JP2017003567A - Drive current generator circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、センサ素子に通電する駆動電流を生成する回路に関する。 The present invention relates to a circuit that generates a drive current for energizing a sensor element.
例えば排気ガスセンサを動作させる際には、そのセンサ特性を安定させるためヒータにより数100℃に加熱した状態で動作させる。そして、排気ガスセンサが適切に加熱されているかどうかを確認するため、排気ガスセンサのインピーダンスを随時測定することが行われている。また、センサの特性を向上させるため、センサに定電流を印加する場合がある。 For example, when operating an exhaust gas sensor, the sensor is operated in a state heated to several hundred degrees C. by a heater in order to stabilize the sensor characteristics. And in order to confirm whether the exhaust gas sensor is heated appropriately, the impedance of the exhaust gas sensor is measured at any time. In addition, in order to improve the characteristics of the sensor, a constant current may be applied to the sensor.
そのために排気ガスセンサに通電する駆動電流は0μA付近の微小な電流となる場合があり、駆動電流を供給する回路は、そのような微小な電流値を精度良く生成する必要がある。一般的には、例えば排気ガスセンサの駆動電流供給点に、直列接続した2つのMOSFETの共通接続点を接続し、一方よりソース電流を供給すると同時に他方を介してシンク電流を引き出すようにして、両者のバランスで駆動電流値を調整することが行われている。 For this reason, the drive current supplied to the exhaust gas sensor may be a very small current in the vicinity of 0 μA, and the circuit that supplies the drive current needs to generate such a very small current value with high accuracy. In general, for example, a common connection point of two MOSFETs connected in series is connected to a driving current supply point of an exhaust gas sensor, and a source current is supplied from one side and a sink current is drawn through the other at the same time. The drive current value is adjusted in accordance with the balance.
尚、下記の特許文献1は、センサ素子に駆動電流を通電する回路を開示していないが、上述した背景技術の構成に類似している回路の一例として提示している。 The following Patent Document 1 does not disclose a circuit for supplying a driving current to the sensor element, but presents it as an example of a circuit similar to the configuration of the background art described above.
しかしながら、上記のような構成を前提として、端子の電圧によらず電流を0μA付近の微小な値から大きな値まで広範囲に流すためには、MOSFETの特性上、素子のサイズをある程度大きくする必要がある。 However, on the premise of the above configuration, in order to allow a current to flow over a wide range from a minute value near 0 μA to a large value regardless of the terminal voltage, it is necessary to increase the element size to some extent due to the characteristics of the MOSFET. is there.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、センサ素子に駆動電流を通電する素子のサイズを大型化させることなく、微小な電流を精度良く生成して供給できる駆動電流生成回路を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to generate a drive current that can accurately generate and supply a minute current without enlarging the size of the element that supplies the drive current to the sensor element. It is to provide a circuit.
請求項1記載の駆動電流生成回路によれば、ソース電流調整部は、電源よりセンサ素子に駆動電流を通電するための通電端子へ流すソース電流量を調整し、シンク電流調整部は、前記通電端子よりグランドへ流すシンク電流量を調整する。そして、電流制御部は、ソース電流調整部及びシンク電流調整部の何れか一方により流す電流量を固定値として、他方が流す電流量を調整することで、前記通電端子を介して通電される駆動電流量を調整する。このように構成すれば、ソース電流及びシンク電流を流すために使用する素子のサイズを大型化することなく、微小な電流値の調整をより容易に、且つ広範囲に行うことが可能になる。 According to the drive current generating circuit of claim 1, the source current adjustment unit adjusts the amount of source current that flows from the power source to the energization terminal for energizing the drive element to the sensor element, and the sink current adjustment unit includes the energization Adjust the sink current flowing from the pin to ground. The current control unit is a drive that is energized via the energization terminal by adjusting the amount of current that flows through one of the source current adjustment unit and the sink current adjustment unit as a fixed value. Adjust the amount of current. With this configuration, it is possible to adjust a minute current value more easily and over a wide range without increasing the size of an element used for flowing a source current and a sink current.
請求項2記載の駆動電流生成回路によれば、ソース電流調整部及びシンク電流調整部に、電流調整用のバイアス電圧として一定電圧を供給する定電圧供給部と、可変電圧を供給する可変電圧供給部とを備える。そして、可変電圧供給部は、ソース電流調整部及びシンク電流調整部に対して共通のものを用いる。調整を行うのはソース電流又はシンク電流の何れか一方であるから、共通の可変電圧供給部を、調整を行う側に切り換えて使用することができる。したがって、このように構成すれば、駆動電流生成回路をより小型にすることができる。
According to the drive current generation circuit of
請求項3記載の駆動電流生成回路によれば、ソース電流調整部及びシンク電流調整部は、導通端子の一方が通電端子に接続され、他方が電源又はグランドに抵抗素子を介して接続される半導体素子と、当該素子の導通制御端子の電位を制御するオペアンプとを備える。そして、入力切替え部は、オペアンプの入力端子にバイアス電圧として、一定電圧と可変電圧とを切替えて入力する。このように構成すれば、オペアンプの入力端子に一定電圧を与えることで、半導体素子を介して通電端子に通電される電流量が固定値になり、可変電圧を与えれば前記電流量が当該電圧に応じた値になる。そして、前記半導体素子のサイズを小さくすることができる。 According to the drive current generating circuit of claim 3, the source current adjusting unit and the sink current adjusting unit are semiconductors in which one of the conduction terminals is connected to the energization terminal and the other is connected to the power supply or ground via the resistance element. An element and an operational amplifier that controls a potential of a conduction control terminal of the element. The input switching unit switches and inputs a constant voltage and a variable voltage as a bias voltage to the input terminal of the operational amplifier. With this configuration, by applying a constant voltage to the input terminal of the operational amplifier, the amount of current applied to the energization terminal through the semiconductor element becomes a fixed value, and when a variable voltage is applied, the amount of current is reduced to the voltage. It becomes the value according to. In addition, the size of the semiconductor element can be reduced.
(第1実施形態)
図2に示すように、本実施形態のA/Fセンサ駆動回路1はセンサ制御ロジック2を備え、この制御ロジック2には、外部のマイクロコンピュータ(マイコン)4と通信を行うための通信インターフェイス(I/F)5や、データを記憶する例えばフラッシュメモリやEEPOMなどの不揮発性メモリからなる記憶装置6が接続されている。A/Fセンサ駆動回路1は、いわゆるASIC(特定用途向けIC)で構成されている。また、制御ロジック2には、D/Aコンバータ(DAC)7及びA/Dコンバータ(ADC)80が接続されている。尚、詳細は第4実施形態で述べるが、ここでのA/Dコンバータ80は、入力側に配置されているアナログフロントエンド(AFE)やマルチプレクサ(MPX)を含んでいる。
(First embodiment)
As shown in FIG. 2, the A / F sensor drive circuit 1 of the present embodiment includes a
D/Aコンバータ7の出力端子は、駆動電流生成回路10の入力端子に接続されており、駆動電流生成回路10の出力端子は駆動回路1の端子S+に接続されている。端子S+は通電端子に相当する。オペアンプ11の出力端子は、自身の反転入力端子に接続されていると共に、抵抗素子12を介して駆動回路1の端子S−に接続されている。電源VDDとグランドとの間には、抵抗素子13及び14の直列回路が接続されており、両者の共通接続点はオペアンプ11の非反転入力端子に接続されている。
The output terminal of the D /
端子S+,S−には、駆動回路1の外部でセンサ素子に相当する排気ガスセンサ15が接続されている。また、端子S+,S−と、オペアンプ11の出力端子とは、A/Dコンバータ80の入力端子に接続されている。また、マイコン4は、駆動回路1の通信I/F5に対し、排気ガスセンサ15によりセンシングを行うための各種制御パラメータを送信する。一方、通信I/F5は、マイコン4側に排気ガスセンサ15によるセンシングの結果を示すデータや、排気ガスセンサ15の特性に関するデータを送信する。
An
図1に示すように、駆動電流生成回路10は、電圧電流変換部21を備えている。電圧電流変換部21において、電源VDDとグランドとの間には、抵抗素子22,PチャネルMOSFET23,NチャネルMOSFET24及び抵抗素子25の直列回路が接続されている。そして、FET23及び24の共通接続点が端子S+に接続されている。FET23,24の導通制御端子であるゲートには、それぞれオペアンプ26,27の出力端子が接続されている。オペアンプ26,27の反転入力端子は、それぞれFET23,24のソースに接続されている。FET23及び24は半導体素子に相当する。
As shown in FIG. 1, the drive
D/Aコンバータ7の出力端子は、切替スイッチのシンボルで示すアナログスイッチ28及び29の入力端子の一方に接続されている。アナログスイッチ28及び29は入力切替え部に相当する。アナログスイッチ28の入力端子の他方には、図示しない基準電圧より固定のP側バイアス電圧が付与されている。また、アナログスイッチ29の入力端子の他方には、同様に固定のN側バイアス電圧が付与されている。前記基準電圧は定電圧供給部に相当する。そして、アナログスイッチ28,29の出力端子は、それぞれオペアンプ26,27の非反転入力端子に接続されている。
The output terminal of the D /
制御ロジック2は、アナログスイッチ28及び29の切替え制御を、切替信号POLEによって行う。前記制御は連動して行われ、アナログスイッチ28の入力がD/Aコンバータ7側になると同時に、アナログスイッチ29の入力はN側の固定バイアス電圧側になる。また、アナログスイッチ28の入力がP側の固定バイアス電圧側になると同時に、アナログスイッチ29の入力はD/Aコンバータ7側になる。また、オペアンプ26及び27はイネーブル制御が可能に構成されており、制御ロジック2は、イネーブル信号EN1,EN2によりオペアンプ26,27のイネーブル制御を個別に行う。
The
以上の構成において、電圧電流変換部21の抵抗素子22,PチャネルMOSFET23及びオペアンプ26はソース電流調整部21(+)を構成し、NチャネルMOSFET24,抵抗素子25及びオペアンプ27はシンク電流調整部21(−)を構成している。また、制御ロジック2,D/Aコンバータ7並びにアナログスイッチ28及び29は、電流制御部30を構成している。更に、制御ロジック2及びD/Aコンバータ7は、可変電圧供給部に相当する。
In the above configuration, the
次に、本実施形態の作用について説明する。前述したように、排気ガスセンサ15を動作させる際には、図示しないヒータにより加熱を行い、その加熱状態を確認するため排気ガスセンサ15のインピーダンスを随時測定する。インピーダンスの測定は、制御ロジック2がA/Dコンバータ80を介し、抵抗素子12の端子電圧を検出して行う。そのため、駆動電流生成回路10は、端子S+を介して排気ガスセンサ15にソース電流を供給したり、端子S+よりシンク電流を引き出すように制御する。そして、これらの電流は、0μA付近の微小な電流である。
Next, the operation of this embodiment will be described. As described above, when the
駆動電流生成回路10は、D/Aコンバータ7並びにアナログスイッチ27及び28を制御して、電圧電流変換部21により端子S+に上記微小な電流を流すように調整する。ソース電流を調整する場合は、図1に示すように、オペアンプ26の非反転入力端子にN側固定バイアス電圧を与える。そして、オペアンプ27の非反転入力端子には、制御ロジック2がD/Aコンバータ7に入力したデータCODEに応じた可変バイアス電圧を与えて調整する。一方、シンク電流を調整する場合は上記と逆に、オペアンプ27の非反転入力端子にP側固定バイアス電圧を与え、オペアンプ26の非反転入力端子にはデータCODEに応じた可変バイアス電圧を与えて調整する。このように制御する結果、端子S+には、ソース電流とシンク電流とを合計した電流が通電される。
The drive
尚、イネーブル信号EN1をインアクティブにしてオペアンプ26をディスエーブル状態にすれば、端子S+よりシンク電流のみを引き出すことができる。また、イネーブル信号EN2をインアクティブにしてオペアンプ27をディスエーブル状態にすれば、端子S+にソース電流のみを供給することもできる。
If the enable signal EN1 is made inactive and the
図3〜図5において、センサ印加電流の正側がソース電流,負側がシンク電流である。図3〜図5は、それぞれ異なる掃引電流の変化パターン,バリエーションを示している。図3及び図4では、定常状態では排気ガスセンサ15よりシンク電流を引き出した状態で駆動する。これにより、センサの種類によっては、例えば触媒浄化率が向上する等のセンサ特性を向上させる、いわゆる「リッチシフト」を行うことになる。
3 to 5, the positive side of the sensor applied current is the source current, and the negative side is the sink current. 3 to 5 show different sweep current change patterns and variations, respectively. In FIG. 3 and FIG. 4, in a steady state, driving is performed with a sink current drawn from the
図3に示すパターンでは、掃引の全てを、つまり「掃引(+)時間」も含めてシンク電流で行っているが、図4に示すパターンでは、「掃引(+)時間」のみはソース電流を供給する。そして、図5に示すパターンでは「リッチシフト」を行わず、定常状態では排気ガスセンサ15に通電しない。そして、「掃引(+)時間」はソース電流を供給し、「掃引(−)時間」はシンク電流を引き出す。尚、このように「掃引(+)時間」を設けた後に「掃引(−)時間」を設けているのは、排気ガスセンサ15にソース電流を供給することで内部の容量に充電された電荷を、シンク電流により放電させるためである。
In the pattern shown in FIG. 3, all of the sweeps, that is, the “sweep (+) time” is performed with the sink current, but in the pattern shown in FIG. 4, only the “sweep (+) time” has the source current. Supply. In the pattern shown in FIG. 5, “rich shift” is not performed, and the
以上のように本実施形態によれば、駆動電流生成回路10のソース電流調整部21(+)は、電源より排気ガスセンサ15に駆動電流を通電するための端子S+へ流すソース電流量を調整し、シンク電流調整部21(−)は、端子S+よりグランドへ流すシンク電流量を調整する。
As described above, according to the present embodiment, the source current adjustment unit 21 (+) of the drive
そして、電流制御部30は、ソース電流調整部21(+)及びシンク電流調整部21(−)の何れか一方により流す電流量を固定値として、他方が流す電流量を調整することで、端子S+を介して通電される駆動電流量を調整する。このように構成すれば、ソース電流及びシンク電流を流すために使用するFET23及び24のサイズを大型化することなく、微小な電流値の調整をより容易に、且つ広範囲に行うことが可能になる。
Then, the
そして、電流調整用のバイアス電圧として一定電圧を供給する定電圧供給部と、可変電圧を供給する可変電圧供給部とを備え、可変電圧供給部は、ソース電流調整部21(+)及びシンク電流調整部21(−)に対して共通のセンサ制御ロジック2及びD/Aコンバータ7を用いた。したがって、駆動電流生成回路10をより小型にすることができる。
A constant voltage supply unit that supplies a constant voltage as a bias voltage for current adjustment and a variable voltage supply unit that supplies a variable voltage are provided. The variable voltage supply unit includes a source current adjustment unit 21 (+) and a sink current. The
また、ソース電流調整部21(+)及びシンク電流調整部21(−)は、導通端子であるドレインが端子S+に接続され、同じく導通端子であるソースが電源又はグランドにそれぞれ抵抗素子22,25を介して接続されるFET23及び24と、FET23及び24のゲート電位を制御するオペアンプ26及び27とを備える構成とした。そして、アナログスイッチ28及び29は、オペアンプ26及び27の非反転入力端子にバイアス電圧として、一定電圧と可変電圧とを切替えて入力する。これにより、ソース電流及びシンク電流の一方を固定値とし、他方を可変値とする切替えを容易に行うことができる。
The source current adjusting unit 21 (+) and the sink current adjusting unit 21 (-) have a drain that is a conduction terminal connected to the terminal S +, and a source that is also a conduction terminal to the power source or the ground, respectively.
(第2実施形態)
以下、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。図6に示すように、第2実施形態の駆動電流生成回路31は、第1実施形態の駆動電流生成回路10よりアナログスイッチ28及び29を削除し、D/Aコンバータ7の出力端子をオペアンプ26の非反転入力端子に直接接続し、オペアンプ27の非反転入力端子には、N側固定バイアス電圧を直接付与する構成である。
(Second Embodiment)
Hereinafter, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof will be omitted, and different parts will be described. As shown in FIG. 6, the drive
すなわち、シンク電流は常時固定値となり、ソース電流のみを可変させる構成となっている。例えばシンク電流を−1mAで固定し、ソース電流を0〜2mAの範囲で調整すれば、端子S+を介して流れる電流を−1mA〜+1mAの範囲に調整できる。尚、D/Aコンバータ7の出力端子をオペアンプ27の非反転入力端子に直接接続し、オペアンプ26の非反転入力端子にはP側固定バイアス電圧を直接付与することで、ソース電流を常時固定値とし、シンク電流のみを可変させる構成としても良いことは言うまでもない。
That is, the sink current is always a fixed value, and only the source current is variable. For example, if the sink current is fixed at -1 mA and the source current is adjusted in the range of 0 to 2 mA, the current flowing through the terminal S + can be adjusted in the range of -1 mA to +1 mA. The output terminal of the D /
(第3実施形態)
図7に示すように、第3実施形態の駆動電流生成回路41は、第2実施形態と同様にアナログスイッチ28及び29を削除し、D/Aコンバータ7の出力端子をオペアンプ26及び27の非反転入力端子に直接接続している。また、電源VDDとグランドとの間には、ソース電流源42とシンク電流源43との直列回路が接続されており、これらの共通接続点は端子S+に接続されている。電流源42,43はイネーブル制御が可能に構成されており、制御ロジック2に替わる制御ロジック44はイネーブル信号EN3,EN4によって電流源42,43を個別にイネーブル制御する。
(Third embodiment)
As shown in FIG. 7, the drive
以上の構成において、第1実施形態のソース電流調整部21(+)にソース電流源42を加えたものが第3実施形態のソース電流調整部45(+)を構成し、同シンク電流調整部21(−)にシンク電流源43を加えたものが同じくソース電流調整部45(−)を構成している。また、D/Aコンバータ7及び制御ロジック44が第3実施形態の電流制御部46を構成している。
In the above configuration, the source current adjustment unit 21 (+) of the first embodiment plus the source
次に、第3実施形態の作用について説明する。第3実施形態では、D/Aコンバータ7の出力電圧によりオペアンプ26及び27の非反転入力端子の電位が等しく調整されるため、オペアンプ26及び27の出力電圧に応じて端子S+に流れるソース電流量とシンク電流量とは同じ値になる。
Next, the operation of the third embodiment will be described. In the third embodiment, the potentials of the non-inverting input terminals of the
そして、制御ロジック44がイネーブル信号EN3,EN4により、電流源42,43の何れか一方をイネーブル状態にすると共に、それと同じ側のオペアンプ26,27をディスエーブル状態にすることで、第1実施形態において、オペアンプ26及び27の一方に固定バイアス電圧を付与した場合と同様の状態になる。
The
例えば、D/Aコンバータ7の出力電圧に応じて流れるソース電流値がIv(+),シンク電流値がIv(−)であり、電流源42,43により流れるソース電流値がIs(+),シンク電流値がIs(−)であるとする。尚、Is>Ivとする。そして、電流源42をイネーブルにすると共に、オペアンプ26をディスエーブルにした場合に流れるソース電流値はIs(+),シンク電流値はIv(−)であるから、端子S+を介して流れるシンク電流は{Is(+)−Iv(−)}になる。
For example, the source current value flowing according to the output voltage of the D /
以上のように第3実施形態によれば、ソース電流調整部45(+)に、端子S+に一定のソース電流を流すもので、通電動作が停止可能に構成されるソース電流源42を備え、シンク電流調整部45(−)は、端子S+より一定のシンク電流を流すもので、同様に通電動作が停止可能に構成されるシンク電流源43を備える。そして、電流制御部46は、電流量を固定値とする側の電流源42,43を通電動作させると共に、同側のオペアンプ26,27をディスエーブル状態にする。したがって、第1実施形態と同様の効果が得られる。
As described above, according to the third embodiment, the source current adjustment unit 45 (+) is provided with the source
(第4実施形態)
第4実施形態では、例えば第1実施形態において駆動電流の調整を行う以前に、D/Aコンバータ7について初期調整,補正を行う。図8に示すように、駆動回路51において、センサ制御ロジック2に替わるセンサ制御ロジック52が配置されている。また、オペアンプ11の非反転入力端子には、D/Aコンバータ53の出力端子が接続されており、D/Aコンバータ53の入力端子は制御ロジック52の出力端子に接続されている。
(Fourth embodiment)
In the fourth embodiment, for example, initial adjustment and correction are performed for the D /
制御ロジック52には、D/Aコンバータ53及びA/Dコンバータ81と、D/Aコンバータ7とが接続されている。第1実施形態のA/Dコンバータ80に相当する部分は、A/Dコンバータ81,アナログフロントエンド(AFE)82及びマルチプレクサ(MPX)83となっている。
A D /
A/Dコンバータ81の入力端子は差動入力となっており、各入力端子はAFE82の差動出力端子ADP,ADMにそれぞれ接続されている。AFE82は、差動増幅回路(図示せず)を内蔵している。AFE82の入力端子INP,INMは、それぞれMPX83の出力端子に接続されている。MPX83の入力端子には、オペアンプ11の出力端子,端子S+,S−及びAFRがそれぞれ接続されている。MPX83は制御ロジック52により制御され、入力端子の何れか2つを選択してAFE82の入力端子INP,INMに接続するように切替える。
The input terminal of the A /
D/Aコンバータ7の出力端子は、スイッチ54を介して電圧制御電流源55の入力端子に接続されており、電圧制御電流源55の出力端子は、スイッチ56を介して端子AFRに接続されている。ここで、駆動回路51には3つの端子S+,S−,AFRがあるが、これらには、2種類のA/Fセンサを選択的に接続して駆動可能な仕様となっている。
The output terminal of the D /
図9では、駆動回路51が実際に排気ガスセンサ15を駆動して、同センサ15により出力されたセンサ信号を送信する対象であるマイコン4を通信I/F5に接続した状態を示す。また、図9では、マイコン4及び排気ガスセンサ15を接続する以前に補正を行うため、駆動回路51に接続されるテスタ61(補正装置)も併せて示している。テスタ61は、電圧計62〜64と電圧源/電流計65とを備えている。テスタ61は、マイコン4に替わって駆動回路51の通信I/F5に接続され、制御ロジック52と通信を行いつつ補正処理を行う。
FIG. 9 shows a state in which the driving
駆動回路51とテスタ61との接続は破線で示しており、電圧計62は端子S+に接続され、電圧計64はモニタ端子を介してオペアンプ11の出力端子に接続される。また、電圧計63と電圧源/電流計65とは、切替スイッチ66を介して端子S−に選択的に接続される。補正を行う対象は、以下になる。
・A/Dコンバータの変換データについてのオフセット値
・AFE82が内蔵する差動増幅回路のゲイン
・抵抗素子12の抵抗値
・D/Aコンバータの変換電圧のオフセット値
The connection between the
-Offset value for conversion data of A / D converter-Gain of differential amplifier circuit built in AFE 82-Resistance value of resistance element 12-Offset value of conversion voltage of D / A converter
また、端子AFRは駆動回路51に排気ガスセンサ15以外の別のA/Fセンサが接続された場合に、前記A/Fセンサに定電流を供給して当該センサのインピーダンスを検出するために利用される。
In addition, when another A / F sensor other than the
次に、第4実施形態の作用について説明する。図10に示すように、駆動回路51に電源が投入されると(S1)、先ずオフセット補正を行う(S2)。端子S−をオープンにした状態で(S21)、テスタ61は、MPX83をオペアンプ11の出力端子側に切り換える。そして、制御ロジック52によりD/Aコンバータ53に制御データを出力させ、オペアンプ11より2.5Vの電圧を出力させる(S22)。テスタ61は、この時A/Dコンバータ81が変換したデータを取得する(S23)。
Next, the operation of the fourth embodiment will be described. As shown in FIG. 10, when the
入力端子INP,INMの電位差は0Vであるから、A/Dコンバータ81が変換するデータ値は0V相当値となるはずである。しかしながら、実際には、AFE82を構成する回路素子の定数の誤差や、オペアンプのオフセット等が変換するデータ値の誤差要因となる。そこで、テスタ61は、ステップS23で取得したデータ値と、0V相当値(理想値)との差を演算し(S24)、その演算結果からオフセット補正コードを算出する(S25)。
Since the potential difference between the input terminals INP and INM is 0V, the data value converted by the A /
次に、抵抗素子12(シャント抵抗)の抵抗値を補正する(S3)。端子S−に電圧源/電流計65を接続し、例えば電圧1V〜4Vの範囲で掃引する(S31)。そして、電圧源/電流計65により、端子S−の電圧及び端子S−に流れる電流を計測すると共に、A/Dコンバータ81が変換したデータを取得する(S32)。計測された電圧値及び電流値から抵抗素子12の抵抗値を演算し(S33)、演算結果から抵抗値の補正コードを算出する(S34)。
Next, the resistance value of the resistance element 12 (shunt resistor) is corrected (S3). A voltage source / ammeter 65 is connected to the terminal S-, and sweeping is performed within a voltage range of 1 to 4 V, for example (S31). Then, the voltage source / ammeter 65 measures the voltage at the terminal S- and the current flowing through the terminal S-, and acquires the data converted by the A / D converter 81 (S32). A resistance value of the
次に、AFE82が内蔵する差動増幅回路のゲインを補正する(S4)。端子S−をオープンにした状態で(S41)、テスタ61は、制御ロジック52によりD/Aコンバータ53に制御データを出力させ、オペアンプ11より1.875Vの電圧を出力させる(S42)。また、電圧源/電流計65により、端子S−に2.5Vの電圧を印加する(S43)。この時、抵抗素子12の端子電圧;A/Dコンバータ81の入力電圧は0.625Vとなる。テスタ61は、この時A/Dコンバータ81が変換したデータを取得し、ステップS34で算出した補正コードを用いて補正した抵抗素子12の抵抗値とから差動増幅回路のゲインを演算し(S44)、演算結果からゲインの補正コードを算出する(S45)。
Next, the gain of the differential amplifier circuit built in the
ここで、駆動回路51に排気ガスセンサ15を接続する場合、差動増幅回路のゲインは「1.85」に設定するものとする。そして、ステップS42及びS43で抵抗素子12の両端に印加する電位差0.625Vは、以下のように決定される。電位差IN±[V],動作電源電圧Vref,ゲインをGainとすると、
IN±[V]=Vref/2±Vref/2×1/(Gain)×1/2×1/2
右辺第1項は動作電圧の中心、最終項(1/2)は電圧のばらつきによるクランプを回避するため入力電圧範囲を調整する係数で、それらの間の第2項は入力電圧の上下限幅を示す。
Vref=5,Gain=1.85とすると、電位差IN±[V]は、約0.676Vになるが、D/Aコンバータ53の出力電圧及び外部より印加するのが容易な電圧として、近い値で0.625Vを選択した。
Here, when the
IN ± [V] = Vref / 2 ± Vref / 2 × 1 / (Gain) × 1/2 × 1/2
The first term on the right side is the center of the operating voltage, the last term (1/2) is a coefficient that adjusts the input voltage range to avoid clamping due to voltage variations, and the second term between them is the upper and lower limits of the input voltage Indicates.
When Vref = 5 and Gain = 1.85, the potential difference IN ± [V] is about 0.676 V, but is close to the output voltage of the D /
また、駆動回路51に排気ガスセンサ15以外のA/Fセンサを接続する場合、差動増幅回路のゲインは「1.0」に設定するものとする(尚、差動増幅回路はゲインの可変設定が可能となっている)。この時、電位差IN±[V]は1.25Vになる。ゲインが「1.0」の場合のA/Dコンバータ81のオフセット補正と、差動増幅回路のゲイン補正との関係は、図11に示すようになる。A/Dコンバータ81に入力される差電圧の範囲を±2.5Vとして、最大コード値MAXで0Vを中央値として表現すると、オフセット補正後で0Vに対応する値は「MAX/2」であり、1.25V相当値(理想値)は「MAX/4」となる。
When an A / F sensor other than the
しかしながら、実際の差動増幅回路のゲインに誤差があれば、差電圧1.25Vを与えた場合のA/D変換データは、理想値「MAX/4」と差を生じている。そこで、得られたA/D変換データと理想値「MAX/4」との差に応じた変化率(係数)を求め、その変化率をステップS45における補正コードとする。そして、補正値を確認すると(S5)、その補正値を制御ロジック52により記憶装置6に書き込ませて(S6)処理を終了する。
However, if there is an error in the gain of the actual differential amplifier circuit, the A / D conversion data when a difference voltage of 1.25 V is applied produces a difference from the ideal value “MAX / 4”. Therefore, a change rate (coefficient) corresponding to the difference between the obtained A / D conversion data and the ideal value “MAX / 4” is obtained, and the change rate is used as the correction code in step S45. When the correction value is confirmed (S5), the correction value is written in the
次に、D/Aコンバータ用の補正データを取得する場合について説明する。図12に示すフローチャートは、例として駆動信号生成回路10に電圧を出力するためのD/Aコンバータ7について補正する場合を示す。駆動回路51に電源が投入されると(S11)、先ず電流のソース側についてオフセット補正を行う(S12)。端子AFRをオープンにした状態で(S121)、電圧源/電流計65により端子AFRに2.5Vの電圧を印加する(S122)。
Next, a case where correction data for a D / A converter is acquired will be described. The flowchart shown in FIG. 12 shows a case where the D /
続いて、テスタ61はスイッチ54及び56をオンにして、電圧制御電流源55より端子AFRに流す電流を+1mAとするように、制御ロジック52によりD/Aコンバータ7に制御データを出力させる(S123)。そして、その時に流れる電流値を電圧源/電流計65により実測し、理想値1mAとの差を演算し(S124)、その演算結果からオフセット補正コードを算出する(S125)。
Subsequently, the
次に、電流のシンク側についてオフセット補正を行う(S13)。ステップS131〜S135は、ステップS121〜S125の処理をシンク側について適用したもので、ステップS133での電流設定値が−1mAとなるだけで、その他は同じ処理である。そして、補正値を確認すると(S14)、その補正値を記憶装置6に書き込ませて(S15)処理を終了する。 Next, offset correction is performed on the current sink side (S13). Steps S131 to S135 are obtained by applying the processing of steps S121 to S125 on the sink side, and the current setting value in step S133 is only −1 mA, and the other processes are the same. When the correction value is confirmed (S14), the correction value is written in the storage device 6 (S15), and the process is terminated.
以上のようにして、駆動回路51の記憶装置6に各補正用のデータが記憶される。そして、駆動回路51に例えば排気ガスセンサ15が実際に接続されて、排気ガスセンサ15が出力するセンサ信号をA/D変換する場合、図13に示すように、電源が投入されると(S51)、制御ロジック52は、記憶装置6から補正データを読み出し(S52)、排気ガスセンサ15を駆動してセンサ制御動作を開始する(S53)。そして、排気ガスセンサ15が出力するセンサ信号をA/Dコンバータ81がA/D変換したデータを、前記補正データに基づいて補正する(S54)。そして、補正したデータを通信I/F5を介してマイコン4に送信する。
As described above, the correction data is stored in the
以上のように第4実施形態によれば、テスタ61は、オフセット補正データとして、A/Dコンバータ81の期待ゼロ点データ値と、D/Aコンバータ53によりA/Dコンバータ81への差動入力電圧を0Vとした際に得られるA/D変換データ値との差を求め、得られたオフセット補正データを駆動回路51の記憶装置6に記憶させる。すなわち、駆動回路51にA/Dコンバータ81を内蔵し、当該駆動回路51側でA/Dコンバータ81のオフセットが補正される。
As described above, according to the fourth embodiment, the
したがって、駆動回路51に接続されるマイコン4は、オフセット補正データを得るための処理を一切負担する必要が無く、排気ガスセンサ15のセンサ信号について、駆動回路51より予め補正されたA/D変換データを取得できる。
Therefore, the
また、駆動回路51において、A/Dコンバータ81の入力側に差動増幅回路を備え、テスタ61は、ゲイン補正データとして、D/Aコンバータ53により、差動増幅回路への入力電圧を1.25V(所定電圧)とした際に得られるA/D変換データ値が、差動増幅回路に設定されているゲインに応じた期待データ値となるように、期待ゼロ点データ値を基準とする前記ゲインに応じた変化率を求め、そのゲイン補正データを記憶装置6に記憶させる。したがって、駆動回路51が差動増幅回路を備える場合に、ゲインの補正も予め駆動回路1側で行われるので、マイコン4の処理負担を削減できる。
Further, the
また、駆動回路51に、D/Aコンバータ7の出力電圧に応じて定電流量が設定される電圧制御電流源55を備え、テスタ61は、制御データをD/Aコンバータ7に入力させて、電圧源/電流計65により計測される電圧制御電流源55の出力電流値と目標駆動電流値との差を求め、前記差に相当する制御データを駆動電流補正用データとして求め記憶装置6に記憶させる。制御ロジック52は、例えば排気ガスセンサ15を駆動する際に、駆動電流補正用データを読み出してD/Aコンバータ7に出力する制御データを補正する。したがって、マイコン4は、排気ガスセンサ15等を駆動するための駆動電流値についても補正を行う必要がなくなる。
Further, the
すなわち、駆動回路51については、上述のように差動増幅回路のゲイン補正やD/Aコンバータ7により出力される電流値の補正を行う必要がある。したがって、駆動回路51にA/Dコンバータ81を搭載してそのオフセット補正も一括して行うことは、特段に作業負担を増加させることにならない。
That is, the
(第5実施形態)
第1実施形態では、図3又は図4において、定常状態でシンク電流を引き出した状態で駆動する排気ガスセンサ15を示した。しかしながら、排気ガスセンサの種類によっては、図14に示すように、定常状態でソース電流を供給した状態で駆動する仕様のものがある。そこで、第5実施形態の駆動電流生成回路91は、図15に示すように、前記ソース電流を供給するため、電源と端子S+との間に接続される駆動電流源92を備えている。
(Fifth embodiment)
In the first embodiment, FIG. 3 or FIG. 4 shows the
この駆動電流源92は、図7に示す第3実施形態のソース電流源42とは設ける目的が異なっている。図14に示すように、定常状態での駆動電流が例えば50μA程度必要である場合に対応し、そのオーダーでのソース電流を端子S+に供給するものである。また、駆動電流源92はイネーブル制御が可能に構成されており、センサ制御ロジック2に替わる制御ロジック93は、イネーブル信号EN3によって駆動電流源92をイネーブル制御する。尚、このようにイネーブル制御するための構成は必要に応じて用意すれば良い。
The drive
以上のように構成される第5実施形態によれば、端子S+にソース電流を流すことで、排気ガスセンサに定常的な駆動電流を通電する駆動電流源92を備えたので、駆動電流生成回路91は、そのような仕様の排気ガスセンサについても対応して駆動できる。また駆動電流源92の通電動作を停止可能に構成することで、定常的な駆動電流を通電する必要がないセンサについても対応可能である。
According to the fifth embodiment configured as described above, the drive current generating
(第6実施形態)
図16に示すように、第6実施形態の駆動電流生成回路101は、第5実施形態で説明したように定常状態でソース電流を供給した状態で駆動する排気ガスセンサ102を駆動対象とするものである。そのため、端子S+に供給するソース電流量を調整可能に構成される駆動電流源103を備えている。
(Sixth embodiment)
As shown in FIG. 16, the drive
駆動電流源103は、電圧電流変換部21のソース電流調整部21(+)と同様に、抵抗素子104,PチャネルMOSFET105及びオペアンプ106を有している。オペアンプ106は、イネーブル信号EN3によってイネーブル制御される。センサ制御ロジック107は、コントローラ108を介して2つのD/Aコンバータ7及び109に制御データを入力すると共に、オペアンプ11A,26及び27並びに106をイネーブル制御する。尚、オペアンプ11Aは、イネーブル信号EN4によりイネーブル制御される。
The drive
D/Aコンバータ109によりD/A変換された電圧信号は、オペアンプ106の非反転入力端子に入力される。すなわち、前記電圧信号により、排気ガスセンサ102に対して定常的に供給する駆動電流量が調整される。また、駆動電流源103のイネーブル制御については、必要に応じて行えば良い。
The voltage signal D / A converted by the D /
以上のように構成される第6実施形態によれば、駆動電流源103を、端子S+に供給するソース電流量を調整可能に構成したので、個別の排気ガスセンサに対応して必要となる駆動電流量を調整して供給できる。
According to the sixth embodiment configured as described above, the drive
本発明は上記した、又は図面に記載した実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
第1実施形態において、D/Aコンバータを、ソース電流側とシンク電流側とに個別に設け、2つのD/Aコンバータを介して出力する電圧を、制御ロジックにより個別に制御しても良い。
第1実施形態におけるオペアンプ26及び27は、必ずしもイネーブル制御が可能である必要はない。
センサ素子は、排気ガスセンサに限ることはない。
半導体素子は、MOSFETに限ることはない。
The present invention is not limited to the embodiments described above or shown in the drawings, and the following modifications or expansions are possible.
In the first embodiment, D / A converters may be separately provided on the source current side and the sink current side, and voltages output via the two D / A converters may be individually controlled by the control logic.
The
The sensor element is not limited to the exhaust gas sensor.
The semiconductor element is not limited to a MOSFET.
1 A/Fセンサ駆動回路、2 センサ制御ロジック、7 D/Aコンバータ、10 駆動電流生成回路、15 排気ガスセンサ、21(+) ソース電流調整部、21(−) シンク電流調整部、23 PチャネルMOSFET、24 NチャネルMOSFET、26及び27 オペアンプ、28及び29 アナログスイッチ、30 電流制御部。 1 A / F sensor drive circuit, 2 sensor control logic, 7 D / A converter, 10 drive current generation circuit, 15 exhaust gas sensor, 21 (+) source current adjustment unit, 21 (-) sink current adjustment unit, 23 P channel MOSFET, 24 N-channel MOSFET, 26 and 27 operational amplifier, 28 and 29 analog switch, 30 current controller.
Claims (8)
電源より前記通電端子へ流すソース電流量を調整するソース電流調整部(21(+),45(+))と、
前記通電端子よりグランドへ流すシンク電流量を調整するシンク電流調整部(21(−),45(−))と、
前記ソース電流調整部及び前記シンク電流調整部に対して電流調整制御を行う電流制御部(30,31,46)とを備え、
前記電流制御部は、前記ソース電流調整部及び前記シンク電流調整部の何れか一方により流す電流量を固定値として、他方が流す電流量を調整することで、前記通電端子を介して通電される駆動電流量を調整することを特徴とする駆動電流生成回路。 An energization terminal (S +) for energizing a drive current to the sensor element (15);
A source current adjustment unit (21 (+), 45 (+)) for adjusting a source current amount flowing from the power source to the energization terminal;
A sink current adjusting section (21 (−), 45 (−)) for adjusting the amount of sink current flowing from the energization terminal to the ground;
A current control unit (30, 31, 46) for performing current adjustment control on the source current adjustment unit and the sink current adjustment unit;
The current control unit is energized via the energization terminal by adjusting the amount of current flowing through the other by setting the amount of current flowing through one of the source current adjusting unit and the sink current adjusting unit as a fixed value. A drive current generation circuit characterized by adjusting a drive current amount.
前記バイアス電圧として可変電圧を供給する可変電圧供給部(2,7)とを備え、
前記可変電圧供給部(30)は、前記ソース電流調整部及び前記シンク電流調整部に対して共通であることを特徴とする請求項1記載の駆動電流生成回路。 The current control unit (30, 31) includes a constant voltage supply unit that supplies a constant voltage as a bias voltage for current adjustment,
A variable voltage supply unit (2, 7) for supplying a variable voltage as the bias voltage;
The drive current generation circuit according to claim 1, wherein the variable voltage supply unit (30) is common to the source current adjustment unit and the sink current adjustment unit.
この半導体素子の導通制御端子の電位を制御するオペアンプ(26,27)と、
このオペアンプの入力端子に、前記一定電圧と前記可変電圧とを切替えて入力する入力切替え部(28,29)とを備えることを特徴とする請求項2記載の駆動電流生成回路。 The source current adjustment unit and the sink current adjustment unit include a semiconductor element (23, 24) in which one of conduction terminals is connected to the energization terminal and the other is connected to the power supply or the ground via a resistance element;
Operational amplifiers (26, 27) for controlling the potential of the conduction control terminal of the semiconductor element;
The drive current generation circuit according to claim 2, further comprising an input switching unit (28, 29) for switching and inputting the constant voltage and the variable voltage at an input terminal of the operational amplifier.
この半導体素子の導通制御端子の電位を制御するオペアンプ(25,26)と、
このオペアンプの入力端子に可変電圧を供給する可変電圧供給部(2,7)とを備え、
前記オペアンプは、イネーブル制御が可能に構成されており、
前記シンク電流調整部は、前記通電端子より一定のシンク電流を流すもので、通電動作が停止可能に構成されるシンク電流源(43)を備えており、
前記電流制御部(46)は、前記電流量を固定値とする側の電流源を通電動作させると共に、同側のオペアンプをディスエーブル状態にすることを特徴とする請求項1記載の駆動電流生成回路。 In the source current adjustment unit (45 (+)) and the sink current adjustment unit (45 (−)), one of conduction terminals is connected to the conduction terminal, and the other is connected to the power source or the ground via a resistance element. Connected semiconductor elements (23, 24);
Operational amplifiers (25, 26) for controlling the potential of the conduction control terminal of the semiconductor element;
A variable voltage supply unit (2, 7) for supplying a variable voltage to the input terminal of the operational amplifier;
The operational amplifier is configured to enable control,
The sink current adjusting unit is configured to flow a constant sink current from the energization terminal, and includes a sink current source (43) configured to be able to stop the energization operation.
2. The drive current generation according to claim 1, wherein the current control unit is configured to energize a current source having a fixed value for the amount of current and to disable the operational amplifier on the same side. 3. circuit.
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