JP2016110684A - Shift register circuit, gate driver, and display apparatus - Google Patents

Shift register circuit, gate driver, and display apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a shift register circuit comprising a single conductive transistor which performs overlap scanning without increasing the number of clock signals and reduces power consumption by avoiding an ineffective through current, gate driver, and display apparatus.SOLUTION: The shift register circuit comprising a single conductive type transistor includes: a shift register unit having a first output transistor which connects an output terminal and a first power supply; and a first gate control circuit of which an output terminal is connected to a gate terminal of the first output transistor, where the first gate control circuit comprises a timing generation unit and a buffer unit. The buffer unit is a bootstrap circuit, and an output of the timing generation unit to which an input signal is inputted is used as an input of the buffer unit and an output of the buffer unit is used as an output of the first gate control circuit.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、シフトレジスタ回路及び当該シフトレジスタ回路を備えるゲートドライバ並びに当該ゲートドライバを搭載した表示装置に関する。   The present invention relates to a shift register circuit, a gate driver including the shift register circuit, and a display device including the gate driver.

スイッチ素子としてトランジスタをマトリクス状に配列したアクティブマトリクス型半導体装置は、小型、低電力で信頼性の高い装置を実現できるため、広く利用されている。例えば、液晶やEL(エレクトロルミネッセンス)材料を用いた表示装置やフォトダイオードなどの受光素子を備えたセンサー装置は、薄型、軽量などの特性から、携帯型情報端末機器などの入出力インターフェースとして広く活用されている。近年では、表示画素を駆動するスイッチ素子や微弱な感受信号を増幅する素子として薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を絶縁基板であるアレイ基板に配置するとともに、アレイ配置されたTFTを駆動する周辺回路、例えば走査線駆動回路や信号線駆動回路をスイッチ素子と同じ基板上にTFTで形成するアクティブマトリクス型装置の開発が盛んである。その特徴は、アレイ基板に周辺回路を集積化することで、表示または感受部アクティブマトリクスの有効面積を広げることができ、また周辺回路に要していたコストを削減することができることである。   An active matrix semiconductor device in which transistors are arranged in a matrix as a switch element is widely used because it can realize a small, low power, and highly reliable device. For example, sensor devices equipped with light-receiving elements such as display devices and photodiodes using liquid crystal and EL (electroluminescence) materials are widely used as input / output interfaces for portable information terminal devices due to their thin and lightweight characteristics. Has been. In recent years, a thin film transistor (TFT) is arranged on an array substrate which is an insulating substrate as a switching element for driving a display pixel or an element for amplifying a weak sensitive signal, and a peripheral circuit for driving the TFT arranged in the array. For example, active matrix type devices in which a scanning line driving circuit and a signal line driving circuit are formed of TFTs on the same substrate as a switch element are actively developed. The feature is that by integrating the peripheral circuit on the array substrate, the effective area of the display or sensitive part active matrix can be increased, and the cost required for the peripheral circuit can be reduced.

前出のアレイ配置されたTFTはN型あるいはP型の単一導電性トランジスタであることが多く、周辺回路についても同じ単一導電性トランジスタのみで構成すると、その製造工程においてマスク露光や不純物注入などの工程をアレイ配置されたTFTと共通化することが可能なため、製造コストの低減につながる。周辺回路のうち、走査線駆動回路(ゲートドライバ)を単一導電性トランジスタのみで構成したシフトレジスタの連結により実現した例は特許文献1に開示されている。   The TFTs arranged in the above array are often N-type or P-type single conductive transistors. If the peripheral circuit is composed of only the same single conductive transistor, mask exposure and impurity implantation are performed in the manufacturing process. Such a process can be shared with the TFTs arranged in an array, which leads to a reduction in manufacturing cost. An example in which a scanning line driving circuit (gate driver) among peripheral circuits is realized by linking shift registers each including only a single conductive transistor is disclosed in Patent Document 1.

近年の表示画面の大型化高精細化に伴い、ゲート線の持つ負荷容量、負荷抵抗は増加し、一方でゲート線を選択している時間、一般には1水平期間は短縮しているため、ゲートドライバのゲート線駆動能力への要求が高まっている。それに対して、複数のゲート線で選択期間を重ねるオーバーラップ走査を実施することで選択期間を延ばし、駆動能力要求を緩和する方法が特許文献1や2に開示されている。その方法は、非オーバーラップのクロック信号CLK1とCLK3の2相クロックで動作する第1のゲートドライバと、非オーバーラップのクロック信号CLK2とCLK4の2相クロックで動作する第2のゲートドライバとを独立に設け、CLK1、CLK3とCLK2、CLK4の間にオーバーラップ区間を与えることで実現している。ここでゲートドライバはN型トランジスタのみで構成されている。しかしながら、特許文献1や2に開示されている方法では、複数のゲート線の選択期間をオーバーラップして各々のゲート線を選択している期間を延ばすためには、クロック信号の数を増やしていく必要がある。   With the recent increase in size and definition of the display screen, the load capacity and load resistance of the gate line have increased, while the time for selecting the gate line, generally one horizontal period, has been shortened. There is an increasing demand for driver gate line driving capability. On the other hand, Patent Documents 1 and 2 disclose a method of extending the selection period by performing overlap scanning in which the selection periods are overlapped by a plurality of gate lines, thereby relaxing the driving capability requirement. The method includes a first gate driver that operates with a two-phase clock of non-overlapping clock signals CLK1 and CLK3, and a second gate driver that operates with a two-phase clock of non-overlapping clock signals CLK2 and CLK4. This is realized by providing them independently and providing an overlap section between CLK1, CLK3 and CLK2, CLK4. Here, the gate driver is composed of only N-type transistors. However, in the methods disclosed in Patent Documents 1 and 2, in order to extend the selection period of each gate line by overlapping the selection periods of a plurality of gate lines, the number of clock signals is increased. We have to go.

また、オーバーラップ走査において、ゲート選択開始、すなわち単一導電性をN型とした場合のゲート線電圧の立ち上げに時間が掛かり遅延することは、ゲート選択期間の延長により緩和される。一方で、ゲート選択終了、すなわちゲート線電圧の立ち下げについては、遅延を緩和させる効果がなく、画素に書き込むデータ電圧の切り換わり(データアイドリング)時間を超えて立ち下げ時間が遅延すると、データクロストーク、すなわち次の画素に書き込まれるデータ電圧と混同した電圧が書き込まれる問題が発生してしまう。非特許文献1には、クロック信号を2相のみでオーバーラップ走査を実行するゲートドライバが開示されている。図17はこの従来のゲートドライバのシフトレジスタ回路の回路図、図18はこのシフトレジスタ回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。図17に示すように、ゲートドライバ出力の立ち下げを、出力トランジスタN10とそれを制御するインバータ(トランジスタN7とN8とで構成)により行っている。ここで示されたインバータは、トランジスタN7とN8を介して、電源VDDからVSSに貫通電流が流れる課題がある。特にゲートドライバ出力の立ち下げを高速に行うためには、トランジスタN10、N7、N8のすべてを、大電流を流せるように大きなサイズ(トランジスタチャネル幅)で構成する必要があり、貫通電流が消費電力の増大を招く。   In overlap scanning, the start of gate selection, i.e., delaying the rise of the gate line voltage when the single conductivity is N-type, is alleviated by extending the gate selection period. On the other hand, the end of gate selection, that is, the fall of the gate line voltage has no effect of reducing the delay, and if the fall time is delayed beyond the switching time (data idling) time of the data voltage written to the pixel, Talk, that is, a problem that a voltage confused with the data voltage written to the next pixel occurs. Non-Patent Document 1 discloses a gate driver that performs overlap scanning with only two phases of clock signals. FIG. 17 is a circuit diagram of a shift register circuit of this conventional gate driver, and FIG. 18 is a timing chart showing operation waveforms of this shift register circuit. As shown in FIG. 17, the output of the gate driver is lowered by an output transistor N10 and an inverter that controls the output transistor N10 (consisting of transistors N7 and N8). The inverter shown here has a problem that a through current flows from the power supply VDD to VSS via the transistors N7 and N8. In particular, in order to quickly lower the gate driver output, it is necessary to configure all of the transistors N10, N7, and N8 with a large size (transistor channel width) so that a large current can flow. Increase.

特開2006−106394号公報JP 2006-106394 A WO2012/073467号公報WO2012 / 073467 特開2009−181612号公報JP 2009-181612 A 特開2008−299941号公報JP 2008-299941 A

Eunji Song and Hyoungsik Nam、SID2013 Digest、35.4 (2013)Eunji Song and Hyoungsik Nam, SID2013 Digest, 35.4 (2013)

単一導電性トランジスタのみで構成されるゲートドライバで、オーバーラップ走査を行うためにクロック信号数が増加すると、クロックバスラインの駆動に必要な消費電力の増加、端子数の増加、高振幅のクロック信号を生成するレベルシフト回路の増加が課題となる。また、ゲート線の選択を終了するゲート線電圧の立ち下げを高速に行うための消費電力の増加も課題となる。   When the number of clock signals increases in order to perform overlap scanning with a gate driver consisting of only a single conductive transistor, the power consumption required to drive the clock bus line increases, the number of terminals increases, and the clock with high amplitude An increase in the level shift circuits that generate signals becomes a problem. In addition, an increase in power consumption for rapidly decreasing the gate line voltage at which the selection of the gate line is completed becomes a problem.

本発明は、高速動作及び低消費電力を実現できる、単一導電性トランジスタで構成されたシフトレジスタ回路及びゲートドライバ並びに表示装置を提供することを目的とする。特に、クロック信号数を増やさずにオーバーラップ走査を行い、無効な貫通電流を回避した省電力の、単一導電性トランジスタで構成されたシフトレジスタ回路及びゲートドライバ並びに表示装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a shift register circuit, a gate driver, and a display device which are configured by a single conductive transistor and can realize high-speed operation and low power consumption. In particular, an object of the present invention is to provide a shift register circuit, a gate driver, and a display device, each of which is composed of a single conductive transistor, which performs overlap scanning without increasing the number of clock signals and avoids an invalid through current. And

第1の発明のシフトレジスタ回路は、単一導電型のトランジスタで構成されたシフトレジスタ回路であり、少なくとも前記シフトレジスタ回路の出力端子と第1の電源VSSとをつなぐ第1の出力トランジスタM1を有するシフトレジスタ部と、前記第1の出力トランジスタM1のゲート端子にその出力端子が接続された第1のゲート制御回路とを含み、前記第1のゲート制御回路が、タイミング生成部とバッファ部とで構成され、前記バッファ部がブートストラップ回路であり、入力O[n−2]が入力される前記タイミング生成部の出力をバッファ部の入力とし、バッファ部の出力を第1のゲート制御回路の出力とするシフトレジスタ回路である。   The shift register circuit of the first invention is a shift register circuit composed of a single conductivity type transistor, and includes at least a first output transistor M1 that connects the output terminal of the shift register circuit and the first power supply VSS. And a first gate control circuit having an output terminal connected to the gate terminal of the first output transistor M1, the first gate control circuit comprising: a timing generation unit; a buffer unit; The buffer unit is a bootstrap circuit, the output of the timing generation unit to which the input O [n-2] is input is used as the input of the buffer unit, and the output of the buffer unit is the first gate control circuit. This is a shift register circuit to be output.

第2の発明のシフトレジスタ回路では、前記第1のゲート制御回路の前記バッファ部が、少なくとも、第1のクロック信号XCLKと出力Q[n]とをつなぐ第2のトランジスタM11と、前記第2のトランジスタM11のゲート端子と前記タイミング生成部の出力端子とをつなぐ第3のトランジスタM12とで構成されたブートストラップ回路である。   In the shift register circuit of the second invention, the buffer section of the first gate control circuit includes at least a second transistor M11 that connects the first clock signal XCLK and the output Q [n], and the second transistor This is a bootstrap circuit composed of a third transistor M12 connecting the gate terminal of the transistor M11 and the output terminal of the timing generator.

第3の発明のシフトレジスタ回路では、前記第1のゲート制御回路のバッファ部が、少なくとも、前記バッファ部の出力Q[n]と前記第1のクロック信号XCLKとをつなぐ第2のトランジスタM11と、前記バッファ部の入力Q1と第2のトランジスタM11のゲート端子Q2とをつなぎ、第2のクロック信号CLKによりゲート制御される第3のトランジスタM12と、前記バッファ部の出力Q[n]と第1の電源VSSとをつなぎ、前記第2のクロック信号CLKによりゲート制御される第4のトランジスタM13とを含む。   In the shift register circuit of the third invention, the buffer section of the first gate control circuit includes at least a second transistor M11 that connects the output Q [n] of the buffer section and the first clock signal XCLK. The third transistor M12 that connects the input Q1 of the buffer unit and the gate terminal Q2 of the second transistor M11 and is gate-controlled by the second clock signal CLK, and the output Q [n] of the buffer unit and the second transistor A fourth transistor M13 connected to one power source VSS and gate-controlled by the second clock signal CLK.

第4の発明のシフトレジスタ回路では、前記第1のゲート制御回路のタイミング生成部が、前記第1のゲート制御回路の入力O[n−2]によりゲート制御され、前記第1の電源VSSと前記バッファ部の入力Q1とをつなぐ第5のトランジスタM14と、前記バッファ部の入力Q1と前記第2のクロック信号CLKとをつなぐ第1の容量C1とで構成される。   In a shift register circuit according to a fourth aspect of the invention, the timing generator of the first gate control circuit is gate-controlled by the input O [n-2] of the first gate control circuit, and the first power supply VSS and A fifth transistor M14 that connects the input Q1 of the buffer unit, and a first capacitor C1 that connects the input Q1 of the buffer unit and the second clock signal CLK.

第5の発明のシフトレジスタ回路では、前記第1のゲート制御回路のタイミング生成部が、前記第1のゲート制御回路の入力O[n−2]によりゲート制御され、前記第1の電源VSSと前記バッファ部の入力Q1とをつなぐ第6のトランジスタM15と、前記バッファ部の入力Q1と前記第2の電源VDDとをつなぎ、ゲート端子を前記第2の電源VDDに接続した第7のトランジスタM16とで構成される。   In a shift register circuit according to a fifth aspect of the invention, the timing generator of the first gate control circuit is gate-controlled by the input O [n-2] of the first gate control circuit, and the first power supply VSS and A sixth transistor M15 that connects the input Q1 of the buffer unit and a seventh transistor M16 that connects the input Q1 of the buffer unit and the second power supply VDD and has a gate terminal connected to the second power supply VDD. It consists of.

第6の発明のシフトレジスタ回路では、前記シフトレジスタ部が、ソース端子に前記シフトレジスタ回路の出力端子を接続し、ドレイン端子に前記第2の電源VDDを接続した第8の出力トランジスタM2と、ゲート端子に前記第1のクロック信号XCLKを入力し、ドレイン端子に入力O[n−1]を接続し、ソース端子を前記第8の出力トランジスタM2のゲート端子P[n]に接続した第9のトランジスタM3とを含む。   In a shift register circuit of a sixth invention, the shift register unit includes an eighth output transistor M2 having a source terminal connected to the output terminal of the shift register circuit and a drain terminal connected to the second power supply VDD. The ninth clock signal is input to the gate terminal of the first clock signal XCLK, the drain terminal is connected to the input O [n−1], and the source terminal is connected to the gate terminal P [n] of the eighth output transistor M2. Transistor M3.

第7の発明のシフトレジスタ回路は、単一導電型のトランジスタで構成されたシフトレジスタ回路であり、少なくとも、前記シフトレジスタ回路の出力端子と第1の電源VSSとをつなぐ第1の出力トランジスタM1を有するシフトレジスタ部と、前記第1の出力トランジスタM1のゲート端子にその出力端子が接続された第1のゲート制御回路とを含み、前記シフトレジスタ部が、前記シフトレジスタの出力端子と前記第1の電源VSSとをつなぐ第10の出力トランジスタM4を含み、第10の出力トランジスタM4のゲート端子にその出力端子が接続された第2のゲート制御回路を含み、前記各ゲート制御回路が、タイミング生成部とバッファ部とで構成され、入力O[n−2]又は入力O[n−1]が入力される前記タイミング生成部の出力をバッファ部の入力とし、バッファ部の出力を第2のゲート制御回路の出力とするシフトレジスタ回路である。   A shift register circuit according to a seventh aspect of the present invention is a shift register circuit composed of a single conductivity type transistor, and at least a first output transistor M1 that connects an output terminal of the shift register circuit and a first power supply VSS. And a first gate control circuit having an output terminal connected to the gate terminal of the first output transistor M1, the shift register unit including the output terminal of the shift register and the first A second gate control circuit including a tenth output transistor M4 connected to one power supply VSS, the output terminal of which is connected to the gate terminal of the tenth output transistor M4. The timing generation configured by a generation unit and a buffer unit and receiving an input O [n-2] or an input O [n-1]. The output of the input buffer unit, a shift register circuit to the output of the second gate control circuit the output of the buffer unit.

第8の発明のシフトレジスタ回路では、前記第1のゲート制御回路を構成するバッファ部が前記第1のクロック信号を出力するブートストラップ回路であり、前記第2のゲート制御回路を構成するバッファ部が前記第2のクロック信号を出力するブートストラップ回路である。   In the shift register circuit according to an eighth aspect of the present invention, the buffer section that constitutes the first gate control circuit is a bootstrap circuit that outputs the first clock signal, and the buffer section that constitutes the second gate control circuit Is a bootstrap circuit for outputting the second clock signal.

第9の発明のゲートドライバは、前記第7の発明のシフトレジスタ回路を複数段つなげたゲートドライバであり、第n−2(nは3以上の整数)段目の前記シフトレジスタ回路の出力O[n−2]を第n−1段目の前記シフトレジスタ部および前記第1又は第2のゲート制御回路の入力とし、第n−1段目の前記第1又は第2のゲート制御回路の出力Q[n]を、前記第n−1段目の前記シフトレジスタ部および第n段目の前記シフトレジスタ部に入力する(第n−1段目の前記シフトレジスタ回路の出力O[n−1]を第n段目の前記シフトレジスタ部および前記第2又は第1のゲート制御回路の入力とし、第n段目の前記第2又は第1のゲート制御回路の出力Q[n+1]を、前記第n段目の前記シフトレジスタ部および第n+1段目の前記シフトレジスタ部に入力する)ゲートドライバである。   A gate driver of a ninth invention is a gate driver in which the shift register circuit of the seventh invention is connected in a plurality of stages, and the output O of the shift register circuit in the (n-2) th stage (n is an integer of 3 or more). [N-2] is input to the shift register unit of the (n−1) th stage and the first or second gate control circuit, and the first or second gate control circuit of the (n−1) th stage is input. The output Q [n] is input to the shift register unit at the (n−1) th stage and the shift register unit at the nth stage (the output O [n− of the shift register circuit at the (n−1) th stage). 1] is input to the n-th stage shift register unit and the second or first gate control circuit, and an output Q [n + 1] of the n-th stage second or first gate control circuit is The nth stage shift register section and the (n + 1) th stage Serial input to the shift register unit) is a gate driver.

第10の発明のシフトレジスタ回路では、前記第1のゲート制御回路を構成するバッファ部が、少なくとも、第2の出力Q2[n]を有し、出力Q2[n]と前記第1の電源VSSとをつなぐ第11の出力トランジスタM17と、出力Q2[n]と前記出力Q[n]とをつなぐ第12のトランジスタM18と、前記第12のトランジスタM18のゲート端子と第n+2段目のシフトレジスタの出力とをつなぐ第13のトランジスタM19とを含み、前記第11の出力トランジスタM17が前記第2のクロック信号CLKに制御され、前記第13のトランジスタM19が前記第2の電源VDDで制御されるブートストラップ回路であり、このブートストラップ回路を前記第3の発明のバッファ部に追加している。   In the shift register circuit according to a tenth aspect of the present invention, the buffer section constituting the first gate control circuit has at least a second output Q2 [n], and the output Q2 [n] and the first power supply VSS An eleventh output transistor M17 connecting the output Q2, a twelfth transistor M18 connecting the output Q2 [n] and the output Q [n], a gate terminal of the twelfth transistor M18, and an (n + 2) th stage shift register. The eleventh output transistor M17 is controlled by the second clock signal CLK, and the thirteenth transistor M19 is controlled by the second power supply VDD. This is a bootstrap circuit, and this bootstrap circuit is added to the buffer unit of the third invention.

第11の発明のシフトレジスタ回路では、前記第1の出力トランジスタM1のゲート端子に、第10の発明のゲート制御回路の第2の出力Q2[n]を接続している。   In the shift register circuit of the eleventh aspect of the invention, the second output Q2 [n] of the gate control circuit of the tenth aspect of the invention is connected to the gate terminal of the first output transistor M1.

第12の発明のゲートドライバは、前記第10の発明のシフトレジスタ回路を複数段連結させたゲートドライバであり、第n−2(nは3以上の整数)段目の前記シフトレジスタ回路の出力O[n−2]を第n−1段目の前記シフトレジスタ部および前記第10の発明のゲート制御回路の入力とし、第n+2段目の前記シフトレジスタ回路の出力O[n+2]を前記第n−1段目のゲート制御回路の入力とし、前記第n―1段目のゲート制御回路の第1の出力を、第n−1段目の前記シフトレジスタ部および第n段目の前記シフトレジスタ部の入力とし、前記第n―1段目のゲート制御回路の第2の出力を、第n段目の前記シフトレジスタ部の入力とするゲートドライバである。   A gate driver according to a twelfth aspect of the present invention is a gate driver obtained by connecting a plurality of stages of the shift register circuit according to the tenth aspect of the present invention, and the output of the shift register circuit in the (n-2) th stage (n is an integer of 3 or more). O [n-2] is input to the shift register unit of the (n-1) th stage and the gate control circuit of the tenth invention, and the output O [n + 2] of the shift register circuit of the (n + 2) th stage is the above-mentioned The input of the (n-1) th stage gate control circuit is used, and the first output of the (n-1) th stage gate control circuit is used as the shift register unit of the (n-1) th stage and the shift of the nth stage. A gate driver that receives the second output of the gate control circuit of the (n-1) th stage as an input of the register section and inputs of the shift register section of the nth stage.

第13の発明の表示装置は、前記第9又は第12の発明のゲートドライバを搭載したマトリクス型表示装置であり、ゲートドライバには2相のクロック信号を入力し、ゲートドライバの初段のシフトレジスタの入力としてスタート信号STを入力し、ゲート線の選択期間がスタート信号STのパルス幅により制御され、同時に複数のゲート線が重なって選択されるオーバーラップ走査とする表示装置である。   A display device according to a thirteenth aspect is a matrix type display device equipped with the gate driver according to the ninth or twelfth aspect, wherein a two-phase clock signal is input to the gate driver, and the first stage shift register of the gate driver is provided. In this display device, the start signal ST is inputted as the input, the selection period of the gate line is controlled by the pulse width of the start signal ST, and at the same time, a plurality of gate lines are overlapped and selected.

本発明のシフトレジスタ回路では、各シフトレジスタの出力パルスの幅は、クロック信号のパルス幅ではなく、入力パルス、例えば、前段のシフトレジスタ回路の出力パルスの幅で決まる。そのため、シフトレジスタ回路を複数段連結してゲートドライバを構成した際、オーバーラップ走査でもクロック信号は2相で良い。   In the shift register circuit of the present invention, the width of the output pulse of each shift register is determined not by the pulse width of the clock signal but by the width of the input pulse, for example, the output pulse of the preceding shift register circuit. Therefore, when a gate driver is configured by connecting a plurality of stages of shift register circuits, the clock signal may be two-phase even in overlap scanning.

本発明によれば、高速かつ、低消費電力なゲートドライバが実現される。なぜならば、ゲート線の電位を高速に立ち下げるための出力トランジスタのゲート制御を、バッファ部であるクロック駆動のブートストラップ回路で行うため、大きな負荷の駆動を、貫通電流などの消費電力を回避して高速に行うことができるからである。また、ゲート制御回路を省面積とすることができる。なぜならば、ブートストラップ回路をバッファ部とするため、ゲート制御回路を構成するタイミング生成部のトランジスタサイズや容量サイズを小さくできるからである。また、ブートストラップ回路を駆動するクロック信号は外部入力信号とすることで、高速動作が可能となる。   According to the present invention, a gate driver with high speed and low power consumption is realized. This is because the gate control of the output transistor for lowering the potential of the gate line at high speed is performed by a clock-driven bootstrap circuit that is a buffer unit, so that driving of a large load avoids power consumption such as through current. This is because it can be performed at high speed. Further, the area of the gate control circuit can be saved. This is because the bootstrap circuit is used as a buffer unit, so that the transistor size and capacitance size of the timing generation unit constituting the gate control circuit can be reduced. Further, the clock signal for driving the bootstrap circuit is an external input signal, so that high speed operation is possible.

また、本発明によれば、ゲート制御回路のうちタイミング生成部のタイミングマージンを拡大でき、高速動作の要求を緩和できる。なぜならば、タイミング生成部の信号の伝達には、クロック半周期期間のタイミングマージンが与えられ、タイミング生成部の出力立ち上がり時間が直接シフトレジスタ回路の出力立下り時間に反映しないからである。   Further, according to the present invention, the timing margin of the timing generation unit in the gate control circuit can be expanded, and the requirement for high-speed operation can be relaxed. This is because a timing margin of a clock half cycle period is given to the signal transmission of the timing generation unit, and the output rise time of the timing generation unit is not directly reflected in the output fall time of the shift register circuit.

また、本発明によれば、トランジスタの閾値シフトによる信頼性低下を抑えることができる。なぜならば、出力トランジスタのゲート端子には、ゲート制御回路により、2相のクロック信号に同期した電圧が印加されるため、出力トランジスタの長期間導通状態を避け、閾値シフトを緩和できるからである。   Further, according to the present invention, it is possible to suppress a decrease in reliability due to a threshold shift of the transistor. This is because a voltage synchronized with the two-phase clock signal is applied to the gate terminal of the output transistor by the gate control circuit, so that the output transistor can be prevented from conducting for a long period of time and the threshold shift can be mitigated.

また、本発明によれば、クロック信号の負荷および消費電力を抑えることができる。なぜならば、ゲート制御回路の出力Q2[n]の反転は、1本のゲート線が駆動される、1フレームに1回程度に限られるからである。すなわちQ2[n]にゲート端子を制御される出力トランジスタM1のゲート負荷容量の充放電回数が限られ、その充放電を行うクロック信号の負荷および消費電力が抑えられる。   Further, according to the present invention, it is possible to suppress the load and power consumption of the clock signal. This is because the inversion of the output Q2 [n] of the gate control circuit is limited to about once per frame in which one gate line is driven. In other words, the number of times of charge / discharge of the gate load capacitance of the output transistor M1 whose gate terminal is controlled by Q2 [n] is limited, and the load and power consumption of the clock signal for performing the charge / discharge are suppressed.

本発明のゲートドライバを搭載したマトリクス型表示装置では、狭額縁の表示装置が可能となる。なぜならば、表示画面の周辺に配置するゲートドライバの構成要素であるタイミング生成部を省面積にすることができ、ゲートドライバを駆動するクロック信号線が2本であるため、その配線レイアウト面積を小さくできるからである。   In the matrix type display device equipped with the gate driver of the present invention, a display device with a narrow frame is possible. This is because the timing generation unit, which is a component of the gate driver arranged around the display screen, can be reduced in area, and since there are two clock signal lines for driving the gate driver, the wiring layout area can be reduced. Because it can.

本発明のマトリクス型表示装置では、ゲート電位の高振幅を有するクロック信号が2本と少ないため、高振幅信号を生成するレベルシフト回路の個数を低減し、部材コストを抑えることができる。   In the matrix type display device of the present invention, since there are only two clock signals having a high amplitude of the gate potential, the number of level shift circuits for generating a high amplitude signal can be reduced, and the member cost can be suppressed.

本発明の第1の実施の形態のシフトレジスタ回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a shift register circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態のシフトレジスタ回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。FIG. 3 is a timing chart illustrating operation waveforms of the shift register circuit according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態のゲート制御回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a gate control circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態のゲート制御回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。It is a timing chart figure which shows the operation | movement waveform of the gate control circuit of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態のゲート制御回路の回路図である。It is a circuit diagram of the gate control circuit of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態のゲート制御回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。It is a timing chart figure which shows the operation | movement waveform of the gate control circuit of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態のシフトレジスタ回路の回路図である。It is a circuit diagram of the shift register circuit of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態のシフトレジスタ回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。It is a timing chart figure which shows the operation | movement waveform of the shift register circuit of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態のゲートドライバの回路図である。It is a circuit diagram of the gate driver of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施の形態のゲート制御回路の回路図である。It is a circuit diagram of the gate control circuit of the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施の形態のゲート制御回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。It is a timing chart figure which shows the operation waveform of the gate control circuit of the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施の形態のシフトレジスタ回路の回路図である。It is a circuit diagram of the shift register circuit of the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施の形態のシフトレジスタ回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。It is a timing chart figure which shows the operation waveform of the shift register circuit of the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第7の実施の形態のゲートドライバの回路図である。It is a circuit diagram of the gate driver of the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第8の実施の形態のマトリクス型表示装置を示す図である。It is a figure which shows the matrix type display apparatus of the 8th Embodiment of this invention. 本発明の第8の実施の形態のマトリクス型表示装置におけるゲートドライバの動作波形を示すタイミングチャート図である。It is a timing chart figure which shows the operation waveform of the gate driver in the matrix type display apparatus of the 8th Embodiment of this invention. 従来のシフトレジスタ回路の回路図である。It is a circuit diagram of a conventional shift register circuit. 従来のシフトレジスタ回路の動作波形を示すタイミングチャート図である。It is a timing chart which shows the operation waveform of the conventional shift register circuit.

次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[第1の実施の形態]
図1は、第1の実施の形態のシフトレジスタ回路の構成を示す図である。図1に示すように、本実施の形態のシフトレジスタ回路1は、単一導電型(本実施の形態ではN型)トランジスタで構成されたシフトレジスタ回路であって、第1の電源VSSとシフトレジスタ回路1の出力O[n]とを結ぶ出力トランジスタM1、第2の電源VDDとシフトレジスタ回路1の出力O[n]とを結ぶ出力トランジスタM2、出力トランジスタM2のゲート端子でブートストラップノードの出力P[n]と前段のシフトレジスタ回路の出力O[n−1]とを結ぶトランジスタM3から構成されるシフトレジスタ部2、および出力トランジスタM1のゲート端子にその出力を接続したゲート制御回路3からなる。ゲート制御回路3は、タイミング生成部5とバッファ部4にて構成される。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a shift register circuit according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the shift register circuit 1 according to the present embodiment is a shift register circuit composed of a single conductivity type (N-type in this embodiment) transistor, and includes a first power supply VSS and a shift register circuit. The output transistor M1 connecting the output O [n] of the register circuit 1, the output transistor M2 connecting the second power supply VDD and the output O [n] of the shift register circuit 1, and the gate terminal of the output transistor M2 A shift register unit 2 composed of a transistor M3 connecting the output P [n] and the output O [n-1] of the preceding shift register circuit, and a gate control circuit 3 having its output connected to the gate terminal of the output transistor M1 Consists of. The gate control circuit 3 includes a timing generation unit 5 and a buffer unit 4.

シフトレジスタ回路1の動作を説明するために動作波形を図2に示す。シフトレジスタ回路1の出力O[n−1]がロウレベルであると、クロック信号XCLKのレベルがロウからハイに反転した際、ブートストラップノードの出力P[n]は、トランジスタM3によりロウレベルに固定され、出力トランジスタM2は非導通になる。一方、ゲート制御回路3の出力Q[n]がハイレベルとなるとき、出力トランジスタM1が導通して、シフトレジスタ回路1の出力O[n]はロウレベル(第1の電源VSS)に固定される。   In order to explain the operation of the shift register circuit 1, operation waveforms are shown in FIG. If the output O [n−1] of the shift register circuit 1 is at a low level, the output P [n] of the bootstrap node is fixed at a low level by the transistor M3 when the level of the clock signal XCLK is inverted from low to high. The output transistor M2 becomes non-conductive. On the other hand, when the output Q [n] of the gate control circuit 3 becomes a high level, the output transistor M1 becomes conductive, and the output O [n] of the shift register circuit 1 is fixed at a low level (first power supply VSS). .

シフトレジスタ回路1の出力O[n−1]がハイレベルに反転した後、クロック信号XCLKがハイレベルに反転すると、ノードの出力P[n]はハイレベルに向かって上昇し、出力トランジスタM2のゲート・ソース間電圧を広げ、それにより出力トランジスタM2が導通状態となる。すると、第2の電源VDDからの電流供給により、シフトレジスタ回路1の出力O[n]のレベルが第2の電源VDDまで上昇し、ブートストラップ効果により、ノードの出力P[n]の電位は第2の電源VDD以上にまで達する。このとき、出力の上昇を妨害せず、第2の電源VDDから第1の電源VSSへの貫通電流を流さないように、出力トランジスタM1は非導通状態であることが望ましく、ゲート制御回路3の出力Q[n]がロウレベルを保つようにタイミング生成部5で信号を生成する。   After the output O [n−1] of the shift register circuit 1 is inverted to the high level, when the clock signal XCLK is inverted to the high level, the output P [n] of the node rises toward the high level, and the output transistor M2 The voltage between the gate and the source is increased, so that the output transistor M2 becomes conductive. Then, by supplying a current from the second power supply VDD, the level of the output O [n] of the shift register circuit 1 rises to the second power supply VDD. Due to the bootstrap effect, the potential of the node output P [n] is It reaches even more than the second power supply VDD. At this time, the output transistor M1 is preferably in a non-conducting state so as not to disturb an increase in output and to prevent a through current from flowing from the second power supply VDD to the first power supply VSS. The timing generator 5 generates a signal so that the output Q [n] is kept at a low level.

再びシフトレジスタ回路1の出力O[n−1]がロウレベルに反転した後、クロック信号XCLKがハイレベルに反転すると、ノードの出力P[n]はロウレベルに固定されるため、出力トランジスタM2は非導通になる。一方、ゲート制御回路3の出力Q[n]がハイレベルに再び反転することで、出力トランジスタM1を介してシフトレジスタ回路1の出力O[n]はロウレベルである第1の電源VSSまで立ち下げられる。   After the output O [n−1] of the shift register circuit 1 is inverted to the low level again, when the clock signal XCLK is inverted to the high level, the output P [n] of the node is fixed to the low level. It becomes conductive. On the other hand, when the output Q [n] of the gate control circuit 3 is inverted again to the high level, the output O [n] of the shift register circuit 1 falls to the first power supply VSS that is at the low level via the output transistor M1. It is done.

次に、本実施の形態のゲート制御回路3について、図3を用いて詳細に説明する。   Next, the gate control circuit 3 of the present embodiment will be described in detail with reference to FIG.

まず、ゲート制御回路3を構成するバッファ部4について説明する。バッファ部4は、少なくとも、ゲート制御回路3の出力Q[n]とクロック信号XCLKとをつなぐトランジスタM11と、バッファ部4の入力端子Q1とトランジスタM11のゲート端子Q2とをつなぎ、クロック信号CLKによりゲート制御されるトランジスタM12と、ゲート制御回路3の出力Q[n]と第1の電源VSSとをつなぎ、クロック信号CLKによりゲート制御されるトランジスタM13とで構成されるブートストラップ回路である。ここで、クロック信号XCLKとCLKとは互いに相反する2相のクロック信号である。なお、トランジスタM11のブートストラップ効果を高めるために、トランジスタM11のゲート・ソース端子間に容量C2を設けても良い。   First, the buffer unit 4 constituting the gate control circuit 3 will be described. The buffer unit 4 connects at least the transistor M11 that connects the output Q [n] of the gate control circuit 3 and the clock signal XCLK, the input terminal Q1 of the buffer unit 4 and the gate terminal Q2 of the transistor M11, and the clock signal CLK. This is a bootstrap circuit that includes a transistor M12 that is gate-controlled, and a transistor M13 that connects the output Q [n] of the gate control circuit 3 and the first power supply VSS and is gate-controlled by a clock signal CLK. Here, the clock signals XCLK and CLK are two-phase clock signals that are opposite to each other. Note that a capacitor C2 may be provided between the gate and the source terminal of the transistor M11 in order to enhance the bootstrap effect of the transistor M11.

次に、ゲート制御回路3を構成するタイミング生成部5について説明する。タイミング生成部5は、ゲート制御回路3の入力O[n−2]によりゲート制御され、第1の電源VSSとタイミング生成部5の出力Q1とをつなぐトランジスタM14と、タイミング生成部5の出力Q1とクロック信号CLKとをつなぐ容量C1とで構成される。   Next, the timing generation unit 5 constituting the gate control circuit 3 will be described. The timing generation unit 5 is gate-controlled by the input O [n−2] of the gate control circuit 3, and includes a transistor M 14 that connects the first power supply VSS and the output Q 1 of the timing generation unit 5, and an output Q 1 of the timing generation unit 5. And a capacitor C1 connecting the clock signal CLK.

図3に示したゲート制御回路3の動作について、図4に示した動作波形を基に以下に説明する。ゲート制御回路3の入力、すなわち、前々段のシフトレジスタ回路の出力O[n−2]がロウレベルであるとき、タイミング生成部5の出力Q1は、容量C1によるカップリングでクロック信号CLKに同期する。クロック信号CLKとタイミング生成部5の出力Q1とがハイレベルにある期間T1では、トランジスタM12を介してトランジスタM11のゲートQ2はハイレベルよりもトランジスタM12の閾値電圧程度低い電位まで引き上げられる。この電位は容量C2により保持される。一方、クロック信号XCLKはロウレベルであるから、トランジスタM11を介してゲート制御回路3の出力Q[n]はロウレベルに固定される。同様に、トランジスタM13によっても、ゲート制御回路3の出力Q[n]はロウレベルに固定される。   The operation of the gate control circuit 3 shown in FIG. 3 will be described below based on the operation waveform shown in FIG. When the input of the gate control circuit 3, that is, the output O [n-2] of the preceding shift register circuit is at a low level, the output Q1 of the timing generation unit 5 is synchronized with the clock signal CLK by coupling by the capacitor C1. To do. In a period T1 in which the clock signal CLK and the output Q1 of the timing generator 5 are at a high level, the gate Q2 of the transistor M11 is pulled up to a potential lower than the high level by the threshold voltage of the transistor M12 via the transistor M12. This potential is held by the capacitor C2. On the other hand, since the clock signal XCLK is at the low level, the output Q [n] of the gate control circuit 3 is fixed to the low level via the transistor M11. Similarly, the output Q [n] of the gate control circuit 3 is also fixed to the low level by the transistor M13.

次にクロック信号が反転し、CLKがロウレベルに、XCLKがハイレベルに変わる期間T2に移ると、トランジスタM12およびM13は非導通状態となる。一方で、容量C2およびトランジスタM11のゲート・ソース間容量に保持された電位差によってトランジスタM11は導通状態を保ち、ブートストラップ効果によりトランジスタM11のゲートQ2の電位はクロック信号のハイレベル以上に上昇し、ゲート制御回路3の出力Q[n]はクロック信号XCLKのハイレベルまで上昇する。そして、再びクロック信号が反転する期間T3に移ると、トランジスタM11およびM13により、ゲート制御回路3の出力Q[n]はロウレベルに引き下げられる。すなわち、バッファ部4は、クロック信号XCLKをトランジスタM11を介して出力するブートストラップ回路として働く。この動作は、前々段のシフトレジスタ回路の出力O[n−2]がロウレベルである間、繰り返される。   Next, when the clock signal is inverted and a period T2 in which CLK changes to a low level and XCLK changes to a high level, the transistors M12 and M13 are turned off. On the other hand, the transistor M11 is kept conductive by the potential difference held between the capacitor C2 and the gate-source capacitor of the transistor M11, and the potential of the gate Q2 of the transistor M11 rises above the high level of the clock signal due to the bootstrap effect. The output Q [n] of the gate control circuit 3 rises to the high level of the clock signal XCLK. When the clock signal is inverted again during the period T3, the output Q [n] of the gate control circuit 3 is pulled down to a low level by the transistors M11 and M13. That is, the buffer unit 4 functions as a bootstrap circuit that outputs the clock signal XCLK via the transistor M11. This operation is repeated while the output O [n-2] of the preceding shift register circuit is at the low level.

一方、前々段のシフトレジスタ回路の出力O[n−2]がハイレベルとなる期間T4に入ると、トランジスタM14が導通し続けるため、タイミング生成部5の出力Q1はクロック信号CLKには同期せず、ロウレベルに固定される。クロック信号CLKがハイレベルとなる期間T5では、トランジスタM12を介してバッファ部4のノードQ2はロウレベルに固定される。よって、トランジスタM11のドレイン端子であるクロック信号XCLKはロウレベル、ソース端子であるゲート制御回路3の出力Q[n]もロウレベルであるが、ゲート端子であるQ2もロウレベルであるため、トランジスタM11は非導通状態を保つ。また、トランジスタM11のゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間の容量にも電荷は充電されていない。そのため、期間T6に移り、クロック信号XCLKが反転し、ハイレベルに上昇した際にもブートストラップ効果は働かず、トランジスタM11のゲート端子Q2およびソース端子はクロック信号CLKに追従しない。この動作は、前々段のシフトレジスタの出力O[n−2]がハイレベルである間継続し、ゲート制御回路3の出力Q[n]はロウレベルのままである。また、クロック信号CLKがハイレベルに反転する期間T5において、容量C1との結合のために瞬間的にノードQ1が上昇し、あるいは容量C2に充電されていた電荷を放電し、ノードQ2をロウレベルへ低下させる動作が緩やかであったとしても、期間T6に移る前までにそれぞれをロウレベルに低下させておけば、期間T6ではブートストラップ効果は働かない。   On the other hand, in the period T4 when the output O [n-2] of the preceding shift register circuit is at a high level, the transistor M14 continues to be conductive, so that the output Q1 of the timing generator 5 is synchronized with the clock signal CLK. Without being fixed at a low level. In the period T5 when the clock signal CLK is at the high level, the node Q2 of the buffer unit 4 is fixed at the low level via the transistor M12. Therefore, the clock signal XCLK that is the drain terminal of the transistor M11 is at the low level and the output Q [n] of the gate control circuit 3 that is the source terminal is also at the low level, but Q2 that is the gate terminal is also at the low level. Keep continuity. In addition, no charge is charged in the gate-source capacitance and the gate-drain capacitance of the transistor M11. For this reason, in the period T6, when the clock signal XCLK is inverted and rises to a high level, the bootstrap effect does not work, and the gate terminal Q2 and the source terminal of the transistor M11 do not follow the clock signal CLK. This operation continues while the output O [n-2] of the preceding shift register is at the high level, and the output Q [n] of the gate control circuit 3 remains at the low level. Further, in the period T5 when the clock signal CLK is inverted to the high level, the node Q1 rises momentarily due to the coupling with the capacitor C1, or the charge charged in the capacitor C2 is discharged, and the node Q2 goes to the low level. Even if the lowering operation is gradual, the bootstrap effect does not work in the period T6 if each is lowered to the low level before the period T6 starts.

図3に示したゲート制御回路3の出力Q[n]は、図1に示したゲート制御回路3の出力Q[n]に合致しており、n番目のシフトレジスタ回路の出力O[n]がハイレベルに上昇する際に、それを阻害しないように、出力トランジスタM1を非導通とする、所望の波形となる。また、同波形は図3に示したタイミング生成部5により生成され、タイムシフトされた結果である。   The output Q [n] of the gate control circuit 3 shown in FIG. 3 matches the output Q [n] of the gate control circuit 3 shown in FIG. 1, and the output O [n] of the nth shift register circuit. When the voltage rises to a high level, the output transistor M1 is turned off so that it does not interfere with the desired waveform. Further, the waveform is generated by the timing generator 5 shown in FIG.

このように、ゲート線の電位を高速に立ち下げるための出力トランジスタのゲート制御を、バッファ部であるクロック駆動のブートストラップ回路で行うため、大きな負荷の駆動を、貫通電流などの消費電力を回避して高速に行うことができる。また、ブートストラップ回路をバッファ部とするため、ゲート制御回路3を構成するタイミング生成部5のトランジスタサイズや容量サイズを小さくでき、ゲート制御回路3を省面積とすることができる。また、ブートストラップ回路を駆動するクロック信号を外部入力信号とすることで、高速動作が可能となる。   In this way, the gate control of the output transistor to bring down the potential of the gate line at high speed is performed by the clock-driven bootstrap circuit that is a buffer part, so that driving of a large load is avoided and power consumption such as through current is avoided. And can be done at high speed. In addition, since the bootstrap circuit is used as a buffer unit, the transistor size and capacitance size of the timing generation unit 5 constituting the gate control circuit 3 can be reduced, and the gate control circuit 3 can be saved in area. Further, by using a clock signal for driving the bootstrap circuit as an external input signal, high-speed operation is possible.

[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について図5を用いて説明する。第1の実施の形態との違いは、タイミング生成部5の構成にある。タイミング生成部5は、ゲート制御回路3の入力O[n−2]によりゲート制御され、第1の電源VSSとタイミング生成部5の出力Q1とをつなぐトランジスタM15と、タイミング生成部5の出力Q1と第2の電源VDDとをつなぎ、そのゲート端子が第2の電源VDDに接続されたトランジスタM16と、で構成される。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The difference from the first embodiment is the configuration of the timing generation unit 5. The timing generation unit 5 is gate-controlled by the input O [n−2] of the gate control circuit 3, and includes a transistor M15 that connects the first power supply VSS and the output Q1 of the timing generation unit 5, and an output Q1 of the timing generation unit 5. And a second power supply VDD, and a transistor M16 whose gate terminal is connected to the second power supply VDD.

図5に示したゲート制御回路3の動作について、図6に示した動作波形を基に以下に説明する。ゲート制御回路3の入力、すなわち、前々段のシフトレジスタ回路の出力O[n−2]がロウレベルであるとき、タイミング生成部5の出力Q1は、ダイオード接続されたトランジスタM15により、ハイレベルよりもトランジスタM15の閾値電圧分低いハイレベルに保たれる。一方、前々段のシフトレジスタ回路の出力O[n−2]がハイレベルであると、タイミング生成部5の出力Q1はロウレベルに保たれる。すなわち、タイミング生成部5は、ゲート制御回路3の入力O[n−2]の反転信号を出力するインバータとして働く。   The operation of the gate control circuit 3 shown in FIG. 5 will be described below based on the operation waveform shown in FIG. When the input of the gate control circuit 3, that is, the output O [n-2] of the preceding shift register circuit is at the low level, the output Q1 of the timing generation unit 5 is driven from the high level by the diode-connected transistor M15. Is kept at a high level which is lower by the threshold voltage of the transistor M15. On the other hand, when the output O [n-2] of the preceding shift register circuit is at a high level, the output Q1 of the timing generation unit 5 is kept at a low level. That is, the timing generator 5 functions as an inverter that outputs an inverted signal of the input O [n-2] of the gate control circuit 3.

タイミング生成部5の出力Q1がハイレベルに保たれ、クロック信号CLKがハイレベルにあると、トランジスタM12を介して、トランジスタM11のゲートQ2はハイレベルよりもトランジスタM12の閾値電圧程度低い電位まで引き上げられる。一方、クロック信号XCLKはロウレベルであるから、トランジスタM11を介してゲート制御回路3の出力Q[n]はロウレベルに固定される。同様に、トランジスタM13によってもロウレベルに固定される。次に、クロック信号が反転し、CLKがロウレベルに、XCLKがハイレベルにそれぞれ変わると、トランジスタM12およびM13は非導通状態となる。一方で、トランジスタM11は導通状態を保ち、ブートストラップ効果により、トランジスタM11のゲートQ2の電位はクロック信号のハイレベル以上に上昇し、ゲート制御回路3の出力Q[n]はクロック信号XCLKのハイレベルまで上昇する。そして、再びクロック信号が反転すると、トランジスタM11およびM13により、ゲート制御回路3の出力Q[n]はロウレベルに引き下げられる。この動作は、前々段のシフトレジスタ回路1の出力O[n−2]がロウレベルである間、繰り返される。   When the output Q1 of the timing generator 5 is kept at a high level and the clock signal CLK is at a high level, the gate Q2 of the transistor M11 is pulled up to a potential lower than the high level by about the threshold voltage of the transistor M12 via the transistor M12. It is done. On the other hand, since the clock signal XCLK is at the low level, the output Q [n] of the gate control circuit 3 is fixed to the low level via the transistor M11. Similarly, the transistor M13 is also fixed to the low level. Next, when the clock signal is inverted and CLK changes to a low level and XCLK changes to a high level, the transistors M12 and M13 are turned off. On the other hand, the transistor M11 is kept in a conductive state, and due to the bootstrap effect, the potential of the gate Q2 of the transistor M11 rises above the high level of the clock signal, and the output Q [n] of the gate control circuit 3 becomes the high level of the clock signal XCLK. Rise to level. When the clock signal is inverted again, the output Q [n] of the gate control circuit 3 is lowered to the low level by the transistors M11 and M13. This operation is repeated while the output O [n-2] of the preceding shift register circuit 1 is at the low level.

一方、タイミング生成部5の出力Q1がロウレベルに保たれると、クロック信号CLKがハイレベルのとき、トランジスタM12を介してバッファ部4のノードQ2はロウレベルに固定される。よって、トランジスタM11のドレイン端子であるクロック信号XCLKはロウレベル、ソース端子であるゲート制御回路3の出力Q[n]もロウレベルであるが、ゲート端子であるQ2もロウレベルであるため、トランジスタM11は非導通状態を保つ。また、トランジスタM11のゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間の容量にも電荷は充電されていない。そのため、クロック信号XCLKが反転し、ハイレベルに上昇した際にもブートストラップ効果は働かず、トランジスタM11のゲート端子Q2およびソース端子は追従しない。この動作は、前々段のシフトレジスタ回路1の出力O[n−2]がハイレベルである間継続し、ゲート制御回路3の出力Q[n]はロウレベルのままである。   On the other hand, when the output Q1 of the timing generation unit 5 is kept at the low level, the node Q2 of the buffer unit 4 is fixed to the low level via the transistor M12 when the clock signal CLK is at the high level. Therefore, the clock signal XCLK that is the drain terminal of the transistor M11 is at the low level and the output Q [n] of the gate control circuit 3 that is the source terminal is also at the low level, but Q2 that is the gate terminal is also at the low level. Keep continuity. In addition, no charge is charged in the gate-source capacitance and the gate-drain capacitance of the transistor M11. Therefore, even when the clock signal XCLK is inverted and rises to a high level, the bootstrap effect does not work and the gate terminal Q2 and the source terminal of the transistor M11 do not follow. This operation continues while the output O [n-2] of the preceding shift register circuit 1 is at a high level, and the output Q [n] of the gate control circuit 3 remains at a low level.

本実施の形態の特徴は、シフトレジスタ回路1の出力トランジスタのゲートを制御するゲート制御回路3に、クロック駆動のブートストラップ回路をバッファ部4として設けている点である。これにより、ゲート制御回路3は、クロック信号をトランジスタM11を介して、振幅の低減もなく、遅延もなく出力することができる。   A feature of this embodiment is that a clock-driven bootstrap circuit is provided as a buffer unit 4 in the gate control circuit 3 that controls the gate of the output transistor of the shift register circuit 1. As a result, the gate control circuit 3 can output the clock signal via the transistor M11 without reducing the amplitude and without delay.

従来技術で説明した公知例の中には、ゲート制御回路3を本発明のタイミング生成部5のみで構成している例が開示されている。すなわち、図3に示した容量とトランジスタで構成されたタイミング生成部5や、図5に示したインバータを用いたタイミング生成部5を直接シフトレジスタ回路の出力トランジスタのゲートに接続している例が、特許文献3や非特許文献1に開示されている。シフトレジスタ回路1の出力トランジスタM1を駆動する、特に導通させるということは、そのゲート容量負荷Cgの充電を行い、ゲート電位を高電位にすることであり、高速動作にはゲート容量負荷Cgの高速かつ高電位への充電が必要になる。   Among the known examples described in the prior art, there is disclosed an example in which the gate control circuit 3 is configured only by the timing generation unit 5 of the present invention. That is, there is an example in which the timing generation unit 5 composed of the capacitor and the transistor shown in FIG. 3 or the timing generation unit 5 using the inverter shown in FIG. 5 is directly connected to the gate of the output transistor of the shift register circuit. Patent Document 3 and Non-Patent Document 1 disclose the above. Driving the output transistor M1 of the shift register circuit 1, especially making it conductive means charging the gate capacitance load Cg and setting the gate potential to a high potential. For high-speed operation, the gate capacitance load Cg has a high speed. In addition, charging to a high potential is required.

特許文献3でも示された容量C1とトランジスタM14で構成されたタイミング生成部5でシフトレジスタ回路1の出力トランジスタM1を直接駆動する場合、ゲート充電電圧の電位劣化が問題となる。すなわち、ゲート充電電位は、タイミング生成部5の容量C1と出力トランジスタM1のゲート容量Cgの分圧比で決まるため、高電圧を得るためにはC1>>Cgが要求される。その容量C1を得るためには出力トランジスタM1以上のレイアウト面積が必要となる。   When the output transistor M1 of the shift register circuit 1 is directly driven by the timing generation unit 5 including the capacitor C1 and the transistor M14 shown in Patent Document 3, the potential deterioration of the gate charging voltage becomes a problem. That is, since the gate charging potential is determined by the voltage division ratio of the capacitance C1 of the timing generation unit 5 and the gate capacitance Cg of the output transistor M1, C1 >> Cg is required to obtain a high voltage. In order to obtain the capacitance C1, a layout area larger than that of the output transistor M1 is required.

また、非特許文献1にも示されたインバータ(図5のトランジスタM15とM16)で構成されたタイミング生成部5を用いる場合、消費電流が問題となる。すなわち、ゲート容量負荷Cgを高速に充電するためには、トランジスタM16は大電流を流せるように大きなサイズが必要となる。一方で、トランジスタM15を導通させたときには、トランジスタM16とM15を介して第2の電源VDDと第1の電源VSSとの間に貫通電流が流れる。また、出力トランジスタM1のゲート電位をロウレベルとするために、トランジスタM16とM15のサイズ関係はM15>M16が必要となる。よって、共に大きなサイズのトランジスタM15とM16を介して大きな貫通電流が流れることを回避できない。   In addition, when using the timing generation unit 5 including the inverters (transistors M15 and M16 in FIG. 5) shown in Non-Patent Document 1, current consumption becomes a problem. That is, in order to charge the gate capacitance load Cg at high speed, the transistor M16 needs to be large in size so that a large current can flow. On the other hand, when the transistor M15 is turned on, a through current flows between the second power supply VDD and the first power supply VSS via the transistors M16 and M15. In order to set the gate potential of the output transistor M1 to the low level, the size relationship between the transistors M16 and M15 requires M15> M16. Therefore, it cannot be avoided that a large through current flows through the large-sized transistors M15 and M16.

同様に、バッファ部4をインバータとした例が、特許文献4の図2に示されている。すなわち、トランジスタT13とT14とで構成されるインバータをバッファ部4とし、トランジスタT11bとT12bとで構成される回路をタイミング生成部5とした例である。ここでの課題は、トランジスタT16のゲート端子に出力B点をつないだインバータでトランジスタT16のゲート容量負荷を高速に充電するために、非特許文献1と同様にインバータに大きな貫通電流が流れる点である。   Similarly, an example in which the buffer unit 4 is an inverter is shown in FIG. That is, this is an example in which the inverter configured by the transistors T13 and T14 is the buffer unit 4 and the circuit configured by the transistors T11b and T12b is the timing generation unit 5. The problem here is that a large through current flows through the inverter in the same manner as in Non-Patent Document 1, in order to charge the gate capacitive load of the transistor T16 at high speed with an inverter having the output B point connected to the gate terminal of the transistor T16. is there.

公知例にあるように、タイミング生成部5の出力で直接シフトレジスタ回路1の出力トランジスタM1のゲートを駆動する場合には、上記の他に高速動作時のタイミングマージンに課題がある。すなわち、タイミング生成部5の入力信号の反転が、直接シフトレジスタ回路1の出力トランジスタのゲート電位の反転につながる。よってタイミング生成部5には動作遅延が許されない。   As in a known example, when the gate of the output transistor M1 of the shift register circuit 1 is directly driven by the output of the timing generator 5, there is a problem in the timing margin during high-speed operation in addition to the above. That is, the inversion of the input signal of the timing generation unit 5 directly leads to the inversion of the gate potential of the output transistor of the shift register circuit 1. Therefore, an operation delay is not allowed in the timing generation unit 5.

一方、本発明の場合、出力トランジスタのゲート電位の反転は、クロック駆動のブートストラップのバッファ部4によって行われる。タイミング生成部5はその半クロック周期前の期間T5で反転動作を行い、バッファ部4が動作する期間T6に移る前までに反転を完了していれば良いため、最大で半クロック周期期間の反転動作マージンが許されている。このように、タイミング生成部5の出力立ち上がり時間が直接シフトレジスタ回路1の出力立下り時間に反映しないため、高速動作の要求を緩和できる。   On the other hand, in the present invention, the gate potential of the output transistor is inverted by the clock-driven bootstrap buffer unit 4. The timing generation unit 5 performs the inversion operation in the period T5 before the half clock cycle, and it is sufficient that the inversion is completed before moving to the period T6 in which the buffer unit 4 operates. An operating margin is allowed. Thus, since the output rise time of the timing generation unit 5 is not directly reflected in the output fall time of the shift register circuit 1, the requirement for high-speed operation can be relaxed.

[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態について図7を用いて説明する。本実施の形態は単一導電型のトランジスタで構成されたシフトレジスタ回路であり、以下のように構成される。シフトレジスタ回路1の出力O[n]と第1の電源VSSとをつなぐ出力トランジスタM1と、シフトレジスタ回路1の出力O[n−2]を入力とし、その出力Q[n]を出力トランジスタM1のゲート端子に接続した第1のゲート制御回路3と、シフトレジスタ回路1の出力O[n]と第1の電源VSSとをつなぐ第2の出力トランジスタM4と、シフトレジスタ回路1の出力O[n−1]を入力とし、その出力Q[n+1]を出力トランジスタM4のゲート端子に接続した第2のゲート制御回路3とを含む。さらに、シフトレジスタ回路1の出力O[n]と第2の電源VDDとをつなぐ出力トランジスタM2と、そのゲート端子P[n]とシフトレジスタ回路1の出力O[n−1]とをつなぎ、クロック信号XCLKにてゲート制御されるトランジスタM3にて構成される。ここで、複数段のシフトレジスタ回路1は出力O[n−2]、O[n−1]、O[n]の順に連結されているとする。第1及び第2のゲート制御回路3は、第1又は第2の実施の形態に記載のゲート制御回路3と同様の構成で良い。本実施の形態と第1の実施の形態との違いは、出力トランジスタM4とそれを制御する第2のゲート制御回路3とが追加されている点である。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment is a shift register circuit configured by a single conductivity type transistor, and is configured as follows. The output transistor M1 that connects the output O [n] of the shift register circuit 1 and the first power supply VSS and the output O [n-2] of the shift register circuit 1 are input, and the output Q [n] is used as the output transistor M1. The first gate control circuit 3 connected to the gate terminal of the first register, the second output transistor M4 that connects the output O [n] of the shift register circuit 1 and the first power supply VSS, and the output O [ n-1] as an input, and a second gate control circuit 3 having an output Q [n + 1] connected to the gate terminal of the output transistor M4. Furthermore, the output transistor M2 that connects the output O [n] of the shift register circuit 1 and the second power supply VDD, the gate terminal P [n], and the output O [n−1] of the shift register circuit 1 are connected, The transistor M3 is gate-controlled by the clock signal XCLK. Here, it is assumed that the shift register circuits 1 of a plurality of stages are connected in the order of outputs O [n-2], O [n-1], and O [n]. The first and second gate control circuits 3 may have the same configuration as the gate control circuit 3 described in the first or second embodiment. The difference between the present embodiment and the first embodiment is that an output transistor M4 and a second gate control circuit 3 for controlling the output transistor M4 are added.

本実施の形態の動作について図8に示した動作波形を用いて説明する。第1のゲート制御回路3の出力Q[n]と第2のゲート制御回路3の出力Q[n+1]は、それぞれの入力信号がロウレベルである間、クロック信号XCLKに同期し、互いに半周期シフトしたクロック信号である。すなわち、第1のゲート制御回路3を構成するバッファ部がクロック信号XCLKを出力するブートストラップ回路となり、第2のゲート制御回路3を構成するバッファ部がクロック信号CLKを出力するブートストラップ回路となる。これにより、出力トランジスタM1あるいはM4のいずれか一方が導通状態となるため、シフトレジスタ回路1の出力O[n]はロウレベルに固定されることとなる。一方、入力信号がハイレベルに反転すると、ゲート制御回路3の出力Q[n]とQ[n+1]はロウレベルに固定されるため、シフトレジスタ回路1の出力O[n]は出力トランジスタM1およびM4によりロウレベルに固定されることはない。その間にシフトレジスタ部2の出力トランジスタM2およびM3が機能して、シフトレジスタ回路1の出力O[n]はハイレベルに反転する。その詳細については第1の実施の形態と同様である。   The operation of the present embodiment will be described using the operation waveforms shown in FIG. The output Q [n] of the first gate control circuit 3 and the output Q [n + 1] of the second gate control circuit 3 are synchronized with the clock signal XCLK while the respective input signals are at the low level, and are shifted by a half cycle. Clock signal. That is, the buffer unit constituting the first gate control circuit 3 serves as a bootstrap circuit that outputs the clock signal XCLK, and the buffer unit constituting the second gate control circuit 3 serves as a bootstrap circuit that outputs the clock signal CLK. . As a result, either one of the output transistors M1 or M4 becomes conductive, and the output O [n] of the shift register circuit 1 is fixed at a low level. On the other hand, when the input signal is inverted to the high level, the outputs Q [n] and Q [n + 1] of the gate control circuit 3 are fixed to the low level, so that the output O [n] of the shift register circuit 1 is the output transistors M1 and M4. Therefore, it is not fixed at the low level. Meanwhile, the output transistors M2 and M3 of the shift register unit 2 function, and the output O [n] of the shift register circuit 1 is inverted to a high level. Details thereof are the same as those in the first embodiment.

本実施の形態により、シフトレジスタ回路1の出力O[n]をハイレベルとする期間以外は、2つのゲート制御回路3により、シフトレジスタ回路1の出力O[n]が安定してロウレベルに固定されるシフトレジスタが提供される。   According to the present embodiment, the output O [n] of the shift register circuit 1 is stably fixed at the low level by the two gate control circuits 3 except for the period when the output O [n] of the shift register circuit 1 is set to the high level. A shift register is provided.

[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態について図9を用いて説明する。本実施の形態は、第3の実施の形態のシフトレジスタ回路1を複数段連結したゲートドライバ10であり、第n−2段目(nは3以上の整数)のシフトレジスタ回路1の出力O[n−2]を、第n−1段目のシフトレジスタ部2およびゲート制御回路3の入力とし、第n−1段目のゲート制御回路3の出力Q[n]を、第n−1段目のシフトレジスタ部2および第n段目のシフトレジスタ部2それぞれに入力している。すなわち、ゲート制御回路3の出力Q[n]を2つの連続するシフトレジスタ部2で共有している点が特徴である。この構成により、ゲートドライバの回路規模の縮減が図れる。なぜならば、図7に示した1段分のシフトレジスタ回路1では2つのゲート制御回路3を記載しているが、複数の連続するシフトレジスタ回路1間でゲート制御回路3を共有することで、ゲート制御回路3の個数を減らせるからである。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is a gate driver 10 in which a plurality of stages of the shift register circuit 1 of the third embodiment are connected, and the output O of the shift register circuit 1 in the (n-2) th stage (n is an integer of 3 or more). [N-2] is input to the shift register unit 2 and the gate control circuit 3 in the (n-1) th stage, and the output Q [n] of the gate control circuit 3 in the (n-1) th stage is the (n-1) th. The signals are input to the shift register unit 2 at the stage and the shift register unit 2 at the nth stage. That is, the output Q [n] of the gate control circuit 3 is shared by two consecutive shift register units 2. With this configuration, the circuit scale of the gate driver can be reduced. This is because the one-stage shift register circuit 1 shown in FIG. 7 describes two gate control circuits 3, but by sharing the gate control circuit 3 between a plurality of successive shift register circuits 1, This is because the number of gate control circuits 3 can be reduced.

[第5の実施の形態]
次に、本発明の第5の実施の形態について図10を用いて説明する。本実施の形態は、第1の実施形態に示されたゲート制御回路3のバッファ部4に第2の出力Q2[n]を追加したゲート制御回路である。以下、図10に示したゲート制御回路3の追加部について説明する。バッファ部4には、少なくとも、ゲート制御回路3の第2の出力Q2[n]と第1の電源VSSとをつなぐトランジスタM17と、第2の出力Q2[n]と第1の出力Q[n]をつなぐトランジスタM18と、トランジスタM18のゲート端子と第n+2段目のシフトレジスタの出力O[n+2]とをつなぐトランジスタM19が追加され、トランジスタM17のゲート端子はクロック信号CLKにより制御される。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment is a gate control circuit in which a second output Q2 [n] is added to the buffer unit 4 of the gate control circuit 3 shown in the first embodiment. Hereinafter, an additional part of the gate control circuit 3 shown in FIG. 10 will be described. The buffer unit 4 includes at least a transistor M17 that connects the second output Q2 [n] of the gate control circuit 3 and the first power supply VSS, a second output Q2 [n], and a first output Q [n. ], A transistor M19 that connects the gate terminal of the transistor M18 and the output O [n + 2] of the (n + 2) -th shift register is added, and the gate terminal of the transistor M17 is controlled by the clock signal CLK.

図10に示したゲート制御回路3の動作について、図11に示した動作波形を基に、以下に説明する。後々段のシフトレジスタ回路の出力O[n+2]がハイレベルとなる期間T0では、トランジスタM19のゲートおよびドレインがハイレベルとなるため、ソース端子であるQ3はハイレベルよりトランジスタM19の閾値電圧程度低い電位まで引き上げられ、トランジスタM18が導通状態となる。ただし、期間T0では第1の出力Q[n]はロウレベルであるため、トランジスタM18を介して第2の出力Q2[n]もロウレベルとなる。   The operation of the gate control circuit 3 shown in FIG. 10 will be described below based on the operation waveform shown in FIG. In the period T0 in which the output O [n + 2] of the later-stage shift register circuit is at the high level, the gate and drain of the transistor M19 are at the high level, so that the source terminal Q3 is lower than the high level by about the threshold voltage. The potential is raised, and the transistor M18 becomes conductive. However, since the first output Q [n] is at a low level during the period T0, the second output Q2 [n] is also at a low level via the transistor M18.

次に、期間T1に移りクロック信号が反転し、CLKがハイレベルに、XCLKがロウレベルに変わると、トランジスタM13およびM17の導通により、Q[n]およびQ2[n]は第1の電源VSSのロウレベルへの固定が継続する。   Next, in a period T1, when the clock signal is inverted and CLK changes to a high level and XCLK changes to a low level, Q [n] and Q2 [n] are connected to the first power supply VSS by the conduction of the transistors M13 and M17. Fixed to low level continues.

次に、期間T2に移りクロック信号が反転し、CLKがロウレベルに、XCLKがハイレベルに変わると、出力Q[n]はクロック信号XCLKのハイレベルまで上昇する。それに伴い、導通状態を保っていたトランジスタM18のソース端子である第2の出力Q2[n]もハイレベルまで引き上げられる。その際、ブートストラップ効果により、トランジスタM18のゲート端子であるQ3のレベルはハイレベル以上に上昇するが、トランジスタM19ではその上昇を妨げることができない。なぜならば、トランジスタM19のソース端子が後々段のシフトレジスタ出力O[n+2]へ、ドレイン端子がQ3へと入れ替わり、ゲート端子とソース端子が同じハイレベルであるため、トランジスタM19が非導通状態となるからである。   Next, in a period T2, when the clock signal is inverted and CLK changes to a low level and XCLK changes to a high level, the output Q [n] rises to the high level of the clock signal XCLK. Accordingly, the second output Q2 [n], which is the source terminal of the transistor M18 that has been kept conductive, is also raised to a high level. At this time, the level of Q3 which is the gate terminal of the transistor M18 rises to a high level or higher due to the bootstrap effect, but the rise of the transistor M19 cannot be prevented. This is because the source terminal of the transistor M19 is switched to the subsequent shift register output O [n + 2], the drain terminal is switched to Q3, and the gate terminal and the source terminal are at the same high level, so that the transistor M19 becomes non-conductive. Because.

次に、期間T3に移りクロック信号が反転し、CLKがハイレベルに、XCLKがロウレベルに変わると、トランジスタM13およびM17の導通により、Q[n]およびQ2[n]は第1の電源VSSのロウレベルに固定される。   Next, in a period T3, when the clock signal is inverted and CLK changes to a high level and XCLK changes to a low level, Q [n] and Q2 [n] are connected to the first power supply VSS by the conduction of the transistors M13 and M17. Fixed to low level.

期間T3以降では、後々段のシフトレジスタ回路の出力O[n+2]がロウレベルとなるため、トランジスタM19の導通により、トランジスタM18のゲート端子であるQ3はロウレベルに固定され、トランジスタM18が非導通となるため、第2の出力Q2[n]は、第1の出力Q[n]に同期してハイレベルに上昇することはなく、トランジスタM17とクロック信号CLKにより逐次ロウレベルにリセットされる。   After the period T3, the output O [n + 2] of the shift register circuit in the subsequent stage becomes low level, so that the transistor M19 is turned on, so that the gate terminal Q3 of the transistor M18 is fixed to the low level, and the transistor M18 is turned off. Therefore, the second output Q2 [n] does not rise to the high level in synchronization with the first output Q [n], and is sequentially reset to the low level by the transistor M17 and the clock signal CLK.

図10に示したゲート制御回路3の第2の出力Q2[n]は、図1に示したシフトレジスタ部のトランジスタM1のゲートに、Q[n]の代わりに用いることができる。すなわちn番目のシフトレジスタ回路の出力O[n]をロウレベルに反転させるよう、出力トランジスタM1を導通とさせるためのゲート信号として、Q2[n]は十分な信号である。   The second output Q2 [n] of the gate control circuit 3 shown in FIG. 10 can be used instead of Q [n] for the gate of the transistor M1 of the shift register portion shown in FIG. That is, Q2 [n] is a sufficient signal as a gate signal for making the output transistor M1 conductive so that the output O [n] of the nth shift register circuit is inverted to a low level.

Q[n]の代わりにQ2[n]を用いる利点は、クロック信号の負荷軽減と消費電力の低減である。ゲート線の電位を高速に立ち下げるための出力トランジスタは、チャネルサイズの大きなトランジスタであり、そのゲート容量も大きい。そのため出力トランジスタのゲート容量負荷を充放電するためには、大きな電力を要する。出力トランジスタのゲート制御にQ[n]を用いた場合、ゲート線の電位を立ち下げる時以外のタイミング、すなわちゲート線の電位をロウレベルに固定する時にも、クロック信号に同期してゲート容量負荷を充放電することになる。そのための電力はゲート制御回路3を通してクロック信号から供給され、クロック信号の負荷が大きくなる。   The advantage of using Q2 [n] instead of Q [n] is a reduction in clock signal load and power consumption. An output transistor for rapidly lowering the potential of the gate line is a transistor having a large channel size and a large gate capacitance. Therefore, a large amount of power is required to charge and discharge the gate capacitance load of the output transistor. When Q [n] is used for the gate control of the output transistor, the gate capacitance load is also synchronized with the clock signal at a timing other than when the gate line potential is lowered, that is, when the gate line potential is fixed at a low level. Charge and discharge. Electric power for this purpose is supplied from the clock signal through the gate control circuit 3, and the load on the clock signal increases.

一方、ゲート容量負荷の大きな出力トランジスタのゲート制御にQ2[n]を用いた場合、図11に示すようにゲート容量負荷の充放電は、ゲート線の電位を立ち下げる期間T2に限定される。それ以外の期間ではクロック信号と同期しないため、ゲート容量負荷の充放電は行わず、クロック信号からの電力供給もない。出力トランジスタの大きなゲート容量負荷の充放電回数を軽減することで、クロック信号の負荷および消費電力を軽減することができる。   On the other hand, when Q2 [n] is used for gate control of an output transistor having a large gate capacitance load, charging / discharging of the gate capacitance load is limited to a period T2 during which the potential of the gate line is lowered as shown in FIG. Since it is not synchronized with the clock signal in other periods, the gate capacitance load is not charged / discharged, and no power is supplied from the clock signal. By reducing the number of times of charge / discharge of the large gate capacitance load of the output transistor, the load of the clock signal and the power consumption can be reduced.

[第6の実施の形態]
次に、本発明の第6の実施の形態について図12を用いて説明する。本実施の形態は、シフトレジスタ回路1の出力O[n]と第1の電源VSSとをつなぐ出力トランジスタM5を追加し、出力トランジスタM1、M4、M5のゲート制御を、第1の実施形態のゲート制御回路の代わりに第5の実施形態のゲート制御回路で行う点で、第3の実施形態と異なる。出力トランジスタM1のゲート制御は、第1のゲート制御回路の第2の出力Q2[n]、出力トランジスタM4のゲート制御は、第2のゲート制御回路の第1の出力Q[n+1]、出力トランジスタM5のゲート制御は、第1のゲート制御回路の第1の出力Q[n]にて行う。
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, an output transistor M5 that connects the output O [n] of the shift register circuit 1 and the first power supply VSS is added, and gate control of the output transistors M1, M4, and M5 is performed according to the first embodiment. This is different from the third embodiment in that the gate control circuit according to the fifth embodiment is used instead of the gate control circuit. The gate control of the output transistor M1 is the second output Q2 [n] of the first gate control circuit, the gate control of the output transistor M4 is the first output Q [n + 1] of the second gate control circuit, and the output transistor The gate control of M5 is performed by the first output Q [n] of the first gate control circuit.

本実施の形態の動作について、図13に示した動作波形を用いて説明する。本実施の形態は、第1のゲート制御回路3の第2の出力Q2[n]により出力トランジスタM1をゲート制御している点で、第3の実施形態と異なる。第2の出力Q2[n]は、入力信号O[n+2]がハイレベルである間、第1の出力Q[n]に同期していることが特徴である。すなわちQ2[n]がハイレベルに反転するのは、シフトレジスタ回路の出力O[n]をハイレベルからロウレベルへ立ち下げる時のみである。Q2[n]によりゲート制御される出力トランジスタM1が導通するのは、出力O[n]を立ち下げる時に限られる。一方、第1および第2のゲート制御回路3の第1の出力Q[n]、Q[n+1]にゲート制御される出力トランジスタM4およびM5は、出力O[n]がハイレベルを出力しない期間はいずれか一方が導通し、出力O[n]をロウレベルに固定する。   The operation of this embodiment will be described using the operation waveforms shown in FIG. This embodiment is different from the third embodiment in that the output transistor M1 is gate-controlled by the second output Q2 [n] of the first gate control circuit 3. The second output Q2 [n] is characterized in that it is synchronized with the first output Q [n] while the input signal O [n + 2] is at a high level. That is, Q2 [n] is inverted to high level only when the output O [n] of the shift register circuit falls from high level to low level. The output transistor M1 gated by Q2 [n] is turned on only when the output O [n] falls. On the other hand, the output transistors M4 and M5 gated by the first outputs Q [n] and Q [n + 1] of the first and second gate control circuits 3 are periods in which the output O [n] does not output a high level. Is conductive, and the output O [n] is fixed to the low level.

出力トランジスタのチャネルサイズに関しては、出力トランジスタM1は高速にゲート線の電位を立ち下げるために、大きなチャネル幅が必要となるが、出力トランジスタM4、M5はゲート線の電位をロウレベルに固定することが目的であるため、大きなチャネル幅は必要ではない。   Regarding the channel size of the output transistor, the output transistor M1 requires a large channel width in order to cause the gate line potential to fall at high speed. However, the output transistors M4 and M5 may fix the gate line potential to a low level. For purposes, a large channel width is not necessary.

[第7の実施の形態]
次に、本発明の第7の実施の形態について、図14を用いて説明する。本実施の形態は、第5の実施の形態のシフトレジスタ回路1を複数段連結したゲートドライバ10である。第n−2段目(nは3以上の整数)のシフトレジスタ回路1の出力O[n−2]を、第n−1段目のシフトレジスタ部2およびゲート制御回路3の入力とする。第n−1段目のゲート制御回路3の第1の出力Q[n]を、第n−1段目のシフトレジスタ部2および第n段目のシフトレジスタ部2それぞれに入力している。さらに第n−1段目のゲート制御回路3の第2の出力Q2[n]を、第n段目のシフトレジスタ部2に入力している。すなわち、ゲート制御回路3の出力Q[n]を2つの連続するシフトレジスタ部2で共有している点が特徴である。この構成により、ゲートドライバの回路規模の縮減が図れる。なぜならば、図12に示した1段分のシフトレジスタ回路1では、2つのゲート制御回路3を記載しているが、複数の連続するシフトレジスタ回路1間でゲート制御回路3を共有することで、ゲート制御回路3の個数を減らせるからである。
[Seventh Embodiment]
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment is a gate driver 10 in which the shift register circuit 1 of the fifth embodiment is connected in a plurality of stages. The output O [n−2] of the shift register circuit 1 in the (n−2) th stage (n is an integer of 3 or more) is used as the input of the shift register unit 2 and the gate control circuit 3 in the (n−1) th stage. The first output Q [n] of the (n−1) th stage gate control circuit 3 is input to the n−1th stage shift register unit 2 and the nth stage shift register unit 2 respectively. Further, the second output Q2 [n] of the (n−1) th stage gate control circuit 3 is inputted to the nth stage shift register section 2. That is, the output Q [n] of the gate control circuit 3 is shared by two consecutive shift register units 2. With this configuration, the circuit scale of the gate driver can be reduced. This is because, in the shift register circuit 1 for one stage shown in FIG. 12, two gate control circuits 3 are described, but by sharing the gate control circuit 3 among a plurality of successive shift register circuits 1. This is because the number of gate control circuits 3 can be reduced.

[第8の実施の形態]
次に、本発明の第8の実施の形態について図15及び図16を用いて説明する。本実施の形態は第4の実施の形態または第7の実施の形態のゲートドライバ10を搭載したマトリクス型表示装置15であり、図15に示すように複数のゲート線13と複数のデータ線14とその交差部に配置された画素素子で構成された画素アレイ(表示部)11の、複数のゲート線G1、G2、…を前出のゲートドライバ10の出力O[1]、O[2]、…に接続している。また、ゲートドライバ10にはCLKとXCLKの2相のクロック信号を入力し、ゲートドライバ10の初段のシフトレジスタ回路1の入力としてスタート信号STを入力する。ゲートドライバ10は図16に示した波形のように動作し、複数の連続したゲート線13が同時に選択される(ハイレベルになる)期間を有するオーバーラップ走査を行う。各ゲート線13の選択期間は、スタート信号STのパルス幅によって制御される。また、各ゲート線選択期間の時間差はクロック信号CLK、XCLKの半周期で制御される。
[Eighth Embodiment]
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment is a matrix type display device 15 on which the gate driver 10 of the fourth embodiment or the seventh embodiment is mounted. As shown in FIG. 15, a plurality of gate lines 13 and a plurality of data lines 14 are provided. And a plurality of gate lines G1, G2,... Of a pixel array (display unit) 11 composed of pixel elements arranged at the intersections thereof, outputs O [1] and O [2] of the gate driver 10 described above. , ... are connected. The gate driver 10 receives a two-phase clock signal CLK and XCLK, and inputs a start signal ST as an input to the first-stage shift register circuit 1 of the gate driver 10. The gate driver 10 operates like the waveform shown in FIG. 16, and performs overlap scanning having a period in which a plurality of continuous gate lines 13 are simultaneously selected (becomes high level). The selection period of each gate line 13 is controlled by the pulse width of the start signal ST. The time difference between the gate line selection periods is controlled by the half cycle of the clock signals CLK and XCLK.

本実施の形態のマトリクス型表示装置では、ゲート電位の高振幅を有するクロック信号が2本と少ないため、高振幅信号を生成するレベルシフト回路の個数を低減し、部材コストを抑えることができる。また、クロック信号線の配線レイアウト面積を小さくすることができ、狭額縁の表示装置が可能となる。   In the matrix display device of this embodiment, since there are only two clock signals having a high amplitude of the gate potential, the number of level shift circuits that generate a high amplitude signal can be reduced, and the member cost can be suppressed. In addition, the wiring layout area of the clock signal line can be reduced, and a display device with a narrow frame is possible.

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施の形態に示したトランジスタはN型に限っているが、P型トランジスタへ置き換えても良く、それぞれのトランジスタとしては、多結晶シリコントランジスタやアモーファスシリコントランジスタあるいはシリコン以外の酸化物半導体や有機半導体であっても良い。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, the transistors described in the embodiments are limited to N-type transistors, but may be replaced with P-type transistors. Each of the transistors may be a polycrystalline silicon transistor, an amorphous silicon transistor, an oxide semiconductor other than silicon, It may be an organic semiconductor.

本発明は、シフトレジスタ回路及び当該シフトレジスタ回路を備えるゲートドライバ並びに当該ゲートドライバを搭載した表示装置に利用可能である。   The present invention can be used for a shift register circuit, a gate driver including the shift register circuit, and a display device including the gate driver.

1 シフトレジスタ回路
2 シフトレジスタ部
3 ゲート制御回路
4 バッファ部
5 タイミング生成部
10 ゲートドライバ
11 画素アレイ(表示部)
12 データドライバ
13 ゲート線
14 データ線
15 マトリクス型表示装置
CLK、XCLK クロック信号
VSS 第1の電源
VDD 第2の電源
M1、M2、M3、M4、M5、M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19 トランジスタ
C1、C2 容量
O[n]、O[n−1]、O[n−2] シフトレジスタ出力
P[n] ブートストラップノード
Q[n]、Q[n+1] ゲート制御回路出力
ST スタート信号
Q2[n]、Q2[n+1] ゲート制御回路第2の出力
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Shift register circuit 2 Shift register part 3 Gate control circuit 4 Buffer part 5 Timing generation part 10 Gate driver 11 Pixel array (display part)
12 data driver 13 gate line 14 data line 15 matrix type display device CLK, XCLK clock signal VSS first power supply VDD second power supply M1, M2, M3, M4, M5, M11, M12, M13, M14, M15, M16 , M17, M18, M19 Transistors C1, C2 Capacitance O [n], O [n-1], O [n-2] Shift register output P [n] Bootstrap node Q [n], Q [n + 1] Gate control Circuit output ST Start signal Q2 [n], Q2 [n + 1] Gate control circuit second output

Claims (13)

単一導電型トランジスタで構成されたシフトレジスタ回路であって、
出力端子と第1の電源とをつなぐ第1の出力トランジスタを有するシフトレジスタ部と、
前記第1の出力トランジスタのゲート端子にその出力端子が接続された第1のゲート制御回路とを含み、
前記第1のゲート制御回路が、タイミング生成部とバッファ部とで構成され、
前記バッファ部は、ブートストラップ回路であり、
入力信号が入力される前記タイミング生成部の出力を前記バッファ部の入力とし、前記バッファ部の出力を前記第1のゲート制御回路の出力とする
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
A shift register circuit composed of a single conductivity type transistor,
A shift register unit having a first output transistor connecting the output terminal and the first power supply;
A first gate control circuit having an output terminal connected to the gate terminal of the first output transistor;
The first gate control circuit includes a timing generation unit and a buffer unit,
The buffer unit is a bootstrap circuit,
An output of the timing generation unit to which an input signal is input is an input of the buffer unit, and an output of the buffer unit is an output of the first gate control circuit.
前記バッファ部が、少なくとも、
前記バッファ部の出力と第1のクロック信号とをつなぐ第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタのゲート端子と前記タイミング生成部の出力とをつなぐ第3のトランジスタとで構成されたブートストラップ回路である
ことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ回路。
The buffer unit is at least
A second transistor connecting the output of the buffer unit and the first clock signal;
The shift register circuit according to claim 1, wherein the shift register circuit is a bootstrap circuit including a third transistor that connects a gate terminal of the second transistor and an output of the timing generation unit.
前記バッファ部が、少なくとも、
前記バッファ部の出力と前記第1のクロック信号とをつなぐ前記第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタのゲート端子と前記タイミング生成部の出力とをつなぎ、第2のクロック信号によりゲート制御される前記第3のトランジスタと、
前記バッファ部の出力と前記第1の電源とをつなぎ、前記第2のクロック信号によりゲート制御される第4のトランジスタとを含むブートストラップ回路である
ことを特徴とする請求項2に記載のシフトレジスタ回路。
The buffer unit is at least
The second transistor for connecting the output of the buffer unit and the first clock signal;
A third transistor connected between a gate terminal of the second transistor and an output of the timing generator and gate-controlled by a second clock signal;
3. The shift according to claim 2, wherein the shift is a bootstrap circuit that includes a fourth transistor that connects an output of the buffer unit and the first power supply and is gate-controlled by the second clock signal. Register circuit.
前記タイミング生成部が、
前記第1のゲート制御回路の入力によりゲート制御され、前記第1の電源と前記バッファ部の入力とをつなぐ第5のトランジスタと、
前記バッファ部の入力と前記第2のクロック信号とを接続する第1の容量とで構成される
ことを特徴とする請求項3に記載のシフトレジスタ回路。
The timing generator
A fifth transistor that is gate-controlled by an input of the first gate control circuit and connects the first power supply and the input of the buffer;
The shift register circuit according to claim 3, comprising a first capacitor that connects an input of the buffer unit and the second clock signal.
前記タイミング生成部が、
前記ゲート制御回路の入力によりゲート制御され、前記第1の電源と前記バッファ部の入力とをつなぐ第6のトランジスタと、
前記バッファ部の入力と第2の電源とをつなぎ、ゲート端子を前記第2の電源に接続した第7のトランジスタとで構成される
ことを特徴とする請求項3に記載のシフトレジスタ回路。
The timing generator
A sixth transistor that is gate-controlled by the input of the gate control circuit and connects the first power supply and the input of the buffer;
4. The shift register circuit according to claim 3, comprising: a seventh transistor that connects an input of the buffer unit to a second power supply and has a gate terminal connected to the second power supply. 5.
前記シフトレジスタ部が、
ソース端子に前記シフトレジスタ回路の出力端子を接続し、ドレイン端子に前記第2の電源を接続した第8の出力トランジスタと、
ゲート端子に前記第1のクロック信号を入力し、ドレイン端子に入力信号を入力し、ソース端子を前記第8の出力トランジスタのゲート端子に接続した第9のトランジスタとを含む
ことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ回路。
The shift register unit is
An eighth output transistor having a source terminal connected to the output terminal of the shift register circuit and a drain terminal connected to the second power supply;
And a ninth transistor having a gate terminal for inputting the first clock signal, a drain terminal for inputting an input signal, and a source terminal connected to the gate terminal of the eighth output transistor. Item 4. The shift register circuit according to Item 1.
請求項1に記載の単一導電型トランジスタで構成されたシフトレジスタ回路であって、
前記シフトレジスタ部が、前記出力端子と前記第1の電源とをつなぐ第10の出力トランジスタを含み、
前記第10の出力トランジスタのゲート端子にその出力端子が接続された第2のゲート制御回路を含み、
前記第2のゲート制御回路が、タイミング生成部とバッファ部とで構成され、
入力信号が入力される前記タイミング生成部の出力を前記バッファ部の入力とし、前記バッファ部の出力を前記第2のゲート制御回路の出力とする
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
A shift register circuit comprising the single conductivity type transistor according to claim 1,
The shift register unit includes a tenth output transistor that connects the output terminal and the first power source;
A second gate control circuit having an output terminal connected to the gate terminal of the tenth output transistor;
The second gate control circuit includes a timing generation unit and a buffer unit;
An output of the timing generation unit to which an input signal is input is an input of the buffer unit, and an output of the buffer unit is an output of the second gate control circuit.
前記第1のゲート制御回路を構成するバッファ部が請求項2に記載の前記第1のクロック信号を出力するブートストラップ回路であり、前記第2のゲート制御回路を構成するバッファ部が請求項3に記載の前記第2のクロック信号を出力するブートストラップ回路である
ことを特徴とする請求項7に記載のシフトレジスタ回路。
The buffer unit constituting the first gate control circuit is a bootstrap circuit that outputs the first clock signal according to claim 2, and the buffer unit constituting the second gate control circuit is claim 3. The shift register circuit according to claim 7, which is a bootstrap circuit that outputs the second clock signal according to claim 8.
請求項7に記載のシフトレジスタ回路を複数段連結させたゲートドライバであって、
第n−2(nは3以上の整数)段目の前記シフトレジスタ回路の出力を第n−1段目の前記シフトレジスタ部および前記第1又は第2のゲート制御回路の入力とし、
第n−1段目の前記第1又は第2のゲート制御回路の出力を、第n−1段目の前記シフトレジスタ部および第n段目の前記シフトレジスタ部の入力とする
ことを特徴とするゲートドライバ。
A gate driver in which a plurality of stages of the shift register circuit according to claim 7 are connected,
The output of the shift register circuit at the (n-2) th stage (where n is an integer of 3 or more) is used as the input of the shift register unit at the (n-1) th stage and the first or second gate control circuit,
The output of the first or second gate control circuit at the (n−1) th stage is used as the input to the shift register section at the (n−1) th stage and the shift register section at the nth stage. A gate driver.
前記ゲート制御回路の前記バッファ部が、少なくとも、第2の出力を有し、
前記バッファ部の第2の出力と前記第1の電源とをつなぐ第11のトランジスタと、
前記バッファ部の第2の出力と前記バッファ部の第1の出力とをつなぐ第12のトランジスタと、
前記第12のトランジスタのゲート端子と第n+2段目のシフトレジスタの出力をつなぐ第13のトランジスタとを含み、
前記第11のトランジスタが前記第2のクロック信号に制御され、
前記第13のトランジスタが前記第2の電源で制御されるブートストラップ回路である
ことを特徴とする請求項3に記載のシフトレジスタ回路。
The buffer unit of the gate control circuit has at least a second output;
An eleventh transistor connecting the second output of the buffer unit and the first power supply;
A twelfth transistor connecting the second output of the buffer unit and the first output of the buffer unit;
A thirteenth transistor connecting the gate terminal of the twelfth transistor and the output of the (n + 2) th stage shift register;
The eleventh transistor is controlled by the second clock signal;
The shift register circuit according to claim 3, wherein the thirteenth transistor is a bootstrap circuit controlled by the second power supply.
前記第1の出力トランジスタのゲート端子にその第2の出力端子が接続された請求項10に記載のゲート制御回路を含む
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
11. A shift register circuit comprising the gate control circuit according to claim 10, wherein the second output terminal is connected to the gate terminal of the first output transistor.
請求項10に記載のシフトレジスタ回路を複数段連結させたゲートドライバであって、
第n−2(nは3以上の整数)段目の前記シフトレジスタ回路の出力を第n−1段目の前記シフトレジスタ部および前記ゲート制御回路の入力とし、
第n+2段目の前記シフトレジスタ回路の出力を前記第n−1段目のゲート制御回路の入力とし、
前記第n−1段目のゲート制御回路の前記第1の出力を、第n−1段目の前記シフトレジスタ部および第n段目の前記シフトレジスタ部の入力とし、
第n―1段目の前記ゲート制御回路の前記第2の出力を、第n段目の前記シフトレジスタ部の入力とする
ことを特徴とするゲートドライバ。
A gate driver in which a plurality of stages of the shift register circuit according to claim 10 are connected,
The output of the shift register circuit of the (n-2) th stage (n is an integer of 3 or more) is used as the input of the shift register unit and the gate control circuit of the (n-1) th stage,
The output of the (n + 2) th stage shift register circuit is used as the input of the (n-1) th stage gate control circuit,
The first output of the (n−1) th stage gate control circuit is used as an input to the (n−1) th stage shift register unit and the nth stage shift register unit,
The gate driver, wherein the second output of the gate control circuit at the (n-1) th stage is used as an input of the shift register unit at the nth stage.
請求項9または請求項12に記載のゲートドライバを搭載したマトリクス型表示装置であって、
複数のゲート線と複数のデータ線との交差部に画素素子を配置した表示部を備え、
前記ゲートドライバの出力を前記ゲート線に接続し、
前記ゲート線の複数本を同時に選択する期間を有するオーバーラップ走査とし、
前記ゲート線の選択期間がスタート信号のパルス幅により制御される
ことを特徴とする表示装置。
A matrix type display device equipped with the gate driver according to claim 9 or 12,
A display portion in which pixel elements are arranged at intersections of a plurality of gate lines and a plurality of data lines,
Connecting the output of the gate driver to the gate line;
Overlap scanning having a period for simultaneously selecting a plurality of gate lines,
The display device, wherein a selection period of the gate line is controlled by a pulse width of a start signal.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115298726A (en) * 2022-06-30 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 Gate drive circuit and display panel

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106328054B (en) * 2016-10-24 2018-07-10 武汉华星光电技术有限公司 OLED shows GOA scan drive circuits
CN108573679B (en) * 2017-03-07 2019-12-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Control signal driving circuit and driving method and pixel circuit driving method
CN108389545A (en) * 2018-03-23 2018-08-10 京东方科技集团股份有限公司 Shift register cell, driving method, gate driving circuit and display device
KR20210027576A (en) * 2019-08-28 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 Scan driver
CN111028798B (en) * 2019-12-05 2021-03-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 GOA circuit
CN111785231A (en) * 2020-07-09 2020-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Light sensing driving circuit and driving method thereof, display panel and display device
WO2023240513A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 Huawei Technologies Co., Ltd. Shift register, shift register circuit, display panel, and electronic device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080279327A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Shift register and shift register apparatus thereof
JP2013211088A (en) * 2012-02-29 2013-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic apparatus
WO2014073362A1 (en) * 2012-11-08 2014-05-15 シャープ株式会社 Pulse generating circuit, shift register circuit, and display device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101057891B1 (en) * 2004-05-31 2011-08-19 엘지디스플레이 주식회사 Shift register
JP5190722B2 (en) * 2005-05-20 2013-04-24 Nltテクノロジー株式会社 Bootstrap circuit and shift register, scanning circuit and display device using the same
KR101143004B1 (en) * 2005-06-13 2012-05-11 삼성전자주식회사 Shift register and display device including shifter register
CN100449604C (en) * 2006-07-12 2009-01-07 友达光电股份有限公司 Shift register circuit and display device with the same circuit
JP5125569B2 (en) * 2008-02-08 2013-01-23 ソニー株式会社 Bootstrap circuit
TWI406221B (en) * 2009-05-18 2013-08-21 Hannstar Display Corp Integrated gate driver circuit
JP5467454B2 (en) * 2009-09-01 2014-04-09 Nltテクノロジー株式会社 Bootstrap circuit, level shift circuit, and word line drive circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080279327A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Shift register and shift register apparatus thereof
JP2013211088A (en) * 2012-02-29 2013-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic apparatus
WO2014073362A1 (en) * 2012-11-08 2014-05-15 シャープ株式会社 Pulse generating circuit, shift register circuit, and display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115298726A (en) * 2022-06-30 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 Gate drive circuit and display panel

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