JP2016192556A - Optical semiconductor light source and vehicular lighting system - Google Patents

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登志浩 畑中
Toshihiro Hatanaka
登志浩 畑中
土屋 竜二
Ryuji Tsuchiya
竜二 土屋
智宏 溝口
Tomohiro Mizoguchi
智宏 溝口
大資 小杉
Hiroshi Kosugi
大資 小杉
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor light source capable of promoting heat radiation and a vehicular lighting system.SOLUTION: An optical semiconductor light source according to an embodiment includes: an optical semiconductor mounting substrate; a semiconductor light-emitting element provided on the optical semiconductor mounting substrate; a first heat dissipation member including a heat dissipation fin and in contact with a rear face of the optical semiconductor mounting substrate for transferring heat released from the semiconductor light-emitting element to the outside; a connector insertion part provided to the first heat dissipation member and including a connector insertion hole and a connector insertion wall provided to the periphery of the connector insertion hole; and a feeding terminal extending in the connector insertion part and electrically connected to the optical semiconductor mounting substrate. The extending direction of the dissipation fin is in parallel to the direction of the longer sides of the connector insertion part.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明の実施形態は、光半導体光源及び車両用照明装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to an optical semiconductor light source and a vehicle lighting device.

発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)などの半導体発光素子を用いた光半導体光源は、白熱電球や冷陰極管、放電管などを用いた光源よりも消費電力を低減させたり長寿命化することが容易である。   An optical semiconductor light source using a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED) can reduce power consumption or extend its life compared to a light source using an incandescent bulb, a cold cathode tube, a discharge tube, or the like. Easy.

一例として、半導体発光素子を光源とした車両用エクステリア照明は、各自動車メーカーの高級車両を中心に採用が始まり、フロントコンビネーションライトやリアコンビネーションライトなどに用いられている。さらに、リアコンビネーションライトについては、いわゆるリッターカークラスや軽自動車などの普及車両にまで採用が拡大しており、着実に搭載車両が増えている状況である。   As an example, exterior lighting for vehicles using a semiconductor light-emitting element as a light source has begun to be adopted mainly by high-end vehicles of various automobile manufacturers, and is used for front combination lights, rear combination lights, and the like. Furthermore, the use of rear combination lights is expanding to popular vehicles such as the so-called liter car class and minicars, and the number of installed vehicles is steadily increasing.

半導体発光素子を採用する上で、設計面での重要な項目として、半導体発光素子の放熱設計が挙げられる。半導体発光素子は、素子自体の温度が高くなると発光効率が低下する特性を有する。したがって、自己温度上昇や、周囲部品の発熱による温度の影響をいかに軽減できるかが重要である。   In adopting the semiconductor light emitting element, an important item in design is the heat radiation design of the semiconductor light emitting element. The semiconductor light emitting device has a characteristic that the light emission efficiency decreases when the temperature of the device itself increases. Therefore, it is important how to reduce the influence of temperature due to self-temperature rise and heat generation of surrounding parts.

発熱を抑える手段として、半導体発光素子や電流制限抵抗などの発熱素子の実装間隔を広げて、隣接する素子間の熱影響を緩和させる手段や、半導体発光素子の駆動電流を下げ、必要な光量を半導体発光素子の使用数で補う手段などが挙げられる。   As means for suppressing heat generation, the mounting interval of heat-emitting elements such as semiconductor light-emitting elements and current limiting resistors is widened to alleviate the thermal effect between adjacent elements, and the drive current of the semiconductor light-emitting elements is lowered to reduce the required light quantity. Means for compensating for the number of semiconductor light-emitting elements used.

しかし、これらの手段によると、光源自体が大きなものとなることから灯具デザインにより様々な制約が生じると共に、光源に汎用性が無く、灯具に対する一品一様の光源設計が必要となる。また、使用する基板材料の面積や、半導体発光素子の使用数が増えることで、コスト高となる傾向がある。   However, according to these means, since the light source itself becomes large, various restrictions are caused by the lamp design, and the light source is not versatile, and it is necessary to design a uniform light source for the lamp. In addition, the cost tends to increase due to the increase in the area of the substrate material to be used and the number of semiconductor light emitting elements used.

発熱を抑えるもうひとつの手段として、半導体発光素子や電流制限抵抗などを、熱伝導の高い金属基板や、セラミックス材料の基板などに実装し、放熱部材と接触させて、温度上昇を下げる手段が考えられる。   Another way to suppress heat generation is to mount a semiconductor light-emitting element or current limiting resistor on a metal substrate with high thermal conductivity or a ceramic material substrate and bring it into contact with a heat dissipation member to reduce the temperature rise. It is done.

この手段は、光源の小型化に有効であり、光源に汎用性を持たすことが可能となる。しかし、金属基板やセラミックス基板に半導体光源と電流制限抵抗、コネクタ等の外部からの給電部品、その他必要な部品を実装するため、相応の基板面積が必要となり、コスト高となる傾向がある。   This means is effective for reducing the size of the light source, and makes the light source versatile. However, since a semiconductor light source, a current limiting resistor, an external power supply component such as a connector, and other necessary components are mounted on a metal substrate or a ceramic substrate, a corresponding substrate area is required, which tends to increase costs.

一方で、半導体発光素子ひとつあたりの駆動電力を上げ、半導体発光素子の使用数量を削減し、半導体発光素子の実装基板に低コストで熱伝導率の低い材料を使用するなどして、部材コストを下げる方策も考えられる。しかし、これも、半導体発光素子の発光効率の低下や、長期信頼性の低下につながる可能性が高い。   On the other hand, by increasing the driving power per semiconductor light emitting element, reducing the number of semiconductor light emitting elements used, and using low cost and low thermal conductivity materials for the semiconductor light emitting element mounting substrate, the material cost can be reduced. A measure to lower it is also conceivable. However, this is also likely to lead to a decrease in the light emission efficiency and long-term reliability of the semiconductor light emitting device.

特開2003−115208号公報JP 2003-115208 A

放熱を促進できる光半導体光源及び車両用照明装置を提供する。   An optical semiconductor light source and a vehicle lighting device that can promote heat dissipation are provided.

実施形態に係る光半導体光源は、光半導体実装基板と、前記光半導体実装基板の上に設けられた半導体発光素子と、放熱フィンを有し、前記光半導体実装基板の裏面に当接し前記半導体発光素子から放出される熱を外部に伝達させる第1の放熱部材と、前記第1の放熱部材に設けられ、コネクタ挿入孔と、前記コネクタ挿入孔の周辺に設けられたコネクタ挿入壁と、を有するコネクタ挿入部と、前記コネクタ挿入部のなかを延在し、前記光半導体実装基板と電気的に接続された給電端子と、を備えている。
前記放熱フィンの延在方向と、前記コネクタ挿入部の長辺方向とが、平行である。
The optical semiconductor light source according to the embodiment includes an optical semiconductor mounting substrate, a semiconductor light emitting element provided on the optical semiconductor mounting substrate, and a heat radiation fin, and is in contact with the back surface of the optical semiconductor mounting substrate. A first heat dissipating member for transmitting heat emitted from the element to the outside; a connector inserting hole provided in the first heat dissipating member; and a connector inserting wall provided around the connector inserting hole. A connector insertion portion; and a power supply terminal extending through the connector insertion portion and electrically connected to the optical semiconductor mounting substrate.
The extending direction of the radiating fin and the long side direction of the connector insertion portion are parallel.

また、実施形態に係る車両用照明装置は、上記の光半導体光源を備えている。   Moreover, the vehicle lighting device according to the embodiment includes the optical semiconductor light source.

放熱を促進できる光半導体光源及び車両用照明装置が提供される。   An optical semiconductor light source and a vehicle lighting device that can promote heat dissipation are provided.

図1は、本発明の実施の形態に係る車両用照明装置の斜視組立図である。FIG. 1 is a perspective assembly view of a vehicle lighting device according to an embodiment of the present invention. 図2(a)は、本発明の実施の形態に係る車両用照明装置を正面側からみた模式斜視図であり、(b)は、裏面側からみた模式図である。2A is a schematic perspective view of the vehicular lighting device according to the embodiment of the present invention as seen from the front side, and FIG. 2B is a schematic view as seen from the back side. 図3は、光半導体実装基板10および制御基板50を拡大して表した模式斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view showing the optical semiconductor mounting substrate 10 and the control substrate 50 in an enlarged manner. 図4(a)は、本発明の実施形態にかかる光半導体光源の回路構成を表す模式平面図であり、図4(b)は、その等価回路図であり、図4(c)は、トリミングが施された後の状態を表す。4A is a schematic plan view showing a circuit configuration of the optical semiconductor light source according to the embodiment of the present invention, FIG. 4B is an equivalent circuit diagram thereof, and FIG. 4C is a trimming. Represents the state after. 図5(a)は、第1のヒートシンク300と光半導体実装基板10と制御基板50の関係を例示する模式斜視図であり、図5(b)は、その断面斜視図である。FIG. 5A is a schematic perspective view illustrating the relationship among the first heat sink 300, the optical semiconductor mounting substrate 10, and the control substrate 50, and FIG. 5B is a cross-sectional perspective view thereof. 図6(a)は、図5(a)に対応する模式平面図であり、図6(b)は、制御基板50を取り外した状態を表す模式平面図であり、図6(c)は、図6(b)に対応する模式斜視図である。6 (a) is a schematic plan view corresponding to FIG. 5 (a), FIG. 6 (b) is a schematic plan view showing a state in which the control board 50 is removed, and FIG. FIG. 7 is a schematic perspective view corresponding to FIG. 図7(a)は、第1のヒートシンク300の模式斜視図である。また、図7(b)、(c)及び(d)は、放熱フィン303の具体例を表す模式斜視図であり、第1のヒートシンク300を裏面側から眺めた模式図である。FIG. 7A is a schematic perspective view of the first heat sink 300. 7B, 7C, and 7D are schematic perspective views showing specific examples of the heat radiation fin 303, and are schematic views of the first heat sink 300 as viewed from the back surface side. 図8(a)は、第1のヒートシンク300の外側に第2のヒートシンク310を設けた具体例を表す模式斜視図であり、図8(b)、図8(c)はそれぞれ、第2のヒートシンク310を第1のヒートシンク300が収容される側から眺めた模式図である。FIG. 8A is a schematic perspective view showing a specific example in which the second heat sink 310 is provided outside the first heat sink 300, and FIGS. 8B and 8C are respectively a second view and a second view. It is the schematic diagram which looked at the heat sink 310 from the side in which the 1st heat sink 300 is accommodated. 図9(a)は、第2のヒートシンク310の表面積を増加させた具体例を表す模式斜視図であり、図9(b)は、その断面斜視図、図9(c)は第2のヒートシンク310の裏側からみた図であり、図9(d)は図9(a)の一点鎖線A−Aにおける断面図である。9A is a schematic perspective view showing a specific example in which the surface area of the second heat sink 310 is increased, FIG. 9B is a sectional perspective view thereof, and FIG. 9C is a second heat sink. It is the figure seen from the back side of 310, FIG.9 (d) is sectional drawing in the dashed-dotted line AA of Fig.9 (a). 図10(a)は、第1のヒートシンク300の体積を増加させた具体例を表す模式斜視図であり、図10(b)は、その断面斜視図である。FIG. 10A is a schematic perspective view showing a specific example in which the volume of the first heat sink 300 is increased, and FIG. 10B is a cross-sectional perspective view thereof. 図11(a)は、第1のヒートシンク300と第2のヒートシンク310の表面積を増加させた具体例を表す模式斜視図であり、図11(b)は、その断面斜視図である。FIG. 11A is a schematic perspective view showing a specific example in which the surface areas of the first heat sink 300 and the second heat sink 310 are increased, and FIG. 11B is a cross-sectional perspective view thereof. 図12(a)は、本発明の実施形態に係る光半導体光源を裏面側からみた模式図であり、図12(b)は、本発明の実施形態に係る比較例の光半導体光源を裏面側からみた模式図である。FIG. 12A is a schematic view of the optical semiconductor light source according to the embodiment of the present invention viewed from the back side, and FIG. 12B illustrates the optical semiconductor light source of the comparative example according to the embodiment of the present invention on the back side. It is the schematic diagram seen from. 図13(a)は、本実施形態に係る光半導体光源100を裏面側からみた模式図であり、図13(b)は、向かって右側からみた模式図である。FIG. 13A is a schematic view of the optical semiconductor light source 100 according to the present embodiment as viewed from the back side, and FIG. 13B is a schematic view as viewed from the right side. 図14(a)は、本実施形態に係る光半導体光源100を裏面側からみた模式図であり、図14(b)は、向かって右側からみた模式図である。FIG. 14A is a schematic view of the optical semiconductor light source 100 according to the present embodiment as viewed from the back side, and FIG. 14B is a schematic view as viewed from the right side. 図15は、本実施形態の車両用照明装置100を搭載した灯具の模式断面図である。FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of a lamp equipped with the vehicle lighting device 100 of the present embodiment.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、各図面において、同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る車両用照明装置の斜視組立図である。
また、図2(a)は、本実施形態に係る車両用照明装置を正面側からみた模式斜視図であり、(b)は、裏面側からみた模式図である。
車両用照明装置100は、光半導体光源150と、これを覆うカバー700と、を備える。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same element, and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a perspective assembly view of a vehicular lighting device according to a first embodiment of the present invention.
2A is a schematic perspective view of the vehicular illumination device according to the present embodiment as viewed from the front side, and FIG. 2B is a schematic view as viewed from the back side.
The vehicle lighting device 100 includes an optical semiconductor light source 150 and a cover 700 that covers the light source.

光半導体光源150は、第1のヒートシンク(第1の放熱部材)300と、この上に搭載された光半導体実装基板10と、制御基板50と、を有する。光半導体実装基板10の裏面は、第1のヒートシンク300と当接している。なおここで、「当接」とは、光半導体実装基板10が第1のヒートシンク300に直接的に接触するものには限定されず、例えば、光半導体実装基板10において生ずる熱を第1のヒートシンク300に効率よく伝達するため、伝熱性のグリースや、伝熱性の接着剤などを介して搭載されているものも含むものとする。   The optical semiconductor light source 150 includes a first heat sink (first heat radiating member) 300, an optical semiconductor mounting substrate 10 mounted thereon, and a control substrate 50. The back surface of the optical semiconductor mounting substrate 10 is in contact with the first heat sink 300. Here, “contact” is not limited to the one in which the optical semiconductor mounting substrate 10 directly contacts the first heat sink 300. For example, the heat generated in the optical semiconductor mounting substrate 10 is the first heat sink. In order to efficiently transmit to 300, heat transfer grease, heat transfer adhesive, and the like are also included.

光半導体実装基板10の上には、光源となるLED(Light Emitting Diode)などを用いた半導体発光素子(図示しない)が実装されている。光半導体実装基板10は、例えば、アルミナや窒化アルミニウムなどの無機材料により形成することができる。あるいは、光半導体実装基板10は、金属板の表面に絶縁層を被覆した基板とすることができる。この場合の絶縁層は、有機材料でも無機材料でもよい。   On the optical semiconductor mounting substrate 10, a semiconductor light emitting element (not shown) using an LED (Light Emitting Diode) as a light source is mounted. The optical semiconductor mounting substrate 10 can be formed of an inorganic material such as alumina or aluminum nitride, for example. Alternatively, the optical semiconductor mounting substrate 10 can be a substrate in which the surface of a metal plate is covered with an insulating layer. In this case, the insulating layer may be an organic material or an inorganic material.

半導体実装基板10には、半導体発光素子を取り囲むように、凹部27を有するリフレクタ22が実装されている。なお、半導体発光素子、リフレクタ22が実装された領域のことを、以降、発光部と称す。   A reflector 22 having a recess 27 is mounted on the semiconductor mounting substrate 10 so as to surround the semiconductor light emitting element. The region where the semiconductor light emitting element and the reflector 22 are mounted is hereinafter referred to as a light emitting unit.

リフレクタ22は、例えば、樹脂やセラミックスなどからなり、その凹部27の中に半導体発光素子18が露出するように、リフレクタ22が半導体実装基板10の上に実装される。そして、リフレクタ22の凹部27の内壁面が反射面を形成している。半導体発光素子10から放出された光は、直接か、凹部27の内壁面で反射され、上方へ向けて取り出すことができる。なお、リフレクタ22の形状は図示したものに限定されず、例えば直方体の中心に円錐状にくり抜かれた形状であってもよい。   The reflector 22 is made of, for example, resin or ceramics, and the reflector 22 is mounted on the semiconductor mounting substrate 10 so that the semiconductor light emitting element 18 is exposed in the recess 27. And the inner wall surface of the recessed part 27 of the reflector 22 forms the reflective surface. The light emitted from the semiconductor light emitting device 10 is reflected directly or by the inner wall surface of the recess 27 and can be extracted upward. Note that the shape of the reflector 22 is not limited to the illustrated shape, and may be, for example, a shape hollowed in a conical shape at the center of a rectangular parallelepiped.

制御基板50の上には、光半導体実装基板10に実装された半導体発光素子の駆動回路に含まれる抵抗などの回路素子(図示しない)が実装されている。制御基板50は、例えば、ガラスエポキシ基板とすることができる。   On the control board 50, circuit elements (not shown) such as resistors included in the drive circuit of the semiconductor light emitting element mounted on the optical semiconductor mounting board 10 are mounted. The control board 50 can be a glass epoxy board, for example.

第1のヒートシンク300は、光半導体実装基板10や制御基板50で発生した熱を光半導体光源150の外部に放出する。第1のヒートシンク300は、例えばアルミニウムなどの熱伝導性の高い材料により形成されている。第1のヒートシンク300には、カバー700と係合する係合凸部301、フランジ部302、複数のフィン303、コネクタ挿入部304が設けられている。   The first heat sink 300 releases heat generated in the optical semiconductor mounting substrate 10 and the control substrate 50 to the outside of the optical semiconductor light source 150. The first heat sink 300 is formed of a material having high thermal conductivity such as aluminum. The first heat sink 300 is provided with an engaging convex portion 301 that engages with the cover 700, a flange portion 302, a plurality of fins 303, and a connector insertion portion 304.

光半導体実装基板10と制御基板50とは、接続手段40により電気的に接続されている。接続手段40は、光半導体実装基板10に形成された電極(図示しない)と、制御基板50に形成された電極(図示しない)と、が接続されている。接続手段40としては、金属のワイヤ、リボン、ストラップなどを用いることができる。一例として、接続手段40をリン青銅により形成することができる。あるいは、接続手段40として、はんだ付けを用いることもできる。   The optical semiconductor mounting substrate 10 and the control substrate 50 are electrically connected by the connecting means 40. The connection means 40 is connected to an electrode (not shown) formed on the optical semiconductor mounting substrate 10 and an electrode (not shown) formed on the control substrate 50. As the connection means 40, a metal wire, a ribbon, a strap, or the like can be used. As an example, the connection means 40 can be made of phosphor bronze. Alternatively, soldering can be used as the connecting means 40.

制御基板50には、給電端子72、74、76が設けられている。給電端子72、74、76は、第1のヒートシンク300に設けられたコネクタ挿入部304のなかに延在し、第1のヒートシンク300の後方から挿入されるコネクタ720に接続され、外部から給電される。   The control board 50 is provided with power supply terminals 72, 74, and 76. The power supply terminals 72, 74, and 76 extend in the connector insertion portion 304 provided in the first heat sink 300, are connected to a connector 720 inserted from the rear of the first heat sink 300, and are supplied with power from the outside. The

なお、給電端子72、74、76はこの例に限定されず、例えば給電端子が2つで構成されていてもよい。要は、半導体光源150が所望の特性を有するように給電端子が設けられていれば、給電端子の数量は限定されない。   Note that the power supply terminals 72, 74, and 76 are not limited to this example, and for example, two power supply terminals may be configured. In short, the number of power supply terminals is not limited as long as the power supply terminals are provided so that the semiconductor light source 150 has desired characteristics.

カバー700は、第1のヒートシンク300に設けられた係合凸部301と係合する係合開口701を有する。係合開口701と係合凸部301とを係合させた状態において、カバー700は、第1のヒートシンク300と係合する。   The cover 700 has an engagement opening 701 that engages with an engagement protrusion 301 provided on the first heat sink 300. In a state where the engagement opening 701 and the engagement convex portion 301 are engaged, the cover 700 is engaged with the first heat sink 300.

図3は、光半導体実装基板10および制御基板50を拡大して表した模式斜視図である

光半導体実装基板10に実装された半導体発光素子18は、外部より供給された電力により光を放出する。半導体発光素子18は、ウェーハからダイシングされたLEDなどの半導体チップのままの形態でもよく、あるいは、LEDなどの半導体チップが樹脂やセラミックなどのパッケージに実装された形態でもよい。これら半導体チップやパッケージの形態のものは、はんだや導電性接着剤などにより、光半導体実装基板10に実装できる。
FIG. 3 is a schematic perspective view showing the optical semiconductor mounting substrate 10 and the control substrate 50 in an enlarged manner.
The semiconductor light emitting element 18 mounted on the optical semiconductor mounting substrate 10 emits light by electric power supplied from the outside. The semiconductor light emitting element 18 may be in the form of a semiconductor chip such as an LED diced from a wafer, or may be in the form of a semiconductor chip such as an LED mounted in a package of resin or ceramic. These semiconductor chips and packages can be mounted on the optical semiconductor mounting substrate 10 with solder, conductive adhesive, or the like.

LEDなどの半導体発光素子18の発光色は、赤色光の他、黄色や白色など、用途に応じて適宜設定することができる。なお、半導体発光素子18が半導体チップのまま実装された場合には、半導体発光素子18を外部由来の湿気やガスなどから保護するため、例えば、半導体発光素子18の周縁を覆うように、発光部20が透光性の樹脂(図示しない)で封止されていてもよい。また、半導体発光素子18が樹脂で封止されている場合には、例えば、発光部20に封止された樹脂の中に分散させて半導体発光素子18より放出される光を吸収して異なる波長の光を放出する蛍光体(図示しない)を有していてもよい。
一方、制御基板50の上には、図示しない抵抗などの回路素子が適宜配置されている。
The emission color of the semiconductor light-emitting element 18 such as an LED can be appropriately set according to the application, such as yellow or white, in addition to red light. In addition, when the semiconductor light emitting element 18 is mounted as a semiconductor chip, the light emitting unit is protected so as to cover the periphery of the semiconductor light emitting element 18, for example, in order to protect the semiconductor light emitting element 18 from moisture or gas derived from the outside. 20 may be sealed with a translucent resin (not shown). Further, when the semiconductor light emitting element 18 is sealed with a resin, for example, the light emitted from the semiconductor light emitting element 18 by being dispersed in the resin sealed in the light emitting portion 20 is absorbed to have different wavelengths. You may have the fluorescent substance (not shown) which emits the light of this.
On the other hand, circuit elements such as resistors (not shown) are appropriately disposed on the control board 50.

上述した具体例において、アルミナや窒化アルミニウムあるいは絶縁層で被覆した金属板により光半導体実装基板10を形成し、ガラスエポキシ基板により制御基板50を形成した場合には、光半導体実装基板10のほうが熱伝導率が高いといえる。   In the specific example described above, when the optical semiconductor mounting substrate 10 is formed of a metal plate coated with alumina, aluminum nitride, or an insulating layer, and the control substrate 50 is formed of a glass epoxy substrate, the optical semiconductor mounting substrate 10 is more heated. It can be said that the conductivity is high.

半導体発光素子18は、温度が上昇すると発光効率が低下し、また寿命も短くなる傾向がある。これに対して、本実施形態によれば、熱伝導性の高い光半導体実装基板10に半導体発光素子18を実装することにより、放熱を促進できる。光半導体実装基板10をヒートシンク300の上に搭載することで、ヒートシンク300への放熱を促進させ、半導体発光素子18の発光効率の低下や寿命の劣化を抑制できる。   The light emitting efficiency of the semiconductor light emitting element 18 tends to decrease as the temperature rises, and the lifetime also decreases. On the other hand, according to the present embodiment, heat radiation can be promoted by mounting the semiconductor light emitting element 18 on the optical semiconductor mounting substrate 10 having high thermal conductivity. By mounting the optical semiconductor mounting substrate 10 on the heat sink 300, heat dissipation to the heat sink 300 can be promoted, and a decrease in the light emission efficiency and the life of the semiconductor light emitting element 18 can be suppressed.

特に、複数の半導体発光素子18を用いる場合にも、本実施形態によれば、熱伝導性の高い光半導体実装基板10に半導体発光素子18を実装することで、コストを抑えつつ、半導体発光素子18からの放熱を促進させ、発光効率の低下や寿命の劣化を抑制できる。特に、本具体例のように、複数の半導体発光素子18が高い密度で実装される場合、熱も高い密度で発生するので、放熱が重要である。これに対して、本実施形態によれば、光半導体実装基板10を介してヒートシンク300への放熱を促進でき、高い発光効率や良好な長期信頼性を維持できる。   In particular, even when a plurality of semiconductor light emitting elements 18 are used, according to the present embodiment, the semiconductor light emitting element 18 is mounted on the optical semiconductor mounting substrate 10 having high thermal conductivity, thereby reducing the cost and reducing the cost. The heat dissipation from 18 can be promoted, and the decrease in luminous efficiency and the life can be suppressed. In particular, when a plurality of semiconductor light emitting elements 18 are mounted at a high density as in this specific example, heat is also generated at a high density, so heat dissipation is important. On the other hand, according to the present embodiment, heat radiation to the heat sink 300 can be promoted via the optical semiconductor mounting substrate 10, and high light emission efficiency and good long-term reliability can be maintained.

実際に車両用照明装置などの光源として使用する場合は、図示しないダイオード、コンデンサ、抵抗、保護素子、コネクタなどの回路素子を適宜搭載する必要がある。つまり、半導体発光素子18の駆動回路に含まれる回路素子を搭載する必要がある。このような場合に、熱伝導率の高い基板だけで光源を構成すると、発熱しない回路素子の搭載面積も熱伝導率の高い基板上に確保する必要があり、光源がコスト高になる。   When actually used as a light source for a vehicle lighting device or the like, it is necessary to appropriately mount circuit elements such as a diode, a capacitor, a resistor, a protection element, and a connector (not shown). That is, it is necessary to mount circuit elements included in the drive circuit of the semiconductor light emitting element 18. In such a case, if the light source is composed only of a substrate having a high thermal conductivity, it is necessary to secure a mounting area for circuit elements that do not generate heat on the substrate having a high thermal conductivity, which increases the cost of the light source.

これに対して本実施形態においては、半導体発光素子18以外の回路素子を、光半導体実装基板10ではなく、熱伝導率は低いが安価な制御基板50の上に実装する。こうすることで、部品実装面積に対するコストを低く抑えることができる。   In contrast, in the present embodiment, circuit elements other than the semiconductor light emitting element 18 are mounted not on the optical semiconductor mounting substrate 10 but on the control substrate 50 which has low thermal conductivity but is inexpensive. By doing so, the cost for the component mounting area can be kept low.

また、半導体発光素子18以外の回路素子を制御基板50の側に実装することで、光半導体実装基板10上における発熱量が低減し、これに近接配置される半導体発光素子18の温度上昇も低減する。これにより、半導体発光素子18の発光効率が向上し、光半導体実装基板10も小型化でき、さらなるコスト低減も可能となる。   Further, by mounting circuit elements other than the semiconductor light emitting element 18 on the control substrate 50 side, the amount of heat generated on the optical semiconductor mounting substrate 10 is reduced, and the temperature rise of the semiconductor light emitting element 18 disposed adjacent thereto is also reduced. To do. Thereby, the light emission efficiency of the semiconductor light emitting element 18 is improved, the optical semiconductor mounting substrate 10 can be downsized, and the cost can be further reduced.

また、光半導体実装基板10としてガラスエポキシ基板などを使用する場合に比べて、放熱が良好になるために部品を密集して配置でき、光源を小型化できる。その結果として、各種の灯具デザインに対して光源の取り付けの制約を軽減でき、汎用性の高い光源を提供することが可能となる。またさらに、基板面積の最小化、半導体発光素子の使用数量の最小化により、コスト低減も期待できる。   Further, compared to the case where a glass epoxy substrate or the like is used as the optical semiconductor mounting substrate 10, heat radiation is improved, so that components can be arranged densely and the light source can be downsized. As a result, it is possible to reduce the restrictions on the mounting of the light source for various lamp designs and to provide a highly versatile light source. Furthermore, cost reduction can be expected by minimizing the substrate area and the quantity of semiconductor light emitting elements used.

次に、本実施形態に係る光半導体光源の回路構成について、さらに詳しく説明する。
図4(a)は、本発明の実施形態にかかる光半導体光源の模式平面図であり、図4(b)は、その等価回路図である。
Next, the circuit configuration of the optical semiconductor light source according to the present embodiment will be described in more detail.
FIG. 4A is a schematic plan view of an optical semiconductor light source according to the embodiment of the present invention, and FIG. 4B is an equivalent circuit diagram thereof.

光半導体実装基板10の上には、電極12、14、16が形成されている。電極12と電極14との間には、半導体発光素子18が接続され、半導体発光素子18を取り囲むようにリフレクタ22が配置されることで発光部20が形成されている。電極14と電極16との間には、第1の電流制限抵抗30が接続されている。   On the optical semiconductor mounting substrate 10, electrodes 12, 14, and 16 are formed. A semiconductor light emitting element 18 is connected between the electrode 12 and the electrode 14, and a light emitting section 20 is formed by arranging a reflector 22 so as to surround the semiconductor light emitting element 18. A first current limiting resistor 30 is connected between the electrode 14 and the electrode 16.

半導体発光素子18は、図4(b)に表したように、2つずつ並列に接続された回路が3段に直列接続されている。   As shown in FIG. 4B, the semiconductor light emitting element 18 includes two circuits connected in parallel in series in three stages.

ただし、半導体発光素子18の数は、図示したものには、限定されない。すなわち、半導体発光素子18は、少なくともひとつ設けられていればよい。また、複数の半導体発光素子18を設ける場合の接続は、直列でもよく並列でもよい。
一方、制御基板50の上には、電極52、54、56が形成されている。電極54と電極56との間には、第2の電流制限抵抗60が接続されている。また、電極52と電極56には、外部回路からの給電端子70、70が接続されている。
光半導体実装基板10の電極12、16と、制御基板50の電極52、54と、は、接続手段40、40により電気的に接続されている。
However, the number of the semiconductor light emitting elements 18 is not limited to the illustrated one. That is, it is sufficient that at least one semiconductor light emitting element 18 is provided. Further, the connection in the case of providing a plurality of semiconductor light emitting elements 18 may be in series or in parallel.
On the other hand, electrodes 52, 54, and 56 are formed on the control substrate 50. A second current limiting resistor 60 is connected between the electrode 54 and the electrode 56. The electrodes 52 and 56 are connected to power supply terminals 70 and 70 from an external circuit.
The electrodes 12 and 16 of the optical semiconductor mounting substrate 10 and the electrodes 52 and 54 of the control substrate 50 are electrically connected by connecting means 40 and 40.

なお、光半導体実装基板10および制御基板50に設けられた電極12、16ならびに52、54、および、接続手段40、40の接続箇所は、図示した箇所に限定されない。要は、接続手段40、40が、光半導体実装基板10および制御基板50とを電気的に接続していれば、接続箇所は限定されない。   Note that the connection locations of the electrodes 12, 16 and 52, 54 and the connection means 40, 40 provided on the optical semiconductor mounting substrate 10 and the control substrate 50 are not limited to the illustrated locations. In short, as long as the connection means 40, 40 electrically connect the optical semiconductor mounting substrate 10 and the control substrate 50, the connection location is not limited.

図4(b)に表した等価回路からも分かるように、一対の給電端子70、70の間で、発光部20と、第1の電流制限抵抗30と、第2の電流制限抵抗60と、は直列に接続されている。したがって、給電端子70、70の間に駆動電圧を印加すると、第1及び第2の電流制限抵抗30、60により制限された電流が発光部20を流れ、発光させることができる。   As can be seen from the equivalent circuit shown in FIG. 4B, between the pair of power supply terminals 70, 70, the light emitting unit 20, the first current limiting resistor 30, the second current limiting resistor 60, Are connected in series. Therefore, when a driving voltage is applied between the power supply terminals 70 and 70, the current limited by the first and second current limiting resistors 30 and 60 can flow through the light emitting unit 20 to emit light.

第1の電流制限抵抗30は、複数個配置されていてもよく、また、半導体発光素子18との電気的接続において、半導体発光素子18からみて電源プラス(+)側の配線上、電源マイナス(−)側の配線上、電源プラス(+)側と電源マイナス(−)側の両方の配線上に配置してもよい。また、第1の電流制限抵抗30の形態としては、表面実装型の抵抗素子や、基板上に印刷等の手段で形成した印刷抵抗などを挙げることができる。   A plurality of the first current limiting resistors 30 may be arranged, and in electrical connection with the semiconductor light emitting device 18, the power source minus (+) on the wiring on the power source plus (+) side as viewed from the semiconductor light emitting device 18. You may arrange | position on both the wiring of a power supply plus (+) side and a power supply minus (-) side on the wiring of (-) side. Examples of the form of the first current limiting resistor 30 include a surface-mounted resistor element and a printing resistor formed on the substrate by printing means.

また、第2の電流制限抵抗60も、複数個配置されてもよく、また、図4(b)に表した半導体発光素子18との電気的接続において、半導体発光素子18からみて電源プラス(+)側の配線上、電源マイナス(−)側の配線上、電源プラス(+)側と電源マイナス(−)側の両方の配線上、のいずれに配置してもよい。また、第2の電流制限抵抗60の形態としては、ディスクリート実装抵抗素子や表面実装型抵抗素子などを挙げることができる。   Also, a plurality of second current limiting resistors 60 may be arranged, and in the electrical connection with the semiconductor light emitting element 18 shown in FIG. 4B, the power source plus (+ ) Side wiring, power source minus (−) side wiring, power source plus (+) side and power source minus (−) side wiring. Further, examples of the form of the second current limiting resistor 60 include a discrete mounting resistance element and a surface mounting resistance element.

本実施形態の構成のように、第2の電流制限抵抗60を制御基板50の側に実装することで、光半導体実装基板10上に設けられた第1の電流制限抵抗30の機能の一部を第2の電流制限抵抗60に移すことができるため、第1の電流制限抵抗30の発熱量が低減し、これに近接配置される半導体発光素子18の温度上昇も低減する。これにより、半導体発光素子18の発光効率が向上し、光半導体実装基板10も小型化でき、さらなるコスト低減も可能となる。   A part of the function of the first current limiting resistor 30 provided on the optical semiconductor mounting substrate 10 by mounting the second current limiting resistor 60 on the control substrate 50 side as in the configuration of the present embodiment. Can be transferred to the second current limiting resistor 60, the amount of heat generated by the first current limiting resistor 30 is reduced, and the temperature rise of the semiconductor light emitting element 18 disposed in the vicinity thereof is also reduced. Thereby, the light emission efficiency of the semiconductor light emitting element 18 is improved, the optical semiconductor mounting substrate 10 can be downsized, and the cost can be further reduced.

本実施形態の光半導体光源150においては、第1の電流制限抵抗30は、トリミングが可能とされている。
図4(c)は、トリミングが施された後の状態を表す。すなわち、第1の電流制限抵抗30は、トリミングにより形成された切除部36を有する。切除部36は、例えば、レーザーを照射して電流制限抵抗30の一部を除去することにより形成できる。あるいは、治具を押し当てて電流制限抵抗30の一部を除去することも可能である。
In the optical semiconductor light source 150 of the present embodiment, the first current limiting resistor 30 can be trimmed.
FIG. 4C shows a state after trimming. That is, the first current limiting resistor 30 has a cut portion 36 formed by trimming. The cut portion 36 can be formed, for example, by removing a part of the current limiting resistor 30 by irradiating a laser. Alternatively, it is possible to remove a part of the current limiting resistor 30 by pressing a jig.

第1の電流制限抵抗30として、印刷により形成した印刷抵抗を形成すると、このようなトリミングを容易に実施できる。発光部20の電気的、光学的特性のばらつきに対して、光半導体実装基板10上の第1の電流制限抵抗30にトリミングを施すことで、それぞれの特性の光源間のばらつきを抑えることができる。   When a printing resistor formed by printing is formed as the first current limiting resistor 30, such trimming can be easily performed. By trimming the first current limiting resistor 30 on the optical semiconductor mounting substrate 10 with respect to variations in electrical and optical characteristics of the light emitting unit 20, it is possible to suppress variations between the light sources of the respective characteristics. .

次に、本発明の実施形態に係る光半導体光源の放熱部材について、さらに詳しく説明する。
図5(a)は、第1のヒートシンク300と光半導体実装基板10と制御基板50の関係を例示する模式斜視図であり、(b)は、その断面斜視図である。
また、図6(a)は、図5(a)に対応する模式平面図であり、図6(b)は、制御基板50を取り外した状態を表す模式平面図であり、図6(c)は、図6(b)に対応する模式斜視図である。
第1のヒートシンク300は、その上面に、光半導体実装基板10を搭載する搭載面305と、制御基板50を搭載する搭載面306と、を有する。
Next, the heat radiation member of the optical semiconductor light source according to the embodiment of the present invention will be described in more detail.
FIG. 5A is a schematic perspective view illustrating the relationship among the first heat sink 300, the optical semiconductor mounting substrate 10, and the control substrate 50, and FIG. 5B is a cross-sectional perspective view thereof.
6A is a schematic plan view corresponding to FIG. 5A, FIG. 6B is a schematic plan view showing a state in which the control board 50 is removed, and FIG. 6C. FIG. 7 is a schematic perspective view corresponding to FIG.
The first heat sink 300 has a mounting surface 305 for mounting the optical semiconductor mounting substrate 10 and a mounting surface 306 for mounting the control substrate 50 on its upper surface.

第1のヒートシンク300の裏面側には、放熱フィン303が形成されている。例えば、第1のヒートシンク300をアルミニウムで形成することにより、光半導体実装基板10から放出された熱を第1のヒートシンク300を介して効率的に伝導させ、フィン303を介して外部に効率的に放出させることができる。   On the back side of the first heat sink 300, heat radiating fins 303 are formed. For example, by forming the first heat sink 300 from aluminum, the heat released from the optical semiconductor mounting substrate 10 can be efficiently conducted through the first heat sink 300 and efficiently transmitted to the outside through the fins 303. Can be released.

また、図5及び図6に表した具体例の場合、制御基板50は、その一部が第1のヒートシンク300の上に接触し、他の部分は第1のヒートシンク300の外側にはみ出して、第1のヒートシンク300に形成されたコネクタ挿入部304の上を覆っている。   In the case of the specific examples shown in FIGS. 5 and 6, a part of the control board 50 contacts the first heat sink 300 and the other part protrudes outside the first heat sink 300, The top of the connector insertion portion 304 formed on the first heat sink 300 is covered.

制御基板50の上に設けられる回路素子は、光半導体実装基板10に搭載される半導体発光素子18の駆動回路を構成する抵抗、ダイオード、キャパシタ、トランジスタなどであり、いずれも放熱量は小さく、また温度の上昇に対して特性の変動も小さい。このため、制御基板50を第1のヒートシンク300の上からはみ出させて配置しても、制御基板50の上に設けられる回路素子の動作に悪影響を及ぼすことはない。   The circuit elements provided on the control substrate 50 are resistors, diodes, capacitors, transistors, and the like that constitute the drive circuit of the semiconductor light emitting element 18 mounted on the optical semiconductor mounting substrate 10, and all of them have a small heat dissipation amount. Variations in characteristics are small with increasing temperature. For this reason, even if the control board 50 is arranged so as to protrude from the first heat sink 300, the operation of the circuit elements provided on the control board 50 is not adversely affected.

制御基板50を第1のヒートシンク300からはみ出させて、第1のヒートシンク300のコネクタ挿入部304を覆うように設け、コネクタ挿入部304の中に給電端子72、74、76を延出させることにより、第1のヒートシンク300の裏面側からコネクタ720を挿入して接続することができる。   By extending the control board 50 from the first heat sink 300 so as to cover the connector insertion portion 304 of the first heat sink 300, the power supply terminals 72, 74, and 76 are extended into the connector insertion portion 304. The connector 720 can be inserted and connected from the back side of the first heat sink 300.

また、コネクタ挿入部304の周囲において、コネクタ720を防水コネクタとすれば、コネクタ挿入部304から内部への水分の侵入も阻止できる。つまり、裏面側(第1のヒートシンク300の側)において、防水構造を有する車両用照明装置100を提供できる。   In addition, if the connector 720 is a waterproof connector around the connector insertion portion 304, it is possible to prevent moisture from entering the connector insertion portion 304 into the inside. That is, the vehicular illumination device 100 having a waterproof structure can be provided on the back surface side (the first heat sink 300 side).

図7は、本実施形態の車両用照明装置のその他の具体例を表す模式図である。
すなわち、図7(a)は、第1のヒートシンク300の模式斜視図である。また、図7(b)、(c)及び(d)は、放熱フィン303の具体例を表す模式斜視図であり、第1のヒートシンク300を裏面側から眺めた模式図である。
図7(a)に表したように、本具体例においても、第1のヒートシンク300にコネクタ挿入部304が設けられ、制御基板50の給電端子72、74、76が挿入される。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating another specific example of the vehicular illumination device of the present embodiment.
That is, FIG. 7A is a schematic perspective view of the first heat sink 300. 7B, 7C, and 7D are schematic perspective views showing specific examples of the heat radiation fin 303, and are schematic views of the first heat sink 300 as viewed from the back surface side.
As shown in FIG. 7A, also in this specific example, the connector insertion portion 304 is provided in the first heat sink 300, and the power supply terminals 72, 74, and 76 of the control board 50 are inserted.

また、放熱フィン303の形状は、図7(b)に表したように、第1のヒートシンク300の中心から複数の方向に広がっている熱伝導部303Aを有する。このような構成とすることにより、光半導体実装基板10が第1のヒートシンク300の中心と略対向する位置に当接されると、光半導体実装基板10から発生する熱が第1のヒートシンク300の放熱フィン303、具体的には熱伝導部303Aにすばやく複数の方向に熱を伝導させることができる。その結果、第1のヒートシンク300から周囲雰囲気への放熱が促進できる。   Further, the shape of the heat dissipating fin 303 has a heat conducting portion 303A that spreads in a plurality of directions from the center of the first heat sink 300, as shown in FIG. 7B. With this configuration, when the optical semiconductor mounting substrate 10 is brought into contact with a position substantially opposite to the center of the first heat sink 300, heat generated from the optical semiconductor mounting substrate 10 is generated in the first heat sink 300. Heat can be quickly conducted in a plurality of directions to the heat dissipating fins 303, specifically, the heat conducting portion 303A. As a result, heat radiation from the first heat sink 300 to the surrounding atmosphere can be promoted.

また、図7(c)に表したように、図7(b)の放熱フィン303に設けられた熱伝導部303Aより分岐した、複数の熱放射部303Bを有していてもよい。このような構成とすることで、図7(b)の構成よりも更に第1のヒートシンク300の表面積を拡大することができるため、第1のヒートシンク300から周辺雰囲気への放熱が更に促進できる。なお、熱放射部303Bは、図7(c)に表したように、それぞれが連結しているものに限定されない。例えば、図7(d)に表したように、熱放射部303Bが断片的に構成されていてもよく、要は、熱放射部303Bは熱伝導部303Aより分岐して形成されていればその形式は限定されない。   Moreover, as illustrated in FIG. 7C, a plurality of heat radiation portions 303 </ b> B branched from the heat conduction portions 303 </ b> A provided in the heat radiation fins 303 in FIG. 7B may be provided. By adopting such a configuration, the surface area of the first heat sink 300 can be further increased as compared with the configuration of FIG. 7B, and therefore heat dissipation from the first heat sink 300 to the surrounding atmosphere can be further promoted. In addition, as shown in FIG.7 (c), the thermal radiation part 303B is not limited to what each has connected. For example, as shown in FIG. 7D, the heat radiating portion 303B may be configured in a fragmentary manner. In short, if the heat radiating portion 303B is formed to be branched from the heat conducting portion 303A, The format is not limited.

次に、本発明の他の実施形態に係る光半導体光源の放熱部材について説明する。
図8(a)は、第1のヒートシンク300の外側に第2のヒートシンク(第2の放熱部材)310を設けた具体例を表す模式斜視図であり、図8(b)、図8(c)はそれぞれ、第2のヒートシンク310を第1のヒートシンク300が収容される側から眺めた模式図である。
Next, a heat radiating member of an optical semiconductor light source according to another embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8A is a schematic perspective view showing a specific example in which a second heat sink (second heat radiating member) 310 is provided outside the first heat sink 300, and FIG. 8B and FIG. ) Are schematic views of the second heat sink 310 as viewed from the side where the first heat sink 300 is accommodated.

第2のヒートシンク310は、第1のヒートシンク300を収容する挿入孔317を有する。第1のヒートシンク300を収容した状態において、第1のヒートシンク300と第2のヒートシンク310とは、密接し、熱接触が良好な状態とされている。
また、第2のヒートシンク310は、第1のヒートシンク300と同様に、コネクタ挿入部314を有する。本構成とすることで、制御基板50に設けられた給電端子72、74、76は、第1のヒートシンク300に設けられたコネクタ挿入部304および第2のヒートシンク310に設けられたコネクタ挿入部314のなかに延在し、第2のヒートシンク310の後方から挿入されるコネクタ720に接続され、外部から給電される。あるいは、第2のヒートシンク310にのみコネクタ挿入部314を設けて、第1のヒートシンク300には給電端子72、74、76のみが貫通するようにしてもよい。
The second heat sink 310 has an insertion hole 317 that accommodates the first heat sink 300. In the state in which the first heat sink 300 is accommodated, the first heat sink 300 and the second heat sink 310 are in close contact with each other and have good thermal contact.
In addition, the second heat sink 310 has a connector insertion portion 314, similar to the first heat sink 300. With this configuration, the power supply terminals 72, 74, and 76 provided on the control board 50 are connected to the connector insertion portion 304 provided to the first heat sink 300 and the connector insertion portion 314 provided to the second heat sink 310. It is connected to a connector 720 inserted from the rear of the second heat sink 310 and supplied with power from the outside. Alternatively, the connector insertion portion 314 may be provided only in the second heat sink 310 so that only the power supply terminals 72, 74, and 76 penetrate the first heat sink 300.

第2のヒートシンク310の材料として、第1のヒートシンク300よりも放射率の高い材料を用いることにより、第1のヒートシンク300からの放熱を促進できる。例えば、第1のヒートシンク300をアルミニウムにより形成し、第2のヒートシンク310をPBT(Poly Buthylene Terephthalete)などの樹脂により形成した場合、発光部などから放出された熱は、第1のヒートシンク300から第2のヒートシンク310へ効率よく伝わり、外部に放出される。   By using a material having a higher emissivity than that of the first heat sink 300 as the material of the second heat sink 310, heat dissipation from the first heat sink 300 can be promoted. For example, when the first heat sink 300 is formed of aluminum and the second heat sink 310 is formed of a resin such as PBT (Poly Buthylene Terephthalete), the heat released from the light-emitting portion is the first heat sink 300. 2 is efficiently transmitted to the heat sink 310 and discharged to the outside.

具体的には、アルミニウムの熱放射率は、鏡面の場合には0.05程度と非常に低く、粗面の場合でも0.3〜0.4程度に過ぎない。これに対して、PBTなどの樹脂の熱放射率は0.9〜0.95と非常に高い。従って、第1のヒートシンク300をアルミニウムなどの金属で形成し、第2のヒートシンク310をPBTなどの樹脂で形成することにより、光半導体実装基板10や制御基板50からの熱を第1のヒートシンク300に効率的に伝導させ、さらに第2のヒートシンク310から周囲の雰囲気に効率的に放出させることができる。   Specifically, the thermal emissivity of aluminum is as low as about 0.05 in the case of a mirror surface, and is only about 0.3 to 0.4 even in the case of a rough surface. On the other hand, the thermal emissivity of a resin such as PBT is as high as 0.9 to 0.95. Therefore, by forming the first heat sink 300 with a metal such as aluminum and the second heat sink 310 with a resin such as PBT, the heat from the optical semiconductor mounting substrate 10 and the control substrate 50 is transferred to the first heat sink 300. The second heat sink 310 can be efficiently discharged to the surrounding atmosphere.

一方、第2のヒートシンク310には、これら放熱フィン303を収容する挿入孔317を設ける。つまり、第1のヒートシンク300の放熱フィン303は、第2のヒートシンク310に埋め込まれる。防水の観点からは、挿入孔317は、第2のヒートシンク310を貫通せず、第2のヒートシンク310の裏面側において終端させることが望ましい
On the other hand, the second heat sink 310 is provided with an insertion hole 317 for accommodating these heat radiation fins 303. That is, the heat radiating fins 303 of the first heat sink 300 are embedded in the second heat sink 310. From the viewpoint of waterproofing, it is desirable that the insertion hole 317 does not penetrate the second heat sink 310 and is terminated on the back surface side of the second heat sink 310.

こうすることにより、第1のヒートシンク300と第2のヒートシンク310との接触面積が拡大し、第1のヒートシンク300から第2のヒートシンク310への熱伝導を促進できる。その結果として、第2のヒートシンク310から周囲雰囲気への放熱にも促進できる。   By doing so, the contact area between the first heat sink 300 and the second heat sink 310 is increased, and heat conduction from the first heat sink 300 to the second heat sink 310 can be promoted. As a result, heat radiation from the second heat sink 310 to the surrounding atmosphere can be promoted.

図9(a)は、第2のヒートシンク310の表面積を増加させた具体例を表す模式斜視図であり、図9(b)は、その断面斜視図、図9(c)は第2のヒートシンク310の裏側からみた図、図9(d)は図9(a)の一点鎖線A−Aにおける断面図である。
本具体例においては、第1のヒートシンク300に放熱フィン303を同心円状に有する。また、第2のヒートシンク310には、第2のヒートシンク310の中心より複数の方向に広がっている熱伝導部313Aと、熱伝導部313Aより分岐した、複数の熱放射部303Bを有していてもよい。すなわち、図9(a)の一点鎖線A−Aでの断面図である図9(d)に表したように、熱放射部313Bの周囲に第1のヒートシンク300の放熱フィン303および第2のヒートシンク310の熱伝導部313Aが交互に存在する。このようにすれば、光半導体実装基板10から放出された熱は、放射方向にも、同心円方向にも、伝達され、第2のヒートシンク310を介した外部への放熱を促進できる。
9A is a schematic perspective view showing a specific example in which the surface area of the second heat sink 310 is increased, FIG. 9B is a sectional perspective view thereof, and FIG. 9C is a second heat sink. FIG. 9D is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line AA in FIG. 9A.
In this specific example, the first heat sink 300 has heat radiation fins 303 concentrically. In addition, the second heat sink 310 has a heat conducting portion 313A spreading in a plurality of directions from the center of the second heat sink 310 and a plurality of heat radiating portions 303B branched from the heat conducting portion 313A. Also good. That is, as shown in FIG. 9D, which is a cross-sectional view taken along one-dot chain line AA in FIG. 9A, the heat dissipating fins 303 and the second heat sinks 300 of the first heat sink 300 are disposed around the heat radiating portion 313 </ b> B. The heat conducting portions 313A of the heat sink 310 are alternately present. In this way, the heat released from the optical semiconductor mounting substrate 10 is transmitted both in the radial direction and in the concentric direction, and heat dissipation to the outside via the second heat sink 310 can be promoted.

図10(a)は、第1のヒートシンク300の体積を増加させた具体例を表す模式斜視図であり、図10(b)は、その断面斜視図である。
本具体例においても、第1のヒートシンク300の裏面側に埋め込まれる第2のヒートシンク310は、間接的に第1のヒートシンク300の放射率を増加させることができる。その結果として、第2のヒートシンク310の壁面から外部に効率的に放出できる。このように、第1のヒートシンク300が単純なブロック構成でも、放熱性を高めることができる。
FIG. 10A is a schematic perspective view showing a specific example in which the volume of the first heat sink 300 is increased, and FIG. 10B is a cross-sectional perspective view thereof.
Also in this specific example, the second heat sink 310 embedded in the back surface side of the first heat sink 300 can indirectly increase the emissivity of the first heat sink 300. As a result, it can be efficiently discharged from the wall surface of the second heat sink 310 to the outside. Thus, even if the 1st heat sink 300 is a simple block structure, heat dissipation can be improved.

図11(a)は、第1のヒートシンク300と第2のヒートシンク310の表面積を増加させた具体例を表す模式斜視図であり、図11(b)は、その断面斜視図である。
本具体例では、放熱フィン303のそれぞれを覆いつつ、隣接する放熱フィン303どうしの間にトレンチ318が形成されている。
このようなトレンチ318を形成することにより、第2のヒートシンク310の表面積を増加させることができる。その結果として、放熱フィン303を介して伝達された熱をトレンチ318の壁面から外部に効率的に放出できる。
FIG. 11A is a schematic perspective view showing a specific example in which the surface areas of the first heat sink 300 and the second heat sink 310 are increased, and FIG. 11B is a cross-sectional perspective view thereof.
In this specific example, a trench 318 is formed between adjacent radiating fins 303 while covering each of the radiating fins 303.
By forming such a trench 318, the surface area of the second heat sink 310 can be increased. As a result, the heat transferred through the heat radiation fin 303 can be efficiently released from the wall surface of the trench 318 to the outside.

なお、第2のヒートシンク310は、第1のヒートシンク300の表面に熱放射率の高い物質を形成することにより構成されてもよい。第2のヒートシンク310は、例えば、アルミニウムで形成された第1のヒートシンク300の表面をアルマイト処理することにより形成されてもよい。   The second heat sink 310 may be configured by forming a material having a high thermal emissivity on the surface of the first heat sink 300. The second heat sink 310 may be formed by, for example, anodizing the surface of the first heat sink 300 made of aluminum.

次に、本発明の実施形態に係る光半導体光源の放熱フィンとコネクタとの関係について、さらに詳しく説明する。
図12(a)は、本発明の実施形態に係る光半導体光源を裏面側からみた模式図であり、図12(b)は、本発明の実施形態に係る比較例の光半導体光源を裏面側からみた模式図である。
Next, the relationship between the radiation fin and the connector of the optical semiconductor light source according to the embodiment of the present invention will be described in more detail.
FIG. 12A is a schematic view of the optical semiconductor light source according to the embodiment of the present invention viewed from the back side, and FIG. 12B illustrates the optical semiconductor light source of the comparative example according to the embodiment of the present invention on the back side. It is the schematic diagram seen from.

図2(b)にも表したように、光半導体光源100の裏面側には、複数の放熱フィン303が形成されている。これら放熱フィン303は、一方向(図12において上下方向)に延在して形成されている。   As shown in FIG. 2B, a plurality of heat radiation fins 303 are formed on the back side of the optical semiconductor light source 100. These radiating fins 303 are formed to extend in one direction (vertical direction in FIG. 12).

一方、コネクタ720(図1参照)を挿入するコネクタ挿入部304は、コネクタ挿入孔304Aとコネクタ挿入孔304Aの周縁に設けられたコネクタ挿入壁304Bで構成され、コネクタ挿入孔304Aおよびコネクタ挿入壁304Bはそれぞれ長方形の形状を有する。つまり、コネクタ挿入部304に挿入されるコネクタ720(図1参照)も、その断面形状は長方形とされている。あるいは、コネクタ挿入部304は、正方形や偏平円形や長円形などでもよい。要は、コネクタ挿入部304、およびコネクタ720の形状は、特定のものには限定されない。   On the other hand, the connector insertion portion 304 into which the connector 720 (see FIG. 1) is inserted is composed of a connector insertion hole 304A and a connector insertion wall 304B provided at the periphery of the connector insertion hole 304A, and the connector insertion hole 304A and the connector insertion wall 304B. Each have a rectangular shape. That is, the cross-sectional shape of the connector 720 (see FIG. 1) inserted into the connector insertion portion 304 is also rectangular. Alternatively, the connector insertion portion 304 may be a square, a flat circle, an oval, or the like. In short, the shapes of the connector insertion portion 304 and the connector 720 are not limited to specific shapes.

そして、図12(a)に表した具体例の場合、放熱フィン303の延在方向と、コネクタ挿入部304すなわちコネクタ720の長辺の方向と、は、平行である。すなわち、放熱フィン303の延在方向と、コネクタ挿入部304(コネクタ720)の長辺の方向と、は、いずれも図12(a)において上下方向である。   In the specific example shown in FIG. 12A, the extending direction of the heat dissipating fins 303 and the connector insertion portion 304, that is, the direction of the long side of the connector 720 are parallel. That is, the extending direction of the radiation fin 303 and the direction of the long side of the connector insertion portion 304 (connector 720) are both the vertical direction in FIG.

一方、図12(b)に表した比較例の場合、放熱フィン303の延在方向と、コネクタ挿入部304すなわちコネクタ720の長辺の方向と、は、略垂直である。すなわち、放熱フィン303の延在方向は、図12(a)において上下方向であり、コネクタ挿入部304(コネクタ720)の長辺の方向は、図12(a)において左右方向である。   On the other hand, in the case of the comparative example shown in FIG. 12B, the extending direction of the heat dissipating fins 303 and the direction of the long side of the connector insertion portion 304, that is, the connector 720, are substantially perpendicular. That is, the extending direction of the radiating fin 303 is the vertical direction in FIG. 12A, and the long side direction of the connector insertion portion 304 (connector 720) is the left-right direction in FIG.

図12(a)に表したように、放熱フィン303の延在方向が鉛直方向と平行となるように配置すると、矢印303Cで表したように、隣接する放熱フィン303の間隙において上方への空気の流れが生じやすくなる。つまり、放熱フィン303から放出された熱により暖められて軽くなった空気が放熱フィン303の間隙を鉛直上方に上昇する気流が形成されやすくなる。その結果として、放熱フィン303からの放熱を促進できる。   As illustrated in FIG. 12A, when the extending direction of the heat dissipating fins 303 is arranged to be parallel to the vertical direction, as indicated by the arrow 303 </ b> C, the upward air flows in the gap between the adjacent heat dissipating fins 303. This is likely to occur. That is, the air that has been warmed and lightened by the heat released from the radiating fins 303 tends to form an air current that rises vertically upward in the gaps of the radiating fins 303. As a result, heat radiation from the heat radiation fins 303 can be promoted.

そして、図12(a)に表したように、コネクタ挿入部304の長辺が放熱フィン303の延在方向と平行となるように配置すると、矢印303Cで表した空気の流れが、コネクタ挿入壁304Bやコネクタ720(図1参照)により妨げられることがない。つまり、放熱フィン303からの放熱をさらに促進できる。
ただし、図12(b)に表したようにコネクタ挿入部304、すなわち、コネクタ挿入孔304Aおよびコネクタ挿入壁304Bを放熱フィン303の延在方向に対して垂直にを形成すると、矢印303Cで表した空気の流れが、コネクタ挿入壁304Bやコネクタ720により妨げられることになるので、放熱フィン303からの放熱が阻害される。よって、図12(a)に表したように、コネクタ挿入部304の長辺は、放熱フィン303の延在方向と平行となることがより好ましい。
Then, as shown in FIG. 12A, when the long side of the connector insertion portion 304 is arranged so as to be parallel to the extending direction of the radiating fin 303, the air flow indicated by the arrow 303C It is not hindered by 304B or the connector 720 (see FIG. 1). That is, the heat radiation from the heat radiation fins 303 can be further promoted.
However, as shown in FIG. 12B, when the connector insertion portion 304, that is, the connector insertion hole 304 </ b> A and the connector insertion wall 304 </ b> B are formed perpendicular to the extending direction of the radiating fins 303, the arrow 303 </ b> C represents. Since the air flow is hindered by the connector insertion wall 304 </ b> B and the connector 720, heat radiation from the heat radiation fins 303 is inhibited. Therefore, as shown in FIG. 12A, it is more preferable that the long side of the connector insertion portion 304 is parallel to the extending direction of the radiating fins 303.

また、コネクタ挿入部304がコネクタ挿入孔304Aのみで構成される場合も、コネクタ挿入孔304Aを放熱フィン303の延在方向に対して垂直に形成すると、矢印303Cで表した空気の流れが、コネクタ720により妨げられることになるので、放熱フィン303からの放熱を阻害する。よって、コネクタ挿入部304がコネクタ挿入孔304Aとコネクタ挿入壁304Bで構成されるときと同様に、コネクタ挿入部304がコネクタ挿入孔304Aのみで構成される場合も、コネクタ挿入孔304Aの長辺も、放熱フィン303の延在方向と平行となることがより好ましい。   Even when the connector insertion portion 304 is configured only by the connector insertion hole 304A, if the connector insertion hole 304A is formed perpendicular to the extending direction of the heat dissipating fin 303, the air flow indicated by the arrow 303C Therefore, the heat radiation from the heat radiation fins 303 is hindered. Therefore, similarly to the case where the connector insertion portion 304 is configured by the connector insertion hole 304A and the connector insertion wall 304B, the long side of the connector insertion hole 304A is not limited even when the connector insertion portion 304 is configured only by the connector insertion hole 304A. More preferably, it is parallel to the extending direction of the radiating fins 303.

図13(a)は、本実施形態に係る光半導体光源100を裏面側からみた模式図であり、図13(b)は、向かって右側からみた模式図である。
図13(a)に表したように、コネクタ挿入部304に挿入されるコネクタ720からは、電気配線としてのケーブル722が延在している。図13に表した具体例の場合、ケーブル722は、コネクタ720の長辺方向すなわち図13(a)における上方に延在するように、コネクタ720に接続されている。このようにケーブル722が接続されることにより、放熱フィン303の間隙を流れる空気の流れを妨げることがない。
FIG. 13A is a schematic view of the optical semiconductor light source 100 according to the present embodiment as viewed from the back side, and FIG. 13B is a schematic view as viewed from the right side.
As shown in FIG. 13A, a cable 722 as an electrical wiring extends from the connector 720 inserted into the connector insertion portion 304. In the case of the specific example shown in FIG. 13, the cable 722 is connected to the connector 720 so as to extend in the long side direction of the connector 720, that is, upward in FIG. By connecting the cable 722 in this way, the flow of air flowing through the gap between the heat radiation fins 303 is not hindered.

なお、図13(a)及び(b)に表した具体例の他にも、例えば、ケーブル722がコネクタ挿入部304の貫通方向、すなわち図13(a)において紙面に対して垂直な方向に延在するように、コネクタ720に接続してもよい。あるいは、ケーブル722が、放熱フィン303の延在方向とは垂直な方向、すなわち図13(a)において右方向に延在するようにコネクタ720に接続してもよい。これらいずれの場合も、ケーブル722が放熱フィン303の間隙を流れる空気の流れを妨げることがない。   In addition to the specific examples shown in FIGS. 13A and 13B, for example, the cable 722 extends in the penetration direction of the connector insertion portion 304, that is, in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. As is present, it may be connected to the connector 720. Alternatively, the cable 722 may be connected to the connector 720 so as to extend in a direction perpendicular to the extending direction of the radiation fins 303, that is, in the right direction in FIG. In any of these cases, the cable 722 does not hinder the flow of air flowing through the gaps between the radiation fins 303.

図14(a)は、本実施形態に係る光半導体光源100を裏面側からみた模式図であり、図14(b)は、向かって右側からみた模式図である。
本具体例においては、コネクタ720は、光半導体光源100の裏面ではなく、側面に接続されている。つまり、コネクタ挿入部304(図2参照)は、光半導体光源100の裏面ではなく、側面に形成され、このコネクタ挿入部304にコネクタ720が挿入されている。
FIG. 14A is a schematic view of the optical semiconductor light source 100 according to the present embodiment as viewed from the back side, and FIG. 14B is a schematic view as viewed from the right side.
In this specific example, the connector 720 is connected to the side surface instead of the back surface of the optical semiconductor light source 100. That is, the connector insertion portion 304 (see FIG. 2) is formed on the side surface instead of the back surface of the optical semiconductor light source 100, and the connector 720 is inserted into the connector insertion portion 304.

こうすると、光半導体光源100の裏面側には、ほぼ全面に放熱フィン303を形成することが可能となり、放熱をさらに促進できる。また、コネクタ720やケーブル722が光半導体光源100の裏面側に設けられないので、放熱フィン303の周囲で生ずる空気の流れを妨げることもない。   In this way, it is possible to form the heat radiation fins 303 on almost the entire surface on the back surface side of the optical semiconductor light source 100, thereby further promoting heat radiation. Further, since the connector 720 and the cable 722 are not provided on the back side of the optical semiconductor light source 100, the air flow generated around the heat radiating fin 303 is not obstructed.

なお、図14(a)及び(b)に表した具体例の他にも、例えば、ケーブル722がコネクタ挿入部304の延在方向とは垂直な方向、すなわち図14(a)において紙面に対して垂直な方向に延在するように、コネクタ720に接続してもよい。あるいは、ケーブル722が、放熱フィン303の延在方向とは垂直な方向、すなわち図14(a)において右方向に延在するようにコネクタ720に接続してもよい。これらいずれの場合も、ケーブル722が放熱フィン303の間隙を流れる空気の流れを妨げることがない。   In addition to the specific examples shown in FIGS. 14A and 14B, for example, the cable 722 is perpendicular to the extending direction of the connector insertion portion 304, that is, in FIG. And may be connected to the connector 720 so as to extend in a vertical direction. Alternatively, the cable 722 may be connected to the connector 720 so as to extend in a direction perpendicular to the extending direction of the radiation fins 303, that is, in the right direction in FIG. In any of these cases, the cable 722 does not hinder the flow of air flowing through the gaps between the radiation fins 303.

図15は、本実施形態の車両用照明装置100を搭載した灯具の模式断面図である。
灯具600は、リフレクタ620とレンズ650とを有する。そして、リフレクタ620、レンズ650と対向する位置に設けられた開口640に本実施形態の車両用照明装置100が挿入されている。車両用照明装置100から放出された光は、直接外部に放出されるか、リフレクタ620により反射され、レンズ650を介して外部に放出される。この灯具600は、例えば、自動車のテールライト部に設けることができる。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of a lamp equipped with the vehicle lighting device 100 of the present embodiment.
The lamp 600 includes a reflector 620 and a lens 650. The vehicle lighting device 100 of this embodiment is inserted into an opening 640 provided at a position facing the reflector 620 and the lens 650. The light emitted from the vehicular lighting device 100 is directly emitted to the outside or reflected by the reflector 620 and emitted to the outside via the lens 650. This lamp 600 can be provided, for example, in a taillight part of an automobile.

この灯具600において、第1のヒートシンク300に形成されたフランジ部302よりも前方の部分は、リフレクタ620およびレンズ650により取り囲まれた状態となる。車両用照明装置100とリフレクタ620とは、水密に係合させることができる。必要に応じて、ゴムやシリコーンなどの材料からなるシール660を、車両用照明装置100とリフレクタ620との間に設けてもよい。   In the lamp 600, a portion in front of the flange portion 302 formed on the first heat sink 300 is surrounded by the reflector 620 and the lens 650. The vehicle lighting device 100 and the reflector 620 can be engaged in a watertight manner. If necessary, a seal 660 made of a material such as rubber or silicone may be provided between the vehicle lighting device 100 and the reflector 620.

なお、車両用照明装置100には、例えば図11(a)に示すような灯具係合凸部350を有し、図15(b)に示すようにして灯具600との係合をより強固としてもよい。また、灯具係合凸部350に対応する係合開口(図示しない)を灯具に有してもよい。また、灯具に例えば弾性体で構成された係合手段(図示しない)を有してもよい。要は、車両用照明装置100および灯具600との係合をより強固とするためにはどのような手段を用いてもよい。   Note that the vehicular lighting device 100 has a lamp engaging convex portion 350 as shown in FIG. 11A, for example, and the engagement with the lamp 600 is further strengthened as shown in FIG. 15B. Also good. Further, the lamp may have an engaging opening (not shown) corresponding to the lamp engaging convex portion 350. Moreover, you may have an engaging means (not shown) comprised, for example with the elastic body in the lamp. In short, any means may be used to make the engagement between the vehicle lighting device 100 and the lamp 600 stronger.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

10 光半導体実装基板、 12、14、16 電極、 18 半導体発光素子、20 発光部、 22 リフレクタ、 27 凹部、 30 電流制限抵抗、 36 切除部、 40 接続手段、 48 接続手段、 50 制御基板、 52、54、56 電極、 60 電流制限抵抗、 70、72、74、76 給電端子、100 車両用照明装置、150 光半導体光源、300 第1のヒートシンク、301 係合凸部、302 フランジ部、303 放熱フィン、303A、303B 熱伝導部、304 コネクタ挿入部、304A コネクタ挿入孔、304B コネクタ挿入壁、305 搭載面、306 搭載面、310 第2のヒートシンク、311 係合凸部、312 フランジ部、313 放熱フィン、317 挿入孔、318 トレンチ、700 カバー、701 係合開口、720 コネクタ、722 ケーブル  DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Optical semiconductor mounting board | substrate, 12, 14, 16 electrodes, 18 Semiconductor light-emitting device, 20 Light emission part, 22 Reflector, 27 Recessed part, 30 Current limiting resistance, 36 Cutting part, 40 Connection means, 48 Connection means, 50 Control board, 52 , 54, 56 electrode, 60 current limiting resistor, 70, 72, 74, 76 feeding terminal, 100 vehicle lighting device, 150 optical semiconductor light source, 300 first heat sink, 301 engaging convex portion, 302 flange portion, 303 heat dissipation Fin, 303A, 303B Thermal conduction portion, 304 Connector insertion portion, 304A Connector insertion hole, 304B Connector insertion wall, 305 Mounting surface, 306 Mounting surface, 310 Second heat sink, 311 Engaging convex portion, 312 Flange portion, 313 Heat dissipation Fin, 317 insertion hole, 318 trench, 700 cover, 701 engagement opening, 72 0 connector, 722 cable

Claims (7)

光半導体実装基板と、
前記光半導体実装基板の上に設けられた半導体発光素子と、
放熱フィンを有し、前記光半導体実装基板の裏面に当接し前記半導体発光素子から放出される熱を外部に伝達させる第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材に設けられ、コネクタ挿入孔と、前記コネクタ挿入孔の周辺に設けられたコネクタ挿入壁と、を有するコネクタ挿入部と、
前記コネクタ挿入部のなかを延在し、前記光半導体実装基板と電気的に接続された給電端子と、
を備え、
前記放熱フィンの延在方向と、前記コネクタ挿入部の長辺方向とが、平行である光半導体光源。
An optical semiconductor mounting substrate;
A semiconductor light emitting device provided on the optical semiconductor mounting substrate;
A first heat dissipating member having heat dissipating fins, contacting the back surface of the optical semiconductor mounting substrate and transmitting heat released from the semiconductor light emitting element to the outside;
A connector insertion portion provided in the first heat dissipation member, and having a connector insertion hole and a connector insertion wall provided around the connector insertion hole;
A power supply terminal extending through the connector insertion portion and electrically connected to the optical semiconductor mounting substrate;
With
An optical semiconductor light source in which an extending direction of the radiation fin and a long side direction of the connector insertion portion are parallel.
前記第1の放熱部材の少なくとも一部を覆い、前記第1の放熱部材を伝達した熱を外部に放出させる第2の放熱部材をさらに備えた請求項1記載の光半導体光源。   2. The optical semiconductor light source according to claim 1, further comprising a second heat radiating member that covers at least a part of the first heat radiating member and releases the heat transmitted through the first heat radiating member to the outside. 前記放熱フィンは、前記第2の放熱部材に埋め込まれた請求項2記載の光半導体光源。   The optical semiconductor light source according to claim 2, wherein the radiation fin is embedded in the second radiation member. 前記第1の放熱部材は、金属により形成され、
前記第2の放熱部材は、樹脂により形成された請求項2または3に記載の光半導体光源
The first heat dissipation member is made of metal,
The optical semiconductor light source according to claim 2 or 3, wherein the second heat radiation member is formed of a resin.
前記第2の放熱部材は、前記第1の放熱部材の表面に形成され前記第1の放熱部材よりも放射率の高い物質からなる請求項2または3に記載の光半導体光源。   4. The optical semiconductor light source according to claim 2, wherein the second heat radiating member is formed on a surface of the first heat radiating member and is made of a material having an emissivity higher than that of the first heat radiating member. 請求項1〜5のいずれか1つに記載の光半導体光源を備えた車両用照明装置。   A vehicular lighting device comprising the optical semiconductor light source according to claim 1. 前記車両用照明装置は、前記光半導体光源に設けられた放熱フィンの延在方向が鉛直方向と平行となるように灯具に取り付けられる請求項6記載の車両用照明装置。   The vehicle illumination device according to claim 6, wherein the vehicle illumination device is attached to a lamp such that an extending direction of a heat dissipating fin provided in the optical semiconductor light source is parallel to a vertical direction.
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