KR102339249B1 - Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium - Google Patents
Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium Download PDFInfo
- Publication number
- KR102339249B1 KR102339249B1 KR1020170062714A KR20170062714A KR102339249B1 KR 102339249 B1 KR102339249 B1 KR 102339249B1 KR 1020170062714 A KR1020170062714 A KR 1020170062714A KR 20170062714 A KR20170062714 A KR 20170062714A KR 102339249 B1 KR102339249 B1 KR 102339249B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- processing
- wafer
- bevel
- discharge nozzle
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
표면의 주연을 따라 베벨부가 형성된 원형의 기판의 당해 베벨부를 포함하는 환상 영역에 처리액을 공급하여 처리를 행하는 데 있어서, 당해 환상 영역의 폭을 고정밀도로 제어한다.
원형의 기판(웨이퍼(W))에 대해, 상기 베벨부(B)의 형상의 정보를 취득하는 공정과, 계속해서, 상기 처리액(시너(30))을 상기 기판의 표면에 국소적으로 토출하는 처리액 토출 노즐(44)을, 취득된 상기 베벨부(B)의 형상의 정보에 기초하여 결정되는 처리 위치로 이동시키는 공정과, 그러한 후, 상기 처리 위치에 있어서의 처리액 토출 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 상기 처리액을 토출하고, 상기 베벨부를 포함하는 당해 기판의 주연을 따른 환상 영역에 상기 처리액을 공급하는 공정을 실시한다.When processing is performed by supplying a treatment liquid to an annular region including the beveled portion of a circular substrate in which the beveled portion is formed along the periphery of the surface, the width of the annular region is controlled with high precision.
A step of acquiring information on the shape of the bevel portion B with respect to a circular substrate (wafer W), and then, locally discharging the processing liquid (thinner 30) to the surface of the substrate moving the processing liquid discharge nozzle 44 to a processing position determined based on the acquired shape information of the bevel part B, and then rotate from the processing liquid discharge nozzle at the processing position a step of discharging the processing liquid to the substrate, and supplying the processing liquid to an annular region along the periphery of the substrate including the bevel portion.
Description
본 발명은, 원형의 기판의 표면의 주연을 따른 환상 영역에 처리액을 공급하는 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid processing method, a liquid processing apparatus, and a storage medium for supplying a processing liquid to an annular region along the periphery of the surface of a circular substrate.
기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼에 대한 액 처리 중 하나로서, 당해 웨이퍼의 주위를 따라 환상으로 처리액을 공급하는 처리가 행해지는 경우가 있다. 이러한 액 처리의 구체적인 일례로서는, 표면에 레지스트막 등의 막이 형성된 웨이퍼에 대해 처리액으로서 막의 용해액을 공급하여 불필요한 막을 환상으로 제거하는 주연부 막 제거 처리(EBR(Edge Bead Removal) 처리)가 있다. 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 이 EBR 처리에서는 스핀 척에 적재되어 회전하는 웨이퍼의 표면의 주연부에, 노즐로부터 국소적으로 처리액이 토출된다. 처리액은 원심력의 작용에 의해 웨이퍼의 주위 단부를 향하므로, 웨이퍼에 있어서의 처리액이 토출되는 위치가 조정됨으로써, 막이 제거되는 영역의 폭(커트 폭)이 제어된다.In the photolithography process of forming a resist pattern on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) as a substrate, as one of the liquid processes on the wafer, a process of supplying a process liquid annularly along the periphery of the wafer is performed there is As a specific example of such a liquid treatment, there is a peripheral film removal treatment (EBR (Edge Bead Removal) treatment) in which a film solution is supplied as a treatment liquid to a wafer on which a film such as a resist film is formed on the surface to remove unnecessary films in an annular shape. For example, as described in
반도체 디바이스의 제조 비용을 삭감하기 위해, 1매의 웨이퍼로 제조 가능한 당해 반도체 디바이스가 되는 칩의 수를 증대시키는 것이 검토되고 있고, 그러기 위해 웨이퍼에 있어서 칩을 형성하는 것이 가능한 유효 영역을 웨이퍼의 주위 단부를 향해 확대시키는 것이 요구되고 있다. 이러한 요청으로부터 상기한 EBR 처리에 대해서는, 상기한 커트 폭을 더 좁게 한 후, 설정값에 대한 오차를 더 억제할 수 있도록 당해 커트 폭을 고정밀도로 제어하는 것이 요구되고 있다.In order to reduce the manufacturing cost of a semiconductor device, increasing the number of chips used as the semiconductor device that can be manufactured from one wafer is being studied. It is desired to enlarge towards the end. In response to such a request, in the EBR process described above, after the cut width is further narrowed, it is required to control the cut width with high precision so that an error with respect to a set value can be further suppressed.
그런데, 웨이퍼의 표면의 주연에는 베벨부가 형성되어 있다. 뒤에서 상세하게 서술하지만, 커트 폭이 비교적 좁아지도록 EBR 처리를 행하는 경우, 당해 커트 폭은, 이 베벨부의 형상의 영향을 받아, 설정값으로부터 어긋나 버리는 것이 확인되어 있다. 그리고, 이 베벨부의 형상은 웨이퍼에 따라 다양하다는 점에서, 웨이퍼 사이에서 커트 폭에 변동이 발생해 버릴 우려가 있다.By the way, a bevel part is formed on the periphery of the surface of a wafer. Although described in detail later, when EBR processing is performed so that a cut width may become comparatively narrow, the said cut width is influenced by the shape of this bevel part, and it is confirmed that it deviates from a set value. And since the shape of this bevel part varies with wafers, there exists a possibility that the cut width may fluctuate|occur|produce between wafers.
본 발명은, 이러한 사정에 기초하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 표면의 주연을 따라 베벨부가 형성된 원형의 기판의 당해 베벨부를 포함하는 환상 영역에 처리액을 공급하여 처리를 행하는 데 있어서, 당해 환상 영역의 폭을 고정밀도로 제어할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to supply a treatment liquid to an annular region including the bevel portion of a circular substrate having a bevel portion formed along the periphery of the surface to perform treatment, It is to provide a technology that can control the width with high precision.
본 발명의 액 처리 방법은, 표면의 주연을 따라 베벨부가 형성된 원형의 기판에 처리액을 공급하여 처리를 행하는 액 처리 방법에 있어서,The liquid treatment method of the present invention is a liquid treatment method in which treatment is performed by supplying a treatment liquid to a circular substrate having a bevel portion formed along the periphery of the surface,
상기 베벨부의 형상의 정보를 취득하는 공정과,obtaining information on the shape of the bevel part;
계속해서, 상기 처리액을 상기 기판의 표면에 국소적으로 토출하는 처리액 토출 노즐을, 취득된 상기 베벨부의 형상의 정보에 기초하여 설정되는 처리 위치로 이동시키는 공정과,then, moving a processing liquid discharge nozzle for locally discharging the processing liquid to the surface of the substrate to a processing position set based on the obtained information on the shape of the bevel portion;
그러한 후, 상기 처리 위치에 있어서의 처리액 토출 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 상기 처리액을 토출하고, 상기 베벨부를 포함하는 당해 기판의 주연을 따른 환상 영역에 상기 처리액을 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.thereafter, discharging the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle at the processing position to the rotating substrate, and supplying the processing liquid to an annular region along the periphery of the substrate including the bevel portion; characterized in that
본 발명의 액 처리 장치는, 표면의 주연을 따라 베벨부가 형성된 원형의 기판에 처리액을 공급하여 처리를 행하는 액 처리 장치에 있어서,A liquid processing apparatus of the present invention is a liquid processing apparatus that performs processing by supplying a processing liquid to a circular substrate having a bevel portion formed along a periphery of a surface thereof,
상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, a substrate holding portion for holding the substrate;
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판을 회전시키는 회전 기구와,a rotating mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding unit;
상기 기판의 표면에 국소적으로 상기 처리액을 토출하는 처리액 토출 노즐과,a treatment liquid discharge nozzle for discharging the treatment liquid locally on the surface of the substrate;
상기 기판의 표면에 있어서 상기 처리액이 토출되는 위치가 상기 기판의 직경 방향을 따라 이동하도록, 당해 처리액 토출 노즐을 이동시키는 이동 기구와,a moving mechanism for moving the processing liquid discharge nozzle so that a position at which the processing liquid is discharged on the surface of the substrate moves in a radial direction of the substrate;
상기 베벨부의 형상의 정보를 취득하는 스텝과, 상기 처리액 토출 노즐을 당해 베벨부의 형상의 정보에 기초하여 설정되는 처리 위치로 이동시키는 스텝과, 당해 처리 위치에 있어서의 처리액 토출 노즐로부터 상기 처리액을 토출하여 상기 베벨부를 포함하는 당해 기판의 주연을 따른 환상 영역에 상기 처리액을 공급하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.obtaining information on the shape of the bevel part; moving the processing liquid discharge nozzle to a processing position set based on information on the shape of the bevel part; and a control unit for outputting a control signal so as to discharge the liquid and supply the processing liquid to an annular region along the periphery of the substrate including the bevel portion.
본 발명의 기억 매체는, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 액 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며, 상기 컴퓨터 프로그램은 상기한 액 처리 방법을 실행하기 위해 스텝이 조성되어 있는 것을 특징으로 한다.The storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to the surface of a substrate, wherein the computer program includes steps for executing the liquid processing method. characterized.
본 발명에 따르면, 취득된 베벨부의 형상의 정보에 기초하여 결정되는 처리 위치로 처리액 토출 노즐을 이동시켜, 당해 처리액 토출 노즐로부터 회전하는 기판에 처리액을 공급한다. 따라서, 베벨부의 형상의 영향에 의해 처리액이 공급되는 범위가 변동되는 것을 억제할 수 있으므로, 처리액이 공급되는 환상 영역의 폭을 고정밀도로 제어할 수 있다.According to the present invention, the processing liquid discharge nozzle is moved to a processing position determined based on the obtained information on the shape of the bevel part, and the processing liquid is supplied from the processing liquid discharge nozzle to the rotating substrate. Accordingly, it is possible to suppress variations in the range to which the processing liquid is supplied due to the influence of the shape of the bevel portion, so that the width of the annular region to which the processing liquid is supplied can be controlled with high precision.
도 1은 본 발명이 적용된 도포, 현상 장치의 개략도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치를 구성하는 촬상 모듈의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치를 구성하는 레지스트막 형성 모듈의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 레지스트막 형성 모듈의 횡단 평면도이다.
도 5는 상기 레지스트막 형성 모듈에 의한 EBR 처리 시의 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 레지스트막 형성 모듈에 의한 EBR 처리 시의 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 7은 상기 EBR 처리에 의해 막이 제거되는 전후의 웨이퍼를 각각 도시하는 평면도이다.
도 8은 웨이퍼의 주연부를 도시하는 종단 측면도이다.
도 9는 설정되는 커트 폭에 의해 웨이퍼에 공급되는 시너의 위치를 도시하기 위한 모식도이다.
도 10은 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 제어부의 구성도이다.
도 11은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 처리 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 12는 다른 촬상 모듈을 도시하는 횡단 평면도이다.
도 13은 웨이퍼의 주연부를 도시하는 종단 측면도이다.
도 14는 다른 레지스트막 형성 모듈을 도시하는 종단 측면도이다.
도 15는 상기 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 16은 상기 도포, 현상 장치의 사시도이다.
도 17은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 18은 또 다른 레지스트막 형성 모듈을 도시하는 사시도이다.
도 19는 상기 도포, 현상 장치를 포함하는 시스템의 블록도이다.
도 20은 웨이퍼의 주연부를 도시하는 종단 측면도이다.
도 21은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.1 is a schematic diagram of a coating and developing apparatus to which the present invention is applied.
Fig. 2 is a longitudinal side view of an imaging module constituting the coating and developing apparatus.
3 is a longitudinal side view of a resist film forming module constituting the coating and developing apparatus.
4 is a cross-sectional plan view of the resist film forming module.
Fig. 5 is a longitudinal side view of the wafer during EBR processing by the resist film forming module.
6 is a longitudinal side view of the wafer during EBR processing by the resist film forming module.
Fig. 7 is a plan view showing each of the wafers before and after the film is removed by the EBR process.
Fig. 8 is a longitudinal side view showing the periphery of the wafer;
Fig. 9 is a schematic diagram showing the position of the thinner supplied to the wafer by the set cut width.
10 is a block diagram of a control unit installed in the coating and developing apparatus.
11 is a flowchart showing a processing step in the coating and developing apparatus.
12 is a cross-sectional plan view showing another imaging module.
Fig. 13 is a longitudinal side view showing the periphery of the wafer;
Fig. 14 is a longitudinal side view showing another resist film forming module;
15 is a plan view of the coating and developing apparatus.
16 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
Fig. 17 is a longitudinal side view of the coating and developing apparatus.
Fig. 18 is a perspective view showing another resist film forming module.
19 is a block diagram of a system including the coating and developing apparatus.
20 is a longitudinal side view showing the periphery of the wafer.
It is a graph which shows the result of an evaluation test.
(제1 실시 형태)(First embodiment)
본 발명에 관한 액 처리 장치가 적용된 제1 실시 형태의 도포, 현상 장치(1)에 대해, 개략 구성도인 도 1을 참조하면서 설명한다. 도포, 현상 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광 후의 레지스트막을 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성한다. 도포, 현상 장치(1)에는, 이 레지스트막의 노광을 행하는 노광 장치(11)가 접속되어 있다.A coating and developing
도면 중 부호 2는 촬상 모듈이며, 레지스트막의 형성 전의 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하여 화상 데이터를 취득하고, 당해 화상 데이터를 도포, 현상 장치(1)에 설치되는 제어부(10)로 송신한다. 도면 중 부호 3은 레지스트막 형성 모듈이다. 이 레지스트막 형성 모듈(3)은, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막의 형성을 행하는 것 외에, 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에 있어서의 레지스트막에, 레지스트의 용제인 시너를 공급하여, 당해 주연부의 불필요한 레지스트막을 환상으로 제거한다. 즉, 시너는 레지스트막을 용해하여 제거하는 제거액이며, 레지스트막 형성 모듈(3)에서는 발명의 배경이 되는 기술의 항목에서 설명한 EBR 처리가 행해진다. 이 EBR 처리는, 상기한 화상 데이터에 기초하여, 제어부(10)가 레지스트막 형성 모듈(3)의 동작을 제어함으로써 행해진다. 촬상 모듈(2), 레지스트막 형성 모듈(3) 및 제어부(10)에 의해, 본 발명의 액 처리 장치가 구성된다.
도면 중 부호 12는, 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하여 상기한 현상을 행하는 현상 모듈이다. 도면 중 부호 C는, 웨이퍼(W)를 격납한 상태에서 도포, 현상 장치(1)로 반송되는 캐리어이다. 도포, 현상 장치(1)는 웨이퍼(W)의 반송 기구를 구비하고 있고, 이 반송 기구에 의해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어, 촬상 모듈(2), 레지스트막 형성 모듈(3), 노광 장치(11), 현상 모듈(12)의 순으로 반송하여, 캐리어(C)로 복귀시킬 수 있다. 도면 중의 실선의 화살표는, 이 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타내고 있다. 또한, 도면 중의 점선의 화살표는, 상기한 화상 데이터의 송신 경로를 나타내고, 쇄선의 화살표는 레지스트막 형성 모듈(3)의 동작을 제어하는 제어 신호의 송신 경로를 나타내고 있다.
계속해서, 도 2의 종단 측면도를 참조하여 촬상 모듈(2)에 대해 설명한다. 도면 중 부호 21은, 웨이퍼(W)의 반송구(22)를 구비한 하우징이며, 하우징(21) 내에는 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 흡착하여, 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지하는 적재대(23)가 설치되어 있다. 이 적재대(23)는, 수평 구동부(24)에 의해 가이드 레일(25)을 따라 하우징(21) 내를 수평으로 이동한다. 이 적재대(23)의 이동 방향을 전후 방향으로 하면, 당해 웨이퍼(W)의 이동로의 상방에는 좌우로 신장되는 가로로 긴 하프 미러(26)가 설치되어 있다. 또한, 하프 미러(26)의 상방에는 당해 하프 미러(26)를 통해 하방으로 광을 조사하는 가로로 긴 조명부(27)가 설치되어 있다. 도면 중 부호 28은 촬상부인 카메라이다.Next, with reference to the longitudinal side view of FIG. 2, the
조명부(27)로부터 조사되는 광이 하프 미러(26)를 통과하여, 하프 미러(26)의 하방을 이동하는 웨이퍼(W)에 조사되어 당해 웨이퍼(W)에서 반사하고, 이 반사광이 하프 미러(26)에 의해 다시 반사되어 카메라(28)에 조사됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면의 일부의 촬상을 행할 수 있도록, 하프 미러(26), 조명부(27) 및 카메라(28)가 각각 배치되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이동 중에 카메라(28)의 촬상이 단속적으로 행해짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 촬상할 수 있다. 이 카메라(28)의 촬상에 의해 취득되는 화상 데이터는, 도 1에 도시하는 도포, 현상 장치(1)에 설치되는 제어부(10)로 송신된다.Light irradiated from the illumination unit 27 passes through the half mirror 26, is irradiated to the wafer W moving below the half mirror 26, is reflected by the wafer W, and the reflected light is The half mirror 26, the lighting unit 27, and the
계속해서, 레지스트막 형성 모듈(3)에 대해, 도 3의 종단 측면도, 도 4의 평면도, 또한 필요에 따라서 도 5의 웨이퍼의 종단 측면도를 참조하여 설명한다. 레지스트막 형성 모듈(3)은, 제어부(10)와 함께 본 발명의 액 처리 장치를 구성한다. 도면 중 부호 31은, 기판 보유 지지부를 이루는 스핀 척이며, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 당해 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지한다. 부호 32는 회전 기구이며, 스핀 척(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)가 연직축 주위로 회전하도록, 당해 스핀 척(31)을 회전시킨다. 도면 중 부호 33은, 스핀 척(31)과, 반송 기구 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 3개의 승강 핀이며, 승강 기구(34)에 의해 승강한다.Next, the resist
도면 중 부호 35는 컵이며, 스핀 척(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치되어 있다. 컵(35)의 저면에는 액체 배출구(36)가 개구되어 있다. 웨이퍼(W)로부터 컵(35) 내로 넘치거나, 웨이퍼(W)로부터 비산된 레지스트 및 시너는, 컵(35) 내를 통해 당해 액체 배출구(36)로부터 제거된다. 컵(35)의 저면에는, 액체 배출구(36)보다 내측의 위치에 배기관(37)이 당해 저면으로부터 상방으로 돌출되도록 설치되어 있고, 컵(35) 내를 배기한다.
도면 중 부호 38은, 레지스트 토출 노즐이며, 하방으로 레지스트를 토출한다. 도면 중 부호 39는, 레지스트 공급 기구이며, 예를 들어 레지스트를 저류하는 탱크나 탱크로부터 레지스트 토출 노즐(38)을 향해 레지스트를 압송하는 펌프 등을 구비하고 있다. 도면 중 부호 V1은 밸브이며, 레지스트 공급 기구(39)로부터 레지스트 토출 노즐(38)로의 레지스트의 급단을 제어한다. 레지스트 토출 노즐(38)은, 스핀 척(31)에 보유 지지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에 레지스트를 토출한다. 토출된 레지스트는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주위 단부로 신전됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 피복하도록 레지스트막(R1)이 형성된다.
도면 중 부호 41은 아암이며, 레지스트 토출 노즐(38)은, 당해 아암(41)의 일단부측에 지지된다. 아암(41)의 타단부측은 이동 기구(42)에 접속되어 있다. 이동 기구(42)는, 가이드(42A)를 따라 수평 이동 가능하고, 또한 아암(41)을 승강시킬 수 있도록 구성되어 있다. 이 이동 기구(42)의 동작에 의해, 레지스트 토출 노즐(38)은, 웨이퍼(W)의 중심부 상과 컵(35)의 외측에 마련되는 대기 영역(43) 사이에서 이동할 수 있다.
도면 중 부호 44는, EBR 처리를 행하기 위한 시너 토출 노즐이며, 예를 들어 원형으로 개구된 토출구(40)를 구비하고, 당해 토출구(40)로부터 하방으로, 처리액인 시너를 토출한다. 도 5에 있어서 시너 토출 노즐(44)의 종단 측면을 나타내고 있고, 도면 중 부호 A1로서 나타내는 토출구(40)의 구경(시너 토출 노즐(44)의 내경)은, 예를 들어 0.3㎜이다. 또한, 도면 중 시너를 부호 30으로서 나타내고 있다. 도면 중 부호 45는 시너 공급 기구이며, 예를 들어 시너(30)를 저류하는 탱크나, 당해 탱크로부터 시너 토출 노즐(44)을 향해 당해 시너(30)를 압송하는 펌프 등을 구비하고 있다. 도면 중 부호 V2는 밸브이며, 시너 공급 기구(45)로부터 시너 토출 노즐(44)로의 시너(30)의 급단을 제어한다.
도면 중 부호 46은 아암이며, 시너 토출 노즐(44)은, 당해 아암(46)의 일단부측에 지지된다. 아암(46)의 타단부측은 이동 기구(47)에 접속되어 있다. 이동 기구(47)는 가이드(47A)를 따라 수평 이동 가능하고, 또한 아암(46)을 승강시킬 수 있도록 구성되어 있다. 이 이동 기구(47)의 동작에 의해, 시너 토출 노즐(44)은 웨이퍼(W)의 주연부 상과 컵(35)의 외측에 마련되는 노즐의 대기 영역(48) 사이에서 이동할 수 있다. 또한, 시너 토출 노즐(44)의 시너(30)의 토출 방향에 있어서, 토출구(40)의 웨이퍼(W) 표면에의 투영 영역을 R2로 하면, 상기한 이동 기구(47)에 의한 시너 토출 노즐(44)의 수평 이동에 의해, 당해 투영 영역 R2는 웨이퍼(W)의 직경 상을, 당해 웨이퍼(W)의 직경을 따라 이동할 수 있다.
이 레지스트막 형성 모듈(3)에 있어서 행해지는 EBR 처리에서는, 스핀 척(31)에 보유 지지되어 소정의 회전수로 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에, 도 5에 도시하는 바와 같이 시너 토출 노즐(44)로부터 시너(30)가 국소적으로 토출된다. 토출된 시너(30)는 원심력에 의해, 토출된 위치, 즉, 상기한 투영 영역 R2로부터 웨이퍼(W)의 외측을 향해 흐름으로써, 도 6에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서 한정적으로 레지스트막(R1)이 제거된다. 도 7에서는, 이 EBR 처리 전, EBR 처리 후의 웨이퍼(W) 평면을 나타내고 있고, 레지스트막(R1)에 대해서는 그레이 스케일로 표시하고 있다. 이 도 7에 도시하는 바와 같이, EBR 처리에 의해, 웨이퍼(W)의 주연을 따른 환상 영역에 있어서 레지스트막(R1)이 제거된다. 또한, 이와 같이 레지스트막(R1)이 제거되는 환상 영역의 폭이 커트 폭이며, 도 6, 도 7 중에 부호 R3으로서 나타내고 있다. 앞서 서술한 바와 같이 시너 토출 노즐(44)을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 이 커트 폭 R3은 장치의 유저에 의해 자유롭게 설정할 수 있다.In the EBR process performed in the resist
여기서, 상기한 바와 같이 EBR 처리되는 웨이퍼(W)의 예에 대해, 종단 측면도인 도 8을 이용하여 상세하게 설명한다. 웨이퍼(W)는, 예를 들어 직경이 300㎜인 원형의 기판이다. 그리고, 웨이퍼(W)의 표면의 주연부는, 당해 웨이퍼(W)의 주위 단부를 향해 하강하는 경사면을 이루는 베벨부(B)로서 구성되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 주연을 따라 베벨부(B)가 형성되어 있다.Here, an example of the wafer W subjected to EBR processing as described above will be described in detail with reference to FIG. 8 , which is a longitudinal side view. The wafer W is, for example, a circular substrate having a diameter of 300 mm. And the peripheral edge of the surface of the wafer W is comprised as the bevel part B which forms the inclined surface descending toward the peripheral edge part of the said wafer W. That is, the bevel portion B is formed along the periphery of the wafer W. As shown in FIG.
도 8에서는, 서로 다른 로트 L1, L2에 각각 속하는 웨이퍼(W)를 나타내고 있다. 이 도 8에 도시하는 예에서는, 로트 L1의 웨이퍼(W)와 로트 L2의 웨이퍼(W) 사이에서, 베벨부(B)의 형상으로서 폭(상기한 경사면의 상단부와 하단부의 수평 방향에 있어서의 거리)이 서로 다르다. 각 도면에서는 이 베벨부(B)의 폭을 B1로서 나타내고 있고, 로트 L2의 웨이퍼(W)의 쪽이 로트 L1의 웨이퍼(W)보다 당해 폭 B1이 길고, 구체적인 일례로서, 로트 L1의 웨이퍼(W)에 있어서의 폭 B1이 210㎛, 로트 L2의 웨이퍼(W)에 있어서의 폭 B1이 350㎛이다. 도 8에 나타낸 예 외에도, 다양한 폭 B1을 갖는 웨이퍼(W)가 도포, 현상 장치(1)로 반입되어 처리된다. 또한, 각 도면에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서, 베벨부(B)에 둘러싸임과 함께 베벨부(B)에 인접하는 평탄부를 F로서 나타내고 있다.In Fig. 8, wafers W belonging to different lots L1 and L2, respectively, are shown. In the example shown in this FIG. 8, between the wafer W of lot L1 and the wafer W of lot L2, as the shape of the bevel part B, the width (the upper end and the lower end of the above-described inclined surface in the horizontal direction) distance) are different. In each figure, the width of this bevel portion B is indicated as B1, the wafer W of the lot L2 has a longer width B1 than the wafer W of the lot L1. As a specific example, the wafer W of the lot L1 ( The width B1 in W) is 210 µm, and the width B1 in the wafer W of the lot L2 is 350 µm. In addition to the example shown in FIG. 8 , wafers W having various widths B1 are loaded into the coating and developing
해결하고자 하는 과제의 항목에서 서술한 바와 같이, 커트 폭 R3을 비교적 좁게 설정하면, 베벨부(B)의 형상, 예를 들어 상기한 베벨부(B)의 폭 B1에 기인하여, 커트 폭 R3이 설정값으로부터 어긋남과 함께, 웨이퍼(W) 사이에서 커트 폭 R3에 변동이 발생하는 경우가 있다. 즉, 상기한 로트 L1, L2의 각 웨이퍼(W)를 EBR 처리하는 데 있어서, 시너 토출 노즐(44)의 토출구(40)의 투영 영역 R2를 각 웨이퍼(W)의 동일한 위치에 배치하여 처리하면, 각 웨이퍼(W)의 실제의 커트 폭 R3이 설정값으로부터 벗어나고, 또한 로트 L1의 웨이퍼(W)와 로트 L2의 웨이퍼(W) 사이에서 커트 폭 R3이 불균일해지는 경우가 있다.As described in the item of the problem to be solved, when the cut width R3 is set relatively narrow, the shape of the bevel portion B, for example, due to the width B1 of the bevel portion B, the cut width R3 is A variation may occur in the cut width R3 between the wafers W along with a deviation from the set value. That is, in the EBR processing of each wafer W of the lots L1 and L2 described above, the projection area R2 of the
이 현상에 대한 고찰을, 웨이퍼(W)의 표면 상에 토출되어 상기한 투영 영역 R2에 충돌하기 직전의 시너(30)를 모식적으로 도시하는 도 9를 참조하여 설명한다. 도면 중의 시너(30)는, 측면으로부터 본 상태를 나타내고 있고, 따라서 도면 중의 시너(30)의 폭은, 상기한 토출구(40)의 구경 A1이다. 또한 이 도 9에 대해 설명하면, 커트 폭 R3의 설정값이 각각 0.7㎜, 0.6㎜, 0.5㎜, 0.45㎜, 0.4㎜, 0.35㎜이도록 설정된 상태에서, 로트 L1의 웨이퍼(W), 로트 L2의 웨이퍼(W)에 각각 토출된 시너(30)를, 이 설정값마다 도 9의 상단측으로부터 하단측을 향해 차례로 나타내고 있고, 도 9 중의 좌측에는, 로트 L1의 웨이퍼(W)에 토출된 시너(30)를, 도 9 중의 우측에는 로트 L2의 웨이퍼(W)에 토출된 시너(30)를 각각 나타내고 있다. 또한, 토출된 시너(30) 중, 베벨부(B)를 향하는 시너(30)를, 평탄부(F)를 향하는 시너(30)보다 짙은 그레이 스케일로 나타내고 있다.Consideration of this phenomenon is demonstrated with reference to FIG. 9 which shows typically the thinner 30 which is discharged on the surface of the wafer W and immediately before colliding with the said projection area|region R2. The thinner 30 in the drawing shows a state seen from the side, and therefore the width of the thinner 30 in the drawing is the aperture A1 of the
또한, 도 9 중의 각 단의 시너(30)의 바로 아래에는, 웨이퍼(W)의 표면부에 있어서 레지스트가 제거되는 영역의 종단 측면을 나타내고 있지만, 이 표면부는 간략적으로 평판 형상으로 표시한 것이므로, 평탄부(F)와 베벨부(B)가 구별되어 있지 않다. 단, 이와 같이 표시된 웨이퍼(W)의 표면부에 있어서, 도 9의 하단부측에 나타내는 웨이퍼(W)의 베벨부(B)의 상방에 위치하는 영역은 베벨부(B)이고, 도 9의 하단부측에 나타내는 웨이퍼(W)의 평탄부(F)의 상방에 위치하는 영역은 평탄부(F)이다.Also, just below the thinner 30 at each stage in Fig. 9, the longitudinal side of the region from which the resist is removed in the surface portion of the wafer W is shown. , the flat portion (F) and the bevel portion (B) are not distinguished. However, in the surface portion of the wafer W displayed in this way, the region located above the bevel portion B of the wafer W shown on the lower end side of FIG. 9 is the bevel portion B, and the lower portion of FIG. A region located above the flat portion F of the wafer W shown to the side is the flat portion F.
도 9에 도시하는 바와 같이 커트 폭 R3의 설정값이 비교적 작으면, 시너 토출 노즐(44)의 토출구(40)의 투영 영역 R2는 베벨부(B)에 겹쳐진다. 즉, 베벨부(B)에 시너(30)가 직접 토출된다. 그러나, 베벨부(B)에 직접 토출된 시너(30)는 베벨부(B)가 경사면을 구비하고 있는 점에서, 당해 경사면을 통해 웨이퍼(W)의 주위 단부로부터 신속하게 배출되기 쉽다. 투영 영역 R2에 토출된 시너(30)는, 당해 투영 영역 R2로부터 웨이퍼(W)의 중심부측으로도 약간 확산되지만, 상기한 바와 같이 베벨부(B)에 직접 토출되어 웨이퍼(W)의 주위 단부로부터 배출되는 시너가 많을수록, 이 웨이퍼(W)의 중심부측으로의 시너(30)의 확산이 억제되게 된다고 생각된다. 그로 인해, 이 투영 영역 R2와 베벨부(B)의 겹쳐짐의 정도가, 커트 폭 R3이 변동되는 요인이 된다.As shown in FIG. 9 , when the set value of the cut width R3 is relatively small, the projection area R2 of the
상기한 바와 같이 커트 폭 R3의 설정값이 비교적 작고, 또한 로트 L1의 웨이퍼(W)와 로트 L2의 웨이퍼(W)에서 커트 폭 R3의 설정값이 동일한 경우, 로트 L2의 웨이퍼(W)의 쪽이 로트 L1의 웨이퍼(W)에 비해 베벨부(B)의 폭 B1이 크기 때문에, 투영 영역 R2 중 베벨부(B)에 겹쳐지는 영역은, 로트 L2의 웨이퍼(W)를 처리할 때의 쪽이, 로트 L1의 웨이퍼(W)를 처리할 때보다 크다. 따라서, 로트 L2의 웨이퍼(W)에서는, 로트 L1의 웨이퍼(W)보다 많은 양의 시너(30)가 레지스트막(R1)에 충분히 작용하지 않고 배출되게 되므로, 로트 L2의 웨이퍼(W)와, 로트 L1의 웨이퍼(W) 사이에서 커트 폭 R3이 변동되어, 로트 L2의 웨이퍼(W)의 쪽이, 로트 L1의 웨이퍼(W)보다 커트 폭 R3이 작아진다. 즉, 각 웨이퍼(W)에 대해, 베벨부(B)에 직접 토출되는 시너(30)가 많아질수록 당해 시너(30)는 레지스트막(R1)에 작용하기 어려우므로, 커트 폭 R3의 설정값과 실제의 커트 폭 R3의 괴리가 커진다. 바꾸어 말하면, 시너 토출 노즐(44)로부터 토출되는 시너(30) 중, 웨이퍼(W)의 평탄부(F)에 공급되는 시너(30)의 비율(이하, 시너 평탄부 비율이라고 칭하기로 함)이 높을수록, 실제의 커트 폭 R3이 설정값에 가까워진다. 또한, 이 도 9를 이용하여 설명한, 이상의 고찰의 근거가 되는 실험에 대해서는 뒤에 나타낸다.As described above, when the set value of the cut width R3 is relatively small and the set value of the cut width R3 is the same for the wafer (W) of the lot L1 and the wafer (W) of the lot L2, the wafer (W) of the lot L2 Since the width B1 of the bevel portion B is larger than that of the wafer W of the lot L1, the region overlapping the bevel portion B among the projection regions R2 is the one at the time of processing the wafer W of the lot L2. This is larger than when processing the wafer W of lot L1. Therefore, in the wafer W of the lot L2, a larger amount of the thinner 30 than the wafer W of the lot L1 does not sufficiently act on the resist film R1 and is discharged, so the wafer W of the lot L2 and The cut width R3 fluctuates between the wafers W of the lot L1, and the wafer W of the lot L2 has a smaller cut width R3 than the wafers W of the lot L1. That is, for each wafer W, as the number of thinner 30 directly discharged to the bevel portion B increases, the thinner 30 is less likely to act on the resist film R1, so the set value of the cut width R3 The difference between the cut width R3 and the actual cut width R3 increases. In other words, the ratio of the thinner 30 supplied to the flat portion F of the wafer W among the thinner 30 discharged from the thinner discharge nozzle 44 (hereinafter referred to as the thinner flat portion ratio) is The higher it is, the closer the actual cut width R3 is to the set value. In addition, the experiment used as the basis for the above-mentioned consideration demonstrated using this FIG. 9 is shown later.
도포, 현상 장치(1)는, 이러한 커트 폭 R3의 설정값과 실제의 커트 폭 R3의 어긋남을 억제할 수 있도록 구성되어 있다. 구체적으로, 상기한 촬상 모듈(2)에서 취득되는 화상 데이터로부터 베벨부(B)의 형상의 정보로서, 폭 B1이 취득된다. 또한, 이 베벨부(B)의 폭 B1로부터 근사식에 의해, 상기한 시너 평탄부 비율이 취득된다. 그리고, 커트 폭 R3의 설정값에 대응하여 미리 설정된 위치(이하, 초기 설정 위치라고 기재함)에 시너 토출 노즐(44)을 배치하여 EBR 처리를 행한 경우에 얻어지는 커트 폭 R3을 가상의 커트 폭 R3으로 하면, 당해 가상의 커트 폭 R3과, 시너 평탄부 비율과, 커트 폭 R3의 설정값의 대응 관계에 기초하여, 가상의 커트 폭 R3이 취득된다. 이 대응 관계는, 미리 실험을 행함으로써 취득해 두는 대응 관계이며, 이하, 가상의 커트 폭 검출용 대응 관계라고 기재한다. 이와 같이 가상의 커트 폭 R3이 산출되면, 당해 가상의 커트 폭 R3과 커트 폭 R3의 설정값의 차분이, 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량으로서 산출되고, 당해 초기 설정 위치로부터 이 보정량에 대응하는 만큼 어긋난 위치로 시너 토출 노즐(44)이 이동하여, EBR 처리가 행해진다.The coating/developing
계속해서, 제어부(10)에 대해 도 10도 참조하면서 설명한다. 이 제어부(10)는 컴퓨터이며, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장된 프로그램(51)이 인스톨된다. 인스톨된 프로그램(51)은, 도포, 현상 장치(1)를 구성하는 각 모듈 및 반송 기구로 제어 신호를 송신하고, 그 동작을 제어하여 후술하는 흐름도로 나타내는 처리를 진행시킬 수 있도록 명령(각 스텝)이 포함되어 있다. 구체적으로는, 반송 기구에 의한 앞서 서술한 각 모듈 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송이나, 촬상 모듈(2)에 있어서의 적재대(23)의 이동 및 카메라(28)의 촬상이나, 레지스트막 형성 모듈(3)에 있어서의 각 공급 기구(39, 45)에 의한 각 약액의 공급, 밸브 V1, V2의 개폐 및 스핀 척(31)의 회전 등의 각 동작을 행할 수 있도록, 프로그램(51)은 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력한다. 또한, 웨이퍼(W)의 화상 데이터의 취득, 화상 데이터에 있어서의 베벨부(B)의 폭 B1의 검출, 및 상기한 폭 B1에 기초한 시너 토출 노즐(44)의 위치 보정량의 산출도, 이 프로그램(51)에 의해 행해진다.Then, the
제어부(10)는 메모리(52)를 구비하고 있고, 이 메모리(52)에는, 상기한 시너 토출 노즐(44)의 위치의 보정을 행할 수 있도록, 상기한 가상의 커트 폭 검출용 대응 관계가 저장되어 있다. 또한, 제어부(10)는 예를 들어 키보드나 터치 패널 등에 의해 구성되는 입력부(53)를 구비하고, 장치의 유저는 이 입력부(53)로부터 커트 폭 R3의 설정값을 입력할 수 있다. 또한, 커트 폭 R3의 정밀도를 확보하기 위해, 예를 들어 커트 폭의 설정값은, 커트 폭 R3의 설정값<각 웨이퍼(W)의 베벨부(B)의 폭 B1로 되지 않도록 설정된다. 도면 중 부호 54는, 베벨부(B)의 폭 B1의 검출 및 검출된 폭 B1에 기초한 상기한 연산 처리를 행하기 위해 설치되는 워크 메모리이다.The
계속해서, 상기한 프로그램(51)에 의해, 베벨부(B)의 폭 B1로부터 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량을 산출하는 프로세스의 일례에 대해 설명한다. 당해 폭 B1이 취득되면, 하기의 식 1이 실행되고, 이 식 1에 있어서의 연산값이 앞서 서술한 시너 평탄부 비율 X가 된다. 단, 이 식 1에 있어서, 시너 평탄부 비율 X>1이 되는 경우는, 시너 토출 노즐(44)의 토출구(40)의 투영 영역 R2는 베벨부(B)에 겹쳐져 있지 않아, 시너 토출 노즐(44)로부터 토출되는 시너(30)는 모두 웨이퍼(W)의 평탄부(F)를 향해 공급되므로, 시너 평탄부 비율 X=1로서 취급된다.Next, an example of the process of calculating the correction amount with respect to the initial setting position of the
시너 평탄부 비율 X=(커트 폭 R3의 설정값-베벨부(B)의 폭 B1)/(시너 토출 노즐(44)의 구경 A1) … 식 1Thinner flat portion ratio X = (set value of cut width R3 - width B1 of bevel portion B) / (diameter A1 of thinner discharge nozzle 44) ...
계속해서, 이 시너 평탄부 비율 X 및 하기의 식 2, 식 3에 기초하여, 가상의 커트 폭 R3의 값이 산출된다. 식 2는 미리 실험을 행함으로써 취득되는 계산식이며, 이 식 2 및 식 3이, 상기한 가상의 커트 폭 검출용 대응 관계에 해당된다. 그리고, 연산된 가상의 커트 폭 R3의 값과 하기의 식 4에 따라서, 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량이 산출된다.Then, the value of the virtual cut width R3 is computed based on this thinner flat part ratio X and following
변동 계수 k=0.645X+0.420 … 식 2Coefficient of variation k=0.645X+0.420 ...
가상의 커트 폭 R3=커트 폭 R3의 설정값×변동 계수 k … 식 3Imaginary cut width R3 = Set value of cut width R3 x coefficient of variation k ...
시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량=커트 폭 R3의 설정값-가상의 커트 폭 R3 … 식 4Correction amount for the initial setting position of the
다음으로, 도 11의 흐름도를 참조하면서 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 공정에 대해 차례로 설명한다. 우선, 유저에 의해 커트 폭 R3의 설정값이 제어부(10)에 입력된다. 즉, 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 설정이 행해진다. 그리고, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 촬상 모듈(2)로 반송되어 당해 웨이퍼(W) 표면이 촬상되고, 제어부(10)에 의해 당해 웨이퍼(W) 표면의 화상 데이터가 취득된다(스텝 S1). 또한 제어부(10)에 의해, 이 화상 데이터로부터 베벨부(B)의 폭 B1이 검출되면(스텝 S2), 당해 베벨부(B)의 폭 B1, 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치 및 가상의 커트 폭 검출용 대응 관계에 기초하여, 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량이 산출된다. 즉, 상기한 식 1∼식 4로 설명한 연산이 실행된다(스텝 S3).Next, with reference to the flowchart of FIG. 11, the processing process of the wafer W in the application|coating and developing
당해 웨이퍼(W)가 레지스트막 형성 모듈(3)로 반송되어, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막(R1)이 형성된 후(스텝 S4), 초기 설정 위치에 대해 산출된 보정량만큼, 수평 방향으로 어긋난 처리 위치에 시너 토출 노즐(44)이 배치되도록 결정된다. 구체적으로는 예를 들어, 초기 설정 위치가, 시너 토출 노즐(44)의 토출구(40)의 투영 영역 R2의 중심이 웨이퍼(W)의 주위 단부로부터 X㎜ 이격된 위치로서 설정되어 있고, 보정량이 웨이퍼(W)의 중심측을 향해 Y㎜ 어긋나는 것으로서 산출된 것으로 하면, 투영 영역 R2의 중심이 웨이퍼(W)의 주위 단부로부터 X+Y㎜ 이격되어 위치하도록, 시너 토출 노즐(44)이 배치된다. 그리고, 도 5∼도 7에서 설명한 바와 같이 회전하는 웨이퍼(W)에 시너(30)가 토출되어, 커트 폭 R3이 설정값이 되도록 웨이퍼(W)의 주연부 레지스트막(R1)이 제거된다(스텝 S5). 그 후, 웨이퍼(W)는 노광 장치(11)로 반송되어 레지스트막(R1)이 노광되고, 현상 모듈(12)에 의해 레지스트막(R1)이 노광 패턴을 따라 현상되어 레지스트 패턴이 형성된다(스텝 S6). 그러한 후, 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로 복귀된다.After the wafer W is transferred to the resist
이 제1 실시 형태에 관한 도포, 현상 장치(1)에 있어서는, 취득된 베벨부(B)의 폭 B1 및 커트 폭 R3의 설정값에 대응하는 위치에 시너 토출 노즐(44)을 배치하여, 회전하는 웨이퍼(W)의 주연부에 시너(30)를 토출하고, 당해 주연부에 형성된 레지스트막(R1)을 웨이퍼(W)의 주연을 따라 환상으로 제거한다. 그것에 의해, 실제의 커트 폭 R3이, 설정값으로부터 어긋나는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 서로 다른 베벨부(B)의 폭 B1을 갖는 웨이퍼(W) 사이에서, 커트 폭 R3을 맞출 수 있다.In the coating and developing
(제2 실시 형태)(Second embodiment)
계속해서 제2 실시 형태에 관한 도포, 현상 장치(1)에 대해, 제1 실시 형태에 관한 도포, 현상 장치(1)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 도포, 현상 장치(1)는, 촬상 모듈(2) 대신 촬상 모듈(6)을 구비하고 있다. 이 촬상 모듈(6)의 촬상 모듈(2)과의 차이점으로서는, 횡단 평면도인 도 12에 도시하는 바와 같이, 카메라(28) 대신 카메라(29)가 설치되어 있는 것을 들 수 있다. 도면 중의 점선의 화살표는 카메라(29)를 구성하는 렌즈의 광축을 나타내고 있고, 이 카메라(29)는, 적재대(23)에 적재된 웨이퍼(W)의 주연부를 측방으로부터 촬상하고, 도 13에 도시하는 바와 같은 웨이퍼(W)의 주연부의 측면에서 본 화상 데이터를 제어부(10)로 송신한다. 제어부(10)의 프로그램(51)은, 이 화상 데이터로부터 예를 들어 베벨부(B)의 폭 B1 및 도면 중에 H로 나타내는 베벨부(B)의 높이를 취득하고, 이들 폭 B1 및 높이 H로부터, 평탄부(F)를 구성하는 평탄면과 베벨부(B)의 경사면이 이루는 둔각 θ1 및 베벨부(B)를 구성하는 경사면과 수평면(도면 중, 쇄선으로 표시하고 있음)이 이루는 예각 θ2를 산출할 수 있도록 구성되어 있다.Subsequently, the coating and developing
상기한 바와 같이 토출구(40)의 투영 영역 R2이 베벨부(B)에 겹쳐지도록 시너 토출 노즐(44)이 배치되어 시너(30)가 웨이퍼(W)에 토출된다고 하면, 둔각 θ1이 작을(=예각 θ2가 클)수록, 베벨부(B)에 토출된 시너(30)는 신속하게 웨이퍼(W)의 주위 단부로 흘러 웨이퍼(W)로부터 제거된다. 따라서, 이 둔각 θ1 및 예각 θ2의 크기와, 실제의 커트 폭 R3과 커트 폭 R3의 설정값 사이의 오차가 대응한다고 생각된다. 따라서, 이 제2 실시 형태에서는 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량의 산출을, 상기한 베벨부(B)의 폭 B1 및 둔각 θ1에 기초하여 행한다. 구체적으로, 상기한 식 2로 나타낸 변동 계수 k를, 둔각 θ1에 기초하여 보정한다. 그러기 위해, 제어부(10)의 메모리(52)에는, 둔각 θ1과, 변동 계수 k의 보정값 α의 대응 관계(이후, 둔각 θ1에 대한 대응 관계라고 기재함)가 기억되어 있다.As described above, if the
이 제2 실시 형태의 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 처리 공정에 대해 설명하면, 먼저, 제1 실시 형태의 스텝 S1, S2에 상당하는 동작으로서, 촬상 모듈(6)에서 도 13에 도시한 웨이퍼(W)의 측면에서 본 화상 데이터가 취득되고, 베벨부(B)의 폭 B1 및 둔각 θ1이 검출된다. 계속해서, 스텝 S3에 상당하는 동작으로서 상기한 식 1, 식 2가 순차 실행되어, 변동 계수 k가 산출된다. 또한, 검출된 둔각 θ1 및 상기한 둔각 θ1에 대한 대응 관계에 기초하여, 변동 계수 k의 보정값 α가 산출되고, 예를 들어 식 2에서 산출된 변동 계수 k에 대해 이 보정값 α가 가산됨으로써 당해 k가 보정된다. 그리고, 보정된 k를 사용하여 식 3, 식 4가 실행되어, 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량이 산출된다. 이와 같이 보정량이 산출된 후에는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 스텝 S4∼S6이 행해진다. 즉, 레지스트막의 형성, 산출된 보정량에 기초하여 배치된 시너 토출 노즐(44)에 의한 EBR 처리, 노광 후의 웨이퍼(W) 현상 처리가 순차 행해진다.The processing steps in the coating and developing
또한, 메모리(52)에 상기한 둔각 θ1에 대한 대응 관계를 기억시켜 두는 대신, 예각 θ2와 변동 계수 k의 보정값 α의 대응 관계(예각 θ2에 대한 대응 관계)를 기억시켜 두고, 제어부(10)에 의해 검출된 예각 θ2와 예각 θ2에 대한 대응 관계에 기초하여 보정값 α를 산출해도 된다. 이 제2 실시 형태에 따르면, 커트 폭 R3이 설정값으로부터 벗어나는 것을, 더 확실하게 억제할 수 있다.In addition, instead of storing the correspondence relationship for the above-described obtuse angle θ1 in the
그런데, 둔각 θ1과 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량과의 대응 관계를 메모리(52)에 기억시켜 두고, 제어부(10)는, 이 제2 실시 형태에 있어서의 촬상 모듈(6)의 카메라(29)로부터 송신되는 화상 데이터로부터 둔각 θ1을 취득하면, 이 대응 관계에 의해 당해 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량을 산출하도록 해도 된다. 둔각 θ1의 취득은, 예를 들어 화상 중의 베벨부(B)의 경사면을 검출하고, 당해 경사면과 수평면이 이루는 각을 검출함으로써 행할 수 있다. 즉, 베벨부(B)의 폭 B1 및 베벨부(B)의 경사 중, 베벨부의 경사에만 기초하여, 상기한 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량이 산출되도록 해도 된다.By the way, the correspondence relationship between the obtuse angle θ1 and the correction amount with respect to the initial setting position of the
(제3 실시 형태)(Third embodiment)
계속해서, 제3 실시 형태의 도포, 현상 장치(1)에 대해, 제1 실시 형태와의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 제3 실시 형태의 도포, 현상 장치(1)에서는, 레지스트막 형성 모듈(3) 대신 도 14에 도시하는 레지스트막 형성 모듈(7)이 설치되어 있다. 이 레지스트막 형성 모듈(7)은, 레지스트막 형성 모듈(3)과 대략 마찬가지로 구성되어 있지만, 차이점으로서, 아암(46)의 선단부에 시너 토출 노즐(44) 외에, 원형의 토출구(70)를 구비한 시너 토출 노즐(71)이 설치되어 있다. 이 토출구(70)의 시너(30)의 토출 방향을 향하는 웨이퍼(W)의 표면에의 투영 영역에 대해서도, 상기한 시너 토출 노즐(44)의 토출구(40)의 투영 영역 R2과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 직경 상을, 당해 직경을 따라 이동할 수 있다.Subsequently, the coating and developing
도면 중, 점선의 화살표의 끝의 일점쇄선의 원 테두리 내에는, 시너 토출 노즐(44, 71)의 종단 측면을 도시하고 있고, 이 단면에 도시하는 바와 같이, 시너 토출 노즐(71)의 토출구(70)의 구경 A2는, 시너 토출 노즐(44)의 토출구(40)의 구경 A1보다 크다. 또한, 시너 토출 노즐(71)은, 밸브 V3을 통해 시너 공급 기구(45)에 접속되어 있다. 이 레지스트막 형성 모듈(7)에서는, 밸브 V2, V3 중 어느 한쪽만 개방됨으로써, 시너 토출 노즐(44, 71) 중 어느 한쪽의 노즐로부터 시너(30)가 토출된다. 즉, 시너 토출 노즐(44, 71) 중 한쪽이 선택되어 EBR 처리가 행해지고, 이 선택은, 베벨부(B)의 폭 B1에 기초하여 행해진다.In the drawing, within the circle frame of the dashed-dotted line at the end of the dotted arrow, the terminal side surfaces of the
이와 같이 서로 구경이 다른 노즐을 선택하여 사용되는 이유를 설명한다. 노즐의 구경이 작을수록 웨이퍼(W)에 토출되는 시너(30)의 액류의 유속이 높아짐으로써, 웨이퍼(W)에 공급된 시너(30)의 액류가 불안정해지므로, 웨이퍼(W)의 전체 주위에 있어서, 커트 폭의 균일성을 더 높게 하기 위해서는, 구경이 비교적 큰 노즐을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 노즐의 구경이 클수록, 토출구의 웨이퍼(W)에의 투영 영역에 대해 베벨부(B)에 걸리는 영역이 커진다. 커트 폭을 설정값에 대해 더 확실하게 맞추기 위해서는, 이 베벨부(B)에 걸리는 영역이 작아지도록, 노즐의 구경이 작은 것이 바람직하다. 이와 같이 구경이 큰 노즐을 사용하는 것, 구경이 작은 노즐을 사용하는 것에 대해, 각각 이점이 있다.The reason why nozzles having different diameters are selected and used will be described. As the diameter of the nozzle is smaller, the flow rate of the liquid flow of the thinner 30 discharged to the wafer W increases, so that the liquid flow of the thinner 30 supplied to the wafer W becomes unstable, so that the entire circumference of the wafer W is In order to further increase the uniformity of the cut width, it is preferable to use a nozzle having a relatively large bore. On the other hand, the larger the aperture of the nozzle, the larger the area applied to the bevel portion B with respect to the projection area of the discharge port onto the wafer W. In order to more reliably match the cut width to the set value, it is preferable that the bore of the nozzle is small so that the area caught on the bevel portion B is small. There are advantages to using such a large-aperture nozzle and to using a small-diameter nozzle, respectively.
계속해서, 이 제3 실시 형태에 있어서의 처리 공정을 설명한다. 우선, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이 스텝 S1, S2가 행해져, 웨이퍼(W)의 화상 데이터가 취득되고, 당해 화상 데이터에 기초하여 베벨부(B)의 폭 B1이 취득된다. 계속해서, 제어부(10)에 의해, 이 폭 B1이 미리 설정된 기준값 이상인지, 기준값보다 낮은지가 판정된다. 기준값 이상인 경우, 실제의 커트 폭 R3이 설정값으로부터 괴리되는 것을 더 확실하게 억제하는 것을 우선하기 위해, 구경이 작은 시너 토출 노즐(44)을 사용하도록 결정된다. 기준값 이하인 경우, 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서의 커트 폭의 균일성을 더 높게 하는 것을 우선하기 위해, 구경이 큰 시너 토출 노즐(71)을 사용하도록 결정된다.Then, the processing process in this 3rd Embodiment is demonstrated. First, as described in the first embodiment, steps S1 and S2 are performed, image data of the wafer W is acquired, and the width B1 of the bevel portion B is acquired based on the image data. Then, it is determined by the
그리고, 스텝 S3의 연산이 행해져, 시너 토출 노즐(44)의 초기 설정 위치에 대한 보정량이 산출된다. 이 스텝 S3에 있어서, 노즐의 구경이 사용되는 상기한 식 1에서는, 시너 토출 노즐(44, 71) 중 선택된 쪽의 노즐 구경이 사용된다. 그 후에는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 처리가 행해지지만, 스텝 S5에서는, 시너 토출 노즐(44, 71) 중 선택된 쪽의 노즐이, 스텝 S3에서 산출된 보정량에 기초하여 배치되어, EBR 처리가 행해진다. 이 제3 실시 형태에 의하면, 각 웨이퍼(W)에 대해, 실제의 커트 폭 R3과 커트 폭 R3의 설정값의 어긋남을 억제할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 주위 방향에 있어서의 커트 폭 R3의 균일성의 저하를 억제할 수 있다.Then, the calculation of step S3 is performed, and the amount of correction with respect to the initial setting position of the
계속해서, 도 1에서 설명한 도포, 현상 장치(1)의 더 상세한 구성의 일례에 대해, 도 15∼도 17에 도시한다. 도포, 현상 장치(1)는, 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)과, 인터페이스 블록(D3)을 직선상으로 접속하여 구성되어 있고, 인터페이스 블록(D3)에는 노광 장치(11)가 접속되어 있다. 이후의 도포, 현상 장치(1)의 설명에서는 블록(D1∼D3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다. 캐리어 블록(D1)은, 캐리어(C)와 장치 내의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 역할을 갖고, 캐리어(C)의 적재대(81)와, 개폐부(82)와, 개폐부(82)를 통해 캐리어(C)에 대해 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(83)를 구비하고 있다.Subsequently, an example of a more detailed configuration of the coating and developing
처리 블록(D2)은, 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 제1∼제6 단위 블록 E1∼E6이 아래부터 차례로 적층되어 구성되어 있다. 설명의 편의상 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막을 형성하는 처리를 「BCT」, 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 처리를 「COT」, 노광 후의 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 처리를 「DEV」로 각각 표현하는 경우가 있다. 이 예에서는, 도 16에 도시하는 바와 같이 아래부터 BCT층, COT층, DEV층이 2층씩 적층되어 있다.The processing block D2 is configured by sequentially stacking first to sixth unit blocks E1 to E6 for performing liquid processing on the wafer W in order from the bottom. For convenience of explanation, "BCT" is a process for forming an antireflection film on the wafer W side on the lower side, "COT" is a process for forming a resist film on the wafer W, and a resist pattern is formed on the wafer W after exposure. Each process may be expressed as "DEV". In this example, as shown in FIG. 16, the BCT layer, the COT layer, and the DEV layer are laminated|stacked two at a time from the bottom.
여기서는 단위 블록 중 대표로 제3 단위 블록(E3)을, 도 15를 참조하면서 설명한다. 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D3)으로 향하는 반송 영역(84)의 좌우 일방측에는 선반 유닛(U)이 전후 방향으로 복수 배치되고, 타방측에는 상기한 레지스트막 형성 모듈(3)이 2개 전후 방향으로 나열되어 설치되어 있다. 선반 유닛(U)은, 다수의 가열 모듈(85)을 구비하고 있다. 상기한 반송 영역(84)에는, 웨이퍼(W)의 반송 기구(G3)이 설치되어 있다.Here, the third unit block E3 as a representative of the unit blocks will be described with reference to FIG. 15 . A plurality of shelf units U are arranged in the front-rear direction on one left and right side of the conveying
단위 블록 E1, E2, E5, E6에 대해, 단위 블록 E3, E4와의 차이점을 설명하면, 단위 블록 E1, E2는, 레지스트막 형성 모듈(3) 대신 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고 있다. 반사 방지막 형성 모듈에서는, 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 웨이퍼(W)에 공급된다. 단위 블록 E5, E6은, 레지스트막 형성 모듈(3) 대신 상기한 현상 모듈(12)을 구비하고 있다. 이러한 차이를 제외하고, 단위 블록 E1∼E6은 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 도 17에서는 각 단위 블록 E1∼E6의 반송 기구에 대해, G1∼G6으로서 나타내고 있다.The difference between the unit blocks E1, E2, E5, and E6 from the unit blocks E3 and E4 is explained. The unit blocks E1 and E2 have an antireflection film forming module instead of the resist
처리 블록(D2)에 있어서의 캐리어 블록(D1)측에는, 각 단위 블록 E1∼E6에 걸쳐 상하로 신장되는 타워 T1과, 타워 T1에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구(86)가 설치되어 있다. 타워 T1은 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있고, 단위 블록 E1∼E6의 각 높이에 설치되는 모듈은, 당해 단위 블록 E1∼E6의 각 반송 기구 G1∼G6과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 이들 모듈로서는, 각 단위 블록의 높이 위치에 설치된 전달 모듈 TRS, 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조절 모듈(CPL), 복수매의 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하는 버퍼 모듈, 웨이퍼(W)의 표면을 소수화하는 소수화 처리 모듈 및 앞서 서술한 촬상 모듈(2) 등이 포함되어 있다. 설명을 간소화하기 위해, 소수화 처리 모듈, 온도 조절 모듈, 버퍼 모듈에 대한 도시는 생략하고 있다.On the carrier block D1 side of the processing block D2, a tower T1 extending vertically over each unit block E1 to E6, and a lifting mechanism for transferring the wafer W to the tower T1 ( 86) is installed. The tower T1 is constituted by a plurality of modules stacked on each other, and the modules installed at each height of the unit blocks E1 to E6 are connected to the wafers W between the transfer mechanisms G1 to G6 of the unit blocks E1 to E6. can pass As these modules, a transfer module TRS installed at the height of each unit block, a temperature control module (CPL) for temperature adjustment of the wafers (W), a buffer module for temporarily storing a plurality of wafers (W), and wafers (W) ), a hydrophobization treatment module for hydrophobizing the surface, and the
인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록 E1∼E6에 걸쳐 상하로 신장되는 타워 T2, T3, T4와, 각 타워 T2∼T4에 대해 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(91∼93)를 구비하고 있다. 반송 기구(91)는, 타워 T2 및 타워 T3에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하고, 반송 기구(92)는 타워 T2 및 타워 T4에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 반송 기구(93)는, 타워 T2와 노광 장치(11) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송 기구이다.The interface block D3 includes towers T2, T3, and T4 extending vertically over the unit blocks E1 to E6, and transfer
타워 T2는, 전달 모듈 TRS, 노광 처리 전의 복수매의 웨이퍼(W)를 격납하여 체류시키는 버퍼 모듈, 노광 처리 후의 복수매의 웨이퍼(W)를 격납하는 버퍼 모듈 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조절 모듈 등이 서로 적층되어 구성되어 있지만, 여기서는 버퍼 모듈 및 온도 조절 모듈의 도시는 생략한다. 타워 T3, T4에도 모듈이 설치되어 있지만, 여기서는 설명을 생략한다.Tower T2 is a transfer module TRS, a buffer module for storing and staying a plurality of wafers W before exposure processing, a buffer module for storing a plurality of wafers W after exposure processing, and temperature control of the wafers W Although the temperature control module and the like to be performed are stacked on each other, illustration of the buffer module and the temperature control module is omitted here. Although modules are also installed in towers T3 and T4, a description thereof is omitted here.
이 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 반송 경로에 대해 설명한다. 우선, 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로부터 반송 기구(83)에 의해, 처리 블록(D2)에 있어서의 타워 T1의 전달 모듈 TRS0에 반송된다. 이 전달 모듈 TRS0로부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록 E1, E2에 할당되어 반송된다. 예를 들어, 웨이퍼(W)를 단위 블록 E1에 전달하는 경우에는, 타워 T1의 전달 모듈 TRS 중, 단위 블록 E1에 대응하는 전달 모듈 TRS1(반송 기구 G1에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 전달 모듈)에 대해 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록 E2에 전달하는 경우에는, 타워 T1의 전달 모듈 TRS 중, 단위 블록 E2에 대응하는 전달 모듈 TRS2에 대해, 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 전달은, 반송 기구(86)에 의해 행해진다.The conveyance path in this application|coating and developing
이와 같이 할당된 웨이퍼(W)는, TRS1(TRS2)→반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈(85)의 순으로 반송된 후, TRS1(TRS2)의 순으로 반송되고, 계속해서 반송 기구(86)에 의해 촬상 모듈(2)로 반송되어, 도 11의 플로우의 스텝 S1, S2가 행해진다. 그러한 후, 단위 블록(E3)에 대응하는 전달 모듈 TRS3과, 단위 블록 E4에 대응하는 전달 모듈 TRS4에 할당된다.The wafer W thus allocated is transported in the order of TRS1 (TRS2) → anti-reflection film forming module →
이와 같이 TRS3, TRS4에 할당된 웨이퍼(W)는, TRS3(TRS4)으로부터, 레지스트막 형성 모듈(3)로 반송되어, 도 11의 플로우의 스텝 S4, S5가 행해진다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 가열 모듈(85)→타워 T2의 전달 모듈 TRS31(TRS41)의 순으로 반송된다. 그러한 후, 이 웨이퍼(W)는, 반송 기구(91, 93)에 의해 타워 T3을 통해 노광 장치(11)로 반입되어, 레지스트막(R1)이 노광된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(92, 93)에 의해 타워 T2, T4 사이에서 반송되어, 단위 블록 E5, E6에 대응하는 타워 T2의 전달 모듈 TRS51, TRS61로 각각 반송된다. 그러한 후, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(85)로 반송되어 가열 처리(PEB: 노광 후 베이킹)를 받은 후, 현상 모듈(12)로 반송되어 도 11의 플로우의 스텝 S6이 행해진다. 그러한 후, 웨이퍼(W)는, 타워 T1의 전달 모듈 TRS5(TRS6)로 반송된 후, 반송 기구(83)를 통해 캐리어(C)로 복귀된다.In this way, the wafer W assigned to TRS3 and TRS4 is transferred from TRS3 (TRS4) to the resist
그런데, 스텝 S1의 웨이퍼(W) 촬상은, EBR 처리 전에 실시되면 되므로, 촬상 모듈(2)을 설치하는 장소로서는, 상기한 타워 T1로 하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 단위 블록 E1∼E4의 선반 유닛(U)에 촬상 모듈(2)을 설치해도 된다. 또한, 레지스트막 형성 모듈에 의해 웨이퍼(W)의 촬상을 행할 수 있도록, 당해 레지스트막 형성 모듈을 구성해도 된다. 도 18에, 그와 같이 구성된 레지스트막 형성 모듈(63)을 도시하고 있다. 이 레지스트막 형성 모듈(63)에 대해, 레지스트막 형성 모듈(3)과의 차이점을 중심으로 설명하면, 이 레지스트막 형성 모듈(63)에는, 웨이퍼(W)의 표면의 주연부를 촬상하기 위한 카메라(64)가 설치되어 있다.By the way, since the imaging of the wafer W in step S1 may be performed before the EBR process, the location where the
이 카메라(64)는, 컵(35) 위를 횡방향으로 신장되는 아암(65)의 일단부에 하방측을 촬상할 수 있도록 설치되어 있다. 아암(65)의 타단부는 컵(35)의 상부에 설치되는 회전 기구(66)에 접속되어 있다. 회전 기구(66)에 의해, 아암(65)은 기단부측을 회전 중심으로 하여 연직축 주위로 회전한다. 이와 같이 아암(65)이 회전함으로써 카메라(64)는, 촬상을 행할 때에는 도면 중에 쇄선으로 나타내는 바와 같이 컵(35)의 개구부 상에 위치하고, 촬상을 행하지 않을 때에는 도면 중에 실선으로 나타내는 바와 같이 컵(35)의 개구부 상으로부터 벗어나 위치한다. 그와 같이 카메라(64)가 개구부 상으로부터 벗어나 위치함으로써, 도시하지 않은 반송 기구와 스핀 척(31) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송이 방해받지 않는다.This
이와 같이 컵(35)에 카메라를 설치하는 데 있어서는, 도 13에 도시한 바와 같은 웨이퍼(W)의 측단부의 화상 데이터를 취득할 수 있도록 설치해도 된다. 구체적으로는, 예를 들어 컵(35)의 측벽의 일부를 투명한 창으로서 구성하고, 컵(35)의 외측으로부터 이 창을 통해 웨이퍼(W)의 측단부를 촬상할 수 있도록 카메라를 설치할 수 있다,When the camera is installed in the
그런데, 레지스트막(R1)은 앞서 서술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 신전됨으로써, 웨이퍼(W)의 면 내에서 대략 균일한 두께를 갖도록 형성된다. 따라서, 레지스트막(R1)의 형성 전, 레지스트막(R1)의 형성 후에서, 베벨부(B)의 형상은 동일 내지는 대략 동일하다. 따라서, 상기한 카메라(64)에 의한 촬상은 레지스트막(R1)의 형성 전에 행해도 되고, 레지스트막(R1)의 형성 후에 행해도 된다. 또한, 상기한 카메라(28)에 의한 촬상도 레지스트막(R1)의 형성 후에 행하도록 해도 된다.However, as described above, the resist film R1 is formed to have a substantially uniform thickness within the surface of the wafer W by extending from the center to the periphery of the wafer W. Therefore, before the formation of the resist film R1 and after the formation of the resist film R1, the shape of the bevel portion B is the same or approximately the same. Therefore, the imaging by the
또한, 도포, 현상 장치(1) 내에서 웨이퍼(W)를 촬상하여 베벨부(B)의 폭 B1을 검출하는 것에도 한정되지 않는다. 도 19는, 도포, 현상 장치(1)의 외부에서 웨이퍼(W)를 촬상하는 시스템의 구성도이다. 이 시스템은, 도포, 현상 장치(1)와, 도포, 현상 장치(1)의 외부에 설치되는 외부 측정 장치(67)를 포함한다. 외부 측정 장치(67)는, 예를 들어 상기한 촬상 모듈(2)과, 촬상 모듈(2)과 캐리어(C) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구와, 제어부(68)에 의해 구성된다. 이 제어부(68)는, 외부 측정 장치(67)의 웨이퍼(W)의 반송 기구의 동작을 제어함과 함께, 제어부(10)와 마찬가지로, 촬상 모듈(2)에 의해 취득된 웨이퍼(W)의 표면의 화상 데이터를 취득하여, 당해 화상 데이터로부터 베벨부(B)의 폭 B1을 검출할 수 있도록 구성되어 있다. 제어부(68) 및 제어부(10)는, 컴퓨터인 상위 제어부(69)에 접속되어 있다. 상위 제어부(69)는, 도시하지 않은 캐리어(C)의 반송 기구로 제어 신호를 송신하고, 캐리어(C)에 격납된 상태에서 웨이퍼(W)는, 외부 측정 장치(67)와 도포, 현상 장치(1) 사이에서 반송된다.Moreover, it is not limited to detecting the width B1 of the bevel part B by imaging the wafer W in the application|coating and developing
이 시스템에 있어서, 외부 측정 장치(67)의 제어부(68)에 의해 베벨부(B)의 폭 B1이 검출되면, 그 검출 결과의 정보는 상위 제어부(69)로 송신되고, 상위 제어부(69)는 이 정보를 도포, 현상 장치(1)의 제어부(10)로 송신한다. 이러한 구성에 의해, 레지스트막 형성 모듈(3)에서는 제1 실시 형태와 마찬가지로, 베벨부(B)의 폭 B1에 기초하여 시너 토출 노즐(44)을 배치하고, EBR 처리를 행할 수 있다. 또한, 상위 제어부(69)를 통하지 않고, 제어부(68)로부터 제어부(10)로 직접, 베벨부(B)의 폭 B1의 데이터가 송신되어도 된다.In this system, when the width B1 of the bevel portion B is detected by the
이와 같이 도포, 현상 장치(1)로 반입 전의 웨이퍼(W)에 대해 측정을 행하여, 베벨부(B)의 형상의 정보를 취득할 수 있지만, 웨이퍼(W)의 주연부에 CMP(Chemical Mechanical Polishing)가 행해지면, 베벨부의 형상이 변화되는 경우가 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 제조하고 나서, EBR 처리를 행할 때까지의 사이에 CMP를 행하는 경우는, 가장 최근의 CMP가 행해지고 나서 EBR 처리가 행해질 때까지의 사이에, 베벨부의 형상의 정보의 취득을 행하는 것이 바람직하다.In this way, information on the shape of the bevel portion B can be obtained by measuring the wafer W before it is loaded into the coating and developing
그런데 상기한 베벨부(B)의 폭 B1의 검출을, EBR 처리를 받는 모든 웨이퍼(W)에 대해 행하고, 이 모든 웨이퍼(W)에 대해 취득된 폭 B1에 기초하여 시너 토출 노즐(44)의 위치가 제어되는 것이, 커트 폭 R3과 설정값의 오차를 더 확실하게 억제하기 위해 바람직하다. 단, 동일한 로트에 속하는 웨이퍼(W)는 서로 마찬가지의 처리 공정을 거치고 있으므로, 베벨부(B3)의 형상은 대략 마찬가지이다. 따라서, 동일한 로트에 속하는 복수의 웨이퍼(W)에 대해서는, 예를 들어 처음에 레지스트막 형성 모듈(3)에서 EBR 처리를 받는 선두의 웨이퍼(W)에 대해서만, 앞서 서술한 바와 같이 베벨부(B)의 폭 B1을 검출하고, 당해 로트에 속하는 각 웨이퍼(W)에 EBR 처리를 행할 때에는, 이 폭 B1에 기초한 위치에 시너 토출 노즐(44)을 배치하여 처리를 행한다.By the way, the detection of the width B1 of the bevel portion B is performed for all the wafers W subjected to the EBR process, and based on the width B1 obtained for all the wafers W, the thickness of the
즉, 상기한 로트 L1을 구성하는 각 웨이퍼(W)를 EBR 처리할 때에는, 시너 토출 노즐(44)이 서로 동일한 위치에 배치되어 처리가 행해지고, 상기한 로트 L2를 구성하는 각 웨이퍼(W)를 EBR 처리할 때에는, 시너 토출 노즐(44)이 서로 동일한 위치에 배치되어 처리가 행해지도록 한다. 그와 같이 로트마다 시너 토출 노즐(44)의 위치를 결정함으로써, 촬상 모듈(2)로 반송하여 촬상하는 웨이퍼(W)의 매수가 많아지는 것을 방지하게 된다. 결과적으로, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.That is, when each wafer W constituting the above-described lot L1 is subjected to EBR processing, the
또한, 앞서 서술한 베벨부(B)의 폭 B1, 둔각 θ1 및 예각 θ2를 검출하는 데 있어서는, 카메라(28, 29)를 사용하는 대신, 예를 들어 도 20에 도시하는 반사형의 레이저 변위계(74)를 사용해도 된다. 이 레이저 변위계(74)는, 점선의 화살표로 나타내는 바와 같이 연직 하방을 향해 레이저를 조사함과 함께, 웨이퍼(W)로부터의 반사광을 수광하고, 수광량에 따른 검출 신호를 제어부(10)로 송신한다. 이 검출 신호에 기초하여, 제어부(10)는, 웨이퍼(W)와 레이저 변위계(74) 사이의 거리를 검출한다. 또한, 레이저 변위계(74)는 도시하지 않은 이동 기구에 접속되어 있고, 레이저가 조사되는 위치가, 웨이퍼(W)의 주연부 상을 당해 웨이퍼(W)의 직경을 따라 이동한다. 즉, 제어부(10)는 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에 있어서, 당해 웨이퍼(W)의 직경을 따른 각 위치의 높이를 검출할 수 있으므로, 베벨부(B)의 폭 B1, 둔각 θ1 및 예각 θ2를 검출할 수 있다.In addition, in detecting the width B1, the obtuse angle θ1, and the acute angle θ2 of the bevel portion B described above, instead of using the
상기한 예에서는 레지스트막(R1)의 형성 처리를 행하는 모듈과 EBR 처리를 행하는 모듈이 일체로 구성되어 있지만, 이들 처리마다 상이한 모듈로서 구성되어도 된다. 즉, 하나의 모듈에서 레지스트막의 형성 후, 반송 기구에 의해 다른 EBR 처리를 행하는 모듈로 웨이퍼(W)가 반송되도록, 도포, 현상 장치(1)가 구성되어 있어도 된다. 또한, 본 발명은, 웨이퍼(W)의 주연부의 막의 제거 처리에 적용되는 것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 시너 토출 노즐(44)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에 시너 대신 성막용 약액을 공급함으로써, 환상의 막을 형성하기 위한 성막 처리를 행하거나, 세정액을 공급함으로써 환상 영역의 세정 처리를 행할 수 있다. 그러한 경우에도, 도포막의 폭 및 세정액이 공급되는 영역의 폭을 고정밀도로 제어할 수 있으므로, 유효하다. 또한 앞서 기술한 예에서는 시너 토출 노즐(44)은 연직 하방으로 시너를 토출하도록 나타내고 있지만, 수평면에 대해 경사 방향으로 시너를 토출하도록 해도 된다. 또한, 앞서 서술한 장치의 각 구성 및 각 처리 방법에 대해서는, 적절하게 변형하거나, 서로 조합할 수 있다.In the above example, the module for forming the resist film R1 and the module for performing the EBR process are integrally constituted, however, the modules may be configured as different modules for each of these processes. That is, the coating and developing
(평가 시험)(evaluation test)
이하, 본 발명에 관련하여 행해진 평가 시험에 대해 설명한다.Hereinafter, the evaluation test performed in connection with this invention is demonstrated.
·평가 시험 1・
도 8에 도시한 로트 L1의 웨이퍼(W) 및 로트 L2의 웨이퍼(W)에 대해 EBR 처리를 행하고, 커트 폭 R3을 측정하였다. 도 9에 도시한 바와 같이, 커트 폭 R3의 설정값은 처리마다 변경하였다. 또한, 이 평가 시험 1에서는, 앞서 서술한 베벨부(B)의 형상에 기초한 시너 토출 노즐(44)의 위치의 보정은 행하고 있지 않다. 시너 토출 노즐(44)로부터 토출되는 시너의 유량은 200mL/분, 시너 토출 중의 웨이퍼(W)의 회전수는 1000rpm, 시너의 토출 시간은 8.0초로 각각 설정하였다. 또한, 시너 토출 노즐(44)의 구경 A1은, 0.3㎜이다.The wafer W of lot L1 and the wafer W of lot L2 shown in FIG. 8 were subjected to EBR processing, and the cut width R3 was measured. As shown in Fig. 9, the set value of the cut width R3 was changed for each process. In addition, in this
도 21의 그래프는 이 실험 결과를 나타내고 있고, 그래프의 횡축은 당해 커트 폭의 설정값(단위: ㎜)을, 그래프의 종축은 커트 폭 R3의 실측값(단위: ㎜)을 각각 나타내고 있다. 그래프 중, 원의 플롯으로 로트 L1에 대한 실험 결과를, 삼각의 플롯으로 로트 L2에 대한 실험 결과를 각각 나타내고 있다. 그래프에 나타난 바와 같이, 커트 폭 R3의 설정값이 0.6㎜∼0.7㎜인 경우, 로트 L1의 웨이퍼(W) 및 로트 L2의 웨이퍼(W)에 대해, 커트 폭 R3의 설정값과 커트 폭 R3의 실측값은 대략 일치하고 있다. 도 9에 도시한 바와 같이, 커트 폭 R3의 설정값이 이러한 범위인 경우, 시너 토출 노즐(44)로부터 시너가 토출될 때, 토출구(40)의 투영 영역 R2는 로트 L1, 로트 L2의 각 웨이퍼(W)의 베벨부(B)에 겹쳐지지 않거나, 투영 영역 R2 중의 근소한 크기의 영역만이 베벨부(B)에 겹쳐진 상태로 되어 있다.The graph of FIG. 21 shows the result of this experiment, the horizontal axis of the graph indicates the set value (unit: mm) of the cut width, and the vertical axis of the graph indicates the measured value (unit: mm) of the cut width R3, respectively. In the graph, a circle plot indicates the experimental result for lot L1, and a triangular plot indicates the experimental result for lot L2, respectively. As shown in the graph, when the set value of the cut width R3 is 0.6 mm to 0.7 mm, the set value of the cut width R3 and the cut width R3 for the wafer W of lot L1 and the wafer W of lot L2 are The measured values are approximately in agreement. As shown in Fig. 9, when the set value of the cut width R3 is within this range, when the thinner is discharged from the
그러나, 커트 폭 R3의 설정값이 0.6㎜보다 작은 경우, 즉, 로트 L1의 웨이퍼(W) 및 로트 L2의 웨이퍼(W)에 시너를 토출하는 데 있어서, 노즐의 토출구(40)의 투영 영역 R2 중 비교적 넓은 영역이 베벨부(B)에 겹쳐진 상태에서 시너가 토출되는 경우, 그래프에 나타난 바와 같이 커트 폭 R3의 설정값과 커트 폭 R3의 실측값 사이의 어긋남이 비교적 크고, 설정값에 대해 실측값이 작다. 그리고, 로트 L1의 웨이퍼(W) 및 로트 L2의 웨이퍼(W) 모두, 커트 폭 R3의 설정값이 작아질수록, 당해 설정값에 대한 실측값의 어긋남이 크게 되어 있고, 로트 L1의 웨이퍼(W)에 비하면 로트 L2의 웨이퍼(W)의 쪽이, 당해 어긋남이 크다.However, when the set value of the cut width R3 is smaller than 0.6 mm, that is, in discharging thinner to the wafer W of lot L1 and wafer W of lot L2, the projection area R2 of the
이 평가 시험 1의 결과로부터, 앞서 서술한 바와 같이 투영 영역 R2의 베벨부(B)에의 겹쳐짐이 적을수록, 즉, 베벨부(B)에 공급되는 시너의 양이 적을수록, 커트 폭 R3의 설정값과 커트 폭 R3의 실측값 사이의 어긋남의 양이 작은 것을 알 수 있다. 즉, 상기한 식 1의 시너 평탄부 비율에, 이 어긋남이 영향을 받는 것이 확인되었다. 또한, 투영 영역 R2 중, 베벨부(B)에 공급된 시너는, 레지스트막에 대한 반응의 기여는 낮아, 신속하게 배출되어 있는 것이 생각된다. 또한, 상기한 식 2는 이 평가 시험 1의 결과에 기초하여 취득한 것이다.As mentioned above from the result of this
B : 베벨부
B1 : 폭
R1 : 레지스트막
R2 : 투영 영역
R3 : 커트 폭
W : 웨이퍼
1 : 도포, 현상 장치
10 : 제어부
2 : 촬상 모듈
3 : 레지스트막 형성 모듈
30 : 시너
31 : 스핀 척
32 : 회전 기구
44 : 시너 토출 노즐
40 : 토출구
51 : 프로그램B: bevel part
B1: width
R1: resist film
R2: Projection Area
R3: cut width
W: Wafer
1: coating, developing device
10: control unit
2: imaging module
3: resist film forming module
30: thinner
31: spin chuck
32: rotation mechanism
44: thinner discharge nozzle
40: outlet
51: program
Claims (14)
상기 베벨부의 형상의 정보를 취득하는 공정과,
계속해서, 상기 처리액을 상기 기판의 표면에 국소적으로 토출하는 처리액 토출 노즐을, 취득된 상기 베벨부의 형상의 정보에 기초하여 결정되는 처리 위치로 이동시키는 공정과,
그러한 후, 상기 처리 위치에 있어서의 처리액 토출 노즐로부터 회전하는 상기 기판에 상기 처리액을 토출하고, 상기 베벨부를 포함하는 당해 기판의 주연을 따른 환상 영역에 상기 처리액을 공급하는 공정을 구비하고,
상기 처리액을 공급하는 공정은, 상기 처리액 토출 노즐이 구비하는 상기 처리액의 토출구의 당해 처리액의 토출 방향을 향하는 상기 기판의 표면에의 투영 영역이, 상기 베벨부에 겹쳐진 상태에서 행해지고,
상기 처리액 토출 노즐의 상기 처리 위치는, 상기 토출구의 투영 영역의 처리액 평탄부 비율에 기초하여 산출된 가상의 커트 폭 검출용 대응 관계를 토대로, 상기 처리액 토출 노즐의 초기 설정 위치에 대한 보정량을 산출하여 결정되는 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.In the liquid treatment method of performing treatment by supplying a treatment liquid to a circular substrate having a bevel portion formed along the periphery of the surface,
obtaining information on the shape of the bevel part;
then, moving a processing liquid discharge nozzle for locally discharging the processing liquid to the surface of the substrate to a processing position determined based on the obtained information on the shape of the bevel portion;
thereafter, discharging the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle at the processing position to the rotating substrate and supplying the processing liquid to an annular region along the periphery of the substrate including the bevel portion; ,
The step of supplying the treatment liquid is performed in a state in which a projection region of the treatment liquid discharge port provided in the treatment liquid discharge nozzle on the surface of the substrate facing the treatment liquid discharge direction overlaps the bevel portion,
The processing position of the processing liquid discharge nozzle is determined by a correction amount for the initial setting position of the processing liquid discharge nozzle based on a corresponding relationship for detecting a virtual cut width calculated based on the ratio of the processing liquid flat portion of the projection area of the discharge port A liquid treatment method, characterized in that determined by calculating
상기 베벨부의 형상은, 상기 베벨부의 폭을 포함하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.According to claim 1,
The shape of the bevel portion includes a width of the bevel portion, the liquid treatment method.
상기 베벨부의 형상은, 상기 베벨부의 기울기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.3. The method of claim 1 or 2,
The shape of the bevel part is characterized in that it includes the inclination of the bevel part, the liquid treatment method.
상기 처리액은, 상기 기판의 표면에 형성된 막을 제거하기 위한 제거액인 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.3. The method of claim 1 or 2,
The treatment liquid is a liquid treatment method, characterized in that the removal liquid for removing the film formed on the surface of the substrate.
서로 구경이 다른 복수의 상기 처리액 토출 노즐 중, 상기 베벨부의 정보에 기초하여, 사용하는 처리액 토출 노즐을 결정하는 공정을 포함하고,
상기 처리액 토출 노즐을 이동시키는 공정은, 결정된 상기 처리액 토출 노즐을 상기 처리 위치로 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.3. The method of claim 1 or 2,
determining a treatment liquid discharge nozzle to be used from among a plurality of treatment liquid discharge nozzles having different diameters, based on information on the bevel part;
The liquid treatment method according to claim 1, wherein the step of moving the treatment liquid discharge nozzle is a step of moving the determined treatment liquid discharge nozzle to the treatment position.
상기 베벨부의 형상의 정보를 취득하는 공정은, 상기 기판을 촬상하여 화상 데이터를 취득하고, 당해 화상 데이터에 기초하여 당해 베벨부의 형상의 정보를 취득하는 공정인 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.3. The method of claim 1 or 2,
The liquid processing method, characterized in that the step of acquiring information on the shape of the bevel part is a process of acquiring image data by imaging the substrate, and acquiring information on the shape of the bevel part based on the image data.
상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판을 회전시키는 회전 기구와,
상기 기판의 표면에 국소적으로 상기 처리액을 토출하는 처리액 토출 노즐과,
상기 처리액이 토출되는 위치가 상기 기판의 표면 직경 방향을 따라 이동하도록 당해 처리액 토출 노즐을 이동시키는 이동 기구와,
상기 베벨부의 형상의 정보를 취득하는 스텝과, 상기 처리액 토출 노즐을 당해 베벨부의 형상의 정보에 기초하여 결정되는 처리 위치로 이동시키는 스텝과, 당해 처리 위치에 있어서의 처리액 토출 노즐로부터 상기 처리액을 토출하여 상기 베벨부를 포함하는 당해 기판의 주연을 따른 환상 영역에 상기 처리액을 공급하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
상기 처리액 토출 노즐이 구비하는 상기 처리액의 토출구에 있어서의 당해 처리액의 토출 방향을 향하는 상기 기판의 표면에의 투영 영역이, 상기 베벨부에 겹쳐진 상태에서 상기 처리액이 토출되고,
상기 제어부는, 상기 토출구의 투영 영역의 처리액 평탄부 비율에 기초하여 산출된 가상의 커트 폭 검출용 대응 관계를 토대로, 상기 처리액 토출 노즐의 초기 설정 위치에 대한 보정량을 산출하여 상기 처리액 토출 노즐의 상기 처리 위치를 결정하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.A liquid processing apparatus for processing by supplying a processing liquid to a circular substrate having a bevel portion formed along a periphery of a surface, the liquid processing apparatus comprising:
a substrate holding unit for holding the substrate;
a rotating mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding unit;
a treatment liquid discharge nozzle for discharging the treatment liquid locally on the surface of the substrate;
a moving mechanism for moving the treatment liquid discharge nozzle so that the discharge position of the treatment liquid moves in a radial direction of the surface of the substrate;
obtaining information on the shape of the bevel part; moving the processing liquid discharge nozzle to a processing position determined based on information on the shape of the bevel part; and the processing from the processing liquid discharge nozzle at the processing position. a control unit for outputting a control signal to discharge the liquid and supply the processing liquid to an annular region along the periphery of the substrate including the bevel portion;
The processing liquid is discharged in a state in which a projection area on the surface of the substrate facing the discharge direction of the processing liquid in the processing liquid discharge port provided in the processing liquid discharge nozzle overlaps the bevel portion;
The control unit may be configured to calculate a correction amount for an initial set position of the treatment liquid discharge nozzle based on a corresponding relationship for detecting a virtual cut width calculated based on a ratio of the treatment liquid flat portion of the projection area of the discharge port to discharge the treatment liquid and determining the processing position of the nozzle.
상기 베벨부의 형상은, 상기 베벨부의 폭을 포함하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.8. The method of claim 7,
The shape of the bevel part includes a width of the bevel part, The liquid processing apparatus.
상기 베벨부의 형상은, 상기 베벨부의 기울기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
The shape of the bevel part is characterized in that it includes a slope of the bevel part.
상기 처리액 토출 노즐은, 서로 구경이 다른 복수의 상기 처리액 토출 노즐을 포함하고,
상기 제어부는, 복수의 상기 처리액 토출 노즐 중, 취득된 상기 베벨부의 정보에 기초하여 결정된 하나의 상기 처리액 토출 노즐이 상기 처리 위치로 이동하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
The treatment liquid discharge nozzle includes a plurality of treatment liquid discharge nozzles having different diameters,
wherein the control unit outputs a control signal such that one of the plurality of treatment liquid discharge nozzles determined based on the obtained information on the bevel portion moves to the treatment position. .
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판을 둘러싸는 컵과,
상기 컵에 설치되고, 상기 베벨부를 촬상하여 화상 데이터를 취득하기 위한 촬상부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 화상 데이터에 기초하여 상기 베벨부의 형상의 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
a cup surrounding the substrate held by the substrate holding unit;
It is installed in the cup and includes an imaging unit for acquiring image data by imaging the bevel part,
The liquid processing apparatus, wherein the control unit acquires information on the shape of the bevel part based on the image data.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2016-111952 | 2016-06-03 | ||
JP2016111952A JP6696306B2 (en) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | Liquid processing method, liquid processing apparatus, and storage medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170137625A KR20170137625A (en) | 2017-12-13 |
KR102339249B1 true KR102339249B1 (en) | 2021-12-14 |
Family
ID=60657766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170062714A KR102339249B1 (en) | 2016-06-03 | 2017-05-22 | Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6696306B2 (en) |
KR (1) | KR102339249B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7117956B2 (en) * | 2018-09-20 | 2022-08-15 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339364A (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | Cleaning method and cleaning device |
JP2010118519A (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | Method for cleaning wafer, and storage medium |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004179211A (en) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Nec Kansai Ltd | Edge rinse mechanism of resist coating device |
JP4601452B2 (en) * | 2005-02-22 | 2010-12-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
JP5729326B2 (en) * | 2012-02-14 | 2015-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
JP5747842B2 (en) * | 2012-02-27 | 2015-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
JP5835188B2 (en) | 2012-11-06 | 2015-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for removing coating film on peripheral edge of substrate, substrate processing apparatus, and storage medium |
-
2016
- 2016-06-03 JP JP2016111952A patent/JP6696306B2/en active Active
-
2017
- 2017-05-22 KR KR1020170062714A patent/KR102339249B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339364A (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | Cleaning method and cleaning device |
JP2010118519A (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | Method for cleaning wafer, and storage medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170137625A (en) | 2017-12-13 |
JP6696306B2 (en) | 2020-05-20 |
JP2017220489A (en) | 2017-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20230395380A1 (en) | Processing apparatus for forming a coating film on a substrate having a camera and a mirror member | |
KR102086170B1 (en) | Method of removing coating film of substrate peripheral portion, substrate processing apparatus and storage medium | |
JP4194495B2 (en) | Coating / developing equipment | |
US11676844B2 (en) | Coating film forming apparatus and adjustment method therefor | |
JP4137711B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate transfer means positioning method | |
KR102628875B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
CN111025850B (en) | Coating and developing apparatus and coating and developing method | |
WO2017061199A1 (en) | Liquid treatment device, liquid treatment method, and storage medium | |
KR101207046B1 (en) | Substrate processing method, computer readable storage medium, and substrate processing system | |
JP7202828B2 (en) | Board inspection method, board inspection apparatus and recording medium | |
KR102339249B1 (en) | Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium | |
JP2019021747A (en) | Substrate position adjustment method, storage medium, and substrate processing system | |
JP5283714B2 (en) | Coating film removing method and apparatus | |
JP6322840B2 (en) | Resist film removal method, resist film removal apparatus, and storage medium | |
US7884950B2 (en) | Substrate processing method, program, computer-readable storage medium, and substrate processing system | |
JP6608507B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer-readable recording medium | |
JP2020025118A (en) | Substrate treatment method, substrate treatment device, and computer readable recording medium | |
JP2005191303A (en) | Development method and development apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |