JP2016117937A - Heating type vaporization device - Google Patents

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秀貴 矢田
Hideki Yada
秀貴 矢田
田口 明広
Akihiro Taguchi
明広 田口
昌資 濱田
Masashi Hamada
昌資 濱田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize a large flow rate output of a material gas while maintaining compactness in a continuous type vaporization device 100.SOLUTION: The vaporization device includes: a vaporization tank 11 having a vaporization chamber 11a and deriving the material gas generated by a liquid material that is vaporized by being introduced into the vaporization chamber 11a; a heater 121 for heating the vaporization tank 11 to promote vaporization of the liquid material inside the vaporization chamber 11a; and multiple heat conductors 5 protruding from an internal wall surface of the vaporization chamber 11a.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、液体半導体材料をガス化する加熱型の気化装置等に関するものである。   The present invention relates to a heating type vaporizer for gasifying a liquid semiconductor material.

半導体材料には、フロンを含有しないものなど常温で液体のものがある。半導体製造システムにおいては、そういった液体半導体材料を用いる場合は、これを加熱してガス化する加熱型気化装置を利用することがある。   Some semiconductor materials are liquid at room temperature, such as those not containing CFCs. In the semiconductor manufacturing system, when such a liquid semiconductor material is used, a heating type vaporizer that heats and gasifies the material may be used.

この用途における代表的な気化装置としては、所定のプロセスで必要とされる十分な量の材料を気化用タンクに貯留し、これを気化させて材料ガスを出力する貯留型のものや、気化用タンクに液体材料を連続的又は断続的に導入しながらこれを気化し、材料ガスとして出力する連続導入型のものを挙げることができる。
貯留型のものは、十分な量の液体材料を気化用タンクに貯留すればよいだけであるから、当該液体材料を導入するための複雑な流路構造やバルブ制御は不要であるし、気化用タンクの加熱温度制御にしても、それほどの速応性は要求されない。したがって、貯留型の気化装置は、材料ガスの安定的かつ大流量出力が容易というメリットを有する。他方、気化用タンクが大型になりがちで、コンパクト化が難しいというデメリットがある。
Typical vaporizers in this application include a storage type that stores a sufficient amount of material required for a given process in a vaporization tank and vaporizes it to output a material gas. A continuous introduction type in which a liquid material is vaporized while continuously or intermittently introduced into a tank and output as a material gas can be mentioned.
In the storage type, it is only necessary to store a sufficient amount of liquid material in the vaporization tank, so that a complicated flow path structure and valve control for introducing the liquid material are not required. Even if the heating temperature of the tank is controlled, not so fast response is required. Therefore, the storage-type vaporizer has the merit that a stable and large flow rate output of the material gas is easy. On the other hand, there is a demerit that the vaporization tank tends to be large and it is difficult to make it compact.

これに対し、連続導入型のものは、気化用タンクを小型化できるというメリットはあるものの、材料ガスの安定的かつ大流量出力が難しいというデメリットがある。なぜならば、気化用タンク内で気化し出力された分だけ、次々と新たな液体材料を導入しなければならないため、気化用タンクへの液体材料の導入量制御に速応性が必要となるうえ、気化用タンク内の液体材料の入れ替わりが大流量になればなるほど激しくなるのでその温度制御にも速応性が要求されるからである。
そして特に温度制御の速応性の問題は、貯留型のものにおいても、少なからず生じ得る。
On the other hand, the continuous introduction type has a demerit that although it is possible to reduce the size of the vaporizing tank, it is difficult to output a material gas stably and with a large flow rate. Because it is necessary to introduce new liquid materials one after another by the amount that is vaporized and output in the vaporization tank, and it is necessary to control the introduction amount of the liquid material to the vaporization tank. This is because the change of the liquid material in the vaporizing tank becomes more severe as the flow rate becomes larger, so that the temperature control is also required to be quick.
In particular, the problem of rapid response of temperature control can occur not only in the storage type.

特開2004−157719号公報JP 2004-157719 A

本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであって、半導体製造装置などに用いられる気化装置等において、コンパクト性を維持しながら、材料ガスの安定的かつ大流量出力を可能にすべく図ったものである。   The present invention has been made in view of the above problems, and is intended to enable a stable and large flow rate output of a material gas while maintaining compactness in a vaporizer used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like. It is a thing.

すなわち本発明に係る気化用タンクは、ヒータによって加熱される気化室を有し、該気化室に導入された液体材料が加熱されて気化した材料ガスを導出するものであって、前記気化室の内壁面から突出する複数の熱伝導体を具備していることを特徴とする。   That is, the vaporizing tank according to the present invention has a vaporizing chamber heated by a heater, and the liquid material introduced into the vaporizing chamber is heated to derive the vaporized material gas. A plurality of heat conductors protruding from the inner wall surface are provided.

このようなものであれば、複数の熱伝導体によってヒータからの熱が効率よく液体材料に伝わるので、コンパクトな気化室に液体材料を次々導入し、液体材料の入れ替わりスピードを速くして大流量化を図っても、それによる温度低下を打ち消すように素早く液体材料を加熱して気化促進温度に維持することができ、本発明の課題であるコンパクト性と大流量化を同時に達成することができる。   If this is the case, the heat from the heater is efficiently transferred to the liquid material by multiple thermal conductors. Therefore, the liquid material is introduced into the compact vaporization chamber one after another, and the replacement speed of the liquid material is increased to increase the flow rate. Even when the temperature is reduced, the liquid material can be quickly heated and maintained at the vaporization promoting temperature so as to cancel the temperature drop caused thereby, and the compactness and the large flow rate, which are the problems of the present invention, can be achieved at the same time. .

製造の容易化を図るには、所定面に開口する有底穴が形成されたブロック状をなす本体と、前記有底穴の開口を閉止する蓋体とを具備してなり、有底穴の内面と蓋体の裏面とによって前記気化室を形成するように構成したものであって、前記熱伝導体が、前記有底穴の内面又は蓋体の裏面から突出したものであることが望ましい。   In order to facilitate the manufacture, the main body has a block shape in which a bottomed hole that opens in a predetermined surface is formed, and a lid that closes the opening of the bottomed hole. Preferably, the vaporization chamber is formed by an inner surface and a back surface of the lid, and the heat conductor projects from the inner surface of the bottomed hole or the back surface of the lid.

前記有底穴を形成しつつ、同時に熱伝導体が形成されるようにして製造工程の短縮を図るには、前記本体が、所定のブロック材の一面における複数個所を穿孔することによって前記有底穴を形成したものであり、穿孔と穿孔との間に形成した残壁部分が、前記熱伝導体として機能するように構成してあるものが好適である。   In order to shorten the manufacturing process so that the heat conductor is formed at the same time while forming the bottomed hole, the body is formed by drilling a plurality of portions on one surface of a predetermined block material. A hole is preferably formed, and the remaining wall portion formed between the holes is configured to function as the heat conductor.

ヒータからの熱をさらに効率よく液体材料に伝えるためには、前記気化室を形成する壁体が、液体材料を加熱するためのヒータを埋設できるように構成したものが望ましい。   In order to more efficiently transfer the heat from the heater to the liquid material, it is desirable that the wall forming the vaporizing chamber is configured so that a heater for heating the liquid material can be embedded.

また、本発明に係る気化器は、気化室を有し、該気化室に導入された液体材料が気化して生成される材料ガスを導出する気化用タンクと、前記気化用タンクを加熱して前記気化室内にある液体材料の気化を促進するヒータと、前記気化室の内壁面から突出する複数の熱伝導体とを具備していることを特徴とする。   The vaporizer according to the present invention includes a vaporization chamber, a vaporization tank for deriving a material gas generated by vaporization of the liquid material introduced into the vaporization chamber, and heating the vaporization tank. A heater for promoting the vaporization of the liquid material in the vaporization chamber and a plurality of heat conductors protruding from the inner wall surface of the vaporization chamber are provided.

また、本発明に係る気化装置は、前記気化器と、該気化室に貯留されている液体材料の液面高さを検出する液面センサと、前記気化室に連通する液体材料導入流路上に設けられた流量調整弁と、前記液面センサで検出された液面高さを所定目標範囲内にすべく前記流量調整弁を制御する制御機構とを具備していることを特徴とする。   Further, the vaporizer according to the present invention includes the vaporizer, a liquid level sensor that detects a liquid level of the liquid material stored in the vaporization chamber, and a liquid material introduction channel that communicates with the vaporization chamber. And a control mechanism for controlling the flow rate adjusting valve so that the liquid level detected by the liquid level sensor is within a predetermined target range.

コンパクトな気化室での大流量材料ガスの安定供給のためには、温度制御のみならず、前述したように、材料ガスとして導出される量に見合った液体材料を気化室に的確に導入することが望ましい。   In order to stably supply a large flow rate of material gas in a compact vaporization chamber, not only temperature control, but also the introduction of a liquid material that matches the amount derived as material gas, as described above, to the vaporization chamber. Is desirable.

これを、制御系に負担をかけることなく安価に実現するには、前記気化室の下方空間を、最初に液体材料が導入される第1下方空間と該第1下方空間から溢れた液体材料が導入される第2下方空間とに仕切る仕切り壁を設け、液体材料が前記第2下方空間に溢れ出す液面高さを、前記所定目標範囲内またはそれよりも上方に設定しておくことが好適である。   In order to realize this inexpensively without imposing a burden on the control system, the first lower space into which the liquid material is first introduced and the liquid material overflowing from the first lower space are provided in the lower space of the vaporization chamber. It is preferable to provide a partition wall that partitions into the second lower space to be introduced, and to set the liquid surface height at which the liquid material overflows into the second lower space within the predetermined target range or above it. It is.

なぜならば、第1下方空間に最初に流入した液体材料が、仕切り壁から第2下方空間に溢れ出してしばらくの時間は、液面高さがほぼ一定に保たれ、しかもこの液面高さが目標液面高さ範囲内またはそれよりも上方に設定されているので、この時間を利用して、前記制御機構による液面高さ制御を行うことができ、制御機構の応答性を無理に上げることなく、気化室内の液体材料量(特に液面高さ)を適切な値に保つことができるからである。   This is because the liquid material that first flows into the first lower space overflows from the partition wall into the second lower space, and the liquid level is kept almost constant for a while, and the liquid level is Since the liquid level is set within or above the target liquid level height range, the liquid level can be controlled by the control mechanism by using this time, and the response of the control mechanism is forcibly increased. This is because the liquid material amount (particularly the liquid level) in the vaporization chamber can be maintained at an appropriate value.

このように構成した本発明によれば、ヒータからの熱が複数の熱伝導体によって効率よく液体材料に伝わるので、コンパクトな気化室に大流量の液体材料を連続的または断続的に導入しても、それによる温度低下を打ち消すように素早く液体材料を加熱して気化促進温度に維持することができるようになる。したがって、前記連続導入型の気化装置等において、コンパクト性を維持しながら、材料ガスの安定的かつ大流量出力が可能となる。   According to the present invention configured as described above, the heat from the heater is efficiently transferred to the liquid material by the plurality of heat conductors. Therefore, the liquid material having a large flow rate is introduced continuously or intermittently into the compact vaporization chamber. However, the liquid material can be quickly heated and maintained at the vaporization promoting temperature so as to cancel the temperature drop caused thereby. Therefore, in the continuous introduction type vaporizer or the like, the material gas can be stably output at a large flow rate while maintaining compactness.

本発明の一実施形態における気化装置の全体構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the whole structure of the vaporization apparatus in one Embodiment of this invention. 同実施形態における気化タンクを示す斜視図。The perspective view which shows the vaporization tank in the same embodiment. 同実施形態における気化タンクの本体を示す平面図。The top view which shows the main body of the vaporization tank in the embodiment. 同実施形態における気化タンクの本体を示す右側面図。The right view which shows the main body of the vaporization tank in the embodiment. 図3におけるA−A線断面図。AA line sectional view in FIG. 図3におけるB−B線断面図。BB sectional drawing in FIG. 同実施形態における予熱タンクを示す斜視図。The perspective view which shows the preheating tank in the same embodiment. 同実施形態の気化装置における気化器、予熱器、流量制御弁等の配置構成を示す正面図。The front view which shows arrangement | positioning structures, such as a vaporizer, a preheater, and a flow control valve, in the vaporization apparatus of the embodiment.

以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(1)本実施形態に係る気化装置100の概要
本実施形態の気化装置100は、例えば半導体製造システムに組み込まれてそのプロセスチャンバに所定流量の材料ガスを供給するためのものであり、図1に示すように、導入された液体材料を気化して前記材料ガスを出力する気化器1と、液体材料を予め予熱して前記気化器1に導入する予熱器2と、該予熱器2から前記気化器1に導入される液体材料の流量を制御する導入量制御機構3と、該気化器1の出力ポートに接続されて前記材料ガスの質量流量を制御するマスフローコントローラ7とを具備している。
次に、この気化装置100の各部を説明する。
(1) Outline of Vaporization Apparatus 100 According to the Present Embodiment The vaporization apparatus 100 according to the present embodiment is incorporated into, for example, a semiconductor manufacturing system and supplies a material gas having a predetermined flow rate to the process chamber. As shown, the vaporizer 1 that vaporizes the introduced liquid material and outputs the material gas, the preheater 2 that preheats the liquid material and introduces it into the vaporizer 1, and the preheater 2 An introduction amount control mechanism 3 that controls the flow rate of the liquid material introduced into the vaporizer 1 and a mass flow controller 7 that is connected to the output port of the vaporizer 1 and controls the mass flow rate of the material gas are provided. .
Next, each part of the vaporizer 100 will be described.

(2)気化器1の構成
前記気化器1は、図1に示すように、内部に気化室11aを有した気化用タンク11と、該気化室11a内の液体材料温度を、気化が促進される所定の気化促進温度に保つべく制御する気化室温度制御機構12とを具備するものである。
(2) Configuration of Vaporizer 1 As shown in FIG. 1, the vaporizer 1 has a vaporization tank 11 having a vaporization chamber 11a therein and a liquid material temperature in the vaporization chamber 11a. And a vaporization chamber temperature control mechanism 12 for controlling the vaporization chamber so as to maintain a predetermined vaporization acceleration temperature.

前記気化用タンク11は、図2〜図5に示すように、長尺ブロック状(より具体的には直方体状)をなす金属体の内部に前記気化室11aを設けるとともに、その長手方向と直交する一方の端面に、前記気化室11aに液体材料を導入するための導入ポート11bと、材料ガスを前記気化室11aから導出するための導出ポート11cとを開口させたものである。この気化用タンク11は、長手方向を水平方向とするとともに、前記導出ポート11cが導入ポート11bの上方に位置する姿勢で配置されていて、該気化室11aの下方空間に前記導入ポート11bから導入された液体材料が貯留され、上方空間には液体材料が気化した材料ガスが充満して前記導出ポート11cから出力されるように構成してある。   As shown in FIGS. 2 to 5, the vaporizing tank 11 is provided with the vaporizing chamber 11 a inside a metal body having a long block shape (more specifically, a rectangular parallelepiped shape) and orthogonal to the longitudinal direction thereof. One end face is opened with an introduction port 11b for introducing a liquid material into the vaporizing chamber 11a and an outlet port 11c for extracting a material gas from the vaporizing chamber 11a. The vaporizing tank 11 is arranged in such a manner that the longitudinal direction is horizontal and the outlet port 11c is positioned above the introduction port 11b, and is introduced from the introduction port 11b into the space below the vaporization chamber 11a. The liquid material thus stored is stored, and the upper space is filled with the material gas vaporized from the liquid material and output from the outlet port 11c.

前記気化室温度制御機構12は、図1に示すように、気化用タンク11に取り付けられたヒータ121と、気化室液体材料の温度を直接又は間接的に測定する温度センサ123と、該温度センサ123による測定温度を前記気化促進温度とすべく、前記ヒータ121を制御するヒータ制御回路122と具備したものである。前記ヒータ121は、棒状のものであり、図2等に示すように、前記気化用タンク11の他方の端面に開口して前記長手方向に延伸するヒータ用穴11dに挿入してある。   As shown in FIG. 1, the vaporization chamber temperature control mechanism 12 includes a heater 121 attached to the vaporization tank 11, a temperature sensor 123 that directly or indirectly measures the temperature of the vaporization chamber liquid material, and the temperature sensor. The heater control circuit 122 for controlling the heater 121 is provided so that the temperature measured by the temperature 123 is the vaporization acceleration temperature. The heater 121 has a rod-like shape, and is inserted into a heater hole 11d that opens in the other end surface of the vaporizing tank 11 and extends in the longitudinal direction, as shown in FIG.

(3)予熱器2の構成
前記予熱器2は、図1及び図7に示すように、内部に予熱室21aを有した予熱タンク21と、該予熱室21a内の液体材料温度を前記気化促進温度よりも低い所定の予熱温度に保つべく制御する予熱室温度制御機構22とを具備してなり、前述したように、予熱された液体材料を前記気化器1に導出するものである。
(3) Configuration of Preheater 2 As shown in FIG. 1 and FIG. 7, the preheater 2 has a preheating tank 21 having a preheating chamber 21a therein, and promotes the vaporization of the liquid material temperature in the preheating chamber 21a. A preheating chamber temperature control mechanism 22 that controls to maintain a predetermined preheating temperature lower than the temperature is provided. As described above, the preheated liquid material is led to the vaporizer 1.

予熱タンク21は、前記気化用タンク11同様、長尺ブロック状(より具体的には直方体状)をなす金属体の内部に前記予熱室21aを設けるとともに、その長手方向と直交する一方の端面に前記予熱室21aに液体材料を導入するための導入ポート21bと、予熱された液体材料を前記予熱室21aから導出するための導出ポート21cとを開口させたものである。   Like the vaporization tank 11, the preheating tank 21 is provided with the preheating chamber 21a inside a metal body having a long block shape (more specifically, a rectangular parallelepiped shape), and on one end surface orthogonal to the longitudinal direction thereof. An introduction port 21b for introducing a liquid material into the preheating chamber 21a and an outlet port 21c for extracting the preheated liquid material from the preheating chamber 21a are opened.

この予熱タンク21は、図7に示すように、長手方向を水平方向とするとともに、前記導出ポート21cが導入ポート21bの上方に位置するように配置されている。また、前記予熱室21aは、長手方向に沿って延びる複数本(ここでは4本)の延伸流路21d〜21gと、これら延伸流路21d〜21gが直列に接続されるようにその端部同士を接続する接続流路21h〜21jとから構成されている。そして、最上流に位置する延伸流路21dの始端が前記導入ポート21bとなり、最下流に位置する延伸流路21gの終端が前記導出ポート21cとなるようにしてある。これら延伸流路21d〜21gは、上流側のものの方が下流側のものよりも上方に位置するようにしてある。これは、仮に液体材料がこの予熱室21a内で気化して材料ガスになったとしても、その材料ガスが自然に導出ポート21c側に向かい予熱室21a内に残存することがないようにするためである。   As shown in FIG. 7, the preheating tank 21 is arranged such that the longitudinal direction is the horizontal direction and the outlet port 21c is located above the introduction port 21b. The preheating chamber 21a has a plurality (four in this case) of extending flow passages 21d to 21g extending along the longitudinal direction, and ends thereof so that the extending flow passages 21d to 21g are connected in series. It is comprised from the connection flow paths 21h-21j which connect. The starting end of the extending flow path 21d positioned at the most upstream is the introduction port 21b, and the end of the extending flow path 21g positioned at the most downstream is the leading-out port 21c. These extending flow paths 21d to 21g are arranged such that the upstream one is positioned above the downstream one. This is because even if the liquid material is vaporized in the preheating chamber 21a and becomes a material gas, the material gas does not naturally move toward the outlet port 21c and remain in the preheating chamber 21a. It is.

前記予熱室温度制御機構22は、図1に示すように、前記予熱室21aに取り付けられた第2ヒータ221と、予熱室液体材料の温度を直接又は間接的に測定する温度センサ223と、該温度センサ223による測定温度を前記予熱温度とすべく、この第2ヒータ221を制御する第2ヒータ制御回路222とを具備するものである。前記第2ヒータ221は、棒状のものであり、図7に示すように、前記予熱タンク21の他方の端面の中央に開口して前記長手方向に延伸する第2ヒータ用穴21kに挿入してある。なお、前記延伸流路21d〜21gは、前記端面から視て第2ヒータ用穴21kを取り囲むように配置してある。これは、第2ヒータ221で発生した熱を極めて効率よく予熱室21a内の液体材料に伝えるようにするためである。さらにこの実施形態では、最下流の延伸流路21gと最上流の延伸流路21dとが、第2ヒータ用穴21kを挟んで対向するように配置してある。これは、最も高い温度となる最下流の延伸流路21g内の液体材料が、最も低い温度となる最上流の延伸流路21d内の液体材料の影響を受けて温度が低下することを可及的に防止するためである。   As shown in FIG. 1, the preheating chamber temperature control mechanism 22 includes a second heater 221 attached to the preheating chamber 21a, a temperature sensor 223 that directly or indirectly measures the temperature of the liquid material in the preheating chamber, A second heater control circuit 222 for controlling the second heater 221 is provided so that the temperature measured by the temperature sensor 223 is the preheating temperature. The second heater 221 is rod-shaped and is inserted into a second heater hole 21k that opens in the center of the other end face of the preheating tank 21 and extends in the longitudinal direction, as shown in FIG. is there. The extending flow paths 21d to 21g are arranged so as to surround the second heater hole 21k as viewed from the end face. This is to transmit the heat generated by the second heater 221 to the liquid material in the preheating chamber 21a very efficiently. Further, in this embodiment, the most downstream extending flow path 21g and the most upstream extending flow path 21d are arranged so as to face each other with the second heater hole 21k interposed therebetween. This is possible because the liquid material in the most downstream extending flow path 21g having the highest temperature is affected by the liquid material in the most upstream extending flow path 21d having the lowest temperature and the temperature is lowered. This is to prevent it.

(4)導入量制御機構3の構成
前記導入量制御機構3は、図1に示すように、予熱タンク21と気化用タンク11との接続流路上に設けられた流量調整弁31と、前記気化室11a内に貯留されている液体材料の量を検出する液体材料検出手段たる液面センサ32と、前記液面センサ32で検出した液体材料量を所定目標範囲内にすべく前記流量調整弁31を駆動して気化用タンク11に導入される液体材料の流量を制御する弁制御回路33とを具備したものである。
(4) Configuration of Introduction Amount Control Mechanism 3 As shown in FIG. 1, the introduction amount control mechanism 3 includes a flow rate adjustment valve 31 provided on a connection flow path between a preheating tank 21 and a vaporization tank 11, and the vaporization. A liquid level sensor 32 as liquid material detection means for detecting the amount of liquid material stored in the chamber 11a, and the flow rate adjusting valve 31 so that the amount of liquid material detected by the liquid level sensor 32 falls within a predetermined target range. And a valve control circuit 33 for controlling the flow rate of the liquid material introduced into the vaporizing tank 11 by driving the.

前記流量調整弁31は、ここでは例えば図示しない積層ピエゾ素子と、この積層ピエゾ素子によって駆動される弁本体とを具備した円柱状をなすものであり、全開/全閉の2値のみをとるON/OFF開閉弁タイプのものである。なお、この実施形態では、図8に示すように、この流量調整弁31、前記気化用タンク11及び前記予熱タンク21を長手方向が水平となる姿勢にしたうえで、起立する板状ブロック体4の一側面に上下に並べて取り付けてある。この板状ブロック体4は、内部流路、すなわち、予熱タンク21の導入ポート21bに液体材料を供給するための第1流路4a、予熱タンク21の導出ポート21cと流量調整弁31とを連通させる第2流路4b、流量調整弁31と気化用タンク11の導入ポート11bとを連通させる第3流路4c及び気化用タンク11の導出ポート11cから気化した材料ガスを出力する第4流路4dを形成したマニホールドブロックともいうべきものである。このように、内部流路4a〜4dを形成した板状ブロック体4を起立させ、該板状ブロック体4に、それぞれ水平姿勢にした予熱タンク21、流量調整弁31及び気化用タンク11を下からこの順に取り付けた構成としてコンパクト化を図っている。   The flow regulating valve 31 has a cylindrical shape including a laminated piezo element (not shown) and a valve main body driven by the laminated piezo element, and is ON only taking a binary value of full open / full close. / OFF open / close valve type. In this embodiment, as shown in FIG. 8, the flow rate adjusting valve 31, the vaporizing tank 11, and the preheating tank 21 are placed in a posture in which the longitudinal direction is horizontal, and then the plate-like block body 4 that stands up. It is mounted side by side on one side. The plate-like block body 4 communicates the internal flow path, that is, the first flow path 4 a for supplying the liquid material to the introduction port 21 b of the preheating tank 21, the outlet port 21 c of the preheating tank 21, and the flow rate adjustment valve 31. The second flow path 4b to be made, the third flow path 4c for connecting the flow rate adjusting valve 31 and the introduction port 11b of the vaporizing tank 11 and the fourth flow path for outputting the vaporized material gas from the outlet port 11c of the vaporizing tank 11 It should also be called a manifold block in which 4d is formed. In this way, the plate-like block body 4 in which the internal flow paths 4a to 4d are formed is erected, and the pre-heating tank 21, the flow rate adjusting valve 31 and the vaporizing tank 11 which are respectively placed in a horizontal posture are lowered on the plate-like block body 4. Therefore, it is designed to be compact as a structure attached in this order.

前記液面センサ32は、前記気化室11aに貯留されている液体材料の液面を検出する例えばフロートタイプものであり、ここでは図5に示すように、そのプローブが前記気化用タンク11の上壁面から下方に向かって差し込まれて取り付けられている。   The liquid level sensor 32 is, for example, a float type sensor that detects the liquid level of the liquid material stored in the vaporizing chamber 11a. Here, as shown in FIG. It is attached by being inserted downward from the wall surface.

前記弁制御回路33は、より具体的には、前記液面センサ32からの出力を受け付け、その液面センサ32によって検出された液面高さが所定の目標液面高さ範囲を超えた場合には、前記流量調整弁31を閉じ、前記目標液面高さ範囲を下回った場合には、当該流量調整弁31を開くよう、前記流量調整弁31を間欠的に作動させるものである。なお、目標液面高さ範囲は幅があってもよいし一点であってもよい。   More specifically, the valve control circuit 33 receives an output from the liquid level sensor 32, and the liquid level detected by the liquid level sensor 32 exceeds a predetermined target liquid level height range. In other words, when the flow rate adjustment valve 31 is closed and falls below the target liquid level height range, the flow rate adjustment valve 31 is operated intermittently to open the flow rate adjustment valve 31. In addition, the target liquid level height range may have a width | variety or one point.

ところで、この弁制御回路33は、図1に示すように、前記ヒータ制御回路122及び第2ヒータ制御回路222とともに、物理的には一体の電気回路として設けてある。該電気回路は、例えば、CPU、メモリ、通信ポートなどからなるデジタル電子回路と、ADC、DAC、増幅器、バッファなどからなるアナログ電子回路とを有したもので、前記メモリに記憶させた所定のプログラムにしたがって周辺回路が動作することにより、前述した弁制御回路33、ヒータ制御回路122、第2ヒータ制御回路222等としての機能を発揮するように構成してある。   By the way, the valve control circuit 33 is physically provided as an integrated electric circuit together with the heater control circuit 122 and the second heater control circuit 222 as shown in FIG. The electric circuit includes, for example, a digital electronic circuit including a CPU, a memory, a communication port, and the like, and an analog electronic circuit including an ADC, a DAC, an amplifier, a buffer, and the like, and a predetermined program stored in the memory Accordingly, the peripheral circuit operates to perform the functions as the valve control circuit 33, the heater control circuit 122, the second heater control circuit 222, etc. described above.

(4)マスフローコントローラ7の構成
前記マスフローコントローラ7は、詳細は図示しないが、気化器1の導出ポート11cに接続された例えば差圧式のものであり、図示しない流体抵抗素子の前後の差圧が目標値となる、すなわち目標質量流量となるように、内部に設けた流量調整弁を制御することによって、前記気化器1から出力される材料ガスの質量流量を制御するものである。
(4) Configuration of Mass Flow Controller 7 Although not shown in detail, the mass flow controller 7 is, for example, a differential pressure type connected to the outlet port 11c of the vaporizer 1, and has a differential pressure before and after a fluid resistance element (not shown). The mass flow rate of the material gas output from the vaporizer 1 is controlled by controlling the flow rate adjusting valve provided inside so as to be the target value, that is, the target mass flow rate.

(5)気化装置100の特徴構成
しかしてこの実施形態では、前記気化用タンク11を以下のような特徴的な構造としている。
(5) Characteristic Configuration of the Vaporizer 100 In this embodiment, the vaporization tank 11 has the following characteristic structure.

第1の特徴点は、図2、図3、図5に示すように、前記気化室11aの下方空間にその内壁面(ここでは底面)から一体に突出する複数の熱伝導体5を設けた点にある。   The first feature point is that, as shown in FIGS. 2, 3, and 5, a plurality of heat conductors 5 that integrally project from the inner wall surface (here, the bottom surface) are provided in the space below the vaporization chamber 11a. In the point.

この実施形態での気化用タンク11は、長手方向に沿った所定面(ここでは上面)に開口する有底穴11hが形成されたブロック状をなす本体111と、前記有底穴11hの開口を閉止することによって前記気化室11aを形成する板状をなす蓋体112とからなるものとしている。   The vaporizing tank 11 in this embodiment includes a block-shaped main body 111 having a bottomed hole 11h that opens on a predetermined surface (the upper surface in this case) along the longitudinal direction, and an opening of the bottomed hole 11h. The lid 112 is formed in a plate shape that forms the vaporization chamber 11a by being closed.

前記有底穴11hの第1下方空間11e及びその上方空間は、例えば金属ブロック材の上面をドリルで縦横マトリクス状に複数穿孔することによって形成してある。ここでの穿孔11gは全て同一径であり、穿孔ピッチは、前記穿孔径よりもやや大きくしてある。その結果、ドリル穿孔すると各穿孔11g間に未切削部分が残るが、この実施形態では、前記未切削部分の一部を切削することにより、上面視、短手方向に延びるとともに長手方向に沿って等間隔に並ぶ複数の残壁部分5が形成されるようにしてある。   The first lower space 11e and the upper space of the bottomed hole 11h are formed, for example, by drilling a plurality of upper surfaces of a metal block material in a vertical and horizontal matrix shape with a drill. Here, the perforations 11g all have the same diameter, and the perforation pitch is slightly larger than the perforation diameter. As a result, when a drill is drilled, an uncut portion remains between the holes 11g. In this embodiment, a portion of the uncut portion is cut to extend in the short side direction as viewed from above and along the longitudinal direction. A plurality of remaining wall portions 5 arranged at equal intervals are formed.

これら残壁部分5が前述した熱伝導体5としての機能を担う。この残壁部分たる熱伝導体5の上端高さは、有底穴11hの開口面よりも低くなるようにして、気化室11aの上方空間にまで該熱伝導体5が及ばないように構成してある。このことによって上方空間のガス流通性を担保している。また各熱伝導体5を、有底穴11hの内側面から離間するように構成して、第1下方空間11e全体に液体材料が滞りなく貯留されるようにしてある。   These remaining wall portions 5 serve as the heat conductor 5 described above. The upper end height of the heat conductor 5 as the remaining wall portion is made lower than the opening surface of the bottomed hole 11h so that the heat conductor 5 does not reach the space above the vaporizing chamber 11a. It is. This ensures the gas flowability in the upper space. In addition, each heat conductor 5 is configured to be separated from the inner side surface of the bottomed hole 11h so that the liquid material can be stored in the entire first lower space 11e without any delay.

なお、この実施形態では、短手方向に並ぶ穿孔11gの数は3つであり、中央の穿孔11gの深さを両端の穿孔11gの深さよりも浅くしてある。これは、この中央の穿孔11gの下方領域に、前述したヒータ121が挿入されるヒータ用穴11dが形成されるためである。   In this embodiment, the number of the perforations 11g arranged in the short direction is three, and the depth of the central perforation 11g is shallower than the depth of the perforations 11g at both ends. This is because the heater hole 11d into which the heater 121 described above is inserted is formed in the lower region of the central hole 11g.

一方、前記仕切り壁6は、短手方向に延び、上面視その各端が有底穴11hの内側面に連続するように構成したものであって、その上端高さは前記導入量制御機構3による目標液面高さ範囲の上限近傍かそれよりも上方となるように設定してある。   On the other hand, the partition wall 6 extends in the short direction and is configured such that each end thereof is continuous with the inner surface of the bottomed hole 11h when viewed from above, and the upper end height of the partition wall 6 is the introduction amount control mechanism 3. Is set to be close to or above the upper limit of the target liquid level height range.

なお、前記残壁部分5の上端高さは、この仕切り壁6の上端高さと同じかやや低くなるように設定してある。また、前記導入ポート11bは、この仕切り壁6の上端高さよりも低い位置に設定してあり、前記導出ポート11cは、この仕切り壁6の上端高さよりも高く、かつ前記目標液面高さ範囲の上限よりも高い位置に設定してある。   Note that the upper end height of the remaining wall portion 5 is set to be the same as or slightly lower than the upper end height of the partition wall 6. The introduction port 11b is set at a position lower than the upper end height of the partition wall 6, and the derivation port 11c is higher than the upper end height of the partition wall 6 and the target liquid level height range. It is set at a position higher than the upper limit.

(5)気化装置100の動作説明
次に、このように構成した気化装置100の動作について説明する。
予熱タンク21に導入されて予熱された後、気化用タンク11に導入されて貯留された液体材料は、ここで加熱され気化して材料ガスとなる。この材料ガスは、気化用タンク11の導出ポート11cから、その下流にあるマスフローコントローラによって流量制御されながら連続して出力されていく。
(5) Description of Operation of Vaporizer 100 Next, the operation of the vaporizer 100 configured as described above will be described.
After being introduced into the preheating tank 21 and preheated, the liquid material introduced into the vaporizing tank 11 and stored therein is heated and vaporized to become a material gas. This material gas is continuously output from the outlet port 11c of the vaporizing tank 11 while the flow rate is controlled by the mass flow controller downstream thereof.

一方、材料ガスの出力によって気化室11a内の液体材料は徐々に減少し、その液面高さは低下していくが、その液面センサが前記目標液面高さ範囲を下回ると、これを導入量制御機構3が検知し、流量調整弁31を開ける。すると液体材料が気化室11aに流入して液面高さが上昇するが、その液面高さが所定目標範囲を上回る(所定目標範囲に収まる)と、これを導入量制御機構3が検知し、流量調整弁31を閉じる。   On the other hand, the liquid material in the vaporization chamber 11a gradually decreases due to the output of the material gas, and its liquid level height decreases, but when the liquid level sensor falls below the target liquid level height range, The introduction amount control mechanism 3 detects and opens the flow rate adjustment valve 31. Then, the liquid material flows into the vaporizing chamber 11a and the liquid level rises. When the liquid level exceeds the predetermined target range (contains within the predetermined target range), the introduction amount control mechanism 3 detects this. The flow rate adjustment valve 31 is closed.

このように、気化室11a内に液体材料が断続的に導入されながら、材料ガスは、気化室11aから連続的に出力されていることになる。また、この間、気化室温度制御機構12によって気化室11a内の液体材料温度が、気化の促進される所定の気化促進温度に保つべく制御される。   As described above, the material gas is continuously output from the vaporizing chamber 11a while the liquid material is intermittently introduced into the vaporizing chamber 11a. In addition, during this time, the temperature of the liquid material in the vaporizing chamber 11a is controlled by the vaporizing chamber temperature control mechanism 12 to maintain a predetermined vaporization promoting temperature at which vaporization is promoted.

(6)気化装置100による効果
しかして、本実施形態に係る液体材料連続導入型の気化装置100によれば、前述したように、気化室11a内にその内壁から一体に突出する熱伝導体5を複数設けてヒータ121からの熱が効率よく液体材料に伝わるようにしているので、コンパクトな気化室11aに大流量の液体材料を次々導入し、液体材料の入れ替わりスピードを速くしても、それによる温度低下を打ち消すように素早く液体材料を加熱して気化促進温度に維持することができ、大流量での安定した材料ガスの出力が可能となる。特に本実施形態では、前記熱伝導体5が、穿孔による残壁部分を利用したものであり、その断面形状が凹凸のある異形状となっているので表面積が大変大きく、極めて効率のよい熱伝導を可能ならしめている。
(6) Effects of the vaporizer 100 However, according to the liquid material continuous introduction type vaporizer 100 according to the present embodiment, as described above, the heat conductor 5 that protrudes integrally from the inner wall into the vaporization chamber 11a. Are provided so that the heat from the heater 121 can be efficiently transferred to the liquid material, so that even if a large amount of liquid material is introduced into the compact vaporization chamber 11a one after another and the replacement speed of the liquid material is increased, The liquid material can be quickly heated and maintained at the vaporization promoting temperature so as to cancel out the temperature drop due to, and stable output of the material gas at a large flow rate is possible. In particular, in the present embodiment, the heat conductor 5 uses a remaining wall portion due to perforation, and its cross-sectional shape is an irregular shape with irregularities, so the surface area is very large and extremely efficient heat conduction. If possible.

また、ヒータ121が、気化用タンク11を形成する金属壁の内部に埋設されている(ヒータ用穴11dに挿入されている)ことも、ヒータ121からの熱を効率よく伝えられるという点で前記効果を助長することとなる。加えて、気化器1の前段に予熱器2を設けている点も、材料ガスの大流量での安定した出力化に寄与し得る。なぜならば、気化室11a内に液体材料が流入した際の温度変動が小さくなり、該気化室11a内での液体材料の温度維持が容易となるからである。   In addition, the fact that the heater 121 is embedded in the metal wall forming the vaporization tank 11 (inserted into the heater hole 11d) also allows the heat from the heater 121 to be efficiently transmitted. The effect will be promoted. In addition, the point that the preheater 2 is provided before the vaporizer 1 can also contribute to stable output at a large flow rate of the material gas. This is because the temperature fluctuation when the liquid material flows into the vaporizing chamber 11a is reduced, and the temperature of the liquid material in the vaporizing chamber 11a can be easily maintained.

一方、気化室のコンパクト化を図りながら大流量の材料ガスを安定的に出力しようとすると、必然的に気化室内に大流量の液体材料を導入しなければならず、その流量制御に速応性が必要となる。すなわち、気化室内での液体材料の液面高さ変動速度が大きくなるので、単純には、液面センサ、制御回路、流量調整弁等から構成される導入量制御機構の応答速度を上げない以上、導入量制御機構が前記液面高さの変動速度に追いつけず、気化していない液体材料が導出ポートから溢れるといった不具合が生じ得る。特に液面高さの上昇速度がかなり速くなるので、これに対する制御速応性は特に重要となる。   On the other hand, in order to stably output a large flow rate of material gas while reducing the size of the vaporization chamber, it is necessary to introduce a large flow rate of liquid material into the vaporization chamber. Necessary. That is, since the liquid level height fluctuation speed of the liquid material in the vaporization chamber becomes large, simply not increasing the response speed of the introduction amount control mechanism including the liquid level sensor, the control circuit, the flow rate adjusting valve, etc. The introduction amount control mechanism cannot catch up with the fluctuation speed of the liquid level, and there may be a problem that the liquid material that is not vaporized overflows from the outlet port. In particular, since the rising speed of the liquid level is considerably increased, the control speed response to this is particularly important.

これに対し、本気化装置100によれば、気化室11aの第1下方空間11eに最初に流入した液体材料が、仕切り壁6から溢れて第1下方空間11fに流入するようにし、溢れてしばらくの時間は液面高さが一定に保たれるようにしていることに加え、この液面高さ近傍を目標液面高さ範囲の上限よりもやや高い位置に設定しているので、前記導入量制御機構3の応答性を無理に上げることなく、液面高さが略一定に保たれる前記時間を利用して、気化室11a内の液体材料量(特に液面高さ)を適切な値に十分制御できる。   On the other hand, according to the present vaporizer 100, the liquid material that first flowed into the first lower space 11e of the vaporization chamber 11a overflows from the partition wall 6 and flows into the first lower space 11f. In addition to keeping the liquid level constant during this time, the vicinity of this liquid level is set at a position slightly higher than the upper limit of the target liquid level height range. The liquid material amount (particularly the liquid surface height) in the vaporization chamber 11a is appropriately set by using the time during which the liquid surface height is kept substantially constant without forcibly increasing the response of the amount control mechanism 3. The value can be controlled sufficiently.

したがって、液面センサ32に応答速度やセンシング性能の良い高価なものを用いる必要はないし、流量調整弁31に安価なオン/オフ開閉弁を用いることができるなど、コストを抑えつつ、コンパクト大流量化という所期の性能を発揮できる。   Therefore, it is not necessary to use an expensive liquid level sensor 32 with good response speed and sensing performance, and an inexpensive on / off on / off valve can be used for the flow rate adjustment valve 31. The expected performance can be achieved.

また、液体材料を充填する都度、第2下方空間11fに液体材料が溢れるところ、この溢れた液体材料がそのまま残留して蓄積されていくと、当該第2下方空間11fが最終的には液体材料で満たされることとなる。そして、仮に、この状態が一旦現出されてしまうと、その後は、第1下方空間11eから仕切り壁6を乗り越えて第2下方空間11fに液体材料が流入するという作用を期待できなくなり、第2下方空間11fへの溢れ出しによる液面高さの一定保持によって流量調整弁31の制御時間を稼ぐという前記機能が発揮できなくなることが考えられる。   Further, every time the liquid material is filled, the liquid material overflows in the second lower space 11f. When the overflowed liquid material remains and accumulates as it is, the second lower space 11f eventually becomes the liquid material. Will be satisfied. If this state appears once, then the liquid material cannot flow from the first lower space 11e over the partition wall 6 into the second lower space 11f, and the second It is conceivable that the aforementioned function of gaining control time of the flow rate adjusting valve 31 cannot be achieved by keeping the liquid level constant by overflowing into the lower space 11f.

しかしながら、この液体材料は気化するため、該液体材料が再充填されて、仕切り壁6の上端にまで達し、第2下方空間11fに再度溢れるまでには、その前のサイクルで第2下方空間11fに溢れ出た液体材料は、気化しほぼ無くなっているので、上記問題が生じることはない。逆にいえば、該液体材料が再充填されて、仕切り壁6を乗り越え、第2下方空間11fに再度溢れるまでにその前のサイクルで第2下方空間11fに溢れ出た液体材料が気化し無くなるように、液体材料の導入量や第2下方空間11fの液面積等を設定しておく必要がある。   However, since the liquid material is vaporized, the liquid material is refilled, reaches the upper end of the partition wall 6, and again overflows into the second lower space 11f. Since the liquid material overflowing into the gas is almost evaporated, the above-mentioned problem does not occur. In other words, the liquid material that has been refilled, gets over the partition wall 6 and overflows the second lower space 11f again, and the liquid material that overflows the second lower space 11f in the previous cycle does not vaporize. Thus, it is necessary to set the introduction amount of the liquid material, the liquid area of the second lower space 11f, and the like.

(6)変形例
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、熱伝導体は気化室内壁の任意の部分から突出させて構わない。前記実施形態同様、製造の容易化を考慮すれば、例えば、蓋体の裏面から一体に熱伝導体を突出させてよい。
(6) Modifications The present invention is not limited to the above embodiment.
For example, the heat conductor may protrude from an arbitrary part of the vaporization chamber wall. Similarly to the above-described embodiment, considering the ease of manufacture, for example, the heat conductor may be integrally protruded from the back surface of the lid.

前記実施形態では穿孔11gによる残壁部分を熱伝導体5としていたが、熱伝導体の形状はこれに限られない。また、熱伝導体の製造方法も、切削加工の他、エッチング、金型、特殊加工(レーザー加工、放電加工)、鍛造、鋳造等を用いて構わない。さらに、前記実施形態では穿孔径を同一にしていたが、穿孔径を異ならせたり、細い経のドリルによって穿孔し、順次より太い経のドリルで深さを浅くしながら穿孔し、上に行くほど細くなる階段状の熱伝導体を形成しても構わない。   In the above embodiment, the remaining wall portion by the perforations 11g is the heat conductor 5, but the shape of the heat conductor is not limited to this. In addition, the manufacturing method of the heat conductor may be etching, die, special processing (laser processing, electric discharge processing), forging, casting or the like in addition to the cutting processing. Furthermore, in the above embodiment, the drilling diameter was the same, but the drilling diameter was varied, drilled with a thin warp drill, and drilled with a shallower depth drill in sequence, with the depth being shallower, and so on You may form the step-shaped heat conductor which becomes thin.

ヒータを気化用タンクに埋設せず、周囲を覆うようなタイプのものにしても構わない。
流量調整弁はON・OFF開閉弁のみならず、開口度が連続的に変化するタイプのものでも構わない。
The heater may be of a type that covers the surroundings without being embedded in the vaporizing tank.
The flow rate adjusting valve is not limited to an ON / OFF opening / closing valve, but may be of a type whose opening degree changes continuously.

その他、例えば、仕切り壁の上端から、さらに上方に延出する延長部分を設けてもよい。その場合、この延長部分には孔を開けるなどして、前記実施形態同様の高さで液体材料が第1下方空間から第2下方空間に溢れるようにしておけばよい。   In addition, for example, an extended portion extending further upward from the upper end of the partition wall may be provided. In that case, a hole may be formed in the extended portion so that the liquid material overflows from the first lower space to the second lower space at the same height as in the above embodiment.

また、液面センサとして、前記実施形態ではフロートタイプのものを用いていたが、熱容量式(例えば一定電流を流した抵抗体がセンサ本体となり、該抵抗体を周囲環境より例えば高い温度で発熱させ、該抵抗体がガス中にあるときと液体に浸されたときとで、両者の比熱の違いにより該抵抗体の温度に変化が生じ、その結果生じる抵抗値の変化から、液面高さをセンシングするもの)や、その他、超音波式、静電容量式、圧力式、振動式など、種々のものを用いることが可能である。   In addition, although the float type sensor is used as the liquid level sensor in the above embodiment, a heat capacity type (for example, a resistor through which a constant current is passed becomes a sensor body, and the resistor generates heat at a temperature higher than that of the surrounding environment, for example. When the resistor is in a gas and when it is immersed in a liquid, the temperature of the resistor changes due to the difference in specific heat between the two, and the resulting change in resistance value determines the liquid level height. Various types such as an ultrasonic type, a capacitance type, a pressure type, and a vibration type can be used.

さらに、第2液面センサを設け、気化室内の液面高さが、前記目標液面高さ範囲及び仕切り壁の上端高さを超えて、導出ポート近傍にまで近づいたことを検出するようにして、この第2液面センサによる検出液面高さが導出ポート近傍にまで近づいた場合には、気化室に液体材料を導入する流量調整弁を閉じ、緊急停止した旨を報知する緊急停止機構を設けても構わない。このように構成することによって、不測の事態〔例えば液面センサの故障)に対しても、気化しない液体材料の溢出を確実に防止することができる。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
Further, a second liquid level sensor is provided to detect that the liquid level in the vaporization chamber has approached the vicinity of the outlet port beyond the target liquid level height range and the upper end height of the partition wall. Then, when the liquid level detected by the second liquid level sensor approaches to the vicinity of the outlet port, the emergency stop mechanism that closes the flow rate adjustment valve that introduces the liquid material into the vaporization chamber and notifies that the emergency stop has occurred. May be provided. By configuring in this way, it is possible to reliably prevent the overflow of the liquid material that does not evaporate even in an unexpected situation (for example, failure of the liquid level sensor).
In addition, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

100・・・気化装置
1・・・気化器
11・・・気化用タンク
111・・・本体
112・・・蓋体
121・・・ヒータ
11a・・・気化室
11e・・・第1下方空間
11g・・・穿孔
11f・・・第2下方空間
11h・・・有底穴
3・・・制御機構(導入量制御機構)
31・・・流量調整弁
32・・・液面センサ
5・・・熱伝導体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Vaporizer 1 ... Vaporizer 11 ... Vaporizing tank 111 ... Main body 112 ... Cover body 121 ... Heater 11a ... Vaporization chamber 11e ... First lower space 11g ... perforation 11f ... second lower space 11h ... bottomed hole 3 ... control mechanism (introduction amount control mechanism)
31 ... Flow rate adjusting valve 32 ... Liquid level sensor 5 ... Thermal conductor

Claims (7)

ヒータによって加熱される気化室を有し、該気化室に導入された液体材料が加熱されて気化した材料ガスを導出する気化用タンクであって、
前記気化室の内壁面から突出する複数の熱伝導体を具備していることを特徴とする気化用タンク。
A vaporizing tank that has a vaporizing chamber heated by a heater, and derives a material gas vaporized by heating the liquid material introduced into the vaporizing chamber;
A vaporizing tank comprising a plurality of heat conductors protruding from an inner wall surface of the vaporizing chamber.
所定面に開口する有底穴が形成されたブロック状をなす本体と、前記有底穴の開口を閉止する蓋体とを具備してなり、有底穴の内面と蓋体の裏面とによって前記気化室を形成するように構成したものであって、
前記熱伝導体が、前記有底穴の内面又は蓋体の裏面から突出したものであることを特徴とする請求項1記載の気化用タンク。
A main body having a block shape in which a bottomed hole that opens in a predetermined surface is formed; and a lid that closes the opening of the bottomed hole; and the inner surface of the bottomed hole and the back surface of the lid Configured to form a vaporization chamber,
2. The vaporizing tank according to claim 1, wherein the heat conductor protrudes from an inner surface of the bottomed hole or a rear surface of the lid.
前記本体が、所定のブロック材の一面における複数個所を穿孔することによって前記有底穴を形成したものであり、
穿孔と穿孔との間に形成した残壁部分が、前記熱伝導体として機能するように構成してあることを特徴とする請求項2記載の気化用タンク。
The main body is formed with the bottomed hole by drilling a plurality of places on one surface of a predetermined block material,
The vaporization tank according to claim 2, wherein a remaining wall portion formed between the perforations functions as the heat conductor.
前記気化室を形成する壁体が、液体材料を加熱するためのヒータを埋設できるように構成したものである請求項1記載の気化用タンク。   2. The vaporizing tank according to claim 1, wherein the wall forming the vaporizing chamber is configured to embed a heater for heating the liquid material. 気化室を有し、該気化室に導入された液体材料が気化して生成される材料ガスを導出する気化用タンクと、
前記気化用タンクを加熱して、前記気化室内にある液体材料の気化を促進するヒータと、
前記気化室の内壁面から突出する複数の熱伝導体とを具備していることを特徴とする気化器。
A vaporizing tank for deriving a material gas generated by vaporizing the liquid material introduced into the vaporizing chamber, and having a vaporizing chamber;
A heater that heats the vaporizing tank and promotes vaporization of the liquid material in the vaporizing chamber;
A vaporizer comprising a plurality of heat conductors protruding from an inner wall surface of the vaporization chamber.
請求項5記載の気化器と、
前記気化室に貯留されている液体材料の液面高さを検出する液面センサと、
前記気化室に連通する液体材料導入流路上に設けられた流量調整弁と、
前記液面センサで検出された液面高さを所定目標範囲内にすべく前記流量調整弁を制御する制御機構とを具備していることを特徴とする気化装置。
A vaporizer according to claim 5;
A liquid level sensor for detecting a liquid level height of the liquid material stored in the vaporization chamber;
A flow rate adjusting valve provided on a liquid material introduction channel communicating with the vaporization chamber;
A vaporizing apparatus comprising: a control mechanism for controlling the flow rate adjusting valve so that a liquid level detected by the liquid level sensor falls within a predetermined target range.
前記気化室の下方空間を、最初に液体材料が導入される第1下方空間と該第1下方空間から溢れた液体材料が導入される第2下方空間とに仕切る仕切り壁をさらに具備し、
液体材料が前記第2下方空間に溢れる液面高さが、前記所定目標範囲内またはそれより上方に設定されていることを特徴とする請求項6記載の気化装置。


A partition wall that partitions the lower space of the vaporization chamber into a first lower space into which liquid material is first introduced and a second lower space into which liquid material overflowing from the first lower space is introduced;
The vaporization apparatus according to claim 6, wherein a liquid surface height at which a liquid material overflows into the second lower space is set within or above the predetermined target range.


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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114705789A (en) * 2022-06-06 2022-07-05 中科阿斯迈(江苏)检验检测有限公司 Gas chromatography device for laboratory detection

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