JP2016144827A - End tab for welding - Google Patents

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渡り 純一
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純一 渡り
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an end tab for welding, which can be removed after the welding and which has high durability.SOLUTION: An end tab for welding, in which a contact part abutting on at least a member to be welded is made of a ceramic sintered body predominantly composed of silicon nitride, is provided.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、溶接用エンドタブに関するものである。   The present invention relates to a welding end tab.

従来、被溶接部材同士を溶接する場合に、被溶接部材同士の相対位置を固定するために溶接部の両端部に取り付けられる溶接用エンドタブは、スチール製のエンドタブが一般的に用いられてきた。この理由は、溶接の連続性が維持され、途切れのない良好な溶接をすることができるとともに、溶接終了後、被溶接部材から5〜10mm程度離れた位置でスチールタブ製のエンドタブを切断すればよいからである。   Conventionally, when welding the members to be welded, steel end tabs have generally been used as welding end tabs attached to both ends of the welded portion in order to fix the relative positions of the members to be welded. The reason for this is that the welding continuity is maintained, good welding without interruption is possible, and after the end of welding, the steel tab end tab is cut at a position about 5 to 10 mm away from the member to be welded. Because it is good.

ところが、スチール製のエンドタブは、予め溶接によって被溶接部材に仮固定しておかなければならず、この作業が面倒であるとともに、溶接終了後の切断作業に手間や時間がかかることから、近年では、セラミック製のエンドタブが用いられるようになっている。   However, steel end tabs must be temporarily fixed to the welded member by welding in advance, and this work is cumbersome and the cutting work after the end of welding takes time and effort. Ceramic end tabs are used.

このような溶接用エンドタブとして、例えば、特許文献1では、固形フラックスまたは高融点セラミックスからなる溶接用エンドタブが提案されており、コージライト、ステアタイト等のセラミックス、あるいは、SiO−MnO−CaO系のフラックスを用いていることが記載されている。 As such a welding end tab, for example, Patent Document 1 proposes a welding end tab made of a solid flux or a high melting point ceramic, such as a cordierite or a steatite ceramic, or a SiO 2 —MnO—CaO system. It is described that the flux is used.

特開昭61−119398号公報JP 61-119398 A

しかしながら、特許文献1で提案された溶接用エンドタブは、いずれの成分で形成されたものでも、溶融した金属に対して濡れ易いので、溶融した金属が被接合部と溶接用エンドタブの双方に凝着することで溶接用エンドタブと被接合部とが接合されてしまい、溶接用エンドタブを取り外すために凝着部を切断する工程などの余分な工程が必要となっていた。また、特許文献1記載の溶接用エンドタブは機械的強度も低く、繰り返し使用による形状や強度の変化が大きく、繰り返し使用できる回数が少ない(耐久性が低い)といった問題があった。本発明は、上記課題に鑑みて案出されたものである。   However, even if the welding end tab proposed in Patent Document 1 is formed of any component, it is easily wetted with the molten metal, so that the molten metal adheres to both the welded portion and the welding end tab. As a result, the welding end tab and the part to be joined are joined, and an extra step such as a step of cutting the adhesion portion is necessary to remove the welding end tab. In addition, the welding end tab described in Patent Document 1 has a problem of low mechanical strength, large changes in shape and strength due to repeated use, and a small number of times of repeated use (low durability). The present invention has been devised in view of the above problems.

少なくとも被溶接部材に当接する接触部が窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなることを特徴とする溶接用エンドタブを提供する。   Provided is a welding end tab characterized in that at least a contact portion in contact with a member to be welded is made of a ceramic sintered body mainly composed of silicon nitride.

本発明の溶接用エンドタブは、溶接後の取外しが容易で、かつ耐久性が高い。   The welding end tab of the present invention is easy to remove after welding and has high durability.

本実施形態の溶接用エンドタブの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the end tab for welding of this embodiment. 本実施形態の溶接用エンドタブの他の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other example of the end tab for welding of this embodiment. 本実施形態の溶接用エンドタブを構成するセラミック焼結体の構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the ceramic sintered compact which comprises the end tab for welding of this embodiment.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。但し、本明細書の全図において、混同を生じない限り、同一部分には同一符号を付し、その説明を適時省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, in all the drawings in this specification, the same reference numerals are given to the same parts unless the confusion occurs, and the description thereof is omitted as appropriate.

図1は、本実施形態の溶接用エンドタブの一例を示す斜視図である。図2は、本実施形態の溶接用エンドタブの他の例を示す斜視図である。図1に示す例の溶接用エンドタブ10は、いずれも板状の被溶接部材である第1金属部材1および第2金属部材2のそれぞれの端面を溶接するために用いられるものである。また、図2に示す例の溶接用エンドタブ11は、板状の被溶接部材である第3金属部材3の一方の主面に、板状の被溶接部材である第4金属部材4の端面を溶接するために用いられるものである。   FIG. 1 is a perspective view showing an example of a welding end tab of the present embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing another example of the welding end tab of the present embodiment. The welding end tab 10 of the example shown in FIG. 1 is used for welding the respective end faces of the first metal member 1 and the second metal member 2 which are plate-like members to be welded. In addition, the end tab 11 for welding in the example shown in FIG. 2 has an end surface of the fourth metal member 4 that is a plate-like member to be welded on one main surface of the third metal member 3 that is a plate-like member to be welded. It is used for welding.

これらの溶接用エンドタブ10、11は、被溶接部材の相対位置を固定するとともに、溶融した金属の外部への漏洩を防ぐものであり、いずれもクランプ用針金5によって押圧支持されている。また、第4金属部材4は、第3金属部材3に仮固定された裏当金6によって支持されている。   These welding end tabs 10 and 11 fix the relative positions of the members to be welded and prevent leakage of molten metal to the outside, and both are pressed and supported by the clamp wire 5. The fourth metal member 4 is supported by a backing metal 6 temporarily fixed to the third metal member 3.

そして、溶接用エンドタブ10、11は、少なくとも被溶接部材に当接する接触部が窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなる。このような窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体は、溶融した金属に対して濡れ難いので、溶融した金属が溶接用エンドタブ10、11に凝着し難く、溶接用エンドタブと被接合部とが接合され難い。このため、溶接用エンドタブ10、11を取り外すために凝着部を切断する工程などの余分な工程を行うことなく、比較的少ない力で溶接用エンドタブ10、11を引き剥がすことができる。また、窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体は機械的強度も高く、繰り返し使用による形状や強度の変化が小さい。また、窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体は、溶融した金属に対する耐食性が高い。窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなる本実施形態の溶接用エンドタブは、繰り返し使用による形状や強度の変化が小さく、繰り返し使用できる回数が多い(耐久性が高い)。   The welding end tabs 10 and 11 are made of a ceramic sintered body whose main component is silicon nitride at least at the contact portion that comes into contact with the member to be welded. Such a ceramic sintered body containing silicon nitride as a main component is difficult to get wet with the molten metal, so that the molten metal is less likely to adhere to the welding end tabs 10, 11. Is difficult to be joined. For this reason, the welding end tabs 10 and 11 can be peeled off with a relatively small force without performing an extra step such as a step of cutting the adhesion portion in order to remove the welding end tabs 10 and 11. Moreover, the ceramic sintered body which has silicon nitride as a main component also has high mechanical strength, and the change of the shape and intensity | strength by repeated use is small. Moreover, the ceramic sintered body which has silicon nitride as a main component has high corrosion resistance with respect to the molten metal. The welding end tab of the present embodiment made of a ceramic sintered body containing silicon nitride as a main component has a small change in shape and strength due to repeated use, and can be used many times (high durability).

図1,2に示すように、特に、本実施形態の溶接用エンドタブ10、11は、被溶接部材1,2,3,4を狭接して配置される一対の溶接用エンドタブであって、少なくとも被溶接部材1,2,3,4を挟接する接触部が窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなる。   As shown in FIGS. 1 and 2, in particular, the welding end tabs 10 and 11 of the present embodiment are a pair of welding end tabs arranged so as to be in close contact with the members to be welded 1, 2, 3, and 4. The contact portion for sandwiching the members to be welded 1, 2, 3 and 4 is made of a ceramic sintered body mainly composed of silicon nitride.

セラミック焼結体は溶融金属に対する濡れ性が低い。また、溶接用エンドタブ10の表面粗さが大きければ、さらに濡れ性が低くなる。溶融金属に対する濡れ性をより低くするには、セラミック焼結体の表面粗さはより大きい方が好ましい。溶融金属に対する濡れ性をより低くするには、セラミック焼結体の表面の算術平均粗さ(Ra)を例えば1〜50μm程度とすることが好ましい。   Ceramic sintered bodies have low wettability with molten metal. Moreover, if the surface roughness of the welding end tab 10 is large, the wettability is further reduced. In order to lower the wettability to the molten metal, the surface roughness of the ceramic sintered body is preferably larger. In order to further lower the wettability with respect to the molten metal, it is preferable to set the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the ceramic sintered body to, for example, about 1 to 50 μm.

窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなる溶接用エンドタブの表面粗さを大きくする方法としては、窒化珪素を主成分とする粉末を所望の形状に固める成形を行う際に、金型の押圧加圧面側にいわゆる放電シボ加工を施すことにより、転写面を適切な表面粗さに調整する方法や、窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体を焼き固める際に、数十μm上の粗い敷き粉を棚板に敷くことで適切な表面粗さに調整する方法などを用いればよい。また、数十μm以上の粗い研磨砥粒を用いたブラスト加工を施し表面粗さを調整するといった方法を用いてもよく、表面粗さの調整方法等は特に限定されない。   As a method of increasing the surface roughness of a welding end tab made of a ceramic sintered body containing silicon nitride as a main component, when molding a powder containing silicon nitride as a main component into a desired shape, By applying so-called discharge texture processing on the pressing and pressing surface side, the transfer surface is adjusted to an appropriate surface roughness, and when a ceramic sintered body mainly composed of silicon nitride is baked and hardened, it is several tens of μm higher. What is necessary is just to use the method etc. which adjust to suitable surface roughness by laying a rough covering powder on a shelf board. Also, a method of adjusting the surface roughness by performing blasting using coarse abrasive grains of several tens of μm or more may be used, and the method of adjusting the surface roughness is not particularly limited.

[セラミック焼結体の実施形態1]また、本実施形態の溶接用エンドタブ10、11の接触部を構成するセラミック焼結体は、窒化珪素の結晶と、窒化珪素の結晶間にある粒界相にYSiAlONの結晶および非晶質相とが存在し、窒化珪素の含有量が80質量
%以上であって、X線回折チャートにおける2θ=32〜33°のYSiAlONの結晶のピーク強度をX、2θ=33.2〜34.2°の窒化珪素の結晶のピーク強度をYとしたとき、比率X/Yが0.1以上0.5以下であることが好適である。
[Embodiment 1 of Ceramic Sintered Body] Further, the ceramic sintered body constituting the contact portion of the welding end tabs 10 and 11 of this embodiment is composed of a silicon nitride crystal and a grain boundary phase between the silicon nitride crystals. Y 2 SiAlO 5 N crystals and an amorphous phase are present, the silicon nitride content is 80% by mass or more, and 2θ = 32 to 33 ° of Y 2 SiAlO 5 N in the X-ray diffraction chart. When the peak intensity of the crystal is X, 2θ = 33.2 to 34.2 °, and the peak intensity of the silicon nitride crystal is Y, the ratio X / Y is preferably 0.1 or more and 0.5 or less. is there.

上述した構成を満たしている場合には、粒界相内に窒化珪素の結晶を結合する非晶質相を存在させつつ、YSiAlONの結晶の占有率が高くなり、粒界相に生じる空隙が少なくなっている。このように粒界相に生じる空隙が少ない場合、セラミック焼結体の機械的強度は比較的高くなる。セラミック焼結体において粒界相に生じる空隙が密集している部分は顕微鏡等で拡大して観察することで確認できるし、この空隙がより高密度に密集している部分については目視でも確認できる。例えば、セラミック焼結体の表面を100倍に拡大して観察したときには、空隙の密集している部分は白い点(白点)に見える。さらに、円相当径1μm以上5μm以下の白点であれば、0.15mmあたりに2200より多く存在する領域では、目視でも白色に見える。 In the case where the above-described configuration is satisfied, the occupancy of the Y 2 SiAlO 5 N crystal is increased while the amorphous phase that bonds the silicon nitride crystal is present in the grain boundary phase, and the grain boundary phase is increased. There are fewer voids formed. Thus, when there are few space | gap produced in a grain boundary phase, the mechanical strength of a ceramic sintered compact becomes comparatively high. The portion where the voids generated in the grain boundary phase are densely observed in the ceramic sintered body can be confirmed by magnifying with a microscope or the like, and the portion where the voids are densely packed can be confirmed visually. . For example, when the surface of the ceramic sintered body is observed by magnifying it 100 times, a portion where voids are densely seen appears as white spots (white spots). Further, if the white spot has an equivalent circle diameter of 1 μm or more and 5 μm or less, it appears white even when viewed in an area where there are more than 2200 per 0.15 mm 2 .

なお、セラミック焼結体における主成分とは、セラミック焼結体を構成する成分100質量%に対して、70質量%以上を占める成分をいう。   In addition, the main component in a ceramic sintered compact means the component which occupies 70 mass% or more with respect to 100 mass% of components which comprise a ceramic sintered compact.

また、窒化珪素の含有量は、X線回折装置(XRD)により求めることができる。具体的には、XRDによりセラミック焼結体を構成する成分を同定し、同定された成分をリートベルト解析することによって窒化珪素の含有量を求めることができる。また、XRDにより得られたX線回折チャートから比率X/Yを求めることができる。また、窒化珪素の結晶およびYSiAlONの結晶の有無は、XRDまたは透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて同定することにより確認するができる。さらに、非晶質相の存在は、ハローパターンの有無で確認することができる。 The content of silicon nitride can be determined by an X-ray diffractometer (XRD). Specifically, the content of silicon nitride can be determined by identifying the components constituting the ceramic sintered body by XRD and analyzing the identified components by Rietveld. Further, the ratio X / Y can be obtained from the X-ray diffraction chart obtained by XRD. The presence or absence of silicon nitride crystals and Y 2 SiAlO 5 N crystals can be confirmed by identification using XRD or a transmission electron microscope (TEM). Furthermore, the presence of the amorphous phase can be confirmed by the presence or absence of a halo pattern.

また、セラミック焼結体の粒界相には、YSiAlONの結晶以外に、Y(SiN(アパタイト),YSi(ダイシリケート)およびYSiO(モノシリケート)のうち少なくとも1種の結晶が存在していてもよい。 In addition to the Y 2 SiAlO 5 N crystals, Y 5 (Si 4 ) 3 N (apatite), Y 2 Si 2 O 7 (disilicate), and Y 2 SiO 5 are included in the grain boundary phase of the ceramic sintered body. At least one kind of crystal may be present among (monosilicate).

ここで、セラミック焼結体の構造について、図3の模式図を用いて説明する。図3に示すように、セラミック焼結体は、柱状の窒化珪素の結晶12が配向することなく複数存在しており、窒化珪素の結晶12の間に粒界相13が存在している。なお、粒界相13には、図示していないが、非晶質相およびYSiAlONの結晶が存在する。そして、粒界相において、YSiAlONの結晶が少ないときには、空隙が生じやすくなる。 Here, the structure of the ceramic sintered body will be described with reference to the schematic view of FIG. As shown in FIG. 3, the ceramic sintered body has a plurality of columnar silicon nitride crystals 12 without orientation, and a grain boundary phase 13 exists between the silicon nitride crystals 12. The grain boundary phase 13 includes an amorphous phase and a Y 2 SiAlO 5 N crystal (not shown). When the Y 2 SiAlO 5 N crystals are few in the grain boundary phase, voids are likely to occur.

特に、セラミック焼結体の表面における円相当径1μm以上5μm以下の白点の個数は、0.15mmあたり2000個以下であることが好適である。例えば、円相当径1μm以上5μm以下の白点の個数が、2000個以下であれば、粒界相に生じる空隙が少なく、機械的強度を比較的高くすることができる。なお、表面とは、セラミック焼結体の外側をなす面のことであるが、白点の個数の測定には、セラミック焼結体の表面を研磨して得られた鏡面を表面として測定すればよい。 In particular, the number of white spots having an equivalent circle diameter of 1 μm or more and 5 μm or less on the surface of the ceramic sintered body is preferably 2000 or less per 0.15 mm 2 . For example, when the number of white spots having an equivalent circle diameter of 1 μm or more and 5 μm or less is 2000 or less, there are few voids generated in the grain boundary phase, and the mechanical strength can be made relatively high. The surface is the surface that forms the outside of the ceramic sintered body, but the number of white spots can be measured by measuring the surface of the ceramic sintered body as a mirror surface. Good.

次に、セラミック焼結体の表面における白点の測定方法を説明する。まず、セラミック焼結体の表面を研磨する。そして、研磨によって得られた鏡面を洗浄した後、光学顕微鏡を用いて100倍の倍率で観察し、面積が0.15mm(横方向の長さが1000μm、縦方向の長さが150μm)となる範囲を光学顕微鏡付属のCCDカメラを用いて暗視野で撮影し、画像データを取得する。得られた画像データを用いて、画像解析ソフト「A像くん」(登録商標、旭化成エンジニアリング(株)製)による粒子解析を行なうことで、白点の円相当径および個数を求めることができる。なお、粒子解析の設定条件としては、例えば、明度を明に設定し、2値化の方法を手動、小図形除去面積を1μm、画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の各点(各ピクセル)が有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の1.2倍以下とする。 Next, a method for measuring the white spot on the surface of the ceramic sintered body will be described. First, the surface of the ceramic sintered body is polished. And after washing | cleaning the mirror surface obtained by grinding | polishing, it observed with 100 time magnification using an optical microscope, and an area was 0.15 mm < 2 > (the length of a horizontal direction is 1000 micrometers, the length of a vertical direction is 150 micrometers). A range is photographed in a dark field using a CCD camera attached to an optical microscope, and image data is acquired. By using the obtained image data and performing particle analysis using image analysis software “A image-kun” (registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.), the equivalent circle diameter and number of white spots can be obtained. As the setting conditions for particle analysis, for example, the brightness is set to light, the binarization method is manually set, the small figure removal area is 1 μm 2 , and a threshold value that is an index indicating the brightness of the image is set in the image. The peak value of the histogram indicating the brightness of each point (each pixel) is 1.2 times or less.

次に、セラミック焼結体の組成の一例を説明する。セラミック焼結体は、窒化珪素を80質量%以上含むものであり、窒化珪素以外の成分としては、例えば、イットリウム(Y),アルミニウム(Al),珪素(Si)がある。そして、これらの成分の含有量としては、YがY換算で7質量%以上14質量%以下,AlがAl換算で2質量%以上5質量%以下,SiがSiO換算で0.5質量%以上2質量%以下である。 Next, an example of the composition of the ceramic sintered body will be described. The ceramic sintered body contains 80% by mass or more of silicon nitride, and examples of components other than silicon nitride include yttrium (Y), aluminum (Al), and silicon (Si). Then, the content of these components, Y is Y 2 O 3 14 wt% 7 wt% or more in terms of less, Al is Al 2 O 3 5 wt% or more 2% by mass in terms of less, Si is in terms of SiO 2 And 0.5 mass% or more and 2 mass% or less.

次に、セラミック焼結体における含有量の測定方法の一例を説明する。まず、酸素分析装置(堀場製作所製 EMGA−650FA)を用いた赤外線吸収法によりセラミック焼結体中の酸素の含有量を求める。   Next, an example of a method for measuring the content in the ceramic sintered body will be described. First, the oxygen content in the ceramic sintered body is determined by an infrared absorption method using an oxygen analyzer (EMGA-650FA manufactured by Horiba, Ltd.).

次に、ICP(Inductively Coupled Plasma)発光分光分析装置(島津製作所製 IC
PS−8100)を用いてYおよびAlの定量分析を行なう。そして、定量分析によって得られたYおよびAlの定量値をそれぞれYおよびAlに換算する。これにより、YをYに、AlをAlに換算したときの含有量を求めることができる。次に、この酸化物換算で必要とした酸素量をセラミック焼結体中の酸素の含有量から差し引き、この差し引いた酸素量からSiOに換算し、この値を、SiをSiOに換算したときの含有量とする。
Next, ICP (Inductively Coupled Plasma) emission spectroscopic analyzer (IC manufactured by Shimadzu Corporation)
Quantitative analysis of Y and Al is performed using PS-8100). Then, to convert the quantitative value of the resulting Y and Al by quantitative analysis, each Y 2 O 3 and Al 2 O 3. Thus, the Y to Y 2 O 3, it is possible to determine the content when converted to Al to Al 2 O 3. Next, the amount of oxygen required in terms of this oxide was subtracted from the oxygen content in the ceramic sintered body, and this subtracted amount of oxygen was converted to SiO 2 , and this value was converted to SiO 2 . When content.

また、セラミック焼結体は、イットリウム,アルミニウムおよび珪素以外に、クロム,マンガン,鉄,銅,タングステン,モリブデン等を含むものであってもよく、特には、クロム,マンガン,鉄および銅のいずれか1種を含む珪化物である第1の珪化物を含むことが好適である。   In addition to yttrium, aluminum and silicon, the ceramic sintered body may contain chromium, manganese, iron, copper, tungsten, molybdenum, etc., and in particular, any one of chromium, manganese, iron and copper. It is preferable to include a first silicide which is a silicide including one kind.

クロム,マンガン,鉄および銅の各珪化物を含むときには、セラミック焼結体をより明度の低い色調にすることができるので、溶接による汚れを目立ちにくくすることかできる。クロム,マンガン,鉄および銅の各珪化物としては、例えば、組成式が、CrSi,MnSi,FeSiおよびCuSi等として表される成分である。 When each of the silicides of chromium, manganese, iron and copper is included, the ceramic sintered body can be colored with a lower brightness, so that contamination due to welding can be made inconspicuous. Chromium, manganese, as each of the silicide of iron and copper, for example, composition formula, a component represented as CrSi 2, MnSi 2, FeSi 2 and CuSi 2 or the like.

なお、クロム,マンガン,鉄または銅の含有量は、セラミック焼結体を構成する全成分100質量%のうち、0.02質量%以上2質量%以下であることが好適である。   In addition, it is suitable that content of chromium, manganese, iron, or copper is 0.02 mass% or more and 2 mass% or less among 100 mass% of all the components which comprise a ceramic sintered compact.

さらに、本実施形態のセラミック焼結体において、タングステンまたはモリブデンの珪化物である第2の珪化物を含むことが好適である。第2の珪化物を含有することで、セラミック焼結体をさらに明度の低い色調にすることできるので、溶接による汚れをさらに目立ちにくくすることかできる。タングステンまたはモリブデンの珪化物としては、例えば、組成式が、WSi(JCPDS#81−1916)およびMoSi等として表される成分である。 Furthermore, it is preferable that the ceramic sintered body of the present embodiment includes a second silicide which is a silicide of tungsten or molybdenum. By containing the second silicide, it is possible to make the ceramic sintered body have a color tone with lower brightness, so that contamination due to welding can be made less noticeable. For example, tungsten or molybdenum silicide is a component whose composition formula is expressed as W 5 Si 3 (JCPDS # 81-1916), MoSi 2 or the like.

なお、タングステンまたはモリブデンの含有量は、セラミック焼結体の全質量100質量%のうち、0.02質量%以上2質量%以下であることが好適である。   In addition, it is suitable that content of tungsten or molybdenum is 0.02 mass% or more and 2 mass% or less among 100 mass% of the total mass of a ceramic sintered compact.

[セラミック焼結体の実施形態2]また、溶接用エンドタブ10、11の接触部を構成するセラミック焼結体は、カルシウム,アルミニウムおよび希土類元素の酸化物を含み、カルシウム,アルミニウムおよび希土類元素の酸化物の合計100質量%における、カルシウムおよびアルミニウムの含有量はそれぞれ酸化物に換算して0.3質量%以上1.5質量%以下,14.2質量%以上48.8質量%以下であり、残部が希土類元素の酸化物であるとともに、窒化珪素は、組成式がSi6−ZAl8−Z(z=0.1〜1
)で表されるβ−サイアロンであり、平均結晶粒径が20μm以下(但し、0μmを除く。)であることも、また好適である。
[Embodiment 2 of Ceramic Sintered Body] The ceramic sintered body constituting the contact portion of the welding end tabs 10 and 11 contains oxides of calcium, aluminum and rare earth elements, and is oxidized of calcium, aluminum and rare earth elements. The total content of calcium and aluminum in 100% by mass of the product is 0.3% to 1.5% by mass, 14.2% to 48.8% by mass in terms of oxides, The remainder is an oxide of a rare earth element, and silicon nitride has a composition formula of Si 6-Z Al Z O Z N 8-Z (z = 0.1-1).
It is also preferable that the average crystal grain size is 20 μm or less (excluding 0 μm).

上述した構成を満たしている場合には、異常に粒成長した結晶粒子が少ないないので、結晶粒径のばらつきが小さくなり、かつセラミック焼結体のかさ密度が高く、剛性が高いので、エンドタブの変形を抑制することができる。また、被溶接部材の温度が高くても、異常に成長した結晶粒子が少ないため、強度がほとんど低下せず、また、β−Siの結晶対称性がほとんど損なわれていないため熱伝導率が低下しにくくく、耐熱衝撃性を維持することができる。 When the above-described configuration is satisfied, the number of crystal grains that have grown abnormally is not small, so the variation in crystal grain size is small, the bulk density of the ceramic sintered body is high, and the rigidity is high. Deformation can be suppressed. Further, even if the temperature of the member to be welded is high, the number of abnormally grown crystal particles is small, so that the strength is hardly lowered and the crystal symmetry of β-Si 3 N 4 is hardly impaired, so that heat conduction The rate is not easily lowered, and the thermal shock resistance can be maintained.

ここで、固溶量zは、次のようにして算出することができる。まず、粒度番号が200のメッシュを通過するまで試料を粉砕し、得られた粉末に粉末X線回折法における回折角の角度補正用サンプルである高純度α−窒化珪素粉末(宇部興産製E−10グレード、アルミニウム含有量は20質量ppm以下)を60質量%添加して乳鉢にて均一になるように混合し、粉末X線回折法により解析範囲2θを33〜37°とし、走査ステップ幅を0.002°として、Cu−Kα線(λ=1.54056Å)にてプロファイル強度を測定する。なお、角度の補正は、角度補正用サンプルより得られるピークの最大値を用いて補正する。そして、2θ=34.565°付近に現れるα(102)の0.002°毎に得られるピーク強度の上位10点の平均2θと34.565°との差(Δ2θ)、および2θ=35.333°付近に現れるα(210)の0.002°毎に得られるピーク強度の上位10点の平均2θと35.333°との差(Δ2θ)をそれぞれ求め、その差の平均(Δ2θ+Δ2θ)/2を補正Δ2θとする。 Here, the solid solution amount z can be calculated as follows. First, a sample was pulverized until it passed through a mesh having a particle size number of 200, and the obtained powder was subjected to high-purity α-silicon nitride powder (E-product manufactured by Ube Industries) as a sample for correcting the diffraction angle in the powder X-ray diffraction method. 10 grade, aluminum content of 20 mass ppm or less) is added 60 mass% and mixed uniformly in a mortar, the analysis range 2θ is 33-37 ° by the powder X-ray diffraction method, and the scanning step width is The profile intensity is measured at a Cu-Kα line (λ = 1.54056 Å) at 0.002 °. Note that the angle is corrected using the maximum peak value obtained from the angle correction sample. And the difference (Δ2θ 1 ) between the average 2θ of the top 10 points of the peak intensity obtained every 0.002 ° of α (102) appearing in the vicinity of 2θ = 34.565 ° (Δ2θ 1 ), and 2θ = 35 The difference (Δ2θ 2 ) between the average 2θ of the top 10 peak intensities obtained every 0.002 ° of α (210) appearing near .333 ° and Δ35.333 ° (Δ2θ 2 ) is obtained, respectively, Let 1 + Δ2θ 2 ) / 2 be the correction Δ2θ.

次に、2θ=36.055°付近に現れるβ(210)の0.002°毎に得られるピーク強度の上位10点の平均2θを補正Δ2θによって補正した角度を試料のβ(210)のピーク位置(2θβ)とする。そして、ピーク位置(2θβ),λ=1.54056Å,(hkl)=(210),c=c軸方向の格子定数を以下の数式に代入して格子定数a(Å)を算出する。sinθβ=λ(h+hk+k)/(3a)+λ/(4c) この数式で、算出した格子定数a(Å)と、K.H.Jack,J.Mater.Sci.,11(1976)1135−1158,Fig.13に記載された格子定数a(Å)−固溶量zのグラフとから、固溶量zを求めることができる。特に、固溶量zは0.35以上0.70以下であることがより好適である。 Next, the angle obtained by correcting the average 2θ of the top 10 points of the peak intensity obtained every 0.002 ° of β (210) appearing in the vicinity of 2θ = 36.055 ° by the correction Δ2θ is the peak of β (210) of the sample. Let it be the position (2θ β ). Then, the lattice constant a (Å) is calculated by substituting the lattice constant in the peak position (2θ β ), λ = 1.54056Å, (hkl) = (210), c = c-axis direction into the following equation. sin 2 θ β = λ 2 (h 2 + hk + k 2 ) / (3a 2 ) + λ 2 l 2 / (4c 2 ) The lattice constant a (Å) calculated by this equation, H. Jack, J.M. Mater. Sci. 11 (1976) 1135-1158, FIG. From the graph of lattice constant a (Å) −solid solution amount z described in FIG. 13, the solid solution amount z can be obtained. In particular, the solid solution amount z is more preferably from 0.35 to 0.70.

また、窒化珪素の平均結晶粒径は、JIS R 1670−2006に準拠し、走査型電子顕微鏡を用い、倍率を例えば2000倍〜4000倍として、セラミック焼結体の破断面を撮影した画像から求めることができる。   The average crystal grain size of silicon nitride is obtained from an image obtained by photographing a fracture surface of a ceramic sintered body in accordance with JIS R 1670-2006, using a scanning electron microscope, with a magnification of, for example, 2000 to 4000 times. be able to.

[セラミック焼結体の実施形態3]また、溶接用エンドタブ10、11の接触部を構成するセラミック焼結体は、粒界相にゲーレナイトを含み、X線回折法によって得られる、回折角が31°〜32°におけるゲーレナイトのピーク強度の半値幅が0.5°以下であることもまた好適である。粒界相にゲーレナイトを含んでいると、粒界相において酸やアルカリ成分により腐食しやすい非晶質相が相対的に少なくなるため、機械的強度をさらに高く維持することができる。また、粒界相において非晶質相が相対的により少なくなることから、高温に曝されてもさらに変形しにくくなる。   [Embodiment 3 of Ceramic Sintered Body] Further, the ceramic sintered body constituting the contact portion of the welding end tabs 10 and 11 contains gehlenite in the grain boundary phase, and has a diffraction angle of 31 obtained by the X-ray diffraction method. It is also preferable that the half-value width of the peak intensity of gehlenite at ˜32 ° is 0.5 ° or less. When gehlenite is included in the grain boundary phase, the amorphous phase that is easily corroded by an acid or alkali component in the grain boundary phase is relatively reduced, so that the mechanical strength can be maintained higher. In addition, since the amorphous phase is relatively less in the grain boundary phase, it becomes more difficult to deform even when exposed to high temperatures.

そして、X線回折法によって得られる、回折角が31°〜32°におけるゲーレナイトのピーク強度の半値幅が0.5°以下であると、ゲーレナイトの結晶の歪みが小さくなり、セラミック焼結体の熱伝導性および剛性ともに高くすることができる。なお、ゲーレナイトの組成式は、例えば、CaAlSiOとして示されるが、定比組成に限定されるものではない。また、セラミック焼結体は、ゲーレナイトにマグネシウムおよびナトリウムが固溶していることが好適である。ゲーレナイトにマグネシウムおよびナトリウムが固溶しているときには、粒界相における結晶(ゲーレナイト)の存在割合が高くなり、非晶質相の存在割合が低くなることから、粒界相の変形が抑制され、セラミック焼結体の剛性を高めることができる。 And when the half value width of the peak intensity of gehlenite at a diffraction angle of 31 ° to 32 ° obtained by the X-ray diffraction method is 0.5 ° or less, the distortion of gehlenite crystals becomes small, and the ceramic sintered body Both thermal conductivity and rigidity can be increased. The composition formula of Gehlenite, for example, are shown as Ca 2 Al 2 SiO 7, it is not limited to the stoichiometric composition. Moreover, it is suitable for the ceramic sintered body that magnesium and sodium are dissolved in gehlenite. When magnesium and sodium are dissolved in gehlenite, the abundance of crystals (gehlenite) in the grain boundary phase is increased, and the abundance ratio of the amorphous phase is reduced, so that deformation of the grain boundary phase is suppressed, The rigidity of the ceramic sintered body can be increased.

なお、マグネシウムおよびナトリウムが固溶しているゲーレナイトの組成式は、例えば、((Ca1−(a+b),Na,Mg(Al1−(c+d),Si,Mg(Si1−(e+f),Al,Mg)O)(但し、0<a+b<1,0<c+d<1,0<e+f<1)として示すことができる。また、セラミック焼結体の粒界相におけるゲーレナイトの存在については、XRDを用いて確認することができる。また、ゲーレナイトにおけるマグネシウムおよびナトリウムの固溶については、エネルギー分散型X線分光器(EDS)または波長分散型X線分光器(WDS)を備えた透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて確認することができる。 The composition formula of gehlenite magnesium and sodium are dissolved in, for example, ((Ca 1- (a + b), Na a, Mg b) 2 (Al 1- (c + d), Si c, Mg d) 2 (Si 1- (e + f) , Al e, Mg f) O 7) ( where it can be expressed as 0 <a + b <1,0 < c + d <1,0 <e + f <1). Further, the presence of gehlenite in the grain boundary phase of the ceramic sintered body can be confirmed using XRD. The solid solution of magnesium and sodium in gehlenite should be confirmed using a transmission electron microscope (TEM) equipped with an energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) or a wavelength dispersive X-ray spectrometer (WDS). Can do.

[セラミック焼結体の実施形態3]また、溶接用エンドタブ10、11の接触部を構成するセラミック焼結体は、接触部の当接面が炭素を含み、その含有量が40原子%以上であることが好適である。当接面内における通電性が高くなり、アークを安定的に発生することができるので、溶接欠陥の発生を抑制することができる。接触部の当接面における炭素の含有量は、X線光電子分光分析装置を用いて測定することができる。   [Embodiment 3 of Ceramic Sintered Body] The ceramic sintered body constituting the contact portion of the welding end tabs 10 and 11 has a contact surface containing carbon, and the content thereof is 40 atomic% or more. Preferably it is. Since the electrical conductivity in the contact surface is increased and the arc can be generated stably, the occurrence of welding defects can be suppressed. The carbon content in the contact surface of the contact portion can be measured using an X-ray photoelectron spectrometer.

[セラミック焼結体の実施形態4]また、溶接用エンドタブ10、11の接触部を構成するセラミック焼結体は、接触部の当接面が窒化硼素を含み、その含有量が3質量%以上20質量%以下であることが好適である。上述した構成を満たしている場合には、当接面を緻密質な面とすることができるとともに、窒化硼素が有する高い付着防止作用により、ガラス成分が付着しにくくなる。また、窒化硼素の結晶構造は菱面体晶であることが好適である。   [Embodiment 4 of Ceramic Sintered Body] Further, in the ceramic sintered body constituting the contact portion of the welding end tabs 10, 11, the contact surface of the contact portion contains boron nitride, and the content thereof is 3% by mass or more. It is suitable that it is 20 mass% or less. When the above-described configuration is satisfied, the contact surface can be a dense surface, and the glass component is less likely to adhere due to the high adhesion preventing action of boron nitride. The crystal structure of boron nitride is preferably rhombohedral.

ここで、窒化硼素は、常圧における結晶構造として、六方晶と菱面体晶とがあり、菱面体晶の窒化硼素は、単位格子におけるc軸の格子定数(1.0000nm)が六方晶の窒化硼素の単位格子のc軸における格子定数(0.66813nm)よりも大きいものである。   Here, boron nitride has a hexagonal crystal and a rhombohedral crystal as a crystal structure at normal pressure, and rhombohedral boron nitride is a nitride having a c-axis lattice constant (1.000 nm) in a unit cell of hexagonal crystal. It is larger than the lattice constant (0.66813 nm) on the c-axis of the boron unit cell.

そして、窒化硼素の結晶構造が菱面体晶であることにより、焼結時に、窒化珪素の柱状結晶粒子を構成する単位格子の一部が菱面体晶の窒化硼素の単位格子内に侵入して、菱面体晶の窒化硼素と窒化珪素とが強固に結合されるとともに、結合された結晶の形状が複雑な形状となっているため結合力が高くなると考えられる。   And, since the crystal structure of boron nitride is rhombohedral, a part of the unit cell constituting the columnar crystal particles of silicon nitride penetrates into the unit cell of rhombohedral boron nitride at the time of sintering, It is considered that the rhombohedral boron nitride and silicon nitride are firmly bonded, and the bonded crystal has a complicated shape, so that the bonding force is increased.

ここで、当接面における各成分の含有量は、X線回折装置(XRD)を用いて、当接面における成分を同定した後、蛍光X線分析装置(XRF)を用いて、元素の含有量を求め、同定された成分の含有量に換算すればよい。または、当接面から深さ方向に30μm〜50μm程度の深さまで研磨して得られる研磨粉を試料とし、ICP発光分光分析装置(ICP)を用いて、元素の含有量を求め、同定された成分の含有量に換算してもよい。   Here, the content of each component in the contact surface is determined by using the X-ray diffractometer (XRD) to identify the component in the contact surface, and then using the X-ray fluorescence analyzer (XRF). What is necessary is just to obtain | require quantity and to convert into content of the identified component. Alternatively, the polishing powder obtained by polishing the contact surface in the depth direction to a depth of about 30 μm to 50 μm was used as a sample, and the content of the element was determined by using an ICP emission spectrometer (ICP). You may convert into content of a component.

また、XRDを用いて測定した際に、菱面体晶のみの窒化硼素が同定された場合には、上述した方法で求めた窒化硼素の含有量が菱面体晶の窒化硼素の含有量である。なお、六方晶および菱面体晶の窒化硼素が同定された場合には、当接面から深さ方向に30μm〜50μm程度の深さまで研磨して得られる研磨粉を試料として、XRDを用いたリートベルト法で、結晶構造毎の質量百分率を求め、窒化硼素の含有量に菱面体晶の質量百分率を掛けて算出すればよい。   When the rhombohedral only boron nitride is identified when measured using XRD, the boron nitride content obtained by the above-described method is the rhombohedral boron nitride content. When hexagonal and rhombohedral boron nitride has been identified, a polishing powder obtained by polishing from the contact surface to a depth of about 30 μm to 50 μm as a sample is used as a sample. The mass percentage of each crystal structure may be obtained by the belt method, and the boron nitride content may be calculated by multiplying the rhombohedral mass percentage.

次に、本実施形態の溶接用エンドタブの製造方法の一例を説明する。   Next, an example of the manufacturing method of the welding end tab of this embodiment is demonstrated.

[セラミック焼結体の第1の実施形態の製造方法]まず、第1の出発原料として、珪素の粉末(平均粒径D50=0.5〜100μm)および窒化珪素の粉末(α化率50%以上、平均粒径D50=0.5〜10μm)と、焼結助剤として、酸化イットリウムの粉末(平均粒径D50=0.5〜10μm)および酸化アルミニウムの粉末(平均粒径D50=0.5〜10μm)とを準備する。そして、第1の出発原料および焼結助剤の各粉末を混合して混合粉末を作製する。なお、珪素の粉末と窒化珪素の粉末との質量比率は、80:20〜90:10とする。 [Manufacturing Method of First Embodiment of Ceramic Sintered Body] First, as a first starting material, silicon powder (average particle diameter D 50 = 0.5 to 100 μm) and silicon nitride powder (α conversion 50) %, Average particle diameter D 50 = 0.5 to 10 μm), and as a sintering aid, yttrium oxide powder (average particle diameter D 50 = 0.5 to 10 μm) and aluminum oxide powder (average particle diameter D) 50 = 0.5-10 μm). Then, each powder of the first starting material and the sintering aid is mixed to produce a mixed powder. The mass ratio of the silicon powder to the silicon nitride powder is 80:20 to 90:10.

そして、酸化イットリウム,酸化アルミニウムおよび二酸化珪素の各粉末は、混合粉末の合計100質量%のうち、酸化イットリウムの粉末を10.2質量%以上20質量%以下,酸化アルミニウムの粉末を2.9質量%以上7.3質量%以下となるように秤量する。   And each powder of yttrium oxide, aluminum oxide, and silicon dioxide is 10.2 mass% or more and 20 mass% or less of the powder of yttrium oxide, and 2.9 mass of the powder of aluminum oxide among the total 100 mass% of the mixed powder. % To 7.3% by mass or less.

また、クロム,マンガン,鉄および銅の少なくともいずれか1種を含む珪化物である第1の珪化物を含むセラミック焼結体を得るには、酸化クロム,酸化マンガン,酸化第二鉄および酸化銅のいずれか1種の粉末を適宜秤量して焼結助剤とともに混合粉末に添加すればよい。添加された酸化クロム,酸化マンガン,酸化第2鉄および酸化銅の粉末は、焼成時に珪素と反応して、酸素を脱離し、熱力学的に安定した珪化物となり、セラミック焼結体を明度の低い色調とすることができる。   Moreover, in order to obtain the ceramic sintered compact containing the 1st silicide which is a silicide containing at least any 1 type of chromium, manganese, iron, and copper, chromium oxide, manganese oxide, ferric oxide, and copper oxide are obtained. Any one of these powders may be appropriately weighed and added to the mixed powder together with the sintering aid. The added chromium oxide, manganese oxide, ferric oxide and copper oxide powder reacts with silicon during firing, desorbs oxygen, and becomes a thermodynamically stable silicide. A low color tone can be obtained.

また、タングステンまたはモリブデンの珪化物である第2の珪化物を含むセラミック焼結体を得るには、酸化タングステンまたは酸化モリブデンの粉末を適宜秤量して焼結助剤とともに混合粉末に添加すればよい。添加された酸化タングステンまたは酸化モリブデンの粉末は、焼成時に珪素と反応して、酸素を脱離し、珪化物として粒界相に存在する。   Further, in order to obtain a ceramic sintered body containing a second silicide which is a silicide of tungsten or molybdenum, a powder of tungsten oxide or molybdenum oxide may be appropriately weighed and added to the mixed powder together with a sintering aid. . The added tungsten oxide or molybdenum oxide powder reacts with silicon during firing, desorbs oxygen, and exists in the grain boundary phase as silicide.

そして、混合粉末および焼結助剤等の粉末を、ポリビニルアルコール(PVA)やポリエチレングリコール(PEG)等の各種バインダとともに、例えば、バレルミル,回転ミル,振動ミル,ビーズミル,サンドミルまたはアジテーターミル等入れて湿式にて混合・粉砕して、スラリーとする。さらに、増粘安定剤,分散剤,pH調整剤,消泡剤等を添加してもよい。セラミック焼結体は、接触部の当接面が炭素を含み、その含有量が40原子%以上である溶接用エンドタブを得るには、ナトリウムを含むpH調整剤を添加すればよい。   Then, powders such as mixed powder and sintering aid are put together with various binders such as polyvinyl alcohol (PVA) and polyethylene glycol (PEG), for example, barrel mill, rotary mill, vibration mill, bead mill, sand mill or agitator mill. Mix and pulverize by wet to make slurry. Furthermore, you may add a thickening stabilizer, a dispersing agent, a pH adjuster, an antifoamer, etc. In order to obtain a welding end tab in which the contact surface of the contact portion contains carbon and the content thereof is 40 atomic% or more, the ceramic sintered body may be added with a pH adjusting agent containing sodium.

次に、噴霧乾燥装置を用いてスラリーを噴霧乾燥して顆粒にする。   Next, the slurry is spray-dried into granules by using a spray-drying apparatus.

そして、顆粒を成形型に充填して、一軸加圧法を用いて加圧することにより、所定形状の成形体を得る。   Then, the granules are filled in a mold and pressed using a uniaxial pressing method to obtain a molded body having a predetermined shape.

次に、成形体を、窒素雰囲気中または真空雰囲気中などで、例えば保持時間を15時間以上48時間以下で脱脂して脱脂体を得る。なお、このときの脱脂温度は、添加したバインダの種類によって異なるが、900℃以下がよく、特に、400℃以上800℃以下とすることが好適である。   Next, the molded body is degreased in a nitrogen atmosphere or a vacuum atmosphere, for example, at a holding time of 15 hours to 48 hours to obtain a degreased body. In addition, although the degreasing temperature at this time changes with kinds of the added binder, 900 degreeC or less is good, and it is especially preferable to set it as 400 degreeC or more and 800 degrees C or less.

次に、この脱脂体を50kPa〜1.1MPaの窒素分圧で、1000℃以上1400℃以下の温度で窒化することにより、窒化体を得る。   Next, this degreased body is nitrided at a temperature of 1000 ° C. to 1400 ° C. at a nitrogen partial pressure of 50 kPa to 1.1 MPa to obtain a nitride.

そして、この窒化体を50kPa〜300kPaの窒素分圧で、温度を1640℃以上1800℃未満として10〜15時間保持することによって焼成した後、常温まで放冷す
ることによって、本実施形態の溶接用エンドタブを得ることができる。 また、比率X/Yが0.1以上0.5以下であるセラミック焼結体からなる溶接用エンドタブを得るには、窒化珪素からなる密閉型の焼成容器内に上述した方法で得られた溶接用エンドタブを載置し、窒素雰囲気中、1750℃〜1900℃の温度で熱処理し、最高温度から800℃までの降温速度を10℃/分〜11.2℃/分として冷却した後に常温まで放冷することによって得ることができる。
The nitride is fired by holding it at a nitrogen partial pressure of 50 kPa to 300 kPa at a temperature of 1640 ° C. or more and less than 1800 ° C. for 10 to 15 hours, and then left to cool to room temperature, thereby being used for welding according to this embodiment. You can get an end tab. In addition, in order to obtain a welding end tab made of a ceramic sintered body having a ratio X / Y of 0.1 or more and 0.5 or less, the welding obtained by the above-described method in a hermetic firing vessel made of silicon nitride. An end tab is mounted, heat-treated in a nitrogen atmosphere at a temperature of 1750 ° C. to 1900 ° C., cooled at a rate of temperature decrease from the maximum temperature of 800 ° C. to 10 ° C./min to 11.2 ° C./min, and then released to room temperature. It can be obtained by cooling.

また、表面における円相当径1μm以上5μm以下の白点の個数が、0.15mmあたり2000個以下であるセラミック焼結体からなる溶接用エンドタブを得るには、上記焼成容器の単位容積に対する溶接用エンドタブの質量を0.4g/cm以下となるようにすればよい。 Further, in order to obtain a welding end tab made of a ceramic sintered body in which the number of white spots having a circle-equivalent diameter of 1 μm or more and 5 μm or less on the surface is 2000 or less per 0.15 mm 2 , welding to the unit volume of the firing container is performed. The mass of the end tab for use may be 0.4 g / cm 3 or less.

以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Examples of the present invention will be specifically described below, but the present invention is not limited to these examples.

[セラミック焼結体の第2の実施形態の製造方法]セラミック焼結体の第2の実施形態を得るには、第1の出発原料に代えて、第2の出発原料を用いればよい。第2の出発原料として、組成式がSi6−ZAl8−Zで表される、固溶量zが0.5以下である窒化珪素の粉末(α化率50%以上、平均粒径D50=0.5〜4μm)と、焼結助剤として酸化カルシウム,酸化アルミニウムおよび希土類元素の酸化物の各粉末を準備する。なお、組成式がSi6−ZAl8−Z(z=0.1〜1)で表されるβ−サイアロンである窒化珪素の結晶を得るには、固溶量zが0.05以上0.5以下である窒化珪素の粉末を用いればよい。 [Method for Manufacturing Second Embodiment of Ceramic Sintered Body] In order to obtain the second embodiment of the ceramic sintered body, the second starting material may be used instead of the first starting material. As a second starting material, a silicon nitride powder represented by a composition formula of Si 6-Z Al Z O Z N 8-Z and having a solid solution amount z of 0.5 or less (alpha conversion ratio of 50% or more, (Average particle diameter D 50 = 0.5 to 4 μm) and powders of calcium oxide, aluminum oxide, and rare earth element oxide are prepared as sintering aids. The composition formula Si 6-Z Al Z O Z N 8-Z to obtain the crystals of silicon nitride is that represented by β- SiAlON by (z = 0.1 to 1), solid solution amount z is 0 A silicon nitride powder of .05 or more and 0.5 or less may be used.

ここで、焼結助剤である酸化カルシウム,酸化アルミニウムおよび希土類元素の酸化物の各粉末の合計は、窒化珪素質粉末とこれら焼結助剤の粉末の合計との総和を100質量%としたときに、3質量%以上19.2質量%以下になるようにすればよく、また各焼結助剤の含有量は、酸化カルシウム,酸化アルミニウムおよび希土類元素の酸化物の合計100質量%に対して、酸化カルシウムおよび酸化アルミニウムの含有量を0.3質量%以上1.5質量%以下,14.2質量%以上48.8質量%以下として、残部を希土類元素の酸化物とすればよい。   Here, the sum of the powders of calcium oxide, aluminum oxide and rare earth element oxides, which are sintering aids, is the sum of the silicon nitride powder and the sum of these sintering aid powders being 100% by mass. In some cases, the content may be 3% by mass or more and 19.2% by mass or less, and the content of each sintering aid is 100% by mass with respect to the total of 100% by mass of the oxides of calcium oxide, aluminum oxide, and rare earth elements. Thus, the content of calcium oxide and aluminum oxide may be 0.3% by mass or more and 1.5% by mass or less, 14.2% by mass or more and 48.8% by mass or less, and the balance may be an oxide of a rare earth element.

これら混合粉末および焼結助剤等の粉末を、ポリビニルアルコール(PVA)やポリエチレングリコール(PEG)等の各種バインダとともに、例えば、バレルミル,回転ミル,振動ミル,ビーズミル,サンドミルまたはアジテーターミル等入れて湿式にて混合・粉砕して、スラリーとし、第1の実施形態の製造方法と同様の工程を経て製造することができる。   These mixed powders and powders such as sintering aids are wetted together with various binders such as polyvinyl alcohol (PVA) and polyethylene glycol (PEG), for example, barrel mill, rotary mill, vibration mill, bead mill, sand mill or agitator mill. The slurry can be mixed and pulverized to obtain a slurry, which can be manufactured through the same steps as in the manufacturing method of the first embodiment.

[セラミック焼結体の第3の実施形態の製造方法]セラミック焼結体の第3の実施形態を得るには、第1の出発原料や第2の出発原料に代えて、第3の出発原料を用いればよい。第3の出発原料として、まず、金属シリコンの粉末と、β化率が20%以下である窒化珪素の粉末とを準備して、(金属シリコンの粉末)/(窒化珪素の粉末)の質量比が1以上10以下となるように混合して第1粉末を得る。ここで、金属シリコンの粉末の粒径によっては、窒化不足および焼結不足の原因となるおそれがあるので、金属シリコンの粉末は、粒度分布曲線の累積体積の総和を100%としたときの累積体積が90%となる粒径(D90)を10μm以下、好ましくは6μm以下のものを用いる。 [Method for Producing Third Embodiment of Ceramic Sintered Body] In order to obtain the third embodiment of the ceramic sintered body, the third starting material is used instead of the first starting material and the second starting material. May be used. As a third starting material, first, a metal silicon powder and a silicon nitride powder having a β conversion rate of 20% or less are prepared, and a mass ratio of (metal silicon powder) / (silicon nitride powder) Is mixed so as to be 1 or more and 10 or less to obtain a first powder. Here, depending on the particle size of the metal silicon powder, there is a risk of insufficient nitriding and insufficient sintering. Therefore, the metal silicon powder is cumulative when the total volume of the particle size distribution curve is 100%. A particle diameter (D 90 ) with a volume of 90% is 10 μm or less, preferably 6 μm or less.

また、焼結助剤として、アルミン酸マグネシウムの粉末および金属化合物の粉末を秤量した第2粉末を得る。   Further, a second powder obtained by weighing magnesium aluminate powder and metal compound powder is obtained as a sintering aid.

第1粉末と第2粉末とは、第1粉末および第2粉末の合計を100質量%としたとき、第2粉末が10質量%以上23質量%以下となるように秤量した粉末を第3の出発原料とする。なお、金属化合物とは、酸化アルミニウム,二酸化珪素および炭酸カルシウム等である。また、アルミン酸マグネシウムの粉末の代わりに、水酸化マグネシウム,酸化マグネシウムおよび炭酸マグネシウム等の粉末を用いても構わない。これら混合粉末および焼結助剤等の粉末を、ポリビニルアルコール(PVA)やポリエチレングリコール(PEG)等の各種バインダとともに、例えば、バレルミル,回転ミル,振動ミル,ビーズミル,サンドミルまたはアジテーターミル等入れて湿式にて混合・粉砕して、スラリーとし、第1の実施形態の製造方法と同様の工程を経て製造することができる。   The first powder and the second powder are powders weighed so that the second powder is 10% by mass to 23% by mass when the total of the first powder and the second powder is 100% by mass. Use as starting material. The metal compound is aluminum oxide, silicon dioxide, calcium carbonate, or the like. Moreover, you may use powders, such as magnesium hydroxide, magnesium oxide, and magnesium carbonate, instead of the powder of magnesium aluminate. These mixed powders and powders such as sintering aids are wetted together with various binders such as polyvinyl alcohol (PVA) and polyethylene glycol (PEG), for example, barrel mill, rotary mill, vibration mill, bead mill, sand mill or agitator mill. The slurry can be mixed and pulverized to obtain a slurry, which can be manufactured through the same steps as in the manufacturing method of the first embodiment.

[セラミック焼結体の第4の実施形態の製造方法]セラミック焼結体の第4の実施形態を得るには、焼成後に当接面となる成形体の表面に、第1の出発原料、第2の出発原料または第3の出発原料と、菱面体晶の窒化硼素の粉末とを、バインダーとともにエタノール等の溶媒に添加したペーストをスクリーン印刷法で塗布し、温度を、例えば、60℃以上100℃以下として乾燥させる工程を行えばよい。この工程によって、表面に菱面体晶の窒化硼素が存在する窒化珪素質成形体が得られる。なお、菱面体晶の窒化硼素の粉末の添加量は、上記各粉末の合計100質量%のうち、3質量%以上20質量%以下とすればよい。   [Manufacturing Method of Ceramic Sintered Body According to Fourth Embodiment] To obtain the fourth embodiment of the ceramic sintered body, the first starting material, the first The paste obtained by adding the starting material 2 or the third starting material and rhombohedral boron nitride powder to a solvent such as ethanol together with a binder is applied by screen printing, and the temperature is set to, for example, 60 ° C. or more and 100 ° C. What is necessary is just to perform the process made to dry below ℃. By this step, a silicon nitride-based molded body having rhombohedral boron nitride on the surface is obtained. Note that the amount of rhombohedral boron nitride powder added may be 3% by mass or more and 20% by mass or less in the total of 100% by mass of the above powders.

あるいは、上記方法に代えて、窒化珪素質成形体を反応容器内の所定位置に配置し、硼素源ガスとしてBCl、BF、BBr、B、B、B13およびB(Cのうちの少なくともいずれか1種と、窒素源ガスとしてHN、NH、N、NHCl、NHBr、NHF、NHHfおよびNHIのうちの少なくともいずれか1種と、希釈搬送ガス(キャリヤガス)としてAr、HeおよびHのうちの少なくともいずれか1種とを反応容器内に導入し、温度を600〜800℃、時間を1〜3時間で気相合成してもよい。この気相合成により、窒化珪素の粒子と、窒化硼素の粒子とが表面に混在する窒化珪素質成形体を得ることができる。 Alternatively, instead of the above method, a silicon nitride-based molded body is arranged at a predetermined position in the reaction vessel, and boron source gas is BCl 3 , BF 3 , BBr 3 , B 2 H 6 , B 3 N 3 H 3 , B At least one of 3 N 3 H 3 C 13 and B (C 2 H 5 ) 3 , and HN 3 , NH 3 , N 2 H 2 , NH 4 Cl, NH 4 Br, NH as a nitrogen source gas At least one of 4 F, NH 4 Hf 2, and NH 4 I and at least one of Ar, He, and H 2 are introduced into the reaction vessel as a diluted carrier gas (carrier gas). The vapor phase synthesis may be performed at a temperature of 600 to 800 ° C. and for a time of 1 to 3 hours. By this vapor phase synthesis, it is possible to obtain a silicon nitride-based molded body in which silicon nitride particles and boron nitride particles are mixed on the surface.

上述の第1の実施形態について説明する。まず、出発原料として、珪素の粉末(平均粒径D50=10μm)および窒化珪素の粉末(α化率90%、平均粒径D50=1μm)と、焼結助剤として、酸化イットリウムの粉末(平均粒径D50=1μm),酸化アルミニウムの粉末(平均粒径D50=1μm)および二酸化珪素の粉末(平均粒径D50=1
μm)とを準備し、出発原料および焼結助
剤の各粉末を混合して混合粉末を作製した。なお、珪素の粉末と窒化珪素の粉末との質量比率は84:16とし、酸化イットリウム,酸化アルミニウムおよび二酸化珪素の各粉末は、混合粉末の合計100質量%のうち、酸化イットリウムの粉末を13.8質量%,酸化アルミニウムの粉末を3.7質量%となるように秤量した。
The first embodiment will be described. First, silicon powder (average particle size D 50 = 10 μm) and silicon nitride powder (α conversion 90%, average particle size D 50 = 1 μm) as starting materials, and yttrium oxide powder as a sintering aid (Average particle diameter D 50 = 1 μm), aluminum oxide powder (average particle diameter D 50 = 1 μm) and silicon dioxide powder (average particle diameter D 50 = 1)
μm) were prepared, and each powder of the starting material and the sintering aid was mixed to prepare a mixed powder. The mass ratio of the silicon powder to the silicon nitride powder was 84:16, and each of the yttrium oxide, aluminum oxide, and silicon dioxide powders was 13.3% of the total 100 mass% of the mixed powder. 8% by mass and aluminum oxide powder were weighed to 3.7% by mass.

さらに、混合粉末100質量部に対して、酸化第二鉄の粉末を1.4質量部および酸化タングステンの粉末を0.7質量部秤量して添加した。   Furthermore, 1.4 parts by mass of ferric oxide powder and 0.7 parts by mass of tungsten oxide powder were weighed and added to 100 parts by mass of the mixed powder.

そして、それぞれの粉末,PVA,水および窒化珪素からなる粉砕用メディアをバレルミルに入れて湿式にて混合・粉砕して、スラリーとした。   Then, grinding media composed of the respective powders, PVA, water and silicon nitride were put in a barrel mill and mixed and pulverized in a wet manner to obtain a slurry.

次に、噴霧乾燥装置を用いてスラリーを噴霧乾燥することにより顆粒にした。   The slurry was then granulated by spray drying using a spray dryer.

そして、顆粒を成形型に充填して、一軸加圧法を用いて加圧することにより、所定形状の成形体を得た。   The granules were filled in a mold and pressed using a uniaxial pressing method to obtain a molded body having a predetermined shape.

次に、600℃の窒素雰囲気中で20時間保持して脱脂し、脱脂体を得た。その後、黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に脱脂体を配置し、120kPaの窒素分圧で、1300℃の温度で窒化することにより、窒化体を得た。そして、得られた窒化体を200kPaの窒素分圧,1750℃の焼成温度で10時間保持した後、常温まで放冷することによって、溶接用エンドタブである試料No.1を得た。   Next, degreasing was carried out by holding for 20 hours in a nitrogen atmosphere at 600 ° C. to obtain a degreased body. Thereafter, the degreased body was placed in a firing furnace in which a graphite resistance heating element was installed, and nitrided at a temperature of 1300 ° C. at a nitrogen partial pressure of 120 kPa, thereby obtaining a nitride. The obtained nitride was held at a nitrogen partial pressure of 200 kPa and a firing temperature of 1750 ° C. for 10 hours, and then allowed to cool to room temperature, whereby sample No. which was an end tab for welding was used. 1 was obtained.

また、上記試料とは別に、比較例として、表1に示す主成分のセラミック焼結体からなる溶接用エンドタブである試料No.2,3を作製した。
ここで、各試料のセラミック焼結体を構成する成分は、XRDで同定し、同定された成分をリートベルト解析することによって主成分を求め、その主成分を表1に示した。
In addition to the above sample, as a comparative example, a sample No. 1 which is a welding end tab made of a ceramic sintered body of the main component shown in Table 1 was used. 2 and 3 were produced.
Here, the components constituting the ceramic sintered body of each sample were identified by XRD, the principal component was determined by Rietveld analysis of the identified components, and the principal components are shown in Table 1.

そして、図2に示すように、第3金属部材4の一方の主面に、厚さが25mmの第4金属部材5の端面を炭酸ガスアーク溶接法により溶接した。なお、溶接は、溶接用材料として低電流薄板用溶接ワイヤーを用いて、本溶接および仕上げ溶接を順次行った。また、本溶接では、電流を300A,電圧を38Vとし、仕上げ溶接では、電流を250A,電圧を32Vとした。そして、溶接終了後に、溶接用エンドタブを取り外した。   And as shown in FIG. 2, the end surface of the 4th metal member 5 whose thickness is 25 mm was welded to one main surface of the 3rd metal member 4 by the carbon dioxide arc welding method. For welding, main welding and finish welding were sequentially performed using a welding wire for low current thin plate as a welding material. In the main welding, the current was 300 A and the voltage was 38 V, and in finish welding, the current was 250 A and the voltage was 32 V. And the end tab for welding was removed after completion | finish of welding.

溶接用エンドタブを取り外すに当たり、手で簡単に取り外すことができた試料には1を、手では取り外すことができず、ハンマーでたたくことによって取り外すことができた試料には2をそれぞれ表1の評価欄に記入した。なお、表1の評価欄に1を記入した試料には、被溶接部材に当接する接触部に欠落が観察されず、2を記入した試料には接触部に部分的な欠落が観察された。   When removing the welding end tab, the evaluation in Table 1 is 1 for a sample that can be easily removed by hand, and 2 for a sample that cannot be removed by hand and can be removed by hitting with a hammer. Fill in the column. In addition, in the sample in which 1 was entered in the evaluation column of Table 1, no omission was observed in the contact portion that abuts on the member to be welded, and in the sample in which 2 was entered, partial omission was observed in the contact portion.

表1に示すように、試料No.1は、少なくとも被溶接部材に当接する接触部が窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなることから、試料No2,3よりも溶融金属に対する濡れ性が小さいため、溶接後に簡単に取り外すことができる。また、窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体は機械的強度が強く、かつ溶融した金属に対する耐食性が高いことから、繰り返し使用による形状や強度の変化が小さく、繰り返し使用できる回数が多い(耐久性が高い)。   As shown in Table 1, sample no. 1 has at least a contact portion that comes into contact with a member to be welded made of a ceramic sintered body containing silicon nitride as a main component. Therefore, the wettability with respect to molten metal is smaller than that of sample Nos. 2 and 3; Can do. In addition, sintered ceramics mainly composed of silicon nitride have high mechanical strength and high corrosion resistance against molten metal, so there is little change in shape and strength due to repeated use, and there are many times that can be used repeatedly (durability). High).

実施例1で示した方法と同じ方法で、窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなる溶接用エンドタブを作製した。   By the same method as shown in Example 1, a welding end tab made of a ceramic sintered body containing silicon nitride as a main component was produced.

次に、窒化珪素からなる密閉型の焼成容器内に溶接用エンドタブを載置し、窒素雰囲気中で1750℃の温度で熱処理した後、表2に示す降温速度で800℃まで冷却して、その後、放冷することにより、溶接用エンドタブを得た。なお、焼成容器の容積に対するセラミック焼結体の質量は0.5g/cmとなるようにした。 Next, an end tab for welding was placed in a closed type firing vessel made of silicon nitride, heat-treated at a temperature of 1750 ° C. in a nitrogen atmosphere, and then cooled to 800 ° C. at a temperature lowering rate shown in Table 2. The end tab for welding was obtained by standing to cool. The mass of the ceramic sintered body with respect to the volume of the firing container was set to 0.5 g / cm 3 .

次に、各試料につき、XRDで測定を行ない、窒化珪素の含有量および結晶の同定を行った。その結果、各試料ともに、窒化珪素の含有量は80質量%以上であり、窒化珪素の結晶と組成式がYSiAlONの結晶とが確認された。また、ハローパターンが見られることから、非晶質相が存在することを確認した。 Next, each sample was measured by XRD, and the silicon nitride content and the crystal were identified. As a result, in each sample, the silicon nitride content was 80% by mass or more, and it was confirmed that the silicon nitride crystal and the crystal having the composition formula Y 2 SiAlO 5 N were confirmed. Moreover, since a halo pattern was observed, it was confirmed that an amorphous phase was present.

また、得られた各試料のX線回折チャートから、2θ=32〜33°のYSiAlONの結晶のピーク強度Xと、2θ=33.2〜34.2°の窒化珪素の結晶12のピーク強度Yとの比率X/Yを算出し、その値を表2に示した。 Further, from the X-ray diffraction chart of each sample obtained, the peak intensity X of the Y 2 SiAlO 5 N crystal at 2θ = 32 to 33 ° and the silicon nitride crystal 12 at 2θ = 33.2 to 34.2 ° The ratio X / Y with the peak intensity Y was calculated, and the value is shown in Table 2.

次に、各試料の表面を目視で観察し、白色に見える部分の有無を確認した。結果を表3に示す。   Next, the surface of each sample was visually observed to confirm the presence or absence of a white portion. The results are shown in Table 3.

また、各試料の表面を研磨し、研磨によって得られた鏡面を洗浄した後、光学顕微鏡を用いて100倍の倍率で観察し、面積が0.15mm(横方向の長さが1000μm、縦方向の長さが150μm)となる範囲をCCDカメラで撮影した暗視野での画像を取り込み、画像解析ソフト「A像くん」(登録商標、旭化成エンジニアリング(株)製)による粒子解析により求められた円相当径1μm以上5μm以下の白点の個数を表2に示した。ここで、粒子解析の設定条件としては、明度を明に設定し、2値化の方法を手動,小図形除去面積を1μm,および画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の各点(各ピクセル)が有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の1.1倍とした。 Further, after polishing the surface of each sample and washing the mirror surface obtained by polishing, the surface was observed with an optical microscope at a magnification of 100 times, and the area was 0.15 mm 2 (the horizontal length was 1000 μm, the vertical length was The image was obtained by capturing a dark field image taken with a CCD camera over a range with a direction length of 150 μm), and by analyzing the particles using image analysis software “A Image-kun” (registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Corp.). Table 2 shows the number of white spots having an equivalent circle diameter of 1 μm to 5 μm. Here, as the setting conditions for particle analysis, the brightness is set to light, the binarization method is manually set, the small figure removal area is 1 μm 2 , and the threshold value which is an index indicating the brightness of the image is set in the image. The peak value of the histogram indicating the brightness of each point (each pixel) was 1.1 times.

次に、各試料を作製した方法と同じ方法により、試験片を作製し、JIS R 1601−2008に準拠して4点曲げ強度を、また、JIS R 1648−2002で規定する相対法に準拠して耐熱衝撃温度をそれぞれ求め、その値を表2に示した。   Next, a test piece is prepared by the same method as that used to prepare each sample, and the four-point bending strength is conformed to JIS R 1601-2008, and the relative method defined by JIS R 1648-2002 is also conformed. Thus, the thermal shock temperature was determined, and the values are shown in Table 2.

表2に示すように、試料No.6〜14は、窒化珪素の結晶と、窒化珪素の結晶間にある粒界相にYSiAlONの結晶および非晶質相とが存在し、窒化珪素の含有量が80質量%以上であり、比率X/Yが0.1以上0.5以下であることから、白色に見える部分はない。すなわち、試料No.6〜14は、粒界相に生じる空隙が比較的少なくなっており、優れた機械的強度と高い耐熱衝撃性とを兼ね備えていることがわかった。 As shown in Table 2, sample no. Nos. 6 to 14 include silicon nitride crystals and Y 2 SiAlO 5 N crystals and an amorphous phase in the grain boundary phase between the silicon nitride crystals, and the silicon nitride content is 80% by mass or more. Yes, since the ratio X / Y is 0.1 or more and 0.5 or less, there is no portion that looks white. That is, sample no. Nos. 6 to 14 were found to have relatively few voids in the grain boundary phase, and had both excellent mechanical strength and high thermal shock resistance.

1:第1金属部材
2:第2金属部材
3:第3金属部材
4:第4金属部材
5:クランプ用針金
6:裏当金
10,11:溶接用エンドタブ
12:窒化珪素の結晶
13:粒界相
1: 1st metal member 2: 2nd metal member 3: 3rd metal member 4: 4th metal member 5: Wire for clamping 6: Back metal 10, 11: End tab for welding 12: Crystal of silicon nitride 13: Grain Minister

Claims (8)

少なくとも被溶接部材に当接する接触部が窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなることを特徴とする溶接用エンドタブ。   An end tab for welding, wherein at least a contact portion in contact with a member to be welded is made of a ceramic sintered body mainly composed of silicon nitride. 前記セラミック焼結体は、窒化珪素の結晶と、該窒化珪素の結晶間にある粒界相にYSiAlONの結晶および非晶質相とが存在し、前記窒化珪素の含有量が80質量%以上であって、X線回折チャートにおける2θ=32〜33°の前記YSiAlONの結晶のピーク強度をX、2θ=33.2〜34.2°の前記窒化珪素の結晶のピーク強度をYとしたとき、比率X/Yが0.1以上0.5以下であることを特徴とする請求項1に記載の溶接用エンドタブ。 The ceramic sintered body includes silicon nitride crystals, Y 2 SiAlO 5 N crystals and an amorphous phase in the grain boundary phase between the silicon nitride crystals, and the silicon nitride content is 80 The peak intensity of the Y 2 SiAlO 5 N crystal at 2θ = 32 to 33 ° in the X-ray diffraction chart is X% or more, and the peak intensity of the silicon nitride crystal at 2θ = 33.2 to 34.2 ° 2. The welding end tab according to claim 1, wherein when the peak intensity is Y, the ratio X / Y is 0.1 or more and 0.5 or less. 前記セラミック焼結体の表面における円相当径1μm以上5μm以下の白点の個数が、0.15mmあたり2000個以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の溶接用エンドタブ。 3. The end tab for welding according to claim 1, wherein the number of white spots having an equivalent circle diameter of 1 μm to 5 μm on the surface of the ceramic sintered body is 2000 or less per 0.15 mm 2. . 前記セラミック焼結体は、カルシウム,アルミニウムおよび希土類元素の酸化物を含み、カルシウム,アルミニウムおよび希土類元素の酸化物の合計100質量%における、カルシウムおよびアルミニウムの含有量はそれぞれ酸化物に換算して0.3質量%以上1.5質量%以下,14.2質量%以上48.8質量%以下であり、残部が希土類元素の酸化物であるとともに、窒化珪素は、組成式がSi6−ZAl8−Z(z=0.1〜1)で表されるβ−サイアロンであり、平均結晶粒径が20μm以下(但し、0μmを除く。)であることを特徴とする請求項1に記載の溶接用エンドタブ。 The ceramic sintered body contains calcium, aluminum and rare earth element oxides, and the total content of calcium and aluminum in 100% by mass of calcium, aluminum and rare earth element oxides is 0 in terms of oxides. 3 mass% or more and 1.5 mass% or less, 14.2 mass% or more and 48.8 mass% or less, and the balance is an oxide of a rare earth element, and silicon nitride has a composition formula of Si 6-Z Al Z O Z N 8-Z ( z = 0.1~1) in a represented β- sialon claim, wherein the average crystal grain size of 20μm or less (excluding 0 .mu.m.) The end tab for welding according to 1. 前記セラミック焼結体は、ゲーレナイトを含み、X線回折法によって得られる、回折角が31°〜32°におけるゲーレナイトのピーク強度の半値幅が0.5°以下であることを特徴とする請求項1に記載の溶接用エンドタブ。   The ceramic sintered body contains gehlenite and is obtained by an X-ray diffraction method, and the half-value width of gehlenite peak intensity at a diffraction angle of 31 ° to 32 ° is 0.5 ° or less. The end tab for welding according to 1. 前記セラミック焼結体は、前記接触部の当接面が炭素を含み、その含有量が40原子%以上であることを特徴とする請求項1に記載の溶接用エンドタブ。   2. The end tab for welding according to claim 1, wherein the ceramic sintered body has a contact surface of the contact portion containing carbon and a content of 40 atomic% or more. 前記セラミック焼結体は、前記接触部の前記当接面が窒化硼素を含み、その含有量が3質量%以上20質量%以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の溶接用エンドタブ。   7. The ceramic sintered body according to claim 1, wherein the contact surface of the contact portion contains boron nitride, and the content thereof is 3 mass% or more and 20 mass% or less. End tab for welding as described in 1. 窒化硼素の結晶構造が菱面体晶であることを特徴とする請求項7に記載の溶接用エンドタブ。   8. The welding end tab according to claim 7, wherein the boron nitride has a rhombohedral crystal structure.
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