JP2016225007A - 不揮発性メモリのエラーを検出して補正する方法およびそのシステム - Google Patents
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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Abstract
Description
本明細書に組み込まれて、その一部を形成する添付図面は、本発明の幾つかの実施態様を示しており、説明とともに本発明の原理を説明するに役立つ。
MRAMは、2つの強磁性層間のトンネルバリア層を用いて、異なる抵抗状態を切り替えてデータを保存する。低抵抗状態は、2つの強磁性層の磁化方向が平行のとき、実現される。高抵抗状態は、2つの強磁性層の磁化方向が平行でないとき、実現される。
CBRAMセルは、2つの固体金属電極間に電解質の薄膜を含む。CBRAMセルは、電解質膜の金属電極の間にナノワイヤーを形成することによって、異なる抵抗状態でデータを保存する。ナノワイヤーの欠如は、高抵抗状態に対応し、ナノワイヤーの存在は、低抵抗状態に対応する。
PRAMは、遷移金属酸化物における抵抗スイッチングに基づいて2つ以上の抵抗状態としてデータを保存する。
CBRAMセルと同様に、PRAMセルは、金属‐絶縁体‐金属構造を含む。異なる論理状態は、絶縁体層で1トレイルの導通不良(a trail of conducting defects)(フィラメント(filament)と呼ばれる)を生じることで示される。フィラメントの不存在は、高抵抗状態に対応し、フィラメントの存在は、低抵抗状態に対応する。各種の抵抗メモリの高抵抗状態と低抵抗状態は、第1と第2の論理値、例えば、「0」と「1」を示すデータを記憶するように用いられる。
不揮発性メモリは、基板にICチップを搭載するときにも高温になる。例えば、代表的なウェーブはんだ付けプロセスは、250℃にまで温度が上昇する。抵抗型不揮発性メモリは、これらの動作範囲の上の部分に近接したときに性能が劣化することになる可能性がある。例えば、ビット反転などのデータエラーは、高環境動作温度で抵抗型不揮発性メモリセルに生じる可能性がある。また、ウェーブはんだ付けプロセスによって引き起こされた高温に曝される前に、抵抗型不揮発性メモリに書き込まれたデータは、システム的なデータドリフトおよびデータ保持時間の減少などの重大なデータエラーになる可能性がある。
110 トランジスタベースの不揮発性メモリセル
200 抵抗型不揮発性メモリアレイ
210 バックアップデータセル
212 選択素子
214 抵抗記憶素子
220 インジケータセル
310 データセル
320 誤り訂正符号(ECC)セル
330 先読みセル
400 メモリシステム
410 メモリコントローラ
411 入力/出力インターフェース
412 行デコーダ
413 列デコーダ
414 センスアンプと書き込みドライバ
415 誤り訂正符号(ECC)コントローラ
416 先読みコントローラ
500、600、700、800 方法
510〜550 方法のステップ
610〜670 方法のステップ
710〜750 方法のステップ
810〜550 方法のステップ
910 しきい値電流
920a、920b 弱いしきい値電流
930a、930b 強いしきい値電流
940aと940b 分布曲線
BL0〜BLm ビット線
WL0〜WLn ワード線
Claims (15)
- データおよび先読みビットを記憶するように構成された抵抗型不揮発性メモリアレイ、および
メモリコントローラ
を具備するメモリシステムであって、
当該メモリコントローラは、
記憶されたデータをユニット単位でデータビットエラー、および、記憶された先読みビットの中から先読みビットエラーを検出し、
前記先読みビットエラーの数を検出し、
前記検出した先読みビットエラーの数と、先読みビットエラーのしきい値とを比較し、
前記検出した先読みビットエラーの数が前記先読みビットエラーのしきい値と等しいか大きいとき、前記抵抗型不揮発性メモリアレイに記憶されているデータおよび先読みビットについて強いリフリッシュを行い、
前記検出した先読みビットエラーの数が前記先読みビットエラーのしきい値未満のとき、前記データエラーを有する記憶されているデータ、および、前記先読みビットエラーを有する記憶されている先読みビットのユニットのみをリフリッシュすることにより前記記憶されたデータおよび先読みビットについて弱いリフリッシュを行う、
ように構成されている、メモリシステム。 - 前記抵抗型不揮発性メモリアレイは、位相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)、抵抗型ランダムアクセスメモリ(RRAM)、または、導電性ブリッジ型ランダムアクセスメモリ(CBRAM)の少なくとも1つを具備する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 当該メモリシステムはさらにトランジスタ−ベース不揮発性メモリアレイを具備し、
前記抵抗型不揮発性メモリアレイは、前記記憶されているデータおよび先読みビットのユニットに対応するエラー訂正コード(ECC)ビットを記憶するように構成されており、
前記メモリコントローラはさらに、
前記データビットエラーおよび前記先読みビットエラーを訂正するのに必要なECCビットの数を決定し、
前記決定したECCビットとECCビットのしきい値数とを比較する、
ように構成されており、
前記メモリコントローラはさらに下記の動作により、強いリフリッシュを行うように構成されており、ここで、前記下記の動作は、
データビットエラーおよび先読みビットエラーを訂正するのに必要なECCの数が0より大きくECCビットのしきい値数未満のとき、前記記憶されているデータおよび先読みビットエラーをユニット単位でデータビットエラーを訂正し、訂正したユニット単位で記憶されているデータおよび先読みビットを前記抵抗型不揮発性メモリアレイに書き込み、
前記記憶されているデータビットエラーおよび先読みビットエラーについてユニット単位での訂正をするのに必要なECCの数がECCビットのしきい値数以上のとき、前記トランジスタ−ベース不揮発性メモリアレイに記憶されているデータおよび先読みビットのユニットに対応する前記記憶されているデータおよび先読みビットをユニット単位で置き換え、
データビットエラーのない記憶されたデータ、および、先読みビットエラーのない先読みビットを有する先読みビットを読み出し、当該読みだしたデータビットエラーのない記憶されたデータ、および、先読みビットエラーのないビットを有する先読みビットをユニット単位で前記抵抗型不揮発性メモリアレイに書き込む
動作を含む、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、
ユニット単位で訂正したデータおよび先読みビットを書き込み、データビットエラーを有する記憶されてデータ、および、先読みビットエラーを有する先読みビットをユニット単位で置き換え、データビットエラーのないデータを有する記憶されたデータおよび先読みビットのない先読みビットを有する先読みビットをユニット単位で書き込み、それにより、前記抵抗型不揮発性メモリアレイのメモリセルのための現在の分布が前記弱いリフリッシュよりも大きくなる、動作、
による強いリフリッシュを遂行するように構成されている、
請求項3に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは下記の動作により弱いリフリッシュを遂行するように、さらに構成されており、当該下記の動作は、
データビットエラーおよび先読みビットエラーを訂正するのに必要なECCの数が0より大きくECCビットのしきい値数未満のとき、前記記憶されているデータおよび先読みビットエラーをユニット単位でデータビットエラーを訂正し、訂正したユニット単位で記憶されているデータおよび先読みビットを前記抵抗型不揮発性メモリアレイに書き込み、
前記記憶されているデータビットエラーおよび先読みビットエラーについてユニット単位での訂正をするのに必要なECCの数がECCビットのしきい値数以上のとき、前記トランジスタ−ベース不揮発性メモリアレイに記憶されているデータおよび先読みビットのユニットに対応する前記記憶されているデータおよび先読みビットをユニット単位で置き換える、
動作を含む、
請求項3に記載のメモリシステム。 - 前記データおよび先読みビットはそれぞれ、半導体ダイに形成された異なる抵抗型不揮発性メモリアレイに、または、集積回路(IC)パッケージに含まれる分離されている半導体ダイキに形成された異なる抵抗型不揮発性メモリアレイに、または、集積回路(IC)パッケージに含まれる分離されている異なる抵抗型不揮発性メモリアレイに、記憶されている、
請求項1記載のメモリシステム。 - 抵抗型不揮発性メモリアレイを含むメモリシステムにおけるエラーを訂正する方法であて、当該方法は、
前記抵抗型不揮発性メモリアレイに記憶されたデータをユニット単位でデータビットエラー、および、記憶された先読みビットの中から先読みビットエラーを検出し、
前記先読みビットエラーの数を検出し、
前記検出した先読みビットエラーの数と、先読みビットエラーのしきい値とを比較し、
前記検出した先読みビットエラーの数が前記先読みビットエラーのしきい値と等しいか大きいとき、前記抵抗型不揮発性メモリアレイに記憶されているデータおよび先読みビットについて強いリフリッシュを行い、
前記検出した先読みビットエラーの数が前記先読みビットエラーのしきい値未満のとき、前記データエラーを有する記憶されているデータ、および、前記先読みビットエラーを有する記憶されている先読みビットのユニットのみをリフリッシュすることにより前記記憶されたデータおよび先読みビットについて弱いリフリッシュを行う、
エラー訂正方法。 - 前記抵抗型不揮発性メモリアレイは、位相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)、抵抗型ランダムアクセスメモリ(RRAM)、または、導電性ブリッジ型ランダムアクセスメモリ(CBRAM)の少なくとも1つを具備する、
請求項7に記載のエラー訂正方法。 - 前記先読みビットエラーの数の検出動作は、当該メモリシステムの電力印加に応じて、または、当該メモリシステムのアイドルモード期間,または、受信した命令に応じて行う、
請求項7に記載のエラー訂正方法。 - 前記先読みビットエラーの数の検出動作は、所定数の電力印加に応じて、または、所定数のアイドルモード,または、所定数の受信した命令に応じて行う、
請求項7に記載のエラー訂正方法。 - 当該エラー訂正方法はさらに、
前記データビットエラーおよび前記先読みビットエラーを訂正するのに必要な、前記抵抗型不揮発性メモリアレイに記憶されており、前記記憶されたデータおよび先読みビットに対応する、ECCビットの数を決定し、
前記決定したECCビットと、ECCビットのしきい値数とを比較する、
請求項7に記載のエラー訂正方法。 - 前記強いリフリッシュ動作は、
データビットエラーおよび先読みビットエラーを訂正するのに必要なECCの数が0より大きくECCビットのしきい値数未満のとき、前記記憶されているデータおよび先読みビットエラーをユニット単位でデータビットエラーを訂正し、訂正したユニット単位で記憶されているデータおよび先読みビットを前記抵抗型不揮発性メモリアレイに書き込み、
前記記憶されているデータビットエラーおよび先読みビットエラーについてユニット単位での訂正をするのに必要なECCの数がECCビットのしきい値数以上のとき、前記トランジスタ−ベース不揮発性メモリアレイに記憶されているデータおよび先読みビットのユニットに対応する前記記憶されているデータおよび先読みビットをユニット単位で置き換え、
データビットエラーのない記憶されたデータ、および、先読みビットエラーのない先読みビットを有する先読みビットを読み出し、当該読みだしたデータビットエラーのない記憶されたデータ、および、先読みビットエラーのないビットを有する先読みビットをユニット単位で前記抵抗型不揮発性メモリアレイに書き込む
動作を含む、
請求項11に記載のエラー訂正方法。 - 前記強いリフリッシュ動作は、
ユニット単位で訂正したデータおよび先読みビットを書き込み、データビットエラーを有する記憶されてデータ、および、先読みビットエラーを有する先読みビットをユニット単位で置き換え、データビットエラーのないデータを有する記憶されたデータおよび先読みビットのない先読みビットを有する先読みビットをユニット単位で書き込み、それにより、前記抵抗型不揮発性メモリアレイのメモリセルのための現在の分布が前記弱いリフリッシュよりも大きくなる、動作である
請求項1に記載のエラー訂正方法。 - 前記弱いリフリッシュ動作は、
データビットエラーおよび先読みビットエラーを訂正するのに必要なECCの数が0より大きくECCビットのしきい値数未満のとき、前記記憶されているデータおよび先読みビットエラーをユニット単位でデータビットエラーを訂正し、訂正したユニット単位で記憶されているデータおよび先読みビットを前記抵抗型不揮発性メモリアレイに書き込み、
前記記憶されているデータビットエラーおよび先読みビットエラーについてユニット単位での訂正をするのに必要なECCの数がECCビットのしきい値数以上のとき、前記トランジスタ−ベース不揮発性メモリアレイに記憶されているデータおよび先読みビットのユニットに対応する前記記憶されているデータおよび先読みビットをユニット単位で置き換える、
動作を含む、
請求項7に記載のエラー訂正方法。 - 前記強いリフリッシュ動作または前記弱いリフリッシュ動作は、前記メモリシステムへの電力の印加または前記メモリシステムのアイドルモードの期間に応じて、強いリフリッシュまたは弱いリフリッシュを行うことを含む、
請求項7に記載のエラー訂正方法。
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