JP2016148694A - Black matrix substrate, manufacturing method of black matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Black matrix substrate, manufacturing method of black matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a black matrix substrate that can realize excellent display quality, a manufacturing method of a black matrix substrate, a liquid crystal device including the black matrix substrate, and an electronic apparatus.SOLUTION: A black matrix substrate 50 comprises: a translucent substrate 21; a first light-shielding layer 51 that is arranged on one face of the substrate 21; and a second light-shielding layer 52 that is arranged on a face of the substrate 21 on the opposite side of the first light-shielding layer 51. An end face 57 of the second light-shielding layer 52 projects more than an end face 56 of the first light-shielding layer 51 in cross-sectional view.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、ブラックマトリクス基板、ブラックマトリクス基板の製造方法、このブラックマトリクス基板を用いた電気光学装置、および電子機器に関する。   The present invention relates to a black matrix substrate, a method for manufacturing the black matrix substrate, an electro-optical device using the black matrix substrate, and an electronic apparatus.

従来から、電気光学装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、EVF(Electronic View Finder)やヘッドマウントディスプレイ(HMD、Head Mounted Display)などに用いられている。   Conventionally, as one of electro-optical devices, for example, an active drive type liquid crystal device including a transistor for each pixel as an element for switching control of a pixel electrode is known. The liquid crystal device is used for, for example, an EVF (Electronic View Finder), a head mounted display (HMD, Head Mounted Display) and the like.

液晶装置などの電気光学装置においてカラー画像を表示する場合、透光性の基板の一方の面側にカラーフィルター層を設けた対向基板が用いられる。このような対向基板には、画素(サブピクセル)間にいわゆるブラックマトリクスと呼ばれる遮光性の突部が設けられており、遮光性の突部で区画された凹部にカラーフィルター層を設けて互いに隣接する画素間での混色を防止している。   When displaying a color image in an electro-optical device such as a liquid crystal device, a counter substrate provided with a color filter layer on one surface side of a light-transmitting substrate is used. Such a counter substrate is provided with a light-shielding protrusion called a so-called black matrix between pixels (sub-pixels), and a color filter layer is provided in a recess defined by the light-shielding protrusion to be adjacent to each other. Color mixing between pixels is prevented.

例えば、特許文献1には、透明基板(透光性の基板)上に所定膜、クロム化合物、および金属クロムを積層することによってブラックマスク(ブラックマトリクス)の反射率を小さくした液晶ディスプレイ(液晶装置)が記載されている。   For example, Patent Document 1 discloses a liquid crystal display (liquid crystal device) in which the reflectance of a black mask (black matrix) is reduced by laminating a predetermined film, a chromium compound, and metal chromium on a transparent substrate (translucent substrate). ) Is described.

また、例えば、特許文献2には、反射率の異なるAl層とCr/CrO層とを積層したブラックマトリクスとしての遮光層を備えた透光性の基板を有する液晶表示装置(液晶装置)が記載されている。   Further, for example, Patent Document 2 describes a liquid crystal display device (liquid crystal device) having a light-transmitting substrate provided with a light shielding layer as a black matrix in which an Al layer and a Cr / CrO layer having different reflectivities are stacked. Has been.

特開平11−14806号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-14806 特開平9−61810号公報JP-A-9-61810

しかしながら、特許文献1または特許文献2に記載の液晶装置では、カラー表示のコントラストを向上させるために、カラーフィルター層を厚く形成する必要があり、それに伴って画素間に設けられているブラックマトリクスも厚く形成する必要がある。ブラックマトリクスが厚く形成されると、ブラックマトリクスの端面(側面)の面積が大きくなり、ブラックマトリクスの端面で反射する偏光が増える。   However, in the liquid crystal device described in Patent Document 1 or Patent Document 2, it is necessary to form a thick color filter layer in order to improve the contrast of color display, and accordingly, a black matrix provided between pixels is also included. It needs to be thick. When the black matrix is formed thick, the area of the end face (side face) of the black matrix increases, and the polarized light reflected by the end face of the black matrix increases.

そして、例えば、透光性の基板側から入射する偏光がブラックマトリクスの端面で反射すると、反射した偏光は入射した時と比較して偏光方向などの偏光状態が変化する。偏光状態の変化した偏光が、透光性の基板を透過して液晶層に入射する光に混ざることによって、カラー表示のコントラストが下がり、液晶装置の表示品質が低下してしまうという課題があった。   For example, when the polarized light incident from the translucent substrate side is reflected by the end face of the black matrix, the polarized state of the reflected polarized light changes such as the polarization direction as compared with the incident polarized light. There is a problem that the polarization of the polarization state is mixed with the light that is transmitted through the light-transmitting substrate and incident on the liquid crystal layer, so that the contrast of the color display is lowered and the display quality of the liquid crystal device is deteriorated. .

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例]本適用例に係るブラックマトリクス基板は、透光性の基板と、前記基板の一方の面に配置された第1遮光層と、前記第1遮光層の前記基板と反対側の面に配置された第2遮光層と、を備え、前記第2遮光層の端面は、断面視において、前記第1遮光層の端面よりも突出していることを特徴とする。   [Application Example] A black matrix substrate according to this application example includes a light-transmitting substrate, a first light-shielding layer disposed on one surface of the substrate, and a surface of the first light-shielding layer opposite to the substrate. And an end face of the second light-shielding layer protrudes from an end face of the first light-shielding layer in a cross-sectional view.

本適用例によれば、例えば、透光性の基板側から入射した偏光が第1遮光層の端面で反射すると、反射した偏光は入射した時と比較して偏光方向などの偏光状態が変化する。第1遮光層に積層された第2遮光層は、第1遮光層の端部から突出した部分を有している。そのため、第1遮光層の端面で反射した偏光の少なくとも一部は第2遮光層の突出した部分で遮られることから、第1遮光層の端面に入射せずに基板を透過した偏光と、第1遮光層の端面で反射した偏光とが混ざり難くなる。   According to this application example, for example, when polarized light incident from the translucent substrate side is reflected by the end face of the first light-shielding layer, the reflected polarized light changes in polarization state such as the polarization direction compared to when incident. . The 2nd light shielding layer laminated | stacked on the 1st light shielding layer has a part protruded from the edge part of a 1st light shielding layer. Therefore, at least part of the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is shielded by the protruding part of the second light shielding layer, so that the polarized light transmitted through the substrate without entering the end face of the first light shielding layer, It becomes difficult to mix the polarized light reflected by the end face of one light shielding layer.

従って、例えば、このようなブラックマトリクス基板を液晶装置に用いることによって、透光性の基板を透過して液晶層に入射する偏光に偏光状態が異なる偏光が混ざることで生じる表示のコントラスト低下が抑制されるので、優れた表示品質を有する液晶装置を実現できる。   Therefore, for example, by using such a black matrix substrate for a liquid crystal device, a reduction in display contrast caused by mixing polarized light having a different polarization state with polarized light that is transmitted through the light-transmitting substrate and incident on the liquid crystal layer is suppressed. Therefore, a liquid crystal device having excellent display quality can be realized.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記第2遮光層の反射率は、前記第1遮光層の反射率より小さいことを特徴とする。   In the black matrix substrate according to the application example described above, the reflectance of the second light shielding layer is smaller than the reflectance of the first light shielding layer.

この構成によれば、例えば、透光性の基板側から入射した偏光が、第1遮光層の端面と第2遮光層の突出した部分との間で繰り返し反射することを低減することができる。そのため、反射によって偏光状態が変化した偏光が増えることを抑制できる。   According to this configuration, it is possible to reduce, for example, that the polarized light incident from the translucent substrate side is repeatedly reflected between the end surface of the first light shielding layer and the protruding portion of the second light shielding layer. Therefore, it is possible to suppress an increase in polarized light whose polarization state has changed due to reflection.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記第1遮光層はアルミニウムまたはアルミニウムの合金を含み、前記第2遮光層は、金属の窒化物を含むことを特徴とする。   In the black matrix substrate according to the application example, the first light shielding layer includes aluminum or an aluminum alloy, and the second light shielding layer includes a metal nitride.

この構成によれば、アルミニウムまたはアルミニウムの合金は、光反射性を有している。そのため、例えば、透光性の基板側から入射した光の一部は第1遮光層によって反射され、ブラックマトリクス基板が入射した光によって加熱されることを低減することができる。   According to this configuration, aluminum or an aluminum alloy has light reflectivity. Therefore, for example, a part of the light incident from the translucent substrate side is reflected by the first light shielding layer, and it can be reduced that the black matrix substrate is heated by the incident light.

一方、金属の窒化物は、アルミニウムまたはアルミニウムの合金に比べて反射率が小さい。言い換えれば、光の吸収率が高いことから、第1遮光層の端面で反射した偏光を第2遮光層で吸収させることができる。そのため、反射によって偏光状態が変化した偏光が増えることを抑制できる。   On the other hand, a metal nitride has a lower reflectance than aluminum or an aluminum alloy. In other words, since the light absorptance is high, the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer can be absorbed by the second light shielding layer. Therefore, it is possible to suppress an increase in polarized light whose polarization state has changed due to reflection.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記第1遮光層の前記基板の一方の面に垂直な方向の厚さをd1とし、前記第1遮光層の端面のうち前記第2遮光層側の端辺と前記第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺との間の距離をd2とし、前記第1遮光層の端面のうち前記基板側の端辺と前記第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺とを含む仮想面と、前記第1遮光層の端面と、のなす角をαとしたとき、以下の数式(1)を満たすことを特徴とする。
tanα≦d2/d1・・・・・(1)
In the black matrix substrate according to the application example described above, a thickness of the first light shielding layer in a direction perpendicular to one surface of the substrate is d1, and an end of the first light shielding layer on the second light shielding layer side is defined as d1. The distance between the edge and the edge of the second light shielding layer on the first light shielding layer is d2, and the edge of the first light shielding layer on the substrate side and the second light shielding layer. The following formula (1) is satisfied, where α is an angle formed by an imaginary surface including an end side on the first light-shielding layer side and an end surface of the first light-shielding layer. To do.
tanα ≦ d2 / d1 (1)

この構成によれば、数式(1)の条件を満たす場合には、透光性の基板側から入射して、第1遮光層の端面で反射した偏光は第2遮光層の突出した部分に入射しやすくなる。そのため、第1遮光層の端面で反射した偏光の少なくとも一部は、第2遮光層の突出した部分で遮られることから、第1遮光層の端面に入射せずに基板を透過した偏光と、第1遮光層の端面で反射した偏光とが混ざり難くなる。   According to this configuration, when the condition of the formula (1) is satisfied, the polarized light incident from the translucent substrate side and reflected by the end face of the first light shielding layer enters the protruding portion of the second light shielding layer. It becomes easy to do. Therefore, since at least a part of the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is blocked by the protruding part of the second light shielding layer, the polarized light transmitted through the substrate without entering the end face of the first light shielding layer; It becomes difficult to mix the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記αが、以下の数式(2)を満たすことを特徴とする。
20°≦α≦40°・・・・・(2)
In the black matrix substrate according to the application example, the α satisfies the following formula (2).
20 ° ≦ α ≦ 40 ° (2)

この構成によれば、数式(2)の条件を満たす場合には、透光性の基板側から入射して、第1遮光層の端面で反射した偏光は第2遮光層の突出した部分にさらに入射しやすくなる。そのため、第1遮光層の端面で反射した偏光の少なくとも一部は第2遮光層の突出した部分で遮られることから、第1遮光層の端面に入射せずに基板を透過した偏光と、第1遮光層の端面で反射した偏光とがさらに混ざり難くなる。   According to this configuration, when the condition of Expression (2) is satisfied, the polarized light incident from the translucent substrate side and reflected by the end face of the first light shielding layer is further applied to the protruding portion of the second light shielding layer. Incidence becomes easy. Therefore, at least part of the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is shielded by the protruding part of the second light shielding layer, so that the polarized light transmitted through the substrate without entering the end face of the first light shielding layer, The polarized light reflected by the end face of one light shielding layer is further difficult to mix.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記基板と前記第1遮光層との間に第3遮光層を備え、前記第3遮光層の端面は、断面視において、前記第1遮光層の端面よりも突出していることを特徴とする。   The black matrix substrate according to the application example includes a third light-shielding layer between the substrate and the first light-shielding layer, and an end surface of the third light-shielding layer is larger than an end surface of the first light-shielding layer in a cross-sectional view. Is also protruding.

この構成によれば、第3遮光層を備えていないブラックマトリクス基板と比較すると、第1遮光層の端面に入射する偏光を低減させることができる。そのため、第1遮光層の端面で反射して偏光状態が変化した偏光が増えることを抑制できる。   According to this configuration, it is possible to reduce polarized light incident on the end face of the first light shielding layer, as compared with a black matrix substrate that does not include the third light shielding layer. Therefore, it can suppress that the polarization | polarized-light which reflected on the end surface of the 1st light shielding layer and the polarization state changed increases.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記第1遮光層と前記第2遮光層とが交互に複数回積層されていることを特徴とする。   In the black matrix substrate according to the application example, the first light shielding layer and the second light shielding layer are alternately stacked a plurality of times.

この構成によれば、第1遮光層および第2遮光層がそれぞれ単層で形成されている場合と比較して、第1遮光層の端面で反射した偏光を第2遮光層で効率よく遮光することができる。   According to this configuration, compared with the case where the first light shielding layer and the second light shielding layer are each formed as a single layer, the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is efficiently shielded by the second light shielding layer. be able to.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記第1遮光層の幅および前記第2遮光層の幅は、前記基板上において上層に行くほど小さくなっていることを特徴とする。   In the black matrix substrate according to the application example described above, the width of the first light-shielding layer and the width of the second light-shielding layer become smaller toward the upper layer on the substrate.

この構成によれば、第1遮光層と第2遮光層とを複数回積層させた場合でも、第1遮光層と第2遮光層とによって区画された領域の開口率が低下しない。   According to this configuration, even when the first light shielding layer and the second light shielding layer are laminated a plurality of times, the aperture ratio of the region partitioned by the first light shielding layer and the second light shielding layer does not decrease.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記複数回積層されている遮光層のうち、任意の前記第1遮光層の端面のうち前記第1遮光層の下層に配置されている下層第2遮光層側の端辺と、前記下層第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺と、の間の距離をd3とし、前記下層第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺と前記第1遮光層の上層に配置されている上層第2遮光層の前記第1遮光層側の端辺とを含む仮想面と、前記基板の一方の面に垂直な方向と、のなす角をβとしたとき、以下の数式(3)を満たすことを特徴とする。
tanβ≦(d3−d2)/d1・・・・・(3)
In the black matrix substrate according to the application example described above, the lower second light shielding layer disposed below the first light shielding layer among the end surfaces of the first light shielding layer among the light shielding layers stacked a plurality of times. The distance between the side edge and the edge of the lower second light shielding layer on the first light shielding layer side is d3, and the first light shielding layer of the lower second light shielding layer is d3. A virtual surface including an edge on the side and an edge on the first light-shielding layer side of the upper second light-shielding layer disposed in an upper layer of the first light-shielding layer, and a direction perpendicular to one surface of the substrate The following formula (3) is satisfied, where β is an angle formed by.
tanβ ≦ (d3-d2) / d1 (3)

この構成によれば、数式(3)の条件を満たす場合には、例えば、透光性の基板側から入射した偏光は下層第2遮光層により遮られて下層第2遮光層の上層に位置する第1遮光層の端面に入射し難くなる。加えて、第1遮光層の端面で反射した偏光は上層第2遮光層の突出した部分に入射しやすくなる。そのため、第1遮光層の端面で反射した偏光の少なくとも一部は上層第2遮光層の突出した部分で遮られることから、第1遮光層の端面に入射せずに基板を透過した偏光と、第1遮光層の端面で反射した偏光とが混ざり難くなる。   According to this configuration, when the condition of Expression (3) is satisfied, for example, polarized light incident from the translucent substrate side is blocked by the lower second light shielding layer and positioned in the upper layer of the lower second light shielding layer. It becomes difficult to enter the end face of the first light shielding layer. In addition, the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is likely to enter the protruding portion of the upper second light shielding layer. Therefore, since at least a part of the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is blocked by the protruding portion of the upper second light shielding layer, the polarized light transmitted through the substrate without entering the end face of the first light shielding layer; It becomes difficult to mix the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記βが、以下の数式(4)を満たすことを特徴とする。
20°≦β≦40°・・・・・(4)
In the black matrix substrate according to the application example, the β satisfies the following formula (4).
20 ° ≦ β ≦ 40 ° (4)

この構成によれば、数式(4)の条件を満たす場合には、例えば、透光性の基板側から入射して、第1遮光層の端面で反射した光は第2遮光層の突出した部分にさらに入射しやすくなる。そのため、第1遮光層の端面で反射した偏光の少なくとも一部は、第2遮光層の突出した部分で遮られることから、第1遮光層の端面に入射せずに基板を透過した偏光と、第1遮光層の端面で反射した偏光とが混ざり難くなる。   According to this configuration, when the condition of the formula (4) is satisfied, for example, the light incident from the translucent substrate side and reflected by the end face of the first light shielding layer is the protruding portion of the second light shielding layer. It becomes easier to enter. Therefore, since at least a part of the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is blocked by the protruding part of the second light shielding layer, the polarized light transmitted through the substrate without entering the end face of the first light shielding layer; It becomes difficult to mix the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、前記第1遮光層と第2遮光層とにより区画された領域に設けられ、少なくともR(赤)、G(緑)、B(青)の中から選ばれる着色層を備えていることを特徴とする。   In the black matrix substrate according to the application example, the black matrix substrate is provided in a region partitioned by the first light shielding layer and the second light shielding layer, and is selected from at least R (red), G (green), and B (blue). It is characterized by having a colored layer.

この構成によれば、光の3原色の着色層を含んでいることから、例えば、液晶装置に用いることによって、表示のコントラストが低下することが抑制され、優れたカラー表示品質を実現することができる。   According to this configuration, since the colored layers of the three primary colors of light are included, for example, when used in a liquid crystal device, a decrease in display contrast is suppressed, and excellent color display quality can be realized. it can.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板において、R(赤)、G(緑)、B(青)の前記着色層のうち、1色の前記着色層が設けられた領域の大きさは、他の色の前記着色層が設けられた領域の大きさと異なることを特徴とする。   In the black matrix substrate according to the application example described above, the size of the region in which the colored layer of one color is provided among the colored layers of R (red), G (green), and B (blue) is different colors. The size of the region provided with the colored layer is different.

この構成によれば、着色層の色によって着色層が設けられる領域の大きさを異ならせることが可能となることから、各色の着色層における光学的な特性、例えば、透過率、彩度などの違いを補正することができる。このようなブラックマトリクス基板を、例えば、液晶装置に用いることで優れた色再現性を実現できる。   According to this configuration, since it is possible to vary the size of the region where the colored layer is provided depending on the color of the colored layer, the optical characteristics of the colored layer of each color, such as transmittance, saturation, etc. Differences can be corrected. By using such a black matrix substrate in a liquid crystal device, for example, excellent color reproducibility can be realized.

本適用例に係る電気光学装置は、上記適用例に記載のブラックマトリクス基板を備えていることを特徴とする。   An electro-optical device according to this application example includes the black matrix substrate described in the application example.

この構成によれば、このようなブラックマトリクス基板を電気光学装置に用いることによって、表示のコントラストが低下することが抑制され、優れた表示品質を有する電気光学装置を提供することができる。   According to this configuration, by using such a black matrix substrate for an electro-optical device, it is possible to provide an electro-optical device having an excellent display quality, in which a reduction in display contrast is suppressed.

本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載のブラックマトリクス基板を備えていることを特徴とする。   An electronic apparatus according to this application example includes the black matrix substrate described in the application example.

この構成によれば、このようなブラックマトリクス基板を電子機器に用いることによって、表示のコントラストが低下することが抑制され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。   According to this configuration, by using such a black matrix substrate for an electronic device, a reduction in display contrast is suppressed, and an electronic device having excellent display quality can be provided.

本適用例に係るブラックマトリクス基板の製造方法は、透光性の基板上に第1遮光層と第2遮光層とを成膜し積層膜を形成する成膜工程と、前記積層膜上に開口部を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記積層膜にドライエッチング処理を施して前記開口部内の前記積層膜を除去し凹部を形成するエッチング工程と、を備え、前記第2遮光層のエッチングレートは、前記第1遮光層のエッチングレートより遅いことを特徴とする。   A method for manufacturing a black matrix substrate according to this application example includes a film forming step in which a first light shielding layer and a second light shielding layer are formed on a light-transmitting substrate to form a laminated film, and an opening is formed on the laminated film. A resist pattern forming step of forming a resist pattern having a portion, and an etching step of performing a dry etching process on the laminated film using the resist pattern as a mask to remove the laminated film in the opening to form a recess. The etching rate of the second light shielding layer is slower than the etching rate of the first light shielding layer.

この方法によれば、第2遮光層のエッチングレートが第1遮光層のエッチングレートより遅いことから、第2遮光層のエッチングが進むと、第1遮光層はオーバーエッチングされる。従って、エッチング後の開口部では、第1遮光層と第2遮光層とが積層されている積層方向の断面において、第2遮光層が第1遮光層に積層されて突出した形状が得られる。   According to this method, since the etching rate of the second light shielding layer is slower than the etching rate of the first light shielding layer, when the etching of the second light shielding layer proceeds, the first light shielding layer is over-etched. Therefore, in the opening after the etching, in the cross section in the stacking direction in which the first light shielding layer and the second light shielding layer are laminated, a shape in which the second light shielding layer is laminated on the first light shielding layer and protrudes is obtained.

そのため、第1遮光層の端面で反射した偏光の少なくとも一部は、第2遮光層の突出した部分で遮られることから、第1遮光層の端面に入射せずに基板を透過した偏光と、第1遮光層の端面で反射した偏光とが混ざり難くなる。   Therefore, since at least a part of the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer is blocked by the protruding part of the second light shielding layer, the polarized light transmitted through the substrate without entering the end face of the first light shielding layer; It becomes difficult to mix the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板の製造方法において、前記成膜工程では、前記第1遮光層よりも反射率が小さい膜形成材料を用いて前記第2遮光層を形成することを特徴とする。   In the method for manufacturing a black matrix substrate according to the application example, in the film formation step, the second light shielding layer is formed using a film forming material having a reflectance lower than that of the first light shielding layer.

この方法によれば、透光性の基板側から入射した偏光が、第1遮光層の端面と第2遮光層の突出した部分との間で繰り返し反射することを低減することができる。そのため、反射によって偏光状態が変化した偏光が増えることを抑制できる。   According to this method, it is possible to reduce that the polarized light incident from the translucent substrate side is repeatedly reflected between the end face of the first light shielding layer and the protruding portion of the second light shielding layer. Therefore, it is possible to suppress an increase in polarized light whose polarization state has changed due to reflection.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板の製造方法において、前記成膜工程は、前記基板と前記第1遮光層との間に第3遮光層を形成する工程を含み、前記第2遮光層と同じ膜形成材料を用いて前記第3遮光層を形成することを特徴とする。   In the black matrix substrate manufacturing method according to the application example, the film forming step includes a step of forming a third light shielding layer between the substrate and the first light shielding layer, and is the same film as the second light shielding layer. The third light shielding layer is formed using a forming material.

この方法によれば、第3遮光層を備えていないブラックマトリクス基板と比較すると、第1遮光層の端面で反射する偏光を低減させることができる。   According to this method, as compared with a black matrix substrate that does not include the third light shielding layer, it is possible to reduce the polarized light reflected by the end face of the first light shielding layer.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板の製造方法において、前記凹部に、少なくともR(赤)、G(緑)、B(青)の中から選ばれる着色層を形成する着色層形成工程を備えていることを特徴とする。   The method for manufacturing a black matrix substrate according to the application example includes a colored layer forming step of forming a colored layer selected from at least R (red), G (green), and B (blue) in the concave portion. It is characterized by that.

この方法によれば、例えば、表示のコントラストが低下することが抑制され、優れたカラー表示品質を実現可能なブラックマトリクス基板を製造することができる。   According to this method, for example, it is possible to manufacture a black matrix substrate that can suppress a decrease in display contrast and can realize excellent color display quality.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板の製造方法において、前記積層膜と前記着色層とを少なくとも覆うオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程と、前記オーバーコート層に積層して透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を備えていることを特徴とする。   In the method for manufacturing a black matrix substrate according to the application example, an overcoat layer forming step of forming an overcoat layer covering at least the laminated film and the colored layer, and forming a transparent conductive film by laminating the overcoat layer And a transparent conductive film forming step.

この方法によれば、積層膜と着色層とに起因する基板上の凹凸がオーバーコート層で緩和され、表面が略平坦な透明導電膜を備えたブラックマトリクス基板を製造することができる。   According to this method, the unevenness on the substrate due to the laminated film and the colored layer is relaxed by the overcoat layer, and a black matrix substrate having a transparent conductive film with a substantially flat surface can be manufactured.

上記適用例に係るブラックマトリクス基板の製造方法において、前記着色層形成工程は、少なくともR(赤)、G(緑)、B(青)の前記着色層のうちB(青)の前記着色層を最後に形成することを特徴とする。   In the black matrix substrate manufacturing method according to the application example, the colored layer forming step includes at least the colored layer of B (blue) among the colored layers of R (red), G (green), and B (blue). It is formed last.

B(青)の着色層は、他の色の着色層に比べて色純度を確保することが難しい。色純度は膜厚に比例するので、この方法によれば、R(赤)、G(緑)を先に形成することによって、B(青)を形成する凹部の深さが深くなり、膜厚を稼ぎやすい。つまり、B(青)の着色層において所望の色純度を実現しやすくなる。   It is difficult to ensure the color purity of the B (blue) colored layer as compared with the colored layers of other colors. Since the color purity is proportional to the film thickness, according to this method, by forming R (red) and G (green) first, the depth of the recess for forming B (blue) is increased, and the film thickness is increased. Easy to earn. That is, it becomes easy to achieve a desired color purity in the B (blue) colored layer.

第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。1 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal device according to a first embodiment. 図1に示す液晶装置のH−H’線の概略断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line H-H ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 1. 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device. 液晶装置の構成を示す要部断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a main part of the structure of the liquid crystal device. (a)〜(c)は第1遮光層の端面で反射する偏光について説明する説明図。(A)-(c) is explanatory drawing explaining the polarized light reflected on the end surface of a 1st light shielding layer. (a)〜(f)はブラックマトリクス基板の製造方法を示す概略断面図。(A)-(f) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of a black matrix substrate. 第2実施形態に係るブラックマトリクス基板の構成を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of the black matrix substrate which concerns on 2nd Embodiment. 第1遮光層の端面で反射する偏光について説明する説明図。Explanatory drawing explaining the polarized light reflected on the end surface of a 1st light shielding layer. 第3実施形態に係るブラックマトリクス基板の構成を示す概略断面図。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a black matrix substrate according to a third embodiment. 電子機器の一例としてヘッドマウントディスプレイを示す概略図。Schematic which shows a head mounted display as an example of an electronic device. 電子機器の他の例の構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the other example of an electronic device.

以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさにして、説明を分かりやすくするため、各構成要素の尺度を実際とは異なる尺度で記載している場合がある。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments embodying the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following figures, the scale of each component is described on a scale different from the actual scale so that each component can be recognized on the drawing for easy understanding. There is.

なお、以下の形態において、例えば、「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, when disposed so as to be in contact with the substrate, or when disposed on the substrate via another component, or It is assumed that a part of the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate and a part of the substrate is disposed through another component.

本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置100を例に挙げて説明する。この液晶装置100は、例えば、EVF(Electronic View Finder)、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、投写型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)などに好適に用いることができる。   In this embodiment, an active matrix liquid crystal device 100 including a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element will be described as an example of an electro-optical device. The liquid crystal device 100 can be suitably used for, for example, an EVF (Electronic View Finder), a head mounted display (HMD), a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector), and the like.

(第1実施形態)
<液晶装置の構成>
図1は、第1実施形態に係る液晶装置100の構成を示す概略平面図である。図2は、図1に示す液晶装置100のH−H’線の概略断面図である。以下、液晶装置100の構成を、図1および図2を参照しながら説明する。
(First embodiment)
<Configuration of liquid crystal device>
FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device 100 according to the first embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line HH ′ of the liquid crystal device 100 shown in FIG. Hereinafter, the configuration of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図1および図2に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置100は、対向配置された素子基板10および対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層8と、を有する。   As shown in FIGS. 1 and 2, a liquid crystal device 100 as an electro-optical device of the present embodiment includes an element substrate 10 and a counter substrate 20 that are disposed to face each other, a liquid crystal layer 8 that is sandwiched between the pair of substrates, Have

素子基板10は、透光性の例えば石英ガラスなどからなる基材11と、基材11上において複数の画素Pごとに設けられた画素電極17と、スイッチング素子である薄膜トランジスター30(以下、TFT30とする)と、信号配線(図示せず)と、これらを覆う配向膜18と、を備えている。本実施形態における「透光性」とは可視光波長領域内の光の透過率が例えば85%以上であることとする。   The element substrate 10 includes a transparent base material 11 made of, for example, quartz glass, a pixel electrode 17 provided for each of a plurality of pixels P on the base material 11, and a thin film transistor 30 (hereinafter referred to as TFT 30) as a switching element. ), Signal wiring (not shown), and an alignment film 18 covering them. “Translucency” in this embodiment means that the transmittance of light in the visible light wavelength region is, for example, 85% or more.

素子基板10の基材11は、石英ガラスに限ることなく、例えば、硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、合成石英板、透明樹脂フィルム、光学用樹脂板などの透光性の材料を用いてもよい。   The base material 11 of the element substrate 10 is not limited to quartz glass, and for example, a translucent material such as borosilicate glass, non-alkali glass, synthetic quartz plate, transparent resin film, optical resin plate, or the like may be used. .

素子基板10は、対向基板20よりも一回り大きく、両基板は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材9を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層8を構成している。   The element substrate 10 is slightly larger than the counter substrate 20, and both the substrates are bonded via a sealing material 9 disposed along the outer periphery of the counter substrate 20. Liquid crystal layer 8 is configured by sealing liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy in the gap.

シール材9は、素子基板10および対向基板20をそれらの周辺で貼り合わせるための接着剤であり、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂または紫外線硬化性のエポキシ樹脂から形成され、両基板間の間隔を一定に保持するためのグラスファイバーあるいはガラスビーズなどのスペーサー(図示せず)が混入されている。   The sealing material 9 is an adhesive for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 around them, and is formed of, for example, a photo-curing resin, a thermosetting resin, or an ultraviolet-curing epoxy resin, and both substrates A spacer (not shown) such as glass fiber or glass bead is mixed to keep the interval between them constant.

シール材9によって囲まれた内側に複数の画素Pを配列した表示領域Eが設けられている。表示領域Eは、表示に寄与する複数の画素Pに加えて、複数の画素Pを囲むように配置されたダミー画素が含まれていてもよい。   A display area E in which a plurality of pixels P are arranged is provided on the inner side surrounded by the sealing material 9. The display area E may include dummy pixels arranged so as to surround the plurality of pixels P in addition to the plurality of pixels P contributing to display.

画素電極17は、透光性の例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜を用いて形成することができる。   The pixel electrode 17 can be formed by using a transparent conductive film such as light-transmitting ITO (Indium Tin Oxide).

また、素子基板10の辺部12と辺部12に沿ったシール材9との間には、データ線駆動回路23が設けられており、辺部12に対向する辺部13に沿ったシール材9と表示領域Eとの間に、検査回路24が設けられている。なお、検査回路24の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路23に沿ったシール材9と表示領域Eとの間に設けてもよい。   Further, a data line driving circuit 23 is provided between the side portion 12 of the element substrate 10 and the sealing material 9 along the side portion 12, and the sealing material along the side portion 13 facing the side portion 12. 9 and a display area E are provided with an inspection circuit 24. The arrangement of the inspection circuit 24 is not limited to this, and the inspection circuit 24 may be provided between the sealing material 9 and the display area E along the data line driving circuit 23.

辺部12,13と直交し互いに対向する辺部14,15に沿ったシール材9と表示領域Eとの間に走査線駆動回路25が設けられている。辺部13に沿ったシール材9と検査回路24との間には、2つの走査線駆動回路25を繋ぐ複数の配線26が設けられている。   A scanning line driving circuit 25 is provided between the sealing material 9 and the display area E along the side portions 14 and 15 that are orthogonal to the side portions 12 and 13 and face each other. A plurality of wirings 26 that connect the two scanning line driving circuits 25 are provided between the seal material 9 along the side portion 13 and the inspection circuit 24.

データ線駆動回路23、走査線駆動回路25に繋がる配線は、辺部12に沿って配列した複数の外部接続用端子27に接続されている。以降、辺部12,13に沿った方向をX軸方向とし、辺部14,15に沿った方向をY軸方向、対向基板20と素子基板10とが積層されている方向をZ軸方向として説明する。   Wirings connected to the data line driving circuit 23 and the scanning line driving circuit 25 are connected to a plurality of external connection terminals 27 arranged along the side portion 12. Hereinafter, the direction along the side parts 12 and 13 is the X-axis direction, the direction along the side parts 14 and 15 is the Y-axis direction, and the direction in which the counter substrate 20 and the element substrate 10 are stacked is the Z-axis direction. explain.

一方、対向基板20は、透光性の例えば石英ガラスなどからなる透光性の基板としての基材21と、基材21上の平坦化層(保護膜)16と、平坦化層16上に複数の画素Pに共通して設けられた対向電極(共通電極)19と、配向膜22と、遮光部(見切り部)28と、を備えている。   On the other hand, the counter substrate 20 has a base 21 as a translucent substrate made of translucent quartz, for example, a planarization layer (protective film) 16 on the base 21, and a planarization layer 16. A counter electrode (common electrode) 19 provided in common to the plurality of pixels P, an alignment film 22, and a light shielding portion (parting portion) 28 are provided.

対向基板20の基材21は、石英ガラスに限ることなく、例えば、素子基板10の基材11と同じく、硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、合成石英板、透明樹脂フィルム、光学用樹脂板などの透光性の材料を用いてもよい。   The base material 21 of the counter substrate 20 is not limited to quartz glass. For example, as with the base material 11 of the element substrate 10, borosilicate glass, alkali-free glass, synthetic quartz plate, transparent resin film, optical resin plate, etc. A light-transmitting material may be used.

平坦化層16は、例えば、酸化シリコンなどの透光性無機材料からなり、遮光部28を覆うように設けられている。このような平坦化層16の形成方法としては、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。   The planarization layer 16 is made of a light-transmitting inorganic material such as silicon oxide, for example, and is provided so as to cover the light shielding portion 28. As a method for forming such a planarization layer 16, for example, a method of forming a film using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like can be cited.

対向電極19は、例えば、ITOなどの透明導電膜からなり、平坦化層16を覆うと共に、対向基板20の隅に設けられた上下導通部29により素子基板10側の配線に電気的に接続している。対向電極19は、配向膜22で覆われている。   The counter electrode 19 is made of, for example, a transparent conductive film such as ITO, and covers the planarization layer 16 and is electrically connected to the wiring on the element substrate 10 side by a vertical conduction portion 29 provided at a corner of the counter substrate 20. ing. The counter electrode 19 is covered with an alignment film 22.

配向膜22および先述した配向膜18は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子を略水平配向させる有機配向膜や、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させる無機配向膜を用いることができる。   The alignment film 22 and the alignment film 18 described above are, for example, an organic alignment film that aligns liquid crystal molecules having positive dielectric anisotropy substantially horizontally by forming an organic material such as polyimide and rubbing the surface thereof. Alternatively, an inorganic alignment film can be used in which an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) is formed using a vapor phase growth method and liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy are approximately vertically aligned.

本実施形態の配向膜18および配向膜22は、無機配向膜で形成されている。配向膜18および配向膜22によって液晶層8の液晶分子は、電界が作用していない状態で所定の配向状態をとる。   The alignment film 18 and the alignment film 22 of this embodiment are formed of an inorganic alignment film. The alignment film 18 and the alignment film 22 cause the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 8 to assume a predetermined alignment state in a state where an electric field is not applied.

対向基板20側に額縁状に配置されたシール材9の内側には、同じく額縁状に遮光部28が設けられている。遮光部28の内側は複数の画素Pが配列した表示領域Eとなっている。   A light-shielding portion 28 is also provided in the same frame shape inside the sealing material 9 arranged in a frame shape on the counter substrate 20 side. Inside the light shielding portion 28 is a display area E in which a plurality of pixels P are arranged.

遮光部28は、表示領域Eを取り囲むと共に、平面的に検査回路24、走査線駆動回路25と重なる位置に設けられており、これにより対向基板20の基材21側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。遮光部28は、不必要な迷光が表示領域Eに入射しないように遮蔽して、表示領域Eの表示における高いコントラストを確保している。   The light shielding portion 28 surrounds the display area E and is provided in a position that overlaps the inspection circuit 24 and the scanning line driving circuit 25 in a plan view, thereby including these driving circuits from the base 21 side of the counter substrate 20. It serves to shield the light incident on the peripheral circuit and prevent the peripheral circuit from malfunctioning due to the light. The light shielding unit 28 shields unnecessary stray light from entering the display area E, and ensures high contrast in the display of the display area E.

また、対向基板20は、図1および図2では図示を省略したが、後述するブラックマトリクス基板を含んでいる。ブラックマトリクス基板は、表示領域Eにおいて複数の画素Pをそれぞれ平面的に区分することによって液晶表示(カラー表示)のコントラストを向上させる遮光層からなる遮光性パターンを備えている。   The counter substrate 20 includes a black matrix substrate, which will be described later, although not shown in FIGS. The black matrix substrate is provided with a light-shielding pattern including a light-shielding layer that improves the contrast of liquid crystal display (color display) by dividing a plurality of pixels P in the display area E in a plane.

本実施形態では、対向基板20の基材21上に、少なくとも赤色の着色層(R)61、緑色の着色層(G)62、青色の着色層(B)63を含むカラーフィルター層64が設けられており、カラーフィルター層64上には、全面に渡って対向電極19が設けられている。画素Pは、着色層61,62,63のうち、いずれかを含むものである。   In this embodiment, a color filter layer 64 including at least a red colored layer (R) 61, a green colored layer (G) 62, and a blue colored layer (B) 63 is provided on the base material 21 of the counter substrate 20. On the color filter layer 64, the counter electrode 19 is provided over the entire surface. The pixel P includes any one of the colored layers 61, 62, and 63.

着色層(R)61は、赤色の光(例えば、625〜740nmの波長を有する光)のみを通過させるカラーフィルターであり、着色層(G)62は、緑色の光(例えば、500〜565nmの波長を有する光)のみを通過させるカラーフィルターであり、着色層(B)63は、青色の光(例えば、450〜485nmの波長を有する光)のみを通過させるカラーフィルターである。   The colored layer (R) 61 is a color filter that passes only red light (for example, light having a wavelength of 625 to 740 nm), and the colored layer (G) 62 is green light (for example, 500 to 565 nm). The colored layer (B) 63 is a color filter that allows only blue light (for example, light having a wavelength of 450 to 485 nm) to pass therethrough.

このような液晶装置100は、例えば、透過型であって、画素Pが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーホワイトモードが採用されている。   Such a liquid crystal device 100 is, for example, of a transmissive type, and adopts an optical design of a normally white mode in which the pixel P is brightly displayed when not driven and a normally black mode in which the pixel P is darkly displayed when not driven. . Polarizing elements are arranged and used according to the optical design on the light incident side and the light exit side, respectively. In this embodiment, a normally white mode is employed.

<液晶装置の電気的な構成>
図3は、液晶装置100の電気的な構成を示す等価回路図である。図3を参照して、液晶装置100の電気的な構成について説明する。
図3に示すように、液晶装置100は、少なくとも表示領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、容量線3bとを有する。走査線3aが延在する方向がX軸方向であり、データ線6aが延在する方向がY軸方向である。
<Electrical configuration of liquid crystal device>
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device 100. The electrical configuration of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 100 includes a plurality of scanning lines 3 a and a plurality of data lines 6 a that are insulated from each other and orthogonal to each other at least in the display region E, and capacitance lines 3 b. The direction in which the scanning line 3a extends is the X-axis direction, and the direction in which the data line 6a extends is the Y-axis direction.

画素Pの画素回路43は、画素電極17と、TFT30と、容量素子41と、を含んで構成されている。TFT30のゲートは、走査線3aに電気的に接続され、TFT30のデータ線側ソースドレイン領域(ソース領域)は、データ線6aに電気的に接続され、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域(ドレイン領域)は、画素電極17および容量素子41に電気的に接続されている。   The pixel circuit 43 of the pixel P includes the pixel electrode 17, the TFT 30, and the capacitive element 41. The gate of the TFT 30 is electrically connected to the scanning line 3 a, the data line side source / drain region (source region) of the TFT 30 is electrically connected to the data line 6 a, and the pixel electrode side source / drain region (drain region) of the TFT 30. ) Is electrically connected to the pixel electrode 17 and the capacitor 41.

データ線6aは、データ線駆動回路23(図1、図2参照)に接続されており、データ線駆動回路23から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは、走査線駆動回路25(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路25から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを各画素Pに供給する。   The data line 6a is connected to a data line driving circuit 23 (see FIGS. 1 and 2), and supplies image signals D1, D2,..., Dn supplied from the data line driving circuit 23 to the pixels P. The scanning line 3a is connected to the scanning line driving circuit 25 (see FIG. 1), and supplies the scanning signals SC1, SC2,..., SCm supplied from the scanning line driving circuit 25 to each pixel P.

データ線駆動回路23からデータ線6aに供給される画像信号D1〜 Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路25は、走査線3aに対して、走査信号SC1〜 SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。   The image signals D1 to Dn supplied from the data line driving circuit 23 to the data line 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied to a plurality of adjacent data lines 6a for each group. Good. The scanning line driving circuit 25 supplies the scanning signals SC1 to SCm to the scanning line 3a in a pulse-sequential manner at a predetermined timing.

液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1〜 SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1〜 Dnが所定のタイミングで画素電極17に書き込まれる構成となっている。
そして、画素電極17を介して液晶層8に書き込まれた所定レベルの画像信号D1〜 Dnは、画素電極17と液晶層8を介して対向配置された対向電極19との間で一定期間保持される。
In the liquid crystal device 100, the TFT 30 as a switching element is turned on for a predetermined period by the input of the scanning signals SC1 to SCm, so that the image signals D1 to Dn supplied from the data line 6a are supplied to the pixel electrode 17 at a predetermined timing. It is the structure written in.
The image signals D1 to Dn of a predetermined level written to the liquid crystal layer 8 through the pixel electrode 17 are held for a certain period between the pixel electrode 17 and the counter electrode 19 arranged to face each other through the liquid crystal layer 8. The

保持された画像信号D1〜 Dnがリークするのを防止するため、画素電極17と対向電極19との間に形成される液晶容量と並列に容量素子41が接続されている。容量素子41は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域と容量線3bとの間に設けられている。容量素子41は、2つの容量電極の間に誘電体層を有している。   In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, the capacitive element 41 is connected in parallel with the liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 17 and the counter electrode 19. The capacitive element 41 is provided between the pixel electrode side source / drain region of the TFT 30 and the capacitive line 3b. The capacitive element 41 has a dielectric layer between two capacitive electrodes.

<ブラックマトリクス基板の構成>
図4は、液晶装置100の構成を示す要部断面図である。図4に示すように、ブラックマトリクス基板50は、基材21と、基材21上に積層された積層膜55と、積層膜55を覆うように積層された平坦化層16と、平坦化層16上に積層された対向電極(共通電極)19と、を備えている。
また、基材21側から入射する偏光Lは、第1遮光層51の端面56に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と、第1遮光層51の端面56で反射する偏光L2と、を含んでいる。
<Configuration of black matrix substrate>
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part showing the configuration of the liquid crystal device 100. As shown in FIG. 4, the black matrix substrate 50 includes a base material 21, a laminated film 55 laminated on the base material 21, a planarizing layer 16 laminated so as to cover the laminated film 55, and a planarizing layer. 16 and a counter electrode (common electrode) 19 stacked on top of each other.
The polarized light L incident from the substrate 21 side is polarized light L1 that is incident on the liquid crystal layer 8 without being incident on the end face 56 of the first light shielding layer 51, and polarized light L2 that is reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51. , Including.

本実施形態に係るブラックマトリクス基板50は、積層膜55で区画された凹部35に着色層(R)61、着色層(G)62、着色層(B)63を含むカラーフィルター層64を備えている。   The black matrix substrate 50 according to this embodiment includes a color filter layer 64 including a colored layer (R) 61, a colored layer (G) 62, and a colored layer (B) 63 in the recesses 35 partitioned by the laminated film 55. Yes.

以降、対向基板20を基準として素子基板10が配置されている方向を上方向(上側)または上層といい、素子基板10を基準として対向基板20が配置されている方向を下方向(下側)または下層という。   Hereinafter, the direction in which the element substrate 10 is disposed with respect to the counter substrate 20 is referred to as an upper direction (upper side) or an upper layer, and the direction in which the counter substrate 20 is disposed with respect to the element substrate 10 is referred to as a lower direction (lower side). Or called the lower layer.

カラーフィルター層64において、異なる色の着色層61,62,63は、X軸方向にR,G,Bの順に繰り返し配置されている。同色の着色層はY軸方向に沿って配置されている。このような着色層61,62,63は、ストライプ方式と呼ばれている。なお、着色層の配置は、ストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。   In the color filter layer 64, the colored layers 61, 62, 63 of different colors are repeatedly arranged in the order of R, G, B in the X-axis direction. The colored layers of the same color are arranged along the Y-axis direction. Such colored layers 61, 62, and 63 are called a stripe method. The arrangement of the colored layer is not limited to the stripe method, and may be a mosaic method or a delta method.

積層膜55は、第1遮光層51と第1遮光層51に積層された第2遮光層52とを含み、凹部35にカラーフィルター層64を形成できる間隔を空けてX軸方向に並べて配置されている。   The laminated film 55 includes a first light shielding layer 51 and a second light shielding layer 52 laminated on the first light shielding layer 51, and is arranged side by side in the X-axis direction with an interval at which the color filter layer 64 can be formed in the recess 35. ing.

本実施形態では、対向基板20の基材21上に第1遮光層51と第2遮光層52とが交互に積層されて6層構造の積層膜55が形成されている。積層膜55は、6層構造に限ることなく、第1遮光層51と第2遮光層52との2層構造や4層構造であってもよい。   In the present embodiment, the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 are alternately laminated on the base material 21 of the counter substrate 20 to form a laminated film 55 having a six-layer structure. The laminated film 55 is not limited to a six-layer structure, and may be a two-layer structure or a four-layer structure including a first light-shielding layer 51 and a second light-shielding layer 52.

第1遮光層51は、例えば、Al(アルミニウム)で形成されている。第1遮光層51は、Al単体に限らず、AlまたはAl合金を含んで形成されていてもよい。   The first light shielding layer 51 is made of, for example, Al (aluminum). The first light shielding layer 51 is not limited to Al alone, and may be formed including Al or an Al alloy.

第1遮光層51は、光反射性を有しているので、例えば、基材21側から入射した光を第1遮光層51で反射する。そのため、ブラックマトリクス基板50(積層膜55)が入射する光を吸収することによって加熱されることを低減できる。   Since the first light shielding layer 51 has light reflectivity, for example, light incident from the substrate 21 side is reflected by the first light shielding layer 51. Therefore, it is possible to reduce heating of the black matrix substrate 50 (laminated film 55) by absorbing incident light.

第2遮光層52は、例えば、TiN(窒化チタン)で形成されている。第2遮光層52は、TiNに限らず、他の金属の窒化物を含んで形成されていてもよい。   The second light shielding layer 52 is made of, for example, TiN (titanium nitride). The second light shielding layer 52 is not limited to TiN, and may be formed including a nitride of another metal.

Y軸方向からの断面視において、第2遮光層52の端面(側面)57は、その1つ下層に配置されている第1遮光層51の端面(側面)56よりも+X軸方向および−X軸方向に突出している。つまり、X軸方向において、第2遮光層52は、第1遮光層51よりも長く形成されており、第1遮光層51の上側に庇のように突出した庇部58を備えている。以下に庇部58について詳細を説明する。   In a cross-sectional view from the Y-axis direction, the end surface (side surface) 57 of the second light-shielding layer 52 has a + X-axis direction and −X more than the end surface (side surface) 56 of the first light-shielding layer 51 disposed in the lower layer. Projects in the axial direction. That is, in the X-axis direction, the second light shielding layer 52 is formed longer than the first light shielding layer 51, and includes a flange portion 58 that protrudes like a ridge above the first light shielding layer 51. Details of the collar portion 58 will be described below.

<第1遮光層の端面で反射する偏光>
図5(a)〜(c)は、第1遮光層51の端面56で反射する偏光L2について説明する説明図であり、対向基板20の基材21側から入射角θで入射した偏光L2が、第1遮光層51の端面56で上側(液晶層8側)へ反射し、第2遮光層52の一部である庇部58において遮られている状態を示している。
<Polarized light reflected from the end face of the first light shielding layer>
5A to 5C are explanatory views for explaining the polarized light L2 reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51. The polarized light L2 incident at an incident angle θ from the base material 21 side of the counter substrate 20 is illustrated. 2 shows a state in which the light is reflected upward (at the liquid crystal layer 8 side) by the end face 56 of the first light shielding layer 51 and is blocked by the flange portion 58 which is a part of the second light shielding layer 52.

図5(a)は、第1遮光層51において、第2遮光層52側のX軸方向の長さと基材21側のX軸方向の長さが等しい場合(第1遮光層51の端面56が鉛直な状態)を示している。
図5(b)は、第1遮光層51において、第2遮光層52側のX軸方向の長さが、基材21側のX軸方向の長さより短い場合を示している。
図5(c)は、第1遮光層51において、第2遮光層52側のX軸方向の長さが、基材21側のX軸方向の長さより長い場合を示している。
また、以下の図において、基材21に第1遮光層51と第2遮光層52とが順に積層されている方向を積層方向(Z軸方向)とする。
5A, in the first light-shielding layer 51, when the length in the X-axis direction on the second light-shielding layer 52 side is equal to the length in the X-axis direction on the substrate 21 side (the end face 56 of the first light-shielding layer 51). Indicates a vertical state).
FIG. 5B shows a case where the length of the first light shielding layer 51 in the X-axis direction on the second light shielding layer 52 side is shorter than the length in the X-axis direction on the base material 21 side.
FIG. 5C shows a case where the length of the first light shielding layer 51 in the X axis direction on the second light shielding layer 52 side is longer than the length in the X axis direction on the substrate 21 side.
In the following drawings, the direction in which the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 are sequentially laminated on the base material 21 is defined as a laminating direction (Z-axis direction).

ブラックマトリクス基板50の積層膜55のうち、第1遮光層51と第1遮光層51の1つ上側に積層されている第2遮光層52とにおいて、基材21の一方の面に垂直な方向、つまり、積層方向(Z軸方向)の第1遮光層51の厚さをd1とし、第2遮光層52の厚さをd4とする。d4は、d1と比較して10倍程度小さい。   Of the laminated film 55 of the black matrix substrate 50, the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 laminated on the one upper side of the first light shielding layer 51 are perpendicular to one surface of the substrate 21. That is, the thickness of the first light shielding layer 51 in the stacking direction (Z-axis direction) is d1, and the thickness of the second light shielding layer 52 is d4. d4 is about 10 times smaller than d1.

また、第1遮光層51の第2遮光層52側の端辺71と第2遮光層52の第1遮光層51側の端辺72との間の距離(庇部58のX軸方向の長さ)をd2とし、端辺72と第1遮光層51の基材21側の端辺73とを含む仮想面75と、第1遮光層51の端面56と、のなす角をαとする。   Further, the distance between the edge 71 of the first light shielding layer 51 on the second light shielding layer 52 side and the edge 72 of the second light shielding layer 52 on the first light shielding layer 51 side (the length of the flange 58 in the X-axis direction). ) Is d2, and the angle formed by the virtual surface 75 including the end side 72 and the end side 73 of the first light shielding layer 51 on the base material 21 side and the end surface 56 of the first light shielding layer 51 is α.

このとき、ブラックマトリクス基板50は、以下の数式(1)を満たしている。
tanα≦d2/d1・・・・・(1)
At this time, the black matrix substrate 50 satisfies the following formula (1).
tanα ≦ d2 / d1 (1)

具体的には、図5(a)に示すように、ブラックマトリクス基板50が、例えば、入射角θが30°で、d1=0.500μm、d4=0.050μmである場合には、d2≧0.289μmとなっている。言い換えれば、この場合、入射角が30°のときは、α=α1=30°となるので、X軸方向において、第1遮光層51からせり出した第2遮光層52の長さ(庇部58の長さ)が0.289μm以上となるように、第2遮光層52が形成されている。   Specifically, as shown in FIG. 5A, when the black matrix substrate 50 has, for example, an incident angle θ of 30 °, d1 = 0.500 μm, and d4 = 0.050 μm, d2 ≧ It is 0.289 μm. In other words, in this case, when the incident angle is 30 °, α = α1 = 30 °, and therefore the length of the second light shielding layer 52 protruding from the first light shielding layer 51 in the X-axis direction (the flange portion 58). The second light shielding layer 52 is formed so that the length of the second light shielding layer 52 is 0.289 μm or more.

このような構成にすることによって、基材21側から入射角θで入射して、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2は、X軸方向にせり出している第2遮光層52の庇部58に入射しやすくなり、庇部58によって遮られて吸収される。そのため、第1遮光層51の端面56に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1が、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2と混ざり難くなる。   By adopting such a configuration, the polarized light L2 that is incident from the base material 21 side at the incident angle θ and reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 is reflected on the second light shielding layer 52 protruding in the X-axis direction. It becomes easy to enter into the collar part 58 and is blocked and absorbed by the collar part 58. Therefore, the polarized light L1 that is incident on the liquid crystal layer 8 without being incident on the end face 56 of the first light shielding layer 51 is less likely to be mixed with the polarized light L2 that is reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51.

図5(b)に示した第1遮光層51は、α2>α1となっている。従って、図5(a)の場合と比較して、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2が庇部58で遮られて吸収されやすくなる。そのため、第1遮光層51の端面56で反射して偏光状態が変化した偏光L2が増えることをより効果的に抑制できる。   The first light shielding layer 51 shown in FIG. 5B satisfies α2> α1. Therefore, as compared with the case of FIG. 5A, the polarized light L <b> 2 reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 is blocked by the collar portion 58 and is easily absorbed. Therefore, it is possible to more effectively suppress the polarization L2 that has been reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 and whose polarization state has changed.

図5(c)に示した第1遮光層51は、α3<α1となっている。従って、図5(a)、図5(b)に示した積層膜55の場合よりも、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2が庇部58で遮られて吸収される効果は少なくなるが、第2遮光層52に庇部58を備えていない積層膜と比較すれば、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2は庇部58で遮られて吸収されやすくなっている。そのため、図5(a)、図5(b)で示した同様の効果を得ることができる。   The first light shielding layer 51 shown in FIG. 5C has α3 <α1. Therefore, compared with the case of the laminated film 55 shown in FIGS. 5A and 5B, the effect that the polarized light L2 reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 is blocked and absorbed by the flange portion 58 is not as great. However, compared with a laminated film in which the second light shielding layer 52 is not provided with the flange portion 58, the polarized light L2 reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 is easily blocked and absorbed by the flange portion 58. Yes. Therefore, the same effect as shown in FIGS. 5A and 5B can be obtained.

また、ブラックマトリクス基板50において、αが、以下の数式(2)を満たしている。
20°≦α≦40°・・・・・(2)
In the black matrix substrate 50, α satisfies the following formula (2).
20 ° ≦ α ≦ 40 ° (2)

α<20°(α=α1またはα2またはα3)の場合には、X軸方向において、第2遮光層52が第1遮光層51よりせり出している部分が小さいため、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2は、庇部58に遮られることが少なく、ほとんどの偏光L2は液晶層8方向へ進行する。そのため、第1遮光層51の端面56に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と混ざり、カラー表示のコントラストが下がってしまう。   In the case of α <20 ° (α = α1, α2, or α3), the portion of the second light shielding layer 52 protruding from the first light shielding layer 51 is small in the X-axis direction. The polarized light L2 reflected by the light 56 is hardly blocked by the flange portion 58, and most of the polarized light L2 travels in the direction of the liquid crystal layer 8. For this reason, it is mixed with the polarized light L1 that does not enter the end face 56 of the first light shielding layer 51 but enters the liquid crystal layer 8, and the contrast of the color display is lowered.

一方、α>40°(α=α1またはα2またはα3)の場合には、X軸方向において、第2遮光層52が第1遮光層51よりせり出している部分が大きいため、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2だけでなく、第1遮光層51の端面56に入射せずに液晶層8側へ入射しようとする偏光L1までも庇部58によって遮られやすくなる。そのため、液晶装置100の開口率が低下してしまう。   On the other hand, when α> 40 ° (α = α1, α2, or α3), the portion where the second light shielding layer 52 protrudes from the first light shielding layer 51 is large in the X-axis direction. Not only the polarized light L2 reflected by the end face 56 but also the polarized light L1 that does not enter the end face 56 of the first light shielding layer 51 and is about to enter the liquid crystal layer 8 side is easily blocked by the collar portion 58. Therefore, the aperture ratio of the liquid crystal device 100 is reduced.

このようなことから、上記数式(2)を満たす場合には、基材21側から入射して、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2が、第2遮光層52の庇部58に入射しやすくなる。そのため、液晶装置100の開口率を低下させることなく、第1遮光層51の端面56に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2とが混ざり難くすることができる。   For this reason, when the above formula (2) is satisfied, the polarized light L2 that is incident from the substrate 21 side and reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 is the flange portion 58 of the second light shielding layer 52. It becomes easy to enter. Therefore, the polarization L1 that is incident on the liquid crystal layer 8 without being incident on the end face 56 of the first light shielding layer 51 and the polarization L2 that is reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 without reducing the aperture ratio of the liquid crystal device 100. Can be made difficult to mix.

また、上記数式(2)において、例えば、d1=0.500μmとすると、α=20°のとき、d2≒0.182μmとなる。また、α=40°のとき、d2≒0.420μmとなる。このように、第1遮光層51で反射する偏光L2の入射角θの分布に合わせてd2を形成することによって、第1遮光層51で反射する偏光L2を庇部58において効率よく遮ることができる。   In the above formula (2), for example, if d1 = 0.500 μm, d2≈0.182 μm when α = 20 °. When α = 40 °, d2≈0.420 μm. In this way, by forming d2 in accordance with the distribution of the incident angles θ of the polarized light L2 reflected by the first light shielding layer 51, the polarized light L2 reflected by the first light shielding layer 51 can be efficiently blocked by the flange portion 58. it can.

以上述べたように、本実施形態に係るブラックマトリクス基板50によれば、以下の効果を得ることができる。
例えば、基材21側から入射した偏光L2は第1遮光層51の端面56で反射し、入射した時と比較して偏光方向などの偏光状態が変化する。第1遮光層51に積層された第2遮光層52は、第1遮光層51の端部から庇のように突出した庇部58を有しているため、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2の少なくとも一部を第2遮光層52の庇部58で遮ることができる。その結果、第1遮光層51の端面56に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と、第1遮光層51の端面56で反射して偏光状態が変化した偏光L2とを混ざり難くすることができる。
As described above, according to the black matrix substrate 50 of the present embodiment, the following effects can be obtained.
For example, the polarized light L2 incident from the substrate 21 side is reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51, and the polarization state such as the polarization direction changes as compared with the incident light. The second light shielding layer 52 laminated on the first light shielding layer 51 has a flange portion 58 that protrudes like a flange from the end portion of the first light shielding layer 51, and therefore the end surface 56 of the first light shielding layer 51. At least a part of the reflected polarized light L <b> 2 can be blocked by the flange portion 58 of the second light shielding layer 52. As a result, it is difficult to mix the polarized light L1 that is incident on the liquid crystal layer 8 without entering the end face 56 of the first light shielding layer 51 and the polarized light L2 that is reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 and whose polarization state is changed. be able to.

従って、例えば、このようなブラックマトリクス基板50を液晶装置100に用いることによって、液晶層8に入射する偏光L1に、偏光状態が変化した偏光L2が混ざることで生じる表示のコントラスト低下が抑制されるので、優れた表示品質を有する液晶装置100を実現できる。   Therefore, for example, by using such a black matrix substrate 50 for the liquid crystal device 100, a decrease in display contrast caused by mixing the polarized light L2 incident on the liquid crystal layer 8 with the polarized light L2 whose polarization state has changed is suppressed. Therefore, the liquid crystal device 100 having excellent display quality can be realized.

また、第2遮光層52の反射率は、第1遮光層51の反射率より小さくなっている。このようにすることによって、第2遮光層52が第1遮光層51と比較して光の吸収率が高くなり、基材21側から入射した偏光L2を第2遮光層52で効率よく吸収させることができる。従って、第1遮光層51の端面56と第2遮光層52の庇部58との間で繰り返し反射することを低減できる。その結果、反射によって偏光状態が変化した偏光L2が増えることを抑制できる。   Further, the reflectance of the second light shielding layer 52 is smaller than the reflectance of the first light shielding layer 51. By doing in this way, the light absorption rate of the second light shielding layer 52 is higher than that of the first light shielding layer 51, and the polarized light L2 incident from the substrate 21 side is efficiently absorbed by the second light shielding layer 52. be able to. Therefore, repeated reflections between the end face 56 of the first light shielding layer 51 and the flange portion 58 of the second light shielding layer 52 can be reduced. As a result, it is possible to suppress an increase in the polarization L2 whose polarization state has changed due to reflection.

また、積層膜55は、第1遮光層51および第2遮光層52が1層ずつ積層されていてもよく、第1遮光層51と第2遮光層52とが交互に複数回積層されていてもよい。
第1遮光層51と第2遮光層52とが交互に複数回積層されて積層膜55が形成される場合には、第1遮光層51および第2遮光層52がそれぞれ単層で形成されている場合と比較して、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2を庇部58で効率よく遮光することができる。
The laminated film 55 may be formed by laminating the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 one by one, and the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 are alternately laminated a plurality of times. Also good.
When the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 are alternately laminated a plurality of times to form the laminated film 55, the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 are each formed as a single layer. Compared with the case where it exists, the polarized light L2 reflected by the end surface 56 of the 1st light shielding layer 51 can be efficiently light-shielded by the collar part 58. FIG.

また、積層膜55は、第1遮光層51のX軸方向の幅および第2遮光層52のX軸方向の幅が、上層、つまり積層方向(+Z軸方向)に行くほど小さくなっている。   Further, in the laminated film 55, the width of the first light shielding layer 51 in the X-axis direction and the width of the second light shielding layer 52 in the X-axis direction become smaller toward the upper layer, that is, the lamination direction (+ Z-axis direction).

このようにすることによって、第1遮光層51と第2遮光層52とを複数回積層させた場合でも、第1遮光層51と第2遮光層52とによって区画された凹部35の開口が液晶層8側に向かっていくにつれて狭くならない。その結果、液晶装置100の開口率が低下することを低減したブラックマトリクス基板50を得ることができる。   By doing so, even when the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 are laminated a plurality of times, the opening of the recess 35 defined by the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 is the liquid crystal. It does not become narrower toward the layer 8 side. As a result, it is possible to obtain the black matrix substrate 50 in which the aperture ratio of the liquid crystal device 100 is reduced.

また、先述したカラーフィルター層64のうち、1色のカラーフィルター層、例えば、着色層(B)63が設けられた領域の大きさが、着色層(R)61、または、着色層(G)62が設けられた領域の大きさと異なっていてもよい。   In addition, in the color filter layer 64 described above, the size of the region where the color filter layer of one color, for example, the colored layer (B) 63 is provided is the colored layer (R) 61 or the colored layer (G). The area 62 may be different from the size of the area.

このように着色層の領域の大きさを異ならせることによって、各色の着色層における光学的な特性、例えば、透過率、彩度などの違いを補正することができる。   By varying the size of the colored layer region in this way, it is possible to correct differences in optical characteristics such as transmittance and saturation in the colored layers of the respective colors.

従って、例えば、着色層(B)63が設けられた領域を、着色層(R)61および着色層(G)62が設けられた領域より大きくすることによって、着色層(R)61および着色層(G)62に比べて透過率が小さい着色層(B)63の透過率を補正し、明るくすることができる。   Therefore, for example, by making the area where the colored layer (B) 63 is provided larger than the area where the colored layer (R) 61 and the colored layer (G) 62 are provided, the colored layer (R) 61 and the colored layer are arranged. (G) The transmittance of the colored layer (B) 63 having a smaller transmittance than 62 can be corrected and brightened.

<ブラックマトリクス基板の製造方法>
図6(a)〜(f)は、ブラックマトリクス基板50の製造方法を示す概略断面図である。本実施形態のブラックマトリクス基板50の製造方法は、対向基板20の基材21上に第1遮光膜81と第2遮光膜82とを成膜し積層膜85を形成する成膜工程(ステップS1)と、積層膜85上に開口部36を有するレジストパターン90を形成するレジストパターン形成工程(ステップS2)と、レジストパターン90をマスクとして、積層膜85にドライエッチング処理を施して開口部36内の積層膜を除去し凹部35を形成するエッチング工程(ステップS3)と、を備えている。
<Black matrix substrate manufacturing method>
6A to 6F are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the black matrix substrate 50. In the manufacturing method of the black matrix substrate 50 according to the present embodiment, the first light shielding film 81 and the second light shielding film 82 are formed on the base material 21 of the counter substrate 20 to form the laminated film 85 (step S1). ), A resist pattern forming step (step S2) for forming a resist pattern 90 having an opening 36 on the laminated film 85, and using the resist pattern 90 as a mask, the laminated film 85 is subjected to a dry etching process in the opening 36. And an etching step (step S3) for removing the laminated film and forming the recess 35.

また、ブラックマトリクス基板50の製造方法は、凹部35に、少なくともR(赤)、G(緑)、B(青)の中から選ばれる着色層としてのカラーフィルター層64を形成するカラーフィルター層形成工程(ステップS4〜ステップS6)を備えている。   Further, the black matrix substrate 50 is manufactured by forming a color filter layer in the recess 35 by forming a color filter layer 64 as a colored layer selected from at least R (red), G (green), and B (blue). The process (step S4-step S6) is provided.

さらに、ブラックマトリクス基板50の製造方法は、積層膜55とカラーフィルター層64とを少なくとも覆うオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程(ステップS7)と、オーバーコート層に積層して透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程(ステップS8)と、を備えている。   Further, the manufacturing method of the black matrix substrate 50 includes an overcoat layer forming step (step S7) for forming an overcoat layer covering at least the laminated film 55 and the color filter layer 64, and a transparent conductive film laminated on the overcoat layer. And forming a transparent conductive film (step S8).

以下に、ブラックマトリクス基板50の製造方法について図6を参照して説明する。ここでは、基材21上に第1遮光層51と第2遮光層52とが交互に積層された6層構造を含むブラックマトリクス基板50(図4参照)の製造方法を例にして説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the black matrix substrate 50 will be described with reference to FIG. Here, a manufacturing method of the black matrix substrate 50 (see FIG. 4) including a six-layer structure in which the first light shielding layers 51 and the second light shielding layers 52 are alternately stacked on the base material 21 will be described as an example.

(ステップS1)(成膜工程)
図6(a)に示すように、洗浄された基材21の片側全面に第1遮光膜81となるAlおよび第2遮光膜82となるTiNを交互に3回ずつスパッタリングして、第1遮光膜81および第2遮光膜82が3層ずつ交互に積層された6層構造の積層膜85を形成する。
このとき、各回のスパッタのAlの膜厚は、例えば、0.500μmであり、TiNの膜厚は、例えば、0.050μmである。
(Step S1) (Film formation process)
As shown in FIG. 6 (a), the first light shielding is performed by alternately sputtering three times each of Al serving as the first light shielding film 81 and TiN serving as the second light shielding film 82 on the entire surface of one side of the cleaned base material 21. A laminated film 85 having a six-layer structure in which the film 81 and the second light shielding film 82 are alternately laminated by three layers is formed.
At this time, the film thickness of Al in each sputtering is, for example, 0.500 μm, and the film thickness of TiN is, for example, 0.050 μm.

(ステップS2)(レジストパターン形成工程)
図6(b)に示すように、ステップS1で形成した積層膜85の上側の面、言い換えれば、最も上層に配置されている第2遮光膜82の上側の面に感光性レジストを塗布して感光性レジスト層を形成する。そして、所望のパターンが形成されているフォトマスクを介して露光し、現像して、開口部36を有するレジストパターン90を形成する。
(Step S2) (resist pattern forming step)
As shown in FIG. 6B, a photosensitive resist is applied to the upper surface of the laminated film 85 formed in step S1, in other words, the upper surface of the second light shielding film 82 disposed in the uppermost layer. A photosensitive resist layer is formed. Then, it is exposed through a photomask on which a desired pattern is formed and developed to form a resist pattern 90 having an opening 36.

(ステップS3)(エッチング工程)
図6(b)に示すように、レジストパターン90越しに積層膜85の上側からドライエッチングを行い、図6(c)に示すように、ステップS2で形成した開口部36内の積層膜85を除去する。ドライエッチング終了後にレジストパターン90を剥離する。
(Step S3) (etching process)
As shown in FIG. 6B, dry etching is performed from above the laminated film 85 through the resist pattern 90, and as shown in FIG. 6C, the laminated film 85 in the opening 36 formed in step S2 is formed. Remove. After the dry etching is finished, the resist pattern 90 is peeled off.

このとき、具体的には、Alのエッチングレートが、例えば、0.45μm/分であり、TiNのエッチングレートが、0.25μm/分であるとすると、第1遮光層51と第2遮光層52のエッチングレートの差は、0.200μm/分となる。   Specifically, if the Al etching rate is 0.45 μm / min and the TiN etching rate is 0.25 μm / min, for example, the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer The difference in the etching rate of 52 is 0.200 μm / min.

従って、先述したように、例えば、d2=0.182μmとするには、積層膜55にオーバーエッチングを施すことによって形成することができる。また、例えば、d2=0.420μmとするには、積層膜55にオーバーエッチングを施すことによって形成することができる。   Therefore, as described above, for example, in order to set d2 = 0.182 μm, the laminated film 55 can be formed by over-etching. For example, in order to set d2 = 0.420 μm, the laminated film 55 can be formed by over-etching.

このようにして、第1遮光層51と第2遮光層52とからなる積層膜55が完成し、積層膜85の開口部36に相当する部分にカラーフィルター層64を形成するための凹部35が完成する。レジストパターン90の剥離方法としては、例えば、アッシング処理が挙げられる。   In this way, a laminated film 55 composed of the first light shielding layer 51 and the second light shielding layer 52 is completed, and a recess 35 for forming the color filter layer 64 is formed in a portion corresponding to the opening 36 of the laminated film 85. Complete. As a peeling method of the resist pattern 90, for example, an ashing process is exemplified.

(ステップS4)(カラーフィルター層形成工程)
図6(d)に示すように、ステップS3で形成した凹部35に色ごとにカラーフィルター材料を充填する。例えば、スピンコート法を用いて、凹部35のうちの1つにR(赤)の液状の感光性カラーフィルター材料を塗布する。塗布量は、凹部35の底から積層膜55の上側の面と同じ高さになる位置まで充填する。
(Step S4) (color filter layer forming step)
As shown in FIG. 6D, the color filter material is filled for each color in the recess 35 formed in step S3. For example, an R (red) liquid photosensitive color filter material is applied to one of the recesses 35 by spin coating. The coating amount is filled from the bottom of the recess 35 to a position where the height is the same as the upper surface of the laminated film 55.

その後、着色層(R)61だけを残すように露光して現像する。その後、ポストベークを施して、カラーフィルター形成材料から溶媒成分を蒸発させて硬化させ、着色層(R)61を形成する。   Thereafter, exposure and development are performed so that only the colored layer (R) 61 remains. Thereafter, post-baking is performed to evaporate and cure the solvent component from the color filter forming material, thereby forming a colored layer (R) 61.

(ステップS5)(カラーフィルター層形成工程)
図6(e)に示すように、ステップS4と同様に、スピンコート法を用いて、着色層(R)61を形成した隣の凹部35の中にG(緑)の液状のカラーフィルター材料を塗布する。塗布量は、積層膜55の上側の面でR(赤)と少なくとも一部が重なるように充填する。
(Step S5) (color filter layer forming step)
As shown in FIG. 6E, as in step S4, the G (green) liquid color filter material is placed in the adjacent concave portion 35 in which the colored layer (R) 61 is formed using the spin coat method. Apply. The coating amount is filled so that at least a part of R (red) overlaps with the upper surface of the laminated film 55.

その後、ステップS4と同様に、着色層(G)62だけを残すように露光して現像する。その後、ポストベークを施して、カラーフィルター形成材料から溶媒成分を蒸発させて硬化させ、着色層(G)62を形成する。   Thereafter, as in step S4, exposure and development are performed so that only the colored layer (G) 62 remains. Thereafter, post-baking is performed, and the solvent component is evaporated from the color filter forming material and cured to form the colored layer (G) 62.

(ステップS6)(カラーフィルター層形成工程)
図6(f)に示すように、ステップS4,S5と同様に、スピンコート法を用いて、着色層(G)62を形成した隣の凹部35の中にB(青)の液状のカラーフィルター材料を塗布する。塗布量は、積層膜55の上側の面でG(緑)と少なくとも一部が重なるように充填する。
(Step S6) (color filter layer forming step)
As shown in FIG. 6 (f), as in steps S4 and S5, a B (blue) liquid color filter is formed in the adjacent concave portion 35 in which the colored layer (G) 62 is formed by using the spin coat method. Apply material. The coating amount is filled so that at least a part of G (green) overlaps the upper surface of the laminated film 55.

その後、ステップS4,S5と同様に、着色層(B)63だけを残すように露光して現像する。その後、ポストベークを施して、カラーフィルター形成材料から溶媒成分を蒸発させて硬化させ、着色層(B)63を形成する。このようにして、着色層(R)61、着色層(G)62、着色層(B)63が形成され、カラーフィルター層64が完成する。   Thereafter, as in steps S4 and S5, exposure and development are performed so that only the colored layer (B) 63 remains. Thereafter, post-baking is performed to evaporate and cure the solvent component from the color filter forming material, thereby forming the colored layer (B) 63. In this way, the colored layer (R) 61, the colored layer (G) 62, and the colored layer (B) 63 are formed, and the color filter layer 64 is completed.

(ステップS7)(オーバーコート層形成工程)
カラーフィルター層64の上側に、例えば、透光性樹脂層からなるオーバーコート層としての平坦化層16を形成する。その後、必要に応じて平坦化層16上を平坦化するために平坦化処理を行う。
(Step S7) (Overcoat layer forming step)
On the upper side of the color filter layer 64, for example, the planarizing layer 16 as an overcoat layer made of a translucent resin layer is formed. Thereafter, a planarization process is performed to planarize the planarization layer 16 as necessary.

(ステップS8)(透明導電膜形成工程)
平坦化層16上に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、ITOからなる対向電極19を形成する。そして、対向電極19上に配向膜22を形成する。配向膜22の製造方法は、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板20が完成する。
(Step S8) (Transparent conductive film forming step)
A counter electrode 19 made of ITO is formed on the planarizing layer 16 by using a photolithography technique and an etching technique. Then, an alignment film 22 is formed on the counter electrode 19. For example, the alignment film 22 is formed by using an oblique deposition method. Thus, the counter substrate 20 is completed.

その後、素子基板10と対向基板20とを液晶層8を挟んで貼り合わせることにより、液晶装置100ができあがる。   Thereafter, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together with the liquid crystal layer 8 interposed therebetween, whereby the liquid crystal device 100 is completed.

以上述べたように、本実施形態に係るブラックマトリクス基板50の製造方法によれば、表示のコントラストが低下することが抑制され、優れたカラー表示品質を実現可能なブラックマトリクス基板50を製造することができる。   As described above, according to the manufacturing method of the black matrix substrate 50 according to the present embodiment, it is possible to manufacture the black matrix substrate 50 that can suppress the decrease in display contrast and can realize excellent color display quality. Can do.

このようなブラックマトリクス基板50を液晶装置100に用いることによって、表示のコントラストが低下することが抑制され、優れた表示品質を有する液晶装置100を提供することができる。   By using such a black matrix substrate 50 for the liquid crystal device 100, it is possible to provide the liquid crystal device 100 having excellent display quality by suppressing a decrease in display contrast.

また、ステップS1において、第1遮光膜81よりも反射率が小さい膜形成材料を用いて第2遮光膜82を形成する。   In step S <b> 1, the second light shielding film 82 is formed using a film forming material having a reflectance lower than that of the first light shielding film 81.

この製造方法によれば、基材21側から入射した偏光L2が、第1遮光層51の端面56と第2遮光層52の突出した部分(庇部58)との間で繰り返し反射することを低減することができる。そのため、反射によって偏光状態が変化した偏光L2が増えることを抑制できる。   According to this manufacturing method, the polarized light L2 incident from the base material 21 side is repeatedly reflected between the end face 56 of the first light shielding layer 51 and the protruding portion (the flange portion 58) of the second light shielding layer 52. Can be reduced. Therefore, it can suppress that the polarization | polarized-light L2 from which the polarization state changed by reflection increases.

また、ステップS3において、第2遮光膜82のエッチングレートは第1遮光膜81のエッチングレートより遅い。つまり、積層膜85のエッチングが進むと、第2遮光膜82と比較して、第1遮光膜81はオーバーエッチングされる。   In step S <b> 3, the etching rate of the second light shielding film 82 is slower than the etching rate of the first light shielding film 81. That is, when the etching of the laminated film 85 proceeds, the first light shielding film 81 is over-etched as compared with the second light shielding film 82.

従って、エッチング後の凹部35では、Y軸方向からの断面視において、第2遮光層52の端面(側面)57は、第1遮光層51の端面(側面)56よりもX軸方向に突出する。つまり、X軸方向において、第2遮光層52は、第1遮光層51よりも長く形成されており、第1遮光層51の上側に庇のように突出した庇部58を備えている。   Therefore, in the recessed portion 35 after etching, the end surface (side surface) 57 of the second light shielding layer 52 protrudes in the X axis direction from the end surface (side surface) 56 of the first light shielding layer 51 in a sectional view from the Y axis direction. . That is, in the X-axis direction, the second light shielding layer 52 is formed longer than the first light shielding layer 51, and includes a flange portion 58 that protrudes like a ridge above the first light shielding layer 51.

そのため、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2の少なくとも一部は第2遮光層52の庇部58で遮られることから、第1遮光層51の端面56に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と、第1遮光層51の端面56で反射した偏光L2とが混ざり難くなるブラックマトリクス基板50を得ることができる。   Therefore, at least a part of the polarized light L2 reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 is blocked by the flange portion 58 of the second light shielding layer 52, so that the liquid crystal layer does not enter the end face 56 of the first light shielding layer 51. The black matrix substrate 50 in which the polarized light L1 incident on the light 8 and the polarized light L2 reflected by the end face 56 of the first light shielding layer 51 are difficult to be mixed can be obtained.

また、ステップS4〜S6のカラーフィルター層形成工程においては、少なくとも着色層(R)61、着色層(G)62、着色層(B)63を含むカラーフィルター層64のうち、着色層(B)63を最後に形成することが好ましい。   In the color filter layer forming step of steps S4 to S6, among the color filter layer 64 including at least the colored layer (R) 61, the colored layer (G) 62, and the colored layer (B) 63, the colored layer (B) Preferably 63 is formed last.

この製造方法によれば、着色層(B)63は他の色の着色層に比べて色純度を確保することが難しく、色純度は膜厚に比例する。そのため、カラーフィルター層64を形成する際に、先に着色層(R)61、着色層(G)62を形成し、最後に着色層(B)63を形成することによって、着色層(B)63を形成する凹部35の深さが深くなり、膜厚を厚くして、所望の色純度を実現しやすくなる。   According to this manufacturing method, it is difficult to ensure the color purity of the colored layer (B) 63 as compared with the colored layers of other colors, and the color purity is proportional to the film thickness. Therefore, when the color filter layer 64 is formed, the colored layer (R) 61 and the colored layer (G) 62 are formed first, and finally the colored layer (B) 63 is formed, whereby the colored layer (B). The depth of the concave portion 35 forming 63 is increased, and the film thickness is increased, so that desired color purity is easily realized.

(第2実施形態)
<ブラックマトリクス基板の構成>
図7は、第2実施形態に係るブラックマトリクス基板150の構成を示す概略断面図である。本実施形態では、第1遮光層151と第2遮光層152とが交互に3回ずつ積層されており、さらに、対向基板20の基材21と基材21の1つ上側に積層されている第1遮光層151との間に第3遮光層153を備えている。第3遮光層153は、第2遮光層152と同じTiNで形成されている。
(Second Embodiment)
<Configuration of black matrix substrate>
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the black matrix substrate 150 according to the second embodiment. In the present embodiment, the first light-shielding layer 151 and the second light-shielding layer 152 are alternately laminated three times each, and further laminated on the base 21 and the base 21 of the counter substrate 20 one above. A third light shielding layer 153 is provided between the first light shielding layer 151. The third light shielding layer 153 is made of the same TiN as the second light shielding layer 152.

第2遮光層152の端面(側面)157は、第1実施形態と同様に、Y軸方向からの断面視において、第2遮光層152の1つ下側に配置されている第1遮光層151の端面(側面)156よりもX軸方向に突出している。言い換えれば、X軸方向において、第2遮光層152は、第2遮光層152の1つ下側に配置されている第1遮光層151よりも長く形成されており、第1遮光層151の上側に庇のように突出した庇部158bを有している。   Similarly to the first embodiment, the end surface (side surface) 157 of the second light shielding layer 152 is disposed on the lower side of the second light shielding layer 152 in the cross-sectional view from the Y-axis direction. It protrudes in the X-axis direction from the end face (side face) 156 of. In other words, in the X-axis direction, the second light shielding layer 152 is formed to be longer than the first light shielding layer 151 disposed on the lower side of the second light shielding layer 152, and above the first light shielding layer 151. It has a flange portion 158b protruding like a flange.

さらに、本実施形態では、第3遮光層153の端面(側面)159が、Y軸方向からの断面視において、第3遮光層153の1つ上側に配置されている第1遮光層151の端面156よりもX軸方向に突出している。言い換えれば、X軸方向において、第3遮光層153は、第3遮光層153の1つ上側に配置されている第1遮光層151よりも長く形成されており、第1遮光層151の下側に突出した庇部158aを有している。   Furthermore, in the present embodiment, the end surface (side surface) 159 of the third light shielding layer 153 is the end surface of the first light shielding layer 151 disposed on the upper side of the third light shielding layer 153 in a cross-sectional view from the Y-axis direction. It projects in the X-axis direction from 156. In other words, in the X-axis direction, the third light shielding layer 153 is formed longer than the first light shielding layer 151 disposed on the one upper side of the third light shielding layer 153, and below the first light shielding layer 151. And has a flange portion 158a projecting from the bottom.

また、端面159は、Y軸方向からの断面視において、端面157よりもX軸方向に突出している。つまり、X軸方向において、第3遮光層153は、第2遮光層152よりも長く形成されている。
また、積層膜155においても、先述した積層膜55と同様に、第1遮光層151のX軸方向の幅および第2遮光層152(最下層は第3遮光層153)のX軸方向の幅が、上層、つまり積層方向(+Z軸方向)に行くほど小さくなっている。
Further, the end surface 159 protrudes in the X-axis direction from the end surface 157 in a cross-sectional view from the Y-axis direction. That is, the third light shielding layer 153 is formed longer than the second light shielding layer 152 in the X-axis direction.
Also in the laminated film 155, similarly to the laminated film 55 described above, the width of the first light shielding layer 151 in the X-axis direction and the width of the second light shielding layer 152 (the lowermost layer is the third light shielding layer 153) in the X-axis direction. However, it becomes smaller toward the upper layer, that is, the stacking direction (+ Z-axis direction).

<第1遮光層の端面で反射する偏光>
図8は、第1遮光層151の端面156で反射する偏光L2について説明する説明図である。図8は、複数回積層されている積層膜155のうち、任意の第1遮光層151の1つ下側に備えられている下層第2遮光層152a側から入射角φで入射した偏光L2が、第1遮光層151の端面156で上側、つまり、液晶層(図8では図示せず)側へ反射し、第1遮光層151の1つ上側に備えられている上層第2遮光層152bの庇部158bで遮られている状態を示している。なお、任意の第1遮光層151が最下層の第1遮光層に相当する場合には、下層第2遮光層152aは第3遮光層153となる。
<Polarized light reflected from the end face of the first light shielding layer>
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining the polarized light L <b> 2 reflected by the end surface 156 of the first light shielding layer 151. FIG. 8 shows that the polarized light L2 incident at an incident angle φ from the lower second light-shielding layer 152a provided below the arbitrary first light-shielding layer 151 in the laminated film 155 laminated a plurality of times. The upper second light-shielding layer 152b is reflected from the end face 156 of the first light-shielding layer 151 to the upper side, that is, the liquid crystal layer (not shown in FIG. 8) side, and is provided one above the first light-shielding layer 151. The state blocked | interrupted with the collar part 158b is shown. In addition, when the arbitrary 1st light shielding layer 151 is corresponded to the 1st light shielding layer of the lowest layer, the lower layer 2nd light shielding layer 152a turns into the 3rd light shielding layer 153.

図8に示すように、第1遮光層151のうち、第1遮光層151の下層に配置されている下層第2遮光層152a側の端辺173と、下層第2遮光層152aの端面のうち第1遮光層151側の端辺174と、の間の距離をd3とする。また、端辺174と上層第2遮光層152bの第1遮光層151側の端辺172とを含む仮想面175と、第1遮光層51の基材21の一方の面に垂直な方向、つまり、積層方向(Z軸方向)と、のなす角をβとする。   As shown in FIG. 8, of the first light shielding layer 151, an end 173 on the lower second light shielding layer 152 a side disposed below the first light shielding layer 151 and an end surface of the lower second light shielding layer 152 a The distance between the edge 174 on the first light shielding layer 151 side is d3. Further, a virtual plane 175 including the end side 174 and the end side 172 on the first light shielding layer 151 side of the upper second light shielding layer 152b, and a direction perpendicular to one surface of the substrate 21 of the first light shielding layer 51, that is, The angle formed by the stacking direction (Z-axis direction) is β.

このとき、ブラックマトリクス基板150は、以下の数式(3)を満たしている。
tanβ≦(d3−d2)/d1・・・・・(3)
At this time, the black matrix substrate 150 satisfies the following mathematical formula (3).
tanβ ≦ (d3-d2) / d1 (3)

具体的には、ブラックマトリクス基板150が、例えば、β=30°、d1=0.500μmである場合には、d3−d2≧0.289μmとなっている。言い換えれば、第2遮光層152からせり出した第3遮光層153のX軸方向の長さが0.289μm以上となるように、第3遮光層153が形成されている。   Specifically, when the black matrix substrate 150 has, for example, β = 30 ° and d1 = 0.500 μm, d3−d2 ≧ 0.289 μm. In other words, the third light shielding layer 153 is formed such that the length of the third light shielding layer 153 protruding from the second light shielding layer 152 in the X-axis direction is 0.289 μm or more.

このような構成にすることによって、基材21側から入射角φで入射して、第1遮光層151の端面156に入射する少なくとも一部の偏光L2は、第3遮光層153によって遮られるため減少する。その結果、第1遮光層151の端面156に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と、第1遮光層151の端面で反射した偏光L2とが混ざり難くなる。   With this configuration, at least a part of the polarized light L2 that is incident from the base material 21 side at the incident angle φ and incident on the end surface 156 of the first light shielding layer 151 is blocked by the third light shielding layer 153. Decrease. As a result, the polarized light L1 incident on the liquid crystal layer 8 without entering the end face 156 of the first light shielding layer 151 and the polarized light L2 reflected on the end face of the first light shielding layer 151 are difficult to be mixed.

また、ブラックマトリクス基板150において、βが、以下の数式(4)を満たしている。
20°≦β≦40°・・・・・(4)
In the black matrix substrate 150, β satisfies the following mathematical formula (4).
20 ° ≦ β ≦ 40 ° (4)

β<20°の場合には、X軸方向において、下層第2遮光層152aが上層第2遮光層152bよりせり出している部分が小さいため、第1遮光層151の端面156で反射した偏光L2は、庇部158bに遮られることが少なく、ほとんどの偏光L2は上層方向へ進行する。そのため、第1遮光層151の端面156に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と混ざり、カラー表示のコントラストが下がってしまう。   When β <20 °, the portion where the lower second light-shielding layer 152a protrudes from the upper second light-shielding layer 152b is small in the X-axis direction. Therefore, the polarized light L2 reflected by the end face 156 of the first light-shielding layer 151 is Therefore, most of the polarized light L2 travels in the upper layer direction. For this reason, the light is mixed with the polarized light L1 incident on the liquid crystal layer 8 without entering the end face 156 of the first light shielding layer 151, and the contrast of the color display is lowered.

一方、β>40°の場合には、下層第2遮光層152aが上層第2遮光層152bよりせり出している部分が大きいため、第1遮光層151の端面156で反射した偏光L2だけでなく、第1遮光層151の端面156に入射せずに液晶層8に入射しようとする偏光L1までも下層第2遮光層152aの庇部158aによって遮られる。そのため、液晶装置100の開口率が低下してしまう。   On the other hand, when β> 40 °, the lower second light-shielding layer 152a is larger than the upper second light-shielding layer 152b, so that not only the polarized light L2 reflected by the end face 156 of the first light-shielding layer 151, Even the polarized light L1 that does not enter the end face 156 of the first light shielding layer 151 and is about to enter the liquid crystal layer 8 is blocked by the flange 158a of the lower second light shielding layer 152a. Therefore, the aperture ratio of the liquid crystal device 100 is reduced.

このようなことから、上記数式(4)を満たす場合には、基材21側から入射して、第1遮光層151の端面156に入射する偏光L2の少なくとも一部が、庇部158aによって遮られる。そのため、開口率の低下を抑制しつつ、第1遮光層151の端面156に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と、第1遮光層151の端面156で反射した偏光L2とが混ざり難くすることができる。   For this reason, when the above formula (4) is satisfied, at least a part of the polarized light L2 incident from the substrate 21 side and incident on the end face 156 of the first light shielding layer 151 is blocked by the flange 158a. It is done. Therefore, the polarization L1 incident on the liquid crystal layer 8 without entering the end surface 156 of the first light shielding layer 151 and the polarization L2 reflected on the end surface 156 of the first light shielding layer 151 are mixed while suppressing a decrease in the aperture ratio. Can be difficult.

また、上記数式(4)において、例えば、d1=0.500μmとすると、β=20°のとき、d3−d2≒0.182μmとなる。また、β=40°のとき、d3−d2=0.420μmとなる。このように、第3遮光層153に入射する偏光の入射角φの分布に合わせてd3−d2を形成することによって、第1遮光層151の端面156で反射する偏光L2を庇部158aで効率よく遮ることができる。   Further, in the above formula (4), for example, if d1 = 0.500 μm, then d3−d2≈0.182 μm when β = 20 °. When β = 40 °, d3−d2 = 0.420 μm. In this way, by forming d3-d2 in accordance with the distribution of the incident angle φ of the polarized light incident on the third light shielding layer 153, the polarization L2 reflected by the end face 156 of the first light shielding layer 151 is efficiently reflected by the flange portion 158a. Can block well.

以上述べたように、本実施形態に係るブラックマトリクス基板150によれば、以下の効果を得ることができる。
ブラックマトリクス基板150は、基材21と第1遮光層151との間に第3遮光層153を備えていることによって、第3遮光層153を備えていない場合と比較すると、第1遮光層151の端面156に入射しようとする偏光L2を第3遮光層153で遮って、第1遮光層151の端面156で反射する偏光L2を低減させることができる。
As described above, according to the black matrix substrate 150 according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
The black matrix substrate 150 includes the third light-shielding layer 153 between the base material 21 and the first light-shielding layer 151, so that the first light-shielding layer 151 is compared with the case where the third light-shielding layer 153 is not provided. The polarized light L2 that is about to enter the end face 156 is blocked by the third light shielding layer 153, and the polarized light L2 reflected by the end face 156 of the first light shielding layer 151 can be reduced.

その結果、第1遮光層151の端面156に入射せずに液晶層8に入射する偏光L1と、第1遮光層151の端面156で反射して偏光状態が変化した偏光L2とが混ざり難くすることができる。   As a result, the polarized light L1 that is incident on the liquid crystal layer 8 without being incident on the end face 156 of the first light shielding layer 151 and the polarized light L2 that is reflected by the end face 156 of the first light shielding layer 151 and whose polarization state is changed are hardly mixed. be able to.

また、本実施形態では、第1実施形態で説明したブラックマトリクス基板50の製造方法のステップS1において、基材21と第1遮光層51との間に第3遮光層153を形成する工程を含み、第2遮光層52と同じ膜形成材料を用いて第3遮光層153を形成する。   In addition, the present embodiment includes a step of forming the third light shielding layer 153 between the base material 21 and the first light shielding layer 51 in Step S1 of the method for manufacturing the black matrix substrate 50 described in the first embodiment. The third light shielding layer 153 is formed using the same film forming material as that of the second light shielding layer 52.

この製造方法によれば、第3遮光層153を備えていないブラックマトリクス基板50と比較すると、第1遮光層51の端面156で反射する偏光L2を低減させることができる。   According to this manufacturing method, as compared with the black matrix substrate 50 that does not include the third light shielding layer 153, the polarization L2 reflected by the end face 156 of the first light shielding layer 51 can be reduced.

また、第3遮光層153が光吸収性を有していることから、液晶装置100が直視型の場合、外光反射による見映えの低下を抑えることができる。   In addition, since the third light shielding layer 153 has light absorptivity, when the liquid crystal device 100 is a direct-view type, it is possible to suppress a decrease in appearance due to external light reflection.

(第3実施形態)
<ブラックマトリクス基板の構成>
図9は、第3実施形態に係るブラックマトリクス基板250の構成を示す概略断面図である。本実施形態に係るブラックマトリクス基板250は、カラーフィルター層64を備えていないところが第1実施形態にて説明したブラックマトリクス基板50と異なる。
(Third embodiment)
<Configuration of black matrix substrate>
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the black matrix substrate 250 according to the third embodiment. The black matrix substrate 250 according to this embodiment is different from the black matrix substrate 50 described in the first embodiment in that the color filter layer 64 is not provided.

図9に示すように、ブラックマトリクス基板250は、第1実施形態で説明したブラックマトリクス基板50と同様に、基材21と、基材21上に第1遮光層51と第1遮光層51に積層された第2遮光層52とから構成される6層構造の積層膜55と、を備えている。   As shown in FIG. 9, the black matrix substrate 250 is similar to the black matrix substrate 50 described in the first embodiment, and the first light shielding layer 51 and the first light shielding layer 51 are formed on the base material 21 and the base material 21. A laminated film 55 having a six-layer structure including the laminated second light shielding layer 52.

ブラックマトリクス基板250は、カラーフィルター層64を備えていないため上層に凹凸が形成される。従って、積層膜55上に凹部35を埋めるようにオーバーコート層として平坦化層(保護膜)216を形成し平坦化する。さらに、平坦化層216上に透明導電膜としての対向電極(共通電極)219を備えている。   Since the black matrix substrate 250 does not include the color filter layer 64, the upper layer is uneven. Accordingly, a planarization layer (protective film) 216 is formed as an overcoat layer so as to fill the concave portion 35 on the laminated film 55 and planarized. Further, a counter electrode (common electrode) 219 as a transparent conductive film is provided on the planarization layer 216.

第2遮光層52の端面(側面)57は、Y軸方向からの断面視において、第1実施形態と同様に、第1遮光層51の端面(側面)56よりも突出している。つまり、第2遮光層52は、第1遮光層51の上層側に庇のように突出した庇部58を有している。   The end surface (side surface) 57 of the second light shielding layer 52 protrudes from the end surface (side surface) 56 of the first light shielding layer 51 in the cross-sectional view from the Y-axis direction, as in the first embodiment. That is, the second light shielding layer 52 has a flange portion 58 protruding like a ridge on the upper layer side of the first light shielding layer 51.

以上述べたように、本実施形態に係るブラックマトリクス基板250は、第1実施形態では備えられていたカラーフィルター層64を備えていない場合にも、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。   As described above, the black matrix substrate 250 according to this embodiment can obtain the same effect as that of the first embodiment even when the color filter layer 64 provided in the first embodiment is not provided. it can.

(第4実施形態)
<電子機器>
図10は、電子機器の一例としてヘッドマウントディスプレイ400を示す概略図であり、図11は電子機器の他の例の構成を示す斜視図である。第4実施形態としての電子機器について、図10、図11を参照して説明する。
(Fourth embodiment)
<Electronic equipment>
FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a head mounted display 400 as an example of an electronic device, and FIG. 11 is a perspective view illustrating a configuration of another example of the electronic device. An electronic apparatus as a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 10 and 11.

図10に示すように、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ(HMD)400は、左右の目に対応して設けられた2つの表示部401を有している。   As shown in FIG. 10, a head mounted display (HMD) 400 as an electronic device has two display units 401 provided corresponding to the left and right eyes.

ヘッドマウントディスプレイ400を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部401に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部401に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。   By wearing the head mounted display 400 on the head like glasses, characters and images displayed on the display unit 401 can be seen. For example, if an image in consideration of parallax is displayed on the left and right display units 401, a stereoscopic video can be seen and enjoyed.

表示部401には、上記実施形態にて説明したブラックマトリクス基板50を含む液晶装置100が搭載されている。したがって、表示のコントラスト低下が抑制されるので、優れた表示品質を有する軽量なヘッドマウントディスプレイ400を提供することができる。   The display unit 401 includes the liquid crystal device 100 including the black matrix substrate 50 described in the above embodiment. Therefore, since a reduction in display contrast is suppressed, a lightweight head mounted display 400 having excellent display quality can be provided.

ヘッドマウントディスプレイ400は、表示部401の表示内容を直接見る構成に限定されず、ミラーなどによって間接的に表示内容を見る構成としてもよい。
また、ヘッドマウントディスプレイ400は、2つの表示部401を有することに限定されず、左右の目のいずれかに対応させた1つの表示部401を備える構成としてもよい。
The head mounted display 400 is not limited to the configuration in which the display content of the display unit 401 is directly viewed, and may be configured to view the display content indirectly by a mirror or the like.
Moreover, the head mounted display 400 is not limited to having the two display units 401, and may be configured to include one display unit 401 corresponding to one of the left and right eyes.

図11(a)に示すように、電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューター500は、表示ユニットとしての液晶装置100と本体部510とを備える。本体部510には、電源スイッチ501およびキーボード502が設けられている。   As shown in FIG. 11A, a mobile personal computer 500 as an example of an electronic device includes a liquid crystal device 100 as a display unit and a main body 510. The main body 510 is provided with a power switch 501 and a keyboard 502.

図11(b)に示すように、電子機器の一例としての携帯電話機600は、複数の操作ボタン601およびスクロールボタン602、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。スクロールボタン602を操作することによって、液晶装置100に表示される画面がスクロールされる。   As shown in FIG. 11B, a mobile phone 600 as an example of an electronic device includes a plurality of operation buttons 601 and scroll buttons 602, and a liquid crystal device 100 as a display unit. By operating the scroll button 602, the screen displayed on the liquid crystal device 100 is scrolled.

図11(c)に示すように、電子機器の一例としての情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)700は、複数の操作ボタン701および電源スイッチ702、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。操作ボタン701を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置100に表示される。   As shown in FIG. 11C, a personal digital assistant (PDA) 700 as an example of an electronic device includes a plurality of operation buttons 701, a power switch 702, and the liquid crystal device 100 as a display unit. When the operation button 701 is operated, various types of information such as an address book and a schedule book are displayed on the liquid crystal device 100.

このようなブラックマトリクス基板50を含む液晶装置100を電子機器に用いることによって、表示のコントラストが低下することが抑制され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。なお、表示部401あるいは表示ユニットに用いられる液晶装置100は、第2実施形態のブラックマトリクス基板150や第3実施形態のブラックマトリクス基板250を備える構成であってもよい。   By using the liquid crystal device 100 including such a black matrix substrate 50 for an electronic device, it is possible to provide an electronic device having excellent display quality, in which display contrast is prevented from being lowered. The liquid crystal device 100 used in the display unit 401 or the display unit may be configured to include the black matrix substrate 150 of the second embodiment or the black matrix substrate 250 of the third embodiment.

また、上記ブラックマトリクス基板が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ400、モバイル型のパーソナルコンピューター500、携帯電話機600、情報携帯端末700に限定されない。   Further, the electronic device on which the black matrix substrate is mounted is not limited to the head mounted display 400, the mobile personal computer 500, the mobile phone 600, and the information mobile terminal 700.

例えば、EVF、小型プロジェクター、ピコプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。   For example, it can be used for various electronic devices such as EVFs, small projectors, pico projectors, head-up displays, smartphones, mobile computers, digital cameras, digital video cameras, displays, in-vehicle devices, audio devices, exposure devices, and lighting devices.

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be added to the above-described embodiment. A modification will be described below.

(変形例)
上記ブラックマトリクス基板を含む電気光学装置は、液晶装置100に限定されない。例えば、OLED(Organic Light−Emitting Diode、有機EL装置)、SED(Surface−conduction Electron−emitter Display、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ディスプレイなどの表示装置にも適用することができる。上記ブラックマトリクス基板を用いることより、視野角などの光学特性を制御可能な表示装置を実現できる。
(Modification)
The electro-optical device including the black matrix substrate is not limited to the liquid crystal device 100. For example, the present invention is also applied to display devices such as OLED (Organic Light-Emitting Diode, organic EL device), SED (Surface-conduction Electron-emitter Display), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) display. be able to. By using the black matrix substrate, a display device capable of controlling optical characteristics such as viewing angle can be realized.

3a…走査線、3b…容量線、6a…データ線、8…液晶層、9…シール材、10…素子基板、11…基材、12…辺部、13…辺部、14…辺部、15…辺部、16…平坦化層(保護膜)、17…画素電極、18…配向膜、19…対向電極(共通電極)、20…対向基板、21…基材、22…配向膜、23…データ線駆動回路、24…検査回路、25…走査線駆動回路、26…配線、27…外部接続用端子、28…遮光部、29…上下導通部、30…薄膜トランジスター(TFT)、35…凹部、36…開口部、41…容量素子、43…画素回路、50…ブラックマトリクス基板、51…第1遮光層、52…第2遮光層、55…積層膜、56…端面(側面)、57…端面(側面)、58…庇部、61…着色層(R)、62…着色層(G)、63…着色層(B)、64…カラーフィルター層、71…端辺、72…端辺、73…端辺、75…仮想面、81…第1遮光膜、82…第2遮光膜、85…積層膜、90…レジストパターン、100…液晶装置、150…ブラックマトリクス基板、151…第1遮光層、152…第2遮光層、152a…下層第2遮光層、152b…上層第2遮光層、153…第3遮光層、155…積層膜、156…端面(側面)、157…端面(側面)、158…庇部、158a…庇部、158b…庇部、159…端面(側面)、172…端辺、173…端辺、174…端辺、175…仮想面、216…平坦化層(保護膜)、219…対向電極(共通電極)、250…ブラックマトリクス基板、400…ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、401…表示部、500…パーソナルコンピューター、501…電源スイッチ、502…キーボード、510…本体部、600…携帯電話機、601…操作ボタン、602…スクロールボタン、700…情報携帯端末(PDA)、701…操作ボタン、702…電源スイッチ、L…偏光、L1…偏光、L2…偏光、θ…入射角、φ…入射角。   3a ... scanning line, 3b ... capacitance line, 6a ... data line, 8 ... liquid crystal layer, 9 ... sealing material, 10 ... element substrate, 11 ... base material, 12 ... side, 13 ... side, 14 ... side DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 ... Side part, 16 ... Planarization layer (protective film), 17 ... Pixel electrode, 18 ... Orientation film, 19 ... Counter electrode (common electrode), 20 ... Counter substrate, 21 ... Base material, 22 ... Orientation film, 23 Data line drive circuit, 24 ... Inspection circuit, 25 ... Scanning line drive circuit, 26 ... Wiring, 27 ... External connection terminal, 28 ... Light shielding part, 29 ... Vertical conduction part, 30 ... Thin film transistor (TFT), 35 ... Recessed part 36... Opening part 41. Capacitor element 43. Pixel circuit 50. Black matrix substrate 51. First light shielding layer 52. Second light shielding layer 55 55 Multilayer film 56 End face (side surface) 57 ... end face (side face), 58 ... collar, 61 ... colored layer (R), 62 ... colored layer (G), 3 ... Colored layer (B), 64 ... Color filter layer, 71 ... End side, 72 ... End side, 73 ... End side, 75 ... Virtual surface, 81 ... First light shielding film, 82 ... Second light shielding film, 85 ... Laminated film, 90 ... resist pattern, 100 ... liquid crystal device, 150 ... black matrix substrate, 151 ... first light shielding layer, 152 ... second light shielding layer, 152a ... lower second light shielding layer, 152b ... upper second light shielding layer, 153 ... third light shielding layer, 155 ... laminated film, 156 ... end face (side face), 157 ... end face (side face), 158 ... collar part, 158a ... collar part, 158b ... collar part, 159 ... end face (side face), 172 ... end Side, 173 ... End side, 174 ... End side, 175 ... Virtual plane, 216 ... Planarization layer (protective film), 219 ... Counter electrode (common electrode), 250 ... Black matrix substrate, 400 ... Head mounted display (HMD) 401 ... Display , 500 ... Personal computer, 501 ... Power switch, 502 ... Keyboard, 510 ... Main unit, 600 ... Mobile phone, 601 ... Operation button, 602 ... Scroll button, 700 ... Personal digital assistant (PDA), 701 ... Operation button, 702 ... Power switch, L ... polarized light, L1 ... polarized light, L2 ... polarized light, θ ... incident angle, φ ... incident angle.

Claims (20)

透光性の基板と、
前記基板の一方の面に配置された第1遮光層と、
前記第1遮光層の前記基板と反対側の面に配置された第2遮光層と、を備え、
前記第2遮光層の端面は、断面視において、前記第1遮光層の端面よりも突出していることを特徴とするブラックマトリクス基板。
A translucent substrate;
A first light-shielding layer disposed on one surface of the substrate;
A second light-shielding layer disposed on a surface of the first light-shielding layer opposite to the substrate,
An end face of the second light shielding layer protrudes from an end face of the first light shielding layer in a sectional view.
前記第2遮光層の反射率は、前記第1遮光層の反射率より小さいことを特徴とする請求項1に記載のブラックマトリクス基板。   The black matrix substrate according to claim 1, wherein a reflectance of the second light shielding layer is smaller than a reflectance of the first light shielding layer. 前記第1遮光層はアルミニウムまたはアルミニウムの合金を含み、
前記第2遮光層は、金属の窒化物を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のブラックマトリクス基板。
The first light shielding layer includes aluminum or an aluminum alloy,
The black matrix substrate according to claim 1, wherein the second light shielding layer includes a metal nitride.
前記第1遮光層の前記基板の一方の面に垂直な方向の厚さをd1とし、
前記第1遮光層の端面のうち前記第2遮光層側の端辺と前記第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺との間の距離をd2とし、
前記第1遮光層の端面のうち前記基板側の端辺と前記第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺とを含む仮想面と、前記第1遮光層の端面と、のなす角をαとしたとき、以下の数式(1)を満たすことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のブラックマトリクス基板。
tanα≦d2/d1・・・・・(1)
The thickness of the first light shielding layer in the direction perpendicular to one surface of the substrate is d1,
The distance between the edge on the second light shielding layer side of the end face of the first light shielding layer and the edge on the first light shielding layer side of the end face of the second light shielding layer is d2,
A virtual surface including an end side on the substrate side of an end face of the first light shielding layer and an end side on the first light shielding layer side of an end face of the second light shielding layer; an end face of the first light shielding layer; The black matrix substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the following formula (1) is satisfied, where α is an angle formed by:
tanα ≦ d2 / d1 (1)
前記αが、以下の数式(2)を満たすことを特徴とする請求項4に記載のブラックマトリクス基板。
20°≦α≦40°・・・・・(2)
The black matrix substrate according to claim 4, wherein α satisfies the following mathematical formula (2).
20 ° ≦ α ≦ 40 ° (2)
前記基板と前記第1遮光層との間に第3遮光層を備え、
前記第3遮光層の端面は、断面視において、前記第1遮光層の端面よりも突出していることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載のブラックマトリクス基板。
A third light shielding layer is provided between the substrate and the first light shielding layer;
6. The black matrix substrate according to claim 1, wherein an end surface of the third light shielding layer protrudes from an end surface of the first light shielding layer in a cross-sectional view.
前記第1遮光層と前記第2遮光層とが交互に複数回積層されていることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載のブラックマトリクス基板。   6. The black matrix substrate according to claim 1, wherein the first light-shielding layer and the second light-shielding layer are alternately laminated a plurality of times. 前記第1遮光層の幅および前記第2遮光層の幅は、前記基板上において上層に行くほど小さくなっていることを特徴とする請求項7に記載のブラックマトリクス基板。   8. The black matrix substrate according to claim 7, wherein a width of the first light shielding layer and a width of the second light shielding layer are reduced toward an upper layer on the substrate. 9. 前記複数回積層されている遮光層のうち、
任意の前記第1遮光層の端面のうち前記第1遮光層の下層に配置されている下層第2遮光層側の端辺と、前記下層第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺と、の間の距離をd3とし、
前記下層第2遮光層の端面のうち前記第1遮光層側の端辺と前記第1遮光層の上層に配置されている上層第2遮光層の前記第1遮光層側の端辺とを含む仮想面と、前記基板の一方の面に垂直な方向と、のなす角をβとしたとき、以下の数式(3)を満たすことを特徴とする請求項7に記載のブラックマトリクス基板。
tanβ≦(d3−d2)/d1・・・・・(3)
Among the light-shielding layers laminated a plurality of times,
Of the end face of the arbitrary first light-shielding layer, the lower-side second light-shielding layer-side edge disposed in the lower layer of the first light-shielding layer and the first light-shielding layer side of the end face of the lower-layer second light-shielding layer D3 is the distance between the edge and
Among the end surfaces of the lower second light-shielding layer, the first light-shielding layer side edge and the upper second light-shielding layer side edge disposed on the first light-shielding layer are included. 8. The black matrix substrate according to claim 7, wherein the following formula (3) is satisfied, where β is an angle formed between a virtual surface and a direction perpendicular to one surface of the substrate.
tanβ ≦ (d3-d2) / d1 (3)
前記βが、以下の数式(4)を満たすことを特徴とする請求項9に記載のブラックマトリクス基板。
20°≦β≦40°・・・・・(4)
The black matrix substrate according to claim 9, wherein β satisfies the following mathematical formula (4).
20 ° ≦ β ≦ 40 ° (4)
前記第1遮光層と第2遮光層とにより区画された領域に設けられ、少なくとも、R(赤)、G(緑)、B(青)の中から選ばれる着色層を備えていることを特徴とする請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載のブラックマトリクス基板。   It is provided in a region defined by the first light shielding layer and the second light shielding layer, and includes at least a colored layer selected from R (red), G (green), and B (blue). The black matrix substrate according to any one of claims 1 to 10. R(赤)、G(緑)、B(青)の前記着色層のうち、1色の前記着色層が設けられた領域の大きさは、他の色の前記着色層が設けられた領域の大きさと異なることを特徴とする請求項11に記載のブラックマトリクス基板。   Among the colored layers of R (red), G (green), and B (blue), the size of the region where the colored layer of one color is provided is the size of the region where the colored layer of another color is provided. The black matrix substrate according to claim 11, which is different in size. 請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載のブラックマトリクス基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。   An electro-optical device comprising the black matrix substrate according to any one of claims 1 to 12. 請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載のブラックマトリクス基板を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the black matrix substrate according to any one of claims 1 to 12. 透光性の基板上に第1遮光層と第2遮光層とを成膜し積層膜を形成する成膜工程と、
前記積層膜上に開口部を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記積層膜にドライエッチング処理を施して前記開口部内の前記積層膜を除去し凹部を形成するエッチング工程と、を備え、
前記第2遮光層のエッチングレートは、前記第1遮光層のエッチングレートより遅いことを特徴とするブラックマトリクス基板の製造方法。
A film forming step of forming a laminated film by forming a first light shielding layer and a second light shielding layer on a light-transmitting substrate;
A resist pattern forming step of forming a resist pattern having an opening on the laminated film;
Using the resist pattern as a mask, performing an etching process on the laminated film to remove the laminated film in the opening and forming a recess, and
The method for manufacturing a black matrix substrate, wherein an etching rate of the second light shielding layer is slower than an etching rate of the first light shielding layer.
前記成膜工程では、前記第1遮光層よりも反射率が小さい膜形成材料を用いて前記第2遮光層を形成することを特徴とする請求項15に記載のブラックマトリクス基板の製造方法。   16. The method for manufacturing a black matrix substrate according to claim 15, wherein, in the film forming step, the second light shielding layer is formed using a film forming material having a reflectance lower than that of the first light shielding layer. 前記成膜工程は、前記基板と前記第1遮光層との間に第3遮光層を形成する工程を含み、
前記第2遮光層と同じ膜形成材料を用いて前記第3遮光層を形成することを特徴とする請求項15または16に記載のブラックマトリクス基板の製造方法。
The film forming step includes a step of forming a third light shielding layer between the substrate and the first light shielding layer,
17. The method for manufacturing a black matrix substrate according to claim 15, wherein the third light shielding layer is formed using the same film forming material as the second light shielding layer.
前記凹部に、少なくとも、R(赤)、G(緑)、B(青)の中から選ばれる着色層を形成する着色層形成工程を備えていることを特徴とする請求項15から請求項17までのいずれか一項に記載のブラックマトリクス基板の製造方法。   18. A colored layer forming step for forming a colored layer selected from at least R (red), G (green), and B (blue) in the concave portion. The method for producing a black matrix substrate according to any one of the above. 前記積層膜と前記着色層とを少なくとも覆うオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程と、
前記オーバーコート層に積層して透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、
を備えていることを特徴とする請求項18に記載のブラックマトリクス基板の製造方法。
An overcoat layer forming step of forming an overcoat layer covering at least the laminated film and the colored layer;
A transparent conductive film forming step of forming a transparent conductive film by laminating on the overcoat layer;
The method for manufacturing a black matrix substrate according to claim 18, comprising:
前記着色層形成工程は、少なくともR(赤)、G(緑)、B(青)の前記着色層のうちB(青)の前記着色層を最後に形成することを特徴とする請求項18または請求項19に記載のブラックマトリクス基板の製造方法。   The colored layer forming step forms the colored layer of B (blue) last among the colored layers of at least R (red), G (green), and B (blue). The method for manufacturing a black matrix substrate according to claim 19.
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