JP2016225568A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016225568A JP2016225568A JP2015113146A JP2015113146A JP2016225568A JP 2016225568 A JP2016225568 A JP 2016225568A JP 2015113146 A JP2015113146 A JP 2015113146A JP 2015113146 A JP2015113146 A JP 2015113146A JP 2016225568 A JP2016225568 A JP 2016225568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- quantum well
- light emitting
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 202
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 201
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 428
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 11
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 (Ca Chemical compound 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100202329 Mus musculus Slc6a11 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000154870 Viola adunca Species 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に設けられた多重量子井戸発光層と、を備え、前記多重量子井戸発光層は、前記p型窒化物半導体層に近い側から、第2発光層と、中間の井戸層と、第1発光層とを備え、前記第1発光層は、複数の第1量子井戸層と、前記複数の第1量子井戸層の間に設けられた第1バリア層とを備え、前記第2発光層は、複数の第2量子井戸層と、前記複数の第2量子井戸層の間に設けられた第2バリア層とを備え、前記第2量子井戸層のバンドギャップエネルギーは、前記第1量子井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きい、窒化物半導体発光素子。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の窒化物半導体発光素子の一例である実施の形態の窒化物半導体発光素子1の模式的な断面図を示す。図1に示す例の窒化物半導体発光素子1は、基板3と、基板3上に、順次設けられた、バッファ層5と、窒化物半導体下地層7と、n型コンタクト層8と、低温n型窒化物半導体層10(vピット発生層)と、窒化物半導体多層構造体120と、多重量子井戸発光層14と、3層のp型窒化物半導体層16,17,18とを備えている。
基板3としては、たとえば、サファイアなどの絶縁性基板、またはGaN、SiC若しくはZnOなどの導電性基板を用いることができる。基板3の厚さは特に限定されないが、窒化物半導体層の成長時における基板の厚さは、900μm以上1200μmであることが好ましく、窒化物半導体発光素子の使用時の基板の厚さは、50μm以上300μm以下であることが好ましい。
バッファ層5としては、たとえばAls0Gat0Ou0N1−u0(0≦s0≦1、0≦t0≦1、0≦u0<1、s0+t0=1)からなる式で表わされる窒化物半導体層を用いることが好ましく、AlN層またはAlON層であることがより好ましい。
窒化物半導体下地層7は、たとえば、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により、バッファ層5の表面上に形成することができる。
n型コンタクト層8としては、たとえば、Alx1Gay1Inz1N(0≦x1≦1、0≦y1≦1、0≦z1≦1、x1+y1+z1=1)の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる層にn型ドーパントがドープされた層を用いることができる。中でも、n型コンタクト層8としては、Alx2Ga1−x2N(0≦x2≦1、好ましくは0≦x2≦0.5、より好ましくは0≦x2≦0.1)層にn型ドーパントがドープされた層を用いることがより好ましい。
低温n型窒化物半導体層10としては、たとえば、一般式Alx2Gay2Inz2N(0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦z2≦1、x2+y2+z2=1)で表わされる窒化物半導体材料からなる層にn型ドーパントがドープされた層を用いることができる。好ましくは、一般式Alx2Ga1−x2N(0≦x2≦1、好ましくは0≦x2≦0.3、より好ましくは0≦x2≦0.1)で表される窒化物半導体材料からなる層または一般式Inz2Ga1−z2N(0≦z2≦1、好ましくは0≦z2≦0.3、より好ましくは0≦z2≦0.1)で表される窒化物半導体材料からなる層にn型ドーパントがドープされた層を用いる。
窒化物半導体多層構造体120は、たとえば一般式Alx4Gay4Inz4N(0≦x4≦1、0≦y4≦1、0≦z4≦1、x4+y4+z4=1)とAlx5Gay5Inz5N(0≦x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1、x5+y5+z5=1)からなるバンドギャップエネルギーの異なる2つの層を繰り返し積層することで形成される。窒化物半導体多層構造の組成は多重量子井戸発光層14からの発光を吸収しない、つまり、多重量子井戸発光層14より高いバンドギャップエネルギーを取りうる材料ならいかなる組み合わせも許されるが、SiドープGaNからなるワイドバンドギャップ層とSiドープInGaNからなるナローバンドギャップ層を繰り返し積層した構造が多重量子井戸発光層14の結晶性が向上し、より好ましい。
図2に、本発明の窒化物半導体発光素子に好適に用いられる多重量子井戸発光層14のバンドギャップエネルギー図の一例を示す。図2の横軸は積層方向の層厚を示しており、左方向がp型窒化物半導体層に近い側を意味している。また、図の縦軸はバンドギャップエネルギーの大きさを示しており、上方向にバンドギャップエネルギーが大きいことを意味している。
p型窒化物半導体層16,17,18としては、それぞれ独立に、たとえばAls4Gat4Inu4N(0≦s4≦1、0≦t4≦1、0≦u4≦1、s4+t4+u4=1)層にp型ドーパントがドープされた層を用いることが好ましく、Als4Ga(1−s4)N(0<s4≦0.4、好ましくは0.1≦s4≦0.3)層にp型ドーパントがドープされた層を用いることがより好ましい。
n電極21およびp電極25は、窒化物半導体発光素子に駆動電力を供給するための電極である。図に示すように、n電極21およびp電極25は、パッド電極部分のみで構成されているが、たとえば電流拡散を目的とする細長い突出部(枝電極)などがn電極21および/またはp電極25に接続されていてもよい。
キャリア濃度は電子またはホールの濃度を意味し、n型ドーパントの量またはp型ドーパントの量だけでは決定されない。このようなキャリア濃度は窒化物半導体発光素子の電圧対容量特性の結果に基づいて算出されるものであり、電流が注入されていない状態のキャリア濃度のことを指しており、イオン化した不純物、ドナー化した結晶欠陥およびアクセプター化した結晶欠陥から発生したキャリアの合計である。
まず、凸部と凹部とからなる凹凸形状が上面に形成されたサファイア基板3(直径が150mm)を準備した。凸部は、図1に示す凸部3aの断面形状を有しており、高さが0.6μm程度の円錐形の先端部を有し(円錐形の底部における円の直径は1.2μm)、各凸部は平面視において略三角形の頂点となる位置に設けられ、隣り合う頂点間隔は2μmであった。また、凹部は、図1に示す凹部3bの断面形状を有していた。
以上の方法により得られた窒化物半導体発光素子をTO−18型ステムにマウントし、樹脂による封止を行なうことなく窒化物半導体発光素子の発光スペクトルおよび光出力を測定した。図3に実施例1で作製された窒化物半導体発光素子のIF=20mA駆動時の発光スペクトルを示す。405nmと450nmの2波長での発光ピークが確認された。また、405nmと450nmのピーク強度比が16:84となった。
図8は、実施例2で作製された窒化物半導体発光素子における多重量子井戸構造を示すバンドギャップエネルギー図である。実施例2では、第2波長(405nm)の多重量子井戸構造中の井戸層(第2量子井戸層)の層厚が2nmとなっている以外は実施例1と同様とした。
実施例2で作製された窒化物半導体発光素子について、実施例1で行なったのと同様にして、発光スペクトルと光出力を評価した。図9は、実施例2で作製した窒化物半導体発光素子の発光スペクトルを示す図であり、縦軸は強度(a.u.)、横軸は波長(nm)である。結果、実施例1で作製した窒化物半導体発光素子と比較して、電流密度=13.4A/cm2における405nmのピーク強度が増加し、405nmと450nmのピーク強度比が4:6となり、(近)紫外光の強度が強くなることで緑色系発光蛍光体/赤色系発光蛍光体との組合せても、さらに高い変換効率(明るさ)が得られることを確認した。また図10は、実施例2で作製した窒化物半導体発光素子の外部量子効率と印加電流密度依存性を比較例2と比較して示すグラフであり、縦軸はEQE、横軸は電流密度J(A/cm2)である。実施例2で作製した窒化物半導体発光素子は、比較例2のサンプルと比較して、また、実施例1で作製した窒化物半導体発光素子と比較しても、全ての電流密度領域でEQEが改善された。
図11は、実施例3で作製された窒化物半導体発光素子における多重量子井戸構造を示すバンドギャップエネルギー図である。実施例3では、第2波長(405nm)の多重量子井戸構造中の井戸層(第2量子井戸層)の層数を5層とし、第1波長(450nm)の多重量子井戸構造中の井戸層(第1量子井戸層)の層数を2層とした以外は実施例1と同様とした。
実施例3で作製された窒化物半導体発光素子について、実施例1で行なったのと同様にして、発光スペクトルと光出力を評価した。図12は、実施例3で作製した窒化物半導体発光素子の外部量子効率と印加電流密度依存性を比較例2と比較して示すグラフであり、縦軸はEQE、横軸は電流密度J(A/cm2)である。また図13は、実施例3で作製した窒化物半導体発光素子の発光スペクトルを示す図であり、縦軸は強度(a.u.)、横軸は波長(nm)である。実施例1において確認されたEQEの改善が得られなかったものの、電流密度=13.4A/cm2における405nmのピーク強度が増加し、405nmと450nmのピーク強度比が3:7となり、第2量子井戸層の層数が第1量子井戸層の層数より多くても第2波長のピーク強度比が大きくなり、(近)紫外光の強度が強くなることで緑色系発光蛍光体/赤色系発光蛍光体との組合せても、さらに高い変換効率(明るさ)が得られることを確認できた。
Claims (7)
- n型窒化物半導体層と、
p型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に設けられた多重量子井戸発光層と、を備え、
前記多重量子井戸発光層は、前記p型窒化物半導体層に近い側から、第2発光層と、中間の井戸層と、第1発光層とを備え、
前記第1発光層は、複数の第1量子井戸層と、前記複数の第1量子井戸層の間に設けられた第1バリア層とを備え、
前記第2発光層は、複数の第2量子井戸層と、前記複数の第2量子井戸層の間に設けられた第2バリア層とを備え、
前記第2量子井戸層のバンドギャップエネルギーは、前記第1量子井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きい、窒化物半導体発光素子。 - 前記中間の井戸層のバンドギャップエネルギーは、前記第1量子井戸層のバンドギャップエネルギーと前記第2量子井戸層のバンドギャップエネルギーの間の値である、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間の井戸層の層厚は、前記第1量子井戸層または前記第2量子井戸層の層厚より大きいことを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2量子井戸層の層数は前記第1量子井戸層の層数より少ない、請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2量子井戸層の層数は前記第1量子井戸層の層数より多い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 発光スペクトルが、前記第1量子井戸層から発光される波長からの発光ピークと、前記第2量子井戸層から発光される波長からの発光ピークとを有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2量子井戸層の層厚は前記第1量子井戸層の層厚より小さい、請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015113146A JP6521750B2 (ja) | 2015-06-03 | 2015-06-03 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015113146A JP6521750B2 (ja) | 2015-06-03 | 2015-06-03 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016225568A true JP2016225568A (ja) | 2016-12-28 |
JP6521750B2 JP6521750B2 (ja) | 2019-05-29 |
Family
ID=57746458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015113146A Expired - Fee Related JP6521750B2 (ja) | 2015-06-03 | 2015-06-03 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6521750B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111180559A (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-19 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体元件 |
JP2021527335A (ja) * | 2018-06-14 | 2021-10-11 | グロ アーベーGlo Ab | エピタキシャル窒化ガリウムベース発光ダイオード、および、その製造方法 |
JP2023090057A (ja) * | 2021-12-17 | 2023-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022525A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
JP2001053336A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
US20130048944A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Jong Hak Won | Light emitting device |
-
2015
- 2015-06-03 JP JP2015113146A patent/JP6521750B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022525A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
JP2001053336A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
US20130048944A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Jong Hak Won | Light emitting device |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021527335A (ja) * | 2018-06-14 | 2021-10-11 | グロ アーベーGlo Ab | エピタキシャル窒化ガリウムベース発光ダイオード、および、その製造方法 |
JP7312772B2 (ja) | 2018-06-14 | 2023-07-21 | ナノシス, インコーポレイテッド | エピタキシャル窒化ガリウムベース発光ダイオード、および、その製造方法 |
CN111180559A (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-19 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体元件 |
CN111180559B (zh) * | 2018-11-12 | 2023-11-28 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体元件 |
JP2023090057A (ja) * | 2021-12-17 | 2023-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP7432844B2 (ja) | 2021-12-17 | 2024-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6521750B2 (ja) | 2019-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4875455B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4971377B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
US7259447B2 (en) | Flip-chip type nitride semiconductor light emitting diode | |
WO2013187171A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2009055023A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
US20070007541A1 (en) | White light emitting device | |
US8779412B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2011508416A (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
KR20120118055A (ko) | 우물 두께가 다른 다수의 양자 우물 구조체를 갖는 3족 질화물계 발광 다이오드 구조체 | |
JP2007116153A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
US9318645B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting element | |
JP6433248B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR102464030B1 (ko) | 발광소자 | |
JP6616126B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
WO2018012585A1 (ja) | 発光ダイオードおよび発光装置 | |
JP6521750B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
KR100664980B1 (ko) | 모노리식 백색 발광소자 | |
KR100658308B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
KR20120065607A (ko) | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법 | |
KR102188498B1 (ko) | 나노구조 반도체 발광소자 | |
KR20190101787A (ko) | 개선된 연색성을 갖는 led 조명 장치 및 led 필라멘트 | |
JP2004342732A (ja) | 酸化物半導体発光素子 | |
KR20130011918A (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP2014003121A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
KR100891826B1 (ko) | 반도체 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6521750 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |