KR20210155970A - 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치 - Google Patents

홀 센서 바이어스 전류 제공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210155970A
KR20210155970A KR1020200073543A KR20200073543A KR20210155970A KR 20210155970 A KR20210155970 A KR 20210155970A KR 1020200073543 A KR1020200073543 A KR 1020200073543A KR 20200073543 A KR20200073543 A KR 20200073543A KR 20210155970 A KR20210155970 A KR 20210155970A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hall sensor
bias current
bias
voltage
provider
Prior art date
Application number
KR1020200073543A
Other languages
English (en)
Inventor
문요섭
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020200073543A priority Critical patent/KR20210155970A/ko
Priority to US17/022,519 priority patent/US11914170B2/en
Priority to CN202011330026.4A priority patent/CN113883993A/zh
Publication of KR20210155970A publication Critical patent/KR20210155970A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0023—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/003—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring position, not involving coordinate determination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • G01D11/24—Housings ; Casings for instruments
    • G01D11/245—Housings for sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0023—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
    • G01R33/0041—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration using feed-back or modulation techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/007—Environmental aspects, e.g. temperature variations, radiation, stray fields
    • G01R33/0082—Compensation, e.g. compensating for temperature changes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/02—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B5/00—Adjustment of optical system relative to image or object surface other than for focusing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G01R33/077—Vertical Hall-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/64—Imaging systems using optical elements for stabilisation of the lateral and angular position of the image
    • G02B27/646—Imaging systems using optical elements for stabilisation of the lateral and angular position of the image compensating for small deviations, e.g. due to vibration or shake
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2205/00—Adjustment of optical system relative to image or object surface other than for focusing
    • G03B2205/0007—Movement of one or more optical elements for control of motion blur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2217/00—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
    • G03B2217/005—Blur detection

Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치는, 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기; 및 홀 센서와 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에 기반하여 바이어스 전류 제어 값을 생성하는 처리기; 를 포함하고, 바이어스 제공기는 바이어스 전류 제어 값에 기반하여 홀 센서로 제공하는 바이어스 전류가 가변적이도록 구성될 수 있다.

Description

홀 센서 바이어스 전류 제공 장치{Apparatus for providing bias current to hall sensor}
본 발명은 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치에 관한 것이다.
일반적으로 외부로부터 받는 힘에 따라 렌즈 모듈이 움직일 때, 상기 렌즈 모듈의 외부에 대한 상대적인 위치를 고정시키기 위한 기술이 널리 활용되고 있다.
예를 들어, 카메라 모듈은 외부로부터 힘을 받더라도 내부의 렌즈 모듈의 위치를 고정시키는 광학식 손떨림 보정(Optical Image Stabilizer) 장치를 포함할 수 있다.
홀 센서는 렌즈 모듈의 위치 정보를 측정하기 위해 사용될 수 있으며, 홀 센서는 렌즈 모듈의 위치에 따라 달라지는 전압을 출력할 수 있다. 광학식 손떨림 보정 정확도는 홀 센서의 출력전압과 렌즈 모듈의 위치 정보 간의 대응관계 정확도가 높을수록 높아질 수 있다.
홀 센서의 출력전압은 홀 센서의 온도에 따라 미세하게 변할 수 있으며, 홀 센서의 온도에 따른 출력전압의 변동은 렌즈 모듈의 위치에 실질적으로 무관하므로, 홀 센서의 온도 변동은 홀 센서의 출력전압과 렌즈 모듈의 위치 정보 간의 대응관계 정확도를 저하시킬 수 있다.
등록특허공보 제10-1918108호
본 발명은 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치는, 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기; 및 상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이의 노드의 전압에 기반하여 바이어스 전류 제어 값을 생성하는 처리기; 를 포함하고, 상기 바이어스 제공기는 상기 바이어스 전류 제어 값에 기반하여 상기 홀 센서로 제공하는 바이어스 전류가 가변적이도록 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치는, 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기; 상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에 대응되는 제1 아날로그 값을 제1 디지털 값으로 변환하고, 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 대응되는 제2 아날로그 값을 제2 디지털 값으로 변환하는 AD변환기; 및 상기 제1 디지털 값에 기반하여 상기 제2 디지털 값을 보상하여 보상 출력 값을 생성하는 처리기; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치는, 별도의 온도 센서 없이도 홀 센서의 출력전압의 온도에 종속적인 요소를 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치는, 홀 센서의 출력전압의 온도에 종속적인 요소를 줄이는 과정의 시작과 끝이 각각 바이어스 전류인 구조를 가질 수 있으므로, 상기 과정의 효율성, 정확도 및 안정성 중 적어도 하나를 향상시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 바이어스 제공기를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 처리기의 일부분(피드백 제어기)을 나타낸 도면이다.
도 4는 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이의 온도에 따른 변화를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 처리기의 일부분(온도 보상기)을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 온도 보상에 따른 보상 출력 값을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치가 렌즈 모듈 제어 구조에 포함된 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100e)를 구체적으로 나타낸 도면이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치를 나타낸 도면이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 제1 바이어스 제공기(160a) 및 제2 바이어스 제공기(170a) 중 적어도 하나를 포함하는 바이어스 제공기를 포함하고, 처리기(140a)를 포함한다.
예를 들어, 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는 IC(Integrated Circuit)로 구현될 수 있으며, 인쇄회로기판과 같은 기판 상에 실장될 수 있으며, 기판을 통해 홀 센서(300)에 전기적으로 연결될 수 있다.
바이어스 제공기는 홀 센서(300)로 바이어스 전류(IB)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 바이어스 제공기는 제1 바이어스 제공기(160a)의 제1 바이어스 전류(IT)와 제2 바이어스 제공기(170a)의 제2 바이어스 전류(IS)를 함께 홀 센서(300)로 제공하도록 구성될 수 있다.
홀 센서(300)의 등가회로는 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)을 포함할 수 있다. 바이어스 전류(IB)는 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)을 흐를 수 있다. 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)의 구체적 구조는 등가회로로 제한되지 않고, 다양한 방식으로 구현될 수 있다.
홀 센서(300)는 홀 효과(hall effect)를 이용하여 홀 센서(300)를 통과하는 자속(magnetic flux)을 감지할 수 있다. 홀 센서(300)에 자속이 통과할 경우, 홀 센서(300)는 바이어스 전류(IB)와 상기 자속에 수직인 방향으로 홀 전압을 생성할 수 있으며, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 상기 홀 전압에 대응될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 홀 센서(300)를 통과하는 자속에 대한 측정값으로 사용될 수 있다.
제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4) 각각의 저항값은 홀 센서(300)의 온도에 따라 달라질 수 있다. 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4) 각각의 저항값이 높을수록, 홀 센서(300)를 통과하는 단위 자속 대비 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 커질 수 있다.
즉, 홀 센서(300)의 온도가 달라질 경우, 홀 센서(300)를 통과하는 단위 자속 대비 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 달라질 수 있다. 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 홀 센서(300)를 통과하는 자속과 홀 센서(300)의 온도에 의해 결정될 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이로부터 홀 센서(300)를 통과하는 자속 정보를 추출하는 관점에서, 홀 센서(300)의 온도 변화에 따른 영향은 홀 센서(300)를 통과하는 자속 정보의 일부로 판단될 수 있다. 즉, 추출된 자속 정보의 정확도는 낮아질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 홀 센서(300)의 온도 변화에 따른 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 대한 영향과 반대 방향으로 바이어스 전류(IB)가 가변되도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)의 저항값이 온도 변화에 따라 커지거나 작아질 경우, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR3, HR4) 사이 노드가 접지에 연결된다고 가정하면, 제1 및 제2 홀 센서 저항(HR1, HR2) 사이 노드의 전압은 높아지거나 낮아질 수 있다.
즉, 제1 및 제2 홀 센서 저항(HR1, HR2) 사이 노드의 전압(VT)은 홀 센서(300)의 온도 변화에 따라 변화할 수 있고, 바이어스 전류(IB)에 종속적일 수 있다.
처리기(140a)는 홀 센서(300)와 제1 바이어스 제공기(160a) 사이 노드의 전압(VT)에 기반하여 바이어스 전류 제어 값(CON)을 생성할 수 있다.
바이어스 제공기 또는 제1 바이어스 제공기(160a)는 바이어스 전류 제어 값(CON)에 기반하여 홀 센서(300)로 제공하는 바이어스 전류(IB)가 가변적이도록 구성될 수 있다.
이에 따라, 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이를 결정하는 요소들 중에서 온도 요소를 크게 줄일 수 있으며, 홀 센서(300)의 출력전압에 기반한 자속 정보의 정확도를 높일 수 있다.
또한, 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 홀 센서(300)의 출력전압의 온도에 종속적인 요소를 줄이는 과정의 시작과 끝이 바이어스 전류(IB)인 구조를 가질 수 있으므로, 상기 과정의 효율성, 정확도 및 안정성 중 적어도 하나를 향상시킬 수 있다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 홀 센서(300)의 출력단자의 전압을 증폭하는 증폭기(110)를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 증폭기(110)는 연산 증폭기와 복수의 저항이 조합된 (비)반전 증폭기 회로로 구현될 수 있으며, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 비례하는 증폭된 전압(VLH)을 생성할 수 있다. 증폭된 전압(VLH)은 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 대응될 수 있다.
증폭기(110)의 이득(gain)은 상기 복수의 저항의 저항값 관계에 따라 결정될 수 있다. 낮은 이득을 가지는 증폭기(110)는 홀 센서(300)의 자속 감지 범위가 넓게 요구될 경우에 유리할 수 있으며, 높은 이득을 가지는 증폭기(110)는 홀 센서(300)의 자속 감지 해상도(resolution)가 높게 요구될 경우에 유리할 수 있다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, AD변환기(130)를 더 포함할 수 있다.
AD변환기(130)는 홀 센서(300)와 제1 바이어스 제공기(160a) 사이 노드의 전압(VT)에 대응되는 제1 아날로그 값(VLT)을 제1 디지털 값(DTT)으로 변환하고, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 대응되는 제2 아날로그 값을 홀 센서 출력 값(DTH)에 대응되는 제2 디지털 값으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 제2 아날로그 값은 전압(VLH)일 수 있다.
AD변환기(130)는 복수의 AD변환 채널을 가질 수 있으며, 제1 AD변환 채널은 제1 아날로그 값(VLT)과 제1 디지털 값(DTT)이 입출력되는 채널이며, 제2 AD변환 채널은 제2 아날로그 값과 제2 디지털 값이 입출력되는 채널일 수 있다. 예를 들어, AD변환기(130)는 복수의 아날로그-디지털 컨버터 회로가 서로 병렬적으로 배치된 구조를 가질 수 있으며, 복수의 아날로그-디지털 컨버터 회로는 복수의 AD변환 채널에 각각 대응될 수 있다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 홀 센서(300)와 제1 바이어스 제공기(160a) 사이 노드의 전압(VT)에서 컷오프(cut-off) 주파수보다 높은 주파수 성분을 필터링하는 필터(120)를 더 포함할 수 있다.
이에 따라, 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 바이어스 제공기 또는 제1 바이어스 제공기(160a)의 피드백(feedback) 구조의 안정성에 영향을 줄 수 있는 잡음을 줄일 수 있으므로, 제1 바이어스 제공기(160a)의 바이어스 전류(IB) 가변 안정성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 필터(120)는 저항과 캐패시터 중 하나가 시리즈(series)로 연결되고 다른 하나가 접지에 션트(shunt)로 연결되는 RC 저역통과필터로 구현될 수 있다.
예를 들어, 처리기(140a)는 온도 보상기(141a) 및 피드백 제어기(142) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 피드백 제어기(142)는 홀 센서(300)와 제1 바이어스 제공기(160a) 사이 노드의 전압(VT)에 대응되는 제1 디지털 값(DTT)에 기반하여 바이어스 전류 제어 값(CON)을 생성할 수 있다.
처리기(140a)의 온도 보상기(141a)는 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 대응되는 홀 센서 출력 값(DTH)을 제공받고, 홀 센서(300)와 제1 바이어스 제공기(160a) 사이 노드의 전압(VT)에 대응되는 제1 디지털 값(DTT)에 기반하여 홀 센서 출력 값(DTH)을 보상하여 보상 출력 값(TCH)을 생성할 수 있다.
이에 따라, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이로부터 홀 센서(300)를 통과하는 자속 정보를 추출하는 관점에서, 추출된 자속 정보의 정확도는 더욱 향상될 수 있다.
설계에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100a)는, 피드백 제어기(142) 없이 바이어스 전류(IB)가 실질적으로 고정된 값을 가지도록 설계될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100b)는, 처리기(140b)에서 온도 보상기가 생략된 구조를 가질 수 있다.
또한, 처리기(140b)의 피드백 제어기(142)는 제2 바이어스 제공기(170a)로 바이어스 전류 제어 값(CON)을 전달하도록 구성될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100b)는, 제1 및 제2 홀 센서 저항(HR1, HR2) 사이 노드와 AD변환기(130)에서 제1 아날로그 값이 입력되는 단자 사이의 전기적 연결 여부를 스위칭하는 스위치(125)를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 스위치(125)는 기 설정된 주기마다 기 설정된 시간 동안 제1 및 제2 홀 센서 저항(HR1, HR2) 사이 노드와 AD변환기(130)의 사이를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 스위치(125)는 게이트 단자를 통해 제어 전압을 입력 받고 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전기적 연결 여부를 스위칭하는 스위치 트랜지스터를 포함할 수 있다.
예를 들어, 처리기(140b)는 스위치(125)가 제1 주기일 때의 전압(VT)과 스위치(125)가 제2 주기일 때의 전압(VT) 간의 차이에 기반하여 단위 온도 변화에 따른 전압(VT)의 변화율을 결정할 수 있다.
구체적 예를 들면, 처리기(140b)는 상기 기 설정된 주기보다 긴 장기 주기 동안에 누적된 다수의 전압(VT)의 추이에 기반하여 단위 온도 변화에 따른 전압(VT)의 변화율을 결정할 수 있고, 미리 단위 온도 변화에 따른 전압(VT)의 변화율을 입력 받아 저장할 수 있으며, 바이어스 전류(IB)와 전압(VT)에 기반하여 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)의 저항값을 계산하고 계산된 저항값에 기반하여 단위 온도 변화에 따른 전압(VT)의 변화율을 결정할 수 있으며, 전압(VT)의 변화에 따라 다양한 바이어스 전류 제어 값(CON)을 바이어스 제공기 또는 제1 바이어스 제공기(160a)에 적용하고 이후에 제공받는 전압(VT)의 변화를 통해 단위 온도 변화에 따른 전압(VT)의 변화율을 결정할 수 있다.
예를 들어, 처리기(140b)는 스위치(125)가 제1 주기일 때의 전압(VT)과 스위치(125)가 제2 주기일 때의 전압(VT)의 차이에 비례하여 제1 주기일 때의 바이어스 전류 제어 값(CON)을 변경하여 제2 주기일 때의 바이어스 전류 제어 값(CON)을 생성할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 바이어스 제공기를 나타낸 회로도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100c)는, 제1 바이어스 제공기(160b) 및 제2 바이어스 제공기(170b) 중 적어도 하나를 포함하는 바이어스 제공기를 포함하고, 처리기(140a)를 포함한다.
제1 바이어스 제공기(160b)가 생성하는 제1 바이어스 전류(IT)는 바이어스 전류 제어 값(CON)에 기반하여 가변적일 수 있으며, 제2 바이어스 제공기(170b)가 생성하는 제2 바이어스 전류(IS)는 제1 바이어스 전류(IT)보다 바이어스 전류 제어 값(CON)에 대해 더 무관할 수 있다. 제1 바이어스 전류(IT)와 제2 바이어스 전류(IS)는 함께 홀 센서(300)로 제공될 수 있다.
제1 바이어스 제공기(160b)는 제1 바이어스 전류(IT)가 드레인 단자와 소스 단자 사이에서 흐르는 제1 트랜지스터(163)를 포함할 수 있으며, 제2 바이어스 제공기(170b)는 제2 바이어스 전류(IS)가 드레인 단자와 소스 단자 사이에서 흐르는 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터는 게이트 단자를 통해 전압원(180)으로부터 기준 전압을 입력 받을 수 있으며, 기준 전압에 기반하여 제2 바이어스 전류(IS)를 생성할 수 있다. 전압원(180)이 제공하는 전압이 실질적으로 고정될 경우, 제2 바이어스 전류(IS)는 제1 바이어스 전류(IT)보다 바이어스 전류 제어 값(CON)에 대해 더 무관할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 제1 바이어스 제공기(160b)는 제1 저항기(R1), 제2 저항기(R2) 및 매개 트랜지스터(162)를 포함할 수 있다.
매개 트랜지스터(162)의 게이트 단자의 전압은 제1 트랜지스터(163)의 게이트 단자의 전압과 서로 공유될 수 있다. 따라서, 매개 트랜지스터(162)의 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전류는 제1 바이어스 전류(IT)에 종속적일 수 있다.
제1 및 제2 저항기(R1, R2)는 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 매개 트랜지스터(162)의 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전류는 제1 및 제2 저항기(R1, R2)를 흐를 수 있다.
제2 저항기(R2)는 바이어스 전류 제어 값(CON)에 기반하여 가변적인 가변 저항값을 가질 수 있다.
전압(V2)이 거의 고정적이라고 가정하면, 매개 트랜지스터(162)의 전류는 제2 저항기(R2)의 저항값이 클수록 작아질 수 있다. 이때, 매개 트랜지스터(162)에서 소스 단자와 게이트 단자와 사이의 전압 차이는 작아질 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(163)의 소스 단자와 게이트 단자와 사이의 전압 차이는 작아질 수 있으며, 제1 바이어스 전류(IT)는 작아질 수 있고, 홀 센서(300)로 제공되는 바이어스 전류(IB)는 작아질 수 있다.
도 2a를 참조하면, 제1 바이어스 제공기(160b)는 바이어스 전류(IB)에 대응되는 전압(VT)을 입력 받고, 매개 트랜지스터(162)로 증폭 전압(V1)을 출력하고, 제1 및 제2 저항기(R1, R2) 사이 노드로부터 피드백(feedback)되도록 구성된 연산 증폭기(161)를 더 포함할 수 있다. 연산 증폭기(161)의 이득이 높을수록, 전압(VT)과 전압(V2) 간의 차이는 작아질 수 있다. 연산 증폭기(161)의 이득이 무한대에 가까울 경우, 전압(VT)과 전압(V2)은 서로 실질적으로 동일할 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 저항기(R1, R2) 사이 노드의 전압(V2)의 홀 센서(300)의 온도에 대한 상관관계는 높을 수 있다. 제1 바이어스 제공기(160b)는 전압(VT)에서의 홀 센서(300)의 온도 요소와 제2 저항기(R2)의 저항값의 온도 요소를 조합하여 제1 바이어스 전류(IT)를 생성할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100d)는, 제2 저항기(R2)의 저항값이 고정적인 제1 바이어스 제공기(160b)를 포함할 수 있으며, 게이트 단자로 입력되는 전압이 가변적인 제2 바이어스 제공기(170b)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 처리기(140b)는 바이어스 전류 제어 값(CON)의 아날로그 값을 제2 바이어스 제공기(170b)의 제2 트랜지스터의 게이트 단자로 제공할 수 있으며, 제2 바이어스 전류(IS)는 바이어스 전류 제어 값(CON)에 종속적일 수 있고, 홀 센서(300)로 제공되는 바이어스 전류(IB)도 바이어스 전류 제어 값(CON)에 종속적일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 처리기의 일부분(피드백 제어기)을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 피드백 제어기(142)는 바이어스 전류 제어 값에 기반하여 복수의 스위치(S1, S2, S3)의 전기적 연결 개수를 제어할 수 있다.
제2 저항기는 복수의 제2 저항기(R21, R22, R23, R24)를 포함할 수 있으며, 복수의 스위치(S1, S2, S3)의 전기적 연결 개수에 종속적인 저항값을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 저항기의 저항값은 가변적일 수 있다.
도 4는 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이의 온도에 따른 변화를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 대응되는 전압(VLH)은 온도(TEMP)가 제1 온도(t1)일 때 Vt1일 수 있고, 온도(TEMP)가 제2 온도(t2)일 때 Vt2일 수 있다.
여기서, 단위 온도 변화에 따른 전압의 변화율(VTA)은 도 1a에 도시된 VT 전압에 종속적일 수 있으며, 아래의 수학식 1로 계산될 수 있다.
Figure pat00001
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 처리기의 일부분(온도 보상기)을 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 온도 보상기(141b)는 단위 온도 변화에 따른 전압의 변화율(VTA)을 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 대응되는 전압(VLH)의 계수(coefficient)로 적용하여 보상 출력 값(TCH)을 생성할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치의 온도 보상에 따른 보상 출력 값을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 제1 온도일 때의 홀 센서 자속(LP)에 따른 온도 보상 이전의 전압(VLH1)의 기울기와, 제2 온도일 때의 홀 센서 자속(LP)에 따른 온도 보상 이전의 전압(VLH2)의 기울기는 서로 다를 수 있다.
제1 온도일 때의 홀 센서 자속(LP)에 따른 보상 출력 값(TCH1)의 기울기와, 제2 온도일 때의 홀 센서 자속(LP)에 따른 보상 출력 값(TCH2)의 기울기는 서로 실질적으로 동일할 수 있다.
보상 출력 값(TCH)의 단위 온도 변화에 따른 기울기 변화가 작으므로, 보상 출력 값(TCH)은 온도 보상 이전의 전압(VLH)에 비해 상대적으로 홀 센서의 온도에 더 무관할 수 있으며, 더욱 정확한 자속 정보의 추출에 사용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치가 렌즈 모듈 제어 구조에 포함된 구조를 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7에 도시된 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100e)를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100e)는 홀 센서(300)에 전기적으로 연결되고, 렌즈 모듈(210)의 구동을 제어하는 구동기(220)로 보상 출력 값(TCH)을 제공할 수 있다.
설계에 따라, 처리기(140a)가 온도 보상기(141a)를 포함하지 않을 경우, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100e)는 홀 센서 출력 값(DTH)을 그대로 구동기(220)로 제공할 수 있다.
구동기(220)는 보상 출력 값(TCH)이나 홀 센서 출력 값(DTH)으로부터 홀 센서(300)를 통과하는 자속 정보를 추출할 수 있으며, 자속 정보를 통해 렌즈 모듈(210)의 위치 정보를 생성할 수 있다. 예를 들어, 구동기(220)는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100e)에 대해 별도로 구현된 IC로 구현될 수 있다.
구동기(220)는 OIS(Optical Image Stabilization) 제어 구조를 포함할 수 있으며, 상기 자속 정보에 기반하여 구동 전류의 크기를 결정할 수 있으며, 결정된 구동 전류를 구동 코일(230)로 출력할 수 있다.
구동 코일(230)은 구동 전류에 기반하여 자속을 생성할 수 있으며, 렌즈 모듈(210)의 자기 부재(211)의 근처에 배치될 수 있다. 예를 들어, 구동 코일(230)과 홀 센서(300)는 제1 기판(240)에 배치될 수 있다.
렌즈 모듈(210)은 구동 코일(230)의 자속에 반응하여 자기 부재(211)가 받는 힘에 따라 움직일 수 있다. 이때, 렌즈 모듈(210)은 홀 센서(300)를 통과하는 자속의 변화와 반대방향으로 상기 자속이 변하도록 움직일 수 있다. 이에 따라, 렌즈 모듈(210)의 절대적 위치는 실질적으로 고정될 수 있으며, 렌즈 모듈(210)에 의해 획득되는 이미지는 안정적일 수 있다.
한편, 프로세서(270)는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치(100e)의 처리기(140a)와는 별도로 구현될 수 있으며, ISP(Image Signal Processor)로 구현될 수 있으며, 제1 지지 부재(261) 상의 이미지 센서(262)로부터 이미지 정보를 전달받을 수 있으며, 처리한 정보를 구동기(220)로 제공할 수 있다.
렌즈 모듈(210)은 제2 지지 부재(213) 상의 복수의 가이드 볼(212)의 회전에 따라 1차원 또는 2차원적으로 움직일 수 있으며, 하우징(250)에 의해 둘러싸일 수 있다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100a, 100e: 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치
110: 증폭기
120: 필터(filter)
125: 스위치(switch)
130: AD(Analog-Digital)변환기
140a: 처리기
141a: 온도 보상기
142: 피드백 제어기
160a: 제1 바이어스(bias) 제공기
161: 연산 증폭기
162: 매개 트랜지스터(transistor)
170a: 제2 바이어스 제공기
210: 렌즈 모듈(lens module)
220: 구동기
300: 홀 센서(hall sensor)
R1: 제1 저항기
R2: 제2 저항기

Claims (16)

  1. 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기; 및
    상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에 기반하여 바이어스 전류 제어 값을 생성하는 처리기; 를 포함하고,
    상기 바이어스 제공기는 상기 바이어스 전류 제어 값에 기반하여 상기 홀 센서로 제공하는 바이어스 전류가 가변적이도록 구성된 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 처리기는 렌즈 모듈의 구동을 제어하는 구동기로 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 대응되는 홀 센서 출력 값을 제공하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에 대응되는 제1 아날로그 값을 제1 디지털 값으로 변환하고, 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 대응되는 제2 아날로그 값을 제2 디지털 값으로 변환하는 AD변환기를 더 포함하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이를 증폭하는 증폭기를 더 포함하고,
    상기 제2 아날로그 값은 상기 증폭기에 의해 증폭된 전압에 대응되는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에 대응되는 제1 아날로그 값을 제1 디지털 값으로 변환하는 AD변환기; 및
    상기 AD변환기에서 상기 제1 아날로그 값이 입력되는 단자와 상기 바이어스 제공기 사이의 전기적 연결 여부를 스위칭하는 스위치; 를 더 포함하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에서 컷오프(cut-off) 주파수보다 높은 주파수 성분을 필터링하는 필터를 더 포함하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 제공기는,
    상기 바이어스 전류 제어 값에 기반하여 가변적인 제1 바이어스 전류를 생성하는 제1 바이어스 제공기; 및
    상기 제1 바이어스 전류보다 상기 바이어스 전류 제어 값에 대해 더 무관한 제2 바이어스 전류를 생성하는 제2 바이어스 제공기; 를 포함하고,
    상기 제1 바이어스 전류와 상기 제2 바이어스 전류는 함께 상기 홀 센서로 제공되는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 바이어스 제공기는,
    서로 전기적으로 연결된 제1 및 제2 저항기; 및
    상기 제1 바이어스 전류에 종속적인 전류를 상기 제1 및 제2 저항기로 출력하는 매개 트랜지스터; 를 포함하고,
    상기 제2 저항기는 상기 바이어스 전류 제어 값에 기반하여 가변적인 가변 저항값을 가지는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 바이어스 제공기는,
    상기 바이어스 전류에 대응되는 전압을 입력 받고, 상기 매개 트랜지스터로 증폭 전압을 출력하고, 상기 제1 및 제2 저항기 사이 노드로부터 피드백(feedback)되도록 구성된 연산 증폭기를 더 포함하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 바이어스 제공기는 상기 연산 증폭기에 의해 증폭된 전압을 입력 받고 상기 제1 바이어스 전류를 생성하는 제1 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제2 바이어스 제공기는 전압원으로부터 기준 전압을 입력 받고 상기 제2 바이어스 전류를 생성하는 제2 트랜지스터를 포함하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 제공기는,
    제1 바이어스 전류를 생성하는 제1 트랜지스터; 및
    제2 바이어스 전류를 생성하는 제2 트랜지스터; 를 포함하고,
    상기 제1 바이어스 전류와 상기 제2 바이어스 전류는 함께 상기 홀 센서로 제공되고,
    상기 제2 트랜지스터는 전압원으로부터 상기 바이어스 전류 제어 값에 기반하여 가변적인 전압을 입력 받고 가변적인 전압에 기반하여 상기 제2 바이어스 전류를 생성하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 처리기는 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 대응되는 홀 센서 출력 값을 제공받고, 상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에 기반하여 상기 홀 센서 출력 값을 보상하여 보상 출력 값을 생성하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  13. 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기;
    상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에 대응되는 제1 아날로그 값을 제1 디지털 값으로 변환하고, 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 대응되는 제2 아날로그 값을 제2 디지털 값으로 변환하는 AD변환기; 및
    상기 제1 디지털 값에 기반하여 상기 제2 디지털 값을 보상하여 보상 출력 값을 생성하는 처리기; 를 포함하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 처리기는 상기 제1 디지털 값을 상기 제2 디지털 값의 계수로 적용하여 상기 보상 출력 값을 생성하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 AD변환기에서 상기 제1 아날로그 값이 입력되는 단자와 상기 바이어스 제공기 사이의 전기적 연결 여부를 스위칭하는 스위치; 및
    상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이 노드의 전압에서 컷오프(cut-off) 주파수보다 높은 주파수 성분을 필터링하는 필터; 를 더 포함하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 처리기는 렌즈 모듈의 구동을 제어하는 구동기로 상기 보상 출력 값을 제공하는 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치.
KR1020200073543A 2020-06-17 2020-06-17 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치 KR20210155970A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200073543A KR20210155970A (ko) 2020-06-17 2020-06-17 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치
US17/022,519 US11914170B2 (en) 2020-06-17 2020-09-16 Apparatus for providing bias current to hall sensor
CN202011330026.4A CN113883993A (zh) 2020-06-17 2020-11-24 用于向霍尔传感器提供偏置电流的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200073543A KR20210155970A (ko) 2020-06-17 2020-06-17 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210155970A true KR20210155970A (ko) 2021-12-24

Family

ID=79012987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200073543A KR20210155970A (ko) 2020-06-17 2020-06-17 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11914170B2 (ko)
KR (1) KR20210155970A (ko)
CN (1) CN113883993A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11768229B2 (en) * 2021-08-23 2023-09-26 Allegro Microsystems, Llc Packaged current sensor integrated circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101918108B1 (ko) 2015-06-23 2019-01-29 멜렉시스 테크놀로기스 에스에이 스트레스 및 온도 보상 홀 센서, 그 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3797149B2 (ja) 2001-07-02 2006-07-12 日本ビクター株式会社 電流センサ
WO2007049639A1 (ja) * 2005-10-25 2007-05-03 Nikon Corporation 位置検出装置および光学機器
EP2784521B1 (en) * 2013-03-28 2019-04-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Sensor apparatus and method
US9664494B2 (en) * 2013-05-10 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with immunity to external magnetic influences
US9959128B2 (en) * 2014-11-06 2018-05-01 Infineon Technologies Ag Digital sensor system
EP3467522B1 (en) * 2017-10-06 2023-02-22 STMicroelectronics S.r.l. A temperature compensation circuit, corresponding device and method
EP3581951A1 (en) * 2018-06-12 2019-12-18 Melexis Bulgaria Ltd. Sensor saturation fault detection
US20200341076A1 (en) * 2019-04-28 2020-10-29 Harco, Llc Temperature Compensation Method For Hall Effect Proximity Sensors
KR20210071289A (ko) * 2019-12-06 2021-06-16 삼성전기주식회사 홀 센서 출력단자 전압 감시 회로 및 렌즈 모듈 구동 제어기 지원 회로

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101918108B1 (ko) 2015-06-23 2019-01-29 멜렉시스 테크놀로기스 에스에이 스트레스 및 온도 보상 홀 센서, 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN113883993A (zh) 2022-01-04
US20210397015A1 (en) 2021-12-23
US11914170B2 (en) 2024-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7599810B2 (en) Position detecting circuit and apparatus using the same
KR101133346B1 (ko) 오프셋 캔슬 회로
WO2012043500A1 (en) Solid-state imaging apparatus
US20070103174A1 (en) Direct current test apparatus
EP0633517A2 (en) Bias circuit for avalanche photodiode
JP5218210B2 (ja) モニタ回路とこれを用いた光受信器
EP1840526A2 (en) Temperature characteristic correction method and sensor amplification circuit
US10209374B2 (en) Radiation detector
JP2006303524A (ja) アバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法
JP4977013B2 (ja) 電力印加回路、及び試験装置
KR20210155970A (ko) 홀 센서 바이어스 전류 제공 장치
US7994771B2 (en) Current measurement circuit, current detection circuit and saturation prevention and recovery circuit for operational amplifier
US20080253765A1 (en) Optical power measuring apparatus and optical signal receiving apparatus comprising same
US20160349132A1 (en) Physical quantity detector
JP2010175572A (ja) 光検出回路及び自動調光回路
KR20210071289A (ko) 홀 센서 출력단자 전압 감시 회로 및 렌즈 모듈 구동 제어기 지원 회로
CN105937916B (zh) 比较电路及传感器装置
CN110114638A (zh) 模拟输入单元以及基准电压稳定化电路
KR20180115959A (ko) 홀센서의 출력전압을 교정하여 렌즈위치를 검출하는 렌즈위치 검출장치
US10054502B2 (en) Sensor driving device
KR102500418B1 (ko) 홀 센서 오프셋 저감 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치
KR102473418B1 (ko) 홀 센서 오프셋 저감 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치
US6750665B2 (en) Semiconductor pressure detecting device
US20200018781A1 (en) Half-bridge differential sensor
US20190277800A1 (en) Conductance measurement circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination