JP2016148639A - 磁気センサおよび磁気検出回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】高い分解能および高い検出感度で磁界強度を検出可能な磁気センサを提供する【解決手段】磁気センサ10は、高周波伝送ライン20、強磁性体であるYIG基板30、および、永久磁石40を備える。高周波伝送ライン20は、絶縁性基板21、線状導体22、およびグランド導体23を備える。線状導体22は、直線状であり、絶縁性基板21の表面に形成されている。YIG基板30は、絶縁性基板21の表面に、線状導体22に当接するように配置されている。永久磁石40は、YIG基板30における絶縁性基板21と反対側に配置されている。この構成により、YIG基板30による共振が共振周波数と反共振周波数を有する。【選択図】 図1
Description
本発明は、磁気共鳴現象を利用した磁気センサに関する。
強磁性体を用いた高周波デバイスが各種考案されている。
特許文献1には、YIGに対して、伸長方向が直交する二本の線状導体を配置して、高周波信号用の共振器を構成することが記載されている。
非特許文献1には、YIGの表面に複数の短冊電極を配置し、さらに、YIGの表面に該複数の短冊電極を挟むようにトランスデューサ電極を配置することで、高周波信号用の共振器を構成することが記載されている。
これらの高周波デバイスに対して、各共振器の特性を利用することで、磁気センサを構成することが考えられる。
SmCo薄膜磁石を装荷したGHz帯マグノニック結晶の形成と磁界センサへの応用,上野智視 野田常照 金澤直輝 高木 宏幸 石山和志 井上光輝,磁気学会技術報告 Mag−11−097 2011
しかしながら、特許文献1に記載の装置では、反共振の発生を抑えているため、共振周波数の前後の周波数帯域における通過特性(S21特性)の変化が緩やかになる。図13は、従来の特許文献1に記載の構成を用いた場合における共振周波数付近の通過特性を示すグラフである。したがって、このような通過特性のピーク周波数を用いて、磁界強度の検出に利用する場合、磁界強度の検出の分解能を高くすることができない。
また、非特許文献1に記載の装置では、通過特性に急峻なピークをえることができるが、各種のモードが生じるため、所望とするピークの検出感度が低下してしまう。これにより、磁界強度の検出感度を高くすることが難しい。
したがって、本発明の目的は、高い分解能および高い検出感度で磁界強度を検出可能な磁気センサを提供することにある。
この発明の磁気センサは、強磁性体と、該強磁性体に近接または当接する線状導体を有し、磁気検出用の高周波信号を伝送する高周波伝送ラインと、強磁性体および線状導体に磁界を印加する磁界印加手段と、を備える。線状導体は、強磁性体による共振が共振周波数と反共振周波数を有するように配置されている。
この構成では、共振周波数に反共振周波数が近接するように共振特性を調整できる。これにより、共振周波数の前後の周波数帯域における通過特性(S21)および反射特性(S11)の変化が急峻になる。また、磁界強度に関係する共振周波数のピークの近傍に他のモードによる共振周波数のピークが現れることが抑制される。これにより、周波数分解能および検出感度が高くなる。
また、この発明の磁気センサでは、線状導体における強磁性体に近接または当接する部分は、一方向に直線状に延びる形状であることが好ましい。
この構成では、共振周波数と反共振周波数が現れる特性を、容易な構造によって実現される。これにより、磁気センサを小型化できる。
また、この発明の磁気センサでは、線状導体は、第1の線状導体と第2の線状導体とを備え、第1の線状導体と第2の線状導体は、強磁性体を挟み、延びる方向が平行で、且つ、幅方向も平行になるように配置されていてもよい。
この構成でも、共振周波数と反共振周波数が現れる特性を、容易な構造によって実現される。これにより、磁気センサを小型化できる。
また、この発明の磁気検出回路は、上述のいずれかに記載の磁気センサと、磁気検出用の高周波信号を生成し、高周波信号の伝送特性を取得し、該伝送特性から検出した共振周波数を用いて磁界強度を算出する計測部と、を備える。
この構成では、周波数分解能および検出感度が高い磁気検出回路を実現できる。
また、この発明の磁気検出回路は、磁気センサのインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路を備えていてもよい。
この構成では、磁気センサのインピーダンスを調整することによって、伝送特性を調整することが可能であることを利用している。これにより、さらに急峻な特性を実現でき、さらに周波数分解能を向上することができる。
この発明によれば、高い分解能および高い検出感度で磁界強度を検出することができる。
本発明の第1の実施形態に係る磁気センサおよび磁気検出回路について、図を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気センサの外観斜視図である。図2(A)は、本発明の第1の実施形態に係る磁気センサの平面図である。図2(B)は、本発明の第1の実施形態に係る磁気センサの側面図である。
図1、図2に示すように、磁気センサ10は、高周波伝送ライン20、YIG基板30、および永久磁石40を備える。YIG基板30は、イットリウム鉄ガーネットを主成分とする基板であり、本発明の「強磁性体」に相当する。永久磁石40は、本発明の「磁界印加手段」に相当する。
高周波伝送ライン20は、絶縁性基板21、線状導体22、およびグランド導体23を備える。線状導体22は、絶縁性基板21の表面に配置されている。線状導体22は、一方向(図1、図2のx方向)に平行に、直線状に延びる形状からなる。グランド導体23は、絶縁性基板21の裏面に配置されている。このような形状から、高周波伝送ライン20は、マイクロストリップラインを構成する。高周波伝送ライン20の延びる方向の一方端が第1入出力端子P1であり、延びる方向の他方端が第2入出力端子P2である。
YIG基板30は、絶縁性基板21の表面に配置されている。YIG基板30は、線状導体22の延びる方向における一部の区間に対して重なるように、配置されている。YIG基板30は、線状導体22に当接している。
永久磁石40は、YIG基板30における絶縁性基板21と反対側に配置されている。永久磁石40は、YIG基板30における永久磁石40側の面の全面に対して重なるように配置されている。
このような構成の磁気センサ10に対して、第1入出力端子P1から高周波信号を入力すると、YIG基板30に印加される磁界強度に応じた伝送特性が得られる。図3は、本発明の第1の実施形態に係る磁気センサのS11特性(反射特性)を示すグラフである。
高周波伝送ライン20の線状導体22におけるYIG基板30に重なっている(図1、図2であれば、z方向に視て重なっている)区間は直線である。YIG基板30に対して線状導体22をこのような態様で配置することによって、図3に示すように、S11特性は、共振によるピーク(極大)と反共振によるピーク(極小)を有する。共振によるピークでのS11は、他の周波数でのS11と比較して、0[dB]に近づく、反共振でのS11は、他の周波数のS11と比較して、より大きな負値[dB]となる。また、共振周波数と反共振周波数は周波数軸上において近接する。
したがって、共振周波数の近傍でのS11の変化は急峻になる。これにより、共振周波数を高い周波数分解能で検出することができる。ここで、YIG基板30を用いた磁気共鳴型の共振回路では、共振周波数は磁界強度に依存することが知られている。このため、共振周波数を高い周波数分解能で検出できることによって、磁界強度を高い分解能で検出することができる。
また、本実施形態の構成では、磁界強度に依存する共振周波数の近傍に反共振周波数が存在し、他のモードによる共振周波数は、磁界強度に依存する共振周波数から離間している。したがって、磁界強度に依存する共振周波数のピークの近傍に他のモードによるノイズとなる共振周波数のピークが現れない。これにより、磁界強度に依存する共振周波数(所望とする共振周波数)を高い検出感度で検出することができる。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る磁気センサと従来の非特許文献1に記載の構成を磁気センサに適用した場合の検出感度の比較結果を示すグラフである。上段のグラフは、本発明の第1の実施形態に係る磁気センサを用いた場合を示し、下段のグラフは、非特許文献1に記載の構成を磁気センサに適用した場合(従来の場合)を示す。
図4に示すように、従来の場合では、1.3E−9[T]程度未満では、伝送特性(この場合はS21)と磁界強度との一意的な関係を得ることができなくなってしまう。一方、本発明の第1の実施形態に係る磁気センサ10を用いることで、1.0E−13[T]まで伝送特性(この場合はΔS11)と磁界強度との一意的な関係を得ることができる。
このように、本実施形態を用いることにより、より低い磁界強度まで確実に検出することができる。すなわち、検出感度を向上させるができる。このような低い磁界強度を検出できることによって、例えば、従来検出が難しかった心磁界(例えば、1.0E−10[T]以下)を確実且つ高精度に検出することができる。
また、本実施形態の構成では、マイクロストリップラインからなる高周波伝送ライン20、YIG基板30、および、永久磁石40のみを備え、高周波伝送ライン20の線状導体22とYIG基板30との配置のみによって、上述の特性を得ることができる。したがって、複雑な構成を用いることなく、簡素且つ小型な構成で磁気センサ10を実現することができる。
このような磁気センサ10を、例えば、図5に示すような磁気検出回路90に用いることによって、磁界強度を検出することができる。図5は、本発明の第1の実施形態に係る磁気検出回路の構成を示すブロック図である。
磁気検出回路90は、磁気センサ10、計測部91、および終端抵抗92を備える。磁気センサ10の第1入出力端子P1は、計測部91に接続されている。磁気センサ10の第2入出力端子P2は、終端抵抗92を介してグランドに接続されている。
計測部91は、高周波信号生成部911、および、アナライザ912を備える。高周波信号生成部911は、磁気検出用の高周波信号を生成し、磁気センサ10に入力する。磁気検出用の高周波信号は、予め設定した周波数範囲で周波数スイープされている。アナライザ912は、出力される高周波信号と磁気センサ10に対する反射信号との電力比等を用いて、S11を算出する。アナライザ912は、各周波数に対してS11を算出する。アナライザ912は、各周波数のS11からS11特性(周波数特性)を生成し、共振周波数を検出する。アナライザ912は、既知の方法を用いて、共振周波数から磁界強度を算出する。
次に、本発明の第2の実施形態に係る磁気センサおよび磁気検出回路について、図を参照して説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る磁気センサの外観斜視図である。図7(A)は、本発明の第2の実施形態に係る磁気センサの平面図である。図7(B)は、本発明の第2の実施形態に係る磁気センサの側面図である。なお、図6、図7では、高周波伝送ラインの絶縁性基板、グランド導体、および、永久磁石の図示を省略している。
磁気センサ10Aは、線状導体211,212の構成が第1の実施形態に係る磁気センサ10と異なり、他の構成は、第1の実施形態に係る磁気センサ10と同じである。
線状導体211は、直線状の導体である。線状導体211の延びる方向の第1端部側がYIG基板30の裏面に当接または近接している。線状導体211の延びる方向の第2端部は、第1入出力端子P1である。
線状導体212は、直線状の導体である。線状導体212の延びる方向の第1端部側がYIG基板30の表面に当接している。線状導体212の延びる方向の第2端部は、第2入出力端子P2である。
線状導体211におけるYIG基板30と重なる区間と線状導体212におけるYIG基板30と重なる区間は、ともにx方向に沿って延びている。すなわち、線状導体211におけるYIG基板30と重なる区間と線状導体212におけるYIG基板30と重なる区間は平行に配置されている。
線状導体211におけるYIG基板30と重なる区間と線状導体212におけるYIG基板30と重なる区間は、それぞれの平板面がYIG基板30を介して対向している。
このような構成であっても、第1の実施形態と同様に、共振と反共振を有する磁界共鳴型の磁気センサを実現できる。そして、この構成を備えることによって、共振周波数前後のS21特性を急峻にすることができる。したがって、分解能および検出感度が高い磁気センサ10Aを実現することができる。
このような磁気センサ10Aを、例えば、図8に示すような磁気検出回路90Aに用いることによって、磁界強度を検出することができる。図8は、本発明の第2の実施形態に係る磁気検出回路の構成を示すブロック図である。
磁気検出回路90Aは、磁気センサ10A、および計測部91を備える。磁気センサ10Aの第1、第2入出力端子P1,P2は、計測部91に接続されている。
計測部91は、高周波信号生成部911、および、アナライザ912を備える。高周波信号生成部911は、磁気検出用の高周波信号を生成し、磁気センサ10Aに入力する。アナライザ912は、出力される高周波信号と磁気センサ10Aの第2入出力端子P2から出力される高周波信号との電力比等を用いて、S21を算出する。アナライザ912は、各周波数に対してS21を算出する。アナライザ912は、各周波数のS21からS21特性(周波数特性)を生成し、共振周波数を検出する。アナライザ912は、既知の方法を用いて、共振周波数から磁界強度を算出する。
次に、本発明の第3の実施形態に係る磁気センサについて、図を参照して説明する。図9(A)は、本発明の第3の実施形態に係る磁気センサの平面図である。図9(B)は、本発明の第3の実施形態に係る磁気センサの側面図である。なお、図9では、高周波伝送ラインの絶縁性基板、グランド導体、および、永久磁石の図示を省略している。
本実施形態の磁気センサ10Bは、線状導体22Bの形状が第1の実施形態に係る磁気センサ10と異なる。
線状導体22Bは、YIG基板30の表面、第1側面、裏面に当接するように配置されている。言い換えれば、線状導体22Bは、側面から視てYIG基板30に巻き付けられるように配置されている。
線状導体22BにおけるYIG基板30の表面に当接する第1区間と、線状導体22BにおけるYIG基板30の裏面に当接する第2区間は、ともに直線状であり、互いに平行である。
このような構成であっても、第1の実施形態に係る磁気センサ10と同等の伝送特性を実現できる。これにより、第1の実施形態に係る磁気センサ10と同様に、高い分解能と検出感度を有する磁気センサ10Bを実現することができる。
次に、本発明の第4の実施形態に係る磁気センサについて、図を参照して説明する。図10(A)は、本発明の第4の実施形態に係る磁気センサの平面図である。図10(B)は、本発明の第4の実施形態に係る磁気センサの側面図である。なお、図10では、高周波伝送ラインの絶縁性基板、グランド導体、および、永久磁石の図示を省略している。
本実施形態に係る磁気センサ10Cは、線状導体221C,222Cの配置が第2の実施形態に係る磁気センサ10Aと異なる。
線状導体221Cと線状導体222Cは、YIG基板30の対向する側面に当接するように配置されている。
線状導体221CにおけるYIG基板30の側面に当接する第1区間と、線状導体222CにおけるYIG基板30の側面に当接する第1区間は、ともに直線状であり、互いに平行である。
このような構成であっても、第2の実施形態に係る磁気センサ10Aと同等の伝送特性を実現できる。これにより、第2の実施形態に係る磁気センサ10Aと同様に、高い分解能と検出感度を有する磁気センサ10Cを実現することができる。
なお、上述の各実施形態では、YIG基板30の形状は長方形の板状であるが、他の形状であってもよい。図11は、YIGの各種形状例を示す図である。
図11(A)では、YIG基板は、上述の各実施形態に示した長方形の板である。図11(B)では、YIG基板は円板である。図11(C)では、YIG基板は六角形の板である。なお、平面視した形状は、四角形以上であれば、どの多角形であってもよい。
また、YIGは厚みが薄い基板に限るものではない。図11(D)では、YIGは、直方体である。図11(E)では、YIGは球体である。図11(F)では、YIGは六角柱である。この場合も、平面視した形状は、四角形以上であれば、どの多角形であってもよい。
また、上述の各実施形態では線状導体をYIG基板30に当接させる態様を示したが、近接していてもよい。
また、上述の各実施形態の構成に加え、磁気センサのインピーダンスを調整することによって、共振周波数の前後の伝送特性の急峻さを得ることもできる。図12は、磁気センサのインピーダンスを変化させた場合の反射特性(S11特性)の変化を示すグラフである。図12の場合では、インピーダンスを50[Ω]に調整することによって、共振周波数の前後の伝送特性を最も急峻にすることができる。
磁気センサのインピーダンスは、例えば、線状導体の幅を変化させる、絶縁性基板の厚み、材質を変化させる、等によって実現することができる。なお、このインピーダンスを変化させることによる共振周波数の前後の伝送特性の急峻さの調整は、上述の各実施形態に示した構成に限ることなく、YIG基板に線状導体からなる高周波伝送ラインを結合させる構造であれば、適用することができる。ただし、上述の各実施形態に適用することによって、より効果的に作用する。
また、上述の説明では、強磁性体としてYIGを用いる例を示したが、磁気共鳴型の共振器が形成可能な強磁性体であれば、上述の各実施形態の構成を適用することができる。
10,10A,10B,10C:磁気センサ
20:高周波伝送ライン
21:絶縁性基板
22,22B,211,212,221C,222C:線状導体
23:グランド導体
30:YIG基板
40:永久磁石
90,90A:磁気検出回路
91:計測部
92:終端抵抗
911:高周波信号生成部
912:アナライザ
P1:第1入出力端子
P2:第2入出力端子
20:高周波伝送ライン
21:絶縁性基板
22,22B,211,212,221C,222C:線状導体
23:グランド導体
30:YIG基板
40:永久磁石
90,90A:磁気検出回路
91:計測部
92:終端抵抗
911:高周波信号生成部
912:アナライザ
P1:第1入出力端子
P2:第2入出力端子
Claims (5)
- 強磁性体と、
該強磁性体に近接または当接する線状導体を有し、磁気検出用の高周波信号を伝送する高周波伝送ラインと、
前記強磁性体および前記線状導体に磁界を印加する磁界印加手段と、
を備え、
前記線状導体は、前記強磁性体による共振が共振周波数と反共振周波数を有するように配置されている、
磁気センサ。 - 前記線状導体における前記強磁性体に近接または当接する部分は、一方向に直線状に延びる形状である、
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記線状導体は、第1の線状導体と第2の線状導体とを備え、
前記第1の線状導体と前記第2の線状導体は、前記強磁性体を挟み、延びる方向が平行で、且つ、幅方向も平行になるように配置されている、
請求項1または請求項2に記載の磁気センサ。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の磁気センサと、
前記磁気検出用の高周波信号を生成し、前記高周波信号の伝送特性を取得し、該伝送特性から検出した共振周波数を用いて磁界強度を算出する計測部と、
を備える、磁気検出回路。 - 前記磁気センサのインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路を備えた、
請求項4に記載の磁気検出回路。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015026784A JP2016148639A (ja) | 2015-02-13 | 2015-02-13 | 磁気センサおよび磁気検出回路 |
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JP2015026784A JP2016148639A (ja) | 2015-02-13 | 2015-02-13 | 磁気センサおよび磁気検出回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021162456A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 横河電機株式会社 | 磁気検出装置及び磁気検出方法 |
CN113740784A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-12-03 | 西安交通大学 | 超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器及应用 |
-
2015
- 2015-02-13 JP JP2015026784A patent/JP2016148639A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021162456A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 横河電機株式会社 | 磁気検出装置及び磁気検出方法 |
JP7380392B2 (ja) | 2020-03-31 | 2023-11-15 | 横河電機株式会社 | 磁気検出装置及び磁気検出方法 |
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