JP2016134566A - Liquid processing method, liquid processing device and storage medium - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique which allows for highly accurate control of secular change in the discharge quantity of a chemical discharged from a nozzle, in a liquid processing method performing liquid processing by supplying a chemical to a substrate.SOLUTION: The method of present invention performs: a step S1 for discharging a chemical, supplied from a pump to a nozzle, from the nozzle and forming a liquid flow; a step S2 for imaging a region where the liquid flow is formed repeatedly, and acquiring image data; a step S3 for acquiring data about the secular change in the discharge quantity of the chemical from the image data; and a step for detecting whether or not there is an abnormality in the secular change, based on the data about the secular change and reference data, before dealing with the abnormality are carried out.SELECTED DRAWING: Figure 12

Description

本発明は、基板に薬液を供給して処理を行う液処理方法、液処理装置及び記憶媒体に関する。   The present invention relates to a liquid processing method, a liquid processing apparatus, and a storage medium that perform processing by supplying a chemical to a substrate.

半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ工程では、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に各種の薬液を供給することにより、液処理が行われる。この液処理としては、例えば回転するウエハの中心部にノズルから薬液を供給し、遠心力によりウエハの周縁部に展伸させてウエハの表面全体に当該薬液を塗布する、いわゆるスピンコーティングがある。上記の薬液としては例えばレジストがあり、ウエハに塗布されることによりレジスト膜を形成する。そのようにスピンコーティングによってレジストを塗布する装置は、レジスト塗布モジュールとして１つの処理装置内に複数、例えば積層されて設けられる場合がある。   In a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, liquid processing is performed by supplying various chemicals to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). As this liquid processing, for example, there is so-called spin coating in which a chemical solution is supplied from a nozzle to the central portion of a rotating wafer and spread on the peripheral portion of the wafer by centrifugal force to apply the chemical solution to the entire surface of the wafer. Examples of the chemical solution include a resist, which is applied to a wafer to form a resist film. In some cases, a plurality of, for example, stacked apparatuses for applying a resist by spin coating are provided in one processing apparatus as a resist application module.

上記の各レジスト塗布モジュールについては、ウエハに同様の処理を行うことが求められる。しかし上記の処理装置内において、各レジスト塗布モジュールの配置が異なることにより、例えばレジストを供給するための配管の位置関係がモジュール間で異なるなどの要因から、ノズルからのレジストの吐出状態がモジュール間で異なる場合がある。上記のモジュール間で吐出状態が異なることとは、具体的にはウエハの回転数の推移とノズルから吐出されるレジストの吐出量（流量）の推移との対応がモジュール間で異なることであり、より具体的にはモジュール間で同じ回転数でウエハが回転しているときに、レジストの吐出量が異なることである。   About each said resist application | coating module, it is calculated | required to perform the same process to a wafer. However, in the above processing apparatus, due to the difference in the arrangement of each resist coating module, for example, the positional relationship of the piping for supplying the resist differs between modules, so that the resist discharge state from the nozzles varies between modules. May vary. The difference in the discharge state between the above modules specifically means that the correspondence between the transition of the rotation number of the wafer and the transition of the discharge amount (flow rate) of the resist discharged from the nozzle is different between the modules. More specifically, when the wafer is rotating at the same rotation speed between modules, the resist discharge amount is different.

このような吐出状態の異なりによって、モジュール間で当該ウエハの面内におけるレジストの分布や乾燥具合に差違が生じ、それによって、ウエハ間でレジスト膜の膜厚が異なってしまうおそれがある。従って、ノズルから薬液が吐出開始されるタイミング及び吐出開始後の薬液の吐出量の推移について精度高く制御できる技術が求められている。特許文献１には、ノズルからの薬液の流量を測定する技術が記載されているが、上記したモジュール間の吐出状態の異なりを検出して、対処できるものではない。   Due to such a difference in the discharge state, there is a difference in the resist distribution and the drying condition in the plane of the wafer between the modules, which may cause the resist film thickness to be different between the wafers. Therefore, there is a need for a technique capable of controlling with high accuracy the timing at which the chemical liquid starts to be discharged from the nozzle and the transition of the discharge amount of the chemical liquid after the discharge starts. Patent Document 1 describes a technique for measuring the flow rate of a chemical solution from a nozzle, but it cannot detect the difference in the discharge state between the modules described above and deal with it.

特開２０１４−７８５７１号公報JP 2014-78571 A

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、ノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化を精度高く制御できる技術を提供することである。   This invention is made | formed in view of this point, and the subject of this invention is providing the technique which can control the time-dependent change of the discharge amount of the chemical | medical solution discharged from a nozzle with high precision.

本発明の液処理方法は、基板に薬液を供給して液処理を行う液処理方法において、
一のポンプから一のノズルに供給された薬液を当該一のノズルから吐出して液流を形成する工程と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像し、画像データを取得する工程と、
前記画像データから、薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得する工程と、
前記経時変化に関するデータと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処工程と、
を備えることを特徴とする。 The liquid treatment method of the present invention is a liquid treatment method for performing a liquid treatment by supplying a chemical solution to a substrate.
A step of discharging a chemical solution supplied from one pump to one nozzle to form a liquid flow from the one nozzle;
Repetitively imaging the area where the liquid flow is formed, and obtaining image data;
A step of acquiring data relating to the temporal change in the discharge amount of the chemical liquid from the image data;
Based on the data on the change over time and the reference data, detecting the presence or absence of abnormality with respect to the change over time, and dealing with the abnormality,
It is characterized by providing.

本発明の液処理装置は、基板にノズルから薬液を吐出して液処理を行う液処理装置において、
前記ノズルに薬液を供給するためのポンプと、
前記ノズルから吐出された薬液の液流が形成される領域を撮像し、画像データを取得するための撮像部と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像して得られる画像データから薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得し、当該データと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処部と、
を備えることを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、基板にノズルから薬液を供給して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の液処理方法を実行するようにステップ群が組まれている。 The liquid processing apparatus of the present invention is a liquid processing apparatus that performs liquid processing by discharging a chemical solution from a nozzle to a substrate.
A pump for supplying a chemical to the nozzle;
An imaging unit for capturing an image of a region where a liquid flow of the chemical liquid discharged from the nozzle is formed, and acquiring image data;
Acquires data related to changes over time in the discharge amount of chemical liquid from image data obtained by repeatedly imaging the region where the liquid flow is formed, and detects the presence or absence of abnormalities in the changes over time based on the data and reference data A coping section for coping with the abnormality,
It is characterized by providing.
The storage medium of the present invention is a storage medium for storing a computer program used in a liquid processing apparatus for supplying a chemical solution from a nozzle to a substrate to perform liquid processing,
The computer program has a set of steps so as to execute the liquid processing method.

本発明は、ノズルからの液流が形成される領域を繰り返し撮像して取得された画像データから、薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得し、当該データと基準データとに基づいて対処を行う。従って、ノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化を精度高く制御することができる。   The present invention acquires data related to the temporal change in the discharge amount of the chemical liquid from image data acquired by repeatedly imaging the area where the liquid flow from the nozzle is formed, and takes measures based on the data and the reference data. Do. Accordingly, it is possible to accurately control the change with time of the discharge amount of the chemical liquid discharged from the nozzle.

本発明の液処理方法を実施する塗布、現像装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the application | coating and developing apparatus which implements the liquid processing method of this invention. 前記塗布、現像装置に設けられるレジスト塗布モジュールの斜視図である。It is a perspective view of a resist coating module provided in the coating and developing device. 前記レジスト塗布モジュールの縦断側面図である。It is a vertical side view of the said resist application module. 前記レジスト塗布モジュールに設けられるポンプの構成図である。It is a block diagram of the pump provided in the said resist application module. 前記塗布、現像装置１の制御部の構成図である。2 is a configuration diagram of a control unit of the coating and developing apparatus 1. FIG. 前記レジスト塗布モジュールの撮像領域を撮像して得られる画像を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the image obtained by imaging the imaging area | region of the said resist application module. 前記レジスト塗布モジュールの撮像領域を撮像して得られる画像を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the image obtained by imaging the imaging area | region of the said resist application module. ノズルからの吐出量の推移とウエハの回転数の推移との一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of transition of the discharge amount from a nozzle, and transition of the rotation speed of a wafer. ノズルからの吐出量の推移と吐出圧の推移との一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of transition of the discharge amount from a nozzle, and transition of discharge pressure. 補正前の吐出圧の推移及び補正後の吐出圧の推移の一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of transition of the discharge pressure before correction, and transition of the discharge pressure after correction. ノズルからの吐出量の推移とウエハの回転数の推移との一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of transition of the discharge amount from a nozzle, and transition of the rotation speed of a wafer. 前記塗布、現像装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the said coating and developing apparatus. ノズルからの吐出量の推移とウエハの回転数の推移との一例を示すグラフ図である。It is a graph which shows an example of transition of the discharge amount from a nozzle, and transition of the rotation speed of a wafer. 前記塗布、現像装置の平面図である。2 is a plan view of the coating and developing apparatus. FIG. 前記塗布、現像装置の斜視図である。It is a perspective view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。It is a schematic longitudinal side view of the coating and developing apparatus.

図１は、本発明の液処理方法を実施する塗布、現像装置１の概略構成を示している。図中１１は複数のウエハＷを格納するキャリアであり、塗布、現像装置１と塗布、現像装置１の外部との間で当該ウエハＷを搬送する。図中２Ａ、２Ｂは、既述のスピンコーティングによってウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布モジュールである。図中１２は塗布、現像装置１に設けられるウエハＷの搬送機構である。搬送機構１２によってキャリア１１から搬送されたウエハＷは、レジスト塗布モジュール２Ａ及び２Ｂのうちの一方に搬送されて、処理される。   FIG. 1 shows a schematic configuration of a coating and developing apparatus 1 for carrying out the liquid processing method of the present invention. In the figure, reference numeral 11 denotes a carrier for storing a plurality of wafers W, and the wafers W are transferred between the coating / developing apparatus 1 and the outside of the coating / developing apparatus 1. In the figure, reference numerals 2A and 2B denote resist application modules for applying a resist to the wafer W by the above-described spin coating. In the figure, reference numeral 12 denotes a wafer W transport mechanism provided in the coating and developing apparatus 1. The wafer W transferred from the carrier 11 by the transfer mechanism 12 is transferred to one of the resist coating modules 2A and 2B and processed.

この塗布、現像装置１は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂで夫々ウエハＷにレジストの塗布処理を行うと共にレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂを構成するノズルからのレジストの吐出状態（ウエハWの回転数の推移（経時変化）とノズルから吐出されるレジストの吐出量の推移との対応関係）について検出した後、レジスト塗布モジュール２Ａのノズルからのレジストの吐出状態を自動で補正する。そして、レジスト塗布モジュール２Ａで後続のウエハＷを処理する際に、当該レジスト塗布モジュール２Ａにおけるノズルからのレジストの吐出状態を、レジスト塗布モジュール２Ｂにおけるノズルからのレジストの吐出状態に揃えることができる。また、図中６は、塗布、現像装置１の各部の動作を制御する制御部である。塗布、現像装置１及び制御部６の構成については、後に詳しく説明する。   The coating / developing apparatus 1 performs resist coating processing on the wafer W by the resist coating modules 2A and 2B, and the resist discharge state from the nozzles constituting the resist coating modules 2A and 2B (changes in the rotation speed of the wafer W). After detecting (corresponding relationship between change with time) and transition of the discharge amount of the resist discharged from the nozzle), the discharge state of the resist from the nozzle of the resist coating module 2A is automatically corrected. Then, when the subsequent wafer W is processed by the resist coating module 2A, the resist discharge state from the nozzle in the resist coating module 2A can be matched with the resist discharge state from the nozzle in the resist coating module 2B. In the figure, reference numeral 6 denotes a control unit that controls the operation of each part of the coating and developing apparatus 1. The configurations of the coating and developing apparatus 1 and the control unit 6 will be described in detail later.

レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂは互いに同様に構成されており、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂのうち代表して２Ａについて、図２の斜視図及び図３の側面図を参照して説明する。レジスト塗布モジュール２Ａは、カップユニット２１とノズルユニット３１とを備えている。カップユニット２１は、ウエハＷの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部であるスピンチャック２２を備えている。図３に示すように、スピンチャック２２は垂直な回転軸２３を介して回転機構２４に接続されており、制御部６からの制御信号に従って、回転機構２４はスピンチャック２２を回転させることができる。   The resist coating modules 2A and 2B are configured in the same manner. The representative 2A of the resist coating modules 2A and 2B will be described with reference to the perspective view of FIG. 2 and the side view of FIG. The resist coating module 2 </ b> A includes a cup unit 21 and a nozzle unit 31. The cup unit 21 includes a spin chuck 22 that is a substrate holding unit that sucks and horizontally holds the center of the back surface of the wafer W. As shown in FIG. 3, the spin chuck 22 is connected to a rotation mechanism 24 via a vertical rotation shaft 23, and the rotation mechanism 24 can rotate the spin chuck 22 according to a control signal from the control unit 6. .

また、カップユニット２１は、スピンチャック２２の周囲を囲むと共に上方側が開口したカップ体２５を備えており、カップ体２５の底部側には、上方が開口した環状の凹部を形成する液受け部２６が設けられている。また、図中２７は液ガイド部であり、スピンチャック２２の下方にて当該スピンチャックを囲むように設けられ、ウエハＷから下方にこぼれた液を液受け部２６にガイドするための傾斜部を備えている。液ガイド部の周縁部は下方に向かって延伸されて垂直壁２７を構成しており、上記の液受け部２６は、垂直壁２７が入り込むことにより、ウエハＷの周縁下方側に全周に亘って外側領域と内側領域とに区画されている。   The cup unit 21 includes a cup body 25 that surrounds the periphery of the spin chuck 22 and that opens upward. A liquid receiving portion 26 that forms an annular recess that opens upward on the bottom side of the cup body 25. Is provided. In the figure, reference numeral 27 denotes a liquid guide portion, which is provided below the spin chuck 22 so as to surround the spin chuck, and has an inclined portion for guiding the liquid spilled downward from the wafer W to the liquid receiving portion 26. I have. The peripheral edge portion of the liquid guide portion extends downward to form a vertical wall 27, and the liquid receiving portion 26 extends over the entire periphery on the lower peripheral edge side of the wafer W when the vertical wall 27 enters. And is divided into an outer region and an inner region.

前記外側領域の底部には貯留したレジストを排出する排液口２８が設けられている。前記内側領域には、底部より上方に向かって伸びる排気管２９が設けられており、当該排気管２９により、カップ体２５内が排気される。また、図中２０はスピンチャック２２の周囲に３本（図３では２本のみ表示）設けられる垂直な昇降ピンであり、昇降機構２０Ａにより昇降し、搬送機構１２とスピンチャック２２との間でウエハＷを受け渡す。   A drain port 28 for discharging the stored resist is provided at the bottom of the outer region. An exhaust pipe 29 extending upward from the bottom is provided in the inner region, and the inside of the cup body 25 is exhausted by the exhaust pipe 29. In the figure, reference numeral 20 denotes a vertical lifting pin provided around the spin chuck 22 (only two are shown in FIG. 3). The vertical lifting pin 20 is moved up and down by the lifting mechanism 20A and between the transport mechanism 12 and the spin chuck 22. Deliver the wafer W.

次に、ノズルユニット３１について説明する。ノズルユニット３１は、駆動機構３２、アーム３３及びノズル保持部３４を備えている。駆動機構３２は、図２に示すガイド３５に沿って横方向に移動自在に構成されている。アーム３３は、その基端側が前記駆動機構３２に接続されており、アーム３３の先端側にノズル保持部３４が設けられている。アーム３３は、前記ガイド３５に直交するように水平に伸びており、また駆動機構３２により昇降自在に構成される。ノズル保持部３４の下方にはレジスト吐出ノズル３６及びシンナー吐出ノズル４１が設けられている。図２中の鎖線で囲った領域には、レジスト吐出ノズル３６の下部を拡大して示しており、当該下部には円形の吐出口３７が開口している。この吐出口３７から鉛直下方にレジストが吐出される。   Next, the nozzle unit 31 will be described. The nozzle unit 31 includes a drive mechanism 32, an arm 33, and a nozzle holding unit 34. The drive mechanism 32 is configured to be movable in the lateral direction along the guide 35 shown in FIG. The base end side of the arm 33 is connected to the drive mechanism 32, and the nozzle holding portion 34 is provided on the tip end side of the arm 33. The arm 33 extends horizontally so as to be orthogonal to the guide 35 and is configured to be movable up and down by the drive mechanism 32. A resist discharge nozzle 36 and a thinner discharge nozzle 41 are provided below the nozzle holding portion 34. In the area surrounded by the chain line in FIG. 2, the lower part of the resist discharge nozzle 36 is shown enlarged, and a circular discharge port 37 is opened in the lower part. A resist is discharged vertically downward from the discharge port 37.

シンナー吐出ノズル４１については吐出口３７と同様の吐出口が設けられ、シンナー供給機構から供給されたシンナーを鉛直下方に供給することができる。このシンナー供給機構及びシンナー吐出ノズル４１の吐出口についての図示は省略している。シンナーは、レジストのウエハＷへの濡れ性を高めるために、レジストより先にウエハＷに供給されるプリウエット液である。   The thinner discharge nozzle 41 is provided with a discharge port similar to the discharge port 37, and the thinner supplied from the thinner supply mechanism can be supplied vertically downward. Illustration of the thinner supply mechanism and the discharge port of the thinner discharge nozzle 41 is omitted. The thinner is a prewetting liquid that is supplied to the wafer W before the resist in order to improve the wettability of the resist to the wafer W.

上記の駆動機構３２により、レジスト吐出ノズル３６及びシンナー吐出ノズル４１は夫々、カップ体２５の外側の待機領域と、スピンチャック２２に保持されたウエハＷの中心部上との間で移動することができる。また、アーム３３の下部には撮像部であるカメラ３８が設けられている。カメラ３８は、レジスト吐出ノズル３６の先端部（下端部）及び当該先端部の下方の領域を撮像して画像データを取得し、当該画像データを制御部６に送信できるように構成されている。図３ではカメラ３８の撮像領域を３９として示している。   The drive mechanism 32 allows the resist discharge nozzle 36 and the thinner discharge nozzle 41 to move between the standby area outside the cup body 25 and the central portion of the wafer W held by the spin chuck 22. it can. In addition, a camera 38 as an imaging unit is provided below the arm 33. The camera 38 is configured to capture an image of the tip (lower end) of the resist discharge nozzle 36 and a region below the tip, acquire image data, and transmit the image data to the controller 6. In FIG. 3, the imaging area of the camera 38 is indicated as 39.

図３に示すように、レジスト吐出ノズル３６は配管４２を介してレジストが貯留されるレジスト供給機構４３に接続されており、配管４２にはポンプ５が介設されている。レジスト供給機構４３は、レジストをポンプ５に供給できるように構成されており、ポンプ５に供給されたレジストは、当該ポンプ５によってレジスト吐出ノズル３６に圧送され、吐出口３７から吐出される。   As shown in FIG. 3, the resist discharge nozzle 36 is connected to a resist supply mechanism 43 that stores a resist via a pipe 42, and a pump 5 is interposed in the pipe 42. The resist supply mechanism 43 is configured to be able to supply the resist to the pump 5, and the resist supplied to the pump 5 is pumped to the resist discharge nozzle 36 by the pump 5 and discharged from the discharge port 37.

図４は、ポンプ５の構成の一例を示している。この例では、ポンプ５は可変容量ポンプであるダイヤフラムポンプとして構成されている。図中５１はダイヤフラムである。図中５２、５３は夫々ポンプ室、作動室であり、ダイヤフラム５１により互いに区画されている。図中Ｖ１、Ｖ２は、ポンプ室５２の一次側（レジスト供給機構４３側）、二次側（レジスト吐出ノズル３６側）に夫々設けられるバルブであり、ポンプ室５２へのレジストの吸入、ポンプ室５２からのレジストの圧送が夫々行えるように動作する。   FIG. 4 shows an example of the configuration of the pump 5. In this example, the pump 5 is configured as a diaphragm pump that is a variable displacement pump. In the figure, reference numeral 51 denotes a diaphragm. In the figure, reference numerals 52 and 53 denote a pump chamber and a working chamber, which are separated from each other by a diaphragm 51. In the drawing, V1 and V2 are valves provided on the primary side (resist supply mechanism 43 side) and the secondary side (resist discharge nozzle 36 side) of the pump chamber 52, respectively. It operates so that the resist can be pumped from 52 respectively.

作動室５３にはバルブＶ３、流量調整部５４をこの順に介して当該作動室５３の減圧及び加圧を行う駆動手段５５が接続されている。駆動手段５５は、エアを作動室５３に供給して作動室５３を加圧するための加圧源５６Ａと、作動室５３からエアを吸引して作動室５３を減圧するための減圧源５６Ｂと、電空レギュレータ５７と、圧力センサ５８と、を備えている。電空レギュレータ５７は、バルブＶ３の解放時において、作動室５３内の圧力を上昇させるために加圧源５６Ａが作動室５３に接続された状態と、作動室５３内の圧力を低下させるために減圧源５６Ｂが作動室５３に接続された状態とを互いに切り替えることができる。作動室５３の圧力が上昇するほど、ダイヤフラム５１によりポンプ室５２の容積が縮小され、レジスト吐出ノズル３６への圧送量が高まり、当該レジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量が増大する。   The working chamber 53 is connected to a driving means 55 for depressurizing and pressurizing the working chamber 53 through a valve V3 and a flow rate adjusting unit 54 in this order. The driving means 55 supplies a pressure source 56A for supplying air to the working chamber 53 to pressurize the working chamber 53, a pressure reducing source 56B for sucking air from the working chamber 53 and decompressing the working chamber 53, An electropneumatic regulator 57 and a pressure sensor 58 are provided. The electropneumatic regulator 57 has a state in which the pressurizing source 56A is connected to the working chamber 53 in order to increase the pressure in the working chamber 53 and to reduce the pressure in the working chamber 53 when the valve V3 is released. The state in which the decompression source 56B is connected to the working chamber 53 can be switched to each other. As the pressure in the working chamber 53 increases, the volume of the pump chamber 52 is reduced by the diaphragm 51, the amount of pumping to the resist discharge nozzle 36 increases, and the amount of resist discharged from the resist discharge nozzle 36 increases.

圧力センサ５８は、加圧源５６Ａが作動室５３に接続された状態では当該加圧源５６Ａと作動室５３を接続する流路の圧力、減圧源５６Ｂが作動室５３に接続された状態では当該減圧源５６Ｂと作動室５３を接続する流路の圧力に夫々対応する圧力検出信号を、制御部６に送信する。制御部６は送信された圧力検出信号に基づいて、各流路の圧力を作動室５３の圧力（以下、ポンプ５の吐出圧と記載する）として算出する。制御部６は、検出されるポンプ５の吐出圧が設定値となるように、調整機構を構成する電空レギュレータ５７に制御信号を送信し、当該電空レギュレータ５７の動作を制御する。   The pressure sensor 58 has a pressure in a flow path connecting the pressurization source 56A and the working chamber 53 in a state where the pressurization source 56A is connected to the working chamber 53, and in a state where the decompression source 56B is connected to the working chamber 53. A pressure detection signal corresponding to the pressure of the flow path connecting the decompression source 56B and the working chamber 53 is transmitted to the control unit 6. Based on the transmitted pressure detection signal, the controller 6 calculates the pressure of each flow path as the pressure of the working chamber 53 (hereinafter referred to as the discharge pressure of the pump 5). The control unit 6 transmits a control signal to the electropneumatic regulator 57 constituting the adjustment mechanism so that the detected discharge pressure of the pump 5 becomes a set value, and controls the operation of the electropneumatic regulator 57.

ここで、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂで行われるレジスト塗布処理について説明する。上記のスピンチャック２２にウエハＷが載置された後、シンナー吐出ノズル４１からシンナーがウエハＷの中心部に吐出され、ウエハＷが所定の回転数で回転し、シンナーがスピンコーティングされる。そして、ウエハＷの回転数が例えば１０００ｒｐｍから３０００ｒｐｍに上昇すると共にレジスト吐出ノズル４６からレジストがウエハＷの中心部に吐出されて、スピンコーティングによりウエハＷの表面全体に塗布される。   Here, the resist coating process performed in the resist coating modules 2A and 2B will be described. After the wafer W is placed on the spin chuck 22, the thinner is discharged from the thinner discharge nozzle 41 to the center of the wafer W, the wafer W is rotated at a predetermined rotational speed, and the thinner is spin-coated. Then, the number of rotations of the wafer W is increased from, for example, 1000 rpm to 3000 rpm, and the resist is discharged from the resist discharge nozzle 46 to the center of the wafer W and applied to the entire surface of the wafer W by spin coating.

然る後、レジストの吐出が停止すると共に、ウエハＷの回転数が低下して例えば２００ｒｐｍとなり、ウエハＷの面内におけるレジストの液厚の分布が調整された後、ウエハＷの回転数が例えば２０００ｒｐｍに上昇し、レジストが乾燥してレジスト膜が形成され、然る後、ウエハＷの回転が停止する。このレジスト塗布処理中のスピンチャックによるウエハＷの回転数は制御部６により制御され、スピンチャック２２にウエハＷが載置された後は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間で当該回転数が同様に推移するように制御される。   Thereafter, the resist discharge stops and the rotation speed of the wafer W decreases to, for example, 200 rpm. After the resist liquid thickness distribution in the surface of the wafer W is adjusted, the rotation speed of the wafer W is, for example, The speed is increased to 2000 rpm, the resist is dried to form a resist film, and then the rotation of the wafer W is stopped. The number of rotations of the wafer W by the spin chuck during the resist coating process is controlled by the control unit 6, and after the wafer W is placed on the spin chuck 22, the number of rotations is similarly between the resist coating modules 2A and 2B. It is controlled to change.

続いてコンピュータである制御部６の構成について、図５を参照しながら説明する。制御部６は対処部及び撮像部を構成する。図中６１はバスである。バス６１にはプログラム格納部６２、ＣＰＵ６３及びメモリ６４〜６８及びワーキングメモリ６９が接続されている。ＣＰＵ６３は各種の演算を行う。プログラム格納部６２はプログラム６０を格納する記憶媒体であり、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）あるいはメモリーカードなどにより構成されている。プログラム６０は、プログラム格納部６２に格納された状態で制御部６にインストールされる。プログラム６０には、後述のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂのレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態を検出した後、モジュール２Ａ、２Ｂ間で当該吐出状態を揃えてウエハＷにレジスト塗布処理を行うことができるように、塗布、現像装置１の各部に制御信号を送信し、その動作を制御するための命令が組み込まれている。   Next, the configuration of the control unit 6 that is a computer will be described with reference to FIG. The control unit 6 constitutes a handling unit and an imaging unit. In the figure, 61 is a bus. Connected to the bus 61 are a program storage unit 62, a CPU 63, memories 64 to 68, and a working memory 69. The CPU 63 performs various calculations. The program storage unit 62 is a storage medium for storing the program 60, and is composed of, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk), or a memory card. The program 60 is installed in the control unit 6 while being stored in the program storage unit 62. In the program 60, after detecting the discharge state from the resist discharge nozzles 36 of the resist coating modules 2A and 2B as described later, the resist coating process is performed on the wafer W by aligning the discharge state between the modules 2A and 2B. Therefore, a command for transmitting a control signal to each part of the coating and developing apparatus 1 and controlling its operation is incorporated.

また、上記のバス６１には、レジスト塗布モジュール２Ａ及び２Ｂのポンプ５、回転機構２４及びカメラ３８が接続されている。これによって、上記したように制御部６は各カメラ３８から出力される画像データを取得することができ、また、ポンプ５から出力される圧力検出信号に基づいて、当該ポンプ５の動作を制御することができ、さらにウエハＷの回転数を制御することができる。   The bus 61 is connected to the pumps 5 of the resist coating modules 2A and 2B, the rotation mechanism 24, and the camera 38. As a result, the control unit 6 can acquire the image data output from each camera 38 as described above, and controls the operation of the pump 5 based on the pressure detection signal output from the pump 5. In addition, the number of rotations of the wafer W can be controlled.

ところで、上記したようにレジスト塗布モジュール２Ａにおけるレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態は、レジスト塗布モジュール２Ｂにおけるレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態に揃えられるが、ここで当該吐出状態を揃えるための動作についての概略を説明する。レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々において、既述のレジスト塗布処理を行うためにウエハＷがスピンチャック２２に載置されてから所定の時間経過した後の撮像開始時刻から、さらに所定の時間経過した後の撮像終了時刻までの間、０．０１秒毎にカメラ４２による撮像を繰り返し行い、画像データを取得する。上記のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ夫々においてスピンチャック２２へウエハＷを載置した後はウエハＷの回転数は同様に推移するので、モジュール２Ａ、２Ｂの各撮像期間中にモジュール２ＡのウエハＷの回転数及びモジュール２ＢのウエハＷの回転数は、互いに同様に推移する。   Incidentally, as described above, the discharge state from the resist discharge nozzle 36 in the resist coating module 2A is aligned with the discharge state from the resist discharge nozzle 36 in the resist coating module 2B. Here, the operation for aligning the discharge state is described. The outline of will be described. In each of the resist coating modules 2A and 2B, a predetermined time has further elapsed from the imaging start time after a predetermined time has elapsed since the wafer W was placed on the spin chuck 22 in order to perform the resist coating process described above. Until the subsequent image capture end time, image capture by the camera 42 is repeated every 0.01 seconds to acquire image data. As described above, after the wafer W is placed on the spin chuck 22 in each of the resist coating modules 2A and 2B, the number of rotations of the wafer W changes in the same manner. Therefore, during each imaging period of the modules 2A and 2B, the wafer of the module 2A. The rotation speed of W and the rotation speed of the wafer W of the module 2B change in the same manner.

そして、このように画像データを取得した後、制御部６はレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂごとに、取得された画像データに基づいて０．０１秒毎のレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量を算出する。この吐出量を算出した後は、撮像期間内の０．１秒間ごとのレジストの吐出量が算出されるように、０．０１秒ごとの吐出量を累積する。それによってレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々について、撮像期間内における０．１秒刻みでのレジストの吐出量の推移を示すデータ（吐出量推移データとする）が作成される。この吐出量推移データを作成する動作は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂにおいて、吐出状態を検出することに相当する。   And after acquiring image data in this way, the control part 6 sets the discharge amount of the resist from the resist discharge nozzle 36 for every 0.01 second based on the acquired image data for every resist coating module 2A, 2B. calculate. After calculating the discharge amount, the discharge amount every 0.01 seconds is accumulated so that the resist discharge amount every 0.1 second within the imaging period is calculated. As a result, for each of the resist coating modules 2A and 2B, data indicating transition of the resist discharge amount in 0.1 second increments within the imaging period (referred to as discharge amount transition data) is created. The operation of creating the discharge amount transition data corresponds to detecting the discharge state in the resist coating modules 2A and 2B.

レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの撮像期間中のポンプ５の吐出圧は、撮像期間中の吐出圧の推移について設定したデータ（吐出圧推移データ）に基づいて制御される。この吐出圧推移データは、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂについて個別に設定されている。上記のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂにおいて夫々レジスト塗布処理が行われ、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々の吐出量推移データが作成されると、制御部６は、各吐出量推移データに基づいてレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データを補正する。それによって、後続のウエハＷをレジスト塗布モジュール２Ａで処理するときには、撮像期間内の各時点のレジスト吐出量が、レジスト塗布モジュール２Ｂの撮像期間内の各時点のレジスト吐出量に揃えられる。つまり、レジスト塗布モジュール２Ａの吐出状態が、レジスト塗布モジュール２Ｂの吐出状態に揃えられる。   The discharge pressure of the pump 5 during the imaging period of the resist coating modules 2A and 2B is controlled based on the data (discharge pressure transition data) set for the transition of the discharge pressure during the imaging period. The discharge pressure transition data is individually set for the resist coating modules 2A and 2B. As described above, when the resist coating processing is performed in the resist coating modules 2A and 2B and the respective discharge amount transition data of the resist coating modules 2A and 2B are generated, the control unit 6 is based on the respective discharge amount transition data. Thus, the discharge pressure transition data of the resist coating module 2A is corrected. Thus, when the subsequent wafer W is processed by the resist coating module 2A, the resist discharge amount at each time point in the imaging period is made equal to the resist discharge amount at each time point in the imaging period of the resist coating module 2B. That is, the discharge state of the resist coating module 2A is aligned with the discharge state of the resist coating module 2B.

上記の０．０１秒毎のレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量の算出方法について説明する。上記の撮像期間の終了後、０．０１秒毎に取得された画像データのうち、撮像期間内の最も早い時刻においてレジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出されているものが選別され、当該画像データを取得した時刻がレジストの吐出開始時と識別される。図６の左側は、当該吐出開始時の画像データから得られる画像を表している。続いて、その吐出開始時から０．０１秒後（以降、吐出開始０．０１秒後と記載する）に取得された画像データが選別される。図６の中央は、そのような吐出開始０．０１秒後の画像データから得られる画像を示している。このように選別された２つの画像データにおいて、レジスト（Ｒとして表示）の液流の下端の位置が夫々検出され、さらに検出された液流の下端の各位置から図中にＡで示す、液流の下端の移動距離（単位：ｃｍ）が検出される。なお、図６中、点線の枠内には、レジストＲの液流を拡大して示している。   A method for calculating the resist discharge amount from the resist discharge nozzle 36 every 0.01 seconds will be described. Among the image data acquired every 0.01 seconds after the end of the imaging period, the image data that has been discharged from the resist discharge nozzle 36 at the earliest time within the imaging period is selected, and the image data is obtained. The acquired time is identified as the start time of resist discharge. The left side of FIG. 6 represents an image obtained from the image data at the start of the ejection. Subsequently, image data acquired 0.01 seconds after the start of discharge (hereinafter referred to as 0.01 seconds after the start of discharge) is selected. The center of FIG. 6 shows an image obtained from such image data 0.01 seconds after the start of ejection. In the two pieces of image data thus selected, the position of the lower end of the liquid flow of the resist (indicated as R) is detected, and the liquid position indicated by A in the figure from each position of the lower end of the detected liquid flow. The moving distance (unit: cm) of the lower end of the flow is detected. In FIG. 6, the liquid flow of the resist R is shown in an enlarged manner within the dotted line frame.

さらに、吐出開始時以降に取得された画像データのうち、最も早い時刻においてレジストＲの液流の上端がレジスト吐出ノズル３６の下端から離れている画像データが選別され、そのように選別された画像データが取得された時刻が、レジストの吐出終了時とされる。レジスト吐出ノズル３６からの液流の変化の様子を明確に示すため、図７の左側には、吐出終了時から０．０１秒前（以降、吐出終了０．０１秒前と記載する）に取得された画像データから得られる画像を示しており、図７の中央に、上記した吐出終了時に取得された画像データから得られる画像を示している。そのように吐出終了時の画像データの選別後、その吐出終了時の０．０１秒後（以降、吐出終了０．０１秒後と記載する）に取得された画像データが選別される。図７の右側は、そのような吐出終了０．０１秒後の画像データから得られる画像を示している。このように選別された吐出終了時の画像データ及び吐出終了０．０１秒後の画像データについて、レジストＲの液流の上端の位置が夫々検出され、さらに検出された液流の上端の各位置から図中にＢで示す液流の上端の移動距離（単位：ｃｍ）が検出される。なお、この移動距離Ｂ及び上記の移動距離Ａは、レジストの吐出速度に対応する。   Furthermore, image data in which the upper end of the liquid flow of the resist R is separated from the lower end of the resist discharge nozzle 36 at the earliest time among the image data acquired after the discharge start time is selected, and the image thus selected is selected. The time when the data is acquired is the end of the resist discharge. In order to clearly show the change of the liquid flow from the resist discharge nozzle 36, the left side of FIG. 7 is acquired 0.01 seconds before the end of discharge (hereinafter referred to as 0.01 seconds before the end of discharge). An image obtained from the image data obtained is shown, and an image obtained from the image data obtained at the end of the above-described ejection is shown in the center of FIG. As described above, after the selection of the image data at the end of the discharge, the image data acquired 0.01 seconds after the end of the discharge (hereinafter referred to as 0.01 seconds after the end of the discharge) is selected. The right side of FIG. 7 shows an image obtained from the image data 0.01 seconds after the end of such discharge. With respect to the image data at the end of ejection thus selected and the image data after 0.01 seconds from the end of ejection, the position of the upper end of the liquid flow of the resist R is detected, and each position of the upper end of the detected liquid flow is further detected. To the moving distance (unit: cm) of the upper end of the liquid flow indicated by B in the figure. The moving distance B and the moving distance A correspond to the resist discharge speed.

移動距離Ａ、Ｂの算出後は、上記の吐出開始時の画像データから、レジストＲの液流の幅Ｃ（単位：ｍｍ、図６参照）が検出される。上記のようにレジスト吐出ノズル３６の吐出口３７が円形であるため、このように検出された幅Ｃを用いて、吐出開始時の液流の断面積＝（Ｃ／２０）×（Ｃ／２０）×３．１４＝３．１４×Ｃ２／４００（ｃｍ２）として算出される。また、吐出開始０．０１秒後の画像データにおける液流の幅Ｄ（ｍｍ）が検出され、この幅Ｄから、液流の断面積＝（Ｄ／２０）×（Ｄ／２０）×３．１４＝３．１４×Ｄ２／４００（ｃｍ２）として算出される。続いて、吐出開始時から吐出開始０．０１秒後までの吐出量として、（（３．１４×Ｃ２／４００）＋（３．１４×Ｄ２／４００））／２×移動距離Ａ（ｃｍ３＝ｍＬ）が算出される。つまり、吐出開始時から０．０１秒経過するまでに吐出された液流は円柱をなし、この円柱の断面積は、上記の２つの画像データから算出される円の断面積の平均値であると共に、当該円柱の高さは移動距離Ａであるものと見なして、吐出量を算出している。 After calculating the movement distances A and B, the liquid flow width C (unit: mm, see FIG. 6) of the resist R is detected from the image data at the start of ejection. Since the discharge port 37 of the resist discharge nozzle 36 is circular as described above, the cross-sectional area of the liquid flow at the start of discharge = (C / 20) × (C / 20) using the width C thus detected. ) × 3.14 = 3.14 × C 2 /400 (cm 2) is calculated as. Further, the width D (mm) of the liquid flow in the image data 0.01 seconds after the start of discharge is detected, and from this width D, the cross-sectional area of the liquid flow = (D / 20) × (D / 20) × 3. It is calculated as 14 = 3.14 × D 2/400 (cm 2). Then, as the discharge amount from the time of ejection start until after ejection start 0.01 seconds, ((3.14 × C 2 /400)+(3.14×D 2/400)) / 2 × travel distance A ( cm 3 = mL) is calculated. That is, the liquid flow discharged until 0.01 second has elapsed from the start of discharge forms a cylinder, and the cross-sectional area of this cylinder is the average value of the cross-sectional areas of the circles calculated from the above two image data. At the same time, the discharge amount is calculated on the assumption that the height of the cylinder is the movement distance A.

吐出開始０．０１秒後から吐出開始０．０２秒後までの吐出量、吐出開始０．０２秒後から吐出開始０．０３秒後までの吐出量、吐出開始０．０３秒後から吐出開始０．０４秒後までの吐出量・・・吐出開始Ｎ−０．０２秒後から吐出開始Ｎ−０．０１秒後までの吐出量、吐出開始Ｎ−０．０１秒後から吐出開始Ｎ秒後（＝吐出終了時）までの吐出量も、上記の吐出開始時から吐出開始０．０１秒後までの吐出量と同様に算出する。つまり、液流が円柱であるものとし、２つの画像データから夫々検出される液流の幅から液流の断面積を求め、この断面積の平均値が前記円柱の断面積であるものとみなして、当該円柱の体積を演算する。   Discharge amount from 0.01 seconds after discharge start to 0.02 seconds after discharge start, discharge amount from 0.02 seconds after discharge start to 0.03 seconds after discharge start, discharge start from 0.03 seconds after discharge start Discharge amount up to 0.04 seconds later ... Discharge amount from discharge start N-0.02 seconds to discharge start N-0.01 seconds later, discharge start N-0.01 seconds later to discharge start N seconds The discharge amount until after (= end of discharge) is also calculated in the same manner as the discharge amount from the start of discharge to 0.01 seconds after the start of discharge. That is, assuming that the liquid flow is a cylinder, the cross-sectional area of the liquid flow is obtained from the width of the liquid flow detected from each of the two image data, and the average value of the cross-sectional areas is regarded as the cross-sectional area of the cylinder. Then, the volume of the cylinder is calculated.

ただし、吐出開始０．０１秒後から吐出開始０．０２秒後までの吐出量〜吐出開始Ｎ−０．０２秒後から吐出開始Ｎ−０．０１秒後までの各時間の吐出量については、液流の円柱の高さを、ＡではなくＡ及びＢの平均値であるものとみなして算出する。具体的に、吐出開始０．０２秒後の画像データから検出された液流の幅がＥｃｍであるとすると、吐出開始０．０１秒後から吐出開始０．０２秒後までの吐出量＝（（３．１４×Ｄ２／４００）＋（３．１４×Ｅ２／４００））／２×（Ａ＋Ｂ）／２（ｍＬ）として算出される。 However, the discharge amount from 0.01 seconds after the discharge start to 0.02 seconds after the discharge start to the discharge amount at each time from the discharge start N-0.02 seconds to the discharge start N-0.01 seconds later. The height of the cylinder of the liquid flow is calculated assuming that it is an average value of A and B instead of A. Specifically, if the width of the liquid flow detected from the image data 0.02 seconds after the start of discharge is Ecm, the discharge amount from 0.01 seconds after the start of discharge to 0.02 seconds after the start of discharge = ( (3.14 × D 2 /400)+(3.14×E 2/ 400)) / 2 × (A + B) / is calculated as 2 (mL).

また、吐出開始Ｎ−０．０１秒後から吐出開始Ｎ秒後（＝吐出終了時）までに吐出された液流の円柱の高さは、ＡではなくＢであるものとみなして吐出量の計算を行う。つまり吐出開始Ｎ−０．０１秒後、吐出開始Ｎ秒後の液流について画像データから検出される幅が夫々Ｆｃｍ、Ｇｃｍであるとすると、この間の吐出量は、（（３．１４×Ｆ２／４００）＋（３．１４×Ｇ２／４００））／２×Ｂ（ｍＬ）として算出される。このような０．０１秒毎の吐出量を算出するにあたり、上記の画像データの選別、画像データからの液流の幅の検出及び各種の演算は、制御部６により行われる。 Also, the height of the cylinder of the liquid flow discharged from N-0.01 seconds after discharge start to N seconds after discharge start (= when discharge ends) is regarded as B instead of A, and the discharge amount is Perform the calculation. That is, assuming that the widths detected from the image data for the liquid flow after discharge start N-0.01 seconds and N seconds after discharge start are Fcm and Gcm, respectively, the discharge amount during this time is ((3.14 × F It is calculated as 2 /400)+(3.14×G 2/400)) / 2 × B (mL). In calculating the discharge amount every 0.01 seconds, the control unit 6 performs the above-described selection of the image data, the detection of the width of the liquid flow from the image data, and various calculations.

制御部６の構成の説明に戻る。制御部６は、既述した０．０１秒毎のレジストの吐出量の算出と、この０．０１秒毎の吐出量から算出される０．１秒毎の吐出圧の推移を示す吐出量推移データの作成と、吐出量推移データに基づいたレジスト塗布モジュール２Ａのポンプ５の吐出圧推移データの補正と、が行えるように構成されている。例えばメモリ６４、６５には、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂについて夫々、撮像期間中に取得された画像データが時系列で保存される。従って、図６、図７で説明した吐出量の算出は、当該メモリ６４、６５内のデータを用いて行われる。   Returning to the description of the configuration of the control unit 6. The control unit 6 calculates the discharge amount of the resist every 0.01 seconds described above, and the discharge amount transition indicating the transition of the discharge pressure every 0.1 seconds calculated from the discharge amount every 0.01 seconds. Data generation and correction of discharge pressure change data of the pump 5 of the resist coating module 2A based on the discharge amount change data can be performed. For example, in the memories 64 and 65, the image data acquired during the imaging period for the resist coating modules 2A and 2B are stored in time series. Therefore, the calculation of the ejection amount described in FIGS. 6 and 7 is performed using the data in the memories 64 and 65.

メモリ６６には、レジストの吐出量とポンプ５の吐出圧との相関関係を規定するデータが格納されている。そして、メモリ６７、６８においてはレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂについてのポンプ５の吐出圧推移データが夫々格納されている。ワーキングメモリ６９は、上記の吐出量推移データの作成や吐出圧推移データの補正など、各種の演算を行う際に用いられるメモリである。   The memory 66 stores data defining the correlation between the resist discharge amount and the pump 5 discharge pressure. In the memories 67 and 68, discharge pressure transition data of the pump 5 for the resist coating modules 2A and 2B are stored, respectively. The working memory 69 is a memory used when performing various calculations such as creation of the discharge amount transition data and correction of the discharge pressure transition data.

続いて、レジスト塗布モジュール２Ａ及び２Ｂにおいて吐出量推移データが取得された後に行われる、吐出状態を揃える動作の一例について説明する。図８は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々の吐出量推移データについて、当該データが取得された撮像期間内のウエハＷの回転数の推移に対応付けて示したチャートである。また、このチャートでは、吐出量推移データを取得したときのモジュール２Ａの回転数の推移と、モジュール２Ｂの回転数の推移とを互いに対応付けて示している。   Next, an example of an operation for aligning the discharge state performed after the discharge amount transition data is acquired in the resist coating modules 2A and 2B will be described. FIG. 8 is a chart showing the discharge amount transition data of the resist coating modules 2A and 2B in association with the transition of the rotation speed of the wafer W within the imaging period for which the data was acquired. Further, in this chart, the transition of the rotational speed of the module 2A and the transition of the rotational speed of the module 2B when the discharge amount transition data is acquired are shown in association with each other.

チャート中、モジュール２Ａ、２Ｂの回転数の推移を、実線の線グラフ、鎖線の線グラフとして夫々表示している。チャートの左側の縦軸はウエハＷの回転数（単位：ｒｐｍ）を示している。チャートの横軸は時間（単位：秒）を示し、ここではレジスト塗布モジュール２Ａの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始する時点を０秒として示している。既述のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間でスピンチャック２２へのウエハＷの載置後にウエハＷの回転数は同様に推移するが、チャートに示す例ではレジスト塗布モジュール２Ｂよりも先にレジスト塗布モジュール２ＡにてウエハＷが載置され、レジスト塗布モジュール２Ｂでは、レジスト塗布モジュール２Ａに対して０．１秒遅れて回転数が推移している。   In the chart, the transition of the number of revolutions of the modules 2A and 2B is displayed as a solid line graph and a chain line graph, respectively. The vertical axis on the left side of the chart represents the rotation speed (unit: rpm) of the wafer W. The horizontal axis of the chart indicates time (unit: seconds), and here, the time point at which the rotation speed of the resist coating module 2A starts to rise from 1000 rpm is shown as 0 seconds. As described above, the rotational speed of the wafer W similarly changes after the wafer W is placed on the spin chuck 22 between the resist coating modules 2A and 2B. However, in the example shown in the chart, the resist coating module 2B is preceded by the resist coating module 2B. The wafer W is placed on the coating module 2A, and the rotation speed of the resist coating module 2B is changed by 0.1 second with respect to the resist coating module 2A.

また、チャート中の棒グラフは吐出量推移データを表し、０．１秒毎の吐出量の推移を示している。チャート中の右側の縦軸はこの棒グラフに対応したレジストの吐出量（単位：ｍＬ）を示している。なお、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの各棒グラフは本来横軸の目盛上に位置するが、棒グラフ同士の重なりによる識別の不具合を避けるために目盛から若干ずらして表示している。   Further, the bar graph in the chart represents the discharge amount transition data, and shows the change of the discharge amount every 0.1 second. The vertical axis on the right side of the chart indicates the resist discharge amount (unit: mL) corresponding to this bar graph. Note that each bar graph of the resist coating modules 2A and 2B is originally positioned on the scale on the horizontal axis, but is displayed slightly shifted from the scale in order to avoid identification problems due to overlapping of the bar graphs.

チャートに示すように、レジスト塗布モジュール２ＢにおいてはウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始する時点でレジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出開始されているが、レジスト塗布モジュール２ＡにおいてはウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始して０．１秒後にレジストが吐出開始されている。つまり、回転数の上昇が開始されるタイミングに対して、レジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出開始されるタイミングが、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間でずれている。また、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間で、夫々レジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出開始されてから、同じ時間が経過したときのレジストの吐出量を比較すると、互いに異なっている。   As shown in the chart, in the resist coating module 2B, the resist starts to be discharged from the resist discharge nozzle 36 when the rotation speed of the wafer W starts to increase from 1000 rpm. In the resist coating module 2A, the rotation speed of the wafer W starts. Is started to rise from 1000 rpm, and the discharge of the resist is started 0.1 seconds later. That is, the timing at which the resist discharge nozzle 36 starts to discharge the resist is shifted between the resist coating modules 2A and 2B with respect to the timing at which the rotation speed starts to rise. Further, when the resist discharge amount is compared between the resist coating modules 2A and 2B when the same time has elapsed since the resist discharge nozzle 36 started to discharge the resist, they are different from each other.

図８に示すような吐出量推移データが得られた場合の補正について、図９のチャートも参照して説明する。図９では鎖線の線グラフにより、モジュール２Ａの吐出圧推移データを示しており、この吐出圧推移データに基づいて図８で説明したレジストの吐出が行われている。つまり、この吐出圧推移データが制御部６のメモリ６７に格納されている。図９のチャートの横軸は、図８のチャートの横軸と同じく時間を示しており、チャートの左側の縦軸、右側の縦軸は、出圧の大きさのレベル、レジストの吐出量を夫々示している。図９では、図８と同様に、取得されたレジスト塗布モジュール２Ａの吐出量推移データを棒グラフで示しており、この棒グラフにはドットを付している。   The correction when the discharge amount transition data as shown in FIG. 8 is obtained will be described with reference to the chart of FIG. In FIG. 9, the discharge pressure transition data of the module 2A is shown by a chain line graph, and the resist discharge described in FIG. 8 is performed based on the discharge pressure transition data. That is, the discharge pressure transition data is stored in the memory 67 of the control unit 6. The horizontal axis of the chart in FIG. 9 indicates time in the same manner as the horizontal axis of the chart in FIG. 8. The vertical axis on the left side of the chart and the vertical axis on the right side indicate the level of the output pressure and the discharge amount of the resist. Each shows. In FIG. 9, similarly to FIG. 8, the obtained discharge amount transition data of the resist coating module 2 </ b> A is shown as a bar graph, and dots are added to this bar graph.

制御部６は、メモリ６６に記憶された吐出圧とレジスト吐出ノズル３６からの吐出量との相関関係を用いて、メモリ６７に格納された上記のモジュール２Ａの吐出圧推移データを、モジュール２Ａ、２Ｂで夫々レジストの吐出が開始された時点から同じ時間経過した時点における吐出量が一致するように補正する。つまり、モジュール２Ａにおけるノズル３６からのレジストの吐出が開始されてからの吐出量の推移が、モジュール２Ｂにおけるノズル３６からのレジストの吐出が開始されてからの吐出量の推移に一致するように、モジュール２Ａの吐出圧推移データが補正される。図９のチャート中、実線の線グラフにより、そのように補正された吐出圧推移データを示している。また、斜線を付した棒グラフは、そのように補正した吐出圧推移データを用いてレジスト塗布処理を行うとしたときに得られる吐出量推移データを示している。   Using the correlation between the discharge pressure stored in the memory 66 and the discharge amount from the resist discharge nozzle 36, the control unit 6 uses the correlation between the discharge pressure transition data of the module 2A stored in the memory 67 as the module 2A, In 2B, correction is made so that the discharge amounts coincide with each other when the same time elapses from when the discharge of the resist is started. That is, the change in the discharge amount after the discharge of the resist from the nozzle 36 in the module 2A starts to coincide with the change in the discharge amount after the discharge of the resist from the nozzle 36 in the module 2B starts. The discharge pressure transition data of the module 2A is corrected. In the chart of FIG. 9, the discharge pressure transition data corrected as described above is indicated by a solid line graph. Further, the hatched bar graph indicates the discharge amount transition data obtained when the resist coating process is performed using the discharge pressure transition data corrected as described above.

然る後、レジストの吐出が開始されるタイミングがずれるように上記のモジュール２Ａの吐出圧推移データが補正される。この補正は、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミングとレジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出されるまでの間隔が、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間で一致するように行われる。図８で説明したように、レジスト塗布モジュール２ＢではウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始すると同時にレジストの吐出が開始されているので、前記間隔が０秒となるようにレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データが補正される。図１０のチャートでは、点線でレジストの吐出開始のタイミングをずらす前の吐出圧推移データを示している。つまり、この点線で示す吐出圧推移データは、図９において実線で示した吐出圧推移データと同じものである。そして図１０のチャート中、実線で吐出開始のタイミングがずれるように補正された吐出圧推移データを示している。   Thereafter, the discharge pressure transition data of the module 2A is corrected so that the timing at which the resist discharge starts is shifted. This correction is performed so that the timing at which the rotation speed of the wafer W starts to rise from 1000 rpm and the interval until the resist is discharged from the resist discharge nozzle 36 coincide between the resist coating modules 2A and 2B. As described with reference to FIG. 8, in the resist coating module 2B, since the resist discharge is started at the same time as the rotation speed of the wafer W starts to increase from 1000 rpm, the resist coating module 2A discharges so that the interval becomes 0 second. The pressure transition data is corrected. In the chart of FIG. 10, discharge pressure transition data before shifting the discharge start timing of the resist is indicated by a dotted line. That is, the discharge pressure transition data indicated by the dotted line is the same as the discharge pressure transition data indicated by the solid line in FIG. In the chart of FIG. 10, the solid line represents the discharge pressure transition data corrected so that the discharge start timing is shifted.

図１１のチャートでは、図９、図１０で説明したようにレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データを補正した後、当該レジスト塗布モジュール２Ａにてレジスト塗布処理を行った場合に得られる吐出量推移データについて、図８と同様に当該モジュール２ＡのウエハＷの回転数の推移に対応付けて示している。また、図１１では比較のため、図８に示したレジスト塗布モジュール２Ｂの吐出量推移データについても、当該モジュール２ＢのウエハＷの回転数の推移に対応付けて示している。   In the chart of FIG. 11, after correcting the discharge pressure transition data of the resist coating module 2A as described in FIGS. 9 and 10, the discharge amount transition obtained when the resist coating process is performed in the resist coating module 2A. The data is shown in association with the change in the number of rotations of the wafer W of the module 2A as in FIG. In FIG. 11, for comparison, the discharge amount transition data of the resist coating module 2B shown in FIG. 8 is also shown in association with the transition of the rotation speed of the wafer W of the module 2B.

この図１１のチャートに示すように、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミングとレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出が開始されるタイミングとの間隔がモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致し、レジスト吐出期間内のレジストの吐出開始から同じ時間経過したときのレジストの吐出量がモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致する。つまりモジュール２Ａ、２Ｂ間でレジストの吐出状態が揃えられている。なお、以上の説明では、理解を容易にするためにレジスト吐出開始後の吐出量の推移を変更するための補正とレジストの吐出開始のタイミングを変更する補正とが段階的に行われるものとしているが、これらの補正が一括で行われるようにしてもよい。   As shown in the chart of FIG. 11, the interval between the timing at which the rotation speed of the wafer W starts to rise from 1000 rpm and the timing at which the resist discharge from the resist discharge nozzle 36 starts coincides between the modules 2A and 2B. The resist discharge amounts when the same time has elapsed from the start of resist discharge within the resist discharge period coincide between the modules 2A and 2B. That is, the resist discharge state is aligned between the modules 2A and 2B. In the above description, in order to facilitate understanding, correction for changing the transition of the discharge amount after the start of resist discharge and correction for changing the timing of starting discharge of the resist are performed in stages. However, these corrections may be performed collectively.

続いて、図１２のフローチャートを適宜参照しながら、上記した塗布、現像装置１の動作を、順を追って説明する。先ず、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂに夫々ウエハＷが搬送され、レジスト塗布処理が行われる（ステップＳ１）。レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ夫々において、レジスト塗布処理が行われることに並行して、予め設定された撮像期間内に０．０１秒間隔で画像データが取得される（ステップＳ２）。   Subsequently, the operation of the coating and developing apparatus 1 will be described in order with reference to the flowchart of FIG. 12 as appropriate. First, the wafer W is transferred to the resist coating modules 2A and 2B, respectively, and a resist coating process is performed (step S1). In each of the resist coating modules 2A and 2B, in parallel with the resist coating processing being performed, image data is acquired at intervals of 0.01 seconds within a preset imaging period (step S2).

撮像期間の終了後、モジュール２Ａ、２Ｂ毎に図６、図７で説明したように画像データから０．０１秒間隔で、レジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量が算出され、それに基づいて図８で例示した吐出量推移データが算出される（ステップＳ３）。そして、モジュール２Ａ、２Ｂの各吐出量推移データが一致しているか、否か判定される（ステップＳ４）。つまり、モジュール２Ａ、２Ｂ間においてノズル３６からの吐出開始時点が揃っているか否か、及び吐出開始時点からの吐出量の推移が互いに揃っているか否かについて判定され、この判定は、モジュール２Aの吐出量の経時変化について異常の有無の検出を行うことに相当する。   After the end of the imaging period, the resist discharge amount from the resist discharge nozzle 36 is calculated at intervals of 0.01 seconds from the image data as described with reference to FIGS. 6 and 7 for each of the modules 2A and 2B. 8 is calculated (step S3). And it is determined whether each discharge amount transition data of module 2A, 2B corresponds (step S4). That is, it is determined whether or not the discharge start time from the nozzle 36 is aligned between the modules 2A and 2B, and whether or not the transition of the discharge amount from the discharge start time is aligned with each other. This corresponds to detecting whether or not there is an abnormality with respect to the change in the discharge amount with time.

撮像期間内における吐出量推移データがモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致していないと判定された場合は、図９、図１０で例示したようにレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データの補正を行う（ステップＳ５）。然る後、モジュール２Ａ、２Ｂに後続のウエハＷを搬送して、レジスト塗布処理を行う（ステップＳ６）。この後続のウエハＷの処理時には、上記の補正が行われていることでモジュール２Ａのレジストの吐出状態は、図１１に例示したようにモジュール２Ｂのレジストの吐出状態に揃えられる。上記の撮像期間内における吐出量推移データがモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致していると判定された場合は、モジュール２Ａの吐出圧推移データの補正は行われずに、モジュール２Ａ、２Ｂにて夫々後続のウエハＷの処理を行う。   When it is determined that the discharge amount transition data within the imaging period does not match between the modules 2A and 2B, the discharge pressure transition data of the resist coating module 2A is corrected as illustrated in FIGS. Step S5). Thereafter, the subsequent wafer W is transferred to the modules 2A and 2B, and a resist coating process is performed (step S6). When the subsequent wafer W is processed, the above-described correction is performed, so that the resist discharge state of the module 2A is aligned with the resist discharge state of the module 2B as illustrated in FIG. When it is determined that the discharge amount transition data within the imaging period is the same between the modules 2A and 2B, the discharge pressure transition data of the module 2A is not corrected and the modules 2A and 2B follow. The wafer W is processed.

この塗布、現像装置１によれば、上記のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間でレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出状態を揃えることができる。つまり、モジュール２Ａ、２Ｂ間でウエハWの回転数の推移とレジスト吐出ノズル３６から吐出されるレジストの吐出量の推移との対応を揃えることができる。さらに詳しくはモジュール２Ａ、２ＢでウエハＷが同じ回転数で回転するときのレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量を揃えることができるので、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂで夫々形成されるレジスト膜について、膜厚の均一性を高くすることができる。   According to the coating / developing apparatus 1, the resist discharge state from the resist discharge nozzle 36 can be made uniform between the resist coating modules 2A and 2B as described above. That is, it is possible to make the correspondence between the change in the rotation speed of the wafer W and the change in the discharge amount of the resist discharged from the resist discharge nozzle 36 between the modules 2A and 2B. More specifically, since the resist discharge amount from the resist discharge nozzle 36 when the wafer W rotates at the same rotation speed in the modules 2A and 2B can be made uniform, the resist films formed by the resist coating modules 2A and 2B respectively. The uniformity of the film thickness can be increased.

図１３のチャートは、図８と同様にモジュール２Ａ、２Ｂについて得られた吐出量推移データの一例を、ウエハＷの回転数に対応付けて示している。吐出量推移データを得たときのモジュール２Ａの回転数、モジュール２Ｂの回転数を夫々、点線の線グラフ、鎖線の線グラフで表している。この例では、レジストの吐出開始からレジストの吐出が終了するまでのレジストの吐出量の推移がモジュール２Ａ、２Ｂ間で揃っており、レジストの吐出開始のタイミングについてモジュール２Ａ、２Ｂ間で揃っていない。この場合は、図１０で説明したようにレジストの吐出開始のタイミングがずれるようにモジュール２Ａの吐出圧推移データを補正し、モジュール２Ａ、２Ｂ間で吐出状態を揃えてもよいが、そのように吐出圧推移データを補正する代わりにモジュール２Ａの回転数の推移について補正してもよい。   The chart of FIG. 13 shows an example of the discharge amount transition data obtained for the modules 2A and 2B in the same manner as FIG. The rotation speed of the module 2A and the rotation speed of the module 2B when the discharge amount transition data is obtained are represented by a dotted line graph and a chain line graph, respectively. In this example, the transition of resist discharge amount from the start of resist discharge to the end of resist discharge is uniform between modules 2A and 2B, and the timing of resist discharge start is not uniform between modules 2A and 2B. . In this case, as described with reference to FIG. 10, the discharge pressure transition data of the module 2A may be corrected so that the discharge start timing of the resist is shifted, and the discharge state may be made uniform between the modules 2A and 2B. Instead of correcting the discharge pressure transition data, the transition of the rotational speed of the module 2A may be corrected.

チャート中に実線の線グラフで、そのように補正したモジュール２Ａの回転数を示している。チャート中に示すように、撮像期間中のウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミング及び２００ｒｐｍに下降開始するタイミングが、レジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出されている期間に対してずらされる。このように回転数を補正した場合は、モジュール２Ａ、２Ｂ間で処理が不均一になることを防ぐために、撮像期間外においてレジストを乾燥させるために回転数が２０００ｒｐｍに上昇開始するタイミング及び２０００ｒｐｍから回転数が低下するタイミングも、１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミング及び２００ｒｐｍに下降開始するタイミングが上記のレジストが吐出される期間に対してずらされたことに追従して、ずらされるようにウエハＷの回転数が制御される。   In the chart, a solid line graph indicates the number of rotations of the module 2A corrected as described above. As shown in the chart, the timing at which the rotation speed of the wafer W during the imaging period starts to rise from 1000 rpm and the timing at which the rotation starts to 200 rpm are shifted with respect to the period during which the resist is ejected from the resist ejection nozzle 36. When the rotational speed is corrected in this way, in order to prevent the processing from becoming uneven between the modules 2A and 2B, the timing at which the rotational speed starts to increase to 2000 rpm in order to dry the resist outside the imaging period and from 2000 rpm. The rotation speed of the wafer W is also shifted so that the timing at which the rotation speed decreases follows the fact that the timing at which the rotation starts from 1000 rpm and the timing at which the rotation starts to 200 rpm are shifted relative to the period during which the resist is discharged. The number is controlled.

上記の例では、レジスト塗布モジュール２Ｂにおいて画像データを取得し、基準データとなる吐出量推移データを取得しているが、予め基準データとして基準の吐出量推移データを制御部６のメモリに格納しておき、レジスト塗布モジュール２Ａの吐出量推移データを取得した後は、当該基準の吐出量推移データに基づいて当該レジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データ及び／または回転数の補正を行ってもよい。   In the above example, the resist coating module 2B acquires image data and acquires discharge amount transition data serving as reference data. However, reference discharge amount transition data is stored in advance in the memory of the control unit 6 as reference data. In addition, after acquiring the discharge amount transition data of the resist coating module 2A, the discharge pressure transition data and / or the rotation speed of the resist coating module 2A may be corrected based on the reference discharge amount transition data. .

また、上記のようにモジュール２Ａの吐出圧推移データを自動で補正することには限られない。例えば塗布、現像装置１において、対処部として制御部６に接続されるアラーム発生器を設けて、上記の図１２のフローチャートのステップＳ１〜Ｓ４に従って処理を行い、モジュール２Ａ、２Ｂの吐出量推移データが一致していないと判定される場合には、アラーム発生器からアラームが発生するように制御部６から制御信号が送信されるようにすると共に、搬送機構１２によるモジュール２Ａへの後続のウエハＷの搬送を一旦停止させるようにする。   Further, it is not limited to automatically correcting the discharge pressure transition data of the module 2A as described above. For example, in the coating / developing apparatus 1, an alarm generator connected to the control unit 6 is provided as a coping unit, and processing is performed according to steps S1 to S4 in the flowchart of FIG. Is determined not to match, a control signal is transmitted from the control unit 6 so that an alarm is generated from the alarm generator, and the subsequent wafer W to the module 2A by the transfer mechanism 12 is transmitted. Is temporarily stopped.

アラーム発生器は例えばスピーカーやディスプレイであり、上記のアラームの発生は例えば警告音の発生や、画面における所定の文字やマークの表示である。このようにアラームが発生された場合は、取得されたモジュール２Ａ、２Ｂの吐出量推移データに基づいて、互いのレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態が揃うように、例えばユーザーが手動でモジュール２Ａの吐出圧推移データを補正する。この補正後に搬送機構１２により、後続のウエハＷがモジュール２Ａに搬送され、レジスト塗布処理される。   The alarm generator is, for example, a speaker or a display, and the generation of the alarm is, for example, generation of a warning sound or display of predetermined characters or marks on the screen. When an alarm is generated in this way, for example, the user manually selects the module 2A so that the discharge states from the resist discharge nozzles 36 are aligned based on the acquired discharge amount transition data of the modules 2A and 2B. Correct the discharge pressure transition data. After this correction, the subsequent wafer W is transferred to the module 2A by the transfer mechanism 12 and subjected to a resist coating process.

レジストの液流を撮像することができれば、カメラ３８はアーム３３に設けられていなくてよく、例えばカップ体２５に設けられていてもよい。また、レジスト吐出ノズル３６の吐出口３７については円形に開口されることに限られず、例えば平面視正方形に開口していてもよく、その場合は液流の断面が正方形であるものとして演算を行い、吐出量を算出することができる。また、薬液としてはレジストに限られず、反射防止膜形成用の薬液や絶縁膜形成用の薬液及び基板同士を貼り合わせるための接着剤などを塗布する場合にも本発明の手法を用いることができる。   As long as the liquid flow of the resist can be imaged, the camera 38 may not be provided on the arm 33, and may be provided on the cup body 25, for example. Further, the discharge port 37 of the resist discharge nozzle 36 is not limited to being opened in a circular shape, and may be opened, for example, in a square in plan view. In this case, the calculation is performed assuming that the cross section of the liquid flow is a square. The discharge amount can be calculated. Further, the chemical solution is not limited to a resist, and the method of the present invention can also be used when applying a chemical solution for forming an antireflection film, a chemical solution for forming an insulating film, and an adhesive for bonding substrates together. .

図１４〜図１６に、レジスト膜除去装置をなす塗布、現像装置１の詳細な構成の一例を示す。図１４、１５、１６は夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ３に前記露光装置Ｄ４が接続されている。以降の説明ではブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向を前後方向とする。キャリアブロックＤ１は、キャリア１１を塗布、現像装置１内に対して搬入出し、キャリア１１の載置台７１と、開閉部７２と、開閉部７２を介してキャリア１１からウエハＷを搬送するための移載機構７３とを備えている。   FIG. 14 to FIG. 16 show an example of a detailed configuration of the coating and developing apparatus 1 constituting the resist film removing apparatus. 14, 15 and 16 are a plan view, a perspective view and a schematic longitudinal side view of the coating and developing apparatus 1, respectively. The coating and developing apparatus 1 is configured by connecting a carrier block D1, a processing block D2, and an interface block D3 in a straight line. The exposure apparatus D4 is connected to the interface block D3. In the following description, the arrangement direction of the blocks D1 to D3 is the front-rear direction. The carrier block D <b> 1 applies the carrier 11, carries it in / out of the developing device 1, and transfers the wafer W from the carrier 11 via the mounting table 71, the opening / closing unit 72, and the opening / closing unit 72. And a mounting mechanism 73.

処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。この例では、図１５に示すように下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられている。同じ単位ブロックにおいて互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。   The processing block D2 is configured by laminating first to sixth unit blocks E1 to E6 for performing liquid processing on the wafer W in order from the bottom. For convenience of explanation, “BCT” is a process for forming a lower antireflection film on the wafer W, “COT” is a process for forming a resist film on the wafer W, and a process for forming a resist pattern on the exposed wafer W is performed. Sometimes expressed as “DEV”. In this example, as shown in FIG. 15, two BCT layers, COT layers, and DEV layers are stacked from the bottom. The wafer W is transferred and processed in parallel in the same unit block.

ここでは単位ブロックのうち代表してＣＯＴ層Ｅ３を、図１４を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域７４の左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置され、他方側には液処理モジュールである上記のレジスト塗布モジュール２Ａ、保護膜形成モジュールＩＴＣが前後方向に並べて設けられている。保護膜形成モジュールＩＴＣは、レジスト膜上に所定の処理液を供給し、当該レジスト膜を保護する保護膜を形成する。棚ユニットＵは、加熱モジュールを備えている。前記搬送領域７４には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＦ３が設けられている。   Here, as a representative of the unit blocks, the COT layer E3 will be described with reference to FIG. A plurality of shelf units U are arranged in the front-rear direction on the left and right sides of the conveyance region 74 from the carrier block D1 to the interface block D3, and the resist coating module 2A, which is a liquid processing module, is formed on the other side. ITCs are provided side by side in the front-rear direction. The protective film forming module ITC supplies a predetermined processing liquid onto the resist film and forms a protective film for protecting the resist film. The shelf unit U includes a heating module. In the transfer area 74, a transfer arm F3, which is a transfer mechanism of the wafer W, is provided.

ＣＯＴ層Ｅ４はＣＯＴ層Ｅ３と同様に構成されており、レジスト塗布モジュールとして、２Ａの代わりに２Ｂが設けられている。他の単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ５及びＥ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＥ３、Ｅ４と同様に構成される。単位ブロックＥ１、Ｅ２は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＥ５、Ｅ６は、現像モジュールを備える。図１６では各単位ブロックＥ１〜Ｅ６の搬送アームはＦ１〜Ｆ６として示している。   The COT layer E4 is configured in the same manner as the COT layer E3, and 2B is provided as a resist coating module instead of 2A. The other unit blocks E1, E2, E5 and E6 are configured in the same manner as the unit blocks E3 and E4 except that the chemicals supplied to the wafer W are different. The unit blocks E1 and E2 include an antireflection film forming module instead of the resist coating modules 2A and 2B, and the unit blocks E5 and E6 include a developing module. In FIG. 16, the transfer arms of the unit blocks E1 to E6 are shown as F1 to F6.

処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム７５とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュール、及びウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが含まれている。説明を簡素化するために、前記疎水化処理モジュール、温調モジュール、前記バッファモジュールについての図示は省略している。   On the carrier block D1 side in the processing block D2, a tower T1 that extends vertically across the unit blocks E1 to E6 and a transfer arm 75 that is a transfer mechanism that can be moved up and down to transfer the wafer W to the tower T1. And are provided. The tower T1 is composed of a plurality of modules stacked on each other, and the module provided at each height of the unit blocks E1 to E6 is a wafer W between the transfer arms F1 to F6 of the unit blocks E1 to E6. Can be handed over. As these modules, a delivery module TRS provided at the height position of each unit block, a temperature control module CPL for adjusting the temperature of the wafer W, a buffer module for temporarily storing a plurality of wafers W, and a wafer W A hydrophobizing module for hydrophobizing the surface of the surface is included. In order to simplify the description, the hydrophobic treatment module, the temperature control module, and the buffer module are not shown.

インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム７６と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム７７と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム７８が設けられている。   The interface block D3 includes towers T2, T3, and T4 extending vertically across the unit blocks E1 to E6. The interface block D3 is a transfer mechanism that can be moved up and down to transfer the wafer W to the tower T2 and the tower T3. An interface arm 76, an interface arm 77 that is a transfer mechanism that can be moved up and down to transfer the wafer W to the tower T2 and the tower T4, and a wafer W between the tower T2 and the exposure apparatus D4. An interface arm 78 is provided.

タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここでは、バッファモジュール及び温調モジュールの図示は省略する。この塗布、現像装置１においては、ウエハＷが載置される場所をモジュールと記載する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。図１で説明した搬送機構１２は、搬送アームＦ１〜Ｆ４、移載機構７３及び受け渡しアーム７５が相当する。   The tower T2 includes a delivery module TRS, a buffer module for storing and retaining a plurality of wafers W before exposure processing, a buffer module for storing a plurality of wafers W after exposure processing, and a temperature for adjusting the temperature of the wafers W. Although the adjustment module and the like are stacked on each other, illustration of the buffer module and the temperature adjustment module is omitted here. In the coating and developing apparatus 1, a place where the wafer W is placed is described as a module. The towers T3 and T4 are also provided with modules, but the description thereof is omitted here. The transport mechanism 12 described in FIG. 1 corresponds to the transport arms F1 to F4, the transfer mechanism 73, and the transfer arm 75.

この塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４からなるシステムの通常の処理動作が行われる際のウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷは、キャリア１１から移載機構７３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは、受け渡しアーム７５により行われる。   A transport path of the wafer W when a normal processing operation of the system including the coating and developing apparatus 1 and the exposure apparatus D4 is performed will be described. The wafer W is transferred from the carrier 11 by the transfer mechanism 73 to the transfer module TRS0 of the tower T1 in the processing block D2. The wafer W is transferred from the delivery module TRS0 to the unit blocks E1 and E2 and transferred. For example, when the wafer W is transferred to the unit block E1, among the transfer modules TRS of the tower T1, the transfer module TRS1 corresponding to the unit block E1 (the transfer module capable of transferring the wafer W by the transfer arm F1). The wafer W is transferred from the TRS0. When the wafer W is transferred to the unit block E2, the wafer W is transferred from the TRS0 to the transfer module TRS2 corresponding to the unit block E2 among the transfer modules TRS of the tower T1. Delivery of these wafers W is performed by the delivery arm 75.

このように振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、続いて受け渡しアーム７５により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。   The wafer W thus distributed is transported in the order of TRS1 (TRS2) → antireflection film forming module → heating module → TRS1 (TRS2), and then a transfer module TRS3 corresponding to the unit block E3 by the transfer arm 75; It is distributed to the delivery module TRS4 corresponding to the unit block E4.

このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）→レジスト塗布モジュール２Ａまたは２Ｂ→加熱モジュール→保護膜形成モジュールＩＴＣ→加熱モジュール→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳの順で搬送される。然る後、このウエハＷは、インターフェイスアーム７６、７８により、タワーＴ３を介して露光装置Ｄ４へ搬入される。露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム７７によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に夫々搬送される。然る後、加熱モジュール→現像モジュール→加熱モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳに搬送された後、移載機構７３を介してキャリア１１に戻される。   The wafers W thus distributed to TRS3 and TRS4 are transported in the order of TRS3 (TRS4) → resist coating module 2A or 2B → heating module → protective film forming module ITC → heating module → tower T2 delivery module TRS. . Thereafter, the wafer W is loaded into the exposure apparatus D4 through the tower T3 by the interface arms 76 and 78. The exposed wafer W is transferred between the towers T2 and T4 by the interface arm 77 and transferred to the transfer modules TRS5 and TRS6 of the tower T2 corresponding to the unit blocks E5 and E6, respectively. Then, after being transported to the heating module → developing module → heating module → delivery module TRS, it is returned to the carrier 11 via the transfer mechanism 73.

１ 塗布、現像装置
２Ａ、２Ｂ レジスト塗布モジュール
２２ スピンチャック
３６ レジスト吐出ノズル
３８ カメラ
３９ 撮像領域
５ ポンプ
５５ 駆動手段
６ 制御部
６０ プログラム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Application | coating and image development apparatus 2A, 2B Resist application module 22 Spin chuck 36 Resist discharge nozzle 38 Camera 39 Imaging area 5 Pump 55 Drive means 6 Control part 60 Program

Claims (10)

基板に薬液を供給して液処理を行う液処理方法において、
一のポンプから一のノズルに供給された薬液を当該一のノズルから吐出して液流を形成する工程と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像し、画像データを取得する工程と、
前記画像データから、薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得する工程と、
前記経時変化に関するデータと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処工程と、
を備えることを特徴とする液処理方法。 In a liquid processing method for supplying a chemical to a substrate and performing liquid processing,
A step of discharging a chemical solution supplied from one pump to one nozzle to form a liquid flow from the one nozzle;
Repetitively imaging the area where the liquid flow is formed, and obtaining image data;
A step of acquiring data relating to the temporal change in the discharge amount of the chemical liquid from the image data;
Based on the data on the change over time and the reference data, detecting the presence or absence of abnormality with respect to the change over time, and dealing with the abnormality,
A liquid treatment method comprising: 前記対処工程は、前記一のポンプから前記一のノズルへの薬液の供給量の経時変化を規定するパラメータを補正する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 1, wherein the coping step includes a step of correcting a parameter defining a change with time of a supply amount of the chemical solution from the one pump to the one nozzle. 前記液処理は、基板の回転数を経時変化させることにより行われ、
前記基準データは、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係であり、
前記パラメータを補正する工程は、前記基準データに対して、基板の回転数の経時変化と前記一のノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係が適合するように行われることを特徴とする請求項２記載の液処理方法。 The liquid treatment is performed by changing the rotation speed of the substrate over time,
The reference data is a correspondence relationship between the temporal change in the rotation speed of the substrate and the temporal change in the discharge amount of the chemical liquid discharged from the nozzle.
The step of correcting the parameter is performed so that the correspondence between the time-dependent change in the number of rotations of the substrate and the time-dependent change in the discharge amount of the chemical discharged from the one nozzle matches the reference data. The liquid processing method according to claim 2. 他のポンプから他のノズルに供給された薬液を当該他のノズルから吐出して液流を形成する工程と、
前記他のノズルからの液流が形成される領域を繰り返し撮像し、画像データを取得する工程と、
前記画像データから、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係を前記基準データとして取得する工程と、
を含むことを特徴とする請求項３記載の液処理方法。 A step of discharging a chemical solution supplied from another pump to another nozzle from the other nozzle to form a liquid flow;
Repetitively imaging a region where a liquid flow from the other nozzle is formed to obtain image data;
From the image data, obtaining a correspondence relationship between the temporal change in the rotation speed of the substrate and the temporal change in the discharge amount of the chemical liquid discharged from the nozzle as the reference data;
The liquid processing method of Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記パラメータは、前記ポンプにおける薬液を吐出させるための圧力であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 1, wherein the parameter is a pressure for discharging a chemical liquid in the pump. 前記薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得する工程は、
前記画像データに基づいて液流の幅と、単位時間あたりの液流の端部の移動距離とを検出する工程と、を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の液処理方法。 The step of acquiring data relating to the change over time of the discharge amount of the chemical solution,
6. The method according to claim 1, further comprising: detecting a width of the liquid flow and a moving distance of an end of the liquid flow per unit time based on the image data. Liquid processing method. 基板にノズルから薬液を吐出して液処理を行う液処理装置において、
前記ノズルに薬液を供給するためのポンプと、
前記ノズルから吐出された薬液の液流が形成される領域を撮像し、画像データを取得するための撮像部と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像して得られる画像データから薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得し、当該データと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処部と、
を備えることを特徴とする液処理装置。 In a liquid processing apparatus that performs liquid processing by discharging a chemical from a nozzle to a substrate,
A pump for supplying a chemical to the nozzle;
An imaging unit for capturing an image of a region where a liquid flow of the chemical liquid discharged from the nozzle is formed, and acquiring image data;
Acquires data related to changes over time in the discharge amount of chemical liquid from image data obtained by repeatedly imaging the region where the liquid flow is formed, and detects the presence or absence of abnormalities in the changes over time based on the data and reference data A coping section for coping with the abnormality,
A liquid processing apparatus comprising: 前記対処部は、
前記一のポンプから前記一のノズルへの薬液の供給量の経時変化を規定するパラメータを記憶するメモリと、
前記メモリのパラメータに基づいて前記薬液の供給量を調整する調整機構と、
前記異常が検出されたときに、前記メモリのパラメータを補正する補正部と、
により構成されることを特徴とする請求項７記載の液処理装置。 The coping section is
A memory for storing a parameter for defining a change over time in a supply amount of the chemical solution from the one pump to the one nozzle;
An adjustment mechanism for adjusting the supply amount of the chemical solution based on the parameters of the memory;
A correction unit that corrects the parameters of the memory when the abnormality is detected;
The liquid processing apparatus according to claim 7, comprising: 前記液処理は、基板の回転数を経時変化させることにより行われ、
前記基準データは、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係であり、
前記補正部は、前記基準データに対して、基板の回転数の経時変化と前記一のノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係が適合するように補正することを特徴とする請求項８記載の液処理装置。 The liquid treatment is performed by changing the rotation speed of the substrate over time,
The reference data is a correspondence relationship between the temporal change in the rotation speed of the substrate and the temporal change in the discharge amount of the chemical liquid discharged from the nozzle.
The correction unit corrects the reference data so that a correspondence relationship between a temporal change in the number of rotations of the substrate and a temporal change in the discharge amount of the chemical liquid discharged from the one nozzle is adapted. The liquid processing apparatus according to claim 8. 基板にノズルから薬液を供給して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし６のいずれか一つに記載された液処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 A storage medium for storing a computer program used in a liquid processing apparatus for supplying a chemical solution from a nozzle to a substrate to perform liquid processing,
A storage medium characterized in that the computer program includes a group of steps so as to execute the liquid processing method according to any one of claims 1 to 6.
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