JP2016152334A - Probe device - Google Patents

Probe device Download PDF

Info

Publication number
JP2016152334A
JP2016152334A JP2015029537A JP2015029537A JP2016152334A JP 2016152334 A JP2016152334 A JP 2016152334A JP 2015029537 A JP2015029537 A JP 2015029537A JP 2015029537 A JP2015029537 A JP 2015029537A JP 2016152334 A JP2016152334 A JP 2016152334A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
wafer
probe card
space
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015029537A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6531344B2 (en
Inventor
桂 友瀧
Katsura Tomotaki
桂 友瀧
隆 石本
Takashi Ishimoto
隆 石本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2015029537A priority Critical patent/JP6531344B2/en
Publication of JP2016152334A publication Critical patent/JP2016152334A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6531344B2 publication Critical patent/JP6531344B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe device capable of cleaning a probe card properly without removing a probe card, in a probe device where the pressure is reduced in a space on the probe tip side of the probe card, when bringing a probe into contact with the electrode pad of a wafer.SOLUTION: When cleaning a probe card 20, a cleaning wafer CW is suction held by a wafer chuck 12, and brought into contact with the probe 21 of the probe card 20. Furthermore, the cleaning wafer CW is reciprocated in the vertical direction thus removing the deposits of the probe 21. Damage on the probe card 20 is prevented by opening a ventilation path 60, provided in the wafer chuck 12, and to the atmosphere and interconnecting with the atmosphere.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明はプローブ装置に係り、特に半導体ウエハ上に形成された複数の集積回路等の半導体素子(チップまたはダイ)の電気的特性を検査するプローブ装置に関する。   The present invention relates to a probe apparatus, and more particularly to a probe apparatus for inspecting electrical characteristics of semiconductor elements (chips or dies) such as a plurality of integrated circuits formed on a semiconductor wafer.

半導体製造工程において、ダイシング工程では、ダイシング装置によってダイシングフレームに固定された円板状の半導体ウエハが複数のチップ(ダイ)に切り分けられる。このダイシング工程の前、又は、後において各チップの電気的特性を検査するウエハテスト工程が行われており、このウエハテスト工程においてプローブ装置が用いられている。   In the semiconductor manufacturing process, in the dicing process, a disk-shaped semiconductor wafer fixed to a dicing frame by a dicing apparatus is cut into a plurality of chips (dies). A wafer test process for inspecting the electrical characteristics of each chip is performed before or after the dicing process, and a probe apparatus is used in the wafer test process.

プローブ装置は、テスタに接続されたプローブカードのプローブを、ステージに保持したウエハの各チップの電極パッドに接触させるための装置であり、テスタは、プローブを介してチップに電源及び各種の試験信号を供給し、チップの電極から出力される応答信号をプローブを介して取得して解析することにより、チップが正常に動作するか否かの確認を行う(例えば特許文献1参照)。   The probe device is a device for bringing the probe of the probe card connected to the tester into contact with the electrode pad of each chip of the wafer held on the stage, and the tester supplies power and various test signals to the chip via the probe. , And a response signal output from the electrode of the chip is obtained through a probe and analyzed to check whether the chip operates normally (see, for example, Patent Document 1).

また、このようなプローブ装置において、製造コスト低減のためにスループットの向上が強く求められており、1回の接触動作で複数のチップ(ダイ)を同時に検査するマルチプロービングが行われている。近年、1度に検査するチップ数は益々増加し、ウエハ上の全てのチップを同時に検査することも行われている。   Further, in such a probe apparatus, an improvement in throughput is strongly demanded for reducing manufacturing costs, and multi-probing is performed in which a plurality of chips (dies) are simultaneously inspected by a single contact operation. In recent years, the number of chips to be inspected at one time has been increasing, and all chips on a wafer are inspected at the same time.

また、半導体装置の検査においては、高温または低温などの通常とは異なる環境条件で長時間動作させるバーンイン試験が行われる。バーンイン試験では特に試験をチップごとに行ったのでは試験費用と時間が膨大となるため、ウエハ状態においてウエハ上の全てのチップのバーンイン試験を同時に行えるようにすることが重要である。   In the inspection of a semiconductor device, a burn-in test is performed in which the semiconductor device is operated for a long time under unusual environmental conditions such as high temperature or low temperature. In the burn-in test, especially when the test is performed for each chip, the test cost and time are enormous. Therefore, it is important to be able to simultaneously perform the burn-in test for all the chips on the wafer in the wafer state.

このようにウエハ上の全てのチップ又は多数のチップを同時に検査する場合に、プローブカードの全てのプローブが略均一な接触圧力でウエハ上の電極パッドに押し当てられるようにするため、特許文献2には、プローブカードとウエハとの間の空間をシーリング手段により密閉すると共に減圧し、シーリング手段により密閉された内部空間の圧力と大気圧との差圧によりプローブカードのプローブをウエハの電極パッドに押し当てるようにした構成が開示されている。   In this way, when all the chips or a large number of chips on the wafer are simultaneously inspected, all the probes of the probe card are pressed against the electrode pads on the wafer with a substantially uniform contact pressure. In this case, the space between the probe card and the wafer is sealed by the sealing means and depressurized, and the probe of the probe card is applied to the electrode pad of the wafer by the pressure difference between the internal space sealed by the sealing means and the atmospheric pressure. A configuration for pressing is disclosed.

特開2007−95938号公報JP 2007-95938 A 特開2011−91262号公報JP 2011-91262 A

ところで、プローブカードのプローブの先端には、検査を繰り返すうちにアルミ屑などの異物が付着する。プローブの先端に異物が付着すると、プローブカードとウエハとの間の接触抵抗値が大きくなり、検査結果に悪影響を及ぼす。したがって、プローブの先端の付着物を除去するためのクリーニングを適宜行う必要がある。   By the way, foreign matters such as aluminum scraps adhere to the tip of the probe of the probe card as the inspection is repeated. If foreign matter adheres to the tip of the probe, the contact resistance value between the probe card and the wafer increases, which adversely affects the inspection result. Therefore, it is necessary to appropriately perform cleaning for removing the deposit on the tip of the probe.

一方、プローブカードをプローブ装置から取り外してクリーニングを行うことは手間と時間を要するため、プローブカードをプローブ装置に取り付けた状態でクリーニングできるようにすることが望ましい。   On the other hand, since it takes time and effort to remove the probe card from the probe device and perform cleaning, it is desirable that the probe card can be cleaned while attached to the probe device.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、プローブをウエハの電極パッドに接触させる際にプローブカードのプローブ先端側の空間を減圧するプローブ装置において、プローブカードを取り外すことなくプローブカードのクリーニングを適切に行うことができるプローブ装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and in a probe device that depressurizes the space on the probe tip side of the probe card when the probe is brought into contact with the electrode pad of the wafer, the probe card is removed without removing the probe card. It is an object of the present invention to provide a probe device that can perform cleaning appropriately.

上記目的を達成するために本発明の一の態様に係るプローブ装置は、ウエハをウエハチャックにより支持し、ウエハに形成されたチップをプローブカードのプローブに接触させてプローブに接続されたテスタによりチップの電気的特性を検査するプローブ装置であって、プローブカードのプローブの先端が配置される空間を密閉するシーリング手段と、空間を減圧する減圧手段とを備えたプローブ装置において、ウエハチャックに設けられ、空間を大気に連通させる通気路と、通気路を閉鎖又は開放するシャッタ手段と、を備える。   In order to achieve the above object, a probe apparatus according to an aspect of the present invention includes a wafer supported by a wafer chuck, and a chip formed by a tester connected to the probe by contacting the chip formed on the wafer with the probe of the probe card. A probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a probe card, comprising: a sealing means for sealing a space in which a probe tip of a probe card is disposed; and a decompression means for decompressing the space. And an air passage for communicating the space with the atmosphere, and shutter means for closing or opening the air passage.

本態様によれば、シーリング手段により密閉されるプローブの先端の空間を、シャッタ手段を開放に設定することで通気路を介して大気(外部空間)に連通させた状態にすることができる。したがって、プローブカードのクリーニング用のウエハをプローブの先端に接触させて遠近方向に往復移動させることでプローブの付着物を確実に除去することができる。そして、プローブの先端の空間が非密閉状態であることからウエハの往復移動の際にプローブカードに負荷がかからずプローブカードが破損するという事態も生じない。   According to this aspect, the space at the tip of the probe sealed by the sealing means can be brought into communication with the atmosphere (external space) through the air passage by setting the shutter means to be open. Therefore, the probe deposits can be reliably removed by bringing the probe card cleaning wafer into contact with the tip of the probe and reciprocating in the perspective direction. Further, since the space at the tip of the probe is not sealed, the probe card is not loaded during the reciprocating movement of the wafer, and the probe card is not damaged.

本発明の他の態様に係るプローブ装置において、シャッタ手段は、吸引ポンプによる吸引のオンとオフとの切替えにより変位するシャッタ部材であって、吸引ポンプの吸引がオフのときに通気路を閉鎖する位置に移動し、吸引ポンプの吸引がオンのときに通気路を開放する位置に移動するシャッタ部材を有する態様とすることができる。   In the probe device according to another aspect of the present invention, the shutter means is a shutter member that is displaced by switching on and off the suction by the suction pump, and closes the air passage when the suction of the suction pump is off. It can be set as the aspect which has a shutter member which moves to a position and moves to the position which opens a ventilation path, when suction of a suction pump is ON.

本発明の更に他の態様のプローブ装置において、プローブカードのクリーニングの際に、シャッタ手段を通気路を開放する状態に設定し、かつ、ウエハチャックに支持されたクリーニング用のウエハをプローブに接触する位置で遠近方向に往復移動させる制御手段を有する態様とすることができる。   In the probe apparatus according to still another aspect of the present invention, when cleaning the probe card, the shutter means is set in a state of opening the air passage, and the cleaning wafer supported by the wafer chuck is brought into contact with the probe. It can be set as the aspect which has a control means to reciprocate in the perspective direction at a position.

本発明の更に他の態様のプローブ装置において、通気路は、プローブの先端が配置される空間に連通する開口をウエハチャックに支持されるウエハが配置されない位置に有する態様とすることができる。   In the probe device according to still another aspect of the present invention, the air passage may have an opening communicating with a space where the tip of the probe is disposed at a position where the wafer supported by the wafer chuck is not disposed.

本発明によれば、プローブをウエハの電極パッドに接触させる際にプローブカードのプローブ先端側の空間を減圧するプローブ装置において、プローブカードを取り外すことなくプローブカードのクリーニングを適切に行うことができる。   According to the present invention, in a probe apparatus that depressurizes the space on the probe tip side of the probe card when the probe is brought into contact with the electrode pad of the wafer, the probe card can be appropriately cleaned without removing the probe card.

本発明が適用されるウエハテストシステムの全体構成図Overall configuration diagram of a wafer test system to which the present invention is applied ウエハチャックがプローブカードに近接した状態を示した図Diagram showing the wafer chuck close to the probe card プローブカードのクリーニングのための構成及び動作を説明した図The figure explaining the structure and operation | movement for the cleaning of a probe card ウエハチャックの上面側からシャッタ機構部を示した斜視図The perspective view which showed the shutter mechanism part from the upper surface side of a wafer chuck シャッタ機構部を通気孔の軸線を含む断面で示した断面図であって通気路が閉鎖されている状態を示した図FIG. 5 is a cross-sectional view showing the shutter mechanism section in a cross section including the axis of the vent hole and showing a state in which the vent path is closed シャッタ機構部を通気孔の軸線を含む断面で示した断面図であって通気路が開放されている状態を示した図FIG. 5 is a cross-sectional view showing the shutter mechanism section in a cross section including the axis of the vent hole, and a view showing a state in which the vent path is opened

以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明が適用されるウエハテストシステム1の概略構成図である。同図に示すウエハテストシステム1は、多数の半導体チップ(以下、単にチップという)が形成された被検体(検査対象)であるウエハWを支持して検査位置への移動及び位置決め等を行うプローバ10(プローブ装置)と、検査位置のウエハWの各チップの電極パッドに接触するプローブ21を有するプローブカード20と、プローブカード20を介してウエハWの各チップにテスト信号を与えて各チップの性能(電気的特性)を検査するテスタ30とから構成される。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a wafer test system 1 to which the present invention is applied. A wafer test system 1 shown in FIG. 1 is a prober that supports a wafer W, which is an object (inspection target) on which a large number of semiconductor chips (hereinafter simply referred to as chips) are formed, and moves and positions the inspection position. 10 (probe device), a probe card 20 having a probe 21 in contact with an electrode pad of each chip of the wafer W at the inspection position, and a test signal is given to each chip of the wafer W via the probe card 20 And a tester 30 for inspecting performance (electrical characteristics).

プローバ10は、被検体であるウエハWを真空吸着して支持(保持)するウエハチャック12(ウエハステージ)を有する。ウエハチャック12の上面側には、周縁部に沿って環状のシールゴム14がシーリング手段として設けられる。このシールゴム14は後述のようにウエハチャック12(ウエハW)をプローブカード20に接近させたときに図2のようにプローブカード20の下面に密着し、内側の空間(プローブ空間50)、即ち、プローブカード20のプローブ21の先端が配置される空間を密閉状態にする。なお、プローブ空間50を密閉状態にするシーリング手段は本実施の形態のものに限らない。   The prober 10 has a wafer chuck 12 (wafer stage) that supports (holds) a wafer W as a subject by vacuum suction. On the upper surface side of the wafer chuck 12, an annular seal rubber 14 is provided as a sealing means along the peripheral edge. As will be described later, when the wafer chuck 12 (wafer W) is brought close to the probe card 20, the seal rubber 14 comes into close contact with the lower surface of the probe card 20 as shown in FIG. 2, and the inner space (probe space 50), that is, The space where the tip of the probe 21 of the probe card 20 is arranged is sealed. The sealing means for sealing the probe space 50 is not limited to the one in the present embodiment.

ウエハチャック12は、モータによって動作するステージ移動機構16により、互いに直交するX、Y、Zの各軸方向、及びθ方向に移動可能に支持される。なお、X軸及びY軸は水平方向に沿った軸であり、Z軸は鉛直方向に沿った軸であり、θ方向は、ウエハチャック12の中心を通る鉛直方向に沿ったθ軸に対する軸周りの方向を示す。   The wafer chuck 12 is supported by a stage moving mechanism 16 operated by a motor so as to be movable in the X, Y, and Z axial directions orthogonal to each other and in the θ direction. The X axis and the Y axis are axes along the horizontal direction, the Z axis is an axis along the vertical direction, and the θ direction is an axis around the θ axis along the vertical direction passing through the center of the wafer chuck 12. Indicates the direction.

ステージ移動機構16は、システム全体を統括的に制御する制御手段である制御部40により制御され、不図示のカメラの情報などに基づくステージ移動機構16に対する制御部40の制御によって、ウエハチャック12及びウエハチャック12に吸着保持されたウエハWの移動及び位置決めが行われる。制御部40にはユーザが所定の情報を入力する不図示の入力手段や所定の情報を出力するモニタ等の出力手段が接続される。   The stage moving mechanism 16 is controlled by a control unit 40 that is a control unit that comprehensively controls the entire system, and is controlled by the control unit 40 with respect to the stage moving mechanism 16 based on information of a camera (not shown) and the like. The wafer W held by the wafer chuck 12 is moved and positioned. The control unit 40 is connected to an input unit (not shown) through which a user inputs predetermined information and an output unit such as a monitor that outputs predetermined information.

また、プローバ10は、上部に板状のヘッドステージ18を有し、ヘッドステージ18に設けられた開口部18Aにプローブカード20が取り付けられる。   Further, the prober 10 has a plate-like head stage 18 at the top, and the probe card 20 is attached to an opening 18A provided in the head stage 18.

プローブカード20は、検査するデバイスの電極配置に応じて配置された多数本のプローブ21を下面側に有し、検査するデバイスの種類(ウエハWの種類)に応じて交換される。本実施の形態におけるプローブカード20は、ウエハWの全てのチップを一括して同時に検査する場合に用いられるプローブカードであり、それらの複数のチップの電極パッドに同時に接触する多数本のプローブ21を有する。   The probe card 20 has a large number of probes 21 arranged on the lower surface side according to the electrode arrangement of the device to be inspected, and is exchanged according to the type of device to be inspected (type of wafer W). The probe card 20 in the present embodiment is a probe card used when all the chips on the wafer W are inspected at the same time, and includes a large number of probes 21 that simultaneously contact the electrode pads of the plurality of chips. Have.

プローブカード20の上面側には、各プローブ21に接続された複数の端子が設けられており、そのプローブカード20の上面側にはテスタ30を構成するコンタクトリング31、テストヘッド32、及びテスタ本体33のうちのコンタクトリング31及びテストヘッド32がプローバ10に支持された状態で配置される。   A plurality of terminals connected to each probe 21 are provided on the upper surface side of the probe card 20, and a contact ring 31, a test head 32, and a tester body constituting the tester 30 are provided on the upper surface side of the probe card 20. The contact ring 31 and the test head 32 of 33 are arranged in a state supported by the prober 10.

コンタクトリング31は、プローブカード20とテストヘッド32の間に配置され、プローブカード20の上面側の端子とテストヘッド32の内部の回路とを多数のコンタクトにより電気的に接続する。   The contact ring 31 is disposed between the probe card 20 and the test head 32, and electrically connects a terminal on the upper surface side of the probe card 20 and a circuit inside the test head 32 through a number of contacts.

テストヘッド32は、コンタクトリング31及びプローブカード20を介してウエハWに電気的に接続される回路であって、ウエハWの各チップに印加するテスト信号を生成して出力する回路、テスト信号に対して各チップから出力される応答信号を取り込む回路等を有する。   The test head 32 is a circuit that is electrically connected to the wafer W via the contact ring 31 and the probe card 20, and generates a test signal to be applied to each chip of the wafer W and outputs the test signal. On the other hand, it has a circuit for fetching response signals output from each chip.

テストヘッド32には、プローバ10の側部等に配置されたテスタ本体33が電気的に接続される。テスタ本体33は、テストヘッド32を制御してテストヘッド32に対してテスト信号の生成及び出力、応答信号の取込み等を実施させる。また、テスタ本体33は、テストヘッド32を介して得られたテスト信号に対する応答信号の状態に基づいて各チップの性能を検査(電気的特性を測定)し、各チップの良否判定(良品と不良品の選別)等を行う。   A tester body 33 disposed on the side of the prober 10 or the like is electrically connected to the test head 32. The tester body 33 controls the test head 32 to cause the test head 32 to generate and output a test signal, take in a response signal, and the like. The tester body 33 inspects the performance of each chip (measures electrical characteristics) based on the state of the response signal to the test signal obtained via the test head 32, and determines whether each chip is good or bad (non-defective and bad). Sorting non-defective products).

以上のウエハテストシステム1の作用について説明すると、ウエハテストシステム1は、制御部40により統括的に制御され、ユーザが不図示の入力手段から入力指示した処理内容に対応した各部の動作が制御部40の制御により実施される。   The operation of the wafer test system 1 will be described. The wafer test system 1 is comprehensively controlled by the control unit 40, and the operation of each unit corresponding to the processing content input by the user from input means (not shown) is controlled by the control unit. It is implemented by 40 controls.

例えば、ウエハWの検査を実施する場合、通常は被検体であるウエハWが不図示のカセットに複数収容されており、その不図示のカセットから不図示の搬送手段によりウエハWが順次取り出されてウエハチャック12に搬送されて吸着保持される。そして、ウエハチャック12に順次搬送されたウエハWは検査が終了すると、搬送手段により順次カセットに戻される。   For example, when inspecting the wafer W, normally, a plurality of wafers W as a subject are accommodated in a cassette (not shown), and the wafers W are sequentially taken out from the cassette (not shown) by transfer means (not shown). It is transferred to the wafer chuck 12 and held by suction. The wafers W sequentially transferred to the wafer chuck 12 are sequentially returned to the cassette by the transfer means when the inspection is completed.

ウエハチャック12にウエハWが搬送されて吸着保持された際には、ステージ移動機構16によりウエハWの各チップの配列方向及び位置が予め決められた状態となるようにアライメントされる。そして、図2に示すようにプローブカード20の各プローブ21にウエハWの各チップの電極パッドが接触する検査位置にウエハチャック12が移動する。   When the wafer W is transported to the wafer chuck 12 and sucked and held, the stage moving mechanism 16 performs alignment so that the arrangement direction and position of each chip on the wafer W are in a predetermined state. Then, as shown in FIG. 2, the wafer chuck 12 moves to an inspection position where the electrode pads of the chips of the wafer W come into contact with the probes 21 of the probe card 20.

ウエハチャック12が検査位置に移動した状態では、ウエハチャック12のシールゴム14がプローブカード20の下面に密着し、プローブ21が配置されるシールゴム14の内側のプローブ空間50、即ち、ウエハチャック12と、プローブカード20と、シールゴム14とで囲まれた空間であるプローブ空間50が密閉される。そして、ウエハチャック12の上面に設けられた吸引孔からの吸引によりプローブ空間50が減圧される。これによって、プローブ空間50が略真空状態に設定され、プローブカード20が上面側の大気圧と、プローブ空間50の内部圧力との差圧によりウエハW側に押されて、全てのプローブ21が略均一な接触圧力でウエハW上の電極パッドに押し当てられる。   When the wafer chuck 12 is moved to the inspection position, the seal rubber 14 of the wafer chuck 12 is in close contact with the lower surface of the probe card 20, and the probe space 50 inside the seal rubber 14 in which the probe 21 is disposed, that is, the wafer chuck 12; A probe space 50 that is a space surrounded by the probe card 20 and the seal rubber 14 is sealed. Then, the probe space 50 is depressurized by suction from a suction hole provided on the upper surface of the wafer chuck 12. As a result, the probe space 50 is set to a substantially vacuum state, and the probe card 20 is pushed to the wafer W side by the pressure difference between the atmospheric pressure on the upper surface side and the internal pressure of the probe space 50, so that all the probes 21 are substantially omitted. It is pressed against the electrode pad on the wafer W with a uniform contact pressure.

なお、プローブ空間50を真空状態にするための吸引孔は、ウエハWをウエハチャック12に吸着するための吸引孔を兼ねるものであっても、それ以外のものであってもよいし、ウエハチャック12以外の部分に設けられたものであってもよい。   Note that the suction hole for bringing the probe space 50 into a vacuum state may serve as a suction hole for attracting the wafer W to the wafer chuck 12 or may be other than that, or may be a wafer chuck. It may be provided in a portion other than 12.

この状態に設定されると、テスタ本体33の指示によりテストヘッド32からウエハWに対してテスト信号が出力されると共に、その応答信号がテストヘッド32に取り込まれる。これによって、各チップの性能の検査(電気的特性の測定)が行われ、テスタ本体33により各チップの良否判定(良品と不良品との選別)等が行われる。   When this state is set, a test signal is output from the test head 32 to the wafer W according to an instruction from the tester main body 33, and a response signal is taken into the test head 32. As a result, the performance of each chip is inspected (electrical characteristic measurement), and the tester main body 33 determines the quality of each chip (selection between a good product and a defective product).

テスタ30による検査が終了すると、ステージ移動機構16によりウエハチャック12及びウエハWがプローブカード20から離間し、不図示の搬送手段によりウエハWがウエハチャック12からカセットに搬送されてカセットに収容される。   When the inspection by the tester 30 is completed, the wafer chuck 12 and the wafer W are separated from the probe card 20 by the stage moving mechanism 16, and the wafer W is transferred from the wafer chuck 12 to the cassette by the transfer means (not shown) and stored in the cassette. .

また、ウエハテストシステム1は、制御部40への入力手段からのユーザの指示によりプローブカード20のプローブ21のクリーニングを以下のように実施する。   In addition, the wafer test system 1 performs the cleaning of the probe 21 of the probe card 20 as follows in accordance with a user instruction from the input means to the control unit 40.

次に、上記ウエハテストシステム1におけるプローブカード20のプローブ21のクリーニングについて説明する。   Next, cleaning of the probe 21 of the probe card 20 in the wafer test system 1 will be described.

プローブカード20のプローブ21の先端には、上記検査を繰り返している間にアルミ屑などの異物が付着する。このような異物の付着は、プローブカード20とウエハWとの間の接触抵抗値を大きくし、検査結果に悪影響を及ぼす。   A foreign substance such as aluminum dust adheres to the tip of the probe 21 of the probe card 20 while the above inspection is repeated. Such adhesion of foreign substances increases the contact resistance value between the probe card 20 and the wafer W and adversely affects the inspection result.

したがって、適度な頻度及びタイミングでクリーニングを行い、プローブ21の先端から付着物を除去する必要があるが、プローブカード20をヘッドステージ18から取り外してクリーニングすることは煩雑な手間と時間を要する。   Therefore, it is necessary to perform cleaning at an appropriate frequency and timing to remove the deposits from the tip of the probe 21. However, removing the probe card 20 from the head stage 18 for cleaning requires troublesome work and time.

そこで、本実施の形態のウエハテストシステム1では、プローブカード20をヘッドステージ18から取り外すことなく適切にクリーニングする方法として、材質がセラミックで形成されたウエハや、ミラーウエハにクリーニング用のシートを貼り付けたウエハをクリーニング用のクリーニングウエハとして用いる。そして、通常のウエハWと同様にクリーニングウエハをウエハチャック12で吸着保持し、プローブカード20のプローブ21の先端に接触させる。   Therefore, in the wafer test system 1 of the present embodiment, as a method of appropriately cleaning the probe card 20 without removing it from the head stage 18, a cleaning sheet is attached to a wafer made of ceramic or a mirror wafer. The attached wafer is used as a cleaning wafer for cleaning. Then, like the normal wafer W, the cleaning wafer is sucked and held by the wafer chuck 12 and brought into contact with the tip of the probe 21 of the probe card 20.

このとき、クリーニング時の特別な動作として、図3に示すように、クリーニングウエハCWの表面CWSがプローブ21の先端に接触して所定量押し上げる位置P1と、プローブ21の先端から約300μm離れた位置P0との間で往復移動するように、ウエハチャック12を上下に複数回往復移動させる。即ち、クリーニングウエハCWをプローブ21に対して遠近方向に所定回往復移動させる。   At this time, as a special operation at the time of cleaning, as shown in FIG. 3, a position P1 where the surface CWS of the cleaning wafer CW contacts the tip of the probe 21 and pushes it up by a predetermined amount, and a position away from the tip of the probe 21 by about 300 μm The wafer chuck 12 is reciprocated up and down several times so as to reciprocate with P0. That is, the cleaning wafer CW is reciprocated a predetermined number of times in the perspective direction with respect to the probe 21.

これによって、プローブ21の先端がクリーニングウエハCWの表面CWSを擦るように移動するため、プローブ21の先端の付着物が確実に除去される。   As a result, the tip of the probe 21 moves so as to rub against the surface CWS of the cleaning wafer CW, so that the deposit on the tip of the probe 21 is reliably removed.

一方、このようなクリーニング動作時においてもウエハチャック12のシールゴム14によりプローブ空間50が形成され、プローブ空間50が密閉状態となる。即ち、シールゴム14がプローブカード20に吸着する。   On the other hand, even during such a cleaning operation, the probe space 50 is formed by the seal rubber 14 of the wafer chuck 12, and the probe space 50 is sealed. That is, the seal rubber 14 is attracted to the probe card 20.

そのため、ウエハチャック12を上下方向に高速で往復移動させると、ウエハチャック12が下降する際にプローブカード20が下側に引っ張れて破損する可能性がある。   For this reason, if the wafer chuck 12 is reciprocated at high speed in the vertical direction, the probe card 20 may be pulled down and damaged when the wafer chuck 12 is lowered.

そこで、本実施の形態のウエハチャック12には、図3に示すようにプローブ空間50を大気(外部空間)に連通させる通気路60が形成されると共に、その通気路60を開閉するシャッタ機構部62がシャッタ手段としてウエハチャック12の裏面側に設けられる。プローブ空間50に連通する通気路60の開口はウエハチャック12に支持されるウエハWが配置されない位置に設けられる。   Therefore, in the wafer chuck 12 of the present embodiment, as shown in FIG. 3, an air passage 60 that allows the probe space 50 to communicate with the atmosphere (external space) is formed, and a shutter mechanism that opens and closes the air passage 60. 62 is provided on the back side of the wafer chuck 12 as shutter means. The opening of the air passage 60 communicating with the probe space 50 is provided at a position where the wafer W supported by the wafer chuck 12 is not disposed.

また、シャッタ機構部62による通気路60の開閉の切替えは、制御部40により制御される減圧手段(吸引手段)である吸引ポンプ64の吸引のオンとオフとの切替えにより行われる。   In addition, switching of the opening and closing of the air passage 60 by the shutter mechanism unit 62 is performed by switching on and off the suction of the suction pump 64 that is a decompression unit (suction unit) controlled by the control unit 40.

これによれば、ウエハWの検査時には、シャッタ機構部62により通気路60を閉鎖することで、プローブ空間50を密閉状態にすることができる。一方、プローブカード20(プローブ21)のクリーニング時には、シャッタ機構部62により通気路60を開放することで、プローブ空間50を非密閉状態にすることができる。したがって、クリーニング時にはシールゴム14がプローブカード20に吸着せず、クリーニング動作としてウエハチャック12を上下方向(遠近方向)に高速で往復移動させてもプローブカード20の破損が生じ難いものとなっている。なお、シャッタ機構部62は、吸引ポンプ64による吸引がオフのときに通気路60を閉鎖し、吸引ポンプ64による吸引がオンのときに通気路60を開放する。   According to this, when the wafer W is inspected, the probe space 50 can be sealed by closing the air passage 60 by the shutter mechanism 62. On the other hand, at the time of cleaning the probe card 20 (probe 21), the probe space 50 can be brought into an unsealed state by opening the air passage 60 by the shutter mechanism 62. Therefore, the seal rubber 14 is not attracted to the probe card 20 during cleaning, and the probe card 20 is hardly damaged even when the wafer chuck 12 is reciprocated at high speed in the vertical direction (far-near direction) as a cleaning operation. The shutter mechanism 62 closes the air passage 60 when the suction by the suction pump 64 is off, and opens the air passage 60 when the suction by the suction pump 64 is on.

次にシャッタ機構部62の構成について説明する。図4は、ウエハチャック12の上面側からシャッタ機構部62を示した斜視図である。   Next, the configuration of the shutter mechanism unit 62 will be described. FIG. 4 is a perspective view showing the shutter mechanism 62 from the upper surface side of the wafer chuck 12.

同図に示すようにウエハチャック12は、円板状に形成され、その上面には、中心軸(θ軸)の位置を含む円形状の領域であって、ウエハW又はクリーニングウエハCWを吸着保持する支持部12A(図3も参照)と、支持部12Aの外周側の円環状の領域を有し、支持部12Aに支持されたウエハW又はクリーニングウエハCWの外周縁よりも外側に配置される周縁部12Bとが形成され、支持部12Aは周縁部12Bよりも上側に突出する。また周縁部12Bには上述にように環状のシールゴム14が設けられる。なお、支持部12Aや周縁部12Bには、ウエハW又はクリーニングウエハCWを吸着保持すると共に、ウエハWの検査の際にプローブ空間50を減圧するための吸引孔を有する吸引溝等が設けられる。   As shown in the figure, the wafer chuck 12 is formed in a disc shape, and a top surface of the wafer chuck 12 is a circular region including the position of the central axis (θ axis), and holds the wafer W or the cleaning wafer CW by suction. 12A (see also FIG. 3) and an annular region on the outer peripheral side of the support portion 12A, and is disposed outside the outer peripheral edge of the wafer W or the cleaning wafer CW supported by the support portion 12A. The peripheral portion 12B is formed, and the support portion 12A protrudes above the peripheral portion 12B. Further, as described above, the annular seal rubber 14 is provided on the peripheral edge portion 12B. The support portion 12A and the peripheral portion 12B are provided with a suction groove or the like having a suction hole for sucking and holding the wafer W or the cleaning wafer CW and depressurizing the probe space 50 when the wafer W is inspected.

一方、ウエハW及びクリーニングウエハCWが配置されない周縁部12Bにおいてシールゴム14の内側には上記通気路60を形成する複数の通気孔80が形成され、それらの通気孔80が貫通するウエハチャック12の下面側の位置には上述のシャッタ機構部62が取り付けられる。なお、通気孔80及びシャッタ機構部62は、周縁部12Bの数カ所(例えば3箇所)に設けられる。   On the other hand, a plurality of air holes 80 forming the air passage 60 are formed inside the seal rubber 14 at the peripheral edge portion 12B where the wafer W and the cleaning wafer CW are not disposed, and the lower surface of the wafer chuck 12 through which the air holes 80 pass. The shutter mechanism 62 described above is attached to the position on the side. The vent hole 80 and the shutter mechanism 62 are provided at several locations (for example, three locations) on the peripheral edge portion 12B.

図5、図6は、1つのシャッタ機構部62を通気孔80の軸線を含む断面で示した断面図であり、図5は通気路60が閉鎖されている状態を示し、図6は通気路60が開放されている状態を示す。   5 and 6 are cross-sectional views showing one shutter mechanism 62 in a cross section including the axis of the air hole 80. FIG. 5 shows a state where the air passage 60 is closed, and FIG. 6 shows the air passage. 60 shows the open state.

これらの図に示すように、シャッタ機構部62は、ウエハチャック12の裏面に固設される板状のベース部材90を有し、ベース部材90にU字状のフランジ部材92がネジ94、94により固定される(図4参照)。これにより、ベース部材90とフランジ部材92の間に、ウエハチャック12の中心軸からみて径方向(紙面に垂直な方向)に貫通する空間部96が形成される。   As shown in these drawings, the shutter mechanism 62 has a plate-like base member 90 fixed to the back surface of the wafer chuck 12, and a U-shaped flange member 92 is attached to the base member 90 with screws 94, 94. (See FIG. 4). As a result, a space portion 96 is formed between the base member 90 and the flange member 92 so as to penetrate in a radial direction (a direction perpendicular to the paper surface) when viewed from the central axis of the wafer chuck 12.

ベース部材90には、ウエハチャック12の通気孔80に連通し、空間部96にも連通する貫通孔97が設けられる。その貫通孔97の下端部にはバキュームパッド98が設けられる。   The base member 90 is provided with a through hole 97 that communicates with the air hole 80 of the wafer chuck 12 and also communicates with the space portion 96. A vacuum pad 98 is provided at the lower end of the through hole 97.

貫通孔97の左右両側にはベース部材90の下面から空間部96に突出するピン99、99が設けられ、それらのピン99、99が挿通する挿通孔100A、100Aを有する板状のシャッタ部材100が空間部96内に配置される。シャッタ部材100は、ピン99、99によりガイドされて空間部96内を上下方向に移動可能に支持される。   Pins 99 and 99 projecting from the lower surface of the base member 90 to the space portion 96 are provided on the left and right sides of the through hole 97, and the plate-like shutter member 100 having insertion holes 100A and 100A through which the pins 99 and 99 are inserted. Is disposed in the space 96. The shutter member 100 is supported by the pins 99 and 99 so as to be movable in the vertical direction in the space portion 96.

フランジ部材92には、ベース部材90の通気孔80に対向して貫通孔101が設けられる。その貫通孔101の上端部にはバキュームパッド102が設けられる。貫通孔101の下端側には継手103が設けられる。継手103にはチューブを介して図3に示した吸引ポンプ64が接続される。   The through hole 101 is provided in the flange member 92 so as to face the vent hole 80 of the base member 90. A vacuum pad 102 is provided at the upper end of the through hole 101. A joint 103 is provided on the lower end side of the through hole 101. The suction pump 64 shown in FIG. 3 is connected to the joint 103 via a tube.

また、フランジ部材92の上面側において、貫通孔101の周辺部には環状の凹部104が形成されており、シャッタ部材100の下面にはその凹部104に嵌入し、凹部104の内側の壁面と摺接する環状の凸部105が設けられる。これによって、シャッタ部材100の凸部105に対して内側の空間と外側の空間とが略遮断され、貫通孔101はシャッタ部材100の凸部105の内側の空間にのみ連通する。   Further, on the upper surface side of the flange member 92, an annular recess 104 is formed in the periphery of the through hole 101, and the lower surface of the shutter member 100 is fitted into the recess 104 and slides on the inner wall surface of the recess 104. An annular convex portion 105 is provided in contact therewith. As a result, the inner space and the outer space are substantially blocked from the convex portion 105 of the shutter member 100, and the through hole 101 communicates only with the inner space of the convex portion 105 of the shutter member 100.

更に、フランジ部材92の上面側には、シャッタ部材100を上側に向けて付勢するバネ106、106が取り付けられる。   Further, springs 106, 106 that urge the shutter member 100 upward are attached to the upper surface side of the flange member 92.

以上のシャッタ機構部62によれば、継手103に接続された吸引ポンプ64による吸引がオフの場合には、図5のようにシャッタ部材100がバネ106により上側に付勢されてベース部材90のバキュームパッド98に密着する位置に設定されて貫通孔97を閉鎖する。これにより、ウエハチャック12の通気孔80が閉鎖され、プローブ空間50が密閉状態となる。したがって、ウエハWの検査を行う際には、吸引ポンプ64による吸引がオフに設定され、プローブ空間50が密閉される。   According to the shutter mechanism 62 described above, when suction by the suction pump 64 connected to the joint 103 is off, the shutter member 100 is biased upward by the spring 106 as shown in FIG. The through hole 97 is closed by setting the position close to the vacuum pad 98. As a result, the vent hole 80 of the wafer chuck 12 is closed, and the probe space 50 is sealed. Therefore, when the wafer W is inspected, the suction by the suction pump 64 is set to OFF, and the probe space 50 is sealed.

一方、吸引ポンプ64による吸引がオンの場合には、その吸引力によりシャッタ部材100がバネ106の付勢力に抗して下側に移動し、図6のようにフランジ部材92のバキュームパッド102に密着する位置に移動する。これにより、ウエハチャック12の通気孔80が開放されてプローブ空間50が大気に連通した状態(非密閉状態)となる。したがって、プローブカード20(プローブ21)のクリーニングを行う際には、吸引ポンプ64による吸引がオンに設定され、プローブ空間50が大気に連通される。   On the other hand, when the suction by the suction pump 64 is on, the shutter member 100 moves downward against the biasing force of the spring 106 by the suction force, and the vacuum pad 102 of the flange member 92 is applied to the vacuum pad 102 as shown in FIG. Move to the close contact position. As a result, the vent hole 80 of the wafer chuck 12 is opened, and the probe space 50 communicates with the atmosphere (non-sealed state). Therefore, when cleaning the probe card 20 (probe 21), the suction by the suction pump 64 is set to ON, and the probe space 50 is communicated with the atmosphere.

以上、上記実施の形態において、シャッタ機構部62における通気路60の閉鎖又は開放の切替えは吸気ポンプに限らず電気的な手段などの任意の手段によるものでよい。   As described above, in the above embodiment, the switching of the closing or opening of the air passage 60 in the shutter mechanism section 62 is not limited to the intake pump, and may be performed by any means such as an electric means.

また、上記実施の形態において、通気路60は、ウエハチャック12に支持されたウエハWが配置されない位置にプローブ空間50に連通する開口を有するものであれば良い。   Further, in the above-described embodiment, the ventilation path 60 may have an opening communicating with the probe space 50 at a position where the wafer W supported by the wafer chuck 12 is not disposed.

また、上記実施の形態において、プローバ10がバーンイン試験を行うか否かにかかわらず本発明を適用できる。また、本発明は、プローブカードがウエハWの全てのチップの検査を同時に行うものである場合に限らず、プローブ21をウエハWの電極パッドに接触させる際にプローブカード20のプローブ21の先端側の空間(プローブ空間50)を減圧するプローバ10に適用することができる。   Moreover, in the said embodiment, this invention is applicable regardless of whether the prober 10 performs a burn-in test. Further, the present invention is not limited to the case where the probe card performs the inspection of all the chips on the wafer W at the same time, and the tip side of the probe 21 of the probe card 20 when the probe 21 is brought into contact with the electrode pad of the wafer W. This can be applied to the prober 10 that depressurizes the space (probe space 50).

W…ウエハ、CW…クリーニングウエハ、1…ウエハテストシステム、10…プローバ(プローブ装置)、12…ウエハチャック、14…シールゴム、16…ステージ移動機構、18…ヘッドステージ、20…プローブカード、21…プローブ、30…テスタ、31…コンタクトリング、32…テストヘッド、33…テスタ本体、40…制御部、50…プローブ空間、60…通気路、62…シャッタ機構部、64…吸引ポンプ、90…ベース部材、92…フランジ部材、100…シャッタ部材   W ... wafer, CW ... cleaning wafer, 1 ... wafer test system, 10 ... prober (probe device), 12 ... wafer chuck, 14 ... seal rubber, 16 ... stage moving mechanism, 18 ... head stage, 20 ... probe card, 21 ... Probe 30. Tester 31 Contact ring 32 Test head 33 Tester body 40 Control unit 50 Probe space 60 Air passage 62 Shutter mechanism 64 Suction pump 90 Base Member, 92 ... flange member, 100 ... shutter member

Claims (4)

ウエハをウエハチャックにより支持し、前記ウエハに形成されたチップをプローブカードのプローブに接触させてプローブに接続されたテスタにより前記チップの電気的特性を検査するプローブ装置であって、前記プローブカードのプローブの先端が配置される空間を密閉するシーリング手段と、前記空間を減圧する減圧手段とを備えたプローブ装置において、
前記ウエハチャックに設けられ、前記空間を大気に連通させる通気路と、
前記通気路を閉鎖又は開放するシャッタ手段と、
を備えたプローブ装置。
A probe apparatus for supporting a wafer by a wafer chuck, contacting a chip formed on the wafer with a probe of a probe card, and inspecting electrical characteristics of the chip by a tester connected to the probe, comprising: In a probe apparatus comprising: sealing means for sealing a space in which a probe tip is disposed; and decompression means for decompressing the space;
An air passage provided in the wafer chuck and communicating the space with the atmosphere;
Shutter means for closing or opening the air passage;
A probe device comprising:
前記シャッタ手段は、吸引ポンプによる吸引のオンとオフとの切替えにより変位するシャッタ部材であって、前記吸引ポンプの吸引がオフのときに前記通気路を閉鎖する位置に移動し、前記吸引ポンプの吸引がオンのときに前記通気路を開放する位置に移動するシャッタ部材を有する請求項1に記載のプローブ装置。   The shutter means is a shutter member that is displaced by switching on and off of suction by a suction pump, and moves to a position that closes the air passage when suction of the suction pump is off. The probe apparatus according to claim 1, further comprising a shutter member that moves to a position that opens the air passage when suction is on. 前記プローブカードのクリーニングの際に、前記シャッタ手段を前記通気路を開放する状態に設定し、かつ、前記ウエハチャックに支持されたクリーニング用のウエハを前記プローブに接触する位置で遠近方向に往復移動させる制御手段を有する請求項1又は2に記載のプローブ装置。   When cleaning the probe card, the shutter means is set in a state in which the air passage is opened, and the cleaning wafer supported by the wafer chuck is reciprocated in the perspective direction at a position in contact with the probe. The probe device according to claim 1, further comprising a control unit for controlling the probe device. 前記通気路は、前記空間に連通する開口を前記ウエハチャックに支持されるウエハが配置されない位置に有する請求項1、2、又は3に記載のプローブ装置。   The probe device according to claim 1, wherein the air passage has an opening communicating with the space at a position where a wafer supported by the wafer chuck is not disposed.
JP2015029537A 2015-02-18 2015-02-18 Probe device Active JP6531344B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015029537A JP6531344B2 (en) 2015-02-18 2015-02-18 Probe device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015029537A JP6531344B2 (en) 2015-02-18 2015-02-18 Probe device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016152334A true JP2016152334A (en) 2016-08-22
JP6531344B2 JP6531344B2 (en) 2019-06-19

Family

ID=56696800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015029537A Active JP6531344B2 (en) 2015-02-18 2015-02-18 Probe device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6531344B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109633486A (en) * 2017-10-06 2019-04-16 苏州嘉大电子有限公司 Test device and sorter
CN111856183A (en) * 2020-07-21 2020-10-30 宿州学院 Detection apparatus for electrical automation equipment
CN113714207A (en) * 2021-08-30 2021-11-30 上海华力微电子有限公司 Probe card cleaning device
JP7285739B2 (en) 2019-08-28 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 How to clean the prober and probe card

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1019928A (en) * 1996-07-03 1998-01-23 Denki Kagaku Kogyo Kk Cleaning member and cleaning method
JPH11121548A (en) * 1997-10-17 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wafer cassette
JPH11238768A (en) * 1998-02-20 1999-08-31 Japan Electronic Materials Corp Probe end cleaning sheet
JP2011091262A (en) * 2009-10-23 2011-05-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd Prober and probe inspecting method
WO2012029130A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-08 株式会社アドバンテスト Wafer tray, semiconductor wafer testing apparatus, and semiconductor wafer testing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1019928A (en) * 1996-07-03 1998-01-23 Denki Kagaku Kogyo Kk Cleaning member and cleaning method
JPH11121548A (en) * 1997-10-17 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wafer cassette
JPH11238768A (en) * 1998-02-20 1999-08-31 Japan Electronic Materials Corp Probe end cleaning sheet
JP2011091262A (en) * 2009-10-23 2011-05-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd Prober and probe inspecting method
WO2012029130A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-08 株式会社アドバンテスト Wafer tray, semiconductor wafer testing apparatus, and semiconductor wafer testing method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109633486A (en) * 2017-10-06 2019-04-16 苏州嘉大电子有限公司 Test device and sorter
JP7285739B2 (en) 2019-08-28 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 How to clean the prober and probe card
CN111856183A (en) * 2020-07-21 2020-10-30 宿州学院 Detection apparatus for electrical automation equipment
CN113714207A (en) * 2021-08-30 2021-11-30 上海华力微电子有限公司 Probe card cleaning device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6531344B2 (en) 2019-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9581641B2 (en) Wafer inspection apparatus
US9638745B2 (en) Wafer mounting method and wafer inspection device
US8207744B2 (en) Testing apparatus
JP6031292B2 (en) Board contact method to probe card
JPH05136218A (en) Inspection device
JP5858312B1 (en) Probing apparatus and probe contact method
JP6531344B2 (en) Probe device
JP2011091262A (en) Prober and probe inspecting method
JP2007040926A (en) Prober
US6317647B1 (en) Aligner
CN110431431B (en) Method for diagnosing inspection apparatus and inspection system
WO2018225384A1 (en) Inspection apparatus, inspection system, and aligning method
JP2020161631A (en) Inspection apparatus
KR20150019262A (en) Method for testing semiconductor package
KR102608159B1 (en) Testing apparatus and testing method thereof
JP2000124298A (en) Transfer/holding mechanism for wafer and method for sucking wafer
US8667669B2 (en) Apparatus and method for manufacturing a packaged device
WO2019064876A1 (en) Testing system and testing method
JP2015169589A (en) Semiconductor testing device
TWI614821B (en) Systems and methods for generating and preserving vacuum between semiconductor wafer and wafer translator
KR102534369B1 (en) Apparatus for testing probe station
KR20210115902A (en) The blanking method of the device vacuum chuck
TWI669514B (en) Mechanism for testing semiconductor products using electrostatic carriers
JP2018189390A (en) Carrier for electronic component tester
JP2018189391A (en) Carrier for electronic component tester

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170815

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190422

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190505

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6531344

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250