を撮像する。   As shown in FIG. 13, when the first reference plate 17b is overlapped with the formation region of the first moire marks MM1 and MM2, a part of the reference moire mark MMR1 formed on the first reference plate 17b becomes the first moire mark. A part of the reference moiré mark MMR2 formed on the first reference plate 17b overlaps a part of the formation area of the MM1, and a part of the formation area of the second moiré mark MM2 overlaps. The difference between the pitch P1 + ΔP1 of the first moire mark MM1 and the pitch P1 of the reference moire mark MMR1 is “ΔP1”, which is a minute value compared to “P1”. Further, the difference between the pitch P2 + ΔP2 of the second moire mark MM2 and the pitch P2 of the reference moire mark MMR2 is “ΔP2”, which is a minute value compared with “P2”. For this reason, as described with reference to “P1” and “P1 + ΔP1” in the first embodiment, the first moire mark MM1 and the reference moire mark MMR1 overlap each other, as shown in FIG. Moire fringes MF1 appear in the region where the marks MM1 and MMR1 overlap. Similarly, when the second moire mark MM2 and the reference moire mark MMR2 overlap, as shown in FIG. 13, a moire fringe MF2 appears in a region where the marks MM2 and MMR2 overlap. The second optical system imaging device 12 captures the moire fringes MF1, MF2, MF12, and the first vernier pattern V1 in a field of view in which two or more moire fringes MF1, MF2, MF12 and the first vernier pattern V1 enter the imaging region α. To do.

図14は、制御部50における画像処理及び補正量の算出を説明する図である。図14(a)は、画像処理部50aが第2光学系撮像装置12から受信した撮像データに基づいて生成した撮像領域αの画像の一例を示している。図14(b)は、図14(a)に示す画像に基づくバーニヤ輝度分布及びモアレ縞輝度分布を示している。図14(b)中の第1段目にバーニヤ輝度分布を示し、第2段目にモアレ縞MF12輝度分布を示し、第3段目にモアレ縞MF2輝度分布を示し、第4段目にモアレ縞MF1輝度分布を示している。図14(b)中の「バーニヤ輝度分布」は、図14(a)に示す第1バーニヤパターンV1の画像に基づく輝度分布を表し、「モアレ縞MF12輝度分布」は、図14(a)に示すモアレ縞MF12の画像に基づく輝度分布を表し、「モアレ縞MF2輝度分布」は、図14(a)に示すモアレ縞MF2の画像に基づく輝度分布を表し、「モアレ縞MF1輝度分布」は、図14(a)に示すモアレ縞MF1の画像に基づく輝度分布を表している。図14(b)において、第1段目の縦軸は第1バーニヤパターンV1の輝度の高低を示し、第1段目の横軸は図14(a)に示す直線L1上の位置を示している。また、図14(b)において、第2段目から第4段目の縦軸は各モアレ縞の輝度の高低を示し、第2段目から第4段目の横軸は、図14(b)に示す直線L1に平行であって各モアレ縞の中心の位置を示している。   FIG. 14 is a diagram for explaining image processing and correction amount calculation in the control unit 50. FIG. 14A illustrates an example of an image of the imaging region α generated based on the imaging data received by the image processing unit 50a from the second optical system imaging device 12. FIG. 14B shows a vernier luminance distribution and a moire fringe luminance distribution based on the image shown in FIG. In FIG. 14B, the vernier luminance distribution is shown at the first level, the moiré fringe MF12 luminance distribution is shown at the second level, the moiré fringe MF2 luminance distribution is shown at the third level, and the moiré pattern is shown at the fourth level. The stripe MF1 luminance distribution is shown. “Vernier luminance distribution” in FIG. 14B represents the luminance distribution based on the image of the first vernier pattern V1 shown in FIG. 14A, and “Moire fringe MF12 luminance distribution” is shown in FIG. 14 represents a luminance distribution based on the image of the moire fringe MF12 shown. “Moire fringe MF2 luminance distribution” represents a luminance distribution based on the image of the moire fringe MF2 shown in FIG. The luminance distribution based on the image of the moire fringe MF1 shown in FIG. In FIG. 14B, the vertical axis of the first level indicates the level of the luminance of the first vernier pattern V1, and the horizontal axis of the first level indicates the position on the straight line L1 shown in FIG. Yes. In FIG. 14B, the vertical axis from the second stage to the fourth stage indicates the level of luminance of each moire fringe, and the horizontal axis from the second stage to the fourth stage is shown in FIG. The center position of each moire fringe is shown in parallel with the straight line L1 shown in FIG.

画像処理部50aは、第2光学系撮像装置12から送信された撮像データを画像処理する。図14(a)に示すように、画像処理部50aは、画像処理した結果、第1モアレマークMM1及び第2モアレマークMM2が重なり合うことにより発生するモアレ縞MF12と、第1モアレマークMM1及び基準モアレマークMMR1が重なり合うことにより発生するモアレ縞MF1と、第2モアレマークMM2及び基準モアレマークMMR2が重なり合うことにより発生するモアレ縞MF2と、第1バーニヤパターンV1とが表示された画像を生成する。基準モアレマークMMR1,MMR2、第1及び第2モアレマークMM1,MM2及び第1バーニヤパターンV1は、光源12b(図10参照)が照射する光をほとんど透過しないので、画像処理部50aが生成した画像において相対的に暗い色(例えば黒色)で表される。また、第1モアレマークMM1の線状パターンと第2モアレマークMM2の線状パターンとが重なり合う重なり位置の近傍は、線状パターンの密度が疎となるため、画像処理部50aが生成した画像において相対的に明るい色で表される。一方、第1モアレマークMM1及び第2モアレマークMM2の一方の線状パターンが他方の線状パターンの間に配置される位置の近傍は、線状パターンの密度が密となるため画像処理部50aが生成した画像において相対的に暗い色で表される。また、第1モアレマークMM1の線状パターンと基準モアレマークMMR1の線状パターンとが重なり合う重なり位置の近傍は、線状パターンの密度が疎となるため、画像処理部50aが生成した画像において相対的に明るい色で表される。一方、第1モアレマークMM1及び基準モアレマークMMR1の一方の線状パターンが他方の線状パターンの間に配置される位置の近傍は、線状パターンの密度が密となるため画像処理部50aが生成した画像において相対的に暗い色で表される。さらに、第2モアレマークMM2の線状パターンと基準モアレマークMMR2の線状パターンとが重なり合う重なり位置の近傍は、線状パターンの密度が疎となるため、画像処理部50aが生成した画像において相対的に明るい色で表される。一方、第2モアレマークMM2及び基準モアレマークMMR2の一方の線状パターンが他方の線状パターンの間に配置される位置の近傍は、線状パターンの密度が密となるため画像処理部50aが生成した画像において相対的に暗い色で表される。   The image processing unit 50 a performs image processing on the imaging data transmitted from the second optical system imaging device 12. As shown in FIG. 14A, the image processing unit 50a, as a result of image processing, the moire fringe MF12 generated when the first moire mark MM1 and the second moire mark MM2 overlap, the first moire mark MM1 and the reference. An image in which the moiré fringes MF1 generated when the moire marks MMR1 overlap, the moire fringes MF2 generated when the second moire marks MM2 and the reference moire mark MMR2 overlap, and the first vernier pattern V1 is generated. Since the reference moiré marks MMR1, MMR2, the first and second moiré marks MM1, MM2, and the first vernier pattern V1 hardly transmit the light emitted from the light source 12b (see FIG. 10), the image generated by the image processing unit 50a. Are represented by a relatively dark color (for example, black). Further, in the vicinity of the overlapping position where the linear pattern of the first moiré mark MM1 and the linear pattern of the second moiré mark MM2 overlap, the density of the linear pattern is sparse, so that in the image generated by the image processing unit 50a. Represented in a relatively bright color. On the other hand, in the vicinity of the position where one linear pattern of the first moiré mark MM1 and the second moiré mark MM2 is disposed between the other linear patterns, the density of the linear pattern is high, and thus the image processing unit 50a. Is represented in a relatively dark color in the generated image. Further, in the vicinity of the overlapping position where the linear pattern of the first moiré mark MM1 and the linear pattern of the reference moiré mark MMR1 overlap, the density of the linear pattern is sparse, so that the relative image in the image generated by the image processing unit 50a. Are expressed in bright colors. On the other hand, in the vicinity of the position where one linear pattern of the first moiré mark MM1 and the reference moiré mark MMR1 is arranged between the other linear patterns, the density of the linear pattern is high, so that the image processing unit 50a has. Represented in a relatively dark color in the generated image. Furthermore, since the density of the linear pattern is sparse in the vicinity of the overlapping position where the linear pattern of the second moiré mark MM2 and the linear pattern of the reference moiré mark MMR2 are overlapped, the relative density in the image generated by the image processing unit 50a is relatively small. Are expressed in bright colors. On the other hand, in the vicinity of the position where one linear pattern of the second moiré mark MM2 and the reference moiré mark MMR2 is arranged between the other linear patterns, the density of the linear pattern is high, so that the image processing unit 50a has a high density. Represented in a relatively dark color in the generated image.

図14(a)に示す画像を画像処理部50aから受信した補正量算出部50bは、第2モアレマークMM2のパターンひずみεを算出する。補正量算出部50bは、パターンひずみεを算出するためにまず、図14(b)に示すバーニヤ輝度分布及びモアレ縞輝度分布のグラフを生成する。補正量算出部50bは、第1バーニヤパターンV1の画像の短辺中央を結ぶ直線L1上の明暗に基づいて、バーニヤ輝度分布のグラフを生成する。第1バーニヤパターンV1は、複数の長方形状パターンで構成されている。このため、バーニヤ輝度分布は、図14(b)中の第1段目に示すように矩形状となる。また、補正量算出部50bは、直線L1にほぼ平行であってモアレ縞MFの画像の中央を横断する直線上の明暗に基づいて、モアレ縞MF12輝度分布のグラフを生成する。第1モアレマークMM1の線状パターンと第2モアレマークMM2の線状パターンとで形成される線状パターンの密度は、疎の状態から密の状態へかつ密の状態からその状態へ徐々に変化する。このため、モアレ輝度分布は、図14(b)中の第2段目に示すように正弦波のような波型形状となる。また、補正量算出部50bは、直線L1にほぼ平行であってモアレ縞MF2の画像の中央を横断する直線上の明暗に基づいて、モアレ縞MF2輝度分布のグラフを生成する。第2モアレマークMM2の線状パターンと基準モアレマークMMR2の線状パターンとで形成される線状パターンの密度は、疎の状態から密の状態へかつ密の状態からその状態へ徐々に変化する。このため、モアレ縞MF2輝度分布は、図14(b)中の第3段目に示すように正弦波のような波型形状となる。さらに、補正量算出部50bは、直線L1にほぼ平行であってモアレ縞MF1の画像の中央を横断する直線上の明暗に基づいて、モアレ縞MF1輝度分布のグラフを生成する。第1モアレマークMM1の線状パターンと基準モアレマークMMR1の線状パターンとで形成される線状パターンの密度は、疎の状態から密の状態へかつ密の状態からその状態へ徐々に変化する。このため、モアレ縞MF1輝度分布は、図14(b)中の第4段目に示すように正弦波のような波型形状となる。   The correction amount calculation unit 50b that has received the image shown in FIG. 14A from the image processing unit 50a calculates the pattern distortion ε of the second moire mark MM2. In order to calculate the pattern distortion ε, the correction amount calculation unit 50b first generates a graph of the vernier luminance distribution and the moire fringe luminance distribution shown in FIG. The correction amount calculation unit 50b generates a vernier luminance distribution graph based on the brightness on the straight line L1 connecting the short side centers of the images of the first vernier pattern V1. The first vernier pattern V1 is composed of a plurality of rectangular patterns. For this reason, the vernier luminance distribution has a rectangular shape as shown in the first row in FIG. Further, the correction amount calculation unit 50b generates a graph of the moiré fringe MF12 luminance distribution based on light and darkness on a straight line that is substantially parallel to the straight line L1 and crosses the center of the image of the moire fringe MF. The density of the linear pattern formed by the linear pattern of the first moiré mark MM1 and the linear pattern of the second moiré mark MM2 gradually changes from the sparse state to the dense state and from the dense state to the state. To do. For this reason, the moire luminance distribution has a wave shape such as a sine wave as shown in the second row in FIG. Further, the correction amount calculation unit 50b generates a graph of the moire fringe MF2 luminance distribution based on light and darkness on a straight line that is substantially parallel to the straight line L1 and crosses the center of the image of the moire fringe MF2. The density of the linear pattern formed by the linear pattern of the second moire mark MM2 and the linear pattern of the reference moire mark MMR2 gradually changes from the sparse state to the dense state and from the dense state to that state. . For this reason, the moire fringe MF2 luminance distribution has a wave shape such as a sine wave as shown in the third stage in FIG. Further, the correction amount calculating unit 50b generates a graph of the moiré fringe MF1 luminance distribution based on light and darkness on a straight line that is substantially parallel to the straight line L1 and crosses the center of the image of the moire fringe MF1. The density of the linear pattern formed by the linear pattern of the first moire mark MM1 and the linear pattern of the reference moire mark MMR1 gradually changes from the sparse state to the dense state and from the dense state to that state. . For this reason, the moire fringe MF1 luminance distribution has a wave shape like a sine wave as shown in the fourth row in FIG.

制御部50は、第7光学系撮像装置52及び第5光学系撮像装置32から送信される画像データについて、上記第1の実施形態における図15(a)に示す画像処理を実行し、図5(b)に示すモアレ縞輝度分布を生成する。詳細は後述するが、基板伸縮制御装置5は、フィルム基板8の伸縮を補正する補正量を算出するために、第5光学系撮像装置32から送信される撮像データに基づくパターンひずみε1と、第7光学系撮像装置52から送信される撮像データに基づくパターンひずみε2と、第2光学系撮像装置12から送信される撮像データに基づくアライメント誤差とを算出するようになっている。   The control unit 50 performs the image processing shown in FIG. 15A in the first embodiment on the image data transmitted from the seventh optical system imaging device 52 and the fifth optical system imaging device 32, and FIG. The moire fringe luminance distribution shown in (b) is generated. Although details will be described later, the substrate expansion / contraction control device 5 calculates a correction amount for correcting expansion / contraction of the film substrate 8, a pattern distortion ε1 based on imaging data transmitted from the fifth optical system imaging device 32, 7 The pattern distortion ε2 based on the imaging data transmitted from the optical imaging device 52 and the alignment error based on the imaging data transmitted from the second optical imaging device 12 are calculated.

図9に示すように、本実施形態では、1層目を形成する前段階では、フィルム基板8上にモアレマークやバーニヤパターンが形成されていない。このため、伸縮制御システム500は、第1パターン形成部42と第1の基板伸縮調整部25との間に光学系撮像装置を有していない。また、第1パターン形成部42と第2パターン形成部43との間の基板搬送路を送出されているフィルム基板8上には、モアレマークとして第1モアレマークしか形成されていない。このため、伸縮制御システム500は、第1パターン形成部42と第2の基板伸縮調整部26との間に配置された第1光学系撮像装置11は、第1基準板7aと第1モアレマークとを重ね合わせることによって発現するモアレ縞を撮像するようになっている。   As shown in FIG. 9, in this embodiment, no moire mark or vernier pattern is formed on the film substrate 8 in the stage before the first layer is formed. For this reason, the expansion / contraction control system 500 does not include an optical imaging device between the first pattern forming unit 42 and the first substrate expansion / contraction adjustment unit 25. Further, only the first moiré mark is formed as the moiré mark on the film substrate 8 being sent out through the substrate conveyance path between the first pattern forming portion 42 and the second pattern forming portion 43. For this reason, the expansion / contraction control system 500 includes the first reference plate 7a and the first moire mark disposed between the first pattern forming unit 42 and the second substrate expansion / contraction adjustment unit 26. The moiré fringes that appear by superimposing and are imaged.

次に、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法、位置合わせ方法及び電子デバイスの製造方法について図9から図14を再び用いて説明する。本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法な処理は、上記第1の実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法の処理に加えてバーニヤ輝度分布の作成及びバーニヤピッチPvの算出ステップが含まれる。本実施形態では、図6に示すステップS1からステップS7の処理において、第2光学系撮像装置12の他に、第5光学系撮像装置32及び第7光学系撮像装置52から送信された撮像データに基づいてパターンひずみも算出するようになっている。また、図6に示すステップS7とステップS11との間に、バーニヤパターンに基づくバーニヤ輝度分布を作成するステップと、作成したバーニヤ輝度分布に基づいてバーニヤピッチを算出する算出ステップが実行される。また、本実施形態では、図6に示すステップS15において第2光学系撮像装置12から送信された撮像データに基づいてアライメント誤差を求めるようになっている。以下、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法について、図10に示す第2パターン形成部43が形成する第2パターンを例にとって説明する。   Next, the flexible substrate expansion / contraction control method, alignment method, and electronic device manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 14 again. The flexible substrate expansion / contraction control method processing according to the present embodiment includes the steps of creating a vernier luminance distribution and calculating the vernier pitch Pv in addition to the processing of the flexible substrate expansion / contraction control method according to the first embodiment. It is. In the present embodiment, imaging data transmitted from the fifth optical system imaging device 32 and the seventh optical system imaging device 52 in addition to the second optical system imaging device 12 in the processing from step S1 to step S7 shown in FIG. The pattern distortion is also calculated based on the above. Further, a step of creating a vernier luminance distribution based on the vernier pattern and a calculation step of calculating a vernier pitch based on the created vernier luminance distribution are executed between step S7 and step S11 shown in FIG. In this embodiment, the alignment error is obtained based on the imaging data transmitted from the second optical system imaging device 12 in step S15 shown in FIG. Hereinafter, the flexible substrate expansion / contraction control method according to the present embodiment will be described using the second pattern formed by the second pattern forming unit 43 shown in FIG. 10 as an example.

1層目(N層目に対応)では、ピッチP1の周期性をもつ1層目の第1モアレマークMM1と、ひずみがゼロの理想的なパターニングができたときに発現するモアレ縞のピッチと同じピッチのバーニヤパターンV1をフィルム基板8上にパターニングする。   In the first layer (corresponding to the Nth layer), the first moiré mark MM1 of the first layer having a periodicity of the pitch P1, and the pitch of the moiré fringes that appear when ideal patterning with zero distortion is achieved. A vernier pattern V 1 having the same pitch is patterned on the film substrate 8.

2層目(N+1層目に対応)の第2パターンを形成する第2パターン形成部43の前の空走部(例えば第2の基板伸縮調整部26と第2パターン形成部43との間)において、2層目の第2モアレマークMM2と同じピッチのモアレマークがパターニングされた第3基準板6bと、フィルム基板8上にすでにパターニングされている1層目のモアレマークMM1とを重ね合わせて、モアレ縞MF1及びバーニヤパターンV1が2つ以上入る視野で、モアレ縞MF1及びバーニヤパターンV1を第7光学系撮像装置52で撮像する。   A free running portion (for example, between the second substrate expansion / contraction adjusting portion 26 and the second pattern forming portion 43) in front of the second pattern forming portion 43 for forming the second layer (corresponding to the (N + 1) th layer) second pattern. 3, the third reference plate 6 b patterned with the same moire mark having the same pitch as the second moiré mark MM 2 on the second layer and the first moiré mark MM 1 already patterned on the film substrate 8 are overlapped. The seventh optical system imaging device 52 captures the moire fringes MF1 and the vernier pattern V1 in a field of view in which two or more moire fringes MF1 and vernier patterns V1 enter.

第2層目の第2パターン形成部43のブランケットロール43c上に、1層目のモアレマークのピッチと微小なピッチ差ΔP1をもつピッチP1+ΔP1の周期性をもつ2層目の転写モアレマークMT2をパターニングする。   On the blanket roll 43c of the second pattern forming portion 43 of the second layer, the second layer transfer moire mark MT2 having a pitch P1 + ΔP1 having a pitch difference ΔP1 with a pitch difference ΔP1 of the first layer is placed. Pattern.

1層目のモアレマークMM1と同じピッチの基準モアレマークMMRがパターニングされた第2基準板9bと、ブランケットロール43c上に形成されている2層目の転写モアレマークMT2とを重ね合わせて、モアレ縞MF2及びバーニヤパターンV1が2つ以上入る視野で、モアレ縞MF2及びバーニヤパターンV1を第5光学系撮像装置32で撮像する。   The second reference plate 9b on which the reference moiré mark MMR having the same pitch as that of the first moiré mark MM1 is patterned and the second transfer moiré mark MT2 formed on the blanket roll 43c are overlapped with each other. The fifth optical system imaging device 32 images the moire fringe MF2 and the vernier pattern V1 in a field of view in which two or more fringes MF2 and vernier patterns V1 enter.

ブランケットロール43c上に形成された2層目のパターンを、フィルム基板8上に再転写し、2層目の第2モアレマークMM2を、1層目の第1モアレマークMM1に重ねる。   The second layer pattern formed on the blanket roll 43c is retransferred onto the film substrate 8, and the second layer second moire mark MM2 is overlaid on the first layer first moire mark MM1.

フィルム基板8上で重ね合わされた1層目の第1モアレマークMM1と2層目の第2モアレマークMM2により発現したモアレ縞MF12と、第1基準板17bの基準モアレマークMMR1,MMR2と第1及び第2モアレマークMM1,MM2とにより発現したモアレ縞MF1,MF2と、バーニヤパターンV1とが2つ以上入る視野で、モアレ縞MF12,MF1,MF2及びバーニヤパターンV1を第2光学系撮像装置12で撮像する。   Moire fringes MF12 expressed by the first moiré mark MM1 of the first layer and the second moiré mark MM2 of the second layer superimposed on the film substrate 8, the reference moiré marks MMR1 and MMR2 of the first reference plate 17b, and the first In addition, the moiré fringes MF12, MF1, MF2 and the vernier pattern V1 are displayed in the second optical system imaging device 12 in a field of view including two or more moiré fringes MF1 and MF2 expressed by the second moiré marks MM1 and MM2. Take an image with.

撮像されたモアレ縞MF1,MF2,MF12及びバーニヤパターンV1の撮像データは、制御部50に送信される。これらの撮像データを受信した画像処理部50aは、画像処理して3つの画像A1,A2,A3を生成する。画像処理部50aは、モアレ縞MF1及びバーニヤパターンV1に基づいて画像A1を生成し、モアレ縞MF2及びバーニヤパターンV1に基づいて画像A2を生成し、モアレ縞MF1,2,12及びバーニヤパターンV1に基づいて画像A3(図14(a)参照)を生成する。補正量算出部50bは、画像処理部50aが生成した3つの画像A1,A2,A3を用いて、モアレ縞MF1,MF2,MF12のそれぞれのモアレ縞輝度分布とバーニヤパターンV1のバーニヤ輝度分布とを得る。   The captured image data of the moire fringes MF1, MF2, MF12 and the vernier pattern V1 is transmitted to the control unit 50. The image processing unit 50a that has received these imaging data generates three images A1, A2, and A3 by performing image processing. The image processing unit 50a generates an image A1 based on the moire fringes MF1 and the vernier pattern V1, generates an image A2 based on the moire fringes MF2 and the vernier pattern V1, and generates the moire fringes MF1, 2, 12 and the vernier pattern V1. Based on this, an image A3 (see FIG. 14A) is generated. The correction amount calculation unit 50b uses the three images A1, A2, and A3 generated by the image processing unit 50a to calculate the moire fringe luminance distributions of the moire fringes MF1, MF2, and MF12 and the vernier luminance distribution of the vernier pattern V1. obtain.

補正量算出部50bは、バーニヤ輝度分布からバーニヤピッチPvを算出し、モアレ縞輝度分布からモアレ縞MF1,MF2,MF12のそれぞれのモアレ縞ピッチPm1,Pm2,Pm12を算出する。バーニヤピッチPv及びモアレ縞ピッチPm1と式(1)とを用いて、設計上の1層目に対する2層目の相対的なパターンひずみε1を求める。
バーニヤピッチPv及びモアレ縞ピッチPm2と式(1)とを用いて、設計上の2層目に対する1層目の相対的なパターンひずみε2を求める。
バーニヤピッチPv及びモアレ縞ピッチPm12と式(1)とを用いて、2層目に対する1層目の相対的なパターンひずみε3を求める。
The correction amount calculating unit 50b calculates the vernier pitch Pv from the vernier luminance distribution, and calculates the moiré fringe pitches Pm1, Pm2, and Pm12 of the moiré fringes MF1, MF2, and MF12 from the moiré fringe luminance distribution. Using the vernier pitch Pv and the moire fringe pitch Pm1 and the equation (1), the relative pattern distortion ε1 of the second layer with respect to the first layer in the design is obtained.
Using the vernier pitch Pv and the moire fringe pitch Pm2 and the equation (1), the relative pattern distortion ε2 of the first layer with respect to the designed second layer is obtained.
Using the vernier pitch Pv and the moire fringe pitch Pm12 and the equation (1), the relative pattern distortion ε3 of the first layer with respect to the second layer is obtained.

画像A3に基づくバーニヤ輝度分布とモアレ縞輝度分布との位相差Em(図14(b)参照)と、以下の式(3)とを用いて1層目に対する2層目のアライメント誤差eを求める。
e=((P2+ΔP2)×(1+ε1)−(P1+ΔP1)×(1+ε2))/((P2+ΔP2)×(1+ε1))×Em ・・・(3)
Using the phase difference Em (see FIG. 14B) between the vernier luminance distribution and the moire fringe luminance distribution based on the image A3 and the following equation (3), the alignment error e of the second layer with respect to the first layer is obtained. .
e = ((P2 + ΔP2) × (1 + ε1) − (P1 + ΔP1) × (1 + ε2)) / ((P2 + ΔP2) × (1 + ε1)) × Em (3)

1層目に対する2層目の相対的なパターンひずみε3が最小化するように、フィルム基板8に印加する張力を変えて1層目のパターンひずみε1を2層目のパターンひずみε2に追従するように補正する。1層目に対する2層目のアライメント誤差e(位相差Em)が最小化するように、2層目の位置合わせを行う。   The tension applied to the film substrate 8 is changed so that the relative pattern strain ε3 of the second layer relative to the first layer is minimized so that the pattern strain ε1 of the first layer follows the pattern strain ε2 of the second layer. To correct. The alignment of the second layer is performed so that the alignment error e (phase difference Em) of the second layer with respect to the first layer is minimized.

本実施形態では、上記第1の実施形態と同様に、フィルム基板8は、0.1mから10m/分の速度で搬送されるのに対し、モアレ縞は、100ms毎に撮像されてパターンひずみが算出されるようになっている。このため、本実施形態では、フィルム基板8がおよそ0.2mmから2mm搬送される毎にフィルム基板8の伸縮が制御される。   In the present embodiment, as in the first embodiment, the film substrate 8 is transported at a speed of 0.1 m to 10 m / min, whereas moire fringes are imaged every 100 ms and pattern distortion occurs. It is calculated. For this reason, in this embodiment, the expansion / contraction of the film substrate 8 is controlled every time the film substrate 8 is transported by approximately 0.2 mm to 2 mm.

本実施形態における電子デバイス製造装置4は、1層目の第1パターンの形成時に第1モアレマークMM1をフィルム基板8上に形成し、2層目の第2パターンの形成時に第2モアレマークMM2の少なくとも一部を第1モアレマークMM1に重ねてフィルム基板8上に形成し、3層目の第3パターンの形成時に第3モアレマークの少なくとも一部を第2モアレマークMM2に重ねて形成するようになっている。本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム及び伸縮制御方法によれば、可撓性基板上に積層されるモアレマークのアライメント誤差が最小となるように、可撓性基板に印加する張力を制御するようになっている。これにより、第1から第3モアレマークの相対的な位置合わせができるので、第1から第3パターンが位置合わせされ、所望の積層パターンを形成できる。   In the electronic device manufacturing apparatus 4 according to the present embodiment, the first moire mark MM1 is formed on the film substrate 8 when the first pattern of the first layer is formed, and the second moire mark MM2 is formed when the second pattern of the second layer is formed. Is formed on the film substrate 8 so as to overlap the first moire mark MM1, and at the time of forming the third pattern of the third layer, at least a part of the third moire mark is formed so as to overlap the second moire mark MM2. It is like that. According to the expansion / contraction control system and the expansion / contraction control method of the flexible substrate according to the present embodiment, the tension applied to the flexible substrate is reduced so that the alignment error of the moire mark laminated on the flexible substrate is minimized. It comes to control. As a result, the first to third moire marks can be relatively aligned, so that the first to third patterns are aligned and a desired laminated pattern can be formed.

このように、本実施形態による位置合わせ方法は、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御方法を用いてフィルム基板8上に積層する積層パターンを位置合わせするようになっている。また、本実施形態による位置合わせ方法は、第1から第3モアレマーク及び基準モアレマークを位置合わせマークとして用いるようになっている。
また、本実施形態による位置合わせ方法を用いることにより、所望の積層パターンを形成することができる。このため、本実施形態による電子デバイスの製造方法は、本実施形態による位置合わせ方法を用いて所望の積層パターンを形成し、この積層パターンによって構成される電子デバイスを製造することができる。
As described above, the alignment method according to the present embodiment aligns the laminated pattern to be laminated on the film substrate 8 using the flexible substrate expansion / contraction control method according to the present embodiment. In the alignment method according to the present embodiment, the first to third moire marks and the reference moire mark are used as the alignment marks.
Moreover, a desired laminated pattern can be formed by using the alignment method according to the present embodiment. For this reason, the manufacturing method of the electronic device according to the present embodiment can form a desired stacked pattern using the alignment method according to the present embodiment, and can manufacture an electronic device constituted by the stacked pattern.

以上説明したように、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム及び伸縮制御方法によれば、モアレ縞を利用して画素オーダー以下の微小なアライメント誤差を拡大して測定することができる。また、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システム及び伸縮制御方法によれば、モアレ縞を利用して各層のパターンの微小な相対ひずみを拡大して測定することができる。N層目とN+1層目を重ね合わせる場合、基準となるのはN層目のパターンである。パターン形成部間を流れているフィルム基板上でN層目のパターンが変化するとモアレ縞の拡大率が変化してしまう。しかしながら、本実施形態による可撓性基板の伸縮制御システムは、N層目のパターンに対するN+1層目のパターンの相対ひずみを同時に測定することにより、パターンひずみ分を補正した正確なアライメント誤差eを求めることが可能となる。   As described above, according to the flexible substrate expansion / contraction control system and the expansion / contraction control method according to the present embodiment, it is possible to enlarge and measure a minute alignment error below the pixel order by using moire fringes. Moreover, according to the expansion / contraction control system and the expansion / contraction control method of the flexible substrate according to the present embodiment, it is possible to enlarge and measure the minute relative strain of the pattern of each layer using the moire fringes. When the Nth layer and the (N + 1) th layer are overlapped, the reference is the pattern of the Nth layer. When the pattern of the Nth layer changes on the film substrate flowing between the pattern forming portions, the enlargement ratio of moire fringes changes. However, the flexible substrate expansion / contraction control system according to the present embodiment obtains an accurate alignment error e in which the pattern distortion is corrected by simultaneously measuring the relative distortion of the (N + 1) th layer pattern with respect to the Nth layer pattern. It becomes possible.

また、本実施形態による伸縮制御システム500は、N+1層目のパターンを形成する前段階でN層目のモアレマークを利用してフィルム基板8の伸縮を制御できる。このため、伸縮制御システム500は、フィルム基板8に形成される第N+1層目のモアレマークのひずみを予測して制御するフィードフォワード制御が可能になっている。N層目のモアレマークを利用することにより、フィルム基板8に生じている局所的な張力変動、すなわち非周期的な張力変動を第N+1層目のパターンを形成する前に検出することができる。また、制御部50は、第N層目のモアレマークと第N+1層目のモアレマークとで発現されるモアレ縞に基づいて、フィルム基板8に印加する張力を制御するための補正量を算出できる。このため、伸縮制御システム500は、フィルム基板8に実際に形成されたモアレマークのひずみに基づいて制御するフィードバック制御が可能になっている。N層目及びN+1層目のモアレマークを利用することにより、周期的な張力変動を検出できる。   Further, the expansion / contraction control system 500 according to the present embodiment can control the expansion / contraction of the film substrate 8 by using the Nth layer moire mark before the formation of the (N + 1) th layer pattern. For this reason, the expansion / contraction control system 500 is capable of feedforward control that predicts and controls the distortion of the (N + 1) th layer moire mark formed on the film substrate 8. By using the Nth layer moire mark, local tension fluctuations occurring on the film substrate 8, that is, non-periodic tension fluctuations can be detected before forming the (N + 1) th layer pattern. Further, the control unit 50 can calculate a correction amount for controlling the tension applied to the film substrate 8 based on the moire fringes expressed by the Nth layer moire mark and the (N + 1) th layer moire mark. . For this reason, the expansion / contraction control system 500 can perform feedback control that is controlled based on the distortion of the moire marks actually formed on the film substrate 8. By using the moiré marks of the Nth layer and the (N + 1) th layer, periodic tension fluctuations can be detected.

したがって、本実施形態による伸縮制御システム500は、非周期的及び周期的な張力変動を検知して第1から第3パターンの形成前後でフィルム基板8の伸縮を制御でき、より高精度に各層のパターンの位置合わせができる。   Therefore, the expansion / contraction control system 500 according to the present embodiment can detect aperiodic and periodic tension fluctuations and control the expansion / contraction of the film substrate 8 before and after the formation of the first to third patterns. Pattern alignment is possible.

1,3,5 基板伸縮制御装置
2,4 電子デバイス製造装置
6b,6c 第3基準板
7a,7b,7c,17b,17c 第1基準板
8 フィルム基板
9a,9b,9c 第2基準板
10,30,50 制御部
10a,30a,50a 画像処理部
10b,30b,50b 補正量算出部
11 第1光学系撮像装置
11a,12a,13a,31a,32a,52a,53b 撮像部
11b,12b,13b,52b,53b 光源
12 第2光学系撮像装置
13 第3光学系撮像装置
20 繰出ロール
21 巻取ロール
22,42 第1パターン形成部
22a,22b,23a,23b,24a,24b,28b,28d,42a,42b,43a,43b,44a,44b 駆動ロール
23,43 第2パターン形成部
24,44 第3パターン形成部
25 第1の基板伸縮調整部
25a,26a,27a 伸縮調整ロール
25b,26b,27b 搬入側案内ロール
25c、26c,27c 搬出側案内ロール
26 第2の基板伸縮調整部
27 第3の基板伸縮調整部
28a 第1案内ロール
28c 第2案内ロール
28e 第3案内ロール
31 第4光学系撮像装置
31b,32b 第1光源
31c,32c 第2光源
32 第5光学系撮像装置
33 第6光学系撮像装置
42c,43c,44c ブランケットロール
52 第7光学系撮像装置
53 第8光学系撮像装置
100,300,500 可撓性基板の伸縮制御システム
110 カメラ
111 テレセントリックレンズ
112 ミラー
113,123 発光部
115 基準板調整ステージ
315b,325b 第1発光部
315c,325c 第2発光部
MF、MF1,MF2、MF3,MF12 モアレ縞
MM1 第1モアレマーク
MM2 第2モアレマーク
MMR,MMR1,MMR2 基準モアレマーク
MT1,MT2 転写モアレマーク
V1 第1バーニヤパターン
V2 第2バーニヤパターン
1, 3, 5 Substrate expansion / contraction control device 2, 4 Electronic device manufacturing apparatus 6b, 6c Third reference plate 7a, 7b, 7c, 17b, 17c First reference plate 8 Film substrate 9a, 9b, 9c Second reference plate 10, 30, 50 Control part 10a, 30a, 50a Image processing part 10b, 30b, 50b Correction amount calculation part 11 1st optical system imaging device 11a, 12a, 13a, 31a, 32a, 52a, 53b Imaging part 11b, 12b, 13b, 52b, 53b Light source 12 Second optical system imaging device 13 Third optical system imaging device 20 Feeding roll 21 Winding rolls 22, 42 First pattern forming portions 22a, 22b, 23a, 23b, 24a, 24b, 28b, 28d, 42a , 42b, 43a, 43b, 44a, 44b Drive rolls 23, 43 Second pattern forming portion 24, 44 Third pattern forming portion 25 First Plate expansion / contraction adjustment sections 25a, 26a, 27a Expansion adjustment rolls 25b, 26b, 27b Carry-in side guide rolls 25c, 26c, 27c Carry-out side guide rolls 26 Second substrate expansion / contraction adjustment section 27 Third substrate expansion / contraction adjustment section 28a First guide Roll 28c 2nd guide roll 28e 3rd guide roll 31 4th optical system imaging device 31b, 32b 1st light source 31c, 32c 2nd light source 32 5th optical system imaging device 33 6th optical system imaging device 42c, 43c, 44c Blanket Roll 52 Seventh optical system imaging device 53 Eighth optical system imaging device 100, 300, 500 Flexible substrate expansion / contraction control system 110 Camera 111 Telecentric lens 112 Mirror 113, 123 Light emitting unit 115 Reference plate adjustment stages 315b, 325b First Light emitting units 315c, 325c Second light emitting units MF, MF1, MF2 MF3, MF12 moire fringe MM1 first Moire mark MM2 second Moire mark MMR, MMR1, MMR2 reference moiré marks MT1, MT2 transfer Moire mark V1 first vernier pattern V2 second vernier pattern

Claims (11)

可撓性を備える可撓性基板の送出と同期して連続的に送出される第1マークに、該可撓性基板の送出による寸法変化がない第2マークを重ね合わせて第一の干渉縞を発生させ、
発生する干渉縞に基づいて前記第1マークのひずみを取得し、
取得した前記ひずみに基づいて連続的に送出される前記可撓性基板の伸縮を制御する
可撓性基板の伸縮制御方法。
A first interference fringe is formed by superimposing a second mark, which is not changed in size due to the delivery of the flexible substrate, on the first mark that is continuously delivered in synchronization with the delivery of the flexible substrate having flexibility. Is generated,
Obtaining the distortion of the first mark based on the generated interference fringes;
A method for controlling expansion and contraction of the flexible substrate, wherein the expansion and contraction of the flexible substrate that is continuously delivered based on the acquired strain is controlled.
前記第一の干渉縞を画像処理して前記ひずみを取得する
請求項1記載の可撓性基板の伸縮制御方法。
The expansion / contraction control method for a flexible substrate according to claim 1, wherein the distortion is obtained by performing image processing on the first interference fringes.
前記可撓性基板に前記第1マークを形成する
請求項1又は2に記載の可撓性基板の伸縮制御方法。
The expansion / contraction control method for a flexible substrate according to claim 1, wherein the first mark is formed on the flexible substrate.
前記可撓性基板に所定パターンを形成するロールに前記第1マークを形成するための型となる部分を形成する
請求項1から3までのいずれか一項に記載の可撓性基板の伸縮制御方法。
The expansion / contraction control of the flexible substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein a portion serving as a mold for forming the first mark is formed on a roll that forms a predetermined pattern on the flexible substrate. Method.
前記第2マークが形成された基準板を前記第2マークが前記第1マークに対向するように前記第一の干渉縞を発生させる
請求項1から4までのいずれか一項に記載の可撓性基板の伸縮制御方法。
5. The flexible according to claim 1, wherein the first interference fringes are generated on the reference plate on which the second mark is formed such that the second mark faces the first mark. 6. Expansion and contraction control method of conductive substrate.
前記第1マークを含む第一の層の直上に、前記第1マークが形成された領域の一部に重ね合わされる第3マークを含む第二の層を形成し、
前記第1マークが形成され、かつ前記第3マークが形成されていない領域に前記第2マークを重ね合わせて前記第一の干渉縞を発生させ、発生させた該第一の干渉縞に基づいて前記第1マークのひずみを取得し、
前記第3マークが形成され、かつ前記第1マークが形成されていない領域に、前記可撓性基板の送出による寸法変化がない第4マークを重ね合わせて第二の干渉縞を発生させ、発生させた該第二の干渉縞に基づいて前記第3マークのひずみを取得し、
前記第1マークと前記第3マークとが重ね合わされた領域で発生した第三の干渉縞に基づくひずみを取得し、
取得した前記第1マークのひずみ、前記第3マークのひずみ及び前記第三の干渉縞に基づくひずみに基づいて前記可撓性基板の伸縮を制御する
請求項1から5までのいずれか一項に記載の可撓性基板の伸縮制御方法。
Forming a second layer including a third mark superimposed on a part of a region where the first mark is formed immediately above the first layer including the first mark;
Based on the generated first interference fringe, the first mark is formed by overlapping the second mark on a region where the first mark is formed and the third mark is not formed. Obtaining the strain of the first mark;
Generated by generating a second interference fringe by overlaying a fourth mark that is not changed in size due to the feeding of the flexible substrate in a region where the third mark is formed and the first mark is not formed. Obtaining the distortion of the third mark based on the second interference fringes made,
Obtaining a strain based on a third interference fringe generated in a region where the first mark and the third mark are overlapped;
The expansion / contraction of the flexible substrate is controlled based on the obtained distortion of the first mark, the distortion of the third mark, and the distortion based on the third interference fringe. The expansion / contraction control method of the flexible substrate as described.
請求項1から6までのいずれか一項に記載の可撓性基板の伸縮制御方法を用いて前記可撓性基板上に積層する積層パターンを位置合わせする
位置合わせ方法。
The alignment method of aligning the lamination | stacking pattern laminated | stacked on the said flexible substrate using the expansion-contraction control method of the flexible substrate as described in any one of Claim 1-6.
前記第1及び第2マークを位置合わせマークとして用いる
請求項7に記載の位置合わせ方法。
The alignment method according to claim 7, wherein the first and second marks are used as alignment marks.
前記第1マークと前記第3マークを重ね合せて第三の干渉縞を発生させ、該第三の干渉縞に基づいて前記第一の層と前記第二の層とを位置合わせする請求項7または8に記載の位置合わせ方法。   The first mark and the third mark are overlapped to generate a third interference fringe, and the first layer and the second layer are aligned based on the third interference fringe. Or the alignment method according to 8. 請求項7から9までのいずれか一項に記載の位置合わせ方法を用いて前記積層パターンを有する電子デバイスを製造する
電子デバイスの製造方法。
The manufacturing method of an electronic device which manufactures the electronic device which has the said lamination | stacking pattern using the positioning method as described in any one of Claim 7-9.
可撓性を備える可撓性基板の送出と同期して連続的に送出される第1マークに、該可撓性基板の送出による寸法変化がない第2マークを重ね合わせて発生する第一の干渉縞に基づいて前記第1マークのひずみを取得するひずみ取得部と、
取得した前記ひずみに基づいて、連続的に送出される前記可撓性基板の伸縮を制御する基板伸縮制御部と
を有する
可撓性基板の伸縮制御システム。
A first mark that is generated by superimposing a second mark that does not change in dimension due to the feeding of the flexible substrate on the first mark that is continuously fed in synchronization with the feeding of the flexible substrate having flexibility. A strain acquisition unit for acquiring strain of the first mark based on interference fringes;
A flexible substrate expansion / contraction control system, comprising: a substrate expansion / contraction control unit that controls expansion / contraction of the flexible substrate that is continuously delivered based on the acquired strain.
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