JP2016197077A - サンプル検出デバイス用のサンプル捕集装置、及び該サンプル捕集装置を含むサンプル検出デバイス - Google Patents
サンプル検出デバイス用のサンプル捕集装置、及び該サンプル捕集装置を含むサンプル検出デバイス Download PDFInfo
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Abstract
Description
該サンプル移動流路に形成されたサンプル捕集孔、
を含み、
前記サンプル捕集孔は前記サンプル移動流路から第1基板を貫通する貫通孔であり、前記サンプル移動流路に充填する導電性溶液が前記サンプル捕集孔を通じて第1基板上に液滴を形成することで周囲のサンプルを捕集できるサンプル検出デバイス用のサンプル捕集装置。
(2)前記サンプル移動流路の一方の端部に導電性溶液を充填する充填孔が形成され、他方の端部には導電性溶液を排出する排出孔が形成されている上記(1)に記載のサンプル捕集装置。
(3)前記サンプル移動流路の他端側に複数の分岐流路が形成されている上記(1)又は(2)に記載のサンプル捕集装置。
(4)前記サンプル移動流路に、サンプルを分離するサンプル分離部が形成されている上記(1)〜(3)の何れか一に記載のサンプル捕集装置。
(5)前記サンプル移動流路のサンプル捕集孔以外の部分に、ピラーが形成されている上記(1)〜(4)の何れか一に記載のサンプル捕集装置。
(6)前記サンプル移動流路の両端に捕集したサンプルを電気泳動により移動させるための電極が形成されている上記(1)〜(5)の何れか一に記載のサンプル捕集装置。
(7)前記サンプル移動流路が、非直線形状である上記(1)〜(6)の何れか一に記載のサンプル捕集装置。
(8)上記(1)〜(7)の何れか一に記載のサンプル捕集装置、
前記サンプル捕集装置に液密に接合する第2基板を含み、
前記サンプル捕集装置により捕集されたサンプルを測定する測定部、
を含むサンプル検出デバイス。
(9)前記測定部が、前記サンプル捕集装置のサンプル移動流路を挟むように形成した電極である上記(8)に記載のサンプル検出デバイス。
(10)前記測定部が、前記第2基板に形成されたポア及び該ポアに形成した電極を含む上記(8)に記載のサンプル検出デバイス。
(11)第1基板、該第1基板に液密に接合する第2基板、前記第1基板及び/又は前記第2基板に形成されたサンプルの電気泳動用の電極を含み、
前記第2基板は、捕集したサンプルを測定部に移動するためのサンプル移動流路、及びサンプルを測定する測定部、を含み、
前記第1基板には、前記サンプル移動流路に被さる部分に第1基板を貫通するサンプル捕集孔が形成され、前記サンプル移動流路に充填する導電性溶液が前記サンプル捕集孔を通じて第1基板上に液滴を形成することで周囲のサンプルを捕集できるサンプル検出デバイス。
R=導電性溶液の抵抗率×(流路の長さ)/(流路の高さ×流路の幅)
で表される。なお、測定部をポア13と測定電極で形成する場合、測定感度を高くするためにはポア13の断面積が小さい方が好ましいのでポア13の抵抗は大きくなる。サンプル移動流路3と測定部の抵抗の差は少ない方が好ましいことから、測定対象サンプルのサイズ等を考慮し、サンプル移動流路3の抵抗が大きくなるように設計すればよい。抵抗を大きくするためには、例えば、サンプル移動流路3を長くすればよいので、非直線状にすればよい。なお、本発明において「非直線」とは、サンプル移動流路3に直線部分が含まれない、又は、サンプル移動流路3が直線部分と折り返し部分を含むことを意味する。直線部分が含まれない例としては、渦巻き状が挙げられる。また、直線部分と折り返し部分を含む例としては、図7に示すようにサンプル移動流路3を折り返して同じ方向に旋回する形状、蛇腹形状等が挙げられる。サンプル移動流路3を長くすることで、サンプル移動流路3の抵抗を大きくすることができ、更にサンプル捕集孔4をより多く形成できるので、サンプルの捕集効率が向上する。
(1)第1基板2の両面にポジ型フォトレジスト41をスピンコートで塗布する。
(2)第1基板2のサンプル移動流路3を形成する面に、サンプル移動流路3を形成する個所に光が照射するようにフォトマスクをする。サンプル移動流路3内にサンプル分離部及び/又はピラー20を形成する場合は、サンプル分離部及び/又はピラー20を形成する部分には光が照射せず、その周りに光が照射するようにフォトマスクをする。露光・現像処理し、光を照射した部分のポジ型フォトレジスト41を除去する(以下、除去した部分を「エッチング部分」と記載する。)。
(3)エッチング部分をBoschプロセス等の手法を用いてエッチングをする。なお、エッチングは、第1基板2を貫通しないように、所定の厚みを残しておく。
(4)第1基板2のサンプル移動流路3を形成する面のポジ型フォトレジスト41を除去する。
(5)第1基板2の他の面に、導電性溶液を充填するための充填孔5、導電性溶液を排出するための排出孔6、サンプル捕集孔4を形成する個所に光が照射するようにフォトマスクをする。露光・現像処理し、光を照射した部分のポジ型フォトレジスト41を除去する。
(6)エッチング部分をBoschプロセス等の手法を用い、反対側に貫通するまでエッチングをする。
(7)第1基板2上のポジ型フォトレジスト41を除去する。
(1)第1基板2の一方の面からサンプル捕集孔4、導電性溶液を充填するための充填孔5、導電性溶液を排出するための排出孔6をエッチングする。
(2)他方の面からも、サンプル捕集孔4、導電性溶液を充填するための充填孔5、導電性溶液を排出するための排出孔6をエッチングし、第1基板2にサンプル捕集孔4、導電性溶液を充填するための充填孔5、及び導電性溶液を排出するための排出孔6用の貫通孔を形成する。
(3)第1基板2の一方の面に、サンプル移動流路3、必要に応じてサンプル分離部及び/又はピラー20をエッチングにより形成する。
R’=導電性溶液の抵抗率×(ポアの深さ)/(ポアの断面積)
で表されるので、測定対象サンプルのサイズ等を考慮し、ポア13の抵抗が小さくなるように設計すればよい。また、第2基板14も、第1基板2と同様の材料で作製すればよい。
(1)第2基板11の片面にポジ型フォトレジスト41をスピンコートで塗布する。
(2)サンプル移動流路3を形成する個所に光が照射するようにフォトマスクをする。サンプル移動流路3内にサンプル分離部及び/又はピラー20を形成する場合は、サンプル分離部及び/又はピラー20を形成する部分には光が照射せず、その周りに光が照射するようにフォトマスクをする。
(3)露光・現像処理し、光を照射した部分のポジ型フォトレジスト41を除去する(以下、除去した部分を「エッチング部分」と記載する。)。
(4)エッチング部分をBoschプロセス等の手法を用いてエッチングをする。なお、エッチングは、第2基板11を貫通しないように、所定の厚みを残しておく。
(5)第2基板11のサンプル移動流路3を形成する面のポジ型フォトレジスト41を除去する。
(6)次に、サンプル捕集装置1の作製を行う。先ず、第1基板2の片面にポジ型フォトレジスト41をスピンコートで塗布する。
(7)サンプル捕集孔4、導電性溶液を充填するための充填孔5、導電性溶液を排出するための排出孔6を形成する個所に光が照射するようにフォトマスクをする。
(8)露光・現像処理し、光を照射した部分のポジ型フォトレジスト41を除去する(以下、除去した部分を「エッチング部分」と記載する。)。
(9)エッチング部分をBoschプロセス等の手法を用い、反対側に貫通するまでエッチングをする。
(9)第2基板11上のポジ型フォトレジスト41を除去する。
<実施例1>
以下の手順により、捕集装置1を作製した。
(1)30mm角の大きさにダイシングした厚さ300μmのSi基板の両面にポジ型フォトレジスト(OFPR)をスピンコートした。
(2)LED描画により、Si基板の一方の面に、サンプル捕集孔4、導電性溶液を充填するための充填孔5、導電性溶液を排出するための排出孔6をパターニングした。
(3)現像後、Boschプロセスにより、250μmの深さまでSi基板をエッチングした。
(4)残ったレジストを剥離液によって除去後、今度はSi基板の他方の面をLED描画により、サンプル捕集孔4、導電性溶液を充填するための充填孔5、導電性溶液を排出するための排出孔6のパターニングを行った。
(5)現像後、Boschプロセスにより、貫通するまでSi基板をエッチングした。残ったレジストを剥離液によって除去した。
(6)Si基板の一方の面に、OFPRをスピンコートし、LED描画によりサンプル移動流路3、補強用のピラー20をパターニングした。
(7)BoschプロセスによりSi基板をエッチングし、残ったレジストを剥離液により剥離した。
(8)CVDプロセスによりSi基板の両面にSiO2を蒸着することで、全面を親水化させた。
サンプル移動流路3を渦巻き状となるように設計した以外は、実施例1と同様の手順でサンプル捕集装置1を作製した。図12は実施例2で作製したサンプル捕集装置1の写真である。
<実施例3>
先ず、以下の手順で第2基板11を作製した。
厚さ50nmのSi3N4膜で両面が被覆されたSiウェハー(厚さ0.3mm)上のSi3N4膜を、反応性イオンエッチング法により部分的に除去(1mm四方の四角い穴の空いたメタルマスクで基板を覆ってエッチングを行った。)した後、KOH水溶液を用いたSi(100)の異方性エッチングによりSi3N4メンブレンを作製した。続いて、電子線描画法を用いてマイクロポアを描画し、反応性イオンエッチング法によりSi3N4を掘削することで、ポア13をメンブレン中に作製した。電気泳動電極および測定電極は、銀/塩化銀ペーストを白金棒に塗布し、その後加熱することで形成した。
<実施例4>
超純水を、実施例3で作製したデバイスの充填孔5からデバイス10に充填した。図13は、サンプル捕集孔4に液滴が生成したことを示す写真である。
<実施例5>
次に、液滴に付着したサンプルがサンプル移動流路3を電気泳動で流れるか確認を行った。上記実施例1のサンプル捕集装置1のサンプル捕集孔4が形成されているエリアのサンプル移動流路3にサンプル分離部としてマイクロスリット(間隔:2μm)を形成した以外は、実施例1と同様の手順でサンプル捕集装置1を作製した。次いで、透明な材料であるPDMSを用いて電気泳動用電極を蒸着した第2基板11を作製し、サンプル捕集装置1と液密に接合することでデバイス10を作製した。
次に、導電性溶液としてPBSバッファーをサンプル移動流路3に充填し、サンプル捕集孔4に液滴を作製した。作製した液滴に、サンプルとして蛍光分子でラベルされたポリスチレン微粒子(粒径約1μm)を付着し、電気泳動用電極に通電した。
以上の結果より、サンプル捕集装置1のサンプル捕集孔4に形成した液滴で捕捉したサンプルは、サンプル捕集孔4を通りサンプル移動流路3内を電気泳動により移動することが確認できた。
Claims (11)
- 第1基板上に形成され、捕捉したサンプルを測定部に移動するためのサンプル移動流路、及び
該サンプル移動流路に形成されたサンプル捕集孔、
を含み、
前記サンプル捕集孔は前記サンプル移動流路から第1基板を貫通する貫通孔であり、前記サンプル移動流路に充填する導電性溶液が前記サンプル捕集孔を通じて第1基板上に液滴を形成することで周囲のサンプルを捕集できるサンプル検出デバイス用のサンプル捕集装置。 - 前記サンプル移動流路の一方の端部に導電性溶液を充填する充填孔が形成され、他方の端部には導電性溶液を排出する排出孔が形成されている請求項1に記載のサンプル捕集装置。
- 前記サンプル移動流路の他端側に複数の分岐流路が形成されている請求項1又は2に記載のサンプル捕集装置。
- 前記サンプル移動流路に、サンプルを分離するサンプル分離部が形成されている請求項1〜3の何れか一項に記載のサンプル捕集装置。
- 前記サンプル移動流路のサンプル捕集孔以外の部分に、ピラーが形成されている請求項1〜4の何れか一項に記載のサンプル捕集装置。
- 前記サンプル移動流路の両端に捕集したサンプルを電気泳動により移動させるための電極が形成されている請求項1〜5の何れか一項に記載のサンプル捕集装置。
- 前記サンプル移動流路が、非直線形状である請求項1〜6の何れか一項に記載のサンプル捕集装置。
- 請求項1〜7の何れか一項に記載のサンプル捕集装置、
前記サンプル捕集装置に液密に接合する第2基板を含み、
前記サンプル捕集装置により捕集されたサンプルを測定する測定部、
を含むサンプル検出デバイス。 - 前記測定部が、前記サンプル捕集装置のサンプル移動流路を挟むように形成した電極である請求項8に記載のサンプル検出デバイス。
- 前記測定部が、前記第2基板に形成されたポア及び該ポアに形成した電極を含む請求項8に記載のサンプル検出デバイス。
- 第1基板、該第1基板に液密に接合する第2基板、前記第1基板及び/又は前記第2基板に形成されたサンプルの電気泳動用の電極を含み、
前記第2基板は、捕集したサンプルを測定部に移動するためのサンプル移動流路、及びサンプルを測定する測定部、を含み、
前記第1基板には、前記サンプル移動流路に被さる部分に第1基板を貫通するサンプル捕集孔が形成され、前記サンプル移動流路に充填する導電性溶液が前記サンプル捕集孔を通じて第1基板上に液滴を形成することで周囲のサンプルを捕集できるサンプル検出デバイス。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017099300A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 国立大学法人大阪大学 | サンプル検出用デバイス、サンプル検出装置及びイオン電流の検出方法 |
WO2020013235A1 (ja) | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 国立大学法人大阪大学 | 流路 |
JP2021156901A (ja) * | 2018-09-19 | 2021-10-07 | 株式会社東芝 | 分子プローブの決定方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005274573A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Lucent Technol Inc | ナノ構造表面を有する動的に制御可能な生物学的/化学的検出器 |
JP2006177767A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 連続分離検出チップ |
US20090098659A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Abhyankar Vinay V | Method of patterning particles on an arbitrary substrate and conducting a microfluidic invasion assay |
JP2009264786A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Canon Inc | 界面動電装置 |
JP2014173935A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体マイクロ分析チップ及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-04-06 JP JP2015077776A patent/JP6579466B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005274573A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Lucent Technol Inc | ナノ構造表面を有する動的に制御可能な生物学的/化学的検出器 |
JP2006177767A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 連続分離検出チップ |
US20090098659A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Abhyankar Vinay V | Method of patterning particles on an arbitrary substrate and conducting a microfluidic invasion assay |
JP2009264786A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Canon Inc | 界面動電装置 |
JP2014173935A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体マイクロ分析チップ及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017099300A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 国立大学法人大阪大学 | サンプル検出用デバイス、サンプル検出装置及びイオン電流の検出方法 |
WO2020013235A1 (ja) | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 国立大学法人大阪大学 | 流路 |
US11307161B2 (en) | 2018-07-11 | 2022-04-19 | Aipore Inc. | Flow passage |
JP2021156901A (ja) * | 2018-09-19 | 2021-10-07 | 株式会社東芝 | 分子プローブの決定方法 |
JP7135163B2 (ja) | 2018-09-19 | 2022-09-12 | 株式会社東芝 | 分子プローブの決定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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