JP2016188413A

JP2016188413A - 成膜方法と積層体フィルムおよび電極基板フィルムの各製造方法

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Publication number: JP2016188413A
Application number: JP2015069301A
Authority: JP
Inventors: 大上　秀晴; Hideharu Ogami; 秀晴大上
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 2015-03-30
Filing date: 2015-03-30
Publication date: 2016-11-04
Anticipated expiration: 2035-03-30
Also published as: JP6330709B2

Abstract

【課題】サンプル基準が無くてもインライン反射率測定器を用いて金属吸収層の成膜条件を正確に制御可能な成膜方法を提供する。【解決手段】この成膜法は、金属メッキが施されたキャンロール等ロールの外周面上にて測定された長尺フィルムの分光反射率特性を反射率基準とする工程、膜厚と反応条件が異なるスパッタリング成膜で得られた複数サンプル用金属吸収層の分光反射率特性と上記反射率基準から各相対分光反射率特性を求めかつ「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」と「反射率極大値−反射率極小値」の差分値群を得る工程、差分値群から目標とする金属吸収層の差分値（λ、α）を特定し分光反射率を測定しながら上記差分値（λ、α）に調整できる初期条件を設定する工程と、設定された差分値（λ、α）が維持されるように反応性ガスの調整、スパッタリング電力の調整を行う工程を有することを特徴とする。【選択図】図６

Description

本発明は、樹脂フィルムから成る透明基板と積層膜を有し、タッチパネル等に使用される積層体フィルムおよび電極基板フィルムに係り、特に、樹脂フィルム上に積層膜を形成する成膜方法と積層体フィルムおよび電極基板フィルムの各製造方法に関するものである。

近年、携帯電話、携帯電子文書機器、自動販売機、カーナビゲーション等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表面に設置する「タッチパネル」が普及している。

上記「タッチパネル」には、大きく分けて抵抗型と静電容量型が存在する。「抵抗型のタッチパネル」は、樹脂フィルムから成る透明基板と該基板上に設けられたＸ座標（またはＹ座標）検知電極シート並びにＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートと、これ等シートの間に設けられた絶縁体スペーサーとで主要部が構成されている。そして、上記Ｘ座標検知電極シートとＹ座標検知電極シートは空間的に隔たっているが、ペン等で押さえられたときに両座標検知電極シートは電気的に接触してペンの触った位置（Ｘ座標、Ｙ座標）が判るようになっており、ペンを移動させればその都度座標を認識して、最終的に文字の入力が行なえる仕組みとなっている。他方、「静電容量型のタッチパネル」は、絶縁シートを介してＸ座標（またはＹ座標）検知電極シートとＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートが積層され、これ等の上にガラス等の絶縁体が配置された構造を有している。そして、ガラス等の上記絶縁体に指を近づけたとき、その近傍のＸ座標検知電極、Ｙ座標検知電極の電気容量が変化するため、位置検知を行なえる仕組みとなっている。

そして、電極等の回路パターンを構成する導電性材料として、従来、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）等の透明導電層が広く用いられていた（特許文献１参照）。また、タッチパネルの大型化に伴い、特許文献２や特許文献３等に開示されたメッシュ構造の金属製細線（金属層）も使用され始めている。

ところで、上記透明導電層と金属製細線（金属層）を較べた場合、透明導電層は、可視波長領域における透過性に優れるため電極等の回路パターンが殆ど視認されない利点を有するが、金属製細線（金属層）より電気抵抗値が高いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化には不向きな欠点を有する。他方、金属製細線（金属層）は、電気抵抗値が低いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化に向いているが、可視波長領域における反射率が高いため、例え微細なメッシュ構造に加工されたとしても高輝度照明下において回路パターンが視認されることがあり、製品価値を低下させてしまう欠点を有する。そして、この反射は、金属製細線（金属層）と樹脂フィルムの界面における屈折率差によるフレネル反射に起因している。

そこで、樹脂フィルムと金属層との間に金属酸化物から成る金属吸収層（黒化膜と称される）を設け（特許文献４参照）、樹脂フィルム側から観測される金属製細線の反射を低減させる方法が提案されている。

そして、金属酸化物から成る金属吸収層については、金属酸化物の成膜効率を図る観点から、通常、金属ターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリング等により連続して成膜されているが、金属吸収層を継続して連続成膜した場合、成膜環境の経時変化（例えば、真空チャンバー内に含まれる水分量の経時変化や反応性ガスの濃度変化等）により、金属吸収層の特性が変化してしまう問題があった。

この問題を解決するため、成膜直後における金属吸収層の透過率若しくは反射率を計測する「インライン透過率測定器」若しくは「インライン反射率測定器」を真空チャンバー内に配置して所望とする特性が維持されるようフィードバック制御を行う方法（特許文献５〜７参照）が提案されている。

しかし、上記「インライン透過率測定器」を用いて制御する方法は、樹脂フィルム両面に金属吸収層と金属層が成膜された両面構造体に対して金属吸収層の光学特性を測定することが困難なことからその汎用性に欠けるため、「インライン反射率測定器」を用いて制御する方法が一般的に採用されている。

特開２００３−１５１３５８号公報特開２０１１−０１８１９４号公報特開２０１３−０６９２６１号公報特開２０１３−２２５２７６号公報特許第４７３８２９２号公報特開２０００−０１７４３７公報特開２００５−３３８０４７公報

ところで、反射率が既知であるサンプル基準を用いて正確な反射率測定を行う一般的な「２光束自記分光光度計」と異なり、真空チャンバー内に配置する「インライン反射率測定器」においては測定された反射率を比較するサンプル基準が無く、成膜直後における金属吸収層の反射率を正確に測定することが難しいことから、真空チャンバー内における成膜環境の経時変化に正確に対応できない問題が存在した。

本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、上記サンプル基準が無くても「インライン反射率測定器」を用いて金属吸収層の成膜条件を正確に制御可能な成膜方法を提供し、合わせてタッチパネル等に使用される積層体フィルムと電極基板フィルムの各製造方法を提供することにある。

そこで、本発明者は上記課題を解決するため以下のような検討を行った。

まず、「２光束自記分光光度計」において使用される上述のサンプル基準に代用可能な対象として金属吸収層が成膜される前の長尺樹脂フィルム自体の反射率を検討した。すなわち、クロム等の金属メッキが施されたキャンロール等のロール外周面上にて成膜前における長尺樹脂フィルムの分光反射率（但し、透明性の高い長尺樹脂フィルムにおいてはキャンロール等のロール外周面に施された金属メッキからの反射が主となっている）を測定し、測定された分光反射率を反射率基準（ベースライン）とする利用を試みた。

尚、実験においては、金属メッキが施されたロールに代えて、可視波長全域で反射率の高いアルミミラー（但し、円筒ミラーでなく平面ミラー）を用い、金属吸収層が成膜される前の長尺樹脂フィルムを上記アルミミラーに載置した状態で「２光束自記分光光度計」により測定している。

次に、酸素を含む反応性ガスと金属（例えばＮｉ−Ｃｕ合金）ターゲットを用い、反応性スパッタリング装置によりサンプル用金属吸収層を長尺樹脂フィルムの片面に連続成膜し、得られた複数個のサンプル用金属吸収層の分光反射率特性を上記「２光束自記分光光度計」で測定した。

具体的には、サンプル用金属吸収層の膜厚について、例えば、０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍの７種（ｄ１〜ｄｎ）に設定し、かつ、反応性ガスの酸素流量が膜厚に対し一定量となる条件、例えば、１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない条件）、２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間の条件）、および、２．５０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が多い条件）の３組（ａ組）に設定して２１（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層を成膜（製造）し、これ等サンプル用金属吸収層の分光反射率特性を上記「２光束自記分光光度計」で測定した。尚、サンプル用金属吸収層における分光反射率特性の測定は、上記アルミミラー上にサンプル用金属吸収層を載置した状態で「２光束自記分光光度計」を用いて行っており、測定された各サンプル用金属吸収層の分光反射率特性を図１０〜図１２のグラフ図に示す。ここで、膜厚が０ｎｍのサンプル用金属吸収層は金属吸収層が成膜される前の長尺樹脂フィルムに相当し、この長尺樹脂フィルムの分光反射率を反射率基準（ベースライン）として利用している。

すなわち、長尺樹脂フィルムの分光反射率値を反射率基準（ベースライン）にし、各サンプル用金属吸収層（膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の分光反射率値を長尺樹脂フィルムの分光反射率値で割って各サンプル用金属吸収層における「相対分光反射率特性」としている。

次に、実験用アルミミラーに代えて金属（クロム）メッキが施されたキャンロール等のロールを使用し、該ロールの外周面上にて反応性スパッタリング装置に組み込まれた「インライン反射率測定器」を用い成膜前における長尺樹脂フィルムの分光反射率を測定し、かつ、長尺樹脂フィルムの片面に２１（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層を成膜（製造）すると共に、これ等サンプル用金属吸収層の分光反射率特性も上記「インライン反射率測定器」を用い金属メッキが施されたロールの外周面上にて測定した。

そして、金属メッキが施されたロールの外周面上にて測定された成膜前における長尺樹脂フィルムの分光反射率を上記反射率基準（ベースライン）にし、各サンプル用金属吸収層（膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の分光反射率値を長尺樹脂フィルムの分光反射率値（反射率基準）で割って各サンプル用金属吸収層における「相対分光反射率特性」として求めている。

図１３〜図１５のグラフ図は、各サンプル用金属吸収層（膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の「相対分光反射率特性」を示しており、上記反射率基準（ベースライン）とされた長尺樹脂フィルムの各波長における反射率は１００％と図示されている。尚、図１０〜図１２のグラフ図と比較して図１３〜図１５のグラフ図には、各サンプル用金属吸収層（膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の「相対分光反射率特性」が平坦でなく極大値と極小値を有している。この理由は、実験用アルミミラーと相違し、クロム（金属）メッキの分光反射率特性は平坦でなく極大値と極小値を有するからである。

次に、図１４のグラフ図に示された各サンプル用金属吸収層（酸素導入量が中間の条件で成膜された膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）における「相対分光反射率特性」のデータ群から、膜厚０ｎｍと５ｎｍ並びに３０ｎｍを除く膜厚２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、および、１０ｎｍのサンプル用金属吸収層を選択し、かつ、各サンプル用金属吸収層の「反射率極小値」「反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値」「反射率極大値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値−反射率極小値（％）」の数値を求めた。そのデータを以下の表１に示す。

同様に、図１３のグラフ図に示された各サンプル用金属吸収層（酸素導入量が少ない条件で成膜された膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）における「相対分光反射率特性」のデータ群から、膜厚０ｎｍと５ｎｍ並びに３０ｎｍを除く膜厚２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、および、１０ｎｍのサンプル用金属吸収層を選択し、かつ、各サンプル用金属吸収層の「反射率極小値」「反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値」「反射率極大値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値−反射率極小値（％）」の数値を求めた。そのデータを以下の表２に示す。

更に、表１および表２の「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」と「サンプル用金属吸収層の膜厚」との関係を図１６のグラフ図に示し、また、表１および表２の「反射率極大値−反射率極小値（％）」と「サンプル用金属吸収層の膜厚」との関係を図１７のグラフ図にまとめて示す。

そして、図１６と図１７の各クラフ図から、「サンプル用金属吸収層の膜厚」が増加するに従い、「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」と「反射率極大値−反射率極小値（％）」の各差分値が増加することが確認され、
また、図１６のクラフ図と図１７のクラフ図から、成膜時における酸素導入量が多い程、「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」と「反射率極大値−反射率極小値（％）」の各差分値が高い数値になることが確認される。

この結果、「インライン反射率測定器」で測定された反射率を「２光束自記分光光度計」で適用されている上記サンプル基準と比較することなく、「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」と「反射率極大値−反射率極小値（％）」の各差分値から正確な膜厚が求められ（すなわち成膜条件の調整が可能となる）、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」と「反射率極大値−反射率極小値（％）」の各差分値からも酸素導入量の多少について確認することが可能となる（すなわち「酸素流量／膜厚」条件の調整も可能となる）。

本発明はこのような技術的発見に基づき完成されたものである。

すなわち、本発明に係る第１の発明は、
スパッタリング装置内にて、長尺樹脂フィルムの片面に酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により金属吸収層を連続成膜し、かつ、スパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定し、該分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
（Ａ）成膜前における長尺樹脂フィルムの分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により測定し、かつ、測定された極大値と極小値を有する長尺樹脂フィルムの分光反射率特性を該長尺樹脂フィルムの「反射率基準（ベースライン）」とする工程、
（Ｂ）膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って上記長尺樹脂フィルムの片面に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器によりそれぞれ測定すると共に、測定された各分光反射率から上記「反射率基準（ベースライン）」を基に複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層における極大値と極小値を有する「相対分光反射率特性」をそれぞれ求める工程、
（Ｃ）極大値と極小値を有する上記「相対分光反射率特性」からサンプル用金属吸収層毎に「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値をそれぞれ特定する工程、
（Ｄ）上記（Ｃ）工程で得られた「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の差分値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る差分値（「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を長尺樹脂フィルムの片面に成膜しながら金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値が「λおよびα」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する工程、
（Ｅ）上記（Ｄ）工程で特定された成膜条件に従い、長尺樹脂フィルムの片面に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う工程、
を具備することを特徴とするものである。

次に、本発明に係る第２の発明は、
第１の発明に記載の成膜方法において、
上記（Ｅ）工程における「反応性ガスの調整」が、水素若しくは水蒸気の添加、または／および、上記酸素流量の変更であることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明または第２の発明に記載の成膜方法において、
上記金属ターゲットが、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金で構成されていることを特徴とし、
第４の発明は、
第１の発明〜第３の発明のいずれかに記載の成膜方法において、
スパッタリング装置内に１個のキャンロールが設けられ、該キャンロール外周面の長尺樹脂フィルム面が露出する領域において長尺樹脂フィルムおよび金属吸収層の分光反射率が測定されると共に、少なくとも分光反射率の測定がなされるキャンロール外周面の領域に上記金属メッキが施されていることを特徴とし、
また、第５の発明は、
第１の発明〜第３の発明のいずれかに記載の成膜方法において、
スパッタリング装置内に２個のキャンロールが設けられ、かつ、２個のキャンロール間における長尺樹脂フィルムの搬送路上に中間ロールが付設されていると共に、少なくとも一方のキャンロール外周面の長尺樹脂フィルム面が露出する領域または中間ロールの長尺樹脂フィルム面が露出する領域において長尺樹脂フィルムおよび金属吸収層の分光反射率が測定されると共に、少なくとも分光反射率の測定がなされるキャンロールまたは中間ロールにおける外周面の領域に上記金属メッキが施されていることを特徴とする。

次に、本発明に係る第６の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面に設けられた積層膜とで構成され、該積層膜が、金属吸収層と該金属吸収層上に形成された金属層を有する積層体フィルムの製造方法において、
上記金属吸収層が、第１の発明〜第５の発明のいずれかに記載の成膜方法により成膜されていることを特徴とし、
更に、第７の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面に設けられた積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムの製造方法において、
第６の発明に記載の製造方法で得られた積層体フィルムの上記積層膜を化学エッチング処理してメッシュ構造の回路パターンに加工することを特徴とするものである。

本発明に係る成膜方法は、
（Ａ）成膜前における長尺樹脂フィルムの分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により測定し、かつ、測定された極大値と極小値を有する長尺樹脂フィルムの分光反射率特性を該長尺樹脂フィルムの「反射率基準（ベースライン）」とする工程、
（Ｂ）膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って上記長尺樹脂フィルムの片面に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器によりそれぞれ測定すると共に、測定された各分光反射率から上記「反射率基準（ベースライン）」を基に複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層における極大値と極小値を有する「相対分光反射率特性」をそれぞれ求める工程、
（Ｃ）極大値と極小値を有する上記「相対分光反射率特性」からサンプル用金属吸収層毎に「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値をそれぞれ特定する工程、
（Ｄ）上記（Ｃ）工程で得られた「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の差分値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る差分値（「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を長尺樹脂フィルムの片面に成膜しながら金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値が「λおよびα」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する工程、
（Ｅ）上記（Ｄ）工程で特定された成膜条件に従い、長尺樹脂フィルムの片面に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う工程、
を具備することを特徴としている。

そして、本発明に係る成膜方法によれば、
反射率が既知であるサンプル基準が無くても「インライン反射率測定器」を用いて金属吸収層の成膜条件を正確に制御でき、これにより真空チャンバー内における成膜環境の経時変化に正確に対応できるため、連続成膜される金属吸収層の光学特性が変動し難い効果を有している。

また、透明基板と積層膜とで構成され、該積層膜が、金属吸収層と該金属吸収層上に形成された金属層を有する本発明に係る積層体フィルムの製造方法によれば、
上記金属吸収層が本発明の成膜方法を用いて成膜されているため、積層体フィルムにおける金属吸収層の光学特性を均一に揃えることが可能となる効果を有している。

樹脂フィルムから成る透明基板の片面に積層膜の一部を構成する金属吸収層が設けられた積層体フィルム用前駆体の概略断面説明図。樹脂フィルムから成る透明基板の片面に金属吸収層と金属層とで構成された積層膜が設けられた積層体フィルムの概略断面説明図。図２に示す積層体フィルムを用いて樹脂フィルムから成る透明基板の片面に金属製の積層細線が形成された電極基板フィルムの概略断面説明図。樹脂フィルムから成る透明基板上に金属吸収層と金属層を形成する従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）の説明図。１個のキャンロールが組み込まれかつ本発明の成膜方法に適用される「インライン反射率測定器」を備えた成膜装置（スパッタリングウェブコータ）の説明図。２個のキャンロールが組み込まれかつ本発明の成膜方法に適用される「インライン反射率測定器」を備えた成膜装置（スパッタリングウェブコータ）の説明図。樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）と、酸素流量１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない）の条件で樹脂フィルムの片面にそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍの金属吸収層と、該金属吸収層上に設けられた金属（Ｃｕ）層と、該金属（Ｃｕ）層上に設けられた第二金属吸収層とで構成された電極基板フィルム（積層体フィルムを化学エッチング処理して得られた完成品）の樹脂フィルム側に位置した金属吸収層の分光反射率を「２光束自記分光光度計」を用いて樹脂フィルム側から測定した分光反射率特性を示すグラフ図。樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）と、酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件で樹脂フィルムの片面にそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍの金属吸収層と、該金属吸収層上に設けられた金属（Ｃｕ）層と、該金属（Ｃｕ）層上に設けられた第二金属吸収層とで構成された電極基板フィルム（積層体フィルムを化学エッチング処理して得られた完成品）の樹脂フィルム側に位置した金属吸収層の分光反射率を「２光束自記分光光度計」を用いて樹脂フィルム側から測定した分光反射率特性を示すグラフ図。樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）と、酸素流量２．５０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が多い）の条件で樹脂フィルムの片面にそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍの金属吸収層と、該金属吸収層上に設けられた金属（Ｃｕ）層と、該金属（Ｃｕ）層上に設けられた第二金属吸収層とで構成された電極基板フィルム（積層体フィルムを化学エッチング処理して得られた完成品）の樹脂フィルム側に位置した金属吸収層の分光反射率を「２光束自記分光光度計」を用いて樹脂フィルム側から測定した分光反射率特性を示すグラフ図。酸素流量１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない）の条件で樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の片面にそれぞれ成膜された、膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍのサンプル用金属吸収層をアルミミラー（反射基準）上に載置した状態で「２光束自記分光光度計」により測定した分光反射率特性を示すグラフ図。酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件で樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の片面にそれぞれ成膜された、膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍのサンプル用金属吸収層をアルミミラー（反射基準）上に載置した状態で「２光束自記分光光度計」により測定した分光反射率特性を示すグラフ図。酸素流量２．５０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が多い）の条件で樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の片面にそれぞれ成膜された、膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍのサンプル用金属吸収層をアルミミラー（反射基準）上に載置した状態で「２光束自記分光光度計」により測定した分光反射率特性を示すグラフ図。樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の片面に酸素流量１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない）の条件でそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍのサンプル用金属吸収層の分光反射率値を、成膜装置（スパッタリングウェブコータ）内に組み込まれた「インライン反射率測定器」を用いて金属（クロム）メッキが施されたキャンロール等ロールの外周面上にて測定し、かつ、測定された各サンプル用金属吸収層の分光反射率値を、膜厚が０ｎｍである樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の分光反射率値（反射率基準：ベースライン）で割って求められた「相対分光反射率特性」を示すグラフ図。樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の片面に酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件でそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍのサンプル用金属吸収層の分光反射率値を、成膜装置（スパッタリングウェブコータ）内に組み込まれた「インライン反射率測定器」を用いて金属（クロム）メッキが施されたキャンロール等ロールの外周面上にて測定し、かつ、測定された各サンプル用金属吸収層の分光反射率値を、膜厚が０ｎｍである樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の分光反射率値（反射率基準：ベースライン）で割って求められた「相対分光反射率特性」を示すグラフ図。樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の片面に酸素流量２．５０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が多い）の条件でそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍのサンプル用金属吸収層の分光反射率値を、成膜装置（スパッタリングウェブコータ）内に組み込まれた「インライン反射率測定器」を用いて金属（クロム）メッキが施されたキャンロール等ロールの外周面上にて測定し、かつ、測定された各サンプル用金属吸収層の分光反射率値を、膜厚が０ｎｍである樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の分光反射率値（反射率基準：ベースライン）で割って求められた「相対分光反射率特性」を示すグラフ図。酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件、および、酸素流量１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない）の条件でそれぞれ成膜された各サンプル用金属吸収層について、「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」と「サンプル用金属吸収層の膜厚（１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ）」との関係を示すグラフ図。酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件、および、酸素流量１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない）の条件でそれぞれ成膜された各サンプル用金属吸収層について、「反射率極大値−反射率極小値（％）」と「サンプル用金属吸収層の膜厚（１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ）」との関係を示すグラフ図。真空チャンバー内における水分量の経時変化を示すグラフ図。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。

（１）積層体フィルム用前駆体と積層体フィルム
図１は樹脂フィルムから成る透明基板１の片面に積層膜の一部を構成する金属吸収層２が設けられた積層体フィルム用前駆体の概略断面説明図、図２は樹脂フィルムから成る透明基板１の片面に金属吸収層２と金属層３とで構成された積層膜が設けられた積層体フィルムの概略断面説明図を示している。

すなわち、図２に示す積層体フィルムは、樹脂フィルムから成る透明基板１と、該透明基板１の片面に乾式成膜法（スパッタリング：乾式めっき法）により形成された金属吸収層２と、該金属吸収層２上に乾式成膜法（スパッタリング：乾式めっき法）により形成された金属層３とで構成されている。

尚、金属層については、上記乾式成膜法（スパッタリング：乾式めっき法）と湿式成膜法（湿式めっき法）とを組み合わせて形成してもよい。

また、図２の積層体フィルムにおいては、積層膜が金属吸収層２と金属層３とで構成されているが、金属層３の上に第二金属吸収層（図示せず）を設けてもよい。金属層の両面に金属吸収層２と第二金属吸収層が形成されると、該積層体フィルムを用いて作製された電極基板フィルムをタッチパネルに組み込んだときに金属製積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンが反射してより視認され難くすることが可能となる。

（1-1）金属吸収層の構成材料（金属ターゲット）
上記金属吸収層は、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成る金属ターゲットと酸素を含む反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成される。尚、金属吸収層を構成する金属酸化物の酸化が進み過ぎると金属吸収層が透明になってしまうため、黒化膜になる程度の酸化レベルに設定することを要する。また、金属吸収層の各波長における光学定数（屈折率、消衰係数）は、反応の度合い、すなわち、酸化度に大きく影響され、金属ターゲットだけで決定されるものではない。尚、金属吸収層の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が望ましく、より好ましくは６５ｎｍ以下である。

（1-2）金属層の構成材料
上記金属層の構成材料（金属材）としては、電気抵抗値が低い金属であれば特に限定されず、例えば、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金、または、Ａｇ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＡｇ系合金が挙げられ、特に、Ｃｕ単体が、回路パターンの加工性や抵抗値の観点から望ましい。また、金属層の膜厚は電気特性に依存するものであり、光学的な要素から決定されるものではないが、通常、透過光が測定不能なレベルの膜厚に設定される。尚、金属層が、乾式めっき法と湿式めっき法で形成された銅層で構成される場合、その膜厚は１００ｎｍ〜２０００ｎｍが好ましい。

（1-3）透明基板を構成する樹脂フィルム
上記積層体フィルムに適用される樹脂フィルムの材質としては特に限定されることはなく、その具体例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン（ＰＯ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）およびノルボルネンの樹脂材料から選択された樹脂フィルムの単体、あるいは、上記樹脂材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体の片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネン樹脂材料については、代表的なものとして、日本ゼオン社のゼオノア（商品名）やＪＳＲ社のアートン（商品名）等が挙げられる。

尚、本発明に係る積層体フィルムを用いて作製される電極基板フィルムは「タッチパネル」等に使用するため、上記樹脂フィルムの中でも可視波長領域での透明性に優れるものが望ましい。

（２）電極基板フィルム
（2-1）上記積層体フィルムの積層膜をエッチング処理して、金属製積層細線に配線加工することにより電極基板フィルムを得ることができる。具体的には、図２に示す積層体フィルムの積層膜（金属吸収層２と金属層３）をエッチング処理して図３に示す電極基板フィルムを得ることができる。

すなわち、図３に示す電極基板フィルムは、樹脂フィルムから成る透明基板１と、該透明基板１の片面に設けられた金属製積層細線４から成るメッシュ構造の回路パターンを有し、上記金属製積層細線４が、例えば、線幅５μｍでかつ透明基板１側から数えて第１層目の金属吸収層２’と第２層目の金属層３’とで構成されている。

そして、電極基板フィルムの電極（配線）パターンをタッチパネル用のストライプ状若しくは格子状とすることでタッチパネルに用いることができる。また、電極（配線）パターンに配線加工された金属製の積層細線は、積層体フィルムの積層構造を維持していることから、高輝度照明下においても透明基板に設けられた電極等の回路パターンが極めて視認され難い電極基板フィルムとして提供することができる。

（2-2）そして、本発明に係る積層体フィルムから電極基板フィルムに配線加工するには、公知のサブトラクティブ法により加工が可能である。

サブトラクティブ法は、積層体フィルムの積層膜表面にフォトレジスト膜を形成し、配線パターンを形成したい箇所にフォトレジスト膜が残るように露光、現像し、かつ、上記積層膜表面にフォトレジスト膜が存在しない箇所の積層膜を化学エッチングにより除去して配線パターンを形成する方法である。

上記記化学エッチングのエッチング液としては、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。

（３）従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）
（3-1）スパッタリングウェブコータ
図４に示す従来例に係る成膜装置はスパッタリングウェブコータと称され、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に効率よく成膜処理を施す場合に用いられる。

具体的に説明すると、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルムの成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は真空チャンバー１０内に設けられており、巻き出しロール１１から巻き出された長尺樹脂フィルム１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール２４で巻き取るようになっている。これら巻き出しロール１１から巻き取りロール２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンロール１６が配置されている。このキャンロール１６の内部には、真空チャンバー１０の外部で温調された冷媒が循環している。

真空チャンバー１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０^-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガスの導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じて更に酸素等のガスが添加される。真空チャンバー１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。また、真空チャンバー１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー１０にはドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置（図示せず）が組み込まれている。

巻き出しロール１１からキャンロール１６までの搬送経路には、長尺樹脂フィルム１２を案内するフリーロール１３と、長尺樹脂フィルム１２の張力の測定を行う張力センサロール１４とがこの順で配置されている。また、張力センサロール１４から送り出されてキャンロール１６に向かう長尺樹脂フィルム１２は、キャンロール１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール１５によってキャンロール１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンロール１６の外周面に長尺樹脂フィルム１２を密着させることができる。

キャンロール１６から巻き取りロール２４までの搬送経路も、上記同様に、キャンロール１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール２１、長尺樹脂フィルム１２の張力の測定を行う張力センサロール２２および長尺樹脂フィルム１２を案内するフリーロール２３がこの順に配置されている。

上記巻き出しロール１１および巻き取りロール２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺樹脂フィルム１２の張力バランスが保たれている。また、キャンロール１６の回転とこれに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール１５、後フィードロール２１により、巻き出しロール１１から長尺樹脂フィルム１２が巻き出されて巻き取りロール２４に巻き取られるようになっている。

キャンロール１６の近傍には、キャンロール１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンロール１６外周面の内の長尺樹脂フィルム１２が巻き付けられる領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード１７、１８、１９および２０が設けられ、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２が設置されている。

ところで、上記金属吸収層と金属層のスパッタリング成膜を実施する際、図４に示すように板状のターゲットを使用できるが、板状ターゲットを用いた場合、ターゲット上にノジュール（異物の成長）が発生することがある。これが問題になる場合は、ノジュールの発生がなくかつターゲットの使用効率も高い円筒形のロータリーターゲットを使用することが好ましい。

（3-2）反応性スパッタリング
ところで、金属酸化物から成る金属吸収層を成膜する目的で酸化物ターゲットを適用した場合、成膜速度が遅く量産に適さない。このため、高速成膜が可能な例えばＮｉ系の金属ターゲットを用い、かつ、酸素を含む反応性ガスを制御しながら導入する反応性スパッタリングが採られている。

そして、反応性ガスを制御する方法として以下の４つの方法が知られている。
（3-2-1）一定流量の反応性ガスを放出する方法。
（3-2-2）一定圧力を保つように反応性ガスを放出する方法。
（3-2-3）スパッタリングカソードのインピーダンスが一定になるように反応性ガスを放出する（インピーダンス制御）方法。
（3-2-4）スパッタリングのプラズマ強度が一定になるように反応性ガスを放出する（プラズマエミッション制御）方法。

（４）「インライン反射率測定器」を備えた成膜装置（スパッタリングウェブコータ）
ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に成膜処理を行うスパッタリングウェブコータにおいては成膜時間が１０時間以上に及ぶことがある。

このような長時間に亘る反応性スパッタリング処理の条件を一定に保つことは容易でない。なぜなら、真空チャンバー１０の内壁に吸着したガス（水分）が徐々に放出されて真空チャンバー１０内に含まれる水分量が経時的に変化しあるいは反応性ガスの濃度変化が起こるからである。そこで、減少した水分を補給し、あるいは、金属吸収層に取り込まれる酸素量を一定にするため上述したフィードバック制御が欠かせない。

そして、金属吸収層における酸化の度合いを連続的に把握するには、例えば、図４に示すように金属吸収層を成膜する領域（マグネトロンスパッタリングカソード１８の終端領域）と金属層を成膜する領域（マグネトロンスパッタリングカソード１９の始端領域）間におけるキャンロール１６上において唯一現れる金属吸収層の分光反射率を「インライン反射率測定器」を用いて測定することが有効である。

（５）１個のキャンロールが組み込まれたスパッタリングウェブコータ
（5-1）「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータ
従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）と同様、「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータは、図５に示すように真空チャンバー１１０内に設けられており、巻き出しロール１１１から巻き出された長尺樹脂フィルム１１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール１２４で巻き取るようになっている。これ等巻き出しロール１１１から巻き取りロール１２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンロール１１６が配置されている。このキャンロール１１６の内部には、真空チャンバー１１０の外部で温調された冷媒が循環している。

真空チャンバー１１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０^-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガスの導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じてさらに酸素等のガスが添加される。真空チャンバー１１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。また、真空チャンバー１１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー１１０にはドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置（図示せず）が組み込まれている。

巻き出しロール１１１からキャンロール１１６までの搬送経路には、長尺樹脂フィルム１１２を案内するフリーロール１１３と、長尺樹脂フィルム１１２の張力測定を行う張力センサロール１１４がこの順で配置されている。また、張力センサロール１１４から送り出されてキャンロール１１６に向かう長尺樹脂フィルム１１２は、キャンロール１１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール１１５によって、キャンロール１１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンロール１１６の外周面に長尺樹脂フィルム１１２を密着させることができる。

キャンロール１１６から巻き取りロール１２４までの搬送経路も、上記同様に、キャンロール１１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール１２１、長尺樹脂フィルム１１２の張力測定を行う張力センサロール１２２、および、長尺樹脂フィルム１１２を案内するフリーロール１２３がこの順に配置されている。

上記巻き出しロール１１１および巻き取りロール１２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺樹脂フィルム１１２の張力バランスが保たれている。また、キャンロール１１６の回転とこれに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール１１５、後フィードロール１２１により、巻き出しロール１１１から長尺樹脂フィルム１１２が巻き出されて巻き取りロール１２４に巻き取られるようになっている。

キャンロール１１６の近傍には、キャンロール１１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンロール１１６外周面の内の長尺樹脂フィルム１１２が巻き付けられる領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８、１１９および１２０が設けられ、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０、１３１、１３２が設置されている。

（5-2）「インライン反射率測定器」によるフィードバック制御
「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータは、図５に示すようにキャンロール１１６外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム１１２面に金属吸収層を成膜する第一成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１７とマグネトロンスパッタリングカソード１１８とで構成される）と、同じく長尺樹脂フィルム１１２面に金属層を成膜する第二成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１９とマグネトロンスパッタリングカソード１２０とで構成される）間のキャンロール１１６上において唯一現れる金属吸収層の分光反射率をキャンロール１１６近傍に設けられた「インライン反射率測定器」により測定し、測定された値（金属吸収層の反射率：但し、上述したようにサンプル基準が無いため測定精度が若干劣る）と金属吸収層の目標値とを比較して上記第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段（ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８）における反応性ガスの供給量を制御するようになっている。

そして、キャンロール１１６の近傍に設けられる上記「インライン反射率測定器」は、図５に示すように白色（ハロゲン）光源等の安定化光源１３５と、該光源１３５からの光を２光路に分配しその一方の光路を構成する測定光照射ファイバ束が真空チャンバー１１０内に導入され他方の光路を構成する参照光照射ファイバ束が真空チャンバー１１０外に配置されるＹ分岐光ファイバ束１３４と、上記測定光照射ファイバ束と反射光受光ファイバ束から成りかつキャンロール１１６の外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム１１２の金属吸収層へ向けて測定光照射ファイバ束から測定光を照射し金属吸収層からの反射光を反射光受光ファイバ束で受光して金属吸収層の反射率を測定する反射率測定プローブ１３３と、該反射率測定プローブ１３３の反射光受光ファイバ束と上記参照光照射ファイバ束の各端部が真空チャンバー１１０外において接続されかつ上記参照光照射ファイバ束の端部から出射される参照光と反射光受光ファイバ束の端部から出射される測定光を一定の時間毎に順次通過させる光切換器（光チョッパー）１３６と、該光切換器１３６を通過した参照光に基づき光源光量を測定しかつ測定された上記光源光量に基づき光切換器１３６を通過した測定光の光量を補正して金属吸収層の分光反射率を計測する分光器１３７とでその主要部が構成されている。

上記光切換器（光チョッパー）１３６で、分光器１３７に入射する測定光と参照光を切り替える理由は、長時間に亘る成膜中の光源や受光素子の温度変化、光ファイバにおけるカップリングの効率変化等によるドリフトを補正するためである。具体的には参照光の変化割合に応じて反射率を同様に補正している。尚、測定光と参照光を切り換える光切換器（光チョッパー）１３６の周期は１Ｈｚである。

そして、分光器１３７で計測された金属吸収層の分光反射率データは、図５に示すように制御パソコン１３８に送信され、該制御パソコン１３８は反応性ガスの流量を制御する流量計１３９に流量設定値を送信する。そして、ガス導入チューブ１４０を経由して反応性ガスは上記ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８に導かれ、上記第一成膜手段への反応性ガスの供給量を制御するように構成されている。尚、上記流量計１３９については、各ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８にそれぞれ設置してもよい。

（６）２個以上のキャンロールが組み込まれたスパッタリングウェブコータ
（6-1）「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータ
１個のキャンロールが組み込まれた図４に示す従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）や図５に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）と異なり、図６に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は、例えば、２個のキャンロールが真空チャンバー内に組み込まれている。

すなわち、２個のキャンロールが組み込まれた成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は、図６に示すように真空チャンバー２１０内に設けられており、巻き出しロール２１１から巻き出された長尺樹脂フィルム２１２に対し所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール２２４で巻き取るようになっている。これ等巻き出しロール２１１から巻き取りロール２２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンローラ２１６、３１６が配置されている。このキャンローラ２１６、３１６の内部には、真空チャンバー２１０の外部で温調された冷媒が循環している。

真空チャンバー２１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０^-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガスの導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じて更に酸素等のガスが添加される。真空チャンバー２１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく、種々のものを使用することができる。上述したように真空チャンバー２１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー２１０には図示しないドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置が具備されている。

巻き出しロール２１１からキャンローラ２１６までの搬送経路には、長尺樹脂フィルム２１２を案内するフリーロール２１３と、長尺樹脂フィルム２１２の張力の測定を行う張力センサロール２１４とがこの順で配置されている。

１個目のキャンローラ２１６に対し、張力センサロール２１４から送り出されてキャンローラ２１６に向かう長尺樹脂フィルム２１２は、キャンローラ２１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール２１５によってキャンローラ２１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンローラ２１６の外周面に長尺樹脂フィルム２１２を密着させることができる。同様に、キャンローラ２１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール２２１、長尺樹脂フィルム２１２の張力の測定を行う張力センサロール２２２がある。

２個目のキャンローラ３１６に対し、張力センサロール３１４から送り出されてキャンローラ３１６に向かう長尺樹脂フィルム２１２は、キャンローラ３１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール３１５によってキャンローラ３１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンローラ３１６の外周面に長尺樹脂フィルム２１２を密着させることができる。同様に、キャンローラ３１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール３２１、長尺樹脂フィルム２１２の張力の測定を行う張力センサロール３２２がある。そして、巻き取りロール２２４までの搬送経路も、長尺樹脂フィルム２１２の張力の測定を行う張力センサロール３２２および長尺樹脂フィルム２１２を案内するフリーロール２２３がこの順に配置されている。

上記巻き出しロール２１１および巻き取りロール２２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺樹脂フィルム２１２の張力バランスが保たれている。また、キャンローラ２１６、３１６の回転と、これに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール２１５、３１５、後フィードロール２２１、３２１により、巻き出しロール２１１から長尺樹脂フィルム２１２が巻き出されて巻き取りロール２２４に巻き取られるようになっている。

１個目のキャンローラ２１６の近傍には、キャンローラ２１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンローラ２１６の外周面の内の長尺樹脂フィルム２１２が巻き付けられる領域：ラップ領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード２１７、２１８、２１９および２２０が設けられていて、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ２２５、２２６、２２７、２２８、２２９、２３０、２３１、２３２が設置されている。

２個目のキャンローラ３１６の近傍には、キャンローラ３１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンローラ３１６の外周面の内の長尺樹脂フィルム２１２が巻き付けられる領域：ラップ領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード３１７、３１８、３１９および３２０が設けられていて、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ３２５、３２６、３２７、３２８、３２９、３３０、３３１、３３２が設置されている。

また、１個目のキャンローラ２１６と２個目のキャンローラ３１６間の搬送路上には、フリーロール（中間ロール）３５０、３５１、３５２が配置されている。

（6-2）「インライン反射率測定器」によるフィードバック制御
ところで、図６に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）において、例えば１個目のキャンローラ２１６上にて長尺樹脂フィルム２１２の片面に金属吸収層が成膜され、２個目のキャンローラ３１６上にて長尺樹脂フィルム２１２の金属吸収層上に金属層が成膜されるように利用する場合、金属吸収層の分光反射率を測定する「インライン反射率測定器」の設置場所は、１個目のキャンローラ２１６と２個目のキャンローラ３１６間に設けられたフリーロール（中間ロール）３５１上において金属吸収層が現れる箇所となる。

そして、１個目のキャンローラ２１６と２個目のキャンローラ３１６間に設けられかつその外周面にクロム等の金属メッキが施されたフリーロール（中間ロール）３５１の近傍に設けられた「インライン反射率測定器」は、図６に示すように白色（ハロゲン）光源等の安定化光源２３５と、該光源２３５からの光を２光路に分配しその一方の光路を構成する測定光照射ファイバ束が真空チャンバー２１０内に導入され他方の光路を構成する参照光照射ファイバ束が真空チャンバー２１０外に配置されるＹ分岐光ファイバ束２３４と、上記測定光照射ファイバ束と反射光受光ファイバ束から成りかつフリーロール３５１の外周面に一部巻き付けられる長尺樹脂フィルム２１２の金属吸収層へ向けて測定光照射ファイバ束から測定光を照射し金属吸収層からの反射光を反射光受光ファイバ束で受光して金属吸収層の反射率を測定する反射率測定プローブ２３３と、該反射率測定プローブ２３３の反射光受光ファイバ束と上記参照光照射ファイバ束の各端部が真空チャンバー２１０外において接続されかつ上記参照光照射ファイバ束の端部から出射される参照光と反射光受光ファイバ束の端部から出射される測定光を一定の時間毎に順次通過させる光切換器（光チョッパー）２３６と、該光切換器２３６を通過した参照光に基づき光源光量を測定しかつ測定された上記光源光量に基づき光切換器２３６を通過した測定光の光量を補正して金属吸収層の分光反射率を計測する分光器２３７とでその主要部が構成されている。

上記光切換器（光チョッパー）２３６で、分光器２３７に入射する測定光と参照光を切り替える理由は、長時間に亘る成膜中の光源や受光素子の温度変化、光ファイバにおけるカップリングの効率変化等によるドリフトを補正するためである。具体的には参照光の変化割合に応じて反射率を同様に補正している。尚、測定光と参照光を切り換える光切換器（光チョッパー）２３６の周期は１Ｈｚである。

そして、分光器２３７で計測された金属吸収層の分光反射率データは、図６に示すように制御パソコン２３８に送信され、該制御パソコン２３８は反応性ガスの流量を制御する流量計２３９に流量設定値を送信する。そして、ガス導入チューブ２４０を経由して反応性ガスは上記ガス放出パイプ２２５、２２６、２２７、２２８に導かれ、１個目のキャンローラ２１６の近傍に設けられた第一成膜手段への反応性ガスの供給量を制御するように構成されている。尚、上記流量計２３９については、各ガス放出パイプ２２５、２２６、２２７、２２８にそれぞれ設置してもよい。

ところで、図６に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）において、キャンロール２１６の第一成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード２１７とマグネトロンスパッタリングカソード２１８とで構成される）で長尺樹脂フィルム２１２の片面に金属吸収層を成膜し、キャンロール２１６の第二成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード２１９とマグネトロンスパッタリングカソード２２０とで構成される）で長尺樹脂フィルム２１２の金属吸収層上に金属層を成膜するように利用する場合、金属吸収層の分光反射率を測定する上記「インライン反射率測定器」の設置場所は、第一成膜手段と第二成膜手段間のキャンローラ２１６上において金属吸収層が現れる箇所が挙げられ、該キャンローラ２１６上にて金属吸収層の分光反射率が測定される。

また、分光反射率が測定される上述のフリーロール（中間ロール）３５１並びにキャンローラ２１６において、クロム等の金属メッキを施す領域はこれ等ロールの全面である必要はなく、少なくとも上記分光反射率の測定がなされるロール外周面の該領域に施せばよい。

（７）「インライン反射率測定器」によるデータの解析（ベースラインの設定）
（7-1）一般的な「２光束自記分光光度計」を用いて測定サンプルの反射率を測定する場合、上述したように反射率が既知であるサンプル基準の反射光強度を測定してベースラインとし、その後、測定サンプルの反射光強度を測定し、上記ベースラインと比較して相対反射率を求めている。しかし、「インライン反射率測定器」においては、上述したように測定された反射率を比較するサンプル基準が無いため、該サンプル基準に基づいて相対反射率を求めることは現実的にできない。

そこで、長尺樹脂フィルムの片面に金属吸収層を成膜する際、未成膜の長尺樹脂フィルム自体における反射率をベースラインとする方法が考えられるが、透明性の高い長尺樹脂フィルムにおいてはロールからの反射（例えばキャンロール上にて長尺樹脂フィルムの反射率を測定する場合、キャンロール表面からの反射）が主となり、ロールの表面状態によっては信頼性の低いベースラインとなるため、「インライン反射率測定器」による測定において長尺樹脂フィルム自体の反射率をベースラインに設定することは難しい。

また、Ｎｉ系合金等の金属ターゲットを用いた反応性スパッタリングにより金属吸収層を樹脂フィルム（例えばＰＥＴフィルム）の片面に成膜し、樹脂フィルムの裏面側にキャンロール等の反射性基体が存在しない状態で成膜した金属吸収層の分光反射特性を「インライン反射率測定器」で測定すると、極大値若しくは極小値を有さずに反射率が単調に短波長側から長波長側に向かって増加する分光反射特性となる。また、ハードクロムめっきが施されたキャンロールの外周面に樹脂フィルム（例えばＰＥＴフィルム）を巻き付けかつこの状態で成膜された金属吸収層の分光反射特性を「インライン反射率測定器」で測定した場合も、成膜した金属吸収層の膜厚が厚くなると殆どの光が金属吸収層を透過しないためキャンロールからの分光反射の影響を受けず、極大値若しくは極小値を有さずに反射率が単調に短波長側から長波長側に向かって増加する分光反射特性になる。

ところで、上記「インライン反射率測定器」を用いた測定においては、所謂、「相対反射率」を想定しており、可視波長全域に亘って分光反射率が高い反射率（絶対反射）を保てる表面基材と比較すれば正確な分光反射率を求めることができる。

しかし、スパッタリングウェブコータに組み込まれた「インライン反射率測定器」を用いた測定においては、他の反射率基準（サンプル基準）と比較して「相対反射率」を得ることは難しい。その理由は、例えばキャンロール表面にサンプル基準板が設置された場合、金属吸収層とサンプル基準板面の僅かな高低差や曲率の差で反射率が大きく影響を受けるため、測定精度に問題を生ずるからである。

（7-2）そこで、本発明者は、ハードクロムめっき等が施されたキャンロール等のロール外周面に樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）を巻き付けかつ樹脂フィルムが密着した状態（真空中において樹脂フィルムはキャンローラ等に密着する）で成膜前における樹脂フィルムの分光反射率を「インライン反射率測定器」で測定し、測定した分光反射率の値を基準値とする方法を見出した。

尚、背面側にハードクロムめっき等が施されたロールが存在する状態で測定した樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）における分光反射率の値を基準値としているため、各波長における反射率を１００％としている。ハードクロムめっき等が施されたキャンロール等のロールが背面側に存在する状態で測定された樹脂フィルムの分光反射特性は、可視波長領域において平坦ではなく極小値と極大値を有している。

そして、極小値と極大値を有する樹脂フィルムの分光反射特性を基準としているため、短波長側から長波長側に向かって単調に反射率が増加若しくは減少する分光反射特性を有する金属吸収層が上記樹脂フィルム上に成膜されたとしても、基準値が極小値と極大値を有するため金属吸収層の分光反射特性も極小値と極大値を有する。

（7-3）このような分析に基づき、本発明者は上述したような実験を試みている。

実験においては、金属メッキが施されたキャンロール等のロールに代えて、可視波長全域で反射率の高いアルミミラー（但し、円筒ミラーでなく平面ミラー）を用い、金属吸収層が成膜される前の長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）を上記アルミミラーに載置した状態で「２光束自記分光光度計」により測定している。

具体的には、サンプル用金属吸収層の膜厚について、例えば、０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍの７種（ｄ１〜ｄｎ）に設定し、かつ、反応性ガスの酸素流量が膜厚に対し一定量となる条件、例えば、１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない条件）、２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間の条件）、および、２．５０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が多い条件）の３組（ａ組）に設定して２１（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層を成膜（製造）し、これ等サンプル用金属吸収層の分光反射率特性を上記「２光束自記分光光度計」で測定した。

また、サンプル用金属吸収層における分光反射率特性の測定は、上記アルミミラー上にサンプル用金属吸収層を載置した状態で「２光束自記分光光度計」を用いて行っている。尚、測定された各サンプル用金属吸収層の分光反射率特性を図１０〜図１２のグラフ図に示している。ここで、膜厚が０ｎｍのサンプル用金属吸収層は金属吸収層が成膜される前の長尺樹脂フィルムに相当し、この長尺樹脂フィルムの分光反射率を反射率基準（ベースライン）として利用している。

すなわち、長尺樹脂フィルムの分光反射率値を反射率基準（ベースライン）にし、各サンプル用金属吸収層（膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の分光反射率値を長尺樹脂フィルムの分光反射率値で割って各サンプル用金属吸収層における「相対分光反射率特性」を求めている。

（7-4）次に、実験用アルミミラーに代えて金属（クロム）メッキが施されたキャンロール等のロールを使用し、該ロール外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルムの分光反射率を反応性スパッタリング装置に組み込まれた「インライン反射率測定器」を用いて測定し、更に、長尺樹脂フィルムの片面に２１（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層を成膜（製造）すると共に、これ等サンプル用金属吸収層の分光反射率特性も上記「インライン反射率測定器」を用いて属メッキが施されたロールの外周面上にて測定した。

そして、長尺樹脂フィルムの分光反射率を上記反射率基準（ベースライン）にし、各サンプル用金属吸収層（膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の分光反射率値を長尺樹脂フィルムの分光反射率値（反射率基準）で割って各サンプル用金属吸収層における「相対分光反射率特性」として求めている。

図１３〜図１５のグラフ図は、各サンプル用金属吸収層（膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の「相対分光反射率特性」を示しており、上記反射率基準（ベースライン）とされた長尺樹脂フィルムの各波長における反射率は１００％と図示されている。長尺樹脂フィルムの各波長における反射率が１００％として図示されているため、各サンプル用金属吸収層の分光反射率特性から極大値と極小値を容易に把握することが可能となる。

尚、図１０〜図１２のグラフ図と比較して図１３〜図１５のグラフ図には、各サンプル用金属吸収層（膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）の「相対分光反射率特性」が平坦でなく極大値と極小値を有している。この理由は、実験用アルミミラーと相違し、クロム（金属）メッキの分光反射率特性は平坦でなく極大値と極小値を有するからである。

次に、図１４のグラフ図に示された各サンプル用金属吸収層（酸素導入量が中間の条件で成膜された膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）における「相対分光反射率特性」のデータ群から、膜厚０ｎｍと５ｎｍ並びに３０ｎｍを除く膜厚２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、および、１０ｎｍのサンプル用金属吸収層を選択し、かつ、各サンプル用金属吸収層の「反射率極小値」「反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値」「反射率極大値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値−反射率極小値（％）」の数値を求めた。そのデータを上記表１に示す。

同様に、図１３のグラフ図に示された各サンプル用金属吸収層（酸素導入量が少ない条件で成膜された膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、および、３０ｎｍ）における「相対分光反射率特性」のデータ群から、膜厚０ｎｍと５ｎｍ並びに３０ｎｍを除く膜厚２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、および、１０ｎｍのサンプル用金属吸収層を選択し、かつ、各サンプル用金属吸収層の「反射率極小値」「反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値」「反射率極大値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長（ｎｍ）」「反射率極大値−反射率極小値（％）」の数値を求めた。そのデータを上記表２に示す。

（８）本発明に係る電極基板フィルムの分光反射率特性
（8-1）樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）と、該樹脂フィルム上に本発明に係る成膜方法を用いて形成された金属吸収層（Ｃｕ−Ｎｉ系ターゲットを適用）と、該金属吸収層上に設けられた金属（Ｃｕ）層と、該金属（Ｃｕ）層上に設けられた第二金属吸収層とで構成された電極基板フィルム（積層体フィルムを化学エッチング処理して得られた完成品）の樹脂フィルム側に位置した金属吸収層の分光反射率を、「２光束自記分光光度計」を用いて樹脂フィルム側から測定した。尚、「２光束自記分光光度計」の「反射基準」として可視波長全域で反射率の高いアルミミラーを用いた。

（8-2）具体的には、樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）と、酸素流量１．７５ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が少ない）の条件で樹脂フィルムの片面にそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍの金属吸収層と、該金属吸収層上に設けられた金属（Ｃｕ）層と、該金属（Ｃｕ）層上に設けられた第二金属吸収層とで構成された電極基板フィルム（積層体フィルムを化学エッチング処理して得られた完成品）の樹脂フィルム側に位置した金属吸収層の分光反射率を、「２光束自記分光光度計」を用いて樹脂フィルム側から測定した。

この分光反射率特性を図７のグラフ図に示す。

（8-3）また、樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）と、酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件で樹脂フィルムの片面にそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍの金属吸収層と、該金属吸収層上に設けられた金属（Ｃｕ）層と、該金属（Ｃｕ）層上に設けられた第二金属吸収層とで構成された電極基板フィルム（積層体フィルムを化学エッチング処理して得られた完成品）の樹脂フィルム側に位置した金属吸収層の分光反射率を、「２光束自記分光光度計」を用いて樹脂フィルム側から測定した。

この分光反射率特性を図８のグラフ図に示す。

（8-4）更に、樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）と、酸素流量２．５０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が多い）の条件で樹脂フィルムの片面にそれぞれ成膜された膜厚０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍの金属吸収層と、該金属吸収層上に設けられた金属（Ｃｕ）層と、該金属（Ｃｕ）層上に設けられた第二金属吸収層とで構成された電極基板フィルム（積層体フィルムを化学エッチング処理して得られた完成品）の樹脂フィルム側に位置した金属吸収層の分光反射率を、「２光束自記分光光度計」を用いて樹脂フィルム側から測定した。

この分光反射率特性を図９のグラフ図に示す。

（8-5）尚、金属吸収層の膜厚が０ｎｍである電極基板フィルムの分光反射率特性は、金属（Ｃｕ）層そのものの分光反射特性となる。また、図７〜図９のグラフ図から金属吸収層の膜厚が厚くなるにつれて反射率が低下していくことが確認される。このように金属吸収層の反射率が低下する理由は、金属（Ｃｕ）層との光学的な干渉の影響を受けたためである。

（９）反射率が既知であるサンプル基準との比較を要しない本発明の成膜方法
すなわち、本発明は、
スパッタリング装置内にて、長尺樹脂フィルムの片面に酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により金属吸収層を連続成膜し、かつ、スパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定し、該分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
（Ａ）成膜前における長尺樹脂フィルムの分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により測定し、かつ、測定された極大値と極小値を有する長尺樹脂フィルムの分光反射率特性を該長尺樹脂フィルムの「反射率基準（ベースライン）」とする工程、
（Ｂ）膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って長尺樹脂フィルムの片面に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器によりそれぞれ測定すると共に、測定された各分光反射率から上記「反射率基準（ベースライン）」を基に複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層における極大値と極小値を有する「相対分光反射率特性」をそれぞれ求める工程、
（Ｃ）極大値と極小値を有する上記「相対分光反射率特性」からサンプル用金属吸収層毎に「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値をそれぞれ特定する工程、
（Ｄ）上記（Ｃ）工程で得られた「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の差分値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る差分値（「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を長尺樹脂フィルムの片面に成膜しながら金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値が「λおよびα」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する工程、
（Ｅ）上記（Ｄ）工程で特定された成膜条件に従い、長尺樹脂フィルムの片面に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う工程、
を具備することを特徴とするものである。

ところで、上記（Ｅ）工程において、「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」が維持されるように行う調整については、以下に述べる理由から、例えば、反応性ガス中に水素若しくは水蒸気を添加しまたは／および酸素流量を変更する方法、および、スパッタリング電力を調整し、更に長尺樹脂フィルムの搬送速度を変更する等の方法が挙げられる。

（１０）真空チャンバー内に含まれる水分の影響
反応性スパッタリング成膜中の真空チャンバー内部における水分圧とアルゴン分圧（スパッタリングを行うために導入するガス）の経時変化について、四重極質量分析計で計測した結果を図１８に示す。すなわち、図１８は、図５および図６に示す成膜装置の真空チャンバー内部における水分量の経時変化を示すグラフ図である。

図１８のグラフ図から、スパッタリング時間の経過と共に真空チャンバーから水分が脱離していくことが確認される。この水分も、スパッタリングのプラズマ中において酸素と水素に分解され、金属吸収層の酸化に寄与する。従って、成膜スタート時と同じ分光反射特性曲線を長時間に亘り維持するには、反応性スパッタガスの酸素に加えて真空チャンバーから脱離する水分量を補う水蒸気若しくは水素ガスを補充する必要がある。

例えば、スパッタリング時間の経過と共に、真空チャンバーから脱離する水分量を補わない場合、下記比較例に示されているように反射率は上昇する（表５参照）。

そこで、「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」が一定に維持できるように反応性ガスの酸素に加え、真空チャンバーから脱離する水分量を補う水蒸気若しくは水素ガスを含むガス導入すればよく、例えば、モル比で２：１の水素ガスと酸素ガスの混合ガスが挙げられる。

ところで、真空チャンバーから脱離する水分量を把握するには一般的に四重極質量分析計が利用される。上記四重極質量分析計はその場の雰囲気を計測する機器であり、「インライン反射率測定器」による測定の方が実際に取り込まれた反応性ガスを反映しているのでより直接的である。

尚、真空チャンバー内において四重極質量分析計により観測される水分は、成膜後における長尺樹脂フィルムをスパッタリングウェブコータから取り出したりした際の大気開放により、真空チャンバー内に吸着される水分である。また、真空チャンバー内に含まれる水分量は、真空チャンバー内における四重極質量分析計の配置位置や真空チャンバーの形状等で変動する。

以下、比較例を挙げて本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明は以下の実施例により限定されるものではない。

２個のキャンロールが組み込まれた図６に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）を用い、反応性ガスには酸素ガスを用いると共に、キャンロール２１６、３１６は、直径６００ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、各ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。前フィードロール２１５、３１５と後フィードロール２２１、３２１は直径１５０ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、各ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。

また、各マグネトロンスパッタリングカソード２１７、２１８、２１９、２２０、３１７、３１８、３１９、３２０の上流側と下流側にガス放出パイプ２２５、２２６、２２７、２２８、２２９、２３０、２３１、２３２、３２５、３２６、３２７、３２８、３２９、３３０、３３１、３３２を設置し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード２１７、２１８、２１９、２２０には金属吸収層用のＮｉ−Ｃｕターゲットを取付け、マグネトロンスパッタリングカソード３１７、３１８、３１９、３２０には金属層用のＣｕターゲットを取付けた。

また、「インライン反射率測定器」の反射率測定プローブ２３３が近傍に配置されるフリーロール（中間ロール）３５１にはハードクロムめっきが施されている。

尚、分光反射率測定がなされるフリーロール（中間ロール）３５１における被覆（めっき皮膜）の種類はハードクロムめっきに限定されず、可視波長領域において分光反射特性が平坦でなく極小値と極大値を有するものであればよい。

長尺樹脂フィルムには、幅６００ｍｍで長さ１２００ｍのＰＥＴフィルムを用い、上記キャンロール２１６、３１６は０℃に冷却制御している。また、真空チャンバー２１０を複数台のドライポンプにより５Ｐａまで排気した後、更に、複数台のターボ分子ポンプとクライオコイルを用いて３×１０^-3Ｐａまで排気している。

次に、成膜前における長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の分光反射率特性から反射率基準（ベースライン）を設定する工程を実施した。

まず、「インライン反射率測定器」の光切換器（光チョッパー）２３６を測定光（サンプル光）に切り替え、ハードクロムめっきが施されたフリーロール（中間ロール）３５１外周面上に部分的に巻き付けられた長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）に対し測定光（サンプル光）を照射すると共に、長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）を透過しかつフリーロール（中間ロール）３５１面から反射する光を「インライン反射率測定器」で計測し、計測された長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の分光反射率特性から反射率基準（ベースライン）を設定する。

すなわち、各波長における反射率を１００％として保存し、かつ、上記光切換器（光チョッパー）２３６を参照光（リファレンス光）に切り替えて初期の参照光量（リファレンス光量）を保存する。

初期工程（反射率基準の設定工程）を終了した後、ここからは、光切換器（光チョッパー）２３６を測定光（サンプル光）と参照光（リファレンス光）に切り替えながら上記長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の片面に成膜された金属吸収層の反射光量とその時の参照光量（リファレンス光量）を測定していく。尚、参照光量（リファレンス光量）を常時測定しているのは、上述した光源光量のドリフトを補正するためである。

また、成膜された金属吸収層の相対反射率は以下の式（１）で表記できる。
金属吸収層の相対反射率＝（金属吸収層の反射光量／ベースライン光量）×
（ベースライン測定時のリファレンス光量／反射光量測定時のリファレンス光量）
式（１）

そして、実施例と比較例は、長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の搬送速度を８ｍ／分にした後、ガス放出パイプ３２５、３２６、３２７、３２８、３２９、３３０、３３１、３３２からアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ導入し、マグネトロンスパッタリングカソード３１７、３１８、３１９、３２０について、膜厚８０ｎｍの金属層（Ｃｕ層）が得られる電力制御により成膜を行った。

一方、ガス放出パイプ２２５、２２６、２２７、２２８、２２９、２３０、２３１、２３２からアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ導入し、マグネトロンスパッタリングカソード２１７、２１８、２１９、２２０について、膜厚２０ｎｍの金属吸収層（Ｎｉ−Ｃｕの酸化膜）が得られる電力制御で成膜を行った。

また、反応性ガスの酸素と、真空チャンバーから脱離する水分量を補う水素ガスとを含むガス（水素＋酸素）は、流量計ユニット２３９経由して、ガス放出パイプ２２５、２２６、２２７、２２８、２２９、２３０、２３１、２３２へ混合ガスとして導入している。

［実施例］
本実施例においては、長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）上に膜厚２０ｎｍの金属吸収層（Ｎｉ−Ｃｕの酸化膜）を、酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件で連続成膜することを基準としている。

まず、図６に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）に組み込まれた「インライン反射率測定器」を用い、連続成膜している金属吸収層（Ｎｉ−Ｃｕの酸化膜）の分光反射率特性を測定しながら「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値」の数値（λ）が１９２ｎｍ（下記表３の「金属吸収層の膜厚」２０ｎｍ欄参照）になるようにスパッタ電力を微調整する。

次に、「反射率極大値−反射率極小値の差分値」の数値（α）が８．０％（下記表３の「金属吸収層の膜厚」２０ｎｍ欄参照）になるように反応性スパッタガスを微調整する。

これが、成膜スタート時の成膜条件になる。

そして、成膜時間が経過するにつれて真空チャンバー内から水分が脱離し、真空チャンバー内に含まれる水分量が経時的に減少するため、「反射率極大値−反射率極小値の差分値」の数値（α）が８．０％に維持されるように反応性ガス中への「水素＋酸素の混合ガス」を徐々に増加させたところ、長尺樹脂フィルム全長（１２００ｍ）の成膜終了時には、各カソードに対する「水素＋酸素の混合ガス」の導入量が１０ｓｃｃｍに達した。

また、マグネトロンスパッタリングカソードの消耗に伴い「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値」の数値（λ）が低下する傾向が確認される。この場合、上記数値（λ）が１９２ｎｍに維持されるようにスパッタ電力を徐々に増加されればよい。厳密言えば、「反射率極大値−反射率極小値の差分値」と「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値」は、「水素＋酸素の混合ガス」の導入量とスパッタ電力の両方に関係するので、両パラメータに基づき微調整することが望ましい。

尚、実施例において、表３の「金属吸収層の膜厚」２０ｎｍ欄に記載された目標値、すなわち「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値（λ）が１９２ｎｍ」、かつ、「反射率極大値−反射率極小値の差分値（α）が８．０％」である目標値が、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘って達成されているか否かについて以下の表４に示し、合わせて、長尺樹脂フィルム全長（１２００ｍ）に亘る「反射率極大値」と「反射率極小値」の数値も表４に示す。

そして、表４における実施例の「反射率極大値」と「反射率極小値」欄から、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘り目標とする分光反射率特性が維持されていることが確認される。

［比較例］
比較例においても、長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）上に膜厚２０ｎｍの金属吸収層（Ｎｉ−Ｃｕの酸化膜）を酸素流量２．１０ｓｃｃｍ／ｎｍ（酸素導入量が中間）の条件で成膜しかつ膜厚８０ｎｍの金属層（Ｃｕ層）を成膜することを基準としている。

但し、比較例においては、「インライン反射率測定器」によって測定されたデータを利用せず、そのままフィードバック制御無しに全長（１２００ｍ）の成膜を行っている。

すなわち、「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値（λ）が１９２ｎｍ」で、かつ、「反射率極大値−反射率極小値の差分値（α）が８．０％」である目標値が、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘って達成されているか否かについて表５に示し、合わせて、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘る「反射率極大値」と「反射率極小値」の数値も表５に示す。

そして、表５における比較例の「反射率極大値」欄から、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘り目標とする分光反射率特性が維持されていない（反射率極大値が上昇する）ことが確認される。

「評価」
（１）表４の「反射率極大値」と「反射率極小値」欄から、実施例においては長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘って目標とする分光反射率特性を維持できる製法上の利点を有している。

（２）他方、比較例においては、成膜初期と比較して成膜終了時において反射率が上昇してしまう（反射率の極大値が上昇する）製法上の欠点を有している。

本発明に係る成膜方法を用いて得られた金属吸収層を有する積層体フィルムは金属吸収層の光学特性が均一に揃っているため、タッチパネルに組み込まれる電極基板フィルムとして利用される産業上の可能性を有している。

１透明基板（樹脂フィルム）
２金属吸収層
２’金属吸収層
３金属層
３’金属層
４金属製積層細線
１０真空チャンバー
１１巻き出しロール
１２長尺樹脂フィルム
１３フリーロール
１４張力センサロール
１５前フィードロール
１６キャンロール
１７マグネトロンスパッタリングカソード
１８マグネトロンスパッタリングカソード
１９マグネトロンスパッタリングカソード
２０マグネトロンスパッタリングカソード
２１後フィードロール
２２張力センサロール
２３フリーロール
２４巻き取りロール
２５ガス放出パイプ
２６ガス放出パイプ
２７ガス放出パイプ
２８ガス放出パイプ
２９ガス放出パイプ
３０ガス放出パイプ
３１ガス放出パイプ
３２ガス放出パイプ
１１０真空チャンバー
１１１巻き出しロール
１１２長尺樹脂フィルム
１１３フリーロール
１１４張力センサロール
１１５前フィードロール
１１６キャンロール
１１７マグネトロンスパッタリングカソード
１１８マグネトロンスパッタリングカソード
１１９マグネトロンスパッタリングカソード
１２０マグネトロンスパッタリングカソード
１２１後フィードロール
１２２張力センサロール
１２３フリーロール
１２４巻き取りロール
１２５ガス放出パイプ
１２６ガス放出パイプ
１２７ガス放出パイプ
１２８ガス放出パイプ
１２９ガス放出パイプ
１３０ガス放出パイプ
１３１ガス放出パイプ
１３２ガス放出パイプ
１３３反射率測定プローブ
１３４Ｙ分岐光ファイバ束
１３５安定化光源
１３６光切換器（光チョッパー）
１３７分光器
１３８制御パソコン
１３９流量計（流量計ユニット）
１４０ガス導入チューブ
２１０真空チャンバー
２１１巻き出しロール
２１２長尺樹脂フィルム
２１３フリーロール
２１４張力センサロール
２１５前フィードロール
２１６キャンロール
２１７マグネトロンスパッタリングカソード
２１８マグネトロンスパッタリングカソード
２１９マグネトロンスパッタリングカソード
２２０マグネトロンスパッタリングカソード
２２１後フィードロール
２２２張力センサロール
２２３フリーロール
２２４巻き取りロール
２２５ガス放出パイプ
２２６ガス放出パイプ
２２７ガス放出パイプ
２２８ガス放出パイプ
２２９ガス放出パイプ
２３０ガス放出パイプ
２３１ガス放出パイプ
２３２ガス放出パイプ
２３３反射率測定プローブ
２３４Ｙ分岐光ファイバ束
２３５安定化光源
２３６光切換器（光チョッパー）
２３７分光器
２３８制御パソコン
２３９流量計（流量計ユニット）
２４０ガス導入チューブ
３１４張力センサロール
３１５前フィードロール
３１６キャンロール
３１７マグネトロンスパッタリングカソード
３１８マグネトロンスパッタリングカソード
３１９マグネトロンスパッタリングカソード
３２０マグネトロンスパッタリングカソード
３２１後フィードロール
３２２張力センサロール
３２５ガス放出パイプ
３２６ガス放出パイプ
３２７ガス放出パイプ
３２８ガス放出パイプ
３２９ガス放出パイプ
３３０ガス放出パイプ
３３１ガス放出パイプ
３３２ガス放出パイプ
３５０フリーロール（中間ロール）
３５１フリーロール（中間ロール）
３５２フリーロール（中間ロール）

Claims

スパッタリング装置内にて、長尺樹脂フィルムの片面に酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により金属吸収層を連続成膜し、かつ、スパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定し、該分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
（Ａ）成膜前における長尺樹脂フィルムの分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により測定し、かつ、測定された極大値と極小値を有する長尺樹脂フィルムの分光反射率特性を該長尺樹脂フィルムの「反射率基準（ベースライン）」とする工程、
（Ｂ）膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って上記長尺樹脂フィルムの片面に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器によりそれぞれ測定すると共に、測定された各分光反射率から上記「反射率基準（ベースライン）」を基に複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層における極大値と極小値を有する「相対分光反射率特性」をそれぞれ求める工程、
（Ｃ）極大値と極小値を有する上記「相対分光反射率特性」からサンプル用金属吸収層毎に「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値をそれぞれ特定する工程、
（Ｄ）上記（Ｃ）工程で得られた「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の差分値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る差分値（「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を長尺樹脂フィルムの片面に成膜しながら金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長」および「反射率極大値−反射率極小値」の各差分値が「λおよびα」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する工程、
（Ｅ）上記（Ｄ）工程で特定された成膜条件に従い、長尺樹脂フィルムの片面に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を金属メッキが施されたロールの外周面上にてインライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極大値の波長−反射率極小値の波長の差分値λ」および「反射率極大値−反射率極小値の差分値α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う工程、
を具備することを特徴とする成膜方法。
上記（Ｅ）工程における「反応性ガスの調整」が、水素若しくは水蒸気の添加、または／および、上記酸素流量の変更であることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法
上記金属ターゲットが、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜方法。
スパッタリング装置内に１個のキャンロールが設けられ、該キャンロール外周面の長尺樹脂フィルム面が露出する領域において長尺樹脂フィルムおよび金属吸収層の分光反射率が測定されると共に、少なくとも分光反射率の測定がなされるキャンロール外周面の領域に上記金属メッキが施されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。
スパッタリング装置内に２個のキャンロールが設けられ、かつ、２個のキャンロール間における長尺樹脂フィルムの搬送路上に中間ロールが付設されていると共に、少なくとも一方のキャンロール外周面の長尺樹脂フィルム面が露出する領域または中間ロールの長尺樹脂フィルム面が露出する領域において長尺樹脂フィルムおよび金属吸収層の分光反射率が測定されると共に、少なくとも分光反射率の測定がなされる上記キャンロールまたは中間ロールにおける外周面の領域に上記金属メッキが施されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面に設けられた積層膜とで構成され、該積層膜が、金属吸収層と該金属吸収層上に形成された金属層を有する積層体フィルムの製造方法において、
上記金属吸収層が、請求項１〜５のいずれかに記載の成膜方法により成膜されていることを特徴とする積層体フィルムの製造方法。
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面に設けられた積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムの製造方法において、
請求項６に記載の製造方法で得られた積層体フィルムの上記積層膜を化学エッチング処理してメッシュ構造の回路パターンに加工することを特徴とする電極基板フィルムの製造方法。