JP2016158152A

JP2016158152A - 半導体装置

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Publication number: JP2016158152A
Application number: JP2015035444A
Authority: JP
Inventors: 聡史舘; Satoshi Tate
Original assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Current assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2015-02-25
Filing date: 2015-02-25
Publication date: 2016-09-01
Anticipated expiration: 2035-02-25
Also published as: JP6538369B2

Abstract

【目的】周波数信号の電圧値の変化に追従させて迅速に保護動作を開始させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【構成】周波数信号を第１ラインを介して内部回路に中継するにあたり、ソース端子及びドレイン端子のうちの一方の端子が第１ラインに接続されており且つ他方の端子に接地電位が印加されている第１のトランジスタと、第１ラインの電圧を分圧した分圧電圧を第１のトランジスタのゲート端子に供給する分圧回路と、を含む電圧保護回路を設ける。【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置、特に高電圧の周波数信号から回路を保護する機能を備えた半導体装置に関する。

無線通信システムでは、送信装置及び受信装置間の通信距離によって受信装置側での受信電界強度が変化する。よって、かかる通信距離が極めて小さくなる場合には、受信装置側の入力段には比較的大きな電圧値を有する搬送波信号が供給されることになり、当該搬送波信号に対して信号処理を施す回路が正常に動作しなくなるという不具合が生じる虞がある。

そこで、このような不具合を解消する為に、保護回路を備えた半導体装置が提案された（例えば特許文献１参照）。

当該保護回路は、先ず、アンテナ回路の一端を介して供給された搬送波信号を整流することにより当該搬送波信号の振幅を表す直流電圧を得て、当該直流電圧が所定電圧よりも高い、いわゆる過電圧の状態にあるか否かを検出する。この際、過電圧の状態にあることが検出された場合には、アンテナ回路の一端に接続されているトランジスタをオン状態に設定することにより、アンテナ回路の一端を接地電位に設定する。これにより、保護回路が保護動作状態となり、搬送波信号の電圧値を強制的に低下させる。一方、過電圧の状態には無いことが検出された場合には、上記トランジスタをオフ状態に設定して、この保護回路による保護動作を解除する。

特開２０１０−２５９０６６号公報

しかしながら、上記した保護回路の構成では、搬送波信号のような周波数信号の電圧値が非過電圧状態から過電圧状態に遷移した時点から、保護回路が実際に保護動作を開始するまでの時間が長いという問題があった。

そこで、本発明は、周波数信号の電圧値の変化に追従させて迅速に保護動作を開始させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置は、周波数信号を第１ラインを介して内部回路に中継する半導体装置であって、前記第１ラインにソース端子及びドレイン端子のうちの一方の端子が接続されており且つ前記ソース端子及び前記ドレイン端子のうちの他方の端子に接地電位が印加されている第１のトランジスタと、前記第１ラインの電圧を分圧した分圧電圧を前記第１のトランジスタのゲート端子に供給する分圧回路と、を含む電圧保護回路を有する。

本発明では、第１ラインを介して供給された周波数信号を内部回路に中継するにあたり、以下の電圧保護回路を設けている。当該電圧保護回路は、上記した第１ラインにソース端子及びドレイン端子のうちの一方の端子が接続されており他方の端子に接地電位が印加されている第１のトランジスタと、第１ラインの電圧を分圧した分圧電圧をこの第１のトランジスタのゲート端子に供給する分圧回路と、を含む。

この電圧保護回路によれば、周波数信号の電圧値が所定の電圧値以上の高電圧になると、第１のトランジスタがオン状態となり、第１ラインからの電流が第１のトランジスタに流れ込むようになる。これにより、第１ラインを介して供給された周波数信号の振幅が小さくなり、当該周波数信号に対して信号処理を施す回路に印加される電圧が低下するので、信号処理回路を高電圧の状態から保護することが可能となる。

更に、当該電圧保護回路では、周波数信号の電圧値を分圧した分圧電圧によって直接、第１のトランジスタを制御しているので、周波数信号の振幅の変化に迅速に追従させて、周波数信号に対して電圧低下処理を開始させることが可能となる。

よって、本発明によれば、周波数信号の電圧値の変化に追従させて迅速に保護動作を開始させることが可能となる。

本発明に係る半導体装置としての信号中継部１００の構成を示す回路図である。図１に示す構成におけるアンテナ１０の受信電界強度に対応した高周波信号ＲＦの電圧値を表す図である。信号中継部１００の他の構成を示す回路図である。図３に示す構成におけるアンテナ１０の受信電界強度に対応した高周波信号ＡＦの電圧値を表す図である。差動回路の非反転入力端子に接続されている入力信号ライン及び反転入力端子に接続されている入力信号ラインの各々に単一のバイアス回路１３（１３ａ）を設ける場合に採用されるバイアス回路１３（１３ａ）の内部構成の一例を示す回路図である。

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は、本発明に係る半導体装置としての信号中継部１００の構成を示す回路図である。尚、図１に示される信号中継部１００は、無線受信装置に形成されている高周波信号増幅用のローノイズアンプの前段に含まれているものである。

図１において、アンテナ１０で受信して得られた高周波信号ＲＦは、半導体チップに形成されている信号中継部１００の入力端子を介してラインＬ１に供給される。

静電保護回路１１は、アノード端子がラインＬ１に接続されており且つカソード端子に電源電圧ＶＤＤが印加されているダイオードＤ１と、カソード端子がラインＬ１に接続されており且つアノード端子に接地電位ＧＮＤが印加されているダイオードＤ２と、を含む。かかる構成により、静電保護回路１１は、静電放電に伴い、アンテナ１０を介してラインＬ１に流れ込む大電流を、接地ライン又は電源ライン（図示せぬ）に流し込んでこれを吸収させる。

キャパシタ１２の一端にはラインＬ１が接続されており、このキャパシタ１２の他端にはラインＬ２が接続されている。キャパシタ１２は、アンテナ１０からラインＬ１を介して供給された高周波信号ＲＦの直流成分を除去した直流除去高周波信号ＲＦＱをラインＬ２に供給する。

バイアス回路１３は、電流源Ｇ１、ｎチャネルＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）型のトランジスタＱ１、抵抗Ｒ１及びＲ２を含む。電流源Ｇ１の出力端子は、抵抗Ｒ２の一端及びトランジスタＱ１のドレイン端子及びゲート端子に接続されている。抵抗Ｒ２の他端はラインＬ２に接続されている。トランジスタＱ１のソース端子には抵抗Ｒ１の一端が接続されている。抵抗Ｒ１の他端には接地電位ＧＮＤが印加されている。電流源Ｇ１は、電源電圧ＶＤＤの供給を受けて所定の定電流を生成し、この定電流を抵抗Ｒ２を介してラインＬ２に送出すると共に、当該定電流をトランジスタＱ１のドレイン端子及びゲート端子に送出する。かかる構成により、バイアス回路１３は、トランジスタＱ１のドレイン端子及びゲート端子と電流源Ｇ１の出力端子との接続点に生じた電圧を、トランジスタ１４を確実に動作させる為のバイアス電圧ＶＢとして抵抗Ｒ２を介してラインＬ２に印加する。尚、抵抗Ｒ２は、直流除去高周波信号ＲＦＱがラインＬ２を介して電流源Ｇ１及びトランジスタＱ１に流れ込むことを防止する為に設けられたものである。よって、抵抗Ｒ２は、直流除去高周波信号ＲＦＱによる電流源Ｇ１及びトランジスタＱ１への流れ込みを防止できる程度の高抵抗値を有する。また、このような直流除去高周波信号ＲＦＱによる電流源Ｇ１及びトランジスタＱ１への流れ込みを防止する為に、抵抗Ｒ２に代えてインダクタを用いるようにしても良い。尚、直流除去高周波信号ＲＦＱによるバイアス回路１３への流れ込みが生じない、或いは問題とはならない場合には、電流源Ｇ１の出力端子を直接、ラインＬ２に接続するようにしても良い。

トランジスタ１４は、例えばｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタであり、そのソース端子には接地電位ＧＮＤが印加されており、ドレイン端子は負荷抵抗１５の一端及びラインＬ３に接続されている。負荷抵抗１５の他端には電源電圧ＶＤＤが印加されている。かかる構成により、トランジスタ１４は、ゲート端子に供給された直流除去高周波信号ＲＦＱを増幅した増幅高周波信号ＡＦをラインＬ３を介して次段の内部回路（図示せぬ）に供給する。

すなわち、信号中継部１００は、アンテナ１０で受信して得られた高周波信号を、ラインＬ１及びキャパシタ１２及びトランジスタ１４を介して、次段の内部回路に中継するのである。

高電圧保護回路２０は、抵抗２１及び２２を含む分圧回路と、ｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタであるトランジスタ２３と、を有する。抵抗２１の一端はラインＬ１に接続されており、抵抗２１の他端はトランジスタ２３のゲート端子及び抵抗２２の一端に接続されている。抵抗２２の他端には接地電位ＧＮＤが印加されている。トランジスタ２３のドレイン端子はラインＬ１に接続されており、ソース端子には接地電位ＧＮＤが印加されている。

かかる構成により、高電圧保護回路２０のトランジスタ２３のゲート端子には、高周波信号ＲＦの電圧値を分圧回路（２１及び２２）によって分圧して得られた分圧電圧ＤＶが供給される。トランジスタ２３は、当該分圧電圧ＤＶの電圧値が、自身の閾値電圧Ｖｔｈよりも低い場合にはオフ状態となる。一方、当該分圧電圧ＤＶの電圧値が閾値電圧Ｖｔｈ以上となる場合には、トランジスタ２３はオン状態となり、ラインＬ１から接地ラインに向けて電流を流す。これにより、高電圧保護回路２０は、ラインＬ１の電圧値、つまり信号中継部１００に入力された高周波信号ＲＦの電圧値を低下させる（電圧低下処理）。

以下に、高電圧保護回路２０の動作について、図２を参照しつつ説明する。尚、図２において、破線Ｈは、高電圧保護回路２０が設けられていない場合における、アンテナ１０の受信電界強度に対応した高周波信号ＲＦの電圧値を表している。また、実線Ｊは、高電圧保護回路２０が設けられている場合における、アンテナ１０の受信電界強度に対応した高周波信号ＲＦの電圧値を表している。

先ず、図２に示すように、受信電界強度が強度Ｙ１よりも低い場合、つまりアンテナ１０を介してラインＬ１に供給された高周波信号ＲＦの電圧値が図２に示す電圧値Ｖ１よりも低い場合には、高電圧保護回路２０のトランジスタ２３はオフ状態となる。よって、この際、高電圧保護回路２０による電圧低下処理は実施されず、図２の実線Ｊにて示すように、受信電界強度に対応した電圧値を有する高周波信号ＲＦが、そのまま直流除去高周波信号ＲＦＱとしてラインＬ２を介してトランジスタ１４のゲート端子に供給される。

一方、受信電界強度が強度Ｙ１以上となる場合、つまり高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１以上となる場合には、高電圧保護回路２０のトランジスタ２３がオン状態となり、高電圧保護回路２０において電圧低下処理が実施される。これにより、トランジスタ２３を介してラインＬ１から接地ラインに電流が流れ込み、ラインＬ１の電圧値、つまり高周波信号ＲＦの電圧値が低下する。よって、図２の実線Ｊに示すように、高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１以上となる場合には、高電圧保護回路２０が設けられていない場合での高周波信号ＲＦの電圧値（破線Ｈにて示す）に比べて、高周波信号ＲＦの電圧値が低くなる。つまり、高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１以上の高電圧となる場合には、高電圧保護回路２０を設けていない場合に比べてトランジスタ１４のゲート端子に印加される電圧値が低くなるのである。

ここで、ｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタでは、ドレイン電圧又はゲート電圧が高くなると、その高電界によってエネルギーを得た電子、いわゆるホットキャリアがゲート絶縁膜に飛び込む場合がある。この際、閾値電圧Ｖｔｈの変動及び相互コンダクタンスＧｍの低下等の特性劣化、いわゆるホットキャリア劣化が生じる。

そこで、高電圧保護回路２０では、高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１以上の高電圧となる場合には、その電圧値を低下させる電圧低下処理を実行するようにしている。これにより、高周波信号ＲＦの振幅が小さくなり、ｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタ１４のゲート端子に供給される電圧値が低下するので、当該トランジスタ１４をホットキャリア劣化から保護することが可能となる。

更に、高電圧保護回路２０では、ラインＬ１にて伝送される高周波信号ＲＦの電圧値を分圧した分圧電圧ＤＶを直接、トランジスタ２３のゲート端子に供給することにより、当該トランジスタ２３を制御するようにしている。

よって、高電圧保護回路２０によれば、周波数信号を整流回路によって直流化した直流電圧に応じて当該周波数信号に対して電圧低下処理を施すようにした従来の保護回路に比べて、迅速に電圧低下処理を開始させることが可能となる。

図３は、図１に示される信号中継部１００の他の構成を示す回路図である。尚、図３に示す構成では、図１に示される構成に新たに検波回路１６を設けると共に、バイアス回路１３に代えてバイアス回路１３ａを採用した点を除く他の構成は、図１に示すものと同一である。また、当該バイアス回路１３ａにおいては、図１に示す電流源Ｇ１に代えて可変電流源ＧＣ１を採用した点を除く他の構成は、図１に示すものと同一である。

検波回路１６は、トランジスタ１４が出力した増幅高周波信号ＡＦの振幅を検出し、当該振幅に対応した電圧値を有するバイアス調整信号ＢＣを可変電流源ＧＣ１に供給する。

可変電流源ＧＣ１は、電源電圧ＶＤＤの供給を受けて、上記バイアス調整信号ＢＣの電圧値が高いほど小なる電流量の電流を生成して、ラインＬ２、及びトランジスタＱ１のドレイン端子及びゲート端子に送出する。

よって、バイアス回路１３ａは、増幅高周波信号ＡＦの振幅が大きいほど低くなる電圧値を有するバイアス電圧ＶＢを、ラインＬ２を介してトランジスタ１４のゲート端子に印加する。従って、増幅高周波信号ＡＦの振幅が大なる場合には小なる場合に比べて、バイアス電圧ＶＢが小さくなり、トランジスタ１４の利得が低下する。これにより、トランジスタ１４のドレイン電圧として取り得る電圧値の限度値、つまり増幅高周波信号ＡＦの振幅の最大値を設定することが可能となる。

すなわち、この際、検波回路１６は、増幅高周波信号ＡＦの振幅が所定の基準振幅より大となった場合に、その振幅の大きさに対応した電圧値を有するバイアス調整信号ＢＣを可変電流源ＧＣ１に供給する。これにより、バイアス回路１３ａ及び検波回路１６は、増幅高周波信号ＡＦの振幅の最大値が所定値を超えないように振幅制限を施す、いわゆるリミッタとして動作する。

よって、検波回路１６において、上記した基準振幅を、トランジスタ１４でホットキャリア劣化が生じる虞が無い電圧値として取り得る最大の電圧値に設定すれば、トランジスタ１４をホットキャリア劣化から保護することができる。

以下に、かかる点に鑑みて為された、図３に示される構成による保護動作について図４を参照しつつ説明する。尚、図４において、破線Ｈは、高電圧保護回路２０及び検波回路１６が設けられていない場合における、アンテナ１０の受信電界強度に対応した高周波信号ＡＦの電圧値を表している。また、実線Ｊは、高電圧保護回路２０及び検波回路１６が設けられている場合における、アンテナ１０の受信電界強度に対応した高周波信号ＡＦの電圧値を表している。

先ず、図４に示すように、受信電界強度が強度Ｙ１よりも低い場合、つまりアンテナ１０を介してラインＬ１に供給された高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１よりも低い場合には、高電圧保護回路２０のトランジスタ２３はオフ状態となる。よって、この際、高電圧保護回路２０による電圧低下処理は実施されず、図４の実線Ｊにて示すように、受信電界強度に対応した電圧値を有する高周波信号ＲＦが、そのまま直流除去高周波信号ＲＦＱとしてラインＬ２を介してトランジスタ１４のゲート端子に供給される。

ここで、受信電界強度が強度Ｙ１以上となる場合、つまり図４に示すように高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１以上となる場合には、高電圧保護回路２０のトランジスタ２３がオン状態となり、高電圧保護回路２０において電圧低下処理が実施される。これにより、トランジスタ２３を介してラインＬ１から接地ラインに電流が流れ込むようになり、ラインＬ１の電圧値、つまり高周波信号ＲＦの電圧値が低下する。よって、図４の実線Ｊに示すように、高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１以上となる場合には、高電圧保護回路２０が設けられていない場合での高周波信号ＲＦの電圧値（破線Ｈにて示す）に比べて、高周波信号ＲＦの電圧値が低くなる。従って、高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ１以上の高電圧となる場合には、高電圧保護回路２０を設けていない場合に比べて、トランジスタ１４のゲート端子に印加される電圧値が低くなる。これにより、ｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタ１４のゲート端子に供給される電圧値が低下するので、当該トランジスタ１４をホットキャリア劣化から保護することが可能となる。

そして、受信電界強度が強度Ｙ１よりも大きい強度Ｙ２以上、つまり高周波信号ＲＦの電圧値が図４に示す電圧値Ｖ２以上になると、検波回路１６が、バイアス電圧ＶＢの電圧値を低下させるバイアス調整信号ＢＣをバイアス回路１３ａに供給する。これにより、バイアス回路１３ａによるリミッタ処理が実施され、図４に示すように、受信電界強度の増大に拘わらず高周波信号ＲＦの電圧値が電圧値Ｖ２に維持される。尚、電圧値Ｖ２とは、トランジスタ１４においてホットキャリア劣化が生じる虞が無いゲート電圧値の最大値である。

よって、トランジスタ１４のドレイン端子に印加される電圧値は、トランジスタ１４でホットキャリア劣化が生じる虞が無い電圧値の最大値（Ｖ２）に制限されるので、当該ホットキャリア劣化を抑制することが可能となる。

尚、図３に示す実施例では、バイアス回路１３ａ及び検波回路１６と共に、高電圧保護回路２０が設けられているが、高電圧保護回路２０を設けずにバイアス回路１３ａ及び検波回路１６だけでも、ホットキャリア劣化を抑制することが可能である。

また、図１及び図３では、入力信号が１系統の増幅器であるトランジスタ１４をホットキャリア劣化から保護する場合の構成の一例を示しているが、入力信号が２系統となる差動回路をホットキャリア劣化から保護する場合にも同様に適用可能である。要するに、この際、差動回路の非反転入力端子に接続されている入力信号ライン、及び反転入力端子に接続されている入力信号ラインの各々に、高電圧保護回路２０、バイアス電圧回路１３（１３ａ）及び検波回路１６を設けるのである。尚、バイアス電圧回路１３（１３ａ）及び検波回路１６については、夫々単一のバイアス電圧回路１３（１３ａ）及び検波回路１６を、差動回路の非反転入力端子に接続されている入力信号ライン、及び反転入力端子に接続されている入力信号ラインの各々に共通に接続するようにしても良い。ただし、この際、バイアス電圧回路１３（１３ａ）に代えて図５に示されるバイアス電圧回路１３Ｘを採用する。

図５に示すように、バイアス回路１３Ｘは、抵抗Ｒ３を新たに設けた点を除く他の構は、図１又は図３に示す構成と同一である。バイアス回路１３Ｘでは、抵抗Ｒ２の一端が電流源Ｇ１（ＧＣ１）の出力端子と、トランジスタＱ１のドレイン端子及びゲート端子とに接続されており、抵抗Ｒ２の他端が、差動回路の非反転入力端子に接続されたラインＬ２ａに接続されている。バイアス回路１３Ｘでは、抵抗Ｒ３の一端が電流源Ｇ１（ＧＣ１）の出力端子と、トランジスタＱ１のドレイン端子及びゲート端子とに接続されており、当該抵抗Ｒ３の他端が、差動回路の反転入力端子に接続されたラインＬ２ｂに接続されている。すなわち、夫々単一の電流源Ｇ１（ＧＣ１）及びトランジスタＱ１によって生成されたバイアス電圧ＶＢが、差動回路の非反転入力端子に接続されたラインＬ２ａと、この差動回路の反転入力端子に接続されたラインＬ２ｂとに印加されるのである。

また、図１及び図３に示す構成では、トランジスタ１４による増幅回路としてソース接地回路を採用しているが、ゲート接地回路を採用しても良い。

また、図３に示す構成では、トランジスタ１４のドレイン端子に検波回路１６を接続するようにしているが、当該トランジスタ１４のドレイン端子及びラインＬ３間に複数のトランジスタがカスコード接続される場合には、ラインＬ３に接続されるトランジスタのドレイン端子に検波回路１６を接続する。

尚、図１及び図３に示す実施例では、無線受信装置に設けられているローノイズアンプの前段に高電圧保護回路２０を含む信号中継部１００を設けた場合の構成を示しているが、これを無線受信装置以外の信号処理装置内に設けるようにしても良い。つまり、信号中継部１００としては、アンテナから送出された高周波信号のみならず、各種の周波数を有する周波数信号を入力対象としても良いのである。

また、図１及び図３に示す実施例では、高電圧保護回路２０における保護対象を、直流除去高周波信号ＲＦＱの増幅を行うトランジスタ１４としているが、増幅用のトランジスタ以外の回路素子又は信号処理回路を保護対象としても良い。

また、図１及び図３に示す実施例では、高電圧保護回路２０のトランジスタ２３としてｎチャネルＭＯＳ型を採用しているが、ｐチャネルＭＯＳ型のトランジスタを用いるようにしても良い。尚、トランジスタ２３としてｐチャネルＭＯＳ型のトランジスタを用いた場合には、トランジスタ２３のソース端子をラインＬ１に接続し、ドレイン端子に接地電位ＧＮＤを印加する。

要するに、信号中継部１００としては、周波数信号を第１ライン（Ｌ１）を介して内部回路に中継するにあたり、以下の第１のトランジスタ（２３）と、分圧回路（２１、２２）と、を含む電圧保護回路（２０）を含むものであれば良いのである。すなわち、第１のトランジスタは、ソース端子及びドレイン端子のうちの一方の端子が第１ラインに接続されており、且つソース端子及びドレイン端子のうちの他方の端子に接地電位が印加されている。分圧回路は、第１ラインの電圧を分圧した分圧電圧（ＤＶ）を第１のトランジスタのゲート端子に供給する。

かかる構成により、周波数信号の電圧値が所定の電圧値以上の高電圧となる場合には、第１のトランジスタがオン状態となり、第１ラインを介して供給された周波数信号の振幅が小さくなる。これにより、当該周波数信号に対して信号処理を施す回路に印加される電圧が低下するので、信号処理用の回路を高電圧の状態から保護することが可能となる。

１２キャパシタ
１３、１３ａバイアス回路
１４、２３トランジスタ
１５、２１、２２抵抗
１６検波回路
２０高電圧保護回路

Claims

周波数信号を第１ラインを介して内部回路に中継する半導体装置であって、
前記第１ラインにソース端子及びドレイン端子のうちの一方の端子が接続されており且つ前記ソース端子及び前記ドレイン端子のうちの他方の端子に接地電位が印加されている第１のトランジスタと、
前記第１ラインの電圧を分圧した分圧電圧を前記第１のトランジスタのゲート端子に供給する分圧回路と、を含む電圧保護回路を有することを特徴とする半導体装置。
前記分圧回路は、前記第１ラインに一端が接続されており他端が前記第１のトランジスタの前記ゲート端子に接続されている第１の抵抗と、前記接地電位が一端に印加されており他端に前記第１の抵抗の前記他端が接続されている第２の抵抗と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記第１ラインに一端が接続されており、前記周波数信号から直流成分を除去した直流除去周波数信号を第２ラインに供給するキャパシタと、
前記第２ラインにバイアス電圧を供給するバイアス回路と、
前記第２ラインに供給された前記直流除去周波数信号を増幅した増幅周波数信号を前記内部回路に供給する第２のトランジスタと、を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
前記増幅周波数信号の振幅を検出して前記振幅に対応した電圧値を有するバイアス調整信号を生成して前記バイアス回路に供給する検波回路を含み、
前記バイアス回路は、前記バイアス調整信号の電圧値が大きいほど前記バイアス電圧の電圧値を低下させることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
前記検波回路は、前記振幅が基準振幅より大となった場合に前記バイアス調整信号を前記バイアス回路に供給することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
前記バイアス回路は、
前記バイアス調整信号の電圧値が大きいほど小なる電流量の電流を生成して出力端子から送出する電流源と、
前記出力端子及び前記第２ラインにドレイン端子及びゲート端子が接続されている第３のトランジスタと、
前記第３のトランジスタのソース端子に一端が接続されており且つ他端に接地電位が印加されている抵抗と、を含み、
前記第３のトランジスタの前記ドレイン端子及び前記ゲート端子と前記出力端子との接続点に生じた電圧を前記バイアス電圧として生成することを特徴とする請求項３〜５のいずれか１に記載の半導体装置。