JP2017011920A - Power conversion device - Google Patents

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Shinichi Miura
進一 三浦
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique that relates to a power conversion device having a power unit in which a semiconductor module and a cooling unit are alternately laminated, and also enhances sealing performance of a metal plate for sealing the opening of the cooling unit.SOLUTION: A power conversion device includes an elastic member that pressurizes a power unit. Each of a pair of adjacent coolers includes a main body, a gasket, and a metal plate. The main body has a flow path therein, and also has an opening on a side surface facing the semiconductor module. The gasket is arranged so as to surround the opening. One surface of the metal plate closes the opening through the gasket. Sealing between the opening and the metal plate is secured by the pressing force of the elastic member. When viewed from the lamination direction, the gasket overlaps with the semiconductor module except for a part thereof. A spacer is inserted to be fitted in a gap which is located between a pair of metal plates on both sides of the semiconductor module and overlaps with a part of the gasket when viewed from the lamination direction so that the gap is filled with the spacer.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、半導体素子を収容しているカード型の複数の半導体モジュールと複数の冷却器が一つずつ交互に積層されているパワーユニットを備えた電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power conversion device including a power unit in which a plurality of card-type semiconductor modules containing semiconductor elements and a plurality of coolers are alternately stacked one by one.

例えば大容量のモータに電力を供給する電力変換装置は、発熱量の大きい複数の半導体素子を備えている。複数の半導体素子を効率よく冷却する構造の一つとして、電力変換装置は、半導体素子を収容しているカード型の複数の半導体モジュールと複数の冷却器が一つずつ交互に積層されているパワーユニットを備えることがある(例えば特許文献1、2)。このパワーユニットはカード型の半導体モジュールをその両側から冷却するので冷却効率が高い。さらに、特許文献2の電力変換装置は、冷却効率を高めるため、半導体モジュールと冷却器の積層方向にパワーユニットを加圧する弾性部材を備えている。   For example, a power conversion device that supplies power to a large-capacity motor includes a plurality of semiconductor elements that generate a large amount of heat. As one of the structures for efficiently cooling a plurality of semiconductor elements, a power conversion device is a power unit in which a plurality of card-type semiconductor modules and a plurality of coolers that accommodate semiconductor elements are alternately stacked. (For example, Patent Documents 1 and 2). Since this power unit cools the card-type semiconductor module from both sides, the cooling efficiency is high. Furthermore, the power conversion device of Patent Document 2 includes an elastic member that pressurizes the power unit in the stacking direction of the semiconductor module and the cooler in order to increase cooling efficiency.

特開2013−121236号公報JP2013-121236A 特開2012−231591号公報JP 2012-231591 A

本願出願人は、上記のパワーユニットに、開口を有する本体とその開口を塞ぐ金属板によって構成される冷却器を採用することを提案した(特願2014−083469号、2014年4月15日出願、本願出願時には未公開)。その冷却器は、本体を樹脂で作ることができ、量産性に優れ、また、軽量である。その冷却器は、次の構造を備える。冷却器は、本体と金属板とガスケットを備えている。本体は、冷媒が流れる流路が内部に設けられており、半導体モジュールと対向する側面に流路と連通する開口が設けられている。ガスケットは、半導体モジュールと冷却器の積層方向からみて開口を囲むように開口の周囲の側面に配置されている。金属板は、一方の面がガスケットを挟んで開口を塞いでおり、他方の面が半導体モジュールと対向している。すなわち、金属板の一方の面は流路に面しており他方の面は半導体モジュールに対向している。なお、金属板と半導体モジュールは直接に接していてもよいし、絶縁板を挟んでいてもよい。電力変換装置は、上記した冷却器と半導体モジュールが積層されたパワーユニットとそのパワーユニットを積層方向に加圧する弾性部材を備えている。上記した冷却器は、弾性部材の加圧力によって開口と金属板の間の封止が確保される。冷却器の本体が熱伝導率の低い例えば樹脂で作られていても、半導体モジュールの熱は金属板を通して冷却器内の冷媒に効率よく吸収される。   The applicant of the present application has proposed to adopt a cooler composed of a main body having an opening and a metal plate that closes the opening for the power unit (Japanese Patent Application No. 2014-083469, filed on April 15, 2014, Not disclosed at the time of filing this application). The cooler can be made of a resin body, has excellent mass productivity, and is lightweight. The cooler has the following structure. The cooler includes a main body, a metal plate, and a gasket. The main body is provided with a flow path through which a coolant flows, and an opening communicating with the flow path is provided on a side surface facing the semiconductor module. The gasket is arranged on the side surface around the opening so as to surround the opening when viewed from the stacking direction of the semiconductor module and the cooler. One side of the metal plate closes the opening with a gasket interposed therebetween, and the other side faces the semiconductor module. That is, one surface of the metal plate faces the flow path, and the other surface faces the semiconductor module. Note that the metal plate and the semiconductor module may be in direct contact with each other or an insulating plate may be sandwiched therebetween. The power converter includes a power unit in which the above-described cooler and semiconductor module are stacked, and an elastic member that pressurizes the power unit in the stacking direction. In the cooler described above, sealing between the opening and the metal plate is ensured by the pressure applied by the elastic member. Even if the main body of the cooler is made of, for example, a resin having low thermal conductivity, the heat of the semiconductor module is efficiently absorbed by the refrigerant in the cooler through the metal plate.

上記の電力変換装置では、本体の開口の周囲と金属板の間にはガスケットが配置され、弾性部材の加圧力により、開口と金属板の間の封止が確保される。金属板は、本体と半導体モジュールに挟まれる。ここで、半導体モジュールの冷却効率を高めるため、開口は大きいことが好ましい。開口が大きいと、半導体モジュールと冷却器の積層方向からみたときにガスケットの一部が半導体モジュールと重ならないことが生じ得る。積層方向からみたときにガスケットと半導体モジュールが重なっている部分では、金属板に加わるガスケットの反力は、半導体モジュールが受ける。一方、半導体モジュールとガスケットが重ならない領域では、ガスケットの反力で金属板が撓み、開口と金属板の間の封止が弱まる虞がある。本明細書は、金属板が撓むことなく、冷却器の開口と金属板の間の封止性を高める技術を提供する。   In the above power conversion device, a gasket is disposed between the periphery of the opening of the main body and the metal plate, and sealing between the opening and the metal plate is ensured by the pressing force of the elastic member. The metal plate is sandwiched between the main body and the semiconductor module. Here, in order to increase the cooling efficiency of the semiconductor module, the opening is preferably large. When the opening is large, a part of the gasket may not overlap the semiconductor module when viewed from the stacking direction of the semiconductor module and the cooler. In a portion where the gasket and the semiconductor module overlap when viewed from the stacking direction, the reaction force of the gasket applied to the metal plate is received by the semiconductor module. On the other hand, in the region where the semiconductor module and the gasket do not overlap, the metal plate may be bent by the reaction force of the gasket, and the sealing between the opening and the metal plate may be weakened. This specification provides the technique which improves the sealing performance between the opening of a cooler, and a metal plate, without a metal plate bending.

本明細書が開示する電力変換装置は、上記したパワーユニットと弾性部材を備えている。今、一の半導体モジュールを挟んで隣接する一対の冷却器に着目する。パワーユニットにおいて、積層方向からみたときに、ガスケットは一部を除いて一の半導体モジュールと重なっている。そして、積層方向で一の半導体モジュールの両側に位置する一対の金属板の間の隙間であって積層方向からみたときにガスケットのその一部と重なる隙間に、その隙間を埋めるスペーサが嵌挿されている。積層方向で金属板と半導体モジュールが重ならない領域では、金属板に加わるガスケットの反力はスペーサが受けることになり、金属板が撓むことが防止される。この構造により、開口と金属板の封止性が高まる。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。   The power converter disclosed in this specification includes the above-described power unit and an elastic member. Attention is now paid to a pair of coolers adjacent to each other with one semiconductor module interposed therebetween. In the power unit, when viewed from the stacking direction, the gasket overlaps with one semiconductor module except for a part. A spacer is inserted into a gap between a pair of metal plates located on both sides of one semiconductor module in the stacking direction and overlapping a part of the gasket when viewed from the stacking direction. . In a region where the metal plate and the semiconductor module do not overlap in the stacking direction, the spacer receives the reaction force of the gasket applied to the metal plate, and the metal plate is prevented from being bent. With this structure, the sealing property between the opening and the metal plate is enhanced. Details and further improvements of the technology disclosed in this specification will be described in the following “DETAILED DESCRIPTION”.

実施例の電力変換装置(インバータ)の平面図である。It is a top view of the power converter device (inverter) of an Example. パワーユニットの斜視図である。It is a perspective view of a power unit. パワーユニットの部分分解斜視図である。It is a partial exploded perspective view of a power unit. 積層方向からみたときの金属板とガスケットと半導体モジュールの位置関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the positional relationship of a metal plate, a gasket, and a semiconductor module when it sees from a lamination direction. 一対の冷却器とそれらの間に挟まれる半導体モジュールの積層体を図4のV−V線に相当する断面でカットした図である。It is the figure which cut the laminated body of a semiconductor module pinched | interposed between a pair of cooler and them in the cross section corresponding to the VV line | wire of FIG. 一対の冷却器とそれらの間に挟まれる半導体モジュールの積層体を図4のVI−VI線に相当する断面でカットした図である。It is the figure which cut the laminated body of the semiconductor module pinched | interposed between a pair of cooler and them in the cross section corresponding to the VI-VI line of FIG. 半導体モジュールとスペーサの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of a semiconductor module and a spacer.

図面を参照して実施例の電力変換装置を説明する。実施例の電力変換装置は、電気自動車に搭載され、バッテリの直流電力を交流電力に変換し、走行モータに供給するインバータ100である。インバータ100は、バッテリの直流電力を昇圧する昇圧回路と、直流を交流に変換するインバータ回路を備える。昇圧回路とインバータ回路は良く知られているので回路構成の説明は省略する。   A power converter according to an embodiment will be described with reference to the drawings. The power converter of the embodiment is an inverter 100 that is mounted on an electric vehicle, converts DC power of a battery into AC power, and supplies the AC power to a traveling motor. Inverter 100 includes a booster circuit that boosts the DC power of the battery and an inverter circuit that converts DC to AC. Since the booster circuit and the inverter circuit are well known, description of the circuit configuration is omitted.

図1にインバータ100の平面図を示す。図1は、インバータ100の上カバーを外した平面図であり、ハウジング53の内部の部品レイアウトを示している。   FIG. 1 shows a plan view of the inverter 100. FIG. 1 is a plan view of the inverter 100 with the upper cover removed, and shows a component layout inside the housing 53.

インバータ100は、ハウジング53の中に、パワーユニット10、リアクトル55、2個のコンデンサ56、制御基板(不図示)を収容している。リアクトル55は、昇圧回路の一部品である。2個のコンデンサ56は、それぞれ、昇圧回路の入力側と出力側に並列に接続されており、電流を平滑化する。不図示の制御基板は、パワーユニット10の上に配置される。   The inverter 100 houses a power unit 10, a reactor 55, two capacitors 56, and a control board (not shown) in a housing 53. The reactor 55 is a component of the booster circuit. The two capacitors 56 are connected in parallel to the input side and the output side of the booster circuit, respectively, and smooth the current. A control board (not shown) is disposed on the power unit 10.

パワーユニット10は、複数の冷却器2a−2dと複数の半導体モジュール3a−3dが一つずつ交互に積層されたユニットである。半導体モジュール3a−3dのそれぞれは、半導体素子であるパワートランジスタを収容している。詳しい構造の説明は省略するが、1個の半導体モジュールに2個のパワートランジスタが収容されている。パワーユニット10は4個の半導体モジュール3a−3dを備えており、合計で8個のパワートランジスタがパワーユニット10に含まれている。複数のパワートランジスタが電力変換の主要部品、すなわち、前述した昇圧回路とインバータ回路の主要部品である。図1で不図示の制御基板が、各パワートランジスタのオンオフを制御する。   The power unit 10 is a unit in which a plurality of coolers 2a-2d and a plurality of semiconductor modules 3a-3d are alternately stacked one by one. Each of the semiconductor modules 3a to 3d accommodates a power transistor that is a semiconductor element. Although a detailed description of the structure is omitted, two power transistors are accommodated in one semiconductor module. The power unit 10 includes four semiconductor modules 3a to 3d, and a total of eight power transistors are included in the power unit 10. A plurality of power transistors are main components of power conversion, that is, main components of the above-described booster circuit and inverter circuit. A control board not shown in FIG. 1 controls on / off of each power transistor.

以下、説明を簡単にするため、複数の半導体モジュール3a−3dのいずれか一つを区別なく示すときには半導体モジュール3と表記する。同様に、複数の冷却器2a−2eのいずれか一つを区別なく示すときには冷却器2と表記する。積層方向(X方向)の端に位置する冷却器2d、2eの形状は他の冷却器2a−2cとは異なるが、冷却器2a−2eを冷却器2と総称する。冷却器2d、2eと他の冷却器2a−2cとの相違は後に説明する。   Hereinafter, in order to simplify the description, when any one of the plurality of semiconductor modules 3a to 3d is shown without distinction, it is referred to as a semiconductor module 3. Similarly, when any one of the plurality of coolers 2a-2e is shown without distinction, it is denoted as cooler 2. Although the shapes of the coolers 2d and 2e located at the end in the stacking direction (X direction) are different from those of the other coolers 2a to 2c, the coolers 2a to 2e are collectively referred to as the cooler 2. Differences between the coolers 2d and 2e and the other coolers 2a to 2c will be described later.

図中の座標系について説明する。X方向は複数の冷却器2と複数の半導体モジュール3の積層方向に相当する。冷却器2は、積層方向(X方向)から見て長尺であり、Y方向が冷却器の長手方向に相当する。説明の便宜上、Z方向を上下方向とする。   The coordinate system in the figure will be described. The X direction corresponds to the stacking direction of the plurality of coolers 2 and the plurality of semiconductor modules 3. The cooler 2 is long when viewed from the stacking direction (X direction), and the Y direction corresponds to the longitudinal direction of the cooler. For convenience of explanation, the Z direction is the vertical direction.

パワーユニット10は、ハウジング53の側壁53bと支柱53aの間に配置されている。パワーユニット10の積層方向の一端が側壁53bに当接しており、他端と支柱53aの間に板バネ54が挿入されている。板バネ54は、パワーユニット10に積層方向(図中のX方向)の圧力を加える。詳しくは後述するが、冷却器2の本体は半導体モジュール3と対向する側面に開口を有しており、その開口を金属板が封止している。板バネ54による圧力によって開口と金属板の間の封止が確保される。   The power unit 10 is disposed between the side wall 53b of the housing 53 and the support column 53a. One end of the power unit 10 in the stacking direction is in contact with the side wall 53b, and a leaf spring 54 is inserted between the other end and the column 53a. The leaf spring 54 applies pressure in the stacking direction (X direction in the figure) to the power unit 10. As will be described in detail later, the main body of the cooler 2 has an opening on the side surface facing the semiconductor module 3, and the opening is sealed by a metal plate. Sealing between the opening and the metal plate is ensured by the pressure of the leaf spring 54.

半導体モジュール3のY方向の両側にはスペーサ4a、4bが配置されている。符号を省略しているが、全ての半導体モジュール3の両側にスペーサ4a、4bが配置されている。スペーサ4a、4bについては後に詳しく説明する。   Spacers 4 a and 4 b are arranged on both sides of the semiconductor module 3 in the Y direction. Although not shown, spacers 4 a and 4 b are arranged on both sides of all the semiconductor modules 3. The spacers 4a and 4b will be described in detail later.

図2にパワーユニット10の斜視図を示す。半導体モジュール3は、上面に3個のパワー端子59a、59b、59cを備えている。半導体モジュール3の内部では2個のパワートランジスタが直列に接続されており、3個のパワー端子59a、59b、59cは、それぞれ、パワートランジスタの直列接続の高電位側端子、中点端子、低電位側端子に相当する。なお、図には示されていないが、半導体モジュール3の下面には、パワートランジスタのゲートに接続されているゲート端子が設けられている。   FIG. 2 is a perspective view of the power unit 10. The semiconductor module 3 includes three power terminals 59a, 59b, and 59c on the upper surface. Inside the semiconductor module 3, two power transistors are connected in series, and the three power terminals 59a, 59b, 59c are respectively a high potential side terminal, a middle point terminal, and a low potential of the power transistors connected in series. Corresponds to the side terminal. Although not shown in the drawing, a gate terminal connected to the gate of the power transistor is provided on the lower surface of the semiconductor module 3.

積層方向(X方向)の一方の端に位置する冷却器2dには各冷却器2に冷媒を供給する供給管51と各冷却器2を通過した冷媒を排出する排出管52が設けられている。供給管51と排出管52には不図示の冷媒循環器がつながっている。パワーユニット10が用いる冷媒は液体であり、典型的には水あるいは不凍液である。冷却器2の構造と冷媒の流れについては後述する。   The cooler 2d located at one end in the stacking direction (X direction) is provided with a supply pipe 51 that supplies a refrigerant to each cooler 2 and a discharge pipe 52 that discharges the refrigerant that has passed through each cooler 2. . A refrigerant circulator (not shown) is connected to the supply pipe 51 and the discharge pipe 52. The refrigerant used by the power unit 10 is a liquid, typically water or antifreeze. The structure of the cooler 2 and the refrigerant flow will be described later.

半導体モジュール3はカード型であり、各半導体モジュール3を一対の冷却器2が挟み込んでいる。別言すれば、隣接する一対の冷却器2の間にカード型の半導体モジュール3が挟まれている。各半導体モジュール3のY方向の両側にはスペーサ4a、4bが取り付けられている。スペーサ4a、4bの役割は後に説明する。また、半導体モジュール3と冷却器2の間には、絶縁板19が介挿されている。符号を省略しているが、全ての半導体モジュール3がパワー端子59a−59cを備える。また、全ての半導体モジュール3と冷却器の間に絶縁板19が介挿されている。   The semiconductor module 3 is a card type, and a pair of coolers 2 are sandwiched between the semiconductor modules 3. In other words, the card-type semiconductor module 3 is sandwiched between a pair of adjacent coolers 2. Spacers 4 a and 4 b are attached to both sides of each semiconductor module 3 in the Y direction. The role of the spacers 4a and 4b will be described later. An insulating plate 19 is interposed between the semiconductor module 3 and the cooler 2. Although not shown, all the semiconductor modules 3 are provided with power terminals 59a-59c. Insulating plates 19 are interposed between all the semiconductor modules 3 and the coolers.

図3に、パワーユニット10の部分分解斜視図を示す。図3は、パワーユニット10において隣接する一対の冷却器2a、2bと、それらに挟まれる半導体モジュール3bの分解斜視図である。なお、図示は省略しているが、冷却器2bの後方(X軸の負の方向)には半導体モジュール3cと冷却器2cが配置されている。隣接する冷却器2b、2cとそれらに挟まれる半導体モジュール3cの構造的関係は、冷却器2a、2b、半導体モジュール3bの構造的関係と同じである。また、図示は省略しているが、冷却器2aの前方(X軸の正の方向)には半導体モジュール3aと冷却器2dが配置されている。隣接する冷却器2d、2aとそれらに挟まれる半導体モジュール3aの構造的関係は、冷却器2a、2b、半導体モジュール3bの構造的関係と同じである。なお、パワーユニット10の一端に位置する冷却器2dは、半導体モジュール3aに面しない側の構造が他の冷却器と異なるが、半導体モジュール3aに面している側の構造は冷却器2a、2bと同じである。同様に、パワーユニット10の他端に位置する冷却器2eは、半導体モジュール3dに面しない側の構造が他の冷却器と異なるが、半導体モジュール3dに面している側の構造は冷却器2a、2bと同じである。以下では、冷却器2aと2bの半導体モジュール3bの側の構造を説明する。冷却器2aの半導体モジュール3aの側の構造、及び、冷却器2bの半導体モジュール3cの側の構造も同じであることに留意されたい。   FIG. 3 shows a partially exploded perspective view of the power unit 10. FIG. 3 is an exploded perspective view of a pair of adjacent coolers 2a and 2b in the power unit 10 and a semiconductor module 3b sandwiched between them. In addition, although illustration is abbreviate | omitted, the semiconductor module 3c and the cooler 2c are arrange | positioned behind the cooler 2b (negative direction of an X-axis). The structural relationship between the adjacent coolers 2b and 2c and the semiconductor module 3c sandwiched between them is the same as the structural relationship between the coolers 2a and 2b and the semiconductor module 3b. Although not shown, a semiconductor module 3a and a cooler 2d are disposed in front of the cooler 2a (in the positive direction of the X axis). The structural relationship between the adjacent coolers 2d and 2a and the semiconductor module 3a sandwiched between them is the same as the structural relationship between the coolers 2a and 2b and the semiconductor module 3b. The cooler 2d located at one end of the power unit 10 is different from the other coolers in the structure on the side not facing the semiconductor module 3a, but the structure on the side facing the semiconductor module 3a is the cooler 2a, 2b. The same. Similarly, the cooler 2e located at the other end of the power unit 10 is different from the other coolers in the structure not facing the semiconductor module 3d, but the structure facing the semiconductor module 3d is the cooler 2a, Same as 2b. Below, the structure by the side of the semiconductor module 3b of the coolers 2a and 2b is demonstrated. It should be noted that the structure on the semiconductor module 3a side of the cooler 2a and the structure on the semiconductor module 3c side of the cooler 2b are the same.

冷却器2bは、樹脂の射出成型で作られている本体20を備えている。本体20は、その内部に冷媒が通る流路201が設けられている。本体20の半導体モジュール3bと対向する側面231に開口211が設けられている。開口211は、内部の流路201と連通している。開口211を囲むように、本体20の側面231にリング状のガスケット241が配置される。開口211は、ガスケット241を介して金属板252で塞がれる。別言すれば、金属板252は、ガスケット241を挟んで開口211に取り付けられる。なお、金属板252は、本体20に取り付けられる前に絶縁板19を挟んで半導体モジュール3bに固定される。別言すれば、金属板252は、一方の面がガスケット241を挟んで開口211を塞いでおり、他方の面が絶縁板19を挟んで半導体モジュール3bと対向する。   The cooler 2b includes a main body 20 made by resin injection molding. The main body 20 is provided with a flow path 201 through which the refrigerant passes. An opening 211 is provided on a side surface 231 of the main body 20 facing the semiconductor module 3b. The opening 211 communicates with the internal flow path 201. A ring-shaped gasket 241 is disposed on the side surface 231 of the main body 20 so as to surround the opening 211. The opening 211 is closed with a metal plate 252 through a gasket 241. In other words, the metal plate 252 is attached to the opening 211 with the gasket 241 interposed therebetween. The metal plate 252 is fixed to the semiconductor module 3b with the insulating plate 19 interposed therebetween before being attached to the main body 20. In other words, one surface of the metal plate 252 closes the opening 211 with the gasket 241 interposed therebetween, and the other surface faces the semiconductor module 3b with the insulating plate 19 interposed therebetween.

冷却器2bの半導体モジュール3bとは反対側の構造を説明する前に、冷却器2aと半導体モジュール3bの構造的関係を説明する。冷却器2aも内部に流路201を備えており、半導体モジュール3bに対抗する側面232に開口212が設けられている。開口212は流路201と連通する。開口212は、ガスケット242を挟んで金属板251で封止される。なお、金属板251も金属板252と同様に、本体20に取り付けられる前に絶縁板19を挟んで半導体モジュール3bに固定される。別言すれば、金属板251は、一方の面がガスケット242を挟んで開口212を塞いでおり、他方の面が絶縁板19を挟んで半導体モジュール3bと対向する。   Before describing the structure of the cooler 2b opposite to the semiconductor module 3b, the structural relationship between the cooler 2a and the semiconductor module 3b will be described. The cooler 2a also includes a flow path 201 therein, and an opening 212 is provided on a side surface 232 facing the semiconductor module 3b. The opening 212 communicates with the flow path 201. The opening 212 is sealed with a metal plate 251 with the gasket 242 interposed therebetween. Note that, similarly to the metal plate 252, the metal plate 251 is fixed to the semiconductor module 3b with the insulating plate 19 interposed therebetween before being attached to the main body 20. In other words, one surface of the metal plate 251 closes the opening 212 with the gasket 242 interposed therebetween, and the other surface faces the semiconductor module 3b with the insulating plate 19 interposed therebetween.

冷却器2bの半導体モジュール3bとは反対側の構造は、冷却器2aの半導体モジュール3bの側の構造と同じである。また、冷却器2aの半導体モジュール3bとは反対側の構造は冷却器2bの半導体モジュール3bの側の構造と同じである。すなわち、冷却器2bの開口212もガスケットを挟んで別の金属板に封止される。冷却器2aの開口211もガスケットを挟んでさらに別の金属板に封止される。冷却器2a、2bは、積層方向の両側に開口211、212を備えており、それらの開口はガスケットを挟んで金属板で封止される。   The structure of the cooler 2b opposite to the semiconductor module 3b is the same as the structure of the cooler 2a on the semiconductor module 3b side. The structure of the cooler 2a opposite to the semiconductor module 3b is the same as the structure of the cooler 2b on the semiconductor module 3b side. That is, the opening 212 of the cooler 2b is also sealed with another metal plate with a gasket interposed therebetween. The opening 211 of the cooler 2a is also sealed with another metal plate with a gasket interposed therebetween. The coolers 2a and 2b are provided with openings 211 and 212 on both sides in the stacking direction, and these openings are sealed with a metal plate with a gasket interposed therebetween.

金属板251、252は、ねじ等で本体20に固定されていない。図1を参照して説明したように、板バネ54がパワーユニット10を積層方向に加圧しており、板バネ54の加圧力によって開口211(212)と金属板252(251)との間の封止が確保される。この構造はいずれの冷却器でも同じである。ただし、パワーユニット10の積層方向の両端面(冷却器2eの一方の側面と冷却器2dの一方の側面)には開口が設けられていない。   The metal plates 251 and 252 are not fixed to the main body 20 with screws or the like. As described with reference to FIG. 1, the leaf spring 54 pressurizes the power unit 10 in the stacking direction, and the sealing between the opening 211 (212) and the metal plate 252 (251) is applied by the pressure of the leaf spring 54. Stop is secured. This structure is the same for any cooler. However, openings are not provided on both end surfaces of the power unit 10 in the stacking direction (one side surface of the cooler 2e and one side surface of the cooler 2d).

冷却器2bの本体20のY方向の両側には、積層方向(X方向)に突出する筒部22が形成されている。筒部22は、リング状のガスケット25を挟んで隣接する冷却器2aの筒部22と接続される。すなわち、隣接する冷却器同士は筒部22でつながっている。筒部22の内側には、本体20を積層方向(X方向)に貫通する貫通孔221a(221b)が設けられており、その貫通孔221a(221b)は、本体20の内部で流路201と連通している。冷却器2bの後方には冷却器2cが配置されており、冷却器2bと2cの連結構造は、冷却器2aと2bの連結構造と同じである。パワーユニット10では、隣接する冷却器2同士が2個の貫通孔221a、221bで連通する。パワーユニット10では、供給管51(図1、図2参照)から供給された冷媒が一方の貫通孔221aを通じて各冷却器2に分配され、流路201をY方向に流れる。先に述べたように冷却器2bの本体20はY方向に長尺であり、冷媒は本体20の内部をその長尺方向に流れる。   On both sides in the Y direction of the main body 20 of the cooler 2b, cylindrical portions 22 protruding in the stacking direction (X direction) are formed. The cylindrical part 22 is connected to the cylindrical part 22 of the adjacent cooler 2a with the ring-shaped gasket 25 interposed therebetween. That is, the adjacent coolers are connected by the cylindrical portion 22. A through hole 221 a (221 b) that penetrates the main body 20 in the stacking direction (X direction) is provided inside the cylindrical portion 22, and the through hole 221 a (221 b) is connected to the flow path 201 inside the main body 20. Communicate. A cooler 2c is arranged behind the cooler 2b, and the connection structure between the coolers 2b and 2c is the same as the connection structure between the coolers 2a and 2b. In the power unit 10, adjacent coolers 2 communicate with each other through two through holes 221a and 221b. In the power unit 10, the refrigerant supplied from the supply pipe 51 (see FIG. 1 and FIG. 2) is distributed to each cooler 2 through one through hole 221a, and flows through the flow path 201 in the Y direction. As described above, the main body 20 of the cooler 2b is long in the Y direction, and the refrigerant flows through the inside of the main body 20 in the long direction.

冷媒は流路201を通過する間に隣接する半導体モジュール3の熱を、金属板251、252を介して吸収する。半導体モジュール3の熱を吸収した冷媒は、他方の貫通孔221bを通じて排出管52(図1、図2参照)から排出される。先に述べたようにパワーユニット10には不図示の冷媒循環器が接続されており、排出管52から排出された冷媒はラジエータなどで冷却されて再びパワーユニット10へと送られる。   The refrigerant absorbs the heat of the adjacent semiconductor module 3 through the metal plates 251 and 252 while passing through the flow path 201. The refrigerant that has absorbed the heat of the semiconductor module 3 is discharged from the discharge pipe 52 (see FIGS. 1 and 2) through the other through-hole 221b. As described above, a refrigerant circulator (not shown) is connected to the power unit 10, and the refrigerant discharged from the discharge pipe 52 is cooled by a radiator or the like and sent to the power unit 10 again.

金属板251(252)の本体20を向く面には多数のピンフィン26が設けられている。金属板251(252)は、開口212(211)を通じて流路201に面しており、冷媒に直接に触れる。半導体モジュール3bの熱は金属板251(252)とピンフィン26を介して流路201を通る冷媒に効率よく吸収される。   A large number of pin fins 26 are provided on the surface of the metal plate 251 (252) facing the main body 20. The metal plate 251 (252) faces the flow path 201 through the opening 212 (211) and directly touches the refrigerant. The heat of the semiconductor module 3b is efficiently absorbed by the refrigerant passing through the flow path 201 through the metal plate 251 (252) and the pin fins 26.

他の半導体モジュール3a、3c、3dも、半導体モジュール3bと同様にカード型であり、その両側から一対の冷却器2に挟まれている。半導体モジュール3a、3c、3dも、両側の冷却器2によって効果的に冷却される。冷却器2の本体20の上部には、軽量化のための溝204が設けられている。   The other semiconductor modules 3a, 3c, and 3d are also card type like the semiconductor module 3b, and are sandwiched between the pair of coolers 2 from both sides. The semiconductor modules 3a, 3c, and 3d are also effectively cooled by the coolers 2 on both sides. A groove 204 for reducing the weight is provided in the upper part of the main body 20 of the cooler 2.

半導体モジュール3bのY方向の両側のそれぞれにはスペーサ4a、4bが取り付けられる。スペーサ4a、4bは、半導体モジュール3bのX方向の両側に配置される金属板251、252の間の隙間を埋める。スペーサ4a、4bも樹脂で作られている。図3では、半導体モジュール3bから離した位置にスペーサ4a、4bを描き、半導体モジュール3bに取り付けられた状態のスペーサ4a、4bを仮想線で描いてある。   Spacers 4a and 4b are attached to both sides of the semiconductor module 3b in the Y direction. The spacers 4a and 4b fill a gap between the metal plates 251 and 252 arranged on both sides in the X direction of the semiconductor module 3b. The spacers 4a and 4b are also made of resin. In FIG. 3, spacers 4a and 4b are drawn at positions away from the semiconductor module 3b, and the spacers 4a and 4b attached to the semiconductor module 3b are drawn with phantom lines.

スペーサ4a、4bの役割について説明する。図4に、積層方向(X方向)からみたときの金属板251とガスケット242と半導体モジュール3bとスペーサ4a、4bの位置関係を示す模式図を示す。図を理解し易くするため、半導体モジュール3bを右上がりのハッチングで示してあり、スペーサ4a、4bを右下がりのハッチングで示してある。また、金属板251にはドットハッチングを施してある。さらに、一点鎖線は冷却器2aの本体20の開口212を示しており、点線はガスケット242を示している。   The role of the spacers 4a and 4b will be described. FIG. 4 is a schematic diagram showing a positional relationship among the metal plate 251, the gasket 242, the semiconductor module 3b, and the spacers 4a and 4b when viewed from the stacking direction (X direction). In order to facilitate understanding of the figure, the semiconductor module 3b is shown with a right-up hatching, and the spacers 4a and 4b are shown with a right-down hatching. The metal plate 251 is dot-hatched. Furthermore, the alternate long and short dash line indicates the opening 212 of the main body 20 of the cooler 2 a, and the dotted line indicates the gasket 242.

ガスケット242は、積層方向(X方向)からみて開口212を囲むように、開口212の周囲で本体20の側面に配置されている。半導体モジュール3bの効率よく冷却するため、開口212は大きく設けられている。なお、クロスハッチの領域は、積層方向からみたときに半導体モジュール3bの一部とスペーサ4a(4b)の一部が重なっていることを示している。半導体モジュール3bの一部とスペーサ4a(4b)の一部が重なっているのは、図3に示されているように、半導体モジュール3bのY方向の側面がくさび状に突出しており、スペーサ4a(4b)がそのくさび状の突出部に嵌合するようにV字の溝を有しているからである。図4に示すように、積層方向(X方向)からみたとき、開口212を囲むリング状のガスケット242は、一部を除いて半導体モジュール3bと重なっている。半導体モジュール3bと重なっていないその一部は、スペーサ4a(4b)と重なる。なお、リング状のガスケット242は、そのすべてが金属板251とも重なっている。   The gasket 242 is disposed on the side surface of the main body 20 around the opening 212 so as to surround the opening 212 when viewed from the stacking direction (X direction). In order to efficiently cool the semiconductor module 3b, the opening 212 is provided large. The cross-hatched region indicates that a part of the semiconductor module 3b and a part of the spacer 4a (4b) are overlapped when viewed from the stacking direction. A part of the semiconductor module 3b and a part of the spacer 4a (4b) overlap each other because, as shown in FIG. 3, the side surface in the Y direction of the semiconductor module 3b protrudes in a wedge shape. This is because (4b) has a V-shaped groove so as to be fitted to the wedge-shaped protrusion. As shown in FIG. 4, when viewed from the stacking direction (X direction), the ring-shaped gasket 242 surrounding the opening 212 overlaps the semiconductor module 3b except for a part thereof. A portion of the semiconductor module 3b that does not overlap the semiconductor module 3b overlaps the spacer 4a (4b). Note that all of the ring-shaped gasket 242 also overlaps with the metal plate 251.

図5は、隣接する一対の冷却器2a、2bとそれらに挟まれる半導体モジュール3bの積層体を、図4のV−V線に相当する断面でカットした図である。ただし、図5では積層体の下半分は図示を省略した。また、半導体モジュール3bと金属板251(252)の間に挟まれている絶縁板19(図3参照)も図示を省略した。図5の断面においては、積層方向(X方向)からみて、ガスケット241(242)と半導体モジュール3bが重なっている。先に述べたように、パワーユニット10は、板バネ54(図1参照)によって積層方向(X方向)に加圧されており、その加圧力によって、開口212(211)と金属板251(252)の封止が確保されている。金属板251(252)は、ガスケット242(241)から反力(板バネ54の加圧力に対する反力)を受ける。一方、金属板251(252)はガスケット242(241)の反対側を半導体モジュール3bによって支えらえている。よって、金属板251(252)は、ガスケット242(241)から反力を受けても撓むことはない。   FIG. 5 is a view in which a stacked body of a pair of adjacent coolers 2a and 2b and a semiconductor module 3b sandwiched between them is cut along a cross section corresponding to the line V-V in FIG. However, the lower half of the laminate is not shown in FIG. The illustration of the insulating plate 19 (see FIG. 3) sandwiched between the semiconductor module 3b and the metal plate 251 (252) is also omitted. In the cross section of FIG. 5, the gasket 241 (242) and the semiconductor module 3b overlap each other when viewed from the stacking direction (X direction). As described above, the power unit 10 is pressurized in the stacking direction (X direction) by the leaf spring 54 (see FIG. 1), and the opening 212 (211) and the metal plate 251 (252) are applied by the applied pressure. Sealing is ensured. The metal plate 251 (252) receives a reaction force (reaction force against the pressure force of the leaf spring 54) from the gasket 242 (241). On the other hand, the metal plate 251 (252) supports the opposite side of the gasket 242 (241) by the semiconductor module 3b. Therefore, even if the metal plate 251 (252) receives a reaction force from the gasket 242 (241), it does not bend.

なお、パワー端子59bは半導体モジュール3bの内部でパワートランジスタ58と接続している。パワー端子59bはその一部が金属板251と対向する位置で半導体モジュール3bから露出している。それゆえ、パワー端子59b等と金属板251との間を絶縁すべく、金属板251と半導体モジュール3bの間に絶縁板19(図3参照)が配置される。先に述べたように、図5では、半導体モジュール3bと金属板251(252)の間に挟まれる絶縁板19の図示を省略していることに留意されたい。   The power terminal 59b is connected to the power transistor 58 inside the semiconductor module 3b. A part of the power terminal 59 b is exposed from the semiconductor module 3 b at a position facing the metal plate 251. Therefore, an insulating plate 19 (see FIG. 3) is disposed between the metal plate 251 and the semiconductor module 3b in order to insulate the power terminal 59b and the like from the metal plate 251. As described above, it should be noted that the illustration of the insulating plate 19 sandwiched between the semiconductor module 3b and the metal plate 251 (252) is omitted in FIG.

金属板252も他のパワー端子59a又は59cと対向しているため、金属板252と半導体モジュール3bとの間にも絶縁板19(図5では不図示)が配置される。さらにまた、半導体モジュール3bは、パワートランジスタ58を樹脂で封止したデバイスであり、そのボディは樹脂で作られている。他の半導体モジュール3a、3c、3dについても同様である。図5において、符号26は金属板251(252)に設けられているピンフィンを示している。符号204は、先に説明したように、本体20を軽量化するための溝を示している。符号205は、ガスケット241(242)を収めるための溝を示している。   Since the metal plate 252 is also opposed to the other power terminals 59a or 59c, the insulating plate 19 (not shown in FIG. 5) is also disposed between the metal plate 252 and the semiconductor module 3b. Furthermore, the semiconductor module 3b is a device in which the power transistor 58 is sealed with resin, and its body is made of resin. The same applies to the other semiconductor modules 3a, 3c, 3d. In FIG. 5, the code | symbol 26 has shown the pin fin provided in the metal plate 251 (252). Reference numeral 204 denotes a groove for reducing the weight of the main body 20 as described above. Reference numeral 205 denotes a groove for accommodating the gasket 241 (242).

図6は、隣接する一対の冷却器2a、2bとそれらに挟まれる半導体モジュール3bの積層体を、図4のVI−VI線に相当する断面でカットした図である。図6の断面では、積層方向(X方向)からみて、ガスケット242(241)と半導体モジュール3bは重なっていない。そのかわり、半導体モジュール3bのY方向の端にスペーサ4aが取り付けられており、そのスペーサ4aが、積層方向(X方向)からみてガスケット242(241)と重なる。スペーサ4aは、半導体モジュール3bの積層方向(X方向)の両側に位置する一対の金属板251、252の間の隙間であって積層方向(X方向)からみたときにガスケット242及び241と重なる隙間に、その隙間を埋めるように配置されている。先に述べたように、板バネ54(図1参照)によって金属板251(252)はガスケット242(241)に押しつけられており、金属板251(252)は、ガスケット242(241)から反力を受ける。図6の断面によく示されているように、金属板251(252)は、ガスケット242(241)の反対側をスペーサ4aによって支持されており、ガスケット242(241)から反力を受けても撓むことがない。   FIG. 6 is a diagram in which a stacked body of a pair of adjacent coolers 2a and 2b and a semiconductor module 3b sandwiched between them is cut along a cross-section corresponding to the VI-VI line in FIG. In the cross section of FIG. 6, the gasket 242 (241) and the semiconductor module 3 b do not overlap when viewed from the stacking direction (X direction). Instead, a spacer 4a is attached to the end of the semiconductor module 3b in the Y direction, and the spacer 4a overlaps the gasket 242 (241) when viewed from the stacking direction (X direction). The spacer 4a is a gap between the pair of metal plates 251 and 252 located on both sides in the stacking direction (X direction) of the semiconductor module 3b and overlaps with the gaskets 242 and 241 when viewed from the stacking direction (X direction). In addition, it is arranged so as to fill the gap. As described above, the metal plate 251 (252) is pressed against the gasket 242 (241) by the plate spring 54 (see FIG. 1), and the metal plate 251 (252) is caused to react with the reaction force from the gasket 242 (241). Receive. As well shown in the cross section of FIG. 6, the metal plate 251 (252) is supported by the spacer 4a on the opposite side of the gasket 242 (241), and even if it receives a reaction force from the gasket 242 (241). There is no bending.

図示を省略しているが、スペーサ4aとは反対側の半導体モジュール3bの端にはスペーサ4bが取り付けられており、図6と同様の構造をなしている。板バネ54(図1参照)によって金属板251(252)はガスケット242(241)に押し付けられる。金属板251(252)はガスケット242(241)から反力を受ける。図5と図6から理解されるように、金属板251(252)は、ガスケット242(241)の反対側を半導体モジュール3b又はスペーサ4a、4bによって支持されているため、ガスケット242(241)の反力を受けても撓むことがない。よって、開口212(211)と金属板251(252)の間の封止性が高まる。   Although not shown, the spacer 4b is attached to the end of the semiconductor module 3b opposite to the spacer 4a, and has the same structure as FIG. The metal plate 251 (252) is pressed against the gasket 242 (241) by the leaf spring 54 (see FIG. 1). The metal plate 251 (252) receives a reaction force from the gasket 242 (241). As understood from FIGS. 5 and 6, the metal plate 251 (252) is supported on the opposite side of the gasket 242 (241) by the semiconductor module 3b or the spacers 4a and 4b, so that the gasket 242 (241) Even if it receives reaction force, it does not bend. Therefore, the sealing performance between the opening 212 (211) and the metal plate 251 (252) is improved.

スペーサ4a、4bは、半導体モジュール3bの筐体の樹脂とは異なる樹脂で作られている。スペーサ4a、4bは、接着剤で半導体モジュール3bに接合される。スペーサ4a、4bは、半導体モジュール3bの両側に金属板251、252を取り付けた後に、それら金属板251、252の間の隙間に熱硬化性樹脂を流し込んで形成してもよい。   The spacers 4a and 4b are made of a resin different from the resin of the housing of the semiconductor module 3b. The spacers 4a and 4b are bonded to the semiconductor module 3b with an adhesive. The spacers 4a and 4b may be formed by attaching the metal plates 251 and 252 to both sides of the semiconductor module 3b and then pouring a thermosetting resin into the gap between the metal plates 251 and 252.

半導体モジュール3a、3c、3dのY方向の両端にもスペーサ4a、4bが取り付けられており、各半導体モジュール3の両側に配置されている一対の金属板の間の隙間を埋めており、ガスケットの反力を支える。   Spacers 4a, 4b are also attached to both ends of the semiconductor modules 3a, 3c, 3d in the Y direction, filling a gap between a pair of metal plates arranged on both sides of each semiconductor module 3, and the reaction force of the gasket Support.

なお、本体20の開口212、211の周囲には溝205が設けられており、その溝205にガスケット241、242が配置される。溝205は、図1〜図4では図示を省略してあった。また、冷却器2a、2bの筒部22の端面には、貫通孔221a(221b)を囲むように溝207が設けられており、その溝207にガスケット25が配置される。図1〜図4では溝207の図示を省略してあった。   A groove 205 is provided around the openings 212 and 211 of the main body 20, and gaskets 241 and 242 are disposed in the groove 205. The groove 205 is not shown in FIGS. Moreover, the groove | channel 207 is provided in the end surface of the cylinder part 22 of the coolers 2a and 2b so that the through-hole 221a (221b) may be enclosed, and the gasket 25 is arrange | positioned in the groove | channel 207. 1-4, illustration of the groove | channel 207 was abbreviate | omitted.

図7に、半導体モジュールとスペーサの変形例の断面図を示す。図7は、図6に相当する断面である。図7の半導体モジュール103bとスペーサ104以外の部品は図6に示した部品と同じである。半導体モジュール103bは、Y方向の端面に突出部105を備えており、一方、スペーサ104は、突出部105に対向したくぼみ106を備えている。スペーサ104を半導体モジュール103bに取り付ける際、突出部105とくぼみ106が嵌合し、スペーサ104がより強固に半導体モジュール103bに接合する。   FIG. 7 shows a cross-sectional view of a modified example of the semiconductor module and the spacer. FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to FIG. Components other than the semiconductor module 103b and the spacer 104 in FIG. 7 are the same as those shown in FIG. The semiconductor module 103 b includes a protruding portion 105 on the end surface in the Y direction, while the spacer 104 includes a recess 106 that faces the protruding portion 105. When the spacer 104 is attached to the semiconductor module 103b, the protrusion 105 and the recess 106 are fitted, and the spacer 104 is more firmly joined to the semiconductor module 103b.

実施例の電力変換装置はバッテリの直流電力を交流電力に変換するインバータ100であった。本明細書が開示する技術は、インバータ以外の電力変換装置に適用することも好適である。   The power converter of the example was the inverter 100 that converts the DC power of the battery into AC power. The technology disclosed in this specification is also preferably applied to a power conversion device other than an inverter.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。   Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above. The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.

2、2a―2d:冷却器
3、3a―3d、103b:半導体モジュール
4a、4b、104:スペーサ
10:パワーユニット
19:絶縁板
20:本体
22:筒部
25:ガスケット
26:ピンフィン
51:供給管
52:排出管
53:ハウジング
54:板バネ
55:リアクトル
56:コンデンサ
58:パワートランジスタ
59a、59b、59c:パワー端子
100:インバータ
201:流路
211、212:開口
241、242:ガスケット
251、252:金属板
2, 2a-2d: coolers 3, 3a-3d, 103b: semiconductor modules 4a, 4b, 104: spacer 10: power unit 19: insulating plate 20: main body 22: cylinder part 25: gasket 26: pin fin 51: supply pipe 52 : Discharge pipe 53: Housing 54: Leaf spring 55: Reactor 56: Capacitor 58: Power transistors 59 a, 59 b, 59 c: Power terminal 100: Inverter 201: Channel 211, 212: Openings 241, 242: Gaskets 251, 252: Metal Board

Claims (1)

半導体素子を収容しているカード型の複数の半導体モジュールと複数の冷却器が一つずつ交互に積層されている積層型のパワーユニットと、
前記半導体モジュールと前記冷却器の積層方向に前記パワーユニットを加圧する弾性部材と、
を備えており、
一の半導体モジュールを挟んで隣接している一対の前記冷却器のそれぞれは、
冷媒が流れる流路が内部に設けられており、前記一の半導体モジュールと対向する側面に前記流路と連通する開口が設けられている本体と、
前記積層方向からみたときに前記開口を囲むように前記側面に配置されているガスケットと、
一方の面が前記ガスケットを挟んで前記開口を塞いでおり、他方の面が前記一の半導体モジュールと対向している金属板と、
を備えており、
前記弾性部材の加圧力によって前記開口と前記金属板の間の封止が確保されており、
前記積層方向からみたときに、前記ガスケットは一部を除いて前記一の半導体モジュールと重なっており、
前記積層方向で前記一の半導体モジュールの両側に位置する一対の前記金属板の間の隙間であって前記積層方向からみたときに前記ガスケットの前記一部と重なる隙間に、当該隙間を埋めるスペーサが嵌挿されている、
ことを特徴とする電力変換装置。
A stacked power unit in which a plurality of card-type semiconductor modules containing semiconductor elements and a plurality of coolers are alternately stacked;
An elastic member that pressurizes the power unit in the stacking direction of the semiconductor module and the cooler;
With
Each of the pair of coolers adjacent to each other across one semiconductor module
A flow path through which a coolant flows is provided inside, and a main body provided with an opening communicating with the flow path on a side surface facing the one semiconductor module;
A gasket disposed on the side surface so as to surround the opening when viewed from the stacking direction;
A metal plate whose one surface closes the opening across the gasket and whose other surface faces the one semiconductor module;
With
The sealing between the opening and the metal plate is ensured by the pressure of the elastic member,
When viewed from the stacking direction, the gasket is overlapped with the one semiconductor module except for a part,
A spacer for filling the gap is inserted into a gap between a pair of the metal plates located on both sides of the one semiconductor module in the stacking direction and overlapping the part of the gasket when viewed from the stacking direction. Being
The power converter characterized by the above-mentioned.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019208346A (en) * 2018-05-30 2019-12-05 株式会社デンソー Electric power conversion apparatus

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