JP2016130348A - Method of manufacturing vapor deposition mask and method of manufacturing organic semiconductor element - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a vapor deposition mask that can manufacture the vapor deposition mask which achieves both high definition and weight reduction even if the size becomes large, can be improved in yield in a manufacturing process using the vapor-deposition mask and also improved in quality, and a method of manufacturing the organic semiconductor element using the vapor deposition mask manufactured in the manufacturing method.SOLUTION: A method of manufacturing a vapor deposition mask having a metal mask 10, provided with a slit 15 overlapping with an opening part 25 corresponding to a pattern to be manufactured through vapor deposition, laminated on one surface of a resin mask 20 provided with the opening part 25 includes: preparing a metal mask 35 with a resin plate formed by laminating a metallic mask 10 provided with a slit 15 on one surface of the resin plate 30; heating the metal mask 35 with the resin plate; and forming an opening part 25 corresponding to the pattern to be manufactured through vapor deposition on the resin plate 30 of the metal mask 35 with the resin plate after the heating.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a vapor deposition mask and a method for manufacturing an organic semiconductor element.

有機ＥＬ素子を用いた製品の大型化或いは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつある。そして、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。しかしながら、現在の金属加工技術では、大型の金属板に開口部を精度よく形成することは困難であり、開口部の高精細化への対応はできない。また、金属のみからなる蒸着マスクとした場合には、大型化に伴いその質量も増大し、フレームを含めた総質量も増大することから取り扱いに支障をきたすこととなる。   With the increase in size of products using organic EL elements or the increase in substrate size, there is an increasing demand for increasing the size of vapor deposition masks. And the metal plate used for manufacture of the vapor deposition mask comprised from a metal is also enlarged. However, with the current metal processing technology, it is difficult to accurately form the opening in a large metal plate, and it is not possible to cope with high definition of the opening. Further, in the case of a vapor deposition mask made of only metal, the mass increases with an increase in size, and the total mass including the frame also increases, resulting in trouble in handling.

このような状況下、特許文献１には、スリットが設けられた金属マスクと、金属マスクの表面に位置し蒸着作製するパターンに対応した開口部が縦横に複数列配置された樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクの製造方法が提案されている。特許文献１に提案がされている蒸着マスクの製造方法によれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たす蒸着マスクを製造することができるとされている。   Under such circumstances, Patent Document 1 is laminated with a metal mask provided with slits and a resin mask in which openings corresponding to a pattern to be deposited and formed on the surface of the metal mask are arranged in multiple rows vertically and horizontally. There has been proposed a method for manufacturing a vapor deposition mask. According to the method of manufacturing a vapor deposition mask proposed in Patent Document 1, it is said that a vapor deposition mask that satisfies both high definition and light weight can be manufactured even when the size is increased.

特許第５２８８０７３公報Japanese Patent No. 5288073

本発明は、上記特許文献１に提案がされている蒸着マスクの製造方法のさらなる改良を目的とし、大型化した場合でも軽量化を図ることができ、且つ従来よりも高精細な蒸着パターンを形成可能な蒸着マスクの製造方法や、従来よりも高精細な有機半導体素子を製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供することを主たる課題とする。   The present invention aims to further improve the method for manufacturing a vapor deposition mask proposed in Patent Document 1, and can reduce the weight even when the mask is enlarged, and can form a vapor deposition pattern with higher definition than the conventional one. It is a main subject to provide a method for manufacturing a vapor deposition mask that can be manufactured and a method for manufacturing an organic semiconductor element that can manufacture an organic semiconductor element with higher definition than before.

上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、前記開口部と重なるスリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクの製造方法であって、樹脂板の一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる樹脂板付き金属マスクを準備する準備工程と、前記樹脂板付き金属マスクを加熱する加熱工程と、前記加熱工程後、前記樹脂板付き金属マスクの前記樹脂板に、蒸着作製するパターンに対応する開口部を形成する開口部形成工程を含むことを特徴とする。   In order to solve the above problems, the present invention is formed by laminating a metal mask provided with a slit overlapping the opening on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be deposited. A method for manufacturing a vapor deposition mask, comprising: preparing a metal mask with a resin plate in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of a resin plate; and heating the metal mask with a resin plate And an opening forming step of forming an opening corresponding to a pattern to be deposited on the resin plate of the metal mask with the resin plate after the heating step.

また、上記課題を解決するための本発明は、有機半導体素子の製造方法であって、フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、樹脂板の一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる樹脂板付き金属マスクを準備する準備工程と、前記樹脂板付き金属マスクを加熱する加熱工程と、前記加熱工程後、前記樹脂板付き金属マスクの前記樹脂板に、蒸着作製するパターンに対応する開口部を形成する開口部形成工程と、により製造された蒸着マスクであることを特徴とする。   In addition, the present invention for solving the above-described problem is a method for manufacturing an organic semiconductor element, including a step of forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object using a vapor deposition mask with a frame in which the vapor deposition mask is fixed to the frame. In the step of forming the deposition pattern, the deposition mask fixed to the frame is prepared as a metal mask with a resin plate in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of the resin plate. A preparation step, a heating step for heating the metal mask with a resin plate, and an opening forming step for forming an opening corresponding to a pattern to be deposited on the resin plate of the metal mask with a resin plate after the heating step. And a vapor deposition mask manufactured by the following.

本発明の蒸着マスクの製造方法によれば、大型化した場合でも軽量化を図ることができ、且つ従来よりも高精細な蒸着パターンを形成可能な蒸着マスクを製造することができる。また、本発明の有機半導体素子の製造方法によれば、従来よりも高精細な有機半導体素子を製造することができる   According to the method for manufacturing a vapor deposition mask of the present invention, it is possible to reduce the weight even when the size of the vapor deposition mask is increased, and it is possible to produce a vapor deposition mask capable of forming a vapor deposition pattern with higher definition than before. Moreover, according to the method for manufacturing an organic semiconductor element of the present invention, an organic semiconductor element with higher definition than before can be manufactured.

一実施形態の蒸着マスクの製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図であり、（a）〜（ｃ）はともに概略断面図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment, (a)-(c) is a schematic sectional drawing. 加熱温度（℃）と伸び率（％）との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between heating temperature (degreeC) and elongation rate (%). 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of embodiment (A) from the metal mask side. 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of embodiment (A) from the metal mask side. 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of embodiment (A) from the metal mask side. 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of embodiment (A) from the metal mask side. 実施形態（Ｂ)の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of embodiment (B) from the metal mask side. 実施形態（Ｂ)の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of embodiment (B) from the metal mask side. フレーム付き蒸着マスクの一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of the vapor deposition mask with a flame | frame. フレーム付き蒸着マスクの一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of the vapor deposition mask with a flame | frame. フレームの一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of a flame | frame.

＜＜蒸着マスクの製造方法＞＞
以下、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法（以下、一実施形態の蒸着マスクの製造方法と言う）について具体的に説明する。一実施形態の蒸着マスクの製造方法は、蒸着作製するパターンに対応する開口部２５が設けられた樹脂マスク２０の一方の面上に、開口部２５と重なるスリット１５が設けられた金属マスク１０が積層されてなる蒸着マスク１００（図２（ｃ）参照）の製造方法であって、図２（a）に示すように、樹脂板３０の一方の面上に、スリット１５が設けられた金属マスク１０が積層されてなる樹脂板付き金属マスク３５を準備する準備工程（Ｓ１）と、樹脂板付き金属マスク３５を加熱する加熱工程（Ｓ２）と、加熱工程後、図２（ｂ）に示すように、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に、蒸着作製するパターンに対応する開口部２５を形成する開口部形成工程（Ｓ３）を含むことを特徴としている。 << Method for Manufacturing Deposition Mask >>
Hereinafter, a method for manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as a method for manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment) will be specifically described. In one embodiment of the method for manufacturing a vapor deposition mask, the metal mask 10 having the slit 15 that overlaps the opening 25 is formed on one surface of the resin mask 20 provided with the opening 25 corresponding to the pattern to be vapor deposited. A method of manufacturing a laminated vapor deposition mask 100 (see FIG. 2 (c)), as shown in FIG. 2 (a), a metal mask in which a slit 15 is provided on one surface of a resin plate 30. As shown in FIG. 2B, a preparation step (S1) for preparing the metal mask with resin plate 35 in which 10 is laminated, a heating step (S2) for heating the metal mask with resin plate 35, and the heating step. In addition, the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35 includes an opening forming step (S3) for forming the opening 25 corresponding to the pattern to be deposited.

以下、一実施形態の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクの優位性について説明する。   Hereinafter, the superiority of the vapor deposition mask manufactured by the vapor deposition mask manufacturing method of one embodiment will be described.

一実施形態の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクは、蒸着対象物の被蒸着面に蒸着パターンを形成するために用いられる。具体的には、蒸着対象物の被蒸着面への蒸着パターンの形成は、蒸着マスクの樹脂マスクと蒸着対象物の被蒸着面とが接するように重ね合わせ、蒸着源から放出された蒸着材を、樹脂マスクの開口部を通して蒸着対象物の被蒸着面に付着させることにより行われる。この蒸着方法では、蒸着対象物の被蒸着面に形成される蒸着パターンは、蒸着マスクの樹脂マスクに設けられている開口部の形状に対応するパターンとなることから、蒸着対象物の被蒸着面に高精細な蒸着パターンを形成するためには、（ｉ）樹脂マスクに設けられている開口部の寸法精度が高いこと（以下、課題（ｉ）と言う場合がある）が重要である。   The vapor deposition mask manufactured by the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment is used in order to form a vapor deposition pattern in the to-be-deposited surface of a vapor deposition target object. Specifically, the deposition pattern is formed on the deposition target surface of the deposition target so that the resin mask of the deposition mask and the deposition target surface of the deposition target are in contact with each other, and the deposition material released from the deposition source is placed on the deposition target. This is performed by adhering to the deposition surface of the deposition object through the opening of the resin mask. In this vapor deposition method, the vapor deposition pattern formed on the vapor deposition surface of the vapor deposition object is a pattern corresponding to the shape of the opening provided in the resin mask of the vapor deposition mask. In order to form a high-definition vapor deposition pattern, it is important that (i) the dimensional accuracy of the opening provided in the resin mask is high (hereinafter sometimes referred to as problem (i)).

また、蒸着対象物の被蒸着面に高精細な蒸着パターンを形成するためには、蒸着前後において、樹脂マスクに設けられている開口部の寸法や開口部の形成位置に変動が生じにくいこと（以下、課題（ｉｉ）と言う場合がある）も重要である。さらに、蒸着パターンの形成は、１つの蒸着マスクを繰り返し使用して行われることが一般的であり、繰り返し蒸着を行う都度、蒸着対象物に形成される蒸着パターンの寸法等に変動が生じないこと（以下、課題（ｉｉｉ）と言う場合がある）も重要である。例えば、蒸着マスクを用いた最初の蒸着時に蒸着対象物に形成される蒸着パターンの寸法と、当該蒸着マスクを用いた次の蒸着時に蒸着対象物に形成される蒸着パターンの寸法とで、寸法に違いが生じている場合には、最初の蒸着時、或いはこれ以降の蒸着時において、蒸着対象物に形成された蒸着パターンは不良扱いとなり、歩留まり低下を引き起こすこととなる。   Moreover, in order to form a high-definition vapor deposition pattern on the vapor deposition surface of the vapor deposition object, it is difficult for fluctuations in the dimension of the opening provided in the resin mask and the formation position of the opening before and after vapor deposition ( The problem (ii) may also be referred to below). Furthermore, the formation of the vapor deposition pattern is generally performed by repeatedly using one vapor deposition mask, and the dimensions of the vapor deposition pattern formed on the vapor deposition target do not vary each time repeated vapor deposition is performed. (Hereinafter, it may be referred to as a problem (iii)) is also important. For example, the dimension of the vapor deposition pattern formed on the vapor deposition object during the first vapor deposition using the vapor deposition mask and the dimension of the vapor deposition pattern formed on the vapor deposition object during the next vapor deposition using the vapor deposition mask. If there is a difference, the vapor deposition pattern formed on the vapor deposition object during the first vapor deposition or the subsequent vapor deposition is treated as a defect and causes a decrease in yield.

また、蒸着マスクの樹脂マスクにアライメントマーク等を形成し、当該アライメントマークを用いて蒸着マスクと蒸着対象物との位置合わせを行う場合には、蒸着前後や、繰り返しの蒸着時において、樹脂マスクに形成されているアライメントマークの形成位置に変動が生じていないことも重要である。   In addition, when an alignment mark or the like is formed on the resin mask of the vapor deposition mask and the alignment mask is used to align the vapor deposition mask and the vapor deposition object, the resin mask is used before and after vapor deposition or during repeated vapor deposition. It is also important that the formation position of the formed alignment mark does not vary.

一実施形態の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクを用いた蒸着方法としては、例えば、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着法等の物理的気相成長法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ法等の化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等を挙げることができる。   Examples of the vapor deposition method using the vapor deposition mask produced by the vapor deposition mask production method according to one embodiment include physical vapor deposition methods such as reactive sputtering, vacuum vapor deposition, ion plating, and electron beam vapor deposition. (Physical Vapor Deposition), Chemical Vapor Deposition such as thermal CVD, plasma CVD, and photo CVD (Chemical Vapor Deposition) can be used.

上記一般的な蒸着方法では、蒸着マスクに一定の熱がかけられた状態で、複数の蒸着対象物に対し、繰り返し蒸着パターンの形成が行われる。したがって、上記課題（ｉｉ）、（ｉｉｉ）を満たすためには、蒸着前後の蒸着マスクにおいて、樹脂マスクの温度に対する伸び率の変動量が小さいこと、また、繰り返し蒸着を行う際に、蒸着の都度、樹脂マスクの温度に対する伸び率に変動が生じない、或いは変動が小さいことが必要である。具体的には、最初の蒸着時から、最後の蒸着時まで、樹脂マスクの温度に対する伸び率が一定、或いは略一定となっていることが必要である。これは、蒸着を行う都度、樹脂マスクの温度に対する伸び率が変動していった場合には、繰り返しの蒸着時において、蒸着の都度、樹脂マスクに設けられている開口部やアライメントマーク等に寸法変動や位置ずれが生じてしまうことによる。   In the above general vapor deposition method, vapor deposition patterns are repeatedly formed on a plurality of vapor deposition objects in a state where a certain amount of heat is applied to the vapor deposition mask. Therefore, in order to satisfy the above problems (ii) and (iii), the amount of change in the elongation rate with respect to the temperature of the resin mask is small in the vapor deposition mask before and after vapor deposition, and each time vapor deposition is performed when repeated vapor deposition is performed. It is necessary that the elongation rate with respect to the temperature of the resin mask does not vary or is small. Specifically, it is necessary that the elongation ratio with respect to the temperature of the resin mask is constant or substantially constant from the first vapor deposition to the last vapor deposition. This is because when the rate of elongation with respect to the temperature of the resin mask fluctuates each time vapor deposition is performed, the dimensions of the openings and alignment marks provided in the resin mask each time vapor deposition are repeated. This is due to fluctuations and misalignment.

なお、一実施形態の蒸着マスクの製造方法では、レーザー加工等によって精度よいパターン形成が可能な樹脂板に開口部２５が形成されることから、上記課題（ｉ）を解決できている。   In addition, in the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment, since the opening part 25 is formed in the resin board which can form a pattern accurately by laser processing etc., the said subject (i) can be solved.

図３は、ポリイミド樹脂製の樹脂板（厚み６μｍ）を、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用いて引っ張り測定したときの、「温度（℃）」と、「伸び率（％）」との関係を示す図である。測定条件は、温度範囲：２０℃〜３００℃、昇温速度：約１０℃／ｍｉｎとした。伸び率（％）は、ΔＬ／Ｌ×１００（％）により算出した値である（Ｌは基準長さ、ΔＬは伸び量を示す）。同図における「１サイクル目」は、上記測定条件における１回目（最初）の測定結果であり、「２サイクル目」は、「１サイクル目」の測定が終了した樹脂板を、再び、上記測定条件にて測定したときの２回目の測定結果である。「３サイクル目」は、「２サイクル目」の測定が終了した樹脂板を、再び、上記測定条件にて測定したときの３回目（最後）の測定結果である。   FIG. 3 shows the relationship between “temperature (° C.)” and “elongation rate (%)” when a polyimide resin resin plate (thickness 6 μm) is subjected to tensile measurement using a thermomechanical analyzer (TMA). FIG. The measurement conditions were a temperature range: 20 ° C. to 300 ° C., and a temperature increase rate: about 10 ° C./min. The elongation rate (%) is a value calculated by ΔL / L × 100 (%) (L is a reference length, and ΔL is an elongation amount). The “first cycle” in the figure is the first (first) measurement result under the above measurement conditions, and the “second cycle” is the above measurement again for the resin plate after the “first cycle” measurement is completed. It is a measurement result of the 2nd time when it measures on conditions. The “third cycle” is the third (last) measurement result when the resin plate for which the measurement of the “second cycle” has been completed is again measured under the above measurement conditions.

図３の結果をみると、樹脂板の温度に対する伸び率（％）（以下、線膨張率（ｐｐｍ／℃）と言う）の変動量は、「１サイクル目」が極めて高く、「２サイクル目」以降は、樹脂板の線膨張率に変動がほとんど生じていないことがわかる。また、「２サイクル目」以降は、樹脂板の線膨張率の変動量が小さくなっていることがわかる。   From the results shown in FIG. 3, the fluctuation amount of the elongation (%) with respect to the temperature of the resin plate (hereinafter referred to as the linear expansion coefficient (ppm / ° C.)) is extremely high in the “first cycle”, and the “second cycle” After this, it can be seen that there is almost no variation in the linear expansion coefficient of the resin plate. Further, it can be seen that after the “second cycle”, the amount of fluctuation in the linear expansion coefficient of the resin plate is small.

図３の結果に照らすと、蒸着時における蒸着マスクの樹脂マスクが、上記「１サイクル目」の樹脂板に相当する場合、つまりは、当該蒸着マスクの樹脂マスクに、予め熱が加えられていない場合には、蒸着時において、蒸着マスクに所定の熱が加えられたときの樹脂マスクの線膨張率の変動量は大きくなり、これに伴い、樹脂マスクに設けられている開口部には、周囲の温度変化に伴い樹脂マスクの線膨張率の変動量の大きさに応じた寸法変動や位置ずれ等が生ずる。そして、蒸着時において、当該樹脂マスクに設けられている開口部に寸法変動や位置ずれ等が大きく生じた場合には、蒸着対象物に高精細な蒸着パターンを形成することが困難となる。   In light of the result of FIG. 3, when the resin mask of the vapor deposition mask at the time of vapor deposition corresponds to the resin plate of the “first cycle”, that is, no heat is applied to the resin mask of the vapor deposition mask in advance. In this case, the amount of fluctuation of the linear expansion coefficient of the resin mask when predetermined heat is applied to the vapor deposition mask increases during vapor deposition, and accordingly, the opening provided in the resin mask has a surrounding area. As the temperature changes, a dimensional change, a positional deviation, and the like according to the amount of change in the linear expansion coefficient of the resin mask occur. In the vapor deposition, when a large dimensional variation or positional deviation occurs in the opening provided in the resin mask, it becomes difficult to form a high-definition vapor deposition pattern on the vapor deposition target.

また、図３の結果に照らすと、蒸着マスクの樹脂マスクに、予め熱が加えられていない場合には、最初の蒸着時における蒸着マスクの樹脂マスクが、上記「１サイクル目」の樹脂板に相当し、次の蒸着時における蒸着マスクの樹脂マスクが、上記「２サイクル目」の樹脂板に相当することとなる。そうすると、最初の蒸着時と、次の蒸着時は、樹脂マスクの線膨張率の変動量が異なった状態で行われることとなり、最初の蒸着時において蒸着対象物に形成される蒸着パターンと、次の蒸着時において蒸着対象物に形成される蒸着パターンとでは寸法や位置に変動が生ずることとなる。   In addition, according to the results of FIG. 3, when heat is not previously applied to the resin mask of the vapor deposition mask, the resin mask of the vapor deposition mask at the time of the first vapor deposition is applied to the resin plate of the “first cycle”. Correspondingly, the resin mask of the vapor deposition mask at the time of the next vapor deposition corresponds to the “second cycle” resin plate. Then, during the first vapor deposition and the next vapor deposition, the amount of change in the linear expansion coefficient of the resin mask is different, and the vapor deposition pattern formed on the vapor deposition object during the first vapor deposition, In the vapor deposition, the size and position vary with the vapor deposition pattern formed on the vapor deposition object.

そこで、一実施形態の蒸着マスクの製造方法では、樹脂板付き金属マスクの樹脂板に、蒸着作製するパターンに対応する開口部を形成する前の段階で、樹脂板付き金属マスクを加熱する加熱工程を含んでいる点を特徴としている。樹脂板付き金属マスクを加熱する加熱工程を含む一実施形態の蒸着マスクの製造方法によれば、製造された段階で蒸着マスクの樹脂マスクは、図３に示す「２サイクル目」以降の樹脂板に相当することとなり、蒸着時において、蒸着マスクに所定の熱が加えられた場合であっても、樹脂マスクの線膨張率の変動量を小さくすることができ、製造された蒸着マスクを用いて、蒸着対象物に高精細な蒸着パターンを形成することができる。   Therefore, in the vapor deposition mask manufacturing method of one embodiment, a heating step of heating the metal mask with a resin plate at a stage before forming an opening corresponding to a pattern to be vapor-deposited on the resin plate of the metal mask with a resin plate. It is characterized by including According to the manufacturing method of the vapor deposition mask of one embodiment including the heating step of heating the metal mask with the resin plate, the resin mask of the vapor deposition mask is a resin plate after the “second cycle” shown in FIG. Even when predetermined heat is applied to the vapor deposition mask at the time of vapor deposition, the amount of fluctuation of the linear expansion coefficient of the resin mask can be reduced, and the produced vapor deposition mask is used. A high-definition deposition pattern can be formed on the deposition object.

また、図３に示すように、「２サイクル目」以降は、樹脂板の線膨張率の変動量はほぼ一定となることから、最初の蒸着時において、樹脂マスクを「２サイクル目」の樹脂板に相当する樹脂マスクとしておく一実施形態の蒸着マスクの製造方法によれば、製造された蒸着マスクを用いた蒸着パターンの形成時に、最初の蒸着時から最後の蒸着時まで、蒸着対象物に、蒸着パターンを同一、或いは略同一のパターンで形成することができる。換言すれば、一実施形態の蒸着マスクの製造方法によれば、製造された蒸着マスクを用いて複数の蒸着対象物に対し、繰り返しの蒸着を行う場合において、最初の蒸着時から最後の蒸着時まで、蒸着対象物の被蒸着面に蒸着パターンをばらつきなく形成することができる。以下、各工程について説明する。   Further, as shown in FIG. 3, since the fluctuation amount of the linear expansion coefficient of the resin plate is substantially constant after the “second cycle”, the resin mask is placed on the “second cycle” resin during the first vapor deposition. According to the method of manufacturing a vapor deposition mask of one embodiment, which is a resin mask corresponding to a plate, when forming a vapor deposition pattern using the produced vapor deposition mask, the vapor deposition object is deposited from the first vapor deposition to the final vapor deposition. The vapor deposition pattern can be formed in the same or substantially the same pattern. In other words, according to the method for manufacturing a vapor deposition mask of one embodiment, when performing repeated vapor deposition on a plurality of vapor deposition objects using the produced vapor deposition mask, from the first vapor deposition time to the last vapor deposition time. Until now, the vapor deposition pattern can be formed without variation on the deposition surface of the vapor deposition object. Hereinafter, each step will be described.

＜＜準備工程（Ｓ１）＞＞
準備工程（Ｓ１）は、図２（a）に示すように、樹脂板３０の一方の面上に、スリット１５が設けられた金属マスク１０が積層されてなる樹脂板付き金属マスク３５を準備する工程である。 << Preparation process (S1) >>
In the preparation step (S1), as shown in FIG. 2A, a metal mask 35 with a resin plate is prepared by laminating the metal mask 10 provided with the slits 15 on one surface of the resin plate 30. It is a process.

樹脂板付き金属マスク３５は、スリット１５が設けられた金属マスク１０と、樹脂板３０とが積層された構成をとる。樹脂板付き金属マスク３５は、予めスリット１５が形成されている金属マスク１０と樹脂板３０とを従来公知の方法、例えば、接着剤等を用いて貼り合せたものを用いてもよく、金属板と、樹脂板３０とを貼り合わせた後に、当該金属板のみを貫通するスリット１５を形成することで得られるものを用いてもよい。また、これ以外の方法で得られた樹脂板付き金属マスク３５を用いてもよい。また、接着材等によって、金属マスクと樹脂板とを貼り合わせることにかえて、自己粘着性を有する樹脂板を用いて、金属マスクと樹脂板とを貼り合わせることもできる。   The metal mask with resin plate 35 has a configuration in which the metal mask 10 provided with the slits 15 and the resin plate 30 are laminated. As the metal mask with resin plate 35, a metal mask 10 in which the slits 15 are formed in advance and the resin plate 30 may be bonded together using a conventionally known method, for example, an adhesive or the like. Then, after bonding the resin plate 30, a material obtained by forming the slit 15 penetrating only the metal plate may be used. Moreover, you may use the metal mask 35 with a resin plate obtained by methods other than this. Further, instead of bonding the metal mask and the resin plate with an adhesive or the like, the metal mask and the resin plate can be bonded using a resin plate having self-adhesiveness.

樹脂板付き金属マスク３５を構成する樹脂板３０は、板状の樹脂のみならず、コーティングによって形成された樹脂層や樹脂膜であってもよい。つまり、樹脂板は、予め準備されたものであってもよく、金属板と樹脂板３０とを用いて樹脂板付き金属マスク５０を形成する場合には、金属板上に、従来公知のコーティング法等によって、最終的に樹脂マスクとなる樹脂層、或いは樹脂膜を形成することもできる。   The resin plate 30 constituting the metal mask with resin plate 35 may be not only a plate-shaped resin but also a resin layer or a resin film formed by coating. That is, the resin plate may be prepared in advance, and when the metal mask 50 with a resin plate is formed using the metal plate and the resin plate 30, a conventionally known coating method is applied on the metal plate. For example, a resin layer or a resin film that finally becomes a resin mask can be formed.

金属マスク１０の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。   The material of the metal mask 10 is not particularly limited, and any conventionally known material can be appropriately selected and used in the field of the evaporation mask, and examples thereof include metal materials such as stainless steel, iron-nickel alloy, and aluminum alloy. . Among them, an invar material that is an iron-nickel alloy can be suitably used because it is less deformed by heat.

また、一実施形態の蒸着マスクの製造方法で製造された蒸着マスクを用いて、蒸着対象物の被蒸着面へ蒸着を行うにあたり、蒸着対象物の後方に磁石等を配置して、蒸着対象物の前方の蒸着マスクを磁力によって引きつけることが必要な場合には、金属マスク１０を磁性体で形成することが好ましい。磁性体の金属マスク１０の材料としては、鉄ニッケル合金、純鉄、炭素鋼、タングステン（Ｗ）鋼、クロム（Ｃｒ）鋼、コバルト（Ｃｏ）鋼、コバルト・タングステン・クロム・炭素を含む鉄の合金であるＫＳ鋼、鉄・ニッケル・アルミニウムを主成分とするＭＫ鋼、ＭＫ鋼にコバルト・チタンを加えたＮＫＳ鋼、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ鋼、アルミニウム（Ａｌ）−鉄（Ｆｅ）合金等を挙げることができる。また、金属マスク１０を形成する材料そのものが磁性体でない場合には、当該材料に上記磁性体の粉末を分散させることにより金属マスク１０に磁性を付与してもよい。   Further, when performing vapor deposition on the deposition target surface of the vapor deposition object using the vapor deposition mask manufactured by the vapor deposition mask manufacturing method of one embodiment, a magnet or the like is arranged behind the vapor deposition object, When it is necessary to attract the vapor deposition mask in front of the metal by a magnetic force, the metal mask 10 is preferably formed of a magnetic material. The magnetic metal mask 10 may be made of iron-nickel alloy, pure iron, carbon steel, tungsten (W) steel, chromium (Cr) steel, cobalt (Co) steel, or iron containing cobalt, tungsten, chromium, or carbon. Alloys such as KS steel, MK steel mainly composed of iron, nickel and aluminum, NKS steel with cobalt and titanium added to MK steel, Cu-Ni-Co steel, aluminum (Al) -iron (Fe) alloy, etc. Can be mentioned. When the material forming the metal mask 10 is not a magnetic material, the metal mask 10 may be magnetized by dispersing the magnetic powder in the material.

金属マスク１０の厚みについても特に限定はないが、シャドウの発生をより効果的に防止するためには、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、３５μｍ以下であることが特に好ましい。なお、５μｍより薄くした場合、破断や変形のリスクが高まるとともにハンドリングが困難となる傾向にある。なお、シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材の一部が、金属マスク１０のスリット１５の内壁面や、樹脂マスクの開口部２５の内壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。特に、開口部２５の形状を微細化していくことにともない、シャドウによる影響は大きくなる。   Although the thickness of the metal mask 10 is not particularly limited, it is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, and more preferably 35 μm or less in order to more effectively prevent the occurrence of shadows. Particularly preferred. When the thickness is less than 5 μm, the risk of breakage and deformation increases and handling tends to be difficult. The shadow means that a part of the vapor deposition material released from the vapor deposition source collides with the inner wall surface of the slit 15 of the metal mask 10 or the inner wall surface of the opening 25 of the resin mask and does not reach the vapor deposition target. This means a phenomenon in which an undeposited portion having a film thickness thinner than the target deposited film thickness occurs. In particular, as the shape of the opening 25 is miniaturized, the influence of the shadow increases.

スリット１５の開口を平面視したときの形状について特に限定はなく、矩形状、台形状、円形状等いかなる形状であってもよい。樹脂板３０に開口部２５を形成してなる樹脂マスク２０を平面視したときの開口部２５の形状についても同様である。   The shape of the opening of the slit 15 when viewed in plan is not particularly limited, and may be any shape such as a rectangular shape, a trapezoidal shape, or a circular shape. The same applies to the shape of the opening 25 when the resin mask 20 formed by forming the opening 25 in the resin plate 30 is viewed in plan view.

金属マスク１０に形成されるスリット１５の断面形状についても特に限定されることはないが、図２に示すように、蒸着源である金属マスクの他方の面側に向かって広がりをもつ、すなわち、金属マスク１０の一方の面から金属マスク１０の他方の面に向かって広がりをもつ形状であることが好ましい。具体的には、金属マスク１０のスリット１５における下底先端と、同じく金属マスク１０のスリット１５における上底先端とを結んだ直線と金属マスク１０の底面とのなす角度、換言すれば、金属マスク１０のスリット１５を構成する内壁面の厚み方向断面において、スリット１５の内壁面と、金属マスク１０の樹脂マスク２０と接する側の面（図示する形態では、金属マスクの下面）とのなす角度は、５°〜８５°の範囲内であることが好ましく、１５°〜８０°の範囲内であることがより好ましく、２５°〜６５°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。   The cross-sectional shape of the slit 15 formed in the metal mask 10 is not particularly limited, but as shown in FIG. 2, it has an extension toward the other surface side of the metal mask that is a deposition source. It is preferable that the metal mask 10 has a shape that extends from one surface of the metal mask 10 to the other surface of the metal mask 10. Specifically, an angle formed by a straight line connecting the lower bottom tip of the slit 15 of the metal mask 10 and the upper bottom tip of the slit 15 of the metal mask 10 and the bottom surface of the metal mask 10, in other words, the metal mask. 10, the angle formed by the inner wall surface of the slit 15 and the surface of the metal mask 10 on the side in contact with the resin mask 20 (in the illustrated embodiment, the lower surface of the metal mask) is It is preferably within the range of 5 ° to 85 °, more preferably within the range of 15 ° to 80 °, and even more preferably within the range of 25 ° to 65 °. In particular, within this range, an angle smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used is preferable.

スリット１５が設けられた金属マスク１０の形成方法としては、金属板の表面にマスキング部材、例えば、レジスト材を塗工し、所定の箇所を露光し、現像することで、最終的にスリット１５が形成される位置を残したレジストパターンを形成する。マスキング部材として用いるレジスト材としては処理性が良く、所望の解像性があるものが好ましい。次いで、このレジストパターンを耐エッチングマスクとして用いてエッチング法によりエッチング加工する。エッチングが終了後、レジストパターンを洗浄除去する。これにより、スリット１５が設けられた金属マスク１０が得られる。スリット１５を形成するためのエッチングは、金属板の片面側から行ってもよく、両面から行ってもよい。また、金属板に樹脂板３０が設けられた積層体を用いて、金属板にスリット１５を形成する場合には、金属板の樹脂板と接しない側の表面にマスキング部材を塗工して、片面側からのエッチングによってスリット１５が形成される。なお、樹脂板が、金属板のエッチング材に対し耐エッチング性を有する場合には、樹脂板の表面をマスキングする必要はないが、樹脂板が、金属板のエッチング材に対する耐性を有しない場合には、樹脂板の表面にマスキング部材を塗工しておく必要がある。また、上記では、マスキング部材としてレジスト材を中心に説明を行ったが、レジスト材を塗工する代わりにドライフィルムレジストをラミネートし、同様のパターニングを行ってもよい。   As a method of forming the metal mask 10 provided with the slit 15, a masking member, for example, a resist material is applied to the surface of the metal plate, a predetermined portion is exposed and developed, and finally the slit 15 is formed. A resist pattern is formed leaving the position to be formed. As the resist material used as the masking member, those having good processability and desired resolution are preferable. Next, etching is performed by an etching method using this resist pattern as an etching resistant mask. After the etching is completed, the resist pattern is removed by washing. Thereby, the metal mask 10 provided with the slit 15 is obtained. Etching for forming the slit 15 may be performed from one side of the metal plate or from both sides. Moreover, when forming the slit 15 in the metal plate using a laminate in which the resin plate 30 is provided on the metal plate, a masking member is applied to the surface of the metal plate that does not contact the resin plate, A slit 15 is formed by etching from one side. In addition, when the resin plate has etching resistance to the etching material of the metal plate, it is not necessary to mask the surface of the resin plate, but when the resin plate does not have resistance to the etching material of the metal plate. Needs to be coated with a masking member on the surface of the resin plate. In the above description, the resist material is mainly described as the masking member. However, instead of coating the resist material, a dry film resist may be laminated and the same patterning may be performed.

樹脂板３０の材料について特に限定はないが、レーザー加工等によって高精細な開口部２５の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン−メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が１．０％以下である樹脂材料が好ましい。   Although there is no particular limitation on the material of the resin plate 30, it is possible to form a high-definition opening 25 by laser processing or the like, and use a lightweight material that has a small dimensional change rate and moisture absorption rate over time and with time. preferable. Examples of such materials include polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyethylene resin, polyvinyl alcohol resin, polypropylene resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin, ethylene vinyl acetate copolymer resin, ethylene- Examples thereof include vinyl alcohol copolymer resin, ethylene-methacrylic acid copolymer resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, cellophane, and ionomer resin. Among the materials exemplified above, a resin material having a thermal expansion coefficient of 16 ppm / ° C. or less is preferable, and a resin material having a moisture absorption rate of 1.0% or less is preferable.

樹脂板３０は、後述する開口部形成工程において開口部２５を形成することで、最終的に開口部２５が設けられた樹脂マスク２０となる。樹脂板３０について特に限定はないが、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスク１００を用いて蒸着を行ったときに、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分、所謂シャドウが生じることを防止するためには、樹脂マスク２０は可能な限り薄いことが好ましい。つまり、最終的に樹脂マスク２５となる樹脂板３０の厚みは可能な限り薄いことが好ましい。しかしながら、樹脂マスク２０の厚みが３μｍ未満である場合には、ピンホール等の欠陥が生じやすく、また変形等のリスクが高まる。一方で、２５μｍを超えるとシャドウの発生が生じ得る。この点を考慮すると最終的に樹脂マスク２０となる樹脂板３０の厚みは３μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。最終的に樹脂マスク２０となる樹脂板３０の厚みをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、最終的に樹脂マスク２０となる樹脂板３０の厚みを、３μｍ以上１０μｍ未満、より好ましくは４μｍ以上８μｍ以下とすることで、一実施形態の蒸着マスクの製造方法を用いて製造される蒸着マスクを用いて４００ｐｐｉを超える高精細パターンを形成する際のシャドウの影響をより効果的に防止することができる。   The resin plate 30 is finally formed into the resin mask 20 provided with the opening 25 by forming the opening 25 in the opening forming step described later. Although there is no limitation in particular about the resin board 30, when it vapor-deposits using the vapor deposition mask 100 manufactured by the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment of this invention, a film thickness thinner than the target vapor deposition film thickness The resin mask 20 is preferably as thin as possible in order to prevent so-called shadows from being generated. That is, it is preferable that the thickness of the resin plate 30 that finally becomes the resin mask 25 is as thin as possible. However, when the thickness of the resin mask 20 is less than 3 μm, defects such as pinholes are likely to occur, and the risk of deformation and the like increases. On the other hand, if it exceeds 25 μm, shadows may occur. Considering this point, it is preferable that the thickness of the resin plate 30 that finally becomes the resin mask 20 is 3 μm or more and 25 μm or less. By finally setting the thickness of the resin plate 30 to be the resin mask 20 within this range, it is possible to reduce the risk of defects such as pinholes and deformation, and to effectively prevent the occurrence of shadows. In particular, the thickness of the resin plate 30 that finally becomes the resin mask 20 is 3 μm or more and less than 10 μm, more preferably 4 μm or more and 8 μm or less, so that the vapor deposition manufactured using the vapor deposition mask manufacturing method of one embodiment. It is possible to more effectively prevent the influence of shadows when a high-definition pattern exceeding 400 ppi is formed using a mask.

＜＜加熱工程（Ｓ２）＞＞
加熱工程（Ｓ２）は、樹脂板付き金属マスク３５を加熱する工程である。 << Heating Step (S2) >>
A heating process (S2) is a process of heating the metal mask 35 with a resin plate.

表１に、ポリイミド樹脂製の樹脂板（厚み６μｍ）の線膨張係数（以下、ＣＴＥと言う）の乖離率（％）を示す。ＣＴＥの測定は、以下のサンプル１〜６を準備し、各サンプルについて、算出温度範囲：２０℃−３００℃の条件で実施し、下式（１）により、ＣＴＥの乖離率を測定した。また、ＣＴＥの測定は大気中で行った。なお、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」が小さいほど、温度依存による樹脂板の線膨張率の変動量は小さくなる。   Table 1 shows the deviation rate (%) of the linear expansion coefficient (hereinafter referred to as CTE) of a polyimide resin resin plate (thickness: 6 μm). The following samples 1 to 6 were prepared for the measurement of CTE, and for each sample, the calculation temperature range was 20 ° C. to 300 ° C., and the CTE divergence rate was measured by the following equation (1). The CTE was measured in the atmosphere. Note that the smaller the “absolute value” of the CTE divergence rate, the smaller the variation in the linear expansion coefficient of the resin plate due to temperature dependence.

「サンプルの準備」
サンプル１：予備加熱なし
サンプル２：予備加熱あり（最高温度５０℃）
サンプル３：予備加熱あり（最高温度１００℃）
サンプル４：予備加熱あり（最高温度１５０℃）
サンプル５：予備加熱あり（最高温度２００℃）
サンプル６：予備加熱あり（最高温度３００℃）
サンプル２〜６の予備加熱は、昇温速度１０℃／ｍｉｎで最高温度まで昇温させ、最高温度で５分保持し、その後２０℃まで戻した。ＣＴＥの測定には、ＴＭＡ ＥＸＳＴＡＲ６０００（セイコーインスツル（株）製）を用いた。 Sample preparation
Sample 1: No preheating Sample 2: Preheating (maximum temperature 50 ° C)
Sample 3: Preheating (maximum temperature 100 ° C)
Sample 4: With preheating (maximum temperature 150 ° C)
Sample 5: Preheating (maximum temperature 200 ° C)
Sample 6: Preheating (maximum temperature 300 ° C)
Preheating of samples 2 to 6 was performed by raising the temperature to the maximum temperature at a temperature increase rate of 10 ° C./min, holding the maximum temperature for 5 minutes, and then returning to 20 ° C. For measurement of CTE, TMA EXSTAR6000 (manufactured by Seiko Instruments Inc.) was used.

ＣＴＥの乖離率＝（昇温時のＣＴＥ−降温時のＣＴＥ）／（降温時のＣＴＥ）×１００（％）・・・式（１）
昇温時のＣＴＥは昇温時（２０℃→３００℃）で算出し、降温時のＣＴＥは降温時（３００℃→２０℃）で算出した。 CTE divergence rate = (CTE at the time of temperature rise-CTE at the time of temperature drop) / (CTE at the time of temperature drop) × 100 (%) (1)
CTE at the time of temperature increase was calculated at the time of temperature increase (20 ° C. → 300 ° C.), and CTE at the time of temperature decrease was calculated at the time of temperature decrease (300 ° C. → 20 ° C.).

Figure 2016130348
Figure 2016130348

表１の結果より、樹脂板に対し、予備加熱を行ったサンプル（サンプル２〜６）は、予備加熱を行わないサンプル（サンプル１）と比較して、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」が小さくなっていることがわかる。特に、予備加熱の最高温度を１００℃以上としたサンプル（サンプル３〜６）では、サンプル２と比較して、大幅にＣＴＥの乖離率の「絶対値」が小さくなっていることがわかる。   From the results in Table 1, the samples (samples 2 to 6) that were preheated with respect to the resin plate had an “absolute value” of the CTE divergence rate compared to the sample that was not preheated (sample 1). You can see that it is getting smaller. In particular, in the samples (samples 3 to 6) in which the maximum temperature of the preheating is 100 ° C. or higher, it can be seen that the “absolute value” of the CTE deviation rate is significantly smaller than that of the sample 2.

予備加熱を行うことで、当該予備加熱された樹脂板のＣＴＥの乖離率の「絶対値」が小さくなるメカニズムは現在のところ必ずしも明らかではないが、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」は、樹脂板が含有している水分量、換言すれば、樹脂板の含水率と密接的な関係を有しているものと推察され、具体的には、樹脂板が含有している水分量が少ないほど、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」は小さくなるものと推察される。さらには、予備加熱温度を高くすることで、樹脂板が含有している水分の除去率を高めることができ、予備加熱温度が高いほど、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」は小さくなるものと推察される。   Although the mechanism by which the “absolute value” of the CTE divergence rate of the preheated resin plate is reduced by preheating is not necessarily clear at present, the “absolute value” of the CTE divergence rate is It is inferred that the moisture content contained in the plate, in other words, has a close relationship with the moisture content of the resin plate. Specifically, the less moisture content the resin plate contains Therefore, it is presumed that the “absolute value” of the CTE divergence rate decreases. Furthermore, by increasing the preheating temperature, it is possible to increase the removal rate of moisture contained in the resin plate. The higher the preheating temperature, the smaller the “absolute value” of the CTE divergence rate. Inferred.

例えば、予備加熱後のサンプル２の樹脂板が含有している水分量と、予備加熱を行っていないサンプル１の樹脂板が含有している水分量とを比較すると、予備加熱を行っているサンプル２の樹脂板の方が、サンプル１の樹脂板よりも、樹脂板が含有している水分量は少なくなる。これにより、サンプル２の樹脂板は、サンプル１の樹脂板と比較して、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」は小さくなっているものと推察される。   For example, when the amount of water contained in the resin plate of sample 2 after preheating is compared with the amount of water contained in the resin plate of sample 1 that has not been preheated, the sample that has been preheated. The amount of water contained in the resin plate of the resin plate 2 is smaller than that of the resin plate of the sample 1. Accordingly, it is presumed that the “absolute value” of the CTE divergence rate is smaller in the resin plate of sample 2 than in the resin plate of sample 1.

また、予備加熱後のサンプル２の樹脂板が含有している水分量と、予備加熱後のサンプル３の樹脂板が含有している水分量とを比較すると、予備加熱温度が高いサンプル３の方が、樹脂板が含有している水分の除去率は高く、結果、樹脂板が含有している水分量は少なくなる。これにより、サンプル３の樹脂板は、サンプル２の樹脂板と比較して、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」は小さくなっているものと推察される。   Further, when the amount of water contained in the resin plate of sample 2 after preheating is compared with the amount of water contained in the resin plate of sample 3 after preheating, sample 3 having a higher preheating temperature is compared. However, the removal rate of moisture contained in the resin plate is high, and as a result, the amount of moisture contained in the resin plate is reduced. Accordingly, it is presumed that the “absolute value” of the CTE deviation rate is smaller in the resin plate of sample 3 than in the resin plate of sample 2.

特に、水の沸点である１００℃以上の温度で樹脂板の予備加熱を行っているサンプル３〜サンプル６においては、水分の除去率を極めて高くすることができ、その結果、ＣＴＥの乖離率の「絶対値」が大幅に小さくなっているものと推察される。   In particular, in Samples 3 to 6 where the resin plate is preheated at a temperature of 100 ° C. or higher, which is the boiling point of water, the water removal rate can be made extremely high. It is inferred that the “absolute value” has decreased significantly.

なお、上記メカニズムによらないとしても、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に開口部２５を形成する前の段階で、樹脂板付き金属マスク３５を、予め加熱しておくことで、製造される蒸着マスクを用いた最初の蒸着時における樹脂マスクの線膨張率の変動量を小さくでき、また、最初の蒸着時から最後の蒸着時に至るまで、樹脂マスク２０の線膨張率の変動量を一定とすることができる。つまりは、最初の蒸着時から最後の蒸着時に至るまで、線膨張率の変動量にばらつきが生ずることを抑制することができことは、図３、及び表１の結果からも明らかとなっている。   Even if it is not based on the above mechanism, it is manufactured by heating the metal mask with resin plate 35 in advance before the opening 25 is formed in the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35. The amount of fluctuation of the linear expansion coefficient of the resin mask during the first vapor deposition using the vapor deposition mask can be reduced, and the fluctuation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask 20 is constant from the time of the first vapor deposition to the time of the final vapor deposition. It can be. In other words, it is clear from the results of FIG. 3 and Table 1 that the variation in the coefficient of linear expansion can be suppressed from the first vapor deposition to the final vapor deposition. .

なお、上記の結果を考慮すると、樹脂板付き金属マスク３５の加熱温度は、５０℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることがより好ましい。特に、１００℃以上の温度で樹脂板付き金属マスク３５を加熱することで、短時間で樹脂板付き金属マスクの樹脂板が含有している水分の除去を十分に行うことができる。換言すれば、樹脂板付き金属マスク３５の加熱温度を１００℃以上とすることで、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板が含有している水分の除去率を向上させることができる。つまり、加熱温度を１００℃以上とした場合には、比較的短時間の加熱で、ＣＴＥの乖離率が極めて小さい蒸着マスクを製造することができる。これにより、製造された蒸着マスク１００を用いた最初の蒸着時において、樹脂マスク２０の線膨張率の変動量を小さくすることができ、また、製造された蒸着マスクを用いた最初の蒸着時から最後の蒸着時に至るまで、樹脂マスク２０の線膨張率の変動量をより一定とすることができる。さらに、加熱温度を１００℃以上とした場合には、短時間で、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に含まれる水分を完全に除去、或いは十分に除去することができ、吸湿による樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０の膨張を抑えた状態で開口部２５を形成することができる。   In consideration of the above results, the heating temperature of the metal mask with resin plate 35 is preferably 50 ° C. or higher, and more preferably 100 ° C. or higher. In particular, by heating the metal mask with resin plate 35 at a temperature of 100 ° C. or higher, the moisture contained in the resin plate of the metal mask with resin plate can be sufficiently removed in a short time. In other words, by setting the heating temperature of the metal mask with resin plate 35 to 100 ° C. or higher, the removal rate of moisture contained in the resin plate of the metal mask with resin plate 35 can be improved. That is, when the heating temperature is set to 100 ° C. or higher, it is possible to manufacture an evaporation mask with a very small CTE deviation rate by heating in a relatively short time. Thereby, at the time of the first vapor deposition using the manufactured vapor deposition mask 100, the amount of fluctuation of the linear expansion coefficient of the resin mask 20 can be reduced, and since the first vapor deposition using the produced vapor deposition mask. Until the last vapor deposition, the fluctuation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask 20 can be made more constant. Furthermore, when the heating temperature is 100 ° C. or higher, the moisture contained in the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35 can be completely or sufficiently removed in a short time, and the resin plate due to moisture absorption. The opening 25 can be formed in a state where the expansion of the resin plate 30 of the attached metal mask 35 is suppressed.

なお、このことは、樹脂板付き金属マスク３５の加熱温度を限定するものではなく、加熱温度にかかわらず、樹脂板付き金属マスク３５を加熱した状態で、開口部の形成を行う一実施形態の蒸着マスクの製造方法によれば、製造された蒸着マスクの樹脂マスクが含有している水分量を少なくすることができ、樹脂板付き金属マスク３５を加熱することなく開口部を形成した蒸着マスクと比較して、製造された蒸着マスクを用いた最初の蒸着時における樹脂マスクの線膨張率の変動量を小さくすることができ、また、樹脂マスク２０の線膨張率の変動量のばらつきを小さくすることができる。   Note that this does not limit the heating temperature of the metal mask with resin plate 35, and the opening is formed in a state where the metal mask with resin plate 35 is heated regardless of the heating temperature. According to the method for manufacturing a vapor deposition mask, the amount of water contained in the resin mask of the vapor deposition mask thus manufactured can be reduced, and the vapor deposition mask in which the opening is formed without heating the metal mask with resin plate 35. In comparison, the fluctuation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask during the first vapor deposition using the manufactured vapor deposition mask can be reduced, and the fluctuation of the fluctuation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask 20 can be reduced. be able to.

また、加熱温度にかかわらず、例えば、１００℃未満の加熱温度で加熱を行う場合であっても、加熱時間を適宜調整することで、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板が含有している水分量を十分に少なくすることができる。加熱温度の下限値としては、一般的に常温と称される２５℃である。   In addition, regardless of the heating temperature, for example, even when heating is performed at a heating temperature of less than 100 ° C., moisture contained in the resin plate of the metal mask with resin plate 35 can be appropriately adjusted by adjusting the heating time. The amount can be reduced sufficiently. The lower limit of the heating temperature is 25 ° C., generally called normal temperature.

また、後述するように、樹脂板付き金属マスク３５の加熱を減圧環境下で行うことで、その加熱温度が１００℃未満であっても、比較的短時間の加熱で、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板が含有している水分を十分に除去することができ、製造された蒸着マスクを用いた最初の蒸着時における樹脂マスクの線膨張率の変動量を十分に小さくでき、また、蒸着を行う都度、樹脂マスク２０の線膨張率の変動量にばらつきが生ずることを十分に抑制することができる。   Further, as will be described later, by heating the metal mask with resin plate 35 under a reduced pressure environment, even if the heating temperature is less than 100 ° C., the metal mask with resin plate 35 can be heated in a relatively short time. Moisture contained in the resin plate can be sufficiently removed, and the amount of fluctuation of the linear expansion coefficient of the resin mask during the first vapor deposition using the produced vapor deposition mask can be sufficiently reduced. It is possible to sufficiently suppress the variation in the variation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask 20 each time it is performed.

また、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０は、後述するように樹脂材料から構成され、金属材料と比較してその吸湿率は高い。つまり、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に開口部２５を形成する前の段階で、当該樹脂板３０が含有している水分を除去していない場合には、製造された蒸着マスクを用いた最初の蒸着時において、蒸着マスク１００の樹脂マスク２０は多くの水分を含有している状態となる。樹脂マスク２０が水分を多く含有している状態で、蒸着対象物の被蒸着面に蒸着パターンの形成を行った場合には、蒸着時に、樹脂マスク２０から水分が放出され、当該放出された水分が、蒸着対象物の被蒸着面に形成される蒸着パターンの特性劣化を引き起こす等の問題が生じやすくなる。   Further, the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35 is made of a resin material as described later, and its moisture absorption rate is higher than that of the metal material. That is, when the moisture contained in the resin plate 30 is not removed at the stage before the opening 25 is formed in the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35, the manufactured vapor deposition mask is used. At the time of the first vapor deposition, the resin mask 20 of the vapor deposition mask 100 is in a state containing a large amount of moisture. When the deposition pattern is formed on the deposition target surface of the deposition target in a state where the resin mask 20 contains a large amount of moisture, moisture is released from the resin mask 20 during the deposition, and the released moisture. However, problems such as causing deterioration of the characteristics of the vapor deposition pattern formed on the surface to be vapor-deposited are likely to occur.

一実施形態の蒸着マスクの製造方法では、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に開口部２５を形成する前の段階で、樹脂板付き金属マスク３５に対して加熱が行われることから、加熱を行わない場合と比較して、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０が含有している水分を除去することができ、製造された蒸着マスクを用いた蒸着パターンの形成時において、樹脂マスク２０から水分が放出されることによる各種の問題の発生を抑制することができる。   In the manufacturing method of the vapor deposition mask of one embodiment, heating is performed on the metal mask 35 with a resin plate before the opening 25 is formed in the resin plate 30 of the metal mask 35 with a resin plate. Compared with the case where the process is not performed, the moisture contained in the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35 can be removed, and the resin mask 20 is formed at the time of forming the vapor deposition pattern using the produced vapor deposition mask. The occurrence of various problems due to the release of moisture from the water can be suppressed.

上記好ましい形態では、加熱温度を５０℃以上で加熱して、特に好ましくは１００℃以上で加熱して、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０が含有している水分を十分に除去しているが、この方法にかえて、減圧環境下で、樹脂板付き金属マスク３５を加熱して、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０が含有している水分を十分に除去することもできる。具体的には、減圧環境下で樹脂板付き金属マスク３５の加熱を行うことで、樹脂板が含有している水分の除去率を高めることができ、標準気圧（大気中）で加熱を行った場合と比較して、短い加熱時間で、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０が含有している水分を十分に除去することができる。   In the said preferable form, heating temperature is heated at 50 degreeC or more, Especially preferably, it heats at 100 degreeC or more, and fully removes the water | moisture content which the resin plate 30 of the metal mask 35 with a resin plate contains. However, instead of this method, the metal mask 35 with a resin plate can be heated under a reduced pressure environment to sufficiently remove moisture contained in the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35. Specifically, the removal rate of moisture contained in the resin plate can be increased by heating the metal mask 35 with a resin plate in a reduced pressure environment, and the heating was performed at standard atmospheric pressure (in the atmosphere). Compared with the case, the water | moisture content which the resin plate 30 of the metal mask 35 with a resin plate contains can fully be removed in a short heating time.

なお、本願明細書で言う減圧環境について特に限定はなく、標準気圧（１ａｔｍ（１．０１３２５×１０5Ｐａ））未満の環境を適宜選択すればよい。好ましい減圧環境は、１００Ｐａ以下であり、より好ましくは、１Ｐａ以下である。 In addition, there is no limitation in particular about the decompression environment said by this-application specification, What is necessary is just to select the environment below standard atmospheric pressure (1 atm (1.01325 * 10 < 5 > Pa)) suitably. A preferable reduced pressure environment is 100 Pa or less, and more preferably 1 Pa or less.

上記の加熱温度まで到達させるときの昇温速度についていかなる限定もされることはなく、一例としては、１０℃／ｍｉｎ程度である。また、加熱温度に到達したときの保持時間についても限定はなく、一例としては５ｍｉｎ程度である。   There is no limitation on the rate of temperature rise when reaching the heating temperature, and it is about 10 ° C./min as an example. Moreover, there is no limitation also about the holding time when it reaches heating temperature, and it is about 5 minutes as an example.

加熱温度の上限値については、樹脂板３０の材料の融点などを考慮して適宜設定すればよく特に限定はない。一例としての上限値は３００℃である。   The upper limit value of the heating temperature may be set as appropriate in consideration of the melting point of the material of the resin plate 30 and is not particularly limited. An upper limit value as an example is 300 ° C.

樹脂板付き金属マスク３５を加熱する方法についても特に限定はなく、従来公知の加熱手段を適宜選択して用いることができる。加熱手段としては、例えば、ホットプレート、オーブン、減圧オーブン、加熱炉、赤外線ヒーター、ハロゲンヒーター、熱風送風機等を挙げることができる。   The method for heating the metal mask with resin plate 35 is not particularly limited, and a conventionally known heating means can be appropriately selected and used. Examples of the heating means include a hot plate, an oven, a reduced pressure oven, a heating furnace, an infrared heater, a halogen heater, a hot air blower, and the like.

＜＜開口部形成工程（Ｓ３）＞＞
開口部形成工程（Ｓ３）は、図２（ｂ）に示すように、加熱工程（Ｓ２）を行った樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に、蒸着作製するパターンに対応する開口部２５を形成する工程である。当該工程を経ることで、図２（ｃ）に示すように、蒸着作製するパターンに対応する開口部２５が設けられた樹脂マスク２０の一方の面上に、開口部２５と重なるスリット１５が設けられた金属マスク１０が積層されてなる蒸着マスク１００を得る。 << Opening Forming Step (S3) >>
In the opening forming step (S3), as shown in FIG. 2B, the opening 25 corresponding to the pattern to be deposited is formed on the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35 subjected to the heating step (S2). It is a process of forming. Through this process, as shown in FIG. 2C, a slit 15 that overlaps the opening 25 is provided on one surface of the resin mask 20 provided with the opening 25 corresponding to the pattern to be deposited. A vapor deposition mask 100 is obtained in which the metal masks 10 are laminated.

開口部２５の形成方法としては、図２（ｂ）に示すように、当該開口部２５を精度よく加工することができるレーザー加工法を用いて行うことが好ましい。レーザー加工法では、樹脂板付き金属マスク３５に対し、金属マスク１０側からスリット１５を通してレーザーを照射して、樹脂板３０に蒸着作製するパターンに対応する開口部２５を形成することができる。   As a method for forming the opening 25, it is preferable to use a laser processing method capable of processing the opening 25 with high accuracy as shown in FIG. In the laser processing method, the metal mask 35 with a resin plate can be irradiated with a laser through the slit 15 from the metal mask 10 side to form the opening 25 corresponding to the pattern to be deposited on the resin plate 30.

開口部形成工程により形成される開口部２５は、当該開口部を形作る樹脂マスクの向かいあう端面同士が略平行となるように形成してもよいが、図２（ｃ）に示すように開口部２５はその断面形状が、蒸着源に向かって広がりをもつような形状となるように形成することが好ましい。換言すれば、樹脂マスク２０の面において、金属マスク１０と接しない側の面から、金属マスク１０と接する側の面に向かって広がりをもつような形状となるように開口部２５を形成することが好ましい。具体的には、樹脂マスクの開口部における下底先端と、同じく樹脂マスクの開口部における上底先端を結んだ直線と蒸着マスクの底面とのなす角度、換言すれば、樹脂マスク２０の開口部２５を構成する内壁面の厚み方向断面において、開口部２５の内壁面と、樹脂マスク２０の金属マスク１０と接しない側の面（図示する形態では、樹脂マスクの下面）とのなす角度が、５°〜８５°の範囲内となるように開口部２５を形成することが好ましく、１５°〜８０°の範囲内となるように開口部２５を形成することが好ましく、２５°〜６５°の範囲内となるように開口部２５を形成することがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度となるように開口部２５を形成することが好ましい。また、図示する形態では、開口部２５を形成する端面は直線形状を呈しているが、これに限定されることはなく、外に凸の湾曲形状となっている、つまり開口部２５の全体の形状がお椀形状となるように開口部２５を形成してもよい。   The opening 25 formed by the opening forming step may be formed so that the end faces facing each other of the resin mask forming the opening are substantially parallel to each other, but as shown in FIG. Is preferably formed so that its cross-sectional shape has a shape that expands toward the vapor deposition source. In other words, the opening 25 is formed on the surface of the resin mask 20 so as to expand from the surface not in contact with the metal mask 10 toward the surface in contact with the metal mask 10. Is preferred. Specifically, the angle formed between the bottom end of the bottom of the resin mask and the straight line connecting the top of the bottom of the opening of the resin mask and the bottom of the vapor deposition mask, in other words, the opening of the resin mask 20. 25, the angle formed by the inner wall surface of the opening 25 and the surface of the resin mask 20 on the side not in contact with the metal mask 10 (in the illustrated embodiment, the lower surface of the resin mask) The opening 25 is preferably formed so as to be within a range of 5 ° to 85 °, and the opening 25 is preferably formed so as to be within a range of 15 ° to 80 °. It is more preferable to form the opening 25 so as to be within the range. In particular, within this range, it is preferable to form the opening 25 so that the angle is smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used. In the illustrated form, the end surface forming the opening 25 has a linear shape, but is not limited to this, and has an outwardly convex curved shape, that is, the entire opening 25. You may form the opening part 25 so that a shape may become a bowl shape.

また、上記レーザー加工法にかえて、エッチング加工法や、精密プレス加工法等を用いて樹脂板３０に開口部２５を形成してもよい。エッチング加工法としては、例えば、液体のエッチング材によりエッチングを行うウェットエッチング加工法や、反応性の気体やイオン等によってエッチングを行うドライエッチング加工法等を挙げることができる。   Further, instead of the laser processing method, the opening 25 may be formed in the resin plate 30 by using an etching processing method, a precision press processing method, or the like. Examples of the etching method include a wet etching method in which etching is performed with a liquid etching material, and a dry etching method in which etching is performed with a reactive gas or ions.

また、樹脂板付き金属マスク３５をフレームに固定した後に、開口部２５の形成を行ってもよい。樹脂板付き金属マスク３５をフレームに固定する工程は、一実施形態の蒸着マスクの製造方法における任意の工程であるが、レーザー光を照射して、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に開口部２５を形成する前の段階で、樹脂板付き金属マスク３５を予めフレームに固定しておくことで、一実施形態の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクを固定する際に生じる取り付け誤差をゼロにすることができる。なお、樹脂板付き金属マスク３５をフレームに固定しない場合には、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に開口部２５を形成した後に、蒸着マスクをフレームに対して引っ張りながら固定するために、開口位置座標精度は、予めフレームに固定した場合と比較して低下する傾向にある。樹脂板付き金属マスク３５のフレームへの固定は、加熱工程の前に行ってもよく、加熱工程後であって、開口部形成工程の前に行ってもよい。   Alternatively, the opening 25 may be formed after the metal mask with resin plate 35 is fixed to the frame. The step of fixing the metal mask with resin plate 35 to the frame is an optional step in the manufacturing method of the vapor deposition mask according to one embodiment, but is irradiated with laser light to open the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35. At the stage before forming the portion 25, the metal mask 35 with a resin plate is fixed to the frame in advance, so that an attachment error caused when fixing the vapor deposition mask manufactured by the vapor deposition mask manufacturing method of one embodiment is performed. Can be made zero. In the case where the metal mask with resin plate 35 is not fixed to the frame, after forming the opening 25 in the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35, in order to fix the vapor deposition mask while pulling on the frame, The opening position coordinate accuracy tends to be lower than when the position is fixed to the frame in advance. The metal mask with resin plate 35 may be fixed to the frame before the heating step, or after the heating step and before the opening forming step.

フレームと樹脂板付き金属マスク３５との固定は、例えば、レーザー光等により固定するスポット溶接、接着剤、ねじ止め、或いはこれ以外の方法を用いて固定することができる。フレームについては後述する。   The frame and the metal mask with resin plate 35 can be fixed using, for example, spot welding, adhesive, screwing, or other methods for fixing with a laser beam or the like. The frame will be described later.

また、開口部形成工程は、上記加熱工程を行った後に、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板の温度を十分に低下させた後に行うことが好ましい。加熱工程の直後は、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０は熱膨張により膨張した状態となっており、この状態で開口部２５を形成した場合には、開口部２５を精度よく形成することが困難となることによる。つまり、一実施形態の蒸着マスクの製造方法は、加熱工程後に、樹脂板付き金属マスクを冷却する冷却工程を含んでおり、当該冷却工程後に、開口部２５の形成を行うことが好ましい。   Moreover, it is preferable to perform an opening part formation process, after performing the said heating process, after fully reducing the temperature of the resin plate of the metal mask 35 with a resin plate. Immediately after the heating step, the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35 is in a state of being expanded by thermal expansion. When the opening 25 is formed in this state, the opening 25 should be formed with high accuracy. Because it becomes difficult. That is, the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment includes the cooling process which cools the metal mask with a resin plate after a heating process, and it is preferable to form the opening part 25 after the said cooling process.

具体的には、上記加熱工程後に、樹脂板付き金属マスク３５を冷却し、当該樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０の温度が、樹脂板付き金属マスク３５を加熱するときの温度未満、例えば、５０℃未満、好ましくは２５℃以下となるまで冷却を行うことが好ましい。冷却方法としては、例えば、加熱環境下でそのまま放冷する方法や、冷風を当て冷却する方法等を挙げることができる。   Specifically, after the heating step, the metal mask with resin plate 35 is cooled, and the temperature of the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35 is less than the temperature at which the metal mask with resin plate 35 is heated, for example, It is preferable to cool until less than 50 ° C., preferably 25 ° C. or less. Examples of the cooling method include a method of allowing the product to cool as it is in a heating environment, a method of cooling by applying cold air, and the like.

以上説明した一実施形態の蒸着マスクの製造方法によれば、金属マスクと樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクを得ることができ、金属のみから構成される蒸着マスクと比較して軽量化を図ることができる。また、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に開口部２５を形成する前の段階で、当該樹脂板付き金属マスク３５を加熱する加熱工程を必須の工程とすることで、製造された蒸着マスクを用いた蒸着時において、蒸着マスクの樹脂マスクの線膨張率の変動量を小さくすることができる。これにより、蒸着時において、樹脂マスクに設けられている開口部２５に寸法変動や位置ずれが生ずることを抑制することができ、結果的に、一実施形態の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクを用いて、蒸着対象物に精度よく蒸着パターンを形成することができる。また、一実施形態の蒸着マスクの製造方法によれば、製造された蒸着マスクを用いて繰り返しの蒸着を行う場合において、繰り返し蒸着時における樹脂マスクの線膨張率の変動量を一定とすることができ、最初の蒸着時から最後の蒸着時まで、蒸着対象物に安定した蒸着パターンを形成することができる。   According to the manufacturing method of the vapor deposition mask of one embodiment described above, a vapor deposition mask in which a metal mask and a resin mask are laminated can be obtained, and the weight can be reduced as compared with a vapor deposition mask made of only metal. Can be planned. Moreover, the vapor deposition mask manufactured by making the heating process which heats the said metal mask 35 with a resin board into an essential process in the step before forming the opening part 25 in the resin board 30 of the metal mask 35 with a resin board. At the time of vapor deposition using, the amount of fluctuation of the linear expansion coefficient of the resin mask of the vapor deposition mask can be reduced. Thereby, at the time of vapor deposition, it can suppress that a dimensional variation and position shift arise in the opening part 25 provided in the resin mask, As a result, it manufactured with the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment. By using a vapor deposition mask, a vapor deposition pattern can be accurately formed on a vapor deposition object. In addition, according to the method for manufacturing a vapor deposition mask of an embodiment, when performing repeated vapor deposition using the produced vapor deposition mask, the variation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask during repeated vapor deposition can be made constant. A stable deposition pattern can be formed on the deposition object from the first deposition to the last deposition.

本発明の蒸着マスクの製造方法は、上記で説明した方法にのみ限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での各種の変更が可能である。例えば、開口部形成工程において、開口部とともにアライメントマーク等を形成してもよい。   The manufacturing method of the vapor deposition mask of this invention is not limited only to the method demonstrated above, The various change in the range which does not deviate from the meaning of this invention is possible. For example, in the opening forming step, an alignment mark or the like may be formed together with the opening.

以下、一実施形態の蒸着マスクの製造方法によって製造される蒸着マスクの好ましい形態について説明する。なお、一実施形態の蒸着マスクの製造方法によって製造される蒸着マスクは、以下で説明する形態に限定されるものではなく、スリット１５が形成された金属マスク１０と当該スリット１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応する開口部２５が形成された樹脂マスク２０とが積層されているとの条件を満たすものであれば、いかなる形態であってもよい。例えば、金属マスク１０に形成されているスリット１５は、ストライプ状（図示しない）であってもよい。また、１画面全体と重ならない位置に、金属マスク１０のスリット１５が設けられていてもよい。いずれの形態であっても、樹脂板付き金属マスク３５の樹脂板３０に開口部２５を形成する前の段階で、樹脂板付き金属マスク３５を加熱する工程を含む一実施形態の蒸着マスクの製造方法によれば、製造された蒸着マスクを用いて、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するときの樹脂マスク２５の線膨張率の変動量を小さくすることができ、高精細な蒸着パターンを形成することができる。また、繰り返し蒸着時における樹脂マスクの線膨張率の変動量をほぼ一定とすることができ、最初の蒸着時から最後の蒸着時まで、蒸着対象物に安定した蒸着パターンを形成することができる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクとした場合も同様である。   Hereinafter, the preferable form of the vapor deposition mask manufactured by the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment is demonstrated. In addition, the vapor deposition mask manufactured by the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment is not limited to the form demonstrated below, It vapor-deposits in the position which the metal mask 10 in which the slit 15 was formed, and the said slit 15 overlap. Any form may be used as long as it satisfies the condition that the resin mask 20 having the opening 25 corresponding to the pattern to be formed is laminated. For example, the slits 15 formed in the metal mask 10 may have a stripe shape (not shown). Further, the slit 15 of the metal mask 10 may be provided at a position that does not overlap the entire screen. In any form, the vapor deposition mask according to an embodiment including the step of heating the metal mask with resin plate 35 before the opening 25 is formed in the resin plate 30 of the metal mask with resin plate 35. According to the method, the amount of variation in the linear expansion coefficient of the resin mask 25 when forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object can be reduced using the manufactured vapor deposition mask, and a high-definition vapor deposition pattern is formed. be able to. Moreover, the fluctuation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask at the time of repeated vapor deposition can be made substantially constant, and a stable vapor deposition pattern can be formed on the vapor deposition object from the first vapor deposition to the final vapor deposition. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).

＜実施形態（Ａ）の蒸着マスク＞
図４に示すように、一実施形態の蒸着マスクの製造方法で製造される実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクであって、樹脂マスク２０の一方の面上に、複数のスリット１５が設けられた金属マスク１０が積層されてなり、樹脂マスク２０には、複数画面を構成するために必要な開口部２５が設けられ、各スリット１５が、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。 <Deposition mask of embodiment (A)>
As shown in FIG. 4, the vapor deposition mask 100 of embodiment (A) manufactured by the vapor deposition mask manufacturing method of one embodiment is a vapor deposition mask for simultaneously forming vapor deposition patterns for a plurality of screens, and is a resin. The metal mask 10 provided with a plurality of slits 15 is laminated on one surface of the mask 20, and the resin mask 20 is provided with openings 25 necessary for constituting a plurality of screens. 15 is provided at a position overlapping at least one entire screen.

実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するために用いられる蒸着マスクであり、１つの蒸着マスク１００で、複数の製品に対応する蒸着パターンを同時に形成することができる。実施形態（Ａ）の蒸着マスクで言う「開口部」とは、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００を用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機ＥＬディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、開口部２５の形状は当該有機層の形状となる。また、「１画面」とは、１つの製品に対応する開口部２５の集合体からなり、当該１つの製品が有機ＥＬディスプレイである場合には、１つの有機ＥＬディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部２５の集合体が「１画面」となる。そして、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成すべく、樹脂マスク２０には、上記「１画面」が、所定の間隔をあけて複数画面分配置されている。すなわち、樹脂マスク２０には、複数画面を構成するために必要な開口部２５が設けられている。   The vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) is a vapor deposition mask used for simultaneously forming vapor deposition patterns for a plurality of screens, and the vapor deposition patterns corresponding to a plurality of products are simultaneously formed with one vapor deposition mask 100. Can do. The “opening” referred to in the vapor deposition mask of the embodiment (A) means a pattern to be produced using the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A). For example, the vapor deposition mask is an organic layer in an organic EL display. In the case of using this, the shape of the opening 25 is the shape of the organic layer. In addition, “one screen” includes an assembly of openings 25 corresponding to one product. When the one product is an organic EL display, it is necessary to form one organic EL display. An aggregate of organic layers, that is, an aggregate of openings 25 serving as an organic layer is “one screen”. In the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A), in order to simultaneously form vapor deposition patterns for a plurality of screens, the “one screen” is arranged on the resin mask 20 for a plurality of screens at predetermined intervals. Yes. That is, the resin mask 20 is provided with openings 25 necessary for forming a plurality of screens.

実施形態（Ａ）の蒸着マスクは、樹脂マスクの一方の面上に、複数のスリット１５が設けられた金属マスク１０が設けられ、各スリットは、それぞれ少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている点を特徴とする。換言すれば、１画面を構成するのに必要な開口部２５間において、横方向に隣接する開口部２５間に、スリット１５の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分や、縦方向に隣接する開口部間２５に、スリット１５の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分が存在していないことを特徴とする。以下、スリット１５の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分や、スリット１５の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分のことを総称して、単に金属線部分と言う場合がある。   In the vapor deposition mask of the embodiment (A), the metal mask 10 provided with a plurality of slits 15 is provided on one surface of the resin mask, and each slit is provided at a position overlapping with at least one entire screen. It is characterized by that. In other words, between the openings 25 necessary to form one screen, between the openings 25 adjacent in the horizontal direction, the length is the same as the length of the slit 15 in the vertical direction, and is the same as the metal mask 10. There is no metal line part having a thickness or a metal line part having the same length as the horizontal length of the slit 15 and the same thickness as the metal mask 10 between the openings 25 adjacent in the vertical direction. It is characterized by that. Hereinafter, the same length as the length of the slit 15 in the vertical direction and the same thickness as the metal mask 10 or the length of the slit 15 in the horizontal direction and the same length as the metal mask 10 Metal wire portions having a thickness may be collectively referred to simply as metal wire portions.

実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００によれば、１画面を構成するのに必要な開口部２５の大きさや、１画面を構成する開口部２５間のピッチを狭くした場合、例えば、４００ｐｐｉを超える画面の形成を行うべく、開口部２５の大きさや、開口部２５間のピッチを極めて微小とした場合であっても、金属線部分による干渉を防止することができ、高精細な画像の形成が可能となる。したがって、一実施形態の蒸着マスクの製造方法では、最終的に実施形態（Ａ）となるように、蒸着マスクを製造することが好ましい。なお、１画面が、複数のスリットによって分割されている場合、換言すれば、１画面を構成する開口部２５間に金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合には、１画面を構成する開口部２５間のピッチが狭くなっていくことにともない、開口部２５間に存在する金属線部分が蒸着対象物へ蒸着パターンを形成する際の支障となり高精細な蒸着パターンの形成が困難となる。換言すれば、１画面を構成する開口部２５間に金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合には、フレーム付き蒸着マスクとしたときに当該金属線部分が、シャドウの発生を引き起こし高精細な画面の形成が困難となる。   According to the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A), when the size of the opening 25 necessary to configure one screen or the pitch between the openings 25 configuring one screen is narrowed, for example, exceeds 400 ppi. Even when the size of the openings 25 and the pitch between the openings 25 are extremely small in order to form a screen, it is possible to prevent interference due to the metal line portion and to form a high-definition image. It becomes possible. Therefore, in the vapor deposition mask manufacturing method of one embodiment, it is preferable to manufacture the vapor deposition mask so that the final embodiment (A) is obtained. In addition, when one screen is divided by a plurality of slits, in other words, when a metal line portion having the same thickness as the metal mask 10 exists between the openings 25 constituting one screen, As the pitch between the openings 25 constituting one screen becomes narrower, the metal line portions existing between the openings 25 hinder the formation of the vapor deposition pattern on the vapor deposition object, and the high-definition vapor deposition pattern Formation becomes difficult. In other words, when there is a metal line portion having the same thickness as the metal mask 10 between the openings 25 constituting one screen, the metal line portion becomes the shadow of the shadow when the frame-equipped evaporation mask is used. This causes generation and makes it difficult to form a high-definition screen.

次に、図４〜図７を参照して、１画面を構成する開口部２５の一例について説明する。なお、図示する形態において破線で閉じられた領域が１画面となっている。図示する形態では、説明の便宜上少数の開口部２５の集合体を１画面としているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、１つの開口部２５を１画素としたときに、１画面に数百万画素の開口部２５が存在していてもよい。   Next, an example of the opening 25 constituting one screen will be described with reference to FIGS. In the form shown in the figure, a region closed by a broken line is one screen. In the illustrated form, for convenience of description, a small number of openings 25 are aggregated as one screen. However, the present invention is not limited to this form. For example, when one opening 25 is one pixel, There may be an opening 25 of several million pixels.

図４に示す形態では、縦方向、横方向に複数の開口部２５が設けられてなる開口部２５の集合体によって１画面が構成されている。図５に示す形態では、横方向に複数の開口部２５が設けられてなる開口部２５の集合体によって１画面が構成されている。また、図６に示す形態では、縦方向に複数の開口部２５が設けられてなる開口部２５の集合体によって１画面が構成されている。そして、図４〜図６では、１画面全体と重なる位置にスリット１５が設けられている。   In the form shown in FIG. 4, one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the vertical direction and the horizontal direction. In the form shown in FIG. 5, one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the horizontal direction. In the form shown in FIG. 6, one screen is constituted by an assembly of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the vertical direction. 4 to 6, a slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen.

上記で説明したように、スリット１５は、１画面のみと重なる位置に設けられていてもよく、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、２以上の画面全体と重なる位置に設けられていてもよい。図７（ａ）では、図４に示す蒸着マスク１００において、横方向に連続する２画面全体と重なる位置にスリット１５が設けられている。図７（ｂ）では、縦方向に連続する３画面全体と重なる位置にスリット１５が設けられている。   As described above, the slit 15 may be provided at a position that overlaps only one screen, and is provided at a position that overlaps two or more entire screens, as shown in FIGS. It may be. 7A, in the vapor deposition mask 100 shown in FIG. 4, a slit 15 is provided at a position that overlaps the entire two screens that are continuous in the horizontal direction. In FIG. 7B, the slit 15 is provided at a position overlapping the entire three screens that are continuous in the vertical direction.

次に、図４に示す形態を例に挙げて、１画面を構成する開口部２５間のピッチ、画面間のピッチについて説明する。１画面を構成する開口部２５間のピッチや、開口部２５の大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。例えば、４００ｐｐｉの高精細な蒸着パターンの形成を行う場合には、１画面を構成する開口部２５において隣接する開口部２５の横方向のピッチ（Ｐ１）、縦方向のピッチ（Ｐ２）は６０μｍ程度となる。また、開口部の大きさは、５００μｍ2〜１０００μｍ2程度となる。また、１つの開口部２５は、１画素に対応していることに限定されることはなく、例えば、画素配列によっては、複数画素を纏めて１つの開口部２５とすることもできる。 Next, taking the form shown in FIG. 4 as an example, the pitch between the openings 25 constituting one screen and the pitch between the screens will be described. There is no particular limitation on the pitch between the openings 25 constituting one screen and the size of the openings 25, and they can be set as appropriate according to the pattern to be deposited. For example, when forming a high-definition deposition pattern of 400 ppi, the horizontal pitch (P1) and vertical pitch (P2) of the adjacent openings 25 in the openings 25 constituting one screen are about 60 μm. It becomes. The size of the opening becomes 500μm 2 ~1000μm 2 about. In addition, one opening 25 is not limited to corresponding to one pixel. For example, depending on the pixel arrangement, a plurality of pixels can be integrated into one opening 25.

画面間の横方向ピッチ（Ｐ３）、縦方向ピッチ（Ｐ４）についても特に限定はないが、図４に示すように、１つのスリット１５が、１画面全体と重なる位置に設けられる場合には、各画面間に金属線部分が存在することとなる。したがって、各画面間の縦方向ピッチ（Ｐ４）、横方向のピッチ（Ｐ３）が、１画面内に設けられている開口部２５の縦方向ピッチ（Ｐ２）、横方向ピッチ（Ｐ１）よりも小さい場合、或いは略同等である場合には、各画面間に存在している金属線部分が断線しやすくなる。したがって、この点を考慮すると、画面間のピッチ（Ｐ３、Ｐ４）は、１画面を構成する開口部２５間のピッチ（Ｐ１、Ｐ２）よりも広いことが好ましい。画面間のピッチ（Ｐ３、Ｐ４）の一例としては、１ｍｍ〜１００ｍｍ程度である。なお、画面間のピッチとは、１の画面と、当該１の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。このことは、後述する実施形態（Ｂ)の蒸着マスクにおける開口部２５のピッチ、画面間のピッチについても同様である。   The horizontal pitch (P3) and the vertical pitch (P4) between the screens are not particularly limited, but as shown in FIG. 4, when one slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen, A metal line portion exists between the screens. Accordingly, the vertical pitch (P4) and horizontal pitch (P3) between the screens are smaller than the vertical pitch (P2) and horizontal pitch (P1) of the openings 25 provided in one screen. In this case, or when they are substantially equivalent, the metal wire portion existing between the screens is easily broken. Therefore, in consideration of this point, it is preferable that the pitch (P3, P4) between the screens is wider than the pitch (P1, P2) between the openings 25 constituting one screen. An example of the pitch (P3, P4) between the screens is about 1 mm to 100 mm. Note that the pitch between the screens means a pitch between adjacent openings in one screen and another screen adjacent to the one screen. The same applies to the pitch of the openings 25 and the pitch between the screens in the vapor deposition mask of the embodiment (B) described later.

なお、図７に示すように、１つのスリット１５が、２つ以上の画面全体と重なる位置に設けられる場合には、１つのスリット１５内に設けられている複数の画面間には、スリットの内壁面を構成する金属線部分が存在しないこととなる。したがって、この場合、１つのスリット１５と重なる位置に設けられている２つ以上の画面間のピッチは、１画面を構成する開口部２５間のピッチと略同等であってもよい。   As shown in FIG. 7, when one slit 15 is provided at a position overlapping two or more entire screens, a slit is not provided between a plurality of screens provided in one slit 15. The metal wire part which comprises an inner wall surface will not exist. Therefore, in this case, the pitch between two or more screens provided at a position overlapping with one slit 15 may be substantially equal to the pitch between the openings 25 constituting one screen.

＜実施形態（Ｂ)の蒸着マスク＞
次に、一実施形態の蒸着マスクの製造方法によって製造される実施形態（Ｂ)の蒸着マスクについて説明する。図８に示すように、実施形態（Ｂ)の蒸着マスクは、蒸着作製するパターンに対応した開口部２５が複数設けられた樹脂マスク２０の一方の面上に、１つのスリット（１つの貫通孔１６）が設けられた金属マスク１０が積層されてなり、当該複数の開口部２５の全てが、金属マスク１０に設けられた１つの貫通孔と重なる位置に設けられている点を特徴とする。 <Deposition mask of embodiment (B)>
Next, the vapor deposition mask of embodiment (B) manufactured by the manufacturing method of the vapor deposition mask of one embodiment is demonstrated. As shown in FIG. 8, the vapor deposition mask of the embodiment (B) has one slit (one through hole) on one surface of the resin mask 20 provided with a plurality of openings 25 corresponding to the pattern to be produced by vapor deposition. The metal mask 10 provided with 16) is stacked, and all of the plurality of openings 25 are provided at positions overlapping one through-hole provided in the metal mask 10.

実施形態（Ｂ)で言う開口部２５とは、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要な開口部を意味し、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要ではない開口部は、１つの貫通孔１６と重ならない位置に設けられていてもよい。なお、図８は、実施形態（Ｂ)の蒸着マスクの一例を示す蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。   The opening 25 referred to in the embodiment (B) means an opening necessary for forming a vapor deposition pattern on the vapor deposition target, and an opening not necessary for forming the vapor deposition pattern on the vapor deposition target is: It may be provided at a position that does not overlap with one through-hole 16. FIG. 8 is a front view of the vapor deposition mask showing an example of the vapor deposition mask of the embodiment (B) as viewed from the metal mask side.

実施形態（Ｂ)の蒸着マスク１００は、複数の開口部２５を有する樹脂マスク２０上に、１つの貫通孔１６を有する金属マスク１０が設けられており、かつ、複数の開口部２５の全ては、当該１つの貫通孔１６と重なる位置に設けられている。この構成を有する実施形態（Ｂ)の蒸着マスク１００では、開口部２５間に、金属マスクの厚みと同じ厚み、或いは、金属マスクの厚みより厚い金属線部分が存在していないことから、上記実施形態（Ａ）の蒸着マスクで説明したように、金属線部分による干渉を受けることなく樹脂マスク２０に設けられている開口部２５の寸法通りに高精細な蒸着パターンを形成することが可能となる。   In the vapor deposition mask 100 of the embodiment (B), the metal mask 10 having one through hole 16 is provided on the resin mask 20 having the plurality of openings 25, and all of the plurality of openings 25 are formed. , Provided at a position overlapping the one through hole 16. In the vapor deposition mask 100 according to the embodiment (B) having this configuration, the metal line portion having the same thickness as the metal mask or thicker than the metal mask does not exist between the openings 25. As described in the vapor deposition mask of the form (A), it is possible to form a high-definition vapor deposition pattern according to the size of the opening 25 provided in the resin mask 20 without being interfered by the metal line portion. .

また、実施形態（Ｂ)の蒸着マスクによれば、金属マスク１０の厚みを厚くしていった場合であっても、シャドウの影響を殆ど受けることがないことから、金属マスク１０の厚みを、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができるまで厚くすることができ、高精細な蒸着パターンの形成を可能としつつも、耐久性や、ハンドリング性を向上させることができる。したがって、一実施形態の蒸着マスクの製造方法では、最終的に実施形態（Ｂ）のとなるように、蒸着マスクを製造することが好ましい。   Moreover, according to the vapor deposition mask of embodiment (B), even if it is a case where the thickness of the metal mask 10 is made thick, since it hardly receives the influence of a shadow, the thickness of the metal mask 10 is The thickness can be increased until the durability and handling properties can be sufficiently satisfied, and the durability and handling properties can be improved while enabling the formation of a high-definition deposition pattern. Therefore, in the manufacturing method of the vapor deposition mask of one embodiment, it is preferable to manufacture the vapor deposition mask so as to finally become the embodiment (B).

実施形態（Ｂ)の蒸着マスクにおける樹脂マスク２０は、樹脂から構成され、図８に示すように、１つの貫通孔１６と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５が複数設けられている。開口部２５は、蒸着作製するパターンに対応しており、蒸着源から放出された蒸着材が開口部２５を通過することで、蒸着対象物には、開口部２５に対応する蒸着パターンが形成される。なお、図示する形態では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、縦方向、或いは横方向にのみ配置されていてもよい。   The resin mask 20 in the vapor deposition mask of the embodiment (B) is made of resin, and as shown in FIG. 8, a plurality of openings 25 corresponding to the pattern for vapor deposition are provided at positions overlapping one through-hole 16. Yes. The opening 25 corresponds to a pattern to be produced by vapor deposition, and the vapor deposition material released from the vapor deposition source passes through the opening 25 so that a vapor deposition pattern corresponding to the opening 25 is formed on the vapor deposition target. The In the illustrated embodiment, an example in which the openings are arranged in a plurality of rows in the vertical and horizontal directions is described. However, the openings may be arranged only in the vertical or horizontal direction.

実施形態（Ｂ)の蒸着マスク１００における「１画面」とは、１つの製品に対応する開口部２５の集合体を意味し、当該１つの製品が有機ＥＬディスプレイである場合には、１つの有機ＥＬディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部２５の集合体が「１画面」となる。実施形態（Ｂ)の蒸着マスクは、「１画面」のみからなるものであってもよく、当該「１画面」が複数画面分配置されたものであってもよいが、「１画面」が複数画面分配置される場合には、画面単位毎に所定の間隔をあけて開口部２５が設けられていることが好ましい（実施形態（Ａ）の蒸着マスクの図７参照）。「１画面」の形態について特に限定はなく、例えば、１つの開口部２５を１画素としたときに、数百万個の開口部２５によって１画面を構成することもできる。   “One screen” in the vapor deposition mask 100 of the embodiment (B) means an aggregate of the openings 25 corresponding to one product, and one organic product is used when the one product is an organic EL display. An aggregate of organic layers necessary for forming an EL display, that is, an aggregate of openings 25 serving as an organic layer is “one screen”. The vapor deposition mask of the embodiment (B) may be composed of only “one screen”, and may be one in which the “one screen” is arranged for a plurality of screens. When the screens are arranged, it is preferable that the openings 25 are provided at predetermined intervals for each screen unit (see FIG. 7 of the vapor deposition mask of the embodiment (A)). There is no particular limitation on the form of “one screen”. For example, when one opening 25 is one pixel, one screen can be constituted by millions of openings 25.

実施形態（Ｂ)の蒸着マスク１００における金属マスク１０は、金属から構成され１つの貫通孔１６を有している。そして、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクでは、当該１つの貫通孔１６は、金属マスク１０の正面からみたときに、全ての開口部２５と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク２０に配置された全ての開口部２５がみえる位置に配置されている。   The metal mask 10 in the vapor deposition mask 100 of the embodiment (B) is made of metal and has one through hole 16. And in the vapor deposition mask of embodiment (B), the said one through-hole 16 is arrange | positioned in the resin mask 20 in the position which overlaps with all the opening parts 25 when it sees from the front of the metal mask 10, in other words. It arrange | positions in the position which can see all the opening parts 25. FIG.

金属マスク１０を構成する金属部分、すなわち貫通孔１６以外の部分は、図８に示すように蒸着マスク１００の外縁に沿って設けられていてもよく、図９に示すように金属マスク１０の大きさを樹脂マスク２０よりも小さくし、樹脂マスク２０の外周部分を露出させてもよい。また、金属マスク１０の大きさを樹脂マスク２０よりも大きくして、金属部分の一部を、樹脂マスクの横方向外方、或いは縦方向外方に突出させてもよい。なお、いずれの場合であっても、貫通孔１６の大きさは、樹脂マスク２０の大きさよりも小さく構成されている。   Metal parts constituting the metal mask 10, that is, parts other than the through holes 16 may be provided along the outer edge of the vapor deposition mask 100 as shown in FIG. 8, and the size of the metal mask 10 as shown in FIG. The thickness may be smaller than that of the resin mask 20, and the outer peripheral portion of the resin mask 20 may be exposed. Further, the size of the metal mask 10 may be made larger than that of the resin mask 20, and a part of the metal portion may protrude outward in the horizontal direction or in the vertical direction of the resin mask. In any case, the size of the through hole 16 is configured to be smaller than the size of the resin mask 20.

図８に示される金属マスク１０の貫通孔の壁面をなす金属部分の横方向の幅（Ｗ１）や、縦方向の幅（Ｗ２）について特に限定はないが、Ｗ１、Ｗ２の幅が狭くなっていくに従い、耐久性や、ハンドリング性が低下していく傾向にある。したがって、Ｗ１、Ｗ２は、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができる幅とすることが好ましい。金属マスク１０の厚みに応じて適切な幅を適宜設定することができるが、好ましい幅の一例としては、実施形態（Ａ）の金属マスクと同様、Ｗ１、Ｗ２ともに１ｍｍ〜１００ｍｍ程度である。   Although there is no particular limitation on the width (W1) in the horizontal direction and the width (W2) in the vertical direction of the metal portion forming the wall surface of the through hole of the metal mask 10 shown in FIG. 8, the widths of W1 and W2 are reduced. As time goes on, durability and handling properties tend to decrease. Therefore, it is preferable that W1 and W2 have widths that can sufficiently satisfy durability and handling properties. Although an appropriate width can be appropriately set according to the thickness of the metal mask 10, as an example of a preferable width, both W1 and W2 are about 1 mm to 100 mm as in the metal mask of the embodiment (A).

また、上記で説明した各実施形態の蒸着マスクにおいて、樹脂マスク２０には、開口部２５が規則的に形成されているが、蒸着マスク１００の金属マスク１０側から見たときに、各開口部２５を横方向、或いは縦方向に互い違いに配置してもよい（図示しない）。つまり、横方向に隣り合う開口部２５を縦方向にずらして配置してもよい。このように配置することにより、樹脂マスク２０が熱膨張した場合にあっても、各所において生じる膨張を開口部２５によって吸収することができ、膨張が累積して大きな変形が生じることを防止することができる。   Moreover, in the vapor deposition mask of each embodiment demonstrated above, although the opening part 25 is regularly formed in the resin mask 20, when it sees from the metal mask 10 side of the vapor deposition mask 100, each opening part is shown. 25 may be alternately arranged in the horizontal direction or the vertical direction (not shown). In other words, the openings 25 adjacent in the horizontal direction may be shifted in the vertical direction. By arranging in this way, even when the resin mask 20 is thermally expanded, the expansion generated in various places can be absorbed by the opening 25, and the expansion is prevented from accumulating and causing a large deformation. Can do.

また、上記で説明した各実施形態の蒸着マスクにおいて、樹脂マスク２０には、樹脂マスク２０の縦方向、或いは横方向にのびる溝（図示しない）が形成されていてもよい。蒸着時に熱が加わった場合、樹脂マスク２０が熱膨張し、これにより開口部２５の寸法や位置に変化が生じる可能性があるが、溝を形成することで樹脂マスクの膨張を吸収することができ、樹脂マスクの各所で生じる熱膨張が累積することにより樹脂マスク２０が全体として所定の方向に膨張して開口部２５の寸法や位置が変化することを防止することができる。溝の形成位置について限定はなく、１画面を構成する開口部２５間や、開口部２５と重なる位置に設けられていてもよいが、画面間に設けられていることが好ましい。また、溝は、樹脂マスクの一方の面、例えば、金属マスクと接する側の面のみに設けられていてもよく、金属マスクと接しない側の面のみに設けられていてもよい。或いは、樹脂マスク２０の両面に設けられていてもよい。   Moreover, in the vapor deposition mask of each embodiment described above, the resin mask 20 may be formed with a groove (not shown) extending in the vertical direction or the horizontal direction of the resin mask 20. When heat is applied during vapor deposition, the resin mask 20 may thermally expand, which may cause changes in the size and position of the opening 25. However, by forming a groove, the expansion of the resin mask can be absorbed. It is possible to prevent the resin mask 20 from expanding in a predetermined direction as a whole and accumulating the thermal expansion that occurs at various portions of the resin mask and changing the size and position of the opening 25. There is no limitation on the position at which the groove is formed, and the groove may be provided between the openings 25 constituting one screen or at a position overlapping with the openings 25, but is preferably provided between the screens. Further, the groove may be provided only on one surface of the resin mask, for example, the surface in contact with the metal mask, or may be provided only on the surface not in contact with the metal mask. Alternatively, it may be provided on both surfaces of the resin mask 20.

また、隣接する画面間に縦方向に延びる溝としてもよく、隣接する画面間に横方向に延びる溝を形成してもよい。さらには、これらを組み合わせた態様で溝を形成することも可能である。   Moreover, it is good also as a groove | channel extended in the vertical direction between adjacent screens, and you may form the groove | channel extended in a horizontal direction between adjacent screens. Furthermore, it is possible to form the grooves in a combination of these.

溝の深さやその幅については特に限定はないが、溝の深さが深すぎる場合や、幅が広すぎる場合には、樹脂マスク２０の剛性が低下する傾向にあることから、この点を考慮して設定することが必要である。また、溝の断面形状についても特に限定されることはなくＵ字形状やＶ字形状など、加工方法などを考慮して任意に選択すればよい。実施形態（Ｂ)の蒸着マスクについても同様である。   The depth and width of the groove are not particularly limited. However, when the depth of the groove is too deep or too wide, the rigidity of the resin mask 20 tends to decrease, so this point is taken into consideration. It is necessary to set it. Further, the cross-sectional shape of the groove is not particularly limited, and may be arbitrarily selected in consideration of a processing method such as a U shape or a V shape. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).

（有機半導体素子の製造方法）
次に、一実施形態の有機半導体素子の製造方法について説明する。一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、フレームに固定される蒸着マスクが、樹脂板の一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる樹脂板付き金属マスクを準備する準備工程と、樹脂板付き金属マスクを加熱する加熱工程と、樹脂板付き金属マスクの樹脂板に、蒸着作製するパターンに対応する開口部を形成する開口部形成工程により製造された蒸着マスクであることを特徴としている。つまりは、フレームに固定される蒸着マスクとして、上記で説明した一実施形態の製造方法により製造された蒸着マスクが用いられることを特徴としている。したがって、蒸着マスクについてのここでの詳細な説明は省略する。 (Method for manufacturing organic semiconductor element)
Next, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment is demonstrated. An organic semiconductor device manufacturing method according to an embodiment includes a step of forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object using a vapor deposition mask with a frame in which a vapor deposition mask is fixed to a frame, and the vapor deposition mask fixed to the frame is a resin. A preparation step of preparing a metal mask with a resin plate in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of the plate, a heating step of heating the metal mask with a resin plate, and a metal mask with a resin plate It is the vapor deposition mask manufactured by the opening part formation process which forms the opening part corresponding to the pattern which carries out vapor deposition preparation on the resin board, It is characterized by the above-mentioned. That is, the vapor deposition mask manufactured by the manufacturing method of one embodiment described above is used as the vapor deposition mask fixed to the frame. Therefore, the detailed description here about a vapor deposition mask is abbreviate | omitted.

フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有する一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、基板上に電極を形成する電極形成工程、有機層形成工程、対向電極形成工程、封止層形成工程等を有し、各任意の工程においてフレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により基板上に蒸着パターンが形成される。例えば、有機ＥＬデバイスのＲ，Ｇ，Ｂ各色の発光層形成工程に、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法をそれぞれ適用する場合には、基板上に各色発光層の蒸着パターンが形成される。なお、一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、これらの工程に限定されるものではなく、蒸着法を用いる従来公知の有機半導体素子の製造における任意の工程に適用可能である。   An organic semiconductor device manufacturing method according to an embodiment having a step of forming a vapor deposition pattern by a vapor deposition method using a vapor deposition mask with a frame includes an electrode forming step of forming an electrode on a substrate, an organic layer forming step, and a counter electrode forming step. The deposition pattern is formed on the substrate by a deposition method using a deposition mask with a frame in each optional step. For example, when the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a frame is applied to the R, G, B light emitting layer forming step of the organic EL device, vapor deposition patterns of the respective color light emitting layers are formed on the substrate. In addition, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment is not limited to these processes, It is applicable to the arbitrary processes in manufacture of the conventionally well-known organic-semiconductor element using a vapor deposition method.

蒸着パターンを形成する工程で用いられるフレーム付き蒸着マスク２００は、図１０に示すように、フレーム６０に、１つの蒸着マスク１００が固定されたものであってもよく、図１１に示すように、フレーム６０に、複数の蒸着マスク１００が固定されたものであってもよい。   The vapor deposition mask 200 with a frame used in the step of forming the vapor deposition pattern may be one in which one vapor deposition mask 100 is fixed to the frame 60 as shown in FIG. 10, and as shown in FIG. A plurality of vapor deposition masks 100 may be fixed to the frame 60.

フレーム６０は、略矩形形状の枠部材であり、最終的に固定される蒸着マスク１００の樹脂マスク２０に設けられた開口部２５を蒸着源側に露出させるための貫通孔を有する。フレームの材料について特に限定はないが、剛性が大きい金属材料、例えば、ＳＵＳ、インバー材、セラミック材料などを用いることができる。中でも、金属フレームは、蒸着マスクの金属マスクとの溶接が容易であり、変形等の影響が小さい点で好ましい。   The frame 60 is a substantially rectangular frame member, and has a through hole for exposing the opening 25 provided in the resin mask 20 of the vapor deposition mask 100 to be finally fixed to the vapor deposition source side. Although there is no particular limitation on the material of the frame, a metal material having high rigidity, for example, SUS, Invar material, ceramic material, or the like can be used. Among these, the metal frame is preferable in that it can be easily welded to the metal mask of the vapor deposition mask and the influence of deformation or the like is small.

フレームの厚みについても特に限定はないが、剛性等の点から１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度であることが好ましい。フレームの開口の内周端面と、フレームの外周端面間の幅は、当該フレームと、蒸着マスクの金属マスクとを固定することができる幅であれば特に限定はなく、例えば、１０ｍｍ〜７０ｍｍ程度の幅を例示することができる。   Although there is no limitation in particular also about the thickness of a flame | frame, it is preferable that it is about 10-30 mm from points, such as rigidity. The width between the inner peripheral end face of the opening of the frame and the outer peripheral end face of the frame is not particularly limited as long as the frame and the metal mask of the vapor deposition mask can be fixed. For example, the width is about 10 mm to 70 mm. The width can be exemplified.

また、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、蒸着マスク１００を構成する樹脂マスク２０の開口部２５の露出を妨げない範囲で、貫通孔の領域に補強フレーム６５等が設けられたフレーム６０を用いてもよい。換言すれば、フレーム６０が有する開口が、補強フレーム等によって分割された構成を有していてもよい。補強フレーム６５を設けることで、当該補強フレーム６５を利用して、フレーム６０と蒸着マスク１００とを固定することができる。具体的には、上記で説明した蒸着マスク１００を縦方向、及び横方向に複数並べて固定するときに、当該補強フレームと蒸着マスクが重なる位置においても、フレーム６０に蒸着マスク１００を固定することができる。   Further, as shown in FIGS. 12A to 12C, a reinforcing frame 65 or the like is provided in the region of the through hole within a range that does not hinder the exposure of the opening 25 of the resin mask 20 constituting the vapor deposition mask 100. A frame 60 may be used. In other words, the opening of the frame 60 may be divided by a reinforcing frame or the like. By providing the reinforcing frame 65, the frame 60 and the vapor deposition mask 100 can be fixed using the reinforcing frame 65. Specifically, when a plurality of vapor deposition masks 100 described above are fixed side by side in the vertical direction and the horizontal direction, the vapor deposition mask 100 can be fixed to the frame 60 even at a position where the reinforcing frame and the vapor deposition mask overlap. it can.

以上説明した一実施形態の有機半導体素子の製造方法によれば、フレームに固定される蒸着マスクが、上記一実施形態の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクであることから、蒸着時における蒸着マスクの樹脂マスクの線膨張率の変動量を小さくすることができる。換言すれば、有機半導体素子の製造段階において、蒸着マスクの樹脂マスクに設けられている開口部に寸法変動や位置ずれが生ずることを抑制することができる。また、一実施形態の有機半導体素子の製造方法によれば、各蒸着時における蒸着マスクの樹脂マスクの線膨張率の変動量を一定とすることができ、最初の有機半導体素子の製造時から、最後の有機半導体素子の製造時まで、高精細なパターンを有する有機半導体素子を安定して形成することができる。一実施形態の有機半導体素子の製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機ＥＬ素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機ＥＬ素子のＲ、Ｇ、Ｂ発光層の製造に好適に用いることができる。   According to the manufacturing method of the organic semiconductor element of the embodiment described above, the deposition mask fixed to the frame is the deposition mask manufactured by the deposition mask manufacturing method of the above-described embodiment. The fluctuation amount of the linear expansion coefficient of the resin mask of the vapor deposition mask can be reduced. In other words, in the manufacturing stage of the organic semiconductor element, it is possible to suppress the occurrence of dimensional variation and positional deviation in the opening provided in the resin mask of the vapor deposition mask. Further, according to the method for manufacturing an organic semiconductor element of one embodiment, the amount of variation in the linear expansion coefficient of the resin mask of the vapor deposition mask at the time of each vapor deposition can be made constant. Until the last organic semiconductor element is manufactured, an organic semiconductor element having a high-definition pattern can be stably formed. As an organic semiconductor element manufactured with the manufacturing method of the organic semiconductor element of one Embodiment, the organic layer, light emitting layer, cathode electrode, etc. of an organic EL element can be mentioned, for example. In particular, the method for manufacturing an organic semiconductor element according to one embodiment can be suitably used for manufacturing R, G, and B light emitting layers of an organic EL element that requires high-definition pattern accuracy.

１００…蒸着マスク
１０…金属マスク
１５…スリット
１６…貫通孔
２０…樹脂マスク
２５…開口部
３０…樹脂板
３５…樹脂板付き金属マスク
６０…フレーム
２００…フレーム付き蒸着マスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Deposition mask 10 ... Metal mask 15 ... Slit 16 ... Through-hole 20 ... Resin mask 25 ... Opening part 30 ... Resin plate 35 ... Metal mask with resin plate 60 ... Frame 200 ... Deposition mask with frame

Claims (2)

蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、前記開口部と重なるスリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクの製造方法であって、
樹脂板の一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる樹脂板付き金属マスクを準備する準備工程と、
前記樹脂板付き金属マスクを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記樹脂板付き金属マスクの前記樹脂板に、蒸着作製するパターンに対応する開口部を形成する開口部形成工程と、
を含むことを特徴とする蒸着マスクの製造方法。 A method for producing a vapor deposition mask in which a metal mask provided with a slit overlapping with the opening is laminated on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition,
A preparation step of preparing a metal mask with a resin plate in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of the resin plate;
A heating step of heating the metal mask with a resin plate;
After the heating step, an opening forming step for forming an opening corresponding to a pattern to be deposited on the resin plate of the metal mask with the resin plate;
The manufacturing method of the vapor deposition mask characterized by including. 有機半導体素子の製造方法であって、
フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、
前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、
樹脂板の一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる樹脂板付き金属マスクを準備する準備工程と、
前記樹脂板付き金属マスクを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記樹脂板付き金属マスクの前記樹脂板に、蒸着作製するパターンに対応する開口部を形成する開口部形成工程と、
により製造された蒸着マスクであることを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 A method for producing an organic semiconductor element, comprising:
Forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object using a vapor deposition mask with a frame having a vapor deposition mask fixed to the frame;
In the step of forming the vapor deposition pattern, the vapor deposition mask fixed to the frame,
A preparation step of preparing a metal mask with a resin plate in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of the resin plate;
A heating step of heating the metal mask with a resin plate;
After the heating step, an opening forming step for forming an opening corresponding to a pattern to be deposited on the resin plate of the metal mask with the resin plate;
A method for producing an organic semiconductor element, characterized in that the vapor deposition mask is produced by the method.
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