JP2016197194A - Electro-optic device and electronic apparatus - Google Patents

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Osamu Nakajima
修 中島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optic device with which it is possible to reduce the number of transistors for composing a logic circuit even when an enable signal dividing circuit is installed, and an electronic apparatus equipped with the electro-optic device.SOLUTION: In a data line drive circuit 101 formed on the element substrate 10 of the electro-optic device, first enable signals ENBs1, ENBs2 are active-low pulse signals, and an enable signal dividing circuit 130 generates active-high second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 by only four NOR circuits 131 and outputs the generated signals to a sampling signal output circuit 150. The sampling signal output circuit 150 generates active-high sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4 by the active-high second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 and active-high transfer signals P1, P2 outputted from a shift register 140.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、素子基板上にイネーブル信号分割回路が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device in which an enable signal dividing circuit is provided on an element substrate, and an electronic apparatus including the electro-optical device.

液晶装置等の電気光学装置では、素子基板の一方面側に、複数のデータ線と、複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、データ線と走査線との交差に対応して設けられた複数の画素とが構成されている。かかる電気光学装置において、データ線には、データ線駆動回路から出力されたサンプリング信号に基づいて、サンプリング回路が画像信号をサンプリングしてデータ線に供給する。   In an electro-optical device such as a liquid crystal device, a plurality of data lines, a plurality of scanning lines extending in a direction intersecting with the plurality of data lines, and a crossing of the data lines and the scanning lines are provided on one side of the element substrate. A plurality of correspondingly provided pixels are configured. In such an electro-optical device, the sampling circuit samples an image signal based on the sampling signal output from the data line driving circuit and supplies the data line to the data line.

かかる電気光学装置においては、図10に示すように、素子基板10にイネーブル信号分割回路130を設けることが提案されている。図10および図11に示すように、イネーブル信号分割回路130は、NAND回路138およびNOT回路139(インバーター)によって、選択回路120を介して入力された各系列の正論理の第1イネーブル信号ENBs1、ENBs2を系列毎に分割し、シフトレジスタ140から出力される転送信号のパルス幅より狭いパルス幅を有する複数系列の正論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4を生成する。一方、n本のデータ線に6相で画像信号を供給する場合、シフトレジスタ140は、スタートパルスDX、クロック信号CLX、および逆位相クロック信号CLXINVによって各段から正論理の転送信号P1、P2・・Pn/12を出力する(特許文献1)。   In such an electro-optical device, it has been proposed to provide an enable signal dividing circuit 130 on the element substrate 10 as shown in FIG. As shown in FIGS. 10 and 11, the enable signal dividing circuit 130 includes a positive logic first enable signal ENBs1 input through the selection circuit 120 by the NAND circuit 138 and the NOT circuit 139 (inverter), ENBs2 is divided for each series, and a plurality of series of positive logic second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 having a pulse width narrower than the pulse width of the transfer signal output from shift register 140 are generated. On the other hand, when supplying image signals in six phases to n data lines, the shift register 140 receives positive logic transfer signals P1, P2,... From each stage by a start pulse DX, a clock signal CLX, and a reverse phase clock signal CLXINV. -Pn / 12 is output (patent document 1).

従って、サンプリング信号出力回路150には、例えば、正論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4、および正論理の転送信号P1、P2が入力されるNAND回路158と、NAND回路158の出力の反転信号、および正論理の制御信号NRGが入力されるAND回路159とを設ける。その結果、制御信号NRGによって規定される所定の期間、正論理のサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・Qn/6を選択信号線109に出力することができる。ここで、制御信号NRGは、NOT回路156によって反転してAND回路159に入力される。また、AND回路159から出力されたサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・Qnは、直列に接続された2つのNOT回路154、155を介してサンプリング回路に出力される。   Accordingly, the sampling signal output circuit 150 receives, for example, the NAND circuit 158 to which the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 and the positive logic transfer signals P1 and P2 are input, and the output of the NAND circuit 158, for example. And an AND circuit 159 to which a positive logic control signal NRG is input. As a result, positive logic sampling signals Q 1, Q 2, Q 3, Q 4... Qn / 6 can be output to the selection signal line 109 for a predetermined period defined by the control signal NRG. Here, the control signal NRG is inverted by the NOT circuit 156 and input to the AND circuit 159. The sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4,... Qn output from the AND circuit 159 are output to the sampling circuit via two NOT circuits 154, 155 connected in series.

特開2009−180969号公報JP 2009-180969 A

しかしながら、図10に示す回路構成を採用した場合、イネーブル信号分割回路130を設けた分、論理回路を構成するためのトランジスターの数が増えるため、信号の遅延が発生する。その結果、サンプリング回路において、サンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・Qn/2と画像信号とのタイミングがずれてしまい、画像の品位が低下するという問題点がある。   However, when the circuit configuration shown in FIG. 10 is adopted, the number of transistors for configuring the logic circuit is increased by the provision of the enable signal dividing circuit 130, so that a signal delay occurs. As a result, in the sampling circuit, the sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4... Qn / 2 and the image signal are out of timing and the image quality is lowered.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、イネーブル信号分割回路を設けた場合でも、論理回路を構成するためのトランジスターの数を少なくすることができる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electro-optical device that can reduce the number of transistors for forming a logic circuit even when an enable signal dividing circuit is provided, and the electro-optical device. The object is to provide an electronic device equipped.

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、素子基板の一方面側に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、前記素子基板の端子を介して入力された第1イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第2イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、複数系列毎の前記第2イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第2イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、を有し、前記第1イネーブル信号は、負論理のパルス信号であり、前記イネーブル信号分割回路は、NOR回路によって正論理の前記第2イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, an aspect of the electro-optical device according to the present invention includes a plurality of data lines and a plurality of scans extending in a direction intersecting the plurality of data lines on one surface side of the element substrate. Line, a plurality of pixels provided corresponding to each intersection of the data line and the scanning line, a shift register for sequentially outputting a transfer signal from each of the plurality of stages, and an input via the terminal of the element substrate An enable signal dividing circuit that divides the generated first enable signal to generate a plurality of second enable signals having a pulse width narrower than the pulse width of the transfer signal, and the second enable signal for each of the plurality of sequences. A sampling signal output circuit that shapes the transfer signal and outputs a sampling signal in which a pulse width of the transfer signal is limited to a pulse width of the second enable signal; And a sampling circuit for sampling the image signal and supplying the sampling signal to the data line, the first enable signal is a negative logic pulse signal, and the enable signal dividing circuit is positive logic by a NOR circuit. The second enable signal is generated and output to the sampling signal output circuit.

本発明において、第1イネーブル信号は、負論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路は、NOR回路によって正論理の第2イネーブル信号を生成し、サンプリング信号出力回路に出力する。このため、正論理の第1イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にNAND回路とNOT回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、第2イネーブル信号やサンプリング信号における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路において、サンプリング信号と画像信号とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。また、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、消費電力の低減を図ることができる。   In the present invention, the first enable signal is a negative logic pulse signal, and the enable signal dividing circuit generates a positive logic second enable signal by the NOR circuit and outputs the second enable signal to the sampling signal output circuit. For this reason, since the number of transistors for forming the logic circuit is smaller than when the first enable signal of positive logic is used and the NAND circuit and NOT circuit are used as the enable signal dividing circuit, the second enable Signal delay in signals and sampling signals can be suppressed. Therefore, in the sampling circuit, it is possible to suppress a timing shift between the sampling signal and the image signal, and it is possible to suppress a deterioration in image quality caused by the shift. Further, since the number of transistors for forming the logic circuit is small, power consumption can be reduced.

この場合、前記シフトレジスタは、正論理の前記転送信号を出力し、前記サンプリング信号出力回路は、前記第2イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することが好ましい。   In this case, it is preferable that the shift register outputs the positive logic transfer signal, and the sampling signal output circuit generates the positive logic sampling signal by the second enable signal and the transfer signal.

本発明に係る電気光学装置の別態様は、素子基板の一方面側に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、前記素子基板の端子を介して入力された第1イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第2イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、複数系列毎の前記第2イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第2イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、を有し、前記第1イネーブル信号は、正論理のパルス信号であり、前記イネーブル信号分割回路は、NAND回路によって負論理の前記第2イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする。   Another aspect of the electro-optical device according to the invention includes a plurality of data lines, a plurality of scanning lines extending in a direction intersecting the plurality of data lines, the data lines, and the data lines on one surface side of the element substrate. Dividing a plurality of pixels provided corresponding to each intersection with a scanning line, a shift register for sequentially outputting a transfer signal from each of a plurality of stages, and a first enable signal input via a terminal of the element substrate An enable signal dividing circuit for generating a plurality of second enable signals having a pulse width narrower than a pulse width of the transfer signal, and shaping the transfer signal based on the second enable signal for each of the plurality of sequences. A sampling signal output circuit that outputs a sampling signal in which the pulse width of the transfer signal is limited to the pulse width of the second enable signal; and an image signal based on the sampling signal And the first enable signal is a positive logic pulse signal, and the enable signal dividing circuit is a negative logic second enable signal by a NAND circuit. And output to the sampling signal output circuit.

本発明において、第1イネーブル信号は、正論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路は、NAND回路によって負論理の第2イネーブル信号を生成し、サンプリング信号出力回路に出力する。このため、正論理の第1イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にNAND回路とNOT回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、第2イネーブル信号やサンプリング信号における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路において、サンプリング信号と画像信号とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。   In the present invention, the first enable signal is a positive logic pulse signal, and the enable signal dividing circuit generates a negative logic second enable signal by the NAND circuit and outputs the second enable signal to the sampling signal output circuit. For this reason, since the number of transistors for forming the logic circuit is smaller than when the first enable signal of positive logic is used and the NAND circuit and NOT circuit are used as the enable signal dividing circuit, the second enable Signal delay in signals and sampling signals can be suppressed. Therefore, in the sampling circuit, it is possible to suppress a timing shift between the sampling signal and the image signal, and it is possible to suppress a deterioration in image quality caused by the shift.

この場合、前記シフトレジスタは、負論理の前記転送信号を出力し、前記サンプリング信号出力回路は、前記第2イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することが好ましい。かかる構成によれば、第2イネーブル信号が負論理であっても、正論理のサンプリング信号を生成することができる。   In this case, it is preferable that the shift register outputs the negative logic transfer signal, and the sampling signal output circuit generates the positive logic sampling signal based on the second enable signal and the transfer signal. According to this configuration, a positive logic sampling signal can be generated even if the second enable signal is negative logic.

また、本発明の前記別態様では、前記サンプリング信号出力回路は、前記第2イネーブル信号および前記転送信号が入力される第1NOR回路と、前記第1NOR回路の出力信号および正論理の制御信号が入力される第2NOR回路と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、サンプリング信号出力回路に設けるNOT回路の数を減らすことができるので、サンプリング信号における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路において、サンプリング信号と画像信号とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。   According to another aspect of the present invention, the sampling signal output circuit receives a first NOR circuit to which the second enable signal and the transfer signal are input, an output signal of the first NOR circuit and a positive logic control signal. The second NOR circuit is preferably provided. According to this configuration, the number of NOT circuits provided in the sampling signal output circuit can be reduced, so that signal delay in the sampling signal can be suppressed. Therefore, in the sampling circuit, it is possible to suppress a timing shift between the sampling signal and the image signal, and it is possible to suppress a deterioration in image quality caused by the shift.

本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。   The electro-optical device according to the present invention can be used in electronic devices such as a mobile phone, a mobile computer, and a projection display device. Among these electronic apparatuses, the projection display device includes a light source unit for supplying light to the electro-optical device and a projection optical system that projects light modulated by the electro-optical device.

本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a liquid crystal panel of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an electrical configuration of an element substrate of the electro-optical device according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置のデータ線駆動回路の説明図である。3 is an explanatory diagram of a data line driving circuit of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. FIG. 図3に示すデータ線駆動回路の一部を拡大して示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an enlarged part of the data line driving circuit shown in FIG. 3. 図3に示すデータ線駆動回路で生成される信号等のタイミングチャートである。4 is a timing chart of signals and the like generated by the data line driving circuit shown in FIG. 本発明の実施の形態2に係る電気光学装置のデータ線駆動回路の説明図である。7 is an explanatory diagram of a data line driving circuit of an electro-optical device according to a second embodiment of the invention. FIG. 図6に示すデータ線駆動回路の一部を拡大して示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing an enlarged part of the data line driving circuit shown in FIG. 6. 図6に示すデータ線駆動回路で生成される信号等のタイミングチャートである。7 is a timing chart of signals and the like generated by the data line driving circuit shown in FIG. 本発明を適用した投射型表示装置(電子機器)および光学ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the projection type display apparatus (electronic device) and optical unit to which this invention is applied. 本発明の参考例に係る電気光学装置のデータ線駆動回路の一部を拡大して示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an enlarged part of a data line driving circuit of an electro-optical device according to a reference example of the invention. 図10に示すデータ線駆動回路で生成される信号等のタイミングチャートである。11 is a timing chart of signals and the like generated by the data line driving circuit shown in FIG.

以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。なお、以下の説明において、図10および図11を参照して説明した構成と共通する部分については同一の符号を付して説明する。   Hereinafter, a liquid crystal device which is a typical electro-optical device will be described as an embodiment of the present invention. In the following description, portions common to the configurations described with reference to FIGS. 10 and 11 are described with the same reference numerals.

[実施の形態1]
図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図1(a)、(b)は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is an explanatory diagram of a liquid crystal panel of an electro-optical device according to Embodiment 1 of the present invention. FIGS. 1 (a) and 1 (b) show the liquid crystal panel together with the respective components from the counter substrate side. FIG. 6 is a plan view and a sectional view taken along the line HH ′.

図1(a)、(b)に示すように、本形態の電気光学装置100は、液晶装置であり、液晶パネル100pを有している。液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材107aが配合されている。液晶パネル100pにおいて、素子基板10と対向基板20との間のうち、シール材107によって囲まれた領域内には、各種液晶材料(電気光学物質)からなる液晶層50(電気光学物質層)が設けられている。本形態において、シール材107には、液晶注入口107cとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口107cは、液晶材料の注入後、封止材107dによって封止されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the electro-optical device 100 according to this embodiment is a liquid crystal device, and includes a liquid crystal panel 100p. In the liquid crystal panel 100p, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other with a sealant 107 through a predetermined gap, and the sealant 107 is provided in a frame shape along the outer edge of the counter substrate 20. The sealing material 107 is an adhesive made of a photo-curing resin, a thermosetting resin, or the like, and is mixed with a gap material 107a such as glass fiber or glass beads for setting the distance between both substrates to a predetermined value. In the liquid crystal panel 100p, a liquid crystal layer 50 (electro-optical material layer) made of various liquid crystal materials (electro-optical materials) is formed in a region surrounded by the sealing material 107 between the element substrate 10 and the counter substrate 20. Is provided. In this embodiment, the sealing material 107 is formed with a discontinuous portion used as the liquid crystal injection port 107c. The liquid crystal injection port 107c is sealed with a sealing material 107d after the liquid crystal material is injected.

かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。画像表示領域10aの外側は、四角枠状の外周領域10cになっている。   In the liquid crystal panel 100p having such a configuration, both the element substrate 10 and the counter substrate 20 are quadrangular, and an image display region 10a is provided as a quadrangular region substantially at the center of the liquid crystal panel 100p. The outer side of the image display area 10a is a rectangular frame-shaped outer peripheral area 10c.

素子基板10において、外周領域10cでは、素子基板10においてY軸方向の一方側に位置する辺10eに沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、データ線駆動回路101と画像表示領域10aとの間にはサンプリング回路103が構成されている。また、素子基板10において、外周領域10cでは、辺10eに隣接する他の辺10g、10hの各々に沿って走査線駆動回路104が形成されている。端子102には、フレキシブル配線基板(図示せず)が接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。   In the element substrate 10, in the outer peripheral region 10 c, the data line driving circuit 101 and the plurality of terminals 102 are formed along the side 10 e located on one side of the element substrate 10 in the Y-axis direction. A sampling circuit 103 is configured between the image display area 10a. In the element substrate 10, in the outer peripheral region 10c, the scanning line driving circuit 104 is formed along each of the other sides 10g and 10h adjacent to the side 10e. A flexible wiring board (not shown) is connected to the terminal 102, and various potentials and various signals are input to the element substrate 10 from an external control circuit via the flexible wiring board.

素子基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、対向基板20と対向する一方面10sの側には、画像表示領域10aに画素電極9aや、図2等を参照して後述する画素トランジスター30等がマトリクス状に配列されており、画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。素子基板10の一方面10sの側において、画像表示領域10aより外側の外周領域10cのうち、画像表示領域10aとシール材107とに挟まれた四角枠状の周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。   Of the one surface 10 s and the other surface 10 t of the element substrate 10, on the one surface 10 s side facing the counter substrate 20, the pixel electrode 9 a in the image display region 10 a and a pixel transistor 30 described later with reference to FIG. Etc. are arranged in a matrix, and an alignment film 16 is formed on the upper layer side of the pixel electrode 9a. On the one surface 10s side of the element substrate 10, out of the outer peripheral region 10c outside the image display region 10a, a rectangular frame-shaped peripheral region 10b sandwiched between the image display region 10a and the sealing material 107 has a pixel electrode 9a. The dummy pixel electrode 9b formed at the same time is formed.

対向基板20の一方面20sおよび他方面20tのうち、素子基板10と対向する一方面20sの側には共通電極21が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。本形態において、共通電極21は、対向基板20の略全面に形成されている。対向基板20の一方面20sの側には、共通電極21の下層側に遮光層29が形成され、共通電極21の表面には配向膜26が積層されている。遮光層29は、画像表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁部分29aとして形成されており、遮光層29の内周縁によって画像表示領域10aが規定されている。また、遮光層29は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部29bとしても形成されている。   A common electrode 21 is formed on the side of the one surface 20 s facing the element substrate 10 out of the one surface 20 s and the other surface 20 t of the counter substrate 20. The common electrode 21 is formed across the plurality of pixels 100a as substantially the entire surface of the counter substrate 20 or a plurality of strip electrodes. In this embodiment, the common electrode 21 is formed on substantially the entire surface of the counter substrate 20. On one side 20 s of the counter substrate 20, a light shielding layer 29 is formed on the lower layer side of the common electrode 21, and an alignment film 26 is laminated on the surface of the common electrode 21. The light shielding layer 29 is formed as a frame portion 29 a extending along the outer peripheral edge of the image display area 10 a, and the image display area 10 a is defined by the inner peripheral edge of the light shielding layer 29. The light shielding layer 29 is also formed as a black matrix portion 29b that overlaps an inter-pixel region sandwiched between adjacent pixel electrodes 9a.

液晶パネル100pにおいて、シール材107より外側には、対向基板20の一方面20sの側の4つの角部分に基板間導通用電極25が形成されており、素子基板10の一方面10sの側には、対向基板20の4つの角部分(基板間導通用電極25)と対向する位置に基板間導通用電極19が形成されている。本形態において、基板間導通用電極25は、共通電極21の一部からなる。基板間導通用電極19には、共通電位Vcomが印加されている。基板間導通用電極19と基板間導通用電極25との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材19aが配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通用電極19、基板間導通材19aおよび基板間導通用電極25を介して、素子基板10側と電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。   In the liquid crystal panel 100p, inter-substrate conduction electrodes 25 are formed on the four corners on the one surface 20s side of the counter substrate 20 outside the sealing material 107, and on the one surface 10s side of the element substrate 10. The inter-substrate conduction electrodes 19 are formed at positions facing the four corners of the counter substrate 20 (inter-substrate conduction electrodes 25). In this embodiment, the inter-substrate conduction electrode 25 is composed of a part of the common electrode 21. A common potential Vcom is applied to the inter-substrate conduction electrode 19. An inter-substrate conducting material 19 a containing conductive particles is disposed between the inter-substrate conducting electrode 19 and the inter-substrate conducting electrode 25, and the common electrode 21 of the counter substrate 20 is the inter-substrate conducting electrode 19. The element substrate 10 is electrically connected through the inter-substrate conductive material 19a and the inter-substrate conductive electrode 25. Therefore, the common potential Vcom is applied to the common electrode 21 from the element substrate 10 side.

本形態において、電気光学装置100は透過型の液晶装置であり、画素電極9aおよび共通電極21は、ITO(Indium Tin Oxide)膜やIZO(Indium Zinc Oxide)膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置(電気光学装置100)では、例えば、対向基板20の側から入射した光が素子基板10の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置100が反射型の液晶装置である場合、共通電極21は、ITO膜やIZO膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極9aは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置(電気光学装置100)では、対向基板20の側から入射した光が素子基板10で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。   In this embodiment, the electro-optical device 100 is a transmissive liquid crystal device, and the pixel electrode 9a and the common electrode 21 are formed of a light-transmitting conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film or an IZO (Indium Zinc Oxide) film. Has been. In such a transmissive liquid crystal device (electro-optical device 100), for example, light incident from the counter substrate 20 side is modulated while being emitted from the element substrate 10 side, and an image is displayed. When the electro-optical device 100 is a reflective liquid crystal device, the common electrode 21 is formed of a light-transmitting conductive film such as an ITO film or an IZO film, and the pixel electrode 9a is a reflective conductive film such as an aluminum film. It is formed by. In such a reflective liquid crystal device (electro-optical device 100), light incident from the counter substrate 20 side is modulated while being reflected by the element substrate 10 and emitted to display an image.

電気光学装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20には、カラーフィルター(図示せず)が形成される。また、電気光学装置100は、電子ペーパーとして用いることができる。また、電気光学装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置100は、後述する投射型表示装置(液晶プロジェクター)において、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各電気光学装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。   The electro-optical device 100 can be used as a color display device of an electronic device such as a mobile computer or a mobile phone. In this case, a color filter (not shown) is formed on the counter substrate 20. The electro-optical device 100 can be used as electronic paper. Further, in the electro-optical device 100, a polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are predetermined with respect to the liquid crystal panel 100p according to the type of the liquid crystal layer 50 to be used and the normally white mode / normally black mode. Arranged in the direction. Furthermore, the electro-optical device 100 can be used as a light valve for RGB in a projection display device (liquid crystal projector) described later. In this case, each of the RGB electro-optical devices 100 receives light of each color separated through RGB color separation dichroic mirrors as projection light, so that no color filter is formed. .

(素子基板10の電気的構成)
図2は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子基板10の電気的構成を示す説明図であり、図2(a)、(b)は、素子基板10の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明において、端子102を介して素子基板10に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Lの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号CLX」に対して、対応する信号用の配線について「配線LCLX」とする。また、以下の説明において、端子102を介して素子基板10に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Tの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号CLX」に対して、対応する端子102については「端子TCLX」とする。
(Electrical configuration of the element substrate 10)
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an electrical configuration of the element substrate 10 of the electro-optical device 100 according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 2 (a) and 2 (b) are circuits and wirings of the element substrate 10. FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a planar layout of the pixel and an explanatory diagram showing an electrical configuration of a pixel. In the following description, the same alphabet symbol is given to the signal name and signal wiring input to the element substrate 10 via the terminal 102 after the signal and the wiring L, respectively. For example, for the signal name “clock signal CLX”, the corresponding signal wiring is “wiring LCLX”. In the following description, the same alphabetical symbol is given to the signal name and the signal terminal input to the element substrate 10 via the terminal 102 after the signal and the terminal T, respectively. For example, the terminal 102 corresponding to the signal name “clock signal CLX” is “terminal TCLX”.

図2(a)、(b)に示すように、電気光学装置100において、素子基板10の中央領域には複数の画素100aがマトリクス状に配列された画素電極配列領域10pが設けられており、かかる画素電極配列領域10pのうち、図1(b)に示す額縁部分29aの内縁で囲まれた領域が画像表示領域10aである。素子基板10では、画素電極配列領域10pの内側に、X方向に延在する複数の走査線3aと、Y方向に延在する複数のデータ線6aとが形成されており、それらの交点に対応する各位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、TFT等からなる画素トランジスター30(スイッチング素子)、および画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、画素トランジスター30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, in the electro-optical device 100, a pixel electrode array region 10p in which a plurality of pixels 100a are arrayed in a matrix is provided in the central region of the element substrate 10. Of the pixel electrode array region 10p, the region surrounded by the inner edge of the frame portion 29a shown in FIG. 1B is the image display region 10a. In the element substrate 10, a plurality of scanning lines 3a extending in the X direction and a plurality of data lines 6a extending in the Y direction are formed inside the pixel electrode array region 10p, and correspond to the intersections thereof. A pixel 100a is formed at each position. In each of the plurality of pixels 100a, a pixel transistor 30 (switching element) made of a TFT or the like and a pixel electrode 9a are formed. The data line 6 a is electrically connected to the source of the pixel transistor 30, the scanning line 3 a is electrically connected to the gate of the pixel transistor 30, and the pixel electrode 9 a is electrically connected to the drain of the pixel transistor 30. Has been.

素子基板10において、画素電極配列領域10pより外側の外周領域10cには、走査線駆動回路104、データ線駆動回路101、サンプリング回路103、基板間導通用電極19、端子102等が構成されており、端子102から走査線駆動回路104、データ線駆動回路101、サンプリング回路103、および基板間導通用電極19に向けて複数の配線105が延在している。   In the element substrate 10, a scanning line driving circuit 104, a data line driving circuit 101, a sampling circuit 103, an inter-substrate conduction electrode 19, a terminal 102, and the like are configured in the outer peripheral region 10 c outside the pixel electrode arrangement region 10 p. A plurality of wirings 105 extend from the terminal 102 toward the scanning line driving circuit 104, the data line driving circuit 101, the sampling circuit 103, and the inter-substrate conduction electrode 19.

各画素100aにおいて、画素電極9aは、図1を参照して説明した対向基板20に形成された共通電極21と液晶層50を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量55が付加されている。本形態では、保持容量55を構成するために、複数の画素100aに跨って延びた定電位線8a(容量線)が形成され、かかる定電位線8aには共通電位Vcomが印加されている。   In each pixel 100a, the pixel electrode 9a is opposed to the common electrode 21 formed on the counter substrate 20 described with reference to FIG. 1 via the liquid crystal layer 50, thereby forming a liquid crystal capacitor 50a. Each pixel 100a is provided with a holding capacitor 55 in parallel with the liquid crystal capacitor 50a in order to prevent fluctuations in the image signal held in the liquid crystal capacitor 50a. In this embodiment, in order to form the storage capacitor 55, a constant potential line 8a (capacitance line) extending across the plurality of pixels 100a is formed, and a common potential Vcom is applied to the constant potential line 8a.

端子102は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の4つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、端子102は、共通電位線LVcom用として端子TVcomを備え、走査線駆動回路104用として端子TDY、端子TVSSY、端子TVDDY、端子TCLYおよび端子TCLYINVを備えている。また、端子102は、画像信号VID1〜VID6用として端子TVID1〜TVID6を備え、データ線駆動回路101用として、端子TVSSX、端子TDX、端子TVDDX、端子TCLX、端子TCLXINV、端子TENBs1、TENBs2、および端子TVSSXを備えている。本形態において、画像信号VID1〜VID6は、例えば外部回路において6相にシリアル−パラレル展開(即ち、相展開)され、6本の画像信号線LVID1〜LVID6を介して、後述するサンプリング回路103に入力される。なお、画像信号の相展開数に関しては、6相に限られるものでなく、例えば、9相、12相、24相、48相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線6aの組に対して供給される。   The terminal 102 is composed of a plurality of terminal groups that are roughly classified into four applications, ie, for common potential lines, for scanning line driving circuits, for image signals, and for data line driving circuits. Specifically, the terminal 102 includes a terminal TVcom for the common potential line LVcom, and includes a terminal TDY, a terminal TVSSY, a terminal TVDDY, a terminal TCLY, and a terminal TCLYINV for the scanning line driving circuit 104. The terminal 102 includes terminals TVID1 to TVID6 for the image signals VID1 to VID6. For the data line driving circuit 101, the terminal TVSSX, the terminal TDX, the terminal TVDDX, the terminal TCLX, the terminal TCLXINV, the terminals TENBs1, TENBs2, and the terminal TVSSX is provided. In this embodiment, the image signals VID1 to VID6 are serial-parallel expanded (that is, phase expanded) in, for example, an external circuit and input to a sampling circuit 103 described later via the six image signal lines LVID1 to LVID6. Is done. Note that the number of phase expansions of the image signal is not limited to six phases. For example, image signals expanded in a plurality of phases such as 9 phases, 12 phases, 24 phases, and 48 phases correspond to the number of expansions. Supplied to a set of data lines 6a whose number is one set.

(データ線駆動回路101等の構成)
図3は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100のデータ線駆動回路101の説明図である。図4は、図3に示すデータ線駆動回路101の一部を拡大して示す説明図であり、図4(a)、(b)は、データ線駆動回路101のうち、4つのサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4を生成する部分を拡大して示す説明図、およびイネーブル信号分割回路130に用いたNOR回路131の説明図である。図5は、図3に示すデータ線駆動回路101で生成される信号等のタイミングチャートである。
(Configuration of data line driving circuit 101 and the like)
FIG. 3 is an explanatory diagram of the data line driving circuit 101 of the electro-optical device 100 according to Embodiment 1 of the present invention. 4 is an explanatory diagram showing an enlarged part of the data line driving circuit 101 shown in FIG. 3. FIGS. 4A and 4B show four sampling signals Q1 in the data line driving circuit 101. FIG. , Q2, Q3, and Q4 are enlarged explanatory views showing the NOR circuit 131 used in the enable signal dividing circuit 130. FIG. FIG. 5 is a timing chart of signals and the like generated by the data line driving circuit 101 shown in FIG.

図2、図3、図4および図5に示すように、データ線駆動回路101は、選択回路120、イネーブル信号分割回路130、シフトレジスタ140、およびサンプリング信号出力回路150を備えている。   As shown in FIGS. 2, 3, 4, and 5, the data line driving circuit 101 includes a selection circuit 120, an enable signal dividing circuit 130, a shift register 140, and a sampling signal output circuit 150.

データ線駆動回路101において、イネーブル信号分割回路130は、外部制御回路から端子102(端子TENBs1、TENBs2)、配線105(配線LENBs1、LENBs2)、および選択回路120を介して供給される第1イネーブル信号ENBs1、ENBs2を系列毎に分割して、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4を生成する。その際、イネーブル信号分割回路130には、外部制御回路から端子102(端子TCLX)、配線105(配線LCLX)、および選択回路120を介してクロック信号CLXが供給されるとともに、選択回路120で生成、あるいは選択された逆位相クロック信号CLXINVが供給される。   In the data line driving circuit 101, the enable signal dividing circuit 130 includes a first enable signal supplied from the external control circuit via the terminal 102 (terminals TENBs1, TENBs2), the wiring 105 (wiring LENBs1, LENBs2), and the selection circuit 120. ENBs1 and ENBs2 are divided for each series to generate second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, and ENBx4. At that time, the enable signal dividing circuit 130 is supplied with the clock signal CLX from the external control circuit via the terminal 102 (terminal TCLX), the wiring 105 (wiring LCLX), and the selection circuit 120, and is generated by the selection circuit 120. Alternatively, the selected antiphase clock signal CLXINV is supplied.

シフトレジスタ140は、外部制御回路から端子102(端子TVSSX、TVDDX)および配線105(配線LVSSX、LVDDX)を介して供給される負電源VSSXおよび正電源VDDXを電源として用い、外部制御回路から端子102(端子TDX)および配線105(配線LDX)を介して供給されるスタートパルスDXに基づいて転送動作を開始する。より具体的には、シフトレジスタ140は、端子102(端子TCLX、TCLXINV)、および配線105(配線LCLX、LCLXINV)を介して供給されるクロック信号CLXおよび逆位相クロック信号CLXINVに基づき、各段から転送信号P1、P2・・・、Pn/12を順次、サンプリング信号出力回路150へ出力する。ここで、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4のパルス幅は、転送信号P1、P2・・・Pn/12のパルス幅より狭い。なお、シフトレジスタ140の最終段には、エンドパルスEPを生成するエンドパルス生成回路180が形成されている。   The shift register 140 uses the negative power supply VSSX and the positive power supply VDDX supplied from the external control circuit via the terminal 102 (terminals TVSSX, TVDDX) and the wiring 105 (wiring LVSSX, LVDDX) as power supplies, and the terminal 102 from the external control circuit. The transfer operation is started based on the start pulse DX supplied via the (terminal TDX) and the wiring 105 (wiring LDX). More specifically, the shift register 140 is connected to each stage based on the clock signal CLX and the antiphase clock signal CLXINV supplied via the terminal 102 (terminals TCLX, TCLXINV) and the wiring 105 (wiring LCLX, LCLXINV). The transfer signals P1, P2,..., Pn / 12 are sequentially output to the sampling signal output circuit 150. Here, the pulse widths of the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 are narrower than the pulse widths of the transfer signals P1, P2,... Pn / 12. Note that an end pulse generation circuit 180 that generates an end pulse EP is formed at the final stage of the shift register 140.

サンプリング信号出力回路150は、シフトレジスタ140から順次出力される転送信号P1、P2・・・、Pn/12のパルス幅を、イネーブル信号分割回路130によって生成された第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4のパルス幅に制限する。その結果、サンプリング信号出力回路150は、サンプリング回路103における各サンプリング期間を規定するサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・・Qn/6を出力する。   The sampling signal output circuit 150 uses the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3 generated by the enable signal dividing circuit 130 to generate the pulse widths of the transfer signals P1, P2,..., Pn / 12 sequentially output from the shift register 140. , And ENBx4 pulse width. As a result, the sampling signal output circuit 150 outputs sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4... Qn / 6 that define each sampling period in the sampling circuit 103.

図2に示すように、サンプリング回路103は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子108を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子108は、例えば、Nチャネル型のTFT等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子108のドレインには、データ線6aが電気的に接続され、スイッチング素子108のソースには、配線106を介して配線105(画像信号線LVID1〜LVID6)が接続されるとともに、スイッチング素子108のゲートには、データ線駆動回路101のサンプリング信号出力回路150に接続された選択信号線109が接続されている。そして、端子102(端子TVID1〜TVID6)を介して配線105(画像信号線LVID1〜LVID6)に供給された画像信号VID1〜VID6は、サンプリング信号出力回路150から選択信号線109を通じて供給されるサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・・Qn/6に基づいて、サンプリング回路103によりサンプリングされる。その結果、各データ線6aに画像信号S1、S2、S3、・・Snが供給される。なお、スイッチング素子108は、相補型の電界効果型トランジスターから構成されることもある。   As shown in FIG. 2, the sampling circuit 103 includes a plurality of switching elements 108 for sampling an image signal. In this embodiment, the switching element 108 is composed of a field effect transistor such as an N-channel TFT, for example. The data line 6 a is electrically connected to the drain of the switching element 108. The wiring 105 (image signal lines LVID 1 to LVID 6) is connected to the source of the switching element 108 via the wiring 106, and the switching element 108. The selection signal line 109 connected to the sampling signal output circuit 150 of the data line driving circuit 101 is connected to the gate of the first line. The image signals VID1 to VID6 supplied to the wiring 105 (image signal lines LVID1 to LVID6) via the terminal 102 (terminals TVID1 to TVID6) are sampled signals supplied from the sampling signal output circuit 150 through the selection signal line 109. Sampling is performed by the sampling circuit 103 based on Q1, Q2, Q3, Q4... Qn / 6. As a result, the image signals S1, S2, S3,... Sn are supplied to each data line 6a. The switching element 108 may be composed of a complementary field effect transistor.

走査線駆動回路104は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えており、スタートパルスDYに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始し、クロック信号CLYおよび逆位相クロック信号CLYINVに基づいて、所定のタイミングで走査線3aに走査信号をパルス的に線順次で印加する。   The scanning line driving circuit 104 includes a shift register circuit and a buffer circuit as components, and starts a transfer operation of the built-in shift register circuit in response to the start pulse DY, and generates a clock signal CLY and an antiphase clock signal CLYINV. Based on this, a scanning signal is applied to the scanning line 3a in a pulse-sequential manner at a predetermined timing.

(データ線駆動回路101等の詳細構成および動作)
図4に示すように、本形態の電気光学装置100において、第1イネーブル信号ENBs1、ENBs2はいずれも、負論理のパルス信号である。また、イネーブル信号分割回路130は、第1系列の第1イネーブル信号ENBs1が入力される2つのNOR回路131(NOR回路131aおよびNOR回路131c)と、第2系列の第1イネーブル信号ENBs2が入力される2つのNOR回路131(NOR回路131bおよびNOR回路131d)とからなる。
(Detailed configuration and operation of the data line driving circuit 101 and the like)
As shown in FIG. 4, in the electro-optical device 100 of the present embodiment, the first enable signals ENBs1 and ENBs2 are both negative logic pulse signals. The enable signal dividing circuit 130 also receives two NOR circuits 131 (the NOR circuit 131a and the NOR circuit 131c) to which the first series of first enable signals ENBs1 are input and the second series of the first enable signals ENBs2. 2 NOR circuits 131 (NOR circuit 131b and NOR circuit 131d).

4つのNOR回路131のうち、第1系列の第1イネーブル信号ENBs1から第2イネーブル信号ENBx1を生成するNOR回路131aには、第1イネーブル信号ENBs1およびクロック信号CLXが入力される。第1系列の第1イネーブル信号ENBs1から第2イネーブル信号ENBx3を生成するNOR回路131cには、第1イネーブル信号ENBs1および逆位相クロック信号CLXINVが入力される。   Among the four NOR circuits 131, the first enable signal ENBs1 and the clock signal CLX are input to the NOR circuit 131a that generates the second enable signal ENBx1 from the first series of first enable signals ENBs1. The first enable signal ENBs1 and the antiphase clock signal CLXINV are input to the NOR circuit 131c that generates the second enable signal ENBx3 from the first enable signal ENBs1 of the first series.

第2系列の第1イネーブル信号ENBs2から第2イネーブル信号ENBx2を生成するNOR回路131bには、第1イネーブル信号ENBs2およびクロック信号CLXが入力される。第2系列の第1イネーブル信号ENBs2から第2イネーブル信号ENBx4を生成するNOR回路131dには、第1イネーブル信号ENBs2および逆位相クロック信号CLXINVが入力される。   The first enable signal ENBs2 and the clock signal CLX are input to the NOR circuit 131b that generates the second enable signal ENBx2 from the second series of first enable signals ENBs2. The first enable signal ENBs2 and the antiphase clock signal CLXINV are input to the NOR circuit 131d that generates the second enable signal ENBx4 from the second series of first enable signals ENBs2.

従って、図5に示すように、イネーブル信号分割回路130は、正論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4を生成してサンプリング信号出力回路150に出力する。   Therefore, as shown in FIG. 5, the enable signal dividing circuit 130 generates the positive logic second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, and ENBx4 and outputs them to the sampling signal output circuit 150.

図4(b)に示すように、イネーブル信号分割回路130において、NOR回路131は、2つのN型の電界効果型トランジスター171、172と、2つのP型の電界効果型トランジスター173、174とによって構成されている。具体的には、高位側電圧Vddxと低位側電圧Vssxとの間には、P型の電界効果型トランジスター173とN型の電界効果型トランジスター171とが直列に電気的に接続されており、P型の電界効果型トランジスター173のゲート、およびN型の電界効果型トランジスター171のゲートにはクロック信号(クロック信号CLXまたは逆位相クロック信号CLXINV)が印加される。P型の電界効果型トランジスター173とN型の電界効果型トランジスター171との間には、P型の電界効果型トランジスター174が直列に接続されており、N型の電界効果型トランジスター171にはN型の電界効果型トランジスター172が並列に接続されている。   As shown in FIG. 4B, in the enable signal dividing circuit 130, the NOR circuit 131 is composed of two N-type field effect transistors 171 and 172 and two P-type field effect transistors 173 and 174. It is configured. Specifically, a P-type field effect transistor 173 and an N-type field effect transistor 171 are electrically connected in series between the high voltage Vddx and the low voltage Vssx. A clock signal (clock signal CLX or antiphase clock signal CLXINV) is applied to the gate of the n-type field effect transistor 173 and the gate of the n-type field effect transistor 171. A P-type field effect transistor 174 is connected in series between the P-type field effect transistor 173 and the N-type field effect transistor 171, and the N-type field effect transistor 171 includes N Type field effect transistors 172 are connected in parallel.

P型の電界効果型トランジスター174およびN型の電界効果型トランジスター172にゲートには第1イネーブル信号(第1イネーブル信号ENBs1または第1イネーブル信号ENBs2)が印加される。また、P型の電界効果型トランジスター174とN型の電界効果型トランジスター172との接続点からは、第2イネーブル信号(第2イネーブル信号ENBx1、第2イネーブル信号ENBx2、第2イネーブル信号ENBx3、または第2イネーブル信号ENBx4)が出力される。   A first enable signal (first enable signal ENBs1 or first enable signal ENBs2) is applied to the gates of the P-type field effect transistor 174 and the N-type field effect transistor 172. Further, from the connection point between the P-type field effect transistor 174 and the N-type field effect transistor 172, a second enable signal (second enable signal ENBx1, second enable signal ENBx2, second enable signal ENBx3, or The second enable signal ENBx4) is output.

再び図3、図4および図5において、本形態では、シフトレジスタ140が正論理の転送信号P1、P2を出力し、サンプリング信号出力回路150は、正論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4、および正論理の転送信号P1、P2によって正論理のサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4を生成する。   3, 4, and 5 again, in this embodiment, the shift register 140 outputs the positive logic transfer signals P 1 and P 2, and the sampling signal output circuit 150 outputs the positive logic second enable signals ENBx 1, ENBx 2, ENBx 3. , ENBx4 and positive logic transfer signals P1, P2 generate positive logic sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4.

より具体的には、シフトレジスタ140の奇数段には、クロック信号CLXに基づいて動作する第1クロックドインバーター141と、第1クロックドインバーター141に直列に電気的に接続された第1インバーター142と、第1インバーター142に並列に電気的に接続された第2クロックドインバーター143とを有しており、第2クロックドインバーター143は、逆位相クロック信号CLXINVに基づいて動作する。従って、第1インバーター142からは正論理の転送信号P1がサンプリング信号出力回路150に出力される。また、シフトレジスタ140の偶数段には、逆位相クロック信号CLXINVに基づいて動作する第3クロックドインバーター144と、第3クロックドインバーター144に直列に電気的に接続された第2インバーター145と、第2インバーター145に並列に電気的に接続された第4クロックドインバーター146とを有しており、第4クロックドインバーター146は、クロック信号CLXに基づいて動作する。従って、第2インバーター145からは正論理の転送信号P2が転送信号P1に対して半周期ずれたタイミングでサンプリング信号出力回路150に出力される。   More specifically, the odd-numbered stage of the shift register 140 includes a first clocked inverter 141 that operates based on the clock signal CLX, and a first inverter 142 that is electrically connected in series to the first clocked inverter 141. And a second clocked inverter 143 electrically connected in parallel to the first inverter 142, and the second clocked inverter 143 operates based on the anti-phase clock signal CLXINV. Therefore, a positive logic transfer signal P 1 is output from the first inverter 142 to the sampling signal output circuit 150. Further, the even-numbered stage of the shift register 140 includes a third clocked inverter 144 that operates based on the anti-phase clock signal CLXINV, a second inverter 145 that is electrically connected in series to the third clocked inverter 144, And a fourth clocked inverter 146 electrically connected in parallel to the second inverter 145, and the fourth clocked inverter 146 operates based on the clock signal CLX. Accordingly, the positive inverter transfer signal P2 is output from the second inverter 145 to the sampling signal output circuit 150 at a timing shifted by a half cycle with respect to the transfer signal P1.

サンプリング信号出力回路150は、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4の何れか1つと、転送信号P1、P2の何れか1つが各々入力される系列毎のNAND回路158と、NAND回路158の出力の反転信号、および正論理の制御信号NRGが入力される系列毎のAND回路159とを備えている。その際、転送信号P1は、4つのNAND回路158のうち、隣り合う位置で第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2が入力される2つのNAND回路158a、158bに入力され、転送信号P2は、4つのNAND回路158のうち、隣り合う位置で第2イネーブル信号ENBx3、ENBx4が入力される2つのNAND回路158c、158dに入力される。   The sampling signal output circuit 150 includes a NAND circuit 158 for each series to which any one of the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, and ENBx4 and any one of the transfer signals P1 and P2 are input. And an AND circuit 159 for each series to which an inverted output signal and a positive logic control signal NRG are input. At this time, the transfer signal P1 is input to the two NAND circuits 158a and 158b to which the second enable signals ENBx1 and ENBx2 are input at adjacent positions among the four NAND circuits 158, and the transfer signal P2 is the four NAND circuits. In the circuit 158, the second enable signals ENBx3 and ENBx4 are input to adjacent two NAND circuits 158c and 158d at adjacent positions.

その結果、転送信号P1、P2は、NAND回路158によって、パルス幅の狭い第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4の波形に基づいて整形され、系列毎の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4のパルス幅に制限された正論理のサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・Qnとしてサンプリング回路103に出力される。   As a result, the transfer signals P1 and P2 are shaped by the NAND circuit 158 based on the waveforms of the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, and ENBx4 having a narrow pulse width, and the second enable signals ENBx1, ENBx2, and ENBx3 for each series. , ENBx4, and output to the sampling circuit 103 as positive logic sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4,.

ここで、制御信号NRGは、NOT回路156によって反転してAND回路159に入力される。また、AND回路159から出力されたサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・Qnは、直列に接続された2つのNOT回路154、155を介してサンプリング回路103に出力される。   Here, the control signal NRG is inverted by the NOT circuit 156 and input to the AND circuit 159. The sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4,... Qn output from the AND circuit 159 are output to the sampling circuit 103 via two NOT circuits 154 and 155 connected in series.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、第1イネーブル信号ENBs1、ENBs2が負論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路130は、NOR回路131によって正論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4を生成し、サンプリング信号出力回路150に出力する。このため、正論理の第1イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にNAND回路とNOT回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ない。従って、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4やサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・における信号の遅延を抑制することができる。それ故、サンプリング回路103において、サンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・と画像信号VID1〜VID6とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。また、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、消費電力の低減を図ることができる。
(Main effects of this form)
As described above, in the present embodiment, the first enable signals ENBs1 and ENBs2 are negative logic pulse signals, and the enable signal dividing circuit 130 has the positive logic second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 is generated and output to the sampling signal output circuit 150. For this reason, the number of transistors for forming the logic circuit is small as compared with the case where the positive logic first enable signal is used and the NAND circuit and the NOT circuit are used as the enable signal dividing circuit. Therefore, signal delay in the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 and sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4,. Therefore, in the sampling circuit 103, timing deviation between the sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4... And the image signals VID1 to VID6 can be suppressed, and deterioration in image quality due to such deviation can be suppressed. Can do. Further, since the number of transistors for forming the logic circuit is small, power consumption can be reduced.

[実施の形態2]
図6は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100のデータ線駆動回路101の説明図である。図7は、図6に示すデータ線駆動回路101の一部を拡大して示す説明図である。図8は、図6に示すデータ線駆動回路101で生成される信号等のタイミングチャートである。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 6 is an explanatory diagram of the data line driving circuit 101 of the electro-optical device 100 according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 7 is an explanatory diagram showing an enlarged part of the data line driving circuit 101 shown in FIG. FIG. 8 is a timing chart of signals and the like generated by the data line driving circuit 101 shown in FIG. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図6、図7、および図8に示すように、本形態でも、実施の形態1と同様、データ線駆動回路101は、選択回路120、イネーブル信号分割回路130、シフトレジスタ140、およびサンプリング信号出力回路150を備えている。   As shown in FIGS. 6, 7, and 8, also in this embodiment, the data line driving circuit 101 includes a selection circuit 120, an enable signal dividing circuit 130, a shift register 140, and a sampling signal output, as in the first embodiment. A circuit 150 is provided.

本形態の電気光学装置100において、第1イネーブル信号ENBs1、ENBs2はいずれも、正論理のパルス信号である。また、イネーブル信号分割回路130は、第1系列の第1イネーブル信号ENBs1が入力される2つのNAND回路132(NAND回路132aおよびNAND回路132c)と、第2系列の第1イネーブル信号ENBs2が入力される2つのNAND回路132(NAND回路132bおよびNAND回路132d)とからなる。   In the electro-optical device 100 of this embodiment, the first enable signals ENBs1 and ENBs2 are both positive logic pulse signals. The enable signal dividing circuit 130 also receives two NAND circuits 132 (NAND circuit 132a and NAND circuit 132c) to which the first series of first enable signals ENBs1 are input and the second series of first enable signals ENBs2. 2 NAND circuits 132 (NAND circuit 132b and NAND circuit 132d).

4つのNAND回路132のうち、第1系列の第1イネーブル信号ENBs1から第2イネーブル信号ENBx1を生成するNAN回路132aには、第1イネーブル信号ENBs1および逆位相クロック信号CLXINVが入力される。第1系列の第1イネーブル信号ENBs1から第2イネーブル信号ENBx3を生成するNAND回路132cには、第1イネーブル信号ENBs1およびクロック信号CLXが入力される。   Among the four NAND circuits 132, the first enable signal ENBs1 and the antiphase clock signal CLXINV are input to the NAN circuit 132a that generates the second enable signal ENBx1 from the first series of first enable signals ENBs1. The first enable signal ENBs1 and the clock signal CLX are input to the NAND circuit 132c that generates the second enable signal ENBx3 from the first enable signal ENBs1 of the first series.

第2系列の第1イネーブル信号ENBs2から第2イネーブル信号ENBx2を生成するNAND回路132bには、第1イネーブル信号ENBs2および逆位相クロック信号CLXINVが入力される。第2系列の第1イネーブル信号ENBs2から第2イネーブル信号ENBx4を生成するNOR回路132dには、第1イネーブル信号ENBs2およびクロック信号CLXが入力される。   The first enable signal ENBs2 and the antiphase clock signal CLXINV are input to the NAND circuit 132b that generates the second enable signal ENBx2 from the second series of first enable signals ENBs2. The first enable signal ENBs2 and the clock signal CLX are input to the NOR circuit 132d that generates the second enable signal ENBx4 from the second series of first enable signals ENBs2.

従って、図8に示すように、イネーブル信号分割回路130は、負論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4を生成してサンプリング信号出力回路150に出力する。   Therefore, as shown in FIG. 8, the enable signal dividing circuit 130 generates negative enable second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, and ENBx4 and outputs them to the sampling signal output circuit 150.

本形態では、シフトレジスタ140は、負論理の転送信号P1、P2をサンプリング信号出力回路150に出力し、サンプリング信号出力回路150は、負論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4、および負論理の転送信号P1、P2によって正論理のサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4を生成する。   In this embodiment, the shift register 140 outputs the negative logic transfer signals P1 and P2 to the sampling signal output circuit 150, and the sampling signal output circuit 150 outputs the negative logic second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4, and Positive logic sampling signals Q1, Q2, Q3, and Q4 are generated by the negative logic transfer signals P1 and P2.

より具体的には、シフトレジスタ140の奇数段には、クロック信号CLXに基づいて動作する第1クロックドインバーター141と、第1クロックドインバーター141に直列に電気的に接続された第1インバーター142と、第1インバーター142に並列に電気的に接続された第2クロックドインバーター143とを有しており、第2クロックドインバーター143は、逆位相クロック信号CLXINVに基づいて動作する。従って、第1クロックドインバーター141からは負論理の転送信号P1がサンプリング信号出力回路150に出力される。また、シフトレジスタ140の偶数段には、逆位相クロック信号CLXINVに基づいて動作する第3クロックドインバーター144と、第3クロックドインバーター144に直列に電気的に接続された第2インバーター145と、第2インバーター145に並列に電気的に接続された第4クロックドインバーター146とを有しており、第4クロックドインバーター146は、クロック信号CLXに基づいて動作する。従って、第3クロックドインバーター144からは負論理の転送信号P2が転送信号P1に対して半周期ずれたタイミングでサンプリング信号出力回路150に出力される。   More specifically, the odd-numbered stage of the shift register 140 includes a first clocked inverter 141 that operates based on the clock signal CLX, and a first inverter 142 that is electrically connected in series to the first clocked inverter 141. And a second clocked inverter 143 electrically connected in parallel to the first inverter 142, and the second clocked inverter 143 operates based on the anti-phase clock signal CLXINV. Therefore, the first clocked inverter 141 outputs a negative logic transfer signal P1 to the sampling signal output circuit 150. Further, the even-numbered stage of the shift register 140 includes a third clocked inverter 144 that operates based on the anti-phase clock signal CLXINV, a second inverter 145 that is electrically connected in series to the third clocked inverter 144, And a fourth clocked inverter 146 electrically connected in parallel to the second inverter 145, and the fourth clocked inverter 146 operates based on the clock signal CLX. Therefore, the third clocked inverter 144 outputs the negative logic transfer signal P2 to the sampling signal output circuit 150 at a timing shifted by a half cycle with respect to the transfer signal P1.

サンプリング信号出力回路150は、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4の何れか1つと、転送信号P1、P2の何れか1つが各々入力される系列毎の第1NOR回路152と、第1NOR回路152の出力、および正論理の制御信号NRGが入力される系列毎の第2NOR回路153とを備えている。その際、転送信号P1は、4つの第1NOR回路152のうち、隣り合う位置で第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2が入力される2つの第1NOR回路152a、152bに入力され、転送信号P2は、4つの第1NOR回路152のうち、隣り合う位置で第2イネーブル信号ENBx3、ENBx4が入力される2つの第1NOR回路152c、152dに入力される。   The sampling signal output circuit 150 includes a first NOR circuit 152 and a first NOR circuit for each series to which any one of the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4, and any one of the transfer signals P1, P2 are input. And a second NOR circuit 153 for each series to which a positive logic control signal NRG is input. At that time, the transfer signal P1 is input to the two first NOR circuits 152a and 152b to which the second enable signals ENBx1 and ENBx2 are input at adjacent positions among the four first NOR circuits 152, and the transfer signal P2 is 4 Among the first NOR circuits 152, the second enable signals ENBx3 and ENBx4 are input to the two first NOR circuits 152c and 152d that are input at adjacent positions.

その結果、転送信号P1、P2は、第1NOR回路152によって、パルス幅の狭い第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4の波形に基づいて整形され、系列毎の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4のパルス幅に制限された正論理のサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・Qnとしてサンプリング回路103に出力される。   As a result, the transfer signals P1 and P2 are shaped by the first NOR circuit 152 based on the waveforms of the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, and ENBx4 having a narrow pulse width, and the second enable signals ENBx1, ENBx2, The positive logic sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4... Qn limited to the pulse widths of ENBx3 and ENBx4 are output to the sampling circuit 103.

ここで、制御信号NRGは、正論理のまま第2NOR回路153に入力される。また、第2NOR回路153から出力されたサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・Qnは、1つのNOT回路155を介してサンプリング回路103に出力される。   Here, the control signal NRG is input to the second NOR circuit 153 as positive logic. Also, the sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4... Qn output from the second NOR circuit 153 are output to the sampling circuit 103 via one NOT circuit 155.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、第1イネーブル信号ENBs1、ENBs2が正論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路130は、NAND回路132によって負論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4を生成し、サンプリング信号出力回路150に出力する。このため、正論理の第1イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にNAND回路とNOT回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ない。従って、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4やサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・における信号の遅延を抑制することができる。それ故、サンプリング回路103において、サンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・と画像信号VID1〜VID6とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。また、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、消費電力の低減を図ることができる。
(Main effects of this form)
As described above, in the present embodiment, the first enable signals ENBs1 and ENBs2 are positive logic pulse signals, and the enable signal dividing circuit 130 is connected to the negative logic second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 is generated and output to the sampling signal output circuit 150. For this reason, the number of transistors for forming the logic circuit is small as compared with the case where the positive logic first enable signal is used and the NAND circuit and the NOT circuit are used as the enable signal dividing circuit. Therefore, signal delay in the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 and sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4,. Therefore, in the sampling circuit 103, timing deviation between the sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4... And the image signals VID1 to VID6 can be suppressed, and deterioration in image quality due to such deviation can be suppressed. Can do. Further, since the number of transistors for forming the logic circuit is small, power consumption can be reduced.

また、シフトレジスタ140は、負論理の転送信号P1、P2を出力し、サンプリング信号出力回路150は、負論理の第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4、および負論理の転送信号P1、P2によって正論理のサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・を生成する。このため、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4が負論理であっても、正論理のサンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・を生成することができる。   The shift register 140 outputs negative logic transfer signals P1 and P2. The sampling signal output circuit 150 outputs negative logic second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3 and ENBx4, and negative logic transfer signals P1 and P2. To generate positive logic sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4. Therefore, even if the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 are negative logic, the positive logic sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4,... Can be generated.

また、本形態において、サンプリング信号出力回路150は、第2イネーブル信号ENBx1、ENBx2、ENBx3、ENBx4、および転送信号P1、P2が入力される第1NOR回路152と、第1NOR回路152の出力信号および正論理の制御信号NRGが入力される第2NOR回路153とを備えている。このため、サンプリング信号出力回路150に設けるNOT回路の数を減らすことができるので、サンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路103において、サンプリング信号Q1、Q2、Q3、Q4・・と画像信号VID1〜VID6とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。   In this embodiment, the sampling signal output circuit 150 includes the first NOR circuit 152 to which the second enable signals ENBx1, ENBx2, ENBx3, ENBx4 and the transfer signals P1 and P2 are input, and the output signal of the first NOR circuit 152 and the positive signal. And a second NOR circuit 153 to which a logical control signal NRG is input. For this reason, since the number of NOT circuits provided in the sampling signal output circuit 150 can be reduced, signal delay in the sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4. Therefore, in the sampling circuit 103, timing deviations between the sampling signals Q1, Q2, Q3, Q4... And the image signals VID1 to VID6 can be suppressed, and deterioration in image quality due to such deviations can be suppressed. it can.

[他の電気光学装置]
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、FED(Field Emission Display)、SED(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
[Other electro-optical devices]
In the above-described embodiment, the liquid crystal device has been described as an example of the electro-optical device, but the present invention is not limited to this, and an organic electroluminescence display device, a plasma display, an FED (Field Emission Display), an SED (Surface-) The present invention may be applied to electro-optical devices such as a Conduction Electron-Emitter Display (LED), an LED (light emitting diode) display device, and an electrophoretic display device.

[電子機器への搭載例]
(投射型表示装置および光学ユニットの構成例)
図9は、本発明を適用した投射型表示装置(電子機器)および光学ユニットの概略構成図である。
[Example of mounting on electronic devices]
(Configuration example of projection display device and optical unit)
FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a projection display device (electronic device) and an optical unit to which the present invention is applied.

図9に示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部230と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115〜117と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119(合成光学系)と、リレー系220とを備えており、電気光学装置100およびクロスダイクロイックプリズム119は、光学ユニット200を構成している。   A projection display device 110 shown in FIG. 9 is a so-called projection type projection display device that irradiates light onto a screen 111 provided on the viewer side and observes light reflected by the screen 111. The projection display device 110 includes a light source unit 230 including a light source 112, dichroic mirrors 113 and 114, liquid crystal light valves 115 to 117, a projection optical system 118, a cross dichroic prism 119 (synthetic optical system), and a relay. The electro-optical device 100 and the cross dichroic prism 119 constitute an optical unit 200.

光源112は、赤色光R、緑色光G、および青色光Bを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光Rを透過させるとともに、緑色光G、および青色光Bを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光Gおよび青色光Bのうち青色光Bを透過させるとともに緑色光Gを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとに分離する色分離光学系を構成する。   The light source 112 is composed of an ultrahigh pressure mercury lamp that supplies light including red light R, green light G, and blue light B. The dichroic mirror 113 is configured to transmit the red light R from the light source 112 and reflect the green light G and the blue light B. The dichroic mirror 114 is configured to transmit the blue light B and reflect the green light G out of the green light G and the blue light B reflected by the dichroic mirror 113. Thus, the dichroic mirrors 113 and 114 constitute a color separation optical system that separates the light emitted from the light source 112 into red light R, green light G, and blue light B.

ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を、例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。   Here, between the dichroic mirror 113 and the light source 112, an integrator 121 and a polarization conversion element 122 are arranged in order from the light source 112. The integrator 121 is configured to uniformize the illuminance distribution of the light emitted from the light source 112. Further, the polarization conversion element 122 is configured to change the light from the light source 112 into polarized light having a specific vibration direction such as s-polarized light.

液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、電気光学装置100(赤色用液晶パネル100R)、および第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光Rは、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。   The liquid crystal light valve 115 is a transmissive liquid crystal device that modulates red light transmitted through the dichroic mirror 113 and reflected by the reflection mirror 123 in accordance with an image signal. The liquid crystal light valve 115 includes a λ / 2 phase difference plate 115a, a first polarizing plate 115b, an electro-optical device 100 (red liquid crystal panel 100R), and a second polarizing plate 115d. Here, the red light R incident on the liquid crystal light valve 115 remains as s-polarized light because the polarization of the light does not change even if it passes through the dichroic mirror 113.

λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100(赤色用液晶パネル100R)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光Rを変調し、変調した赤色光Rをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。   The λ / 2 phase difference plate 115a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 115 into p-polarized light. The first polarizing plate 115b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The electro-optical device 100 (the red liquid crystal panel 100R) is configured to convert p-polarized light into s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. Furthermore, the second polarizing plate 115d is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Therefore, the liquid crystal light valve 115 is configured to modulate the red light R according to the image signal and emit the modulated red light R toward the cross dichroic prism 119.

なお、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。   Note that the λ / 2 phase difference plate 115a and the first polarizing plate 115b are disposed in contact with a light-transmitting glass plate 115e that does not convert the polarization, and the λ / 2 phase difference plate 115a and the first polarization plate 115b are arranged in contact with each other. It is possible to avoid the polarizing plate 115b from being distorted by heat generation.

液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光Gを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、電気光学装置100(緑色用液晶パネル100G)、および第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光Gは、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置100(緑色用液晶パネル100G)は、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光Gを変調し、変調した緑色光Gをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。   The liquid crystal light valve 116 is a transmissive liquid crystal device that modulates green light G reflected by the dichroic mirror 114 after being reflected by the dichroic mirror 113 in accordance with an image signal. Similar to the liquid crystal light valve 115, the liquid crystal light valve 116 includes a first polarizing plate 116b, an electro-optical device 100 (green liquid crystal panel 100G), and a second polarizing plate 116d. Green light G incident on the liquid crystal light valve 116 is s-polarized light that is reflected by the dichroic mirrors 113 and 114 and then incident. The first polarizing plate 116b is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. The electro-optical device 100 (green liquid crystal panel 100G) is configured to convert s-polarized light into p-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. The second polarizing plate 116d is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. Therefore, the liquid crystal light valve 116 is configured to modulate the green light G in accordance with the image signal and emit the modulated green light G toward the cross dichroic prism 119.

液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系220を経た青色光Bを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、電気光学装置100(青色用液晶パネル100B)、および第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光Bは、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系220の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。   The liquid crystal light valve 117 is a transmissive liquid crystal device that modulates the blue light B reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114 and then through the relay system 220 in accordance with an image signal. Like the liquid crystal light valves 115 and 116, the liquid crystal light valve 117 includes a λ / 2 phase difference plate 117a, a first polarizing plate 117b, an electro-optical device 100 (blue liquid crystal panel 100B), and a second polarizing plate 117d. I have. Here, the blue light B incident on the liquid crystal light valve 117 is reflected by two reflecting mirrors 125a and 125b (to be described later) of the relay system 220 after being reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114. It has become.

λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100(青色用液晶パネル100B)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光Bを変調し、変調した青色光Bをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a、および第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。   The λ / 2 phase difference plate 117a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 117 into p-polarized light. The first polarizing plate 117b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The electro-optical device 100 (blue liquid crystal panel 100B) is configured to convert p-polarized light to s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light if it is a halftone) by modulation according to an image signal. Furthermore, the second polarizing plate 117d is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Therefore, the liquid crystal light valve 117 is configured to modulate the blue light B according to the image signal and emit the modulated blue light B toward the cross dichroic prism 119. The λ / 2 phase difference plate 117a and the first polarizing plate 117b are arranged in contact with the glass plate 117e.

リレー系220は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光Bの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光Bをリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光Bを液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。   The relay system 220 includes relay lenses 124a and 124b and reflection mirrors 125a and 125b. The relay lenses 124a and 124b are provided to prevent light loss due to the long optical path of the blue light B. Here, the relay lens 124a is disposed between the dichroic mirror 114 and the reflection mirror 125a. The relay lens 124b is disposed between the reflection mirrors 125a and 125b. The reflection mirror 125a is disposed so as to reflect the blue light B transmitted through the dichroic mirror 114 and emitted from the relay lens 124a toward the relay lens 124b. The reflection mirror 125b is disposed so as to reflect the blue light B emitted from the relay lens 124b toward the liquid crystal light valve 117.

クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光Bを反射して緑色光Gを透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光Rを反射して緑色光Gを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115〜117の各々で変調された赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。   The cross dichroic prism 119 is a color combining optical system in which two dichroic films 119a and 119b are arranged orthogonally in an X shape. The dichroic film 119a is a film that reflects blue light B and transmits green light G, and the dichroic film 119b is a film that reflects red light R and transmits green light G. Therefore, the cross dichroic prism 119 is configured to combine the red light R, the green light G, and the blue light B modulated by each of the liquid crystal light valves 115 to 117 and emit the resultant light toward the projection optical system 118. Yes.

なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115〜117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光R、および青色光Bをs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光Gをp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。   Note that light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valves 115 and 117 is s-polarized light, and light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valve 116 is p-polarized light. Thus, by making the light incident on the cross dichroic prism 119 into different types of polarized light, the light incident from the liquid crystal light valves 115 to 117 in the cross dichroic prism 119 can be synthesized. Here, in general, the dichroic films 119a and 119b are excellent in s-polarized reflection transistor characteristics. For this reason, red light R and blue light B reflected by the dichroic films 119a and 119b are s-polarized light, and green light G transmitted through the dichroic films 119a and 119b is p-polarized light. The projection optical system 118 has a projection lens (not shown) and is configured to project the light combined by the cross dichroic prism 119 onto the screen 111.

(他の投射型表示装置)
上記投射型表示装置においては、透過型の電気光学装置100を用いたが、反射型の電気光学装置100を用いて投射型表示装置を構成してもよい。また、投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
(Other projection display devices)
In the projection type display device, the transmission type electro-optical device 100 is used. However, the reflection type electro-optical device 100 may be used to form the projection type display device. In the projection display device, an LED light source that emits light of each color may be used as the light source unit, and the color light emitted from the LED light source may be supplied to another liquid crystal device. .

(他の電子機器)
本発明を適用した電気光学装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
(Other electronic devices)
As for the electro-optical device 100 to which the present invention is applied, in addition to the electronic devices described above, mobile phones, personal digital assistants (PDAs), digital cameras, liquid crystal televisions, car navigation devices, video phones, POS terminals In addition, it may be used as a direct-view display device in an electronic device such as a device provided with a touch panel.

6a・・データ線、9a・・画素電極、10・・素子基板、10a・・画像表示領域、100・・電気光学装置、100a・・画素、101・・データ線駆動回路、102・・端子、103・・サンプリング回路、104・・走査線駆動回路、108・・スイッチング素子、109・・選択信号線、110・・投射型表示装置、120・・選択回路、130・・イネーブル信号分割回路、131,131a〜131d・・NOR回路、132,132a〜132d・・NAND回路、140・・シフトレジスタ、141・・第1クロックドインバーター、142・・第1インバーター、143・・第2クロックドインバーター、144・・第3クロックドインバーター、145・・第2インバーター、146・・第4クロックドインバーター、150・・サンプリング信号出力回路、152,152a〜152d・・第1NOR回路、153・・第2NOR回路、154,155,156・・NOT回路、158,158a〜158d・・NAND回路、159・・AND回路、171、172・・N型の電界効果型トランジスター、173,174・・P型の電界効果型トランジスター、200・・光学ユニット、230・・光源部、CLX・・クロック信号、CLKINV・・逆位相クロック信号、DX・・スタートパルス、ENBs1、2・・第1イネーブル信号、ENBx1〜4・・第2イネーブル信号、LVID1〜6・・画像信号線、NRG・・制御信号、P1、P2〜Pn/12・・転送信号、Q1、Q2〜Qn/6・・サンプリング信号、S1、S2〜Sn・・画像信号 6a ... Data line, 9a ... Pixel electrode, 10 ... Element substrate, 10a ... Image display area, 100 ... Electro-optical device, 100a ... Pixel, 101 ... Data line drive circuit, 102 ... Terminal, 103..Sampling circuit 104..Scanning line driving circuit 108..Switching element 109 ... Selection signal line 110 ... Projection type display device 120 ... Selection circuit 130 ... Enable signal dividing circuit 131 131a to 131d, NOR circuit, 132, 132a to 132d, NAND circuit, 140, shift register, 141, first clocked inverter, 142, first inverter, 143, second clocked inverter, 144 ··· Third clocked inverter, 145 ··· Second inverter, 146 ··· Fourth clocked inverter 150..Sampling signal output circuit, 152, 152a to 152d..First NOR circuit, 153..Second NOR circuit, 154,155,156..NOT circuit, 158,158a to 158d..NAND circuit, 159..AND Circuits 171, 172, N-type field effect transistors, 173, 174, P-type field effect transistors, 200, Optical unit, 230, Light source, CLX, Clock signal, CLKINV, Reverse Phase clock signal, DX ··· Start pulse, ENBs1, 2 ··· First enable signal, ENBx1 to 4 ··· Second enable signal, LVID1 to 6 ·· Image signal line, NRG ··· Control signal, P1, P2 to Pn / 12 ・ ・ Transfer signal, Q1, Q2 to Qn / 6 ・ ・ Sampling signal, S1, S2 to Sn ・ ・ Image signal

Claims (6)

素子基板の一方面側に、
複数のデータ線と、
前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、
前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、
複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、
前記素子基板の端子を介して入力された第1イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第2イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、
複数系列毎の前記第2イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第2イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、
前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、
を有し、
前記第1イネーブル信号は、負論理のパルス信号であり、
前記イネーブル信号分割回路は、NOR回路によって正論理の前記第2イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする電気光学装置。
On one side of the element substrate,
Multiple data lines,
A plurality of scanning lines extending in a direction intersecting with the plurality of data lines;
A plurality of pixels provided corresponding to each intersection of the data line and the scanning line;
A shift register that sequentially outputs transfer signals from each of the plurality of stages;
An enable signal dividing circuit that divides a first enable signal input via a terminal of the element substrate to generate a plurality of second enable signals having a pulse width narrower than a pulse width of the transfer signal;
A sampling signal output circuit that shapes the transfer signal based on the second enable signal for each of a plurality of series and outputs a sampling signal in which the pulse width of the transfer signal is limited to the pulse width of the second enable signal;
A sampling circuit that samples an image signal based on the sampling signal and supplies the image signal to the data line;
Have
The first enable signal is a negative logic pulse signal,
The electro-optical device, wherein the enable signal dividing circuit generates a positive enable second enable signal by a NOR circuit and outputs the second enable signal to the sampling signal output circuit.
前記シフトレジスタは、正論理の前記転送信号を出力し、
前記サンプリング信号出力回路は、前記第2イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The shift register outputs the positive logic transfer signal,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the sampling signal output circuit generates the positive logic sampling signal based on the second enable signal and the transfer signal.
素子基板の一方面側に、
複数のデータ線と、
前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、
前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、
複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、
前記素子基板の端子を介して入力された第1イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第2イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、
複数系列毎の前記第2イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第2イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、
前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、
を有し、
前記第1イネーブル信号は、正論理のパルス信号であり、
前記イネーブル信号分割回路は、NAND回路によって負論理の前記第2イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする電気光学装置。
On one side of the element substrate,
Multiple data lines,
A plurality of scanning lines extending in a direction intersecting with the plurality of data lines;
A plurality of pixels provided corresponding to each intersection of the data line and the scanning line;
A shift register that sequentially outputs transfer signals from each of the plurality of stages;
An enable signal dividing circuit that divides a first enable signal input via a terminal of the element substrate to generate a plurality of second enable signals having a pulse width narrower than a pulse width of the transfer signal;
A sampling signal output circuit that shapes the transfer signal based on the second enable signal for each of a plurality of series and outputs a sampling signal in which the pulse width of the transfer signal is limited to the pulse width of the second enable signal;
A sampling circuit that samples an image signal based on the sampling signal and supplies the image signal to the data line;
Have
The first enable signal is a positive logic pulse signal;
The electro-optical device, wherein the enable signal dividing circuit generates a negative enable second enable signal by a NAND circuit and outputs the second enable signal to the sampling signal output circuit.
前記シフトレジスタは、負論理の前記転送信号を出力し、
前記サンプリング信号出力回路は、前記第2イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。
The shift register outputs the transfer signal of negative logic,
4. The electro-optical device according to claim 3, wherein the sampling signal output circuit generates the positive logic sampling signal based on the second enable signal and the transfer signal. 5.
前記サンプリング信号出力回路は、前記第2イネーブル信号および前記転送信号が入力される第1NOR回路と、前記第1NOR回路の出力信号および正論理の制御信号が入力される第2NOR回路と、を備えていることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。   The sampling signal output circuit includes a first NOR circuit to which the second enable signal and the transfer signal are input, and a second NOR circuit to which an output signal of the first NOR circuit and a positive logic control signal are input. The electro-optical device according to claim 4. 請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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