JP2016184070A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】ミラーが配置された空間に対してスペーサーと透光性カバーとの境界を介して水分が侵入することを抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１に形成されたミラー５０は、枠状のスペーサー６１と、スペーサー６１に接着された板状の透光性カバー７１によって封止されている。スペーサー６１の外面６１ｗおよび透光性カバー７１の側面７１ｗには、酸化アルミウニム層、酸化シリコン層、窒化シリコン層等の無機バリアー層８１が形成されており、かかる無機バリアー層８１によって、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７が覆われている。無機バリアー層８１は、スペーサー６１の外面６１ｗから透光性カバー７１の側面７１ｗまで繋がった状態に形成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、ミラーを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関するものである。

電子機器として、例えば、光源から出射された光をＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置の複数のミラー（マイクロミラー）によって変調した後、変調光を投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーンに画像を表示する投射型表示装置等が知られている。かかる投射型表示装置等に用いられる電気光学装置は、図１６に示すように、複数のミラー５０を一方面１ｓ側に備えた素子基板１を有しており、ミラー５０は、ミラー５０を囲むように素子基板１の一方面１ｓ側に接着されたスペーサー６１と、スペーサー６１の素子基板１とは反対側の端部に接着された板状の透光性カバー７１とによって封止されている。

かかる電気光学装置を製造する方法として、ミラー５０を一方面１０ｓ側に備えた第１ウエハーに対して、貫通穴を形成したスペーサー用ウエハーと透光性ウエハーとを重ねて接着した第２ウエハーを接着した後、第１ウエハーと第２ウエハーとを分割する方法が提案されている（特許文献１参照）。かかる方法によれば、分割した後のスペーサー用ウエハーによってスペーサー６１が形成され、分割した後の透光性ウエハーによって透光性カバー７１が形成される。

米国特許 ＵＳ ６８５，６０１４ Ｂ１

しかしながら、特許文献１に記載の製造方法によれば、スペーサー６１と透光性カバー７１とが接着された構造になるため、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７からの水分の侵入を避けることができないという問題点がある。かかる水分の侵入は、ミラー５０を駆動した際、ミラー５０が傾いたまま周囲の部材に水滴を介して吸着されてしまう原因となる。かかる吸着は、ミラー５０が移動できなくなる等の原因となるため、好ましくない。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ミラーが配置された空間に対してスペーサーと透光性カバーとの境界を介して水分が侵入することを抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、素子基板と、前記素子基板の第１面側に設けられたミラーと、前記素子基板の前記第１面側に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子と、平面視で前記ミラーおよび前記駆動素子の周りを囲み、第１端部が前記素子基板に固定された枠状のスペーサーと、前記スペーサーの前記第１端部とは反対側の第２端部に固定された、透光性を有する透光性カバーであって、前記ミラーが前記素子基板と前記透光性カバーの間に位置するように前記第１面側に設けられた前記透光性カバーと、前記スペーサーと前記透光性カバーとの境界を覆う無機物層と、を有することを特徴とする。

本発明では、ミラーおよび駆動素子が設けられた素子基板の第１面側は、スペーサーと透光性カバーとによって封止されているとともに、スペーサーと透光性カバーとの境界を覆う無機物層が形成されている。このため、スペーサーと透光性カバーとの境界から水分が侵入することを無機物層によって抑制することができる。従って、ミラーを駆動した際、水滴によってミラーが傾いたまま周囲の部材に吸着されて移動できなくなる等の不具合が発生しにくい。

本発明において、前記無機物層は、前記スペーサーの前記ミラーとは反対側の外面から前記透光性カバーの側面まで繋がっている態様を採用することができる。かかる構成によれば、スペーサーと透光性カバーとの境界を確実に覆うことができる。

本発明において、前記スペーサーは、前記透光性カバーの前記側面より前記ミラーとは反対側に向けて張り出した張り出し部を備え、前記無機物層は、前記スペーサーの前記外面から前記張り出し部の前記素子基板と対向する面とは反対側の面を経て前記透光性カバーの前記側面まで繋がっている態様を採用することができる。かかる構成によれば、スペーサーと透光性カバーとの境界を確実に覆うことができる。

本発明において、前記透光性カバーは、前記スペーサーの前記ミラーとは反対側の外面より前記ミラーとは反対側に向けて張り出した張り出し部を備え、前記無機物層は、前記スペーサーの前記外面から前記張り出し部の前記素子基板と対向する面まで繋がっている態様を採用してもよい。かかる構成によれば、スペーサーと透光性カバーとの境界を確実に覆うことができる。

本発明において、前記無機物層は、酸化アルミウニム層、酸化シリコン層、および窒化シリコン層のうちの少なくとも１層を含む態様を採用することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法では、第１面側の第１領域に第１ミラーおよび前記第１ミラーを駆動する第１駆動素子が設けられ、前記第１面側の第２領域に第２ミラーおよび前記第２ミラーを駆動する第２駆動素子が設けられた第１ウエハーを用意する第１ウエハー準備工程と、透光性ウエハーとスペーサー用ウエハーとが重ねて接着され、前記スペーサー用ウエハーを貫通する第１凹部および第２凹部が設けられた第２面を備えた第２ウエハーを形成する第２ウエハー形成工程と、前記第１ミラーに前記第１凹部が平面視で重なり、前記第２ミラーに前記第２凹部が平面視で重なるように前記第１ウエハーの前記第１面と前記第２ウエハーの前記第２面とを重ねて接着する接着工程と、前記第１ウエハーと前記第２ウエハーとの積層体を前記第１領域と前記第２領域の間で分割する分割工程と、を有し、前記分割工程を行う前に、前記溝内で前記透光性ウエハーと前記スペーサー用ウエハーとの境界を覆う無機物層を形成する無機物層形成工程を行うことを特徴とする。

本発明では、第１ウエハーと第２ウエハーとの積層体を分割して電気光学装置を得るにあたって、積層体に対する分割工程の前に、溝内で透光性ウエハーとスペーサー用ウエハーとの境界を覆う無機物層を形成する無機物層形成工程を行う。このため、スペーサーのミラーとは反対側の外面、および透光性カバーの側面には、スペーサーと透光性カバーとの境界を覆う無機物層が形成された電気光学装置を製造することができる。かかる電気光学装置では、カバー部とスペーサーとの境界から水分が侵入することを無機物層によって抑制することができる。従って、ミラーを駆動した際、水滴によってミラーが傾いたまま周囲の部材に吸着されて移動できなくなる等の不具合が発生しにくい。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２ウエハー形成工程では、前記第１凹部と前記第２凹部の間に溝が設けられた前記第２ウエハーを形成する態様を採用することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２ウエハー形成工程では、前記透光性ウエハーと前記スペーサー用ウエハーとを重ねて接着する前に、前記スペーサー用ウエハーを貫通するように前記溝を形成しておくことが好ましい。かかる構成によれば、透光性ウエハーとスペーサー用ウエハーとの間に接着層が介在しないので、後述する貫通工程を一般的なエッチングを利用して行うことができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記接着工程の後、前記分割工程の前に、前記溝の底部を除去して前記溝を前記第２ウエハーの前記第２面とは反対側の第３面まで貫通させる貫通工程を行い、前記貫通工程の後、前記分割工程の前に、前記第３面側から前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行う態様を採用することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２ウエハー形成工程の後、前記接着工程の前に、前記溝の底部を除去して前記溝を前記第２ウエハーの前記第２面とは反対側の面からなる第３面まで貫通させる貫通工程を行い、前記接着工程の後、前記分割工程の前に、前記第３面側から前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行う態様を採用してもよい。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記接着工程の前に、前記溝の底部を除去して前記溝を第２ウエハーの前記第２面とは反対側の面からなる第３面まで貫通させる貫通工程を行い、前記貫通工程の後、前記接着工程の前に、前記第３面側から前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行う態様を採用してもよい。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２ウエハー形成工程では、前記スペーサー用ウエハーを貫通するように前記溝を形成し、前記貫通工程では、前記透光性ウエハーを前記溝の幅よりも広い幅で除去することが好ましい。かかる構成によれば、スペーサー用ウエハーと透光性ウエハーの境界では、溝内で透光性ウエハーがスペーサー用ウエハーより溝側に張り出した形状となるので、無機物層形成工程において、第３面側から無機物層を形成した際、無機物層がスペーサー用ウエハーと透光性ウエハーの境界を確実に覆うことになる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記無機物層形成工程および前記接着工程の後、前記分割工程の前に、前記第２ウエハーの前記第３面に対して研削または研磨を行い、前記第３面から前記無機物層を除去することが好ましい。かかる構成によれば、透光性カバーの表面に無機物層が残ることを容易に回避することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記無機物層形成工程では、前記第１ウエハーの前記第１領域と前記第２領域の間の前記第１面側に前記無機物層の第１部分が形成され、前記無機物層形成工程および前記接着工程の後、前記分割工程の前に、エッチングマスクを形成した状態で前記無機物層の前記第１部分を除去することが好ましい。かかる構成によれば、第１ウエハーにおいて、溝と平面視で重なる位置に端子が形成されている場合でも、端子の表面から無機物層を除去することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記貫通工程では、ダイシングブレードによって前記溝の底部を除去することを特ダイシングブレードによって前記溝の底部を除去する態様を採用することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記貫通工程では、エッチングによって前記溝の底部を除去する態様を採用してもよい。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記接着工程の後、前記溝の底部を除去して前記溝を第２ウエハーの前記第２面とは反対側の面からなる第３面まで貫通させる貫通工程を行う前に、前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行う態様を採用してもよい。

この場合、前記無機物層形成工程では、前記第１ウエハーの前記第１領域と前記第２領域の間の前記第１面側に前記無機物層の第１部分が形成され、前記貫通工程では、前記第２ウエハーの前記第３面からダイシングブレードによって前記溝の底部を除去し、前記貫通工程の後、前記分割工程の前に、前記無機物層にエッチングを行って前記第１ウエハーに形成された前記無機物層の前記第１部分を除去するエッチング工程を行うことが好ましい。かかる構成によれば、第１ウエハーにおいて、溝と平面視で重なる位置に端子が形成されている場合でも、端子の表面から無機物層を除去することができる。

本発明において、前記ダイシングブレードの厚さは、前記溝の相対向する内壁に形成された前記無機物層によって挟まれた隙間の間隔より狭く、前記エッチング工程では、前記透光性ウエハーをマスクとしてエッチングを行って前記無機物層の前記第１部分を除去することが好ましい。かかる構成によれば、溝内に透光性ウエハーが張り出した構造となるので、エッチングマスクを別途設けなくても、第１ウエハーに形成された無機物層を選択的にエッチングすることができる。

本発明において、前記第１ウエハーには、前記溝と重なる領域に端子が形成されており、前記ダイシングブレードの厚さは、前記端子が形成されている領域の幅より厚いことが好ましい。かかる構成によれば、第１ウエハーにおいて、端子の表面に形成された無機物層を確実に除去することができる。

本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器に用いることができ、この場合、電子機器には、前記ミラーに光源光を照射する光源部が設けられる。また、電子機器として投射型表示装置を構成した場合、電子機器には、さらに、前記ミラーによって変調された光を投射する投射光学系が設けられる。

本発明を適用した電子機器としての投射型表示装置の光学系を示す模式図である。 本発明を適用した電気光学装置の基本構成を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の要部におけるＡ− Ａ′断面を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の詳細構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた第１ウエハー等の製造方法を示す工程図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す工程図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を製造する際に余計な無機物層を除去する方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を製造する際に、実装基板および封止樹脂によって素子基板を封止する方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の断面図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の断面図である。 本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の製造する際に行う貫通工程等の説明図である。 本発明の参考例に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を適用した電子機器として投射型表示装置を説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図面に示しているミラー等の数は、図面上で認識可能な程度の大きさとなるように設定しているが、この図面に示した数よりも多くのミラー等を設けてもよい。なお、以下の形態において、例えば「第１面側に配置」と記載された場合、第１面に接するように配置される場合、または第１面に他の構成物を介して配置される場合、または第１面に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでもよいものとする。

［実施の形態１］
（電子機器としての投射型表示装置）
図１は、本発明を適用した電子機器としての投射型表示装置の光学系を示す模式図である。図１に示す投射型表示装置１０００は、光源部１００２と、光源部１００２から出射された光を画像情報に応じて変調する電気光学装置１００と、電気光学装置１００で変調された光を投射画像としてスクリーン等の被投射物１１００に投射する投射光学系１００４と有している。光源部１００２は、光源１０２０と、カラーフィルター１０３０とを備えている。光源部１０２０は白色光を出射し、カラーフィルター１０３０は、回転に伴って各色の光を出射し、電気光学装置１００は、カラーフィルター１０３０の回転に同期したタイミングで、入射した光を変調する。なお、カラーフィルター１０３０に代えて、光源部１０２０から出射された光を各色の光に変換する蛍光体基板を用いてもよい。また、各色の光毎に光源部１００２および電気光学装置１００を設けてもよい。

（電気光学装置１００の基本構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の基本構成を模式的に示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、電気光学装置１００の要部を示す説明図、および電気光学装置１００の要部の分解斜視図である。図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の要部におけるＡ−Ａ′断面を模式的に示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、ミラーが一方側に傾いた状態を模式的に示す説明図、およびミラーが他方側に傾いた状態を模式的に示す説明図である。

図２および図３に示すように、電気光学装置１００は、素子基板１の一方面１ｓ（第１面）側に複数のミラー５０がマトリクス状に配置されており、ミラー５０は素子基板１から離間している。素子基板１は、例えば、シリコン基板である。ミラー５０は、例えば、１辺の長さが例えば１０〜３０μｍの平面サイズを有するマイクロミラーである。ミラー５０は、例えば、８００×６００から１０２８×１０２４の配列をもって配置されており、１つのミラー５０が画像の１画素に対応する。

ミラー５０の表面はアルミニウム等の反射金属膜からなる反射面になっている。電気光学装置１００は、素子基板１の一方面１ｓに形成された基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａと、高架アドレス電極３２、３３およびヒンジ３５を含む２階部分１００ｂと、ミラー５０を含む３階部分１００ｃとを備えている。１階部分１００ａでは、素子基板１にアドレス指定回路１４が形成されている。アドレス指定回路１４は、各ミラー５０の動作を選択的に制御するためのメモリセルや、ワード線、ビット線の配線１５等を備えており、ＣＭＯＳ回路１６を備えたＲＡＭ（Random Access Memory）に類似した回路構成を有している。

２階部分１００ｂは、高架アドレス電極３２、３３、ヒンジ３５、およびミラーポスト５１を含んでいる。高架アドレス電極３２、３３は、電極ポスト３２１、３３１を介して基板側アドレス電極１２、１３に導通しているとともに、基板側アドレス電極１２、１３によって支持されている。ヒンジ３５の両端からはヒンジアーム３６、３７が延在している。ヒンジアーム３６、３７は、アームポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しているとともに、基板側バイアス電極１１によって支持されている。ミラー５０は、ミラーポスト５１を介してヒンジ３５に導通しているとともに、ヒンジ３５によって支持されている。従って、ミラー５０は、ミラーポスト５１、ヒンジ３５、ヒンジアーム３６、３７、アームポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しており、基板側バイアス電極１１からバイアス電圧が印加される。なお、ヒンジアーム３６、３７の先端には、ミラー５０が傾いたときに当接して、ミラー５０と高架アドレス電極３２、３３との接触を防止するストッパー３６１、３６２、３７１、３７２が形成されている。

高架アドレス電極３２、３３は、ミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動する駆動素子３０を構成している。また、基板側アドレス電極１２、１３も、ミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動するように構成される場合があり、この場合、駆動素子３０は、高架アドレス電極３２、３３、および基板側アドレス電極１２、１３によって構成されることになる。ヒンジ３５は、高架アドレス電極３２、３３に駆動電圧が印加されて、図３に示すように、ミラー５０が高架アドレス電極３２あるいは高架アドレス電極３３に引き寄せられるように傾いた際にねじれ、高架アドレス電極３２、３３に対する駆動電圧の印加が停止してミラー５０に対する吸引力が消失した際、ミラー５０を素子基板１に平行な姿勢に戻す力を発揮する。

電気光学装置１００において、例えば、図３（ａ）に示すように、ミラー５０が一方側の高架アドレス電極３２の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５０によって投射光学系１００４に向けて反射するオン状態となる。これに対して、図３（ｂ）に示すように、ミラー５０が他方側の高架アドレス電極３３の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５０によって光吸収装置１００５に向けて反射するオフ状態となり、かかるオフ状態では、投射光学系１００４に向けて光が反射されない。かかる駆動は、複数のミラー５０の各々で行われる結果、光源部１００２から出射された光は、複数のミラー５０で画像光に変調されて投射光学系１００４から投射され、画像を表示する。

なお、基板側アドレス電極１２、１３と対向する平板状のヨークをヒンジ３５と一体に設け、高架アドレス電極３２、３３とミラー５０との間に発生する静電力に加えて、基板側アドレス電極１２、１３とヨークとの間に作用する静電力も利用してミラー５０を駆動することもある。

（電気光学装置１００および無機バリアー層８１の構造）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の詳細構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、電気光学装置１００の平面図、およびＡ１−Ａ１′断面図である。

図４は、本発明を適用した電気光学装置１００全体の断面図である。なお、図４（ｂ）では、ミラー５０の数を減らして５つのミラー５０が１枚の素子基板１に形成されるものとして示してある。

図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、図２および図３を参照して説明したミラー５０が複数形成された素子基板１は、一方面１ｓが枠状のスペーサー６１および平板状の透光性カバー７１によって封止されており、透光性カバー７１は、ミラー５０に対して所定の距離を隔てた位置でミラー５０の表面と対向している。ここで、スペーサー６１は、素子基板１側の端部６１ｅが素子基板１に接着されている。また、透光性カバー７１は、スペーサー６１の素子基板１側の端部６１ｅ（第１端部）とは反対側の端部６１ｆ（第２端部）に接着され、ミラー５０の表面に対して素子基板１とは反対側で対向している。ここで、透光性カバー７１は、透光性を有し、ミラー５０が素子基板１と透光性カバー７１の一部との間に位置するように、一方面１ｓ側に設けられている。この状態で、透光性カバー７１は、ミラー５０が配置されている空間を素子基板１およびスペーサー６１とともに囲んでいる。光は、透光性カバー７１を透過してミラー５０に入射した後、ミラー５０で反射した光は、透光性カバー７１を透過して出射される。本形態において、透光性カバー７１はガラス製である。スペーサー６１は、ガラス製、シリコン製、金属製、樹脂製のいずれであってもよく、本形態では、スペーサー６１として、ガラス基板やシリコン基板が用いられている。本形態において、ミラー５０が配置されている空間は、空気が存在する構成、空気に代えて不活性ガス等が充填された構成、あるいは真空となっている構成が採用される。本形態において、ミラー５０が配置されている空間は、真空となっている。

スペーサー６１および透光性カバー７１はいずれも、平面形状が四角形であり、かつ、サイズが等しい。このため、スペーサー６１のミラー５０とは反対側に位置する外面６１ｗと透光性カバー７１の側面７１ｗと連続した平面を構成している。

このように構成した電気光学装置１００において、スペーサー６１と透光性カバー７１とは別体であるため、スペーサー６１と透光性カバー７１との間には境界６７が存在している。ここで、スペーサー６１の外面６１ｗおよび透光性カバー７１の側面７１ｗには、無機バリアー層８１（無機物層）が形成されており、かかる無機バリアー層８１によって、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７がミラー５０とは反対側（外側）から覆われている。ここで、スペーサー６１の外面６１ｗは、スペーサー６１の素子基板側の端部６１ｅと、その反対側の端部６１ｆを接続する面であってもよく、ミラー５０とは反対側の面を指し、透光性カバー７１の側面とは、透光性カバー７１のミラー５０と対向する面と、その反対側の面を接続する面であってもよい。本形態において、無機バリアー層８１は、スペーサー６１の外面６１ｗの全面、および透光性カバー７１の側面７１ｗの全面に形成されていてもよく、スペーサー６１の外面６１ｗから透光性カバー７１の側面７１ｗまで繋がっている。

無機バリアー層は、酸化アルミウニム層、酸化シリコン層、および窒化シリコン層の単層膜や複数の積層膜からなり、酸化アルミウニム層、酸化シリコン層、および窒化シリコン層のうちの少なくとも１層を含んでいる。

（実装基板９０等による封止構造）
本形態の電気光学装置１００において、ミラー５０が配置された空間は、スペーサー６１と透光性カバー７１とによって封止されているとともに、実装基板９０や封止樹脂９８によっても封止されている。より具体的には、素子基板１は、セラミック基板等からなる実装基板９０の基板実装部９３に固定され、その後、エポキシ系等の封止樹脂９８によって封止される。実装基板９０において、基板実装部９３は、側板部９２に囲まれた有底の凹部になっており、素子基板１は、実装基板９０の底板部９１に接着剤９７で固定されている。

素子基板１の一方面１ｓにおいて、ミラー５０と平面視（例えば、素子基板１を一方面１ｓ側から見たときの平面視）で重ならない端部には複数の端子１７が形成されている。本形態において、端子１７は、ミラー５０を挟むように２列に配置されている。複数の端子１７の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４や基板側アドレス電極１２、１３を介して高架アドレス電極３２、３３（駆動素子３０）に電気的に接続されている。複数の端子１７の他の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４、基板側バイアス電極１１およびヒンジ３５を介してミラー５０に電気的に接続されている。複数の端子１７のさらに他の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４の前段に設けられた駆動回路等に電気的に接続されている。

ここで、端子１７は、実装基板９０の底板部９１の素子基板１側の内面９１ｓに形成された内部電極９４とワイヤーボンディング用のワイヤー９９によって電気的に接続されている。実装基板９０の底板部９１は、多層配線基板になっており、内部電極９４は、底板部９１に形成されたスルーホールや配線からなる多層配線部９５を介して、底板部９１の素子基板１とは反対側の外面９１ｔに形成された外部電極９６と導通している。

かかる実装基板９０の側板部９２の内側（凹部）には封止樹脂９８が設けられている。封止樹脂９８は、素子基板１の周り、およびスペーサー６１の周りを覆うとともに、透光性カバー７１の側面を厚さ方向の途中まで覆っている。

（電気光学装置１００の製造方法）
図５、図６、図７および図８を参照して、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を説明する。図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた第１ウエハー１０等の製造方法を示す工程図であり、図５（ｂ）〜（ｆ）には、各工程におけるウエハーの平面図を示すとともに、平面図の下段には切断端面図を示してある。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程図である。図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００を製造する際に余計な無機バリアー層８１を除去する方法を示す工程断面図である。図８は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００を製造する際に、実装基板９０および封止樹脂９８によって素子基板１を封止する方法を示す工程断面図である。なお、図５（ｃ）ではミラー５０等の図示を省略して端子１７のみを示し、図６〜図８では、図４と比べてミラー５０の数を減らして３つのミラー５０が１枚の素子基板１に形成されるものとして示してある。

本形態では、ウエハーから複数の素子基板１等を多数取りする。このため、以下の説明では、多数取りされる複数の素子基板１のうち、１つの基板が得られる領域に形成されるミラー５０および端子１７を各々、第１ミラー５０ａおよび第１端子１７ａとして説明する等、各符号の後ろにａを付して説明する。また、複数の素子基板１のうち、第１ミラー５０ａおよび第１端子１７ａが形成された領域と隣り合う領域に形成されるミラー５０および端子１７を各々、第２ミラー５０ｂおよび第２端子１７ｂとして説明する等、各符号の後ろにｂを付して説明する。但し、いずれの素子基板１かを特定する必要がない場合、上記のａやｂを付さずに説明する。

本形態の電気光学装置１００を製造するには、図５（ａ）、（ｃ）に示すように、第１ウエハー準備工程において、素子基板１を多数取りできる大型の第１ウエハー１０の一方面１０ｓ（第１面）に対して、素子基板１が分割される領域毎に、ミラー５０を形成されるとともに、ミラー５０と平面視（例えば、第１ウエハー１０を一方面１０ｓ側から見たときの平面視）で隣り合う位置にミラー５０を駆動する駆動素子３０（図２および図３を参照）に電気的に接続された端子１７を形成された第１ウエハー１０を用意する。例えば、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、素子基板１を多数取りできる大型の第１ウエハー１０の一方面１０ｓに対して、素子基板１が分割される領域毎に、ミラー５０を形成するとともに、ミラー５０と平面視で隣り合う位置にミラー５０を駆動する駆動素子３０（図２および図３を参照）に電気的に接続された端子１７を形成することで、第１のウエハー１０を用意してもよい。その結果、第１ウエハー１０の一方面１０ｓには、第１の領域１０ａに第１ミラー５０ａおよび第１ミラー５０ａを駆動する駆動素子３０（第１駆動素子）が形成されるとともに、第１ミラー５０ａと平面視で隣り合う位置に第１端子１７ａが形成される。また、第１ウエハー１０の一方面１０ｓには、第１端子１７ａに対して第１ミラー５０ａと反対側に第２ミラー５０ｂが形成されるとともに、第１端子１７ａと第２ミラー５０ｂの間には第２端子１７ｂが形成される。なお、第２ミラー５０ｂ及び第２ミラー５０ｂを駆動する駆動素子３０（第２駆動素子）は、一方面１０ｓの第２領域１０ｂに形成される。

また、図５（ａ）に示すように、第２ウエハー形成工程においては、スペーサー６１および透光性を有する透光性カバー７１を多数取りできる大型の第２ウエハー２０を準備する。第２ウエハー２０の一方面からなる第２面２０ｓでは、スペーサー６１および透光性カバー７１が分割される領域毎に、底部が透光性の凹部２１が形成されているとともに、互いに直角に交差する２方向に延在して複数の凹部２１の各々を囲む有底の溝２２が形成されている。複数の凹部２１のうちの１つが第１凹部２１ａであり、第１凹部２１ａと隣り合う凹部２１が第２凹部２１ｂである。従って、第２ウエハー２０の第２面２０ｓには、底部が透光性の第１凹部２１ａ、底部が透光性の第２凹部２１ｂ、および第１凹部２１ａと第２凹部２１ｂとの間に沿って延在する有底の溝２２が形成される。

かかる第２ウエハー２０を形成するにあたって、第２ウエハー形成工程では、例えば、図５（ｄ）〜（ｆ）に示す工程を行う。まず、図５（ｄ）に示すように、透光性カバー７１を多数取りできる透光性ウエハー７０を準備する。また、図５（ｅ）に示すように、スペーサー６１を多数取りできるスペーサー用ウエハー６０を準備した後、第１工程において、エッチング等の処理によって、凹部２１を構成するための貫通穴６６をスペーサー用ウエハー６０に形成する。複数の貫通穴６６の１つが第１凹部２１ａを構成するための第１貫通穴６６ａであり、第１貫通穴６６ａと隣り合う貫通穴６６が、第２凹部２１ｂを構成するための第２貫通穴６６ｂである。また、スペーサー用ウエハー６０の一方面６０ｓには、エッチング等の処理によって、互いに直角に交差する２方向に延在して複数の凹部２１の各々を囲む有底の溝２２を形成する。

本形態では、エッチングによって貫通穴６６および溝２２を同時形成する。このため、溝２２は、貫通穴６６と同様、スペーサー用ウエハー６０を貫通している。従って、溝２２で囲まれた領域が分離しないように、貫通穴６６と溝２２とに挟まれた枠部６５は、スペーサー用ウエハー６０の環状の外枠部６９に対して連結部６８等によって繋がっている。かかる構成によれば、透光性ウエハー７０とスペーサー用ウエハー６０との間に接着層が介在しないので、後述する貫通工程を一般的なエッチングを利用して行うことができる。但し、後述する製造方法によっては、ハーフエッチングによって、有底の溝２２をスペーサー用ウエハー６０に形成してもよい。

次に、第２工程では、図５（ｆ）に示すように、スペーサー用ウエハー６０の一方面６０ｓとは反対側の他方面６０ｔに透光性ウエハー７０を重ねて接着する。その結果、スペーサー用ウエハー６０と透光性ウエハー７０とが積層された第２ウエハー２０が形成され、かかる第２ウエハー２０では、スペーサー用ウエハー６０によって、第２ウエハー２０の第２面２０ｓが構成され、透光性ウエハー７０によって、第２ウエハー２０の第３面２０ｔが構成される。また、貫通穴６６の一方の開口端は、透光性ウエハー７０によって塞がれ、底部が透光性の凹部２１（第１凹部２１ａおよび第２凹部２１ｂ）となる。また、溝２２も底部２２１を有することになる。本形態では、円形形状のウエハーを用いたが、その平面形状については、矩形等であってもよい。

次に、図６（ａ）に示す接着工程では、ミラー５０に凹部２１が平面視（例えば、第１ウエハー１０を一方面１０ｓ側から見たときの平面視）で重なり、端子１７に溝２２が重なるように第１ウエハー１０の一方面１０ｓと第２ウエハー２０の第２面２０ｓとを接着する。その結果、第１ミラー５０ａに第１凹部２１ａが平面視で重なり、第２ミラー５０ｂに第２凹部２１ｂが平面視で重なり、第１端子１７ａ、第２端子１７ｂ、および第１端子１７ａと第２端子１７ｂとに挟まれた領域に共通の溝２２が平面視で重なる。この状態で、第２ウエハー２０において第１凹部２１ａと溝２２とに挟まれた枠部６５は、第１ミラー５０ａと第１端子１７ａとの間に接着され、第２ウエハー２０において第２凹部２１ｂと溝２２とに挟まれた枠部６５は、第２ミラー５０ｂと第２端子１７ｂとの間に接着される。従って、第１端子１７ａおよび第２端子１７ｂは、第２ウエハー２０とは接着されない。

次に、図６（ｂ）に示す貫通工程では、第２ウエハー２０の溝２２の底部２２１を除去して溝２２を第２ウエハー２０の第３面２０ｔまで貫通させる。その結果、第１の領域１０ａと第２の領域１０ｂとの間で、第２のウエハー２０が分割される。本形態では、溝２２の底部２２１には、透光性ウエハー７０のみが存在するので、底部２２１に位置する透光性ウエハー７０を除去する。本形態では、第２ウエハー２０の第３面２０ｔから第２ウエハー用ダイシングブレード４２を溝２２に向けて進入させ、透光性ウエハー７０を分割する。その結果、第２ウエハー２０のうち、透光性ウエハー７０から分割された平板部分によって透光性カバー７１が構成され、スペーサー用ウエハー６０から分割された枠部分によってスペーサー６１が構成される。本形態において、第２ウエハー用ダイシングブレード４２の厚さは、溝２２の幅と同等である。

次に、図６（ｃ）に示す無機バリアー層形成工程では、第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側から、貫通した溝２２の内部に向けて無機バリアー層８１を成膜する。本形態では、第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側の全体に無機バリアー層８１を形成する。その結果、スペーサー６１の外面６１ｗおよび透光性ウエハー７０の側面７１ｗに無機バリアー層８１が形成され、境界６７が無機バリアー層８１で覆われる。無機バリアー層８１の形成には、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等を採用できるが、溝２２の内部へのつきまわりを考慮すると、ＣＶＤ法が好ましい。

ここで、図６（ｃ）および図７（ａ）に示すように、無機バリアー層８１は、透光性カバー７１の表面にも形成されるとともに、素子基板１において溝２２と重なる位置に設けられた端子１７の表面にも形成される。その結果、一方面１０ｓの第１の領域１０ａと第２の領域１０ｂの間に、無機バリアー層８１の一部８１ａ（第１部分）が形成される。従って、本形態では、図７（ｂ）〜（ｅ）に示す工程によって、透光性カバー７１の表面、および素子基板１の溝２２と重なる位置から無機バリアー層８１を除去する。

まず、図７（ｂ）に示すように、透光性カバー７１の表面にレジストマスク１０１を形成した状態で、図７（ｃ）に示すように、異方性エッチング（ドライエッチング）を行い、図７（ｄ）に示すように、素子基板１において溝２２と重なる領域から無機バリアー層８１を除去し、端子１７を露出させる。その結果、一方面１０ｓの第１の領域１０ａと第の領域１０ｂの間に形成されていた無機バリアー層８１の一部８１ａが除去される。次に、図７（ｄ）に示すように、レジストマスク１０１を除去した後、図７（ｅ）に示すように、透光性カバー７１の表面に形成された無機バリアー層８１を研削や研磨によって除去する。本形態では、グラインダー１１１による研削によって、透光性カバー７１の表面に形成された無機バリアー層８１を研削や研磨によって除去する。その結果、図６（ｄ）に示すように、スペーサー６１の外面６１ｗおよび透光性ウエハー７０の側面７１ｗのみに無機バリアー層８１が残る。

次に、分割工程では、図６（ｅ）に示すように、第１ウエハー用ダイシングブレード４１によって、第１ウエハー１０において溝２２に沿って第１ウエハー１０をダイシングする。その結果、第１の領域１０ａと第２の領域１０ｂとの間で、第１のウエハー２０が分割される。本形態では、第１ウエハー用ダイシングブレード４１を第１ウエハー１０に対して第２ウエハー２０の側から、第２ウエハー２０の切断個所（隣り合う透光性カバー７１の間、および隣り合うスペーサー６１の間）に進入させて第１ウエハー１０をダイシングする。その結果、第１ウエハー１０と第２ウエハー２０との積層体１３０が分割され、電気光学装置１００が複数製造される。かかる電気光学装置１００に対して、さらに図４に示すように、実装基板９０および封止樹脂９８によって封止する場合には、図８に示す工程を行う。

まず、図８（ａ）に示すように、基板実装部９３が側板部９２に囲まれた凹部になった実装基板９０を準備した後、図８（ｂ）に示すように、基板実装部９３の底部に素子基板１を接着剤９７によって固定する。次に、図８（ｃ）に示すように、素子基板１の端子１７と実装基板９０の内部電極９４とをワイヤーボンディング用のワイヤー９９によって電気的に接続する。次に、図４に示すように、実装基板９０の側板部９２の内側に封止樹脂９８を注入した後、封止樹脂９８を硬化させ、封止樹脂９８によって素子基板１を封止する。その結果、素子基板１がスペーサー６１、透光性カバー７１、実装基板９０および封止樹脂９８によって封止された電気光学装置１００を得ることができる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、ミラー５０および駆動素子３０が設けられた素子基板１の一方面１ｓ側は、スペーサー６１と透光性カバー７１とによって封止されており、スペーサー６１のミラー５０とは反対側の外面６１ｗ、および透光性カバー７１の側面７１ｗには、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７を覆う無機バリアー層８１が形成されている。このため、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７から水分が侵入することを無機バリアー層８１によって抑制することができる。従って、ミラー５０を駆動した際、水滴によってミラー５０が傾いたまま周囲の部材に吸着されて移動できなくなる等の不具合が発生しにくい。

［実施の形態２］
図９は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の断面図である。図１０は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。なお、本形態および後述する各実施の形態は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図９に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、スペーサー６１の外面６１ｗ、および透光性カバー７１の側面７１ｗには、無機バリアー層８１が形成されており、かかる無機バリアー層８１によって、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７が覆われている。

ここで、スペーサー６１は、透光性カバー７１の側面７１ｗよりミラー５０とは反対側に向けて張り出した張り出し部６４を備えており、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７は、素子基板１とは反対側に向く段部７７に位置する。また、無機バリアー層８１は、スペーサー６１の外面６１ｗからスペーサー６１の張り出し部６４の素子基板１と対向する面とは反対側の面を経て透光性カバー７１の側面７１ｗまで繋がっている。このため、無機バリアー層８１によって境界６７を確実に覆うことができるので、ミラー５０が配置されている空間に境界６７から水分が侵入しにくい。

かかる構成の電気光学装置１００は、図６（ｂ）を参照して説明した貫通工程において、溝２２の底部２２１を貫通させる際、図１０（ｂ）に示すように、スペーサー用ウエハー６０に形成された溝２２の幅より透光性ウエハー７０を広い幅で除去することによって構成することができる。

本形態では、貫通工程をエッチングによって行う。このため、本形態では、まず、図１０（ａ）に示すように、第２ウエハー２０の第３面２０ｔにレジストマスク１０２を形成する。その際、レジストマスク１０２の端部１０２ｅが、スペーサー６１を形成するための枠部６５の幅方向の途中位置に重なるようにレジストマスク１０２を形成する。

この状態でエッチングすると、図１０（ｂ）に示すように、スペーサー６１は、透光性カバー７１の側面７１ｗよりミラー５０とは反対側に向けて張り出した張り出し部６４を有する形状となり、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７は、素子基板１とは反対側（第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側）に向く段部７７に位置する。次に、図１０（ｃ）に示すように、レジストマスク１０２を除去した後、図１０（ｄ）に示す無機バリアー層形成工程を行い、第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側から溝２２の内側に無機バリアー層８１を形成する。それ以降の工程は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

なお、本形態では、溝２２は、貫通穴６６と同様、スペーサー用ウエハー６０を貫通している。このため、貫通工程においてエッチングを行う際、溝２２の底部２２１に透光性ウエハー７０とスペーサー用ウエハー６０との間に接着層が介在しない。それ故、貫通工程では、透光性ウエハー７０のみをエッチングすればよいので、エッチングをスムーズに行うことができる。

［実施の形態３］
図１１は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。本形態では、図１１を参照して説明する方法によって、図９を参照して説明した電気光学装置１００を製造する。本形態では、図５を参照して説明した第２ウエハー形成工程の後、図６（ａ）を参照して説明した接着工程の前に、溝２２の底部２２１を除去して溝２２を第２ウエハー２０の第３面２０ｔまで貫通させる貫通工程を行う。また、接着工程の後、分割工程の前に、第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側から溝２２の内部に対して無機バリアー層形成工程を行う。

より具体的には、図１１（ａ）に示すように、第２ウエハー２０を形成した後、貫通工程では、第３面２０ｔにレジストマスク１０３を形成する。その際、レジストマスク１０３の端部１０３ｅが、スペーサー６１を形成するための枠部６５の幅方向の途中位置に重なるようにレジストマスク１０２を形成する。この状態でエッチングすると、図１１（ｂ）に示すように、溝２２の底部２２１が除去され、溝２２は、第２ウエハー２０の第３面２０ｔまで貫通する。その結果、第２ウエハー２０のうち、透光性ウエハー７０から分割された平板部分によって透光性カバー７１が構成され、スペーサー用ウエハー６０から分割された枠部分によってスペーサー６１が構成される。また、スペーサー用ウエハー６０より透光性ウエハー７０の側が広い幅で除去されるので、スペーサー６１は、透光性カバー７１の側面７１ｗよりミラー５０とは反対側に向けて張り出した形状となる。なお、本形態では、透光性ウエハー７０およびスペーサー用ウエハー６０が完全に分割されないように、図５（ｅ）に示す連結部６８は残しておく。

次に、図１１（ｃ）に示すように、レジストマスク１０３を除去した後、図１１（ｄ）に示す接着工程において、第２ウエハー２０の第２面２０ｓと第１ウエハー１０の一方面１０ｓとを接着する。次に、図１１（ｅ）に示す無機バリアー層形成工程を行い、第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側から溝２２の内側に無機バリアー層８１を形成する。それ以降の工程は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

なお、本形態では、溝２２は、貫通穴６６と同様、スペーサー用ウエハー６０を貫通している。このため、貫通工程においてエッチングを行う際、溝２２の底部２２１に透光性ウエハー７０とスペーサー用ウエハー６０との間に接着層が介在しない。それ故、貫通工程では、透光性ウエハー７０のみをエッチングすればよいので、エッチングをスムーズに行うことができる。

［実施の形態４］
図１２は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。本形態では、図１２を参照して説明する方法によって、図９を参照して説明した電気光学装置１００を製造する。本形態では、図６（ａ）を参照して説明した接着工程の前に、溝２２の底部２１１を除去して溝２２を第２ウエハー２０の第３面２０ｔまで貫通させる貫通工程を行う。また、貫通工程の後、接着工程の前に、第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側から溝２２の内部に対して無機バリアー層形成工程を行う。

より具体的には、図１２（ａ）に示すように、第２ウエハー２０を形成した後、貫通工程では、第３面２０ｔにレジストマスク１０３を形成する。その際、レジストマスク１０３の端部１０３ｅが、スペーサー６１を形成するための枠部６５の幅方向の途中位置に重なるようにレジストマスク１０３を形成する。この状態でエッチングすると、図１２（ｂ）に示すように、溝２２の底部２２１が除去され、溝２２は、第２ウエハー２０の第３面２０ｔまで貫通する。その結果、第２ウエハー２０のうち、透光性ウエハー７０から分割された平板部分によって透光性カバー７１が構成され、スペーサー用ウエハー６０から分割された枠部分によってスペーサー６１が構成される。また、スペーサー用ウエハー６０より透光性ウエハー７０の側が広い幅で除去されるので、スペーサー６１は、透光性カバー７１の側面７１ｗよりミラー５０とは反対側に向けて張り出した形状となる。なお、本形態では、透光性ウエハー７０およびスペーサー用ウエハー６０が完全に分割されないように、図５（ｅ）に示す連結部６８は残しておく。以上の工程は、実施の形態３と同様である。

次に、図１２（ｃ）に示すように、レジストマスク１０３を除去した後、図１２（ｃ）に示す無機バリアー層形成工程を行い、第２ウエハー２０の第３面２０ｔ側から溝２２の内側に無機バリアー層８１を形成する。

次に、図１２（ｄ）に示す接着工程において、第２ウエハー２０の第２面２０ｓと第１ウエハー１０の一方面１０ｓとを接着する。それ以降の工程は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

なお、本形態では、溝２２は、貫通穴６６と同様、スペーサー用ウエハー６０を貫通している。このため、貫通工程においてエッチングを行う際、溝２２の底部２２１に透光性ウエハー７０とスペーサー用ウエハー６０との間に接着層が介在しない。それ故、貫通工程では、透光性ウエハー７０のみをエッチングすればよいので、エッチングをスムーズに行うことができる。

［実施の形態５］
図１３は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の断面図である。図１４は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。図１５は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００を製造する際に行う貫通工程等の説明図である。

図１３に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、スペーサー６１の外面６１ｗ、および透光性カバー７１には、無機バリアー層８１が形成されており、かかる無機バリアー層８１によって、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７が覆われている。

ここで、透光性カバー７１は、スペーサー６１の外面６１ｗよりミラー５０とは反対側に向けて張り出した張り出し部７４を備えており、スペーサー６１と透光性カバー７１との境界６７は、素子基板１側に向く段部７８に位置する。また、無機バリアー層８１は、スペーサー６１の外面６１ｗから透光性カバー７１の張り出し部７４の素子基板１と対向する面まで繋がっている。このため、無機バリアー層８１によって境界６７を確実に覆うことができるので、ミラー５０が配置されている空間に境界６７から水分が侵入しにくい。

かかる構成の電気光学装置１００を製造するにあたっては、本形態では、図６（ａ）を参照して説明した接着工程の後、貫通工程や分割工程を行う前に、溝２２の内部に対して無機バリアー層形成工程を行う。

より具体的には、図１４（ａ）に示す接着工程では、図６（ａ）を参照して説明した接着工程と同様、ミラー５０に凹部２１が平面視（例えば、第１ウエハー１０を一方面１０ｓ側から見たときの平面視）で重なり、端子１７に溝２２が重なるように第１ウエハー１０の一方面１０ｓと第２ウエハー２０の第２面２０ｓとを接着する。

次に、図１４（ｂ）に示す無機バリアー層形成工程では、溝２２の内部に選択的に無機バリアー層８１を成膜する。従って、第２ウエハー２０の第３面２０ｔには無機バリアー層８１が形成されない。無機バリアー層８１の形成は、ＡＬＤ（Atmic layer Deposition）法、ＣＶＤ法、蒸着法等を採用できるが、本形態では、ＡＬＤ法を利用する。その際、第１ウエハー１０の外面や、第２ウエハー２０の第３面２０ｔに無機バリアー層８１が形成されないように治具等を覆っておく。

次に、図１４（ｃ）に示す貫通工程では、第２ウエハー２０の溝２２の底部２２１を除去して溝２２を第２ウエハー２０の第３面２０ｔまで貫通させる。本形態では、第２ウエハー２０の第３面２０ｔから第２ウエハー用ダイシングブレード４２を溝２２に向けて進入させ、透光性ウエハー７０を分割する。その結果、第１の領域１０ａと第２の領域１０ｂとの間で、第２のウエハー２０が分割される。また、第２ウエハー２０のうち、透光性ウエハー７０から分割された平板部分によって透光性カバー７１が構成され、スペーサー用ウエハー６０から分割された枠部分によってスペーサー６１が構成される。

次に、図１５（ａ）、（ｂ）に示す工程によって、図１４（ｄ）に示すように、素子基板１の溝２２と重なる位置から無機バリアー層８１を除去する。その結果、一方面１０ｓの第１の領域１０ａと第の領域１０ｂの間に形成されていた無機バリアー層８１の一部８１ａが除去される。

まず、図１５（ａ）に示すように、貫通工程で用いる第２ウエハー用ダイシングブレード４２の厚さＷ１を溝２２の相対向する内壁に形成された無機バリアー層８１によって挟まれた隙間の間隔Ｗ２より狭い。このため、透光性カバー７１（透光性ウエハー７０）は、溝２２内に張り出した張り出し部７４を備えた構造となる。従って、この状態で異方性エッチング（ドライエッチング）を行えば、透光性ウエハー７０の張り出し部７４（言い換えると、透光性ウエハー７０）がマスクとして機能するため、エッチングマスクを用いなくても、第１ウエハー１０の一方面１０ｓに形成された無機バリアー層８１を選択的にエッチングすることができる。その際、第２ウエハー用ダイシングブレード４２の厚さを、端子１７が形成されている領域の幅Ｗ３より厚くする。従って、第１ウエハー１０において、端子の表面に形成された無機バリアー層８１を確実に除去することができる。

次に、分割工程では、図１４（ｅ）に示すように、第１ウエハー用ダイシングブレード４１によって、第１ウエハー１０において溝２２に沿って第１ウエハー１０をダイシングする。本形態では、第１ウエハー用ダイシングブレード４１を第１ウエハー１０に対して第２ウエハー２０の側から、第２ウエハー２０の切断個所（隣り合う透光性カバー７１の間、および隣り合うスペーサー６１の間）に進入させて第１ウエハー１０をダイシングする。その結果、第１の領域１０ａと第２の領域１０ｂとの間で、第１のウエハー２０が分割される。また、第１ウエハー１０と第２ウエハー２０との積層体１３０が分割され、電気光学装置１００が複数製造される。かかる電気光学装置１００に対して、さらに図１３に示すように、実装基板９０および封止樹脂９８によって封止する場合には、図８を参照して説明した工程を行う。

１・・素子基板、１ｓ・・一方面（第１面）、１０・・第１ウエハー、１０ｓ・・一方面（第１面）、１７・・端子、２０・・第２ウエハー、２０ｓ・・第２面、２０ｔ・・第３面、２１・・凹部、２２・・溝、３０・・駆動素子、３２、３３・・高架アドレス電極、３５・・ヒンジ、４１・・第１ウエハー用ダイシングブレード、４２・・第２ウエハー用ダイシングブレード、５０・・ミラー、６０・・スペーサー用ウエハー、６１・・スペーサー、６１ｗ・・スペーサーの外面、６４・・張り出し部、６７・・境界、７０・・透光性ウエハー、７１・・透光性カバー、７１ｗ・・透光性カバーの側面、７４・・張り出し部、７７、７８・・段部、８１・・無機バリアー層（無機物層）、１００・・電気光学装置、１１１・・グラインダー、１３０・・積層体、１０００・・投射型表示装置（電子機器）、１００２・・光源部、１００４・・投射光学系、１０３０・・カラーフィルター

Claims (21)

1. 素子基板と、
   前記素子基板の第１面側に設けられたミラーと、
   前記素子基板の前記第１面側に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子と、
   平面視で前記ミラーおよび前記駆動素子の周りを囲み、第１端部が前記素子基板に固定された枠状のスペーサーと、
   前記スペーサーの前記第１端部とは反対側の第２端部に固定された、透光性を有する透光性カバーであって、前記ミラーが前記素子基板と前記透光性カバーの間に位置するように前記第１面側に設けられた前記透光性カバーと、
   前記スペーサーと前記透光性カバーとの境界を覆う無機物層と、
   を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記無機物層は、前記スペーサーの前記ミラーとは反対側の外面から前記透光性カバーの側面まで繋がっていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２に記載の電気光学装置において、
   前記スペーサーは、前記透光性カバーの前記側面より前記ミラーとは反対側に向けて張り出した張り出し部を備え、
   前記無機物層は、前記スペーサーの前記外面から前記張り出し部の前記素子基板と対向する面とは反対側の面を経て前記透光性カバーの前記側面まで繋がっていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記透光性カバーは、前記スペーサーの前記ミラーとは反対側の外面より前記ミラーとは反対側に向けて張り出した張り出し部を備え、
   前記無機物層は、前記スペーサーの前記外面から前記張り出し部の前記素子基板と対向する面まで繋がっていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記無機物層は、酸化アルミウニム層、酸化シリコン層、および窒化シリコン層のうちの少なくとも１層を含むことを特徴とする電気光学装置。
6. 第１面側の第１領域に第１ミラーおよび前記第１ミラーを駆動する第１駆動素子が設けられ、前記第１面側の第２領域に第２ミラーおよび前記第２ミラーを駆動する第２駆動素子が設けられた第１ウエハーを用意する第１ウエハー準備工程と、
   透光性ウエハーとスペーサー用ウエハーとが重ねて接着され、前記スペーサー用ウエハーを貫通する第１凹部及び第２凹部が設けられた第２面を備えた第２ウエハーを形成する第２ウエハー形成工程と、
   前記第１ミラーに前記第１凹部が平面視で重なり、前記第２ミラーに前記第２凹部が平面視で重なるように前記第１ウエハーの前記第１面と前記第２ウエハーの前記第２面とを重ねて接着する接着工程と、
   前記第１ウエハーと前記第２ウエハーとの積層体を前記第１領域と前記第２領域の間で分割する分割工程と、
   を有し、
   前記分割工程を行う前に、前記溝内で前記透光性ウエハーと前記スペーサー用ウエハーとの境界を覆う無機物層を形成する無機物層形成工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第２ウエハー形成工程では、前記第１凹部と前記第２凹部の間に溝が設けられた前記第２ウエハーを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項７に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第２ウエハー形成工程では、前記透光性ウエハーと前記スペーサー用ウエハーとを重ねて接着する前に、前記スペーサー用ウエハーを貫通するように前記溝を形成しておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項７または８に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記接着工程の後、前記分割工程の前に、前記溝の底部を除去して前記溝を前記第２ウエハーの前記第２面とは反対側の第３面まで貫通させる貫通工程を行い、
   前記貫通工程の後、前記分割工程の前に、前記第３面側から前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項７または８に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第２ウエハー形成工程の後、前記接着工程の前に、前記溝の底部を除去して前記溝を前記第２ウエハーの前記第２面とは反対側の面からなる第３面まで貫通させる貫通工程を行い、
    前記接着工程の後、前記分割工程の前に、前記第３面側から前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項７または８に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記接着工程の前に、前記溝の底部を除去して前記溝を第２ウエハーの前記第２面とは反対側の面からなる第３面まで貫通させる貫通工程を行い、
    前記貫通工程の後、前記接着工程の前に、前記第３面側から前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 請求項９乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第２ウエハー形成工程では、前記スペーサー用ウエハーを貫通するように前記溝を形成し、
    前記貫通工程では、前記透光性ウエハーを前記溝の幅よりも広い幅で除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 請求項９乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記無機物層形成工程および前記接着工程の後、前記分割工程の前に、前記第２ウエハーの前記第３面に対して研削または研磨を行い、前記第３面から前記無機物層を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
14. 請求項９乃至１３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記無機物層形成工程では、前記第１ウエハーの前記第１領域と前記第２領域の間の前記第１面側に前記無機物層の第１部分が形成され、
    前記無機物層形成工程および前記接着工程の後、前記分割工程の前に、エッチングマスクを形成した状態で前記無機物層の前記第１部分を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
15. 請求項９乃至１４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記貫通工程では、ダイシングブレードによって前記溝の底部を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
16. 請求項９乃至１４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記貫通工程では、エッチングによって前記溝の底部を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
17. 請求項７または８に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記接着工程の後、前記溝の底部を除去して前記溝を第２ウエハーの前記第２面とは反対側の面からなる第３面まで貫通させる貫通工程を行う前に、前記溝の内部に対して前記無機物層形成工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
18. 請求項１７に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記無機物層形成工程では、前記第１ウエハーの前記第１領域と前記第２領域の間の前記第１面側に前記無機物層の第１部分が形成され、
    前記貫通工程では、前記第２ウエハーの前記第３面からダイシングブレードによって前記溝の底部を除去し、
    前記貫通工程の後、前記分割工程の前に、前記無機物層にエッチングを行って前記第１ウエハーに形成された前記無機物層の前記第１部分を除去するエッチング工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
19. 請求項１８に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記ダイシングブレードの厚さは、前記溝の相対向する内壁に形成された前記無機物層によって挟まれた隙間の間隔より狭く、
    前記エッチング工程では、前記透光性ウエハーをマスクとしてエッチングを行って前記無機物層の前記第１部分を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
20. 請求項１９に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第１ウエハーには、前記溝と重なる領域に端子が形成されており、
    前記ダイシングブレードの厚さは、前記端子が形成されている領域の幅より厚いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
21. 請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
    前記ミラーに光源光を照射する光源部を有することを特徴とする電子機器。

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