JP2016208054A - 載置台およびプラズマ処理装置 - Google Patents
載置台およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016208054A JP2016208054A JP2016160503A JP2016160503A JP2016208054A JP 2016208054 A JP2016208054 A JP 2016208054A JP 2016160503 A JP2016160503 A JP 2016160503A JP 2016160503 A JP2016160503 A JP 2016160503A JP 2016208054 A JP2016208054 A JP 2016208054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- plasma
- mounting surface
- adhesive force
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
被処理物を載置する載置面を有する電極本体と、
前記載置面に設けられ、紫外光を照射されることによって前記載置面に対する粘着力が可変となる着脱自在な保護層とを有することを特徴としている。
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置台と、
前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記載置台の前記被処理物を載置する載置面に対しての粘着力が紫外光を照射されることによって変化する保護層を有することを特徴としている。
104a 第一の電位供給線、104b 第二の電位供給線、105 減圧部、106 排気配管、107 上部ガスノズル、108 ガス導入孔、109 プロセスガス供給部
G プロセスガス、P プラズマ、W 被処理物
Claims (5)
- 被処理物を載置する載置面を有する電極本体と、
前記載置面に設けられ、紫外光を照射されることによって前記載置面に対する粘着力が可変となる着脱自在な保護層とを有することを特徴とした載置台。 - 前記保護層は紫外光を照射することで粘着力が小さくなる材質であることを特徴とする請求項1記載の載置台。
- 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置台と、
前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記載置台の前記被処理物を載置する載置面に対しての粘着力を照射されることによって変化する保護層を有することを特徴としたプラズマ処理装置。 - 前記保護層は基板処理中には粘着力を有し、前記被処理物処理後は着脱自在となる程度に粘着力が小さくなることを特徴とした請求項3記載のプラズマ処理装置。
- 前記保護層に紫外光を照射する光ランプを有することを特徴とした請求項3または請求項4記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016160503A JP6174210B2 (ja) | 2016-08-18 | 2016-08-18 | 載置台およびプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016160503A JP6174210B2 (ja) | 2016-08-18 | 2016-08-18 | 載置台およびプラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011081308A Division JP6067210B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016208054A true JP2016208054A (ja) | 2016-12-08 |
JP6174210B2 JP6174210B2 (ja) | 2017-08-02 |
Family
ID=57490526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016160503A Active JP6174210B2 (ja) | 2016-08-18 | 2016-08-18 | 載置台およびプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6174210B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303286A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-11-13 | Applied Materials Inc | 静電チャック及び半導体製造装置 |
JP2003045949A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Ulvac Japan Ltd | 静電吸着装置及び真空処理装置 |
JP2004349665A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Creative Technology:Kk | 静電チャック |
-
2016
- 2016-08-18 JP JP2016160503A patent/JP6174210B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303286A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-11-13 | Applied Materials Inc | 静電チャック及び半導体製造装置 |
JP2003045949A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Ulvac Japan Ltd | 静電吸着装置及び真空処理装置 |
JP2004349665A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Creative Technology:Kk | 静電チャック |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6174210B2 (ja) | 2017-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4133333B2 (ja) | 被処理体の処理方法及びその処理装置 | |
TWI497583B (zh) | Plasma processing device | |
JP5371238B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR101119646B1 (ko) | 탑재대 및 그것을 이용한 플라즈마 처리 장치 | |
CN107204274B (zh) | 等离子体处理方法以及等离子体处理装置 | |
CN106024682B (zh) | 等离子处理装置以及等离子处理方法 | |
CN107180753B (zh) | 元件芯片的制造方法 | |
KR101760982B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4642809B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP5351317B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4695297B2 (ja) | 薄膜形成装置及びロードロックチャンバー | |
WO2004021427A1 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
CN108701602B (zh) | 基板处理装置 | |
JP6067210B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6174210B2 (ja) | 載置台およびプラズマ処理装置 | |
JP2020158866A (ja) | 成膜装置 | |
US9779986B2 (en) | Plasma treatment method and method of manufacturing electronic component | |
JP2019176031A (ja) | プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法 | |
KR102427971B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
JP4186495B2 (ja) | 電子部品装着装置 | |
JP2002367967A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
KR100319468B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
JP2020158867A (ja) | 成膜装置 | |
JP2010165492A (ja) | 有機el装置の製造装置 | |
JP2010097993A (ja) | プラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160916 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160916 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170705 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6174210 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |