JP2016181615A - Shield material, substrate with shield material and manufacturing method of substrate with shield material - Google Patents

Shield material, substrate with shield material and manufacturing method of substrate with shield material Download PDF

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小川 浩史
Hiroshi Ogawa
浩史 小川
金谷 大介
Daisuke Kanetani
大介 金谷
幸生 松下
Yukio Matsushita
幸生 松下
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a shield material capable of satisfying both of the flexibility of the substrate and the insulation property between the surface of the substrate and the shield material, and to provide a substrate with shield material and a manufacturing method of the substrate with shield material.SOLUTION: A shield material 1 includes: a plastic film 2; an adhesion layer 3 which is formed over one side of the plastic film 2; and a metal foil 4 which is bonded to the first adhesion layer 3. The metal foil 4 is constituted by an electrolytic metal foil or a rolled metal foil, the thickness of which is 0.3-9.9 μm. The surface roughness (Rz) of the metal foil 4 at the side facing the first adhesion layer 3 is 0.01-1.50 μm.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、シールド材、シールド材付基板およびシールド材付基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a shield material, a substrate with a shield material, and a method for manufacturing a substrate with a shield material.

近年、電子応用機器の目覚ましい発展に伴い、薄くて可撓性のあるテープ状の基板が広く用いられている。ここで、基板とは、フラットケーブル、フレキシブル基板の双方を含む。   In recent years, with the remarkable development of electronic application devices, thin and flexible tape-like substrates are widely used. Here, the substrate includes both a flat cable and a flexible substrate.

特にVTR、CD又はDVDプレーヤーなどのAV機器、コピー機、スキャナ、プリンタなどのOA・パソコン周辺機器、及びその他の電子・電気機器などにおいては、ノイズ防止の観点から、基板に電磁波シールド特性が要請されることが多い。   Especially for AV equipment such as VTR, CD or DVD player, OA / PC peripheral equipment such as copiers, scanners and printers, and other electronic / electrical equipment, the board is required to have electromagnetic shielding characteristics from the viewpoint of noise prevention. Often done.

従来、基板に電磁波シールド特性を付与する方法として、銅箔の表面にポリエステルフィルムを貼り合わせた複合テープをフラットケーブルに貼り付ける方法(特許文献1)や、ポリエチレンテレフタレート(PET)などの絶縁性プラスチックを最外層、CuやAlなどの導電性金属を中間層、導電性接着剤を最内層としたシールド材をフラットケーブルの両面に貼り合わせる方法(特許文献2および3)が知られている。   Conventionally, as a method of imparting electromagnetic wave shielding characteristics to a substrate, a method of attaching a composite tape in which a polyester film is bonded to the surface of a copper foil (Patent Document 1), or an insulating plastic such as polyethylene terephthalate (PET) There is known a method (Patent Documents 2 and 3) in which a shielding material having an outermost layer, a conductive metal such as Cu or Al as an intermediate layer, and a conductive adhesive as an innermost layer is bonded to both surfaces of a flat cable.

特開平02−168512号公報Japanese Patent Laid-Open No. 02-168512 特開2004−031141号公報JP 2004-031141 A 特開2007−299704号公報JP 2007-299704 A

しかしながら、銅箔の表面にポリエステルフィルムを貼り合わせた複合テープをフラットケーブルに貼り付けた場合、フラットケーブル全体の厚みが厚くなってフラットケーブルの可撓性が阻害される可能性がある。   However, when a composite tape in which a polyester film is bonded to the surface of a copper foil is attached to a flat cable, the thickness of the entire flat cable is increased and the flexibility of the flat cable may be hindered.

また、絶縁性プラスチックを最外層、導電性金属を中間層、導電性接着剤を最内層としたシールド材をフラットケーブルの両面に貼り合わせる方法は、基板の表面とシールド材との間に絶縁性を確保することが必要な場合には適さない可能性がある。   In addition, the method of laminating a shielding material with insulating plastic as the outermost layer, conductive metal as the intermediate layer, and conductive adhesive as the innermost layer is performed between the surface of the board and the shielding material. It may not be suitable if it is necessary to ensure

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板の可撓性、および基板の表面とシールド材との間の絶縁性の両方を確保することができるシールド材、シールド材付基板およびシールド材付基板の製造方法を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above points, and a shield material, a substrate with a shield material, and a shield material capable of ensuring both the flexibility of the substrate and the insulation between the surface of the substrate and the shield material, and It aims at providing the manufacturing method of a board | substrate with a shielding material.

本発明に係るシールド材は、プラスチックフィルムと、前記プラスチックフィルムの片面に形成された第1接着層と、前記第1接着層上に接着された金属箔とを備える。前記金属箔は、厚み0.3μm以上9.9μm以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなる。前記金属箔の前記第1接着層に面する側の表面粗さ(Rz)は、0.01μm以上1.50μm以下である。   The shield material according to the present invention includes a plastic film, a first adhesive layer formed on one side of the plastic film, and a metal foil adhered on the first adhesive layer. The metal foil is made of an electrolytic metal foil or a rolled metal foil having a thickness of 0.3 μm or more and 9.9 μm or less. The surface roughness (Rz) of the side facing the first adhesive layer of the metal foil is 0.01 μm or more and 1.50 μm or less.

前記シールド材において、前記第1接着層がアクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂から選ばれる少なくとも1種以上の樹脂を含むのが好ましい。   In the shield material, it is preferable that the first adhesive layer includes at least one resin selected from an acrylic resin, an epoxy resin, and a urethane resin.

前記シールド材において、前記第1接着層のガラス転移温度は、前記プラスチックフィルムのガラス転移温度よりも低いことが好ましい。   In the shield material, the glass transition temperature of the first adhesive layer is preferably lower than the glass transition temperature of the plastic film.

前記シールド材において、前記第1接着層の厚みは0.1μm以上10.0μm以下であることが好ましい。   In the shield material, the thickness of the first adhesive layer is preferably 0.1 μm or more and 10.0 μm or less.

前記シールド材において、前記第1接着層の25℃における弾性率が1000.0GPa以下であることが好ましい。   In the shield material, the elastic modulus at 25 ° C. of the first adhesive layer is preferably 1000.0 GPa or less.

本発明に係るシールド材付基板は、基板と、前記基板の表面に形成された第2接着層と、前記第2接着層上に接着され、前記基板を覆う前記シールド材とを備える。前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されている。   The substrate with a shield material according to the present invention includes a substrate, a second adhesive layer formed on the surface of the substrate, and the shield material that is adhered onto the second adhesive layer and covers the substrate. The shield material is arranged so that the plastic film is on the substrate side.

本発明に係るシールド材付基板の製造方法は、プラスチックフィルムの片面に第1接着層を介して金属箔が接着されたシールド材を準備する工程と、前記シールド材の前記プラスチックフィルムと、基板とを第2接着層形成用の接着剤により貼り付けて、第2接着層を形成する工程とを含む。前記金属箔は、厚み0.3μm以上9.9μm以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、前記金属箔の前記第1接着層に面する側の表面粗さ(Rz)は、0.01μm以上1.50μm以下である。前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されている。   The method for manufacturing a substrate with a shield material according to the present invention includes a step of preparing a shield material in which a metal foil is bonded to one side of a plastic film via a first adhesive layer, the plastic film of the shield material, and a substrate. Is attached with an adhesive for forming a second adhesive layer to form a second adhesive layer. The metal foil is made of an electrolytic metal foil or a rolled metal foil having a thickness of 0.3 μm or more and 9.9 μm or less, and the surface roughness (Rz) of the side facing the first adhesive layer of the metal foil is 0.00. It is 01 μm or more and 1.50 μm or less. The shield material is arranged so that the plastic film is on the substrate side.

本発明によれば、金属箔は厚み0.3μm以上9.9μm以下の電解金属箔または圧延金属箔からなり、金属箔の第1接着層に面する側の表面の表面粗さ(Rz)は0.01μm以上1.50μm以下であるので、市販の銅箔(表面粗さ(Rz)が2.0μm以上、更には7.0μm以上)を用いた同じ構成のシールド材(厚さが50μm以上)より、シールド材全体の厚みを薄くすることができる。そのため、従来よりも薄いシールド材で基板を覆うことができ、基板の厚膜化を防止し、基板の可撓性を確保することができる。さらに、シールド材のプラスチックフィルムが基板側となるように、基板とシールド材とを貼り合わせれば、金属箔はプラスチックフィルムを介して基板に接着されるので、基板の表面とシールド材との間の絶縁性を確保することができる。   According to the present invention, the metal foil is made of an electrolytic metal foil or a rolled metal foil having a thickness of 0.3 μm or more and 9.9 μm or less, and the surface roughness (Rz) of the surface of the metal foil facing the first adhesive layer is Since it is 0.01 μm or more and 1.50 μm or less, a shield material (thickness is 50 μm or more) using a commercially available copper foil (surface roughness (Rz) is 2.0 μm or more, and further 7.0 μm or more) ), The overall thickness of the shield material can be reduced. Therefore, the substrate can be covered with a shield material thinner than the conventional one, the thickness of the substrate can be prevented, and the flexibility of the substrate can be ensured. Furthermore, if the substrate and the shield material are bonded together so that the plastic film of the shield material is on the substrate side, the metal foil is bonded to the substrate through the plastic film, so the space between the surface of the substrate and the shield material Insulation can be ensured.

本発明の一実施形態に係るシールド材の層構成を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the layer structure of the shielding material which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るシールド材付基板の構成を説明するための一部断面図である。It is a partial cross section figure for demonstrating the structure of the board | substrate with a shielding material which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るシールド材付基板の使用状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the use condition of the board | substrate with a shielding material which concerns on one Embodiment of this invention. 図4A,図4Bは,金属箔を製造するための装置を説明するための断面図である。4A and 4B are cross-sectional views for explaining an apparatus for producing a metal foil.

以下、本発明を実施形態によって具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to embodiments.

[シールド材1]
図1は、本発明の一実施形態に係るシールド材1の層構成を説明するための断面図である。
[Shield material 1]
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a layer structure of a shield material 1 according to an embodiment of the present invention.

シールド材1は、図1に示すように、プラスチックフィルム2と、プラスチックフィルム2の片面に形成された第1接着層3と、第1接着層3上に接着された金属箔4とを備える。そして、金属箔4は、厚み0.3μm以上9.9μm以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、金属箔4の第1接着層3に面する側の表面粗さ(Rz)、すなわち第1接着層3が接着された金属箔の面の表面粗さ(Rz)は、0.01μm以上1.50μm以下である。これにより、市販の銅箔(表面粗さ(Rz)が2.0μm以上、更には7.0μm以上)を用いた同じ構成のシールド材(厚さが50μm以上)より、シールド材1全体の厚みを薄くすることができる。そのため、従来よりも薄いシールド材1で基板20を覆うことができ、基板20の厚膜化を防止し、基板20の可撓性を確保することができる。さらに、シールド材1のプラスチックフィルム2が基板20側となるように、すなわちシールド材1のプラスチックフィルム2が基板20と向き合うように、基板20とシールド材1とを貼り合わせれば、金属箔4はプラスチックフィルム2を介して基板20に接着されるので、基板20の表面とシールド材1との間の絶縁性を確保することができる。   As shown in FIG. 1, the shield material 1 includes a plastic film 2, a first adhesive layer 3 formed on one surface of the plastic film 2, and a metal foil 4 bonded on the first adhesive layer 3. The metal foil 4 is made of an electrolytic metal foil or a rolled metal foil having a thickness of 0.3 μm or more and 9.9 μm or less, and the surface roughness (Rz) on the side of the metal foil 4 facing the first adhesive layer 3, that is, The surface roughness (Rz) of the surface of the metal foil to which the first adhesive layer 3 is bonded is 0.01 μm or more and 1.50 μm or less. Thereby, the thickness of the entire shield material 1 from a shield material (thickness of 50 μm or more) having the same configuration using a commercially available copper foil (surface roughness (Rz) of 2.0 μm or more, and further 7.0 μm or more). Can be made thinner. Therefore, the board | substrate 20 can be covered with the shielding material 1 thinner than before, the thickness increase of the board | substrate 20 can be prevented, and the flexibility of the board | substrate 20 can be ensured. Furthermore, if the board | substrate 20 and the shielding material 1 are bonded together so that the plastic film 2 of the shielding material 1 may become the board | substrate 20 side, ie, the plastic film 2 of the shielding material 1 may face the board | substrate 20, metal foil 4 will become Since it adheres to the substrate 20 via the plastic film 2, the insulation between the surface of the substrate 20 and the shield material 1 can be ensured.

ここで、表面粗さ(Rz)とは、JIS B 0601−2013に規定されている十点平均粗さ(RZJIS)であって、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から5番目までの山頂の標高(Yp)の絶対値の平均値と、最も低い谷底から5番目までの谷底の標高(Yv)の絶対値の平均値との和を求め、この値をマイクロメートル(μm)で表したものをいう。 Here, the surface roughness (Rz) is a ten-point average roughness (R ZJIS ) defined in JIS B 0601-2013, and only the reference length is measured in the direction of the average line from the roughness curve. The average value of the absolute values of the highest peak (Yp) from the highest peak to the fifth and the lowest from the lowest to the fifth, measured in the direction of the vertical magnification from the average line of the extracted part. The sum of the absolute value of (Yv) and the average value is obtained, and this value is expressed in micrometers (μm).

シールド材1の厚さは、好ましくは10μm以上50μm以下、より好ましくは20μm以上40μm以下である。   The thickness of the shielding material 1 is preferably 10 μm or more and 50 μm or less, more preferably 20 μm or more and 40 μm or less.

(プラスチックフィルム2)
プラスチックフィルム2を構成する材料としては、絶縁性、屈曲性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、PET、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリフェニレンスルファイド(PPS)などを用いることができる。
(Plastic film 2)
The material constituting the plastic film 2 is not particularly limited as long as it is an insulating and flexible material. For example, PET, polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), or the like can be used.

プラスチックフィルム2の厚みは、好ましくは10μm以上45μm以下、より好ましくは20μm以下30μm以上である。   The thickness of the plastic film 2 is preferably 10 μm or more and 45 μm or less, more preferably 20 μm or less and 30 μm or more.

(第1接着層3)
第1接着層3を構成する材料としては、プラスチックフィルム2と金属箔4との密着性に優れ、絶縁性、耐湿性、耐老化性、機械的特性を有するものであれば特に限定されず、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂から選ばれる少なくとも1種以上の樹脂を含むのが好ましい。
(First adhesive layer 3)
The material constituting the first adhesive layer 3 is not particularly limited as long as it has excellent adhesion between the plastic film 2 and the metal foil 4 and has insulation, moisture resistance, aging resistance, and mechanical properties. For example, it is preferable to include at least one resin selected from an acrylic resin, an epoxy resin, and a urethane resin.

第1接着層3のガラス転移温度(Tg)は、プラスチックフィルム2のガラス転移温度(Tg)より低いことが好ましい。これにより、第1接着層3の弾性率を小さくすることができ、第1接着層3が、プラスチックフィルム2と金属箔4との間の応力緩和層としてより機能するようになる。そのため、得られるシールド材付基板10において、シールド材付基板10の屈曲による回路22の断線がより発生しにくくなる。第1接着層3のガラス転移温度(Tg)をプラスチックフィルム2のガラス転移温度(Tg)より低くするには、例えば、プラスチックフィルム2を構成する材料に応じて、第1接着層3を構成する材料を適宜選択するなどすればよい。   The glass transition temperature (Tg) of the first adhesive layer 3 is preferably lower than the glass transition temperature (Tg) of the plastic film 2. Thereby, the elasticity modulus of the 1st contact bonding layer 3 can be made small, and the 1st contact bonding layer 3 comes to function more as a stress relaxation layer between the plastic film 2 and the metal foil 4. FIG. Therefore, in the obtained substrate 10 with a shielding material, disconnection of the circuit 22 due to the bending of the substrate 10 with a shielding material is less likely to occur. In order to make the glass transition temperature (Tg) of the first adhesive layer 3 lower than the glass transition temperature (Tg) of the plastic film 2, for example, the first adhesive layer 3 is configured according to the material constituting the plastic film 2. What is necessary is just to select a material suitably.

ガラス転移温度(Tg)は、例えば、セイコーインスツルメンツ(株)製の粘弾性スペクトロメータ「DMS100」を用いて、動的粘弾性測定(DMA)を行い、tanαが極大を示す温度として求めることができる。   The glass transition temperature (Tg) can be obtained as a temperature at which tan α exhibits a maximum by performing dynamic viscoelasticity measurement (DMA) using a viscoelastic spectrometer “DMS100” manufactured by Seiko Instruments Inc. .

第1接着層3の25℃における弾性率は、好ましくは1000.0GPa以下、より好ましくは0.1GPa以上100.0GPa以下、さらに好ましくは0.6GPa以上60.0GPa以下である。第1接着層3の25℃における弾性率が上記範囲内であれば、第1接着層3が、プラスチックフィルム2と金属箔4との間の応力緩和層として機能しやすくなる。これにより、得られるシールド材付基板10において、シールド材付基板10の屈曲による回路22の断線がより発生しにくくなる。第1接着層3の25℃における弾性率を1000.0GPa以下とするには、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂等の接着剤に含まれる樹脂の種類や配合比率を調整するなどすればよい。   The elastic modulus at 25 ° C. of the first adhesive layer 3 is preferably 1000.0 GPa or less, more preferably 0.1 GPa or more and 100.0 GPa or less, and further preferably 0.6 GPa or more and 60.0 GPa or less. If the elastic modulus at 25 ° C. of the first adhesive layer 3 is within the above range, the first adhesive layer 3 easily functions as a stress relaxation layer between the plastic film 2 and the metal foil 4. Thereby, in the obtained board | substrate 10 with a shielding material, the disconnection of the circuit 22 by the bending of the board | substrate 10 with a shielding material becomes difficult to generate | occur | produce. In order to set the elastic modulus at 25 ° C. of the first adhesive layer 3 to 1000.0 GPa or less, for example, by adjusting the type and blending ratio of the resin contained in the adhesive such as acrylic resin, epoxy resin, and urethane resin Good.

弾性率の測定には、例えば、曲げ弾性率(JIS K7171)や引張弾性率(JIS K7162)の測定に使われる市販の測定装置を用いることができる。第1接着層3の厚みが10μm以下であり、第1接着層3の弾性率の直接的な測定が難しい場合には、ビッカース硬度計、またはマイクロビッカース硬度計を用いることができる。また、被測定物となる第1接着層3に、顕微鏡下でそれぞれマイクロビッカース硬度計の四角錐圧子(あるいは測定ヘッド)を、所定圧力(例えば、ミツトヨ製の微小硬さ試験機「HM−211」の場合、試験力発生範囲が0.4903〜19610mN)で押し当て、得られた測定値を、比較用に用意した厚み1mm以上の弾性率評価用ゴムシート(例えば、市販のシリコンゴムシート等)での測定値と置き換え、この弾性率評価用ゴムシートの弾性率を、そのまま第1接着層3の弾性率とすることもできる。   For the measurement of the elastic modulus, for example, a commercially available measuring device used for measuring the flexural modulus (JIS K7171) or the tensile elastic modulus (JIS K7162) can be used. When the thickness of the first adhesive layer 3 is 10 μm or less and it is difficult to directly measure the elastic modulus of the first adhesive layer 3, a Vickers hardness meter or a micro Vickers hardness meter can be used. Further, a quadrangular pyramid indenter (or measuring head) of a micro Vickers hardness tester is respectively applied to the first adhesive layer 3 to be measured under a microscope with a predetermined pressure (for example, a micro hardness tester “HM-211 made by Mitutoyo”. ”, The test force generation range is 0.4903 to 19610 mN), and the obtained measurement value is a rubber sheet for elastic modulus evaluation having a thickness of 1 mm or more prepared for comparison (for example, a commercially available silicon rubber sheet, etc. The elastic modulus of the rubber sheet for elastic modulus evaluation can be used as it is as the elastic modulus of the first adhesive layer 3.

第1接着層3の厚みは、好ましくは0.1μm以上10.0μm以下、より好ましくは0.5μm以上5μm以下、さらに好ましくは1μm以上3μm以下である。   The thickness of the 1st contact bonding layer 3 becomes like this. Preferably they are 0.1 micrometer or more and 10.0 micrometers or less, More preferably, they are 0.5 micrometer or more and 5 micrometers or less, More preferably, they are 1 micrometer or more and 3 micrometers or less.

(金属箔4)
金属箔4を構成する材料としては、基板に電磁波シールド特性を付与することができる材料であれば特に限定されず、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、軟鋼、Fe-Ni合金、洋白などを用いることができる。
(Metal foil 4)
The material constituting the metal foil 4 is not particularly limited as long as it is a material capable of imparting electromagnetic wave shielding characteristics to the substrate. For example, copper, aluminum, nickel, stainless steel, mild steel, Fe—Ni alloy, white or the like Can be used.

金属箔4は、電解金属箔または圧延金属箔からなる。以下、金属箔4が電解金属箔からなる場合は電解金属箔4と称し、金属箔4が圧延金属箔からなる場合は圧延金属箔4と称する場合がある。ここで、電解金属箔とは、電解法により得られる金属箔である。また、圧延金属箔とは、圧延法により得られる金属箔である。また、金属箔4の第1接着層3に面する側の表面には粗化膜が形成されていてもよい。粗化膜としては、例えば、めっき皮膜などが挙げられる。めっき皮膜は、例えば、Ni、硫黄、Co、W、Al等の少なくとも1種類以上を、それぞれ0.01以上10.0%以下の割合で含めてもよい。粗化膜は、例えば、後述する粗化処理により形成される。   The metal foil 4 is made of an electrolytic metal foil or a rolled metal foil. Hereinafter, when the metal foil 4 is made of an electrolytic metal foil, it may be referred to as an electrolytic metal foil 4, and when the metal foil 4 is made of a rolled metal foil, it may be referred to as a rolled metal foil 4. Here, the electrolytic metal foil is a metal foil obtained by an electrolysis method. The rolled metal foil is a metal foil obtained by a rolling method. A roughened film may be formed on the surface of the metal foil 4 on the side facing the first adhesive layer 3. Examples of the roughening film include a plating film. For example, the plating film may contain at least one of Ni, sulfur, Co, W, Al and the like at a ratio of 0.01 to 10.0%. The roughened film is formed, for example, by a roughening process described later.

金属箔4の厚みは、0.3μm以上9.9μm以下、好ましくは0.5μm以上5μm以下、より好ましくは1μm以上3μm以下である。金属箔の厚みが0.3μm未満であると、シールド材付基板10に十分な電磁波シールド特性を付与することができない可能性がある。一方、金属箔の厚みが9.9μmを超えると、シールド材付基板10の可撓性が低下する可能性がある。ここで、金属箔4の第1接着層3に面する側の表面に粗化膜が形成されている場合には、金属箔4の厚みは粗化膜の厚みを含んだものである。粗化膜の厚みは好ましくは0.01μm以上1.50μm以下である。   The thickness of the metal foil 4 is 0.3 μm or more and 9.9 μm or less, preferably 0.5 μm or more and 5 μm or less, more preferably 1 μm or more and 3 μm or less. If the thickness of the metal foil is less than 0.3 μm, there is a possibility that sufficient electromagnetic wave shielding characteristics cannot be imparted to the substrate with shield material 10. On the other hand, when the thickness of the metal foil exceeds 9.9 μm, the flexibility of the substrate 10 with the shielding material may be lowered. Here, when a roughened film is formed on the surface of the metal foil 4 facing the first adhesive layer 3, the thickness of the metal foil 4 includes the thickness of the roughened film. The thickness of the roughened film is preferably 0.01 μm or more and 1.50 μm or less.

金属箔4の第1接着層3に面する側の表面の表面粗さ(Rz)は、0.01μm以上1.50μm以下、好ましくは0.05μm以上1.00μm以下、より好ましくは0.10μm以上0.50μm以下である。表面粗さ(Rz)が0.01μm未満であると、金属箔4と第1接着層3との密着強度が十分ではない可能性がある。一方、表面粗さ(Rz)が1.50μmを超えると、シールド材付基板10を屈曲させて使用する場合などにプラスチックフィルム2と金属箔4の一部とが接触しないように第1接着層の厚みを従来の厚み(例えば、20μm以上)と同等に調整する必要があり、従来の市販の銅箔(表面粗さ(Rz)が2.0μm以上、更には7.0μm以上)を用いた同じ構成のシールド材に比べて、シールド材1全体の厚みを薄くすることができない可能性がある。ここで、表面粗さ(Rz)は、実施例と同様にして測定した値である。   The surface roughness (Rz) of the surface of the metal foil 4 facing the first adhesive layer 3 is 0.01 μm or more and 1.50 μm or less, preferably 0.05 μm or more and 1.00 μm or less, more preferably 0.10 μm. It is 0.50 μm or less. If the surface roughness (Rz) is less than 0.01 μm, the adhesion strength between the metal foil 4 and the first adhesive layer 3 may not be sufficient. On the other hand, if the surface roughness (Rz) exceeds 1.50 μm, the first adhesive layer prevents the plastic film 2 and a part of the metal foil 4 from contacting each other when the shielded substrate 10 is bent and used. Of the conventional copper foil (surface roughness (Rz) is not less than 2.0 μm, more preferably not less than 7.0 μm) is required to be adjusted to be equal to the conventional thickness (for example, 20 μm or more). There is a possibility that the thickness of the entire shield material 1 cannot be reduced as compared with the shield material having the same configuration. Here, the surface roughness (Rz) is a value measured in the same manner as in the examples.

金属箔4の第1接着層3に面しない側の表面の表面粗さ(Rz)は、特に限定されず、好ましくは、0.1μm以上7.0μm以下である。   The surface roughness (Rz) of the surface of the metal foil 4 that does not face the first adhesive layer 3 is not particularly limited, and is preferably 0.1 μm or more and 7.0 μm or less.

なお、金属箔4の表面粗さ(Rz)の値は、金属箔4の厚みの値よりも小さい。   In addition, the value of the surface roughness (Rz) of the metal foil 4 is smaller than the value of the thickness of the metal foil 4.

[シールド材付基板10]
図2は、本発明の一実施形態に係るシールド材付基板10の構成を説明するための一部断面図である。
[Substrate with shield material 10]
FIG. 2 is a partial cross-sectional view for explaining the configuration of the substrate with shield material 10 according to one embodiment of the present invention.

シールド材付基板10は、基板20と、基板20の表面に形成された第2接着層30と、第2接着層30上に接着され、基板20を覆うシールド材1とを備え、シールド材1はプラスチックフィルム2が基板20側になるように配置されている。シールド材付基板10は、その一端部にメイン基板などと電気的に接続するための接続部(非可動部)10Aと、屈曲自在な可動部10Bとを有する。接続部10Aにおいて、第2接着層30は基板20の基板などと電気的に接続される面とは反対側の面の全面に形成され、シールド材1は第2接着層30を覆うように第2接着層30上に接着されている。また、可動部10Bにおいて、第2接着層30は基板20の両面の全面に形成され、シールド材1は第2接着層30を覆うように第2接着層30上に接着されている。ここで、可動部とは、捻りや折り曲げをできる部位をいう。   The substrate with shield material 10 includes a substrate 20, a second adhesive layer 30 formed on the surface of the substrate 20, and a shield material 1 that is bonded onto the second adhesive layer 30 and covers the substrate 20. Are arranged so that the plastic film 2 is on the substrate 20 side. The shielded substrate 10 has a connecting portion (non-movable portion) 10A for electrically connecting to a main substrate or the like at one end thereof, and a flexible movable portion 10B. In the connection portion 10 </ b> A, the second adhesive layer 30 is formed on the entire surface of the substrate 20 opposite to the surface electrically connected to the substrate, and the shield material 1 covers the second adhesive layer 30. 2 Adhered on the adhesive layer 30. Further, in the movable portion 10 </ b> B, the second adhesive layer 30 is formed on the entire surface of both surfaces of the substrate 20, and the shield material 1 is bonded onto the second adhesive layer 30 so as to cover the second adhesive layer 30. Here, a movable part means the site | part which can be twisted and bent.

このようにシールド材付基板10は、可動部10Bにおいて、その両面が従来よりも薄いシールド材1で基板20が覆われているので、基板20の厚膜化をすることなく基板20に電磁波シールド特性を付与し、同時に基板20の可撓性を確保することができる。さらにシールド材1はプラスチックフィルム2が基板20側になるように配置されているので、金属箔4はプラスチックフィルム2を介して基板20に接着されることになる。そのため、金属箔4と基板20表面との間の絶縁性を確保することができる。   Thus, since the board | substrate 20 is covered with the shielding material 1 whose both surfaces are thinner than before in the movable part 10B in the movable part 10B, the board | substrate 20 does not thicken the board | substrate 20, but electromagnetically shields it to the board | substrate 20. It is possible to impart characteristics and to ensure the flexibility of the substrate 20 at the same time. Furthermore, since the shielding material 1 is disposed so that the plastic film 2 is on the substrate 20 side, the metal foil 4 is bonded to the substrate 20 via the plastic film 2. Therefore, insulation between the metal foil 4 and the surface of the substrate 20 can be ensured.

シールド材付基板10の外形は、特に限定されず、シールド材付基板10の使用用途等に応じて適宜調整すればよい。接続部10Aはシールド材付基板10の一端部のみに形成されていてもよいし、シールド材付基板10の両端部に形成されていてもよく、シールド材付基板10の使用用途に応じ適宜調整すればよい。また、必要に応じてシールド材付基板10には半導体デバイス、チップ部品、コネクタなどが実装されていてもよい。   The external shape of the board | substrate 10 with a shielding material is not specifically limited, What is necessary is just to adjust suitably according to the use application etc. of the board | substrate 10 with a shielding material. 10 A of connection parts may be formed only in the one end part of the board | substrate 10 with a shielding material, and may be formed in the both ends of the board | substrate 10 with a shielding material, and it adjusts suitably according to the use application of the board | substrate 10 with a shielding material. do it. Moreover, a semiconductor device, a chip component, a connector, or the like may be mounted on the substrate 10 with the shield material as necessary.

基板20は、ベースフィルム21と、ベースフィルム21の両面に設けられた回路22とを備える。基板20は、ベースフィルム21と回路22とがエポキシ系、アクリル系の公知の接着剤を介して張り合わせた接着剤タイプの基板であってもよいし、ベースフィルム21と回路22との間に接着剤が存在しない無接着剤タイプの基板であってもよい。なかでも、基板20の可撓性等を確保する等の観点から、無接着剤タイプであるのが好ましい。なお、本発明における基板は、ベースフィルムの片面に回路が形成された基板であってもよい。   The substrate 20 includes a base film 21 and circuits 22 provided on both sides of the base film 21. The substrate 20 may be an adhesive type substrate in which the base film 21 and the circuit 22 are bonded together via a known epoxy or acrylic adhesive, or the substrate 20 is bonded between the base film 21 and the circuit 22. It may be a non-adhesive type substrate in which no agent is present. Especially, it is preferable that it is a non-adhesive type from a viewpoint of ensuring the flexibility of the board | substrate 20, etc. In addition, the board | substrate with which the circuit was formed in the single side | surface of a base film may be sufficient as the board | substrate in this invention.

ベースフィルム21を構成する材料は、耐熱性、絶縁性、可撓性、屈曲性を有する材料であればよく、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。ベースフィルム21の厚みは、好ましくは10μm以上300μm以下、より好ましくは30μm以上100μm以下である。回路22を構成する材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、軟鋼、Fe-Ni合金、洋白などを用いることができる。回路22の厚みは、好ましくは1μm以上35μm以下、より好ましくは3μm以上18μm以下である。   The material which comprises the base film 21 should just be a material which has heat resistance, insulation, flexibility, and flexibility, for example, a polyimide resin, a polyester resin, etc. can be used. The thickness of the base film 21 is preferably 10 μm or more and 300 μm or less, more preferably 30 μm or more and 100 μm or less. As a material constituting the circuit 22, for example, copper, aluminum, nickel, stainless steel, mild steel, Fe—Ni alloy, white or the like can be used. The thickness of the circuit 22 is preferably 1 μm or more and 35 μm or less, more preferably 3 μm or more and 18 μm or less.

第2接着層30は、第2接着層形成用の接着剤(以下、第2接着剤という場合がある)を用いて形成される。   The second adhesive layer 30 is formed using an adhesive for forming a second adhesive layer (hereinafter sometimes referred to as a second adhesive).

第2接着剤を構成する材料としては、シールド材1と基板20との密着性に優れ、絶縁性、耐湿性、耐老化性、機械的特性を有するものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分として用いることができる。特に、ガラス転移温度(Tg)が200℃以下(下限は80℃)であるエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が好ましい。これにより、例えば、後述するように、シールド材付基板10を製造する際、シールド材1上または基板20上に第2接着剤を半硬化状態として形成すれば、熱圧着の温度を180℃以下にすることができる。   The material constituting the second adhesive is not particularly limited as long as it has excellent adhesion between the shield material 1 and the substrate 20, and has insulating properties, moisture resistance, aging resistance, and mechanical properties. A thermosetting resin such as an epoxy resin can be used as a main component. In particular, a thermosetting resin such as an epoxy resin having a glass transition temperature (Tg) of 200 ° C. or lower (lower limit is 80 ° C.) is preferable. Thereby, for example, as described later, when the second adhesive is formed in a semi-cured state on the shield material 1 or the substrate 20 when the substrate 10 with the shield material is manufactured, the temperature of the thermocompression bonding is 180 ° C. or less. Can be.

第2接着層30の厚みは、好ましくは2μm以上50μm以下、より好ましくは5μm以上20μm以下である。   The thickness of the second adhesive layer 30 is preferably 2 μm or more and 50 μm or less, more preferably 5 μm or more and 20 μm or less.

シールド材付基板10は、携帯電話、スマートフォン等の移動体電子機器に代表される各種電子機器などに有用である。   The board | substrate 10 with a shielding material is useful for the various electronic devices represented by mobile electronic devices, such as a mobile telephone and a smart phone.

図3は、本発明の一実施形態に係るシールド材付基板10の使用状態を示す断面図である。シールド材付基板10は、例えば、図3に示すように、絶縁樹脂層と内層回路とが交互に積層され、絶縁樹脂層の最外層上に外層回路310を備えるメイン基板300と電気的に接続され、使用される。外層回路310のうちシールド材付基板10と電気的接続するために形成された接続用外層回路310Aと、回路22のうちメイン基板300と電気的接続するために形成された接続用回路22Aとの間に導電性接着剤層400が介在することで、シールド材付基板10およびメイン基板300は電気的に接続されている。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a usage state of the substrate with shield material 10 according to the embodiment of the present invention. For example, as shown in FIG. 3, the shielded substrate 10 is electrically connected to a main substrate 300 in which insulating resin layers and inner layer circuits are alternately stacked, and the outer layer circuit 310 is provided on the outermost layer of the insulating resin layer. And used. A connection outer layer circuit 310A formed for electrical connection with the shielded substrate 10 in the outer layer circuit 310 and a connection circuit 22A formed for electrical connection with the main substrate 300 in the circuit 22 With the conductive adhesive layer 400 interposed therebetween, the shielded substrate 10 and the main substrate 300 are electrically connected.

メイン基板300には、必要に応じて、外層回路310と内層回路や、内層回路とこの内層回路の表面又は裏面に絶縁樹脂層を介して位置する内層回路を電気的に接続するためのスルーホールやブラインドバイアホールなどが形成されていてもよい。   Through holes for electrically connecting the outer layer circuit 310 and the inner layer circuit, and the inner layer circuit and the inner layer circuit located on the front or back surface of the inner layer circuit via an insulating resin layer as necessary. A blind via hole or the like may be formed.

絶縁樹脂層としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させてなる基板(FR−4基板)などを用いることができる。内層回路を構成する材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、軟鋼、Fe-Ni合金、洋白などを用いることができる。   As the insulating resin layer, for example, a substrate (FR-4 substrate) formed by impregnating glass fiber with an epoxy resin can be used. As a material constituting the inner layer circuit, for example, copper, aluminum, nickel, stainless steel, mild steel, Fe—Ni alloy, white or the like can be used.

導電性接着剤層400は、例えば、半田樹脂および熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物を硬化させたものである。シールド材付基板10とメイン基板300とを電気的に接続するにあたっては、まず半田粒子を散在させたペースト状の熱硬化性樹脂組成物を、シリンジ等を用いて導電性接着剤層400上に塗布する。次いで接続用回路22Aと接続用外層回路310Aとを位置合わせし、接続用回路22Aおよび接続用外層回路310Aの間に熱硬化性樹脂組成物を介在させた状態で加熱する。この加熱の際、熱硬化性樹脂は硬化が進行すると同時に半田粒子が溶融する。これにより、シールド材付基板10とメイン基板300との接続領域は硬化した熱硬化性樹脂組成物で接着され、同時に接続用回路22Aと接続用外層回路310Aとは溶融した半田粒子で融着し、シールド材付基板10とメイン基板300とは電気的に接続される。   The conductive adhesive layer 400 is obtained by curing a thermosetting resin composition containing a solder resin and a thermosetting resin, for example. In electrically connecting the substrate with shield material 10 and the main substrate 300, first, a paste-like thermosetting resin composition in which solder particles are dispersed is placed on the conductive adhesive layer 400 using a syringe or the like. Apply. Next, the connection circuit 22A and the connection outer layer circuit 310A are aligned, and heating is performed with the thermosetting resin composition interposed between the connection circuit 22A and the connection outer layer circuit 310A. During the heating, the thermosetting resin is cured and the solder particles are melted at the same time. As a result, the connection region between the shielded substrate 10 and the main substrate 300 is bonded with the cured thermosetting resin composition, and at the same time, the connection circuit 22A and the connection outer layer circuit 310A are fused with the molten solder particles. The shielded substrate 10 and the main substrate 300 are electrically connected.

なお、この使用状態では、接続用回路22Aおよび接続用外層回路310Aの間に導電性接着剤層400を介在させているが、例えば、接続用回路22Aと接続用外層回路310Aとを直接半田付けしてもよいし、導電性接着剤層400の代わりに、はんだ、銅、ニッケル、金や、これらの複合体などを含むバンプなどを用いてもよい。接続用回路22Aおよび接続用外層回路310Aの間にバンプを介在させる場合、シールド材付基板10とメイン基板300との重なり部位の隙間にアンダーフィルを形成し、シールド材付基板10とメイン基板300とを接着してもよい。また、接続用回路22Aと接続用外層回路310Aとが同じパターンである場合には、シールド材付基板10に固定用ビスが螺着可能な螺子孔を形成しておき、接続用回路22Aと接続用外層回路310Aと位置合わせをして、メイン基板300、シールド材付基板10、固定具をこの順に配置し、固定用ビスを固定具上から螺入して、シールド材付基板10をメイン基板300および固定具の間に挟み込んで圧着固定してもよい。   In this state of use, the conductive adhesive layer 400 is interposed between the connection circuit 22A and the connection outer layer circuit 310A. For example, the connection circuit 22A and the connection outer layer circuit 310A are directly soldered. Alternatively, instead of the conductive adhesive layer 400, solder, copper, nickel, gold, bumps containing these composites, or the like may be used. When a bump is interposed between the connection circuit 22A and the connection outer layer circuit 310A, an underfill is formed in the gap between the overlapping portions of the shield-coated substrate 10 and the main substrate 300, and the shield-coated substrate 10 and the main substrate 300 are thus formed. And may be adhered. When the connection circuit 22A and the connection outer layer circuit 310A have the same pattern, a screw hole into which a fixing screw can be screwed is formed in the shielded substrate 10, and the connection circuit 22A is connected. Alignment with the outer layer circuit 310A, the main board 300, the board 10 with the shield material, and the fixture are arranged in this order, and the fixing screws are screwed in from above the fixture to attach the board 10 with the shield material to the main board. It may be clamped and fixed between 300 and the fixture.

[シールド材付基板10の製造方法]
シールド材付基板10の製造方法は、シールド材1を準備する工程(a)と、第2接着層30を形成する工程(b)とを含む。
[Manufacturing Method of Substrate with Shield Material 10]
The manufacturing method of the board | substrate 10 with a shielding material includes the process (a) which prepares the shielding material 1, and the process (b) which forms the 2nd contact bonding layer 30. FIG.

(シールド材1を準備する工程(a))
工程(a)では、例えば、金属箔4を製造するステップ(a1)、プラスチックフィルム2の片面に第1接着層3を介して金属箔4を接着するステップ(a2)を含む。
(Process (a) for preparing shield material 1)
In the step (a), for example, a step (a1) of manufacturing the metal foil 4 and a step (a2) of bonding the metal foil 4 to one surface of the plastic film 2 via the first adhesive layer 3 are included.

ステップ(a1)では、金属箔4を製造する。金属箔4の製造方法としては、例えば、電解法により未処理電解金属箔を析出させ、析出させた未処理電解金属箔の表面を粗化処理する方法;金属シートを圧延加工し、圧延加工した未処理圧延金属箔の表面を粗化処理する方法などが挙げられる。粗化処理する方法としては、例えば、表面を酸化処理することによって粗化処理する黒色酸化処理法、黒色酸化処理法により処理された面を還元することによって粗化処理する化学還元処理法、表面を例えば無電解銅めっきによって粗化処理する無電解銅めっき処理法などが挙げられる。   In step (a1), the metal foil 4 is manufactured. As a manufacturing method of the metal foil 4, for example, an untreated electrolytic metal foil is deposited by an electrolytic method, and a surface of the deposited untreated electrolytic metal foil is roughened; a metal sheet is rolled and rolled Examples include a method of roughening the surface of the untreated rolled metal foil. Examples of the roughening method include, for example, a black oxidation method for roughening the surface by oxidizing, a chemical reduction method for roughening by reducing the surface treated by the black oxidation method, and the surface For example, an electroless copper plating method for roughening by electroless copper plating may be used.

金属箔4の厚みを0.3μm以上9.9μm以下とするには、電解金属箔4の場合、例えば、後述するように導電支持体240に印加する電圧を調整するなどすればよい。また、金属箔4の第1接着層3に面する側の表面の表面粗さ(Rz)を0.01μm以上1.50μm以下とするには、粗化処理を電解粗化処理法により行う場合は、未処理電解金属箔や未処理圧延金属箔を粗化液に浸漬する粗化処理時間、粗化液の濃度、粗化液の液温等を調整すればよい。   In order to set the thickness of the metal foil 4 to 0.3 μm or more and 9.9 μm or less, in the case of the electrolytic metal foil 4, for example, the voltage applied to the conductive support 240 may be adjusted as described later. In addition, when the surface roughness (Rz) of the surface of the metal foil 4 facing the first adhesive layer 3 is set to 0.01 μm or more and 1.50 μm or less, the roughening treatment is performed by an electrolytic roughening method. May adjust the roughening treatment time for immersing the untreated electrolytic metal foil or untreated rolled metal foil in the roughening solution, the concentration of the roughening solution, the liquid temperature of the roughening solution, and the like.

ステップ(a2)では、プラスチックフィルム2の片面に第1接着層3を介して金属箔4を接着する。具体的には、上述した第1接着層3を構成する材料を主成分とする第1接着剤をプラスチックフィルム2の片面又は金属箔4の片面に塗布して塗膜(以下、第1塗膜という場合がある)を形成し、プラスチックフィルム2、第1塗膜、金属箔4がこの順になるように積層し、熱圧着することで積層一体化する。この際、金属箔4の表面粗さ(Rz)が、0.01μm以上1.50μm以下である面が第1塗膜側となるように、金属箔4を配置する。工程(a2)を経て、図1に示す、プラスチックフィルム2と、プラスチックフィルム2の片面に形成された第1接着層3と、第1接着層3上に接着された金属箔4とを備えるシールド材1が得られる。   In step (a2), the metal foil 4 is bonded to one side of the plastic film 2 via the first adhesive layer 3. Specifically, the first adhesive mainly composed of the material constituting the first adhesive layer 3 described above is applied to one side of the plastic film 2 or one side of the metal foil 4 to form a coating film (hereinafter referred to as the first coating film). The plastic film 2, the first coating film, and the metal foil 4 are laminated so as to be in this order, and are laminated and integrated by thermocompression bonding. At this time, the metal foil 4 is arranged so that the surface having the surface roughness (Rz) of the metal foil 4 of 0.01 μm or more and 1.50 μm or less becomes the first coating film side. A shield comprising the plastic film 2, the first adhesive layer 3 formed on one surface of the plastic film 2, and the metal foil 4 adhered on the first adhesive layer 3 as shown in FIG. 1 through the step (a2). Material 1 is obtained.

熱圧着する方法としては、例えば、金型プレス、ラミネーターなどを用いることができる。熱圧着時の温度は好ましくは100〜150℃であり、処理時間は好ましくは1〜10分程度であり、雰囲気は好ましくは0.05〜0.20MPaである。   As a method for thermocompression bonding, for example, a die press, a laminator, or the like can be used. The temperature during thermocompression bonding is preferably 100 to 150 ° C., the treatment time is preferably about 1 to 10 minutes, and the atmosphere is preferably 0.05 to 0.20 MPa.

以下、電解金属箔4の製造方法の一例について具体的に説明する。   Hereinafter, an example of a method for producing the electrolytic metal foil 4 will be specifically described.

図4A,図4Bは,金属箔4を製造するための装置を説明するための断面図である。   4A and 4B are cross-sectional views for explaining an apparatus for manufacturing the metal foil 4.

まず、不溶性陽極210および導電支持体240に電源200を接続し、処理槽230内の電解液220中に不溶性陽極210および導電支持体240を浸漬して、導電支持体240の表面に未処理電解金属箔150を析出させる。   First, the power source 200 is connected to the insoluble anode 210 and the conductive support 240, and the insoluble anode 210 and the conductive support 240 are immersed in the electrolytic solution 220 in the treatment tank 230, so that untreated electrolysis is performed on the surface of the conductive support 240. Metal foil 150 is deposited.

この際、導電支持体240に加える電圧の印加方法等を最適化することで、厚み0.3μm以上9.9μm以下の金属箔150とすることができる。また、導電支持体240の表面に未処理電解金属箔150を連続的に析出させることで、厚みバラツキが低減された未処理電解金属箔150が得られる。   At this time, the metal foil 150 having a thickness of 0.3 μm or more and 9.9 μm or less can be obtained by optimizing a method of applying a voltage applied to the conductive support 240. In addition, by continuously depositing the untreated electrolytic metal foil 150 on the surface of the conductive support 240, the untreated electrolytic metal foil 150 with reduced thickness variation can be obtained.

電解液220としては、金属箔4と同等の純度をもつ未処理電解金属箔150を電解析出させることができる溶液であれば、金属箔4を構成する材料に応じて適宜選択すればよく、金属箔4を構成する材料が銅である場合は例えば硫酸銅溶液などを用いることができる。処理槽230はバッチ式の水槽であるが、ドラム式の水槽やドラム式の長尺対応の設備を用いることができる。長尺対応の設備を用いることで、長尺の金属箔4の、品質の安定化が可能となる。導電支持体240としては、例えば、銅板、長尺の銅箔、SUS板などの金属板であり、例えば厚み18μmの電解銅箔等の市販の金属箔を用いることができる。   The electrolytic solution 220 may be appropriately selected according to the material constituting the metal foil 4 as long as it is a solution capable of electrolytically depositing the untreated electrolytic metal foil 150 having a purity equivalent to that of the metal foil 4. When the material constituting the metal foil 4 is copper, for example, a copper sulfate solution can be used. The treatment tank 230 is a batch-type water tank, but a drum-type water tank or a drum-type facility corresponding to a long length can be used. By using the equipment corresponding to the long length, the quality of the long metal foil 4 can be stabilized. The conductive support 240 is, for example, a metal plate such as a copper plate, a long copper foil, or a SUS plate. For example, a commercially available metal foil such as an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm can be used.

なお、導電支持体240の表面に導電性の剥離層(図示していない)を形成し、次いでこの剥離層の表面に未処理電解金属箔150を析出させるのが好ましい。これにより、導電支持体240から金属箔4を剥離する作業性を高めることができる。剥離層としては、導電性を有していればよく、例えば、厚み1μm以下のニッケルを主体とした金属層などが挙げられる。   It is preferable to form a conductive release layer (not shown) on the surface of the conductive support 240 and then deposit the untreated electrolytic metal foil 150 on the surface of the release layer. Thereby, workability | operativity which peels the metal foil 4 from the electrically conductive support body 240 can be improved. As a peeling layer, what is necessary is just to have electroconductivity, For example, the metal layer etc. which mainly have nickel with a thickness of 1 micrometer or less are mentioned.

また、導電支持体240が電解銅箔からなる場合、電解銅箔からなる導電支持体240の光沢面(あるいは表面粗さの小さい面)に、未処理電解金属箔150を析出させることで、極薄であって厚みバラツキの小さい未処理電解金属箔150を析出させることができる。また電解銅箔からなる導電支持体240の表面粗さが、導電性の剥離層を介して、未処理電解金属箔150の表面粗さとして転写されることを利用することで、未処理電解金属箔150の表面粗さを調整することができる。   When the conductive support 240 is made of an electrolytic copper foil, the untreated electrolytic metal foil 150 is deposited on the glossy surface (or the surface having a small surface roughness) of the conductive support 240 made of the electrolytic copper foil. An untreated electrolytic metal foil 150 that is thin and has a small thickness variation can be deposited. Further, by utilizing the fact that the surface roughness of the conductive support 240 made of the electrolytic copper foil is transferred as the surface roughness of the untreated electrolytic metal foil 150 through the conductive release layer, the untreated electrolytic metal is used. The surface roughness of the foil 150 can be adjusted.

その後、図4Bに示すように、得られた導電支持体240付の未処理電解金属箔150を処理槽250内の粗化液260中に浸漬させて、未処理電解金属箔150の導電支持体240が付いていない側の表面に粗化処理を施す。これにより、導電支持体240付の金属箔4が得られる。   Thereafter, as shown in FIG. 4B, the obtained untreated electrolytic metal foil 150 with the conductive support 240 is immersed in the roughening liquid 260 in the treatment tank 250, so that the conductive support of the untreated electrolytic metal foil 150 is obtained. A roughening process is performed on the surface on which 240 is not attached. Thereby, the metal foil 4 with the conductive support 240 is obtained.

この際、未処理電解金属箔150を粗化液260に浸漬する粗化処理時間、粗化液260の濃度、粗化液260の液温等を最適化することで未処理電解金属箔150の表面粗さ(Rz)を0.01μm以上1.50μm以下とすることができる。   At this time, by optimizing the roughening treatment time for immersing the untreated electrolytic metal foil 150 in the roughening liquid 260, the concentration of the roughening liquid 260, the liquid temperature of the roughening liquid 260, etc. The surface roughness (Rz) can be 0.01 μm or more and 1.50 μm or less.

処理槽250はバッチ式の水槽である。粗化液260としては、例えば、一般に銅箔表面を粗化処理に使用されるブラックオキサイド処理液や、ブラウンオキサイド処理液などを用いることができる。   The treatment tank 250 is a batch type water tank. As the roughening liquid 260, for example, a black oxide treatment liquid or a brown oxide treatment liquid that is generally used for roughening the copper foil surface can be used.

プラスチックフィルム2の片面に第1接着剤を塗布して第1塗膜を形成し、プラスチックフィルム2、第1塗膜、金属箔4および導電支持体240がこの順になるように配置し、熱圧着することで積層一体化する。次いで、得られた積層体から導電支持体240を剥離、除去することで、プラスチックフィルム2と、プラスチックフィルム2の片面に形成された第1接着層3と、第1接着層3上に接着された金属箔4とを備えるシールド材1が得られる。   A first adhesive is applied to one side of the plastic film 2 to form a first coating film, and the plastic film 2, the first coating film, the metal foil 4 and the conductive support 240 are arranged in this order, and thermocompression bonding is performed. By doing so, the layers are integrated. Next, the conductive support 240 is peeled off and removed from the obtained laminate, so that the plastic film 2, the first adhesive layer 3 formed on one side of the plastic film 2, and the first adhesive layer 3 are adhered. The shield material 1 provided with the metal foil 4 is obtained.

(第2接着層を形成する工程(b))
工程(b)では、例えば、基板20の製造するステップ(b1)と、シールド材1および基板20を第2接着剤により貼り付けるステップ(b2)と、第2接着層30を形成するステップ(b3)とを含む。
(Step (b) of forming second adhesive layer)
In the step (b), for example, a step (b1) of manufacturing the substrate 20, a step (b2) of attaching the shield material 1 and the substrate 20 with the second adhesive, and a step of forming the second adhesive layer 30 (b3). ).

ステップ(b1)では、基板20を製造する。基板20の製造方法としては、例えば、両面金属箔積層板の両面の金属箔の一部を、サブトラクティブ法等を使用してエッチング除去して所定の回路を形成する方法などが挙げられる。両面金属箔積層板の製造方法としては、接着剤タイプの場合には、例えば、ドライラミネーション方式、熱プレス方式などの公知の製造方法が挙げられ、無接着剤タイプの場合には、例えば、キャスティング方式、スパッタリング方式、めっき方式などの公知の製造方法が挙げられる。   In step (b1), the substrate 20 is manufactured. Examples of the method for manufacturing the substrate 20 include a method in which a part of the metal foil on both surfaces of the double-sided metal foil laminate is removed by etching using a subtractive method or the like to form a predetermined circuit. As a method for producing a double-sided metal foil laminate, in the case of an adhesive type, for example, a known production method such as a dry lamination method or a hot press method may be mentioned, and in the case of an adhesiveless type, for example, casting Known production methods such as a method, a sputtering method, and a plating method can be used.

ステップ(b2)では、シールド材1と、基板20とを第2接着剤により貼り付ける。この際、シールド材1はプラスチックフィルム2が基板20側になるように配置する。   In step (b2), the shield material 1 and the substrate 20 are attached with a second adhesive. At this time, the shielding material 1 is arranged so that the plastic film 2 is on the substrate 20 side.

第2接着剤により貼り付ける方法としては、例えば、シールド材1のプラスチックフィルム2の表面に第2接着剤を塗布して塗膜(以下、第2塗膜という場合がある)を形成した後、基板20の片面とシールド材1とを重ね合わせ、次いで同様にして基板20の残りの面とシールド材1とを重ね合わせる方法や、基板20の片面に第2接着剤を塗布して第2塗膜を形成した後、この第2塗膜上にプラスチックフィルム2が第2塗膜側となるようにシールド材1を重ね合わせ、次いで同様にして基板20の残りの面にシールド材1を重ね合わせる方法など挙げられる。   As a method of pasting with the second adhesive, for example, after the second adhesive is applied to the surface of the plastic film 2 of the shield material 1 to form a coating film (hereinafter sometimes referred to as a second coating film), A method of superimposing one side of the substrate 20 and the shield material 1 and then superposing the remaining surface of the substrate 20 and the shield material 1 in the same manner, or applying a second adhesive to one side of the substrate 20 and applying the second coating After forming the film, the shield material 1 is overlaid on the second coating film so that the plastic film 2 is on the second coating film side, and then the shielding material 1 is overlaid on the remaining surface of the substrate 20 in the same manner. The method etc. are mentioned.

ステップ(b3)では、第2接着層30を形成する。これにより、図2に示すように、基板20と、基板20の表面に形成された第2接着層30と、第2接着層30上に接着され、基板20を覆うシールド材1とを備え、シールド材1はプラスチックフィルム2が基板20側になるように配置されたシールド材付基板10が得られる。   In step (b3), the second adhesive layer 30 is formed. Thereby, as shown in FIG. 2, the substrate 20, the second adhesive layer 30 formed on the surface of the substrate 20, and the shield material 1 that is bonded onto the second adhesive layer 30 and covers the substrate 20 are provided. As the shield material 1, a substrate 10 with a shield material is obtained in which the plastic film 2 is disposed on the substrate 20 side.

第2接着層30を形成する方法としては、例えば、ステップ(b2)で重ね合わせた積層体を熱圧着して、第2塗膜を硬化させて積層一体化する方法などが挙げられる。   Examples of the method for forming the second adhesive layer 30 include a method in which the laminated body superposed in step (b2) is subjected to thermocompression bonding, the second coating film is cured and laminated and integrated.

熱圧着時の温度は好ましくは150〜180℃であり、処理時間は好ましくは30〜60分であり、雰囲気は好ましくは0.05〜0.20MPaである。   The temperature at the time of thermocompression bonding is preferably 150 to 180 ° C., the treatment time is preferably 30 to 60 minutes, and the atmosphere is preferably 0.05 to 0.20 MPa.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。尚、本発明は、下記の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. In addition, this invention is not limited to the following Example.

実施例において、表面粗さ(Rz)、厚み、ガラス転移温度および弾性率の測定方法は下記のとおりである。   In the examples, methods for measuring surface roughness (Rz), thickness, glass transition temperature, and elastic modulus are as follows.

(表面粗さ(Rz))
株式会社東京精密製の表面粗さ計測器「SURFCOM1500SD表面粗さ計測器」を用いて、JIS B 0601−2013で定義される十点平均粗さ(RZJIS)を求めた。
(Surface roughness (Rz))
Using a surface roughness measuring instrument “SURFCOM 1500SD surface roughness measuring instrument” manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., ten-point average roughness (R ZJIS ) defined by JIS B 0601-2013 was determined.

(厚み)
被測定物を厚み方向に断面研磨し、OLYMPUS製の計測器付光学顕微鏡「LEXTOLS4100」を用いて、厚みを測定した。
(Thickness)
The object to be measured was subjected to cross-sectional polishing in the thickness direction, and the thickness was measured using an optical microscope with a measuring instrument “LEXTOLS4100” manufactured by OLYMPUS.

(ガラス転移温度)
ガラス転移温度(Tg)は、セイコーインスツルメンツ(株)製の粘弾性スペクトロメータ「DMS100」を用いて測定した。このとき、曲げモジュールで周波数を10Hzとして測定を行い、昇温速度5℃/分の条件で室温から280℃まで昇温した際にtanδが極大を示す温度をガラス転移温度(Tg)とした。
(Glass-transition temperature)
The glass transition temperature (Tg) was measured using a viscoelastic spectrometer “DMS100” manufactured by Seiko Instruments Inc. At this time, measurement was performed with a bending module at a frequency of 10 Hz, and the temperature at which tan δ reached a maximum when the temperature was raised from room temperature to 280 ° C. under a temperature rising rate of 5 ° C./min was defined as the glass transition temperature (Tg).

(弾性率)
動的粘弾性測定装置(セイコーインスツル社製「DMS210」)を用いて、25℃における弾性率を測定した。
(Elastic modulus)
The elastic modulus at 25 ° C. was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (“DMS210” manufactured by Seiko Instruments Inc.).

[実施例1]
プラスチックフィルム2、第1接着剤は下記のものを用いた。また、金属箔4は下記のようにして作製したものを用いた。
[Example 1]
The following were used for the plastic film 2 and the first adhesive. The metal foil 4 was prepared as follows.

(プラスチックフィルム2)
・東洋紡株式会社製のPETフィルム「コスモシャインA4300」(厚み:25μm、ガラス転移温度:80℃)を用いた。
(第1接着剤)
・三菱化学株式会社製の「jER ST11」を用いた。
(Plastic film 2)
A PET film “Cosmo Shine A4300” (thickness: 25 μm, glass transition temperature: 80 ° C.) manufactured by Toyobo Co., Ltd. was used.
(First adhesive)
-“JER ST11” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used.

(金属箔4の作製)
電解銅膜4を図4Aおよび図4Bに示す装置を用いて作製した。不溶性陽極210、電解液220、導電支持体240および粗化液260は下記のものを用いた。
<不溶性陽極210>
TDK株式会社製の「K−500」を用いた。
<電解液220>
硫酸銅5水和物150g/L、硫酸100g/L、3−Mercapto−1−propansulfonic Acid Sodium Salt(MPS)5ppm、ポリエチレングリコール(重量平均分子量:2000)15ppm、塩素イオン10ppmからなる硫酸銅溶液(pH:7)を用いた。
<導電支持体240>
電解銅箔(厚さ:12μm、光沢面の表面粗さRz:0.8μm)を用いた。
<粗化液260>
硫酸ニッケル280g/L、塩化ニッケル45g/L、クエン酸21g/Lの組成で調製したクエン酸ニッケルめっき浴(pH:5)を用いた。
(Preparation of metal foil 4)
The electrolytic copper film 4 was produced using the apparatus shown in FIGS. 4A and 4B. The following were used for the insoluble anode 210, the electrolytic solution 220, the conductive support 240, and the roughening solution 260.
<Insoluble anode 210>
“K-500” manufactured by TDK Corporation was used.
<Electrolytic solution 220>
Copper sulfate solution consisting of copper sulfate pentahydrate 150 g / L, sulfuric acid 100 g / L, 3-Mercapto-1-propansulfonic Acid Sodium Salt (MPS) 5 ppm, polyethylene glycol (weight average molecular weight: 2000) 15 ppm, chloride ion 10 ppm ( pH: 7) was used.
<Conductive support 240>
An electrolytic copper foil (thickness: 12 μm, glossy surface roughness Rz: 0.8 μm) was used.
<Roughening liquid 260>
A nickel citrate plating bath (pH: 5) prepared with a composition of nickel sulfate 280 g / L, nickel chloride 45 g / L, and citric acid 21 g / L was used.

まず、導電支持体240を、10%硫酸中、温度:30℃、電流密度:5A/dm、処理時間:20秒の条件で陰極処理により表面を清浄化した後、純水で20秒洗浄した。次いで、硫酸ニッケル6水和物30g/L、NaMoO2水和物3g/L、クエン酸ナトリウム40g/L、の組成で調製した剥離層形成用の電解液(pH:6)で、温度:30℃、電流密度:2A/dm、処理時間:20秒の条件で電解することにより、光沢面にNi成分を有する剥離層を導電支持体240の表面に形成した。次いで、導電支持体240を流水で20秒洗浄した後、ピロリン酸銅めっき浴により温度:30℃、pH:6.0、電流密度:0.5A/dm、処理時間:20秒の条件で陰極処理を行った後、純水で20秒洗浄した。 First, the conductive support 240 was cleaned by cathodic treatment under conditions of 10% sulfuric acid, temperature: 30 ° C., current density: 5 A / dm 2 , treatment time: 20 seconds, and then washed with pure water for 20 seconds. did. Next, an electrolyte solution (pH: 6) for forming a release layer prepared with the composition of nickel sulfate hexahydrate 30 g / L, Na 2 MoO 4 dihydrate 3 g / L, and sodium citrate 40 g / L. A release layer having a Ni component on the glossy surface was formed on the surface of the conductive support 240 by electrolysis under conditions of temperature: 30 ° C., current density: 2 A / dm 2 , and processing time: 20 seconds. Next, the conductive support 240 is washed with running water for 20 seconds, and then subjected to a temperature of 30 ° C., a pH of 6.0, a current density of 0.5 A / dm 2 , and a treatment time of 20 seconds using a copper pyrophosphate plating bath. After the cathode treatment, it was washed with pure water for 20 seconds.

さらに電解液220の中で、温度:40℃、電流密度:7A/dm、電解処理時間:60秒の条件で電解することにより、導電支持体240の表面に未処理電解銅箔150を析出した。未処理電解銅箔150の厚みは2μmであった。その後、未処理電解銅箔150を流水で20秒洗浄した後、公知の方法で防錆処理とシランカップリング剤処理を行った。 Furthermore, in the electrolytic solution 220, untreated electrolytic copper foil 150 is deposited on the surface of the conductive support 240 by electrolysis under conditions of temperature: 40 ° C., current density: 7 A / dm 2 , and electrolytic treatment time: 60 seconds. did. The thickness of the untreated electrolytic copper foil 150 was 2 μm. Thereafter, the untreated electrolytic copper foil 150 was washed with running water for 20 seconds, and then subjected to rust prevention treatment and silane coupling agent treatment by known methods.

その後、防錆処理を兼ねて、クエン酸ニッケルめっき浴粗化液260の中で、温度:50℃、電流密度:3.0A/dm、粗化処理時間:5秒の条件で未処理電解銅箔150の表面の粗化処理を行うことで、未処理電解銅箔150の表面に薄Ni層(粗化膜)を形成し、導電支持体250付きの電解銅箔4を得た。得られた電解銅箔4の粗化処理を施した表面の表面粗さ(Rz)は、1.30μmであった。 Thereafter, untreated electrolysis under conditions of temperature: 50 ° C., current density: 3.0 A / dm 2 , and roughening treatment time: 5 seconds in the nickel citrate plating bath roughening solution 260 also serving as rust prevention treatment By performing a roughening treatment on the surface of the copper foil 150, a thin Ni layer (roughening film) was formed on the surface of the untreated electrolytic copper foil 150, and the electrolytic copper foil 4 with the conductive support 250 was obtained. The surface roughness (Rz) of the surface subjected to the roughening treatment of the obtained electrolytic copper foil 4 was 1.30 μm.

<シール材1の作製>
まず、プラスチックフィルム2の片面に、第1接着層3を構成する接着剤を塗布して第1塗膜を形成した。次いで、導電支持体250付きの電解銅箔4を粗化処理された面が第1塗膜側となるように、プラスチックフィルム2、第1塗膜、金属箔4および導電支持体240を重ね合わせた。次いで、真空引き(50Torr以下)しながら150℃、1.3MPaの圧力で貼合し、60℃×7日間エージングした。この後、導電支持体250を剥離し、シール材1を得た。
<Preparation of sealing material 1>
First, the adhesive which comprises the 1st contact bonding layer 3 was apply | coated to the single side | surface of the plastic film 2, and the 1st coating film was formed. Next, the plastic film 2, the first coating film, the metal foil 4, and the conductive support body 240 are overlapped so that the roughened surface of the electrolytic copper foil 4 with the conductive support body 250 becomes the first coating film side. It was. Next, bonding was performed at 150 ° C. and a pressure of 1.3 MPa while evacuating (50 Torr or less), and aged at 60 ° C. for 7 days. Thereafter, the conductive support 250 was peeled off to obtain the sealing material 1.

シール材1の厚みは、35μmであった。第1接着層3の厚みは、8μmであった。
第1接着層3の25℃における弾性率は500GPaであった。第1接着層3のガラス転移温度は70℃であった。
The thickness of the sealing material 1 was 35 μm. The thickness of the first adhesive layer 3 was 8 μm.
The elastic modulus at 25 ° C. of the first adhesive layer 3 was 500 GPa. The glass transition temperature of the first adhesive layer 3 was 70 ° C.

[実施例2]
実施例1において、電解処理時間を240秒とすることにより、8μmの厚みの電解銅箔4を得た。また第1接着剤として、三菱化学株式会社製の「jER 1032H60」を用いた。その他の条件は実施例1と同じとした。
[Example 2]
In Example 1, the electrolytic copper foil 4 having a thickness of 8 μm was obtained by setting the electrolytic treatment time to 240 seconds. In addition, “jER 1032H60” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used as the first adhesive. Other conditions were the same as in Example 1.

シール材1の厚みは、41μmであった。第1接着層3の25℃における弾性率は50GPaであった。   The thickness of the sealing material 1 was 41 μm. The elastic modulus at 25 ° C. of the first adhesive layer 3 was 50 GPa.

[実施例3]
実施例1において、粗化処理時間を2秒とすることにより、表面粗さ(Rz)が、0.2μmの電解銅箔4を得た。また第1接着層3の厚みは、2μmとした。その他の条件は実施例1と同じとした。シール材1の厚みは、29μmであった。
[Example 3]
In Example 1, an electrolytic copper foil 4 having a surface roughness (Rz) of 0.2 μm was obtained by setting the roughening treatment time to 2 seconds. The thickness of the first adhesive layer 3 was 2 μm. Other conditions were the same as in Example 1. The thickness of the sealing material 1 was 29 μm.

[実施例4]
実施例1において、接着剤として、DIC株式会社製の「EXA−830LVP 」を用いた。その他の条件は実施例1と同じとした。第1接着層3の25℃における弾性率は1500GPaであった。
[Example 4]
In Example 1, “EXA-830LVP” manufactured by DIC Corporation was used as an adhesive. Other conditions were the same as in Example 1. The elastic modulus at 25 ° C. of the first adhesive layer 3 was 1500 GPa.

[比較例1]
実施例1において、電解処理時間を480秒とすることにより、15μmの厚みの電解銅箔4を得た。また、粗化処理時間を20秒とすることにより、表面粗さ(Rz)が、7.0μmの電解銅箔4を得た。第1接着層3の厚みは、15μmとした。その他の条件は実施例1と同じとした。シール材1の厚みは、55μmであった。
[Comparative Example 1]
In Example 1, the electrolytic copper foil 4 having a thickness of 15 μm was obtained by setting the electrolytic treatment time to 480 seconds. Moreover, by making the roughening treatment time 20 seconds, an electrolytic copper foil 4 having a surface roughness (Rz) of 7.0 μm was obtained. The thickness of the 1st contact bonding layer 3 was 15 micrometers. Other conditions were the same as in Example 1. The thickness of the sealing material 1 was 55 μm.

得られたシール材を用いてシールド材付基板を作製し、下記の評価を行った。   The board | substrate with a shielding material was produced using the obtained sealing material, and the following evaluation was performed.

<シールド材付基板の作製>
基板20、第2接着層形成用の接着剤は下記のものを用いた。
(基板20)
パナソニック株式会社製の「R−F775」を用いた。
(第2接着層形成用の接着剤)
三菱化学株式会社製の「jER ST11」を用いた。
<Manufacture of substrate with shield material>
The adhesives for forming the substrate 20 and the second adhesive layer were as follows.
(Substrate 20)
“R-F775” manufactured by Panasonic Corporation was used.
(Adhesive for forming second adhesive layer)
“JER ST11” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used.

まず、基板20の片面に第2接着剤を塗布して第2塗膜を形成した後、この第2塗膜上に、プラスチックフィルム2が第2塗膜側となるようにシールド材1を重ね合わせた。次いで、同様にして基板20の残りの面に第2接着剤を塗布して第2塗膜を形成した後、この第2塗膜上に、プラスチックフィルム2が第2塗膜側となるようにシールド材1を重ね合わせた。その後、温度:120℃、圧力:0.1MPa、処理時間:10分の圧力の条件で、熱圧着して積層一体化した。これにより、シールド材付基板10を得た。   First, a second adhesive is applied to one surface of the substrate 20 to form a second coating film, and then the shielding material 1 is overlaid on the second coating film so that the plastic film 2 is on the second coating film side. Combined. Next, after applying the second adhesive to the remaining surface of the substrate 20 in the same manner to form the second coating film, the plastic film 2 is placed on the second coating film side on the second coating film. The shield material 1 was overlapped. Thereafter, lamination was performed by thermocompression bonding under conditions of temperature: 120 ° C., pressure: 0.1 MPa, and processing time: pressure of 10 minutes. Thereby, the board | substrate 10 with a shielding material was obtained.

(可撓性評価)
200mm×5mmのシールド材付基板10を用い、JIS C 5016に規定される耐屈曲性試験を行った。屈曲性試験条件は、屈曲半径5mm、ストローク50mm、往復回数100回とした。シールド材付基板10の可撓性を下記の判断基準で評価した。
「◎」:シールド材付基板10に割れ、欠け、ひびが全く発生しない。
「○」:シールド材付基板10に割れ、欠けが発生しないが、わずかなひびが発生している。
「×」:シールド材付基板10の一部に割れ、欠け、が発生している。
(Flexibility evaluation)
A bending resistance test specified in JIS C 5016 was performed using a substrate 10 with a shield material of 200 mm × 5 mm. The bending test conditions were a bending radius of 5 mm, a stroke of 50 mm, and a reciprocation count of 100 times. The flexibility of the substrate with shield material 10 was evaluated according to the following criteria.
“◎”: The substrate with shield material 10 is not cracked, chipped or cracked at all.
“◯”: The substrate with shield material 10 is not cracked or chipped, but has a slight crack.
“X”: A crack or chipping occurs in a part of the substrate 10 with the shield material.

(絶縁性評価)
シールド材付基板10を、60℃、90%Rhの環境下に96時間放置した後に、基板20の表面の導体とシールド材1表面の金属箔との間に、DC500Vの電圧を印加し、絶縁性を下記の判断基準で評価した。
「○」:基板20の表面の回路22とシールド材1表面の金属箔4の絶縁抵抗が10Ω以上である。
「×」:基板20の表面の回路22とシールド材1表面の金属箔4の絶縁抵抗が10Ω未満である。
(Insulation evaluation)
After leaving the substrate 10 with the shielding material in an environment of 60 ° C. and 90% Rh for 96 hours, a voltage of DC 500 V is applied between the conductor on the surface of the substrate 20 and the metal foil on the surface of the shielding material 1 to insulate. Sex was evaluated according to the following criteria.
“◯”: The insulation resistance between the circuit 22 on the surface of the substrate 20 and the metal foil 4 on the surface of the shield material 1 is 10 6 Ω or more.
“X”: The insulation resistance between the circuit 22 on the surface of the substrate 20 and the metal foil 4 on the surface of the shield material 1 is less than 10 6 Ω.

(断線評価)
200mm×5mmの基板20の表面に、導体幅/導体間隙が100μm/100μmの配線パターンを形成したシールド材付基板10を用い、JIS C 5016に規定される耐屈曲性試験を行った。屈曲性試験条件は、屈曲半径5mm、ストローク50mm、往復回数100回とした。シールド材付基板10について下記の判断基準で断線評価した。
「○」:断線なし。
「×」:断線あり。
(Disconnection evaluation)
A bending resistance test specified in JIS C 5016 was performed using a substrate 10 with a shield material in which a wiring pattern with a conductor width / conductor gap of 100 μm / 100 μm was formed on the surface of a substrate 20 of 200 mm × 5 mm. The bending test conditions were a bending radius of 5 mm, a stroke of 50 mm, and a reciprocation count of 100 times. The disconnection evaluation was performed on the shielded substrate 10 according to the following criteria.
“O”: No disconnection.
“×”: There is a disconnection.

評価結果を表1に示す。   The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2016181615
Figure 2016181615

1 シール材
2 プラスチックフィルム
3 第1接着層
4 金属箔
10 シールド材付基板
20 基板
21 ベースフィルム
22 回路
30 第2接着層
150 未処理電解金属箔
200 電源
210 不溶性陽極
220 電解液
230 処理槽
240 導電支持体
250 処理槽
260 粗化液
300 メイン基板
310 外層回路
400 導電性接着剤層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sealing material 2 Plastic film 3 1st contact bonding layer 4 Metal foil 10 Board | substrate with a shielding material 20 Board | substrate 21 Base film 22 Circuit 30 2nd contact bonding layer 150 Untreated electrolytic metal foil 200 Power supply 210 Insoluble anode 220 Electrolytic solution 230 Processing tank 240 Conductivity Support 250 Treatment tank 260 Roughening liquid 300 Main substrate 310 Outer circuit 400 Conductive adhesive layer

Claims (7)

プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの片面に形成された第1接着層と、
前記第1接着層上に接着された金属箔とを備え、
前記金属箔は、厚み0.3μm以上9.9μm以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、
前記金属箔の前記第1接着層に面する側の表面粗さ(Rz)は、0.01μm以上1.50μm以下であることを特徴とするシールド材。
Plastic film,
A first adhesive layer formed on one side of the plastic film;
A metal foil adhered on the first adhesive layer,
The metal foil comprises an electrolytic metal foil or a rolled metal foil having a thickness of 0.3 μm or more and 9.9 μm or less,
A shielding material, wherein a surface roughness (Rz) of the metal foil facing the first adhesive layer is 0.01 μm or more and 1.50 μm or less.
前記第1接着層がアクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂から選ばれる少なくとも1種以上の樹脂を含むことを特徴とする請求項1に記載のシールド材。   The shielding material according to claim 1, wherein the first adhesive layer includes at least one resin selected from an acrylic resin, an epoxy resin, and a urethane resin. 前記第1接着層のガラス転移温度は、前記プラスチックフィルムのガラス転移温度よりも低いことを特徴とする請求項1または2に記載のシールド材。   The shield material according to claim 1 or 2, wherein the glass transition temperature of the first adhesive layer is lower than the glass transition temperature of the plastic film. 前記第1接着層の厚みは0.1μm以上10.0μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシールド材。   4. The shield material according to claim 1, wherein the first adhesive layer has a thickness of 0.1 μm to 10.0 μm. 前記第1接着層の25℃における弾性率が1000.0GPa以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシールド材。   The shielding material according to claim 1, wherein the first adhesive layer has an elastic modulus at 25 ° C. of 1000.0 GPa or less. 基板と、
前記基板の表面に形成された第2接着層と、
前記第2接着層上に接着され、前記基板を覆う請求項1乃至5のいずれか1項に記載のシールド材とを備え、
前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されていることを特徴とするシールド材付基板。
A substrate,
A second adhesive layer formed on the surface of the substrate;
The shield material according to any one of claims 1 to 5, wherein the shield material is bonded onto the second adhesive layer and covers the substrate.
The substrate with a shield material, wherein the shield material is arranged so that the plastic film is on the substrate side.
プラスチックフィルムの片面に第1接着層を介して金属箔が接着されたシールド材を準備する工程と、
前記シールド材の前記プラスチックフィルムと、基板とを第2接着層形成用の接着剤により貼り付けて、第2接着層を形成する工程とを含み、
前記金属箔は、厚み0.3μm以上9.9μm以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、
前記金属箔の前記第1接着層に面する側の表面粗さ(Rz)は、0.01μm以上1.50μm以下であり、
前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されていることを特徴とするシールド材付基板の製造方法。
Preparing a shield material in which a metal foil is bonded to one side of a plastic film via a first adhesive layer;
Bonding the plastic film of the shield material and the substrate with an adhesive for forming a second adhesive layer, and forming a second adhesive layer,
The metal foil comprises an electrolytic metal foil or a rolled metal foil having a thickness of 0.3 μm or more and 9.9 μm or less,
The surface roughness (Rz) on the side facing the first adhesive layer of the metal foil is 0.01 μm or more and 1.50 μm or less,
The method for manufacturing a substrate with a shield material, wherein the shield material is disposed such that the plastic film is on the substrate side.
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KR102018157B1 (en) * 2017-12-07 2019-09-04 한화큐셀앤드첨단소재 주식회사 Elctromagnetic interference shielding film, printed circuit board comprising the same and method for prepareing the same

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