JP2017009610A - 応力及び温度補償型ホールセンサ並びに方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ホールセンサ11と、第1の応力感度及び第1の温度感度を有する第1の横等方性センサ21と、第2の応力感度SS2及び第2の温度感度を有する第2の横等方性センサ31と、任意の増幅手段13と、デジタル化手段14と、2つのみのパラメータを含むn次多項式として表現され得る所定の式に基づいて応力及び温度が補償されたホール値をデジタルドメインにおいて計算するように構成された計算手段と、を備える、磁界を測定するための半導体集積デバイス100。これらのパラメータは、センサ素子から直接取得されてもよく、又はそれらは、2つの連立方程式の組から計算されてもよい。ホール電圧信号を取得し、応力及び温度のドリフトに関して該信号を補償する。
【選択図】図1
Description
i)応力に対する異なる感度(SS1<>SS2)(TS1がTS2に等しいか、ほぼ等しいか、等しくないかを問わない)、又は
ii)温度に対する異なる感度(TS1<>TS2)(SS1がSS2に等しいか、ほぼ等しいか、等しくないかを問わない)、又は
iii)機械的応力及び温度の両方に対する異なる感度(SS1<>SS2及びTS1<>TS2)。
2つの連立方程式の組は、以下のように書かれてもよく、
したがって、
本発明の実施形態では、多項式[8]及び[9]の両方は、4次多項式であり(K=4及びL=4を意味する)、式中、1つ以上の係数はゼロであってもよい。
第1の実施例では、以下の2次多項式の組が使用される。
実施例1の変形例では、一部の係数は、ゼロに等しく選択され、その結果、決定され記憶されるべき係数がより少なくなり、解かれるべき式がより単純になる。第2の実施例の式の組は、以下である。
第3の実施例は、実際は、第2の実施例と同じであるが、別様に定式化されている。この実施例の主な理由は、多項式表現を使用して「温度依存性の係数」を表すこともできることを示すことである。式の組[11]、[12]は、以下のように書き換えられてもよい。
上で言及されたように、更に単純な変形例が、特定の値をゼロに設定することによって定式化されてもよい。例えば、実施例2の係数α11及びβ11(式[12]、[13])もゼロに設定される場合、式の組は、以下になる。
「真の温度」を表すΔTの値(機械的応力に無感応な理想的な温度センサから得られるであろうような)及び「真の機械的応力」を表すΔσisoの値(温度に無感応な理想的な機械的応力センサから得られるであろうような)が、どのようにして、理想的ではない第1のセンサ及び第2のセンサから多項式の組を使用して得られ得るのかが、上で説明された。
本発明の具体的な実施形態では、式[21]の多項式は、2次多項式であり(M=2であり、2次係数のうち少なくとも1つが非ゼロであることを意味する)、これは、約−20℃〜約+150℃又はそれどころか−40℃〜約+170℃の温度範囲において、非常に正確な結果を提供し得る。
γ11=γ12=γ20=γ21=γ22=0。この実施形態は、3つの係数のみが曲線近似によって決定される必要があるという利点を有する(すなわち、γ01、γ02、γ10)。
第1の実施例では、以下の補正係数CFが使用される。
実施例1の変形例では、一部の係数は、ゼロに等しく選択され、その結果、決定され記憶されるべき係数は、より少なくなり、解かれるべき式は、より単純になる。第2の実施例の補正係数は、以下である。
第3の実施例は、実際は、第2の実施例と同じであるが、別様に定式化されている。この実施例の主な理由は、多項式表現を使用して「温度依存性の係数」を表すこともできることを示すことである。式[23]は、以下のように書き換えられてもよい。
上で言及されたように、特定の値をゼロに設定することによって、補正式の更に単純な変形例が使用されてもよい。例えば、実施例2の係数γ11もゼロに設定される場合、補正係数は、以下になる。
第2の式の例として(式[22]を参照)、P=2及びQ=2である実施形態では、CFは、以下のように書かれてもよい。
更に別の実施例として、多項式CFは、以下のように書かれてもよい。
又は
除算を有する式[20]の代替物として、補償されたホール電圧は、以下の式を使用しても近似されてもよい。
式[21]に関して述べられた全てのことは、式[32]にも当てはまり、例えば、この多項式は、2つの多項式の積としても定式化されてもよく、例えば、特定の実施形態では、この多項式は、1次、2次、3次、又はより高次であってもよく、次数Rは、K及びLから独立して選択されてもよい。(K、L、M)の組に関して上で言及されたのと同じ表が、(K、L、R)の組等にも当てはまる。式[30]及び[31]又はそれらの特定の実施例を使用することは、除算を回避することができ、典型的により少ない処理時間を必要とする乗算によって置き換えることができるという利点を有する。
ここまで答えられずに残っている疑問は、「以下を有する横等方性抵抗器のみを有する2つのセンサをどのようにして作製するか」である。
i)(SS1<>SS2)、又は
ii)(TS1<>TS2)、又は
iii)(SS1<>SS2及びTS1<>TS2)
多項式に照らして、項SS1、SS2、TS1、TS2は、それぞれ、主として項(Δσiso)及び(ΔT)の1次係数に言及し、したがって、SS1は、α10に言及し(又はそれと高い相関性を有し)、SS2は、β10に言及し、TS1は、α01に言及し、TS2は、β01に言及していることを理解すると、この条件は、今や以下のように再定式化され得る。
i)(α10<>β10)、又は
ii)(α01<>β01)、又は
iii)(α10<>β10)及び(α01<>β01)
又は数学的用語で述べると、式の組は、「独立」である必要がある。実務上は、これは、比率α10/α01は、比率β10/β01から、例えば、少なくとも1.1倍、好ましくは少なくとも1.5倍異ならなければならないこととして要約される。
−pポリ抵抗器、
−pウェル抵抗器(特定のドーピング濃度を有する)、
−nウェル抵抗器(特定のドーピング濃度を有する)、
−本明細書において「p−diff抵抗器」としても呼ばれる高濃度ドープされたp型抵抗器、
−本明細書において「n−diff抵抗器」としても呼ばれる高濃度ドープされたn型抵抗器、
−等
ゼロ又はほぼゼロの応力感度を有する「純粋な」(又は理想的な若しくはほぼ理想的な)温度センサである必要はないが、本明細書において「温度センサ」21としても呼ばれる第1のセンサ21。本発明によれば、第1のセンサ21は、ゼロとは非常に異なる、例えば少なくとも1.0mV/Kの温度感度TS1を有し、ゼロに近くても近くなくてもよい(例えば、20mV/GPaよりも小さい若しくは大きい、又はそれに等しい)応力感度SS1を有する。
当技術分野で既知の方法でスピン流又はスピン圧をホール素子に適用する切り替え手段12。図1に示されているデバイス100の切り替え手段12は、ホール素子の出力、第1のセンサ21の出力、及び第2のセンサ31の出力のうちの1つを増幅器13の入力に選択的に接続するように更に適合されている。
増幅されたホール信号、増幅された第1のセンサ信号、及び増幅された第2のセンサ信号を選択的に増幅するアナログ−デジタル変換器14(ADC)。
ADC14からデジタル化された値を受け取るように構成され、切り替え手段12を制御するように構成された、例えばマイクロプロセッサ又はDSP(デジタル信号プロセッサ)等のコントローラ。コントローラは、不揮発性メモリ(ROM、FLASH、又はEPROM等)及びRAM等の揮発性メモリを備えていてもよいメモリ16に接続されている。不揮発性メモリは、例えば、オフセット値Voffset1、Voffset2、及び定数αij、βij、γij、又はどの式が使用されるかに応じて、δij、νi、ηi、及び/又は任意に(一部の実施形態では)少なくとも2つの異なる温度についてのε1、ε2、λ1、λ2の値の(小さな)リスト(例えば、どの式が使用されるかに応じて、階段関数、又は区分的直接近似若しくは区分的2次近似を表す短いリストによる)等の、デバイス100に関する較正データを含む。
i)異なる応力感度(SS1<>SS2)、又は
ii)異なる温度感度(TS1<>TS2)、又は
iii)応力及び温度の両方に対する異なる感度(SS1<>SS2及びTS1<>TS2)、
又は数学的により正確な方法で述べると、比率α10/α01が比率β10/β01とは異なるように設計され得る。
当然ながら、4つの全ての材料を異なるように選択することも可能である。
本発明の実際の実装(そのレイアウトは図示されないが、図11のそれに似通っている)では、ホール素子は、約40μm×40μmのサイズを有し、第1のセンサ(温度センサ)は、pウェル及びpポリの抵抗片から作製され、第2のセンサ(応力センサ)は、p−diff及びn−diffの抵抗片から作製された。この特定の実施形態については、第1のセンサ及び第2のセンサに関して、以下の式の組が見出された。
所望される場合、とりわけ(ΔT)が小さい場合は、いくつかのより高次の項は無視されてもよいことが留意される。
しかし当然ながら、これは、単なる例であり、他の材料及び/又は幾何形状が選択される場合は、値は、この例とは異なるであろう。
実際の実装では、1つ以上のホール素子、並びに1つ以上の温度センサ及び1つ以上の応力センサに関して、例えば以下のような、いくつかの配置が可能である。
1)単一のホール素子、単一の温度センサ、単一の応力センサ。全て、チップ上の離隔した位置にある(例えば、ホール素子のすぐ近くにはない)、
2)単一のホール素子、単一の温度センサ、単一の応力センサ。温度センサは、ホール素子の周囲に配置され、応力センサは、チップ上の離隔した位置にある(例えば、ホール素子のすぐ近くにはない)
3)単一のホール素子、単一の温度センサ、単一の応力センサ。応力センサは、ホール素子の周囲に配置され、温度センサは、チップ上の離隔した位置にある(例えば、ホール素子のすぐ近くにはない)
4)単一のホール素子、単一の温度センサ、単一の応力センサ。温度センサ及び応力センサの両方は、ホール素子の周囲に配置されている。(例えば、図8及び図11)
5)複数のホール素子、単一の温度センサ、単一の応力センサ
6)複数のホール素子、複数の温度センサ、単一の応力センサ
7)複数のホール素子、単一の温度センサ、複数の応力センサ(例えば、図12に示されているような)
8)複数のホール素子、複数の温度センサ、複数の応力センサ
9)単一のホール素子、並びに複数の温度センサ、及び複数の応力センサ
図13は、本発明の実施形態による方法1300の流れ図を示している。
工程(b)では、第1のセンサ21(温度センサ)の出力信号が取得され、
工程(c)では、第2のセンサ31(応力センサ)の出力信号が取得され、
工程(d)では、差動増幅器13によって、ホールセンサ信号が増幅され、任意に第1のセンサ21からの信号が増幅され、任意に第2のセンサ31からの信号が増幅され、
工程(e)では、増幅されたホール信号、第1のセンサ21からの信号V1(任意に増幅後)、及び第2のセンサ31からの信号V2(任意に増幅後)がADC14においてデジタル化され、コントローラ15に入力され、
工程(f)では、センサ1及びセンサ2の値V1、V2が、上述の式の組のうちの1つ(例えば[18]及び[19])に挿入され、コントローラ15の計算ユニットが、デジタルドメインにおいて式の組を解くことによって、応力から自由な温度「ΔT」の値及び温度から自由な応力「Δσiso」の値を計算し、
工程(g)では、工程(f)で見出されたデジタル値VH並びに応力の値Δσiso及び温度のΔTが、例えば式[20]及び[26]に挿入され、応力及び温度に関して補償されたデジタルのホール出力値VHcompが取得される。
第1の実施例では、以下の補正式が使用されてもよい。
第2の実施例では、以下の補正式が使用されてもよい。
好ましい実施形態では、補正係数CF、CFbの多項式は、以下のうちの1つである。
i)変数ΔV1、ΔV2の両方を含む2次多項式、又は
ii)第1のセンサ及び第2のセンサ21、31(本明細書において「温度センサ」として呼ばれる)のうち最高温度感度TS1を有するセンサに関する変数ΔV1において3次、第2のセンサ(本明細書において「応力センサ」として呼ばれる)に関する他方の変数ΔV2において1次の多項式、又は
iii)第1のセンサ及び第2のセンサ21、31のうち最高温度感度TS1を有するセンサに関する変数ΔV1において4次、他方の変数ΔV2において1次の多項式。
標準TSSOP−16プラスチック成型パッケージ内にパッケージされたCMOSサンプルによる実験は、−40℃〜+120℃の温度範囲に対して+46%〜−37%の範囲の、及び機械的応力に対して最大2.6%の磁気感度「S」の寄生変動が、2つのみのパラメータ(応力及び温度)を含む2次多項式によって同時に補償されたことを証明した。実験では、温度(又はV1)の次数は、3であり、応力(又はV2)の次数は、1であった。V1及びV2に基づき第2の方法を使用しての補償後、磁気感度Sに対する残留誤差は、±0.4%未満であることが見出された。比較的単純な計算によって、その上両方とも非ゼロの応力及び温度感度を有する2つのセンサを使用して、このような高精度が得られ得ることは、非常に驚くべきことである。
上述の数値例は、シリコン基板、より具体的には(100)面で切断されたシリコンウエハ、及びCMOSプロセスを念頭に置いて与えられているものの、本発明の原理は、数値及び任意に抵抗片の配向角度も変更することによって、他の半導体デバイス(例えば、垂直ホール素子を備えるデバイス等、及びバンドギャップ基準等のクリティカルな回路にさえ)及び/又は使用される他のプロセス(例えば、ガリウム砒素又はアンチモン化インジウムのホール素子等)においても適用され得る。本発明は、プラスチック成型パッケージのための応力補償に有用であるだけでなく、例えば静水圧による応力、モジュールレベルのオーバーモールド、はんだ付けによる応力、湿気等のための応力補償にも使用されてもよい。
11 ホールデバイス
12,12a,12b 切り替え手段
13 増幅器
14 ADC
15 プロセッサ
16 メモリ
17 定電圧発生器
21 第1のセンサ(本明細書において温度センサとしても呼ばれる)
22 第1のセンサの抵抗片
31 第2のセンサ(本明細書において応力センサとしても呼ばれる)
32 第2のセンサの抵抗片
1300 ホールセンサ読み出しを応力及び温度に関して補償する方法
Claims (17)
- 磁界強度を測定するための半導体集積デバイス(100、200)であって、
−測定対象の磁界強度を示すホール信号(Vh)を提供するように構成された少なくとも1つのホール素子(11)と、
−第1の応力感度(SS1)及び第1の温度感度(TS1)を有し、第1のセンサ信号(Vsens1)を提供するように構成された、第1の横等方性センサ(21)と、
−第2の応力感度(SS2)を有し、第2の温度感度(TS2)を有し、第2のセンサ信号(Vsens2)を提供するように構成された、第2の横等方性センサ(31)であって、
前記第1の温度感度(TS1)が前記第2の温度感度(TS2)と異なるか、若しくは前記第1の応力感度(SS1)が前記第2の応力感度(SS2)と異なるか、又は両方である、第2の横等方性センサ(31)と、
−前記ホール信号並びに前記第1のセンサ信号及び前記第2のセンサ信号をデジタル化して3つのデジタル値(VH、V1、V2)を取得するように配置されたデジタル化手段(14)と、
−応力値(Δσiso)及び温度値(ΔT)を取得するために、2つのみの変数(Δσiso、ΔT)を含み所定の係数を有する2つのみの多項連立方程式の組を解くように構成された計算手段であって、
かつ前記計算された応力値(Δσiso)及び前記計算された温度値(ΔT)である2つのみのパラメータを含む所定の補正式(CF、CFb)を使用して、応力補償され温度補償されたホール値(VHcomp)を計算するように構成された、計算手段と、を備える、半導体集積デバイス。 - 前記2つのみの連立方程式の組の前記多項式は、2つのみの変数を含む2つのn次多項式であり、前記2つのみの式の組は、以下の式の組によって表現されるか、又はそれと等価であり、
- 前記式の組は、2次多項式の組である、請求項1又は2に記載の半導体集積デバイス(100、200)。
- 前記式の組は、以下によって表現され得るか、
- 前記所定の補正式は、
a)式:
b)式:
- 磁界強度を測定するための半導体集積デバイス(100、200)であって、
−測定対象の磁界強度を示すホール信号(Vh)を提供するように構成された少なくとも1つのホール素子(11)と、
−第1の応力感度(SS1)及び第1の温度感度(TS1)を有し、第1のセンサ信号(Vsens1)を提供するように構成された、第1の横等方性センサ(21)と、
−第2の応力感度(SS2)を有し、第2の温度感度(TS2)を有し、第2のセンサ信号(Vsens2)を提供するように構成された、第2の横等方性センサ(31)であって、
前記第1の温度感度(TS1)が前記第2の温度感度(TS2)と異なるか、若しくは前記第1の応力感度(SS1)が前記第2の応力感度(SS2)と異なるか、又は両方である、第2の横等方性センサ(31)と、
−前記ホール信号並びに前記第1のセンサ信号及び前記第2のセンサ信号をデジタル化して3つのデジタル値(VH、V1、V2)を取得するように配置されたデジタル化手段(14)と、
−前記デジタル化された第1のセンサ信号(V1)及び前記デジタル化された第2のセンサ信号(V2)である2つのみのパラメータを含む所定の補正式(CF、CFb)を使用して、応力補償され温度補償されたホール値(VHcomp)を計算するように構成された計算手段と、を備える、半導体集積デバイス。 - 前記所定の補正式(CF、CFb)は、
a)式:
b)式:
- 前記補正係数(CF、CFb)の前記多項式は、
i)両方の変数(ΔV1、ΔV2)を含む2次多項式、
ii)前記第1のセンサ及び前記第2のセンサ(21、31)のうち最高温度感度(TS1)を有するセンサに関する前記変数(ΔV1)において3次、他方の前記変数(ΔV2)において1次の多項式、
iii)前記第1のセンサ及び前記第2のセンサ(21、31)のうち最高温度感度(TS1)を有するセンサに関する前記変数(ΔV1)において4次、他方の前記変数(ΔV2)において1次の多項式、
のうちの1つであり、かつ任意にii)の場合又はiii)の場合に、前記計算手段は、前記第1の変数及び/又は前記第2の変数(ΔV1、ΔV2)の等距離又は非等距離間隔を区分的直接近似又は区分的2次近似として使用して前記多項式を評価するように適合される、請求項5又は7に記載の半導体集積デバイス(100、200)。 - 前記計算手段に作動的に接続された不揮発性記憶手段を更に備え、前記記憶手段は、較正中に決定された少なくとも2つの値(σiso_ref、Tref;V1offset、V2offset)を記憶するように、かつ任意に前記多項式の前記所定の係数も記憶するように、適合された、請求項1〜8のいずれかに記載の半導体集積デバイス(100、200)。
- 前記少なくとも1つのホール素子並びに前記第1のセンサ(21)及び前記第2のセンサ(31)を所定の定電圧にバイアスする手段を更に備える、請求項1〜9のいずれかに記載の半導体集積デバイス(100、200)。
- 前記少なくとも1つのホール素子は、水平ホールプレートである、請求項1〜10のいずれかに記載の半導体集積デバイス(100、200)。
- 前記第1の横等方性センサ(21)及び前記第2の横等方性センサ(31)の各々は、4つの横等方性抵抗器(R1a、R1b、R1c、R1d);(R2a、R2b、R2c、R2d)を備えた抵抗性センサである、請求項1〜11のいずれかに記載の半導体集積デバイス(100、200)。
- −前記横等方性抵抗器(R1a、R1b、R1c、R1d;R2a、R2b、R2c、R2d)の各々は、直交対として組織化され直列に接続された少なくとも2つの横抵抗片を備え、かつ/又は
前記横等方性抵抗器(R1a、R1b、R1c、R1d;R2a、R2b、R2c、R2d)の少なくとも一部は、二重のL字形状で直列に接続された少なくとも4つの横抵抗片を備える、請求項12に記載の半導体集積デバイス(100、200)。 - a)前記第1の横等方性センサ(21)の2つの抵抗器(R1a、R1d)は、第1の材料から作製され、前記第1の横等方性センサ(21)の他の2つの抵抗器(R1b、R1c)は、第2の材料から作製され、前記第2の横等方性センサ(31)の2つの抵抗器(R2a、R2d)は、第3の材料から作製され、前記第2の横等方性センサ(31)の他の2つの抵抗器(R2b、R2c)は、第4の材料から作製され、前記第1の材料、前記第2の材料、前記第3の材料、及び前記第4の材料のうちの少なくとも3つは、異なる材料であるように、又は、
b)前記第1のセンサ(21)の前記抵抗器のうちの2つ(R1a、R1d)は、pウェル抵抗器であり、前記第1のセンサ(21)の前記抵抗器のうちの他の2つ(R1b、R1c)は、pポリ抵抗器であり、前記第2のセンサ(31)の前記抵抗器のうちの2つ(R2a、R2d)は、高度にドープされたp型(p−diff)抵抗器であり、前記第2のセンサ(31)の前記抵抗器のうちの他の2つ(R2b、R2c)は、高度にドープされたn型(n−diff)抵抗器であるように、又は、
c)前記第1のセンサ(21)の前記抵抗器のうちの2つ(R1a、R1d)は、高度にドープされたp型(p−diff)抵抗器であり、前記第1のセンサ(21)の前記抵抗器のうちの他の2つ(R1b、R1c)は、pポリ抵抗器であり、前記第2のセンサ(31)の前記抵抗器のうちの2つ(R2a、R2d)は、高度にドープされたn型(n−diff)抵抗器であり、前記第2のセンサ(31)の前記抵抗器のうちの他の2つ(R2b、R2c)は、高度にドープされたp型(p−diff)抵抗器であるように、又は、
d)前記第1のセンサ(21)の前記抵抗器のうちの2つ(R1a、R1d)は、nウェル抵抗器であり、前記第1のセンサ(21)の前記抵抗器のうちの他の2つ(R1b、R1c)は、pポリ抵抗器であり、前記第2のセンサ(31)の前記抵抗器のうちの2つ(R2a、R2d)は、高濃度ドープされたn型(n−diff)抵抗器であり、前記第2のセンサ(31)の前記抵抗器のうちの他の2つ(R2b、R2c)は、高濃度ドープされたp型(p−diff)抵抗器であるように、前記抵抗器の材料が選択される、請求項12又は請求項13に記載の半導体集積デバイス。 - −前記半導体集積デバイスは、仮想円上に位置付けられた、ある数(N個)の少なくとも2つのホール素子と、前記円内部に位置付けられた単一の第1の横等方性センサ(21)と、前記同じ数(N個)の第2のセンサ(31)とを備え、各々は、前記ホール素子のうちの1つの周囲に配置されているか、又は
−前記半導体集積デバイスは、ある数(N個)の少なくとも2つのホール素子(11)を備え、各ホール素子は、前記ホール素子の周囲に配置された対応する第1のセンサ(21)及び対応する第2のセンサ(31)を有する、請求項1〜14のいずれかに記載の半導体集積デバイス(100、200)。 - 請求項1に従属する場合の請求項1〜5又は9〜15のいずれかに記載の半導体デバイス(100、200)を使用して、機械的応力に関して及び温度に関して補償された磁界強度を測定する方法(1300)であって、
−前記少なくとも1つのホール素子(11)からホール信号(Vh)を取得する工程と、
−前記第1の横等方性センサ(21)から第1のセンサ信号(Vsens1)を取得する工程と、
−前記第2の横等方性センサ(31)から第2のセンサ信号(Vsens2)を取得する工程と、
−3つのデジタル値(VH、V1、V2)を取得するように前記ホール信号並びに前記第1のセンサ信号及び前記第2のセンサ信号をデジタル化する工程と、
−2つのみの変数(Δσiso、ΔT)を含み所定の係数(αij、βij)を有し、前記デジタル化された第1及び第2のセンサ信号(V1、V2)をパラメータとして有する2つのみのn次多項連立方程式の所定の組を満たす、応力値(Δσiso)及び温度値(ΔT)を計算する工程と、
−2つのみの変数(Δσiso、ΔT)を含み所定の係数(γij、τij)を有するn次多項式である補正係数(CF、CFb)を使用して、応力補償され温度補償されたホール値(VHcomp)を計算する工程と、を含む、方法。 - 請求項6に従属する場合の請求項6〜15のいずれかに記載の半導体デバイス(100、200)を使用して、機械的応力に関して及び温度に関して補償された磁界強度を測定する方法(1400)であって、
−前記少なくとも1つのホール素子(11)からホール信号(Vh)を取得する工程と、
−前記第1の横等方性センサ(21)から第1のセンサ信号(Vsens1)を取得する工程と、
−前記第2の横等方性センサ(31)から第2のセンサ信号(Vsens2)を取得する工程と、
−3つのデジタル値(VH、V1、V2)を取得するように前記ホール信号並びに前記第1のセンサ信号及び前記第2のセンサ信号をデジタル化する工程と、
−2つのみのパラメータ(V1、V2)を含み所定の係数(φij、ηij、V1o、V2o)を有するn次多項式である補正係数(CF、CFb)を使用して、応力補償され温度補償されたホール値(VHcomp)を計算する工程と、を含む、方法。
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