JP2016188881A - Method for manufacturing photomask, photomask and method for manufacturing flat panel display - Google Patents

Method for manufacturing photomask, photomask and method for manufacturing flat panel display Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a photomask including a fine and highly accurate transfer pattern.SOLUTION: The method for manufacturing a photomask comprises the steps of: preparing a photomask blank obtained by laminating a lower layer film, an etching stopper film and an upper layer film on a transparent substrate; preliminarily etching the upper layer film; etching the etching stopper film; etching the lower layer film; and side-etching the upper layer film for forming a rim part retreated by a predetermined width from the edge of the lower layer film by side-etching the upper layer film. The lower layer film consists of a material etched by the etchant of the upper layer film, and the etching stopper film consists of a material having resistance to the etchant of the upper layer film.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、被転写体へのパターン転写に用いるフォトマスクの製造方法、フォトマスク、及びそのフォトマスクを用いたフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a photomask used for pattern transfer to a transfer target, a photomask, and a method for manufacturing a flat panel display using the photomask.

近年、液晶パネル等のフラットパネルディスプレイの配線パターンの微細化が望まれている。そしてこうした微細化が望まれる理由は、フラットパネルディスプレイの明るさの向上、反応速度の向上といった画像品質の高度化のみならず、省エネルギーの観点からも、有利な点があることに関係している。これに伴い、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるフォトマスクにも、微細パターンの線幅精度の要求が高まることとなる。   In recent years, miniaturization of wiring patterns of flat panel displays such as liquid crystal panels has been desired. The reason why such miniaturization is desired relates to the fact that there are advantages from the viewpoint of energy saving as well as the enhancement of image quality such as improvement of brightness and response speed of flat panel displays. . As a result, there is a growing demand for fine pattern line width accuracy in photomasks used in the manufacture of flat panel displays.

先行技術として、たとえば下記特許文献１には、遮光膜をパターニングし、ｉ線に対して１８０°の位相差をもたせる膜厚の位相シフト層を、遮光膜を被覆するように形成した位相シフトマスクが記載されており、これによって微細かつ高精度なパターン形成が可能になるとしている。特許文献１に記載の位相シフトマスクの製造方法は、透明基板上の遮光層をパターニングし、この遮光層を被覆するように透明基板上に位相シフト層を形成し、この位相シフト層をパターニングするというものである。位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができると記載されている。   As a prior art, for example, Patent Document 1 below discloses a phase shift mask in which a light shielding film is patterned and a phase shift layer having a film thickness that gives a phase difference of 180 ° with respect to i-line is formed so as to cover the light shielding film. This describes that a fine and highly accurate pattern can be formed. In the method of manufacturing a phase shift mask described in Patent Document 1, a light shielding layer on a transparent substrate is patterned, a phase shift layer is formed on the transparent substrate so as to cover the light shielding layer, and the phase shift layer is patterned. That's it. It is described that an exposure pattern can be made clearer by forming a region where the light intensity is minimized by a phase reversal action.

また、下記特許文献２には、透明基板上の下層膜及び上層膜がそれぞれパターニングされて形成された透光部、遮光部、半透光部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクであって、前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、前記遮光部は、前記透明基板上において、前記下層膜上に上層膜が積層して形成されてなり、前記半透光部は、前記透明基板上に前記下層膜が形成されてなり、かつ、前記遮光部のエッジに隣接して形成された１．０μｍ以下の一定線幅の部分を有することを特徴とするフォトマスク、及びその製造方法が記載されている。これによって微細かつ高精度な転写用パターンを備えるフォトマスクを提供できるとしている。   Further, Patent Document 2 below is a photomask having a transfer pattern including a translucent part, a light-shielding part, and a semi-translucent part formed by patterning a lower layer film and an upper layer film on a transparent substrate, respectively. The translucent part is formed by exposing the transparent substrate, and the light-shielding part is formed by laminating an upper layer film on the lower layer film on the transparent substrate. A photomask comprising the lower layer film formed on the transparent substrate and having a portion with a constant line width of 1.0 μm or less formed adjacent to the edge of the light shielding portion; and A manufacturing method is described. As a result, a photomask having a fine and highly accurate transfer pattern can be provided.

特開２０１１−１３２８３号公報JP 2011-13283 A 特開２０１３−１３４４３５号公報JP 2013-134435 A

しかし、フォトマスクの転写用パターンを単純に微細化することによって、フラットパネルディスプレイの配線パターンを微細化しようとすることは容易ではない。
上記特許文献１に開示された位相シフトマスクによると、遮光層は、透明基板上に形成され、位相シフト層は、その遮光層の周囲に形成され、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の複合波長領域のいずれかの光に対して１８０°の位相差をもたせることが可能とされている。このような位相シフト層による位相シフト効果が得られる一方、このような位相シフトマスクを得ることは実際には容易でない。特許文献１の位相シフトマスクの製造方法によると、遮光層と位相シフト層の相対的な位置関係は、２回の描画の相互のアライメントずれの影響を受けるため、遮光層の周囲に形成される位相シフト層の幅が一定せず、位相シフト効果にばらつき生じるという不都合が生じる。 However, it is not easy to miniaturize the wiring pattern of a flat panel display by simply miniaturizing the photomask transfer pattern.
According to the phase shift mask disclosed in Patent Document 1, the light shielding layer is formed on the transparent substrate, the phase shift layer is formed around the light shielding layer, and is any one of the composite wavelength regions of 300 nm to 500 nm. It is possible to give a phase difference of 180 ° to the light. While such a phase shift effect by the phase shift layer can be obtained, it is actually not easy to obtain such a phase shift mask. According to the manufacturing method of the phase shift mask of Patent Document 1, the relative positional relationship between the light shielding layer and the phase shift layer is affected by the mutual misalignment between the two drawing operations, and thus is formed around the light shielding layer. The width of the phase shift layer is not constant, causing a disadvantage that the phase shift effect varies.

一方、上記特許文献２に開示されたフォトマスクは、その製造方法において1回の描画によって形成されたレジストパターンが、上層膜と下層膜のパターニングの位置を決めるため、細幅（１．０μｍ以下）の一定幅部分（以下「リム部」ともいう。）が、安定して正確に形成できる利点がある。本発明者の検討によると、描画工程を２回実施する場合、相互のアライメントずれが０．１〜０．５μｍ程度で生じることがあり、これを完全に阻止することは困難である。従って、特許文献２に開示のフォトマスクによれば、寸法の小さいパターンを正確に形成できないという従来の不都合が解決される。   On the other hand, the photomask disclosed in Patent Document 2 has a narrow width (1.0 μm or less) because the resist pattern formed by one drawing in the manufacturing method determines the patterning positions of the upper layer film and the lower layer film. ) Having a constant width (hereinafter also referred to as a “rim portion”) can be formed stably and accurately. According to the study of the present inventor, when the drawing process is performed twice, mutual misalignment may occur at about 0.1 to 0.5 μm, and it is difficult to completely prevent this. Therefore, according to the photomask disclosed in Patent Document 2, the conventional inconvenience that a pattern having a small dimension cannot be formed accurately is solved.

但し、特許文献２のフォトマスクの製造方法によると、下層膜と上層膜のエッチング特性が異なる、すなわち、一方のエッチャントに対して、他方が耐性をもつことが重要となる。この場合には、安定してリム部が形成できるが、下層膜と上層膜が共通のエッチング特性をもつ場合には、リム部が形成しにくいという課題がある。   However, according to the photomask manufacturing method of Patent Document 2, it is important that the etching characteristics of the lower layer film and the upper layer film are different, that is, one etchant is resistant to the other. In this case, the rim portion can be formed stably, but there is a problem that the rim portion is difficult to form when the lower layer film and the upper layer film have common etching characteristics.

ここで、上記特許文献２のフォトマスクの製造方法を図８に示す。本願の図８は、特許文献２の図３を転記したものである。
ここで（Ｅ）の上層膜パターニング工程において、上層膜３０ａをサイドエッチングしてリム部を形成しようとするとき、下層膜２０ｐが上層膜３０ａと同時にエッチングされて溶出してしまうと、（Ｆ）に示すような、下層膜が露出した細幅のリム部が形成できないからである。つまり、特許文献２の方法を採用しようとするとき、下層膜と上層膜の材料に、エッチング特性が異なることが必要となる制約がある点に、本発明者は着目した。 Here, the manufacturing method of the photomask of the said patent document 2 is shown in FIG. FIG. 8 of the present application is a transcription of FIG. 3 of Patent Document 2.
Here, in the upper layer film patterning step (E), when the upper layer film 30a is side-etched to form a rim portion, if the lower layer film 20p is etched and eluted simultaneously with the upper layer film 30a, (F) This is because a narrow rim portion with the underlying film exposed cannot be formed. That is, when trying to adopt the method of Patent Document 2, the present inventor has paid attention to the restriction that the material of the lower layer film and the upper layer film must have different etching characteristics.

一方、エッチング特性が共通の下層膜と上層膜を用いて、この２つの膜をそれぞれパターニングし、転写用パターンを形成する場合には、この２つの膜の間に、エッチングストッパ膜を介在させることが考えられる。このエッチングストッパ膜には、下層膜や上層膜とは異なるエッチング特性をもつ材料を用い、下層膜や上層膜のエッチャントに対して耐性を有するものとする。こうしたエッチングストッパ膜を下層膜と上層膜の間に介在させ、それぞれの膜をそれぞれに適したエッチャントで順次エッチングすれば、下層膜と上層膜に対して、それぞれ所望のパターンを形成することが可能である。   On the other hand, when the two films are patterned using a lower layer film and an upper layer film having the same etching characteristics to form a transfer pattern, an etching stopper film is interposed between the two films. Can be considered. The etching stopper film is made of a material having etching characteristics different from those of the lower layer film and the upper layer film, and is resistant to the etchant of the lower layer film and the upper layer film. If such an etching stopper film is interposed between the lower layer film and the upper layer film, and each film is sequentially etched with an appropriate etchant, a desired pattern can be formed on each of the lower layer film and the upper layer film. It is.

そこで、透明基板上に、下層膜、エッチングストッパ膜、及び上層膜を順に積層し、その表面にフォトレジスト膜を形成したフォトマスクブランクを用意し、上記特許文献２に記載の方法を適用して、アライメントずれのないパターニングを行うことを考える。本願の図９はこの工程を示す参考図である。   Therefore, a lower layer film, an etching stopper film, and an upper layer film are sequentially laminated on a transparent substrate, and a photomask blank having a photoresist film formed on the surface thereof is prepared, and the method described in Patent Document 2 is applied. Consider performing patterning without misalignment. FIG. 9 of the present application is a reference diagram showing this process.

まず、図９（ａ）に示すような、透明基板１上に、下層膜２、エッチングストッパ膜３、及び上層膜４を順に積層したフォトマスクブランクを用意する。
このフォトマスクブランクは、透明基板１上に、下層膜２として半透光膜が形成され、その上にエッチングストッパ膜３、更に上層膜４として遮光膜が形成されている。最上層にはポジ型のフォトレジスト膜５が塗布形成されている。ここで、半透光膜は、フォトマスクの露光に用いる露光光を一部透過するものであり、遮光膜は実質的に遮光する。また、例えば半透光膜と遮光膜をいずれもＣｒを含む材料とすれば、Ｃｒ用のエッチャント（ここではウェットエッチングを採用するので、エッチング液）によってエッチング可能である。一方、エッチングストッパ膜は、Ｃｒ用エッチャントに対して耐性のある材料であって、ここではモリブデンシリサイドを含む材料からなるものとする。 First, as shown in FIG. 9A, a photomask blank in which a lower layer film 2, an etching stopper film 3, and an upper layer film 4 are sequentially laminated on a transparent substrate 1 is prepared.
In this photomask blank, a semi-transparent film is formed as a lower layer film 2 on a transparent substrate 1, an etching stopper film 3 is further formed thereon, and a light shielding film is further formed as an upper layer film 4. A positive photoresist film 5 is applied and formed on the uppermost layer. Here, the semi-transmissive film partially transmits exposure light used for exposure of the photomask, and the light shielding film substantially shields light. Further, for example, if both the semi-transparent film and the light-shielding film are made of a material containing Cr, etching can be performed with an etchant for Cr (wet etching is used here, so an etchant). On the other hand, the etching stopper film is made of a material that is resistant to the Cr etchant and is made of a material containing molybdenum silicide.

次に、このフォトマスクブランクに対して、レーザ描画装置を用いて描画し、現像を行うことにより、レジストパターン５ａが形成される（図９（ｂ）参照）。
次いで、この形成したレジストパターン５ａをマスクとして、上層膜４をエッチングして、上層膜パターン４ａを形成する（図９（ｃ）参照）。ここでは、Ｃｒ用エッチング液として、硝酸第二セリウムアンモニウムを含有するエッチング液を使用する。 Next, a resist pattern 5a is formed by drawing and developing the photomask blank using a laser drawing apparatus (see FIG. 9B).
Next, using the formed resist pattern 5a as a mask, the upper layer film 4 is etched to form the upper layer film pattern 4a (see FIG. 9C). Here, an etching solution containing ceric ammonium nitrate is used as the etching solution for Cr.

次に、エッチング液をフッ酸系のものに変え、エッチングストッパ膜３をエッチングして、エッチングストッパ膜パターン３ａを形成する（図９（ｄ）参照）。
再び、Ｃｒ用のエッチング液を使用して、下層膜２をエッチングする（図９（ｅ）参照）。透明基板１が一部露出し、透光部が形成される。 Next, the etching solution is changed to that of hydrofluoric acid, and the etching stopper film 3 is etched to form an etching stopper film pattern 3a (see FIG. 9D).
Again, the lower layer film 2 is etched using an etching solution for Cr (see FIG. 9E). A part of the transparent substrate 1 is exposed to form a translucent part.

次に、特許文献２の（Ｅ）工程と同様に、リム部を形成するために、更にＣｒ用エッチング液で追加エッチングを行う。このとき、上記レジストパターン５ａがマスクとなって、上層膜４ａのサイドエッチングが進む（図９（ｆ）参照）。但し、上層膜と同じＣｒ系の下層膜２ａに対しても、同様にサイドエッチングが進行する。
そして、追加エッチングを更に継続し、サイドエッチングを進行させる（図９（ｇ）参照）。 Next, in the same manner as in step (E) of Patent Document 2, in order to form a rim portion, additional etching is further performed with an etching solution for Cr. At this time, the resist pattern 5a serves as a mask, and side etching of the upper layer film 4a proceeds (see FIG. 9F). However, side etching proceeds in the same manner for the same Cr-based lower layer film 2a as the upper layer layer.
Then, the additional etching is further continued to advance the side etching (see FIG. 9G).

ここで、レジストパターン５ａを剥離除去する（図９（ｈ）参照）。
最後に、エッチングストッパ膜３ａをエッチング除去すると、図９（ｉ）に示されるように、下層膜のみが露出したリム部が形成されない。 Here, the resist pattern 5a is peeled and removed (see FIG. 9H).
Finally, when the etching stopper film 3a is removed by etching, as shown in FIG. 9I, the rim portion where only the lower layer film is exposed is not formed.

従って、下層膜と上層膜のエッチング特性が共通の場合には、特許文献２の製法を適用して、1回の描画で２つの膜をそれぞれ異なる寸法にパターニングすることが理論的に不可能であることが想定できるわけである。なお、一方の膜をパターニングした後に他方の膜を成膜し、パターニングする方法（特許文献１の方法）によれば、膜素材によらず、それぞれの膜に対するパターニングが可能であるが、２回の描画によるアライメントずれが発生するため、微細な幅をもつパターンは形成できない。   Therefore, when the etching characteristics of the lower layer film and the upper layer film are common, it is theoretically impossible to apply the manufacturing method of Patent Document 2 and pattern the two films into different dimensions by one drawing. It can be assumed that there is. In addition, according to the method of forming the other film after patterning one film and patterning (the method of Patent Document 1), the patterning of each film is possible regardless of the film material. Therefore, a pattern having a fine width cannot be formed.

そこで、本発明は、下層膜と上層膜のエッチング特性が共通である場合にも、細幅のリム部を安定して正確に形成することが可能な方法を提供し、それによって微細かつ高精度な転写用パターンを備えるフォトマスク、その製造方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法を提供することを目的とするものである。   Therefore, the present invention provides a method capable of stably and accurately forming a narrow rim portion even when the etching characteristics of the lower layer film and the upper layer film are common, thereby providing a fine and high accuracy. It is an object of the present invention to provide a photomask having an appropriate transfer pattern, a method for manufacturing the photomask, and a method for manufacturing a flat panel display.

本発明者は、上記課題を解決するため、下層膜と上層膜のサイドエッチング特性に着目して鋭意検討した結果、以下の構成を有する発明によって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の構成を有する。 In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has intensively studied the side etching characteristics of the lower layer film and the upper layer film, and as a result, found that the above-described problems can be solved by the invention having the following configuration, thereby completing the present invention. It came to.
That is, the present invention has the following configuration.

（構成１）
透明基板上に形成された下層膜、エッチングストッパ膜、及び上層膜がそれぞれパターニングされることによって形成された転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法であって、前記透明基板上に、前記下層膜、前記エッチングストッパ膜、及び前記上層膜がこの順に積層するフォトマスクブランクを用意する工程と、前記上層膜の上に形成されたレジストパターンをマスクとして、前記上層膜をエッチングする上層膜予備エッチング工程と、少なくともエッチングされた前記上層膜をマスクとして、前記エッチングストッパ膜をエッチングする工程と、少なくともエッチングされた前記エッチングストッパ膜をマスクとして、前記下層膜をエッチングする下層膜エッチング工程と、少なくとも前記レジストパターンをマスクとして、前記上層膜をサイドエッチングすることにより、前記上層膜のエッジが、前記下層膜のエッジより所定幅分後退した、リム部を形成する上層膜サイドエッチング工程と、を有し、前記下層膜は、前記上層膜のエッチャントによってエッチング可能な材料からなり、前記エッチングストッパ膜は、前記上層膜のエッチャントに対して耐性を有する材料からなることを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 (Configuration 1)
A method of manufacturing a photomask having a transfer pattern formed by patterning a lower layer film, an etching stopper film, and an upper layer film formed on a transparent substrate, wherein the lower layer film is formed on the transparent substrate. , A step of preparing a photomask blank in which the etching stopper film and the upper layer film are laminated in this order, and an upper layer film pre-etching step of etching the upper layer film using a resist pattern formed on the upper layer film as a mask A step of etching the etching stopper film using at least the etched upper layer film as a mask, a lower layer film etching step of etching the lower layer film using at least the etched etching stopper film as a mask, and at least the resist Using the pattern as a mask An upper layer film side etching step for forming a rim part, wherein the edge of the upper layer film is retracted by a predetermined width from the edge of the lower layer film by side etching the upper layer film, A method of manufacturing a photomask, comprising: a material that can be etched by an etchant of the upper film; and the etching stopper film of a material having resistance to the etchant of the upper film.

（構成２）
前記上層膜サイドエッチング工程の後、前記上層膜をマスクとして、前記エッチングストッパ膜をエッチングし、前記リム部において、前記下層膜の表面を露出させることを特徴とする、構成１に記載のフォトマスクの製造方法。
（構成３）
前記上層膜サイドエッチング工程において、形成される前記リム部について、前記所定幅をリム幅とし、該リム幅をＷ（μｍ）とするとき、０＜Ｗ≦１．０であることを特徴とする、構成１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。 (Configuration 2)
The photomask according to Configuration 1, wherein after the upper layer film side etching step, the etching stopper film is etched using the upper layer film as a mask to expose a surface of the lower layer film in the rim portion. Manufacturing method.
(Configuration 3)
In the upper layer film side etching step, when the predetermined width is a rim width and the rim width is W (μm), 0 <W ≦ 1.0. The manufacturing method of the photomask of the structure 1 or 2.

（構成４）
前記下層膜の膜厚をＡ（Å）とするとき、Ａ≦３００であることを特徴とする、構成１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
（構成５）
前記上層膜サイドエッチング工程において、単位時間あたりの前記上層膜の平均サイドエッチング量が、前記下層膜の平均サイドエッチング量の１．５倍以上であることを特徴とする、構成１乃至４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 (Configuration 4)
4. The photomask manufacturing method according to any one of Configurations 1 to 3, wherein A ≦ 300, where A is a thickness of the lower layer film.
(Configuration 5)
Any one of configurations 1 to 4, wherein in the upper layer film side etching step, an average side etching amount of the upper layer film per unit time is 1.5 times or more of an average side etching amount of the lower layer film A method for producing a photomask according to claim 1.

（構成６）
前記下層膜の膜厚をＡ（Å）、前記上層膜の膜厚をＢ（Å）とするとき、Ｂ≧２Ａであることを特徴とする、構成１乃至５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
（構成７）
前記転写用パターンは、前記透明基板表面が露出してなる透光部、前記透明基板上に前記下層膜、前記エッチングストッパ膜、及び前記上層膜が積層する遮光部、及び、前記透明基板上に前記下層膜、又は前記下層膜と前記エッチングストッパ膜の積層膜が形成されてなる半透光部を含み、前記リム部は、前記透光部と前記遮光部に挟まれて位置する一定幅の前記半透光部であることを特徴とする、構成１乃至６のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 (Configuration 6)
6. The photomask according to any one of Structures 1 to 5, wherein B ≧ 2A, where A is a thickness of the lower layer film and B is a thickness of the upper layer film. Manufacturing method.
(Configuration 7)
The transfer pattern includes a light-transmitting portion in which the surface of the transparent substrate is exposed, a light-shielding portion in which the lower layer film, the etching stopper film, and the upper layer film are stacked on the transparent substrate, and the transparent substrate. A semitranslucent portion formed by forming the lower layer film or a laminated film of the lower layer film and the etching stopper film, and the rim portion has a constant width located between the translucent portion and the light shielding portion. The method for manufacturing a photomask according to any one of Configurations 1 to 6, wherein the photomask is the semi-translucent portion.

（構成８）
前記下層膜は、前記フォトマスクの露光に用いる露光光に対する透過率が５〜８０％の半透光膜であることを特徴とする、構成１乃至７のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
（構成９）
前記転写用パターンは、ライン・アンド・スペース・パターンを含むことを特徴とする、構成１乃至８のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 (Configuration 8)
8. The method of manufacturing a photomask according to any one of configurations 1 to 7, wherein the lower layer film is a semi-transparent film having a transmittance of 5 to 80% for exposure light used for exposure of the photomask. .
(Configuration 9)
9. The photomask manufacturing method according to any one of Configurations 1 to 8, wherein the transfer pattern includes a line and space pattern.

（構成１０）
前記転写用パターンは、ホールパターン又はドットパターンを含むことを特徴とする、構成１乃至８のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
（構成１１）
前記下層膜は、前記フォトマスクの露光に用いる露光光に含まれる代表波長の光に対する位相シフト量が６０度以下であることを特徴とする、構成１乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 (Configuration 10)
9. The photomask manufacturing method according to any one of configurations 1 to 8, wherein the transfer pattern includes a hole pattern or a dot pattern.
(Configuration 11)
11. The photomask according to claim 1, wherein the lower layer film has a phase shift amount of 60 degrees or less with respect to light having a representative wavelength included in exposure light used for exposure of the photomask. Production method.

（構成１２）
透明基板上に、転写用パターンを備えるフォトマスクであって、前記転写用パターンは、前記透明基板表面が露出してなる透光部、前記透明基板上に下層膜、エッチングストッパ膜、及び上層膜が積層する遮光部、及び、前記遮光部に隣接して所定幅で形成されたリム部であって、前記透明基板上に前記下層膜、又は前記下層膜と前記エッチングストッパ膜の積層膜が形成されてなるリム部を含み、前記下層膜は、前記上層膜のエッチャントによってエッチング可能な材料からなり、前記エッチングストッパ膜は、前記上層膜のエッチャントに対して耐性を有する材料からなることを特徴とする、フォトマスク。 (Configuration 12)
A photomask having a transfer pattern on a transparent substrate, wherein the transfer pattern is a light-transmitting portion in which the surface of the transparent substrate is exposed, a lower layer film, an etching stopper film, and an upper layer film on the transparent substrate And a rim portion formed with a predetermined width adjacent to the light shielding portion, wherein the lower layer film or a laminated film of the lower layer film and the etching stopper film is formed on the transparent substrate. The lower layer film is made of a material that can be etched by the etchant of the upper layer film, and the etching stopper film is made of a material that is resistant to the etchant of the upper layer film. A photomask.

（構成１３）
前記リム部の幅をＷ（μｍ）とするとき、０＜Ｗ≦１．０であることを特徴とする、構成１２に記載のフォトマスク。
（構成１４）
前記下層膜の膜厚をＡ（Å）とするとき、Ａ≦３００であることを特徴とする、構成１２又は１３に記載のフォトマスク。 (Configuration 13)
13. The photomask according to configuration 12, wherein 0 <W ≦ 1.0 when the width of the rim portion is W (μm).
(Configuration 14)
14. The photomask according to Configuration 12 or 13, wherein A ≦ 300 when the thickness of the lower layer film is A (膜).

（構成１５）
前記下層膜の膜厚をＡ（Å）、前記上層膜の膜厚をＢ（Å）とするとき、Ｂ≧２Ａであることを特徴とする、構成１２乃至１４のいずれかに記載のフォトマスク。
（構成１６）
前記転写用パターンは、ライン・アンド・スペース・パターンを含むことを特徴とする、構成１２乃至１５のいずれかに記載のフォトマスク。 (Configuration 15)
The photomask according to any one of Structures 12 to 14, wherein B ≧ 2A, where A is a thickness of the lower layer film and B is a thickness of the upper layer film. .
(Configuration 16)
16. The photomask according to any one of Configurations 12 to 15, wherein the transfer pattern includes a line and space pattern.

（構成１７）
前記転写用パターンは、ホールパターン又はドットパターンを含むことを特徴とする、構成１２乃至１５のいずれかに記載のフォトマスク。
（構成１８）
構成１乃至１１のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法によって製造されたフォトマスク、又は構成１２乃至１７のいずれかに記載のフォトマスクを用意し、露光装置によって前記転写用パターンを被転写体上に転写することを含む、フラットパネルディスプレイの製造方法。 (Configuration 17)
The photomask according to any one of Structures 12 to 15, wherein the transfer pattern includes a hole pattern or a dot pattern.
(Configuration 18)
A photomask manufactured by the method for manufacturing a photomask according to any one of Configurations 1 to 11 or a photomask according to any of Configurations 12 to 17 is prepared, and the transfer pattern is transferred by an exposure apparatus. A method of manufacturing a flat panel display, comprising transferring onto.

本発明によれば、下層膜と上層膜のエッチング特性が共通である場合にも、細幅のリム部を安定して正確に形成することが可能である。本発明によれば、フォトマスクに用いる下層膜と上層膜の材料についての制約を緩和しつつ、細幅のパターンを安定して正確に形成することができる。
また、それによって微細かつ高精度な転写用パターンを備えるフォトマスク及びその製造方法を提供することができる。また、本発明により得られるフォトマスクを用いてフラットパネルディスプレイを製造することにより、フラットパネルディスプレイの配線パターンの微細化を達成することが可能である。 According to the present invention, even when the etching characteristics of the lower layer film and the upper layer film are common, the narrow rim portion can be formed stably and accurately. According to the present invention, it is possible to stably and accurately form a narrow pattern while relaxing restrictions on materials of the lower layer film and the upper layer film used for the photomask.
In addition, it is possible to provide a photomask having a fine and highly accurate transfer pattern and a method for manufacturing the photomask. Further, by manufacturing a flat panel display using the photomask obtained by the present invention, it is possible to achieve a fine wiring pattern of the flat panel display.

本発明に係るフォトマスクの製造方法の実施形態を工程順に示すマスクブランク等の断面構成図である。It is a section lineblock diagram of mask blanks etc. which show an embodiment of a photomask manufacturing method concerning the present invention in order of a process. 半透光膜の膜厚４３０Åの場合のエッチング時間と遮光膜（上層膜）及び半透光膜（下層膜）のサイドエッチング量の相関関係を示す図である。It is a figure which shows the correlation of the etching time in case the film thickness of a semi-transparent film is 430 mm, and the amount of side etching of a light shielding film (upper layer film) and a semi-transparent film (lower layer film). 半透光膜の膜厚２８０Åの場合のエッチング時間と遮光膜（上層膜）及び半透光膜（下層膜）のサイドエッチング量の相関関係を示す図である。It is a figure which shows the correlation of the etching time in case the film thickness of a semi-transparent film is 280 mm, and the amount of side etching of a light shielding film (upper layer film) and a semi-transparent film (lower layer film). 半透光膜の膜厚２１０Åの場合のエッチング時間と遮光膜（上層膜）及び半透光膜（下層膜）のサイドエッチング量の相関関係を示す図である。It is a figure which shows the correlation of the etching time in case the film thickness of a semi-transparent film is 210 mm, and the amount of side etching of a light shielding film (upper layer film) and a semi-transparent film (lower layer film). 半透光膜の膜厚１６０Åの場合のエッチング時間と遮光膜（上層膜）及び半透光膜（下層膜）のサイドエッチング量の相関関係を示す図である。It is a figure which shows the correlation of the etching time in case the film thickness of a semi-transparent film is 160 mm, and the amount of side etching of a light shielding film (upper layer film) and a semi-transparent film (lower layer film). Ｃｒ系半透光膜における透過率と膜厚の相関関係を示す図である。It is a figure which shows the correlation of the transmittance | permeability and film thickness in Cr type | system | group translucent film. （ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれフォトマスクの転写用パターン例を示す平面視図である。(A), (b), (c) is a top view figure which shows the example of the pattern for transfer of a photomask, respectively. 先行文献に開示されたフォトマスクの製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the photomask disclosed by the prior literature. 先行文献に記載の方法を適用したフォトマスクの製造工程を示す参考図である。It is a reference figure which shows the manufacturing process of the photomask to which the method of a prior art document is applied.

以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳述する。
図１は、本発明に係るフォトマスクの製造方法の実施形態を工程順に示すマスクブランク等の断面構成図である。
まず、フォトマスクブランク（図１（ａ）参照）を用意する。このフォトマスクブランク２００は、前述の図９（ａ）と同様の構成のものである。すなわち、透明基板１上に、下層膜２、エッチングストッパ膜３、及び上層膜４がこの順に積層され、更に最表面には、レジスト膜５が形成されている。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram of a mask blank or the like showing an embodiment of a photomask manufacturing method according to the present invention in the order of steps.
First, a photomask blank (see FIG. 1A) is prepared. This photomask blank 200 has the same configuration as that shown in FIG. That is, a lower layer film 2, an etching stopper film 3, and an upper layer film 4 are laminated in this order on the transparent substrate 1, and a resist film 5 is formed on the outermost surface.

本発明のフォトマスクに用いる透明基板１としては、ガラス等の透明材料を平坦、平滑に研磨したものを用いることができる。フラットパネルディスプレイ等の表示装置製造用のフォトマスクとしては、主平面が一辺３００ｍｍ以上のものが好ましい。   As the transparent substrate 1 used in the photomask of the present invention, a transparent material such as glass that is polished flat and smooth can be used. As a photomask for manufacturing a display device such as a flat panel display, one having a main plane of 300 mm or more on one side is preferable.

ここで例示する本実施の形態では、下層膜２は半透光膜、上層膜４は遮光膜とする。
上記半透光膜の材料は、Ｃｒ系の場合、Ｃｒ単体のほか、Ｃｒの化合物（Ｃｒの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物、酸化窒化炭化物など）を使用することができる。このＣｒ系の半透光膜は、Ｃｒ用のエッチャント（例えば、硝酸第二セリウムアンモニウムを含むエッチング液）によってエッチング可能である。
また、上記半透光膜は、Ｓｉ系の膜とすることもできる。この場合は、Ｓｉの化合物（ＳｉＯＮなど）、又は遷移金属シリサイド（ＭｏＳｉなど）の化合物を用いることもできる。ＭｏＳｉの化合物としては、ＭｏＳｉの窒化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物などが例示される。 In this embodiment illustrated here, the lower layer film 2 is a semi-transparent film, and the upper layer film 4 is a light shielding film.
In the case of Cr, the material of the semi-transparent film is not only Cr but also a Cr compound (Cr oxide, nitride, carbide, oxynitride, carbonitride, oxynitride carbide, etc.). Can do. This Cr-based translucent film can be etched with an etchant for Cr (for example, an etchant containing ceric ammonium nitrate).
The semi-translucent film may be a Si film. In this case, a compound of Si (such as SiON) or a compound of transition metal silicide (such as MoSi) can also be used. Examples of the MoSi compound include MoSi nitride, oxynitride, oxynitride carbide, and the like.

フォトマスクの用途に応じて、半透光膜が有する光学特性を選択する。例えば、半透光膜は、フォトマスクの露光に用いる露光光に対して、透過率が５〜８０％とすることができる。より好ましくは１０〜６０％であり、かつ、位相シフト量が９０度以下、より好ましくは５〜６０度とすることができる。
または、半透光膜は、フォトマスクの露光に用いる露光光に対して、透過率が２〜３０％、より好ましくは３〜１０％であり、かつ、位相シフト量が９０〜２７０度、より好ましくは１５０〜２１０度とすることができる。 The optical characteristics of the semi-transparent film are selected according to the use of the photomask. For example, the translucent film can have a transmittance of 5 to 80% with respect to the exposure light used for exposure of the photomask. More preferably, it is 10 to 60%, and the phase shift amount can be 90 degrees or less, more preferably 5 to 60 degrees.
Alternatively, the translucent film has a transmittance of 2 to 30%, more preferably 3 to 10%, and a phase shift amount of 90 to 270 degrees with respect to the exposure light used for exposure of the photomask. Preferably, it can be set to 150 to 210 degrees.

なお、フォトマスクの露光に用いる露光光としては、ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを含むものが好ましく、より好ましくはｉ線、ｈ線、ｇ線のすべてを含む波長域の光源を用いることで、十分な照射量を得ることができる。この場合は、波長域に含まれる代表波長（例えばｈ線）に対する透過率、及び、位相シフト量として、上記範囲内とすることが好適である。
また、本発明においては、半透光膜の膜厚をＡ（Å）とすることき、Ａ≦３００であることが好ましい。これについては後述する。 In addition, as exposure light used for the exposure of a photomask, what contains i line | wire, h line | wire, or g line | wire is preferable, More preferably, the light source of the wavelength range containing all i line | wire, h line | wire, and g line | wire is used. By using it, a sufficient irradiation amount can be obtained. In this case, it is preferable that the transmittance and the phase shift amount with respect to the representative wavelength (for example, h-line) included in the wavelength range are within the above range.
In the present invention, it is preferable that A ≦ 300 when the film thickness of the semi-translucent film is A (Å). This will be described later.

上記マスクブランク２００では、上記半透光膜（下層膜２）上にはエッチングストッパ膜３が形成される。このエッチングストッパ膜３は、上記半透光膜とはエッチング特性が異なるもの、すなわちエッチング選択性を有するものとする。従って、半透光膜がＣｒ系の場合には、エッチングストッパ膜３はＳｉ系の膜とし、半透光膜がＳｉ系である場合には、エッチングストッパ膜３はＣｒ系の膜とすることができる。エッチングストッパ膜３の材料の具体例は、上記半透光膜の材料として列記されたものと同様のものから選択することができる。   In the mask blank 200, an etching stopper film 3 is formed on the semi-translucent film (lower film 2). The etching stopper film 3 is different from the semi-translucent film in etching characteristics, that is, has etching selectivity. Therefore, when the semi-transparent film is Cr-based, the etching stopper film 3 is a Si-based film, and when the semi-transparent film is Si-based, the etching stopper film 3 is a Cr-based film. Can do. Specific examples of the material of the etching stopper film 3 can be selected from the same materials listed as the materials of the semi-translucent film.

また、上記エッチングストッパ膜３上には、上層膜４として遮光膜が形成される。遮光膜の材料は、上記半透光膜と共通のエッチング特性をもつものとする。本実施形態では、半透光膜がＣｒ系の場合には、遮光膜もＣｒ系の膜とする。遮光膜の材料としては、上記半透光膜の材料として挙げられたものから選択することができる。なお、遮光膜の表面には、反射防止機能を有する表層（反射防止層）を形成することが好ましく、例えば、Ｃｒ化合物層（たとえばＣｒの酸化物など）が好ましく挙げられる。
なお、本実施形態では、半透光膜及び遮光膜は、いずれもＣｒ系の膜であり、エッチングストッパ膜は、Ｓｉ系の膜であるものとする。 A light shielding film is formed as the upper layer film 4 on the etching stopper film 3. The material of the light shielding film has the same etching characteristics as the semi-transparent film. In this embodiment, when the semi-transparent film is a Cr film, the light shielding film is also a Cr film. The material for the light shielding film can be selected from those listed as the materials for the semi-translucent film. Note that a surface layer (antireflection layer) having an antireflection function is preferably formed on the surface of the light shielding film, and for example, a Cr compound layer (for example, an oxide of Cr) is preferably exemplified.
In the present embodiment, the semi-transparent film and the light shielding film are both Cr-based films, and the etching stopper film is an Si-based film.

上記下層膜２、エッチングストッパ膜３、上層膜４などの成膜方法はスパッタ法など、公知の手段を適用できる。各膜は、単層で構成されている場合のほか、積層で構成されていてもよい。また、本発明の作用効果を妨げない範囲で、他の構成膜が、下層膜２、エッチングストッパ膜３、上層膜４のいずれかの上、下、又は中間に存在していてもよい。   As a method for forming the lower layer film 2, the etching stopper film 3, the upper layer film 4 and the like, known means such as a sputtering method can be applied. Each film may be composed of a laminated layer as well as a single layer. Further, other constituent films may be present above, below, or in the middle of any one of the lower layer film 2, the etching stopper film 3, and the upper layer film 4 as long as the effects of the present invention are not hindered.

上記マスクブランク２００の最表面に形成されるレジスト膜５は、描画装置としてレーザ描画装置を用いる場合には、フォトレジスト膜とする。フォトレジスト膜はポジ型でもネガ型でも良いが、本実施形態では、ポジ型として説明する。   The resist film 5 formed on the outermost surface of the mask blank 200 is a photoresist film when a laser drawing apparatus is used as a drawing apparatus. The photoresist film may be either a positive type or a negative type, but in the present embodiment, it will be described as a positive type.

次に、上記フォトマスクブランク２００に、描画装置を用いて、所望のパターンを描画し、次いで現像することにより、レジストパターン５ａが形成される（図１（ｂ）参照）。
続いて、形成されたレジストパターン５ａをマスクとして、上層膜４の遮光膜をエッチング（予備エッチング）する（図１（ｃ）参照）。これによって、上層膜パターン４ａが形成される。ここでは遮光膜はＣｒ系の膜であるから、Ｃｒ用のエッチング液によりウェットエッチングする。 Next, a desired pattern is drawn on the photomask blank 200 using a drawing apparatus, and then developed to form a resist pattern 5a (see FIG. 1B).
Subsequently, using the formed resist pattern 5a as a mask, the light shielding film of the upper film 4 is etched (preliminary etching) (see FIG. 1C). Thereby, the upper layer film pattern 4a is formed. Here, since the light shielding film is a Cr-based film, wet etching is performed with an etching solution for Cr.

次いで、少なくとも、エッチングされた遮光膜（上層膜パターン４ａ）をマスクとして、エッチング液にバッファードフッ酸を用いて、エッチングストッパ膜３をエッチングする（図１（ｄ）参照）。これによって、エッチングストッパ膜パターン３ａが形成される。   Next, at least using the etched light shielding film (upper layer film pattern 4a) as a mask, the etching stopper film 3 is etched using buffered hydrofluoric acid as an etchant (see FIG. 1D). Thereby, an etching stopper film pattern 3a is formed.

続いて、少なくとも、エッチングされたエッチングストッパ膜（エッチングストッパ膜パターン３ａ）をマスクとして、再度、Ｃｒ用エッチング液によって、下層膜２の半透光膜をエッチングする（図１（ｅ）参照）。これによって、下層膜パターン２ａが形成されるとともに透明基板１の一部が露出し、透光部が形成される。   Subsequently, at least using the etched etching stopper film (etching stopper film pattern 3a) as a mask, the semi-transparent film of the lower layer film 2 is again etched with an etching solution for Cr (see FIG. 1E). As a result, the lower layer film pattern 2a is formed, and a part of the transparent substrate 1 is exposed to form a light transmitting part.

次いで、Ｃｒ用エッチング液にて追加エッチング（上層膜のサイドエッチング）を行う（図１（ｆ）参照）。この際、上記レジストパターン５ａがマスクとなり、遮光膜がサイドエッチングされることにより、遮光膜のエッジがレジストパターン５ａのエッジより内側に移動（後退）して、遮光膜パターン４ｂとなる。これにより、遮光膜のエッジは、エッチングストッパ膜３ａのエッジ、及び、半透光膜２ｂのエッジのいずれよりも内側に移動（後退）する。このとき、半透光膜のエッジも、エッチング液と接触することから、半透光膜のサイドエッチングも生じる。但し、実際には、上記遮光膜と比較すると、サイドエッチングによる半透光膜エッジの後退量はわずかであった。   Next, additional etching (side etching of the upper layer film) is performed with an etching solution for Cr (see FIG. 1F). At this time, the resist pattern 5a serves as a mask, and the light shielding film is side-etched, whereby the edge of the light shielding film moves (retreats) inward from the edge of the resist pattern 5a to form the light shielding film pattern 4b. As a result, the edge of the light shielding film moves (retreats) inwardly from both the edge of the etching stopper film 3a and the edge of the semi-transparent film 2b. At this time, since the edge of the semi-transparent film is also in contact with the etching solution, side etching of the semi-transparent film also occurs. However, in actuality, the amount of retraction of the semi-transparent film edge due to the side etching was small as compared with the light shielding film.

そして、更に追加エッチングを継続する（図１（ｇ）参照）。上記透光部形成（上記図１（ｅ）工程）後、１６０秒経過した時点で、エッチングを終了した。
この結果、遮光膜のサイドエッチングにより、遮光膜のエッジが更に内側に移動（後退）し（遮光膜パターン４ｃとなる）、遮光膜のエッジに沿って、半透光膜、及びエッチングストッパ膜が、細い一定幅ではみ出した形のリム部が形成された。ここで、遮光膜のエッジと、半透光膜のエッジの間隔をリム幅とすると、リム幅は、本実施の形態では１μｍ以下であった。 Then, additional etching is continued (see FIG. 1G). Etching was completed when 160 seconds had elapsed after the formation of the light-transmitting portion (step (e) in FIG. 1).
As a result, the side etching of the light shielding film causes the edge of the light shielding film to move (retract) further inward (becomes the light shielding film pattern 4c), and the semi-transparent film and the etching stopper film are formed along the edge of the light shielding film. As a result, a rim portion having a protruding shape with a narrow and constant width was formed. Here, when the distance between the edge of the light shielding film and the edge of the semi-translucent film is the rim width, the rim width is 1 μm or less in the present embodiment.

そして、レジストパターン５ａを剥離除去する（図１（ｈ）参照）。
但し、エッチングストッパ膜をエッチング除去する場合（下記参照）には、その後にレジストパターンを除去してもよい。すなわち、レジストパターンの除去は、すべてのエッチング工程が完了した後に行っても良い。 Then, the resist pattern 5a is peeled and removed (see FIG. 1 (h)).
However, when the etching stopper film is removed by etching (see below), the resist pattern may be removed thereafter. That is, the resist pattern may be removed after all the etching steps are completed.

また、上記工程に続けて、表面の遮光膜（上層膜パターン４ｃ）をマスクとして、エッチング液にバッファードフッ酸を用いて、露出している部分のエッチングストッパ膜３ａをエッチング除去することによって、リム部（Ｒｌ、Ｒｒ）における半透光膜表面が露出した状態となる（図１（ｉ）参照）。   Further, following the above process, by using the surface light-shielding film (upper layer film pattern 4c) as a mask, the exposed portion of the etching stopper film 3a is removed by etching using buffered hydrofluoric acid as an etchant. The semi-transparent film surface in the rim portion (Rl, Rr) is exposed (see FIG. 1 (i)).

こうして得られた本実施形態のフォトマスク３００は、透明基板１が露出した透光部、透明基板１上に半透光膜（下層膜２）、エッチングストッパ膜３及び遮光膜（上層膜４）が積層してなる遮光部、及び、透明基板１上に半透光膜が形成され、かつ遮光膜が形成されていない、細幅のリム部（Ｒｌ、Ｒｒ）を有する転写用パターンを備えたフォトマスクである。なお、本発明のフォトマスクが備える転写用パターンを平面視した図を図７に例示するが、これについてはまた後で説明する。   The photomask 300 of this embodiment obtained in this way is a translucent part where the transparent substrate 1 is exposed, a semi-transparent film (lower film 2), an etching stopper film 3 and a light shielding film (upper film 4) on the transparent substrate 1. And a transfer pattern having a narrow rim portion (Rl, Rr) in which a semi-transparent film is formed on the transparent substrate 1 and a light shielding film is not formed. It is a photomask. FIG. 7 illustrates a plan view of the transfer pattern provided in the photomask of the present invention, which will be described later.

なお、上述の半透光膜エッチング工程（図１（ｅ））においても、上層側の遮光膜のサイドエッチングが開始する場合があるが、この事に何ら不都合はない。本発明の好ましい態様によれば、半透光膜の膜厚が十分に小さく、半透光膜エッチング工程は短時間であるため、この段階で生じる遮光膜のサイドエッチング量がわずかとなる。いずれにしても、上述の追加エッチング（図１（ｆ）、（ｇ））の工程で、最終的な遮光膜のサイドエッチング量を調整し、所望のリム幅を得ることができる。   Even in the above-described semi-transparent film etching step (FIG. 1 (e)), side etching of the light shielding film on the upper layer side may start, but there is no problem with this. According to the preferred embodiment of the present invention, since the thickness of the semi-transparent film is sufficiently small and the semi-transparent film etching process is a short time, the side etching amount of the light shielding film generated at this stage is small. In any case, the final side etching amount of the light shielding film can be adjusted and the desired rim width can be obtained in the above-described additional etching process (FIGS. 1F and 1G).

ところで、上述のエッチングストッパ膜３ａをエッチング除去する工程（図１（ｉ））は、省略しても構わない。すなわち、エッチングストッパ膜をリム部に残留させることも可能である。その場合、エッチングストッパ膜３は光を透過する素材とし、その透過率などの光学特性を適切に選択すれば良い。   Incidentally, the step of removing the etching stopper film 3a described above (FIG. 1 (i)) may be omitted. That is, it is possible to leave the etching stopper film on the rim portion. In that case, the etching stopper film 3 may be a material that transmits light, and optical characteristics such as transmittance may be appropriately selected.

また、上記エッチングストッパ膜のエッチング除去工程を設けなくても、他の工程（例えばすべてのエッチング工程が終了した後、レジストパターンを剥離し、或いは、完成したフォトマスクを洗浄する過程など）で、エッチングストッパ膜の露出部分を除去しても良い。
上記のとおり、エッチングストッパ膜をリム部に残留させても良いが、いずれかの工程で除去することがより好ましい。 Further, without providing the etching stopper film etching removal step, in other steps (for example, after all the etching steps are completed, the resist pattern is peeled off or the completed photomask is washed). The exposed portion of the etching stopper film may be removed.
As described above, the etching stopper film may remain in the rim portion, but it is more preferable to remove it in any step.

前に、下層膜と上層膜のエッチング特性が共通の場合には、特許文献２の製法を適用して、1回の描画で２つの膜をパターニングすることが理論的に不可能であることが想定できると説明したが、実際、上記工程で明らかになったとおり、図１（ａ）のような積層構造を有するフォトマスクブランク２００を用い、1回の描画（図１（ｂ）工程）と上層膜のサイドエッチング（図１（ｆ），（ｇ）工程）を利用することにより、透明基板１上に形成された半透光膜（下層膜２）の表面、又は半透光膜とエッチングストッパ膜の積層膜の表面が所定幅で露出する半透光部を形成することができる。このことは、本発明者が鋭意検討の結果、初めて見出したことである。   Previously, if the etching characteristics of the lower layer film and the upper layer film are common, it is theoretically impossible to apply the manufacturing method of Patent Document 2 and pattern the two films by one drawing. Although it has been explained that it can be assumed, in fact, as revealed in the above process, using the photomask blank 200 having a laminated structure as shown in FIG. 1A, one drawing (process in FIG. 1B) and By using side etching of the upper layer film (steps (f) and (g) in FIG. 1), the surface of the semi-transparent film (lower layer film 2) formed on the transparent substrate 1 or the semi-transparent film and the etching are performed. A semi-translucent portion in which the surface of the laminated film of the stopper film is exposed with a predetermined width can be formed. This is the first finding of the inventor as a result of intensive studies.

この半透光部は、遮光部の周縁に沿って一定幅で形成されていることから、リム部とする。なお、この半透光部は、遮光部と透光部に挟まれて位置することから、透光部の周縁に形成されたリム部として考えることもできる。リム部において、遮光膜のエッジ（すなわち、遮光部のエッジ）と半透光膜のエッジの間隔をリム幅とする。   This semi-translucent portion is formed as a rim portion because it is formed with a constant width along the periphery of the light shielding portion. In addition, since this semi-translucent part is located between the light-shielding part and the translucent part, it can also be considered as a rim part formed at the periphery of the translucent part. In the rim portion, the interval between the edge of the light shielding film (that is, the edge of the light shielding portion) and the edge of the semi-translucent film is defined as the rim width.

図１（ｆ）〜（ｇ）の工程においては、半透光膜と遮光膜がいずれもＣｒ系エッチング液によってエッチングされる材料であるにも関わらず、半透光膜の単位時間あたりのサイドエッチングが進行した寸法(サイドエッチング量)は、遮光膜のそれよりも小さいことが確認された。この結果、上記リム部を形成することが可能であったわけである。   In the steps of FIGS. 1 (f) to (g), the side per unit time of the semi-transparent film is used although the semi-transparent film and the light-shielding film are both materials etched by the Cr-based etching solution. It was confirmed that the etching progressed dimension (side etching amount) was smaller than that of the light shielding film. As a result, the rim portion can be formed.

これに関連し、Ｃｒ用エッチング液によるエッチング時間と遮光膜（上層膜）及び半透光膜（下層膜）のサイドエッチング量の相関関係を図２〜図５に示す。図２〜図５はそれぞれ、透明基板上に半透光膜、エッチングストッパ膜、及び遮光膜をこの順に積層したフォトマスクブランクを用意し、図１（ａ）〜（ｅ）の工程を施した後、Ｃｒ用エッチング液でサイドエッチングを行ったときの、半透光膜と遮光膜のそれぞれのサイドエッチング量（エッジが後退する寸法）を測定したものである。   In relation to this, FIGS. 2 to 5 show the correlation between the etching time with the Cr etching solution and the side etching amount of the light shielding film (upper layer film) and the semi-transparent film (lower layer film). 2 to 5 each prepared a photomask blank in which a translucent film, an etching stopper film, and a light-shielding film were laminated in this order on a transparent substrate, and the steps of FIGS. 1A to 1E were performed. Thereafter, the side etching amounts (dimensions at which the edges recede) of the semi-translucent film and the light shielding film when the side etching is performed with the Cr etching solution are measured.

図２〜図５は、半透光膜の膜厚がそれぞれ異なり、図２では、半透光膜の膜厚４３０Å（ｈ線に対する透過率１０％相当）、図３では２８０Å（同２０％相当）、図４では２１０Å（同３０％相当）、図５では１６０Å（同４０％相当）とした。なお、Ｃｒ系半透光膜における透過率と膜厚の相関関係は、図６に示すとおりである。但し、Ｃｒ系半透光膜の透過率と膜厚の相関関係については、半透光膜の組成の変更によって、図６と異なるものとすることもできる。例えば、成膜をスパッタ法により行う場合、導入するガス種（窒素、酸素、二酸化炭素など）とその流量によって、調整可能である。
一方、遮光膜は、いずれも膜厚１２００Å（光学濃度３以上）とした。 2 to 5 are different in thickness of the semi-transparent film. In FIG. 2, the film thickness of the semi-transparent film is 430 mm (equivalent to 10% transmittance with respect to h-line), and in FIG. 4) 210 mm (equivalent to 30%) in FIG. 4, and 160 mm (equivalent to 40%) in FIG. The correlation between the transmittance and the film thickness in the Cr-based semi-transparent film is as shown in FIG. However, the correlation between the transmittance and the film thickness of the Cr-based semi-transparent film may be different from that in FIG. 6 by changing the composition of the semi-transparent film. For example, when film formation is performed by a sputtering method, it can be adjusted by the type of gas to be introduced (nitrogen, oxygen, carbon dioxide, etc.) and its flow rate.
On the other hand, all the light shielding films had a thickness of 1200 mm (optical density of 3 or more).

ここで、図２（半透光膜の膜厚が４３０Å）の場合、遮光膜のサイドエッチング速度は平均９６ｎｍ／ｍｉｎ、半透光膜のサイドエッチング速度は平均６７ｎｍ／ｍｉｎであって、両膜のサイドエッチング速度の差は小さかった。また、１６０秒経過後の両膜のサイドエッチング量の差（半透光膜表面が露出して形成されるリム部の幅（リム幅）に相当）は、７７ｎｍ程度であった。   Here, in the case of FIG. 2 (the thickness of the semi-transparent film is 430 mm), the side etching rate of the light shielding film is 96 nm / min on average, and the side etching rate of the semi-transparent film is 67 nm / min on average. The difference in the side etching rate was small. Further, the difference in the amount of side etching between the two films after 160 seconds (corresponding to the width (rim width) of the rim formed by exposing the surface of the semi-translucent film) was about 77 nm.

一方、図５（半透光膜の膜厚が１６０Å）の場合、遮光膜のサイドエッチング速度は平均１１６ｎｍ／ｍｉｎに増加する反面、半透光膜のサイドエッチング速度は平均５８ｎｍ／ｍｉｎにとどまり、１６０秒経過後の両膜のサイドエッチング量の差は１５３ｎｍ程度であった。
すなわち、図２〜図５の結果から、半透光膜の膜厚がある程度以下であるときには、半透光膜と遮光膜のサイドエッチング量の差が明確になり、その結果、図１（ｉ）に示すようなリム幅Ｗのリム部（Ｒｌ、Ｒｒ）が形成されることが明らかになった。 On the other hand, in the case of FIG. 5 (the thickness of the semi-transparent film is 160 mm), the side etching rate of the light-shielding film is increased to an average of 116 nm / min, while the side etching rate of the semi-transparent film is only an average of 58 nm / min. The difference in side etching amount between the two films after 160 seconds was about 153 nm.
That is, from the results of FIGS. 2 to 5, when the film thickness of the semi-transparent film is below a certain level, the difference in the side etching amount between the semi-transparent film and the light shielding film becomes clear, and as a result, FIG. It was revealed that rim portions (Rl, Rr) having a rim width W as shown in FIG.

本発明において、リム幅Ｗ（μｍ）は、０＜Ｗ≦１．０であることが好ましい。より好ましくは、０＜Ｗ≦０．８、更に好ましくは、０．０５≦Ｗ≦０．６である。本発明によれば、このような細幅のリム部を安定して正確に形成することができるので、本発明は極めて有用である。
本発明者の検討によると、両膜のサイドエッチング量の差を生じさせて、上記リム部を形成するために、例えば膜材料の選択を考えることができるが、適切な範囲の膜厚を適用することがより有利である。 In the present invention, the rim width W (μm) is preferably 0 <W ≦ 1.0. More preferably, 0 <W ≦ 0.8, and still more preferably 0.05 ≦ W ≦ 0.6. According to the present invention, such a narrow rim portion can be formed stably and accurately, and the present invention is extremely useful.
According to the study of the present inventor, for example, selection of a film material can be considered in order to form a rim portion by causing a difference in side etching amount between both films, but an appropriate range of film thickness is applied. It is more advantageous to do so.

上記図２〜図５の結果から想定されるように、半透光膜の膜厚が３００Å以下であるときに、両膜のサイドエッチング速度の差が得やすい。
また、本発明において、遮光膜の膜厚は、半透光膜の膜厚に対して、より大きいことが好ましく、例えば、半透光膜（下層膜）の膜厚をＡ（Å）、遮光膜（上層膜）の膜厚をＢ(Å)とするとき、Ｂ≧２Ａであることが望ましい。具体的には、Ｂ≧８００、より好ましくは、Ｂ≧１０００である。 As assumed from the results of FIGS. 2 to 5 above, when the thickness of the semi-translucent film is 300 mm or less, it is easy to obtain the difference in the side etching rate between the two films.
In the present invention, the thickness of the light shielding film is preferably larger than the thickness of the semi-transparent film. For example, the thickness of the semi-transparent film (lower layer film) is A (Å), and the light shielding When the film thickness of the film (upper film) is B (Å), it is desirable that B ≧ 2A. Specifically, B ≧ 800, more preferably B ≧ 1000.

また、本発明者の検討によると、上記サイドエッチング工程における、単位時間あたりの平均的なサイドエッチング量を、「平均サイドエッチング速度」とし、半透光膜の平均サイドエッチング速度をＶｈ、遮光膜の平均サイドエッチング速度をＶｏとするとき、Ｖｏ≧１．５Ｖｈ、より好ましくは、Ｖｏ≧１．８Ｖｈとなる場合に、リム部の形成が行いやすいことが見出された。ここでのサイドエッチングとは、基板主面と平行な方向に進むエッチングをいう。
なお、図２と、図３〜図５とを比較すると理解されるとおり、半透光膜の膜厚が小さく、サイドエッチングが抑制されるとき、遮光膜のサイドエッチング量はむしろ促進される傾向がみられた。 Further, according to the study of the present inventor, the average side etching amount per unit time in the side etching step is “average side etching rate”, the average side etching rate of the semi-translucent film is Vh, and the light shielding film It has been found that when the average side etching rate is set to Vo, the rim portion can be easily formed when Vo ≧ 1.5 Vh, more preferably, Vo ≧ 1.8 Vh. Side etching here refers to etching that proceeds in a direction parallel to the main surface of the substrate.
As understood from a comparison between FIG. 2 and FIGS. 3 to 5, when the film thickness of the semi-transparent film is small and the side etching is suppressed, the side etching amount of the light shielding film tends to be promoted rather. Was seen.

本発明により形成されるリム部の寸法は、被エッチング材料とエッチャントの組み合わせに依存して決まるエッチング進行速度を意味する、一般的ないわゆるエッチングレートの影響も受ける。但し、本発明者の検討により、半透光膜と遮光膜の材料によるエッチングレートに大きな差がなくても、リム部を形成することができる点が新たに見出された。   The dimension of the rim portion formed by the present invention is also affected by a general so-called etching rate, which means an etching progress rate determined depending on a combination of a material to be etched and an etchant. However, the inventors have newly found that the rim portion can be formed even when there is no significant difference in the etching rate between the materials of the semi-translucent film and the light shielding film.

本発明の実施に適用するエッチング法としては、ドライエッチングとウェットエッチングが考えられるが、上述のサイドエッチングの効果を得るためには、等方性エッチングの性質をもつウェットエッチングが好ましい。   As the etching method applied to the practice of the present invention, dry etching and wet etching can be considered. In order to obtain the above-described side etching effect, wet etching having the property of isotropic etching is preferable.

上記リム部は、フォトマスクに形成された転写用パターンを被転写体に転写する際に、光学的な機能を奏する領域である。例えば、リム部が、露光光の代表波長の位相をほぼ反転させる位相シフト部である場合（すなわち、リム部の光透過率が２〜３０％であって、位相シフト量が９０〜２７０度の場合）、フォトマスクを透過する光の強度分布をより良化させ、転写像のコントラストを向上することができる。また、上記リム部が、露光光の代表波長の位相を反転させずに一部透過する場合（すなわち、リム部の光透過率が５〜８０％であって、位相シフト量が９０度以下の場合）、フォトマスクを透過する光量全体を増加させ、被転写体上のレジスト膜を確実に感光することができる。   The rim portion is an area that exhibits an optical function when the transfer pattern formed on the photomask is transferred to the transfer target. For example, when the rim portion is a phase shift portion that substantially inverts the phase of the representative wavelength of the exposure light (that is, the light transmittance of the rim portion is 2 to 30% and the phase shift amount is 90 to 270 degrees). ), The intensity distribution of light transmitted through the photomask can be improved, and the contrast of the transferred image can be improved. In the case where the rim portion partially transmits without reversing the phase of the representative wavelength of the exposure light (that is, the rim portion has a light transmittance of 5 to 80% and a phase shift amount of 90 degrees or less. ), The entire amount of light transmitted through the photomask can be increased, and the resist film on the transfer target can be reliably exposed.

図７（ａ）〜（ｃ）に本発明による具体的な転写用パターン例の平面視図を示す。
図７（ａ）〜（ｃ）のいずれの転写用パターンも、透明基板表面が露出してなる透光部、透明基板上に下層膜、エッチングストッパ膜、及び上層膜が積層する遮光部、及び、透明基板上に下層膜が形成され（下層膜とエッチングストッパ膜の積層膜でもよい）、かつ上層膜が形成されていない半透光部を含み、上記リム部は、上記透光部と遮光部に挟まれて位置する一定幅の半透光部により形成されている。 FIGS. 7A to 7C are plan views of specific transfer pattern examples according to the present invention.
Each of the transfer patterns shown in FIGS. 7A to 7C includes a light-transmitting portion in which the surface of the transparent substrate is exposed, a light shielding portion in which a lower layer film, an etching stopper film, and an upper layer film are stacked on the transparent substrate, and Including a semi-transparent portion in which a lower layer film is formed on a transparent substrate (may be a laminated film of a lower layer film and an etching stopper film), and an upper layer film is not formed. It is formed by a semi-translucent part having a constant width and located between the parts.

なお、本実施の形態では、下層膜、上層膜は、それぞれ半透光膜、遮光膜としたが、もちろんこの場合に限られる必要はなく、フォトマスクを構成するいずれかの光学膜や機能膜であることができる。
また、転写用パターン内に、半透光部として、リム部以外の半透光部、例えば、リム部より大きな幅（例えば１μｍを超える幅）をもつ半透光部が含まれていてもよい。 In this embodiment, the lower layer film and the upper layer film are a semi-transparent film and a light-shielding film, respectively. However, of course, the present invention is not limited to this, and any optical film or functional film constituting the photomask is used. Can be.
The transfer pattern may include a semi-transparent portion other than the rim portion, for example, a semi-transparent portion having a larger width (for example, a width exceeding 1 μm) than the rim portion. .

以下、図７に示す具体的な転写用パターン例について更に詳しく説明する。
図７（ａ）は、ライン・アンド・スペース・パターンの例示である。
ここでは、両側に半透光部のリム部Ｒｌ、Ｒｒをもつ遮光部Ａからなるライン部と、透明基板が露出した透光部からなるスペース部が所定のピッチで配置されている。本発明による半透光部からなるリム部は、特に微細なパターンを被転写体上に転写する際に特に有用であることから、ライン・アンド・スペース・パターンのピッチＰ（μｍ）（Ｐ＝ライン幅Ｌ＋スペース幅Ｓ）は、３〜７μｍであることが好ましく、ライン幅Ｌは２〜４μｍ、スペース幅Ｓも２〜４μｍのときに、本発明の効果が顕著である。 Hereinafter, a specific example of the transfer pattern shown in FIG. 7 will be described in more detail.
FIG. 7A shows an example of a line and space pattern.
Here, a line portion made of a light shielding portion A having rim portions Rl and Rr of semi-light-transmitting portions on both sides and a space portion made of a light-transmitting portion where the transparent substrate is exposed are arranged at a predetermined pitch. The rim portion formed of the semi-transparent portion according to the present invention is particularly useful when transferring a fine pattern onto a transfer target, and therefore, the pitch P (μm) of the line and space pattern (P = The line width L + space width S) is preferably 3 to 7 μm, and the effect of the present invention is remarkable when the line width L is 2 to 4 μm and the space width S is 2 to 4 μm.

ここでリム幅Ｗ（μｍ）は、０＜Ｗ≦１．０の範囲の一定幅を有するものであることが好ましく、図７（ａ）に示すとおり、ライン部の遮光部Ａの両側に対称にリム部が配置されている。すなわち、遮光部Ａの対向する両側の２つのエッジに隣接する各リム部は、それぞれ実質的に同じ幅である。遮光部Ａの両側の各リム部をそれぞれＲｌ、Ｒｒとし、そのリム幅をそれぞれＷｌとＷｒとするとき、ＷｒはＷｌ±０．１μｍの範囲内とすることができる。   Here, it is preferable that the rim width W (μm) has a constant width in a range of 0 <W ≦ 1.0, and as shown in FIG. 7A, the rim width W (μm) is symmetrical on both sides of the light shielding portion A of the line portion. A rim portion is disposed on the surface. That is, each rim part adjacent to two edges on both sides of the light shielding part A facing each other has substantially the same width. When the rim portions on both sides of the light shielding portion A are Rl and Rr, and the rim widths are Wl and Wr, Wr can be in the range of Wl ± 0.1 μm.

また、好ましくは、上記リム部の幅寸法は、フォトマスク面内でのばらつきが小さいことが望ましく、本発明においては、リム幅の中心値をＷｃ（μｍ）とするとき、Ｗｃ−０．０５≦Ｗ≦Ｗｃ＋０．０５とすることができる。
このように、本発明では、ライン部の遮光部Ａの両側に対称に、且つ幅寸法のばらつきの小さい、細幅のリム部のパターンを安定して正確に形成することができる。 Preferably, the width dimension of the rim portion is desirably small in the photomask plane. In the present invention, when the center value of the rim width is Wc (μm), Wc−0.05. ≦ W ≦ Wc + 0.05.
As described above, according to the present invention, it is possible to stably and accurately form a pattern of a narrow rim portion that is symmetrical on both sides of the light shielding portion A of the line portion and has a small variation in width dimension.

また、図７（ｂ）は、ホールパターンの例示である。
ここでは、中央の透光部からなるホール部Ｈ（例えばホール径が２〜２０μｍ程度）が、半透光部からなるリム部Ｒに隣接して囲まれ、更に、遮光部Ａによって囲まれている。ここで、リム幅Ｗは、上記ライン・アンド・スペース・パターンと同じ範囲であることが好ましい。また、透光部の対向する２つのエッジに隣接する例えば両側のリム部Ｒｌ、Ｒｒの幅は、上記ライン・アンド・スペース・パターンと実質的に同じ幅である。また、フォトマスク面内でのリム幅のばらつきが小さいことについても、上記ライン・アンド・スペース・パターンと同様である。 FIG. 7B is an illustration of a hole pattern.
Here, a hole portion H (for example, a hole diameter of about 2 to 20 μm) formed of a central light transmitting portion is surrounded adjacent to a rim portion R formed of a semi-light transmitting portion, and is further surrounded by a light shielding portion A. Yes. Here, the rim width W is preferably in the same range as the line-and-space pattern. Further, for example, the widths of the rim portions Rl and Rr on both sides adjacent to two opposing edges of the light transmitting portion are substantially the same as those of the line and space pattern. Also, the variation in the rim width within the photomask surface is small, as in the line and space pattern.

なお、図７（ｂ）に例示するホールパターンは、正方形の透光部のホール部Ｈを、半透光部のリム部Ｒが囲み、更に遮光部Ａが囲む形状であるが、ホールパターンは必ずしも正方形である必要はなく、正多角形（正六角形、正八角形など）や、その他の形状でも構わない。この場合の径は、多角形の内径とすることができる。   In addition, the hole pattern illustrated in FIG. 7B has a shape in which the hole portion H of the square light-transmitting portion is surrounded by the rim portion R of the semi-light-transmitting portion and further surrounded by the light-shielding portion A. The shape is not necessarily square, but may be a regular polygon (regular hexagon, regular octagon, etc.) or other shapes. The diameter in this case can be a polygonal inner diameter.

また、図７（ｃ）は、ドットパターンの例示である。
ここでは、中央の遮光部Ａが半透光部のリム部Ｒによって囲まれてなるドットパターン（例えば径が２〜２０μｍ程度）が、更に透光部に囲まれている。ここで、リム幅Ｗは、上記ライン・アンド・スペース・パターンと同じ範囲であることが好ましい。また、中央の遮光部の対向する２つのエッジに隣接する例えば両側のリム部Ｒｌ、Ｒｒの幅は、上記ライン・アンド・スペース・パターンと実質的に同じ幅である。また、フォトマスク面内でのリム幅のばらつきが小さいことについても、上記ライン・アンド・スペース・パターンと同様である。 FIG. 7C shows an example of a dot pattern.
Here, a dot pattern (for example, a diameter of about 2 to 20 μm) in which the central light shielding portion A is surrounded by the rim portion R of the semi-translucent portion is further surrounded by the translucent portion. Here, the rim width W is preferably in the same range as the line-and-space pattern. Further, for example, the widths of the rim portions Rl and Rr on both sides adjacent to the two opposing edges of the central light shielding portion are substantially the same as those of the line and space pattern. Also, the variation in the rim width within the photomask surface is small, as in the line and space pattern.

なお、図７（ｃ）に例示するドットパターンは、正方形の遮光部Ａを、半透光部のリム部Ｒが囲み、更に透光部が囲む形状であるが、ドットパターンは必ずしも正方形である必要はなく、正多角形（正六角形、正八角形など）や、その他の形状でも構わない。
以上、本発明のフォトマスクが有する転写用パターンの具体例を図７（ａ）〜（ｃ）に示して説明したが、もちろんこれらのパターンは例示であって、これらのパターンに限定されるものではない。 The dot pattern illustrated in FIG. 7C has a shape in which a square light-shielding portion A is surrounded by a rim portion R of a semi-translucent portion and further surrounded by a translucent portion, but the dot pattern is not necessarily square. It is not necessary and may be a regular polygon (regular hexagon, regular octagon, etc.) or other shapes.
The specific examples of the transfer pattern included in the photomask of the present invention have been described with reference to FIGS. 7A to 7C. Of course, these patterns are merely examples, and are limited to these patterns. is not.

また、本発明のフォトマスクが有する転写用パターンにおいては、遮光部と透光部が直接隣接する部分を有しないことが好ましい。また、転写用パターン内に半透光部からなるリム部以外の半透光部を有するとき、該半透光部は透光部と直接隣接する部分を有しないことが好ましい。リム部以外の半透光部は、上述のサイドエッチングとは異なる形成方法に依ることになり、透光部との隣接に際して、線幅精度の維持は容易でない。   In the transfer pattern of the photomask of the present invention, it is preferable that the light shielding portion and the light transmitting portion do not have a directly adjacent portion. Further, when the transfer pattern has a semi-transparent portion other than the rim portion formed of the semi-transparent portion, the semi-transparent portion preferably does not have a portion directly adjacent to the translucent portion. The translucent part other than the rim part depends on a different formation method from the above-described side etching, and it is not easy to maintain the line width accuracy when adjacent to the translucent part.

また、本発明は、本発明のフォトマスクを用意し、露光装置によって転写用パターンを被転写体上に転写することを含むフラットパネルディスプレイの製造方法についても提供するものである。本発明により得られるフォトマスクを用いてフラットパネルディスプレイを製造することにより、フラットパネルディスプレイの配線パターンの微細化を達成することが可能である。   The present invention also provides a method for manufacturing a flat panel display, which includes preparing the photomask of the present invention and transferring a transfer pattern onto a transfer target using an exposure apparatus. By manufacturing a flat panel display using the photomask obtained by the present invention, it is possible to achieve miniaturization of the wiring pattern of the flat panel display.

本発明のフォトマスクは、フラットパネルディスプレイ用の露光装置によって、その転写用パターンが好適に転写可能である。例えば、ｉ線、ｈ線、ｇ線を露光光に含む光源（ブロード波長光源ともいう）を備え、光学系の開口数（ＮＡ）が０．０８〜０．１５、コヒレンスファクタ（σ）が０．４〜０．９の等倍露光用プロジェクション露光装置を使用することができる。あるいは、上記ブロード波長光源を備えたプロキシミティ露光装置を用いることも可能である。   The transfer pattern of the photomask of the present invention can be suitably transferred by an exposure apparatus for a flat panel display. For example, a light source (also referred to as a broad wavelength light source) including i-line, h-line, and g-line in exposure light is provided, the numerical aperture (NA) of the optical system is 0.08 to 0.15, and the coherence factor (σ) is 0. A projection exposure apparatus for .quadrature.-0.9 exposures can be used. Alternatively, it is also possible to use a proximity exposure apparatus provided with the broad wavelength light source.

本発明のフォトマスクの用途に制限は無い。例えば、ライン・アンド・スペース・パターンは、液晶表示装置の画素電極等に好適に用いられ、ホールパターン、ドットパターンは、液晶表示装置のカラーフィルタなどに利用できる。これらのパターンにおいて、細幅の半透光部のリム部を備えることにより、径やピッチが小さい微細なパターンの転写性を向上できる。更に、本発明においては、複数回の描画に起因するアライメントずれを防止できるため、座標精度の向上や、微細線幅が精緻に転写できるなどの利点があり、被転写体上で、他のフォトマスクとの重ね合わせ精度が極めて有利となる。   There is no restriction | limiting in the use of the photomask of this invention. For example, the line and space pattern is preferably used for a pixel electrode of a liquid crystal display device, and the hole pattern and the dot pattern can be used for a color filter of the liquid crystal display device. In these patterns, by providing a rim portion having a narrow semi-translucent portion, transferability of a fine pattern having a small diameter and pitch can be improved. Furthermore, the present invention can prevent misalignment caused by multiple drawing operations, and thus has advantages such as improved coordinate accuracy and precise transfer of fine line widths. The overlay accuracy with the mask is extremely advantageous.

また、本発明のフォトマスクは、上記リム部を備えるライン・アンド・スペース・パターン等の転写用パターンのほかにも、他の転写用パターンを備えていてもよい。この場合、他の転写用パターンの形成のために、本発明の転写用パターンを形成する前に、又はその途中に、又はその後に、付加的な他の工程が実施されることを妨げない。   Moreover, the photomask of the present invention may include other transfer patterns in addition to the transfer pattern such as a line and space pattern including the rim portion. In this case, additional other steps are not prevented from being performed before, during or after the formation of the transfer pattern of the present invention for forming another transfer pattern.

１ 透明基板
２ 下層膜
３ エッチングストッパ膜
４ 上層膜
５ レジスト膜
２００ フォトマスクブランク
３００ フォトマスク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate 2 Lower layer film 3 Etching stopper film 4 Upper layer film 5 Resist film 200 Photomask blank 300 Photomask

Claims (18)

透明基板上に形成された下層膜、エッチングストッパ膜、及び上層膜がそれぞれパターニングされることによって形成された転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法であって、
前記透明基板上に、前記下層膜、前記エッチングストッパ膜、及び前記上層膜がこの順に積層するフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記上層膜の上に形成されたレジストパターンをマスクとして、前記上層膜をエッチングする上層膜予備エッチング工程と、
少なくともエッチングされた前記上層膜をマスクとして、前記エッチングストッパ膜をエッチングする工程と、
少なくともエッチングされた前記エッチングストッパ膜をマスクとして、前記下層膜をエッチングする下層膜エッチング工程と、
少なくとも前記レジストパターンをマスクとして、前記上層膜をサイドエッチングすることにより、前記上層膜のエッジが、前記下層膜のエッジより所定幅分後退した、リム部を形成する上層膜サイドエッチング工程と、
を有し、
前記下層膜は、前記上層膜のエッチャントによってエッチング可能な材料からなり、
前記エッチングストッパ膜は、前記上層膜のエッチャントに対して耐性を有する材料からなることを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 A method for producing a photomask comprising a transfer pattern formed by patterning a lower layer film, an etching stopper film, and an upper layer film formed on a transparent substrate,
On the transparent substrate, preparing a photomask blank in which the lower layer film, the etching stopper film, and the upper layer film are laminated in this order;
Using the resist pattern formed on the upper film as a mask, an upper film pre-etching step for etching the upper film,
Etching the etching stopper film using at least the etched upper layer film as a mask;
A lower layer film etching step for etching the lower layer film using at least the etched etching stopper film as a mask;
An upper layer film side etching step for forming a rim portion by side etching the upper layer film at least using the resist pattern as a mask so that the edge of the upper layer film is recessed by a predetermined width from the edge of the lower layer film;
Have
The lower layer film is made of a material that can be etched by the etchant of the upper layer film,
The method of manufacturing a photomask, wherein the etching stopper film is made of a material having resistance to an etchant of the upper layer film. 前記上層膜サイドエッチング工程の後、前記上層膜をマスクとして、前記エッチングストッパ膜をエッチングし、前記リム部において、前記下層膜の表面を露出させることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。   2. The photo according to claim 1, wherein after the upper film side etching step, the etching stopper film is etched using the upper film as a mask to expose a surface of the lower film in the rim portion. Mask manufacturing method. 前記上層膜サイドエッチング工程において、形成される前記リム部について、前記所定幅をリム幅とし、該リム幅をＷ（μｍ）とするとき、
０＜Ｗ≦１．０
であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。 In the upper film side etching step, for the rim portion to be formed, when the predetermined width is a rim width and the rim width is W (μm),
0 <W ≦ 1.0
The method for producing a photomask according to claim 1, wherein the method is a photomask. 前記下層膜の膜厚をＡ（Å）とするとき、Ａ≦３００であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。   4. The method for manufacturing a photomask according to claim 1, wherein A ≦ 300, where A is a thickness of the lower layer film. 5. 前記上層膜サイドエッチング工程において、単位時間あたりの前記上層膜の平均サイドエッチング量が、前記下層膜の平均サイドエッチング量の１．５倍以上であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。   5. The upper layer film side etching step, wherein an average side etching amount of the upper layer film per unit time is 1.5 times or more of an average side etching amount of the lower layer film. The manufacturing method of the photomask in any one. 前記下層膜の膜厚をＡ（Å）、前記上層膜の膜厚をＢ（Å）とするとき、
Ｂ≧２Ａ
であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 When the film thickness of the lower layer film is A (Å) and the film thickness of the upper layer film is B (Å),
B ≧ 2A
The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein: 前記転写用パターンは、
前記透明基板表面が露出してなる透光部、
前記透明基板上に前記下層膜、前記エッチングストッパ膜、及び前記上層膜が積層する遮光部、及び、
前記透明基板上に前記下層膜、又は前記下層膜と前記エッチングストッパ膜の積層膜が形成されてなる半透光部を含み、
前記リム部は、前記透光部と前記遮光部に挟まれて位置する一定幅の前記半透光部であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 The transfer pattern is:
A translucent part formed by exposing the transparent substrate surface;
A light-shielding portion in which the lower layer film, the etching stopper film, and the upper layer film are laminated on the transparent substrate; and
Including a semi-translucent portion in which the lower layer film or a laminated film of the lower layer film and the etching stopper film is formed on the transparent substrate;
The photomask manufacturing method according to any one of claims 1 to 6, wherein the rim portion is the semi-light-transmitting portion having a constant width that is located between the light-transmitting portion and the light-shielding portion. Method. 前記下層膜は、前記フォトマスクの露光に用いる露光光に対する透過率が５〜８０％の半透光膜であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。   8. The photomask manufacturing method according to claim 1, wherein the lower layer film is a semi-transparent film having a transmittance of 5 to 80% for exposure light used for exposure of the photomask. Method. 前記転写用パターンは、ライン・アンド・スペース・パターンを含むことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。   The photomask manufacturing method according to claim 1, wherein the transfer pattern includes a line and space pattern. 前記転写用パターンは、ホールパターン又はドットパターンを含むことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。   The photomask manufacturing method according to claim 1, wherein the transfer pattern includes a hole pattern or a dot pattern. 前記下層膜は、前記フォトマスクの露光に用いる露光光に含まれる代表波長の光に対する位相シフト量が６０度以下であることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。   The photomask according to any one of claims 1 to 10, wherein the lower layer film has a phase shift amount of 60 degrees or less with respect to light having a representative wavelength included in exposure light used for exposure of the photomask. Manufacturing method. 透明基板上に、転写用パターンを備えるフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、
前記透明基板表面が露出してなる透光部、
前記透明基板上に下層膜、エッチングストッパ膜、及び上層膜が積層する遮光部、及び、
前記遮光部に隣接して所定幅で形成されたリム部であって、前記透明基板上に前記下層膜、又は前記下層膜と前記エッチングストッパ膜の積層膜が形成されてなるリム部を含み、
前記下層膜は、前記上層膜のエッチャントによってエッチング可能な材料からなり、
前記エッチングストッパ膜は、前記上層膜のエッチャントに対して耐性を有する材料からなることを特徴とする、フォトマスク。 A photomask having a transfer pattern on a transparent substrate,
The transfer pattern is:
A translucent part formed by exposing the transparent substrate surface;
A light shielding portion in which a lower layer film, an etching stopper film, and an upper layer film are laminated on the transparent substrate; and
A rim portion formed with a predetermined width adjacent to the light shielding portion, including a rim portion in which the lower layer film, or a laminated film of the lower layer film and the etching stopper film is formed on the transparent substrate,
The lower layer film is made of a material that can be etched by the etchant of the upper layer film,
The photomask according to claim 1, wherein the etching stopper film is made of a material resistant to an etchant of the upper film. 前記リム部の幅をＷ（μｍ）とするとき、
０＜Ｗ≦１．０
であることを特徴とする、請求項１２に記載のフォトマスク。 When the width of the rim portion is W (μm),
0 <W ≦ 1.0
The photomask according to claim 12, wherein: 前記下層膜の膜厚をＡ（Å）とするとき、Ａ≦３００であることを特徴とする、請求項１２又は１３に記載のフォトマスク。   14. The photomask according to claim 12, wherein A ≦ 300, where A is a thickness of the lower layer film. 前記下層膜の膜厚をＡ（Å）、前記上層膜の膜厚をＢ（Å）とするとき、
Ｂ≧２Ａ
であることを特徴とする、請求項１２乃至１４のいずれかに記載のフォトマスク。 When the film thickness of the lower layer film is A (Å) and the film thickness of the upper layer film is B (Å),
B ≧ 2A
The photomask according to claim 12, wherein the photomask is any one of the following. 前記転写用パターンは、ライン・アンド・スペース・パターンを含むことを特徴とする、請求項１２乃至１５のいずれかに記載のフォトマスク。   The photomask according to claim 12, wherein the transfer pattern includes a line and space pattern. 前記転写用パターンは、ホールパターン又はドットパターンを含むことを特徴とする、請求項１２乃至１５のいずれかに記載のフォトマスク。   The photomask according to claim 12, wherein the transfer pattern includes a hole pattern or a dot pattern. 請求項１乃至１１のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法によって製造されたフォトマスク、又は請求項１２乃至１７のいずれかに記載のフォトマスクを用意し、露光装置によって前記転写用パターンを被転写体上に転写することを含む、フラットパネルディスプレイの製造方法。
A photomask manufactured by the photomask manufacturing method according to any one of claims 1 to 11 or the photomask according to any one of claims 12 to 17 is prepared, and the transfer pattern is covered by an exposure apparatus. A method for producing a flat panel display, comprising transferring onto a transfer body.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6259509B1 (en) * 2016-12-28 2018-01-10 株式会社エスケーエレクトロニクス Halftone mask, photomask blank, and method of manufacturing halftone mask
JP6368000B1 (en) * 2017-04-04 2018-08-01 株式会社エスケーエレクトロニクス Photomask, photomask blank, and photomask manufacturing method

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04223464A (en) * 1990-12-26 1992-08-13 Nikon Corp Photomask and its manufacture
JP2008203374A (en) * 2007-02-16 2008-09-04 Clean Surface Gijutsu:Kk Halftone blank
JP2009258357A (en) * 2008-04-16 2009-11-05 Geomatec Co Ltd Substrate for photomask, photomask, and method of manufacturing the same
JP2010122349A (en) * 2008-11-18 2010-06-03 Dainippon Printing Co Ltd Gradation mask
JP2011013382A (en) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk Method for manufacturing halftone mask
JP2011215614A (en) * 2010-03-15 2011-10-27 Hoya Corp Multi-level gradation photomask, method for manufacturing multi-level gradation photomask, and method for transferring pattern
JP2013134435A (en) * 2011-12-27 2013-07-08 Hoya Corp Method for manufacturing photomask, photomask, pattern transfer method and method for manufacturing flat panel display
WO2013190786A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-27 アルバック成膜株式会社 Phase-shifting mask blank, and phase-shifting mask and process for producing same
WO2014103875A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 アルバック成膜株式会社 Phase shift mask and method for producing same
JP2015049282A (en) * 2013-08-30 2015-03-16 Hoya株式会社 Photomask for manufacturing a display device, manufacturing method of photomask, pattern transfer method, and manufacturing method of display device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4073882B2 (en) * 2004-03-22 2008-04-09 Ｈｏｙａ株式会社 Halftone phase shift mask blank
JP5588633B2 (en) 2009-06-30 2014-09-10 アルバック成膜株式会社 Phase shift mask manufacturing method, flat panel display manufacturing method, and phase shift mask
JP5662032B2 (en) 2010-02-05 2015-01-28 アルバック成膜株式会社 Mask blanks and halftone masks
JP6063650B2 (en) * 2012-06-18 2017-01-18 Hoya株式会社 Photomask manufacturing method

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04223464A (en) * 1990-12-26 1992-08-13 Nikon Corp Photomask and its manufacture
JP2008203374A (en) * 2007-02-16 2008-09-04 Clean Surface Gijutsu:Kk Halftone blank
JP2009258357A (en) * 2008-04-16 2009-11-05 Geomatec Co Ltd Substrate for photomask, photomask, and method of manufacturing the same
JP2010122349A (en) * 2008-11-18 2010-06-03 Dainippon Printing Co Ltd Gradation mask
JP2011013382A (en) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk Method for manufacturing halftone mask
JP2011215614A (en) * 2010-03-15 2011-10-27 Hoya Corp Multi-level gradation photomask, method for manufacturing multi-level gradation photomask, and method for transferring pattern
JP2013134435A (en) * 2011-12-27 2013-07-08 Hoya Corp Method for manufacturing photomask, photomask, pattern transfer method and method for manufacturing flat panel display
WO2013190786A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-27 アルバック成膜株式会社 Phase-shifting mask blank, and phase-shifting mask and process for producing same
WO2014103875A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 アルバック成膜株式会社 Phase shift mask and method for producing same
JP2015049282A (en) * 2013-08-30 2015-03-16 Hoya株式会社 Photomask for manufacturing a display device, manufacturing method of photomask, pattern transfer method, and manufacturing method of display device

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