JP2016510475A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016510475A5
JP2016510475A5 JP2015558211A JP2015558211A JP2016510475A5 JP 2016510475 A5 JP2016510475 A5 JP 2016510475A5 JP 2015558211 A JP2015558211 A JP 2015558211A JP 2015558211 A JP2015558211 A JP 2015558211A JP 2016510475 A5 JP2016510475 A5 JP 2016510475A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cache
line
data
threshold
counter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015558211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6046277B2 (ja
JP2016510475A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/769,965 external-priority patent/US9292451B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2016510475A publication Critical patent/JP2016510475A/ja
Publication of JP2016510475A5 publication Critical patent/JP2016510475A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6046277B2 publication Critical patent/JP6046277B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (19)

  1. キャッシュのウェアレベリングのための方法であって、
    前記キャッシュ内の書込み操作ごとに包括的計数器を増分するステップと、
    前記包括的計数器を閾値に到達させた現在の書込み操作に対応するデータのラインを前記キャッシュからキャッシュラインに退けるステップと、
    前記包括的計数器が前記閾値に到達したことに応答して、前記データのラインを次のレベルのキャッシュに書き込み、前記包括的計数器をリセットし、前記退けられたキャッシュラインを、前記キャッシュラインが最長時間未使用のキャッシュラインになるまで、空にしておくステップと
    を含む方法。
  2. 前記閾値が、前記包括的計数器の計数値出力と比較されるプログラム設定可能値であり、前記計数値と前記閾値が一致するときに指示を提供する、請求項1に記載の方法。
  3. 次にアクセスされると、前記データのラインがすでに退けられているキャッシュラインとは異なるキャッシュ内のキャッシュラインに書き込まれる、請求項1に記載の方法。
  4. 前記データのラインが、前記キャッシュ内のウェイのアドレス指定されたセットのウェイから選択され、前記データのラインが、次にアクセスされると、ウェイの前記アドレス指定されたセットにおいて、前記データのラインが退けられたキャッシュラインとは異なるキャッシュラインに書き込まれる、請求項1に記載の方法。
  5. 前記包括的計数器をリセットするステップであって、それにより前記包括的計数器を初期化して後続するキャッシュ書込み監視期間に備えるステップ
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記キャッシュがレベル1キャッシュであり、また、前記次のレベルのキャッシュがレベル2キャッシュである請求項1に記載の方法。
  7. 前記キャッシュがレベル2キャッシュであり、また、前記次のレベルのキャッシュがレベル3キャッシュである請求項1に記載の方法。
  8. 前記包括的計数器を前記閾値に到達させた前記現在の書込み操作の影響を受けた前記データのラインに無効のマークを付けるステップであって、前記無効のマークによって前記データのラインが前記キャッシュから退けられるステップ
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  9. キャッシュのウェアレベリングのための装置であって、
    前記キャッシュにデータを書き込む書込み操作を制御するプロセッサ複合体に結合された複数のウェイを有するキャッシュと、
    書込み閾値回路および包括的計数器回路であって、前記キャッシュへの書込み操作を計数し、かつ、前記包括的計数器回路の包括的計数出力と閾値の比較に基づいて、前記包括的計数器回路が閾値に到達したときに指示を生成するように構成される書込み閾値回路および包括的計数器回路と、
    前記指示に応答して、現在の書込み操作に対応するデータのラインを前記キャッシュからキャッシュラインに退け、前記データのラインを次のレベルのキャッシュに書き込むように構成されるラインフラッシュ回路と、
    前記指示に応答して、前記退けられたキャッシュラインを、前記キャッシュラインが最長時間未使用のキャッシュラインになるまで、空にしておくように構成される置換ポリシー回路と
    を備える装置。
  10. 前記閾値が、前記包括的計数器回路の前記包括的計数値出力と比較されるプログラム設定可能値であり、前記包括的計数値と前記閾値が一致するときに指示を提供する、請求項9に記載の装置。
  11. 前記閾値が、前記書込み閾値回路に記憶されるデフォルト値であり、動作中のプログラムに従って調整される、請求項10に記載の装置。
  12. 前記データのラインが、次にアクセスされると、すでに退けられているキャッシュラインとは異なるキャッシュラインに書き込まれる、請求項10に記載の装置。
  13. 前記データのラインが、前記キャッシュ内のウェイのアドレス指定されたセットのウェイから選択され、前記データのラインが、次にアクセスされると、ウェイの前記アドレス指定されたセットにおいて、前記データのラインが退けられたキャッシュラインとは異なるキャッシュラインに書き込まれる、請求項10に記載の装置。
  14. 前記包括的計数器を初期化して後続するキャッシュ書込み監視期間に備えるべく、前記包括的計数器がリセットされる、請求項10に記載の装置。
  15. 前記キャッシュとして構成されたレベル1キャッシュと、
    前記次のレベルのキャッシュとして構成されたレベル2キャッシュであって、前記データのラインが書き込まれるレベル2キャッシュと
    をさらに備える、請求項10に記載の装置。
  16. 前記キャッシュとして構成されたレベル2キャッシュと、
    前記次のレベルのキャッシュとして構成されたレベル3キャッシュであって、前記データのラインが書き込まれるレベル3キャッシュと
    をさらに備える、請求項10に記載の装置。
  17. 各キャッシュラインのタグに無効化ラインビットが含まれ、前記データのラインが確率的無効化されたデータのラインであり、前記データのラインの再使用を遅らせるべきであることを前記指示に応答して示す、請求項10に記載の装置。
  18. コンピュータ可読プログラムデータおよびコードを使用して符号化されたコンピュータ可読非一時的記憶媒体であって、前記プログラムデータおよびコードは、実行されると、
    キャッシュへの書込み操作ごとに包括的計数器を増分し、
    前記包括的計数器を閾値に到達させた現在の書込み操作に対応するデータのラインを前記キャッシュからキャッシュラインに退け、
    前記包括的計数器が前記閾値に到達したことに応答して、前記データのラインを次のレベルのキャッシュに書き込み、前記包括的計数器をリセットし、前記退けられたキャッシュラインを、前記キャッシュラインが最長時間未使用のキャッシュラインになるまで、空にしておく
    ように動作することができる、コンピュータ可読非一時的記憶媒体。
  19. キャッシュのウェアレベリングのための装置であって、
    プロセッサ複合体に結合された複数のウェイを有するキャッシュにデータを書き込むための手段と、
    前記キャッシュへの書込み操作を計数し、かつ、包括的計数器が閾値に到達したときに指示を生成するための手段と、
    前記指示に応答して、現在の書込み操作に対応するデータのラインを前記キャッシュから退け、前記データのラインを次のレベルのキャッシュに書き込むための手段と、
    前記指示に応答して、前記退けられたキャッシュラインを、前記キャッシュラインが最長時間未使用のキャッシュラインになるまで、空にしておくための手段と
    を備える装置。
JP2015558211A 2013-02-19 2014-02-18 書込み耐久性が限られたメモリのためのイントラセットウェアレベリングのための方法および装置 Expired - Fee Related JP6046277B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/769,965 US9292451B2 (en) 2013-02-19 2013-02-19 Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance
US13/769,965 2013-02-19
PCT/US2014/016993 WO2014130483A1 (en) 2013-02-19 2014-02-18 Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016510475A JP2016510475A (ja) 2016-04-07
JP2016510475A5 true JP2016510475A5 (ja) 2016-07-21
JP6046277B2 JP6046277B2 (ja) 2016-12-14

Family

ID=50277311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015558211A Expired - Fee Related JP6046277B2 (ja) 2013-02-19 2014-02-18 書込み耐久性が限られたメモリのためのイントラセットウェアレベリングのための方法および装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9292451B2 (ja)
EP (1) EP2959391B1 (ja)
JP (1) JP6046277B2 (ja)
KR (1) KR101668054B1 (ja)
CN (1) CN104981785B (ja)
WO (1) WO2014130483A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104254841A (zh) * 2012-04-27 2014-12-31 惠普发展公司,有限责任合伙企业 屏蔽存储器设备
US9348743B2 (en) 2013-02-21 2016-05-24 Qualcomm Incorporated Inter-set wear-leveling for caches with limited write endurance
US9176856B2 (en) * 2013-07-08 2015-11-03 Arm Limited Data store and method of allocating data to the data store
US10331537B2 (en) * 2016-12-23 2019-06-25 Advanced Micro Devices, Inc. Waterfall counters and an application to architectural vulnerability factor estimation
JP2018160060A (ja) 2017-03-22 2018-10-11 東芝メモリ株式会社 メモリシステム
US11074018B2 (en) * 2017-04-06 2021-07-27 International Business Machines Corporation Network asset management
US10592451B2 (en) 2017-04-26 2020-03-17 International Business Machines Corporation Memory access optimization for an I/O adapter in a processor complex
US10572286B2 (en) 2017-04-26 2020-02-25 International Business Machines Corporation Memory access optimization in a processor complex

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1294489A (en) 1970-05-12 1972-10-25 Solartron Electronic Group Linearizing circuit
US3772595A (en) 1971-03-19 1973-11-13 Teradyne Inc Method and apparatus for testing a digital logic fet by monitoring currents the device develops in response to input signals
US7035967B2 (en) 2002-10-28 2006-04-25 Sandisk Corporation Maintaining an average erase count in a non-volatile storage system
US7046174B1 (en) 2003-06-03 2006-05-16 Altera Corporation Byte alignment for serial data receiver
US8112574B2 (en) 2004-02-26 2012-02-07 Super Talent Electronics, Inc. Swappable sets of partial-mapping tables in a flash-memory system with a command queue for combining flash writes
US7237067B2 (en) * 2004-04-22 2007-06-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Managing a multi-way associative cache
US7568068B2 (en) * 2006-11-13 2009-07-28 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B. V. Disk drive with cache having volatile and nonvolatile memory
US9153337B2 (en) 2006-12-11 2015-10-06 Marvell World Trade Ltd. Fatigue management system and method for hybrid nonvolatile solid state memory system
JP4470186B2 (ja) 2006-12-12 2010-06-02 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置
US20100115175A9 (en) 2006-12-18 2010-05-06 Zhiqing Zhuang Method of managing a large array of non-volatile memories
US8543742B2 (en) 2007-02-22 2013-09-24 Super Talent Electronics, Inc. Flash-memory device with RAID-type controller
FR2913785B1 (fr) 2007-03-13 2009-06-12 St Microelectronics Sa Gestion de memoire tampon circulaire
KR100857761B1 (ko) 2007-06-14 2008-09-10 삼성전자주식회사 웨어 레벨링을 수행하는 메모리 시스템 및 그것의 쓰기방법
US8738841B2 (en) 2007-12-27 2014-05-27 Sandisk Enterprise IP LLC. Flash memory controller and system including data pipelines incorporating multiple buffers
US8095724B2 (en) 2008-02-05 2012-01-10 Skymedi Corporation Method of wear leveling for non-volatile memory and apparatus using via shifting windows
US8275945B2 (en) 2008-02-05 2012-09-25 Spansion Llc Mitigation of flash memory latency and bandwidth limitations via a write activity log and buffer
US20100185816A1 (en) 2009-01-21 2010-07-22 Sauber William F Multiple Cache Line Size
US8255613B2 (en) 2009-04-30 2012-08-28 International Business Machines Corporation Wear-leveling and bad block management of limited lifetime memory devices
JP2012013733A (ja) 2010-06-29 2012-01-19 Renesas Electronics Corp 表示装置の駆動回路
US8356153B2 (en) 2010-11-19 2013-01-15 International Business Machines Corporation Adaptive wear leveling via monitoring the properties of memory reference stream
US20120311228A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing memory wear-leveling using passive variable resistive memory write counters
JP2014530422A (ja) * 2011-10-27 2014-11-17 ▲ホア▼▲ウェイ▼技術有限公司 バッファマッピングを制御するための方法およびバッファシステム
CN102439572B (zh) * 2011-10-27 2014-04-02 华为技术有限公司 控制缓存映射的方法及缓存系统
US9665233B2 (en) * 2012-02-16 2017-05-30 The University Utah Research Foundation Visualization of software memory usage
US9348743B2 (en) 2013-02-21 2016-05-24 Qualcomm Incorporated Inter-set wear-leveling for caches with limited write endurance

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016510475A5 (ja)
JP2014167790A5 (ja)
US10599345B2 (en) Memory device that writes data into a block based on time passage since erasure of data from the block
CN107402724B (zh) 一种SSD中Journal元数据的保存方法及系统
CN106775496B (zh) 一种存储数据处理方法及装置
TW201314452A (zh) 緩衝資料的系統及方法
US20160092138A1 (en) Offline deduplication for solid-state storage devices
JP2016505940A5 (ja)
JP2015036988A (ja) データ記憶装置とその異常電圧からの保護方法
JP2013229019A5 (ja) プロセッサ
JP2019502996A5 (ja)
JP2017519286A5 (ja)
JP2017174387A (ja) メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びメモリ制御方法
DE112020004591T5 (de) L2P-Übersetzungstechniken in begrenzten RAM-Systemen
JP2016133874A5 (ja)
US20160179613A1 (en) Nonvolatile memory apparatus and control method of nonvolatile memory apparatus
MY180992A (en) Memory latency management
US20150032944A1 (en) Data storage device and flash memory control method
WO2015020900A3 (en) Method and device for error correcting code (ecc) error handling
CN108351836B (zh) 具有选择性储存的多级非易失性缓存
JP2015227037A5 (ja)
US10055356B2 (en) Memory device and method for controlling memory device
JP2016184402A (ja) メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びメモリ制御方法
US9552300B2 (en) Cache system using solid state drive
KR20180042699A (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법