JP2016143776A - エピタキシャル成長装置、およびエピタキシャル成長方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)円形の基板を収容して当該基板の表面にエピタキシャル膜を成長させるためのチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面に前記基板を支持するサセプタと、
を備え、
前記チャンバの内壁面には、前記基板を間に挟んで互いに対向する位置に、前記チャンバ内にソースガスを導入するガス導入口と、前記チャンバ内に導入された前記ソースガスを排出するガス排出口と、が形成されており、
前記チャンバを構成する天井の下面である天井面が、前記ガス導入口と前記ガス排出口との対向方向に直交する任意の断面において、上方に凹んでいる、エピタキシャル成長装置。
前記基板を前記サセプタ上に支持する工程と、
前記サセプタ上に支持された基板を、前記チャンバ内に収容する工程と、
ソースガスを前記ガス導入口から前記チャンバ内に導入するとともに、前記チャンバ内の前記ソースガスを前記ガス排出口から排出する工程とを含み、
前記サセプタ上に支持された基板が前記チャンバ内に収容された状態で、前記ガス導入口と前記ガス排出口との対向方向に直交する任意の断面において、前記基板の表面と、前記天井面との間隔が、前記対向方向に沿いつつ前記基板の中心領域を通る中心線上で最も大きく、前記中心線上から側方に離れるに従って小さくなる、エピタキシャル成長方法。
図2は、本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長装置の構造を示す断面図である。
(a)比較例1の装置に比して比較例2の装置において間隔Dが小さいことに関連して、原料混合ガスの流速が、開口対向方向に沿うウェーハWの中心線C上で低下し、この中心線Cから側方に離れるに従って、大きくなっていた。
(b)比較例1の装置に比して比較例2の装置において、開口対向方向下流側で、エピタキシャル膜の成長速度が顕著に低くなっていた。
9a:天井面、 13a:ガス導入口、 14a:ガス排出口、
W:シリコンウェーハ、 Wa:シリコンウェーハの表面、
C:シリコンウェーハの中心線
Claims (4)
- 円形の基板を収容して当該基板の表面にエピタキシャル膜を成長させるためのチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面に前記基板を支持するサセプタと、
を備え、
前記チャンバの内壁面には、前記基板を間に挟んで互いに対向する位置に、前記チャンバ内にソースガスを導入するガス導入口と、前記チャンバ内に導入された前記ソースガスを排出するガス排出口と、が形成されており、
前記チャンバを構成する天井の下面である天井面が、前記ガス導入口と前記ガス排出口との対向方向に直交する任意の断面において、上方に凹んでいる、エピタキシャル成長装置。 - 請求項1に記載のエピタキシャル成長装置を用いて、円形の基板の表面にエピタキシャル膜を成長させる方法であって、
前記基板を前記サセプタ上に支持する工程と、
前記サセプタ上に支持された基板を、前記チャンバ内に収容する工程と、
ソースガスを前記ガス導入口から前記チャンバ内に導入するとともに、前記チャンバ内の前記ソースガスを前記ガス排出口から排出する工程とを含み、
前記サセプタ上に支持された基板が前記チャンバ内に収容された状態で、前記ガス導入口と前記ガス排出口との対向方向に直交する任意の断面において、前記基板の表面と、前記天井面との間隔が、前記対向方向に沿いつつ前記基板の中心領域を通る中心線上で最も大きく、前記中心線上から側方に離れるに従って小さくなる、エピタキシャル成長方法。 - 請求項2に記載のエピタキシャル成長方法であって、
前記ガス導入口と前記ガス排出口との対向方向に沿いつつ前記基板に直交する任意の断面において、前記間隔が、前記ガス導入口側から前記ガス排出口側に向かうに従って小さくなる、エピタキシャル成長方法。 - 請求項2または3に記載のエピタキシャル成長方法であって、
前記間隔の最大値が20mm未満である、エピタキシャル成長方法。
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