JP2016503502A - フレキシブル薄膜に埋め込まれたカーボンナノチューブプローブを有する接触器装置及びこれを製造するプロセス - Google Patents

Abstract

【課題】 優れた寸法精度及び安定性を実現すること。【解決手段】 所定量のフレキシブル弾性を有する電気絶縁性の材料に埋め込まれた絡み合ったカーボンナノチューブの導電性柱状体を導電性接触プローブとして使用することができる。柱状体は、所定量の材料の両面の間において延在することができる。配線基板の端子は、柱状体内に延在することが可能であり、且つ、試験対象の装置の試験を制御するテスタに対する電気インターフェイスに電気的に接続することができる。物理的に結合された構造のペアにより、所定量の材料を配線基板に結合することができる。ペアは、レセプタクル及び突出部を含むことができる。【選択図】 図１Ａ

Description

背景
電子装置上のカーボンナノチューブ柱状体は、第２電子装置の端子又はこの種のその他の入力及び／又は出力との間において、圧力に基づいた一時的な電気接続を生成することができる。例えば、電子装置上においてプローブとして機能するカーボンナノチューブ柱状体を第２電子装置の端子に押圧することにより、プローブと端子の間に、従って、電子装置と第２電子装置の間に、一時的な電気接続を生成することができる。本発明の実施形態は、接触器装置に装着されたフレキシブル薄膜に埋め込まれたカーボンナノチューブ柱状体と、フレキシブル薄膜及び接触器装置を製造する方法と、を対象としている。本発明のいくつかの実施形態においては、優れた寸法精度及び安定性を実現することができる。

概要
いくつかの実施形態において、プローブカード組立体は、試験対象である装置の試験を制御するテスタに対する電気インターフェイスを含むことができる。また、プローブカード組立体は、所定量のフレキシブル弾性を有する電気絶縁性材料と、所定量の材料に埋め込まれた絡み合ったカーボンナノチューブの導電性柱状体と、をも含むことができる。柱状体のそれぞれは、所定量の材料の第１面から所定量の材料の第２の面（反対側の面）まで延在することができる。また、プローブカード組立体は、配線基板を含むことが可能であり、配線基板は、配線基板の第１面から柱状体内に延在する導電性端子を含むことが可能であり、且つ、端子は、インターフェイスに対して電気的に接続することができる。物理的に結合された構造のペアにより、所定量の材料を配線基板に結合することができる。それぞれのペア内の結合された構造のうちの第１の構造は、レセプタクルであってもよく、且つ、それぞれのペア内の結合された構造のうちの第２の構造は、レセプタクルに挿入されると共にこれと物理的に結合された突出部であってもよい。レセプタクルは、所定量の材料又は配線基板のうちの一方のものの一部分であってもよく、且つ、突出部は、所定量の材料又は配線基板のうちの他方のものの一部分であってもよい。

いくつかの実施形態において、電子装置は、プローブ薄膜、配線基板、及び所定量の材料を配線基板に結合する物理的に結合された構造のペアを含むことができる。プローブ薄膜は、絡み合ったカーボンナノチューブの導電性柱状体が埋め込まれる所定量のフレキシブル弾性を有する電気絶縁性材料を含むことができる。配線基板は、配線基板の第１面から柱状体内に延在する導電性端子を含むことができる。それぞれのペア内の結合された構造のうちの第１の構造は、レセプタクルであってもよく、且つ、それぞれのペア内の結合された構造のうちの第２の構造は、レセプタクルに挿入されると共にこれと物理的に結合される突出部であってもよい。

本発明のいくつかの実施形態による組み立てられていない接触器の一例を示す。 組み立てられた図１Ａの接触器を示す。 本発明のいくつかの実施形態による所定量のフレキシブル弾性を有する電気絶縁性材料に埋め込まれたカーボンナノチューブ柱状体の写真を示す。 本発明のいくつかの実施形態による物理的に結合する構造のペアの一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による図３の突出部の一例の写真を示す。 本発明のいくつかの実施形態による図１Ａ及び図１Ｂの接触器を含むプローブカード組立体の一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態によるカーボンナノチューブ柱状体を含むプローブを収容する薄膜を有するプローブカード組立体などの接触器装置を製造するプロセスの一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による成長基板の一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による炭素ナノチューブ柱状体を有する図７Ａの成長基板の一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による図７Ｂの成長基板及びカーボンナノチューブ柱状体及び成長基板上の堆積された所定量の材料の一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による成長基板から取り外された図７Ｃのカーボンナノチューブ柱状体及び所定量の材料（集合的に、プローブ薄膜である）を示す。 本発明のいくつかの実施形態による成長基板の別の例を示す。 本発明のいくつかの実施形態によるカーボンナノチューブ柱状体を有する図８Ａの成長基板の一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による図８Ｂの成長基板及びカーボンナノチューブ柱状体及び成長基板上の堆積された所定量の材料の一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による、成長基板から取り外された後の図８Ｃの薄膜と、配線基板と、を示す。 本発明のいくつかの実施形態による組み立てられた図９Ａの薄膜及び配線基板を示す。 本発明のいくつかの実施形態によるポスト及び対応する突出部を含むレセプタクルを有する配線基板の部分斜視図を示す。 図９Ｃの図の平面図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による正方形又は矩形のパターンにおいて配設された壁を含むレセプタクル及び対応する突出部を有する配線基板の部分斜視図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による三角形のパターンにおいて配設された壁を含むレセプタクル及び対応する突出部を有する配線基板の部分平面図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による正方形又は矩形の形状のエンクロージャを含むレセプタクル及び対応する突出部を有する配線基板の部分斜視図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による六角形様のエンクロージャを含むレセプタクル及び対応する突出部を有する配線基板の部分斜視図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による配線基板１２４内に正方形又は矩形の孔を含むレセプタクルを有する配線基板の部分斜視図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による配線基板１２４内に円形の孔を含むレセプタクルを有する配線基板の部分斜視図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による配線基板１２４内に八角形の形状の孔を含むレセプタクルを有する配線基板の部分斜視図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による配線基板１２４内に三角形の孔を含むレセプタクルを有する配線基板の部分斜視図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による別の薄膜及び配線基板を示す。 本発明のいくつかの実施形態による組み立てられた図１０Ａの薄膜及び配線基板を示す。 本発明のいくつかの実施形態による図５のプローブカード組立体の一変形の一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による図５のプローブカード組立体の一変形の別の例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による試験システムの一例を示す。 本発明のいくつかの実施形態による複数のプローブ薄膜が結合される配線基板の斜視図である。 図１４Ａの平面図である。 本発明のいくつかの実施形態による突出部を含む大きなプローブ薄膜が結合されうる複数のレセプタクルを含む配線基板の斜視平面図である。 図１５Ｂの大きなプローブ薄膜の斜視底面図を示す。

例示用の実施形態の詳細な説明
本明細書は、本発明の例示用の実施形態及び用途について記述している。但し、本発明は、これらの例示用の実施形態及び用途に限定されるものではなく、且つ、例示用の実施形態及び用途が動作する又は本明細書に記述される方式に限定されるものでもない。更には、図面は、わかりやすくするべく、単純化された又は部分的な図を示している場合があり、且つ、図面中の要素の寸法が誇張される場合、或いは、その他の方式によって釣り合っていない場合もある。更には、「〜の上に位置した」、「〜に装着された」、又は「〜に結合された」という用語が本明細書において使用されている場合には、１つ物体（例えば、材料、層、基板など）は、１つの物体がその他の物体上に直接的に存在しているか、これに対して装着されているか、又はこれに対して結合されているか、或いは、物体とその他の物体の間に介在する１つ又は複数の物体が存在しているか、とは無関係に、別の物体の「上に存在」してもよく、これに対して「装着」されていてもよく、或いは、これに対して「結合」されていてもよい。本明細書において使用される「実質的に」は、意図された目的のために機能するべく十分であることを意味している。また、方向（例えば、上方、下方、最上部、最下部、側部、上、下、下方、上方、上部、下部、水平、垂直、「ｘ」、「ｙ」、「ｚ」など）は、提供されている場合には、相対的なものであり、且つ、限定ではなく、例示を目的として、且つ、図示及び説明を容易にするべく、提供されたものに過ぎない。更には、要素のリスト（例えば、要素ａ、ｂ、ｃ）が参照されている場合には、このような参照は、列挙された要素のうちの任意のものそれ自体、列挙された要素の一部分の任意の組合せ、及び／又は列挙された要素のすべての組合せを含むことが意図されている。

本明細書において使用されている「個々のもの（ones）」は、複数を意味している。

本発明の実施形態は、結合構造によって配線基板に結合された１つ又は複数のプローブ薄膜を含む。それぞれの結合構造は、レセプタクルに圧入される突出部を含むことができる。突出部又はレセプタクルのうちの一方は、プローブ薄膜上にあってもよく、且つ、突出部又はレセプタクルのうちの他方は、配線基板上にあってもよい。後述するように、レセプタクルは、様々な異なる形態において構成することができる。例えば、レセプタクルは、突出部１３４などの突出部が圧入されうる図１Ａ及び図１Ｂに示されているレセプタクル１２０のような孔又は溝を含むことができる。別の例として、レセプタクルは、図９Ａ〜図９Ｈに示されているレセプタクル９０４のように構成することもできる。これらの図に示されているように、レセプタクルは、レセプタクル８０４のようなレセプタクルが圧入されうる内部空間を定義するように配設された図９Ｃ及び図９Ｄに示されているロッド９０２、図９Ｅ及び図９Ｆに示されている壁９２２及び９３２、或いは、図９Ｇ及び図９Ｈに示されているエンクロージャ９４２及び９５２を含むことができる。これらの及びその他の例については、配線基板に結合されたプローブ薄膜を含む電子装置の例との関係において、以下において図示及び説明する。本発明のいくつかの実施形態は、従来技術よりも優れた寸法精度及び安定性を伴って、プローブ薄膜を配線基板に結合する能力を有することに留意されたい。このような利点の例については、図１４Ａ及び図１４Ｂとの関係において後述する。

図１Ａ及び図１Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による電気接触器１０１の一例を示している。図示のように、電気接触器１０１は、配線基板１２４に結合される１つ又は複数のプローブ薄膜１０２を含むことができる。１つのプローブ薄膜１０２が、配線基板１２４に結合された状態において、示されているが、複数のこのようなプローブ薄膜１０２を配線基板１２４に対して結合することができる。

プローブ薄膜１０２は、所定量のフレキシブル且つ絶縁性の材料１１４に埋め込まれた導電性カーボンナノチューブ柱状体１０４を含む導電性プローブ１０８を含むことができる。図示のように、それぞれの柱状体１０４は、材料１１４内において、材料１１４の第１面１１６から材料１１４の第２面１１８まで延在することができる。従って、柱状体１０４の第１端部１１０及び第２端部は、図示のように、材料１１４の反対側の面１１６及び１１８において露出した状態にあってもよい。図２は、材料１１４の第２面１１８から延在しているカーボンナノチューブ柱状体１０４の第２端部１１２を示す写真である。

再度図１Ａ及び図１Ｂを参照すれば、それぞれのカーボンナノチューブ柱状体１０４は、ほぼ垂直方向においてアライメントされうる一群の結束されたカーボンナノチューブ１０６を含むことができるが、一群のカーボンナノチューブ１０６のうちのいくつかは、オーバーラップしてもよく、混ざり合うか又は絡み合ってもよく、或いは、さもなければ、１つ又は複数の場所において１つ又は複数のその他のカーボンナノチューブ１０６に接触していてもよい。いくつかの実施形態においては、柱状体１０４内のカーボンナノチューブ１０６のすべてが、柱状体１０４の全体長にわたって延在している必要はない。図１Ａ及び図１Ｂのそれぞれの柱状体１０４内には、３つのこのようなカーボンナノチューブ１０６が示されているが、それぞれの柱状体１０４は、更に多くの数（例えば、数十、数百、又は数千）の個々のカーボンナノチューブ１０６を含むことができる。

所定量の材料１１４は、フレキシブルであってもよく、弾性を有してもよく、伸縮自在であってもよく、且つ／又は、電気絶縁性を有してもよい。従って、所定量の材料１１４は、柱状体１０４を互いに電気的に絶縁してもよく、且つ／又は、柱状体１０４を支持するフレキシブル弾性を有する薄膜を提供してもよい。薄膜１０２の製造の際に、所定量の材料１１４は、柱状体１０４に浸潤することができる。従って、所定量の材料１１４は、柱状体１０４内においては、柱状体１０４のカーボンナノチューブ１０６の個々のものの間にあってもよい。この結果、柱状体１０４を強化することが可能であり、且つ、柱状体を材料１１４に対して物理的に結合することが可能であり、これにより、柱状体１０４が材料１１４から落下又は引き出されることを防止することができる。いくつかの実施形態において、所定量の材料１１４は、弾性を有するポリマー材料などのフレキシブル且つ／又は弾性を有する材料を含むことができる。所定量の材料１１４用の適切な材料は、シリコーンベースのエラストマ材料（例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ））などのエラストマを含む。所定量の材料１１４用の適切な材料の更にその他の例は、ゴム材料及びフレキシブルプラスチック材料を含む。

配線基板１２４は、配線基板１２４の第１面１２８上の電気端子１３２と、電気端子１３２から配線基板１２４の第２面１３０まで至る電気接続１３６と、を含むことができる。配線基板１２４の内部に位置するものとして示されているが、この代わりに、電気接続１３６は、外部に位置してもよく、或いは、配線基板１２４の内部及び外部の両方の組合せであってもよい。例えば、電気接続１３６は、端子１３２のうちの１つ又は複数にそれぞれが接続された配線基板１２４上の導電性トレース（図示せず）と、これらのトレース（図示せず）からベース１２６まで接合された導電性ワイヤ（図示せず）と、を含むことができる。また、配線基板１２４は、プローブ薄膜１０２に対する物理的な支持を提供することもできる。配線基板１２４の適切な例は、ガラス基板、印刷回路基板、配線セラミック、石英基板、半導体ウエハ又はダイ、或いは、これらに類似したものを含む。

図示のように、プローブ薄膜１０２は、配線基板１２４の端子１３２が柱状体１０４に対して電気的に接続されうるように、配線基板１２４に対して物理的に結合することができる。例えば、図１Ｂに示されているように、端子１３２のそれぞれが、柱状体１０４のうちの１つに圧入され、且つ、これにより、その内部において全体的に又は部分的に埋め込まれるように、プローブ薄膜１０２を配線基板１２４に結合することができる。この結果、プローブ薄膜１０２のそれぞれの柱状体１０４を配線基板１２４の端子１３２のうちの１つに対して電気的に接続することができる。

図１Ｂに示されているように、プローブ薄膜１０２及び配線基板１２４は、配線基板１２４にプローブ薄膜１０２を結合する結合特徴１４４を有することができる。図１Ａ及び図１Ｂに示されているように、結合特徴１４４は、レセプタクル１２０と結合する突出部１３４を含むことが可能であり、これにより、プローブ薄膜１０２を配線基板１２４に結合することができる。例えば、突出部１３４は、配線基板１２４の第１面１２８から延在することが可能であり、且つ、対応するレセプタクル１２０は、所定量の材料１１４の第１面１１６内に延在することができる。それぞれの突出部１３４は、レセプタクル１２０のうちの対応するものの内部に物理的に延在することが可能であり、且つ、これと結合することが可能であり、これにより、プローブ薄膜１０２を配線基板１２４に結合することができる。この代わりに、突出部１３４のいくつか又はすべては、所定量の材料１１４の第１面１１６から延在することも可能であり、且つ、対応するレセプタクル１２０のうちのいくつか又はすべては、配線基板１２４の第１面１２８内にあってもよい。

図１Ａ及び図１Ｂを再度参照すれば、図示されてはいないが、接着剤（図示せず）を配線基板１２４と所定量の材料１１４間に配設することが可能であり、且つ、これにより、所定量の材料１１４の第１面１１６を配線基板１２４の第１面１２８に接着することができることに留意されたい。このような接着剤（図示せず）は、配線基板１２４に対するプローブ薄膜１０２の結合を強化するべく、結合特徴１４４との関連において、或いは、結合特徴１４４の代わりに、使用することができる。いくつかの実施形態においては、表面処理を所定量の材料１１４の第１面１１６及び／又は配線基板１２４の第１面１２８に適用することにより、配線基板１２４の第１面１２８に対する所定量の材料１１４の第１面１１６の接着を改善することができる。このような表面処理の例は、酸素プラズマ処理及び反応性イオンエッチングプラズマ処理を含む。

結合特徴１４４を再度参照すれば、それぞれの突出部１３４は、レセプタクル１２０との間において摩擦ばめ（例えば、圧入）を形成することにより、対応するレセプタクル１２０と結合することができる。例えば、それぞれの突出部１３４は、レセプタクル１２０に圧入された際にそれぞれの突出部１３４が摩擦に基づいた結合ばめを形成するように、その対応するレセプタクル１２０とほぼ同一のサイズであるか又はそれよりもわずかに大きくてもよい。

図１Ａ及び図１Ｂにほぼ矩形であるものとして示されているが、突出部１３４及びレセプタクル１２０は、円筒体、立方体、ピラミッド、円錐を有する形状などのその他の形状であってもよく、これには、上述のもの又はそれらに類似したものの部分的なバージョンも含まれる。更には、結合特徴１４４は、結合接続を実現又は改善するように成形することもできる。図４及び図５は、一例を示している。図４は、突出部１３４及び対応するレセプタクル１２０の一例の側断面図を示しており、且つ、図４は、突出部１３４の写真である。

図３に示されているように、突出部１３４は、第２端部４０６よりも、第１端部４０４において、幅が広くなっていてもよい。例えば、第１の（相対的に幅が広い）端部４０４は、配線基板１２４の第１面１２８から最も遠い突出部１３４の端部であってもよく、且つ、第２端部４０６は、第１面１２８に最も近い端部であってもよい。対応するレセプタクル１２０は、類似した、但し、補完的な形状を有することができる。図示のように、レセプタクル１２０の内側端部４１４は、レセプタクル１２０の開口部４１６よりも幅が広くなっていてもよい。１つに圧入及び結合された際に、図３に示されているように成形された突出部１３４及びレセプタクル１２０は、所定量の材料１１４が配線基板１２４から結合解除されることを防止するべく、垂直及び水平方向の両方の安定性を所定量の材料１１４に対して提供することができる。

突出部１３４の形状とは無関係に、端子１３２及び突出部１３４は、実質的に同一の材料を含むことができる。例えば、突出部１３４及び端子１３２は、導電性材料（例えば、金属）を含むことができる。同一の材料の使用により、端子１３２及び突出部１３４の製造を促進することが可能であり、その理由は、その結果、両方の構造を同一の１つ又は複数のプロセスにおいて形成することができるからである。或いは、この代わりに、端子１３２及び突出部１３４は、別個のプロセスにおいて形成することもできる。同一のプロセスにおいて形成された際には、突出部１３４及び端子１３２は、同一の高さを有することができる。或いは、この代わりに、突出部１３４及び端子１３２は、図１Ａ及び図１Ｂに示されているように、異なる高さを有することもできる。

図１Ａ及び図１Ｂに示されている接触器１０１は、柱状体１０４を含むプローブ１０８がその内部において別の装置との間に電気接続を生成しうる電子装置の一部であってもよい。例えば、接触器１０１は、半導体ダイなどの電子装置に接触すると共にこれを試験するための電子試験ソケット（図示せず）の一部分又はこれに類似したものであってもよい。別の例として、接触器１０１は、銅、金、又はこれらに類似したものなどの導電性材料の埋め込まれた配線を有するシリコン、ガラス、エポキシ、又はポリイミドから構成された片面又は両面型の配線構造の一部分であってもよい。

図５は、図１Ａ及び図１Ｂの接触器１０１がその一部分を構成しうる電子装置（プローブカード組立体１００）の更に別の例を示している。図５に示されているように、接触器１０１は、試験対象電子装置（「ＤＵＴ」）５５０に接触すると共にこれを試験するべく使用されるものなどのプローブカード組立体１００の一部分であってもよく、ＤＵＴは、試験対象の任意のタイプの電子装置であってもよい。ＤＵＴ５５０の例は、個片化されていない半導体ウエハの半導体ダイ、１つ又は複数の個片化済みの半導体ダイ、及びこれらに類似したものを含む。図５は、必ずしも縮尺が正確ではないことに留意されたい。例えば、接触器１０１は、接触器１０１の細部を詳しく示すべく、拡大されている。

図示のように、図５のプローブカード組立体１００は、電気インターフェイス１４２と、インターフェイス基板１３８と、電気コネクタ１４０と、ベース１２６と、図１Ａ及び図１Ｂの接触器１０１と、を含むことができる。ねじ、ボルト、ブラケット、又はこれらに類似したものなどの留め具（図示せず）により、プローブカード組立体１００の上述の要素を１つに結合することができる。電気インターフェイス１４２は、ＤＵＴ５５０の試験を制御するテスタ（図示せず）との間のチャネル（例えば、試験信号、制御信号、パワー、又はこれらに類似したもの用の電気チャネル）に電気的に接続するように構成することが可能であり、且つ、インターフェイス基板１３８、コネクタ１４０、及びベース１２６は、インターフェイス１４２から、接触器１０１の電気接続１３６までの、且つ、従って、プローブ１０８までの、電気経路５０２を提供することが可能であり、プローブ１０８は、ＤＵＴ５５０の端子５５２との接触状態にあってもよい。ＤＵＴ５５０は、試験対象の半導体ウエハ、半導体ダイ、インターポーザ、又はその他の電子装置であってもよい。

電気インターフェイス１４２は、テスタ（図示せず）に対するチャネル（図示せず）に接続するのに適した任意の電気接続装置を含むことができる。例えば、電気インターフェイス１４２は、ゼロ挿入力（Zero-Insertion-Force：ＺＩＦ）電気接触器、ポゴピンパッド、又はその他のこれらに類似したものを含むことができる。インターフェイス基板１３８は、印刷回路基板、層化セラミックブロック、又はこれらに類似したものなどの配線基板であってもよい。また、ベース１２６は、印刷回路基板、層セラミックブロック、又はこれらに類似したものなどの配線基板であってもよく、且つ、電気コネクタ１４０は、インターフェイス基板１３８をベース１２６に電気的に接続するためのインターポーザ又はその他のタイプの電気コネクタであってもよい。別の例として、電気コネクタ１４０は、インターフェイス基板１３８をベース１２６に電気的に接続するはんだバンプ（図示せず）を含むことができる（例えば、これから基本的に構成することができる）。更に別の例として、電気コネクタ１４０は、導電性スプリング相互接続構造を含むことができる。図示のように、インターフェイス基板１３８、コネクタ１４０、及びベース１２６は、インターフェイス１４２から、配線基板１２４の電気接続１３６までの、且つ、従って、端子１３２及びプローブ１０８までの、個々の電気経路５０２を形成する内部及び／又は外部電気トレース、ビア、配線、又はこれらに類似したものを含むことができる。従って、プローブカード組立体１００は、インターフェイス基板１３８、コネクタ１４０、及びベース１２６を通じた、配線基板１２４の電気接続１３６までの、且つ、従って、端子１３２及びプローブ１０８までの、経路５０２を含む個々の電気経路を提供する。

上述のように、いくつかの実施形態において、電気接続１３６は、端子１３２のうちの１つ又は複数に接続された配線基板１２４の表面上の導電性トレース（図示せず）を含むことが可能であり、且つ、電気接続１３６は、配線基板１２４の周りのトレース（図示せず）からベース１２６の内部及び／又は上部の電気経路５０２の各部分まで接合された導電性ワイヤ（図示せず）を更に含むことができる。或いは、この代わりに、電気接続１３６は、配線基板１２４を通じてベース１２６の電気経路５０２の各部分まで至る導電性ビアを含むこともできる。上述のように、電気コネクタ１４０を通じた電気経路５０２の部分は、はんだバンプ（図示せず）を含むことが可能であり、且つ、実際に、いくつかの実施形態においては、電気コネクタ１４０は、このようなはんだバンプ（図示せず）から基本的に構成することができる。

次に、図１Ａ及び図１Ｂの接触器１０１のような接触器を製造すると共にこの接触器を電子装置に内蔵させるプロセス６００の一例を示す図６を参照されたい。

ステップ６０２において、成長基板が提供されている。成長基板は、カーボンナノチューブ柱状体（例えば、図１Ａ及び図１Ｂの柱状体１０４）を成長させると共にプローブ薄膜（例えば、図１Ａ及び図１Ｂの薄膜１０２）用のテンプレートとして機能するように、使用することができる。ステップ６０４において、成長基板上にカーボンナノチューブ柱状体を成長させている。後述するように、カーボンナノチューブ柱状体は、例えば、導電性を改善するべく、処理することができる。次に、ステップ６０６において、所定量の材料を成長基板上においてカーボンナノチューブ柱状体の周りに堆積させ、且つ、必要に応じて、硬化させている。所定量の材料及びプローブがプローブ薄膜（例えば、図１Ａ及び図１Ｂの薄膜１０２）を形成する。ステップ６０８において、プローブ薄膜を成長基板から取り外している。ステップ６１０において、プローブ薄膜を配線基板（例えば、図１Ａ及び図１Ｂの配線基板１２４）に結合し、（例えば、接触器１０１のような）接触器を形成している。ステップ６１２において、配線基板を電子装置（例えば、図５のプローブカード組立体）に内蔵させることができる。

以上、図６のプロセス６００の概略説明を終了し、以下、図７Ａ〜図１０Ｂとの関係において、プロセス６００の例について説明することとする。図７Ａ〜図７Ｅは、レセプタクル１２０を有するプローブ薄膜１０２を製造するプロセス６００のステップ６０２〜６０８の一例を示している。図８Ａ〜図８Ｃは、プローブ薄膜８００が、レセプタクル１２０ではなく、突出部１３４に類似したものであってもよい突出部８０４を有するという点を除いて、プローブ薄膜１０２に類似したものであってもよいプローブ薄膜８００を製造するプロセスの一例を示している。図９Ａ〜図１０Ｂは、プロセス６００のステップ６１０の例を示している。

図７Ａは、図６のプロセス６００のステップ６０２の一例を示している。図７Ａにおいては、成長基板７００が提供されている。図７Ａに示されているように、成長基板７００は、基板層７０４及び成長層７０６などの１つ又は複数の層を含むことができる。例えば、基板層７０４は、ガラス、セラミック、半導体（例えば、シリコン）、又はその他の適切な層であってもよい。成長層７０６は、カーボンナノチューブ柱状体１０４をその上部において成長させることができる材料を含むことができる。例えば、成長層７０６は、基板層７０４上に配設された酸化物薄膜又はこれに類似したものを含むことができる。別の例においては、成長基板７００は、基板層７０４などの単一層のみを含むことができる。更に別の例においては、成長基板７００は、３つ以上の数の層を含むことができる。

図示のように、成長基板７００は、マスク層７１０によってマスキングすることが可能であり、この結果、成長層７０６の（本明細書においては、パッド７１２と呼称される）一部分が露出した状態に残される。マスク層７１０は、金属層（例えば、金、銀、アルミニウム、又はこれらに類似したもの）、フォトレジスト材料、又はこれらに類似したものを含むことができる。次いで、パッド７１２上に柱状体１０４を成長させることができる。

柱状体１０４を成長させるためのパターンは、パッド７１２のパターンである。例えば、柱状体１０４は、柱状体１０４が転写されることになる端子１３２のパターンに対応したパターンにおいて、成長基板７００上に成長させることができる。例えば、柱状体１０４のパターンは、（図１Ａ及び図１Ｂに示されているように）配線基板１２４の端子１３２に対応したものであってもよい。更には、このパターンは、接触するべく柱状体１０４を含むプローブ１０８が使用されることになる電子装置の端子に対応したものであってもよい。一例が、図１３に提供されており、この場合には、プローブ１０８は、ＤＵＴ１３０６の端子１３０８に対応したものであってもよい。

図示のように、複数の延長部７０８（これらは、成型特徴の例である）を成長基板７００の上部表面上に配設することができる。延長部７０８は、図７Ｃ及び図７Ｄに示されているように、結果的に得られる薄膜１０２に（薄膜１０２を取り外した際に）レセプタクル１２０（図７Ｄに示されている）を形成することになるパターンにおいて、成長基板７００上に配置することができる。例えば、延長部７０８は、図１Ａ及び図１Ｂに示されていると共に上述した配線基板１２４内の突出部１３４に対応したレセプタクル１２０を有する薄膜１０２を結果的にもたらすパターンにおいて、配置することができる。いくつかの実施形態においては、このようなパターンは、柱状体１０４の周りに結合構造を提供するべく、延長部７０８を様々な二次元又は三次元パターンで成長基板７００上に配置している。例えば、このようなパターンは、図示のように、隣接するパッド７１２の間に単一の特徴７０８を位置決めするステップを含むことができる。別の例においては、このようなパターンにより、隣接するパッド７１２の間に複数の延長部７０８を位置決めすることができる。別の例においては、延長部７０８を二次元又は三次元パターンで成長基板７００上に均等に分散させてもよい。

図７Ｂは、図６のプロセス６００のステップ６０４の一例を示している。図７Ｂにおいては、カーボンナノチューブ柱状体１０４を成長曲線７００上において成長させている。図示のように、柱状体１０４は、成長基板７００上において、延長部７０８の高さを実質的に超過する高さまで成長させることができる。カーボンナノチューブ柱状体１０４は、露出したパッド７１２上において成長させることができる。このようなカーボンナノチューブの成長は、米国特許第８，１３０，００７号（２０１２年３月６日付けで発行されたもの）に記述されている浮動触媒又は固定触媒プロセス、米国特許出願公開第２０１０／００８３４８９号（２００９年１２月７日付けで出願されたもの）に記述されている成長プロセス、又はこれらに類似したものなどの成長プロセスによるものであってもよい。米国特許第８，１３０，００７号及び米国特許出願公開第２０１０／００８３４８９号は、引用により、そのすべてが本明細書に包含される。

様々な処理又はプロセスをカーボンナノチューブ柱状体１０４に対して実行することができる。例えば、導電性材料（図示せず）をカーボンナノチューブ柱状体１０４の上部及び／又は内部に堆積させることができる。別の例として、エポキシを柱状体１０４に注入することができる。

図７Ｃは、図６のプロセス６００のステップ６０６の一例を示している。図７Ｃにおいては、プローブ薄膜１０２を形成するべく、所定量の材料１１４を成長基板７００上において堆積させている。所定量の材料１１４は、成長基板７００上において柱状体１０４の周りに堆積させることができる。上述のように、所定量の材料１１４の一部分は、柱状体１０４内に流入するか又は注入することが可能であり、且つ、従って、柱状体１０４に含浸することができる。所定量の材料１１４の特性に応じて、成長基板７００上において堆積された後に、所定量の材料１１４を固めることができる（例えば、硬化させることができる）。硬化の前に、所定量の材料１１４をマスク層７０８の様々な特徴及び形状の周り又はその内部において、形成することができる。従って、所定量の材料１１４の一部分は、延長部７０８の周りを流動し、レセプタクル１２０（図７Ｄに示されている）を形成することができる。いくつかの実施形態においては、所定量の材料１１４の成形を支援するべく、硬化する時点まで、支持構造（図示せず）を所定量の材料１１４の側部近傍に提供することができる。このような支持構造（図示せず）は、硬化の後に除去することができる。

図７Ｄは、図６のプロセス６００のステップ６０８の一例である。図７Ｄは、所定量の材料１１４を示しており、埋め込まれたカーボンナノチューブ柱状体１０４が成長基板７００から取り外されている。材料１１４は、材料１１４を成長基板から離れるように引っ張ることにより、或いは、なんらかのその他の方法により、成長基板７００から取り外すことができる。図示のように、成長基板７００から除去された際に、所定量の材料１１４は、成長基板７００の延長部７０８に対応したレセプタクル１２０を含むことができる。成長基板７００から取り外された、埋め込まれた柱状体１１４を有する材料１１４が、図１Ａ及び図１Ｂの薄膜１０２である。

ステップ６０２〜６０８においてプローブ薄膜１０２を製造した後に、図１Ａ及び図１Ｂに概略的に示されているように、薄膜１０２を配線基板１２４に結合することができる。例えば、上述のように、配線基板１２４から延在する突出部１３４が、プローブ薄膜１０２内のレセプタクル１２０に挿入されると共にこれと結合され、且つ、配線基板１２４の端子１３２が、柱状体１０４と接触する（例えば、その内部に圧入される）ように、プローブ薄膜１０２を配線基板１２４と合体させることができる。上述の内容は、図６のステップ６１０の一例である。

上述のように、図１Ａ及び図１Ｂの薄膜１０２は、レセプタクル１２０ではなく、突出部を有するように構成することもできる。図８Ａ〜図８Ｃは、プローブ薄膜８００が、レセプタクル１２０ではなく、突出部８０４を有するという点を除いて、プローブ薄膜１０２と同一であってもよいプローブ薄膜８００を製造するための図６のステップ６０２〜６０８の一例を示している。

図８Ａは、図６のプロセス６００のステップ６０２の一例を示している。図８Ａに示されているように、図７Ａとの関係において上述した基板層７０４及び成長層７０６を含む成長基板７００を提供することができる。成長基板７００が、突出部８０４を有する薄膜８００用のテンプレートとして機能することができるように、凹部８０２（これらは、成型特徴の例である）を成長基板７００の基板層７０４内において且つ／又は成長層７０６において形成することができる。これらの凹部８０２は、薄膜８００の突出部８０４用のテンプレートとして成形及びサイズ設定することが可能であり、且つ、その他の方法で構成することもできる。このような凹部８０２は、深掘り反応性イオンエッチング（Deep Reactive Ion Etch：ＤＲＩＥ）プロセス及び／又はその他の１つ又は複数の適切なプロセスを使用することにより、形成することができる。図７Ａとの関係において上述したように、マスク層７１０により、パッド７１２を定義することが可能であり、この上部にカーボンナノチューブ柱状体１０４を成長させることができる。図８Ｂは、図６のプロセス６００のステップ６０４の一例であり、ここでは、（プロセス６００のステップ６０４の一例である）図７Ｂとの関係において上述したように、柱状体１０４を成長パッド７１２上において成長させている。

図８Ｃは、図６のプロセス６００のステップ６０６の一例である。図８Ｃは、所定量の材料１１４が、所定量の材料１１４に突出部８０４を形成するべく、凹部８０２に進入することができる点を除いて、図７Ｃとの関係においてほぼ上述したとおりの成長基板７００上に堆積された所定量の材料１１４を示している。この結果、所定量の材料１１４が硬化した後に、薄膜８００は、複数の突出部８０４を含むことができる。図示されてはいないが、図７Ｄとの関係において概略的に図示及び記述したように、埋め込まれた柱状体１０４を有する所定量の材料１１４を含むプローブ薄膜８００を成長基板７００から取り外すことができる。従って、埋め込まれたカーボンナノチューブ柱状体１０４及び突出部０８４を有する分離されたプローブ薄膜８００は、図１Ａ及び図１Ｂのプローブ薄膜１０２の一例であり、且つ、本明細書の任意の実施形態又は図のプローブ薄膜１０２を置換することができる。

図９Ａ及び図９Ｂは、図６のプロセス６００のステップ６１０の一例を示しており、ここでは、薄膜８００が配線基板１２４に結合されており、この場合に、配線基板１２４は、突出部１３４ではなく、レセプタクル９０４を有する。図示のように、薄膜８００の複数の突出部８０４は、配線基板１２４内の複数の対応したレセプタクル９０４と物理的に結合することができる。図１Ａ及び図１Ｂとの関係において上述したように、配線基板１２４は、突出部１３４ではなく、（例えば、レセプタクル１２０のような）レセプタクルを有することができる。レセプタクル９０４は、このようなレセプタクルの例である。

図９Ａ及び図９Ｂに示されているように、薄膜８００の突出部８０４は、配線基板１２４上に形成された対応するレセプタクル９０４内において結合することができる。図示のように、レセプタクル９０４は、配線基板１２４の第１面１２８から延在する２つ以上のロッド９０２の間に空間を含むことができる。ロッド９０２は、配線基板１２４の第１面１２８に結合させることができる。いくつかの実施形態においては、ロッド９０２は、端子１３２と同一の材料から形成することができる。同一の材料の使用は、ロッド９０２及び端子１３２の両方が同一のプロセスにおいて製造されることを許容することにより、配線基板１２４の製造を促進することができる。或いは、この代わりに、ロッド９０２及び端子１３２は、異なる材料を使用することにより、且つ／又は、異なるプロセスにおいて、形成することもできる。

図９Ｃは、配線基板１２４のロッド９０２の組内における薄膜８００の突出部８０４の斜視図を示し、且つ、図９Ｄは、その平面図を示している。図示のように、ロッド９０２（３つが示されているが、更に多くの又は少ない数が存在してもよい）は、突出部８０４がその内部に挿入及び結合されるレセプタクル９０４を形成することができる。ロッド９０２は、ロッド９０２と突出部８０４の間に圧入接続を形成するべく、少なくともわずかに内向きの圧力を突出部８０４に対して印加するように、成形及びサイズ設定並びに位置決めすることができる。この２つ以上の突出部８０４及びレセプタクル９０４の結合（例えば、図９Ｃ〜図９Ｈのいずれかにおいて構成されたもの）により、図９Ｂに示されているように、薄膜８００を配線基板１２４に対して結合することができる（突出部８０４及びレセプタクル９０４のそれぞれの結合されたペアは、図１Ｂに示されている結合構造１４４の一例であってよい）。

レセプタクル９０４は、様々な数のロッド９０２を使用することにより、形成することが可能であり、且つ、様々なロッド形状及び構成を有することができる。図示のように、ロッド９０２は、円形断面を有することができる。また、ロッド９０２は、正方形、矩形、三角形、又はこれらに類似したものを含むその他の成形された断面を有することもできる。更に図示されているように、３つのロッド９０２は、レセプタクル９０４を形成することができる。その他の構成においては、４つ、５つ、６つ、７つ、又はこれを上回る数のロッド９０２によってレセプタクル９０４を形成することができる。更には、いくつかの実施形態においては、その内部に形成された内側レセプタクル９０４を有する単一の管状ロッド９０２を形成することができる。

図９Ｅは、配線基板１２４の表面から延在する複数の壁９２２を含むことができるレセプタクル９０４の別の例を示している。壁９０４は、突出部８０４がその内部に圧入されうる空間を定義することができる。図９Ｆ（平面図である）は、レセプタクル９０４の更に別の例を示しており、この場合には、図示のように、突出部８０４が圧入されうる空間を形成するように、側壁９３２（図９Ｅの側壁９２２に類似したものであってよい）が構成されている。

図９Ｇ及び図９Ｈ（斜視平面図を示している）は、レセプタクル９０４の更なる例を示している。図９Ｇにおいては、正方形又は矩形に成形されたエンクロージャが、突出部８０４がその内部に圧入されうる内部空間を定義している。図９Ｈにおいては、八角形に成形されたエンクロージャが、突出部８０４がその内部に圧入されうる内部空間を定義している。或いは、この代わりに、図９Ｈのエンクロージャは、六角形、五角形、又はこれらに類似したものであってもよいであろう。

図９Ｉ〜図９Ｌは、以上の図のレセプタクル１２０が、代わりに、配線１２４内の孔又は開口部として構成されている例を示している。或いは、この代わりに、図示のレセプタクル１２０の任意のものは、プローブ薄膜１２０（又は、８００）内のものであってもよいであろう。図９Ｉは、正方形又は矩形の形状のレセプタクル９７０を示している。図９Ｊは、円形形状のレセプタクル９７０を示している。図９Ｋは、八角形の形状のレセプタクル９７０を示しており、これは、この代わりに、六角形、五角形、又はこれらに類似したものであってもよい。図９Ｌは、三角形の形状のレセプタクル９７０を示している。上述の内容は、いずれも、レセプタクル１２０の例である。

図９Ｂに示されているように、（図９Ｃ〜図９Ｈに示されている突出部９０４の任意の構成を含む）配線基板１２４のレセプタクル９０４と結合される突出部８０４を有するプローブ薄膜８００は、図１Ａ及び図１Ｂの接触器１０１の別の例であり、且つ、結合された突出部８０４及びレセプタクル９０４は、図１Ａ及び図１Ｂの結合構造１４４の例である。

図１０Ａ及び図１０Ｂは、図６のプロセス６００のステップ６１０の別の例を示しており、この場合には、薄膜８００は、配線基板１２４に結合されている。図示のように、配線基板１２４は、図１Ａ及び図１Ｂに示されている突出部１３４又は図９Ａ〜図９Ｃに示されているレセプタクル９０４ではなく、配線基板１２４の第１面内に形成されたレセプタクル１００を含むことができる。レセプタクル１０００がレセプタクル９０４を置換しているという点を除いては、配線基板１２４は、図９Ａ及び図９Ｂに示されているものと同一であってよい。

図１０Ｂは、配線基板１２４に結合された薄膜８００を示している。図示のように、結合された際に、薄膜８００の突出部８０４は、配線基板１２４のレセプタクル１０００に挿入することができる。上述のように、突出部８０４及びレセプタクル１０００は、物理的に結合された構造のペアを形成することができる。図９Ｂに示されているように、配線基板１２４のレセプタクル９０４と結合される突出部８０４を有するプローブ薄膜８００は、図１Ａ及び図１Ｂの接触器１０１の別の例である。

図６のプロセス６００を再度参照すれば、ステップ６１２において、プローブ接点１０１（図１Ｂに示されている配線基板１２４に結合されたプローブ薄膜１０２、図９Ｂに示されている配線基板１２４に結合されたプローブ薄膜８００、又は図１０Ｂに示されている配線基板１２４に結合されたプローブ薄膜８００を含むもの）を図５のプローブカード組立体１００などの電子装置に内蔵させることができる。

以上のとおり、所定量のフレキシブル材料１１４に埋め込まれたカーボンナノチューブ柱状体１０４を含む接触器１０１の例について記述し、且つ、このような接触器１０１のプローブカード組立体１００内における例示用の用途についても記述した。また、接触器１０１を製造すると共にその接触器１０１を電子装置に内蔵させるプロセスの例についても記述した。以上の説明は、例示に過ぎず、且つ、変形が想定される。例えば、図８Ａ〜図８Ｃのプローブ薄膜８００によって図示されているように、プローブ薄膜８００は、レセプタクル１２０ではなく、突出部８０４を含むことができる。或いは、この代わりに、プローブ薄膜８００は、プローブ薄膜１０２のようなものであってもよく、且つ、添付図面のうちのいずれかの図のプローブ薄膜１０２の任意のものを置換することができる。別の例として、図９Ａ〜図１０Ｂに示されているように、配線基板１２４は、突出部１３２ではなく、レセプタクル９０４又は１０００を有することもできる。或いは、この代わりに、図９Ａ〜図１０Ｂの配線基板１２４は、任意のその他の図の配線基板１２４のようなものであってもよく、且つ、任意の図の配線基板１２４は、レセプタクル９０４又は１０００を有するように構成することができる。

別の例として、図５のプローブカード組立体１００は、一例であり、且つ、その他の構成が想定される。例えば、図５のプローブカード組立体１００は、ベース１２６を含む必要はなく、この場合には、配線基板１２４をコネクタ１４０に対して直接接続することができる。同様に、プローブカード組立体１００は、コネクタ１４０を含む必要はなく、且つ、ベース１２６をインターフェイス基板１３８に対して直接接続することができる。更に別の例として、ベース１２６及びコネクタ１４０が存在しない状態において、配線基板１２４をインターフェイス基板１３８に対して直接接続することができる。図１１及び図１２は、プローブカード組立体１００の変形の更なる例を示している。

図１１は、１つのベース１２６に結合された複数の接触器１０１（２つが図示されているが、更に多くの数が存在してもよい）を有するプローブカード組立体１００の一例を示している。図１２は、プローブカード組立体１００の別の例を示しており、この場合には、複数の接触器１０１（２つが図示されているが、更に多くの数が存在してもよい）が複数のベース１２６（２つが示されているが、更に多くの数が存在してもよい）に結合されている。図１１及び図１２には図示されていないが、インターフェイス基板１３８、それぞれの電気コネクタ１４０、それぞれのベース１２４は、図５に示されている電気経路５０２を上述の任意の構成において含むことが可能であり、且つ、それぞれの配線基板１２４は、図５に示されている電気接続１３６を上述の任意の構成において含むことができる（図１１及び図１２の図は、必ずしも縮尺が正確ではなく、例えば、接触器１０１は、詳細を明瞭に図示するべく、拡大されている）。

プローブカード組立体１００が構成されている方式とは無関係に、プローブカード組立体１００は、電子装置に接触すると共にこれを試験する試験システム内において使用することができる。図１３は、電子装置１３０６を試験する試験システム１３００の一例を示している（以下、「試験対象装置」又は「ＤＵＴ」と呼称する）。ＤＵＴ１３０６は、信号、データ、電力、又はこれらに類似したものをＤＵＴ１３０６との間においてやり取りする電気端子１３０８を含む電子装置であってよい。例えば、ＤＵＴ１３０６は、１つ又は複数の半導体ダイ（個片化されたもの又は個片化されていないもの、パッケージ化されたもの又はパッケージ化されていないもの）、電子コンポーネント、回路基板、或いは、これらに類似したものであってよい）。

プローブカード組立体１００は、プローバ（図示せず）などのハウジング（図示せず）に取り付けることが可能であり、ハウジング内において、ＤＵＴ１３０６は、運動可能なステージ１３１０上に配設される。ＤＵＴ１３０６の端子１３０８とプローブカード組立体１００のプローブ１０８を接触状態とし、且つ、これにより、プローブ１０８と端子１３０８の間に電気接続を形成することにより、ＤＵＴ１３０６を試験することができる。これは、ステージ１３１０及び／又はプローブカード組立体１００を運動させることにより、実現することができる。

次いで、テスタ１３０２（ＤＵＴ１３０６の試験を制御するように構成されたコンピュータ、コンピュータシステム、又はこれらに類似したものであってよい）は、電力、試験信号、制御信号、及び／又はこれらに類似したものをチャネル１３０４（例えば、ケーブル、ワイヤ、無線通信チャネル、又はこれらに類似したもの）及びプローブカード組立体１００を通じてＤＵＴ１３０６に提供することができる。同様に、テスタ１３０２は、プローブカード組立体１００及びチャネル１３０４を通じて、ＤＵＴ１３０６によって生成された応答信号を検知することができる。次いで、テスタ１３０２は、応答信号を分析し、ＤＵＴ１３０６のすべて又は一部分が適切に試験信号に応答したのかどうかを、且つ、その結果、ＤＵＴ１３０６のすべて又は一部分が試験に合格したのか又は不合格となったのかを、判定することができる。この代わりに、或いは、これに加えて、テスタ１３０２は、ＤＵＴ１３０６の試験以外のタスクを実行することもできる。例えば、テスタ１３０２は、例えば、ＤＵＴ１３０６のバーンイン試験を実行するべく、ＤＵＴ１３０６を動作させることができる。

図１３に示されている試験システム１３００は、一例に過ぎず、且つ、変形が想定される。例えば、テスタ１３０２のいくつか又はすべてをプローブカード組立体１００上において（例えば、インターフェイス基板１３８又はベース１２６上において）配設することができる。

プローブ薄膜１０２を配線基板１２４に結合する結合構造１４４（例えば、レセプタクル１２０に対する突出部１３４、或いは、レセプタクル９０４に対する突出部８０４）の使用は、様々な利点を有することができる（図１４Ａ及び１４Ｂには、プローブ薄膜１０２が示されているが、この代わりに、プローブ薄膜は、プローブ薄膜８００であってもよい）。例えば、図１４Ａ及び図１４Ｂに示されているように、複数のプローブ薄膜１０２（２つが示されているが、更に多くの数が存在してもよい）を配線基板１２４上に配設することが可能であり、且つ、いくつかの実施形態においては、プローブ薄膜１０２を離隔させることができる。例えば、図１４Ｂに示されているように、プローブ薄膜１０２の間の第１方向における距離１４０２は、プローブ薄膜１０２の幅１４０４の１倍、２倍、３倍、４倍、５倍、又はこれを上回る数の倍数であってもよく、且つ／又は、プローブ薄膜１０２の間の第２の（例えば、直交する）方向における距離１４０６は、プローブ薄膜１０２の長さ１４０８の１倍、２倍、３倍、４倍、５倍、又はこれを上回る数の倍数であってもよい。

更には、プローブ薄膜１０２を配線基板１２４上において正確に位置決めすることもできる。プローブ薄膜１０２を配線基板１２４に結合するそれぞれの結合構造１４４のレセプタクル及び／又は突出部は、（例えば、上述のように）正確なリソグラフプロセスを使用することによって形成することが可能であることから、レセプタクル及び／又は突出部は、配線基板１２４及び／又はプローブ薄膜１０２上において正確に位置決めすることができる。従って、プローブ薄膜１０２又は配線基板１２４上の突出部をプローブ薄膜１０２又は配線基板１２４のうちの他方のものの上部の対応するレセプタクルに単純に圧入させることにより、それぞれのプローブ薄膜１０２を配線基板１２４上において正確に位置決めすることができる。結合構造１４４の突出部がレセプタクルに圧入されるのに伴って、突出部とレセプタクルは、アライメントされた状態となる。例えば、結合構造１４４の弾性を有する平均化特性（プローブ薄膜１０２の弾性を有する材料１１４上のレセプタクル又は突出部のうちのいずれかが弾性を有する（例えば、図１Ｂを参照されたい））により、プローブ薄膜１０２は、配線基板１２４上の正確な位置において自然にアライメントされる。また、この弾性を有する平均化により、配線基板１２４及びプローブ薄膜１０２がその一部分を構成している装置の通常動作の際に熱的変化又はその他の力に起因して配線基板１２４及び／又はプローブ薄膜１０２が膨張又は収縮した場合にも、それぞれのプローブ薄膜１０２を正確な位置において維持することができる。

図１５Ａ及び図１５Ｂは、配線基板１０２が、多数の正確に位置決めされたレセプタクル１２０を含む例を示している。図示のように、プローブ薄膜１２４上の正確に位置決めされた突出部１３４（図１５Ｂにおいて可視状態にあるが、図１５Ａにおいては、可視状態にない）をレセプタクル１２０のいくつか又はすべてに結合することにより、相対的に大きなプローブ薄膜１２４を配線基板１０２に結合することができる。或いは、この代わりに、レセプタクル１２０がプローブ薄膜１２４上にあってもよく、且つ、突出部１３４が配線基板１０２上にあってもよい。この場合にも、上述のように、レセプタクル１２０又は突出部１３４のうちの一方又は他方を弾性材料から製造することができる。このようなレセプタクル１２０と突出部１３４の結合（例えば、図１Ｂに示されているもの）は、プローブ薄膜１２４を配線基板１０２上において正確に位置決めするべく、弾性的に平均化することができる。

上述のように、配線基板１２４及びプローブ薄膜１０２は、例えば、ＤＵＴを試験するべくＤＵＴの端子に接触するように、プローブカード組立体内において使用することができる。試験用途の別の例として、配線基板１０２の両側の表面に結合されたプローブ薄膜１０２を含む両面型接触器（図示せず）を使用し、シリコンインターポーザを試験することもできる。

以上、本明細書においては、本発明の特定の実施形態及び用途について説明したが、これらの実施形態及び用途は、例示を目的としたものに過ぎず、且つ、多数の変形が可能である。

Claims (20)

1. プローブカード組立体であって、
   試験対象の装置の試験を制御するテスタに対する電子インターフェイスと、
   フレキシブル弾性を有する電気絶縁性の所定量の材料と、
   前記所定量の材料に埋め込まれた絡み合ったカーボンナノチューブの導電性柱状体であって、それぞれの前記柱状体は、前記所定量の材料の第１面から前記所定量の材料の第２面まで延在しており、前記第２面は、前記第１面の反対側である、導電性柱状体と、
   前記配線基板の第１面から前記柱状体内に延在する導電性端子を含む配線基板であって、前記端子は、前記インターフェイスに電気的に接続されている、配線基板と、
   前記所定量の材料を前記配線基板に結合する物理的に結合された構造のペアと、
   を含み、
   それぞれの前記ペア内の前記結合された構造のうちの第１の構造は、レセプタクルであり、
   それぞれの前記ペア内の前記結合された構造のうちの第２の構造は、前記レセプタクルに挿入されると共にこれと物理的に結合された突出部であり、
   前記所定量の材料は、それぞれの前記ペアの前記レセプタクル又は前記突出部のうちの一方を含み、且つ、
   前記配線基板は、それぞれの前記ペアの前記レセプタクル又は前記突出部のうちの他方を含む、プローブカード組立体。
2. それぞれの前記レセプタクルは、前記配線基板の前記第１面又は前記所定量の材料の前記第１面から延在する一群のロッドの間の空間を含む請求項１に記載のプローブカード組立体。
3. それぞれの前記レセプタクルは、前記配線基板の前記第１面の表面又は前記所定量の材料の前記第１面の表面の内部に凹入している請求項１に記載のプローブカード組立体。
4. 前記突出部は、前記配線基板の前記第１面から延在しており、且つ、
   前記突出部は、前記端子と実質的に同一の材料から構成されている請求項１に記載のプローブカード組立体。
5. それぞれの前記ペアの前記突出部は、
   円錐形状を有し、前記突出部の第１端部は、前記突出部の第２端部よりも幅広であり、且つ、
   前記第２端部から前記第１端部まで前記配線基板の前記第１面から延在している、請求項１に記載のプローブカード組立体。
6. それぞれの前記ペアの前記レセプタクルは、
   円錐形状を有し、前記レセプタクルの内側端部は、前記レセプタクルの開口部よりも幅広であり、且つ、
   前記開口部から前記内側端部まで前記所定量の材料の前記第１面内に延在している、請求項５に記載のプローブカード組立体。
7. 前記配線基板の前記第１面と前記所定量の材料の前記第１面の間に配設された接着剤を更に含み、前記接着剤は、前記所定量の材料の前記第１面を前記配線基板の前記第１面に接着している請求項１に記載のプローブカード組立体。
8. 前記所定量の材料は、シリコーンベースのエラストマである請求項１に記載のプローブカード組立体。
9. 前記配線基板の前記端子のうちの個々の端子は、前記カーボンナノチューブ柱状体のうちの対応する柱状体に接触し、これにより前記柱状体に電気的に接続されている請求項１に記載のプローブカード組立体。
10. 前記端子のうちの前記個々の端子は、前記カーボンナノチューブ柱状体のうちの前記対応する柱状体内に延在し、これによりその内部において少なくとも部分的に埋め込まれている請求項９に記載のプローブカード組立体。
11. 前記カーボンナノチューブ柱状体は、接触及び試験の対象である電子装置の端子に対応したパターンで、前記所定量の材料内において配設されている請求項１に記載のプローブカード組立体。
12. それぞれの前記カーボンナノチューブ柱状体は、接触及び試験の対象である前記電子装置の前記端子のうちの対応する端子用のプローブである請求項１１に記載のプローブカード組立体。
13. 前記インターフェイスから前記カーボンナノチューブ柱状体までの電気経路を更に含む請求項１２に記載のプローブカード組立体。
14. 電子装置であって、
    フレキシブル弾性を有する電気絶縁性の所定量の材料と、前記所定量の材料に埋め込まれた絡み合ったカーボンナノチューブの導電性柱状体と、を含むプローブ薄膜と、
    配線基板であって、前記配線基板の第１面から前記柱状体内に延在する導電性端子を含む配線基板と、
    前記所定量の材料を前記配線基板に結合する物理的に結合された構造のペアと、
    を含み、
    それぞれの前記ペア内の前記結合された構造のうちの第１の構造は、レセプタクルであり、且つ、
    それぞれの前記ペア内の前記結合された構造のうちの第２の構造は、前記レセプタクルに挿入されると共にこれと物理的に結合される突出部である、電子装置。
15. 前記レセプタクル又は前記突出部のうちの少なくとも１つは、弾性を有する材料を含み、且つ、前記レセプタクルと前記突出部の前記結合は、弾性平均化により、前記配線基板との関係において前記プローブ薄膜を正確に位置決めする請求項１４に記載の電子装置。
16. それぞれの前記レセプタクルは、前記配線基板の前記第１面又は前記所定量の材料の第１面から延在する一群のロッドの間の空間を含む請求項１４に記載の電子装置。
17. それぞれの前記レセプタクルは、前記配線基板の前記第１面の表面の又は前記所定量の材料の第１面の表面の内部に凹入している請求項１４に記載の電子装置。
18. それぞれの前記ペアの前記突出部は、
    円錐形状を有し、前記突出部の第１端部は、前記突出部の第２端部よりも幅広であり、且つ、
    前記第２端部から前記第１端部まで前記配線基板の前記第１面から延在している、請求項１４に記載の電子装置。
19. それぞれの前記ペアの前記レセプタクルは、
    円錐形状を有し、前記レセプタクルの内側端部は、前記レセプタクルの開口部よりも幅広であり、且つ、
    前記開口部から前記内側端部まで前記所定量の材料の第１面内に延在している、請求項１８に記載の電子装置。
20. 前記所定量の材料は、シリコーンベースのエラストマである請求項１４に記載の電子装置。

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