JP2017022336A - Heat radiation structure of heat generating element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板に実装された発熱素子の放熱構造に関する。 The present invention relates to a heat dissipation structure for a heating element mounted on a substrate.
ハイブリッド自動車や燃料自動車などの電動車両においては、バッテリから供給される直流電力をインバータ装置によって交流電力に変換し、これにより交流モータを回転させて駆動力を生成する。
インバータ装置を構成するスイッチング素子として、IGBTや還流ダイオードと呼ばれるダイオードが制御基板に実装されている。これらの素子には大電流が流れるため、電気抵抗は小さいものの発熱量が大きい。ここで、発熱量が大きい素子を発熱素子と称する。
In an electric vehicle such as a hybrid vehicle or a fuel vehicle, direct current power supplied from a battery is converted into alternating current power by an inverter device, and thereby an alternating current motor is rotated to generate driving force.
As a switching element constituting the inverter device, a diode called an IGBT or a free wheel diode is mounted on the control board. Since a large current flows through these elements, although the electrical resistance is small, the heat generation amount is large. Here, an element that generates a large amount of heat is referred to as a heating element.
発熱素子の放熱構造として、インバータ装置の筐体をヒートシンクとし、制御基板に実装されている発熱素子をヒートシンクの冷却面に固定することで、発熱素子で発生した熱をヒートシンクに逃がす構造が知られている(例えば特許文献1)。
この特許文献1は、発熱素子の素子本体から伸びたリード端子が制御基板のスルーホールに挿通され半田付けで接続され、素子本体が制御基板から浮き上がった状態で実装されている。
そして、ヒートシンクである筐体の側面にヒートシンク部材を一体化し、このヒートシンク部材に素子本体を載せて固定した状態で、筐体の内部に制御基板が配置されている。これにより、発熱素子としての素子本体で発生した熱は、ヒートシンク部材を介して筐体に伝熱され、放熱されていく。
As a heat dissipation structure for the heat generating element, a structure is known in which the heat generated by the heat generating element is released to the heat sink by fixing the heat generating element mounted on the control board to the cooling surface of the heat sink by using the housing of the inverter device as a heat sink. (For example, Patent Document 1).
In
A heat sink member is integrated with the side surface of the casing, which is a heat sink, and the control board is disposed inside the casing in a state where the element body is mounted and fixed on the heat sink member. Thereby, the heat generated in the element main body as the heat generating element is transferred to the housing via the heat sink member and is radiated.
ところで、特許文献1は、素子本体が筐体に一体化されたヒートシンク部材に固定される前には、制御基板のスルーホールとリード端子とを接続する半田付けの部位に応力が集中しやすく、その半田付けの部位にクラックが発生しやすい。
そこで、本発明は、発熱素子のリード端子と基板のスルーホールとを接続している半田部に応力を発生させず、冷却効率を高めることで高品質の構造とすることができる発熱素子の放熱構造を得ることを目的としている。
By the way, in
Therefore, the present invention eliminates stress in the solder portion connecting the lead terminal of the heat generating element and the through hole of the substrate, and can increase the cooling efficiency to achieve a high-quality structure. The purpose is to obtain a structure.
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る発熱素子の放熱構造は、基板に実装した発熱素子をヒートシンクの冷却面に伝熱して放熱する発熱素子の放熱構造であって、発熱素子は、素子本体と、この素子本体から外方に突出するリード端子とを有し、冷却面に素子本体が固定され、且つ、リード端子の先端が前記基板に設けたスルーホールに挿通され、且つ、前記基板が前記冷却面の上方位置で固定された状態で、前記スルーホール及び前記リード端子の先端側の間を半田付けして半田部を設けた。 In order to achieve the above object, a heat dissipation structure for a heating element according to one aspect of the present invention is a heat dissipation structure for a heating element that transfers heat to a cooling surface of a heat sink to dissipate heat. Has an element body and a lead terminal projecting outward from the element body, the element body is fixed to the cooling surface, and the tip of the lead terminal is inserted through a through hole provided in the substrate, and In a state where the substrate is fixed above the cooling surface, a solder portion is provided by soldering between the through hole and the leading end side of the lead terminal.
上述のように、発熱素子の放熱構造によると、冷却面に固定された素子本体及び冷却面の上方位置で固定された基板は相対移動しないので半田部には応力が発生せず、半田部のクラック発生を防止することができる。また、素子本体は冷却面に固定されているので、冷却効率を高めることができる。 As described above, according to the heat dissipation structure of the heating element, the element body fixed to the cooling surface and the substrate fixed above the cooling surface do not move relative to each other. Crack generation can be prevented. Further, since the element body is fixed to the cooling surface, the cooling efficiency can be increased.
以下、本発明の一態様に係る発熱素子の放熱構造について、図面を適宜参照しつつ説明する。
[第1実施形態]
図1から図3は、本発明に係る第1実施形態の発熱素子の放熱構造を示すものである。
図1は、電動車両に搭載されているインバータ装置1の要部を示しており、筐体の内部に、直流電力を交流電力に変換する電力変換制御ユニットが配置されている。
Hereinafter, a heat dissipation structure for a heat generating element according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate.
[First Embodiment]
1 to 3 show a heat dissipation structure for a heating element according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 1 shows a main part of an
筐体は、有底箱形状のケース2と、ケース2の上部開口2aを閉塞する蓋体(不図示)とを備えており、ケース2は側壁3と底部4とで構成されている。
ケース2の底部4は、冷却空気や冷却水など冷却流体との接触により冷却が促進されるヒートシンクとされている。
ケース2の内部には、電力変換装置ユニットを構成する制御基板5及びIGBTや還流ダイオードなどの半導体デバイスDが収納されている。この半導体デバイスDが、本発明の発熱素子に対応している。
The housing includes a bottomed box-
The
Inside the
半導体デバイスDは、半導体チップ(不図示)が埋め込まれている外観が直方体形状の樹脂パッケージDaと、樹脂パッケージDaの側面から突出している複数本のリード端子Dbと、を備えている。リード端子Dbは、樹脂パッケージDaから底部4に沿って延在している水平端子部Db1と、水平端子部Db1の先端から底部4から離間する方向に立ち上がっている立ち上がり端子部Db2とで構成されている。
この半導体デバイスDは、樹脂パッケージDaがデバイス押圧固定部6で底部4に固定されている。
The semiconductor device D includes a resin package Da having a rectangular parallelepiped appearance in which a semiconductor chip (not shown) is embedded, and a plurality of lead terminals Db protruding from the side surface of the resin package Da. The lead terminal Db includes a horizontal terminal portion Db1 extending along the
In the semiconductor device D, the resin package Da is fixed to the
デバイス押圧固定部6は板状の金属部材であり、図2に示すように、デバイス固定ねじ8のねじ部が通過する挿通孔9aを形成した固定部9と、この固定部9の一側から屈曲して形成された弾性変形部10と、この弾性変形部10の先端に形成された当接部11とを備えている。
弾性変形部10は、固定部9が底部4に固定されているときに、固定部9の一側から第1屈曲部10aを介して立ち上がっている立ち上がり部10bと、立ち上がり部10bの上端から第2屈曲部10cを介して斜め下方に延在している傾斜部10dと、を備えている。
The device pressing
The
当接部11は、弾性変形部10の傾斜部10dの先端側を直線状に上側に折り曲げることで形成され、樹脂パッケージDaの上面に当接するようになっている。
そして、デバイス押圧固定部6の固定部9が、デバイス固定ねじ8によりケース2の底部4に固定されることで、デバイス押圧固定部6の弾性変形部10が半導体デバイスDの樹脂パッケージDaに対して底部4に向けて弾性復元力を作用し、樹脂パッケージDaを底部4側に押圧した状態で固定されている。
The
And the
制御基板5は、デバイス押圧固定部6で底部4に固定された半導体デバイスDを上方から覆いながら、ケース2の底部4から突出している基板支持部4a及び底部4の他の箇所に設けた基板支持部(不図示)に載せられ、底部4と平行に配置されている。
この制御基板5は、基板支持部4a及び他の基板支持部にねじ込まれた基板固定ねじ7で底部4に固定されている。
そして、ケース2の底部4に固定された半導体デバイスDのリード端子Dbの立ち上がり端子部Db2が、制御基板5のランドを有する複数のスルーホール5aに挿通され、立ち上がり端子部Db2及びスルーホール5aの間を半田付けすることで半田部12が設けられている。
The
The
Then, the rising terminal portion Db2 of the lead terminal Db of the semiconductor device D fixed to the
次に、第1実施形態の発熱素子の放熱構造において、半導体デバイスDをケース2の底部4に固定し、半導体デバイスDを制御基板5に実装する手順について説明する。
先ず、半導体デバイスDの樹脂パッケージDaを底部4上の所定位置に載置する。
次に、底部4に形成したねじ孔4bに、デバイス押圧固定部6の固定部9を対応させ、上方から固定部9の挿通孔9aに挿通したデバイス固定ねじ8のねじ部をねじ孔4bに本締めする。これにより、弾性変形部10が半導体デバイスDの樹脂パッケージDaに弾性復元力を作用するので、デバイス押圧固定部6は、樹脂パッケージDaを底部4に押圧した状態で固定する。
Next, the procedure for fixing the semiconductor device D to the
First, the resin package Da of the semiconductor device D is placed at a predetermined position on the
Next, the
次に、図3に示すように、制御基板5を、ケース2の開口部2aの上方から底部4に向けて下ろしていき、半導体デバイスDの開口部2aに向けて立ち上がっている複数の立ち上がり端子部Db2を制御基板5の複数のスルーホール5aに挿通しながら、基礎支持部4a上及び他の基礎支持部上に制御基板5を載せる。
次に、基板固定ねじ7を、制御基板5を通過して基板支持部4a及び他の基板支持部にねじ込むことで、制御基板5を底部4に固定する。
Next, as shown in FIG. 3, the
Next, the
最後に、ケース2の開口部2a側から制御基板5の各スルーホール5aから半導体デバイスDの複数の立ち上がり端子部Db2が突出しているのが見えるので、開口部2a側から、スルーホール5aと立ち上がり端子部Db2との間を半田付けすることで半田部12を設ける(図2参照)。
ここで、本発明に係る発熱素子が半導体デバイスDに対応し、本発明に係る素子本体が樹脂パッケージDaに対応し、本発明に係る基板が制御基板5に対応し、本発明に係る押圧固定部がデバイス押圧固定部6に対応し、本発明に係る第1固定ねじがデバイス固定ねじ8に対応し、本発明に係る固定板部が固定部9に対応し、本発明に係る弾性変形板部が弾性変形部10に対応し、本発明に係る当接板部が当接部11に対応している。
Finally, since a plurality of rising terminal portions Db2 of the semiconductor device D protrude from the through
Here, the heating element according to the present invention corresponds to the semiconductor device D, the element body according to the present invention corresponds to the resin package Da, the substrate according to the present invention corresponds to the
次に、第1実施形態の作用効果について説明する。
第1実施形態は、ケース2の底板4に半導体デバイスDの樹脂パッケージDaが固定され、且つ、半導体デバイスDの複数の立ち上がり端子部Db2が制御基板5のスルーホール5aに挿通され、且つ、制御基板5が底板4から突出する基板支持部4aに載って底部4と平行に固定された状態で、スルーホール5a及び立ち上がり端子部Db2の間に半田部12が設けられており、ケース2内で半田付けされたデバイスD及び制御基板5は相対移動しないので半田部12には応力が発生せず、半田部12のクラック発生を防止することができる。
Next, the function and effect of the first embodiment will be described.
In the first embodiment, the resin package Da of the semiconductor device D is fixed to the
また、半導体デバイスDは、樹脂パッケージDaが底部4に面接触状態で載置され、デバイス押圧固定部6の弾性変形部10が樹脂パッケージDaに弾性復元力を作用することで、樹脂パッケージDaが底部4に押圧されており、樹脂パッケージDa及び底部4の接触面積を大きくして密接するので、樹脂パッケージDaの冷却効果を十分に高めることができる。
したがって、半田部12のクラック発生を防止しつつ、樹脂パッケージDaの冷却効果を十分に高めることができる第1実施形態は、高品質の発熱素子の放熱構造とすることができる。
そして、第1実施形態では、ヒートシンクとされたケース2の底部4に樹脂パッケージDaを面接触状態で固定しただけの簡便な構造であり、放熱を促す部品などが不要なので、部品コストの低減化も図ることができる。
Further, the semiconductor device D is placed in a state where the resin package Da is in surface contact with the
Therefore, the first embodiment that can sufficiently enhance the cooling effect of the resin package Da while preventing the occurrence of cracks in the
In the first embodiment, the resin package Da is simply fixed to the
また、制御基板5のスルーホール5aを通過した半導体デバイスDの立ち上がり端子部Db2は、ケース2の開口部2aに向って延在しているので、スルーホール5a及び立ち上がり端子部Db2の間の半田付けの作業性を良好とすることができる。
さらに、デバイス押圧固定部6は、固定部9から当接部11までの長さが長く設定されており、半導体デバイスDの樹脂パッケージDaに設けられている金属部(不図示)と、固定部9を底部4に固定するデバイス固定ねじ8との間の絶縁距離を十分に確保することができる。
さらにまた、第1実施形態の制御基板5は、半導体デバイスD全体を上方から覆った状態で配置されており、ケース2内の小さなスペースであっても、制御基板5を有効に配置することができる。
Since the rising terminal portion Db2 of the semiconductor device D that has passed through the through
Furthermore, the device pressing fixing
Furthermore, the
[第2実施形態]
図4から図6は、本発明に係る第2実施形態の発熱素子の放熱構造を示すものである。
なお、図1から図3で示した構成と同一構成部分には、同一符号を付してその説明は省略する。
第2実施形態も、デバイス押圧固定部6により半導体デバイスDが底部4に固定されている。
第2実施形態の制御基板15は、底部4から突出する基板支持部4c及び底部4の他の箇所に設けた基板支持部(不図示)に載って底部4と平行に固定されている。そして、この制御基板15は、デバイス押圧固定部6を上方から覆わず、樹脂パッケージDaのリード端子Db側の一部のみを覆っている。
そして、ケース2の底部4に固定された半導体デバイスDのリード端子Dbの立ち上がり端子部Db2が、制御基板15のランドを有する複数のスルーホール15aに挿通され、立ち上がり端子部Db2及びスルーホール15aの間を半田付けすることで半田部16が設けられている。
[Second Embodiment]
4 to 6 show a heat dissipation structure for a heating element according to the second embodiment of the present invention.
In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the structure shown in FIGS. 1-3, and the description is abbreviate | omitted.
Also in the second embodiment, the semiconductor device D is fixed to the
The
Then, the rising terminal portion Db2 of the lead terminal Db of the semiconductor device D fixed to the
次に、第2実施形態の発熱素子の放熱構造において、半導体デバイスDをケース2の底部4に固定し、半導体デバイスDを制御基板15に実装する手順について説明する。
先ず、底部4に形成したねじ孔4dに、デバイス押圧固定部6の固定部9を対応させ、上方から固定部9の挿通孔9aに挿通したデバイス固定ねじ8のねじ部をねじ孔4bに仮締めする。
次に、半導体デバイスDの樹脂パッケージDaを底部4上の所定位置に面接触状態で載置し、デバイス押圧固定部6の弾性変形部10を上方に持ち上げ、弾性変形部10の当接部11を樹脂パッケージDaの上面に接触させることで、樹脂パッケージDaを仮固定する。
Next, a procedure for fixing the semiconductor device D to the
First, the fixing
Next, the resin package Da of the semiconductor device D is placed in a surface contact state at a predetermined position on the
次に、図6に示すように、制御基板15を、ケース2の開口部2aの上方から底部4に向けて下ろしていき、開口部2aに向けて立ち上がっている半導体デバイスDの複数の立ち上がり端子部Db2を制御基板15の複数のスルーホール15aに挿通しながら、基板支持部4c上及び他の基礎支持部上に制御基板5を載せる。
この際、底部4上で仮固定されている樹脂パッケージDaを図6の矢印A方向、或いは底部4に沿って矢印A方向に直交する方向などに移動することで、複数の立ち上がり端子部Db2及びスルーホール15aの位置合わせを行なう。
Next, as shown in FIG. 6, the
At this time, by moving the resin package Da temporarily fixed on the
そして、デバイス固定ねじ8をねじ孔4dにねじ込むことで本締めする。これにより、弾性変形部10が半導体デバイスDの樹脂パッケージDaに弾性復元力を作用するので、デバイス押圧固定部6は、樹脂パッケージDaを底部4に押圧した状態で固定する。
次に、基板固定ねじ7を、制御基板15を通過して基板支持部4c及び他の基板支持部にねじ込むことで、制御基板15を底部4に固定する。
最後に、ケース2の開口部2a側から、スルーホール15aと立ち上がり端子部Db2との間を半田付けすることで半田部16を設ける(図4,図5参照)。
Then, the
Next, the
Finally, the
次に、第2実施形態の作用効果について説明する。
第2実施形態も、ケース2の底板4に半導体デバイスDが固定され、且つ、底板4から突出する基板支持部4cに載った制御基板15が底部4に平行に配置されているとともに、半導体デバイスDの複数の立ち上がり端子部Db2が制御基板15のスルーホール15aに挿通された状態で、スルーホール15a及び立ち上がり端子部Db2の間に半田部16が設けられており、ケース2内で半田付けされたデバイスD及び制御基板15は相対移動しないので半田部16には応力が発生せず、半田部16のクラック発生を防止することができる。
Next, the function and effect of the second embodiment will be described.
In the second embodiment, the semiconductor device D is fixed to the
また、第2実施形態の発熱素子の放熱構造も、第1実施形態と同様に、半田部16のクラック発生を防止しつつ、樹脂パッケージDaの冷却効果を十分に高めることができ、放熱を促す部品などが不要なので、部品コストの低減化も図ることができるとともに、固定部9から当接部11までの長さを長く設定したデバイス押圧固定部6を使用することで、樹脂パッケージDaに設けられている金属部(不図示)と、固定部9を底部4に固定するデバイス固定ねじ8との間の絶縁距離を十分に確保することができる。
さらに、第2実施形態は、樹脂パッケージDaの複数の立ち上がり端子部Db2を制御基板15の複数のスルーホール15aに挿通する際には、底部4上で仮固定されている樹脂パッケージDaを底部4に沿って移動することができるので、スルーホール15aへの立ち上がり端子部Db2の挿通作業を容易に行なうことができる。
In addition, the heat dissipation structure for the heat generating element of the second embodiment can sufficiently enhance the cooling effect of the resin package Da while preventing the occurrence of cracks in the
Further, in the second embodiment, when the plurality of rising terminal portions Db2 of the resin package Da are inserted into the plurality of through
[第3実施形態]
図7から図9は、本発明に係る第3実施形態の発熱素子の放熱構造を示すものである。
第3実施形態は、図8に示すように、半導体デバイスDの樹脂パッケージDaの中央部に上下に連通する挿通孔20が形成され、上方から挿通孔20を通過したデバイス固定ねじ21が底部4に形成したねじ孔4eにねじ込まれることで、半導体デバイスDが底部4に固定されている。
第3実施形態の制御基板15も、第2実施形態と同様の部材であり、底部4から突出する基板支持部4c及び底部4の他の箇所に設けた基板支持部(不図示)に載って底部4と平行に固定され、樹脂パッケージDaのリード端子Db側の一部のみを覆っている。
そして、ケース2の底部4に固定された半導体デバイスDのリード端子Dbの立ち上がり端子部Db2が、制御基板15のランドを有する複数のスルーホール15aに挿通され、立ち上がり端子部Db2及びスルーホール15aの間を半田付けすることで半田部17が設けられている。
[Third Embodiment]
7 to 9 show a heat dissipation structure for a heating element according to a third embodiment of the present invention.
In the third embodiment, as shown in FIG. 8, an
The
Then, the rising terminal portion Db2 of the lead terminal Db of the semiconductor device D fixed to the
次に、第3実施形態の発熱素子の放熱構造において、半導体デバイスDをケース2の底部4に固定し、半導体デバイスDを制御基板15に実装する手順について説明する。
先ず、図9に示すように、底部4に形成したねじ孔4eに、デバイス押圧固定部6の固定部9を対応させ、上方から固定部9の挿通孔9aに挿通したデバイス固定ねじ21のねじ部をねじ孔4eに仮締めする。
次に、半導体デバイスDの樹脂パッケージDaを底部4上の所定位置に面接触状態で載置する。
次に、制御基板15を、ケース2の開口部2aの上方から底部4に向けて下ろしていき、開口部2aに向けて立ち上がっている半導体デバイスDの複数の立ち上がり端子部Db2を制御基板15の複数のスルーホール15aに挿通しながら、基板支持部4c上及び他の基礎支持部上に制御基板5を載せる。
Next, the procedure for fixing the semiconductor device D to the
First, as shown in FIG. 9, the screw of the
Next, the resin package Da of the semiconductor device D is placed in a surface contact state at a predetermined position on the
Next, the
この際、底部4上で仮固定されている樹脂パッケージDaを図9の矢印A方向、或いは底部4に沿って矢印A方向に直交する方向などに移動することで、複数の立ち上がり端子部Db2及びスルーホール15aの位置合わせを行なう。
そして、デバイス固定ねじ21をねじ孔4eにねじ込むことで本締めする。
次に、基板固定ねじ7を、制御基板15を通過して基板支持部4c及び他の基板支持部にねじ込むことで、制御基板15を底部4に固定する。
最後に、ケース2の開口部2a側から、スルーホール15aと立ち上がり端子部Db2との間を半田付けすることで半田部17を設ける(図7,図8参照)。
ここで、本発明に係る第2固定ねじがデバイス固定ねじ21に対応している。
At this time, by moving the resin package Da temporarily fixed on the
Then, the
Next, the
Finally, the
Here, the second fixing screw according to the present invention corresponds to the
次に、第3実施形態の作用効果について説明する。
第3実施形態も、ケース2の底板4に半導体デバイスDが固定され、且つ、底板4から突出する基板支持部4cに載った制御基板15が底部4に平行に配置されているとともに、半導体デバイスDの複数の立ち上がり端子部Db2が制御基板15のスルーホール15aに挿通された状態で、スルーホール15a及び立ち上がり端子部Db2の間に半田部17が設けられており、ケース2内で半田付けされたデバイスD及び制御基板15は相対移動しないので半田部17には応力が発生せず、半田部17のクラック発生を防止することができる。
Next, the function and effect of the third embodiment will be described.
In the third embodiment, the semiconductor device D is fixed to the
また、第2実施形態の発熱素子の放熱構造も、第1実施形態と同様に、半田部17のクラック発生を防止しつつ、樹脂パッケージDaの冷却効果を十分に高めることができ、放熱を促す部品などが不要なので、部品コストの低減化も図ることができる。
さらに、第3実施形態は、樹脂パッケージDaの複数の立ち上がり端子部Db2を制御基板15の複数のスルーホール15aに挿通する際には、底部4上で仮固定されている樹脂パッケージDaを底部4に沿って移動することができるので、スルーホール15aへの立ち上がり端子部Db2の挿通作業を容易に行なうことができる。
さらにまた、第3実施形態は、半導体デバイスDの樹脂パッケージDaの中央部に形成した挿通孔20にデバイス固定ねじ21を通過し、このデバイス固定ねじ21を底部4のねじ孔4eにねじ込む簡便な構造としたので、製造コストの低減化を図ることができる。
Further, the heat dissipation structure of the heat generating element of the second embodiment can also sufficiently enhance the cooling effect of the resin package Da while preventing the occurrence of cracks in the
Further, in the third embodiment, when the plurality of rising terminal portions Db2 of the resin package Da are inserted into the plurality of through
Furthermore, in the third embodiment, the
1 インバータ装置
2 ケース
2a ケースの開口部
3 側壁
4 底部
4a,4c 基板支持部
4b,4d,4e ねじ孔
5,15 制御基板
5a,15a スルーホール
6 デバイス押圧固定部
7 基板固定ねじ
8 デバイス固定ねじ
9 固定部
9a 挿通孔
10 弾性変形部
10a 第1屈曲部
10b 立ち上がり部
10c 第2屈曲部
10d 傾斜部
11 当接部
12,16,17 半田部
20 挿通孔
21 デバイス固定ねじ
D 半導体デバイス
Da 樹脂パッケージ
Db リード端子
Db1 水平端子部
Db2 立ち上がり端子部
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記発熱素子は、素子本体と、この素子本体から外方に突出するリード端子とを有し、
前記冷却面に前記素子本体が固定され、且つ、前記リード端子の先端が前記基板に設けたスルーホールに挿通され、且つ、前記基板が前記冷却面の上方位置で固定された状態で、
前記スルーホール及び前記リード端子の先端側の間を半田付けして半田部を設けたことを特徴とする発熱素子の放熱構造。 A heat-dissipating structure for the heat-generating element that transfers heat to the cooling surface of the heat sink to dissipate heat.
The heating element has an element body and a lead terminal protruding outward from the element body,
In the state where the element body is fixed to the cooling surface, the tip of the lead terminal is inserted through a through hole provided in the substrate, and the substrate is fixed at a position above the cooling surface,
A heat dissipation structure for a heating element, wherein a solder portion is provided by soldering between the through hole and the leading end side of the lead terminal.
前記押圧固定部は、第1固定ねじで前記冷却面に固定される固定板部と、この固定板部から屈曲して形成された弾性変形板部と、この弾性変形板部の先端に形成されて前記素子本体に当接する当接板部と、を備え、前記固定板部が前記冷却面に固定されたときに、前記弾性変形板部が、前記当接板部を介して前記素子本体に弾性復元力を作用することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の発熱素子の放熱構造。 The element body is pressed and fixed toward the cooling surface by a pressing fixing portion,
The pressing fixing portion is formed at a fixing plate portion fixed to the cooling surface by a first fixing screw, an elastic deformation plate portion formed by bending from the fixing plate portion, and a tip of the elastic deformation plate portion. A contact plate portion that contacts the element body, and when the fixed plate portion is fixed to the cooling surface, the elastic deformation plate portion is brought into contact with the element body via the contact plate portion. The heat-dissipating structure for a heating element according to any one of claims 1 to 3, wherein an elastic restoring force is applied.
前記基板は、前記第2固定ねじを上方から覆わない位置で固定されており、前記リード端子の先端を前記基板に設けた前記スルーホールに挿通する際に、前記第2固定ねじを前記冷却面に仮締めすることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の発熱素子の放熱構造。 The element body has a structure in which a second fixing screw is passed through and fixed to the cooling surface,
The substrate is fixed at a position where the second fixing screw is not covered from above, and when the leading end of the lead terminal is inserted into the through hole provided in the substrate, the second fixing screw is inserted into the cooling surface. The heat dissipating structure for a heating element according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat dissipating structure is temporarily tightened.
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JP2015141068A JP2017022336A (en) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | Heat radiation structure of heat generating element |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN113366931A (en) * | 2018-12-11 | 2021-09-07 | 法雷奥电机设备公司 | Voltage converter and method of manufacturing a voltage converter |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03101550U (en) * | 1990-01-31 | 1991-10-23 | ||
JP2000332174A (en) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | Motor controller |
JP2006196517A (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Yaskawa Electric Corp | Packaging method of electronic component and electronic apparatus |
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2015
- 2015-07-15 JP JP2015141068A patent/JP2017022336A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03101550U (en) * | 1990-01-31 | 1991-10-23 | ||
JP2000332174A (en) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | Motor controller |
JP2006196517A (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Yaskawa Electric Corp | Packaging method of electronic component and electronic apparatus |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113366931A (en) * | 2018-12-11 | 2021-09-07 | 法雷奥电机设备公司 | Voltage converter and method of manufacturing a voltage converter |
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