JP2016111320A - バースト制御回路、半導体光増幅中継装置及びバースト光送信装置 - Google Patents
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Abstract
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電圧を発生させる電圧源回路と、
前記バースト制御信号に基づく回路切り換えで、前記電圧源回路で発生した電圧を順方向電圧又は逆方向電圧として前記半導体光増幅器に印加する電気スイッチと、
を備えることを特徴とする。
前記電圧源回路が発生する電圧を降下させる電圧降下部をさらに備え、
前記電気スイッチは、
順方向電圧印加時には前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のアノード端子に前記電圧源回路が発生する電圧を印加し、前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のカソード端子を接地し、
逆方向電圧印加時には前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のアノード端子に前記電圧降下部が出力する電圧を印加し、前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のカソード端子に前記電圧源回路が発生する電圧を印加するように、
電気回路を切り換えてもよい。
前記バースト制御回路と、
前記バースト制御回路からの印加電圧に応じて光信号の増幅又は遮断を行う半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に入力される光信号の光強度を測定し、前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器から出力される光信号が所定強度となるように前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器へ印加する駆動電流を決定して前記バースト制御回路へ指示するフィードフォワード部と、
を備える。
前記バースト制御回路と、
入力される電気信号を光信号へ変換する光送信器と、
前記バースト制御回路からの印加電圧に応じて前記光送信器からの光信号の増幅又は遮断を行う半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器と、
を備える。
図1は、光増幅装置に半導体光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Ampliier)を使用する場合の一般的な構成を説明する図である。半導体光増幅器20を駆動させる場合、一般的には半導体光増幅器20のアノード端子に半導体光増幅器駆動部10から成る駆動回路、カソード端子にグランドを接続し、アノード端子からカソード端子に順方向電圧を印加し、半導体光増幅器20を電流駆動する。半導体光増幅器の駆動電流量により利得が決まり、入力光信号が光増幅され、半導体光増幅器20から出力される。
近年ではPONシステムや光パケットスイッチに代表される、バースト光信号を用いる伝送システムへの半導体光増幅器の適用を狙い、半導体光増幅器を信号フレーム毎にバースト制御する光増幅装置が報告されている。
図4は、半導体光増幅器に順方向電圧と逆方向電圧を切り替えて印加できる構成を説明する図である。バースト制御回路12は、バースト制御信号に基づいて、半導体光増幅器20に入力される光信号を増幅する際には順方向電圧を半導体光増幅器20に印加し、前記光信号を遮断する際には逆方向電圧を前記半導体光増幅器20に印加する印加電圧制御機能を有する。
このため、本実施形態のバースト制御回路は、バーストオン制御時に半導体光増幅器から出力されるバースト光信号を高出力化し、バーストオフ制御時に半導体光増幅器から出力されるバーストオフレベル光パワーを低減することができる。
図6は、半導体光増幅器に順方向電圧と逆方向電圧を切り替えて印加できる構成を説明する図である。前記印加電圧制御機能は、電圧を発生させる電圧源回路(31,32)と、前記バースト制御信号に基づく回路切り換えで、電圧源回路(31、32)で発生した電圧を順方向電圧又は逆方向電圧として半導体光増幅器20に印加する電気スイッチ33と、を備える。
図7は、反射型半導体光増幅器(RSOA)21に順方向電圧と逆方向電圧を切り替えて印加できる構成を説明する図である。図6と図7との相違点は、図6の構成が半導体増幅器20であることに対し、図7の構成が反射型半導体増幅器21であることである。前記印加電圧制御機能は、図6に示す半導体光増幅器20を用いた場合と同様に、電圧を発生させる電圧源回路(31,32)と、前記バースト制御信号に基づく回路切り換えで、電圧源回路(31、32)で発生した電圧を順方向電圧又は逆方向電圧として反射型半導体光増幅器21に印加する電気スイッチ33と、を備える。
図9及び図10は、半導体光増幅器に順方向電圧と逆方向電圧を切り替えて印加できる構成を説明する図である。バースト制御回路は、前記電圧源回路が1つ(符号31)であり、順方向電圧源回路31が発生する電圧を降下させる電圧降下部42をさらに備える。電気スイッチ41は、順方向電圧印加時には半導体光増幅器20のアノード端子に順方向電圧源回路31が発生する電圧を印加し、半導体光増幅器20のカソード端子を接地し、
逆方向電圧印加時には半導体光増幅器20のアノード端子に電圧降下部42が出力する電圧を印加し、半導体光増幅器20のカソード端子に順方向電圧源回路31が発生する電圧を印加するように、電気回路を切り換える。
また、本実施形態は半導体増幅器20の代替として反射型半導体光増幅器21を用いることで、更なるバーストオフレベルの低減が実現できる。
図11は、半導体光増幅器に順方向電圧と逆方向電圧を切り替えて印加できる構成を説明する図である。バースト制御回路12は、順方向電圧源回路31、電圧降下部42、降下量調整部43およびそれらを接続する2台のスイッチを含む電気スイッチ41を備える。半導体光増幅器20のアノード端子およびカソード端子はそれぞれのスイッチに接続される。
また、本実施形態は半導体増幅器20の代替として反射型半導体光増幅器21を用いることで、更なるバーストオフレベルの低減が実現できる。
図12は、半導体光増幅器に順方向電圧と逆方向電圧を切り替えて印加できる構成を説明する図である。バースト制御回路12は、逆方向電圧印加時に、前記半導体光増幅器に印加される駆動電流を遮断する電流遮断スイッチをさらに備える。
また、本実施形態は半導体増幅器20の代替として反射型半導体光増幅器21を用いることで、更なるバーストオフレベルの低減が実現できる。
図13は、自動レベル制御機能付き半導体光増幅中継装置201を説明する図である。半導体光増幅中継装置201は、
実施形態1から6で説明したバースト制御回路12と、
バースト制御回路12からの印加電圧に応じて光信号の増幅又は遮断を行う半導体光増幅器20と、
半導体光増幅器20に入力される光信号の光強度を測定し、半導体光増幅器20から出力される光信号が所定強度となるように半導体光増幅器20へ印加する駆動電流を決定してバースト制御回路12へ指示するフィードフォワード部50と、
を備える。
また、本実施形態は半導体光増幅器20の代替として図14に示すように反射型半導体光増幅器21を用いることで、更なるバーストオフレベルの低減が実現できる。
図15は、バースト制御機能付き高出力バースト光送信装置202を説明する図である。バースト光送信装置202は、
実施形態1から6で説明したバースト制御回路12と、
入力される電気信号を光信号へ変換する光送信器55と、
バースト制御回路12からの印加電圧に応じて光送信器55からの光信号の増幅又は遮断を行う半導体光増幅器20と、
を備える。
また、本実施形態は半導体光増幅器20の代替として図16に示すように反射型半導体光増幅器21を用いることで、更なるバーストオフレベルの低減が実現できる。
本発明は、多分岐化次世代光アクセスシステムにおけるバースト光送信器に要求されるバーストオフレベルや、バースト対応自動レベル制御半導体光増幅器または半導体日増幅器におけるバースト消光比をさらに高めるため、半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器を逆方向電圧バースト制御駆動する制御回路を提案する。
半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器におけるバースト制御駆動回路において、光信号を増幅する際には順方向、光信号を遮断する際には逆方向に電圧を半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に印加すること、を特徴とする半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のバースト制御駆動回路。
上記(1)に記載のバースト制御駆動回路において、電気スイッチを組み合わせ、バースト信号に応じて電気スイッチを制御し、接続する電圧源回路を切り換えることで、半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に順方向、または逆方向に電圧を印加すること、を特徴とする半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のバースト制御駆動回路。
上記(2)に記載のバースト制御駆動回路において、順方向電圧印加時には半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のアノード端子には半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器を駆動する定電圧源、カソード端子にはグランドを接続し、逆方向電圧印加時には半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のアノード端子には前記定電圧源よりも低い電圧を発生する電圧源を接続し、カソード端子には前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器を駆動する定電圧源に接続されるように、電気スイッチを用いて電気回路を切り換えること、を特徴とするバースト制御駆動回路。
上記(3)に記載のバースト制御駆動回路において、逆方向電圧駆動時の逆方向電圧量を調整できること、を特徴とする半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のバースト制御駆動回路。
上記(3)または(4)に記載のバースト制御駆動回路において、半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のカソード端子にバースト制御信号に同期して、電流をオンまたはオフに制御することでハイインピーダンス動作となる機能を実現する電気スイッチを備えること、を特徴とする半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のバースト制御駆動回路。
上記(1)から(5)のいずれかに記載のバースト制御駆動回路を備える半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器を備えることを特徴する、バースト対応自動レベル制御機能付き半導体光増幅または反射型半導体光増幅器中継装置。
上記(1)から(5)のいずれかに記載のバースト制御駆動回路をブースタ用半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器を備えることを特徴とする、高出力バースト光送信器。
バーストオフ制御時に半導体光増幅器から出力される光パワーを低減することができ、バースト消光比を高めることが可能となる。
12:バースト制御回路
20:半導体光増幅器(SOA)
21:反射型半導体光増幅器(RSOA)
22:サーキュレータ
31:順方向電圧源回路
32:逆方向電圧源回路
33:電気スイッチ
41:電気スイッチ
42:電圧降下部
43:降下量調整部
44:電流遮断スイッチ
50:フィードフォワード部
51:モニタ用カプラ部
52:モニタ信号受信部
53:自動レベル制御量判定部
55:光送信器
201:半導体光増幅中継装置
202:バースト光送信装置
Claims (7)
- バースト制御信号に基づいて、半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に入力される光信号を増幅する際には順方向電圧を前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に印加し、前記光信号を遮断する際には逆方向電圧を前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に印加する印加電圧制御機能を有するバースト制御回路。
- 前記印加電圧制御機能は、
電圧を発生させる電圧源回路と、
前記バースト制御信号に基づく回路切り換えで、前記電圧源回路で発生した電圧を順方向電圧又は逆方向電圧として前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に印加する電気スイッチと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のバースト制御回路。 - 前記電圧源回路は1つであり、
前記電圧源回路が発生する電圧を降下させる電圧降下部をさらに備え、
前記電気スイッチは、
順方向電圧印加時には前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のアノード端子に前記電圧源回路が発生する電圧を印加し、前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のカソード端子を接地し、
逆方向電圧印加時には前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のアノード端子に前記電圧降下部が出力する電圧を印加し、前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器のカソード端子に前記電圧源回路が発生する電圧を印加するように、
電気回路を切り換えることを特徴とする請求項2に記載のバースト制御回路。 - 前記電圧降下部は、電圧の降下量を調整可能であることを特徴とする請求項3に記載のバースト制御回路。
- 逆方向電圧印加時に、前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に印加される駆動電流を遮断する電流遮断スイッチをさらに備えることを特徴とする請求項3又は4に記載のバースト制御回路。
- 請求項1から5のいずれかに記載のバースト制御回路と、
前記バースト制御回路からの印加電圧に応じて光信号の増幅又は遮断を行う半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器に入力される光信号の光強度を測定し、前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器から出力される光信号が所定強度となるように前記半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器へ印加する駆動電流を決定して前記バースト制御回路へ指示するフィードフォワード部と、
を備える半導体光増幅中継装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載のバースト制御回路と、
入力される電気信号を光信号へ変換する光送信器と、
前記バースト制御回路からの印加電圧に応じて前記光送信器からの光信号の増幅又は遮断を行う半導体光増幅器または反射型半導体光増幅器と、
を備えるバースト光送信装置。
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