JP2016194044A - Substrate, substrate for flexible printed wiring board, and method for manufacturing flexible printed wiring board and substrate - Google Patents

Substrate, substrate for flexible printed wiring board, and method for manufacturing flexible printed wiring board and substrate Download PDF

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誠 中林
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate and a substrate for a flexible printed wiring board having little temperature dependence of electric characteristics and excellent transmission characteristics.SOLUTION: The substrate in one embodiment of the present invention comprises a matrix and a reinforcing material included in the matrix, in which the matrix essentially comprises a fluorocarbon resin; and the substrate has, at -40°C or higher and 125°C or lower and at 10 GHz, a relative permittivity of 2.6 or less, a dielectric loss tangent of 0.004 or less, a variation width of the relative permittivity of 0.0001 or more and 0.08 or less, and a variation width of the dielectric loss tangent of 0.00001 or more and 0.002 or less. The substrate for a flexible printed wiring board in one embodiment of the present invention includes the above substrate and a conductive layer laminated on one surface side of the substrate. The reinforcing material is preferably glass cloth or resin cloth, and is preferably laminated in the middle in a thickness direction.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基板、フレキシブルプリント配線板用基材、フレキシブルプリント配線板及び基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate, a substrate for a flexible printed wiring board, a flexible printed wiring board, and a method for manufacturing the substrate.

近年、情報通信量は増大する一方であり、これに応えるため、例えばICカード、携帯電話端末等の機器においてマイクロ波、ミリ波といった高周波領域での通信が盛んになっている。   In recent years, the amount of information communication has been increasing, and in order to respond to this, communication in a high frequency region such as microwaves and millimeter waves has been actively performed in devices such as IC cards and mobile phone terminals.

一般的なプリント配線板において、伝送速度V及び伝送損失αdは、基板の比誘電率εr、周波数f及び誘電正接tanδとそれぞれ以下の関係(式(1)及び式(2))を満たす。   In a general printed wiring board, the transmission speed V and the transmission loss αd satisfy the following relations (Equation (1) and Equation (2)) with the relative dielectric constant εr, frequency f, and dielectric loss tangent tanδ of the substrate, respectively.

Figure 2016194044
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Figure 2016194044
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つまり、伝送速度Vを大きくすると共に伝送損失αdを小さくするためには、基板の比誘電率εrを小さくすることが望まれる。このため、基板の材料として、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)、ポリフッ化ビリニデン(PVdF)等のフッ素樹脂を用いることが提案されている(例えば特開2001−7466号公報、特許第4296250号公報参照)。   That is, in order to increase the transmission speed V and reduce the transmission loss αd, it is desirable to reduce the relative dielectric constant εr of the substrate. For this reason, polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene are used as substrate materials. It has been proposed to use a fluororesin such as a copolymer (ETFE) or poly (vinylidene fluoride) (PVdF) (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-7466 and 4296250).

特開2001−7466号公報JP 2001-7466 A 特許第4296250号公報Japanese Patent No. 4296250

上記従来のフッ素樹脂を用いた基板は高周波通信に使用可能である点で要求に沿う基板であるといえる。しかし、基板で安定した電気特性を得るためには、比誘電率や誘電正接のばらつきを抑制することが必要とされるところ、上記従来の基板は、比誘電率及び誘電正接を十分に制御できるとはいえない。   It can be said that the board | substrate using the said conventional fluororesin is a board | substrate which meets a request | requirement in the point which can be used for high frequency communication. However, in order to obtain stable electrical characteristics with a substrate, it is necessary to suppress variations in relative permittivity and dielectric loss tangent. However, the conventional substrate can sufficiently control relative permittivity and dielectric loss tangent. That's not true.

さらに、高周波領域での通信において、車載用ミリ波レーダーや、携帯情報機器、携帯通信端末等の携帯機器でミリ波を使用する用途など、屋外での使用例や活用例が増えている。このため、電気特性の温度依存性が少ない基板が求められているが、上記従来のフッ素樹脂を用いた基板は、この点についても不十分である。   Furthermore, in the communication in the high frequency region, there are an increasing number of usage examples and utilization examples outdoors such as an in-vehicle millimeter wave radar, an application using millimeter waves in portable devices such as portable information devices and portable communication terminals. For this reason, there is a demand for a substrate with less temperature dependence of electrical characteristics, but the conventional substrate using a fluororesin is not sufficient in this respect.

本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板、フレキシブルプリント配線板用基材及びフレキシブルプリント配線板、並びにそのような基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made on the basis of the above-described circumstances, and has a substrate with low temperature dependency of electrical characteristics and excellent transmission characteristics, a substrate for flexible printed wiring boards, a flexible printed wiring board, and the like. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a simple substrate.

上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係る基板は、マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である基板であって、−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である基板である。   A substrate according to one embodiment of the present invention made to solve the above-mentioned problem is a substrate containing a matrix and a reinforcing material contained in the matrix, the main component of the matrix being a fluororesin, The relative dielectric constant at 40 GHz to 125 ° C. and 10 GHz is 2.6 or less, the dielectric loss tangent is 0.004 or less, the change width of the relative dielectric constant is 0.0001 or more and 0.08 or less, and the change width of the dielectric loss tangent is 0.00. It is a substrate which is 00001 or more and 0.002 or less.

上記課題を解決するためになされた別の本発明の一態様に係るフレキシブルプリント配線板用基材は、上記基板と、この基板の一方の面側に積層される導電層とを備えるフレキシブルプリント配線板用基材である。   A flexible printed wiring board substrate according to another aspect of the present invention made to solve the above-described problem is a flexible printed wiring comprising the substrate and a conductive layer laminated on one surface side of the substrate. It is a base material for board.

上記課題を解決するためになされたさらに別の本発明の一態様に係るフレキシブルプリント配線板は、上記フレキシブルプリント配線板用基材をを用いたフレキシブルプリント配線板である。   The flexible printed wiring board which concerns on another one aspect | mode of this invention made | formed in order to solve the said subject is a flexible printed wiring board using the said base material for flexible printed wiring boards.

上記課題を解決するためになされたさらに別の本発明の一態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程とを備え、得られる基板の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である基板の製造方法である。   Another method for manufacturing a substrate according to one aspect of the present invention, which has been made to solve the above problems, includes a step of superposing a resin film containing a fluororesin as a main component on both surfaces of a glass cloth or a resin cloth, And the step of thermocompression bonding the combined material while vacuum suction, and the resulting substrate has a relative dielectric constant of −40 ° C. or higher and 125 ° C. or lower and 10 GHz at 2.6 GHz or lower, a dielectric loss tangent of 0.004 or lower, and a relative dielectric constant. Is a variation of 0.0001 to 0.08, and the variation of the loss tangent is 0.00001 to 0.002.

上記課題を解決するためになされたさらに別の本発明の一態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、含浸させた上記組成物を加熱する工程とを備え、得られる基板の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である基板の製造方法である。   A method for producing a substrate according to another embodiment of the present invention, which has been made to solve the above-described problems, includes a step of impregnating a surface and inside of a glass cloth or a resin cloth with a composition containing a fluororesin as a main component, Heating the impregnated composition, and the resulting substrate has a dielectric constant of −40 ° C. or more and 125 ° C. or less and a dielectric constant at 10 GHz of 2.6 or less, a dielectric loss tangent of 0.004 or less, and a change in relative dielectric constant. This is a method for manufacturing a substrate having a width of 0.0001 or more and 0.08 or less, and a change in dielectric tangent of 0.00001 or more and 0.002 or less.

本発明の基板、フレキシブルプリント配線用基材及びフレキシブルプリント配線板は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。本発明の基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。   The substrate, the substrate for flexible printed wiring, and the flexible printed wiring board of the present invention have less temperature dependence of electrical characteristics and excellent transmission characteristics. The substrate manufacturing method of the present invention can easily manufacture a substrate with less temperature dependence of electrical characteristics and excellent transmission characteristics.

本発明の一実施形態の基板を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the board | substrate of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のフレキシブルプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the base material for flexible printed wiring boards of one Embodiment of this invention. 実施例1、2及び比較例1、2の比誘電率の温度依存性を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature dependence of the dielectric constant of Examples 1, 2 and Comparative Examples 1, 2. 実施例1、2及び比較例1、2の誘電正接の温度依存性を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature dependence of the dielectric loss tangent of Examples 1, 2 and Comparative Examples 1, 2.

[本発明の実施形態の説明]
本発明の一態様に係る基板は、マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である基板であって、−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である。
[Description of Embodiment of the Present Invention]
A substrate according to one embodiment of the present invention includes a matrix and a reinforcing material included in the matrix, and the main component of the matrix is a fluororesin, and is at −40 ° C. or higher and 125 ° C. or lower and at 10 GHz. The relative dielectric constant is 2.6 or less, the dielectric loss tangent is 0.004 or less, the change width of the relative dielectric constant is 0.0001 or more and 0.08 or less, and the change width of the dielectric loss tangent is 0.00001 or more and 0.002 or less.

当該基板は、マトリックスの主成分がフッ素樹脂であるので、高周波領域に用いた際の伝送損失を抑制できる。また、当該基板は、マトリックス中に補強材を含有するので、強度及び寸法安定性を確保できる。さらに、当該基板は、−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率及び誘電正接が上記範囲であるので、伝送特性に優れる。また、当該基板は、−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅が上記範囲であるので、電気特性の温度依存性が少ない。   Since the main component of the matrix of the substrate is a fluororesin, transmission loss when used in a high frequency region can be suppressed. Moreover, since the said board | substrate contains a reinforcing material in a matrix, intensity | strength and dimensional stability are securable. Further, since the substrate has a relative dielectric constant and a dielectric loss tangent at −40 ° C. or higher and 125 ° C. or lower and 10 GHz in the above range, the substrate has excellent transmission characteristics. In addition, since the substrate has a relative dielectric constant variation range and a dielectric loss tangent variation range of −40 ° C. or more and 125 ° C. or less and 10 GHz, the temperature dependence of electrical characteristics is small.

ここで「主成分」とは、最も含有量が多い成分であり、例えば含有量が50質量%以上、好ましくは90質量%以上の成分を指す。また「比誘電率」及び「誘電正接」は、それぞれJIS−C−2138(2007年)に準拠する空洞共振器摂道法により、相対湿度50%の条件で測定される厚さ方向の値である。   Here, the “main component” is a component having the largest content, for example, a component having a content of 50% by mass or more, preferably 90% by mass or more. “Relative permittivity” and “dielectric loss tangent” are values in the thickness direction measured at a relative humidity of 50% by a cavity resonator perturbation method in accordance with JIS-C-2138 (2007), respectively. is there.

上記補強材としては、ガラスクロス又は樹脂クロスが好ましく、厚み方向の中間に積層されていることが好ましい。このように、補強材がガラスクロス又は樹脂クロスであり、厚み方向の中間に積層されていると、強度及び寸法安定性をより向上でき、基板での反りの発生をより効果的に抑制できる。   The reinforcing material is preferably a glass cloth or a resin cloth, and is preferably laminated in the middle in the thickness direction. Thus, when the reinforcing material is a glass cloth or a resin cloth and is laminated in the middle in the thickness direction, the strength and dimensional stability can be further improved, and the occurrence of warpage in the substrate can be more effectively suppressed.

上記フッ素樹脂は、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)又はテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)を50質量%以上含有することが好ましい。当該基板がマトリックスとしてFEPやPFAを主体として含むと、より良好な電気特性を得つつ、電気特性の温度依存性をより少なくできる。これは、FEP及びPFAは、結晶化度が小さく、さらに結晶構造の変化に伴う電気特性の変化が小さいためと推測される。   The fluororesin preferably contains 50% by mass or more of tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP) or tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA). When the substrate contains FEP or PFA as a matrix as a main component, the temperature dependency of the electrical characteristics can be reduced while obtaining better electrical characteristics. This is presumably because FEP and PFA have a small degree of crystallinity and further a small change in electrical characteristics accompanying a change in crystal structure.

上記補強材の含有量としては、1体積%以上50体積%以下が好ましい。上記補強材の含有量を上記範囲とすることで、平面視で補強材が含まれる領域での電気特性に影響を与えることなく、電気特性の温度依存性をより少なくできる。ここで「補強材の含有量」とは、平面視で補強材が含まれる領域での含有量を意味する。   As content of the said reinforcing material, 1 volume% or more and 50 volume% or less are preferable. By making content of the said reinforcing material into the said range, the temperature dependence of an electrical property can be made less, without affecting the electrical property in the area | region where a reinforcing material is included by planar view. Here, the “content of the reinforcing material” means the content in a region where the reinforcing material is included in a plan view.

当該基板は、一方の面にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有することが好ましい。このように上記改質層を一方の面に有することで、一方の面側に積層される導電層に対して伝送損失の抑制を阻害する粗化処理を施さなくても密着性を向上でき、導電層の剥離をより抑制できる。   The substrate preferably has a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on one surface. By having the modified layer on one side in this way, the adhesion can be improved without performing a roughening treatment that inhibits suppression of transmission loss on the conductive layer laminated on one side, The peeling of the conductive layer can be further suppressed.

本発明の別の態様に係るフレキシブルプリント配線板用基材は、上記基板と、この基板の一方の面側に積層される導電層とを備える。当該フレキシブルプリント配線板用基材は、上記基板を備えるので電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。   The base material for flexible printed wiring boards which concerns on another aspect of this invention is equipped with the said board | substrate and the electrically conductive layer laminated | stacked on the one surface side of this board | substrate. Since the flexible printed wiring board base material includes the substrate, the temperature dependence of electrical characteristics is small and the transmission characteristics are excellent.

上記導電層としては、銅箔が好ましい。銅箔は、導電性及び可撓性に優れ、かつコスト面で有利である。導電層を銅箔とすることで優れた伝送特性を得つつ、より良好なフレキシブル性を得ることができる。   The conductive layer is preferably a copper foil. Copper foil is excellent in conductivity and flexibility, and is advantageous in terms of cost. Better flexibility can be obtained while obtaining excellent transmission characteristics by using a copper foil as the conductive layer.

上記基板と上記導電層との剥離強度としては、10N/cm以上が好ましい。上記剥離強度を上記下限以上とすることで、導電層の剥離をより抑制することができる。ここで、上記剥離強度は、JIS−K−6854−2(1999年)の「接着剤−剥離接着強さ試験方法−2部:180度剥離」に準拠する試験方法により得られる剥離強度を指す。   The peel strength between the substrate and the conductive layer is preferably 10 N / cm or more. By setting the peeling strength to be equal to or higher than the lower limit, peeling of the conductive layer can be further suppressed. Here, the said peeling strength points out the peeling strength obtained by the test method based on "Adhesive-peeling adhesive strength test method-2 part: 180 degree peeling" of JIS-K-6854-2 (1999). .

上記フレキシブルプリント配線板用基材の加熱変形性としては、0.5%以下が好ましい。上記加熱変形性を上記上限以下とすることで、寸法安定性をより向上でき、電気特性の温度依存性をより少なくできる。上記加熱変形性は、JIS−C−6471(1995年)の「寸法安定性」に準拠して、温度150℃、時間30分の条件での加熱前後の銅箔の寸法変化率を測定することにより求められる値である。ここで、寸法変化率は、下記式より求められる。
寸法変化率(%)=(加熱後の標点間距離と加熱前の標点間距離との差の絶対値)/(加熱前の標点間距離)×100
The heat deformability of the flexible printed wiring board substrate is preferably 0.5% or less. By setting the heat deformability to the upper limit or less, the dimensional stability can be further improved, and the temperature dependence of the electrical characteristics can be further reduced. The heat deformability is measured by measuring the dimensional change rate of the copper foil before and after heating under the conditions of a temperature of 150 ° C. and a time of 30 minutes in accordance with “Dimensional stability” of JIS-C-6471 (1995). Is a value obtained by Here, the dimensional change rate is obtained from the following equation.
Dimensional change rate (%) = (absolute value of difference between distance between gauge points after heating and distance between gauge points before heating) / (distance between gauge points before heating) × 100

本発明の別の態様に係るフレキシブルプリント配線板は、上記フレキシブルプリント配線板用基材を用いたフレキシブルプリント配線板である。当該フレキシブルプリント配線板は、上記フレキシブルプリント配線板用基材を用いるので、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。   The flexible printed wiring board which concerns on another aspect of this invention is a flexible printed wiring board using the said base material for flexible printed wiring boards. Since the flexible printed wiring board uses the base material for flexible printed wiring boards, the temperature dependence of electrical characteristics is small and the transmission characteristics are excellent.

本発明の別の態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程とを備え、得られる基板の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である。   The substrate manufacturing method according to another aspect of the present invention includes a step of superposing a resin film containing a fluororesin as a main component on both surfaces of a glass cloth or a resin cloth, and thermocompression bonding the superposed material while vacuum suctioning. The substrate has a relative dielectric constant of 2.6 or lower, a dielectric loss tangent of 0.004 or lower, and a relative dielectric constant variation range of 0.0001 or higher and 0.08. Hereinafter, the change width of the dielectric loss tangent is 0.00001 or more and 0.002 or less.

当該基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。   The substrate manufacturing method can easily manufacture a substrate having less temperature dependence of electrical characteristics and excellent transmission characteristics.

上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始することが好ましい。このように、上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始すれば、ガラスクロス又は樹脂クロスと上記樹脂フィルムとがより一体化した基板を得ることができる。   It is preferable to start vacuum suction before the start of the thermocompression bonding. Thus, if vacuum suction is started before the thermocompression bonding is started, a substrate in which the glass cloth or the resin cloth and the resin film are more integrated can be obtained.

本発明の別の態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、含浸させた上記組成物を加熱する工程とを備え、得られる基板の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である基板の製造方法である。   The method for producing a substrate according to another aspect of the present invention includes a step of impregnating a glass cloth or a resin cloth with a composition containing a fluororesin as a main component on the surface and inside thereof, and a step of heating the impregnated composition. The relative permittivity of the obtained substrate at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz is 2.6 or less, the dielectric loss tangent is 0.004 or less, and the variation range of the relative permittivity is 0.0001 to 0.08, This is a method for manufacturing a substrate in which the variation width of the dielectric loss tangent is 0.00001 or more and 0.002 or less.

当該基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。   The substrate manufacturing method can easily manufacture a substrate having less temperature dependence of electrical characteristics and excellent transmission characteristics.

[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明に係る基板、フレキシブルプリント配線板用基材、フレキシブルプリント配線板及び基板の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
[Details of the embodiment of the present invention]
Hereinafter, a substrate, a substrate for flexible printed wiring boards, a flexible printed wiring board, and a method for manufacturing a board according to the present invention will be described with reference to the drawings.

<基板>
図1に示す基板1は、マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である。具体的には、基板1は、フッ素樹脂層2と、このフッ素樹脂層2の厚み方向の中間に積層される補強材層3と、フッ素樹脂層2の一方の面に積層される改質層4とを備える。
<Board>
A substrate 1 shown in FIG. 1 contains a matrix and a reinforcing material contained in the matrix, and the main component of the matrix is a fluororesin. Specifically, the substrate 1 includes a fluororesin layer 2, a reinforcing material layer 3 laminated in the middle of the thickness direction of the fluororesin layer 2, and a modified layer laminated on one surface of the fluororesin layer 2. 4.

[フッ素樹脂層]
フッ素樹脂層2は、基板1のマトリックスの主成分であるフッ素樹脂を主成分とする。ここで、「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも1つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基(以下、「フッ素原子含有基」ともいう)で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも1つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
[Fluororesin layer]
The fluororesin layer 2 is mainly composed of a fluororesin that is a main component of the matrix of the substrate 1. Here, the “fluororesin” refers to an organic group in which at least one hydrogen atom bonded to the carbon atom constituting the repeating unit of the polymer chain has a fluorine atom or a fluorine atom (hereinafter referred to as “fluorine atom-containing group”). )). The fluorine atom-containing group is a group in which at least one hydrogen atom in a linear or branched organic group is substituted with a fluorine atom, and examples thereof include a fluoroalkyl group, a fluoroalkoxy group, and a fluoropolyether group. .

上記「フルオロアルキル基」とは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、「パーフルオロアルキル基」等が例示できる。具体的なフルオロアルキル基としては、例えばアルキル基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルキル基の末端の1つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。   The “fluoroalkyl group” means an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and examples thereof include a “perfluoroalkyl group”. Specific examples of the fluoroalkyl group include a group in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms, and a group in which a hydrogen atom other than one hydrogen atom at the terminal of the alkyl group is substituted with fluorine atoms. It is done.

上記「フルオロアルコキシ基」とは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基を意味し、「パーフルオロアルコキシ基」等が例示できる。具体的なフルオロアルコキシ基としては、例えばアルコキシ基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルコキシ基の末端の1つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。   The “fluoroalkoxy group” means an alkoxy group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and examples thereof include a “perfluoroalkoxy group”. Specific examples of the fluoroalkoxy group include a group in which all hydrogen atoms of the alkoxy group are substituted with fluorine atoms, and a group in which a hydrogen atom other than one hydrogen atom at the terminal of the alkoxy group is substituted with fluorine atoms. It is done.

上記「フルオロポリエーテル基」とは、繰り返し単位としてオキシアルキレン単位を有し、末端にアルキル基又は水素原子を有する1価の基であって、このアルキレンオキシド鎖又は末端のアルキル基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された1価の基を意味する。フルオロポリエーテル基としては、例えば繰り返し単位として複数のパーフルオロアルキレンオキシド鎖を有する「パーフルオロポリエーテル基」等が例示できる。   The “fluoropolyether group” is a monovalent group having an oxyalkylene unit as a repeating unit and having an alkyl group or a hydrogen atom at the terminal, and at least one of the alkylene oxide chain or the terminal alkyl group. A monovalent group in which a hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. Examples of the fluoropolyether group include a “perfluoropolyether group” having a plurality of perfluoroalkylene oxide chains as repeating units.

上記フッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体(ETFE)、ポリビニリデンフルオライド(PVDF)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体(ECTFE)、ポリフッ化ビニル(PVF)、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ビニリデンフルオライドの3種類のモノマーにより形成される熱可塑性フッ素樹脂(THV)及びフルオロエラストマー等が挙げられる。また、これら化合物を含む混合物やコポリマーも上記フッ素樹脂として使用できる。   Examples of the fluororesin include polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), and tetrafluoroethylene-ethylene copolymer. Polymer (ETFE), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), chlorotrifluoroethylene-ethylene copolymer (ECTFE), polyvinyl fluoride (PVF), tetrafluoroethylene, hexafluoro Examples thereof include thermoplastic fluororesin (THV) and fluoroelastomer formed by three types of monomers such as propylene and vinylidene fluoride. Moreover, the mixture and copolymer containing these compounds can also be used as the said fluororesin.

中でも、上記フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)又はテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)が好ましく、フッ素樹脂がこれらの樹脂を50質量%以上含有することが好ましい。これらのフッ素樹脂は比誘電率が比較的低い材料であり、かつ温度依存性が低いため、これらのフッ素樹脂を上記マトリックスの主成分とすることで、伝送損失をより抑制できる。   Among these, as the fluororesin, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP) or tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA) is preferable, and the fluororesin contains 50% by mass or more of these resins. It is preferable to contain. Since these fluororesins are materials having a relatively low relative dielectric constant and low temperature dependency, transmission loss can be further suppressed by using these fluororesins as the main component of the matrix.

詳しく説明すると、PTFEは19℃及び30℃において結晶構造が特異的に変化して、線膨張率や比重が変化し、電気特性も大きく変化する(例えば「ふっ素樹脂ハンドブック」(日刊工業新聞社、1990年発行)参照)。さらに、PTFEの結晶化度は60%以上85%以下であり、PFAの結晶化度は50%以上60%以下であり、FEPの結晶化度は40%以上50%以下である。このように、FEP及びPFAの結晶化度はPTFEの結晶化度より小さい。ゆえに、PFA及びFEPは、結晶化度が小さく、仮に結晶構造の特異的な変化が起こったとしても電気特性等の変化への影響は少ないと推測される。このため、PFA及びFEPは、PTFEと比べて、温度変化による電気特性の変動幅が小さく、電気特性が安定している。つまり、PFA及びFEPは、PTFEと比べて、電気特性の温度依存性が良好である。   More specifically, PTFE has a specific crystal structure change at 19 ° C. and 30 ° C., a linear expansion coefficient and a specific gravity change, and electrical characteristics are also greatly changed (for example, “Fluorine Resin Handbook” (Nikkan Kogyo Shimbun, (Issued in 1990)). Furthermore, the crystallinity of PTFE is 60% or more and 85% or less, the crystallinity of PFA is 50% or more and 60% or less, and the crystallinity of FEP is 40% or more and 50% or less. Thus, the crystallinity of FEP and PFA is smaller than the crystallinity of PTFE. Therefore, PFA and FEP have a low degree of crystallinity, and even if a specific change in the crystal structure occurs, it is estimated that there is little influence on the change in electrical characteristics and the like. For this reason, compared with PTFE, PFA and FEP have a smaller fluctuation range of electrical characteristics due to temperature changes, and electrical characteristics are stable. That is, PFA and FEP have better temperature dependence of electrical characteristics than PTFE.

上記マトリックスには、上記フッ素樹脂以外の成分(任意成分)が含まれてもよい。この任意成分としては、例えば上記フッ素樹脂以外の樹脂、難燃剤、難燃助剤、顔料、酸化防止剤、反射付与剤、隠蔽剤、滑剤、加工安定剤、可塑剤、発泡剤等が挙げられる。この場合、上記マトリックス中の任意成分の含有量の上限としては、20質量%が好ましく、10質量%がより好ましい。   The matrix may contain components (arbitrary components) other than the fluororesin. Examples of this optional component include resins other than the above-mentioned fluororesins, flame retardants, flame retardant aids, pigments, antioxidants, reflection imparting agents, masking agents, lubricants, processing stabilizers, plasticizers, foaming agents, and the like. . In this case, as an upper limit of content of the arbitrary component in the said matrix, 20 mass% is preferable and 10 mass% is more preferable.

フッ素樹脂層2は、中空構造を有してもよい。中空構造を有すると比誘電率をより小さくできるため、伝送損失をより効果的に抑制できる。   The fluororesin layer 2 may have a hollow structure. Since the dielectric constant can be further reduced by having a hollow structure, transmission loss can be more effectively suppressed.

フッ素樹脂層2の補強材以外の部分2a(基板1のマトリックス)の比誘電率の上限としては、2.7が好ましく、2.5がより好ましい。一方、上記比誘電率の下限としては、1.2が好ましく、1.4がより好ましい。上記比誘電率が上記上限を超える場合、誘電正接が大きくなりすぎ、伝送損失を十分に小さくできないおそれがあると共に、十分な伝送速度が得られないおそれがある。また、上記比誘電率が上記下限未満である場合、導電層を一方の面側に積層した基板1をパターン状にエッチングして回路を設ける際に回路幅を十分に小さくできないおそれや、強度が低下するおそれがある。   The upper limit of the relative dielectric constant of the portion 2a (matrix of the substrate 1) other than the reinforcing material of the fluororesin layer 2 is preferably 2.7, and more preferably 2.5. On the other hand, the lower limit of the relative dielectric constant is preferably 1.2, more preferably 1.4. When the relative dielectric constant exceeds the upper limit, the dielectric loss tangent becomes too large, and there is a possibility that the transmission loss cannot be sufficiently reduced, and a sufficient transmission rate may not be obtained. Further, when the relative dielectric constant is less than the lower limit, the circuit width may not be sufficiently reduced when the circuit is provided by etching the substrate 1 having the conductive layer laminated on one surface side, and the strength is low. May decrease.

フッ素樹脂層2の補強材以外の部分2a(基板1のマトリックス)の線膨張率の上限としては、2×10−5/℃が好ましい。一方、上記線膨張率の下限としては、1.2×10−4/℃が好ましい。上記線膨張率が上記上限を超える場合、フッ素樹脂層2が温度変化により体積変化を生じ、反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。また、上記線膨張率が上記下限未満である場合、コスト面で問題を生じるおそれがある。 The upper limit of the linear expansion coefficient of the portion 2a (matrix of the substrate 1) other than the reinforcing material of the fluororesin layer 2 is preferably 2 × 10 −5 / ° C. On the other hand, the lower limit of the linear expansion coefficient is preferably 1.2 × 10 −4 / ° C. When the said linear expansion coefficient exceeds the said upper limit, the fluororesin layer 2 produces a volume change by a temperature change, and there exists a possibility that generation | occurrence | production of curvature cannot be suppressed effectively. Moreover, when the said linear expansion coefficient is less than the said minimum, there exists a possibility of producing a problem in cost.

フッ素樹脂層2は補強材層3によって上下2層に分割されるが、この一対の層は略同じ厚みを有することが好ましい。一対の層において、厚みが大きく異なると、熱膨張によりフッ素樹脂層2で反りを生じるおそれがある。なお、「略同じ厚み」とは、一方の層の平均厚みに対する他方の層の平均厚みの比が0.9以上1.1以下である場合をいう。   The fluororesin layer 2 is divided into two upper and lower layers by the reinforcing material layer 3, and the pair of layers preferably have substantially the same thickness. If the thicknesses of the pair of layers are greatly different, the fluororesin layer 2 may be warped due to thermal expansion. Note that “substantially the same thickness” means that the ratio of the average thickness of the other layer to the average thickness of the one layer is 0.9 or more and 1.1 or less.

フッ素樹脂層2の補強材層3によって分割される各層の平均厚みの上限としては、1mmが好ましく、100μmがより好ましく、50μmがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、0.5μmが好ましく、1μmがより好ましく、10μmがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、可撓性が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満の場合、基板1の誘電正接が大きくなり、伝送損失を十分に小さくできないおそれや十分な伝送速度が得られないおそれがある。   The upper limit of the average thickness of each layer divided by the reinforcing material layer 3 of the fluororesin layer 2 is preferably 1 mm, more preferably 100 μm, and even more preferably 50 μm. On the other hand, the lower limit of the average thickness is preferably 0.5 μm, more preferably 1 μm, and even more preferably 10 μm. When the average thickness exceeds the upper limit, application to an electronic device that requires flexibility may be difficult. Further, when the average thickness is less than the lower limit, the dielectric loss tangent of the substrate 1 is increased, and there is a possibility that the transmission loss cannot be sufficiently reduced or a sufficient transmission speed cannot be obtained.

なお、本明細書において、「平均厚み」とは、対象物の厚み方向に切断した断面における測定長さ内の表面側の界面の平均線と、裏面側の界面の平均線との間の距離を指す。ここで、「平均線」とは、界面に沿って引かれる仮想直線であって、界面とこの仮想直線とによって区画される山の総面積(仮想直線よりも上側の総面積)と谷の総面積(仮想直線よりも下側の総面積)とが等しくなるような線を意味する。   In this specification, “average thickness” means the distance between the average line of the front-side interface and the average line of the back-side interface within the measurement length in the cross-section cut in the thickness direction of the object. Point to. Here, the “average line” is an imaginary straight line drawn along the interface, and the total area of the mountains (the total area above the imaginary straight line) divided by the interface and the imaginary straight line and the total of the valleys. It means a line having an equal area (total area below the virtual straight line).

(補強材層)
補強材層3は、フィルム状又はクロス状の補強材を含む層である。
(Reinforcement layer)
The reinforcing material layer 3 is a layer containing a film-like or cloth-like reinforcing material.

上記補強材としては、フッ素樹脂層2の補強材以外の部分2aよりも線膨張率が小さいものであれば特に限定されるものではないが、絶縁性と、フッ素樹脂の融点で溶融流動しない耐熱性と、フッ素樹脂と同等以上の引っ張り強さと、耐腐食性とを有することが望ましい。このような補強材としては、例えばガラスをクロス状に形成したガラスクロス、このようなガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させたフッ素樹脂含有ガラスクロス、金属、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、アラミド等により形成された耐熱繊維を含む樹脂クロス、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、熱硬化樹脂、架橋樹脂等を主成分とする耐熱フィルムなどから構成することが可能である。なお、上記樹脂クロス及び耐熱フィルムとしては、後述する基板の製造方法で熱圧着する工程の温度以上の融点(又は熱変形温度)を有するものが好ましい。上記樹脂クロスの織り方としては、フッ素樹脂層2を薄くするためには平織りが好ましいが、フッ素樹脂層2を屈曲可能とするためには綾織り及びサテン織りが好ましい。この他、公知の織り方を適用することができる。   The reinforcing material is not particularly limited as long as the coefficient of linear expansion is smaller than that of the portion 2a other than the reinforcing material of the fluororesin layer 2, but the insulating property and the heat resistance that does not melt and flow at the melting point of the fluororesin. Desirably, it has tensile strength equal to or better than that of fluororesin, and corrosion resistance. As such a reinforcing material, for example, a glass cloth in which glass is formed in a cloth shape, a fluororesin-containing glass cloth in which such a glass cloth is impregnated with a fluororesin, metal, ceramics, polytetrafluoroethylene, polyetheretherketone Resin cloth containing heat-resistant fibers formed of polyimide, aramid, etc., polytetrafluoroethylene, liquid crystal polymer, polyimide, polyamideimide, polybenzimidazole, polyetheretherketone, polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl It can be composed of a heat-resistant film mainly composed of a vinyl ether copolymer, a thermosetting resin, a cross-linked resin, or the like. In addition, as said resin cloth and a heat resistant film, what has melting | fusing point (or heat deformation temperature) more than the temperature of the process of thermocompression bonding with the manufacturing method of the board | substrate mentioned later is preferable. As a weaving method of the resin cloth, a plain weave is preferable to make the fluororesin layer 2 thin, but a twill weave and a satin weave are preferable to make the fluororesin layer 2 bendable. In addition, a known weaving method can be applied.

上記補強材が上記フッ素樹脂含有ガラスクロスである場合、ガラスクロスに含浸されるフッ素樹脂は基板1のマトリックスであってもよい。   When the reinforcing material is the fluororesin-containing glass cloth, the fluororesin impregnated in the glass cloth may be a matrix of the substrate 1.

中でも、上記補強材としては、強度及び寸法安定性をさらに向上させる観点より、上記ガラスクロス又は上記樹脂クロスが好ましい。   Among these, as the reinforcing material, the glass cloth or the resin cloth is preferable from the viewpoint of further improving the strength and dimensional stability.

基板1における補強材の含有量の上限としては、基板1の全体積に対して、50体積%が好ましく、40体積%がより好ましく、30体積%がさらに好ましい。一方、上記含有量の下限としては、1体積%が好ましく、5体積%がより好ましく、10体積%がさらに好ましい。上記含有量が上記上限を超える場合、温度変化により電気特性の劣化を生じるおそれがある。また、上記含有量が上記下限未満の場合、温度変化により、強度の低下や寸法安定性の低下を生じるおそれがある。   The upper limit of the content of the reinforcing material in the substrate 1 is preferably 50% by volume, more preferably 40% by volume, and still more preferably 30% by volume with respect to the total volume of the substrate 1. On the other hand, as a minimum of the above-mentioned content, 1 volume% is preferred, 5 volume% is more preferred, and 10 volume% is still more preferred. When the content exceeds the upper limit, there is a possibility that electrical characteristics are deteriorated due to a temperature change. Moreover, when the said content is less than the said minimum, there exists a possibility of producing a fall of intensity | strength and a fall of dimensional stability by a temperature change.

上記ガラスクロスのガラス繊維の密度の上限としては、5g/mが好ましく、3g/mがより好ましい。一方、上記密度の下限としては、1g/mが好ましく、2g/mがより好ましい。 The upper limit of the density of the glass fibers of the glass cloth is preferably 5g / m 3, 3g / m 3 and more preferably. On the other hand, the lower limit of the density is preferably 1 g / m 3, more preferably 2 g / m 3.

上記ガラスクロスのガラス繊維の引張強度の上限としては、10GPaが好ましく、5GPaがより好ましい。一方、上記引張強度の下限としては、1GPaが好ましく、2GPaがより好ましい。   As an upper limit of the tensile strength of the glass fiber of the said glass cloth, 10 GPa is preferable and 5 GPa is more preferable. On the other hand, the lower limit of the tensile strength is preferably 1 GPa, more preferably 2 GPa.

上記ガラスクロスのガラス繊維の引張弾性率の上限としては、200GPaが好ましく、100GPaがより好ましい。一方、上記引張弾性率の下限としては、10GPaが好ましく、50GPaがより好ましい。   As an upper limit of the tensile elasticity modulus of the glass fiber of the said glass cloth, 200 GPa is preferable and 100 GPa is more preferable. On the other hand, the lower limit of the tensile modulus is preferably 10 GPa, more preferably 50 GPa.

上記ガラスクロスのガラス繊維の最大伸び率の上限としては、20%が好ましく、10%がより好ましい。一方、上記最大伸び率の下限としては、1%が好ましく、3%がより好ましい。   The upper limit of the maximum elongation of the glass fiber of the glass cloth is preferably 20%, and more preferably 10%. On the other hand, the lower limit of the maximum elongation is preferably 1%, more preferably 3%.

上記ガラスクロスのガラス繊維の軟化点の上限としては、1200℃が好ましく、1000℃がより好ましい。一方、上記軟化点の下限としては、700℃が好ましく、800℃がより好ましい。上記軟化点は、JIS−K−7234(1986)に規定する環球法により測定した軟化点を意味する。   As an upper limit of the softening point of the glass fiber of the said glass cloth, 1200 degreeC is preferable and 1000 degreeC is more preferable. On the other hand, as a minimum of the above-mentioned softening point, 700 ° C is preferred and 800 ° C is more preferred. The said softening point means the softening point measured by the ring and ball method prescribed | regulated to JIS-K-7234 (1986).

上記補強材の比誘電率の上限としては、10が好ましく、6がより好ましく、5がさらに好ましい。一方、上記比誘電率の下限としては、1.2が好ましく、1.5がより好ましく、1.8がさらに好ましい。上記比誘電率が上記上限を超える場合、誘電正接が大きくなり伝送損失を十分に小さくできないおそれがあると共に、十分な伝送速度が得られないおそれがある。また、上記比誘電率が上記下限未満である場合、コストが高くなるおそれがある。   The upper limit of the relative dielectric constant of the reinforcing material is preferably 10, more preferably 6, and even more preferably 5. On the other hand, the lower limit of the relative dielectric constant is preferably 1.2, more preferably 1.5, and still more preferably 1.8. When the relative dielectric constant exceeds the above upper limit, the dielectric loss tangent becomes large and there is a possibility that the transmission loss cannot be sufficiently reduced, and there is a possibility that a sufficient transmission speed cannot be obtained. Moreover, when the said dielectric constant is less than the said minimum, there exists a possibility that cost may become high.

上記補強材の線膨張率の上限としては、5×10−5/℃が好ましく、4.7×10−5/℃がより好ましい。一方、上記線膨張率の下限としては、−1×10−4/℃が好ましく、0/℃がより好ましい。上記線膨張率が上記上限を超える場合、温度変化による反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。また、上記線膨張率が上記下限未満の場合、コストが高くなるおそれがある。 The upper limit of the linear expansion coefficient of the reinforcing material is preferably 5 × 10 −5 / ° C., and more preferably 4.7 × 10 −5 / ° C. On the other hand, the lower limit of the linear expansion coefficient is preferably −1 × 10 −4 / ° C., more preferably 0 / ° C. When the said linear expansion coefficient exceeds the said upper limit, there exists a possibility that generation | occurrence | production of the curvature by a temperature change cannot be suppressed effectively. Moreover, when the said linear expansion coefficient is less than the said minimum, there exists a possibility that cost may become high.

フッ素樹脂層2の補強材以外の部分2aの線膨張率に対する上記補強材の線膨張率の比の上限としては、0.95が好ましく、0.1がより好ましい。一方、上記比の下限としては、0.001が好ましく、0.002がより好ましい。上記比が上記上限を超える場合、基板1での反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。また、上記比が上記下限未満の場合、補強材のコストが高くなるおそれがある。   The upper limit of the ratio of the linear expansion coefficient of the reinforcing material to the linear expansion coefficient of the portion 2a other than the reinforcing material of the fluororesin layer 2 is preferably 0.95 and more preferably 0.1. On the other hand, the lower limit of the ratio is preferably 0.001 and more preferably 0.002. When the ratio exceeds the above upper limit, the occurrence of warpage in the substrate 1 may not be effectively suppressed. Moreover, when the said ratio is less than the said minimum, there exists a possibility that the cost of a reinforcing material may become high.

補強材層3の平均厚みの上限としては、50μmが好ましく、40μmがより好ましく、35μmがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、1μmが好ましく、3μmがより好ましく、5μmがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、十分な可撓性を得られないおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満の場合、基板1の強度を十分に向上できないおそれや基板1での反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。   The upper limit of the average thickness of the reinforcing material layer 3 is preferably 50 μm, more preferably 40 μm, and still more preferably 35 μm. On the other hand, the lower limit of the average thickness is preferably 1 μm, more preferably 3 μm, and even more preferably 5 μm. When the average thickness exceeds the upper limit, sufficient flexibility may not be obtained. Moreover, when the said average thickness is less than the said minimum, there exists a possibility that the intensity | strength of the board | substrate 1 cannot fully be improved and generation | occurrence | production of the curvature in the board | substrate 1 cannot be suppressed effectively.

フッ素樹脂層2の補強材以外の部分2aの平均厚みに対する上記補強材層3の平均厚みの比の上限としては、30が好ましく、2がより好ましく、0.5がさらに好ましい。一方、上記比の下限としては、0.001が好ましく、0.1がより好ましく、0.2がさらに好ましい。上記比が上記上限を超える場合、十分な可撓性が得られないおそれがある。上記比が上記下限未満である場合、基板1での反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。   The upper limit of the ratio of the average thickness of the reinforcing material layer 3 to the average thickness of the portion 2a other than the reinforcing material of the fluororesin layer 2 is preferably 30, more preferably 2, and even more preferably 0.5. On the other hand, the lower limit of the ratio is preferably 0.001, more preferably 0.1, and still more preferably 0.2. When the ratio exceeds the upper limit, sufficient flexibility may not be obtained. When the ratio is less than the lower limit, the occurrence of warpage in the substrate 1 may not be effectively suppressed.

(改質層)
基板1は、一方の面に改質層4を有する。改質層4は、シロキサン結合(Si−O−Si)及び親水性有機官能基を含む。そのため、基板1の改質層4側の表面は、反応性に富む。ここで、「反応性に富む」には、接着性などの物理的作用が大きいことを含む。つまり、改質層4の表面は表面活性である。また、改質層4は、シロキサン結合構造を有することで経時的に安定であるため、表面改質状態(表面活性である状態)が安定している。また、「親水性官能基」とは、電気陰性度の大きい原子から構成される官能基であって、親水性を有するものをいう。
(Modified layer)
The substrate 1 has a modified layer 4 on one surface. The modified layer 4 includes a siloxane bond (Si—O—Si) and a hydrophilic organic functional group. Therefore, the surface of the substrate 1 on the modified layer 4 side is rich in reactivity. Here, “rich in reactivity” includes large physical effects such as adhesiveness. That is, the surface of the modified layer 4 is surface active. In addition, since the modified layer 4 has a siloxane bond structure and is stable over time, the surface modified state (surface active state) is stable. The “hydrophilic functional group” refers to a functional group composed of atoms having a high electronegativity and having hydrophilicity.

改質層4は、フッ素樹脂層2のマトリックスが含む上記フッ素樹脂に、例えば親水性官能基を有し、かつシロキサン結合を生成する改質剤(シランカップリング剤)が結合して形成される。この場合、改質層4において、例えば親水性官能基がシロキサン結合を構成するSi原子に結合している。ここで、フッ素樹脂と改質剤との間の結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。   The modified layer 4 is formed by bonding, for example, a modifier (silane coupling agent) having a hydrophilic functional group and generating a siloxane bond to the fluororesin included in the matrix of the fluororesin layer 2. . In this case, in the modified layer 4, for example, hydrophilic functional groups are bonded to Si atoms constituting siloxane bonds. Here, the bond between the fluororesin and the modifier may include a covalent bond, a hydrogen bond, or the like, when it is configured only by a covalent bond.

改質層4において、シロキサン結合を構成するSi原子(以下、この原子を「シロキサン結合のSi原子」ともいう)は、例えばN原子、C原子、O原子、及びS原子のいずれか少なくとも1つの原子を介して上記フッ素樹脂のC原子と共有結合する。具体的には、シロキサン結合のSi原子は、例えば−O−、−S−、−S−S−、−(CH−、−NH−、−(CH−NH−、−(CH−O−(CH−(n及びmは1以上の整数である)等の原子団を介して上記フッ素樹脂のC原子と結合する。 In the modified layer 4, the Si atom constituting the siloxane bond (hereinafter, this atom is also referred to as “Si atom of siloxane bond”) is, for example, at least one of N atom, C atom, O atom, and S atom. It is covalently bonded to the C atom of the fluororesin through an atom. Specifically, the Si atom of the siloxane bond is, for example, —O—, —S—, —SS—, — (CH 2 ) n —, —NH—, — (CH 2 ) n —NH—, — It binds to the C atom of the fluororesin through an atomic group such as (CH 2 ) n —O— (CH 2 ) m — (n and m are integers of 1 or more).

上記親水性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基、メルカプト基、及びこれらの組合せが好ましい。これらの中でもN原子を含む親水性官能基、及びS原子を含む親水性官能基がより好ましい。これらの親水性官能基は、表面の密着性や接着性をより向上させる。   Examples of the hydrophilic functional group include hydroxyl group, carboxy group, carbonyl group, amino group, amide group, sulfide group, sulfonyl group, sulfo group, sulfonyldioxy group, epoxy group, methacryl group, mercapto group, and combinations thereof. preferable. Among these, a hydrophilic functional group containing an N atom and a hydrophilic functional group containing an S atom are more preferable. These hydrophilic functional groups further improve surface adhesion and adhesion.

また、改質層4は、これら親水性官能基の2種以上を含んでもよい。このように改質層4に異なる性質の親水性官能基を付与することによって、表面の反応性等を多様なものとすることができる。これらの親水性官能基は、シロキサン結合の構成要素であるSi原子に直接、又は1つ若しくは複数のC原子を介して結合することができる。   The modified layer 4 may contain two or more of these hydrophilic functional groups. Thus, by imparting hydrophilic functional groups having different properties to the modified layer 4, the surface reactivity and the like can be varied. These hydrophilic functional groups can be bonded directly to Si atoms, which are constituents of siloxane bonds, or via one or more C atoms.

上記の特徴を有する改質層4を形成するための改質剤としては、分子中に親水性官能基を有するシランカップリング剤が好ましく、中でも加水分解性ケイ素含有官能基を有するものがより好ましい。このようなシランカップリング剤は、フッ素樹脂層2のマトリックスが含む上記フッ素樹脂と化学結合する。シランカップリング剤と上記フッ素樹脂との間の化学結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。ここで、「加水分解性ケイ素含有官能基」とは、加水分解によりシラノール基(Si−OH)を形成し得る基をいう。   As the modifier for forming the modified layer 4 having the above characteristics, a silane coupling agent having a hydrophilic functional group in the molecule is preferable, and among them, a compound having a hydrolyzable silicon-containing functional group is more preferable. . Such a silane coupling agent is chemically bonded to the fluororesin included in the matrix of the fluororesin layer 2. The chemical bond between the silane coupling agent and the fluororesin may include a covalent bond, a hydrogen bond, or the like in some cases. Here, the “hydrolyzable silicon-containing functional group” refers to a group that can form a silanol group (Si—OH) by hydrolysis.

改質層4の表面の純水との接触角の上限としては、90°が好ましく、80°がより好ましく、70°がさらに好ましい。改質層4の表面の純水との接触角が上記上限を超える場合、接着性や密着性を十分に得られないおそれがある。なお、改質層4の表面の純水との接触角の下限は特に限定されない。上記接触角は、例えば親水性官能基の種類や量を調整することにより制御できる。上記「純水との接触角」とは、JIS−R−3257(1999年)の静滴法により測定される接触角の値である。   The upper limit of the contact angle with the pure water on the surface of the modified layer 4 is preferably 90 °, more preferably 80 °, and even more preferably 70 °. When the contact angle with the pure water on the surface of the modified layer 4 exceeds the above upper limit, there is a possibility that sufficient adhesion and adhesion cannot be obtained. In addition, the minimum of a contact angle with the pure water of the surface of the modification layer 4 is not specifically limited. The contact angle can be controlled, for example, by adjusting the type and amount of the hydrophilic functional group. The above-mentioned “contact angle with pure water” is a value of a contact angle measured by a JIS-R-3257 (1999) sessile drop method.

また、この改質層4は、以下に示すエッチング耐性を有することが好ましい。すなわち、塩化鉄を含み、比重が1.33g/cmであって、遊離塩酸濃度が0.2mol/Lであるエッチング液(温度45℃)に、2分間の条件で浸漬するエッチング処理に対して、改質層4が除去されないことが好ましい。ここで、「改質層が除去されない」とは、親水性が失われないことを示し、改質層4が設けられた部分における純水との接触角が90°を超えないことを示す。改質層4が上記エッチング耐性を有すると、基板と導電層とを備えるフレキシブルプリント配線板用基材の導電層をパターン状にエッチングする際に、導電層と基板との間にエッチング液が浸入することを抑制できるため、基板と導電層との間の密着性を良好に維持できる。上記エッチング耐性は、例えば上述する好ましいシランカップリング剤を用いることにより改質層4に付与することができる。なお、エッチング処理により、改質層4が形成されている領域において疎水性を示す微小部分が斑状に生じる場合もあるが、この領域全体として親水性を有する場合は、このような状態は親水性が維持されているものとする。 The modified layer 4 preferably has the following etching resistance. That is, for an etching process that includes iron chloride, has a specific gravity of 1.33 g / cm 3 , and is immersed in an etching solution (temperature 45 ° C.) having a free hydrochloric acid concentration of 0.2 mol / L for 2 minutes Thus, it is preferable that the modified layer 4 is not removed. Here, “the modified layer is not removed” indicates that the hydrophilicity is not lost, and that the contact angle with pure water does not exceed 90 ° in the portion where the modified layer 4 is provided. When the modified layer 4 has the above-mentioned etching resistance, an etching solution penetrates between the conductive layer and the substrate when the conductive layer of the flexible printed wiring board substrate including the substrate and the conductive layer is etched into a pattern. Therefore, it is possible to maintain good adhesion between the substrate and the conductive layer. The etching resistance can be imparted to the modified layer 4 by using, for example, the preferred silane coupling agent described above. In some cases, the etching treatment may cause a minute portion having hydrophobicity in the region where the modified layer 4 is formed to be patchy. If the entire region is hydrophilic, such a state is hydrophilic. Is maintained.

また、改質層4は、塩化銅を含有するエッチング液に対するエッチング耐性を有することが好ましい。なお、改質層4が上記塩化鉄含有エッチング液に対するエッチング耐性を有する場合は、この改質層4は、塩化銅を含有するエッチング液に対して上記と同様のエッチング耐性を有することが確認されている。   Moreover, it is preferable that the modified layer 4 has the etching tolerance with respect to the etching liquid containing a copper chloride. In addition, when the modified layer 4 has etching resistance with respect to the iron chloride-containing etching solution, it is confirmed that the modified layer 4 has etching resistance similar to the above with respect to the etching solution containing copper chloride. ing.

改質層4の平均厚みの上限としては、200nmが好ましく、50nmがより好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、3nmが好ましく、5nmがより好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、改質層4に起因する誘電損の影響により高周波特性が不十分となるおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満である場合、表面活性効果が十分に得られず、接着性や密着性を十分に得られないおそれがある。よって、改質層4の平均厚みを調整することで、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、改質層4の平均厚みは、例えばX線分光等により測定できる。   The upper limit of the average thickness of the modified layer 4 is preferably 200 nm, and more preferably 50 nm. On the other hand, the lower limit of the average thickness is preferably 3 nm, and more preferably 5 nm. When the average thickness exceeds the upper limit, the high frequency characteristics may be insufficient due to the influence of dielectric loss caused by the modified layer 4. Moreover, when the said average thickness is less than the said minimum, surface active effect cannot fully be acquired and there exists a possibility that adhesiveness and adhesiveness cannot fully be acquired. Therefore, by adjusting the average thickness of the modified layer 4, the transmission loss suppressing function and the adhesion improving function can be exhibited in a well-balanced manner. The average thickness of the modified layer 4 can be measured by, for example, X-ray spectroscopy.

基板1の平均厚みの上限としては、2.7mmが好ましく、2.5mmが好ましく、2.2mmがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、1μmが好ましく、1.5μmがより好ましく、2μmがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、十分な可撓性が得られないおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満である場合、取り扱いが難しくなるおそれがある。   As an upper limit of the average thickness of the substrate 1, 2.7 mm is preferable, 2.5 mm is preferable, and 2.2 mm is more preferable. On the other hand, the lower limit of the average thickness is preferably 1 μm, more preferably 1.5 μm, and even more preferably 2 μm. When the average thickness exceeds the upper limit, sufficient flexibility may not be obtained. Moreover, when the said average thickness is less than the said minimum, handling may become difficult.

基板1の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率の上限としては、2.6であり、2.55が好ましく、2.50がより好ましい。上記比誘電率が上記上限を超える場合、伝送損失を十分に小さくできないおそれや十分な伝送速度が得られないおそれがある。   The upper limit of the relative dielectric constant of the substrate 1 at −40 ° C. or more and 125 ° C. or less and 10 GHz is 2.6, preferably 2.55, and more preferably 2.50. When the relative dielectric constant exceeds the upper limit, there is a possibility that the transmission loss cannot be sufficiently reduced or a sufficient transmission speed cannot be obtained.

基板1の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける誘電正接の上限としては、0.004であり、0.0037が好ましく、0.0035がより好ましい。上記誘電正接が上記上限を超える場合、伝送損失を十分に小さくできないおそれや十分な伝送速度が得られないおそれがある。   The upper limit of the dielectric loss tangent of the substrate 1 at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz is 0.004, preferably 0.0037, and more preferably 0.0035. When the dielectric loss tangent exceeds the above upper limit, there is a possibility that the transmission loss cannot be sufficiently reduced and a sufficient transmission speed may not be obtained.

基板1の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率の変化幅の上限としては、0.08であり、0.065が好ましく、0.055がより好ましい。一方、上記比誘電率の変化幅の下限としては、0.0001であり、0.0005が好ましく、0.01がより好ましい。上記比誘電率の変化幅が上記上限を超える場合、温度変化による電気特性の劣化を生じるおそれがある。また、上記比誘電率の変化幅が上記下限未満である場合、材料選択の幅が狭まるおそれがある。   The upper limit of the change range of the relative dielectric constant at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz of the substrate 1 is 0.08, preferably 0.065, and more preferably 0.055. On the other hand, the lower limit of the change range of the relative dielectric constant is 0.0001, preferably 0.0005, and more preferably 0.01. When the change width of the relative dielectric constant exceeds the upper limit, there is a risk of deterioration of electrical characteristics due to temperature change. Moreover, when the change width of the relative dielectric constant is less than the lower limit, the range of material selection may be reduced.

基板1の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける誘電正接の変化幅の上限としては、0.002であり、0.0018が好ましく、0.0016がより好ましい。一方、上記誘電正接の変化幅の下限としては、0.00001であり、0.00005が好ましく、0.0001がより好ましい。上記誘電正接の変化幅が上記上限を超える場合、温度変化による電気特性の劣化を生じるおそれがある。また、上記誘電正接の変化幅が上記下限未満である場合、材料選択の幅が狭まるおそれがある。   The upper limit of the variation range of the dielectric loss tangent at −40 ° C. to 125 ° C. of the substrate 1 is 0.002, preferably 0.0018, and more preferably 0.0016. On the other hand, the lower limit of the change width of the dielectric loss tangent is 0.00001, preferably 0.00005, and more preferably 0.0001. When the change width of the dielectric loss tangent exceeds the upper limit, there is a risk of deterioration of electrical characteristics due to temperature change. Moreover, when the variation | change_quantity of the said dielectric loss tangent is less than the said minimum, there exists a possibility that the range of material selection may become narrow.

<基板の製造方法>
次に、ガラスクロス又は樹脂クロスを用いた場合の上述の基板の好ましい製造方法について説明する。この基板の製造方法としては、例えば以下の第1の基板の製造方法、第2の基板の製造方法が挙げられる。
<Substrate manufacturing method>
Next, the preferable manufacturing method of the above-mentioned board | substrate at the time of using a glass cloth or a resin cloth is demonstrated. Examples of the substrate manufacturing method include the following first substrate manufacturing method and second substrate manufacturing method.

第1の基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、含浸させた上記組成物を加熱する工程とを備える。   The manufacturing method of a 1st board | substrate is equipped with the process of impregnating the composition which has a fluororesin as a main component in the surface and the inside of a glass cloth or a resin cloth, and the process of heating the said impregnated said composition.

[含浸工程]
含浸工程では、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる。ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部に上記組成物を含浸させる方法としては、例えばガラスクロス又は樹脂クロスの表面に上記組成物を塗布する方法、上記組成物にガラスクロス又は樹脂クロスを浸漬する方法等が挙げられる。
[Impregnation process]
In the impregnation step, the surface and the inside of the glass cloth or resin cloth are impregnated with a composition containing a fluororesin as a main component. Examples of a method of impregnating the surface of glass cloth or resin cloth with the above composition include, for example, a method of applying the above composition to the surface of glass cloth or resin cloth, and a method of immersing glass cloth or resin cloth in the above composition Etc.

[加熱工程]
加熱工程では、含浸させた上記組成物を加熱する。加熱工程は、含浸させた上記組成物が乾燥し硬化する焼き付け工程に相当する。加熱工程後には、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面にフッ素樹脂の層が形成される。
[Heating process]
In the heating step, the impregnated composition is heated. The heating step corresponds to a baking step in which the impregnated composition is dried and cured. After the heating step, a fluororesin layer is formed on the surface of the glass cloth or resin cloth.

加熱工程の温度の下限としては、150℃が好ましく、200℃がより好ましい。一方、加熱工程の温度の上限としては、600℃が好ましく、500℃がより好ましい。加熱工程の温度が上記下限未満である場合、含浸させた上記組成物の乾燥及び硬化が不十分となるおそれがある。また、加熱工程の温度が上記上限を超える場合、得られる基板が変形するおそれがある。   As a minimum of the temperature of a heating process, 150 ° C is preferred and 200 ° C is more preferred. On the other hand, as an upper limit of the temperature of a heating process, 600 degreeC is preferable and 500 degreeC is more preferable. When the temperature of a heating process is less than the said minimum, there exists a possibility that drying and hardening of the said impregnated composition may become inadequate. Moreover, when the temperature of a heating process exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the board | substrate obtained may deform | transform.

第1の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの一方の面にフッ素樹脂の層を形成した後、ガラスクロス又は樹脂クロスの他方の面にフッ素樹脂の層を形成してもよい。また、第1の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの両方の面に同時にフッ素樹脂の層を形成してもよい。   In the first substrate manufacturing method, a fluororesin layer may be formed on one surface of a glass cloth or resin cloth, and then a fluororesin layer may be formed on the other surface of the glass cloth or resin cloth. In the first substrate manufacturing method, a fluororesin layer may be simultaneously formed on both surfaces of the glass cloth or the resin cloth.

第1の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程及び含浸させた上記組成物を加熱する工程を繰り返してもよい。例えば、上記組成物を塗布して加熱することを繰り返し行えば、所定の厚みを有するフッ素樹脂の層を容易に形成できる。   In the first substrate manufacturing method, the step of impregnating the surface of the glass cloth or the resin cloth with a composition containing a fluororesin as a main component and the step of heating the impregnated composition may be repeated. For example, by repeatedly applying and heating the composition, a fluororesin layer having a predetermined thickness can be easily formed.

第1の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる。このため、第1の基板の製造方法では、全体としてより一体化した基板を得ることができる。   In the first substrate manufacturing method, a glass cloth or a resin cloth is impregnated with a composition containing a fluororesin as a main component on the surface and inside thereof. For this reason, in the manufacturing method of the first substrate, it is possible to obtain a more integrated substrate as a whole.

次に、第2の基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程とを備える。   Next, the second substrate manufacturing method includes a step of superposing a resin film mainly composed of a fluororesin on both surfaces of a glass cloth or a resin cloth, and a step of thermocompression bonding the superposed material while vacuum suctioning. Is provided.

[重ね合わせ工程]
重ね合わせ工程では、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる。
[Overlay process]
In the superimposing step, a resin film containing a fluororesin as a main component is superimposed on both surfaces of the glass cloth or the resin cloth.

[熱圧着工程]
熱圧着工程では、上記重ね合わせ工程で得られた上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する。
[Thermo-compression process]
In the thermocompression bonding process, the superposed product obtained in the superimposing process is thermocompression bonded while vacuum suction.

上記熱圧着の温度の上限としては、600℃が好ましく、500℃がより好ましい。上記熱圧着の温度が上記上限を超える場合、得られる基板が変形するおそれがある。   As an upper limit of the temperature of the said thermocompression bonding, 600 degreeC is preferable and 500 degreeC is more preferable. When the thermocompression bonding temperature exceeds the upper limit, the resulting substrate may be deformed.

上記熱圧着の温度の下限としては、上述のフッ素樹脂の融点が好ましく、上述のフッ素樹脂の分解開始温度がより好ましい。より詳しくは、上述のフッ素樹脂の融点よりも30℃高い温度が好ましく、上述のフッ素樹脂の融点よりも50℃高い温度がより好ましい。上記温度が上記下限未満である場合、ガラスクロス又は樹脂クロスに上記樹脂フィルムの樹脂を含浸させてより一体化した基板を得ることが難しくなるおそれがある。ここで、「分解開始温度」とは、フッ素樹脂が熱分解し始める温度をいい、「分解温度」とは、フッ素樹脂が熱分解によってその質量が10%減少する温度をいう。   As a minimum of the temperature of the said thermocompression bonding, melting | fusing point of the above-mentioned fluororesin is preferable, and the decomposition start temperature of the above-mentioned fluororesin is more preferable. More specifically, a temperature that is 30 ° C. higher than the melting point of the fluororesin described above is preferable, and a temperature that is 50 ° C. higher than the melting point of the fluororesin described above is more preferable. When the temperature is less than the lower limit, it may be difficult to obtain a more integrated substrate by impregnating the resin of the resin film into a glass cloth or a resin cloth. Here, “decomposition start temperature” refers to the temperature at which the fluororesin begins to thermally decompose, and “decomposition temperature” refers to the temperature at which the mass of the fluororesin decreases by 10% due to thermal decomposition.

上記熱圧着の圧力としては、0.01MPa以上1200MPa以下が好ましい。また、上記熱圧着の加圧時間としては、5秒以上10時間以下が好ましい。   The pressure for the thermocompression bonding is preferably 0.01 MPa or more and 1200 MPa or less. Further, the pressing time for the thermocompression bonding is preferably 5 seconds or more and 10 hours or less.

上記真空吸引の際の真空度の上限としては、10MPaが好ましく、1MPaがより好ましく、10Paがさらに好ましい。真空度を上記上限以下とすることにより、ガラスクロス又は樹脂クロスの空隙に上記樹脂フィルムの樹脂をより浸入させ、全体としてより一体化した基板を得ることができる。一方、真空度の下限については、特に限定されないが、例えば0.01Pa程度である。   The upper limit of the degree of vacuum at the time of vacuum suction is preferably 10 MPa, more preferably 1 MPa, and even more preferably 10 Pa. By setting the degree of vacuum to the upper limit or less, the resin of the resin film can be further infiltrated into the gaps of the glass cloth or the resin cloth, and a substrate that is more integrated as a whole can be obtained. On the other hand, the lower limit of the degree of vacuum is not particularly limited, but is about 0.01 Pa, for example.

第2の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスに上記樹脂フィルムの樹脂を含浸させ、全体としてより一体化した基板を得る観点より、上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始することが好ましい。   In the second substrate manufacturing method, from the viewpoint of obtaining a more integrated substrate by impregnating the resin of the resin film into a glass cloth or a resin cloth, vacuum suction may be started before the start of the thermocompression bonding. preferable.

<フレキシブルプリント配線板用基材>
図2に、本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線板用基材10の模式的断面図を示す。フレキシブルプリント配線板用基材10は、基板1と、この基板1の一方の面側に積層される導電層5とを備える。この基板1は、補強材層3を厚み方向の中間に有するフッ素樹脂層2を含む。導電層5は、基板1に直接積層されてもよいし、基板1に他の層を介して積層されてもよい。図2において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
<Base material for flexible printed wiring boards>
In FIG. 2, the typical sectional drawing of the base material 10 for flexible printed wiring boards which concerns on one Embodiment of this invention is shown. The substrate for flexible printed wiring board 10 includes a substrate 1 and a conductive layer 5 laminated on one surface side of the substrate 1. The substrate 1 includes a fluororesin layer 2 having a reinforcing material layer 3 in the middle in the thickness direction. The conductive layer 5 may be directly laminated on the substrate 1 or may be laminated on the substrate 1 via another layer. 2, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

(導電層)
導電層5を構成する導電物質としては、例えば銅、銀、金、鉄(ステンレス)、アルミニウム、ニッケル、ITO(Indium Tin Oxide)等の金属、樹脂と金属との混合物である導電性樹脂等が挙げられる。
(Conductive layer)
Examples of the conductive material constituting the conductive layer 5 include metals such as copper, silver, gold, iron (stainless), aluminum, nickel, ITO (Indium Tin Oxide), and conductive resins that are a mixture of resin and metal. Can be mentioned.

中でも、上記導電物質としては、コスト、電気特性及び可撓性の観点より、銅が好ましい。すなわち、導電層5としては、銅箔が好ましい。   Among these, copper is preferable as the conductive material from the viewpoints of cost, electrical characteristics, and flexibility. That is, the conductive layer 5 is preferably a copper foil.

上記銅箔の十点平均粗さ(Rz)の上限としては、4μmが好ましく、1μmがより好ましく、0.6μmがさらに好ましい。上記十点平均粗さ(Rz)が上記上限を超える場合、表皮効果により高周波信号が集中する部分の凹凸が大きくなり、電流が直線的に流れることが阻害され、意図しない伝送損失を生じるおそれがある。なお、上記銅箔の十点平均粗さ(Rz)の下限としては、特に限定されないが、0.01μmが好ましく、0.1μmがより好ましい。十点平均粗さ(Rz)は、JIS−B−0601(1994)で規定される値である。   The upper limit of the ten-point average roughness (Rz) of the copper foil is preferably 4 μm, more preferably 1 μm, and even more preferably 0.6 μm. When the ten-point average roughness (Rz) exceeds the above upper limit, the unevenness of the portion where the high-frequency signal is concentrated becomes large due to the skin effect, current flow is hindered, and unintended transmission loss may occur. is there. In addition, although it does not specifically limit as a minimum of the ten-point average roughness (Rz) of the said copper foil, 0.01 micrometer is preferable and 0.1 micrometer is more preferable. Ten-point average roughness (Rz) is a value defined by JIS-B-0601 (1994).

導電層5の平均厚みの上限としては、300μmが好ましく、200μmがより好ましく、150μmがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、1μmが好ましく、5μmがより好ましく、10μmがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、可撓性が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満の場合、導電層5の抵抗が増大するおそれがある。   The upper limit of the average thickness of the conductive layer 5 is preferably 300 μm, more preferably 200 μm, and even more preferably 150 μm. On the other hand, the lower limit of the average thickness is preferably 1 μm, more preferably 5 μm, and even more preferably 10 μm. When the average thickness exceeds the upper limit, application to an electronic device that requires flexibility may be difficult. Moreover, when the said average thickness is less than the said minimum, there exists a possibility that the resistance of the conductive layer 5 may increase.

当該フレキシブルプリント配線板用基材10の基板1と導電層5との剥離強度の下限としては、10N/cmが好ましく、12N/cmがより好ましく、15N/cmがさらに好ましい。上記剥離強度が上記下限未満である場合、導電層5の基板1からの剥離を効果的に抑制できないおそれがある。   The lower limit of the peel strength between the substrate 1 and the conductive layer 5 of the flexible printed wiring board substrate 10 is preferably 10 N / cm, more preferably 12 N / cm, and even more preferably 15 N / cm. When the said peeling strength is less than the said minimum, there exists a possibility that peeling from the board | substrate 1 of the conductive layer 5 cannot be suppressed effectively.

当該フレキシブルプリント配線板用基材10の加熱変形性の上限としては、0.5%が好ましく、0.3%がより好ましく、0.2%がさらに好ましい。上記加熱変形性が上記上限を超える場合、電気特性の温度依存性をより小さくすることや寸法安定性をより向上させることが難しくなるおそれがある。   The upper limit of the heat deformability of the flexible printed wiring board substrate 10 is preferably 0.5%, more preferably 0.3%, and even more preferably 0.2%. When the heat deformability exceeds the upper limit, it may be difficult to reduce the temperature dependence of the electrical characteristics and further improve the dimensional stability.

<フレキシブルプリント配線板用基材の製造方法>
当該フレキシブルプリント配線板用基材10の好ましい製造方法の一例について、導電層5として銅箔を用い、基板として上述の基板1を用いた場合を挙げて説明する。まず、導電層5としての銅箔に、改質剤であるシランカップリング剤と、アルコールと、水とを含むプライマ材料を付着させる。次に、乾燥及び必要に応じて加熱することにより、上記銅箔に付着した上記プライマ材料中のアルコールを除去した後、このプライマ材料を挟むように上記銅箔のプライマ材料側面に基板1を積層して、得られた積層体をプレス機で熱圧着する。この熱圧着は、銅箔と基板1との間に気泡や空隙が形成されないようにするために、減圧下で行うことが好ましい。また、銅箔の酸化を抑制するため、低酸素条件下(例えば窒素雰囲気中)で行うことが好ましい。これにより、導電層5としての上記銅箔と基板1との間に改質層が形成され、上述したフレキシブルプリント配線板用基材が得られる。
<Method for producing substrate for flexible printed wiring board>
An example of a preferable manufacturing method of the flexible printed wiring board substrate 10 will be described by using a copper foil as the conductive layer 5 and the above-described substrate 1 as the substrate. First, a primer material containing a silane coupling agent, which is a modifier, alcohol, and water is attached to the copper foil as the conductive layer 5. Next, after removing the alcohol in the primer material adhering to the copper foil by drying and heating as necessary, the substrate 1 is laminated on the side of the primer material of the copper foil so as to sandwich the primer material. And the obtained laminated body is thermocompression-bonded with a press. This thermocompression bonding is preferably performed under reduced pressure in order to prevent bubbles and voids from being formed between the copper foil and the substrate 1. Moreover, in order to suppress oxidation of copper foil, it is preferable to carry out under low oxygen conditions (for example, in nitrogen atmosphere). As a result, a modified layer is formed between the copper foil as the conductive layer 5 and the substrate 1, and the flexible printed wiring board substrate described above is obtained.

上記熱圧着の温度の上限としては、600℃が好ましく、500℃がより好ましい。一方、上記熱圧着の温度の下限としては、上述のフッ素樹脂の融点が好ましく、上述のフッ素樹脂の分解開始温度がより好ましい。より詳しくは、基板1のマトリックスの主成分であるフッ素樹脂の融点よりも30℃高い温度が好ましく、上記フッ素樹脂の融点よりも50℃高い温度がより好ましい。上記熱圧着の温度が上記上限を超える場合、製造途中で意図しない変形を生じるおそれがある。また、上記熱圧着の温度が上記下限未満である場合、銅箔と基板1との間で十分な密着性が得られないおそれがある。   As an upper limit of the temperature of the said thermocompression bonding, 600 degreeC is preferable and 500 degreeC is more preferable. On the other hand, the lower limit of the thermocompression bonding temperature is preferably the melting point of the fluororesin described above, and more preferably the decomposition start temperature of the fluororesin described above. More specifically, a temperature that is 30 ° C. higher than the melting point of the fluororesin that is the main component of the matrix of the substrate 1 is preferable, and a temperature that is 50 ° C. higher than the melting point of the fluororesin is more preferable. When the temperature of the thermocompression bonding exceeds the upper limit, there is a risk of causing unintended deformation during the production. Moreover, when the temperature of the said thermocompression bonding is less than the said minimum, there exists a possibility that sufficient adhesiveness may not be acquired between copper foil and the board | substrate 1. FIG.

上記熱圧着の際、上記フッ素樹脂の融点以上の温度で熱圧着を行うことが好ましい理由は、融点未満の温度では上記フッ素樹脂が活性化しないためである。また、上記フッ素樹脂の分解開始温度以上に加熱することにより、上記フッ素樹脂のC原子がラジカル化するため、上記フッ素樹脂をさらに活性化させることができる。つまり、熱圧着の温度を上記フッ素樹脂の融点以上(より好ましくは分解開始温度以上)とすることにより、銅箔と基板1との間の密着をより促進できると考えられる。   The reason why it is preferable to perform thermocompression bonding at a temperature equal to or higher than the melting point of the fluororesin during the thermocompression bonding is that the fluororesin is not activated at a temperature below the melting point. Moreover, since the C atom of the said fluororesin is radicalized by heating more than the decomposition start temperature of the said fluororesin, the said fluororesin can be further activated. That is, it is considered that the adhesion between the copper foil and the substrate 1 can be further promoted by setting the thermocompression bonding temperature to be equal to or higher than the melting point of the fluororesin (more preferably higher than the decomposition start temperature).

上記熱圧着の圧力としては、0.01MPa以上1000MPa以下が好ましい。また、上記熱圧着の加圧時間としては、5秒以上10時間以下が好ましい。   The pressure for the thermocompression bonding is preferably 0.01 MPa or more and 1000 MPa or less. Further, the pressing time for the thermocompression bonding is preferably 5 seconds or more and 10 hours or less.

このような熱圧着により、上記フッ素樹脂中のラジカル化したC原子が、シランカップリング剤により形成されたシロキサン結合(Si−O−Si)と他の原子又は原子団を介して化学結合すると考えられる。   By such thermocompression bonding, the radicalized C atom in the fluororesin is considered to be chemically bonded to the siloxane bond (Si—O—Si) formed by the silane coupling agent via another atom or atomic group. It is done.

<フレキシブルプリント配線板>
本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線板は、上述のフレキシブル配線板用基材を用いたフレキシブルプリント配線板であり、パターンが形成された上記導電層を備える。当該フレキシブルプリント配線板の導電層は、パターン状にエッチングすることで形成される。
<Flexible printed wiring board>
The flexible printed wiring board which concerns on one Embodiment of this invention is a flexible printed wiring board using the above-mentioned base material for flexible wiring boards, and is provided with the said conductive layer in which the pattern was formed. The conductive layer of the flexible printed wiring board is formed by etching into a pattern.

上記エッチング方法は、特に制限されない。例えば、上記エッチング法としてサブトラクティブ法を適用する場合、上記導電層にパターンのマスキングを施してエッチングすることにより、配線が形成されたフレキシブルプリント配線板が得られる。他にも上記エッチング方法としてはセミアディティブ法等が挙げられる。   The etching method is not particularly limited. For example, when a subtractive method is applied as the etching method, a flexible printed wiring board on which wiring is formed can be obtained by performing pattern masking and etching on the conductive layer. Other examples of the etching method include a semi-additive method.

[利点]
当該基板は、マトリックスの主成分がフッ素樹脂であるので、高周波領域に用いた際の伝送損失を抑制できる。また、当該基板は、マトリックス中に補強材を含有するので、強度及び寸法安定性を確保できる。さらに、当該基板は、−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率及び誘電正接が上記範囲であるので、伝送特性に優れる。また、当該基板は、−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅が上記範囲であるので、電気特性の温度依存性が少ない。
[advantage]
Since the main component of the matrix of the substrate is a fluororesin, transmission loss when used in a high frequency region can be suppressed. Moreover, since the said board | substrate contains a reinforcing material in a matrix, intensity | strength and dimensional stability are securable. Further, since the substrate has a relative dielectric constant and a dielectric loss tangent at −40 ° C. or higher and 125 ° C. or lower and 10 GHz in the above range, the substrate has excellent transmission characteristics. In addition, since the substrate has a relative dielectric constant variation range and a dielectric loss tangent variation range of −40 ° C. or more and 125 ° C. or less and 10 GHz, the temperature dependence of electrical characteristics is small.

当該フレキシブルプリント配線板用基材は、当該基板を備えるので電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。   Since the flexible printed wiring board base material includes the substrate, the temperature dependence of electrical characteristics is small and the transmission characteristics are excellent.

当該フレキシブルプリント配線板は、当該フレキシブルプリント配線板用基材を備えるので、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。   Since the flexible printed wiring board includes the flexible printed wiring board base material, the temperature dependence of electrical characteristics is small and the transmission characteristics are excellent.

当該基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。   The substrate manufacturing method can easily manufacture a substrate having less temperature dependence of electrical characteristics and excellent transmission characteristics.

[その他の実施形態]
上記開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
[Other Embodiments]
The disclosed embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is not limited to the configuration of the embodiment described above, but is defined by the scope of the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims. The

上記実施形態のフィルム状又はクロス状の補強材を含む当該基板は、補強材を含まない層とフィルム状又はクロス状の補強材を含む層との積層構造を有するが、この積層構造の層数は2であってもよいし、4以上であってもよい。また、当該基板は、補強材として、2以上のフィルム状又はクロス状の補強材を含んでもよい。例えば、当該基板は、1のフィルム状又はクロス状の補強材を含有することより補強材層と補強材を含まない層との2層構造を有する基板であってもよいし、2以上のフィルム状又はクロス状の補強材を含有することより3層以上の積層構造を有する基板であってもよい。   The substrate including the film-like or cloth-like reinforcing material of the above embodiment has a laminated structure of a layer not containing the reinforcing material and a layer containing the film-like or cloth-like reinforcing material. May be 2 or 4 or more. In addition, the substrate may include two or more film-like or cloth-like reinforcing materials as the reinforcing material. For example, the substrate may be a substrate having a two-layer structure of a reinforcing material layer and a layer not containing a reinforcing material by containing one film-like or cloth-like reinforcing material, or two or more films. It may be a substrate having a laminated structure of three or more layers by containing a reinforcing material in the form of a cross or a cloth.

当該基板は、フィルム状又はクロス状の補強材以外の補強材を含んでもよい。例えば当該基板は、無機粒子、有機粒子等の粒状物を補強材として含んでもよい。   The substrate may include a reinforcing material other than a film-like or cloth-like reinforcing material. For example, the substrate may include a granular material such as inorganic particles and organic particles as a reinforcing material.

当該基板は、補強材を厚み方向に均一に含有してもよく、補強材を厚み方向に偏って含有してもよい。補強材を厚み方向に偏って含有する当該基板の補強材が存在する部分は、特に制限されない。補強材を厚み方向に偏って含有する当該基板は、例えば上記実施形態のように補強材を厚み方向の中間に含有してもよいし、補強材を表面付近に偏って含有してもよい。   The said board | substrate may contain a reinforcing material uniformly in the thickness direction, and may contain a reinforcing material biased in the thickness direction. The part in which the reinforcing material of the substrate containing the reinforcing material in the thickness direction is not particularly limited. The substrate containing the reinforcing material biased in the thickness direction may contain the reinforcing material in the middle of the thickness direction as in the above embodiment, or may contain the reinforcing material biased near the surface.

当該基板は、補強材を平面方向に均一に含有してもよく、補強材を平面方向に偏って含有してもよい。つまり、当該基板の平面視で補強材のある領域は、基板全体であってもよいし、基板の一部であってもよい。   The said board | substrate may contain a reinforcing material uniformly in a plane direction, and may contain a reinforcing material biased in a plane direction. That is, the region where the reinforcing material is present in plan view of the substrate may be the entire substrate or a part of the substrate.

当該基板は、両方の面に改質層を有してもよい。また、当該基板は、改質層を有さなくてもよい。さらに、当該基板は、表面全体に改質層を有してもよく、表面の一部に改質層を有してもよい。   The substrate may have a modified layer on both sides. Further, the substrate does not have to have a modified layer. Further, the substrate may have a modified layer on the entire surface, or may have a modified layer on a part of the surface.

また当該フレキシブルプリント配線板用基材は、基板の一方の面全体に導電層が積層されてもよく、基板の一方の面の一部に導電層が積層されてもよい。   Moreover, the said base material for flexible printed wiring boards may laminate | stack a conductive layer on one whole surface of a board | substrate, and may laminate | stack a conductive layer on a part of one side | surface of a board | substrate.

さらに当該基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程及び上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程以外の工程を備えてもよい。   Further, the substrate manufacturing method includes steps other than a step of superposing a resin film mainly composed of a fluororesin on both surfaces of a glass cloth or a resin cloth and a step of thermocompression bonding the superposed product while vacuum suctioning. Also good.

以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

[実施例1]
(基板の作製)
以下の手順で実施例1の基板を作製した。まず、ガラスクロス(IPC規格スタイル1030、平均厚み27μm)の両面にFEPフィルム(平均厚み50μm)を重ね合わせ、積層物を得た。次に、この積層物を温度300℃、圧力20MPa、時間120分の条件で真空吸引しつつ熱圧着をし、基板を得た。なお、この基板は、ガラスクロス内部にFEPが含浸していた。
[Example 1]
(Production of substrate)
The substrate of Example 1 was produced by the following procedure. First, FEP films (average thickness 50 μm) were superimposed on both surfaces of a glass cloth (IPC standard style 1030, average thickness 27 μm) to obtain a laminate. Next, this laminate was subjected to thermocompression bonding under vacuum suction at a temperature of 300 ° C., a pressure of 20 MPa, and a time of 120 minutes to obtain a substrate. This substrate had FEP impregnated inside the glass cloth.

(フレキシブルプリント配線板用基材の作製)
以下の手順で実施例1のフレキシブルプリント配線板用基材を作製した。まず、浸漬法により、銅箔(無電解銅箔、平均厚み18μm、十点平均粗さRz0.6μm)にプライマ材料を付着させた後、乾燥し、120℃で加熱した。これにより、上記銅箔にプライマ材料層を形成した。そして、このプライマ材料層を挟むように上記銅箔のプライマ材料付着側面に上記基板を積層し、得られた積層体をプレス機で熱圧着することにより、上記銅箔と上記基板との間に平均厚み30nmの改質層を有するフレキシブルプリント配線板用基材を得た。上記熱圧着の条件は、温度300℃、圧力20MPa、時間120分とした。なお、上記プライマ材料としては、3−アミノプロピルトリメトキシシラン1質量%とエタノールとを含むものを用いた。なお、プライマ材料には水を添加していない。すなわち、水としては、空気中に存在する水分、及び上記エタノールに含まれる不純物としての水分を用いた。
(Preparation of flexible printed wiring board base material)
The base material for flexible printed wiring boards of Example 1 was produced according to the following procedure. First, a primer material was attached to a copper foil (electroless copper foil, average thickness 18 μm, ten-point average roughness Rz 0.6 μm) by an immersion method, then dried and heated at 120 ° C. Thereby, a primer material layer was formed on the copper foil. And the said board | substrate is laminated | stacked on the primer material adhesion side surface of the said copper foil so that this primer material layer may be pinched | interposed, and the obtained laminated body is thermocompression-bonded with a press machine, Between the said copper foil and the said board | substrate. A substrate for a flexible printed wiring board having a modified layer having an average thickness of 30 nm was obtained. The thermocompression bonding conditions were a temperature of 300 ° C., a pressure of 20 MPa, and a time of 120 minutes. As the primer material, a material containing 1% by mass of 3-aminopropyltrimethoxysilane and ethanol was used. Note that water is not added to the primer material. That is, as water, moisture present in the air and moisture as impurities contained in the ethanol were used.

[実施例2]
(基板の作製)
以下の手順で実施例2の基板を作製した。まず、ガラスクロス(IPC規格スタイル1030、平均厚み27μm)にPFAディスパージョン(PFAの微粒子を水に分散させた液体)を塗布し、ガラスクロスにPFAディスパージョンを含浸させた。次に、このPFAディスパージョンを塗布したガラスクロスを330℃に加熱し、PFAディスパージョンを乾燥し溶融させる焼き付けを行った。このようなガラスクロスにPFAディスパージョンを塗布して焼き付けることを繰り返し、上記ガラスクロスの内部にPFAが含浸し、かつ上記ガラスクロスの両面に平均厚みが30μmのFEPの表面層を有する基板を得た。
[Example 2]
(Production of substrate)
The substrate of Example 2 was produced by the following procedure. First, PFA dispersion (liquid in which fine particles of PFA were dispersed in water) was applied to glass cloth (IPC standard style 1030, average thickness 27 μm), and the glass cloth was impregnated with PFA dispersion. Next, the glass cloth coated with the PFA dispersion was heated to 330 ° C., and the PFA dispersion was dried and melted. By repeatedly applying and baking a PFA dispersion on such a glass cloth, a substrate having an FEP surface layer having an average thickness of 30 μm on both surfaces of the glass cloth is obtained. It was.

(フレキシブルプリント配線板用基材の作製)
上記基板を用いて、上記実施例1と同様の手順で、フレキシブルプリント配線板用基材を得た。
(Preparation of flexible printed wiring board base material)
Using the substrate, a flexible printed wiring board substrate was obtained in the same procedure as in Example 1.

[比較例1]
ETFE(旭硝子社の「EA−2000」)より平均厚み100μmのフィルムを製造し、このフィルムを基板とした。なお、ガラスクロスは用いなかった。次に、この基板を用いて、上記実施例1と同様の手順で、フレキシブルプリント配線板用基材を得た。
[Comparative Example 1]
A film having an average thickness of 100 μm was produced from ETFE (“EA-2000” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), and this film was used as a substrate. Glass cloth was not used. Next, using this substrate, a flexible printed wiring board substrate was obtained in the same procedure as in Example 1.

[比較例2]
フッ素樹脂含浸ガラスクロス(日本ポリマー社の「TETLAS G−103」、平均厚み80μm、フッ素樹脂:PTFE)を基板として用いた。次に、この基板を用いて、上記実施例1と同様の手順で、フレキシブルプリント配線板用基材を得た。
[Comparative Example 2]
A fluororesin impregnated glass cloth (“TETLAS G-103” manufactured by Nippon Polymer Co., Ltd., average thickness of 80 μm, fluororesin: PTFE) was used as a substrate. Next, using this substrate, a flexible printed wiring board substrate was obtained in the same procedure as in Example 1.

[評価]
実施例1、2及び比較例1、2の基板及びフレキシブルプリント配線板用基材について、下記項目の評価を行った。
[Evaluation]
The following items were evaluated for the substrates of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 and the substrate for flexible printed wiring board.

(−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率、及び−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける誘電正接)
実施例1、2及び比較例1、2の基板について、−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率、及び−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける誘電正接を測定した。測定は、JIS−C−2138(2007年)に準拠する空洞共振器摂道法により、周波数10GHz、温度−40℃から125℃、相対湿度50%の条件で行った。なお、測定装置しては、円筒空洞共振器を用いた。比誘電率の測定結果を表1及び図3に示し、誘電正接の測定結果を表2及び図4に示す。
(The relative dielectric constant at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz, and the dielectric loss tangent at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz)
With respect to the substrates of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the relative dielectric constant at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz, and the dielectric loss tangent at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz were measured. The measurement was performed under the conditions of a frequency of 10 GHz, a temperature of −40 ° C. to 125 ° C., and a relative humidity of 50% by a cavity resonator perturbation method based on JIS-C-2138 (2007). As a measuring device, a cylindrical cavity resonator was used. The measurement results of relative dielectric constant are shown in Table 1 and FIG. 3, and the measurement results of dielectric loss tangent are shown in Table 2 and FIG.

(剥離強度)
実施例1、2及び比較例1、2のフレキシブルプリント配線板用基材について、JIS−K−6854−2(1999年)の「接着剤−剥離接着強さ試験方法−2部:180度剥離」に準拠する試験方法により基板と銅箔との間の剥離強度(N/cm)を測定した。
(Peel strength)
About the base material for flexible printed wiring boards of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, JIS-K-6854-2 (1999) "Adhesive-peeling adhesive strength test method-2 part: 180 degree peeling. The peel strength (N / cm) between the substrate and the copper foil was measured by a test method conforming to

(加熱変形性)
実施例1、2及び比較例1、2のフレキシブルプリント配線板用基材について、JIS−C−6471(1995年)の「寸法安定性」に準拠して、温度150℃、時間30分の条件での加熱前後の銅箔の寸法変化率を測定することにより求めた。寸法変化率は、下記式より求めた。
寸法変化率(%)=(加熱後の標点間距離と加熱前の標点間距離との差の絶対値)/(加熱前の標点間距離)×100
(Heat deformation)
Regarding the substrates for flexible printed wiring boards of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the temperature is 150 ° C. and the time is 30 minutes in accordance with “Dimensional stability” of JIS-C-6471 (1995). It was determined by measuring the dimensional change rate of the copper foil before and after heating at. The dimensional change rate was obtained from the following formula.
Dimensional change rate (%) = (absolute value of difference between distance between gauge points after heating and distance between gauge points before heating) / (distance between gauge points before heating) × 100

Figure 2016194044
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Figure 2016194044
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表1〜3、及び図3〜4に示すように、実施例1及び2は、比誘電率及び誘電正接が安定して低く、比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅も小さい。このため、実施例1及び2は、伝送特性に優れ、かつ電気特性の温度依存性が少ない。また、比較例1は、実施例1及び2と比べて誘電正接の変化幅が大きい。このため、比較例1は、実施例1及び2と比べて電気特性の温度依存性が劣る。さらに、比較例2は、比誘電率及び誘電正接が大きく、比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅も大きい。このため、比較例2は、電気特性に劣り、かつ温度変化による電気特性の劣化が生じている。このような結果から、本発明によれば、伝送特性に優れ、かつ電気特性の温度依存性が少なくできることが分かる。   As shown in Tables 1 to 3 and FIGS. 3 to 4, in Examples 1 and 2, the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent are low and the relative dielectric constant change width and the dielectric loss tangent change width are also small. For this reason, Examples 1 and 2 are excellent in transmission characteristics and have little temperature dependence of electrical characteristics. Further, Comparative Example 1 has a larger variation width of dielectric loss tangent than Examples 1 and 2. For this reason, the comparative example 1 is inferior in the temperature dependence of an electrical characteristic compared with Example 1 and 2. FIG. Further, Comparative Example 2 has a large relative dielectric constant and dielectric loss tangent, and also has a large variation width of relative dielectric constant and dielectric loss tangent. For this reason, the comparative example 2 is inferior in an electrical property, and the electrical property deterioration by the temperature change has arisen. From these results, it can be seen that according to the present invention, the transmission characteristics are excellent and the temperature dependence of the electrical characteristics can be reduced.

本発明の基板は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。このため、例えば車載用ミリ波レーダーや、携帯情報機器、携帯通信端末等の携帯機器に好適に用いることができる。   The substrate of the present invention has less temperature dependence of electrical characteristics and excellent transmission characteristics. For this reason, for example, it can be used suitably for portable equipment, such as an in-vehicle millimeter wave radar, a portable information device, and a portable communication terminal.

1 基板
2 フッ素樹脂層
2a フッ素樹脂層の補強材以外の部分
3 補強材層
4 改質層
5 導電層
10 フレキシブルプリント配線板用基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Fluororesin layer 2a Parts other than the reinforcement material of a fluororesin layer 3 Reinforcement material layer 4 Modification layer 5 Conductive layer 10 Base material for flexible printed wiring boards

Claims (13)

マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である基板であって、
−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である基板。
A substrate containing a matrix and a reinforcing material contained in the matrix, the main component of the matrix being a fluororesin,
The relative dielectric constant at −40 ° C. to 125 ° C. and 10 GHz is 2.6 or less, the dielectric loss tangent is 0.004 or less, the variation range of the relative dielectric constant is 0.0001 or more and 0.08 or less, and the variation range of the dielectric loss tangent is 0. A substrate having a thickness of 0.0001 to 0.002.
上記補強材が、ガラスクロス又は樹脂クロスであり、厚み方向の中間に積層されている請求項1に記載の基板。   The substrate according to claim 1, wherein the reinforcing material is a glass cloth or a resin cloth, and is laminated in the middle in the thickness direction. 上記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)又はテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)を50質量%以上含有する請求項1又は請求項2に記載の基板。   The said fluororesin contains the tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP) or the tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA) 50 mass% or more of Claim 1 or Claim 2. substrate. 上記補強材の含有量が1体積%以上50体積%以下である請求項1、請求項2又は請求項3に記載の基板。   4. The substrate according to claim 1, wherein the content of the reinforcing material is 1 volume% or more and 50 volume% or less. 一方の面にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板。   The substrate according to any one of claims 1 to 4, which has a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on one surface. 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板と、
この基板の一方の面側に積層される導電層と
を備えるフレキシブルプリント配線板用基材。
A substrate according to any one of claims 1 to 5,
A substrate for a flexible printed wiring board, comprising: a conductive layer laminated on one surface side of the substrate.
上記導電層が銅箔である請求項6に記載のフレキシブルプリント配線板用基材。   The flexible printed wiring board substrate according to claim 6, wherein the conductive layer is a copper foil. 上記基板と上記導電層との剥離強度が10N/cm以上である請求項6又は請求項7に記載のフレキシブルプリント配線板用基材。   The base material for flexible printed wiring boards according to claim 6 or 7, wherein a peel strength between the substrate and the conductive layer is 10 N / cm or more. 加熱変形性が0.5%以下である請求項6、請求項7又は請求項8に記載のフレキシブルプリント配線板用基材。   The base material for flexible printed wiring boards according to claim 6, wherein the heat deformability is 0.5% or less. 請求項6から請求項9のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント配線板用基材を用いたフレキシブルプリント配線板。   The flexible printed wiring board using the base material for flexible printed wiring boards of any one of Claims 6-9. ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、
上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程と
を備え、
得られる基板の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である基板の製造方法。
A step of superposing a resin film mainly composed of a fluororesin on both sides of a glass cloth or a resin cloth;
A step of thermocompression bonding the superposed material while vacuum suction,
The obtained substrate has a relative permittivity of −40 ° C. or more and 125 ° C. or less and 10 GHz, a dielectric loss tangent of 0.004 or less, a relative dielectric constant variation of 0.0001 or more and 0.08 or less, A manufacturing method of a substrate whose change width is 0.00001 or more and 0.002 or less.
上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始する請求項11に記載の基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate according to claim 11, wherein vacuum suction is started before the thermocompression bonding is started. ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、
含浸させた上記組成物を加熱する工程と
を備え、
得られる基板の−40℃以上125℃以下かつ10GHzにおける比誘電率が2.6以下、誘電正接が0.004以下、比誘電率の変化幅が0.0001以上0.08以下、誘電正接の変化幅が0.00001以上0.002以下である基板の製造方法。
Impregnating the surface and the inside of a glass cloth or a resin cloth with a composition containing a fluororesin as a main component;
Heating the impregnated composition, and
The obtained substrate has a relative permittivity of −40 ° C. or more and 125 ° C. or less and 10 GHz, a dielectric loss tangent of 0.004 or less, a relative dielectric constant variation of 0.0001 or more and 0.08 or less, A manufacturing method of a substrate whose change width is 0.00001 or more and 0.002 or less.
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