JP2016195181A - 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】低コスト化を図りつつ、優れた特性を有する発光装置およびその製造方法を提供すること、また、かかる発光装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の発光装置１００は、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂは、互いに同一のホスト材料およびドーパント材料を含んで構成され、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂにおけるドーパント材料のドープ率が正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂにおける前記ドーパント材料のドープ率よりも高い。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法および電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。

例えば、このような発光素子を用いてディスプレイ装置を構成する場合、赤色発光、緑色発光および青色発光の各発光素子を組み合わせて用いる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置は、赤色発光層を有する発光素子と、緑色発光層を有する発光素子と、青色発光層を有する発光素子と、を備え、青色発光層が共通層として赤色発光層および緑色発光層上にも形成されている。このような発光装置では、赤色発光層および緑色発光層をインクジェット法のような液相プロセスで形成し、青色発光層およびそれよりも陰極側の層を共通層として蒸着法等の気相プロセスにより形成することで、効率的な生産が可能となる。

一般に、各発光素子における発光層と陽極との間には、正孔注入層および正孔輸送層が介挿されているが、従来では、正孔注入層および正孔輸送層を互いに異なる材料で構成している。そのため、従来では、正孔注入層と正孔輸送層との間の界面において、正孔の注入性および輸送性が低下しやすいという問題がある。また、かかる問題を解決できたとしても、正孔注入層および正孔輸送層を互いに異なる材料で構成すると、前述したような特許文献１に記載の発光装置では、正孔注入層および正孔輸送層の数の分だけ材料が必要となり、低コスト化を図ることができないという問題がある。

特開２０１１−２９６６６号公報

本発明の目的は、低コスト化を図りつつ、優れた特性を有する発光装置およびその製造方法を提供すること、また、かかる発光装置を備える電子機器を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本発明の発光装置は、第１画素領域に設けられている第１陽極と、
前記第１画素領域とは異なる第２画素領域に設けられている第２陽極と、
前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して設けられている共通陰極と、
前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して前記第１陽極および前記第２陽極と前記共通陰極との間に設けられ、第１色で発光する機能を有する第１発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第２陽極との間に設けられ、前記第１色と異なる第２色で発光する機能を有する第２発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第１陽極との間に設けられている第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層と前記第１発光機能層との間に設けられている第１正孔輸送層と、
前記第２発光機能層と前記第２陽極との間に設けられている第２正孔注入層と、
前記第２正孔注入層と前記第２発光機能層との間に設けられている第２正孔輸送層と、を有し、
前記第１正孔注入層、前記第１正孔輸送層、前記第２正孔注入層および前記第２正孔輸送層は、互いに同一のホスト材料およびドーパント材料を含んで構成され、
前記第１正孔注入層における前記ドーパント材料のドープ率が前記第１正孔輸送層における前記ドーパント材料のドープ率よりも高く、
前記第２正孔注入層における前記ドーパント材料のドープ率が前記第２正孔輸送層における前記ドーパント材料のドープ率よりも高いことを特徴とする。

このような発光装置によれば、第１正孔注入層、第１正孔輸送層、第２正孔注入層および第２正孔輸送層を互いに同一のホスト材料およびドーパント材料を含んで構成することにより、正孔注入層と正孔輸送層との間の正孔注入性および正孔輸送性を優れたものとすることができる。しかも、正孔注入層におけるドーパント材料のドープ率を正孔輸送層におけるドーパント材料のドープ率よりも高くすることにより、正孔注入層の正孔注入性および正孔輸送層の正孔輸送性をそれぞれ優れたものとすることができる。このようなことから、発光装置の特性を優れたものとすることができる。

また、正孔注入層および正孔輸送層を形成する際に用いる材料の数を、各画素領域の層ごとに異なる材料を用いる場合に比べて少なくすることができ、その結果、低コスト化を図ることができる。

［適用例２］
本発明の発光装置では、前記第１正孔輸送層の膜厚が前記第１正孔注入層の膜厚よりも厚く、
前記第２正孔輸送層の膜厚が前記第２正孔輸送層の膜厚よりも厚いことが好ましい。

これにより、正孔輸送層の電子に対する耐性を優れたものとすることができる。また、正孔注入層に到達する電子の数を低減し、正孔注入層の劣化を低減することができる。

［適用例３］
本発明の発光装置では、前記第１正孔輸送層の膜厚が前記第２正孔輸送層の膜厚と異なることが好ましい。
これにより、画素領域ごとに正孔輸送層の膜厚を最適化することができる。

［適用例４］
本発明の発光装置では、前記第１正孔注入層の膜厚が前記第２正孔注入層の膜厚と異なることが好ましい。
これにより、画素領域ごとに正孔注入層の膜厚を最適化することができる。

［適用例５］
本発明の発光装置では、前記第１正孔輸送層における前記ドーパントのドープ率が前記第２正孔輸送層における前記ドーパントのドープ率と異なることが好ましい。
これにより、画素領域ごとに正孔輸送層の特性を最適化することができる。

［適用例６］
本発明の発光装置では、前記第１正孔注入層における前記ドーパントのドープ率が前記第２正孔注入層における前記ドーパントのドープ率と異なることが好ましい。
これにより、画素領域ごとに正孔注入層の特性を最適化することができる。

［適用例７］
本発明の発光装置では、前記第１画素領域および前記第２画素領域と異なる第３画素領域に設けられている第３陽極と、
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して設けられている前記共通陰極と、
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して前記第１陽極、前記第２陽極および前記第３陽極と前記共通陰極との間に設けられている前記第１発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第３陽極との間に設けられ、前記第１色および前記第２色と異なる第３色で発光する機能を有する第３発光機能層と、
前記第３発光機能層と前記第３陽極との間に設けられている第３正孔注入層と、
前記第３正孔注入層と前記第３発光機能層との間に設けられている第３正孔輸送層と、を有し、
前記第３正孔注入層および前記第３正孔輸送層は、互いに同一の前記ホスト材料および前記ドーパント材料を含んで構成され、
前記第３正孔注入層における前記ドーパント材料のドープ率が前記第３正孔輸送層における前記ドーパント材料のドープ率よりも高いことが好ましい。

これにより、低コスト化を図りつつ、第１〜第３の画素領域を有する発光装置の特性を優れたものとすることができる。

［適用例８］
本発明の発光装置では、前記第１色が青色、前記第２色が赤色、前記第３色が緑色であることが好ましい。
これにより、フルカラー表示が可能な表示装置を実現することができる。

［適用例９］
本発明の発光装置では、前記ホスト材料が高分子材料であり、前記ゲスト材料が低分子材料であることが好ましい。

これにより、正孔輸送層および正孔注入層のゲスト材料のドープ量に応じて、正孔輸送層の正孔輸送性および正孔注入層の正孔注入性を容易に調整することができる。

［適用例１０］
本発明の発光装置の製造方法は、本発明の発光装置を製造する方法であって、
前記ホスト材料を含むホストインクと、前記ドーパント材料を含むドーパントインクとを準備する準備工程と、
前記ホストインクおよび前記ドーパントインクを用いて、前記第１正孔注入層および前記第２正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、
前記ホストインクおよび前記ドーパントインクを用いて、前記第１正孔輸送層および前記第２正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程と、を有することを特徴とする。

このような発光装置の製造方法によれば、低コスト化を図りつつ、優れた特性を有する発光装置を製造することができる。

［適用例１１］
本発明の発光装置の製造方法では、前記正孔注入層形成工程および前記正孔輸送層形成工程のそれぞれの工程において、前記ホストインクおよび前記ドーパントインクを前記第１画素領域および前記第２画素領域に付与して混合した後に乾燥させることが好ましい。

これにより、比較的簡単に、それぞれ所望のドープ率でドーパント材料を含有する正孔注入層および正孔輸送層を形成することができる。

［適用例１２］
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。

このような電子機器によれば、発光装置の低コスト化を図りつつ特性を優れたものとすることができる。

本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。 図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。 図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。 図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

以下、本発明の発光装置、発光装置の製造方法および電子機器について、図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。なお、各図では、説明の便宜上、各部の縮尺が適宜変更されており、図示の構成は実際の縮尺と必ずしも一致するわけではない。

（発光装置）
まず、本発明の発光装置の一例である表示装置について説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

図１に示す発光装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがサブ画素１００Ｒ（Ｒ画素）、１００Ｇ（Ｇ画素）、１００Ｂ（Ｂ画素）に対応して設けられ、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。ここで、サブ画素１００Ｂが「第１画素領域」、サブ画素１００Ｒが「第２画素領域」、サブ画素１００Ｇが「第３画素領域」を構成している。なお、本実施形態では表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。

発光装置１００は、回路基板２０と、回路基板２０上に設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、封止基板４０と、を有している。

回路基板２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた層間絶縁膜２２、複数のスイッチング素子２３および配線２４と、を有している。

基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１側から光を取り出すことができる。基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１とは反対側から取り出すトップエミッション構造とする場合は、基板２１は、不透明基板であってもよく、かかる不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。

このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２３がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２３は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。

このような各スイッチング素子２３は、シリコンからなる半導体層２３１と、半導体層２３１上に形成されたゲート絶縁層２３２と、ゲート絶縁層２３２上に形成されたゲート電極２３３と、ソース電極２３４と、ドレイン電極２３５と、を有している。

このような複数のスイッチング素子２３を覆うように、絶縁材料で構成された層間絶縁膜２２が形成されている。この層間絶縁膜２２には、配線２４が設けられている。

層間絶縁膜２２上には、各スイッチング素子２３に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。本実施形態では、発光素子１Ｒは、赤色（第２色）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｇは、緑色（第３色）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｂは、青色（第１色）の光を出射するように構成されている。これにより、フルカラー表示の発光装置１００（表示装置）を実現することができる。

具体的には、発光素子１Ｒ（第２発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｒ（第２陽極）、正孔注入層４Ｒ（第２正孔注入層）、正孔輸送層５Ｒ（第２正孔輸送層）、発光機能層６Ｒ（第２発光機能層）、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第２陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。

同様に、発光素子１Ｇ（第３発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｇ（第３陽極）、正孔注入層４Ｇ（第３正孔注入層）、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）、発光機能層６Ｇ（第３発光機能層）、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第３陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。

一方、発光素子１Ｂ（第１発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｂ（第１陽極）、正孔注入層４Ｂ（第１正孔注入層）、正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第１陰極：共通陰極）がこの順で積層されている。

ここで、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごと（サブ画素ごと）に個別に設けられた画素電極を構成し、スイッチング素子２３のドレイン電極に配線２４を介して電気的に接続されている。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、発光機能層６Ｒおよび発光機能層６Ｇも、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられている。なお、以下では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総括して「発光素子１」、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを総括して「陽極３」、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを総括して「正孔注入層４」、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを総括して「正孔輸送層５」ともいう。

一方、陰極１０は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して一体化されて設けられた共通電極を構成している。また、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８および電子注入層９も、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられている。

このようなハイブリット型の発光装置１００によれば、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇ等をそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂ等をそれぞれ３つの素子に共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。

隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、樹脂材料で構成された隔壁３１（バンク）が設けられている。また、このような発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３２を介して、封止基板４０が接合されている。

前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはボトムエミッション型であるため、封止基板４０は、透明基板であっても、不透明基板であってもよく、封止基板４０の構成材料としては、前述した基板２１と同様の材料を用いることができる。

以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて詳述する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し、陰極１０側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ側から正孔が供給（注入）される。そして、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂでは、それぞれ、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。

ここで、発光素子１Ｒ、１Ｇでは、発光機能層６Ｂが設けられているが、発光機能層６Ｂを発光させずに、発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させる。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色に発光する。

以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各部の構成を簡単に説明する。
（陽極）
陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）は、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）に正孔を注入する電極である。この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。

具体的には、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、互いに同じ材料を用いることにより、一括して陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成することができ、生産性を高めることができる。

（正孔注入層）
正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）は、陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。

正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは、互いに同一のホスト材料およびドーパント材料を含んで構成されている。すなわち、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂにおいて、用いるホスト材料およびドーパント材料の組み合わせが同じであるが、ドーパントの含有量を互いに異ならせることにより、構成材料の導電率を互いに異ならせる。これにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂのそれぞれの導電率を容易に調整することができる。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを互いに異なる材料で構成する場合に比べて、用いる材料の数を少なくすることができる。

このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂに含まれるホスト材料およびドーパント材料としては、それぞれ、特に限定されないが、正孔注入材料を用いることができ、例えば、ＴＡＰＣ（(1,1-ビス[4-(ジ-p-トリル)アミ.ノフェニル]シクロヘキサン)) ：4,4'-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)aniline]）、ＴＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、α−ＮＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(1-ナフチル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4，4’，4”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン：4,4’,4”-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ, Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（4，4’，4”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン：Tris-(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)-amine）、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン：1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene）、スピローＴＡＤ、ＨＴＭ１（Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＨＴＭ２（1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＴＰＴ１（1,3,5-tris(4-pyridyl)-2,4,6-triazin）、ＴＰＴＥ（Triphenylamine-tetramer）、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系等の高分子材料、また、NOVALED社製NDP-9、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の低分子材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも２種を選択して用いることができる。これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、かかるホスト材料としては、前述した正孔注入材料のうち、高分子材料を用いることが好ましく、一方、かかるドーパント材料としては、前述した正孔注入材料のうち、低分子材料を用いることが好ましい。これにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂのゲスト材料のドープ量に応じて、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの正孔注入性を容易に調整することができる。

また、正孔注入層４Ｂにおけるドーパントのドープ率は、正孔注入層４Ｒ、４Ｇにおけるドーパントのドープ率と異なることが好ましい。これにより、正孔注入層４Ｂが正孔注入層４Ｒおよび正孔注入層４Ｇと異なる導電率の材料で構成されることとなり、画素領域ごとに正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの特性を最適化することができる。

ここで、正孔注入層４Ｂの構成材料の導電率が正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料の導電率よりも高いことが好ましい。これにより、正孔注入層４Ｂの構成材料の正孔輸送性を正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料の正孔輸送性よりも高くし、青色の画素を効率的に発光させることができる。これは、発光機能層６Ｂに含まれる青色発光材料が、発光機能層６Ｒ、６Ｇに含まれる赤色発光材料や緑色発光材料に比べて、バンドギャップが大きく、発光させるのにより大きなエネルギー（キャリア量）が必要なためである。

また、本実施形態のようなハイブリット型の発光装置１００においては、後述するように発光機能層６Ｂを気相成膜法により形成するため、通常、発光機能層６Ｂの電子輸送性が、液相プロセスで形成された発光機能層６Ｒ、６Ｇに比べて高くなる。そのため、正孔注入層４Ｂの正孔輸送性が低いと、サブ画素１００Ｂにおいて、発光機能層６Ｂにバランスよく電子および正孔を注入することができなかったり、電子が正孔注入層４Ｂやそれよりも陽極３Ｂ側に侵入して正孔注入層４Ｂの劣化の原因となったりする。そこで、正孔注入層４Ｂの構成材料の導電率を正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料の導電率よりも高くすることで、これらの問題を解決することができる。

また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇのそれぞれの厚さを最適化するとともに、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇのキャリアバランスをそれぞれ最適化する観点から、正孔注入層４Ｒ、４Ｇが互いに導電率の異なる材料で構成されていること、言い換えると、正孔注入層４Ｒ、４Ｇにおけるドーパント材料のドープ率が互いに異なることが好ましい。

ここで、正孔注入層４Ｒの構成材料の導電率が正孔注入層４Ｇの構成材料の導電率よりも高い場合、すなわち、正孔注入層４Ｒにおけるドーパント材料のドープ率が正孔注入層４Ｇにおけるドーパント材料のドープ率よりも高い場合、発光機能層６Ｒに発光機能層６Ｇよりも多くのキャリアを注入し、赤色および緑色の画素の発光バランスを優れたものとすることができる。これは、一般に、緑色発光が赤色発光に比べて効率的に行えるため、すなわち、赤色発光が緑色発光に比べて効率が低いためである。

一方、正孔注入層４Ｒの構成材料の導電率が正孔注入層４Ｇの構成材料の導電率よりも低い場合、すなわち、正孔注入層４Ｒにおけるドーパント材料のドープ率が正孔注入層４Ｇにおけるドーパント材料のドープ率よりも低い場合、発光機能層６Ｇに発光機能層６Ｂよりも多くのキャリアを注入し、赤色および緑色の画素を効率的に発光させることができる。これは、発光機能層６Ｇに含まれる緑色発光材料が、発光機能層６Ｒに含まれる赤色発光材料に比べて、バンドギャップが大きく、発光させるのにより大きなエネルギー（キャリア量）が必要なためである。

また、このようにホスト材料およびドーパント材料を用いる場合、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ中におけるドーパント材料の含有量は、特に限定されないが、０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることが好ましく、１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましく、５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。

このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの厚さは、互いに同じであっても異なっていてもよいが、上述した観点から、正孔注入層４Ｂの膜厚が正孔注入層４Ｒ、４Ｇの膜厚と異なることが好ましい。これにより、画素領域ごとに正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの膜厚を最適化することができる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層５Ｒ（第２正孔輸送層）は、陽極３Ｒから正孔注入層４Ｒを介して注入された正孔を発光機能層６Ｒまで輸送する機能を有する。同様に、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）は、陽極３Ｇから正孔注入層４Ｇを介して注入された正孔を発光機能層６Ｇまで輸送する機能を有する。

また、正孔輸送層５Ｒは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｒに侵入することによる正孔注入層４Ｒの機能低下を防止する機能をも有する。同様に、正孔輸送層５Ｇは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Gに侵入することによる正孔注入層４Gの機能低下を防止する機能をも有する。

正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）および正孔輸送層７は、陽極３Ｂから正孔注入層４Ｂを介して注入された正孔を発光機能層６Ｂまで輸送する機能を有する。

また、正孔輸送層５Ｂ、７は、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｂに侵入することによる正孔注入層４Ｂの機能低下を防止する機能をも有する。なお、正孔輸送層７は、後述するように極めて薄いため、正孔輸送層７単独の電子ブロック性は極めて低く、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、電子の移動を阻害しないようになっている。

正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂは、それぞれ、前述した正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと同一のホスト材料およびドーパント材料を用いて構成されている。すなわち、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂは、互いに同一のホスト材料およびドーパント材料を含んで構成されている。これにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂとの界面でのエネルギー的な障壁を低減し、これらの間の正孔注入性および正孔輸送性を優れたものとすることができる。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを形成する際に用いる材料の数を、各画素領域の層ごとに異なる材料を用いる場合に比べて少なくすることができ、その結果、低コスト化を図ることができる。

また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂにおけるドーパント材料のドープ率は、前述した正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂにおけるドーパント材料のドープ率よりも低い。すなわち、正孔注入層４Ｒにおけるドーパント材料のドープ率が正孔輸送層５Ｒにおけるドーパント材料のドープ率よりも高く、正孔注入層４Ｇにおけるドーパント材料のドープ率が正孔輸送層５Ｇにおけるドーパント材料のドープ率よりも高く、正孔注入層４Ｂにおけるドーパント材料のドープ率が正孔輸送層５Ｂにおけるドーパント材料のドープ率よりも高い。これにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの正孔注入性および正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの正孔輸送性をそれぞれ優れたものとすることができる。このようなことから、発光装置１００の特性を優れたものとすることができる。

また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂに含まれるホスト材料としては、前述した正孔注入材料のうち、高分子材料を用いることが好ましく、一方、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂに含まれるドーパント材料としては、前述した正孔注入材料のうち、低分子材料を用いることが好ましい。これにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂのゲスト材料のドープ量に応じて、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの正孔輸送性を容易に調整することができる。

また、正孔輸送層５Ｂにおけるドーパントのドープ率は、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇおけるドーパントのドープ率と異なることが好ましい。これにより、画素領域ごとに正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの特性を最適化することができる。また、このような観点から、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇおけるドーパントのドープ率が互いに異なることが好ましい。

ここで、正孔輸送層５Ｒにおけるドーパント材料のドープ率が正孔輸送層５Ｇにおけるドーパント材料のドープ率よりも高い場合、発光機能層６Ｒに発光機能層６Ｇよりも多くのキャリアを注入し、赤色および緑色の画素の発光バランスを優れたものとすることができる。

一方、正孔輸送層５Ｒにおけるドーパント材料のドープ率が正孔輸送層５Ｇにおけるドーパント材料のドープ率よりも低い場合、発光機能層６Ｇに発光機能層６Ｂよりも多くのキャリアを注入し、赤色および緑色の画素を効率的に発光させることができる。

また、このようにホスト材料およびドーパント材料を用いる場合、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ中におけるドーパント材料の含有量は、特に限定されないが、０．２ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であることが好ましく、２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることがより好ましく、７ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。

また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの膜厚がそれぞれ正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの膜厚よりも厚いことが好ましい。これにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの電子に対する耐性を優れたものとすることができる。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂに到達する電子の数を低減し、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの劣化を低減することができる。特に、前述したように、ハイブリット型の発光装置１００においては、発光機能層６Ｂの電子輸送性が発光機能層４Ｒ、４Ｇに比べて高くなるため、正孔注入層４Ｂおよび正孔輸送層５Ｂの劣化を低減する観点から、正孔輸送層５Ｂの膜厚を正孔注入層４Ｂの膜厚よりも厚くすることが好ましい。

また、正孔輸送層５Ｂの膜厚が正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの膜厚と異なることが好ましい。これにより、画素領域ごとに正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの膜厚を最適化することができる。

このような正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、正孔注入層４Ｂおよび正孔輸送層５Ｂの劣化を低減する観点から、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

一方、正孔輸送層７の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）の構成材料は、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂと同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）の構成材料と同一または近似した材料を含んでいることにより、正孔輸送層５Ｂから正孔輸送層７を介して発光機能層６Ｂへキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。

また、正孔輸送層７の厚さｔは、２ｎｍ以下であることが好ましく、０．１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．１ｎｍ以上１ｎｍ以下であることがさらに好ましく、０．１ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であることが最も好ましい。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、発光機能層６Ｒ、６Ｇと発光機能層６Ｂとの間に設けられている正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、発光機能層６Ｂから発光機能層６Ｒ、６Ｇへキャリア（電子）を受け渡すことができる。したがって、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂを発光させずに発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させることができる。正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの駆動電圧の上昇を抑えることができる。

ここで、正孔輸送層７の構成材料が前述したように電子ブロック性を有するため、発光素子１Ｂにおいて正孔輸送層７の電子ブロック性を利用して発光機能層６Ｂを効率的に発光させることができる。一方、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、正孔輸送層７の電子ブロック性が高すぎると、発光機能層６Ｒ、６Ｇによる発光が生じなかったり、発光効率が著しく低下したりする。したがって、正孔輸送層７の厚さを極めて薄くして発光素子１Ｒ、１Ｇにおける正孔輸送層７の電子ブロック性を低くすることは極めて有用である。

これに対し、正孔輸送層７の厚さｔが薄すぎると、正孔輸送層７を設けることによる前述した効果が極端に小さくなる傾向を示す。一方、正孔輸送層７の厚さｔが厚すぎると、発光素子１Ｒ、１Ｇの駆動電圧が急激に大きく（発光効率が急激に低く）なるか、または、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂが発光してしまい、所望の色の発光が得られなくなってしまう。
なお、正孔輸送層７は、省略してもよい。

（発光機能層）
発光機能層６Ｒは、正孔輸送層５Ｒに接して設けられ、赤色で発光する機能を有する。また、発光機能層６Ｇは、正孔輸送層５Ｇに接して設けられ、緑色で発光する機能を有する。また、発光機能層６Ｂは、正孔輸送層７に接して設けられ、青色で発光する機能を有する。

発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、それぞれ、発光材料を含んで構成されている。この発光材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができ、発光機能層６Ｒは、発光材料として赤色蛍光材料または赤色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｇは、発光材料として緑色蛍光材料または緑色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｂは、発光材料として青色蛍光材料または青色燐光材料が用いられる。

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＡＤＳ１１１ＲＥ（アメリカンダイソース社製）等を挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）Iridium（III）（acetylacetonate））、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２，２’−benzothienyl）−pyridinato−Ｎ，Ｃ３）Iridium（acetylacetonate））などのイリジウム錯体、ＰｔＯＥＰ（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−Octaethyl−２１Ｈ，２３Ｈ−porphine，platinum（II））などの白金錯体等が挙げられる。

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ＡＤＳ１０９ＧＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Fac−tris（２−phenypyridine）iridium）、Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）Iridium（acetylacetone））などのイリジウム錯体等が挙げられる。

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］、ＡＤＳ１３６ＢＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium−bis（４，６−difluorophenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）−picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium−tris（１−phenyl−３−methylbenzimidazolin−２−ylidene−Ｃ，Ｃ（２）’）、ＦＩｒＮ４（Iridium （III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridin−２−yl）−tetrazolate））、ＦＩｒｔａｚ（Iridium（III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridine−２−yl）−１，２，４−triazolate））などのイリジウム錯体等が挙げられる。

また、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ中には、前述した発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。

このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン）、ＣＢＰ(４，４’−bis(９−dicarbazolyl)−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate）aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４’−bis（９−carbazolyl）−２，２’−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphineoxide）９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（Ｗ−bis（triphenylsilyl）benzene）等の低分子のホスト材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、前述した正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料を溶解可能な溶媒に可溶であることが好ましい。これにより、同じ溶媒を用いて発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成することができる。すなわち、発光機能層６Ｒ、６Ｇを液相プロセスにより形成する際、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成した際に用いた溶媒と同じ溶媒を用いることができる。その結果、発光機能層６Ｒ、６Ｇと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇとの間の界面の密着性または親和性を高め、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇから発光機能層６Ｒ、６Ｇへのキャリア（正孔）の輸送性を高めることができる。

また、発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、低分子材料を主材料として構成されていることが好ましく、低分子のゲスト材料および低分子のホスト材料を主材料として構成されていることがより好ましい。これにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇの発光効率を高めて、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇの発光効率の低下分を補うことができる。その結果、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂの発光バランスを優れたものとすることができる。このような観点から、発光機能層６Ｒ、６Ｇ中の低分子材料の含有量は、６０ｗｔ％以上であることが好ましく、８０ｗｔ％以上であることがより好ましく、９０ｗｔ％以上であることがさらに好ましい。

このような発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層８は、陰極１０から電子注入層９を介して注入された電子を発光機能層６Ｂに輸送する機能を有するものである。

電子輸送層８の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、ＢＡＬｑ、ＯＸＤ−１（１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール））、ＢＣＰ（Bathocuproine）、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビスージフェニルエテニル）ビフェニル）、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＴＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビス（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル）、ＢＢＤ（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール）、また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子輸送層８の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

なお、この電子輸送層８は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。

（電子注入層）
電子注入層９は、陰極１０からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。

この電子注入層９の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層９を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。

また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子注入層９の厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

なお、この電子注入層９は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。

（陰極）
陰極１０は、電子注入層９を介して電子輸送層８に電子を注入する電極である。この陰極１０の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。

陰極１０の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。

特に、陰極１０の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

また、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１０は、光透過性を有していなくてもよい。ボトムエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

ボトムエミッション型である場合の陰極１０の厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

なお、発光素子１がトップエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の光透過性を確保しつつ、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

トップエミッション型である場合における陰極１０の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

以上説明したように構成された発光装置１００によれば、後に詳述するように、液相プロセスを用いて正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｒ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。

特に、以下のように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを同一のホストインクおよびドーパントインクを用いて形成することにより、これらの層を形成する材料の数を減らし、低コスト化を図りつつ、優れた特性を有する発光装置１００を製造することができる。

（発光装置の製造方法）
以下、前述した発光装置１００の製造方法の一例を説明する。

図２〜図４は、図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。以下、各工程を順次説明する。

［１］
まず、回路基板２０を用意し、図２（ａ）に示すように、この回路基板２０上に陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成した後、隔壁３１を形成する。

陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、例えば、回路基板２０上に、蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて電極材料を成膜した後、これをエッチング等を用いてパターニングすることにより得られる。

また、隔壁３１は、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。

ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、回路基板２０等との密着性等を考慮して選択される。具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ_２のような無機材料が挙げられる。

また、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の形成後、必要に応じて、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に酸素プラズマ処理を施してもよい。これにより、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面に親液性を付与すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。

ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、回路基板２０の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。

また、この酸素プラズマ処理の後、ＣＦ_４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理するのが好ましい。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１内に付与される液体が不本意に濡れ拡がるのを低減することができる。

［２］
次に、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド２００からインク４ａ、４ｂを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上にそれぞれ付与する。

インク４ａは、前述した正孔注入層４および正孔輸送層５のホスト材料またはその前駆体（成膜材料）を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるもの（ホストインク）である。また、インク４ｂは、前述した正孔注入層４および正孔輸送層５のドーパント材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるもの（ドーパントインク）である。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

このような２種のインク４ａ、４ｂを隔壁３１内に付与するに際しては、例えば、まず、図２（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００からインク４ａを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上にそれぞれ付与する。

その後、図２（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド２００からインク４ｂを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上にそれぞれ付与する。これにより、陽極３Ｒ上に、インク４ａとインク４ｂとが混合したインク４ｃＲ、陽極３Ｇ上に、インク４ａとインク４ｂとが混合したインク４ｃＧ、陽極３Ｂ上に、インク４ａとインク４ｂとが混合したインク４ｃＢがそれぞれ付与されることとなる。

ここで、インク４ａおよびインク４ｂのうちの少なくとも一方の付与量を画素ごとに異ならせることにより、インク４ｃＲ、４ｃＧ、４ｃＢ中におけるドーパント材料の濃度（含有量）を異ならせることができる。

その後、陽極３上のインク４ｃＲ、４ｃＧ、４ｃＢを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図２（ｄ）に示すように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成する。これにより、ドーパント材料の含有率の異なる正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成される。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、大気圧のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。

以上のように、インク４ａ、４ｂを用いた液相プロセスにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成される。

［３］
次に、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から前述した工程［２］と同様のインク４ａ、４ｂを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上にそれぞれ付与する。

このような２種のインク４ａ、４ｂを隔壁３１内に付与するに際しては、例えば、まず、図３（ａ）に示すように、インクジェットヘッド２００からインク４ａを隔壁３１内の正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ上にそれぞれ付与する。

その後、図３（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００からインク４ｂを隔壁３１内の正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ上にそれぞれ付与する。これにより、正孔注入層４Ｒ上に、インク４ａとインク４ｂとが混合したインク５ｃＲ、正孔注入層４Ｇ上に、インク４ａとインク４ｂとが混合したインク５ｃＧ、正孔注入層４Ｂ上に、インク４ａとインク４ｂとが混合したインク５ｃＢがそれぞれ付与されることとなる。

ここで、インク５ｃＲ、５ｃＧ、５ｃＢ中のドーパント材料の濃度が、前述したインク４ｃＲ、４ｃＧ、４ｃＢ中のドーパント材料の濃度よりも低くする。また、インク４ａおよびインク４ｂのうちの少なくとも一方の付与量を画素ごとに異ならせることにより、インク５ｃＲ、５ｃＧ、５ｃＢ中におけるドーパント材料の濃度（含有量）を異ならせることができる。

その後、正孔注入層４上のインク５ｃＲ、５ｃＧ、５ｃＢを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ｃ）に示すように、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを形成する。これにより、ドーパント材料の含有率が正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂよりも低い正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂが形成される。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成することができる。
以上のように、液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇが形成される。

［４］
次に、図３（ｄ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成する。

より具体的に説明すると、インクジェットヘッドから発光機能層形成用のインクを隔壁３１内の正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上にそれぞれ付与する。

かかるインクは、発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上のインクを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ｄ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成する。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成することができる。
以上のように、液相プロセスにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇが形成される。

［５］
次に、図４（ａ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｂ上に、隔壁３１を跨ってこれらを覆うようにして、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０をこの順で形成する。

正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０は、それぞれ、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［６］
最後に、図４（ｂ）に示すように、陰極１０を樹脂層３２（封止層）を介して封止基板４０を接着する。これにより、発光装置１００が得られる。

以上説明したように、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成し、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。

特に、前述した発光装置１００の製造方法は、インク４ａ、４ｂを準備する準備工程と、インク４ａ、４ｂを用いて正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成する正孔注入層形成工程と、インク４ａ、４ｂを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを形成する正孔輸送層形成工程と、を有するため、低コスト化を図りつつ、優れた特性を有する発光装置１００を製造することができる。

また、正孔注入層形成工程および正孔輸送層形成工程のそれぞれの工程において、インク４ａ、４ｂを各サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに付与して混合した後に乾燥させることにより、比較的簡単に、それぞれ所望のドープ率でドーパント材料を含有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを形成することができる。

（電子機器）
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。

このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の発光装置１００で構成されている。

図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。

この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。

図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。

ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。

また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このような本発明の電子機器は、優れた信頼性を有する。

なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット端末、時計、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。

例えば、本発明の発光装置は、前述した実施形態のものに限定されず、例えば、各画素の発光機能層が独立して設けられた発光装置にも適用可能である。

次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
１．発光素子の製造
（実施例）
＜１＞ まず、厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、ＲＧＢ画素のそれぞれの画素電極として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（第１陽極、第２陽極および第３陽極）を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いて各ＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（撥液性を有するバンク）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した。

＜２＞ 次に、正孔注入層形成用インクを、ＲＧＢ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、正孔注入層（第１、２、３正孔注入層）を形成した。Ｒ画素の正注入層の厚さは２０ｎｍ、Ｇ画素の正孔注入層の厚さは５０ｎｍ、Ｂ画素の正孔注入層の厚さは５０ｎｍであった。

ここで、Ｒ画素用およびＧ画素用の正孔注入層形成用インクとして、ホスト材料であるTFBトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物であるＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を１．０ｇ、ドーパント材料あるNDP-9を０．１０ｇ秤量し、これらを、６５ｇの3-Phenoxytolueneと３５ｇのTriethyleneglycol dimethyl etherとの混合溶液に溶解したものを用いた。

また、Ｂ画素用の正孔注入層形成用インクとして、ホスト材料であるTFBトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物であるＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を１．０ｇ、ドーパント材料あるNDP-9を０．１５ｇ秤量し、これらを、６５ｇの3-Phenoxytolueneと３５ｇのTriethyleneglycol dimethyl etherとの混合溶液に溶解したものを用いた。

また、焼成は、減圧乾燥後、窒素雰囲気下で行い、焼成温度を１８０℃とし、焼成時間を３０分間とした。

このようなインクを用いて、ドーパント材料の含有率１０％のＲ画素およびＧ画素の正孔注入層、ドーパント材料の含有率１５％のＢ画素の正孔注入層を形成した。

＜３＞ 次に、正孔輸送層形成用インクを、ＲＧＢ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、正孔輸送層（第１、２、３正孔輸送層）を形成した。Ｒ画素の正輸送層の厚さは４０ｎｍ、Ｇ画素の正孔輸送層の厚さは１００ｎｍ、Ｂ画素の正孔輸送層の厚さは８０ｎｍであった。

ここで、Ｒ画素用およびＧ画素用の正孔輸送層形成用インクとして、ホスト材料であるTFBトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物であるＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を１．０ｇ、ドーパント材料あるNDP-9を０．０１ｇ秤量し、これらを、６５ｇの3-Phenoxytolueneと３５ｇのTriethyleneglycol dimethyl etherとの混合溶液に溶解したものを用いた。

また、Ｂ画素用の正孔輸送層形成用インクとして、ホスト材料であるTFBトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物であるＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を１．０ｇ、ドーパント材料あるNDP-9を０．０３ｇ秤量し、これらを、６５ｇの3-Phenoxytolueneと３５ｇのTriethyleneglycol dimethyl etherとの混合溶液に溶解したものを用いた。

また、焼成は、減圧乾燥後、窒素雰囲気下で行い、焼成温度を１８０℃とし、焼成時間を３０分間とした。

＜４＞ 次に、発光機能層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ２０ｎｍの発光機能層（第２、第３発光機能層）を形成した。

ここで、Ｇ画素用の発光機能層形成用インクは、成膜材料としてＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム）を重量比９０：１０で混合したもの、添加材料としてポリフェニレンビニレン（重量平均分子量Ｍ：１０００００）、液性媒体（溶媒）とし３−フェノキシトルエン溶液（濃度１．２ｗｔ％）を用いた。また、Ｒ画素の発光機能層形成用インクとして、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）Iridium（III）（acetylacetonate））を重量比９０：１０で混合した３−フェノキシトルエン溶液（濃度１．２ｗｔ％）を用いた。また、乾燥は、５Ｐａ以下の真空度で１０分間減圧乾燥することにより行った。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を２２０℃とし、焼成時間を１０分間とした。

＜５＞ 次に、蒸着により正孔輸送層形成用材料を、ＲＧＢ画素に跨って成膜することにより、厚さ１ｎｍの正孔輸送層（共通正孔輸送層（中間層））を形成した。

ここで、正孔輸送層形成用材料（中間層形成用材料）として、低分子の正孔輸送材料であるα−ＮＰＤを用いた。

＜６＞ 次に、蒸着により発光機能層形成用材料を、ＲＧＢの画素に跨って成膜することにより、厚さ２０ｎｍの発光機能層（第１発光機能層）を形成した。

ここで、発光機能層形成用材料は、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）９０質量部に、ＦＩｒｐｉｃを１０質量部ドープしたものである。

＜７＞ 次に、第２発光機能層上に、Ａｌｑ_３を真空蒸着法により成膜し、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。

＜８＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。

＜９＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される厚さ２００ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、ＲＧＢ画素（第１〜３発光素子）を有する発光装置を製造した。

（比較例）
各正孔注入層および各正孔輸送層におけるドーパントのドープ率が表１に示すよなドープ率となるようにインクを調整した以外は、前述した実施例と同様に発光装置を製造した。

２．評価
２−１．発光寿命の評価
実施例および比較例について、初期の輝度が所定の設定値となるような電流密度で直流電源を用いて各画素の発光素子に定電流を流しつづけ、その間、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の９５％となる時間（ＬＴ９５）を測定した。そして、比較例における各画素の発光素子のＬＴ９５の時間を１．００として規格化し、実施例の対応する各画素の発光素子のＬＴ９５の時間を相対的に評価した。

２−２．発光効率の評価
実施例および比較例について、輝度計を用いて輝度を測定しながら、初期の輝度が所定の設定値となるように、直流電源を用いて発光素子に電流を流し、そのときの電流を測定した。また、このときの発光素子に印加された駆動電圧も同様にして測定した。なお、発光効率および駆動電圧は、比較例の各画素の発光素子を１として規格化し、実施例の対応する各画素の発光素子を相対的に評価した。
上記の評価結果を表１に示す。

表１からわかるように、実施例の発光装置は、比較例の発光装置に比べて、Ｒ画素およびＢ画素の発光素子について、駆動電圧を小さくしながら、長寿命化を図ることができる。

１‥‥発光素子
１Ｂ‥‥発光素子
１Ｇ‥‥発光素子
１Ｒ‥‥発光素子
３‥‥陽極
３Ｂ‥‥陽極
３Ｇ‥‥陽極
３Ｒ‥‥陽極
４Ｂ‥‥正孔注入層
４Ｇ‥‥正孔注入層
４Ｒ‥‥正孔注入層
４ａ‥‥インク
５Ｂ‥‥正孔輸送層
５Ｇ‥‥正孔輸送層
５Ｒ‥‥正孔輸送層
５ａ‥‥インク
５ｂ‥‥インク
６Ｂ‥‥発光機能層
６Ｇ‥‥発光機能層
６Ｒ‥‥発光機能層
６ａ‥‥インク
６ｂ‥‥インク
７‥‥正孔輸送層
８‥‥電子輸送層
９‥‥電子注入層
１０‥‥陰極
２０‥‥回路基板
２１‥‥基板
２２‥‥層間絶縁膜
２３‥‥スイッチング素子
２４‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥樹脂層
４０‥‥封止基板
１００‥‥発光装置
１００Ｒ‥‥サブ画素
１００Ｇ‥‥サブ画素
１００Ｂ‥‥サブ画素
２００‥‥インクジェットヘッド
２３１‥‥半導体層
２３２‥‥ゲート絶縁層
２３３‥‥ゲート電極
２３４‥‥ソース電極
２３５‥‥ドレイン電極
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥回路基板
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニタ
１４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (12)

1. 第１画素領域に設けられている第１陽極と、
   前記第１画素領域とは異なる第２画素領域に設けられている第２陽極と、
   前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して設けられている共通陰極と、
   前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して前記第１陽極および前記第２陽極と前記共通陰極との間に設けられ、第１色で発光する機能を有する第１発光機能層と、
   前記第１発光機能層と前記第２陽極との間に設けられ、前記第１色と異なる第２色で発光する機能を有する第２発光機能層と、
   前記第１発光機能層と前記第１陽極との間に設けられている第１正孔注入層と、
   前記第１正孔注入層と前記第１発光機能層との間に設けられている第１正孔輸送層と、
   前記第２発光機能層と前記第２陽極との間に設けられている第２正孔注入層と、
   前記第２正孔注入層と前記第２発光機能層との間に設けられている第２正孔輸送層と、を有し、
   前記第１正孔注入層、前記第１正孔輸送層、前記第２正孔注入層および前記第２正孔輸送層は、互いに同一のホスト材料およびドーパント材料を含んで構成され、
   前記第１正孔注入層における前記ドーパント材料のドープ率が前記第１正孔輸送層における前記ドーパント材料のドープ率よりも高く、
   前記第２正孔注入層における前記ドーパント材料のドープ率が前記第２正孔輸送層における前記ドーパント材料のドープ率よりも高いことを特徴とする発光装置。
2. 前記第１正孔輸送層の膜厚が前記第１正孔注入層の膜厚よりも厚く、
   前記第２正孔輸送層の膜厚が前記第２正孔輸送層の膜厚よりも厚い請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１正孔輸送層の膜厚が前記第２正孔輸送層の膜厚と異なる請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第１正孔注入層の膜厚が前記第２正孔注入層の膜厚と異なる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記第１正孔輸送層における前記ドーパントのドープ率が前記第２正孔輸送層における前記ドーパントのドープ率と異なる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記第１正孔注入層における前記ドーパントのドープ率が前記第２正孔注入層における前記ドーパントのドープ率と異なる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記第１画素領域および前記第２画素領域と異なる第３画素領域に設けられている第３陽極と、
   前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して設けられている前記共通陰極と、
   前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して前記第１陽極、前記第２陽極および前記第３陽極と前記共通陰極との間に設けられている前記第１発光機能層と、
   前記第１発光機能層と前記第３陽極との間に設けられ、前記第１色および前記第２色と異なる第３色で発光する機能を有する第３発光機能層と、
   前記第３発光機能層と前記第３陽極との間に設けられている第３正孔注入層と、
   前記第３正孔注入層と前記第３発光機能層との間に設けられている第３正孔輸送層と、を有し、
   前記第３正孔注入層および前記第３正孔輸送層は、互いに同一の前記ホスト材料および前記ドーパント材料を含んで構成され、
   前記第３正孔注入層における前記ドーパント材料のドープ率が前記第３正孔輸送層における前記ドーパント材料のドープ率よりも高い請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記第１色が青色、前記第２色が赤色、前記第３色が緑色である請求項７に記載の発光装置。
9. 前記ホスト材料が高分子材料であり、前記ゲスト材料が低分子材料である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置を製造する方法であって、
    前記ホスト材料を含むホストインクと、前記ドーパント材料を含むドーパントインクとを準備する準備工程と、
    前記ホストインクおよび前記ドーパントインクを用いて、前記第１正孔注入層および前記第２正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、
    前記ホストインクおよび前記ドーパントインクを用いて、前記第１正孔輸送層および前記第２正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
11. 前記正孔注入層形成工程および前記正孔輸送層形成工程のそれぞれの工程において、前記ホストインクおよび前記ドーパントインクを前記第１画素領域および前記第２画素領域に付与して混合した後に乾燥させる請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
12. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。

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