KR102445341B1 - Display device and displaying method of the same, and programing method of the same - Google Patents
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Abstract
화소마다의 발광 소자의 열화량에 따라서, 당해 발광 소자의 발광량을 보다 바람직한 형태로 보정한다. 매트릭스 형상으로 배치된 화소 회로를 포함하는 표시 장치로서, 상기 화소 회로는, 전류량에 따른 휘도에서 발광하는 발광 소자; 상기 발광 소자로 공급되는 전류량을, 인가된 제 1 전압에 따라서 제어하는 구동 회로; 제어 단자로 인가된 제 1 게이트 전압에 따라서, 상기 발광 소자와 상기 구동 회로 사이의 도통 상태와 비도통 상태를 전환하는 제 1 트랜지스터; 상기 발광 소자로부터 출사되는 광의 휘도를 검출하는 광 센서; 상기 제 1 전압에 따라서 인가된 제 2 전압을 유지하는 용량; 및 상기 제 1 트랜지스터로의 상기 제 1 게이트 전압의 인가를 제어하는 제 2 트랜지스터; 를 구비하고, 상기 제 2 트랜지스터는 상기 광 센서의 검출 결과와, 상기 용량에 유지된 상기 제 2 전압에 따라서 결정되는 제 2 게이트 전압에 기초하여 도통 상태로 전환되고, 상기 제 1 트랜지스터는 상기 제 2 트랜지스터가 도통 상태로 전환함으로써, 인가되는 상기 제 1 게이트 전압에 기초하여 비도통 상태로 제어되는 것을 특징으로 하는 표시 장치가 제공된다.According to the amount of deterioration of the light emitting element for each pixel, the light emission amount of the light emitting element is corrected in a more preferable manner. A display device including pixel circuits arranged in a matrix, the pixel circuit comprising: a light emitting element emitting light at a luminance according to an amount of current; a driving circuit for controlling the amount of current supplied to the light emitting element according to the applied first voltage; a first transistor for switching between a conductive state and a non-conductive state between the light emitting element and the driving circuit according to a first gate voltage applied to a control terminal; an optical sensor detecting the luminance of light emitted from the light emitting device; a capacity for maintaining an applied second voltage in accordance with the first voltage; and a second transistor that controls application of the first gate voltage to the first transistor. wherein the second transistor is switched to a conductive state based on a detection result of the optical sensor and a second gate voltage determined according to the second voltage held in the capacitor, and the first transistor is Provided is a display device characterized in that the two transistors are switched to a conductive state and thus controlled to a non-conductive state based on the applied first gate voltage.
Description
본 발명은 표시 장치, 표시 방법, 및 프로그램에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, a display method, and a program.
최근에 있어서는, 표시 장치로서, 유기 EL(Organic Electro-Luminescence) 소자 등의 자발광 소자를 포함하는 화소가 행렬 형상(매트릭스 형상)으로 배치되어 있는 평면형(플랫 패널 형)의 표시 장치가 제공되고 있다.In recent years, as a display device, a flat panel (flat panel type) display device in which pixels including self-luminous elements such as organic EL (Organic Electro-Luminescence) elements are arranged in a matrix shape (matrix shape) has been provided. .
한편, 유기 EL 소자와 같은 자발광 소자(이후에는, 단지 「발광 소자」로 기재하는 경우가 있다)는 그 발광 휘도와 발광 시간에 비례하여 열화하는 특성이 있는 것으로 알려져 있다. 표시 장치에 표시되는 영상의 내용은 일률적이지 않기 때문에 발광 소자(유기 EL 소자)의 열화도 일률적이지 않다. 예를 들어, 흰색과 같이 휘도가 높은 색을 표시하고 있는 발광 소자는 흑색과 같이 휘도가 낮은 색을 표시하고 있는 발광 소자에 비해 더 쉽게 열화될 수 있다.On the other hand, it is known that a self-luminous element such as an organic EL element (hereinafter, simply referred to as a "light-emitting element") has a property of deterioration in proportion to the light-emitting luminance and the light-emitting time. Since the content of the image displayed on the display device is not uniform, the deterioration of the light emitting element (organic EL element) is not uniform. For example, a light emitting device displaying a color with high luminance such as white may be more easily degraded than a light emitting device displaying a color with low luminance such as black.
열화가 많이 진행된 발광 소자는 열화의 진행이 늦은 다른 발광 소자에 비해 휘도가 상대적으로 저하하는 경향이 있다. 이와 같은 현상은 일반적으로 「이미지·스틱킹(번인:burn-in)」으로서 알려져 있다.The luminance of the light emitting device in which deterioration has progressed relatively tends to decrease compared to other light emitting elements in which deterioration is slow. Such a phenomenon is generally known as "image sticking (burn-in)".
이와 같이, 발광 소자의 열화에 따른 화소 사이의 휘도의 변화를 저감하는 기술의 일 예가 특허 문헌 1(일본 특허 공개 공보 2001-524090)에 개시되어 있다. 즉, 특허 문헌1에 개시된 기술에 따르면, 화소 회로 내에 마련된 포토다이오드에 의해 발광 소자로부터의 광의 일부를 수광하고, 수광 결과에 기초하여 발광 소자로 공급되는 전류량을 제어함으로써, 당해 발광 소자의 휘도 열화를 보상하고 있다. 그러나, 특허 문헌 1에 따른 기술에서는, 발광 소자로 공급되는 전류량을 제어하기 위한 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키게 되기 때문에, 당해 트랜지스터의 특성 변동의 영향을 받고, 동작이 불안정하게 되는 경우가 있다.As described above, an example of a technique for reducing a change in luminance between pixels due to deterioration of a light emitting element is disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-524090). That is, according to the technique disclosed in
또한, 다른 일 예로서, 특허 문헌 2(일본 특허 공개 공보 2006-506307)에는, 화소 회로 내에 마련된 포토다이오드에 의해 발광 소자로부터의 광의 일부를 수광하고, 수광 결과에 기초하여 발광 소자의 발광 시간(듀티비)를 제어함으로써, 당해 발광 소자의 휘도 열화를 보상하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 특허 문헌 2에 따르면, 발광 시의 듀티비를 제어함으로써 발광 소자의 발광량을 제어하는 구동 방식 때문에, 동영상을 표시하는 경우에 있어서, 본래 표시되어 있지 않은 윤곽이 관측되는 이른바 유사 윤곽이 발생하는 경우가 있다.In addition, as another example, in Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-506307), part of the light from the light emitting element is received by a photodiode provided in the pixel circuit, and based on the light reception result, the light emission time of the light emitting element ( A technique for compensating for luminance deterioration of the light emitting element by controlling the duty ratio) is disclosed. However, according to
여기서, 본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 본 발명의 목적으로 하는 것은 화소마다의 발광 소자의 열화량에 따라서, 당해 발광 소자의 발광량을 보다 바람직한 형태로 보정하는 것이 가능한, 표시 장치, 표시 방법, 및 프로그램을 제공하는 것에 있다.Here, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is a display device, a display capable of correcting the light emission amount of the light emitting element in a more preferable form according to the amount of deterioration of the light emitting element for each pixel. To provide a method, and a program.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 화소 회로는 발광 소자, 구동 회로, 제1 트랜지스터, 제1 광 센서, 용량, 및 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 발광 소자는 전류량에 따른 휘도의 광을 출사하고, 상기 구동회로는 인가된 제1 전압에 대응하게 상기 발광 소자에 공급되는 전류량을 제어한다. 상기 제1 트랜지스터는 제1 제어 단자로 인가된 제1 게이트 전압에 응답하여 상기 발광 소자와 상기 구동 회로의 전기적 연결을 스위칭한다. 상기 제1 광 센서는 상기 발광 소자로부터 출사된 광의 휘도를 검출한다. 상기 용량은 상기 제1 전압을 반영한 제2 전압을 유지한다. 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터에 상기 제1 게이트 전압을 제공한다. 상기 제2 트랜지스터는 상기 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 응답하여 턴-온된다. 상기 제1 트랜지스터는 상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 응답하여 턴-오프된다.A pixel circuit of a display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device, a driving circuit, a first transistor, a first optical sensor, a capacitor, and a second transistor. The light emitting device emits light having a luminance according to the amount of current, and the driving circuit controls the amount of current supplied to the light emitting device in response to the first applied voltage. The first transistor switches an electrical connection between the light emitting device and the driving circuit in response to a first gate voltage applied to the first control terminal. The first optical sensor detects the luminance of the light emitted from the light emitting device. The capacitor maintains a second voltage reflecting the first voltage. The second transistor provides the first gate voltage to the first transistor. The second transistor is turned on in response to a second gate voltage determined by the detected light luminance and the second voltage maintained at the capacitance. The first transistor is turned off in response to the first gate voltage applied when the second transistor is turned on.
상기 용량에 유지된 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 검출된 광의 휘도에 따라 제어된다. 상기 방전 기간에 기초하여 상기 발광 소자의 발광 기간이 제어될 수 있다.The discharge period of the second voltage held in the capacitor is controlled according to the luminance of the detected light. A light emission period of the light emitting device may be controlled based on the discharge period.
상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 제어 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함할 수 있다.The first transistor may include the first control terminal, a first terminal, and a second terminal.
상기 제2 트랜지스터는 제2 제어 단자, 제3 단자, 및 제4 단자를 포함할 수 있다.The second transistor may include a second control terminal, a third terminal, and a fourth terminal.
상기 제2 트랜지스터의 상기 제3 단자는 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 제어 단자에 접속될 수 있다. 상기 제1 광 센서의 한 쪽 단자와 상기 용량의 한 쪽 단자 각각은 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자에 접속될 수 있다.The third terminal of the second transistor may be connected to the first control terminal of the first transistor. One terminal of the first optical sensor and one terminal of the capacitor may each be connected to the second control terminal of the second transistor.
상기 제1 광센서에 직렬 접속하고 상기 용량에 대해 병렬 접속하며 상기 발광 소자로부터 출사된 광이 직접 인가되지 않는 제2 광 센서를 더 포함하고, 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 제1 광 센서 및 상기 제2 광 센서의 검출 결과에 의해 제어될 수 있다.and a second optical sensor connected in series to the first optical sensor and connected in parallel with respect to the capacitance and to which the light emitted from the light emitting element is not directly applied, wherein the discharge period of the second voltage is the first optical sensor and a detection result of the second optical sensor.
상기 제2 제어 단자와 상기 제3 단자 사이의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다. A first switching element for switching an electrical connection between the second control terminal and the third terminal may be further included.
상기 발광 소자의 발광 기간 이전에 정의된 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터와 상기 제1 스위칭 소자가 턴-온되고, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 가질 수 있다.The second transistor and the first switching element may be turned on during a preparation period defined before the light emission period of the light emitting element, and the second control terminal may have a potential reflecting a threshold voltage of the second transistor. .
상기 제2 전압에 상기 문턱값 전압이 보상될 수 있다.The threshold voltage may be compensated for the second voltage.
상기 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자의 전위는 문턱값 전압이 반영되지 않은 값에서 문턱값 전압이 반영된 값으로 변경될 수 있다.During the preparation period, the potential of the second control terminal of the second transistor may be changed from a value to which the threshold voltage is not reflected to a value to which the threshold voltage is reflected.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 화소 회로는 제2 용량 및 상기 제1 용량의 한 쪽 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제2 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.The pixel circuit of the display device according to an embodiment of the present invention may further include a second capacitor and a second switching element providing the second voltage to one terminal of the first capacitor.
상기 제2 용량은 상기 제2 스위칭 소자와 상기 제1 용량의 한 쪽 단자 사이에 개재한다. 상기 제2 스위칭 소자가 턴-온 될 때, 상기 제2 전압이 상기 제2 용량을 통하여 상기 제1 용량의 상기 한 쪽 단자로 인가된다.The second capacitor is interposed between the second switching element and one terminal of the first capacitor. When the second switching element is turned on, the second voltage is applied to the one terminal of the first capacitor through the second capacitor.
상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자가 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 가진 이후에, 상기 제2 스위칭 소자가 턴-온될 수 있다.After the second control terminal of the second transistor has a potential reflecting the threshold voltage of the second transistor, the second switching element may be turned on.
상기 제2 트랜지스터의 상기 제4 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제3 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.A third switching element providing the second voltage to the fourth terminal of the second transistor may be further included.
상기 제2 트랜지스터, 상기 제1 스위칭 소자, 및 상기 제3 스위칭 소자가 턴-온 될때, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자로 상기 제2 전압이 인가됨으로써, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압이 반영된 전위를 가질 수 있다.When the second transistor, the first switching element, and the third switching element are turned on, the second voltage is applied to the second control terminal of the second transistor, so that the second control terminal is connected to the second control terminal. 2 The threshold voltage of the transistor may have a reflected potential.
상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 스위칭 소자에 동기하여 스위칭될 수 있다.The third switching element may be switched in synchronization with the first switching element.
본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시 방법은 상기 제1 광 센서에서 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 기초하여 상기 제2 트랜지스터가 턴-온 되는 단계 및 상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 기초하여 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프되는 단계를 포함할 수 있다.In the image display method according to an embodiment of the present invention, the second transistor is turned on based on a second gate voltage determined by the luminance of the light detected by the first optical sensor and the second voltage maintained in the capacitance. It may include turning on the first transistor and turning off the first transistor based on the first gate voltage applied when the second transistor is turned on.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 화소 회로마다의 발광 소자의 열화량에 따라서, 당해 발광 소자의 발광량을 보다 바람직한 형태로 보정하는 것이 가능한, 표시 장치, 표시 방법, 및 프로그램이 제공된다.As described above, according to the present invention, there is provided a display device, a display method, and a program capable of correcting the amount of light emitted by the light emitting element in a more preferable manner according to the amount of deterioration of the light emitting element for each pixel circuit.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서 휘도 열화 보상의 원리에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서 휘도 열화 보상의 원리에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 동 실시 형태에 따른 화소 회로의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다.
도 6은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 7은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 8은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 9는 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 10은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 11은 발광 휘도에 따른, 보상용 데이터 신호의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 12는 발광 휘도에 따른, 보상용 데이터 신호의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 13은 발광 휘도에 따른, 보상용 데이터 신호의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 화소 회로의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 15는 동 실시 형태에 따른 화소 회로의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다.
도 16은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 17은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 18은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 19는 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 20은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.1 is an explanatory diagram for explaining a principle of luminance deterioration compensation in a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is an explanatory diagram for explaining the principle of luminance deterioration compensation in the display device according to the embodiment of the present invention.
3 is an explanatory diagram for explaining an example of the configuration of the display device according to the first embodiment of the present invention.
4 is an explanatory diagram for explaining an example of the configuration of the pixel circuit according to the embodiment.
5 is a schematic timing chart for explaining an example of driving timing of the
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 5 .
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 5 .
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 5 .
9 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 5 .
FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 5 .
11 is an explanatory diagram for explaining an example of control of a data signal for compensation according to emission luminance.
12 is an explanatory diagram for explaining an example of control of a data signal for compensation according to emission luminance.
13 is an explanatory diagram for explaining an example of control of a data signal for compensation according to emission luminance.
14 is an explanatory diagram for explaining an example of the configuration of the pixel circuit according to the first embodiment of the present invention.
15 is a schematic timing chart for explaining an example of driving timing of the pixel circuit according to the embodiment.
FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 15 .
17 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 15 .
FIG. 18 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 15 .
19 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 15 .
FIG. 20 is an explanatory diagram for explaining a connection relationship between elements constituting a pixel circuit at each timing shown in FIG. 15 .
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써, 중복 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described in detail, referring an accompanying drawing. In addition, in this specification and drawing, about the component which has substantially the same functional structure, the same code|symbol is attached|subjected, and redundant description is abbreviate|omitted.
<1. 보상의 원리><1. Principle of Compensation>
먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치의 특징을 보다 쉽게 이해하기 위해, 당해 표시 장치가, 화소 회로마다 발광 소자의 열화량에 따라서, 당해 발광 소자의 발광량을 보상(보정)하는 제어(즉, 휘도 열화 보상)의 원리에 대해서 설명한다.First, in order to more easily understand the characteristics of the display device according to the embodiment of the present invention, the display device controls (ie, corrects) the amount of light emitted by the display device according to the amount of deterioration of the light emitting device for each pixel circuit. , luminance deterioration compensation) will be described.
예를 들어, 도 1 및 도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서 휘도 열화 보상의 원리를 설명하기 위한 설명도이다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로의 회로 구성을 나타낸다. 특히, 휘도 열화 보상을 위한 회로에 초초점을 맞추어 모델화하였다. 또한, 도 2는 도 1에서 나타낸 회로의 개략적인 구동 타이밍에 대해서 특히, 발광 소자의 발광 시간에 초점을 맞추어 나타내고 있다.For example, FIGS. 1 and 2 are explanatory diagrams for explaining the principle of luminance deterioration compensation in the display device according to the embodiment of the present invention. For example, FIG. 1 shows a circuit configuration of a pixel circuit of a display device according to an embodiment of the present invention. In particular, it was modeled with a focus on the circuit for luminance degradation compensation. In addition, FIG. 2 shows the schematic driving timing of the circuit shown in FIG. 1 with a particular focus on the light emission time of the light emitting element.
도 1에 나타내는 화소 회로는 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(EM-TFT), 유기 EL 소자(OLED), 광 센서(Ps), 및 센서 용량(Cs)을 포함한다.The pixel circuit shown in FIG. 1 includes a
유기 EL 소자(OLED)는 이른바, 전류 구동 소자이고, 공급되는 구동 전류(Ic)에 비례하여 발광 휘도가 변화한다.The organic EL element OLED is a so-called current driving element, and the luminance of light emission changes in proportion to the supplied driving current Ic.
구동 회로(117)는 데이터 신호(Data, 휘도에 따른 전압 신호)의 공급을 받아서, 당해 데이터 신호(Data)에 따른 휘도로 유기 EL 소자(OLED)를 발광시킨다. 구동 회로(117)는 데이터 신호(Data)에 대응하는 구동 전류(Ic)를 출력한다.The driving
구동 회로(117)는 예를 들어, 2 개의 트랜지스터와 하나의 유지 용량을 포함하는 이른바 2T1C 회로나, 6 개의 트랜지스터와 하나의 유지 용량을 포함하는 이른바 6T1C 회로 등에 의해 구성될 수 있다. 이와 같은 구성인 경우에는, 구동 회로(117)는 예를 들어, 이른바 구동 트랜지스터를 포함하고, 당해 구동 트랜지스터의 게이트 단자에 데이터 신호(Data)를 공급함으로써, 당해 데이터 신호(Data)에 따라서 변화하는 소스-드레인 사이 전류를 구동 전류(Ic)로서 출력한다.The driving
물론, 상기에 나타내는 구동 회로(117)의 구성은 어디까지나 일 예이고, 공급된 데이터 신호(Data)에 따라서, 출력되는 구동 전류(Ic)를 제어 가능하면(즉, 데이터 신호(Data)를 아날로그 전류(Ic)로 변환 가능하면), 당해 구동 회로(117)의 구성은 특별히 한정되지 않는다.Of course, the configuration of the driving
제어 트랜지스터(EM-TFT)는 예를 들어, P 채널형의 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)에 의해 구성될 수 있다.The control transistor EM-TFT may be configured by, for example, a P-channel type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
제어 트랜지스터(EM-TFT)의 소스 단자 측에는 구동 회로(117)가 접속되어 있고, 드레인 단자 측에는, 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 측이 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자의 캐소드 측에는 전원 전압(ELVSS)이 접속되어 있다. 즉, 제어 트랜지스터(EM-TFT)가 턴-온된 경우(즉, 소스-드레인 사이에 전류 패스가 형성된 상태)에는, 구동 회로(117)로부터의 구동 전류(Ic)가 제어 트랜지스터(EM-TFT)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)로 공급되고, 당해 구동 전류(Ic)에 대응하게 유기 EL 소자(OLED)가 발광하게 된다.The driving
광 센서(Ps)는 예를 들어, 포토다이오드나 포토트랜지스터 등에 의해 구성될 수 있다. 또한, 광 센서(Ps)의 재료로서는, 예를 들어, 폴리 실리콘, 아모퍼스 실리콘 등을 들 수 있다. 광 센서(Ps)는 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 소정의 전위의 전극에 접속되어 있다. 광 센서(Ps)는 유기 EL 소자(OLED)로부터의 출사된 광의 일부를 수신한다.The optical sensor Ps may be configured by, for example, a photodiode or a phototransistor. Moreover, as a material of the optical sensor Ps, polysilicon, amorphous silicon, etc. are mentioned, for example. In the optical sensor Ps, one terminal is connected to the gate terminal of the control transistor EM-TFT, and the other terminal is connected to an electrode having a predetermined potential. The optical sensor Ps receives a part of the light emitted from the organic EL element OLED.
또한, 센서 용량(Cs)의 한 쪽의 단자는 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자에 접속되고, 다른 쪽의 단자는 광 센서(Ps)와 마찬가지로 소정의 전위의 전극에 접속되어 있다. 센서 용량(Cs)은 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자로 인가된 전압을 유지한다.In addition, one terminal of the sensor capacitor Cs is connected to the gate terminal of the control transistor EM-TFT, and the other terminal is connected to an electrode of a predetermined potential similarly to the optical sensor Ps. The sensor capacitance Cs maintains the voltage applied to the gate terminal of the control transistor EM-TFT.
광 센서(Ps)에 의해 유기 EL 소자(OLED)로부터 출사된 광이 검출되면, 검출된 광의 휘도(즉, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도)에 대응하는 전류가 광 센서(Ps)에 흐른다. 이하, 광 센서(Ps)의 검출 결과(검출된 광의 휘도)에 대응하게 광 센서(Ps)에 흐르는 전류를 「센싱 전류(Is)」로 기재하는 경우가 있다.When the light emitted from the organic EL element OLED is detected by the optical sensor Ps, a current corresponding to the luminance of the detected light (that is, the luminance of the organic EL element OLED) flows through the optical sensor Ps. Hereinafter, the current flowing through the optical sensor Ps corresponding to the detection result (the luminance of the detected light) of the optical sensor Ps is sometimes described as "sensing current Is".
센서 용량(Cs)에 유지된 전압은 광 센서(Ps)의 검출 결과에 따른 센싱 전류(Is)에 의해 방전되고, 센서 용량(Cs)의 방전에 의해 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위가 상승한다. 즉, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)는 광 센서(Ps)에서 검출된 광의 휘도에 따른 센싱 전류(Is), 및 센서 용량(Cs)의 시정수에 의존하여 상승한다. 그리고, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)가 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)는 턴-오프(즉, 소스-드레인 사이에 전류패스가 차단된 상태) 된다.The voltage maintained in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is according to the detection result of the optical sensor Ps, and the gate terminal of the control transistor EM-TFT is discharged by the discharge of the sensor capacitance Cs. potential rises. That is, the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT rises depending on the sensing current Is according to the luminance of the light detected by the optical sensor Ps, and the time constant of the sensor capacitance Cs. . And, when the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT reaches the threshold voltage Vth of the control transistor EM-TFT, the control transistor EM-TFT is turned off (that is, The current path between the source and drain is blocked).
이하, 트랜지스터나 스위칭 소자에 전류패스가 형성된 상태를 「턴-온 상태」라 칭하고, 전류패스가 차단된 상태를 「턴-오프 상태」라 칭하는 경우가 있다.Hereinafter, a state in which a current path is formed in a transistor or a switching element is referred to as a “turn-on state”, and a state in which the current path is blocked is sometimes referred to as a “turn-off state”.
여기서, 도 2를 참조하여, 유기 EL 소자(OLED)의 열화량에 따른, 유기 EL 소자(OLED)의 발광량 보상(보정)에 대해서 설명한다. 도 2에 있어서, 참조 부호(T0)는 1 프레임 기간에 정의된 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간을 나타내고 있다. 또한, 참조 부호(T1)는 열화 전의 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간을 나타내고 있다. 또한, 유기 EL 소자(OLED)의 열화 전의 상태를, 이후에는 「초기 상태」로 기재하는 경우가 있다.Here, with reference to FIG. 2 , compensation (correction) of the emission amount of the organic EL element OLED according to the amount of deterioration of the organic EL element OLED will be described. In FIG. 2 , reference numeral T 0 denotes a light emission period of the organic EL element OLED defined in one frame period. In addition, reference sign T 1 has shown the light emission period of the organic EL element OLED before deterioration. In addition, the state before deterioration of organic electroluminescent element OLED may be described later as "initial state".
초기 상태에 비해 유기 EL 소자(OLED)의 열화가 진행하면, 열화에 따라 유기 EL 소자(OLED)의 휘도는 저하하기 때문에, 광 센서(Ps)에 따른 센싱 전류(Is)는 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 감소한다. 센서 용량(Cs)에 유지된 전압의 방전 시간이 길어지고, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)가 문턱값 전압(Vth)에 도달하는 시간이 길어지기 때문에, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간도 길어진다. 도 2에 있어서, 참조 부호(T2)로 나타낸 보상 발광 기간은 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 연장된 발광 기간을 나타내고 있다.If the organic EL element OLED is deteriorated compared to the initial state, the luminance of the organic EL element OLED decreases according to the deterioration, so that the sensing current Is according to the optical sensor Ps is ) decreases with deterioration. Since the discharge time of the voltage held in the sensor capacitance Cs becomes longer and the time for the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT to reach the threshold voltage Vth becomes longer, the organic EL element The light emission period of (OLED) is also lengthened. In FIG. 2 , the compensated light emission period indicated by the reference symbol T 2 represents the light emission period extended according to the deterioration of the organic EL element OLED.
여기서, 유기 EL 소자(OLED)의 발광량은 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류(즉, 구동 전류(Ic))와 발광 기간의 길이에 비례한다. 그러므로, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에서는, 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 발광 기간을 연장시킴으로써, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화를 보상할 수 있다.Here, the amount of light emitted from the organic EL element OLED is proportional to the current flowing through the organic EL element OLED (ie, the driving current Ic) and the length of the light emission period. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the luminance deterioration of the organic EL element OLED can be compensated for by extending the light emission period according to the deterioration of the organic EL element OLED.
또한, 상기에 설명한 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 발광 기간을 연장시키기 위한 화소 회로의 상세한 구성의 일 예에 대하여는 별도로 후술한다.In addition, an example of the detailed configuration of the pixel circuit for extending the light emission period according to the deterioration of the organic EL element OLED described above will be separately described later.
이상, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치가, 화소 회로마다 발광 소자의 열화량에 따라서 발광 소자의 발광량을 보상(보정)하는 제어의 원리에 대해서 설명하였다.The principle of control in which the display device according to the embodiment of the present invention compensates (corrects) the light emission amount of the light emitting element according to the deterioration amount of the light emitting element for each pixel circuit has been described above with reference to FIGS. 1 and 2 .
<2. 제1 실시 형태><2. First embodiment>
[2.1. 표시 장치의 구성][2.1. Configuration of display device]
이어서, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다. 먼저, 도 3을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)의 기능 구성의 일 예에 대하여 설명한다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다. 또한, 도 3에 있어서, 도면의 횡 방향을 행 방향(X 방향), 세로 방향을 열 방향(Y 방향)으로 나타낸다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 표시부(100), 스캔 드라이버(120), 및 데이터 드라이버(130)를 갖는다.Next, the display device according to the first embodiment of the present invention will be described. First, an example of a functional configuration of the
표시부(100)는 복수의 화소 회로(110)를 갖는다. 데이터 신호에 대응하는 영상은 복수의 화소 회로(110)에 의해 정의되는 표시 화소에서 표시된다. 표시부(100)에는 각각이 행 방향(X 방향)을 향하여 연장된 복수의 주사 선(112 및 113)과, 복수의 초기화 신호 선(116)이 배치된다. 또한, 표시부(100)에는 각각이 열 방향(Y 방향)을 향하여 연장된 복수의 데이터 선(114) 및 보상용 신호 선(115)이 배치된다. 또한, 본 설명에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 표시부(100)에는, n(n은 2 이상의 정수)개의 주사 선(112), n(n은 2 이상의 정수)개의 주사 선(113), 및 n(n은 2 이상의 정수)개의 초기화 신호 선(116)과, m(m은 2 이상의 정수)개의 데이터 선(114) 및 m(m은 2 이상의 정수)개의 보상용 신호 선(115)가 배치될 수 있다.The
복수의 화소 회로(110) 각각은 행 방향(X 방향)으로 연장된 복수의 주사 선(112 및 113)과, 열 방향(Y 방향)으로 연장된 복수의 데이터 선(114)이 교차하는 영역에 각각 배치될 수 있다. 화소 회로(110)의 상세한 구성에 대하여는 별도로 후술한다.Each of the plurality of
또한, 표시부(100)에는, 고전위 전원(VDD, 도 4 참조), 저전위 전원(VGL, 도 4 참조), 전원 전압(ELVDD 및 ELVSS, 도 4 참조)이 접속되고, 도시하지 않은 상위의 제어 회로에 의한 제어에 기초하여, 각 전원으로부터 전원에 대응하는 전압이 인가된다.In addition, a high potential power supply (VDD, see FIG. 4 ), a low potential power supply (VGL, see FIG. 4 ), and power supply voltages (ELVDD and ELVSS, see FIG. 4 ) are connected to the
스캔 드라이버(120)에는 Y 방향으로 배열된 복수의 주사 선(112 및 113)과, 복수의 초기화 신호 선(116)이 접속되어 있다.A plurality of
스캔 드라이버(120)는 X 방향으로 배열된 복수의 주사 선(112 및 113)을 통하여 화소행들에 Scan 신호들을 공급한다. 이때, 주사 선(113)에는 주사 선(112)에 Scan 신호가 공급되는 타이밍보다도 1 수평 주사 기간만큼 빠른 타이밍으로 Scan 신호가 공급된다. 즉, i 번째(1 ≤ i ≤ n)의 수평 주사 기간에 공급되는 Scan 신호를 Scan(i) 신호라 하면, 화소 회로(110)는 주사 선(112)을 통하여 Scan(i) 신호를 수신하고 주사 선(113)를 통하여 Scan(i-1) 신호를 수신한다.The
또한, 스캔 드라이버(120)는 화소 회로(110)에 Scan 신호를 공급하는 타이밍에 따라서 화소 회로(110)에 초기화 신호(Init)를 공급한다. 또한, 이후의 설명에서는, i 번째의 수평 주사 기간에 대응하여 공급되는 초기화 신호(Init)를 「초기화 신호(Init(i))」로 기재하는 경우가 있다.Also, the
데이터 드라이버(130)에는 X 방향으로 배열된 복수의 데이터 선(114) 및 복수의 보상용 신호 선(115)가 접속되어 있다.A plurality of
데이터 드라이버(130)는 화소열들마다 배열된 데이터 선들(114)을 통하여 화소열들에 대응하는 발광 휘도(바꾸어 말하면, 계조)에 따른 데이터 신호들(Data)(전압 신호)을 공급한다. 또한, 이후의 설명에서는, 제 j 열의 화소 회로(110)에 대해 공급되는 데이터 신호(Data)를 「데이터 신호(Data)(j)」로 기재하는 경우가 있다.The
또한, 데이터 드라이버(130)는 화소열들마다 배열된 보상용 신호 선들(115)을 통하여 화소열들에 대응하는 발광 휘도(계조)에 따른 보상용 데이터 신호들(Comp. Data)을 공급한다. 또한, 이후의 설명에서는 제 j 열의 화소 회로(110)에 대해 공급되는 보상용 데이터 신호(Comp. Data)를 「Data(j)」라 기재하는 경우가 있다. In addition, the
이상, 도 3을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)의 기능 구성의 일 예에 대하여 설명하였다. 또한, 상기에 설명한 표시 장치(10)의 기능 구성은 어디까지나 일 예이고, 화소 회로(110)에 대해, 각 신호를 공급하는 것이 가능하면, 스캔 드라이버(120)나 데이터 드라이버(130)의 구성은 특별히 한정되지 않는다.An example of the functional configuration of the
[2.2. 화소 회로의 구성][2.2. Configuration of pixel circuit]
이어서, 도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 일 예에 대하여 설명한다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다. 도 4는 도 3에 나타내는 표시부(100)를 구성하는 복수의 화소 회로(110) 중 제 n 행에 배치되는 화소 회로(110)의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 표시부(100)를 구성하는 다른 화소 회로(110)에 대하여는, 도 4에 나타내는 화소 회로(110)의 구성과 동일한 구성을 취하는 것이 가능하기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.Next, an example of the
도 4에 나타내는 바와 같이, 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED), 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 스위칭 트랜지스터(M2, M4, M15, 및 M31), 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 센서 용량(Cs), 및 용량들(C1 및 C2)을 포함한다.As shown in FIG. 4 , the
제어 트랜지스터(M1 및 M3)는 예를 들어, P 채널형의 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)에 의해 구성될 수 있다.The control transistors M1 and M3 may be configured by, for example, a P-channel type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
또한, 구동 회로(117)는 도 1을 참조하여 전술한 구동 회로(117)에 상당한다.In addition, the driving
도 4에 나타내는 바와 같이, 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자 측에는 구동 회로(117)가 접속되어 있고, 드레인 단자 측에는, 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 측이 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자의 캐소드 측에는 전원 전압(ELVSS)이 접속되어 있다.As shown in FIG. 4 , the driving
구동 회로(117)는 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여, 데이터 선(114)에 접속되어 있다. 스위칭 트랜지스터(M31)는 주사 선(112)을 통하여 전달되는 Scan(n) 신호에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, Scan(n) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 됨으로써, 데이터 선(114)을 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다. 또한, 구동 회로(117)에는, 도시하지 않은 전원 전압(ELVDD)으로부터 전원 전압이 공급된다.The driving
이와 같은 구성에 의해, 구동 회로(117)는 데이터 선(114) 및 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여 공급된 데이터 신호(Data)에 따른 구동 전류(Ic)를 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자로 공급한다.With this configuration, the driving
제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자에는 고전위 전원(VDD)이 접속되고, 드레인 단자에는 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자가 접속된다. 즉, 제어 트랜지스터(M3)가 턴-온 또는 턴-오프됨에 따라 제어 트랜지스터(M1)가 턴-온 또는 턴-오프된다. 또한, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 이후에는, 「노드(Na)」로 기재하는 경우가 있다. 또한, 제어 트랜지스터(M1 및 M3) 각각이 턴-온 상태 또는 턴-오프 상태로 전환하는 타이밍에 대한 상세한 설명은 화소 회로(110)의 구동 타이밍에 맞추어 별도로 후술한다.The high potential power supply VDD is connected to the source terminal of the control transistor M3, and the gate terminal of the control transistor M1 is connected to the drain terminal. That is, as the control transistor M3 is turned on or off, the control transistor M1 is turned on or off. Note that the node to which the gate terminal of the control transistor M1 is connected is hereinafter referred to as "node Na" in some cases. In addition, a detailed description of the timing at which each of the control transistors M1 and M3 is switched to the turn-on state or the turn-off state will be separately described later according to the driving timing of the
용량(C1)은 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자에 접속하는 노드(Nb)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 또한, 노드(Nb)와 저전위 전원(VGL) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M2)가 개재된다. 스위칭 트랜지스터(M2)는 초기화 신호 선(116)을 통하여 공급되는 초기화 신호(Init)에 따라서 턴-온 또는 턴-오프된다.The capacitor C1 is connected to a node Nb having one terminal connected to the gate terminal of the control transistor M1, and the other terminal connected to the high potential power supply VDD. In addition, a switching transistor M2 is interposed between the node Nb and the low potential power supply VGL. The switching transistor M2 is turned on or off according to the initialization signal Init supplied through the
또한, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 「노드(Na)」라 한 경우 보상용 신호 선(115)과 노드(Na)는 스위칭 트랜지스터(M15) 및 용량(C2)을 통하여 접속된다. 스위칭 트랜지스터(M15)는 주사 선(112)을 통하여 전달되는 Scan(n) 신호에 따라서 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, Scan(n) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M15)가 턴-온 됨으로써, 보상용 신호 선(115)을 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 노드(Na)로 공급된다.In addition, when the node to which the gate terminal of the control transistor M3 is connected is referred to as "node Na", the
제어 트랜지스터(M3)의 드레인 단자(바꾸어 말하면, 노드(Nb))와 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M4)가 개재한다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자와 드레인 단자 사이를 바이패스함으로써, 제어 트랜지스터(M3)를 다이오드 접속시킨다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압의 변화를 보상한다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 주사 선(113)을 통하여 전달되는 Scan(n-1) 신호에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프된다.A switching transistor M4 is interposed between the drain terminal (in other words, the node Nb) and the gate terminal (in other words, the node Na) of the control transistor M3. The switching transistor M4 diode-connects the control transistor M3 by bypassing between the gate terminal and the drain terminal of the control transistor M3. The switching transistor M4 compensates for a change in the threshold voltage of the control transistor M3. The switching transistor M4 is turned on or off in response to a Scan(n-1) signal transmitted through the
광 센서(Ps1 및 Ps2)는 예를 들어, 포토다이오드나 포토트랜지스터 등에 의해 구성될 수 있다. 또한, 광 센서(Ps1 및 Ps2)의 재료로서는 예를 들어, 폴리 실리콘, 아모퍼스 실리콘 등을 들 수 있다.The optical sensors Ps1 and Ps2 may be configured by, for example, a photodiode or a phototransistor. Moreover, as a material of the optical sensors Ps1 and Ps2, polysilicon, amorphous silicon, etc. are mentioned, for example.
광 센서(Ps1, 이하 제1 광 센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터 출사된 광의 일부를 수신한다. 제1 광 센서(Ps1)는 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자기 접속한 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저전위 전원(VGL)에 접속된다.The optical sensor Ps1 (hereinafter, referred to as the first optical sensor) receives a portion of the light emitted from the organic EL element OLED. The first optical sensor Ps1 has one terminal connected to the node Na connected to the gate terminal of the control transistor M3, and the other terminal connected to the low potential power supply VGL.
광 센서(Ps2, 이하 제2 광 센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터 출사된 광을 직접 수신하지는 않는다. 화소 회로(110)의 구조 등의 요인에 의해, 주위로부터 침입하여 오는 반사 광이나, 다른 화소 회로(110)로부터 제공되는 광 등의 노이즈 성분을 검출한다. 제2 광 센서(Ps2)는 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속한 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 이때, 광 센서(Ps1 및 Ps2)는 직렬로 접속된다. 이와 같은 구성에 의해, 제1 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 기초하여, 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)로부터, 제2 광 센서(Ps2)의 검출 결과에 기초한 노이즈 성분이 제거(캔슬)된다.The optical sensor Ps2 (hereinafter, referred to as the second optical sensor) does not directly receive the light emitted from the organic EL device OLED. A noise component such as reflected light entering from the surroundings or light provided from another
센서 용량(Cs)은 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속된 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저전위 전원(VGL)에 접속된다. 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)는 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 검출 결과에 따라서 방전되고, 상기 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다. 또한, 상세에 대하여는, 별도 후술한다.As for the sensor capacitance Cs, one terminal is connected to the node Na to which the gate terminal of the control transistor M3 is connected, and the other terminal is connected to the low potential power supply VGL. The compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged according to the detection results of the optical sensors Ps1 and Ps2, and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is discharged by the discharge. Controlled. In addition, the detail is mentioned later separately.
이상, 도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명하였다.An example of the configuration of the
[2.3. 구동 타이밍][2.3. drive timing]
이어서, 도 5 ~ 도 10을 참조하여, 도 4에 나타낸, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명한다. 도 5는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다. 또한, 도 6 ~ 도 10은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.Next, an example of driving timing of each element constituting the
도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 1 프레임 기간(Frame)을 복수의 기간(T11~T16)으로 나눠서, 화소 회로(110)를 구동한다. 또한, 복수의 기간(T11~T16) 중 일부의 기간(T13~T15)이 유기 EL 소자(OLED)가 발광하는 발광 기간에 상당하고, 다른 기간(T11, T12, 및 T16)이 유기 EL 소자(OLED)가 소등하는 비발광 기간에 상당한다. 또한, 도 5는 복수의 기간(T11~T16)에 나타나는 초기화 신호(Init), Scan(n-1) 신호, 및 Scan(n) 신호의 변화와 노드들(Na 및 Nb)의 전위의 변화를 도시하였다. 또한, 일부의 기간(T11 및 T12)으로 나타낸 기간이 1개의 수평 주사 기간(1H)에 상당한다. 또한, 기간(T11 및 T12)으로 나타낸 기간과 동일한 시간 폭을 갖는 기간(T13 및 T14)으로 나타낸 기간도 1개의 수평 주사 기간(1H)에 상당하게 된다.5 , the
먼저, 제1 기간(T11)에 대해 설명한다. 도 6은 제1 기간(T11)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제1 기간(T11) 동안에 초기화 신호(Init)에 따라서 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-온 상태로 전환되고, Scan(n-1) 신호에 따라서 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴-온 상태로 전환된다. 또한, 이때, 스위칭 트랜지스터(M15 및 M31)는 턴-오프 상태이다. 또한, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)는턴-오프 상태로 된다.First, the first period T 11 will be described. 6 illustrates a connection relationship between elements constituting the
도 6에 나타내는 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(M2 및 M4)가 턴-온 상태로 전환됨으로써, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에 저전위 전원(VGL)이 라이트된다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)의 전위)가 저전위 전원(VGL)으로 초기화된다.As shown in FIG. 6 , when the switching transistors M2 and M4 are switched to the turned-on state, the low-potential power supply VGL is written to the gate terminal of the control transistor M3. Thereby, the gate terminal (in other words, the potential of the node Na) of the control transistor M3 is initialized to the low potential power supply VGL.
이어서, 제2 기간(T12)에 대해 설명한다. 도 7은 제2 기간(T12)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제2 기간(T12) 동안에 초기화 신호(Init)에 따라서 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환한다. 또한, 제1 기간(T11) 동안에 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 전압(VGL)에 의해 초기화됨으로써, 제2 기간(T12) 동안에 제어 트랜지스터(M3)가 톤-온 상태로 전환한다. 그러므로, 제어 트랜지스터(M3)와 스위칭 트랜지스터(M4) 각각이 턴-온 상태로 되고, 제어 트랜지스터(M3)의 드레인 단자(노드(Nb))와 게이트 단자(노드(Na))가 바이패스된다. 제어 트랜지스터(M3)는 이른바 다이오드 접속 된다.Next, the second period T 12 will be described. 7 illustrates a connection relationship between elements constituting the
여기서, 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압을 Vth라 하면, 제어 트랜지스터(M3)가 다이오드 접속됨으로써 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))의 전위는 문턱값 전압(Vth)을 반영한 전위(VDD-Vth)로 제어된다. 이와 같은 제어에 의해, 복수의 화소 회로(110) 사이에 있어서, 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 변화가 보상된다.Here, if the threshold voltage of the control transistor M3 is Vth, the potential of the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 is diode-connected so that the potential of the control transistor M3 reflects the threshold voltage Vth. It is controlled by the potential (VDD-Vth). By such control, a change in the threshold voltage Vth of the control transistor M3 between the plurality of
이어서, 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14)에 대해 설명한다. 도 8은 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14) 동안에 Scan(n) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 상태로 전환된다. 이것에 의해, 데이터 선(114)을 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다.Next, the third period T 13 and the fourth period T 14 will be described. FIG. 8 shows the connection relationship between elements constituting the
또한, 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14) 동안에 Scan(n) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M15)가 턴-온 상태로 전환되고, Scan(n-1) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴-오프 상태로 전환된다. 이것에 의해, 보상용 신호 선(115)을 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data )가 스위칭 트랜지스터(M15) 및 용량(C2)을 통하여 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))에 라이트된다. 또한, 이때, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)은 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth) 보다 높아지기 때문에, 제어 트랜지스터(M3)는 턴-오프 상태로 전환한다.In addition, the switching transistor M15 is switched to a turn-on state in response to the Scan(n) signal during the third period T 13 and the fourth period T 14 , and in response to the Scan(n-1) signal The switching transistor M4 is switched to a turn-off state. Thereby, the compensating data signal Comp.Data transmitted through the compensating
또한, 스위칭 트랜지스터(M2)는 초기화 신호(Init)에 의해 제3 기간(T13) 동안에 턴-온 상태로 전환되고, 제4 기간(T14) 동안에 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Nb))에, 저전위 전원(VGL)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-온 상태로 전환된다.In addition, the switching transistor M2 is switched to the turn-on state during the third period T 13 by the initialization signal Init and is switched to the turn-off state during the fourth period T 14 . Thereby, the low potential power supply VGL is written to the gate terminal (node Nb) of the control transistor M1, and the control transistor M1 is switched to the turn-on state.
이상과 같은 제어에 기초하여, 구동 회로(117)로부터, 데이터 신호(Data)에 대응하는 구동 전류(Ic)가 제어 트랜지스터(M1)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)에 공급되고, 유기 EL 소자(OLED)가 구동 전류(Ic)에 대응하는 휘도로 발광한다.Based on the above control, the driving current Ic corresponding to the data signal Data is supplied from the driving
이어서, 제5 기간(T15)에 대해 설명한다. 도 9는 제5 기간(T15)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제5 기간(T15) 동안에 Scan(n) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M15 및 M31)가 턴-오프 상태로 전환된다.Next, the fifth period T 15 will be described. 9 illustrates a connection relationship between elements constituting the
스위칭 트랜지스터(M15)가 턴-오프 상태로 전환되면, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))가 플로팅되고, 센서 용량(Cs)에 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 유지된다. 또한, 유기 EL 소자(OLED)가 발광됨에 따라 발광된 광의 휘도에 대응하는 센싱 전류(Is)가 광 센서들(Ps1 및 Ps2)에 흐른다. 이때, 센싱 전류(Is)에 의해 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 방전되고, 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 저하한다, When the switching transistor M15 is switched to the turn-off state, the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 floats, and the compensation data signal Comp.Data is maintained in the sensor capacitance Cs. . In addition, as the organic EL element OLED emits light, a sensing current Is corresponding to the luminance of the emitted light flows through the optical sensors Ps1 and Ps2. At this time, the compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is, and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is lowered by the discharge.
이어서, 제6 기간(T16)에 대해 설명한다. 도 10은 제6 기간(T16)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 도 10에 도시된 것과 같이, 광 센서(Ps1 및 Ps2)의 검출된 광의 휘도에 기초하는 센싱 전류(Is)에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하도록 낮아지고, 제어 트랜지스터(M3)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Nb))에 전압(VDD)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-오프 상태로 전환된다. 이것에 의해, 구동 회로(117)로부터 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 구동 전류(Ic)가 차단되고, 유기 EL 소자(OLED)는 소등한다.Next, the sixth period T 16 will be described. 10 illustrates a connection relationship between elements constituting the
또한, 상술한 일련의 동작은 표시 장치(10)의 각 구성을 동작시키는 장치의 CPU를 기능시키기 위한 프로그램에 의해 달성할 수 있다. 이 프로그램은 그 장치에 인스톨된 OS(Operating System)를 통하여 실행되도록 구성할 수 있다. 또한, 이 프로그램은 상술한 처리를 실행하는 구성이 포함되는 장치가 읽기 가능하면, 기억되는 위치에 한정되지 않는다. 예를 들어, 장치의 외부로부터 접속되는 기록 매체에 프로그램이 저장될 수도 있다. 이 경우에는 프로그램이 저장된 기록 매체를 장치에 접속함으로써, 그 장치의 CPU에 프로그램을 실행시키도록 구성하면 된다.In addition, the above-described series of operations can be achieved by a program for causing the CPU of the device to operate each component of the
이상, 도 5 내지 도 10을 참조하여, 도 4에 도시된 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하였다. 또한, 상기에 설명한 예에있어서 P 채널 형의 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 적용하는 경우를 예에 설명하였으나, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)는 반드시 P 채널형의 트랜지스터에 한정되지 않는다. 구체적인 일 예로서, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 N 채널형의 트랜지스터로 하여 구성할 수 있다. 또한, 그 경우에는, 각 신호의 전위의 관계를 각 트랜지스터의 특성에 맞춰서 적절하게 변경할 수 있다.An example of driving timing of each element constituting the
[2.4. 보상용 데이터 신호의 제어][2.4. Control of data signal for compensation]
본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 있어서, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명한다.An example of control of the compensation data signal Comp.Data in the
도 5 및 도 8을 참조하여 전술한 바와 같이, 하나의 프레임 기간(Frame) 중의 제3 및 제4 기간(T13 및 T14, 도 5 참조)에 있어서, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)은 보상용 데이터 신호(Comp.Data)에 기초하여 결정된다. 또한, 제3 및 제4 기간(T13 및 T14, 도 5 참조)에 있어서 게이트 전압(Vg)은 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 센싱 전류(Is)에 의해 변화되는 제5 기간(T15)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값에 상당한다. 즉, 게이트 전압(Vg)의 초기 값에 의해유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간(특히, 제5 기간(T15))이 변화하게 된다.As described above with reference to FIGS. 5 and 8 , in the third and fourth periods ( T 13 and T 14 , see FIG. 5 ) of one frame period, the gate voltage ( Vg) is determined based on the compensation data signal Comp.Data. In addition, in the third and fourth periods ( T 13 and T 14 , see FIG. 5 ), the gate voltage Vg is changed by the sensing current Is of the light sensors Ps1 and Ps2 in the fifth period T 15 ) corresponds to the initial value of the gate voltage Vg. That is, the light emission period (particularly, the fifth period T 15 ) of the organic EL element OLED is changed according to the initial value of the gate voltage Vg.
또한, 계조에 따른 데이터 신호(Data)에 의해 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도도 변화되고, 발광 휘도의 변화에 의해 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)도 변화한다.Also, the emission luminance of the organic EL device OLED is changed by the data signal Data according to the grayscale, and the sensing current Is flowing through the first optical sensor Ps1 also changes according to the change in the emission luminance.
구체적인 일 예로서, 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도는 높아진다. 발광 휘도가 높아짐에 따라 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)가 커지고 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간은 짧아진다.As a specific example, when white (255 grayscale) is displayed, the emission luminance of the organic EL device OLED is increased. As the emission luminance increases, the sensing current Is flowing through the first optical sensor Ps1 increases, and the emission period of the organic EL device OLED decreases.
흰색(255 계조)을 표시시키는 경우에 비해 회색 등의 중간 계조(예를 들어, 128 계조)를 표시시키는 경우, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도는 낮아지고 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)도 작아진다. 그러므로, 흰색(255 계조)을 표시시키는 경우에 비해 회색 등의 중간 계조(예를 들어, 128 계조)를 표시시키는 경우, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간은 길어지는(예를 들어, 2 배의 길이로 되는) 경향이 있다.Compared to the case of displaying white (255 gradations), in the case of displaying an intermediate gradation (eg, 128 gradations) such as gray, the emission luminance of the organic EL device OLED is lowered and the luminance of light flowing through the first optical sensor Ps1 is lowered. The sensing current Is also decreases. Therefore, when displaying an intermediate gradation (eg, 128 gradation) such as gray compared to the case of displaying white (255 gradation), the emission period of the organic EL element OLED becomes longer (eg, 2 times) ) tends to be the length of
한편으로, 상기에 나타내는 바와 같이, 표시시키는 계조에 의존하여 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이 변화되면 보상 정밀도에 영향을 미친다. 계조 표시를 위해 발광된 광과 휘도 열화 보상을 위해 발광된 광 중 제1 광 센서(Ps1)의 검출 대상이 되는 광을 판별하는 것이 곤란하기 때문이다.On the other hand, as shown above, if the light emission period of the organic EL element OLED is changed depending on the gradation to be displayed, the compensation accuracy is affected. This is because it is difficult to discriminate the light to be detected by the first optical sensor Ps1 from among the light emitted for gradation display and the light emitted for luminance deterioration compensation.
이와 같은 상황을 감안하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 발광 휘도(계조)에 따라서 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 제어하고 있다. 여기서, 도 11 내지 도 13을 참조하여, 발광 휘도(계조)에 따른, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명한다. 도 11 내지 도 13은 발광 휘도(계조)에 따른 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.In consideration of such a situation, in the
예를 들어, 도 11은 발광 휘도(계조)에 따른 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어에 대해서 설명하기 위해, 모델화된 화소 회로의 회로 구성의 일 예를 나타내고 있다. 도 11에 도시된 화소 회로는 도 1을 참조하여 설명한 화소 회로에 비해 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자에 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 공급하기 위한 구성을 더 포함하고 있다.For example, FIG. 11 shows an example of a circuit configuration of a modeled pixel circuit in order to explain the control of the compensation data signal Comp.Data according to the emission luminance (grayscale). The pixel circuit illustrated in FIG. 11 further includes a configuration for supplying the data signal Comp.Data for compensation to the gate terminal of the control transistor EM-TFT compared to the pixel circuit described with reference to FIG. 1 .
즉, 도 11에 도시된 화소 회로에 따르면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자로 공급된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 센서 용량(Cs)에 유지된다. 또한, 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)는 광 센서(Ps)의 검출 결과에 따른 센싱 전류(Is)에 의해 방전되고, 센서 용량의 방전에 의해 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위가 상승한다. 그리고, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)가 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 문턱값 전압(Vth)으로 상승하면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)는 턴-오프 상태로 된다.That is, according to the pixel circuit shown in FIG. 11 , the compensation data signal Comp.Data supplied to the gate terminal of the control transistor EM-TFT is maintained in the sensor capacitance Cs. In addition, the compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is according to the detection result of the optical sensor Ps, and the control transistor EM is discharged by the sensor capacitance. -TFT), the potential of the gate terminal rises. Then, when the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT rises to the threshold voltage Vth of the control transistor EM-TFT, the control transistor EM-TFT is turned off. .
여기서, 도 12를 참조한다. 도 12는 발광 휘도(계조)에 의존하지 않고 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값을 고정 한 경우에 있어서, 발광 휘도들(계조) 각각의 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 시계열에 따른 변화의 일 예를 나타내고 있다. 도 12에 나타내는 그래프에 있어서, 횡축은 시간(t)을 나타내고 있고, 종축은 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)을 나타내고 있다. 또한, 도 12에 나타내는 예에서는, 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우와 회색 등의 중간 계조(128 계조)를 표시시키는 경우 각각에 대해서 시계열에 따른 게이트 전압(Vg)의 변화를 예시적으로 나타내고 있다. 또한, 도 12에 나타내는 예에서는, 유기 EL 소자(OLED)가 열화하지 않은 상태(초기 상태)인 것으로 가정한다.Here, reference is made to FIG. 12 . 12 shows the gate voltage ( EM-TFT) of the control transistor EM-TFT for each of the emission luminances (grayscale) when the voltage value of the compensation data signal Comp.Data is fixed without depending on the emission luminance (gradation) An example of the time series change of Vg) is shown. In the graph shown in FIG. 12 , the horizontal axis represents time t, and the vertical axis represents the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT. In addition, in the example shown in FIG. 12, the change of the gate voltage Vg according to time series is exemplarily shown for the case of displaying white (255 gradations) and the case of displaying intermediate gradations (128 gradations) such as gray. have. In addition, in the example shown in FIG. 12, it is assumed that the organic electroluminescent element OLED is a state (initial state) in which it is not deteriorated.
도 12에 나타내는 바와 같이, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값이 발광 휘도(계조)에 의존하지 않고 일정하기 때문에, 흰색(255 계조)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값과 중간 계조(128 계조)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값은 서로 동일하다. 또한, 도 12에 나타내는 게이트 전압(Vg)의 전압 값(Vginit)은 도 12에 나타내는 예에 있어서, 게이트 전압(Vg)의 초기 값을 나타내고 있다.12, since the voltage value of the compensating data signal Comp.Data is constant and does not depend on the emission luminance (grayscale), the initial value of the gate voltage Vg of white (255 grayscale) and the intermediate grayscale The initial values of the gate voltages Vg of (128 gradations) are equal to each other. In addition, the voltage value Vginit of the gate voltage Vg shown in FIG. 12 has shown the initial value of the gate voltage Vg in the example shown in FIG.
전술한 바와 같이, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)은 광 센서(Ps)를 흐르는 센싱 전류(Is)에 의해 초기 값(Vginit)으로부터 시계열에 따라 상승한다. 그리고, 게이트 전압(Vg)이 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)는 턴-오프 상태로 전환되고, 유기 EL 소자(OLED)는 소등한다.As described above, the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT increases in time series from the initial value Vginit by the sensing current Is flowing through the optical sensor Ps. Then, when the gate voltage Vg reaches the threshold voltage Vth of the control transistor EM-TFT, the control transistor EM-TFT is switched to a turn-off state, and the organic EL element OLED is turned off. do.
이때, 도 12에 나타내는 바와 같이, 게이트 전압(Vg)이 문턱값 전압(Vth)에 도달하는 기간은 광 센서(Ps)에 의해 검출된 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도에 따라 다르다. 예를 들어, 도 12에 도시된 거소가 같이 유기 EL 소자(OLED)가 흰색(255 계조)를 표시하는 경우에 비해 중간 계조(128 계조)를 표시하는 경우, 게이트 전압(Vg)이 문턱값 전압(Vth)에 도달하는 시간이 길어진다(예를 들어 2배 길어진다.).At this time, as shown in FIG. 12 , the period during which the gate voltage Vg reaches the threshold voltage Vth depends on the emission luminance of the organic EL element OLED detected by the optical sensor Ps. For example, in the case where the organic EL device OLED displays a half gray scale (128 gray scale) compared to the case where the organic EL device OLED displays white (255 gray scale) as shown in FIG. 12 , the gate voltage Vg is the threshold voltage The time to reach (Vth) becomes longer (for example, it becomes twice as long).
도 13은 발광 휘도(계조)에 따라 다르게 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값을 제어한 경우, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 시계열에 따른 변화를 예시적으로 나타내고 있다. 또한, 도 12에 나타내는 그래프에 있어서 횡축 및 종축은 도 12에 나타내는 그래프와 동일하다. 또한, 도 13에 나타내는 예에서는, 도 12에 나타내는 예와 마찬가지로, 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우와, 회색 등의 중간 계조(128 계조)를 표시시키는 경우의 쌍방에 대해서, 시계열에 따른 게이트 전압(Vg)의 변화의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 도 13에 나타내는 예에서는, 유기 EL 소자(OLED)가 열화하지 않은 상태(초기 상태) 인 것으로 한다.13 exemplarily illustrates the time series change of the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT when the voltage value of the compensation data signal Comp.Data is controlled differently according to the emission luminance (grayscale) is indicating In addition, in the graph shown in FIG. 12, a horizontal axis and a vertical axis|shaft are the same as that of the graph shown in FIG. In the example shown in Fig. 13, similarly to the example shown in Fig. 12, both the case of displaying white (255 gradations) and the case of displaying intermediate gradations (128 gradations) such as gray are gated according to time series. An example of a change in the voltage Vg is shown. In addition, in the example shown in FIG. 13, let it be the state (initial state) in which the organic electroluminescent element OLED has not deteriorated.
도 13에 있어서, 참조 부호(Vg128)는 중간 계조(128 계조)를 표시시키는 경우에 있어서 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값에 따른 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 참조 부호(Vg255)는 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우에 있어서 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값에 따른 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값의 일 예를 나타내고 있다.In FIG. 13 , reference sign Vg 128 indicates the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT according to the voltage value of the compensation data signal Comp.Data in the case of displaying the intermediate grayscale (128 grayscale). ) shows an example of the initial value. In addition, the reference sign Vg 255 denotes an initial value of the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT according to the voltage value of the compensation data signal Comp.Data when white (255 grayscale) is displayed. shows an example of
도 13에 나타내는 예에서는, 흰색(255 계조) 및 중간 계조(128 계조)을 표시하는 경우, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)이 문턱값 전압(Vth)에 도달하기까지의 기간(즉, 도 13 중의 기준 발광 기간(T5))이 일정하게 되도록 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg255 및 Vg128)이 조정되어 있다.In the example shown in Fig. 13, when white (255 gradations) and halftones (128 gradations) are displayed, the period until the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT reaches the threshold voltage Vth. The initial values Vg 255 and Vg 128 of the gate voltage Vg are adjusted so that (that is, the reference light emission period T 5 in FIG. 13 ) becomes constant.
구체적인 일 예로서, 중간 계조(128 계조)를 표시한 경우에 비해 흰색(255 계조)를 표시한 경우에 단위 시간당 게이트 전압(Vg)의 변화량이 2배 일 수 있다. 흰색(255 계조)를 표시한 경우에 있어서, 문턱값 전압(Vth)에 도달하기까지의 게이트 전압(Vg)의 변화량이 중간 계조(128 계조)를 표시한 경우의 2 배가 되도록, 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg256 및 Vg128)을 설정할 수 있다. 또한, 도 13에 나타내는 바와 같이, 흰색(255 계조)에 대응하는 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg255)과 중간 계조(128 계조)에 대응하는 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg128) 사이의 대소 관계는 Vg255 < Vg128로 된다.As a specific example, the amount of change of the gate voltage Vg per unit time may be doubled when white (255 grays) is displayed compared to when intermediate grays (128 grays) are displayed. In the case of displaying white (255 gradations), the gate voltage Vg is such that the amount of change in the gate voltage Vg until the threshold voltage Vth is reached is twice that of displaying the intermediate gradation (128 gradations). ) can be set to initial values (Vg 256 and Vg 128 ). Also, as shown in FIG. 13 , the initial value (Vg 255 ) of the gate voltage Vg corresponding to white (255 grayscale) and the initial value (Vg128) of the gate voltage Vg corresponding to the intermediate grayscale ( 128 grayscale) ) between Vg 255 < Vg 128 .
또한, 흰색(255 계조) 및 중간 계조(128 계조) 이외의 다른 계조에 대해서도, 기준 발광 기간(T5)이 일정하게 되도록, 게이트 전압(Vg)의 초기 값을 설정할 수 있다. 물론, 반드시 모든 계조에 대해 게이트 전압(Vg)의 초기 값을 설정하는 필요는 없고, 일부의 계조에 대하여는, 보간 처리에 기초하여 게이트 전압(Vg)의 초기 값이 산출될 수 있다.In addition, the initial value of the gate voltage Vg may be set so that the reference light emission period T 5 is constant even for grayscales other than white (255 grayscale) and intermediate grayscale (128 grayscale). Of course, it is not necessary to set the initial value of the gate voltage Vg for all grayscales, and for some grayscales, the initial value of the gate voltage Vg may be calculated based on interpolation processing.
이상과 같이, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가, 발광 휘도(계조)에 따라서 제어됨으로써, 초기 상태(즉, 열화 전)의 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이, 발광 휘도(계조)에 의존하지 않고 일정하게 되도록 제어된다. 이와 같은 구성에 의해, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간은 계조 데이터에 영향을 미치지 않기 때문에, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 유기 EL 소자(OLED)의 열화량을 검출하고 검출 결과에 따라서 발광 기간을 연장하는 것이 가능하게 된다.As described above, the compensation data signal Comp.Data is controlled according to the emission luminance (gradation), so that the emission period of the organic EL element OLED in the initial state (that is, before deterioration) is the emission luminance (gradation). It is controlled so that it becomes constant without being dependent on it. With such a configuration, since the light emission period of the organic EL element OLED does not affect the grayscale data, the
이상, 도 11 ~ 도 13를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 있어서, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명하였다.An example of the control of the compensation data signal Comp.Data in the
[2.5. 정리][2.5. organize]
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 발광 휘도(계조)에 따른 데이터 신호(Data)에 따라서 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 제어를 수행하기 위한 구동 회로(117)와 구동 회로(117)의 후단에 위치하는 유기 EL 소자(OLED)의 발광량을 보정하기 위한 회로 군을 구비한다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 발광 휘도(계조)에 따른 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 제어와 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상을 독립하여 제어하는 것이 가능하게 된다.As described above, the
또한, 제1 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 대응하게 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 변화하고, 센서 용량(Cs)의 방전에 대응하게 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다. 이것에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 따르면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 연장되고, 방전 기간이 연장됨에 따라 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간(특히, 도 5의 제5 기간(T15))이 연장된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이 연장되기 때문에, 결과적으로 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화를 보상하는 것이 가능하게 된다.In addition, the discharge period of the sensor capacitance Cs changes in response to the detection result of the first optical sensor Ps1, and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is controlled in response to the discharge of the sensor capacitance Cs. do. Accordingly, according to the
또한, 상기에 나타낸 화소 회로(110)의 구성(도 4 참조)과 화소 회로(110)의 제어(도 5 내지 도 10)에 의해 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상에 따른 제어를 화소 회로(110) 내부에서 완결시키는 것이 가능하게 된다.In addition, the control according to the compensation of the luminance deterioration of the organic EL element OLED by the configuration of the pixel circuit 110 (refer to FIG. 4 ) and the control of the pixel circuit 110 ( FIGS. 5 to 10 ) shown above is performed by the pixel. Completion within the
또한, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED)의 발광을 제어하기 위해 제어 트랜지스터(M1)의 온/오프가 제어 트랜지스터(M3)의 온/오프에 의해 제어될 수 있다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에서는, 제어 트랜지스터(M1)의 온/오프 시간이 더 짧아지도록 제어될 수 있다.In addition, in the
또한, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 복수의 화소 회로(110) 사이에 있어서 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 편차가 보상되기 때문에, 문턱값 전압(Vth)의 변화에 따른 제어 트랜지스터(M1)의 전환 타이밍의 변화가 제어된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화에 따른 보상 발광 기간을 더 정밀하게 제어하는 것이 가능하게 된다.In addition, in the
이상과 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 보다 바람직한 형태로, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 설정과 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 따른 발광량의 보정을 실현하는 것이 가능하게 된다.With the above configuration, the
<3. 제2 실시 형태><3. Second embodiment>
이어서, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 대해서 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 전술한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(10)와, 화소 회로(110)의 구성이나, 화소 회로(110)의 구동 타이밍이 특히 다르다. 그러므로, 본 설명에서는, 화소 회로(110)의 구성, 및, 화소 회로(110)의 구동 타이밍에 초점을 맞추어 설명하고, 그 외의 구성에 대하여는, 상세한 설명은 생략한다.Next, the
[3.1. 화소 회로의 구성][3.1. Configuration of pixel circuit]
먼저, 도 14를 참조하여, 제2 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명한다. 도 14는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다. 도 14에서는, 도 3에 나타내는 표시부(100)를 구성하는 복수의 화소 회로(110) 중, 제 n 행에 배치되는 화소 회로(110)의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 표시부(100)를 구성하는 다른 화소 회로(110)에 대하여는, 도 14에 나타내는 화소 회로(110)의 구성과 동일할 수 있기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.First, an example of the configuration of the
도 14에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED), 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 스위칭 트랜지스터(M2, M4, M25, M26, 및 M31), 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 센서 용량(Cs), 및 용량(C1)을 포함한다.14 , the
또한, 도 14에 나타내는, 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 및 유기 EL 소자(OLED)는 전술한 제1 실시 형태(도 4 참조)에 따른, 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 및 유기 EL 소자(OLED)에 상당한다. 마찬가지로, 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 및 센서 용량(Cs)은 전술한 제1 실시 형태(도 4 참조)에 따른, 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 및 센서 용량(Cs)에 상당한다. 또한, 도 14에 나타내는, 스위칭 트랜지스터(M2, M4, 및 M31), 및 용량(C1)은 전술한 제1 실시 형태(도 4 참조)에 따른, 스위칭 트랜지스터(M2, M4, 및 M31), 및 용량(C1)에 상당한다.Further, the driving
도 14에 나타내는 바와 같이, 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자 측에는 구동 회로(117)가 접속되어 있고, 드레인 단자 측에는, 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 측이 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자의 캐소드 측에는 전원 전압(ELVSS)이 접속되어 있다.14 , the driving
구동 회로(117)는 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여, 데이터 선(114)에 접속되어 있다. 스위칭 트랜지스터(M31)는 주사 선(112)를 통하여 전달되는 Scan(n) 신호에 따라서, 턴-온 또는 턴-오프한다. 즉, Scan(n) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 상태(즉, 도통 상태)로 됨으로써, 데이터 선(114)를 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다. 또한, 구동 회로(117)에는, 도시하지 않은 전원 전압(ELVDD)으로부터 전원 전압이 공급된다.The driving
이와 같은 구성에 의해, 구동 회로(117)는 데이터 선(114) 및 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여 공급된 데이터 신호(Data)에 따른 구동 전류(Ic)를 후단에 위치하는 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자로 공급한다.With this configuration, the driving
제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자는 스위칭 트랜지스터(M25)를 통하여 고전위 전원(VDD)이 접속되고, 드레인 단자는 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자에 접속된다. 스위칭 트랜지스터(M25)는 후술하는 Sense 신호에 의해 턴-온 또는 턴-오프한다. 또한, Sense 신호는 예를 들어, 스캔 드라이버(120)가 각 화소 회로(110)에 대해 공급할 수 있다. 각 화소 회로(110)에 대해 소정의 타이밍에서 Sense 신호를 공급하는 것이 가능하면, Sense 신호의 공급원은 특히 한정되지 않는다.The source terminal of the control transistor M3 is connected to the high potential power supply VDD through the switching transistor M25, and the drain terminal is connected to the gate terminal of the control transistor M1. The switching transistor M25 is turned on or turned off by a sense signal to be described later. In addition, the sense signal may be supplied to each
또한, 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자는 스위칭 트랜지스터(M26)를 통하여 보상용 신호 선(115)이 접속된다. 스위칭 트랜지스터(M25)는 주사 선(113)을 통하여 전달되는 Scan(n-1) 신호에 의해 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, Scan(n-1) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M26)가 턴-온됨으로써, 보상용 신호 선(115)를 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자로 공급된다.Further, a
또한, 이후에는, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 「노드(Nb)」로 기재하는 경우가 있다. 또한, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 「노드(Na)」로 기재하는 경우가 있다.Note that, hereinafter, a node to which the gate terminal of the control transistor M1 is connected is referred to as "node Nb" in some cases. In addition, the node to which the gate terminal of the control transistor M3 is connected is described as "node Na" in some cases.
용량(C1)의 한 쪽 단자가 노드(Nb)에 접속되고, 다른 쪽 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 또한, 노드(Nb)와 저전위 전원(VGL) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M2)가 개재한다. 스위칭 트랜지스터(M2)는 초기화 신호 선(116)을 통하여 공급되는 초기화 신호(Init)에 의해 턴-온 또는 턴-오프한다.One terminal of the capacitor C1 is connected to the node Nb, and the other terminal is connected to the high potential power supply VDD. In addition, a switching transistor M2 is interposed between the node Nb and the low potential power supply VGL. The switching transistor M2 is turned on or off by the initialization signal Init supplied through the
제어 트랜지스터(M3)의 드레인 단자(바꾸어 말하면, 노드(Nb))와, 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M4)가 개재한다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자와 드레인 단자 사이를 바이패스함으로써, 제어 트랜지스터(M3)를 다이오드 접속시킨다. 스위칭 트랜지스터(M4)에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압의 변화가 보상될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 주사 선(113)을 통하여 전달되는 Scan(n-1) 신호에 의해 턴-온 또는 턴-오프한다.A switching transistor M4 is interposed between the drain terminal (in other words, the node Nb) of the control transistor M3 and the gate terminal (in other words, the node Na). The switching transistor M4 diode-connects the control transistor M3 by bypassing between the gate terminal and the drain terminal of the control transistor M3. A change in the threshold voltage of the control transistor M3 may be compensated for by the switching transistor M4 . The switching transistor M4 is turned on or off by a Scan(n-1) signal transmitted through the
광 센서(Ps1, 이하 제1 광 센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터의 광의 일부가 조사되도록 마련되어 있다. 제1 광 센서(Ps1)는 한 쪽의 단자가 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저 전위 전원(VGL)에 접속된다.The optical sensor Ps1 (hereinafter, referred to as the first optical sensor) is provided so that a part of the light from the organic EL element OLED is irradiated. The first optical sensor Ps1 has one terminal connected to the node Na and the other terminal connected to the low potential power supply VGL.
광 센서(Ps2, 이하 제2 광센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터의 직접 광이 차폐되도록 배치된다. 제2 광센서(Ps2)는 화소 회로(110)의 구조 등의 요인에 의한 노이즈 광, 즉 주위로부터 침입하여 오는 반사 광이나 다른 화소 회로(110)에서 출사된 광을 노이즈 성분으로써 검출한다. 광 센서(Ps2)의 한 쪽 단자가 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 이때, 광 센서들(Ps1 및 Ps2)은 직렬로 접속된다. 이와 같은 구성에 의해, 제1 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 기초하여 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)를 산출하고, 광 센서(Ps2)의 검출 결과에 기초하여 노이즈 성분이 제거(캔슬)된다.The optical sensor Ps2 (hereinafter, referred to as a second optical sensor) is disposed to shield direct light from the organic EL device OLED. The second photosensor Ps2 detects noise light due to factors such as the structure of the
센서 용량(Cs)은 한 쪽의 단자가 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저전위 전원(VGL)에 접속된다. 센서 용량(Cs)은 노드(Na)에 대해 공급된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 유지한다. 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)는 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 검출 결과에 따라서 방전되고, 상기 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다.As for the sensor capacitance Cs, one terminal is connected to the node Na, and the other terminal is connected to the low potential power supply VGL. The sensor capacitance Cs maintains the compensation data signal Comp.Data supplied to the node Na. The compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged according to the detection results of the optical sensors Ps1 and Ps2, and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is discharged by the discharge. Controlled.
이상, 도 14를 참조하여 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명하였다.An example of the configuration of the
[3.2. 구동 타이밍][3.2. drive timing]
도 15 내지 도 20을 참조하여, 도 14에 나타낸, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명한다. 도 15는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다. 또한, 도 16 내지 도 20은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.An example of driving timing of each element constituting the
도 15에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 1 프레임 기간(Frame)을 복수의 기간들(T21~T25)로 나눠서 화소 회로(110)를 구동한다. 또한, 기간들(T21~T25) 중 일부의 기간(T23 및 T24)이 유기 EL 소자(OLED)가 발광하는 발광 기간에 상당하고, 다른 일부의 기간(T21, T22, 및 T25)이 유기 EL 소자(OLED)가 소등하는 비발광 기간에 상당한다. 또한, 도 15는 기간들(T21~T25)에 있어서, 초기화 신호(Init), Scan(n-1) 신호, Scan(n) 신호, 및 Sense 신호의 변화를 나타내고, 노드(Na 및 Nb)의 전위의 변화를 나타내고 있다. 또한, 일부의 기간(T21 및 T22)으로 나타낸 기간이 1개의 수평 주사 기간(1H)에 상당한다.15 , the
먼저, 제1 기간(T21)에 대해 설명한다. 도 16은 제1 기간(T21)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제1 기간(T21) 동안에 초기화 신호(Init)에 따라서 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-온 상태로 전환되고, Scan(n-1) 신호에 따라서 스위칭 트랜지스터(M4 및 M26)가 턴-온 상태로 전환한다.First, the first period T 21 will be described. 16 illustrates a connection relationship between elements constituting the
도 16에 나타내는 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(M2 및 M4)가 턴-온 상태로 전환함으로써, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에 저전위 전원(VGL)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)의 전위)가 저전위 전원(VGL)에 의해 초기화된다. 그리고, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 저전위 전원(VGL)에 의해 초기화됨으로써, 제어 트랜지스터(M3)는 턴-온 상태로 전환한다. 또한, 이때, 스위칭 트랜지스터(M25 및 M31)는 턴-오프 상태이다. 또한, 제어 트랜지스터(M1)도 턴-오프 상태로 된다.As shown in Fig. 16, when the switching transistors M2 and M4 are switched to the turned-on state, the low potential power supply VGL is written to the gate terminal of the control transistor M3, and the gate terminal of the control transistor M3 is written. (In other words, the potential of the node Na) is initialized by the low potential power supply VGL. Then, as the gate terminal of the control transistor M3 is initialized by the low potential power supply VGL, the control transistor M3 is switched to the turn-on state. Also, at this time, the switching transistors M25 and M31 are in a turned-off state. In addition, the control transistor M1 is also turned off.
이어서, 제2 기간(T22)에 대해 설명한다. 도 17은 제2 기간(T22)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제2 기간(T22) 동안에 초기화 신호(Init)에 의해 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제2 기간(T22) 동안에 제어 트랜지스터(M3)는 드레인 단자(노드(Na))와 게이트 단자(노드(Na))가 바이패스된다. 이른바, 제어 트랜지스터(M3)는 다이오드 접속된다.Next, the second period T 22 will be described. 17 illustrates a connection relationship between elements constituting the
보상용 신호 선(115)을 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 스위칭 트랜지스터(M26)를 통하여 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자로 공급된다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))의 전위가 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)과 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 반영한 전위(Comp. Data-Vth)로 제어된다. 이와 같은 제어에 의해, 복수의 화소 회로(110)들의 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 변화가 보상된다.The compensation data signal Comp.Data transmitted through the
이어서, 제3 기간(T23)에 대해 설명한다. 도 18은 제3 기간(T23)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제3 기간(T23) 동안에 Scan(n) 신호에 의해 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 데이터 선(114)를 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다.Next, the third period T 23 will be described. 18 illustrates a connection relationship between elements constituting the
또한, 제3 기간(T23) 동안에 초기화 신호(Init)에 의해 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-온 상태로 전환한다. 또한, Scan(n-1) 신호에 의해 스위칭 트랜지스터(M26 및 M4)가 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Na))에, 저전위 전원(VGL)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-온 상태로 전환한다.Also, during the third period T 23 , the switching transistor M2 is switched to a turn-on state by the initialization signal Init. In addition, the switching transistors M26 and M4 are switched to the turn-off state by the Scan(n-1) signal. Thereby, the low potential power supply VGL is written to the gate terminal (node Na) of the control transistor M1, and the control transistor M1 is switched to the turn-on state.
또한, 제3 기간(T23) 동안에 Sense 신호에 의해 스위칭 트랜지스터(M25)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다.Also, during the third period T 23 , the switching transistor M25 is switched to a turn-on state by the Sense signal. Thereby, the source terminal of the control transistor M3 is connected to the high potential power supply VDD.
이상과 같은 제어에 기초하여, 구동 회로(117)로부터 데이터 신호(Data)에 따른 구동 전류(Ic)가 제어 트랜지스터(M1)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)에 공급되고, 유기 EL 소자(OLED)가 구동 전류(Ic)에 따른 휘도로 발광한다.Based on the above control, the driving current Ic according to the data signal Data from the driving
이어서, 제4 기간(T24)에 대해 설명한다. 도 19는 기간(T24) 동안에 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제4 기간(T24) 동안에 초기화 신호(Init)에 의해 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환한다.Next, the fourth period T 24 will be described. 19 shows the connection relationship of each element constituting the
스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환하면, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))가 플로팅되고, 센서 용량(Cs)에 문턱값 전압(Vth)이 보상된 보상용 데이터 신호(Comp. Data-Vth)가 유지된다. 또한, 유기 EL 소자(OLED)가 발광함에 따라센싱 전류(Is)가 광 센서(Ps1)에 흐른다. 센싱 전류(Is)에 의해 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 Data-Vth)가 방전되고, 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 저하한다.When the switching transistor M2 is turned into a turn-off state, the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 is floated, and compensation data in which the threshold voltage Vth is compensated for the sensor capacitance Cs The signal Comp. Data-Vth is maintained. In addition, as the organic EL element OLED emits light, a sensing current Is flows through the optical sensor Ps1. The compensation data Data-Vth held in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is, and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is lowered by the discharge.
이어서, 제5 기간(T25)에 대해 설명한다. 도 20은 제5 기간(T25) 동안에 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 도 20에 나타내는 상태에서는, 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 검출 결과에 기초한 센싱 전류(Is)에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하고, 제어 트랜지스터(M3)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Nb))에, 고전위 전원(VDD)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 구동 회로(117)으로부터 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 구동 전류(Ic)가 차단되고, 유기 EL 소자(OLED)는 소등한다.Next, the fifth period T 25 will be described. 20 illustrates a connection relationship between elements constituting the
이상, 도 15 내지 도 20을 참조하여, 도 14에 나타낸, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하였다. 또한, 상기에 설명한 예에서는, 제어 트랜지스터(M1 및 M3) P 채널 형의 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 예시적으로 설명하였으나, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)는 P 채널형의 트랜지스터에는 한정되지 않는다. 구체적인 일 예로서, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 N 채널형의 트랜지스터로서 구성할 수 있다. 또한, 그 경우에는, 각 신호의 전위의 관계를 각 트랜지스터의 특성에 맞춰서 적절하게 변경할 수 있다.An example of driving timing of each element constituting the
[3.3. 정리][3.3. organize]
본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 이상 설명한 화소 회로(110)의 회로 구성, 및 화소 회로(110)의 제어에 기초하여 전술한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(10)와 동일한 작용 효과를 나타내는 것이 가능하게 된다.The
즉, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 발광 휘도(계조)에 따른 데이터 신호(Data)에 따라서 유기 EL 소자(OLED)의 휘도를 제어하기 위한 구동 회로(117)와 구동 회로(117)의 후단에 위치하는 유기 EL 소자(OLED)의 발광량을 보정하기 위한 회로 군을 구비한다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 발광 휘도(계조)에 따른 유기 EL 소자(OLED)의 휘도를 제어할 수 있고, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상을 제어할 수 있다. 상기 2개의 제어를 독립적으로 실시할 수 있다.That is, the
또한, 구동 회로(117)의 후단에 위치하는 회로 군을 참조하면, 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 따라서 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 변화하고, 센서 용량(Cs)의 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다. 이것에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에서는, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 연장되고, 방전 기간의 연장에 의해 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간(특히, 도 15의 기간(T24))가 연장된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이 연장되기 때문에, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화를 보상하는 것이 가능하게 된다.In addition, referring to the circuit group located at the rear end of the driving
또한, 상기에 나타낸 화소 회로(110)의 구성(도 14)과 화소 회로(110)의 제어(도 15 내지 도 20)에 의해, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상에 따른 제어를 화소 회로(110) 내부에서 완결시키는 것이 가능하게 된다.In addition, by the configuration of the pixel circuit 110 ( FIG. 14 ) and the control of the pixel circuit 110 ( FIGS. 15 to 20 ) shown above, the control according to the compensation of the luminance deterioration of the organic EL element OLED is performed by the pixel. Completion within the
또한, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED)의 발광을 제어하기 위한 제어 트랜지스터(M1)의 스위칭이 제어 트랜지스터(M3)의 스위칭에 의해 제어될 수 있다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에서는 제어 트랜지스터(M1)의 스위칭 시간이 보다 짧아지도록 제어된다.In addition, in the
또한, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 복수의 화소 회로(110) 사이에 있어서 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 변화가 보상되기 때문에, 문턱값 전압(Vth)의 변화에 따른, 제어 트랜지스터(M1)의 전환 타이밍의 변화가 제어된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화에 따른 보상 발광 기간을 고정밀도로 제어하는 것이 가능하게 된다.In addition, in the
또한, 전술한 제1 실시 형태에 따른 화소 회로(110, 도 8 참조)에서는, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에는 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 용량(C2)을 통해 라이트되어 있다. 이것에 대해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110, 도 17 참조)에서는, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에는 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 스위칭 트랜지스터(M26) 및 제어 트랜지스터(M3)를 통하여 라이트된다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 전술한 제1 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 비해, 용량 소자의 수가 감소된다. 일반적으로, 화소 회로 중에 있어서 용량 소자가 차지하는 면적은 다른 소자에 비해 커지는 경향이 있다. 그러므로, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 전술한 제1 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 비해, 보다 소형화하는 것이 가능하게 되는 경우가 있다.In addition, in the pixel circuit 110 (refer to FIG. 8 ) according to the first embodiment described above, the compensation data signal Comp.Data is written to the gate terminal of the control transistor M3 through the capacitor C2 . In contrast, in the pixel circuit 110 (refer to FIG. 17 ) according to the present embodiment, the compensating data signal Comp.Data is applied to the gate terminal of the control transistor M3 by the switching transistor M26 and the control transistor M3. lighted through With such a configuration, the number of capacitor elements in the
<4. 정리><4. Organize>
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명의 속하는 기술의 분야에 있어서 통상의 지식을 갖는 자이면, 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각 종의 변경예 또는 수정예에 착안하여 얻는 것은 명확하고, 이들에 대해서도, 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 해석된다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described in detail, referring an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. For those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, within the scope of the technical idea described in the claims, it is clear that it is obtained by paying attention to each type of change or modification, and also about these, Naturally, it is construed as belonging to the technical scope of the present invention.
10 표시 장치 100 표시부
110 화소 회로 112 주사 선
113 주사 선 114 데이터 선
115 보상용 신호 선 116 초기화 신호 선
117 구동 회로 120 스캔 드라이버
130 데이터 드라이버10
110
113
115
117
130 data driver
Claims (11)
상기 화소 회로는,
전류량에 따른 휘도의 광을 출사하는 발광 소자;
인가된 제1 전압에 대응하게 상기 발광 소자에 공급되는 전류량을 제어하는 구동 회로;
제1 제어 단자로 인가된 제1 게이트 전압에 응답하여 상기 발광 소자와 상기 구동 회로의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 트랜지스터;
상기 발광 소자로부터 출사된 광의 휘도를 검출하는 제1 광 센서;
상기 제1 전압을 반영한 제2 전압을 유지하는 용량; 및
상기 제1 트랜지스터에 상기 제1 게이트 전압을 제공하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 상기 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 응답하여 턴-온되고,
상기 제1 트랜지스터는 상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 응답하여 턴-오프되고,
상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 제어 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 제2 제어 단자, 제3 단자, 및 제4 단자를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터의 상기 제3 단자는 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 제어 단자에 접속되고,
상기 제1 광 센서의 한 쪽 단자와 상기 용량의 한 쪽 단자 각각은 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.A display device including pixel circuits arranged in a matrix, the display device comprising:
The pixel circuit is
a light emitting device emitting light having a luminance according to an amount of current;
a driving circuit for controlling an amount of current supplied to the light emitting device in response to the applied first voltage;
a first transistor for switching an electrical connection between the light emitting device and the driving circuit in response to a first gate voltage applied to a first control terminal;
a first optical sensor detecting the luminance of the light emitted from the light emitting device;
a capacity for maintaining a second voltage reflecting the first voltage; and
a second transistor providing the first gate voltage to the first transistor;
the second transistor is turned on in response to a second gate voltage determined by the detected light luminance and the second voltage maintained at the capacitance;
the first transistor is turned off in response to the first gate voltage applied when the second transistor is turned on;
the first transistor includes the first control terminal, a first terminal, and a second terminal;
the second transistor includes a second control terminal, a third terminal, and a fourth terminal;
the third terminal of the second transistor is connected to the first control terminal of the first transistor;
and one terminal of the first optical sensor and one terminal of the capacitor are each connected to the second control terminal of the second transistor.
상기 용량에 유지된 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 검출된 광의 휘도에 따라 제어되고,
상기 방전 기간에 기초하여 상기 발광 소자의 발광 기간이 제어되는 표시 장치.The method of claim 1,
The discharge period of the second voltage maintained in the capacitance is controlled according to the luminance of the detected light,
A display device in which a light emission period of the light emitting element is controlled based on the discharge period.
상기 제1 광센서에 직렬 접속하고 상기 용량에 대해 병렬 접속하며 상기 발광 소자로부터 출사된 광이 직접 인가되지 않는 제2 광 센서를 더 포함하고, 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 제1 광 센서 및 상기 제2 광 센서의 검출 결과에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The method of claim 1,
and a second optical sensor connected in series to the first optical sensor and connected in parallel with respect to the capacitance and to which the light emitted from the light emitting element is not directly applied, wherein the discharge period of the second voltage is the first optical sensor and a result of detection of the second optical sensor.
상기 제2 제어 단자와 상기 제3 단자 사이의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 스위칭 소자를 더 포함하고,
상기 발광 소자의 발광 기간 이전에 정의된 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터와 상기 제1 스위칭 소자가 턴-온되고, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 갖고,
상기 제2 전압에 상기 문턱값 전압이 보상된 것을 특징으로 하는 표시 장치.The method of claim 1,
Further comprising a first switching element for switching the electrical connection between the second control terminal and the third terminal,
The second transistor and the first switching element are turned on during a preparation period defined before the light emission period of the light emitting element, and the second control terminal has a potential reflecting the threshold voltage of the second transistor;
The display device of claim 1, wherein the threshold voltage is compensated for the second voltage.
상기 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자의 전위는 문턱값 전압이 반영되지 않은 값에서 문턱값 전압이 반영된 값으로 변경되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6. The method of claim 5,
The display device of claim 1 , wherein a potential of the second control terminal of the second transistor is changed from a value to which a threshold voltage is not reflected to a value to which a threshold voltage is reflected during the preparation period.
제2 용량; 및
상기 용량의 한 쪽 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제2 스위칭 소자;
를 더 포함하고,
상기 제2 용량은 상기 제2 스위칭 소자와 상기 용량의 한 쪽 단자 사이에 개재하고,
상기 제2 스위칭 소자가 턴-온 될 때, 상기 제2 전압이 상기 제2 용량을 통하여 상기 용량의 상기 한 쪽 단자로 인가되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6. The method of claim 5,
a second dose; and
a second switching element providing the second voltage to one terminal of the capacitor;
further comprising,
the second capacitor is interposed between the second switching element and one terminal of the capacitor;
When the second switching element is turned on, the second voltage is applied to the one terminal of the capacitor through the second capacitor.
상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자가 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 가진 이후에, 상기 제2 스위칭 소자가 턴-온되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.8. The method of claim 7,
and after the second control terminal of the second transistor has a potential reflecting a threshold voltage of the second transistor, the second switching element is turned on.
상기 제2 트랜지스터의 상기 제4 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제3 스위칭 소자를 더 포함하고,
상기 제2 트랜지스터, 상기 제1 스위칭 소자, 및 상기 제3 스위칭 소자가 턴-온 될때, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자로 상기 제2 전압이 인가됨으로써, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압이 반영된 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6. The method of claim 5,
Further comprising a third switching element for providing the second voltage to the fourth terminal of the second transistor,
When the second transistor, the first switching element, and the third switching element are turned on, the second voltage is applied to the second control terminal of the second transistor, so that the second control terminal is connected to the second control terminal. 2 A display device, characterized in that it has a potential to which the threshold voltage of the transistor is reflected.
상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 스위칭 소자에 동기하여 스위칭되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.10. The method of claim 9,
and the third switching element is switched in synchronization with the first switching element.
상기 화소 회로는,
전류량에 따른 휘도의 광을 출사하는 발광 소자;
인가된 제1 전압에 대응하게 상기 발광 소자에 공급되는 전류량을 제어하는 구동 회로;
제1 제어 단자로 인가된 제1 게이트 전압에 응답하여 상기 발광 소자와 상기 구동 회로의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 트랜지스터;
상기 발광 소자로부터 출사된 광의 휘도를 검출하는 제1 광 센서;
상기 제1 전압을 반영한 제2 전압을 유지하는 용량; 및
상기 제1 트랜지스터에 상기 제1 게이트 전압을 제공하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 광 센서에서 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 기초하여 상기 제2 트랜지스터가 턴-온 되는 단계; 및
상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 기초하여 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프되는 단계를 포함하고,
상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 제어 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 제2 제어 단자, 제3 단자, 및 제4 단자를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터의 상기 제3 단자는 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 제어 단자에 접속되고,
상기 제1 광 센서의 한 쪽 단자와 상기 용량의 한 쪽 단자 각각은 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 영상 표시 방법.A method for displaying an image of a display device including pixel circuits arranged in a matrix, the method comprising:
The pixel circuit is
a light emitting device emitting light having a luminance according to an amount of current;
a driving circuit for controlling an amount of current supplied to the light emitting device in response to the applied first voltage;
a first transistor for switching an electrical connection between the light emitting device and the driving circuit in response to a first gate voltage applied to a first control terminal;
a first optical sensor detecting the luminance of the light emitted from the light emitting device;
a capacity for maintaining a second voltage reflecting the first voltage; and
a second transistor providing the first gate voltage to the first transistor;
turning on the second transistor based on a second gate voltage determined by the luminance of light detected by the first optical sensor and the second voltage maintained in the capacitance; and
turning off the first transistor based on the first gate voltage applied when the second transistor is turned on;
the first transistor includes the first control terminal, a first terminal, and a second terminal;
the second transistor includes a second control terminal, a third terminal, and a fourth terminal;
the third terminal of the second transistor is connected to the first control terminal of the first transistor;
One terminal of the first optical sensor and one terminal of the capacitor are each connected to the second control terminal of the second transistor.
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