JP2016109913A - Display device, display method and program - Google Patents

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Moriyoshi Takahashi
盛毅 高橋
武志 奥野
Takeshi Okuno
武志 奥野
栄二 神田
Eiji Kanda
栄二 神田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress generation of a pseudo contour and correct the amount of luminescence of a luminous element for each pixel according to a deterioration amount of the luminous element.SOLUTION: A display device comprises a pixel circuit arranged in a matrix form, the pixel circuit including a luminous element emitting light at brightness corresponding to a current amount, an optical sensor for detecting brightness of light emitted from the luminous element and a compensation control circuit for controlling a current amount supplied to the luminous element on the basis of an applied second voltage and the detection result of the optical sensor, in a light emission period of the luminous element, within a second period different from a first period of a predetermined length for always emitting light at brightness corresponding to a first voltage of controlling brightness of the luminous element.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、表示装置、表示方法、及びプログラムに関する。   The present invention relates to a display device, a display method, and a program.

近年においては、表示装置として、有機EL(Organic Electro-Luminescence)素子などの自発光素子を含む画素が行列状(マトリクス状)に配置されて成る平面型(フラットパネル型)の表示装置が提供されている。   In recent years, as a display device, a flat type display device in which pixels including self-luminous elements such as organic EL (Organic Electro-Luminescence) elements are arranged in a matrix is provided. ing.

特開2001−524090号公報JP 2001-524090 A 特開2006−506307号公報JP 2006-506307 A

一方で、有機EL素子のような自発光素子(以降では、単に「発光素子」と記載する場合がある)は、その発光輝度と発光時間とに比例して劣化する特性があることが知られている。表示装置に表示させる画像の内容は一様ではなく、そのため、発光素子(有機EL素子)の劣化にもばらつきがある。例えば、白色等の輝度の高い色を表示している発光素子は、黒色等の輝度の低い色を表示している発光素子に比べて、劣化が進行しやすい傾向にある。   On the other hand, it is known that a self-luminous element such as an organic EL element (hereinafter sometimes simply referred to as “light-emitting element”) has a characteristic that it deteriorates in proportion to its light emission luminance and light emission time. ing. The content of the image displayed on the display device is not uniform, and therefore, the deterioration of the light emitting element (organic EL element) also varies. For example, a light emitting element displaying a high brightness color such as white tends to easily deteriorate compared to a light emitting element displaying a low brightness color such as black.

発光素子の劣化が進行すると、当該発光素子の輝度は、劣化の進行が遅い他の発光素子に比べて相対的に低下する傾向にある。その結果、例えば、ある一定のパターンを長時間表示した後に均一な表示を行った場合に、パターンが残存して視認されるという現象が発生する場合がある。このような現象は、一般的に「イメージ・スティッキング(焼き付き)」として知られている。   As the deterioration of the light-emitting element proceeds, the luminance of the light-emitting element tends to be relatively lowered as compared with other light-emitting elements whose progress of deterioration is slow. As a result, for example, when a uniform pattern is displayed after a certain pattern is displayed for a long time, a phenomenon may occur in which the pattern remains and is visually recognized. Such a phenomenon is generally known as “image sticking”.

このような発光素子の劣化に伴う画素間の輝度のばらつきを低減する技術の一例が、特許文献1に開示されている。即ち、特許文献1に開示された技術では、画素回路内に設けられたフォトダイオードにより発光素子からの光の一部を受光し、受光結果に基づき発光素子に供給される電流量を制御することで、当該発光素子の輝度劣化を補償している。しかしながら、特許文献1に係る技術では、発光素子に供給される電流量を制御するためのトランジスタを飽和領域で動作させることになるため、当該トランジスタの特性変動の影響を受け、動作が不安定となる場合がある。   An example of a technique for reducing variation in luminance between pixels due to such deterioration of a light emitting element is disclosed in Patent Document 1. That is, in the technique disclosed in Patent Document 1, a part of light from the light emitting element is received by a photodiode provided in the pixel circuit, and the amount of current supplied to the light emitting element is controlled based on the light reception result. Thus, the luminance deterioration of the light emitting element is compensated. However, in the technique according to Patent Document 1, a transistor for controlling the amount of current supplied to the light emitting element is operated in a saturation region. Therefore, the operation is unstable due to the influence of the characteristic variation of the transistor. There is a case.

また、他の一例として、特許文献2には、画素回路内に設けられたフォトダイオードにより発光素子からの光の一部を受光し、受光結果に基づき発光素子の発光時間(デューティー比)を制御することで、当該発光素子の輝度劣化を補償する技術が開示されている。しかしながら、特許文献2に係る技術は、発光時のデューティー比を制御することで発光素子の発光量を制御する駆動方式のため、動画像を表示する場合において、本来表示されていない輪郭が観測される、所謂疑似輪郭が発生する場合がある。   As another example, in Patent Document 2, a part of light from a light emitting element is received by a photodiode provided in a pixel circuit, and a light emission time (duty ratio) of the light emitting element is controlled based on a light reception result. Thus, a technique for compensating for luminance deterioration of the light emitting element is disclosed. However, since the technique according to Patent Document 2 is a driving method that controls the light emission amount of the light emitting element by controlling the duty ratio at the time of light emission, a contour that is not originally displayed is observed when displaying a moving image. In other words, a so-called pseudo contour may occur.

そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、疑似輪郭の発生を抑制し、かつ、画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、当該発光素子の発光量をより好適な態様で補正することが可能な、表示装置、表示方法、及びプログラムを提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to suppress the generation of pseudo contours and to perform the light emission according to the deterioration amount of the light emitting element for each pixel. An object of the present invention is to provide a display device, a display method, and a program capable of correcting the light emission amount of an element in a more preferable manner.

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、マトリックス状に配置された画素回路を含む表示装置であって、前記画素回路は、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサと、前記発光素子の輝度を制御するための第1の電圧の印加を受けて、前記発光素子を発光させるための第1の電流量を制御する第1の制御回路と、前記第1の電圧に応じて決定された第2の電圧の印加を受けて、前記第1の電流量を基準として、前記第2の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第2の電流量を制御する第2の制御回路と、を備えることを特徴とする、表示装置が提供される。   In order to solve the above-described problem, according to an aspect of the present invention, there is provided a display device including pixel circuits arranged in a matrix, wherein the pixel circuit includes a light-emitting element that emits light with luminance according to a current amount; An optical sensor for detecting the brightness of light emitted from the light emitting element, and a first current for causing the light emitting element to emit light upon application of a first voltage for controlling the brightness of the light emitting element. A first control circuit that controls the amount; and a second voltage that is determined according to the first voltage; the second voltage based on the first current amount; and And a second control circuit that controls a second amount of current supplied to the light emitting element based on a detection result of the optical sensor.

前記第2の制御回路は、前記第2の電圧に応じて、1フレーム中における前記発光素子の発光期間を制御してもよい。   The second control circuit may control a light emission period of the light emitting element in one frame according to the second voltage.

前記第1の電圧に応じた前記第2の電圧は、基準となる所定の輝度劣化率に基づき、あらかじめ設定されてもよい。   The second voltage corresponding to the first voltage may be set in advance based on a predetermined luminance deterioration rate as a reference.

前記第1の電圧に応じた前記第2の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、1フレーム中における当該発光素子の発光期間が、所定の期間となるようにあらかじめ設定されてもよい。   The second voltage corresponding to the first voltage is such that when the luminance deterioration rate of the light emitting element is the predetermined luminance deterioration rate, the light emission period of the light emitting element in one frame is a predetermined period. It may be set in advance so that

前記第2の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、当該発光素子が所定のデューティー比で発光するようにあらかじめ設定されてもよい。   The second voltage may be set in advance so that the light emitting element emits light at a predetermined duty ratio when the luminance deterioration rate of the light emitting element is the predetermined luminance deterioration rate.

前記第2の制御回路は、印可された前記第2の電圧を保持する容量と、前記第2の期間において、前記光センサの検出結果と、前記容量に保持された前記第2の電圧とに応じて決定されるゲート電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する発光制御トランジスタと、を備えてもよい。   The second control circuit includes: a capacitor that holds the applied second voltage; a detection result of the photosensor in the second period; and the second voltage held in the capacitor. And a light emission control transistor that controls the amount of current flowing between the source and the drain based on the gate voltage determined accordingly.

前記容量に保持された前記第2の電圧の放電期間は、前記光センサの検出結果に応じて制御され、前記放電期間に基づき、1フレーム中における前記発光素子の発光期間の長さが制御されてもよい。   The discharge period of the second voltage held in the capacitor is controlled according to the detection result of the photosensor, and the length of the light emission period of the light emitting element in one frame is controlled based on the discharge period. May be.

前記第1の制御回路は、ゲート端子に印可される前記前記第1の電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する駆動トランジスタを備え、前記発光素子に供給される電流量は、前記駆動トランジスタと、前記第2の制御回路とに基づき制御されてもよい。   The first control circuit includes a drive transistor that controls an amount of current flowing between a source and a drain based on the first voltage applied to a gate terminal, and an amount of current supplied to the light emitting element is: Control may be performed based on the driving transistor and the second control circuit.

前記駆動トランジスタは、前記第2の制御回路の前段に設けられ、前記第2の制御回路は、前記駆動トランジスタを介して供給される前記第1の電流量を基準として、前記発光素子に供給される前記第2の電流量を制御してもよい。   The drive transistor is provided in a stage preceding the second control circuit, and the second control circuit is supplied to the light emitting element with reference to the first current amount supplied via the drive transistor. The second current amount may be controlled.

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるための表示方法であって、前記発光素子の輝度を制御するための第1の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第1の電流量を制御することと、前記第1の電流量を基準として、前記第1の電圧に応じて決定された第2の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第2の電流量を制御することと、を含むことを特徴とする、表示方法が提供される。   In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention, a light emitting element that emits light with a luminance corresponding to an amount of current, and an optical sensor that detects the luminance of light emitted from the light emitting element are provided. A display method for displaying an image on a display device having a pixel circuit arranged in a matrix, wherein the light emitting element emits light based on a first voltage for controlling luminance of the light emitting element Controlling the first current amount to be controlled, based on the second voltage determined according to the first voltage with reference to the first current amount, and the detection result of the photosensor And a second current amount supplied to the light emitting element is provided. A display method is provided.

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるためのプログラムであって、前記発光素子の輝度を制御するための第1の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第1の電流量を制御することと、前記第1の電流量を基準として、前記第1の電圧に応じて決定された第2の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第2の電流量を制御することと、を実行させることを特徴とする、プログラムが提供される。   In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention, a light emitting element that emits light with a luminance corresponding to an amount of current, and an optical sensor that detects the luminance of light emitted from the light emitting element are provided. A pixel circuit provided is a program for displaying an image on a display device arranged in a matrix, and causes the light emitting element to emit light based on a first voltage for controlling the luminance of the light emitting element. For controlling the first current amount for the first current amount based on the second voltage determined according to the first voltage with reference to the first current amount, and the detection result of the photosensor, A program is provided for causing the second current amount to be supplied to the light emitting element to be controlled.

以上説明したように本発明によれば、疑似輪郭の発生を抑制し、かつ、画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、当該発光素子の発光量をより好適な態様で補正することが可能な、表示装置、表示方法、及びプログラムを提供される。   As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of pseudo contours and to correct the light emission amount of the light emitting element in a more preferable manner according to the deterioration amount of the light emitting element for each pixel. A display device, a display method, and a program are provided.

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成の一例について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating an example of a structure of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 同実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明するための説明図である。4 is an explanatory diagram for describing an example of a configuration of a pixel circuit according to the embodiment. FIG. 同実施形態に係る画素回路の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。3 is a schematic timing chart for explaining an example of drive timing of the pixel circuit according to the embodiment. 同実施形態に係る表示装置における、相対輝度と、当該相対輝度に応じたセンサ初期電圧との間の関係の一例を示したグラフである。4 is a graph showing an example of a relationship between relative luminance and a sensor initial voltage corresponding to the relative luminance in the display device according to the embodiment. 図4に示すように、相対輝度に応じたセンサ初期電圧を制御した場合における、相対輝度と、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率との間の関係の一例を示したグラフである。FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the relative luminance and the luminance deterioration rate after the luminance deterioration is compensated when the sensor initial voltage according to the relative luminance is controlled. 第1のモデルにおける、発光制御トランジスタのゲート電圧の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。The example of the time change in the flame | frame time in the gate voltage of the light emission control transistor in a 1st model is shown. 第2のモデルにおける、発光制御トランジスタのゲート電圧の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。The example of the time change in the frame time of the gate voltage of the light emission control transistor in a 2nd model is shown. 同実施形態に係る画素回路の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。3 is a schematic timing chart for explaining an example of drive timing of the pixel circuit according to the embodiment. 同実施形態に係る表示装置における、輝度劣化率とデューティー比との間の関係の一例を示したグラフである。5 is a graph showing an example of a relationship between a luminance deterioration rate and a duty ratio in the display device according to the embodiment. 同実施形態に係る表示装置における、輝度劣化率と、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率との間の関係の一例を示したグラフである。5 is a graph showing an example of a relationship between a luminance deterioration rate and a luminance deterioration rate after compensating for the luminance deterioration in the display device according to the embodiment. 同実施形態に係る表示装置における、相対輝度ごとのセンサ初期電圧の設定方法の一例について説明するための説明図である。5 is an explanatory diagram for describing an example of a method for setting a sensor initial voltage for each relative luminance in the display device according to the embodiment; FIG. 同実施形態に係る表示装置における、相対輝度ごとのセンサ初期電圧の設定方法の一例について説明するための説明図である。5 is an explanatory diagram for describing an example of a method for setting a sensor initial voltage for each relative luminance in the display device according to the embodiment; FIG.

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Exemplary embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, about the component which has the substantially same function structure, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.

<1.表示装置の構成>
まず、図1を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成の一例について説明する。図1は、本実施形態に係る表示装置の構成の一例について説明するための説明図である。なお、図1において、図面の横方向を行方向(X方向)、縦方向を列方向(Y方向)と称する場合がある。図1に示すように、本実施形態に係る表示装置10は、表示部100と、スキャンドライバ120と、データドライバ130とを有する。
<1. Configuration of display device>
First, an example of a schematic configuration of a display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining an example of the configuration of the display device according to the present embodiment. In FIG. 1, the horizontal direction in the drawing may be referred to as a row direction (X direction), and the vertical direction may be referred to as a column direction (Y direction). As illustrated in FIG. 1, the display device 10 according to the present embodiment includes a display unit 100, a scan driver 120, and a data driver 130.

表示部100は、複数の画素回路110を有し、データ信号に対応する画像を、当該複数の画素回路110により形成される表示画素に表示させる。表示部100には、複数行の走査線112及び補償制御信号線113のそれぞれが、行方向(X方向)に向けて延伸するように設けられている。また、表示部100には、複数列のデータ線114及び補償用電圧信号線115のそれぞれが、列方向(Y方向)に向けて延伸するように設けられている。なお、本説明では、図1に示すように、表示部100には、M(Mは2以上の整数)行の走査線112及び補償制御信号線113と、N(Nは2以上の整数)列のデータ線114及び補償用電圧信号線115とが設けられているものとして説明する。   The display unit 100 includes a plurality of pixel circuits 110 and displays an image corresponding to the data signal on display pixels formed by the plurality of pixel circuits 110. In the display unit 100, each of a plurality of scanning lines 112 and compensation control signal lines 113 is provided so as to extend in the row direction (X direction). In the display unit 100, a plurality of columns of data lines 114 and compensation voltage signal lines 115 are provided so as to extend in the column direction (Y direction). In this description, as shown in FIG. 1, the display unit 100 includes M (M is an integer of 2 or more) rows of scanning lines 112 and compensation control signal lines 113, and N (N is an integer of 2 or more). In the following description, it is assumed that the column data line 114 and the compensation voltage signal line 115 are provided.

複数の画素回路110のそれぞれは、行方向(X方向)に延伸する複数の走査線112と、列方向(Y方向)に延伸する複数のデータ線114との交差箇所それぞれに対応して配置されている。なお、画素回路110の詳細な構成については別途後述する。   Each of the plurality of pixel circuits 110 is arranged corresponding to each intersection of a plurality of scanning lines 112 extending in the row direction (X direction) and a plurality of data lines 114 extending in the column direction (Y direction). ing. The detailed configuration of the pixel circuit 110 will be described later.

また、表示部100には、図示しない上位の制御回路から、電源電圧Vddと電源電圧Vssと基準電圧GNDとがそれぞれ供給される。電源電圧Vddと電源電圧Vssとは、例えば、画素回路110が有する発光素子を発光させるための電流を供給する信号である。   Further, the display unit 100 is supplied with a power supply voltage Vdd, a power supply voltage Vss, and a reference voltage GND from an upper control circuit (not shown). The power supply voltage Vdd and the power supply voltage Vss are signals for supplying a current for causing a light emitting element included in the pixel circuit 110 to emit light, for example.

スキャンドライバ120には、Y方向に複数配された走査線112及び補償制御信号線113が接続されている。スキャンドライバ120は、行ごとに配された走査線112を介して、当該行に対応する各画素回路110にScan信号を供給する。また、スキャンドライバ120は、行ごとに配された補償制御信号線113を介して、当該行に対応する各画素回路110にSW信号を供給する。なお、Scan信号及びSW信号の詳細については別途後述する。   A plurality of scanning lines 112 and compensation control signal lines 113 arranged in the Y direction are connected to the scan driver 120. The scan driver 120 supplies a Scan signal to each pixel circuit 110 corresponding to the row via the scanning line 112 arranged for each row. The scan driver 120 supplies a SW signal to each pixel circuit 110 corresponding to the row via the compensation control signal line 113 arranged for each row. The details of the Scan signal and the SW signal will be described later separately.

データドライバ130には、X方向に複数配されたデータ線114及び補償用電圧信号線115が接続されている。データドライバ130は、列ごとに配されたデータ線114を介して、当該列に対応する各画素回路110に発光輝度(換言すると、階調)に応じたDT信号を供給する。また、データドライバ130は、列ごとに配された補償用電圧信号線115を介して、当該列に対応する各画素回路110に、発光輝度(階調)に応じたセンサ初期電圧Vsoを印可する。なお、DT信号及びセンサ初期電圧Vsoの詳細については別途後述する。   A plurality of data lines 114 and compensation voltage signal lines 115 arranged in the X direction are connected to the data driver 130. The data driver 130 supplies a DT signal corresponding to the emission luminance (in other words, gradation) to each pixel circuit 110 corresponding to the column via the data line 114 arranged for each column. Further, the data driver 130 applies the sensor initial voltage Vso corresponding to the light emission luminance (gradation) to each pixel circuit 110 corresponding to the column via the compensation voltage signal line 115 arranged for each column. . Details of the DT signal and the sensor initial voltage Vso will be described later.

<2.画素回路の構成>
次に、図2を参照して、本実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明する。図2は、本実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明するための説明図である。
<2. Configuration of pixel circuit>
Next, an example of the configuration of the pixel circuit according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining an example of the configuration of the pixel circuit according to the present embodiment.

図2では、図1に示す表示部100を構成する複数の画素回路110のうち、i行j列の交差箇所に対応して配置される画素回路110の一例を示している。また、表示部100を構成する他の画素回路110については、図2に示す画素回路110の構成と同様の構成をとることが可能であるため、詳細な説明を省略する。   FIG. 2 shows an example of the pixel circuit 110 arranged corresponding to the intersection of i rows and j columns among the plurality of pixel circuits 110 constituting the display unit 100 shown in FIG. Further, the other pixel circuits 110 included in the display unit 100 can have the same configuration as that of the pixel circuit 110 illustrated in FIG. 2, and thus detailed description thereof is omitted.

図2に示すように、画素回路110は、有機EL素子OLと、保持容量C1と、スイッチングトランジスタM1と、駆動トランジスタM2と、光センサPsと、センサ容量Csと、発光制御トランジスタM3と、スイッチングトランジスタM4とを有する。   As shown in FIG. 2, the pixel circuit 110 includes an organic EL element OL, a holding capacitor C1, a switching transistor M1, a driving transistor M2, a photosensor Ps, a sensor capacitor Cs, a light emission control transistor M3, and a switching. A transistor M4.

駆動トランジスタM2及び発光制御トランジスタM3は、例えば、Pチャネル型のMOSFET(metal−oxide−semiconductor field−effect transistor)により構成され得る。   The drive transistor M2 and the light emission control transistor M3 can be configured by, for example, a P-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).

図2に示すように、駆動トランジスタM2は、ドレイン端子に発光制御トランジスタM3のソース端子が接続され、ソース端子には電源電圧Vddを供給する信号線が接続される。また、発光制御トランジスタM3のドレイン端子には、有機EL素子OLのアノード側が接続される。また、有機EL素子OLのカソード側には、電源電圧Vssが接続されている。   As shown in FIG. 2, the drive transistor M2 has a drain terminal connected to the source terminal of the light emission control transistor M3, and a source terminal connected to a signal line for supplying the power supply voltage Vdd. The anode side of the organic EL element OL is connected to the drain terminal of the light emission control transistor M3. A power supply voltage Vss is connected to the cathode side of the organic EL element OL.

スイッチングトランジスタM1は、ソース端子がデータ線114に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタM2のゲート端子に接続されており、走査線112を介してゲート端子に伝達されるScan信号に応じて、オンまたはオフする。   The switching transistor M1 has a source terminal connected to the data line 114, a drain terminal connected to the gate terminal of the driving transistor M2, and is turned on or off in accordance with a Scan signal transmitted to the gate terminal via the scanning line 112. Turn off.

保持容量C1は、一方の端子が、駆動トランジスタM2のゲート端子に接続され、他方の端子が、基準電圧GNDに接続されており、駆動トランジスタM2のゲート端子の電位を保持する。   The holding capacitor C1 has one terminal connected to the gate terminal of the driving transistor M2, and the other terminal connected to the reference voltage GND, and holds the potential of the gate terminal of the driving transistor M2.

即ち、スイッチングトランジスタM1がオン状態となることで、データドライバ130から、データ線114を介して駆動トランジスタM2のゲート端子に、発光輝度(換言すると、階調)に応じたDT信号が伝達される。次いで、スイッチングトランジスタM1がオフ状態となることで、データ線114を介して伝達されたDT信号が保持容量C1に保持される。   That is, when the switching transistor M1 is turned on, a DT signal corresponding to the light emission luminance (in other words, gradation) is transmitted from the data driver 130 to the gate terminal of the driving transistor M2 via the data line 114. . Next, when the switching transistor M1 is turned off, the DT signal transmitted via the data line 114 is held in the holding capacitor C1.

スイッチングトランジスタM4は、ソース端子が補償用電圧信号線115に接続され、ドレイン端子が発光制御トランジスタM3のゲート端子に接続されており、補償制御信号線113を介してゲート端子に伝達されるSW信号に応じて、オンまたはオフする。   The switching transistor M4 has a source terminal connected to the compensation voltage signal line 115, a drain terminal connected to the gate terminal of the light emission control transistor M3, and an SW signal transmitted to the gate terminal via the compensation control signal line 113. Turn on or off depending on the.

光センサPsは、例えば、フォトダイオードやフォトランジスタ等により構成され得る。また、光センサPsの材料としては、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン等が挙げられる。光センサPsは、一方の端子が、発光制御トランジスタM3のゲート端子に接続され、他方の端子が、基準電圧GNDに接続されている。光センサPsは、有機EL素子OLからの光の一部が照射されるように設けられている。   The optical sensor Ps can be configured by, for example, a photodiode or a phototransistor. Examples of the material of the optical sensor Ps include polysilicon and amorphous silicon. The photosensor Ps has one terminal connected to the gate terminal of the light emission control transistor M3 and the other terminal connected to the reference voltage GND. The optical sensor Ps is provided so that a part of the light from the organic EL element OL is irradiated.

また、センサ容量Csの一方の端子は、発光制御トランジスタM3のゲート端子に接続され、他方の端子は、基準電圧GNDに接続されている。このような構成に基づき、センサ容量Csは、発光制御トランジスタM3のゲート端子の電位Vg3を保持する。   One terminal of the sensor capacitor Cs is connected to the gate terminal of the light emission control transistor M3, and the other terminal is connected to the reference voltage GND. Based on such a configuration, the sensor capacitor Cs holds the potential Vg3 of the gate terminal of the light emission control transistor M3.

スイッチングトランジスタM4がオン状態になると、データドライバ130から、補償用電圧信号線115を介して発光制御トランジスタM3のゲート端子に、センサ初期電圧Vso(Vso<0)が印可される。なお、センサ初期電圧Vsoが、「第2の電圧」の一例に相当する。   When the switching transistor M4 is turned on, the sensor initial voltage Vso (Vso <0) is applied from the data driver 130 to the gate terminal of the light emission control transistor M3 via the compensation voltage signal line 115. The sensor initial voltage Vso corresponds to an example of a “second voltage”.

これにより、発光制御トランジスタM3がオン状態となり、データ線114から伝達されて保持容量C1に保持されたDT信号に応じて駆動トランジスタM2が選択的にオン状態となる。そして、保持容量C1に保持されたDT信号に応じた駆動電流Icが、発光制御トランジスタM3を介して、有機EL素子OLに供給され、当該有機EL素子OLの発光状態が制御される。なお、以降では、発光制御トランジスタM3のドレイン−ソース間を流れる電流を、電流Icと明示的に区別する場合には、「電流IL」と記載する場合がある。   As a result, the light emission control transistor M3 is turned on, and the drive transistor M2 is selectively turned on according to the DT signal transmitted from the data line 114 and held in the holding capacitor C1. Then, the drive current Ic corresponding to the DT signal held in the holding capacitor C1 is supplied to the organic EL element OL via the light emission control transistor M3, and the light emission state of the organic EL element OL is controlled. Hereinafter, when the current flowing between the drain and source of the light emission control transistor M3 is explicitly distinguished from the current Ic, it may be referred to as “current IL”.

次いで、スイッチングトランジスタM4がオフ状態になると、発光制御トランジスタM3のゲート端子がフローティングの状態となる。これにより、補償用電圧信号線115を介して印可されたセンサ初期電圧Vsoが、センサ容量Csに保持される。なお、この時点では、発光制御トランジスタM3はオン状態であり、当該発光制御トランジスタM3のドレイン−ソース間を流れる電流IL=Icである。   Next, when the switching transistor M4 is turned off, the gate terminal of the light emission control transistor M3 is in a floating state. As a result, the sensor initial voltage Vso applied via the compensation voltage signal line 115 is held in the sensor capacitor Cs. At this time, the light emission control transistor M3 is in the on state, and the current IL = Ic flowing between the drain and source of the light emission control transistor M3.

その後、センサ容量Csに保持されたセンサ初期電圧Vsoは、光センサPsの検出結果に基づくセンシング電流Isによって放電され、当該放電に伴い、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3は、電位Vsoから上昇する。そして、当該ゲート電圧Vg3が、発光制御トランジスタM3の閾値電圧Vth3に到達すると、当該発光制御トランジスタM3はオフ状態となり、電流IL=0となる(即ち、有機EL素子OLは消灯する)。   Thereafter, the sensor initial voltage Vso held in the sensor capacitor Cs is discharged by the sensing current Is based on the detection result of the optical sensor Ps, and the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3 rises from the potential Vso along with the discharge. . When the gate voltage Vg3 reaches the threshold voltage Vth3 of the light emission control transistor M3, the light emission control transistor M3 is turned off and the current IL = 0 (that is, the organic EL element OL is turned off).

なお、スイッチングトランジスタM4がオフ状態に制御されてから、発光制御トランジスタM3がオフ状態となるまでの時間は、センシング電流Isとセンサ容量Csとの関係に応じて決定される。具体的には、有機EL素子OLの輝度が高いほど、センシング電流Isの電流量は増大し、センサ容量Csの放電時間は短くなる。換言すると、有機EL素子OLの輝度が低いほど、センシング電流Isの電流量は減少し、センサ容量Csの放電時間は長くなる。   Note that the time from when the switching transistor M4 is controlled to the off state to when the light emission control transistor M3 is turned off is determined according to the relationship between the sensing current Is and the sensor capacitance Cs. Specifically, as the luminance of the organic EL element OL is higher, the current amount of the sensing current Is increases and the discharge time of the sensor capacitor Cs becomes shorter. In other words, the lower the luminance of the organic EL element OL, the smaller the amount of sensing current Is and the longer the discharge time of the sensor capacitor Cs.

そのため、例えば、有機EL素子OLが劣化して輝度が低下した場合には、劣化前に比べて、センシング電流Isの電流量は減少し、センサ容量Csの放電時間はより長くなる。これにより、有機EL素子OLの劣化後は、劣化前に比べて、発光制御トランジスタM3がオン状態となる期間が長くなるため、有機EL素子OLの実効輝度が上昇し、結果として、当該有機EL素子OLの輝度劣化が補償される。   Therefore, for example, when the organic EL element OL deteriorates and the luminance decreases, the amount of the sensing current Is decreases and the discharge time of the sensor capacitor Cs becomes longer than before the deterioration. As a result, after the deterioration of the organic EL element OL, the period during which the light emission control transistor M3 is turned on becomes longer than before the deterioration, so that the effective luminance of the organic EL element OL increases, and as a result, the organic EL element The luminance degradation of the element OL is compensated.

以上、図2を参照して、本実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明した。   The example of the configuration of the pixel circuit according to the present embodiment has been described above with reference to FIG.

<3.駆動タイミングの一例>
次に、図3を参照して、図2に示した、本実施形態に係る画素回路110を構成する各素子の駆動タイミングの一例について説明する。図3は、本実施形態に係る画素回路110の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。なお、本説明では、i行j列に位置する画素回路110の場合を例に説明し、他の画素回路110については、同様のため詳細な説明は省略する。
<3. Example of drive timing>
Next, with reference to FIG. 3, an example of drive timing of each element constituting the pixel circuit 110 according to the present embodiment shown in FIG. 2 will be described. FIG. 3 is a schematic timing chart for explaining an example of drive timing of the pixel circuit 110 according to the present embodiment. Note that in this description, the case of the pixel circuit 110 located in i row and j column will be described as an example, and the other pixel circuits 110 are the same and will not be described in detail.

図3において、参照符号Tは、1フレーム期間中における有機EL素子OLの発光させることで画像を表示させるための発光期間を模式的に示している。なお、図3に示すタイミングチャートでは、説明をわかりやすくするために、有機EL素子OLの発光期間Tを1フレーム期間として示しており、その他の制御のための期間については図示を省略している。そのため、1フレーム期間中に、発光期間Tとは別に、例えば、駆動トランジスタの閾値のばらつきを補償するための制御期間等を別途設けてもよいことは言うまでもない。 In FIG. 3, reference symbol T 0 schematically indicates a light emission period for displaying an image by causing the organic EL element OL to emit light during one frame period. In the timing chart shown in FIG. 3, for the sake of easy understanding, the light emission period T 0 of the organic EL element OL is shown as one frame period, and the other control periods are not shown. Yes. Therefore, it goes without saying that, for example, a control period for compensating for variations in the threshold value of the drive transistor may be provided separately from the light emission period T 0 in one frame period.

図3に示すように、本実施形態に係る画素回路110は、発光期間Tを、常時発光期間Tと、輝度劣化補償発光期間Tとに分けて制御可能に構成されている。常時発光期間Tは、有機EL素子OLを、発光輝度(階調)に応じたDT信号に応じて決定される定電流Icに基づき常時発光させる期間を示している。また、輝度劣化補償発光期間Tは、光センサPsの検出結果に応じて、有機EL素子OLに供給される電流ILの電流量と、当該電流ILが供給される期間とを制御することで、有機EL素子OLの輝度劣化を補償するための期間である。 As shown in FIG. 3, the pixel circuit 110 according to the present embodiment is configured to be able to control the light emission period T 0 by dividing the light emission period T 0 into a constant light emission period T 1 and a luminance deterioration compensation light emission period T 2 . Always emission period T 1 represents a period during which the organic EL element OL, thereby always based on the constant current Ic which is determined in accordance with the DT signal corresponding to the light emission luminance (gradation) light. The luminance deterioration compensation emission period T 2 are, in accordance with the detection result of the optical sensor Ps, the current amount of the current IL supplied to the organic EL element OL, by controlling the period during which the current IL is supplied This is a period for compensating for the luminance deterioration of the organic EL element OL.

ここで、図3に示した各タイミングについて、図2に示した画素回路110の回路構成をあわせて参照しながら説明する。   Here, each timing shown in FIG. 3 will be described with reference to the circuit configuration of the pixel circuit 110 shown in FIG.

図3に示すように、i行目の走査線112を介して供給されるLレベルのScan信号(即ち、Scani)により、画素回路110内のスイッチングトランジスタM1がオン状態となる。これにより、当該画素回路110内の駆動トランジスタM2のゲート端子に、j列目のデータ線114を介して、発光輝度(換言すると、階調)に応じたDT信号が伝達される。そして、当該Scan信号がHレベルになると、スイッチングトランジスタM1がオフ状態となり、データ線114を介して伝達されたDT信号(即ち、DTj)が保持容量C1に保持される。なお、保持容量C1に保持されるDT信号が、「第1の電圧」の一例に相当する。   As shown in FIG. 3, the switching transistor M <b> 1 in the pixel circuit 110 is turned on by an L-level Scan signal (that is, Scani) supplied via the i-th scanning line 112. Accordingly, a DT signal corresponding to the light emission luminance (in other words, gradation) is transmitted to the gate terminal of the driving transistor M2 in the pixel circuit 110 via the j-th data line 114. When the Scan signal becomes H level, the switching transistor M1 is turned off, and the DT signal (that is, DTj) transmitted through the data line 114 is held in the holding capacitor C1. The DT signal held in the holding capacitor C1 corresponds to an example of “first voltage”.

このように、Scan信号に同期して、画素回路110内の保持容量C1に、発光輝度に応じたDT信号が保持される。なお、Scan信号がLレベルとなり、保持容量C1にDT信号が保持される(即ち、画素回路110にデータの書き込みを行う)期間は、表示部100を構成する画素回路110の数(即ち、画素数)にもよるが、例えば、数10μsとなる。   In this manner, in synchronization with the Scan signal, the DT signal corresponding to the emission luminance is held in the holding capacitor C1 in the pixel circuit 110. Note that during the period in which the Scan signal is at the L level and the DT signal is held in the storage capacitor C1 (that is, data is written to the pixel circuit 110), the number of pixel circuits 110 that form the display unit 100 (that is, the pixel) Depending on the number, for example, it will be several tens of μs.

また、LレベルのScan信号の供給が開始されるタイミングに同期して、i行目の補償制御信号線113を介してLレベルのSW信号(即ち、SWi)の供給が開始され、画素回路110内のスイッチングトランジスタM4がオン状態となる。これにより、当該画素回路110内の発光制御トランジスタM3のゲート端子に、j列目の補償用電圧信号線115を介して、発光輝度(階調)に応じたセンサ初期電圧Vso(Vso<0)が、ゲート電圧Vg3として印可される。なお、センサ初期電圧Vsoの電位の設定については、詳細を別途後述する。   In addition, in synchronization with the start of supply of the L-level Scan signal, supply of the L-level SW signal (ie, SWi) is started via the i-th compensation control signal line 113, and the pixel circuit 110 is started. The switching transistor M4 is turned on. Thus, the sensor initial voltage Vso (Vso <0) corresponding to the light emission luminance (gradation) is applied to the gate terminal of the light emission control transistor M3 in the pixel circuit 110 via the compensation voltage signal line 115 in the jth column. Is applied as the gate voltage Vg3. The details of setting the potential of the sensor initial voltage Vso will be described later.

これにより、発光制御トランジスタM3がオン状態となり、データ線114から伝達されて保持容量C1に保持されたDT信号(即ち、DTj)に応じて駆動トランジスタM2が選択的にオン状態となる。そして、保持容量C1に保持されたDT信号に応じた駆動電流Icが、発光制御トランジスタM3を介して有機EL素子OLに供給される。これにより、有機EL素子OLは、駆動電流Icに応じた輝度で発光する。   As a result, the light emission control transistor M3 is turned on, and the drive transistor M2 is selectively turned on according to the DT signal (that is, DTj) transmitted from the data line 114 and held in the holding capacitor C1. Then, the drive current Ic corresponding to the DT signal held in the holding capacitor C1 is supplied to the organic EL element OL via the light emission control transistor M3. Thereby, the organic EL element OL emits light with a luminance corresponding to the drive current Ic.

なお、有機EL素子OLが駆動電流Icに応じた輝度で発光する期間、即ち、LレベルのSW信号の供給によりスイッチングトランジスタM4がオン状態となり、センサ初期電圧Vsoに基づき発光制御トランジスタM3が駆動する期間が、常時発光期間Tに相当する。 The period during which the organic EL element OL emits light with the luminance corresponding to the drive current Ic, that is, the supply of the L level SW signal turns on the switching transistor M4, and the light emission control transistor M3 is driven based on the sensor initial voltage Vso. period corresponds always emission period T 1.

次いで、SW信号がHレベルになると、スイッチングトランジスタM4がオフ状態となり、補償用電圧信号線115を介して印可されたセンサ初期電圧Vsoがセンサ容量Csに保持される。   Next, when the SW signal becomes H level, the switching transistor M4 is turned off, and the sensor initial voltage Vso applied through the compensation voltage signal line 115 is held in the sensor capacitor Cs.

その後、センサ容量Csに保持されたセンサ初期電圧Vsoは、光センサPsの検出結果に基づくセンシング電流Isによって放電され、当該放電に伴い、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3は、電位Vsoから上昇する。そして、当該ゲート電圧Vg3が、発光制御トランジスタM3の閾値電圧Vth3に到達すると、当該発光制御トランジスタM3はオフ状態となり、電流IL=0となる(即ち、有機EL素子OLは消灯する)。   Thereafter, the sensor initial voltage Vso held in the sensor capacitor Cs is discharged by the sensing current Is based on the detection result of the optical sensor Ps, and the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3 rises from the potential Vso along with the discharge. . When the gate voltage Vg3 reaches the threshold voltage Vth3 of the light emission control transistor M3, the light emission control transistor M3 is turned off and the current IL = 0 (that is, the organic EL element OL is turned off).

なお、センサ容量Csに保持されたセンサ初期電圧Vsoが、光センサPsの検出結果に基づくセンシング電流Isによって放電されることで、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3が制御される期間が、輝度劣化補償発光期間Tに相当する。なお、前述したように、輝度劣化補償発光期間Tの長さは、センサ容量Csの放電時間に相当し、センシング電流Isとセンサ容量Csとの関係に応じて決定される。 In addition, the sensor initial voltage Vso held in the sensor capacitor Cs is discharged by the sensing current Is based on the detection result of the photosensor Ps, so that the luminance deterioration occurs during the period in which the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3 is controlled. It corresponds to the compensation emission period T 2. As described above, the length of the luminance deterioration compensation emission period T 2 are corresponds to the discharge time of the sensor capacitance Cs, is determined in accordance with the relationship between the sensing current Is and the sensor capacitance Cs.

このように、図3に示す例では、画素回路110は、(T+T)/Tのデューティー比で駆動することとなる。 Thus, in the example shown in FIG. 3, the pixel circuit 110 is driven with a duty ratio of (T 1 + T 2 ) / T 0 .

なお、上述した一連の動作は、表示装置10の各構成を動作させる装置のCPUを機能させるためのプログラムによって構成することができる。このプログラムは、その装置にインストールされたOS(Operating System)を介して実行されるように構成してもよい。また、このプログラムは、上述した処理を実行する構成が含まれる装置が読み出し可能であれば、記憶される位置は限定されない。例えば、装置の外部から接続される記録媒体にプログラムが格納されていてもよい。この場合には、プログラムが格納された記録媒体を装置に接続することによって、その装置のCPUに当該プログラムを実行させるように構成するとよい。   The series of operations described above can be configured by a program for causing the CPU of the device that operates each component of the display device 10 to function. This program may be configured to be executed via an OS (Operating System) installed in the apparatus. In addition, the position of the program is not limited as long as the apparatus including the configuration for executing the above-described processing can be read. For example, the program may be stored in a recording medium connected from the outside of the apparatus. In this case, it is preferable to connect the recording medium storing the program to the apparatus so that the CPU of the apparatus executes the program.

以上、図3を参照して、図2に示した、本実施形態に係る画素回路110を構成する各素子の駆動タイミングの一例について説明した。   The example of the drive timing of each element constituting the pixel circuit 110 according to this embodiment shown in FIG. 2 has been described above with reference to FIG.

<4.輝度劣化の補償の原理>
次に、上記に説明した本実施形態に係る表示装置10における、有機EL素子OLの輝度劣化の補償に係る動作の原理について、図2に示した画素回路110の回路構成をあわせて参照しながら、簡単なモデル式に基づき説明する。
<4. Principle of compensation for luminance degradation>
Next, in the display device 10 according to the present embodiment described above, the principle of operation related to the compensation of the luminance deterioration of the organic EL element OL is referred to together with the circuit configuration of the pixel circuit 110 shown in FIG. This will be described based on a simple model formula.

まず、画素回路110中の光センサPsの抵抗をRsとした場合に、当該抵抗Rsが、有機EL素子OLの輝度に反比例する特性に着目した第1のモデルについて説明する。有機EL素子OLの輝度は、発光制御トランジスタM3のドレイン−ソース間電流IL=Icの場合は、当該電流Icに比例し、電流IL=0の場合には0となる。また、劣化前の輝度に対する劣化後の輝度の割合を示す輝度劣化率をaとすると、有機EL素子OLが発光している状態における、光センサPsの抵抗Rsは、a・Icに反比例するため、以下に示す(式1)で表される。なお、以下に示す(式1)におけるKrsは、抵抗Rsと、a・Icとの間の関係を決める定数である。 First, when the resistance of the photosensor Ps in the pixel circuit 110 is Rs, a first model focusing on the characteristic that the resistance Rs is inversely proportional to the luminance of the organic EL element OL will be described. The luminance of the organic EL element OL is proportional to the current Ic when the drain-source current IL = Ic of the light emission control transistor M3, and becomes 0 when the current IL = 0. Further, when the luminance deterioration rate indicating the ratio of the luminance after deterioration to the luminance before deterioration is a, the resistance Rs of the optical sensor Ps in a state where the organic EL element OL emits light is inversely proportional to a · Ic. It is represented by (Formula 1) shown below. Note that K rs in (Equation 1) shown below is a constant that determines the relationship between the resistance Rs and a · Ic.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

また、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3と、光センサPsの抵抗Rsとの間には、以下に(式2)として示す関係式が成り立つ。   Further, the following relational expression is established between the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3 and the resistance Rs of the optical sensor Ps.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

上記に示した(式2)を、tを0〜t、Vg3をVso〜Vg3の各範囲で積分すると、以下に(式3)で示す関係式が導かれる。

Figure 2016109913
When (Expression 2) shown above is integrated in each range of t from 0 to t and Vg3 from Vso to Vg3, the following relational expression expressed by (Expression 3) is derived.
Figure 2016109913

ここで、上記に示した(式3)に対して、前述した(式1)を代入し、t=Tにおいて、Vg3=Vth3とすると、以下に(式4)として示す関係式が導かれる。なお、以下に示す(式4)におけるKは、a・Ic及びセンサ容量Csと、時間Tとの間の関係を決める定数である。 Here, when (Equation 1) described above is substituted into (Equation 3) shown above, and Vg3 = Vth3 at t = T 2 , the following relational expression is derived as (Equation 4). . In the following (Equation 4), K 2 is a constant that determines the relationship between a · Ic and sensor capacitance Cs, and time T 2 .

Figure 2016109913
Figure 2016109913

次に、光センサPsを流れるセンシング電流Isの電流値(以下、単に「電流値Is」と記載する場合がある)が、有機EL素子OLの輝度に比例する特性に着目した第2のモデルについて説明する。有機EL素子OLの輝度は、発光制御トランジスタM3のドレイン−ソース間電流IL=Icの場合は、当該電流Icに比例し、電流IL=0の場合には0となる。また、輝度劣化率をaとした場合には、有機EL素子OLが発光している状態における、光センサPsの電流値Isは、a・Icに比例するため、比例係数Kisを用いて、以下に示す(式5)で表される。 Next, a second model focusing on the characteristic that the current value of the sensing current Is flowing through the optical sensor Ps (hereinafter sometimes simply referred to as “current value Is”) is proportional to the luminance of the organic EL element OL. explain. The luminance of the organic EL element OL is proportional to the current Ic when the drain-source current IL = Ic of the light emission control transistor M3, and becomes 0 when the current IL = 0. Further, when the luminance degradation ratio was a is in a state in which the organic EL element OL is emitting light, the current value of the optical sensor Ps Is is proportional to a · Ic, using proportional coefficient K IS, It is represented by (Formula 5) shown below.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

また、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3と、光センサPsの電流値Isとの間には、以下に(式6)として示す関係式が成り立つ。   Further, a relational expression shown below as (Equation 6) holds between the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3 and the current value Is of the optical sensor Ps.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

上記に示した(式6)を、tを0〜t、Vg3をVso〜Vg3の各範囲で積分すると、以下に(式7)で示す関係式が導かれる。   By integrating (Expression 6) shown above in each range of t to 0 to t and Vg3 to Vso to Vg3, a relational expression expressed by (Expression 7) below is derived.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

ここで、上記に示した(式7)に対して、前述した(式5)を代入し、t=Tにおいて、Vg3=Vth3とすると、以下に(式8)として示す関係式が導かれる。 Here, when (Equation 5) described above is substituted for (Equation 7) shown above and Vg3 = Vth3 at t = T 2 , the following relational expression is derived as (Equation 8). .

Figure 2016109913
Figure 2016109913

以上、(式4)及び(式8)として示したように、第1のモデルと第2のモデルとの双方において、定数Kの定義は異なるものの、時間Tが同様の式で表される。その結果、輝度Lは、当該輝度Lと電流Icとの間の比例関係を示す比例係数Kを用いることで、以下に示す(式9)で表される。 As described above, as shown in (Expression 4) and (Expression 8), the definition of the constant K 2 is different in both the first model and the second model, but the time T 2 is expressed by the same expression. The As a result, the luminance L, by using the proportionality factor K 1 showing the linear relationship between the brightness L and the current Ic, represented by the following (Equation 9).

Figure 2016109913
Figure 2016109913

ここで、図3に示すタイミングチャートに基づき説明したデューティー比(T+T)/Tは、100%を超えることはないため、以下に(式10)として示す条件式を設けている。 Here, since the duty ratio (T 1 + T 2 ) / T 0 described based on the timing chart shown in FIG. 3 does not exceed 100%, the following conditional expression is provided as (Expression 10).

Figure 2016109913
Figure 2016109913

上記に(式9)として示した輝度Lを示す式と、(式10)として示した条件式とに基づき、劣化前の有機EL素子OLの輝度Li(以降では、「初期輝度Li」と称する場合がある)は、輝度劣化率を1(即ち、劣化なし)として、以下に示す(式11)で表される。   Based on the equation indicating the luminance L shown above as (Equation 9) and the conditional equation shown as (Equation 10), the luminance Li of the organic EL element OL before deterioration (hereinafter referred to as “initial luminance Li”). In some cases, the luminance deterioration rate is 1 (that is, there is no deterioration) and is expressed by the following (Formula 11).

Figure 2016109913
Figure 2016109913

また、劣化後の有機EL素子OLの輝度Ldについては、輝度劣化率をa(a<1)として、以下に示す(式12)で表される。   Further, the luminance Ld of the organic EL element OL after deterioration is expressed by the following (formula 12), where the luminance deterioration rate is a (a <1).

Figure 2016109913
Figure 2016109913

ここで、上記に示した(式11)及び(式12)に基づき、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liは、以下に示す(式13)で表される。   Here, based on (Expression 11) and (Expression 12) shown above, the luminance deterioration rate Ld / Li after compensating for the luminance deterioration is expressed by (Expression 13) shown below.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

ここで、(式11)において、T/T=0とした場合には(即ち、常時発光期間T1の長さを0に設定した場合)、初期輝度Liは、以下に示す(式14)で表される。

Figure 2016109913
Here, in (Expression 11), when T 1 / T 0 = 0 (that is, when the length of the constant light emission period T1 is set to 0), the initial luminance Li is expressed as follows (Expression 14) ).
Figure 2016109913

同様に、(式12)において、T/T=0とした場合には、劣化後の有機EL素子OLの輝度Ldは、以下に示す(式15)で表される。

Figure 2016109913
Similarly, when T 1 / T 0 = 0 in (Expression 12), the luminance Ld of the organic EL element OL after deterioration is expressed by (Expression 15) shown below.
Figure 2016109913

ここで、図3に示すタイミングチャートに基づき説明したデューティー比(T+T)/Tは、100%を超えることはないため、以下に(式16a)及び(式16b)として示す条件式を設けている。 Here, since the duty ratio (T 1 + T 2 ) / T 0 described based on the timing chart shown in FIG. 3 does not exceed 100%, conditional expressions shown as (Expression 16a) and (Expression 16b) below. Is provided.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

これにより、(式16b)の左側の式を満足しない条件においては、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Li=1となり、100%の補償が可能となる。ただし、電流Icの増加に伴い、初期輝度Li及び劣化後の輝度Ldの双方について、デューティー比が小さくなる傾向にある。そのため、このような状況を鑑みて、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Li=1を維持し、かつ、比較的高いデューティー比を実現するために、輝度劣化後において、デューティー比が100%となるように定数Kを調整するとよい。なお、輝度劣化後において、デューティー比が100%となるための、定数Kの条件は、以下に示す(式17)で表される。 As a result, under the condition that does not satisfy the expression on the left side of (Expression 16b), the luminance deterioration rate Ld / Li = 1 after the luminance deterioration is compensated, and 100% compensation is possible. However, as the current Ic increases, the duty ratio tends to decrease for both the initial luminance Li and the deteriorated luminance Ld. Therefore, in view of such a situation, in order to maintain the luminance deterioration rate Ld / Li = 1 after compensating for the luminance deterioration and to realize a relatively high duty ratio, the duty ratio is reduced after the luminance deterioration. You may adjust the constant K 2 to 100%. Incidentally, after the luminance degradation, for the duty ratio is 100%, the condition of the constant K 2 is expressed by the following equation (17).

Figure 2016109913
Figure 2016109913

従って、ある輝度劣化率aにおいて電流Icが変化した場合に、上記に(式17)として示した関係式を常に満たすことが可能であれば、より広い輝度領域において、100%の輝度劣化補償を実現することが可能となる。そこで、本実施形態に係る表示装置10では、電流Icの変化に応じてセンサ初期電圧Vsoを制御することで、電流Icが変化した場合においても、上記に(式17)で示した関係式が満たされるような定数Kの調整を実現する。以下に、当該制御の詳細について、具体的に例を挙げて説明する Therefore, when the current Ic changes at a certain luminance deterioration rate a, if it is possible to always satisfy the relational expression shown above as (Equation 17), 100% luminance deterioration compensation is performed in a wider luminance region. It can be realized. Therefore, in the display device 10 according to the present embodiment, even when the current Ic changes by controlling the sensor initial voltage Vso according to the change in the current Ic, the relational expression shown in (Expression 17) above is obtained. to achieve adjustment of the constants K 2 as satisfied. The details of the control will be described below with specific examples.

例えば、画素回路110中の光センサPsの抵抗をRsが、有機EL素子OLの輝度に反比例する特性に着目した第1のモデルにおいては、(式4a)として前述した定数Kの関係式を(式17)に代入することで、以下に(式18)として示す条件式が導かれる。 For example, in the first model in which the resistance of the optical sensor Ps in the pixel circuit 110 is focused on the characteristic that Rs is inversely proportional to the luminance of the organic EL element OL, the relational expression of the constant K 2 described above as (Expression 4a) is used. By substituting into (Expression 17), a conditional expression shown as (Expression 18) below is derived.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

ここで、相対輝度が100%の場合に、センサ初期電圧Vso=−7[V]、発光制御トランジスタM3の閾値電圧Vth3=−2[V]とし、電流Ic=Icoとすると、上記に示した(式18)は、以下に示す(式19)で表される。なお、本説明において、相対輝度とは、全白輝度(即ち、輝度の最大値)が100%となるように規格化された輝度を示すものとする。   Here, when the relative luminance is 100%, the sensor initial voltage Vso = −7 [V], the threshold voltage Vth3 = −2 [V] of the light emission control transistor M3, and the current Ic = Ico are shown above. (Expression 18) is expressed by (Expression 19) shown below. Note that in this description, the relative luminance indicates luminance that is standardized so that the total white luminance (that is, the maximum luminance value) is 100%.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

また、相対輝度がLの場合における電流Ic及びセンサ初期電圧Vsoのそれぞれを、Ic(L)及びVso(L)とすると、上記に(式18)として示した関係式を満足する条件として、以下に示す(式20)が導かれる。   Further, assuming that the current Ic and the sensor initial voltage Vso when the relative luminance is L are Ic (L) and Vso (L), respectively, the conditions satisfying the relational expression shown above as (Equation 18) are as follows: (Equation 20) shown below is derived.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

上記に示した(式19)を、(式20)に代入すると、以下に(式21)として示す関係式が導かれる。   When (Equation 19) shown above is substituted into (Equation 20), the following relational expression is derived as (Equation 21).

Figure 2016109913
Figure 2016109913

また、光センサPsの電流値Isが、有機EL素子OLの輝度に比例する特性に着目した第2のモデルにおいては、(式8a)として前述した定数Kの関係式を(式17)に代入することで、以下に(式22)として示す条件式が導かれる。 The current value of the optical sensor Ps Is is, in the second model which focuses on the characteristics proportional to the luminance of the organic EL element OL, the aforementioned constant K 2 relational expression as (formula 8a) (Formula 17) By substituting, a conditional expression shown as (Expression 22) below is derived.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

ここで、相対輝度が100%の場合に、センサ初期電圧Vso=−7[V]、発光制御トランジスタM3の閾値電圧Vth3=−2[V]とし、電流Ic=Icoとすると、上記に示した(式22)は、以下に示す(式23)で表される。   Here, when the relative luminance is 100%, the sensor initial voltage Vso = −7 [V], the threshold voltage Vth3 = −2 [V] of the light emission control transistor M3, and the current Ic = Ico are shown above. (Expression 22) is expressed by (Expression 23) shown below.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

また、相対輝度がLの場合における電流Ic及びセンサ初期電圧Vsoのそれぞれを、Ic(L)及びVso(L)とすると、上記に(式22)として示した関係式を満足する条件として、以下に示す(式24)が導かれる。   Further, assuming that the current Ic and the sensor initial voltage Vso when the relative luminance is L are Ic (L) and Vso (L), the following conditions are satisfied as the conditions satisfying the relational expression (Expression 22): (Equation 24) shown below is derived.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

上記に示した(式23)を、(式24)に代入すると、以下に(式25)として示す関係式が導かれる。   Substituting (Equation 23) shown above into (Equation 24) leads to a relational expression shown as (Equation 25) below.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

ここで、電流Icと輝度とは比例関係にあるため、Ic(L)/Icoは、相対輝度に相当することとなる。例えば、図4は、相対輝度と、当該相対輝度に応じたセンサ初期電圧Vso(L)との間の関係の一例を示したグラフである。図4において、横軸は、相対輝度を示している。また、縦軸は、相対輝度に応じたセンサ初期電圧Vso(L)[V]を示している。なお、図4に示す例は、上記に説明した、センサ初期電圧Vso=−7[V]、発光制御トランジスタM3の閾値電圧Vth3=−2[V]とした場合の一例を示している。なお、図4において、モデル1及びモデル2は、それぞれ上記した(式21)及び(式25)に対応している。   Here, since the current Ic and the luminance are in a proportional relationship, Ic (L) / Ico corresponds to the relative luminance. For example, FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the relative luminance and the sensor initial voltage Vso (L) corresponding to the relative luminance. In FIG. 4, the horizontal axis represents relative luminance. The vertical axis represents the sensor initial voltage Vso (L) [V] corresponding to the relative luminance. The example shown in FIG. 4 shows an example in which the sensor initial voltage Vso = −7 [V] and the threshold voltage Vth3 = −2 [V] of the light emission control transistor M3 described above are used. In FIG. 4, model 1 and model 2 correspond to (Expression 21) and (Expression 25), respectively.

また、図5は、図4に示すように、相対輝度に応じたセンサ初期電圧Vso(L)を制御した場合における、相対輝度と、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liとの間の関係の一例を示している。図5において、横軸は、相対輝度を示している。また、縦軸は、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liを示している。   FIG. 5 shows the relationship between the relative luminance and the luminance deterioration rate Ld / Li after the luminance deterioration is compensated when the sensor initial voltage Vso (L) is controlled according to the relative luminance as shown in FIG. An example of the relationship between them is shown. In FIG. 5, the horizontal axis represents relative luminance. The vertical axis represents the luminance deterioration rate Ld / Li after the luminance deterioration is compensated.

即ち、図4に示すように、相対輝度に応じたセンサ初期電圧Vso(L)を制御することで、理論上は、図5に示すように、広い範囲において、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Li=100%(即ち、100%の輝度劣化補償)を実現することが可能となる。   That is, as shown in FIG. 4, by controlling the sensor initial voltage Vso (L) according to the relative luminance, theoretically, the luminance after compensating for the luminance degradation in a wide range as shown in FIG. The deterioration rate Ld / Li = 100% (that is, 100% luminance deterioration compensation) can be realized.

ここで、センサ初期電圧Vso=−7[V]、発光制御トランジスタM3の閾値電圧Vth3=−2[V]とした場合における、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3の、フレーム時間内における時間変化に着目する。なお、1フレーム中の発光期間Tは、必ずしもフレーム時間(即ち、1フレームの期間)に一致するとは限らない。しかしながら、本説明では、本実施形態に係る表示装置10の制御をよりわかりやすくするために、フレーム時間と発光期間Tとが略一致する(即ち、フレーム時間=発光期間Tとする)ものとして説明する。 Here, when the sensor initial voltage Vso = −7 [V] and the threshold voltage Vth3 of the light emission control transistor M3 = −2 [V], the time change within the frame time of the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3. Pay attention. Note that the light emission period T 0 in one frame does not necessarily coincide with the frame time (that is, the period of one frame). However, in this description, in order to make the control of the display device 10 according to the present embodiment easier to understand, the frame time and the light emission period T 0 substantially coincide (that is, the frame time = the light emission period T 0 ). Will be described.

例えば、図6は、画素回路110中の光センサPsの抵抗Rsが、有機EL素子OLの輝度に反比例する特性に着目した第1のモデルにおける、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。図6において、横軸は時間t[ms]を示している。また、縦軸は、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3[V]を示している。図6に示す例では、相対輝度が10%、50%、及び100%のそれぞれについて、閾値電圧Vth3の、フレーム時間内における時間変化を示している。なお、フレーム時間Tについては、T=16.7[ms]とする。 For example, FIG. 6 shows the frame time of the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3 in the first model focusing on the characteristic that the resistance Rs of the photosensor Ps in the pixel circuit 110 is inversely proportional to the luminance of the organic EL element OL. An example of the time change in the figure is shown. In FIG. 6, the horizontal axis indicates time t [ms]. The vertical axis represents the gate voltage Vg3 [V] of the light emission control transistor M3. In the example shown in FIG. 6, the change in threshold voltage Vth3 within the frame time is shown for each of the relative luminances of 10%, 50%, and 100%. The frame time T 0 is T 0 = 16.7 [ms].

また、図7は、光センサPsの電流値Isが、有機EL素子OLの輝度に比例する特性に着目した第2のモデルにおける、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。なお、図7における横軸及び縦軸は、図6の場合と同様である。また、図7に示す例では、図6に示す例と同様に、相対輝度が10%、50%、及び100%のそれぞれについて、閾値電圧Vth3の、フレーム時間内における時間変化を示している。   FIG. 7 shows the time change of the gate voltage Vg3 of the light emission control transistor M3 within the frame time in the second model focusing on the characteristic that the current value Is of the photosensor Ps is proportional to the luminance of the organic EL element OL. An example is shown. Note that the horizontal and vertical axes in FIG. 7 are the same as those in FIG. Further, in the example shown in FIG. 7, similarly to the example shown in FIG. 6, the change in threshold voltage Vth3 within the frame time is shown for each of the relative luminances of 10%, 50%, and 100%.

図6及び図7に示すように、相対輝度の減少に応じて、センサ初期電圧Vso(L)を増大させることで、理論上は全ての相対輝度の条件について、フレーム時間T=16.7[ms]において、ゲート電圧Vg3=−2[V]となるように調整することが可能である。 As shown in FIGS. 6 and 7, theoretically, by increasing the sensor initial voltage Vso (L) in accordance with the decrease in relative luminance, the frame time T 0 = 16.7 for all the relative luminance conditions. In [ms], the gate voltage Vg3 can be adjusted to be −2 [V].

ここで、図8を参照して、図4〜図7を参照して説明した制御を実現するための、画素回路110の駆動タイミングの一例について説明する。図8は、本実施形態に係る画素回路110の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。なお、本説明では、i行j列に位置する画素回路110の場合を例に説明し、他の画素回路110については、同様のため詳細な説明は省略する。   Here, an example of drive timing of the pixel circuit 110 for realizing the control described with reference to FIGS. 4 to 7 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic timing chart for explaining an example of the drive timing of the pixel circuit 110 according to the present embodiment. Note that in this description, the case of the pixel circuit 110 located in i row and j column will be described as an example, and the other pixel circuits 110 are the same and will not be described in detail.

図8に示す例では、LレベルのScan信号の供給に伴う画素回路110へのデータ(即ち、DT信号)の書き込みに同期して、LレベルのSW信号の供給により、当該画素回路110に対して、センサ初期電圧Vsoが書き込まれる。なお、図8に示す例では、画素回路110へのデータ及びセンサ初期電圧Vsoの書き込みに係る時間は数10[μs]となる。そして、図8に示す例では、Scan信号及びSW信号がHレベルとなることで、画素回路110内の光センサPsの検出結果に基づくセンシング電流Isと、センサ初期電圧Vsoとに基づき、発光制御トランジスタM3のゲート電圧Vg3は、電位Vsoから時系列に沿って上昇する。そして、当該ゲート電圧Vg3が、発光制御トランジスタM3の閾値電圧Vth3に到達すると、当該発光制御トランジスタM3はオフ状態となり、有機EL素子OLに供給される電流IL=0となる(即ち、有機EL素子OLは消灯する)。   In the example illustrated in FIG. 8, the pixel circuit 110 is supplied to the pixel circuit 110 by supplying the L level SW signal in synchronization with the writing of data (that is, the DT signal) to the pixel circuit 110 accompanying the supply of the L level Scan signal. Thus, the sensor initial voltage Vso is written. In the example shown in FIG. 8, the time for writing the data and the sensor initial voltage Vso to the pixel circuit 110 is several tens [μs]. In the example illustrated in FIG. 8, when the Scan signal and the SW signal become the H level, the light emission control is performed based on the sensing current Is based on the detection result of the photosensor Ps in the pixel circuit 110 and the sensor initial voltage Vso. The gate voltage Vg3 of the transistor M3 increases along the time series from the potential Vso. When the gate voltage Vg3 reaches the threshold voltage Vth3 of the light emission control transistor M3, the light emission control transistor M3 is turned off, and the current IL = 0 supplied to the organic EL element OL is satisfied (that is, the organic EL element). OL goes off).

なお、図8に示す例では、画素回路110へのデータ及びセンサ初期電圧Vsoの書き込みが行われる期間を除いて、1フレーム中の発光期間Tのほぼ全体が輝度劣化補償発光期間Tとなる。即ち、図8に示す例では、ほぼ100%のデューティー比を実現していることがわかる。 In the example shown in FIG. 8, except for the period during which the data and writing the sensor initial voltage Vso is performed to the pixel circuit 110, almost the entire emission period T 0 in one frame and the luminance deterioration compensation emission period T 2 Become. That is, in the example shown in FIG. 8, it can be seen that a duty ratio of almost 100% is realized.

以上、所定の輝度劣化率aにおいて、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Li(換言すると、輝度劣化補償率Ld/Li)が最大となるように設定した場合における、有機EL素子OLの発光に係る各種特性について説明した。   As described above, the organic EL element OL in the case where the luminance deterioration rate Ld / Li after the luminance deterioration is compensated at the predetermined luminance deterioration rate a (in other words, the luminance deterioration compensation rate Ld / Li) is maximized. Various characteristics relating to the emission of the light have been described.

なお、実運用においては、目標値となる輝度劣化率aと、光センサPsの設計パラメタ(例えば、センサの大きさ、センサへの照射光量、センサ容量Csの値等)と、センサ初期電圧Vsoとの各設定に応じて、有機EL素子OLの輝度劣化率aが順次変化することとなる。ここで、当該実運用における輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liの変化について、具体的に説明する。なお、目標値となる輝度劣化率aが、「基準となる所定の輝度劣化率」の一例に相当する。 In actual operation, the luminance degradation rate a 0 as the target value, the design parameters of the optical sensor Ps (for example, the size of the sensor, the amount of light irradiated to the sensor, the value of the sensor capacitance Cs, etc.), and the sensor initial voltage In accordance with each setting of Vso, the luminance deterioration rate a of the organic EL element OL sequentially changes. Here, the change of the luminance deterioration rate Ld / Li after compensating for the luminance deterioration in the actual operation will be specifically described. Note that the luminance deterioration rate a 0 as the target value corresponds to an example of “a predetermined luminance deterioration rate as a reference”.

まず、前述した(式17)において、輝度劣化率a=aとし、当該(式17)を、前述した(式14)、(式15)、及び(式16b)に代入すると、以下に(式26)、(式27)、及び(式28)として示す関係式が導かれる。 First, in (Expression 17) described above, the luminance deterioration rate a = a 0 , and when (Expression 17) is substituted into (Expression 14), (Expression 15), and (Expression 16b) described above, the following ( The relational expressions shown as Expression 26), Expression 27, and Expression 28 are derived.

Figure 2016109913
Figure 2016109913

この場合における、輝度劣化率aの変化に伴う、デューティー比の変化の一例を、図9に示す。図9は、本実施形態に係る表示装置10における、輝度劣化率aとデューティー比との間の関係の一例を示したグラフである。図9において、横軸は、有機EL素子OLの輝度劣化率aを示している。また、縦軸は、デューティー比を示している。なお、図9に示す例では、輝度劣化の補償を行わない場合と、目標値として設定された輝度劣化率aが、a=0.95の場合、及び、a=0.9の場合とについて、輝度劣化率aとデューティー比との関係について示している。 FIG. 9 shows an example of the change in the duty ratio accompanying the change in the luminance deterioration rate a in this case. FIG. 9 is a graph showing an example of the relationship between the luminance deterioration rate a and the duty ratio in the display device 10 according to the present embodiment. In FIG. 9, the horizontal axis represents the luminance deterioration rate a of the organic EL element OL. The vertical axis represents the duty ratio. In the example shown in FIG. 9, when the luminance degradation is not compensated, the luminance degradation rate a 0 set as the target value is a 0 = 0.95, and a 0 = 0.9. For the case, the relationship between the luminance deterioration rate a and the duty ratio is shown.

図9に示した、a=0.95の場合、及び、a=0.9の場合のグラフを参照するとわかるように、本実施形態に係る表示装置10では、初期状態(即ち、輝度劣化率a=1)において、デューティー比が、目標値として設定された輝度劣化率aと略等しくなる。そして、輝度劣化率aの低下に伴いデューティー比は増加し、輝度劣化率a≦aにおいて最大値の1となる。なお、前述した(式26)、(式27)、及び(式28)に基づき、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Li(即ち、輝度劣化補償率Ld/Li)は、以下に示す(式29)及び(式30)で表される。 As can be seen from the graphs of a 0 = 0.95 and a 0 = 0.9 shown in FIG. 9, in the display device 10 according to the present embodiment, the initial state (that is, the luminance) in deterioration rate a = 1), the duty ratio is substantially equal to the luminance degradation factor a 0 that is set as the target value. As the luminance deterioration rate a decreases, the duty ratio increases, and reaches a maximum value of 1 when the luminance deterioration rate a ≦ a 0 . Note that the luminance deterioration rate Ld / Li (that is, the luminance deterioration compensation rate Ld / Li) after the luminance deterioration is compensated based on (Equation 26), (Equation 27), and (Equation 28) described above is as follows. (Expression 29) and (Expression 30).

Figure 2016109913
Figure 2016109913

この場合における、輝度劣化率aと、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Li(との関係の一例を、図10に示す。図10は、本実施形態に係る表示装置10における、輝度劣化率aと、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liとの間の関係の一例を示したグラフである。図10において、横軸は、有機EL素子OLの輝度劣化率aを示している。また、縦軸は、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liを示している。なお、図10に示す例では、輝度劣化の補償を行わない場合と、目標値として設定された輝度劣化率aが、a=0.95の場合、及び、a=0.9の場合とについて、輝度劣化率aとデューティー比との関係について示している。なお、輝度劣化の補償を行わない場合には、Ld/Liは、有機EL素子OLの輝度劣化率aを示すことは言うまでもない。 FIG. 10 shows an example of the relationship between the luminance deterioration rate a and the luminance deterioration rate Ld / Li () after compensating for the luminance deterioration in this case. FIG. 10 shows the display device 10 according to the present embodiment. 10 is a graph showing an example of the relationship between the luminance degradation rate a and the luminance degradation rate Ld / Li after compensating for the luminance degradation, where the horizontal axis represents the luminance degradation rate a of the organic EL element OL. The vertical axis represents the luminance deterioration rate Ld / Li after the luminance deterioration is compensated In the example shown in Fig. 10, the luminance deterioration compensation is not performed and the target value The relationship between the luminance deterioration rate a and the duty ratio is shown for the case where the luminance deterioration rate a 0 set as is a 0 = 0.95 and a 0 = 0.9. Ld / Li is not present when luminance degradation is not compensated. It goes without saying that indicates the luminance degradation ratio a of the EL element OL.

図9に示した、a=0.95の場合、及び、a=0.9の場合のグラフを参照するとわかるように、本実施形態に係る表示装置10では、有機EL素子OLの輝度劣化率aが、1からaに変化するまでの期間は、100%の輝度劣化補償が可能となる。 As can be seen from the graphs of a 0 = 0.95 and a 0 = 0.9 shown in FIG. 9, in the display device 10 according to the present embodiment, the luminance of the organic EL element OL is shown. deterioration rate a is, the period from 1 to change to a 0 is enabled 100% luminance deterioration compensation.

一方で、有機EL素子OLの輝度劣化率aがa未満(即ち、a<a)となる期間においては、当該輝度劣化率aの低下に伴い、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liも低下することとなる。しかしながら、輝度劣化率aがa未満となる期間においても、本実施形態に係る表示装置10に依れば、輝度劣化の補償を行わない場合に比べて、有機EL素子OLの劣化に伴う輝度の低下が抑制されていることがわかる。 On the other hand, in a period in which the luminance deterioration rate a of the organic EL element OL is less than a 0 (ie, a <a 0 ), the luminance deterioration rate after compensating for the luminance deterioration as the luminance deterioration rate a decreases. Ld / Li will also decrease. However, even in the period in which the luminance degradation factor a is less than a 0, according to the display device 10 according to the present embodiment, as compared with the case without compensation of luminance degradation, brightness due to deterioration of the organic EL element OL It can be seen that the decrease in the is suppressed.

即ち、図10に示すように、目標値となる輝度劣化率aをより低く設定することで、初期状態(即ち、輝度劣化率a=1)において、デューティー比が低くなるものの、広い範囲にわたって、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liを1とすることが可能となる(即ち、100%の輝度劣化補償が可能となる)。 That is, as shown in FIG. 10, by setting the luminance deterioration rate a 0 as the target value lower, the duty ratio becomes lower in the initial state (that is, the luminance deterioration rate a = 1), but over a wide range. Thus, the luminance degradation rate Ld / Li after compensating for the luminance degradation can be set to 1 (that is, 100% luminance degradation compensation is possible).

なお、前述したように、光センサPsは、例えば、フォトダイオードやフォトランジスタ等により構成され得る。一般的に、フォトダイオードは、前述した第2のモデルに近い特性を示す傾向にある。また、フォトランジスタは、前述した第1のモデルと第2のモデルとの中間の特性を示す傾向にある。   As described above, the optical sensor Ps can be configured by, for example, a photodiode or a phototransistor. In general, photodiodes tend to exhibit characteristics close to the second model described above. Further, the phototransistor tends to exhibit characteristics intermediate between the first model and the second model described above.

また、上記の説明では、図2に示す画素回路110の各トランジスタとして、Pチャネル型のトランジスタを適用した場合を例に説明したが、必ずしも同構成に限定するものではない。具体的な一例として、図2に示す画素回路110の各トランジスタを、Nチャネル型のトランジスタとして構成してもよい。なお、その場合には、各信号の電位の関係を、各トランジスタの特性にあわせて適宜変更すればよいことは言うまでもない。   In the above description, a case where a P-channel transistor is applied as each transistor of the pixel circuit 110 illustrated in FIG. 2 is described as an example; however, the structure is not necessarily limited to this. As a specific example, each transistor of the pixel circuit 110 illustrated in FIG. 2 may be configured as an N-channel transistor. In this case, it goes without saying that the relationship between the potentials of the signals may be changed as appropriate in accordance with the characteristics of the transistors.

以上、本実施形態に係る表示装置10における、有機EL素子OLの輝度劣化の補償に係る動作の原理について、図2及び図4〜図10を参照しながら、簡単なモデル式に基づき説明した。   As described above, the principle of the operation related to the compensation for the luminance deterioration of the organic EL element OL in the display device 10 according to the present embodiment has been described based on a simple model formula with reference to FIGS. 2 and 4 to 10.

<5.センサ初期電圧Vsoの設定方法>
次に、センサ初期電圧Vsoの設定方法の一例について説明する。本項では、有機EL素子OLの発光特性に応じて、相対輝度ごとのセンサ初期電圧Vsoを設定する方法の一例について、図11及び図12を参照して説明する。図11及び図12は、本実施形態に係る表示装置10における、相対輝度ごとのセンサ初期電圧Vsoの設定方法の一例について説明するための説明図である。
<5. Setting method of sensor initial voltage Vso>
Next, an example of a method for setting the sensor initial voltage Vso will be described. In this section, an example of a method for setting the sensor initial voltage Vso for each relative luminance in accordance with the light emission characteristics of the organic EL element OL will be described with reference to FIGS. 11 and 12. 11 and 12 are explanatory diagrams for describing an example of a method for setting the sensor initial voltage Vso for each relative luminance in the display device 10 according to the present embodiment.

本項で説明する相対輝度ごとのセンサ初期電圧Vsoの設定方法では、各相対輝度において、有機EL素子OLの輝度を測定しながら、センサ初期電圧Vsoを調整する。   In the method for setting the sensor initial voltage Vso for each relative luminance described in this section, the sensor initial voltage Vso is adjusted while measuring the luminance of the organic EL element OL at each relative luminance.

具体的には、まず図11に示すように、各階調(即ち、各相対輝度)で1フレーム中の発光期間Tを常時発光状態(即ち、T=T)に制御し、このときの有機EL素子OLの輝度Lを測定する。なお、このとき測定される輝度Lが、デューティー比が100%の場合の輝度となることは図11に示すとおりである。 Specifically, as shown in FIG. 11, first, the light emission period T 0 in one frame is controlled to always emit light (that is, T 0 = T 1 ) at each gradation (ie, each relative luminance). The luminance L of the organic EL element OL is measured. Note that, as shown in FIG. 11, the luminance L measured at this time is the luminance when the duty ratio is 100%.

次いで、同様の階調において、図12に示すように常時発光期間T=0として、センサ初期電圧Vsoを変化させながら、有機EL素子OLの輝度Lが、従前に測定した、デューティー比が100%の場合の輝度のa倍となるように調整する。即ち、目標値として設定された輝度劣化率aを、a=0.95とする場合には、デューティー比が100%の場合の輝度の0.95倍となるようにセンサ初期電圧Vsoを調整する。この場合には、図12に示すように、輝度劣化補償期間Tと、1フレーム中の発光期間Tとは、T=a・Tの関係を満たすこととなり、デューティー比は95%となる。 Next, in the same gradation, the luminance L of the organic EL element OL is measured while the duty ratio is 100 while the sensor initial voltage Vso is changed with the constant light emission period T 1 = 0 as shown in FIG. It adjusts so that it may become a0 times the brightness in the case of%. That is, when the luminance deterioration rate a 0 set as the target value is set to a 0 = 0.95, the sensor initial voltage Vso is set so as to be 0.95 times the luminance when the duty ratio is 100%. adjust. In this case, as shown in FIG. 12, the luminance deterioration compensation period T 2 and the light emission period T 0 in one frame satisfy the relationship of T 2 = a 0 · T 0 , and the duty ratio is 95 %.

なお、図9を参照して前述したとおり、本実施形態に係る表示装置10では、初期状態(即ち、有機EL素子OLの輝度劣化率a=1)におけるデューティー比は、目標値として設定された輝度劣化率aと略等しくなる。即ち、常時発光期間T=0として、有機EL素子OLの輝度Lが、従前に測定した、デューティー比が100%の場合の輝度のa倍となるようにセンサ初期電圧Vsoを調整することで、目標値となる輝度劣化率aが設定されたこととなる。以上の通り説明した調整を、各階調について適宜実施することで、階調ごとのセンサ初期電圧Vsoを特定すればよい。 As described above with reference to FIG. 9, in the display device 10 according to the present embodiment, the duty ratio in the initial state (that is, the luminance deterioration rate a = 1 of the organic EL element OL) is set as a target value. substantially equal to the luminance degradation factor a 0. That is, as always emission period T 1 = 0, the luminance L of the organic EL element OL is measured previously, to adjust the sensor initial voltage Vso as the duty ratio becomes a 0-fold brightness when 100% in, so that the luminance degradation factor a 0 as a target value is set. The sensor initial voltage Vso for each gradation may be specified by appropriately performing the adjustment described above for each gradation.

なお、上記に説明した調整は、必ずしも全ての階調について実施する必要はない。具体的な一例として、上記に説明した調整を一部の階調について実施し、その他の階調については、補間によりセンサ初期電圧Vsoを導出する構成としてもよい。もちろん、有機EL素子OLの輝度劣化をより正確に補正するためには、全階調(全相対輝度)について、上記に説明した調整を実施することが望ましいことは言うまでもない。   Note that the adjustment described above is not necessarily performed for all gradations. As a specific example, the adjustment described above may be performed for some gradations, and the sensor initial voltage Vso may be derived by interpolation for other gradations. Of course, in order to correct the luminance deterioration of the organic EL element OL more accurately, it goes without saying that it is desirable to carry out the adjustment described above for all gradations (total relative luminance).

以上、図11及び図12を参照して、センサ初期電圧Vsoの設定方法の一例について説明した。   The example of the method for setting the sensor initial voltage Vso has been described above with reference to FIGS. 11 and 12.

<6.まとめ>
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置10は、発光輝度(階調)に応じたDT信号の印加を受けて有機EL素子OLの輝度制御を行うための制御回路と、センサ初期電圧Vsoの印加を受けて有機EL素子OLの発光量を補正するための制御回路とを備える。このような構成をもとに、本実施形態に係る表示装置10は、1フレーム中の発光期間Tを、常時発光期間Tと、輝度劣化補償発光期間Tとに分けて制御する。即ち、本実施形態に係る表示装置10は、常時発光期間Tにおいて、発光輝度(階調)に応じた有機EL素子OLの輝度制御を行う。また、表示装置10は、当該常時発光期間Tに次いで設けられた輝度劣化補償発光期間Tの長さを制御することで、有機EL素子OLの輝度劣化量に応じて、当該有機EL素子OLの発光量を補正する(即ち、輝度劣化を補償する)。
<6. Summary>
As described above, the display device 10 according to the present embodiment includes the control circuit for performing the luminance control of the organic EL element OL in response to the application of the DT signal according to the emission luminance (gradation), and the sensor initial voltage. And a control circuit for correcting the light emission amount of the organic EL element OL in response to the application of Vso. Based on such a configuration, the display device 10 according to the present embodiment controls the light emission period T 0 in one frame by dividing it into a constant light emission period T 1 and a luminance deterioration compensation light emission period T 2 . That is, the display device 10 according to the present embodiment, the constant light emission period T 1, control the brightness of the organic EL element OL in accordance with the emission luminance (gradation). Further, the display device 10, by controlling the length of the continuously light-emitting period T 1 to then in luminance deterioration compensation emission period T 2 which is provided, in accordance with the luminance degradation of the organic EL element OL, the organic EL device The light emission amount of OL is corrected (that is, luminance deterioration is compensated).

このような構成により、本実施形態に係る表示装置10は、発光輝度(階調)に応じた有機EL素子OLの輝度制御と、有機EL素子OLの輝度劣化の補償とを独立して制御することが可能となる。即ち、本実施形態に係る表示装置10に依れば、より好適な態様で、有機EL素子OLの輝度設定と、当該有機EL素子OLの輝度劣化量に応じた発光量の補正とを実現することが可能となる。   With such a configuration, the display device 10 according to the present embodiment independently controls the luminance control of the organic EL element OL according to the emission luminance (gradation) and the compensation for the luminance deterioration of the organic EL element OL. It becomes possible. That is, according to the display device 10 according to the present embodiment, the luminance setting of the organic EL element OL and the correction of the light emission amount according to the luminance deterioration amount of the organic EL element OL are realized in a more preferable aspect. It becomes possible.

また、本実施形態に係る表示装置10では、有機EL素子OLの発光輝度(換言すると、電流Ic)の変化に応じてセンサ初期電圧Vsoを制御する。このような構成により、本実施形態に係る表示装置10では、有機EL素子OLの輝度劣化率aが、目標値として設定された輝度劣化率a以下の期間においては、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liを1に制御することが可能となる(即ち、100%の輝度劣化補償が可能となる)。 In the display device 10 according to the present embodiment, the sensor initial voltage Vso is controlled in accordance with a change in the light emission luminance (in other words, the current Ic) of the organic EL element OL. With such a configuration, in the display device 10 according to the present embodiment, after the luminance degradation rate a of the organic EL element OL is equal to or lower than the luminance degradation rate a 0 set as the target value, the luminance degradation is compensated. It is possible to control the luminance deterioration rate Ld / Li to 1 (that is, 100% luminance deterioration compensation is possible).

なお、本実施形態に係る表示装置10では、有機EL素子OLの輝度劣化率aがa未満(即ち、a<a)となる期間においては、当該輝度劣化率aの低下に伴い、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ld/Liも低下することとなる。しかしながら、本実施形態に係る表示装置10に依れば、輝度劣化率aがa未満となる期間においても、輝度劣化の補償を行わない場合に比べて、有機EL素子OLの劣化に伴う輝度の低下を抑制することが可能となる。 In the display device 10 according to the present embodiment, the luminance degradation factor a is less than a 0 of the organic EL element OL (i.e., a <a 0) in the composed period, with a decrease of the luminance degradation factor a, luminance The luminance deterioration rate Ld / Li after compensating for the deterioration also decreases. However, according to the display device 10 according to the present embodiment, even in a period during which the luminance degradation factor a is less than a 0, as compared with the case without compensation of luminance degradation, brightness due to deterioration of the organic EL element OL Can be suppressed.

また、本実施形態に係る表示装置10では、目標値となる輝度劣化率aの設定に応じて、初期状態(即ち、有機EL素子OLの輝度劣化率a=1の状態)におけるデューティー比を適宜調整することが可能である。また、本実施形態に係る表示装置10では、有機EL素子OLの劣化に応じてデューティー比が増加し、輝度劣化率a<aとなると、デューティー比が1となる。即ち、本実施形態に係る表示装置10に依れば、デューティー比は、常に、目標値となる輝度劣化率aに基づき決定される値以上となるように制御される。そのため、本実施形態に係る表示装置10に依れば、目標値となる輝度劣化率aを、当該表示装置10の運用形態にあわせて適宜設定することで、所謂疑似輪郭の発生を抑制することが可能となる。 In the display device 10 according to this embodiment, depending on the setting of the luminance degradation factor a 0 as a target value, the initial state (i.e., the luminance degradation factor a = 1 in the state of the organic EL element OL) a duty ratio in It is possible to adjust appropriately. In the display device 10 according to the present embodiment, the duty ratio increases in accordance with the deterioration of the organic EL element OL, and the duty ratio becomes 1 when the luminance deterioration rate a <a 0 is satisfied. That is, According to the display device 10 according to the present embodiment, the duty ratio is always controlled to be equal to or greater than the value determined on the basis of the luminance degradation factor a 0 as a target value. Therefore, according to the display device 10 according to the present embodiment, the generation of the so-called pseudo contour is suppressed by appropriately setting the luminance deterioration rate a 0 as the target value according to the operation mode of the display device 10. It becomes possible.

また、本実施形態に係る表示装置10では、「5.センサ初期電圧Vsoの設定方法」として説明した簡単な手順により、目標値となる輝度劣化率aを適宜調整することが可能である。即ち、本実施形態に係る表示装置10に依れば、目標値となる輝度劣化率aに応じた輝度劣化補償のための制御を、当該表示装置10の運用形態にあわせて適宜設定することが可能である。 Further, in the display device 10 according to the present embodiment, it is possible to appropriately adjust the luminance deterioration rate a 0 that is the target value by the simple procedure described as “5. Setting method of the sensor initial voltage Vso”. That is, according to the display device 10 according to the present embodiment, the control for luminance deterioration compensation according to the luminance deterioration rate a 0 that is the target value is appropriately set according to the operation mode of the display device 10. Is possible.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can come up with various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims. Of course, it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention.

10 表示装置
100 表示部
110 画素回路
112 走査線
113 補償制御信号線
114 データ線
115 補償用電圧信号線
120 スキャンドライバ
130 データドライバ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Display apparatus 100 Display part 110 Pixel circuit 112 Scan line 113 Compensation control signal line 114 Data line 115 Compensation voltage signal line 120 Scan driver 130 Data driver

Claims (11)

マトリックス状に配置された画素回路を含む表示装置であって、
前記画素回路は、
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、
前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサと、
前記発光素子の輝度を制御するための第1の電圧の印加を受けて、前記発光素子を発光させるための第1の電流量を制御する第1の制御回路と、
前記第1の電圧に応じて決定された第2の電圧の印加を受けて、前記第1の電流量を基準として、前記第2の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第2の電流量を制御する第2の制御回路と、
を備えることを特徴とする、表示装置。
A display device including pixel circuits arranged in a matrix,
The pixel circuit includes:
A light emitting element that emits light with a luminance according to the amount of current;
An optical sensor for detecting the luminance of light emitted from the light emitting element;
A first control circuit for controlling a first current amount for causing the light emitting element to emit light upon application of a first voltage for controlling the luminance of the light emitting element;
Receiving the second voltage determined in accordance with the first voltage, and based on the second voltage and the detection result of the photosensor with the first current amount as a reference, the light emission A second control circuit for controlling a second amount of current supplied to the element;
A display device comprising:
前記第2の制御回路は、前記第2の電圧に応じて、1フレーム中における前記発光素子の発光期間を制御する、請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the second control circuit controls a light emission period of the light emitting element in one frame in accordance with the second voltage. 前記第1の電圧に応じた前記第2の電圧は、基準となる所定の輝度劣化率に基づき、あらかじめ設定されることを特徴とする、請求項1または2に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the second voltage corresponding to the first voltage is set in advance based on a predetermined luminance deterioration rate as a reference. 前記第1の電圧に応じた前記第2の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、1フレーム中における当該発光素子の発光期間が、所定の期間となるようにあらかじめ設定されることを特徴とする、請求項3に記載の表示装置。   The second voltage corresponding to the first voltage is such that when the luminance deterioration rate of the light emitting element is the predetermined luminance deterioration rate, the light emission period of the light emitting element in one frame is a predetermined period. The display device according to claim 3, wherein the display device is preset so that 前記第2の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、当該発光素子が所定のデューティー比で発光するようにあらかじめ設定されることを特徴とする、請求項3または4に記載の表示装置。   The second voltage is set in advance so that when the luminance deterioration rate of the light emitting element is the predetermined luminance deterioration rate, the light emitting element emits light at a predetermined duty ratio. The display device according to claim 3 or 4. 前記第2の制御回路は、
印可された前記第2の電圧を保持する容量と、
前記光センサの検出結果と、前記容量に保持された前記第2の電圧とに応じて決定されるゲート電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する発光制御トランジスタと、
を備えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の表示装置。
The second control circuit includes:
A capacity for holding the applied second voltage;
A light emission control transistor for controlling the amount of current flowing between the source and the drain based on the gate voltage determined according to the detection result of the photosensor and the second voltage held in the capacitor;
The display device according to claim 1, comprising:
前記容量に保持された前記第2の電圧の放電期間は、前記光センサの検出結果に応じて制御され、
前記放電期間に基づき、1フレーム中における前記発光素子の発光期間の長さが制御される、請求項6に記載の表示装置。
The discharge period of the second voltage held in the capacitor is controlled according to the detection result of the photosensor,
The display device according to claim 6, wherein a length of a light emission period of the light emitting element in one frame is controlled based on the discharge period.
前記第1の制御回路は、
ゲート端子に印可される前記前記第1の電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する駆動トランジスタを備え、
前記発光素子に供給される電流量は、前記駆動トランジスタと、前記第2の制御回路とに基づき制御される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の表示装置。
The first control circuit includes:
A driving transistor for controlling an amount of current flowing between a source and a drain based on the first voltage applied to a gate terminal;
The display device according to claim 1, wherein an amount of current supplied to the light emitting element is controlled based on the driving transistor and the second control circuit.
前記駆動トランジスタは、前記第2の制御回路の前段に設けられ、
前記第2の制御回路は、前記駆動トランジスタを介して供給される前記第1の電流量を基準として、前記発光素子に供給される前記第2の電流量を制御する、請求項8に記載の表示装置。
The driving transistor is provided in a stage preceding the second control circuit;
The said 2nd control circuit controls the said 2nd electric current amount supplied to the said light emitting element on the basis of the said 1st electric current amount supplied via the said drive transistor. Display device.
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるための表示方法であって、
前記発光素子の輝度を制御するための第1の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第1の電流量を制御することと、
前記第1の電流量を基準として、前記第1の電圧に応じて決定された第2の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第2の電流量を制御することと、
を含むことを特徴とする、表示方法。
A pixel circuit including a light emitting element that emits light with luminance according to the amount of current and a light sensor that detects the luminance of light emitted from the light emitting element displays an image on a display device arranged in a matrix. Display method for
Controlling a first current amount for causing the light emitting element to emit light based on a first voltage for controlling the luminance of the light emitting element;
Based on the second voltage determined according to the first voltage with the first current amount as a reference, and the detection result of the photosensor, a second current amount supplied to the light emitting element is obtained. Control and
The display method characterized by including.
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるためのプログラムであって、
前記発光素子の輝度を制御するための第1の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第1の電流量を制御することと、
前記第1の電流量を基準として、前記第1の電圧に応じて決定された第2の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第2の電流量を制御することと、
を実行させることを特徴とする、プログラム。


A pixel circuit including a light emitting element that emits light with luminance according to the amount of current and a light sensor that detects the luminance of light emitted from the light emitting element displays an image on a display device arranged in a matrix. A program for
Controlling a first current amount for causing the light emitting element to emit light based on a first voltage for controlling the luminance of the light emitting element;
Based on the second voltage determined according to the first voltage with the first current amount as a reference, and the detection result of the photosensor, a second current amount supplied to the light emitting element is obtained. Control and
A program characterized by having executed.


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