JP2016523456A - リードフレームストリップへのledダイのボンディング - Google Patents

リードフレームストリップへのledダイのボンディング Download PDF

Info

Publication number
JP2016523456A
JP2016523456A JP2016522909A JP2016522909A JP2016523456A JP 2016523456 A JP2016523456 A JP 2016523456A JP 2016522909 A JP2016522909 A JP 2016522909A JP 2016522909 A JP2016522909 A JP 2016522909A JP 2016523456 A JP2016523456 A JP 2016523456A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strip
led
led die
light emitting
emitting structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016522909A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6508732B2 (ja
JP2016523456A5 (ja
Inventor
クァン リー,ツェ
クァン リー,ツェ
スコット マーティン,ポール
スコット マーティン,ポール
ヨハネス クラウス,アルプレヒト
ヨハネス クラウス,アルプレヒト
カン,チュンヘン
リン パン,ホイ
リン パン,ホイ
イン,ロン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2016523456A publication Critical patent/JP2016523456A/ja
Publication of JP2016523456A5 publication Critical patent/JP2016523456A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6508732B2 publication Critical patent/JP6508732B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/4848Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

1つの実施態様では、LEDバルブが、少なくとも、第1のストリップと、第2のストリップと、第3のストリップとを含む、複数の金属リードフレームストリップを含む。第1のLEDダイは、第1のストリップの頂部表面(上面)に電気的及び熱的に接続されるそれらの底部電極を有する。第2のLEDダイは、第2のストリップの頂部表面(上面)に電気的及び熱的に接続されるそれらの底部電極を有する。第1のLEDダイの頂部電極は、第2のストリップにワイヤ結合され、第2のLEDダイの頂部電極は、第3のストリップにワイヤ結合され、第1のLEDダイ及び第2のLEDダイを直列及び並列に接続する。次に、ストリップは曲げられて、LEDダイを異なる方向に向けさせて、小さな空間内で広い放射パターンを得る。次に、ストリップは、電気リードを有する熱伝導性バルブ内に取り囲まれる。

Description

この発明は、発光ダイオード(LED)のパッケージング(実装)に関し、具体的には、複数の相互接続されるLEDダイを含み且つ良好なヒートシンク能力(熱降下能力)を有するLEDモジュールを形成する技法に関する。
高出力で高輝度のLEDは、極めて小さい領域(例えば、1mm)内で高い熱を生成し、この熱は、小さいパッケージング(又はモジュール)サイズを維持しながら、効率的に放散されなければならない。更に、極めて高いフラックス(束)を生成するために、同じパッケージ内に多数のLEDがあることがある。そのようなLEDは、パッケージ内で直列及び/又は並列に接続されるのが普通である。
高出力LEDのための一般的なパッケージにおいて、LEDダイの底部金属パッドは、熱伝導性サブマウント(例えば、セラミック)の頂部金属パッドにはんだ付けされ、LEDダイはカプセル化される。次に、(LEDダイのアノード(陽極)及びカソード(陰極)に電気的に接続される)外部サブマウント金属パッドは、プリント回路基板(PCB)のパッドにはんだ付けされ、PCBはLEDの熱を下げるのを助け、LEDダイに電力をもたらす。サブマウント及びPCBへのLEDの熱結合は、金属ヒートシンクへの直接的な熱結合ほど良好でない。直列に接続される単一のパッケージ内に多数のLEDがあるとき、熱設計はより複雑である。なぜならば、LEDは、熱を分散させるために、大きな金属パッドを共用し得ないからである。
この熱放散の問題は、自動車ヘッドライトの分野において特に厳しく、そこでは、多数の高出力LEDが、取り囲まれたヘッドライト放物線状反射器における焦点付近の小さい空間内に高いフラックスを給送しなければならない。
多数のLEDを実装するために、様々な従来技術のLEDモジュールが提案されているが、パッケージを自動車ヘッドライトに適さなくさせるヒートシンク及びサイズの問題が依然としてある。この従来技術の例は、米国特許/特許出願公開第7,806,560号、第8,371,723号、第2013/0005055号、及び第2008/0074871号を含む。
従って、必要とされているのは、比較的小さい大きさを有し、優れたヒートシンク能力を有し、且つ、ヘッドライト(前灯)、インジケータライト(表示灯)、又はテールライト(尾灯)のような、自動車用途において用いられることがある高出力LEDのアレイ(配列)を含み得る、LEDモジュールを形成する技法である。
1つの実施態様において、高出力垂直LEDがモジュール内で用いられ、モジュールは、ヘッドライト、インジケータライト、若しくはテールライトアセンブリの、又は他の用途のためのソケット内に挿入される。LEDダイの各々は、カソードとしての機能を果たす底部金属パッドと、熱導体とを有する。頂部電極がワイヤボンドパッドであり、アノードとしての機能を果たす。
所望のフラックス及び(自動車における12V供給のためのような)電圧降下をもたらすために、多数のLEDが並列に接続され、並列のグループ(群)が直列に接続される。
簡単な実施例において、所望のフラックスを生成するために12個のLEDダイが必要とされると想定され、並列に接続される4個のグループのLEDダイ(各グループ中に3個)があり、4個のグループは電力端子に亘って直列に接続される。LEDは、それらの上にYAG蛍光体のような黄色発光体を備える青色GaNベースのLEDであることによって、白色光を発してよい。
第1のグループ内の3つのLEDダイは、リードフレームの一部である共通の第1の銅ストリップに直接的にはんだ付けされ或いは銀エポキシ接着される、それらの底部パッドを有する。第2のグループ内の3つのLEDダイは、リードフレームの一部である共通の第2の銅ストリップに直接的にはんだ付けされる、それらの底部パッドを有する。第3のグループ内の3つのLEDダイは、リードフレームの一部である共通の第3の銅ストリップに直接的にはんだ付けされる、それらの底部パッドを有する。第1のグループ内のLEDダイのアノードは、第2の銅ストリップにワイヤ結合される(wire-bonded)。第2のグループ内のLEDダイのアノードは、第3の銅ストリップにワイヤ結合される。第3のグループ内のLEDダイのアノードは、第4の銅ストリップにワイヤ結合される。全ての銅ストリップは、反射率のために反射性銀層を有する。
他の実施態様において、LEDダイは、アノードとしての機能を果たす底部金属パッドと、熱導体とを有する。頂部電極がワイヤボンドパッドであり、カソードとしての機能を果たす。第1のグループ内のLEDダイのカソードは、第2の銅ストリップにワイヤ結合される。第2のグループ内のLEDダイのカソードは、第3の銅ストリップにワイヤ結合される。第3のグループ内のLEDダイのカソードは、第4の銅ストリップにワイヤ結合される。透明なカプセル材料が、例えば3つの場所で、LEDダイ及び銅ストリップの周りに成形されて、ストリップがカプセル化鋳物の間で曲げられるのを可能にしながらも、ストリップ間の機械的な連結をもたらす。1つの実施態様において、透明なカプセル材料は、光透過性筐体として用いられる。
次に、銅ストリップは、銅ストリップの端が同じ平面内にあってLEDのアレイのアノード及びカソード端リードを形成するよう、三角形又はU形状のように曲げられる。電流コントローラが、モジュールの電力リードとストリップの端との間に連結される。電流コントローラへの接続のために、ストリップの端をフランジ内にスナップ嵌めしてよい。
ストリップは、所要の電流を運ぶのに必要とされるよりもずっと広い。なぜならば、それらはヒートシンク及び反射のためにも用いられるからである。1つの実施態様において、ストリップは、LEDダイの幅の5倍よりも大きい。
従って、全てのLEDダイは、外向きに面し且つ広い角度を取り囲む、それらの発光表面を有する。LEDダイからの側方放射があるので、光放射(発光)は概ね球状であり得る。
次に、電気構造は、電気構造の保護のために、並びに標準的なソケットへの接続のためにモジュールにT20バルブ形態のような標準的な形態を与えるよう、透明な保護バルブ内に取り囲まれる。バルブは、LED及びリードフレームをカプセル化するよう、透明な熱伝導性プラスチックであってよい。屈曲電気構造の広い放射パターンは、反射アセンブリにおける使用に特に適する。
他の実施態様において、電気構造は、光透過性筐体で覆われ、一次光学(primary optics)を形成し、次に、光透過性筐体を備える電気構造は、電気構造の保護及び熱の放散のために、並びにモジュールに標準的な形態を与えるよう、熱伝導性プラスチック内に取り囲まれる。熱伝導性プラスチックは、リードフレームをカプセル化し、電気構造の出光表面(out-light surfaces)が露出させられた状態で光透過性筐体と接触する。
他の実施態様において、バルブは、銅ストリップ及びLEDダイを冷却するよう、空気がバルブ内を循環するのを可能にしてよい。各々の特大の銅ストリップの上に、下に、及び側部に空気間隙があるので、LEDダイは、ヘッドライト又はテールライト反射器アセンブリ内でさえも冷却される。
この着想を並列及び直列に接続される如何なる数のLEDダイに適用してもよい。異なる色のLED又は異なる種類のLEDは、同じ銅ストリップに取り付けられてよく、或いは同じランプ内の異なるストリップに取り付けられてよい。
結果として得られるモジュールは比較的少ない部品を用い、その信頼性を向上させる。
他の実施態様において、銅ストリップは曲げられず、反射カップ内で支持される。ストリップは熱を分散し、LEDダイを直列及び並列に繋ぐ。
モジュールの区画を示す斜視図であり、銅ストリップ(単一のリードフレームの部分)上に取り付けられた4個のLEDダイを示しており、LEDダイは直列及び並列に接続されている。 LEDダイ領域内に銀エポキシの層を備える、図1のストリップのうちの1つを示す断面図である。 硬化ステップの後に銀エポキシを介してストリップに電気的及び熱的に取り付けられたLEDダイを示す図である。 ワイヤボンドのためにLEDダイの頂部電極に配置される金ボールを示す図である。 LEDダイの頂部アノードを隣接する銅ストリップに接続する金ワイヤを示す図である。 銅ストリップの隆起区画を示す斜視図であり、1個のLEDダイが隆起区画に取り付けられている。 隆起区画を備えるリードフレームを示す斜視図である。 3個の銅ストリップを示す上面図であり、ストリップのうちの2個のストリップの各々の上にある(並列に接続された)6個のLEDダイと、ワイヤボンドと直列に接続される二組のLEDダイとを備える。 図8のストリップが三角形の形状を形成するよう曲げられた後のモジュールの部分を示す斜視図であり、実際の実施態様において、ストリップ及びLEDダイは、屈曲の前に三角形の3つの平坦な区画でカプセル化される。 図9のモジュールの一部を示す側面図であり、(機械的安定性のための)ストリップの一部の周りの成形エポキシ鋳物を示し、透明なシリコーン又はエポキシレンズがどのようにLEDダイをカプセル化するかを示している。 図10のモジュール部分を示す斜視図であり、並列に接続された2個のLEDダイ上のカプセル材料及び2個のストリップを示している。 LEDダイ上のカプセル材料及び図9の3個のストリップを示す断面端面図である。 図12のモジュール部分を示す斜視図であり、直列に接続された2個のカプセル化されたLEDダイを示している。 鋳物が形成された状態の図9のモジュール部分を示す側面図であり、モジュールの電流コントローラ部分と、電気構造の保護のための透明バルブとを更に示している。 図14のモジュールを示す正面図である。 電気部品と繋げられたリードフレームを示す斜視図である。 電気部品と繋げられたリードフレームを示す斜視図である。 電気部品と繋げられたリードフレームを示す斜視図である。 モジュール上の機械的基準を示す正面図である。 照明装置内に装着されるモジュールを示す側面図である。 異なる放射パターンのためにU形状に曲げられた銅ストリップを示す斜視図であり、次に、ストリップが図12及び13に示す方法において取り付けられてよい。 図14のストリップを示す側面図である。 どのようにストリップがLEDダイの下で狭まり、次に、列内のLEDダイがストリップによるヒートシンクを犠牲にせずに互いにより近づくのを可能にするよう広がってよいかを示す図である。 図1からのような銅ストリップ及びLEDダイを含む円錐形の反射カップを示す断面図である。
同一又は類似の要素を同じ番号を印す。
図1は、モジュール10の区画の斜視図であり、銅ストリップ14A及び14B(リードフレームの部分)上に取り付けられる4個のLEDダイ12を示しており、LEDダイ12は、直列及び並列に接続されている。ストリップ14Cは、インターコネクトとして用いられ、リードフレームの部分である。ストリップ14Cは、ストリップ14A及びストリップ14Bよりも狭くあり得る。ストリップ14は、モジュール10の製造中に、他のモジュールのためのストリップと共に、大きな打抜きシートにおいて提供される。ストリップ14は、銅の薄い横材(cross-pieces)によって一体に接続され、銅の薄い横材は、後にダイシング(singulation)中に切断される。
ストリップ14は、良好なヒートシンク(熱降下)のために、典型的には、0.25〜0.5mmの厚さ及び少なくとも2mmの幅のオーダにある。LEDダイ12は、典型的には、1mm未満の幅であるので、ストリップ14は、LED電流を運ぶために必要とされるよりもずっと広い。1つの実施態様において、ストリップ14は、LEDダイ12の幅の4倍を超える。ストリップ14は、高度に反射的であるよう銀めっきされるので、広いストリップ14を提供することは、良好な熱伝導性、サイドライト(側灯)の良好な反射、及び低い抵抗の相乗効果ももたらす。
自動車ヘッドライト用途のために、LEDダイ12は、YAG蛍光体を備える青色放射LEDを含む白色光LEDであってよい。用途に応じて、他の種類のLEDを用いてもよい。テールライトのために、赤色又は琥珀色LEDが用いられてよい。
実施例におけるLEDダイ12は垂直型であり、カソードとして作用する底部にある金属層と、アノードとして作用する頂部にあるより小さな電極とを備える。頂部にアノードを備え且つ底部にカソードを備える垂直型、頂部に両方の電極を備え且つ底部に金属熱パッドを備える横方向LEDを含む、他の種類のLEDダイを用いてよい。フリップチップを用いてもよいが、底部電極への電気的な接続において追加的な複雑さがある。
単一のストリップ14A又は14B上のLEDダイ12は、並列に接続される。なぜならば、それらの底部電極は、それらのそれぞれのストリップ14に結合され(bonded)、それらの頂部電極は、金ワイヤ16を介して、隣接するストリップ14に結合されるからである。これも直列に接続されるべき並列のLEDダイ12のグループ(群)をもたらす。
2つのグループの並列接続されるLEDダイ12だけを図1に示しているが、単一のストリップ14上に取り付けられる如何なる数のLEDダイ12があってもよく、LEDダイ12のグループを直列に接続するために如何なる数のストリップ14があってもよい。直列接続の数は、モジュールに亘る電圧降下に影響を及ぼす。モジュールに亘る最適な電圧降下及び用いられるLEDダイ12の数は、具体的な用途に依存する。
他の実施態様では、4個のグループのLEDダイがあり、各グループは単一の銅ストリップ上に取り付けられ、各グループ中の3個のLEDダイはストリップ上で並列に接続される。それらのグループは直列に接続される。その実施態様では、5個の銅ストリップが用いられる。
単一のストリップ上の又は単一の列内のLEDダイは異なる色であってよい。例えば、幾つかのLEDダイは、赤色光を発してよく、幾つかのLEDダイは、琥珀色光を発してよく、幾つかのLEDダイは、白色光を発するよう、蛍光体を備える青色LEDであってよい。単一のストリップ上のLEDダイは、異なる波長、異なる色温度、又は異なるフラックスであってもよい。
ストリップ上の1個のLEDダイがそのストリップ上の他のLEDダイと異なり、異なる電圧降下を有するならば、それらのアノードワイヤ16を異なる電圧に接続してよい。これはアノードワイヤを異なるストリップに接続することによって行われてよい。なぜならば、各ストリップは異なる電圧にあるからである。
1つの実施態様では、電源への接続のために、ストリップの端がモジュールの端子に接続される。そして、一部のLEDダイをオンにし、他のLEDをオンにしないよう、異なる組み合わせのストリップに電力を選択的に適用してよい。例えば、図1において、ストリップ14A及び14Cに亘って電力を適用することは、全てのLEDダイ12をオンにするが、ストリップ14A及び14Bのみに亘って電力を適用することは、ストリップ14Aに取り付けられるLEDダイ12のみをオンにする。同様に、ストリップ14B及び14Cに亘って電力を適用することは、ストリップ14B上のLEDダイ12のみをオンにする。この技法を用いて単一のモジュールから異なる色放射を創り出し得るし、異なるストリップ上の色を選択的に組み合わせて広範囲の色を創り出してよい。直列に接続される如何なる数のグループのLEDダイ12(異なるストリップ上の各グループ)があってもよい。全てのLEDダイが同じ色を発するならば、所望の輝度を達成するために、電力を異なる組み合わせのストリップに亘って選択的に適用してよい。
停止を示すための明るい赤色光、回転を示すために明るい琥珀色光、及び継続的にオンであるより少ない明るさの琥珀色光を発すべきテールライトの実施例では、停止があるときに赤色LEDダイを備えるストリップがオンにされ、回転があるときに全ての琥珀色LEDダイがオンにされ、且つ一部の琥珀色LEDダイのみが継続的にオンにされるよう、そのような赤色及び琥珀色LEDダイをそれぞれのストリップに取り付けてよく、電力を異なる組み合わせのストリップに亘って選択的に適用してよい。
異なる組み合わせのストリップ14を通じて所要の電流を提供するドライバ20を示している。
最終的に、LEDダイ12及びストリップ14は、様々な区画で透明な成形されたエポキシ鋳物22内に包まれ、LEDダイ12上のレンズのための任意的な開口を備える。鋳物22は、機械的な支持、LEDダイ12及びワイヤボンド16(wire bond)の保護をもたらす。
他の実施態様では、異なる放射パターンを実現するために、並びに、機械的な支持、LEDダイ12及びワイヤボンド16の保護をもたらすために、鋳物22を透明なカプセル材料(encapsulant)(一次光学(primary optics))として直接的に特定の形状に形成することもできる。鋳物22材料は、少なくとも50%の良好な光透過率を有さなければならない。透明なカプセル材料は、LEDダイの一部又は全てのLEDダイを覆い得る。好ましくは、透明なカプセル材料は、少なくとも2つのLEDダイを覆う。リードフレーム上に多数の透明なカプセル材料を形成して、LEDダイを覆い、そして、光透過性の筐体を更に形成し得る。
図2は、LEDダイ領域内に熱伝導性の銀エポキシ24を備える、図1のストリップ14Aのうちの1つのストリップの断面図である。エポキシ24を印刷してよく或いは他の方法において堆積させてよい。
図3は、加熱硬化ステップの後に銀エポキシ24を介してストリップ14Aに電気的に及び熱的に取り付けられるLEDダイ12を例示している。
図4は、ワイヤボンドのためにLEDダイ12の頂部電極に超音波結合される金ボール26を例示している。類似の金ボールを隣接するストリップ14Bに結合してよい。
図5は、上記で議論したような並列及び直列接続を創り出す、金ボール26と隣接するストリップ14Bとの間に超音波結合される金ワイヤ16を例示している。
図6−7は、エポキシ鋳造ステップを簡略化するためにLEDダイ12が取り付けられるべき隆起区画を有する、リードフレームストリップ14を例示している。ストリップ14は、後のステップにおいてどこで屈曲が起こるべきかを定める押込み領域(indented areas)を有してもよい。
図8は、3個の銅ストリップ14A,14B,14Cのより大きな部分の上面図(top down view)であり、ストリップ14A上に(並列に接続された)6個のLEDダイ12を備え、ストリップB上に6個のLEDダイ12を備える。2つの組のLEDダイ12がワイヤ16と直列に接続される。この段階で、リードフレームシート全体は、依然として無傷であり、おそらく数百のLEDダイを支持する。他の実施態様では、4個のストリップ14及び3個のグループのLEDダイ12があり、それらのストリップのうちの3個の上に4個のダイ12が取り付けられる。
この時点で、単一のモジュール内でLEDダイ12を通じる電流を調整するために、電流コントローラ(図示せず)を各モジュールのストリップ14に接続してよい。電流コントローラは、モジュールの異なる電力端子に接続される1つ又はそれよりも多くの抵抗器で構成されてよく、放射の輝度は、どの抵抗器が電流を伝導するかに依存する。逆電圧保護回路及びESD保護をモジュール中に含めてもよい。
次に、一群のストリップ14を機械的に一体に維持するために、透明なエポキシ鋳物22(図1)をLEDダイ12及びストリップ14の周りに成形してよい。
次に、リードフレームシートを切断して、個々のモジュールを分離する。
破線32及び34は、ストリップ14がどこで曲げられて図9に示す三角形の形状を形成するかを例示している。図9は、鋳物22を示していない。
図10は、ストリップ14Bの一部を例示しており、(並列に接続された)LEDダイ12上に形成されたレンズ38(一次光学)及び鋳物22を示している。レンズ38はLEDダイ12の上に成形されてよく、或いは、事前形成レンズが各LEDダイ12の上に位置付けられ、LEDダイ12をカプセル化するために透明なシリコーンで固定される。レンズが用いられるならば、鋳物22はLEDダイ12のための開口を有してよい。レンズ38又はカプセル材料の光透過率は、50%を越えなければならない。
図11は、図10のモジュール部分の斜視図であり、2つのストリップ14B及び14Cを示している。
図12は、図9の3個のストリップ14A,14B,14Cの断面端面図であり、2つのLEDダイ上のレンズ38及び鋳物22は、直列に接続されている。
図13は、図12のモジュール部分の斜視図である。
図14は、モジュール10全体の側面図であり、ストリップ14の部分の周りのエポキシ鋳物22を示している。側面図は、ストリップ14Aを示している。ストリップ14Aの一端がコネクタ40内に挿入され、コネクタ40はその一端をストリップ14Aの他の部分に短絡させ、三角形の形状を維持する。ストリップ14B及び14Cの端は、それぞれのストリップの端をそれらのストリップの他の部分に短絡させ且つ三角形の形状を維持するために、同様にコネクタ40内に挿入される。屈曲後にストリップの端をそのストリップの他の部分と短絡させることによって、電流はストリップに沿ってより均一に伝導される。コネクタ40は、フランジの部分が製造業者によって噛み合わせられる(snapped together)ときに、ストリップ14の部分を一緒に圧縮するフランジであってよい。幾つかの実施態様では、ストリップの両端を短絡させ、ストリップの両端のうちの一方を開放状態に維持することは必要でなく、それらは最終的にバルブ(電球)によって固定されてよい。
ストリップ14A,14B,14Cを通じる電流を調整するために、ストリップ14A及び14Cは、電流コントローラ42に接続される。1つの実施態様において、電流コントローラ42は、電流を制限するための抵抗器及びESD保護要素を含んでよい。モジュール10がストップライト(停止ライト)及びテールライトの両方のために用いられる実施態様において、電流コントローラは、ストップライト機能のために第1の抵抗器を用いて電流(及びフラックス)の増大をもたらし、テールライト機能のために第2の抵抗器を用いて電流(及びフラックス)の減少をもたらす。
次に、保護のために、結果として得られる電気構造を透明なプラスチック又はガラスのバルブ44内に配置する。或いは、結果として得られる電気構造を熱伝導性プラスチックで外側被覆(オーバーモールド)することもできる。非透明プラスチックが用いられるが、モジュール10は、透明なカプセル材料の出光表面(out-light surfaces)が露出された状態でカプセル化されなければならない。バルブ44の形状は、自動車ヘッドライト若しくはテールライトアセンブリにおける使用のための又は他の用途のための標準的なT20バルブであってよい。バルブ44の底部は、T20ソケットのための標準的なリード(lead)をもたらすよう、ストリップ14A及び14Cと接触する、電気コネクタを含んでよい。
図15は、図14のモジュール10の簡略化された正面図である。バブル44材料は、鋳物22の出光表面が露出された状態で鋳物22及びストリップp14の周りに成形される、熱伝導性プラスチックであってよい。図15の鋳物22は、透明なカプセル材料として直接的に特定の形状に形成されて、異なる放射パターンを実現し、且つ、機械的な支持、LEDダイ及びワイヤボンドの保護をもたらす。広い銅ストリップ14は熱を分散させ、LEDダイを冷却する。バルブ44は、均一な温度分配をもたらす。
他の実施態様において、バルブ44は中空であり、空気が内側を流れるのを可能にする。ストリップ14から熱を除去する空気循環のために、空気開口45がバルブ44の底部にあってよい。リード46もストリップ14をソケットに熱的に結合する。
バルブ44がモジュール10の電気部分を包んだ後に、バルブ44自体がソケットのためのリードをもたらすならば、バルブ44の底部から延びる如何なるリードフレームストリップ14をも切断してよい。バルブ44は、バルブ形態におけるHシリーズ、Pシリーズ、Tシリーズ、Wシリーズ、又はRシリーズの基準を満足するバルブであってもよい。異なる輝度が望ましいか或いは異なる色の組み合わせが望ましいならば、結果として得られるランプ(又はモジュール又はバルブ)は、2つよりも多くの端子を有してよい。
図16−18は、ストリップ14が、抵抗器60、ダイオード61、及びコンデンサ62を含む、異なる電子部品と繋げられて、電流駆動機能、逆極性保護機能、及びESD保護を実現することを実証している。
ランプが差し込まれた後に、バルブ44の底部より上のLEDダイ12の場所は、ヘッドライト又はテールライトのような、反射な空洞の焦点付近にあるように設定されてよい。
図19−20は、バルブ44の光学中心を固定するための基準として熱伝導性プラスチック上に形成される機械的基準63の実施例を示している。バルブ44自体は、ソケットのためのリードをもたらす。バルブ44が照明装置64内に装着され或いは差し込まれる間に、バルブ44の底部分にある機械的基準63は、モジュール10の光学中心と照明装置64の光学中心を一致させる基準として取られてよい。機械的基準63を透明なバルブ又はガラスバルブ上に形成することもできる。機械的基準63は、楔形状又はスナップ継手(snap joint)であり得る。
図21は、異なる放射パターンのためにU形状の曲げられた銅ストリップ14A,14B,14Cを例示する斜視図である。その場合には、ストリップを図14及び15に示す方法と同じ方法において取り付けてよい。
図22は、図21のストリップ14の側面図である。
図14及び図21のモジュールは、ヘッドライト又はテールライトのためのような、放物線状反射器アセンブリにおける使用に特に適しており、その場合には、広い放射パターンが反射器によって前方方向に向けられる。
モジュールは比較的少ない部品を有し、その結果、信頼性の増大をもたらす。
直列及び並列の如何なる数のグループの如何なる数のLEDダイ12をも小さいモジュールサイズにおいて提供してよい。LEDダイ12と銅ストリップ14との間には断熱材料がなく、熱を比較的長く且つ広い銅ストリップ14によって分散させる。循環空気又は熱伝導性バルブ44材料は、ストリップの前部、後部、及び側部から熱を除去する。
図23は、一組の銅ストリップ47A−47Eの一部を例示しており、ストリップ47A−47Eの上には、単一の列のLEDダイ12が取り付けられ、直列に接続されている(配線は示されていない)。並列における接続のために、より多くのLEDダイ12をストリップ47上に取り付けてよい。銅ストリップ47の熱降下(heat sinking)を犠牲にせずに、LEDダイ12を共に近接して配置するために、ストリップ47は長方形である必要がなく、LEDダイ12の近傍において狭くされ、そして、冷却のために大きな表面積(表面領域)を備える高い熱質量をもたらすよう広げられる。LEDダイの面積は、ストリップ上にLEDダイを取り付けるための最小の面積を意味する。2つの隣接するLEDダイ12の間の最小ピッチは、図23に示すように、2mm以下である。ピッチは、2つの隣接するLEDダイの中心の間の距離である。ストリップの面積及びLEDダイの最小面積の関係は、以下の式を満足することができ、ここで、A1,A2,A3,A4は、各LEDダイ12についての最小面積を表し、B1,B2,B3,B4は、熱放散のための各ストリップの面積を表している。
Figure 2016523456
各列内のLEDダイのコンパクトな配置の故に、それらの測光的及び電気的な特性は一緒に混ざり合う(merge together)ので、1個の列内で異なる種類のLEDダイを用い得る。例えば、1個の列内に、異なる優勢波長(主波長)、異なる順電圧、又は異なるフラックスを備えるLEDダイを形成し得る。1個の列内のLEDダイの異なるビン(bins)(波長、電圧、フラックス)を組み合わせることによって、モジュールのためのコストを大いに減少し得る。
図24は、円錐形の反射カップ50が、図1からのような、銅ストリップ14A,14B,14C及びLEDダイ12を含む、ランプの他の実施態様を例示している。カップ50は、反射壁52を有する、熱伝導性セラミック又は絶縁層を備える金属であってよい。反射壁52によって上向きに方向付けられる光線53を示している。LEDダイ12は、透明なカプセル材料54又は蛍光体を含むカプセル材料によってカプセル化される。金属リード56がストリップ14A及び14Cから延び、熱伝導性PCBへの接続のためにカップ50の底部で大きなパッド又はリード内に終端する。ストリップ14は、カップ50の上に熱を分散させ、LEDダイ12から熱を除去し、反射器を提供する。
様々な実施態様において、ストリップ14Cは、LEDダイ12を相互接続するためにだけ用いられ、ヒートシンクのためにLEDダイ12のいずれをも支持しない。しかしながら、ストリップ14A及び14Bも形成するリードフレームの部分を用いてLEDダイ12を相互接続することは便利である。幾つかの用途では、ストリップ14C以外のインターコネクタ(相互接続部品)が用いられてよく、ストリップ14Cは用いられない。
本技法を用いる他のランプ設計が想定される。
本発明の特定の実施態様を示し且つ記載したが、その最広義の特徴におけるこの発明から逸脱せずに変更及び修正を行ってよいことが当業者に明らかであり、従って、付属の請求項は、この発明の真正な精神及び範囲内に入るような全てのそのような変更及び修正を、それらの範囲内に包含するべきである。

Claims (21)

  1. 少なくとも第1のストリップと、第2のストリップと、第3のストリップとを含む、複数の金属リードフレームストリップと、
    少なくとも1個の第1の発光ダイオード(LED)ダイであって、少なくとも1つの第1のLEDダイの各々は、第1の電極と、第2の電極とを有し、少なくとも1つの第1のLEDダイの前記第1の電極は、前記第1のストリップの頂部表面に電気的及び熱的に結合される、少なくとも1つの第1のLEDダイと、
    少なくとも1つの第2のLEDダイであって、少なくとも1つの第2のLEDダイの各々は、第3の電極と、第4の電極とを有し、少なくとも1つの第2のLEDダイの前記第3の電極は、前記第2のストリップの頂部表面に電気的及び熱的に結合される、少なくとも1つの第2のLEDダイと、
    前記少なくとも1つの第1のLEDダイ及び前記少なくとも1つの第2のLEDダイのうちの少なくともいずれか2つのLEDダイの上の光透過性筐体とを含み、
    前記少なくとも1つの第1のLEDダイの前記第2の電極は、前記第2のストリップにワイヤ結合され、前記少なくとも1つの第2のLEDダイの前記第4の電極は、前記第3のストリップにワイヤ結合され、前記少なくとも1つの第1のLEDダイを前記少なくとも1つの第2のLEDダイと直列に接続させ、
    前記第1のストリップ、前記第2のストリップ、及び前記第3のストリップのうちの少なくとも1つは、前記少なくとも1つの第1のLEDダイ及び前記少なくとも1つの第2のLEDダイを通じて電流を供給するよう、電源に電気的に連結されるように構成される、
    発光構造。
  2. 前記光透過性筐体の透過率は、50%以上である、請求項1に記載の発光構造。
  3. 当該発光構造を電気的に制御するために、電気コントローラが前記ストリップのうちの少なくとも1つに連結される、請求項1に記載の発光構造。
  4. 前記電気コントローラは、1つ又はそれよりも多くの抵抗器、コンデンサ、及び/又はダイオードを含む、請求項3に記載の発光構造。
  5. 前記ストリップのうちのいずれか1つに連結されるLEDダイのうちのいずれか2つは、異なる種類のLEDダイであり、複数のLEDダイが、前記ストリップのいずれか1つに取り付けられる、請求項1に記載の発光構造。
  6. 前記ストリップのうちのいずれかは、少なくとも1つのLEDダイが取り付けられるべき少なくとも1つの隆起区画を有する、請求項1に記載の発光構造。
  7. 前記ストリップは、1つの列内の前記LEDダイ及び他の列内の前記LEDダイの頂部表面を異なる方向に向かせて所望の放出パターンを達成するよう、少なくとも前記LEDダイのいずれか2つの列の間で曲げられる、請求項1に記載の発光構造。
  8. 前記ストリップは、三角形の形状を有するよう、前記光透過性筐体内で曲げられる、請求項7に記載の発光構造。
  9. 前記少なくとも1つの第1のLEDダイ及び前記少なくとも1つの第2のLEDダイの列内の隣接するLEDダイのうちのいずれか2つのLEDダイの間のピッチは、2mm未満である、請求項1に記載の発光構造。
  10. 1つの列内のLEDダイ及び他の列内のLEDダイは、異なる種類のLEDであり、1つよりも多くのLEDダイが前記第1のストリップ及び前記第2のストリップに連結される、請求項1に記載の発光構造。
  11. 前記ストリップの総面積は、前記ストリップに連結されるLEDダイの総面積の少なくとも5倍である、請求項1に記載の発光構造。
  12. 前記第1のストリップに連結される前記少なくとも1つの第1のLEDダイの数は、前記第2のストリップに連結される前記少なくとも1つの第2のLEDダイの数と異なる、請求項1に記載の発光構造。
  13. 前記光透過性筐体は、少なくとも前記第1のストリップ及び前記第2のストリップを取り囲み且つ一緒に機械的に連結する材料を含む、請求項1に記載の発光構造。
  14. 前記光透過性筐体は、ソケット端子への接続のためにそこから延びる電気端子を備えるバルブ形状を有する、請求項1に記載の発光構造。
  15. 当該発光構造は、少なくとも4個のLEDダイを含むモジュールを形成する、請求項1に記載の発光構造。
  16. 当該発光構造は、少なくとも12個のLEDダイを含むモジュールを形成する、請求項1に記載の発光構造。
  17. 当該発光構造は、バルブ形態におけるHシリーズ、Pシリーズ、Tシリーズ、Wシリーズ、又はRシリーズの基準を満足するバルブ内で用い得るモジュールを形成する、請求項1に記載の発光構造。
  18. 前記バルブは、自動車のためにライトアセンブリ内で接続される、請求項17に記載の発光構造。
  19. 少なくとも第1のLEDダイ及び少なくとも1つの第2のLEDダイと直列に接続される追加的なLEDダイを支持する追加的なストリップを更に含む、請求項1に記載の発光構造。
  20. 第1のストリップと、第2のストリップとを含む、2つの金属リードフレームストリップと、
    複数のLEDダイであって、各LEDダイが、第1の電極と、第2の電極とを有する、複数のLEDダイと、
    前記LEDダイのうちの少なくともいずれか2つのLEDダイの上の光透過性筐体と、
    前記LEDダイを通電するために前記第1のストリップと前記第2のストリップとの間に電流を供給するよう、電源に連結されるために少なくとも前記第1のストリップに接続される、電気リードとを含み、
    前記LEDダイの前記第1の電極は、前記第1のストリップに電気的に及び熱的に連結され、前記LEDダイの前記第2の電極は、並列に接続されるべき前記第2のストリップにワイヤ結合される、
    発光構造。
  21. 前記複数のLEDダイは、異なる種類のLEDダイを含む、請求項20に記載の発光構造。
JP2016522909A 2013-06-28 2014-06-18 リードフレームストリップへのledダイのボンディング Active JP6508732B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNPCT/CN2013/000784 2013-06-28
CNPCT/CN2013/000784 2013-06-28
PCT/IB2014/062347 WO2014207620A1 (en) 2013-06-28 2014-06-18 Bonding led die to lead frame strips

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016523456A true JP2016523456A (ja) 2016-08-08
JP2016523456A5 JP2016523456A5 (ja) 2017-07-27
JP6508732B2 JP6508732B2 (ja) 2019-05-08

Family

ID=51136533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016522909A Active JP6508732B2 (ja) 2013-06-28 2014-06-18 リードフレームストリップへのledダイのボンディング

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9530949B2 (ja)
EP (1) EP3014657B1 (ja)
JP (1) JP6508732B2 (ja)
KR (1) KR102168935B1 (ja)
CN (2) CN105493281B (ja)
WO (1) WO2014207620A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105493281B (zh) * 2013-06-28 2018-09-18 皇家飞利浦有限公司 将led裸片与引线框架带的接合
US10665766B2 (en) * 2016-03-15 2020-05-26 Signify Holding B.V. Elongated lead frame and a method of manufacturing an elongated lead frame
JP6360514B2 (ja) 2016-03-31 2018-07-18 Hoya Candeo Optronics株式会社 Led基板及びそれを有する光照射装置
KR102429986B1 (ko) 2016-12-13 2022-08-05 루미리즈 홀딩 비.브이. 리드프레임 상의 led들의 배열
KR102450579B1 (ko) * 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
DE102017127721A1 (de) * 2017-11-23 2019-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led-filament mit konversionsschicht
US10652963B2 (en) 2018-05-24 2020-05-12 Lumiode, Inc. LED display structures and fabrication of same
DE102018211723A1 (de) 2018-07-13 2020-01-16 Osram Gmbh Led-anordnung und beleuchtungsvorrichtung
WO2020131894A1 (en) 2018-12-21 2020-06-25 Lumiode, Inc. Addressing for emissive displays

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02192605A (ja) * 1988-10-21 1990-07-30 Telefunken Electronic Gmbh 面状放射器
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2009199977A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 照明装置
JP2009545861A (ja) * 2006-04-04 2009-12-24 カオ グループ、インク. 物理的空間を照らすための、3次元リードフレームを具備した半導体光源
JP2011023295A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Rohm Co Ltd Led照明装置および画像表示装置
US20110260179A1 (en) * 2010-04-21 2011-10-27 ChengFeng Electro-optical Limited Company Flexible led packaging structure
JP2012513103A (ja) * 2009-01-16 2012-06-07 ホエジョウ・ライト・エンジン・リミテッド 一体的に形成された一体成形発光ダイオード光ワイヤー及びその使用
US20130058082A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Cree, Inc. Linear light emitting device assemblies including cylindrically shaped diffusers

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10025563B4 (de) * 2000-05-24 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul für die Anordnung von elektrischen lichtemittierenden Elementen,integrierbar in ein Leuchtengehäuse,und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Moduls
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
US8465175B2 (en) 2005-11-29 2013-06-18 GE Lighting Solutions, LLC LED lighting assemblies with thermal overmolding
US7928459B2 (en) * 2006-02-24 2011-04-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package including thermoelectric element
US8581393B2 (en) 2006-09-21 2013-11-12 3M Innovative Properties Company Thermally conductive LED assembly
WO2008078791A1 (ja) * 2006-12-27 2008-07-03 Showa Denko K.K. 発光装置の製造方法
US7806560B2 (en) 2007-01-31 2010-10-05 3M Innovative Properties Company LED illumination assembly with compliant foil construction
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
TWI401788B (zh) 2008-12-24 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光二極體照明模組與封裝方法
TWM379534U (en) * 2009-08-21 2010-05-01 Tong Yah Ind Co Ltd Vehicular lamp
CN105493281B (zh) * 2013-06-28 2018-09-18 皇家飞利浦有限公司 将led裸片与引线框架带的接合

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02192605A (ja) * 1988-10-21 1990-07-30 Telefunken Electronic Gmbh 面状放射器
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2009545861A (ja) * 2006-04-04 2009-12-24 カオ グループ、インク. 物理的空間を照らすための、3次元リードフレームを具備した半導体光源
JP2009199977A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 照明装置
JP2012513103A (ja) * 2009-01-16 2012-06-07 ホエジョウ・ライト・エンジン・リミテッド 一体的に形成された一体成形発光ダイオード光ワイヤー及びその使用
JP2011023295A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Rohm Co Ltd Led照明装置および画像表示装置
US20110260179A1 (en) * 2010-04-21 2011-10-27 ChengFeng Electro-optical Limited Company Flexible led packaging structure
US20130058082A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Cree, Inc. Linear light emitting device assemblies including cylindrically shaped diffusers

Also Published As

Publication number Publication date
EP3014657B1 (en) 2018-04-25
CN105493281B (zh) 2018-09-18
US9530949B2 (en) 2016-12-27
JP6508732B2 (ja) 2019-05-08
US20170092628A1 (en) 2017-03-30
CN109237319A (zh) 2019-01-18
CN105493281A (zh) 2016-04-13
US20160329473A1 (en) 2016-11-10
KR102168935B1 (ko) 2020-10-23
US9905544B2 (en) 2018-02-27
KR20160027064A (ko) 2016-03-09
EP3014657A1 (en) 2016-05-04
CN109237319B (zh) 2020-10-27
WO2014207620A1 (en) 2014-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9905544B2 (en) Bonding LED die to lead frame strips
US10490722B2 (en) Light emitting package having a guiding member guiding an optical member
JP4999551B2 (ja) 発光素子モジュール
US6841931B2 (en) LED lamp
JP5347953B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US20070081342A1 (en) System and method for mounting a light emitting diode to a printed circuit board
JP2006049442A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
US7708427B2 (en) Light source device and method of making the device
WO2006064996A1 (en) Package for light emitting device and method for packaging the same
US20120032203A1 (en) Led unit
US9209373B2 (en) High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
KR100878398B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP5988135B2 (ja) 光半導体光源及び車両用照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170612

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170612

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181019

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190205

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190307

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20190307

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6508732

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250