JP2016178591A - 被加工基板の剥離方法および水晶デバイスの製造方法 - Google Patents
被加工基板の剥離方法および水晶デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016178591A JP2016178591A JP2015059157A JP2015059157A JP2016178591A JP 2016178591 A JP2016178591 A JP 2016178591A JP 2015059157 A JP2015059157 A JP 2015059157A JP 2015059157 A JP2015059157 A JP 2015059157A JP 2016178591 A JP2016178591 A JP 2016178591A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- crystal
- metal film
- quartz
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】金属膜のエッチング時間を短縮する剥離方法と、その剥離方法によって製造される水晶デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の被加工基板の剥離方法は、金属膜140が設けられている被加工基板としての水晶基板110と支持基板150とを、金属膜140をエッチングすることによって剥離し、金属膜140は、水晶基板110の平面視で、水晶基板110のドライエッチングによる加工領域Bと、水晶基板110の外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、に形成されている。【選択図】図8
Description
本発明は、被加工基板の剥離方法および水晶デバイスの製造方法に関する。
従来、水晶基板や半導体基板などの被加工基板をドライエッチングにより加工する場合、これら被加工基板にニッケル(Ni)膜などの金属膜(無機膜)を形成し、ワックスや粘着テープなどの固着部材を用いて支持基板(補強板)を貼り合わせて、金属膜のパターニングをフォトリソグラフィによって行い、パターニングされた金属膜をエッチングマスクとしてドライエッチングを行う。被加工基板を所定の形状に加工後、金属膜をエッチング液に浸すことによってエッチングし、支持基板から被加工基板を剥離(分離)するという製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に記載の製造方法では、パターニングされた金属膜をマスクとしてドライエッチングによって被加工基板(半導体基板)を所定の形状に加工した後、エッチング液に浸して金属膜をエッチングし、支持基板から被加工基板を剥離する。その際に、金属膜が被加工基板と支持基板とによって全面が挟み込まれている状態となっているため、外部に僅かに露出している金属膜の側面、つまり、狭い領域からエッチング液を浸透させて金属膜をエッチングしなければならず、エッチング時間が長くなり、被加工基板の剥離に長時間を要するという課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る被加工基板の剥離方法は、金属膜が設けられている被加工基板を固着部材を用いて支持基板上に固定し、前記被加工基板をドライエッチングで加工後、前記金属膜をエッチングすることによって、前記被加工基板と前記支持基板とを剥離する被加工基板の剥離方法であって、前記金属膜は、前記被加工基板の平面視で、前記被加工基板の前記ドライエッチングによる加工領域と、前記被加工基板の外縁より内側で前記加工領域の外側の領域と、に形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、金属膜をエッチングし被加工基板を剥離する際に、金属膜が被加工基板の外縁より内側に形成されているため、被加工基板の外縁まで形成されている場合に比べ、エッチングする金属膜の面積が小さい。従って、金属膜をエッチングする時間を短縮することが可能となり、被加工基板の剥離時間を短縮することができる。
[適用例2]上記適用例に記載の被加工基板の剥離方法において、前記金属膜がニッケル(Ni)を含む膜であることが好ましい。
本適用例によれば、金属膜をニッケル(Ni)を含む膜とすることにより、無電解めっきで形成することができるため、膜厚を厚くしても安定した膜を形成することができる。また、リフトオフ法によりパターニングが容易であり、更にエッチングし易いので作業性の向上を図ることができる。
[適用例3]上記適用例に記載の被加工基板の剥離方法において、前記被加工基板が水晶基板であることが好ましい。
本適用例によれば、被加工基板が水晶基板であることにより、温度特性が優れ、高いQ値を有する水晶デバイスを得ることができる。
[適用例4]本適用例に係る水晶デバイスの製造方法は、金属膜が設けられている水晶基板を固着部材を用いて支持基板上に固定する支持基板固定工程と、前記水晶基板をドライエッチングするドライエッチング工程と、前記水晶基板と前記支持基板とを剥離する支持基板分離工程と、加工された水晶振動片を前記水晶基板から個片化する個片化工程と、前記水晶振動片をパッケージに組み込む搭載工程と、を含み、前記金属膜は、前記水晶基板の平面視で、前記水晶基板の前記ドライエッチングによる加工領域と、前記水晶基板の外縁より内側で前記加工領域の外側の領域と、に形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、金属膜をエッチングし支持基板から水晶基板を剥離する際に、金属膜が水晶基板の外縁より内側に形成されているため、金属膜が水晶基板の外縁まで形成されている場合に比べ、エッチングする金属膜の面積が小さい。そのため、金属膜をエッチングする時間を短縮することが可能となり、水晶基板の剥離時間を短縮することができ、水晶デバイスを短時間で製造することができる。
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにして、説明を分かりやすくするため、各層や各部材の尺度を実際とは異なる尺度で記載している場合がある。また、同一または類似の構成要素には、同一または類似の参照符号を付して示す。
<実施形態>
[水晶振動子]
本実施形態に係る水晶振動片10を備えた水晶デバイスとしての水晶振動子30の構造について説明する。
図1は、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子30の構成を示す概略断面図である。図1に示すように、水晶振動子30は、水晶振動片10と、水晶振動片10が搭載されているパッケージ31と、リッド35と、を含み構成されている。
なお、図1では、水晶振動片10を基準として、リッド35が配置されている方向を上方向、底板32が配置されている方向を下方向とし、底板32、側壁33などの各部材において、上方向に配置されている面を上面、下方向に配置されている面を下面として説明する。
[水晶振動子]
本実施形態に係る水晶振動片10を備えた水晶デバイスとしての水晶振動子30の構造について説明する。
図1は、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子30の構成を示す概略断面図である。図1に示すように、水晶振動子30は、水晶振動片10と、水晶振動片10が搭載されているパッケージ31と、リッド35と、を含み構成されている。
なお、図1では、水晶振動片10を基準として、リッド35が配置されている方向を上方向、底板32が配置されている方向を下方向とし、底板32、側壁33などの各部材において、上方向に配置されている面を上面、下方向に配置されている面を下面として説明する。
(パッケージ)
まず、パッケージ31について説明する。パッケージ31は、底板32と、側壁33と、シームリング34などから構成されている。底板32は、パッケージ31の底部を構成しており、側壁33は、底板32の上面周縁部に枠状に設けられている。パッケージ31の外形形状は限定されず、例えば、直方体状、円柱状などとすることができる。
まず、パッケージ31について説明する。パッケージ31は、底板32と、側壁33と、シームリング34などから構成されている。底板32は、パッケージ31の底部を構成しており、側壁33は、底板32の上面周縁部に枠状に設けられている。パッケージ31の外形形状は限定されず、例えば、直方体状、円柱状などとすることができる。
底板32および側壁33は、水晶振動片10やリッド35の熱膨張係数と一致、あるいは極力近い熱膨張係数を備えた材料によって形成されるのが好ましく、本実施形態ではセラミックを用いている。
具体的には、底板32および側壁33は、所定の形状に成形されたセラミックグリーンシートを積層し、焼結することによって形成される。セラミックグリーンシートは、例えば、所定の溶液中にセラミックのパウダーを分散させ、バインダーを添加して生成される混練物がシート状に形成されたものである。
具体的には、底板32および側壁33は、所定の形状に成形されたセラミックグリーンシートを積層し、焼結することによって形成される。セラミックグリーンシートは、例えば、所定の溶液中にセラミックのパウダーを分散させ、バインダーを添加して生成される混練物がシート状に形成されたものである。
シームリング34は、側壁33とリッド35との接合材として、例えば、コバールなどの合金で形成されており、側壁33の上面に沿って枠状(略矩形状の周状)に設けられている。
また、底板32の上面には、水晶振動片10を搭載する実装電極部36が設けられている。実装電極部36は、例えば、銀(Ag)・パラジウム(Pd)などの導電ペーストあるいはタングステンメタライズなどを用い、必要とされる形状を形成後に焼成を行い、その後、ニッケル(Ni)および金(Au)あるいは銀(Ag)などをめっきすることによって形成される。
実装電極部36は、外部の実装基板と接続して、水晶振動片10に駆動電圧を供給するため、あるいは、周波数などの電気信号を出力するために使用される電極である。
実装電極部36は、外部の実装基板と接続して、水晶振動片10に駆動電圧を供給するため、あるいは、周波数などの電気信号を出力するために使用される電極である。
実装電極部36上に導電性接着剤37が塗布され、更に、その導電性接着剤37上に水晶振動片10の基部20の下面(第2主面12)が導電性接着剤37と接触するように搭載されることによって、水晶振動片10がパッケージ31に固定されている。
導電性接着剤37としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒などの導電性の粒子を含有させたシリコーン系、エポキシ系、ビスマレイミド系またはポリイミド系の導電性接着剤などを使用することができる。
実装電極部36は、導電性接着剤37を経由して水晶振動片10に設けられている接続端子(図示せず)に電気的に接続されており、底板32内の配線(図示せず)を通じて、底板32の下面に設けられているパッド電極38にも電気的に接続されている。
パッド電極38は、実装電極部36と同様に、例えば、銀(Ag)・パラジウム(Pd)などの導電ペーストあるいはタングステンメタライズ上にニッケル(Ni)めっきおよび金(Au)あるいは銀(Ag)めっきで形成されている。
(リッド)
次に、リッド35は、パッケージ31の開口を封止する平板形状を有しており、材質はパッケージ31との熱膨張率が近似したものが適しており、セラミック、ガラス、金属などを選択することができる。特に、封止後の周波数調整を可能にするために、ガラスなどの光透過材料が適しており、例えば、硼珪酸ガラスや水晶などの板体を選択することができる。また、金属を選択する場合には、一般に他の材料よりも割れや欠けが発生し難く、機械的強度が高い利点があり、例えば、コバールなどを使用することができる。
次に、リッド35は、パッケージ31の開口を封止する平板形状を有しており、材質はパッケージ31との熱膨張率が近似したものが適しており、セラミック、ガラス、金属などを選択することができる。特に、封止後の周波数調整を可能にするために、ガラスなどの光透過材料が適しており、例えば、硼珪酸ガラスや水晶などの板体を選択することができる。また、金属を選択する場合には、一般に他の材料よりも割れや欠けが発生し難く、機械的強度が高い利点があり、例えば、コバールなどを使用することができる。
実装電極部36に水晶振動片10を搭載した後、シームリング34を介してパッケージ31(側壁33)とリッド35とを接合する。接合後、パッケージ31およびリッド35によって形成される内部空間39は、密閉することができるため、水晶振動片10を減圧空間や不活性ガス雰囲気に設置することができる。
密封された内部空間39は、その内部圧力を所望の気圧に設定できる。例えば、内部空間39に窒素ガスを充填して大気圧としたり、通常の大気圧より低い圧力(1×105Pa〜1×10-10Pa以下(JIS Z 8126−1:1999))の気体で満たされた空間の状態(以下、真空と言う)としたりすることで、外部からの水分や塵埃の浸入を防ぎ、内部空間39が外部に開放されている場合と比較して、安定した水晶振動片10の振動を継続することができる。
本実施形態の内部空間39は、真空に密閉されている。そのため、水晶振動片10のQ値を高められ、水晶振動子30を低消費電力化することができ、さらに、安定した水晶振動片10の振動を継続することができる。なお、水晶振動子30は、内部空間39に発振回路を備える構成としてもよい。
(水晶振動片)
次に、水晶振動片10について説明する。図2は、本実施形態に係る水晶振動片10の概略構成を示す斜視図である。図2に示すように、水晶振動片10は、X軸とX軸に直交するY軸とからなる平面に展開され、互いに表裏関係にある第1主面11と第2主面12とを有する。なお、第1主面11および第2主面12に垂直な軸をZ軸とする。水晶振動片10の材料は水晶であるから、X軸は電気軸、Y軸は機械軸、Z軸は光学軸である。
次に、水晶振動片10について説明する。図2は、本実施形態に係る水晶振動片10の概略構成を示す斜視図である。図2に示すように、水晶振動片10は、X軸とX軸に直交するY軸とからなる平面に展開され、互いに表裏関係にある第1主面11と第2主面12とを有する。なお、第1主面11および第2主面12に垂直な軸をZ軸とする。水晶振動片10の材料は水晶であるから、X軸は電気軸、Y軸は機械軸、Z軸は光学軸である。
水晶振動片10は、基部20と、基部20の+Y軸方向の端部から+Y軸方向に延出される第1振動腕21および第2振動腕22と、基部20の−Y軸方向の端部から−Y軸方向に延出される第3振動腕23および第4振動腕24と、を備えている。
基部20と第1振動腕21と第2振動腕22とで1つの音叉形振動片を構成し、基部20と第3振動腕23と第4振動腕24とで1つの音叉形振動片を構成している。この二つの音叉形振動片は基部20で結合されている。このような構成の水晶振動片10をH型振動片と呼ぶことがある。
なお、振動片は、H型振動片に限らず、音叉型振動片、ダブルT型振動片、さらに、ATカット振動片、SCカット振動片など各種振動片にも適用可能である。以下の説明では、他被加工基板と比較して高いQ値が得られる被加工基板としての水晶基板110(図3参照)を使用して製造された水晶振動片10を搭載した本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子30について説明しているが、水晶以外の圧電体材料を用いることも可能である。
水晶以外の圧電体材料としては、例えば、窒化アルミニウム(AlN)や、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、四ほう酸リチウム(Li2B4O7)、ランガサイト(La3Ga5SiO14)などの酸化物基板を挙げることができる。
また、ガラス基板、石英基板、Si基板などの表面にGaN、窒化アルミニウム、五酸化タンタル(Ta2O5)などの機能性膜を積層させて構成された積層圧電基板、あるいは圧電セラミックスなどを用いることもできる。
また、ガラス基板、石英基板、Si基板などの表面にGaN、窒化アルミニウム、五酸化タンタル(Ta2O5)などの機能性膜を積層させて構成された積層圧電基板、あるいは圧電セラミックスなどを用いることもできる。
第1振動腕21と第2振動腕22は互いに平行で同じ長さ、同じ断面形状で構成され、第3振動腕23と第4振動腕24は互いに平行で同じ長さ、同じ断面形状で構成されている。本実施形態では、水晶振動片10は、角速度センサー素子を例示している。
従って、第1振動腕21と第2振動腕22とが駆動腕(励振腕)であって、第3振動腕23と第4振動腕24とが検出腕である。よって、以降の説明では、第3振動腕23を第1検出腕23、第4振動腕24を第2検出腕24と表す。
従って、第1振動腕21と第2振動腕22とが駆動腕(励振腕)であって、第3振動腕23と第4振動腕24とが検出腕である。よって、以降の説明では、第3振動腕23を第1検出腕23、第4振動腕24を第2検出腕24と表す。
本実施形態では、第1振動腕21および第2振動腕22は、断面形状が矩形であり、第1検出腕23および第2検出腕24の断面形状も、第1振動腕21および第2振動腕22と同じ矩形である。
また、第1振動腕21、第2振動腕22、第1検出腕23および第2検出腕24の表面、つまり、第1主面11および第2主面12に溝(図示せず)が設けられていてもよい。溝を設けることによって、Q値が高くなり、低消費電力化された水晶振動片10を得ることができる。
さらに、図示は省略するが、第1振動腕21と第2振動腕22の第1主面11および第2主面12、第1主面11と第2主面12との間の側面には駆動(励振)用の電極(図示せず)が形成されている。
また、第1検出腕23と第2検出腕24の第1主面11および第2主面12、第1主面11と第2主面12との間の側面には検出用の電極(図示せず)が形成されている。
また、第1検出腕23と第2検出腕24の第1主面11および第2主面12、第1主面11と第2主面12との間の側面には検出用の電極(図示せず)が形成されている。
駆動用の電極は、第1振動腕21と第2振動腕22の表面を介して基部20の第1主面11および第2主面12に延出され、検出用の電極は、第1検出腕23と第2検出腕24の表面を介して基部20の第1主面11および第2主面12に延出されている。
水晶振動片10は、角速度センサー素子であるから、第1振動腕21と第2振動腕22は、それぞれ±X軸方向に変位可能である。そして、励振用の電極に励振信号(交流信号)を入力することで、第1振動腕21と第2振動腕22とは、±X軸方向に変位する屈曲振動をする。
励振信号を入力しているときに、検出軸であるY軸まわりに水晶振動片10を回転させると、第1振動腕21と第2振動腕22との振動方向(面内振動)に対して直角方向にコリオリの力が発生し、このコリオリの力によって、第1振動腕21、第2振動腕22が±Z軸方向に変位する面外振動の固有振動が励起される。
この面外振動が、基部20を介して第1検出腕23と第2検出腕24に伝わり、第1検出腕23と第2検出腕24とに±Z軸方向に変位する面外振動の固有振動が励起される。
この面外振動が、基部20を介して第1検出腕23と第2検出腕24に伝わり、第1検出腕23と第2検出腕24とに±Z軸方向に変位する面外振動の固有振動が励起される。
そのとき、第1検出腕23と第2検出腕24には圧電効果によって、電気軸であるX軸方向に分極が生じる。そして、検出用の電極に発生する表面電荷量を測定することで角速度を検出することができる。
[水晶振動子の製造方法]
次に、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子30の製造方法を、図3および図4を参照して説明する。
図3は、複数の水晶振動片を形成する場合の水晶基板を示す概略平面図である。図4は、複数の水晶基板を固定した支持基板を示す概略平面図である。
図3に示すように、水晶振動片10は、単一の水晶基板110に複数(図3では6個)並べて配置され、基部20と、基部20から延出された第1振動腕21、第2振動腕22、第1検出腕23、第2検出腕24などが形成されている。この時点では、水晶振動片10は、基部20において連結部28を介して水晶基板110と連結されている。
次に、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子30の製造方法を、図3および図4を参照して説明する。
図3は、複数の水晶振動片を形成する場合の水晶基板を示す概略平面図である。図4は、複数の水晶基板を固定した支持基板を示す概略平面図である。
図3に示すように、水晶振動片10は、単一の水晶基板110に複数(図3では6個)並べて配置され、基部20と、基部20から延出された第1振動腕21、第2振動腕22、第1検出腕23、第2検出腕24などが形成されている。この時点では、水晶振動片10は、基部20において連結部28を介して水晶基板110と連結されている。
以下の説明では、水晶基板110に複数の水晶振動片10を形成し、水晶振動片10の集合体として一括して製造する製造方法を例示しているが、製造方法としては、このような集合体による一括製造に限らず、1枚の水晶基板110に対して1つの水晶振動片10を形成する製造方法でも適用可能である。
図4に示すように、水晶振動片10が複数(図4では6個)並べて配置されている水晶基板110を、シリコンなどの支持基板150上に複数(図4では5枚)並べて、一括して水晶振動片10を製造してもよい。
図4に示すように、水晶振動片10が複数(図4では6個)並べて配置されている水晶基板110を、シリコンなどの支持基板150上に複数(図4では5枚)並べて、一括して水晶振動片10を製造してもよい。
次に、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子30の製造方法の工程を、図5〜図8を参照して説明する。
図5は、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子の製造方法の主要工程を示すフローチャートである。図6(a)〜図6(f)と図7(g)〜図7(j)とは、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子の製造方法の主要工程を示す図3中のA−A線における概略断面図である。図8は、本実施形態に係る金属膜がパターニングされた水晶基板を示す概略平面図である。
図5は、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子の製造方法の主要工程を示すフローチャートである。図6(a)〜図6(f)と図7(g)〜図7(j)とは、本実施形態に係る水晶デバイスとしての水晶振動子の製造方法の主要工程を示す図3中のA−A線における概略断面図である。図8は、本実施形態に係る金属膜がパターニングされた水晶基板を示す概略平面図である。
水晶振動子30の製造方法は、図5に示すように、支持基板固定工程(ST7)と、ドライエッチング工程(ST8)と、支持基板分離工程(ST9)と、個片化工程(ST13)と、搭載工程(ST14)と、を含んでいる。
{下地膜形成工程(ST1)}
先ず、下地膜形成工程(ST1)では、被加工物としての水晶基板110の第1主面110aおよび第2主面110bに下地膜120を形成する。図6(a)は、水晶基板110に下地膜120を形成した後の概略断面図である。下地膜120は、スパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、無電解めっき法などで成膜できる。下地膜120の材料としては、例えば、金(Au)、銅(Cu)、チタンタングステン(TiW)、クロム(Cr)、ニッケルクロム(NiCr)、アルミニウム(Al)などを使用することができる。水晶基板110と下地膜120との密着性を高めるための密着層(図示せず)が設けられていてもよい。本実施形態では、厚さ略110μmの水晶基板110上にクロム(Cr)の密着層を介して厚さ略100nmの下地膜120を銅(Cu)で形成している。
先ず、下地膜形成工程(ST1)では、被加工物としての水晶基板110の第1主面110aおよび第2主面110bに下地膜120を形成する。図6(a)は、水晶基板110に下地膜120を形成した後の概略断面図である。下地膜120は、スパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、無電解めっき法などで成膜できる。下地膜120の材料としては、例えば、金(Au)、銅(Cu)、チタンタングステン(TiW)、クロム(Cr)、ニッケルクロム(NiCr)、アルミニウム(Al)などを使用することができる。水晶基板110と下地膜120との密着性を高めるための密着層(図示せず)が設けられていてもよい。本実施形態では、厚さ略110μmの水晶基板110上にクロム(Cr)の密着層を介して厚さ略100nmの下地膜120を銅(Cu)で形成している。
{保護膜パターニング工程(ST2)}
保護膜パターニング工程(ST2)では、フォトリソグラフィ技術を用いて一方(+Z軸方向)の主面上にポジレジストなどの保護膜130をパターニングする。図6(b)は、パターニング後の概略断面図である。保護膜130は、例えばコーターなどを使用して水晶基板110の第1主面110aおよび第2主面110bに略1μmの厚さで均一に塗布される。水晶基板110に塗布された保護膜130は、例えば、コンタクトアライナー、プロキシミティアライナーなどの露光装置を用いて図8に示すようにパターニングするフォトマスクを介して露光される。その後、保護膜130を現像することにより、平面視において、水晶基板110の外縁に接して開口されたパターンの保護膜130が形成される。所謂、保護膜130は、図8に示すように、後のドライエッチング工程(ST8)においてエッチングする加工領域Bと、水晶基板110外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、にパターニングされる。
保護膜パターニング工程(ST2)では、フォトリソグラフィ技術を用いて一方(+Z軸方向)の主面上にポジレジストなどの保護膜130をパターニングする。図6(b)は、パターニング後の概略断面図である。保護膜130は、例えばコーターなどを使用して水晶基板110の第1主面110aおよび第2主面110bに略1μmの厚さで均一に塗布される。水晶基板110に塗布された保護膜130は、例えば、コンタクトアライナー、プロキシミティアライナーなどの露光装置を用いて図8に示すようにパターニングするフォトマスクを介して露光される。その後、保護膜130を現像することにより、平面視において、水晶基板110の外縁に接して開口されたパターンの保護膜130が形成される。所謂、保護膜130は、図8に示すように、後のドライエッチング工程(ST8)においてエッチングする加工領域Bと、水晶基板110外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、にパターニングされる。
{下地膜パターニング工程(ST3)}
下地膜パターニング工程(ST3)では、パターニングされた保護膜130をマスクとして第2主面110b側の下地膜120をパターニングする。図6(c)は、パターニング後の概略断面図である。マスクとなる保護膜130から露出した下地膜120を剥離することで、下地膜120は、図8に示すように、後のドライエッチング工程(ST8)においてエッチングする加工領域Bと、水晶基板110の外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、にパターニングされる。下地膜120の剥離方法としては、下地膜120に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地膜120に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
なお、下地膜120のパターニング後は、保護膜130をレジスト剥離剤を用いたウェットエッチング法や、オゾンやプラズマを用いたドライエッチング法などを用いて剥離する。
下地膜パターニング工程(ST3)では、パターニングされた保護膜130をマスクとして第2主面110b側の下地膜120をパターニングする。図6(c)は、パターニング後の概略断面図である。マスクとなる保護膜130から露出した下地膜120を剥離することで、下地膜120は、図8に示すように、後のドライエッチング工程(ST8)においてエッチングする加工領域Bと、水晶基板110の外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、にパターニングされる。下地膜120の剥離方法としては、下地膜120に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地膜120に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
なお、下地膜120のパターニング後は、保護膜130をレジスト剥離剤を用いたウェットエッチング法や、オゾンやプラズマを用いたドライエッチング法などを用いて剥離する。
{保護膜パターニング工程(ST4)}
保護膜パターニング工程(ST4)では、フォトリソグラフィ技術を用いて第1主面110a上にネガレジストなどの保護膜132をパターニングする。図6(d)は、パターニング後の概略断面図である。保護膜132は、例えばコーターなどを使用して水晶基板110の第1主面110aに略25μmの厚さで均一に塗布される。水晶基板110に塗布された保護膜132は、例えば、コンタクトアライナー、プロキシミティアライナーなどの露光装置を用いて図示しないフォトマスクを介して露光される。その後、保護膜132を現像することにより、平面視における水晶振動片10(図3参照)の外形形状に開口されたパターンの保護膜132が形成される。
保護膜パターニング工程(ST4)では、フォトリソグラフィ技術を用いて第1主面110a上にネガレジストなどの保護膜132をパターニングする。図6(d)は、パターニング後の概略断面図である。保護膜132は、例えばコーターなどを使用して水晶基板110の第1主面110aに略25μmの厚さで均一に塗布される。水晶基板110に塗布された保護膜132は、例えば、コンタクトアライナー、プロキシミティアライナーなどの露光装置を用いて図示しないフォトマスクを介して露光される。その後、保護膜132を現像することにより、平面視における水晶振動片10(図3参照)の外形形状に開口されたパターンの保護膜132が形成される。
{金属膜形成工程(ST5)}
金属膜形成工程(ST5)では、水晶基板110をエッチングして水晶振動片10を形成する際のマスクになる金属膜140を水晶基板110の第1主面110aおよび第2主面110b側に形成する。図6(e)は、金属膜140を形成した後の概略断面図である。金属膜140は、パターニングした保護膜132をマスクとして露出している第1主面110a側の下地膜120の上と、第2主面110b側の下地膜120の上と、にめっき技術により形成される。金属膜140は、ニッケル(Ni)を無電解めっき法により略15μmの厚さで形成されている。
金属膜形成工程(ST5)では、水晶基板110をエッチングして水晶振動片10を形成する際のマスクになる金属膜140を水晶基板110の第1主面110aおよび第2主面110b側に形成する。図6(e)は、金属膜140を形成した後の概略断面図である。金属膜140は、パターニングした保護膜132をマスクとして露出している第1主面110a側の下地膜120の上と、第2主面110b側の下地膜120の上と、にめっき技術により形成される。金属膜140は、ニッケル(Ni)を無電解めっき法により略15μmの厚さで形成されている。
なお、本実施形態の第2主面110b側の下地膜120の上に形成された金属膜140は、図8に示すように、水晶基板110の平面視で、水晶基板110をドライエッチングによる加工領域Bと、水晶基板110の外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、を覆うようにパターニングされている。
また、金属膜140は、ドライエッチングにおいて、水晶と比較して選択比が高い材料であれば、ニッケル以外の金属や金属化合物で形成してもよいが、ニッケルで形成することによって、他の金属と比較して、膜厚を厚くしても下地膜120上に安定した金属膜140を無電解めっき技術で容易に形成することができる。更に、ニッケルはパターニングし易く、更に、剥離し易いので作業性の向上を図ることができる。
ニッケル以外の材料としては、例えば、ニッケルを含む合金めっきとしてニッケル−リン(Ni‐P)、ニッケル−ホウ素(Ni‐B)、ニッケル−タングステン−リン(Ni‐W‐P)などやクロム(Cr)などが挙げられる。
{保護膜剥離工程(ST6)}
保護膜剥離工程(ST6)では、保護膜132と下地膜120とを除去して金属膜140による金属マスクを形成する。図6(f)は、保護膜132と下地膜120とを剥離した後の概略断面図である。金属膜形成工程(ST5)で下地膜120のマスクとして使用され不要となった保護膜132を剥離し、露出した下地膜120を除去することで、水晶振動片10の外形形状にパターニングされた金属膜140による金属マスクが形成される。保護膜132の剥離方法としては、保護膜剥離剤を用いたウェットエッチング法や、オゾンやプラズマを用いたドライエッチング法などを用いることができる。また、下地膜120の剥離方法としては、下地膜120に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地膜120に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
保護膜剥離工程(ST6)では、保護膜132と下地膜120とを除去して金属膜140による金属マスクを形成する。図6(f)は、保護膜132と下地膜120とを剥離した後の概略断面図である。金属膜形成工程(ST5)で下地膜120のマスクとして使用され不要となった保護膜132を剥離し、露出した下地膜120を除去することで、水晶振動片10の外形形状にパターニングされた金属膜140による金属マスクが形成される。保護膜132の剥離方法としては、保護膜剥離剤を用いたウェットエッチング法や、オゾンやプラズマを用いたドライエッチング法などを用いることができる。また、下地膜120の剥離方法としては、下地膜120に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地膜120に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
{支持基板固定工程(ST7)}
支持基板固定工程(ST7)では、シリコンなどの支持基板150上に両面接着テープなどの固着部材160を介して金属膜140による金属マスクが形成された水晶基板110を固定する。図7(g)は、支持基板150上に水晶基板110を固定した後の概略断面図である。水晶基板110は固着部材160を介して支持基板150に貼り合わせた状態で、ドライエッチング装置の真空容器内への搬入と真空容器内に設けられたステージへの載置がなされる。前述のように本実施形態の水晶基板110は厚さが略110μmと非常に薄いが、厚さが600〜800μmと十分な強度を有する支持基板150に貼り合わせた状態で取り扱うことによって搬入時に作用する外力による水晶基板110の損傷を確実に防止できる。
支持基板固定工程(ST7)では、シリコンなどの支持基板150上に両面接着テープなどの固着部材160を介して金属膜140による金属マスクが形成された水晶基板110を固定する。図7(g)は、支持基板150上に水晶基板110を固定した後の概略断面図である。水晶基板110は固着部材160を介して支持基板150に貼り合わせた状態で、ドライエッチング装置の真空容器内への搬入と真空容器内に設けられたステージへの載置がなされる。前述のように本実施形態の水晶基板110は厚さが略110μmと非常に薄いが、厚さが600〜800μmと十分な強度を有する支持基板150に貼り合わせた状態で取り扱うことによって搬入時に作用する外力による水晶基板110の損傷を確実に防止できる。
{ドライエッチング工程(ST8)}
ドライエッチング工程(ST8)では、ドライエッチング装置(図示せず)を用いて金属膜140による金属マスクを保護部として水晶振動片10の外形形状に水晶基板110をエッチングする。ドライエッチング装置には、一例として、ICP(Inductive Coupling Plasma)型(誘導結合型)のRIE(Reactive Ion Etching)装置を用いる。図7(h)は、水晶基板110をエッチングし水晶振動片10の外形形状を形成した後の概略断面図である。
ドライエッチング工程(ST8)では、ドライエッチング装置(図示せず)を用いて金属膜140による金属マスクを保護部として水晶振動片10の外形形状に水晶基板110をエッチングする。ドライエッチング装置には、一例として、ICP(Inductive Coupling Plasma)型(誘導結合型)のRIE(Reactive Ion Etching)装置を用いる。図7(h)は、水晶基板110をエッチングし水晶振動片10の外形形状を形成した後の概略断面図である。
ドライエッチング工程(ST8)では、先ず、ドライエッチング装置の真空容器内に設けられたステージ上に、水晶基板110を固定した支持基板150を静電吸着によって高い密着度で固定する。その後、真空容器内を1.0Pa程度まで減圧し、六フッ化エタン(C2F6)とヘリウム(He)とを含むエッチングガスをガス導入口から真空容器内に供給する。
次に、真空容器の上部に設けられているコイルに高周波電源から高周波数の大電流を流すことによって高電圧と高周波数の変動磁場により、六フッ化エタンが分解し誘導結合プラズマを発生させる。その後、ステージの電位をマイナス電位とすると、誘導結合プラズマのプラスイオンがステージに引き寄せられて、水晶基板110に衝突し、金属膜140による金属マスクで保護されていない部分の水晶基板110がエッチングされ、水晶振動片10の外形が形成される。また、その時に発生するフッ素(F)、炭素(C)、ケイ素(Si)を含む反応生成物は真空ポンプにより排気されるが、一部は側壁保護膜としてエッチングした水晶基板110の側壁に付着する。この側壁保護膜は水晶基板110の厚み方向と交差する方向へのエッチングを阻止する役目を果たす。従って、水晶基板110の厚み方向のみをエッチングする異方性エッチングが可能となる。
なお、ここでは、ドライエッチング装置に誘導結合型を用いた場合を説明したが、ドライエッチング装置には、コイルの部分に対向電極を用いた容量結合型(平行平板型)を用いてもよい。
{支持基板分離工程(ST9)}
支持基板分離工程(ST9)では、支持基板150側の金属膜140をエッチングしてドライエッチングを施した支持基板150から水晶基板110を剥離する。図7(i)は、金属膜140をエッチングし水晶基板110と支持基板150とを剥離した後の概略断面図である。支持基板150上に固定された金属膜140が形成された水晶基板110を、金属膜140に用いた材料を腐食溶解する液体(エッチング液)に浸漬させることで、金属膜140がエッチングされ、水晶基板110が支持基板150から剥離される。なお、同時に、水晶基板110の第1主面110a側に形成された金属マスクとして機能した金属膜140も剥離される。
支持基板分離工程(ST9)では、支持基板150側の金属膜140をエッチングしてドライエッチングを施した支持基板150から水晶基板110を剥離する。図7(i)は、金属膜140をエッチングし水晶基板110と支持基板150とを剥離した後の概略断面図である。支持基板150上に固定された金属膜140が形成された水晶基板110を、金属膜140に用いた材料を腐食溶解する液体(エッチング液)に浸漬させることで、金属膜140がエッチングされ、水晶基板110が支持基板150から剥離される。なお、同時に、水晶基板110の第1主面110a側に形成された金属マスクとして機能した金属膜140も剥離される。
ここで、金属膜140は、水晶基板110と支持基板150とに挟まれているため、水晶基板110の外縁に近い側面からエッチングされていき、加工領域Bでは、下地膜120が剥離され金属膜140の表面が露出しているため、容易にエッチングが進み金属膜140の厚み分をエッチングすると、その後は露出した水晶基板110の下の側面をエッチングしていく。そのため、水晶基板110と支持基板150とに挟まれている金属膜140の面積が大きいとエッチングするのに非常に時間を要してしまう。従って、本実施形態の金属膜140が加工領域Bと、水晶基板110の外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、を覆うパターンに形成されていることにより、水晶基板110と支持基板150とに挟まれている金属膜140の面積を小さくすることができ、剥離時間を短縮するのに、非常に有効である。
{下地膜剥離工程(ST10)}
下地膜剥離工程(ST10)では、下地膜120を剥離する。図7(j)は、下地膜120を剥離した後の概略断面図である。下地膜120の剥離方法としては、下地膜120に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地膜120に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
下地膜剥離工程(ST10)では、下地膜120を剥離する。図7(j)は、下地膜120を剥離した後の概略断面図である。下地膜120の剥離方法としては、下地膜120に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地膜120に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
{電極形成工程(ST11)}
電極形成工程(ST11)では、水晶振動片10の外形が形成された水晶基板110の第1主面110a、第2主面110b、および側面(水晶基板110の厚み方向に交差する方向の面)にクロム(Cr)を下地層とする金(Au)の電極膜をスパッタリング法や蒸着法などで成膜し、フォトリソグラフィ技術などにより、電極パターンが形成される。なお、同時に、水晶振動片10の発振周波数を調整するために、各振動腕の先端部に周波数調整用の電極パターンも形成される。
電極形成工程(ST11)では、水晶振動片10の外形が形成された水晶基板110の第1主面110a、第2主面110b、および側面(水晶基板110の厚み方向に交差する方向の面)にクロム(Cr)を下地層とする金(Au)の電極膜をスパッタリング法や蒸着法などで成膜し、フォトリソグラフィ技術などにより、電極パターンが形成される。なお、同時に、水晶振動片10の発振周波数を調整するために、各振動腕の先端部に周波数調整用の電極パターンも形成される。
{周波数調整工程(ST12)}
周波数調整工程(ST12)では、水晶振動片10の各振動腕の発振周波数をモニタリングしながら、各振動腕の先端部に形成した周波数調整用の電極パターンをレーザー加工装置(図示せず)などを用いてトリミング(切削)して、発振周波数が調整される。
周波数調整工程(ST12)では、水晶振動片10の各振動腕の発振周波数をモニタリングしながら、各振動腕の先端部に形成した周波数調整用の電極パターンをレーザー加工装置(図示せず)などを用いてトリミング(切削)して、発振周波数が調整される。
{個片化工程(ST13)}
個片化工程(ST13)では、図3に示すように、水晶基板110に連結部28を介して連結されている水晶振動片10を個片化させるために、連結部28を、例えば、折り取り装置やダイシング装置(図示せず)などを用いて切断して個片化され、図2に示すような水晶振動片10が得られる。
個片化工程(ST13)では、図3に示すように、水晶基板110に連結部28を介して連結されている水晶振動片10を個片化させるために、連結部28を、例えば、折り取り装置やダイシング装置(図示せず)などを用いて切断して個片化され、図2に示すような水晶振動片10が得られる。
{搭載工程(ST14)}
搭載工程(ST14)では、図1に示すように、パッケージ31の底板32の上面に設けられている実装電極部36に導電性接着剤37を塗布して、その上に、個片化工程(ST13)で個片化された水晶振動片10を搭載する。
搭載工程(ST14)では、図1に示すように、パッケージ31の底板32の上面に設けられている実装電極部36に導電性接着剤37を塗布して、その上に、個片化工程(ST13)で個片化された水晶振動片10を搭載する。
{周波数調整工程(ST15)}
周波数調整工程(ST15)では、パッケージ31に搭載された際に生じるマウント応力による周波数変動を調整するために、水晶振動片10の各振動腕の発振周波数をモニタリングしながら、先端部に形成した周波数調整用の電極パターンを、再度、レーザー加工装置などを用いてトリミング(切削)して、発振周波数が調整されるとともに、水晶振動片10から発生する不要なノイズを低減させる。
周波数調整工程(ST15)では、パッケージ31に搭載された際に生じるマウント応力による周波数変動を調整するために、水晶振動片10の各振動腕の発振周波数をモニタリングしながら、先端部に形成した周波数調整用の電極パターンを、再度、レーザー加工装置などを用いてトリミング(切削)して、発振周波数が調整されるとともに、水晶振動片10から発生する不要なノイズを低減させる。
{封止工程(ST16)}
封止工程(ST16)では、パッケージ31のシームリング34側にリッド35を被せて配置し、減圧雰囲気中で、例えば、シーム溶接装置(図示せず)などを用いて、シームリング34が溶融され、パッケージ31とリッド35とが接合されることによって気密封止されて水晶振動子30が完成する。この接合は、例えば、シーム溶接の他に、プラズマ溶接、超音波接合、または接着剤などを用いて行われてもよい。
封止工程(ST16)では、パッケージ31のシームリング34側にリッド35を被せて配置し、減圧雰囲気中で、例えば、シーム溶接装置(図示せず)などを用いて、シームリング34が溶融され、パッケージ31とリッド35とが接合されることによって気密封止されて水晶振動子30が完成する。この接合は、例えば、シーム溶接の他に、プラズマ溶接、超音波接合、または接着剤などを用いて行われてもよい。
<変形例>
次に、水晶基板110の第2主面110b側、所謂、支持基板150と固定する側に形成される金属膜140のパターンについての変形例を、図9を参照して説明する。
図9は、本実施形態に係る金属膜がパターニングされた水晶基板の変形例を示す概略平面である。
図8に示す金属膜140のパターンに比べ、変形例では、図9に示すように、水晶基板110の外縁の内側で加工領域Bの外側の領域Cが異なり、領域Cは分割され、各加工領域Bを取り囲むようにそれぞれ領域C1となっている。
このような構成とすることで、加工領域B間の金属膜140の面積が減少し、金属膜140をエッチングする時間をより短縮することが可能となり、水晶基板110の剥離時間をより短縮することができる。
次に、水晶基板110の第2主面110b側、所謂、支持基板150と固定する側に形成される金属膜140のパターンについての変形例を、図9を参照して説明する。
図9は、本実施形態に係る金属膜がパターニングされた水晶基板の変形例を示す概略平面である。
図8に示す金属膜140のパターンに比べ、変形例では、図9に示すように、水晶基板110の外縁の内側で加工領域Bの外側の領域Cが異なり、領域Cは分割され、各加工領域Bを取り囲むようにそれぞれ領域C1となっている。
このような構成とすることで、加工領域B間の金属膜140の面積が減少し、金属膜140をエッチングする時間をより短縮することが可能となり、水晶基板110の剥離時間をより短縮することができる。
以上で述べたように、本実施形態では、水晶基板110の支持基板150と固定する第2主面110b側に、水晶基板110の平面視で、水晶基板110のドライエッチングによる加工領域Bと、水晶基板110の外縁より内側で加工領域Bの外側の領域Cと、を覆う金属膜140が形成されている。そのため、金属膜140をエッチングし支持基板150から水晶基板110を剥離する際に、金属膜140が水晶基板110の外縁まで形成されている場合に比べ、エッチングする金属膜140の面積が小さい。従って、金属膜140をエッチングする時間を短縮することが可能となり、水晶基板110の剥離時間を短縮することができ、水晶デバイスを短時間で製造することができる。
また、金属膜140をニッケル(Ni)を含む膜とすることにより、無電解めっきで形成することができるため、膜厚を厚くしても安定した膜を形成することができる。更に、リフトオフ法によりパターニングが容易であり、更にエッチングし易いので作業性の向上を図ることができる。
また、被加工基板として水晶基板110を用いることにより、温度特性が優れ、高いQ値を有する水晶デバイスを製造することができる。
10…水晶振動片、11…第1主面、12…第2主面、20…基部、21…第1振動腕、22…第2振動腕、23…第3振動腕、第1検出腕、24…第4振動腕、第2検出腕、28…連結部、30…水晶デバイスとしての水晶振動子、31…パッケージ、32…底板、33…側壁、34…シームリング、35…リッド、36…実装電極部、37…導電性接着剤、38…パッド電極、39…内部空間、110…被加工基板としての水晶基板、110a…第1主面、110b…第2主面、120…下地膜、130,132…保護膜、140…金属膜、150…支持基板、160…固着部材、B…加工領域、C,C1…領域。
Claims (4)
- 金属膜が設けられている被加工基板を固着部材を用いて支持基板上に固定し、
前記被加工基板をドライエッチングで加工後、
前記金属膜をエッチングすることによって、前記被加工基板と前記支持基板とを剥離する被加工基板の剥離方法であって、
前記金属膜は、前記被加工基板の平面視で、前記被加工基板の前記ドライエッチングによる加工領域と、前記被加工基板の外縁より内側で前記加工領域の外側の領域と、に形成されていることを特徴とする被加工基板の剥離方法。 - 請求項1に記載の被加工基板の剥離方法において、
前記金属膜がニッケル(Ni)を含む膜であることを特徴とする被加工基板の剥離方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の被加工基板の剥離方法において、
前記被加工基板が水晶基板であることを特徴とする被加工基板の剥離方法。 - 金属膜が設けられている水晶基板を固着部材を用いて支持基板上に固定する支持基板固定工程と、
前記水晶基板をドライエッチングするドライエッチング工程と、
前記水晶基板と前記支持基板とを剥離する支持基板分離工程と、
加工された水晶振動片を前記水晶基板から個片化する個片化工程と、
前記水晶振動片をパッケージに組み込む搭載工程と、を含み、
前記金属膜は、前記水晶基板の平面視で、前記水晶基板の前記ドライエッチングによる加工領域と、前記水晶基板の外縁より内側で前記加工領域の外側の領域と、に形成されていることを特徴とする水晶デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015059157A JP2016178591A (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | 被加工基板の剥離方法および水晶デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015059157A JP2016178591A (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | 被加工基板の剥離方法および水晶デバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016178591A true JP2016178591A (ja) | 2016-10-06 |
Family
ID=57070356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015059157A Pending JP2016178591A (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | 被加工基板の剥離方法および水晶デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016178591A (ja) |
-
2015
- 2015-03-23 JP JP2015059157A patent/JP2016178591A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100802865B1 (ko) | 압전 진동편 및 압전 장치 | |
JP5115092B2 (ja) | 圧電振動片、圧電デバイス、及び発振器 | |
JP6078968B2 (ja) | 振動片の製造方法 | |
JP2007258918A (ja) | 圧電デバイス | |
JP2007258917A (ja) | 圧電デバイス | |
US8516888B2 (en) | Angular velocity sensor and method of manufacturing the same | |
JP4815976B2 (ja) | 水晶振動デバイスの製造方法 | |
JP2008166510A (ja) | 圧電振動片および圧電振動デバイス | |
JP2010004456A (ja) | 圧電振動片および圧電デバイス | |
JP5168568B2 (ja) | 薄膜バルク波共振器 | |
JP5500220B2 (ja) | 振動片、振動子、発振器、及びセンサー | |
JP2018165644A (ja) | 振動素子の周波数調整方法、振動素子の製造方法および振動素子 | |
WO2000076066A1 (fr) | Vibrateur piezoelectrique | |
JP2008048275A (ja) | 圧電振動片および圧電デバイス | |
JP2010283805A (ja) | 音叉型圧電振動片を製造する製造方法。音叉型圧電振動片及び圧電振動デバイス | |
JP5042597B2 (ja) | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片および圧電デバイス | |
JP2016178591A (ja) | 被加工基板の剥離方法および水晶デバイスの製造方法 | |
JP2009232336A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2017207283A (ja) | 振動素子の製造方法 | |
US9147831B2 (en) | Crystal unit and method for fabricating the same | |
JP2016076829A (ja) | 被加工基板の剥離方法、水晶デバイスの製造方法 | |
WO2021210214A1 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
WO2021095294A1 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
JPH066167A (ja) | 水晶振動子とその製造方法 | |
JPH07226638A (ja) | 複合圧電基板およびその製造方法 |