JP2016528848A - 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[0039] T1及びT2が、それぞれ、TL及びTSに対応して、大きい及び小さいフォトダイオードの読出し画像を表すものとする。R=(TL/TS)×(AREAL/AREAS)とする。MADは、T1とRxT2との間の局所的な平均絶対誤差値を表すものとし、それは以下のように定義される:
Claims (30)
- 第1のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第1の光感知素子と、第2のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第2の光感知素子とを含む画像センサを用いて画像を撮影する方法であって、前記第2のウェルキャパシティは、前記第1のウェルキャパシティよりも大きく、前記方法は、
前記少なくとも1つの第1の光感知素子の各々に対して第1の積分時間を決定することと、
前記少なくとも1つの第2の光感知素子の各々に対して第2の積分時間を決定することと、ここにおいて、前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間とは異なる、
を備える方法。 - 前記少なくとも1つの第1の光感知素子からの少なくとも1つの信号と、前記少なくとも1つの第2の光感知素子からの少なくとも1つの信号に少なくとも部分的に基づいて画像を形成すること
を更に備える、請求項1に記載の方法。 - 前記画像は、高ダイナミックレンジ画像である、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの第1の光感知素子及び前記少なくとも1つの第2の光感知素子のうちの少なくとも1つは、フォトダイオードである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間よりも短い、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の積分時間及び前記第2の積分時間のうちの少なくとも1つは、照明条件に少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項1に記載の方法。
- 電子デバイスであって、
第1のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第1の光感知素子と、第2のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第2の光感知素子とを含むCMOS可視画像センサと、ここにおいて、前記第2のウェルキャパシティは、前記第1のウェルキャパシティよりも大きい、
プロセッサと
を備え、前記プロセッサは、
前記少なくとも1つの第1の光感知素子の各々に対して使用されるべき第1の積分時間を決定することと、
前記少なくとも1つの第2の光感知素子の各々に対して使用されるべき第2の積分時間を決定することと、ここにおいて、前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間とは異なる、
を行うように構成される、デバイス。 - 前記少なくとも1つの第1の光感知素子及び前記少なくとも1つの第2の光感知素子のうちの少なくとも1つは、フォトダイオードを備える、請求項8に記載のデバイス。
- 前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間よりも短い、請求項8に記載のデバイス。
- 前記プロセッサは、照明条件に少なくとも部分的に基づいて第1の積分時間を決定するように構成される、請求項8に記載のデバイス。
- 前記プロセッサは、照明条件に少なくとも部分的に基づいて第2の積分時間を決定するように構成される、請求項8に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つの第1の光感知素子及び前記少なくとも1つの第2の光感知素子は、1つ以上のトランジスタを共有する、請求項8に記載のデバイス。
- 前記プロセッサは、画像を形成するように更に構成され、前記画像は、前記少なくとも1つの第1のフォトダイオード及び前記少なくとも1つの第2のフォトダイオードのうちの1つ以上からの信号に少なくとも部分的に基づく、請求項8に記載のデバイス。
- 前記画像は、高ダイナミックレンジ画像である、請求項14に記載のデバイス。
- 電子デバイスであって、
CMOS可視画像センサに含まれる、第1のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第1の光感知素子の各々に対して第1の積分時間を決定するための手段と、
前記CMOS可視画像センサに含まれる、第2のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第2の光感知素子の各々に対して第2の積分時間を決定するための手段と、ここにおいて、前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間とは異なり、前記第2のウェルキャパシティは、前記第1のウェルキャパシティよりも大きい、
を備える、デバイス。 - 前記少なくとも1つの第1の光感知素子からの少なくとも1つの信号と、前記少なくとも1つの第2の光感知素子からの少なくとも1つの信号に少なくとも部分的に基づいて画像を形成するための手段
を更に備える、請求項17に記載のデバイス。 - 前記画像は、高ダイナミックレンジ画像である、請求項17に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つの第1の光感知素子及び前記少なくとも1つの第2の光感知素子のうちの少なくとも1つは、フォトダイオードである、請求項17に記載のデバイス。
- 前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間よりも短い、請求項17に記載のデバイス。
- 前記第1の積分時間及び前記第2の積分時間のうちの少なくとも1つは、照明条件に少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項17に記載のデバイス。
- 命令を備える非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令は、実行されると、第1のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第1の光感知素子と、第2のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第2の光感知素子とを含むCMOS可視画像センサを使用して画像を撮る方法を行うことをデバイス内のプロセッサに行わせ、前記第2のウェルキャパシティは、前記第1のウェルキャパシティよりも大きく、前記方法は、
前記少なくとも1つの第1の光感知素子の各々に対して第1の積分時間を決定することと、
前記少なくとも1つの第2の光感知素子の各々に対して第2の積分時間を決定することと、ここにおいて、前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間とは異なる、
を備える、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記方法は、
前記少なくとも1つの第1の光感知素子からの少なくとも1つの信号と、前記少なくとも1つの第2の光感知素子からの少なくとも1つの信号とに少なくとも部分的に基づいて画像を形成すること
を更に備える、請求項24に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記画像は、高ダイナミックレンジ画像である、請求項24に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記少なくとも1つの第1の光感知素子及び前記少なくとも1つの第2の光感知素子のうちの少なくとも1つは、フォトダイオードである、請求項24に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記第2の積分時間は、前記第1の積分時間よりも短い、請求項24に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記第1の積分時間及び前記第2の積分時間のうちの少なくとも1つは、照明条件に少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項24に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/972,742 | 2013-08-21 | ||
US13/972,742 US9578223B2 (en) | 2013-08-21 | 2013-08-21 | System and method for capturing images with multiple image sensing elements |
PCT/US2014/050506 WO2015026550A1 (en) | 2013-08-21 | 2014-08-11 | System and method for capturing images with multiple image sensing elements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016528848A true JP2016528848A (ja) | 2016-09-15 |
JP2016528848A5 JP2016528848A5 (ja) | 2017-07-06 |
Family
ID=51429378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016536293A Pending JP2016528848A (ja) | 2013-08-21 | 2014-08-11 | 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9578223B2 (ja) |
EP (1) | EP3036894B1 (ja) |
JP (1) | JP2016528848A (ja) |
KR (1) | KR101843667B1 (ja) |
CN (1) | CN105453542B (ja) |
WO (1) | WO2015026550A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023080197A1 (ja) * | 2021-11-05 | 2023-05-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
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- 2014-08-11 WO PCT/US2014/050506 patent/WO2015026550A1/en active Application Filing
- 2014-08-11 JP JP2016536293A patent/JP2016528848A/ja active Pending
- 2014-08-11 KR KR1020167007318A patent/KR101843667B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-11 EP EP14758022.9A patent/EP3036894B1/en active Active
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US20150054992A1 (en) | 2015-02-26 |
US9578223B2 (en) | 2017-02-21 |
KR101843667B1 (ko) | 2018-03-29 |
CN105453542B (zh) | 2019-08-16 |
KR20160045815A (ko) | 2016-04-27 |
CN105453542A (zh) | 2016-03-30 |
EP3036894B1 (en) | 2023-01-18 |
EP3036894A1 (en) | 2016-06-29 |
WO2015026550A1 (en) | 2015-02-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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